JPH06338458A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH06338458A JPH06338458A JP15124593A JP15124593A JPH06338458A JP H06338458 A JPH06338458 A JP H06338458A JP 15124593 A JP15124593 A JP 15124593A JP 15124593 A JP15124593 A JP 15124593A JP H06338458 A JPH06338458 A JP H06338458A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマＣＶＤ装置に於いて、カソードの温度
分布の均一化、反応ガスの導入の均一化を同時に達成す
る。 【構成】カソード９とアノード６を相対向させ設け、前
記カソードに穿設した反応ガス供給孔１１より反応ガス
を導入し、両電極を加熱可能と共に両電極に高周波電力
を印加してプラズマを発生させる様にしたプラズマＣＶ
Ｄ装置に於いて、前記カソードをカソード保持体８に設
け、該カソード保持体を介してカソードを加熱可能と
し、又該カソードとカソード保持体との間にガス分散板
２８を嵌装し、前記反応ガスは該ガス分散板を流通して
プラズマ発生空間に導入され、該ガス分散板を通過する
過程で、圧力降下が多段に進行し、断熱膨脹が抑制され
ると共に均圧化が促進され、更に該ガス分散板により加
熱され、加熱された反応ガスが均一にプラズマ発生空間
に導入され、又カソードはガス分散板を介して効果的に
カソード保持体から給熱され温度分布の均一化が促進さ
れる。
分布の均一化、反応ガスの導入の均一化を同時に達成す
る。 【構成】カソード９とアノード６を相対向させ設け、前
記カソードに穿設した反応ガス供給孔１１より反応ガス
を導入し、両電極を加熱可能と共に両電極に高周波電力
を印加してプラズマを発生させる様にしたプラズマＣＶ
Ｄ装置に於いて、前記カソードをカソード保持体８に設
け、該カソード保持体を介してカソードを加熱可能と
し、又該カソードとカソード保持体との間にガス分散板
２８を嵌装し、前記反応ガスは該ガス分散板を流通して
プラズマ発生空間に導入され、該ガス分散板を通過する
過程で、圧力降下が多段に進行し、断熱膨脹が抑制され
ると共に均圧化が促進され、更に該ガス分散板により加
熱され、加熱された反応ガスが均一にプラズマ発生空間
に導入され、又カソードはガス分散板を介して効果的に
カソード保持体から給熱され温度分布の均一化が促進さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子等の製造工程
に於いて、各種の薄膜を基板に形成する為使用されるプ
ラズマＣＶＤ装置に係り、特にカソードが加熱されるプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
に於いて、各種の薄膜を基板に形成する為使用されるプ
ラズマＣＶＤ装置に係り、特にカソードが加熱されるプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は相対向するカソー
ド、アノードを有し、反応ガスを供給した状態で両電極
に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板に薄
膜を生成するものである。
ド、アノードを有し、反応ガスを供給した状態で両電極
に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板に薄
膜を生成するものである。
【０００３】従来カソードを経て反応ガスを供給してい
るが、均一な膜形成を行う為カソード内にガス溜めを設
け、該ガス溜めでガスの均一化を行い更に前記カソード
に設けたガス供給孔よりプラズマ発生空間に反応ガスの
供給を行っていた。
るが、均一な膜形成を行う為カソード内にガス溜めを設
け、該ガス溜めでガスの均一化を行い更に前記カソード
に設けたガス供給孔よりプラズマ発生空間に反応ガスの
供給を行っていた。
【０００４】又、プラズマ処理を行う場合、前記カソー
ドが冷えているとカソード表面に反応生成物である微粉
が付着し、成膜中にこの微粉が基板表面に落下して成膜
不良を起こす。又、前記カソードを加熱した状態では、
表面に反応生成物の膜が成膜する。従って、微粉落下に
よる成膜不良を防止する為、カソードを加熱していた。
ドが冷えているとカソード表面に反応生成物である微粉
が付着し、成膜中にこの微粉が基板表面に落下して成膜
不良を起こす。又、前記カソードを加熱した状態では、
表面に反応生成物の膜が成膜する。従って、微粉落下に
よる成膜不良を防止する為、カソードを加熱していた。
【０００５】図３により、カソードの加熱機能を有する
従来のプラズマＣＶＤ装置について説明する。
従来のプラズマＣＶＤ装置について説明する。
【０００６】外側チャンバ１と外側チャンバ蓋２により
真空容器３が構成され、前記外側チャンバ蓋２の下面に
は、絶縁ブロック７を介してカソード保持体８が設けら
れ、該カソード保持体８の下面にカソード９が設けられ
る。該カソード９と前記カソード保持体８との間にはガ
ス溜め１０が形成され、前記カソード９には所要数の反
応ガス供給孔１１が穿設されている。又、前記絶縁ブロ
ック７を囲繞するアースシールド２３が前記外側チャン
バ蓋２に固着されている。
真空容器３が構成され、前記外側チャンバ蓋２の下面に
は、絶縁ブロック７を介してカソード保持体８が設けら
れ、該カソード保持体８の下面にカソード９が設けられ
る。該カソード９と前記カソード保持体８との間にはガ
ス溜め１０が形成され、前記カソード９には所要数の反
応ガス供給孔１１が穿設されている。又、前記絶縁ブロ
ック７を囲繞するアースシールド２３が前記外側チャン
バ蓋２に固着されている。
【０００７】前記カソード保持体８には上方に突出する
ガス導入管１２が結合され、該ガス導入管１２の前記外
側チャンバ蓋２貫通箇所には絶縁リング１３が設けられ
ている。該ガス導入管１２は前記カソード９の電力供給
部を兼ねると共に前記ガス溜め１０に連通する中空とな
っており、更に前記ガス導入管１２にはガス導入孔１４
が接続されている。前記カソード保持体８にはカソード
ヒータ１５が埋設され、又カソード熱電対１６が埋設さ
れている。
ガス導入管１２が結合され、該ガス導入管１２の前記外
側チャンバ蓋２貫通箇所には絶縁リング１３が設けられ
ている。該ガス導入管１２は前記カソード９の電力供給
部を兼ねると共に前記ガス溜め１０に連通する中空とな
っており、更に前記ガス導入管１２にはガス導入孔１４
が接続されている。前記カソード保持体８にはカソード
ヒータ１５が埋設され、又カソード熱電対１６が埋設さ
れている。
【０００８】前記カソード９に対向してアノード６が設
けられる。該アノード６の下面には加熱板１７が固着さ
れ、該加熱板１７にはアノードヒータ１８が埋設されて
いる。該加熱板１７は支柱１９を介して昇降基板２０に
支持され、該昇降基板２０と前記支柱１９との間には反
射板２１が設けられている。前記昇降基板２０には前記
外側チャンバ１の底部を気密に貫通する昇降ロッド２２
が連結され、前記昇降基板２０は該昇降ロッド２２によ
って昇降可能に支持される。
けられる。該アノード６の下面には加熱板１７が固着さ
れ、該加熱板１７にはアノードヒータ１８が埋設されて
いる。該加熱板１７は支柱１９を介して昇降基板２０に
支持され、該昇降基板２０と前記支柱１９との間には反
射板２１が設けられている。前記昇降基板２０には前記
外側チャンバ１の底部を気密に貫通する昇降ロッド２２
が連結され、前記昇降基板２０は該昇降ロッド２２によ
って昇降可能に支持される。
【０００９】基板支持ピン２４が前記外側チャンバ１の
底部を気密且昇降自在に貫通すると共に前記昇降基板２
０、反射板２１、加熱板１７、アノード６を貫通し、上
方に突出する様に設けられ、該基板支持ピン２４は前記
アノード６の上面に載置された被処理基板２５を持上げ
る様になっている。
底部を気密且昇降自在に貫通すると共に前記昇降基板２
０、反射板２１、加熱板１７、アノード６を貫通し、上
方に突出する様に設けられ、該基板支持ピン２４は前記
アノード６の上面に載置された被処理基板２５を持上げ
る様になっている。
【００１０】又、図中、２６は排気口、２７は基板搬送
口、３２はアノード熱電対である。前記基板搬送口２７
は図示しないゲート弁を閉じることにより密閉される。
口、３２はアノード熱電対である。前記基板搬送口２７
は図示しないゲート弁を閉じることにより密閉される。
【００１１】前記真空容器３内が真空とされた状態で、
図示しないゲート弁を開き、前記昇降ロッド２２を介し
てアノード６を降下させ、図示しない搬送ロボットより
前記被処理基板２５を真空容器３内に搬入し、上昇した
前記基板支持ピン２４により被処理基板２５を受け、図
示しない搬送ロボットが後退した後、図示しないゲート
弁を閉じ、前記基板支持ピン２４が降下して前記被処理
基板２５を前記アノード６に載置する。
図示しないゲート弁を開き、前記昇降ロッド２２を介し
てアノード６を降下させ、図示しない搬送ロボットより
前記被処理基板２５を真空容器３内に搬入し、上昇した
前記基板支持ピン２４により被処理基板２５を受け、図
示しない搬送ロボットが後退した後、図示しないゲート
弁を閉じ、前記基板支持ピン２４が降下して前記被処理
基板２５を前記アノード６に載置する。
【００１２】前記カソードヒータ１５に通電され、カソ
ード保持体８が加熱され、該カソード保持体８からの熱
輻射、熱伝導により前記カソード９が加熱される。前記
ガス導入孔１４、ガス導入管１２を介して前記ガス溜め
１０に反応ガスが供給され、該反応ガスは前記ガス溜め
１０で均圧化された後、前記反応ガス供給孔１１より分
散して前記カソード９と前記アノード６間のプラズマ発
生空間に導入される。
ード保持体８が加熱され、該カソード保持体８からの熱
輻射、熱伝導により前記カソード９が加熱される。前記
ガス導入孔１４、ガス導入管１２を介して前記ガス溜め
１０に反応ガスが供給され、該反応ガスは前記ガス溜め
１０で均圧化された後、前記反応ガス供給孔１１より分
散して前記カソード９と前記アノード６間のプラズマ発
生空間に導入される。
【００１３】前記カソード９と前記アノード６とに高周
波電力が印加され、両電極間にプラズマが発生し、前記
被処理基板２５の表面に反応生成物が堆積成膜される。
波電力が印加され、両電極間にプラズマが発生し、前記
被処理基板２５の表面に反応生成物が堆積成膜される。
【００１４】成膜が完了すると図示しないゲート弁が開
き、前記昇降ロッド２２を介して前記アノード６が降下
し、前記基板支持ピン２４により前記被処理基板２５が
持上げられ、図示しない搬送ロボットにより前記基板搬
送口２７より搬出される。
き、前記昇降ロッド２２を介して前記アノード６が降下
し、前記基板支持ピン２４により前記被処理基板２５が
持上げられ、図示しない搬送ロボットにより前記基板搬
送口２７より搬出される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】反応ガスの流れ分布は
成膜状態に影響するので、前記カソード９から真空容器
３内には均一に導入されなければならない。反応ガスを
均一に導入させる為には、前記ガス溜め１０の容積を大
きくし、高さを大きく取り、コンダクタンスを大きくし
て反応ガスが前記ガス溜め１０を通過することで圧力が
均等になる様にしなければならない。ところが、カソー
ド９への熱供給は前記した様に、前記カソード保持体８
からの熱輻射、カソード保持体８とカソード９接触によ
る熱伝導、反応ガスの対流伝熱である為、前記ガス溜め
１０の高さを大きくすると、前記カソード９への熱供給
が減少し、カソード９の熱分布が悪くなるという問題が
ある。更に、反応ガス供給孔１１から前記真空容器３内
に流入する際に、通常数百Torrから数Torr迄、急激な圧
力降下がある為、断熱膨脹によりガス温度が低下し、や
はり成膜に影響する。
成膜状態に影響するので、前記カソード９から真空容器
３内には均一に導入されなければならない。反応ガスを
均一に導入させる為には、前記ガス溜め１０の容積を大
きくし、高さを大きく取り、コンダクタンスを大きくし
て反応ガスが前記ガス溜め１０を通過することで圧力が
均等になる様にしなければならない。ところが、カソー
ド９への熱供給は前記した様に、前記カソード保持体８
からの熱輻射、カソード保持体８とカソード９接触によ
る熱伝導、反応ガスの対流伝熱である為、前記ガス溜め
１０の高さを大きくすると、前記カソード９への熱供給
が減少し、カソード９の熱分布が悪くなるという問題が
ある。更に、反応ガス供給孔１１から前記真空容器３内
に流入する際に、通常数百Torrから数Torr迄、急激な圧
力降下がある為、断熱膨脹によりガス温度が低下し、や
はり成膜に影響する。
【００１６】本発明は斯かる実情に鑑み、カソードの温
度分布の均一化、反応ガスの導入の均一化を同時に達成
しようとするものである。
度分布の均一化、反応ガスの導入の均一化を同時に達成
しようとするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、カソードとア
ノードを相対向させ設け、前記カソードに穿設した反応
ガス供給孔より反応ガスを導入し、両電極を加熱可能と
共に両電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ
る様にしたプラズマＣＶＤ装置に於いて、前記カソード
をカソード保持体に設け、該カソード保持体を介してカ
ソードを加熱可能とし、又該カソードとカソード保持体
との間にガス分散板を嵌装し、前記反応ガスを該ガス分
散板を流通させプラズマ発生空間に導入する様にしたこ
とを特徴とするものである。
ノードを相対向させ設け、前記カソードに穿設した反応
ガス供給孔より反応ガスを導入し、両電極を加熱可能と
共に両電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ
る様にしたプラズマＣＶＤ装置に於いて、前記カソード
をカソード保持体に設け、該カソード保持体を介してカ
ソードを加熱可能とし、又該カソードとカソード保持体
との間にガス分散板を嵌装し、前記反応ガスを該ガス分
散板を流通させプラズマ発生空間に導入する様にしたこ
とを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】反応ガスはガス分散板を通過する過程で、圧力
降下が多段に進行し、断熱膨脹が抑制されると共に均圧
化が促進され、更に前記ガス分散板により加熱され、加
熱された反応ガスが均一にプラズマ発生空間に導入さ
れ、又カソードはガス分散板を介して効果的にカソード
保持体から給熱され温度分布の均一化が促進される。
降下が多段に進行し、断熱膨脹が抑制されると共に均圧
化が促進され、更に前記ガス分散板により加熱され、加
熱された反応ガスが均一にプラズマ発生空間に導入さ
れ、又カソードはガス分散板を介して効果的にカソード
保持体から給熱され温度分布の均一化が促進される。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００２０】図１に示す実施例中、図３中で示したもの
と同一のものには同符号を付し、その説明を省略する。
と同一のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００２１】前記アースシールド２３の下端にプラズマ
発生空間３３を囲繞する枠体５を固着し、該枠体５には
前記アノード６が密着可能とする。而して、アノード６
が枠体５に密着した状態では真空容器３の内部に内側チ
ャンバ４が形成される。
発生空間３３を囲繞する枠体５を固着し、該枠体５には
前記アノード６が密着可能とする。而して、アノード６
が枠体５に密着した状態では真空容器３の内部に内側チ
ャンバ４が形成される。
【００２２】カソード保持体８とカソード９が成す空
間、即ち前記ガス溜め１０にガス分散板２８を嵌装す
る。
間、即ち前記ガス溜め１０にガス分散板２８を嵌装す
る。
【００２３】該ガス分散板２８は前記カソード保持体８
と前記カソード９とに密着し、上面には入側溝２９が同
心状に刻設され、又下面には出側溝３０が同心状に刻設
され、前記入側溝２９と前記出側溝３０は連絡孔３１に
より連通されている。カソード９に穿設されている反応
ガス供給孔１１の全ては前記出側溝３０に連通してい
る。
と前記カソード９とに密着し、上面には入側溝２９が同
心状に刻設され、又下面には出側溝３０が同心状に刻設
され、前記入側溝２９と前記出側溝３０は連絡孔３１に
より連通されている。カソード９に穿設されている反応
ガス供給孔１１の全ては前記出側溝３０に連通してい
る。
【００２４】本実施例に於いても被処理基板２５の搬入
搬出、被処理基板２５のプラズマ処理については前記し
た従来例と同様であるので説明を省略する。
搬出、被処理基板２５のプラズマ処理については前記し
た従来例と同様であるので説明を省略する。
【００２５】而して、ガス導入孔１４より導入された反
応ガスはガス導入管１２を経て、前記入側溝２９、前記
連絡孔３１、出側溝３０を通過して前記反応ガス供給孔
１１に至り、該反応ガス供給孔１１を通って前記内側チ
ャンバ４内のプラズマ発生空間３３に供給される。
応ガスはガス導入管１２を経て、前記入側溝２９、前記
連絡孔３１、出側溝３０を通過して前記反応ガス供給孔
１１に至り、該反応ガス供給孔１１を通って前記内側チ
ャンバ４内のプラズマ発生空間３３に供給される。
【００２６】反応ガスは前記ガス分散板２８を通過する
過程で漸次膨脹していき、均圧が進む。又断熱膨脹が抑
制されるので、温度の低下が避けられる。前記ガス分散
板２８は前記カソード保持体８、前記カソード９に密着
しているので、前記ガス分散板２８を介して熱伝導が促
進され、前記カソード保持体８からの前記カソード９へ
の給熱が促進され、前記カソード９の熱分布が改善され
る。
過程で漸次膨脹していき、均圧が進む。又断熱膨脹が抑
制されるので、温度の低下が避けられる。前記ガス分散
板２８は前記カソード保持体８、前記カソード９に密着
しているので、前記ガス分散板２８を介して熱伝導が促
進され、前記カソード保持体８からの前記カソード９へ
の給熱が促進され、前記カソード９の熱分布が改善され
る。
【００２７】更に、反応ガスは前記ガス分散板２８を通
過する過程で、該ガス分散板２８に、更に前記カソード
９に加熱される。
過する過程で、該ガス分散板２８に、更に前記カソード
９に加熱される。
【００２８】尚、上記実施例では２重室構造のプラズマ
ＣＶＤ装置を例示したが、単室構造のプラズマＣＶＤ装
置でも実施可能であることは勿論である。
ＣＶＤ装置を例示したが、単室構造のプラズマＣＶＤ装
置でも実施可能であることは勿論である。
【００２９】次に、図２により本発明の具体的例につい
て説明する。
て説明する。
【００３０】図２に示す具体例中、図１中で示したもの
と同一のものには同符号を付し、その説明を省略する。
と同一のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００３１】本具体例に於いては、絶縁ブロック７は断
熱ケース３４を介して設けられ、出側溝３０はカソード
９の上面に形成されている。該カソード９の下方には上
電極カバー３９が設けられ、該上電極カバー３９には全
面に亘って多数の反応ガス分散孔３８が穿設されてい
る。
熱ケース３４を介して設けられ、出側溝３０はカソード
９の上面に形成されている。該カソード９の下方には上
電極カバー３９が設けられ、該上電極カバー３９には全
面に亘って多数の反応ガス分散孔３８が穿設されてい
る。
【００３２】前記カソード９はカソード保持体８の下方
から固定螺子３５により該カソード保持体８に固定さ
れ、前記固定螺子３５の頭面は前記カソード９下面より
埋没している。前記固定螺子３５の螺子頭にはカバー螺
子３６が螺着され、該カバー螺子３６の頭面は前記カソ
ード９下面と同一平面となっている。
から固定螺子３５により該カソード保持体８に固定さ
れ、前記固定螺子３５の頭面は前記カソード９下面より
埋没している。前記固定螺子３５の螺子頭にはカバー螺
子３６が螺着され、該カバー螺子３６の頭面は前記カソ
ード９下面と同一平面となっている。
【００３３】前記枠体５の内側に石英製の側壁カバー３
７が設けられ、前記被処理基板２５が載置される面の周
囲には排気孔４３が穿設された石英製の下電極カバー４
０が設けられ、前記上電極カバー３９、側壁カバー３７
と共に前記プラズマ発生空間３３を絶縁板で囲繞してい
る。前記下電極カバー４０の下方には排気溝４１が設け
られ、該排気溝４１は排気連通路４２により前記プラズ
マ発生空間３３の外部に連通している。
７が設けられ、前記被処理基板２５が載置される面の周
囲には排気孔４３が穿設された石英製の下電極カバー４
０が設けられ、前記上電極カバー３９、側壁カバー３７
と共に前記プラズマ発生空間３３を絶縁板で囲繞してい
る。前記下電極カバー４０の下方には排気溝４１が設け
られ、該排気溝４１は排気連通路４２により前記プラズ
マ発生空間３３の外部に連通している。
【００３４】前記ガス導入孔１４より導入された反応ガ
スは、前記ガス分散板２８、カソード９、更に上電極カ
バー３９を通り、プラズマ発生空間３３に供給される。
スは、前記ガス分散板２８、カソード９、更に上電極カ
バー３９を通り、プラズマ発生空間３３に供給される。
【００３５】前記上電極カバー３９を更に通過すること
で、均圧が進むと共に該上電極カバー３９全面から均等
に反応ガスがプラズマ発生空間３３に導入される。処理
後のの反応ガスは前記排気孔４３、排気溝４１、排気連
通路４２を通って排気される。
で、均圧が進むと共に該上電極カバー３９全面から均等
に反応ガスがプラズマ発生空間３３に導入される。処理
後のの反応ガスは前記排気孔４３、排気溝４１、排気連
通路４２を通って排気される。
【００３６】前記した様に、プラズマ処理を行うと反応
生成物が付着するので、定期的或は稼働時間に応じて清
掃を行わなければならない。本具体例では、以下の如く
容易に行える。
生成物が付着するので、定期的或は稼働時間に応じて清
掃を行わなければならない。本具体例では、以下の如く
容易に行える。
【００３７】前記昇降基板２０と共に前記外側チャンバ
１を降下させ、上電極側を露出させる。枠体５を取外す
と上電極カバー３９も除去でき、カソード９が露出す
る。前記カバー螺子３６を外し、更に固定螺子３５を外
すと前記ガス分散板２８と共にカソード９が取外せる。
而して、清掃は簡単に行える。同様に、清掃後の組込み
も簡単に行える。
１を降下させ、上電極側を露出させる。枠体５を取外す
と上電極カバー３９も除去でき、カソード９が露出す
る。前記カバー螺子３６を外し、更に固定螺子３５を外
すと前記ガス分散板２８と共にカソード９が取外せる。
而して、清掃は簡単に行える。同様に、清掃後の組込み
も簡単に行える。
【００３８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カソー
ドの温度分布が良好となり、カソードの表面に付着生成
した反応生成物の剥離が防止でき、又プラズマ発生空間
への反応ガスの供給が均一に行われるので、被処理基板
に生成される膜厚の均一性が向上し、更に反応ガス導入
時の圧力降下が多段で行われ、且圧力降下の時点で反応
ガスが効果的に加熱されるので、高速且良質な膜生成が
可能となる、更に又、チャンバの分解が容易に行えるの
で保守作業性が向上する等の種々優れた効果を発揮す
る。
ドの温度分布が良好となり、カソードの表面に付着生成
した反応生成物の剥離が防止でき、又プラズマ発生空間
への反応ガスの供給が均一に行われるので、被処理基板
に生成される膜厚の均一性が向上し、更に反応ガス導入
時の圧力降下が多段で行われ、且圧力降下の時点で反応
ガスが効果的に加熱されるので、高速且良質な膜生成が
可能となる、更に又、チャンバの分解が容易に行えるの
で保守作業性が向上する等の種々優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の具体的実施例を示す断面図である。
【図３】従来例を示す概略断面図である。
１ 外側チャンバ ４ 内側チャンバ ５ 枠体 ６ アノード ８ カソード保持体 ９ カソード １０ ガス溜め １１ 反応ガス供給孔 １５ カソードヒータ ２５ 被処理基板 ２８ ガス分散板 ３５ 固定螺子 ３６ カバー螺子
Claims (4)
- 【請求項１】 カソードとアノードを相対向させ設け、
前記カソードに穿設した反応ガス供給孔より反応ガスを
導入し、両電極を加熱可能と共に両電極に高周波電力を
印加してプラズマを発生させる様にしたプラズマＣＶＤ
装置に於いて、前記カソードをカソード保持体に設け、
該カソード保持体を介してカソードを加熱可能とし、又
該カソードとカソード保持体との間にガス分散板を嵌装
し、前記反応ガスを該ガス分散板を流通させプラズマ発
生空間に導入する様にしたことを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項２】 カソードとアノードとの間に枠体を設け
てプラズマ発生空間を囲繞した請求項１のプラズマＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項３】 ガス分散板をカソードと共に取外し可能
とすると共に該カソードを下方より固定螺子によりカソ
ード保持体に螺子止めした請求項１のプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 固定螺子の頭部に石英製のカバー螺子を
螺着した請求項３のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15124593A JPH06338458A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15124593A JPH06338458A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338458A true JPH06338458A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15514442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15124593A Pending JPH06338458A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338458A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099171A1 (fr) * | 2000-06-21 | 2001-12-27 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de fourniture de gaz et dispositif de traitement |
| JP2003273094A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置における成膜後の後処理工程を行う方法 |
| JP2009238951A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 載置台、ｃｖｄ装置並びにレーザ加工装置 |
| JP4536662B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置および放熱方法 |
| WO2011018912A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP15124593A patent/JPH06338458A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099171A1 (fr) * | 2000-06-21 | 2001-12-27 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de fourniture de gaz et dispositif de traitement |
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| WO2011018912A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法 |
| JP5398837B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2014-01-29 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法 |
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