JPH05267277A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05267277A JPH05267277A JP9588992A JP9588992A JPH05267277A JP H05267277 A JPH05267277 A JP H05267277A JP 9588992 A JP9588992 A JP 9588992A JP 9588992 A JP9588992 A JP 9588992A JP H05267277 A JPH05267277 A JP H05267277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- shaft
- plate
- plasma cvd
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板２２
を上面に有し、これを加熱するためのヒータ２１を有す
る昇降可能なサセプタ２０と、このサセプタ２０上の接
地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニ
ウム製シャワー電極４１を備えた高周波電極とを有する
チャンバー１０を有するプラズマＣＶＤ装置１におい
て、前記サセプタ２０を昇降可能にする軸２３がサセプ
タ２０を貫通しており、前記均熱板２２は軸２３の上部
に螺着２４されており、サセプタ２０下面には押え板２
７が配設されていて、これが軸２３に螺合されているこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 【効果】 軸に螺合された押え板を上昇させることでヒ
ータベース及びヒータ押えと均熱板とを十分に接触させ
られるので、正常な放電が発生、持続でき、生成された
膜表面に異常模様が発生することはなくなり、スループ
ットが向上する。また、均熱板までの熱損失が抑制され
るので、ヒータの熱効率も向上する。
を上面に有し、これを加熱するためのヒータ２１を有す
る昇降可能なサセプタ２０と、このサセプタ２０上の接
地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニ
ウム製シャワー電極４１を備えた高周波電極とを有する
チャンバー１０を有するプラズマＣＶＤ装置１におい
て、前記サセプタ２０を昇降可能にする軸２３がサセプ
タ２０を貫通しており、前記均熱板２２は軸２３の上部
に螺着２４されており、サセプタ２０下面には押え板２
７が配設されていて、これが軸２３に螺合されているこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 【効果】 軸に螺合された押え板を上昇させることでヒ
ータベース及びヒータ押えと均熱板とを十分に接触させ
られるので、正常な放電が発生、持続でき、生成された
膜表面に異常模様が発生することはなくなり、スループ
ットが向上する。また、均熱板までの熱損失が抑制され
るので、ヒータの熱効率も向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関
する。更に詳細には、ウエハ面上に成膜されたＣＶＤ膜
表面に異常模様が発生しないプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
する。更に詳細には、ウエハ面上に成膜されたＣＶＤ膜
表面に異常模様が発生しないプラズマＣＶＤ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、ウエハの
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ、従来の常圧、または減圧ＣＶＤ法では対応が困難と
なり、プラズマＣＶＤ法が注目されている。
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ、従来の常圧、または減圧ＣＶＤ法では対応が困難と
なり、プラズマＣＶＤ法が注目されている。
【０００３】このプラズマＣＶＤ法は真空中において反
応ガスをグロー放電させてプラズマ化して反応に必要な
エネルギーを得るもので、ステップカバレージ（まわり
込み、またはパターン段差部の被覆性）が良好で、また
膜質が強くて耐湿性が優れているなどの特長があり、さ
らに成膜速度（デポレート）が減圧法に比べて極めて速
い点が有利である。
応ガスをグロー放電させてプラズマ化して反応に必要な
エネルギーを得るもので、ステップカバレージ（まわり
込み、またはパターン段差部の被覆性）が良好で、また
膜質が強くて耐湿性が優れているなどの特長があり、さ
らに成膜速度（デポレート）が減圧法に比べて極めて速
い点が有利である。
【０００４】従来から使用されているプラズマＣＶＤ装
置の一例を図１に示す。図において、チャンバー（反応
炉）10は気密とされ、そのベース101 にヒーター21と均
熱板22とよりなるサセプタ20を設け、これを接地電極と
する。チャンバーの蓋板102に金属製のノズル部（高周
波電極）30を固定し、その下部にアルミニウム製の円盤
状のシャワー電極40を絶縁リング103 により支持する。
シャワー電極に対して高周波電圧を印加する高周波電源
７が設けられる。反応処理においては、チャンバー10の
側面に設けられた搬入／搬出路50のゲート51を開き、キ
ャリッジ52によりウエハ６を搬入して均熱板22に載置す
る。ゲートを閉じてチャンバー内部を真空とした後、ヒ
ーター２１により均熱板が加熱され、これに載置された
ウエハが所定の温度となると、インレット31,32 より所
定の反応ガスおよびキャリヤーガスが吸入されてノズル
部30の内部で混合され、シャワー電極の噴射孔41より噴
射される。ここで、シャワー電極に高周波電圧が印加さ
れるとグロー放電により反応ガスがプラズマ化し、反応
による生成物がウエハの表面に蒸着して薄膜が形成され
る。反応後のガスは矢印の経路を通って排気口104 より
外部に排出される。
置の一例を図１に示す。図において、チャンバー（反応
炉）10は気密とされ、そのベース101 にヒーター21と均
熱板22とよりなるサセプタ20を設け、これを接地電極と
する。チャンバーの蓋板102に金属製のノズル部（高周
波電極）30を固定し、その下部にアルミニウム製の円盤
状のシャワー電極40を絶縁リング103 により支持する。
シャワー電極に対して高周波電圧を印加する高周波電源
７が設けられる。反応処理においては、チャンバー10の
側面に設けられた搬入／搬出路50のゲート51を開き、キ
ャリッジ52によりウエハ６を搬入して均熱板22に載置す
る。ゲートを閉じてチャンバー内部を真空とした後、ヒ
ーター２１により均熱板が加熱され、これに載置された
ウエハが所定の温度となると、インレット31,32 より所
定の反応ガスおよびキャリヤーガスが吸入されてノズル
部30の内部で混合され、シャワー電極の噴射孔41より噴
射される。ここで、シャワー電極に高周波電圧が印加さ
れるとグロー放電により反応ガスがプラズマ化し、反応
による生成物がウエハの表面に蒸着して薄膜が形成され
る。反応後のガスは矢印の経路を通って排気口104 より
外部に排出される。
【０００５】図１に示されるように、サセプタ２０内を
軸２３が貫通している。均熱板２２はネジ２４により軸
の上面に螺着され、固定されている。ヒータ２１はヒー
タ押え２５とヒータベース２６とにより狭持されてい
る。ヒータベースの下面（すなわち、サセプタ下面）に
は押え板２７が配設されている。軸２３はベース１０１
の外側で昇降機構２８に接続されており、この昇降機構
によりサセプタ２０は上下され、結果的に、均熱板２２
とシャワー電極４０との間隔が調節される。
軸２３が貫通している。均熱板２２はネジ２４により軸
の上面に螺着され、固定されている。ヒータ２１はヒー
タ押え２５とヒータベース２６とにより狭持されてい
る。ヒータベースの下面（すなわち、サセプタ下面）に
は押え板２７が配設されている。軸２３はベース１０１
の外側で昇降機構２８に接続されており、この昇降機構
によりサセプタ２０は上下され、結果的に、均熱板２２
とシャワー電極４０との間隔が調節される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の押え板２７の平
面図を図２に示す。従来の押え板はすり割の入ったリン
グ状であり、リング中央部には軸２３が通され、すり割
の端部をネジ２９で締めることによりヒータベース２６
を支持していた。
面図を図２に示す。従来の押え板はすり割の入ったリン
グ状であり、リング中央部には軸２３が通され、すり割
の端部をネジ２９で締めることによりヒータベース２６
を支持していた。
【０００７】しかし、このような押え板２７を使用して
プラズマＣＶＤ膜の成膜処理を行うと、ウエハ面に形成
された膜に、白いくもり状の模様が上部のシャワー電極
のガス孔状に発生することが度々経験された。このよう
な異常模様の発生メカニズムは正確には解明されていな
いが、押え板２７によるヒータベース２６の支持が不十
分な場合、均熱板２２と軸２３またはヒータ押え２５な
どの間に隙間が生じ、正常な放電が発生または持続しな
いためと推測される。
プラズマＣＶＤ膜の成膜処理を行うと、ウエハ面に形成
された膜に、白いくもり状の模様が上部のシャワー電極
のガス孔状に発生することが度々経験された。このよう
な異常模様の発生メカニズムは正確には解明されていな
いが、押え板２７によるヒータベース２６の支持が不十
分な場合、均熱板２２と軸２３またはヒータ押え２５な
どの間に隙間が生じ、正常な放電が発生または持続しな
いためと推測される。
【０００８】従って、本発明の目的は、ウエハ面上に成
膜されたＣＶＤ膜に異常模様の発生しないプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することである。
膜されたＣＶＤ膜に異常模様の発生しないプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、接地基板電極を構成するアルミ製均熱
板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するための
ヒータを有する昇降可能なサセプタと、このサセプタ上
の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアル
ミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有する
チャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記
サセプタを昇降可能にする軸がサセプタを貫通してお
り、前記均熱板は軸の上部に螺着されており、サセプタ
下面には押え板が配設されていて、該押え板は前記軸に
螺合されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を
提供する。
に、本発明では、接地基板電極を構成するアルミ製均熱
板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するための
ヒータを有する昇降可能なサセプタと、このサセプタ上
の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアル
ミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有する
チャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記
サセプタを昇降可能にする軸がサセプタを貫通してお
り、前記均熱板は軸の上部に螺着されており、サセプタ
下面には押え板が配設されていて、該押え板は前記軸に
螺合されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を
提供する。
【００１０】
【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置では、サセプタ下
面の押え板が軸に螺合されているので、押え板自体が昇
降可能となる。このため、押え板を回転させ、上昇させ
ればヒータ押えとヒータベースを十分に均熱板に接触さ
せることができ、これら部品間に隙間が発生することは
皆無となる。その結果、異常模様の発生も効果的に防止
され、全体のスループットも向上する。
面の押え板が軸に螺合されているので、押え板自体が昇
降可能となる。このため、押え板を回転させ、上昇させ
ればヒータ押えとヒータベースを十分に均熱板に接触さ
せることができ、これら部品間に隙間が発生することは
皆無となる。その結果、異常模様の発生も効果的に防止
され、全体のスループットも向上する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置の一例について更に詳細に説明する。
ＣＶＤ装置の一例について更に詳細に説明する。
【００１２】図３は本発明のプラズマＣＶＤ装置におけ
るサセプタの部分概要断面図である。図示されているよ
うに、軸２３はサセプタ２０を貫通し、均熱板２２の凹
陥部に達している。均熱板２２はネジ２４により軸２３
の上面に螺着、固定されている。軸２３のヒータベース
２６よりも若干下側の外表面部分はネジ切りされてい
る。このネジ部分６０に押え板６２を螺合させる。ネジ
部分６０の長さは特に限定されない。しかし、押え板６
２の厚さと同じか、それよりも若干長い程度であること
が好ましい。押え板６２の脱落を防止するため、ネジ部
分６０の下端で軸２３は押え板６２のネジ孔よりも大き
な外径を有する拡大部分６４を設けることが好ましい。
拡大部分６４を設ける代わりに、軸２３を貫通して直交
するピン（図示されていない）をネジ部分６０の下端に
設けることもできる。その他の手段も当然使用すること
ができる。このような手段は当業者に公知である。
るサセプタの部分概要断面図である。図示されているよ
うに、軸２３はサセプタ２０を貫通し、均熱板２２の凹
陥部に達している。均熱板２２はネジ２４により軸２３
の上面に螺着、固定されている。軸２３のヒータベース
２６よりも若干下側の外表面部分はネジ切りされてい
る。このネジ部分６０に押え板６２を螺合させる。ネジ
部分６０の長さは特に限定されない。しかし、押え板６
２の厚さと同じか、それよりも若干長い程度であること
が好ましい。押え板６２の脱落を防止するため、ネジ部
分６０の下端で軸２３は押え板６２のネジ孔よりも大き
な外径を有する拡大部分６４を設けることが好ましい。
拡大部分６４を設ける代わりに、軸２３を貫通して直交
するピン（図示されていない）をネジ部分６０の下端に
設けることもできる。その他の手段も当然使用すること
ができる。このような手段は当業者に公知である。
【００１３】本発明によるプラズマＣＶＤ装置におい
て、下部電極を組み立てる場合、先ず押え板６２を軸２
３に通し、ネジ部分６０の下端で、軸の拡大部分の上面
に当接するまで螺合させておく。次いで、ヒータベース
２６、ヒータ本体２１およびヒータ押え２５をそれぞれ
軸２３に通す。最後に均熱板２２を軸２３に通し、凹陥
部２９からネジ２４を用いて軸２３の上面に螺着、固定
させる。このままでは、ヒータ押え２５と均熱板２２と
の間に隙間が存在するので、押え板６２を回転して、上
方へ向けて移動させ、ヒータベース２６を徐々に押し上
げ、ヒータ押え２５を均熱板２２に押圧して十分に接触
させる。
て、下部電極を組み立てる場合、先ず押え板６２を軸２
３に通し、ネジ部分６０の下端で、軸の拡大部分の上面
に当接するまで螺合させておく。次いで、ヒータベース
２６、ヒータ本体２１およびヒータ押え２５をそれぞれ
軸２３に通す。最後に均熱板２２を軸２３に通し、凹陥
部２９からネジ２４を用いて軸２３の上面に螺着、固定
させる。このままでは、ヒータ押え２５と均熱板２２と
の間に隙間が存在するので、押え板６２を回転して、上
方へ向けて移動させ、ヒータベース２６を徐々に押し上
げ、ヒータ押え２５を均熱板２２に押圧して十分に接触
させる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置では、軸に螺合された押え板を上昇させるこ
とによりヒータベースおよびヒータ押えと均熱板とを十
分に接触させることができるので、正常な放電が発生、
持続でき、生成された膜表面に異常模様が発生すること
はなくなる。このため、スループットが向上する。ま
た、均熱板とヒータ押えとの間に隙間がなくなる結果、
均熱板までの熱損失が抑制されるので、ヒータの熱効率
も向上する。
ＣＶＤ装置では、軸に螺合された押え板を上昇させるこ
とによりヒータベースおよびヒータ押えと均熱板とを十
分に接触させることができるので、正常な放電が発生、
持続でき、生成された膜表面に異常模様が発生すること
はなくなる。このため、スループットが向上する。ま
た、均熱板とヒータ押えとの間に隙間がなくなる結果、
均熱板までの熱損失が抑制されるので、ヒータの熱効率
も向上する。
【図１】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例の構成を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】従来のヒータベース押え板の模式的平面図であ
る。
る。
【図３】本発明によるプラズマＣＶＤ装置の下部電極の
部分概要断面図である。
部分概要断面図である。
１ プラズマＣＶＤ装置 ６ ウエハ ７ 高周波電源 １０ チャンバー（反応炉） １０１ ベース １０２ 蓋板 １０３ 絶縁リング １０４ 排気口 ２０ サセプタ ２１ ヒータユニット ２２ 均熱板 ２３ 昇降軸 ２４ ネジ ２５ ヒータ押え ２６ ヒータベース ２７ 押え板 ２８ 昇降機構 ２９ ネジ ３０ ノズル部 ３１，３２ インレット ４０ シャワー電極 ４１ 噴射孔 ５０ 搬入／搬出路 ５１ ゲート ５２ キャリッジ ６０ ネジ切り部分 ６２ 押え板 ６４ 軸拡大部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/12 9040−4Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板
を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒ
ータを有する昇降可能なサセプタと、このサセプタ上の
接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミ
ニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチ
ャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記サ
セプタを昇降可能にする軸がサセプタを貫通しており、
前記均熱板は軸の上部に螺着されており、サセプタ下面
には押え板が配設されていて、該押え板は前記軸に螺合
されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 サセプタ下面よりも若干下側の軸外表面
にネジ切りがされており、押え板は該ネジ切り部分に螺
合されており、前記ネジ切り部分の下端箇所で軸の外径
が拡大している請求項１のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9588992A JPH05267277A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9588992A JPH05267277A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267277A true JPH05267277A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14149885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9588992A Pending JPH05267277A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267277A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078680A (ko) * | 2001-04-07 | 2002-10-19 | 주식회사 기림세미텍 | 에칭장치용 전극 어셈블리 |
| JP2007311726A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法。 |
| WO2020182495A1 (de) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Aixtron Se | Suszeptoranordnung eines cvd-reaktors |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP9588992A patent/JPH05267277A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078680A (ko) * | 2001-04-07 | 2002-10-19 | 주식회사 기림세미텍 | 에칭장치용 전극 어셈블리 |
| JP2007311726A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法。 |
| WO2020182495A1 (de) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Aixtron Se | Suszeptoranordnung eines cvd-reaktors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5891251A (en) | CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber | |
| US5653808A (en) | Gas injection system for CVD reactors | |
| US6270859B2 (en) | Plasma treatment of titanium nitride formed by chemical vapor deposition | |
| US6338874B1 (en) | Method for multilayer CVD processing in a single chamber | |
| KR100861564B1 (ko) | 반도체 기판 지지 장치 | |
| JP3178824B2 (ja) | 複合形単一ウエーハ用の高生産性形マルチステーシヨン方式処理装置 | |
| JP3310171B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6444277B1 (en) | Method for depositing amorphous silicon thin films onto large area glass substrates by chemical vapor deposition at high deposition rates | |
| US6299691B1 (en) | Method of and apparatus for processing a substrate under a reduced pressure | |
| US20060231032A1 (en) | Film-forming method and apparatus using plasma CVD | |
| WO2009009607A1 (en) | Apparatus and method for processing a substrate edge region | |
| EP0823491B1 (en) | Gas injection system for CVD reactors | |
| JPH06342760A (ja) | 差圧ｃｖｄチャック | |
| JPH10144614A (ja) | Ｃｖｄプラズマリアクタにおける面板サーマルチョーク | |
| JP3535309B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| JP2003133233A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001308079A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US6358324B1 (en) | Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor | |
| JP4583618B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2004052098A (ja) | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ | |
| JP2802865B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US20050150459A1 (en) | Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| JP2869384B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH05267277A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0456770A (ja) | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |