JPH08199364A - Ｃｖｄ装置及び処理方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置及び処理方法Info
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- JPH08199364A JPH08199364A JP3150795A JP3150795A JPH08199364A JP H08199364 A JPH08199364 A JP H08199364A JP 3150795 A JP3150795 A JP 3150795A JP 3150795 A JP3150795 A JP 3150795A JP H08199364 A JPH08199364 A JP H08199364A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＶＤ装置及び処理方法に於いて、プラズマ密
度を高めて成膜処理効率を向上させると共に清浄範囲を
最小限に限定し、清浄効率を向上させ、ひいてはＣＶＤ
装置の稼働率を向上させる。 【構成】外槽室２９内に内槽室１０を形成し、該内槽室
に被処理基板１６を収納可能とすると共に該内槽室でプ
ラズマを発生させるよう構成し、或は外槽室の圧力を検
出する圧力検出器３０を設け、外槽室の圧力を制御して
反応処理を行うので、プラズマの発生領域が内槽室に限
定され、プラズマ密度が向上し、更に反応副生成物の付
着範囲を限定できるので、清掃が効率よく行える。
度を高めて成膜処理効率を向上させると共に清浄範囲を
最小限に限定し、清浄効率を向上させ、ひいてはＣＶＤ
装置の稼働率を向上させる。 【構成】外槽室２９内に内槽室１０を形成し、該内槽室
に被処理基板１６を収納可能とすると共に該内槽室でプ
ラズマを発生させるよう構成し、或は外槽室の圧力を検
出する圧力検出器３０を設け、外槽室の圧力を制御して
反応処理を行うので、プラズマの発生領域が内槽室に限
定され、プラズマ密度が向上し、更に反応副生成物の付
着範囲を限定できるので、清掃が効率よく行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハ、ガラ
ス基板等の被処理基板に化学気相蒸着により薄膜を生成
するＣＶＤ装置及び処理方法に関するものである。
ス基板等の被処理基板に化学気相蒸着により薄膜を生成
するＣＶＤ装置及び処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つに基板上に所定の
成膜を行うＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程がある。これは気密な処理
槽に基板を装填し、該処理槽内に設けられた一対の電極
間に反応ガスを供給しながら高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、気相のガス分子をプラズマにより分解
して基板表面に薄膜を生成するものである。
成膜を行うＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程がある。これは気密な処理
槽に基板を装填し、該処理槽内に設けられた一対の電極
間に反応ガスを供給しながら高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、気相のガス分子をプラズマにより分解
して基板表面に薄膜を生成するものである。
【０００３】被処理基板への薄膜生成を行うと、電極、
処理槽の内壁に反応副生成物が付着堆積して膜を形成す
る。斯かる膜はやがて剥離しパーティクルとなって被処
理基板を汚染するので、定期的、所要稼働時間毎に清掃
されなければならない。
処理槽の内壁に反応副生成物が付着堆積して膜を形成す
る。斯かる膜はやがて剥離しパーティクルとなって被処
理基板を汚染するので、定期的、所要稼働時間毎に清掃
されなければならない。
【０００４】最近、成膜と同様にプラズマによる処理室
内のクリーニング技術が注目を集めている。これは、成
膜と同様に、ＮＦ3 等のクリーニングガスを処理室内に
供給しながら、高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、気相のクリーニングガス分子をプラズマにより分解
して、電極や処理室内壁に付着・堆積した膜を除去する
ものである。この方法は、従来からの成膜槽開放による
清掃作業に比較して、処理槽室の温度降下や大気開放等
の事前工程、或は、清掃後の真空排気や温度上昇及び安
定化等の事後工程が無くなる為、装置の稼働率低下を抑
制できる。
内のクリーニング技術が注目を集めている。これは、成
膜と同様に、ＮＦ3 等のクリーニングガスを処理室内に
供給しながら、高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、気相のクリーニングガス分子をプラズマにより分解
して、電極や処理室内壁に付着・堆積した膜を除去する
ものである。この方法は、従来からの成膜槽開放による
清掃作業に比較して、処理槽室の温度降下や大気開放等
の事前工程、或は、清掃後の真空排気や温度上昇及び安
定化等の事後工程が無くなる為、装置の稼働率低下を抑
制できる。
【０００５】ガスクリーニング中は成膜処理を行えない
為、ＣＶＤ装置全体の稼働率を向上させる為には成膜処
理効率を向上させると共にクリーニング効率を向上させ
ることが重要である。
為、ＣＶＤ装置全体の稼働率を向上させる為には成膜処
理効率を向上させると共にクリーニング効率を向上させ
ることが重要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は斯かる実情に
鑑み、プラズマ密度を高めて成膜処理効率を向上させる
と共に清浄範囲を最小限に限定し、清浄効率を向上さ
せ、ひいてはＣＶＤ装置の稼働率を向上させようとする
ものである。
鑑み、プラズマ密度を高めて成膜処理効率を向上させる
と共に清浄範囲を最小限に限定し、清浄効率を向上さ
せ、ひいてはＣＶＤ装置の稼働率を向上させようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、外槽室内に内
槽室を形成し、該内槽室に被処理基板を収納可能とする
と共に該内槽室でプラズマを発生させるよう構成し、或
は外槽室の圧力を検出する圧力検出器を設け、外槽室の
圧力を制御して反応処理を行うことを特徴とするもので
ある。
槽室を形成し、該内槽室に被処理基板を収納可能とする
と共に該内槽室でプラズマを発生させるよう構成し、或
は外槽室の圧力を検出する圧力検出器を設け、外槽室の
圧力を制御して反応処理を行うことを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】プラズマの発生領域が内槽室に限定され、プラ
ズマ密度が向上し、更に反応副生成物の付着範囲を限定
できるので、清掃が効率よく行え、反応状態での内槽室
の制御は外槽室の圧力制御を行うことで間接的に行う。
ズマ密度が向上し、更に反応副生成物の付着範囲を限定
できるので、清掃が効率よく行え、反応状態での内槽室
の制御は外槽室の圧力制御を行うことで間接的に行う。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１はＣＶＤ用反応処理槽断面の概略を示
したものである。処理槽１の天井面に電極ホルダ２が設
けられ、該電極ホルダ２の内部に絶縁体３を介して上電
極（カソード）４が設けられる。該上電極４にはカソー
ドヒータ５が埋設されており、上電極４の下面にはシャ
ワープレート６が設けられ、前記上電極４とシャワープ
レート６間には間隙７が形成される。該間隙７には前記
処理槽１とは絶縁された反応ガス導入管８が連通されて
いる。前記シャワープレート６には多数のガス分散孔９
が配設され、前記反応ガス導入管８より導入された反応
ガスを前記ガス分散孔９よりプラズマ処理空間である内
槽室１０に供給する様になっている。
したものである。処理槽１の天井面に電極ホルダ２が設
けられ、該電極ホルダ２の内部に絶縁体３を介して上電
極（カソード）４が設けられる。該上電極４にはカソー
ドヒータ５が埋設されており、上電極４の下面にはシャ
ワープレート６が設けられ、前記上電極４とシャワープ
レート６間には間隙７が形成される。該間隙７には前記
処理槽１とは絶縁された反応ガス導入管８が連通されて
いる。前記シャワープレート６には多数のガス分散孔９
が配設され、前記反応ガス導入管８より導入された反応
ガスを前記ガス分散孔９よりプラズマ処理空間である内
槽室１０に供給する様になっている。
【００１１】前記電極ホルダ２の下端には内層外壁１１
が連設され、該内層外壁１１の内側には内層内壁１２が
設けられている。前記内層外壁１１、内層内壁１２の下
端には下電極（アノード）１３が設けられ、該下電極１
３にはアノードヒータ１４が埋設されている。前記下電
極１３には基板載置台１５を介して被処理基板１６が装
填される。而して、シャワープレート６、内層内壁１
２、下電極１３等により前記内槽室１０が画成される。
が連設され、該内層外壁１１の内側には内層内壁１２が
設けられている。前記内層外壁１１、内層内壁１２の下
端には下電極（アノード）１３が設けられ、該下電極１
３にはアノードヒータ１４が埋設されている。前記下電
極１３には基板載置台１５を介して被処理基板１６が装
填される。而して、シャワープレート６、内層内壁１
２、下電極１３等により前記内槽室１０が画成される。
【００１２】前記した下電極１３は内槽開閉シリンダ１
９により昇降される昇降基板２０に中空の支柱２１によ
り支持されており、又前記昇降基板２０の下側には垂柱
２２を介して棚板２３が設けられ、該棚板２３には基板
リフトシリンダ２４が設けられ、該基板リフトシリンダ
２４より上方に延出するロッド２５の先端には基板支持
板２６が固着され、該基板支持板２６の４箇所に前記下
電極１３を貫通するリフトピン２７が植設されている。
９により昇降される昇降基板２０に中空の支柱２１によ
り支持されており、又前記昇降基板２０の下側には垂柱
２２を介して棚板２３が設けられ、該棚板２３には基板
リフトシリンダ２４が設けられ、該基板リフトシリンダ
２４より上方に延出するロッド２５の先端には基板支持
板２６が固着され、該基板支持板２６の４箇所に前記下
電極１３を貫通するリフトピン２７が植設されている。
【００１３】前記上電極４は高周波電源３２に接続さ
れ、又下電極１３は接地され前記上電極４と下電極１３
間に高周波電力が印加される様になっている。
れ、又下電極１３は接地され前記上電極４と下電極１３
間に高周波電力が印加される様になっている。
【００１４】前記内槽室１０には内排気管１７が連通さ
れ、前記処理槽１の底面には外排気管１８が連通され、
前記内排気管１７は前記外排気管１８に遊嵌している。
外排気管１８は圧力調整器２８を介して図示しない排気
装置に接続されている。又、前記処理槽１を貫通し、前
記内槽室１０の周囲に画成される外槽室２９に連通する
圧力検出器３０を設け、該圧力検出器３０の検出出力は
圧力制御器３１に入力される。該圧力制御器３１は前記
圧力検出器３０からの信号を基に前記圧力調整器２８を
調整して前記外槽室２９を所定の圧力に制御する。
れ、前記処理槽１の底面には外排気管１８が連通され、
前記内排気管１７は前記外排気管１８に遊嵌している。
外排気管１８は圧力調整器２８を介して図示しない排気
装置に接続されている。又、前記処理槽１を貫通し、前
記内槽室１０の周囲に画成される外槽室２９に連通する
圧力検出器３０を設け、該圧力検出器３０の検出出力は
圧力制御器３１に入力される。該圧力制御器３１は前記
圧力検出器３０からの信号を基に前記圧力調整器２８を
調整して前記外槽室２９を所定の圧力に制御する。
【００１５】図中３４，３５は搬入搬出口３６，３７を
開閉するゲート弁である。
開閉するゲート弁である。
【００１６】次に、作動を説明する。
【００１７】被処理基板１６の搬入搬出時には、前記内
槽開閉シリンダ１９の伸長により、前記昇降基板２０、
支柱２１を介して下電極１３が降下され、内槽室１０が
開放される。又、前記基板リフトシリンダ２４を動作さ
せ、前記基板載置台１５に基板がある場合には、前記リ
フトピン２７を基板載置台１５より突出させておく。
槽開閉シリンダ１９の伸長により、前記昇降基板２０、
支柱２１を介して下電極１３が降下され、内槽室１０が
開放される。又、前記基板リフトシリンダ２４を動作さ
せ、前記基板載置台１５に基板がある場合には、前記リ
フトピン２７を基板載置台１５より突出させておく。
【００１８】ゲート弁３４，３５のいずれか一方、例え
ばゲート弁３４を開き、図示しない移載機により被処理
基板１６を前記内槽室１０に搬入し、前記被処理基板１
６を前記基板リフトシリンダ２４を動作させ前記リフト
ピン２７上に乗置する。移載機が処理槽１外に後退した
後、前記ゲート弁３４により搬入搬出口３６を閉塞し、
前記基板リフトシリンダ２４を駆動して前記リフトピン
２７を降下させ、被処理基板１６を基板載置台１５上に
載置し、前記内槽開閉シリンダ１９を縮短させ下電極１
３を上昇させ、内槽室１０を閉じる。前記外排気管１８
を介して外槽室２９、内槽室１０を排気しつつ、前記反
応ガス導入管８より反応ガスを導入する。前記高周波電
源３２により上電極４と下電極１３間に高周波電力を印
加し、前記内槽室１０内にプラズマを発生させ、被処理
基板１６に薄膜の成膜処理をする。
ばゲート弁３４を開き、図示しない移載機により被処理
基板１６を前記内槽室１０に搬入し、前記被処理基板１
６を前記基板リフトシリンダ２４を動作させ前記リフト
ピン２７上に乗置する。移載機が処理槽１外に後退した
後、前記ゲート弁３４により搬入搬出口３６を閉塞し、
前記基板リフトシリンダ２４を駆動して前記リフトピン
２７を降下させ、被処理基板１６を基板載置台１５上に
載置し、前記内槽開閉シリンダ１９を縮短させ下電極１
３を上昇させ、内槽室１０を閉じる。前記外排気管１８
を介して外槽室２９、内槽室１０を排気しつつ、前記反
応ガス導入管８より反応ガスを導入する。前記高周波電
源３２により上電極４と下電極１３間に高周波電力を印
加し、前記内槽室１０内にプラズマを発生させ、被処理
基板１６に薄膜の成膜処理をする。
【００１９】又、反応処理時の圧力は前記圧力検出器３
０により検出され、該圧力検出器３０の検出結果は前記
圧力制御器３１に入力され、該圧力制御器３１は検出結
果を目標値となる様、前記圧力調整器２８の弁開度を制
御する。前記内槽室１０の圧力は前記外槽室２９の圧力
を制御することで間接的に制御される。又、内槽室１０
と外槽室２９との圧力の差は前記内排気管１７の排気コ
ンダクタンスにより決定される。従って、実験等により
予め内排気管１７の排気コンダクタンスを求めておくこ
とで内槽室１０の圧力制御も精度よく行える。
０により検出され、該圧力検出器３０の検出結果は前記
圧力制御器３１に入力され、該圧力制御器３１は検出結
果を目標値となる様、前記圧力調整器２８の弁開度を制
御する。前記内槽室１０の圧力は前記外槽室２９の圧力
を制御することで間接的に制御される。又、内槽室１０
と外槽室２９との圧力の差は前記内排気管１７の排気コ
ンダクタンスにより決定される。従って、実験等により
予め内排気管１７の排気コンダクタンスを求めておくこ
とで内槽室１０の圧力制御も精度よく行える。
【００２０】プラズマは処理槽１内の内槽室１０の限定
した空間に発生するので、プラズマ密度が高く、高効率
な反応処理を行うことができる。又、プラズマを内槽室
１０と限定した空間で発生させるので反応副生成物が付
着する範囲も前記内槽室１０に臨接する面に限られる。
した空間に発生するので、プラズマ密度が高く、高効率
な反応処理を行うことができる。又、プラズマを内槽室
１０と限定した空間で発生させるので反応副生成物が付
着する範囲も前記内槽室１０に臨接する面に限られる。
【００２１】更に、前記圧力検出器３０は外槽室２９に
設けられているのでプラズマに晒されることがなく、従
って、反応副生成物が付着することもない。この為、圧
力検出も経時的な精度の劣化を招くことがない。
設けられているのでプラズマに晒されることがなく、従
って、反応副生成物が付着することもない。この為、圧
力検出も経時的な精度の劣化を招くことがない。
【００２２】被処理基板１６の処理が完了すると、前記
被処理基板１６の搬入手順とは逆の手順で被処理基板１
６を搬出する。
被処理基板１６の搬入手順とは逆の手順で被処理基板１
６を搬出する。
【００２３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、プラズ
マを限定した空間で発生させるので、プラズマ密度を高
くでき処理効率を向上させ得、更に反応副生成物が付着
する範囲が限定されるので、反応副生成物除去の清浄が
簡単になり、又クリーニングガスの使用量を減少させる
ことができ、更に又圧力検出器がプラズマ、クリーニン
グガスに晒されないので寿命が長くなると共に経時的変
化のない高精度の圧力検出を行える等の優れた効果を発
揮する。
マを限定した空間で発生させるので、プラズマ密度を高
くでき処理効率を向上させ得、更に反応副生成物が付着
する範囲が限定されるので、反応副生成物除去の清浄が
簡単になり、又クリーニングガスの使用量を減少させる
ことができ、更に又圧力検出器がプラズマ、クリーニン
グガスに晒されないので寿命が長くなると共に経時的変
化のない高精度の圧力検出を行える等の優れた効果を発
揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
４ 上電極 １０ 内槽室 １３ 下電極 １６ 被処理基板 １７ 内排気管 １８ 外排気管 ２９ 外槽室 ３０ 圧力検出器 ３１ 圧力制御器
Claims (3)
- 【請求項１】 外槽室内に内槽室を形成し、該内槽室に
被処理基板を収納可能とすると共に該内槽室でプラズマ
を発生させるよう構成したことを特徴とするＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 外槽室の圧力を検出する圧力検出器を設
けた請求項１のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 外槽室内に内槽室を形成し、該内槽室に
被処理基板を収納可能とすると共に該内槽室でプラズマ
を発生させるＣＶＤ装置に於いて、外槽室の圧力を制御
して反応処理を行うことを特徴とするＣＶＤ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150795A JPH08199364A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Ｃｖｄ装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150795A JPH08199364A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Ｃｖｄ装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199364A true JPH08199364A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=12333141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3150795A Pending JPH08199364A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Ｃｖｄ装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08199364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274103A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ガスシャワー体 |
| EP2390897A3 (en) * | 2010-05-25 | 2014-04-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP3150795A patent/JPH08199364A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274103A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ガスシャワー体 |
| EP2390897A3 (en) * | 2010-05-25 | 2014-04-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8858754B2 (en) | 2010-05-25 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |