JP4916220B2 - プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 - Google Patents
プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4916220B2 JP4916220B2 JP2006152095A JP2006152095A JP4916220B2 JP 4916220 B2 JP4916220 B2 JP 4916220B2 JP 2006152095 A JP2006152095 A JP 2006152095A JP 2006152095 A JP2006152095 A JP 2006152095A JP 4916220 B2 JP4916220 B2 JP 4916220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- processing
- chamber
- processing gas
- partition wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 261
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
先ず,本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は,マルチチャンバータイプのプラズマ処理装置の外観斜視図である。同図に示すプラズマ処理装置100は,フラットパネルディスプレイ用基板(FPD用基板)Sに対してプラズマ処理を施すための複数(例えば3つ)の処理室200を備える。
ここで,上部電極300の構成について図2,図3を参照しながらより詳細に説明する。図3は,図2に示すA部の概略構成を示す拡大図である。上部電極300は,載置台210に載置されたFPD用基板Sの表面上に向けて所定のガスを噴出するガス導入部としての機能も兼ね備え,いわゆるシャワーヘッドを構成する。上部電極300には,図2に示すように矩形の中空部からなるガス拡散用のバッファ室330が形成される。上部電極300の下面(下部電極と対向する面)全面には多数のガス噴出孔312が均等に分散配置され,このガス噴出孔312から処理室200内全体へ処理ガスを下降流で供給する。
ここで,ガス導入孔と区画壁の配置例について図面を参照しながら説明する。図4は,電極板310を外した際の電極支持体320を下から見た図である。また,図4では,ガス供給装置400の配管構成を観念的に線図で表している。ここでは,電極支持体320に5つのガス導入孔326を形成した場合について説明する。具体的には電極支持体320の中央に1つのガス導入孔326が,四つ角寄りにそれぞれ1つずつガス導入孔326が配置されている。これら5つのガス導入孔326はそれぞれ縦方向,横方向に対称に配置されている。
次に,ガス導入孔と区画壁の他の配置例について図面を参照しながら説明する。図8は,電極板310を外した際の電極支持体320を下から見た図である。また,図8では,処理ガス供給装置400の配管構成を観念的に線図で表している。ここでは,電極支持体320に9つのガス導入孔326を形成した場合について説明する。具体的には電極支持体320の中央に1つのガス導入孔326が配置されおり,四つ角寄りにそれぞれ1つずつガス導入孔326が配置されている。さらに四つ角寄りの各ガス導入孔326の間に1つずつガス導入孔326が配置されている。これら9つのガス導入孔326はそれぞれ縦方向,横方向に対称に配置されている。
102,104,106 ゲートバルブ
110 搬送室
120 ロードロック室
130 基板搬出入機構
140 インデクサ
142 カセット
200 処理室
202 処理容器
204 開口部
206 整合器
208 高周波電源
210 載置台
212 下部電極
214 絶縁材
216 支持部
218 保護管
220 支持板
222 ベローズ体
230 ボルト
232 絶縁体
240 排気路
242 真空排気手段
250 搬出入口
300 上部電極
302 枠体
310 電極板
312 ガス噴出孔
320 電極支持体
326 ガス導入孔
330 バッファ室
332 中央部室
334 周辺部室
334a〜334h 周辺部室
350 区画壁
352 シール部材
360 吊持部材
364 締結部材
366 締結部材
400 処理ガス供給装置
402 処理ガス供給配管
404 分岐配管
405 分岐配管
406(406a〜406h) 分岐配管
410 処理ガス供給手段
420,430,450 流量調整手段
422,432,452 開閉バルブ
424,434,454 流量調整器
443,453 上流側下流側開閉バルブ
444,454 マスフローメータ
445,455 下流側開閉バルブ
S FPD用基板
Claims (9)
- 処理室内に第1電極と第2電極を対向して配設し,前記第2電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより,前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記第1電極として用いられる電極であって,
前記第2電極に対向し,前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と,
前記電極板を支持する支持体と,
前記支持体において前記電極板との間に形成され,前記処理ガスが導入される中空部と,
前記中空部を複数の室に区画するためのループ状の区画壁とを備え,
前記区画壁は,前記支持体と前記電極板との間に挟み込んで保持され,前記電極板は,前記中空部内に設けられる複数の吊持部材により前記支持体に吊持されることを特徴とする電極。 - 前記区画壁により区画された各室にはそれぞれ別個に,前記処理ガスが流量調整自在に導入されることを特徴とする請求項1に記載の電極。
- 前記区画壁は,前記フラットパネルディスプレイ用基板の種類,前記基板に施す処理の種類,処理条件のうちの1つ又は2つ以上が変わった場合に,これらに応じて異なるループ形状の区画壁に交換されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電極。
- 前記中空部には,複数の区画壁が配置されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電極。
- 前記中空部には,複数の枠部を有する区画壁が配置されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電極。
- 処理室内に第1電極と第2電極を対向して配設し,前記第2電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより,前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって,
前記第1電極は,前記第2電極に対向し,前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と,前記電極板を支持する支持体と,前記支持体において前記電極板との間に形成され,前記処理ガスが導入される中空部と,前記中空部を複数の室に区画するためのループ状の区画壁とを備え,
前記区画壁は,前記支持体と前記電極板との間に挟み込んで保持され,前記電極板は,前記中空部内に設けられる複数の吊持部材により前記支持体に吊持されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - さらに,前記第1電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置を設け,
前記処理ガス供給装置は,処理ガス供給手段と,この処理ガス供給手段からの処理ガスを複数分岐する各分岐配管と,これら各分岐配管を通る流量を調整する流量調整手段と,前記各分岐配管からの処理ガスを前記区画壁によって区画された各室へそれぞれ導入する配管とを備えたことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 処理室内に第1電極と第2電極を対向して配設し,前記第2電極に支持されたフラットパネルディスプレイ用基板上に処理ガスを導入しつつ前記電極の一方又は両方に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより,前記フラットパネルディスプレイ用基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって,
前記第1電極は,前記第2電極に対向し,前記処理ガスを前記処理室内へ向けて噴出するための複数のガス噴出孔が形成される電極板と,前記電極板を支持する支持体と,前記支持体において前記電極板との間に形成され,前記処理ガスが導入される中空部と,前記中空部を中央部室と周辺部室に区画するためのループ状の区画壁とを備え,
前記区画壁は,前記支持体と前記電極板との間に挟み込んで保持され,前記電極板は,前記中空部内に設けられる複数の吊持部材により前記支持体に吊持されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - さらに,前記第1電極へ処理ガスを供給する処理ガス供給装置を設け,
前記処理ガス供給装置は,処理ガス供給手段と,この処理ガス供給手段からの処理ガスを2分岐する各分岐配管と,これら各分岐配管を通る流量を調整する流量調整手段と,前記各分岐配管からの処理ガスを前記中央部室と前記周辺部室とへそれぞれ導入する配管とを備えたことを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152095A JP4916220B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
CNB2007101048900A CN100552878C (zh) | 2006-05-31 | 2007-05-24 | 等离子体处理装置及其所使用的电极 |
TW096119227A TWI431148B (zh) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | A plasma processing device and an electrode used in the device |
KR1020070052767A KR100884107B1 (ko) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | 플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152095A JP4916220B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324331A JP2007324331A (ja) | 2007-12-13 |
JP4916220B2 true JP4916220B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=38856863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006152095A Active JP4916220B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4916220B2 (ja) |
KR (1) | KR100884107B1 (ja) |
CN (1) | CN100552878C (ja) |
TW (1) | TWI431148B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5039576B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-10-03 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5378706B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置 |
KR101046732B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-07-05 | 주식회사 케이씨텍 | 샤워헤드 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 |
CN102272350B (zh) * | 2009-01-14 | 2014-12-24 | 株式会社爱发科 | 等离子cvd装置 |
JP3149448U (ja) * | 2009-01-15 | 2009-03-26 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
KR101083967B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2011-11-21 | (주)위지트 | 샤워헤드 |
CN102522303B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-02-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种多分区气体输送装置 |
JP2013159798A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマcvd装置 |
CN102800548A (zh) * | 2012-08-29 | 2012-11-28 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 半导体制造设备及其维护方法 |
CN104538334B (zh) * | 2014-12-17 | 2017-08-08 | 中国地质大学(北京) | 一种多功能等离子体腔室处理系统 |
JP7033950B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス分配装置および処理装置 |
JP7014055B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、真空処理システム、及び真空処理方法 |
KR102312330B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2021-10-13 | 주식회사 테스 | 기판지지유닛 |
CN111261540A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 东泰高科装备科技有限公司 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
CN117038424B (zh) * | 2023-10-10 | 2024-01-26 | 深圳市新凯来技术有限公司 | 气体分配装置以及半导体刻蚀设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555172A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Nec Yamaguchi Ltd | ドライエツチング装置 |
JP3029494B2 (ja) * | 1991-10-31 | 2000-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置 |
JP2000345349A (ja) | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Anelva Corp | Cvd装置 |
JP2000294538A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JP2001093843A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマcvd装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP4450983B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液晶表示体基板用プラズマ処理装置 |
JP2002164329A (ja) | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4559202B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP2005303330A (ja) * | 2005-06-23 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置用のガス導入手段及びガスシャワープレート |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006152095A patent/JP4916220B2/ja active Active
-
2007
- 2007-05-24 CN CNB2007101048900A patent/CN100552878C/zh active Active
- 2007-05-30 TW TW096119227A patent/TWI431148B/zh active
- 2007-05-30 KR KR1020070052767A patent/KR100884107B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007324331A (ja) | 2007-12-13 |
KR100884107B1 (ko) | 2009-02-17 |
CN100552878C (zh) | 2009-10-21 |
CN101083203A (zh) | 2007-12-05 |
KR20070115725A (ko) | 2007-12-06 |
TW200809001A (en) | 2008-02-16 |
TWI431148B (zh) | 2014-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4916220B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 | |
JP5378706B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置 | |
JP5027667B2 (ja) | 超大面積基板用真空処理チャンバ | |
JP5074741B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP5567392B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI433610B (zh) | 電漿處理設備 | |
KR20180069774A (ko) | 유도 결합 플라스마 처리 장치 | |
US20130333616A1 (en) | Plasma processing system with movable chamber housing parts | |
KR101867147B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP2000058518A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000294538A (ja) | 真空処理装置 | |
JP7374016B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20180014656A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101747490B1 (ko) | 진공 장치 및 밸브 제어 방법 | |
TW201338037A (zh) | 真空處理裝置 | |
JP2012146854A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5125031B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
US12040198B2 (en) | Inner wall and substrate processing apparatus | |
KR20100052282A (ko) | 진공처리장치 | |
WO2014203719A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20160091210A (ko) | 기판지지대 및 그가 설치된 기판처리장치 | |
US20240321602A1 (en) | Inner Wall and substrate Processing Apparatus | |
US20240194453A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP7446145B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100683255B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4916220 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |