KR101747490B1 - 진공 장치 및 밸브 제어 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 처리 가스를 대유량으로 사용하는 프로세스에 대한 대응이 가능한 진공 장치를 제공한다.
플라즈마 처리 장치(100)에서는, 처리 용기(1)에 접속된 배기관(53) 중, 4개의 제 1 배기관(53A)에서는 APC 밸브(55A)를 개도 300(30%)로 설정하고, 나머지 4개의 제 2 배기관(53B)에서는 APC 밸브(55B)를 개도 1000(100%)로 설정한다. 이로써, 곡선 C와 같이, APC 밸브(55)의 개도를 300로 설정했을 때의 곡선 A와, APC 밸브(55)의 개도를 1000으로 설정했을 때의 곡선 B 사이에서, 처리 용기(1) 내에서의 압력 제어와 처리 가스의 유량 제어를 행할 수 있게 된다. 곡선 C는 곡선 A에 비교하면, 같은 압력 P1에서도 보다 대유량의 처리 가스를 배기할 수 있다(Q1<Q2). 또한, 곡선 C는 곡선 A에 비해서, 같은 유량(예컨대 Q1)일 때에, 보다 저압력에서의 처리가 가능하게 된다(P1<P2).

Description

진공 장치 및 밸브 제어 방법{VACUUM PROCESSING DEVICE AND VALVE CONTROL METHOD}

본 발명은 피처리체에 플라즈마 처리 등을 행하기 위한 진공 장치 및 밸브 제어 방법에 관한 것이다.

FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조 공정에서는, FPD용 기판에 대해 플라즈마 에칭, 플라즈마 애싱, 플라즈마 성막 등의 여러가지 플라즈마 처리가 행해지고 있다. 이러한 플라즈마 처리를 행하는 장치로서, 예컨대 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치나, 유도 결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma) 처리 장치 등이 알려져 있다. 이들 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기 내를 진공 상태로 감압해서 처리를 행하는 진공 장치로서 구성되어 있다.

최근에는, 대형 FPD용 기판을 처리하기 위해서 처리 용기도 대형화되고 있다. 이 때문에, 처리 용기 내를 감압 배기하기 위한 진공 펌프를 복수개 배비(配備)하는 것이 일반화되어 있다. 이들 진공 펌프의 배기 방향 상류 측에는, 자동 압력 제어(Adaptive Pressure Control) 밸브(이하, 'APC 밸브'라고 함)가 마련되어, 배기 경로의 컨덕턴스를 자동 조절함으로써, 처리 용기 내의 압력을 조절하고 있다. 예컨대, 플라즈마 에칭 장치에서는, 프로세스시에, 매스 플로우 컨트롤러에 의해서 일정 유량의 처리 가스를 처리 용기 내에 공급하면서, APC 밸브에 의해서 배기 경로의 컨덕턴스를 조절하여, 소망의 프로세스 압력으로 제어하는 방법이 채용되고 있다.

진공 장치의 압력 제어에 관한 종래 기술로서, 특허문헌 1에서는, 복수의 배기로에 접속되는 진공 배기 수단과, 복수의 배기로 중 일부분의 배기로에 마련된 게이트 밸브와, 게이트 밸브가 마련된 배기로 이외의 배기로에 대응해서 마련된 APC 밸브를 구비한 진공 장치가 제안되어 있다.

일본 특허 공개 제 2009-16382호 공보(도 2 등)

종래, 복수 계통의 배기로에 각각 APC 밸브를 배비하는 경우, 그 중 하나를 마스터 밸브로 하고, 그 이외의 것을 슬레이브 밸브로서 구성하고 있었다. 각 슬레이브 밸브는 마스터 밸브에 연동해서 작동한다. 즉, 모든 APC 밸브는 서로 동기해서 개폐 동작을 행하는 구성이 취해지고 있었다.

그런데, APC 밸브의 특성으로서, 밸브의 개도(開度)가 일정 레벨을 초과하면, 개도 1% 당 컨덕턴스의 변화량이 커져서, 압력의 제어성이 저하된다. 따라서, 통상은 APC 밸브의 개도의 상한을 30% 정도로 설정해서 사용하고 있다. 그 결과, 진공 펌프의 실효 배기 속도가 APC 밸브의 개도로 제약되어 버려서, 배기 능력이 큰 진공 펌프를 사용해도, 충분히 그 성능을 이끌어 낼 수 없었다. 이 때문에, 필요한 배기 속도를 얻기 위해서는, 배기 능력이 더 큰 진공 펌프를 사용해야 해서, 장치 비용을 증가시키는 한가지 원인이 되고 있었다. 예컨대, 에칭률을 향상시키기 위해서 대유량의 에칭 가스를 필요로 하는 플라즈마 에칭 프로세스가 알려져 있다. 이러한 플라즈마 에칭 프로세스에서, 종래의 APC 밸브와 진공 펌프의 조합에 의한 복수 계통의 배기에서는, APC 밸브는 동기해서 같은 개도로 설정된다는 점에서, 상술한 개도에 의한 제약 때문에, 배기계의 컨덕턴스를 충분히 높일 수 없었다. 이 때문에, 고진공 조건으로 처리 가스를 대유량, 대배기량으로 사용하는 처리가 곤란하거나, 또는 진공 펌프의 사양을 보다 배기 능력이 높은 것으로 대체할 필요가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 처리 가스를 대유량으로 사용하는 프로세스에 대한 대응이 가능한 진공 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 진공 장치는, 피처리체를 수용함과 아울러 내부를 진공 유지 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 가스 공급로를 통해서 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 가스 공급로에 마련되며, 상기 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 유량 조절 장치와, 상기 처리 용기 내의 압력을 검출하는 압력 검출 장치를 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 진공 장치는, 상기 처리 용기에 접속되며, 제 1 밸브가 마련된 복수의 제 1 배기로와, 상기 처리 용기에 접속되며, 제 2 밸브가 마련된 복수의 제 2 배기로와, 상기 제 1 배기로 또는 제 2 배기로에 접속된 배기 장치와, 상기 처리 용기 내의 압력이 소정의 값이 되도록, 상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브를 각각 제어하는 제어부를 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 진공 장치에 있어서, 상기 제 1 밸브는 상기 제 1 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 밸브 이고, 상기 제 2 밸브는 상기 제 2 배기로의 개폐를 전환하는 밸브이다. 그리고, 본 발명의 진공 장치에 있어서, 상기 제어부는 복수의 상기 제 1 배기로에 각각 마련된 상기 제 1 밸브의 개도를 통괄해서 조절하는 개도 조절부와, 복수의 상기 제 2 배기로에 각각 마련된 상기 제 2 밸브의 개폐를 통괄해서 전환하는 개폐 전환부를 포함하는 것이다.

본 발명의 진공 장치는 상기 제 1 배기로 및 상기 제 2 배기로 양쪽에, 하나의 상기 배기 장치가 접속되어 있어도 된다.

본 발명의 진공 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브에 의해서 컨덕턴스를 조절했을 때의 배기 가스 유량을 V11이라고 하고, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브의 개도를 전체 열림으로 했을 때의 배기 가스 유량을 V12라고 하며, 상기 제 2 배기로에서의 배기 가스 유량을 V2라고 했을 때, 하기의 식 (1);

(여기서, n은 상기 제 1 배기로의 개수를 나타내고, m은 상기 제 2 배기로의 개수를 나타냄)

의 관계가 성립되도록 상기 제 1 밸브의 개도 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 조절하는 것이어도 된다.

본 발명의 진공 장치는, 상기 제 2 밸브로서, 상기 제 2 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 밸브를 이용하고, 개폐 동작만을 행하는 것이어도 된다.

본 발명의 진공 장치는, 피처리체에 대해 에칭을 행하는 에칭 장치여도 된다.

본 발명의 진공 장치는, 피처리체가 FPD용 기판이어도 된다.

본 발명의 밸브 제어 방법은 진공 장치에 있어서의 밸브 제어 방법이다. 본 발명의 밸브 제어 방법에 있어서, 상기 진공 장치는, 피처리체를 수용함과 아울러 내부를 진공 유지 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 가스 공급로를 통해서 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 가스 공급로에 마련되며, 상기 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 유량 조절 장치와, 상기 처리 용기 내의 압력을 검출하는 압력 검출 장치를 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 밸브 제어 방법에 있어서, 상기 진공 장치는, 상기 처리 용기에 접속되며, 제 1 밸브가 마련된 복수의 제 1 배기로와, 상기 처리 용기에 접속되며, 제 2 밸브가 마련된 복수의 제 2 배기로와, 상기 제 1 배기로 또는 제 2 배기로에 접속된 배기 장치를 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 밸브 제어 방법에 있어서, 상기 진공 장치는, 상기 처리 용기 내의 압력이 소정의 값이 되도록, 상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브를 각각 제어하는 제어부를 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 밸브 제어 방법에 있어서, 상기 제 1 밸브는 상기 제 1 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 밸브이고, 상기 제 2 밸브는 상기 제 2 배기로의 개폐를 전환하는 밸브이며, 상기 제어부는 복수의 상기 제 1 배기로에 각각 마련된 상기 제 1 밸브의 개도를 통괄해서 조절하는 개도 조절부와, 복수의 상기 제 2 배기로에 각각 마련된 상기 제 2 밸브의 개폐를 통괄해서 전환하는 개폐 전환부를 포함하는 것이다. 그리고, 본 발명의 밸브 제어 방법은 모든 상기 제 2 밸브의 개도를 동기해서 전체 열림으로 하는 단계와, 상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 모든 상기 제 1 밸브의 개도를 동기해서 조절하는 단계를 구비하고 있다.

본 발명의 밸브 제어 방법은, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브에 의해서 컨덕턴스를 조절했을 때의 배기 가스 유량을 V11이라고 하고, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브의 개도를 전체 열림으로 했을 때의 배기 가스 유량을 V12라고 하며, 상기 제 2 배기로에서의 배기 가스 유량을 V2라고 했을 때, 하기의 식 (1);

(1)

(여기서, n은 상기 제 1 배기로의 개수를 나타내고, m은 상기 제 2 배기로의 개수를 나타냄)

의 관계가 성립되도록 상기 제 1 밸브의 개도 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 조절하는 것이어도 된다.

본 발명에 의하면, 대형의 진공 장치에 있어서, 장치 비용을 억제하면서, 대유량의 처리 가스를 사용한 프로세스를 행할 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 플라즈마 에칭 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도,
도 2는, 도 1의 플라즈마 에칭 장치의 바닥벽의 평면도,
도 3은, 도 1의 플라즈마 에칭 장치의 제어부의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도,
도 4는, 도 3에 있어서의 모듈 컨트롤러의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도,
도 5는, 도 3에 있어서의 모듈 컨트롤러의 기능 구성을 나타내는 기능 블록도,
도 6은 본 발명의 작용을 설명하는 처리 가스 유량과 압력의 관계를 나타내는 특성도,
도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 플라즈마 에칭 장치의 구성을 간략화해서 나타내는 모식도,
도 8은 도 7의 플라즈마 에칭 장치의 바닥벽의 평면도이다.

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다.

[실시예 1]

도 1은 본 발명의 처리 장치의 실시예 1로서의 플라즈마 에칭 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(100)는 피처리체로서, 예컨대 FPD용 유리 기판(이하, 줄여서 '기판'이라고 함)(S)에 대해 에칭을 행하는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 한편, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전기 발광(Electro Luminescence;EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.

이 플라즈마 에칭 장치(100)는, 내측이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각기둥 형상으로 성형된 처리 용기(1)를 갖고 있다. 처리 용기(1)의 본체(용기 본체)는, 바닥벽(1a), 4개의 측벽(1b)(2개만 도시)에 의해 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(1)의 본체의 상부에는, 덮개체(1c)가 접합되어 있다. 도시는 생략하지만, 측벽(1b)에는 기판 반송용 개구와, 이것을 밀봉하는 게이트 밸브가 마련되어 있다.

덮개체(1c)는 도시하지 않은 개폐 기구에 의해, 측벽(1b)에 대해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개체(1c)를 닫은 상태에서 덮개체(1c)와 각 측벽(1b)의 접합 부분은 O링(3)에 의해서 밀봉되어, 처리 용기(1) 내의 기밀성이 유지되어 있다.

처리 용기(1) 내의 바닥부에는, 테두리 형상의 절연 부재(10)가 배치되어 있다. 절연 부재(10) 위에는, 기판(S)을 탑재 가능한 탑재대인 서셉터(11)가 마련되어 있다. 하부 전극이기도 한 서셉터(11)는 기재(基材)(12)를 구비하고 있다. 기재(12)는, 예컨대 알루미늄이나 스테인레스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(12)는 절연 부재(10) 위에 배치되고, 양쪽 부분재의 접합 부분에는 O링 등의 밀봉 부재(13)가 배비되어 기밀성이 유지되고 있다. 절연 부재(10)와 처리 용기(1)의 바닥벽(1a) 사이도, O링 등의 밀봉 부재(14)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(12)의 측부 외주는, 절연 부재(15)에 의해 둘러싸여 있다. 이로써, 서셉터(11)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리시의 이상 방전이 방지되고 있다.

서셉터(11)의 위쪽에는, 이 서셉터(11)와 평행하게, 또한 대향해서 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(31)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(31)는 처리 용기(1)의 상부의 덮개체(1c)에 지지되어 있다. 샤워 헤드(31)는 중공 형상을 이루며, 그 내부에는 가스 확산 공간(33)이 마련되어 있다. 또한, 샤워 헤드(31)의 하면(서셉터(11)와의 대향면)에는, 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(35)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(31)는 접지되어 있고, 서셉터(11)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.

샤워 헤드(31)의 상부 중앙 부근에는, 가스 도입구(37)가 마련되어 있다. 이 가스 도입구(37)에는, 처리 가스 공급관(39)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(39)에는, 2개의 밸브(41, 41) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(43)를 거쳐서, 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(45)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예컨대 할로겐계 가스나 O₂ 가스 이외에, Ar 가스 등의 레어 가스 등을 이용할 수 있다.

상기 처리 용기(1) 내의 바닥벽(1a)에는, 복수의 개소(예컨대 8개소)에 관통된 배기용 개구(51)가 형성되어 있다. 각 배기용 개구(51)에는, 각각 배기관(53)이 접속되어 있다. 각 배기관(53)은 그 단부(端部)에 플랜지부(53a)를 갖고 있고,이 플랜지부(53a)와 바닥벽(1a) 사이에 O링(도시 생략)을 개재시킨 상태로 고정되어 있다. 각 배기관(53)에는, APC 밸브(55) 및 배기 장치(57)가 접속되어 있다.

여기서, 도 2를 참조하면서, 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서의 배기로와 APC 밸브(55A, 55B)의 배치예에 대해서 설명한다. 도 2는, 도 1의 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서의 바닥벽(1a)의 평면도이다. 설명의 편의상, 도 2에는, 8개의 배기용 개구(51)에, 4개의 제 1 배기관(53A) 및 4개의 제 2 배기관(53B)의 배치를 나타내었다. 배기관(53)은 제 1 배기로로서의 복수(예컨대 4개)의 제 1 배기관(53A)과, 제 2 배기로로서의 복수(예컨대 4개)의 제 2 배기관(53B)을 포함하고 있다. 제 1 배기관(53A)에는, 제 1 밸브로서의 APC 밸브(55A)가 마련되어 있다. 제 2 배기관(53B)에는, 제 2 밸브로서의 APC 밸브(55B)가 마련되어 있다. APC 밸브(55A)는, 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초해서 개도를 변화시켜서, 제 1 배기관(53A)의 컨덕턴스를 자동 조절한다. APC 밸브(55B)는, 전체 열림 또는 전체 닫힘의 2포지션의 전환 동작만을 행하도록 설정되어 있고, 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초해서 제 2 배기관(53B)의 개방 또는 폐쇄를 행한다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 2개의 제 1 배기관(53A, 53A)이 인접해서 배치되고, 바닥벽(1a)의 중심을 기준으로 대향하는 2개의 짧은 변 부근에 2개씩 대칭으로 배치되어 있다. 따라서, APC 밸브(55A)도 마찬가지의 배치이다. 또한, 2개의 제 2 배기관(53B, 53B)이 인접해서 배치되고, 바닥벽(1a)의 중심을 기준으로 대향하는 2개의 긴 변 부근에 2개씩 대칭으로 배치되어 있다. 따라서, APC 밸브(55B)도 마찬가지의 배치이다. 제 1 배기관(53A) 및 제 2 배기관(53B)은, 각각 배기 장치(57)에 접속되어 있다. 배기 장치(57)는, 예컨대 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이것에 의해 처리 용기(1) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하게 구성되어 있다.

플라즈마 에칭 장치(100)에는, 처리 용기(1) 내의 압력을 계측하는 압력계(61)가 마련되어 있다. 압력계(61)는 제어부(80)와 접속되어 있고, 처리 용기(1) 내의 압력의 계측 결과를 실시간으로 제어부(80)에 제공한다.

서셉터(11)의 기재(12)에는 급전선(71)이 접속되어 있다. 이 급전선(71)에는, 매칭 박스(M.B.)(73)를 거쳐서 고주파 전원(75)이 접속되어 있다. 이로써, 고주파 전원(75)으로부터 예컨대, 13.56MHz의 고주파 전력이, 하부 전극으로서의 서셉터(11)에 공급된다. 한편, 급전선(71)은 바닥벽(1a)에 형성된 관통 개구부로서의 급전용 개구(77)를 통해서 처리 용기(1) 내에 도입되어 있다.

플라즈마 에칭 장치(100)의 각 구성부는, 제어부(80)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 도 3을 참조해서, 본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100)를 그 일부분에 포함하는 기판 처리 시스템의 제어부(80)에 대해서 설명한다. 도 3은 제어부(80)의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 제어부(80)는 장치 컨트롤러(Equipment Controller;이하, 'EC'라고 하는 경우가 있다)(81)와, 복수(도 2에서는 2개만 도시하고 있지만, 이것으로 한정하는 것이 아니다)의 모듈 컨트롤러(Module Controller; 이하, 'MC'라고 하는 경우가 있다)(83)와, EC(81)와 MC(83)를 접속하는 스위칭 허브(HUB)(85)를 구비하고 있다.

EC(81)는, 복수의 MC(83)를 통괄해서 기판 처리 시스템의 전체 동작을 제어하는 주 제어부(마스터 제어부)이다. 복수의 MC(83)는 각각 EC(81)의 제어 하에서, 플라즈마 에칭 장치(100)를 비롯한 각 모듈의 동작을 제어하는 부 제어부(슬레이브 제어부)이다. 스위칭 허브(85)는 EC(81)로부터의 제어 신호에 따라서, EC(81)에 접속되는 MC(83)를 전환한다.

EC(81)는, 기판 처리 시스템에서 실행되는, 기판(S)에 대한 각종 처리를 실현하기 위한 제어 프로그램과, 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피에 기초해서, 각 MC(83)에 제어 신호를 보냄으로써, 기판 처치 시스템의 전체의 동작을 제어한다.

제어부(80)는, 또한 서브네트워크(87)와 DIST(Distribution) 보드(88)와, 입출력(이하, I/O라고 함) 모듈(89)을 구비하고 있다. 각 MC(83)는 서브네트워크(87) 및 DIST 보드(88)를 통해서 I/O 모듈(89)에 접속되어 있다.

I/O 모듈(89)은 복수의 I/O부(90)를 갖고 있다. I/O부(90)는 플라즈마 에칭 장치(100)를 비롯한 각 모듈의 각 엔드 디바이스에 접속되어 있다. 도시하지 않지만, I/O부(90)에는 디지털 신호, 아날로그 신호 및 시리얼 신호의 입출력을 제어하기 위한 I/O 보드가 마련되어 있다. 각 엔드 디바이스에 대한 제어 신호는 각각 I/O부(90)로부터 출력된다. 또한, 각 엔드 디바이스로부터의 출력 신호는, 각각 I/O부(90)에 입력된다. 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, I/O부(90)에 접속된 엔드 디바이스로서는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(43), APC 밸브(55A, 55B), 압력계(61), 배기 장치(57) 등을 들 수 있다.

EC(81)는, LAN(Local Area Network)(91)을 통해서, 기판 처리 시스템(100)이 설치되어 있는 공장 전체의 제조 공정을 관리하는 MES(Manufacturing Execution System)로서의 컴퓨터(93)에 접속되어 있다. 컴퓨터(93)는 기판 처리 시스템(100)의 제어부(80)와 연계해서 공장에서의 공정에 관한 실시간 정보를 기간 업무 시스템으로 피드백함과 아울러, 공장 전체의 부하 등을 고려해서 공정에 관한 판단을 행한다. 컴퓨터(93)는, 예컨대 다른 컴퓨터(95) 등의 정보 처리 기기에 접속되어 있어도 된다.

다음으로, 도 4를 참조해서, MC(83)의 하드웨어 구성의 일례에 대해서 설명한다. MC(83)는 주 제어부(101)와, 키보드, 마우스 등의 입력 장치(102)와, 프린터 등의 출력 장치(103)와, 표시 장치(104)와, 기억 장치(105)와, 외부 인터페이스(106)와, 이들을 서로 접속하는 버스(107)를 구비하고 있다. 주 제어부(101)는 CPU(중앙 처리 장치)(111), RAM(랜덤 액세스 메모리)(112) 및 ROM(리드 온리 메모리)(113)를 갖고 있다. 기억 장치(105)는 정보를 기억할 수 있는 것이라면 그 형태는 관계없지만, 예컨대 하드 디스크 장치 또는 광 디스크 장치이다. 또한, 기억 장치(105)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(115)에 대해 정보를 기록하고, 또한 기록 매체(115)로부터 정보를 판독하도록 되고 있다. 기록 매체(115)는 정보를 기억할 수 있는 것이라면, 그 형태는 관계없지만, 예컨대 하드 디스크, 광 디스크, 플래시 메모리 등이다. 기록 매체(115)는 본 실시예에 따른 플라즈마 에칭 방법의 레시피를 기록한 기록 매체이어도 된다.

MC(83)에서는, CPU(111)가 RAM(112)을 작업 영역으로서 이용하고, ROM(113) 또는 기억 장치(105)에 저장된 프로그램을 실행함으로써, 본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서 기판(S)에 대한 플라즈마 에칭 처리를 실행할 수 있게 되어 있다. 한편, 도 3에 있어서의 EC(81), 컴퓨터(93, 95)의 하드웨어 구성도, 예컨대 도 4에 나타낸 구성으로 되어 있다.

다음으로 도 5를 참조해서 MC(83)의 기능 구성에 대해서 설명한다. 도 5는 MC(83)의 기능 구성을 나타내는 기능 블록도이다. 한편, 이하의 설명에서는, MC(83)의 하드웨어 구성이 도 4에 나타낸 구성으로 되어 있는 것으로 하며, 도 4 중의 부호도 참조한다. 도 5에 나타낸 바와 같이, MC(83)는 개도 조절부(121)와, 개폐 전환부(123)를 구비하고 있다. 이들은 CPU(111)가 RAM(112)을 작업 영역으로서 이용하고, ROM(113) 또는 기억 장치(105)에 저장된 프로그램을 실행함으로써 실현된다.

개도 조절부(121)는 압력계(61)에 의해 검출된 검출 압력값과, 미리 기억 장치(105)에 보존되어 있던 레시피나 파라미터 등으로 규정된 설정 압력값에 기초해서, 각 APC 밸브(55A)에 제어 신호를 송신함으로써 플라즈마 에칭 장치(100)의 처리 용기(1) 내가 소망의 압력이 되도록 각 APC 밸브(55A)의 개도를 통괄해서 조절한다. APC 밸브(55A)의 개도는, 예컨대 0~1000까지의 1000 단계로 구분되어 있고, 소정의 개도의 값이 MC(83)의 개도 조절부(121)로부터 디지털 아웃풋(DO) 정보로서 각 APC 밸브(55A)에 송출된다.

개폐 전환부(123)는 미리 기억 장치(105)에 보존되어 있던 레시피나 파라미터 등에 기초해서, 각 APC 밸브(55B)에 제어 신호를 송신함으로써 소정의 타이밍에 각 APC 밸브(55B)의 개폐를 통괄해서 전환한다. APC 밸브(55B)의 개폐의 전환 지령은 MC(83)의 개폐 전환부(123)로부터 디지털 아웃풋(DO) 정보로서 각 APC 밸브(55B)에 송출된다.

다음으로, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서의 처리 동작에 대해서 설명한다. 우선, 도시하지 않은 게이트 밸브가 개방된 상태에서 기판 반송용 개구를 통해서, 피처리체인 기판(S)이, 도시하지 않은 반송 장치의 포크에 의해서 처리 용기(1) 내로 반입되어, 서셉터(11)로 건네진다. 그 후, 게이트 밸브가 닫혀지고, 배기 장치(57)에 의해서, 처리 용기(1) 내가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다. 이 경우, 우선, MC(83)의 개폐 전환부(123)로부터 제어 신호가 각 APC 밸브(55B)로 송출되고, 모든 APC 밸브(55B)가 전체 열림으로 된다. 또한, MC(83)의 개도 조절부(121)가 압력계(61)에 의한 검출 압력값을 모니터해서, 각 APC 밸브(55A)에 제어 신호를 송신함으로써 처리 용기(1) 내가 소망의 압력이 되도록 각 APC 밸브(55A)의 개도를 통괄해서 조절한다.

다음으로, 밸브(41)를 개방해서, 처리 가스를 가스 공급원(45)으로부터 처리 가스 공급관(39), 가스 도입구(37)을 거쳐서 샤워 헤드(31)의 가스 확산 공간(33)에 도입한다. 이 때, 매스 플로우 컨트롤러(43)에 의해서 처리 가스의 유량 제어가 행해진다. 가스 확산 공간(33)에 도입된 처리 가스는, 또한 복수의 토출 구멍(35)을 통해서 서셉터(11) 상에 탑재된 기판(S)에 대해 균일하게 토출되고, 처리 용기(1) 내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.

이 상태에서 고주파 전원(75)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(73)를 통해서 서셉터(11)에 인가된다. 이로써, 하부 전극으로서의 서셉터(11)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(31) 사이에 고주파 전계가 발생해서, 처리 가스가 해리하여 플라즈마화된다. 이 플라즈마에 의해, 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.

본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, MC(83)는, 상기 플라즈마 에칭 처리 동안에도, MC(83)의 개도 조절부(121)가 압력계(61)에 의한 검출 압력값을 모니터해서, 각 APC 밸브(55A)에 제어 신호를 송신함으로써 처리 용기(1) 내가 소망의 압력이 되도록 각 APC 밸브(55A)의 개도를 통괄해서 조절한다.

또한, MC(83)의 개폐 전환부(123)는, 플라즈마 에칭 처리 동안에, 모든 APC 밸브(55B)를 전체 열림으로 유지한다. 복수(예컨대 4개)의 APC 밸브(55B)를 전체 열림으로 함으로써, 제 2 배기관(53B)에 접속된 배기 장치(57)의 배기 능력을 최대한으로 이끌어 내어서, 대유량의 처리 가스를 이용하는 에칭 프로세스가 가능하게 된다.

에칭 처리를 실시한 후에, 고주파 전원(75)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(1) 내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음으로 게이트 밸브를 개방하고, 서셉터(11)로부터 도시하지 않은 반송 장치의 포크로 기판(S)를 건네서, 처리 용기(1)의 기판 반송용 개구로부터 기판(S)을 반출한다. 이상의 조작에 의해, 한 장의 기판(S)에 대한 플라즈마 에칭 처리가 종료된다.

<작용>

다음으로, 도 6을 참조하면서 본 실시예의 플라즈마 처리 장치(100)의 작용에 대해서 설명한다. 도 6은 실제 실험 데이터에 기초해서 작성한 것으로, 배기 장치(57)를 이용해서 플라즈마 에칭 장치(100)의 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서 처리 가스를 도입한 경우의 압력 변화(세로축)와, 처리 가스의 유량(가로축)의 관계를 나타내는 특성도이다. 곡선 A는, 처리 용기(1)에 접속된 복수(예컨대 8개)의 배기관(53)의 모든 APC 밸브(55)의 개도를 300(30%)으로 설정한 경우를 나타내고 있다. 곡선 B는, 처리 용기(1)에 접속된 복수(예컨대 8개)의 배기관(53)의 모든 APC 밸브(55)의 개도를 1000(100%)으로 설정한 경우를 나타내고 있다. 곡선 A와 곡선 B의 비교로부터, 같은 압력 P1에서도, APC 밸브(55)의 개도를 전체 열림으로 한 곡선 B 쪽이, 개도를 300으로 설정한 곡선 A에 비해서, 보다 대유량의 처리 가스를 배기할 수 있다는 것을 이해할 수 있다(Q1<Q3). 바꾸어 말하면, 곡선 B의 경우에는, 곡선 A에 비해서, 같은 유량에서도, 보다 저압력에서의 처리가 가능하게 된다.

본 실시예의 플라즈마 처리 장치(100)에서는, 처리 용기(1)에 접속된 8개의 배기관(53) 중, 4개의 제 1 배기관(53A)에서는 APC 밸브(55A)를 개도 300(30%)로 설정하고, 나머지 4개의 제 2 배기관(53B)에서는 APC 밸브(55B)를 개도 1000(100%)로 설정했다. 이로써, 4개의 제 1 배기관(53A)의 APC 밸브(55A)에 의해서 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하면서, 나머지 4개의 제 2 배기관(53B)의 컨덕턴스를 최대화할 수 있다. 따라서, 도 6 중 곡선 C와 같이, APC 밸브의 개도를 300으로 설정했을 때의 곡선 A와, APC 밸브의 개도를 1000으로 설정했을 때의 곡선 B 사이에서, 처리 용기(1) 내에서의 압력 제어와 처리 가스의 유량 제어를 행할 수 있게 된다. 즉, 곡선 C는 곡선 A에 비교하면, 같은 압력 P1에서도, 보다 대유량의 처리 가스를 배기할 수 있다(Q1<Q2). 또한, 곡선 C의 경우에는, 곡선 A에 비해서, 같은 유량(예컨대 Q1)일 때, 보다 저압력에서의 처리가 가능하게 된다(P1<P2).

이상과 같이, 본 실시예의 플라즈마 처리 장치(100)에서는, 제 1 배기관(53A)에 마련된 APC 밸브(55A)에 의해서 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 제 2 배기관(53B)에 마련된 전체 열림 상태의 APC 밸브(55B)에 의해서, 처리 가스의 대유량화에 대한 대응을 도모할 수 있다. 제 1 배기관(53A)에 마련된 APC 밸브(55A)는, 컨덕턴스의 제어성이 좋은 개도 30%까지의 범위내에서 사용할 수 있게 된다. 한편, 제 2 배기관(53B)에서는, 개도 100%의 APC 밸브(55B)에 의해서 컨덕턴스를 최대화할 수 있기 때문에, 제 2 배기관(53B)에 이용하는 배기 장치(57)의 터보 분자 펌프를 배기 능력이 낮은 것으로 대체하는 등의 저사양화가 가능하게 되어서, 장치 비용을 저감할 수 있다.

한편, 제 1 배기관(53A)에 마련된 APC 밸브(55A)와, 제 2 배기관(53B)에 마련된 전체 열림 상태인 APC 밸브(55B)의 설치 개수의 비율은 1:1로 한정하지 않고, 적절하게 설정할 수 있다. 즉, 개도를 조절하는 APC 밸브(55A)와 전체 열림 상태로 설정되는 APC 밸브(55B)의 설치 비율을 변화시킴으로써, 도 6의 곡선 A와 곡선 B 사이에서 정밀도 좋게 처리 용기(1) 내에서의 압력 제어와 처리 가스의 유량을 제어할 수 있게 된다.

또한, MC(83)의 개도 조절부(121) 및 개폐 전환부(123)는, 제 1 배기관(53A)에서 APC 밸브(55A)에 의해서 컨덕턴스를 소정의 값으로 조절했을 때의 배기 가스 유량을 V11이라고 하고, 제 1 배기관(53A)에서 APC 밸브(55A)의 개도를 전체 열림으로 했을 때의 배기 가스 유량을 V12라고 하며, 제 2 배기관(53B)에서의 배기 가스 유량을 V2라고 했을 때, 식 (1);

(여기서, n은 제 1 배기관(53A)의 개수를 나타내고, m은 제 2 배기관(53B)의 개수를 나타냄)

의 관계가 성립되도록 APC 밸브(55A)의 개도 및 APC 밸브(55B)의 개폐를 조절하는 것이 바람직하다. 여기서, 제 1 배기관(53A)에서 APC 밸브(55A)에 의해서 컨덕턴스를 소정의 값으로 조절하는 경우의 개도로서는, 예컨대 개도 15%~30%의 범위 내, 바람직하게는 개도 15~25%의 범위 내, 보다 바람직하게는 개도 20%로 할 수 있다. 식 (1)의 관계를 만족시키는 경우에는, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어성 좋게 컨트롤하면서, 충분히 큰 총 배기량을 얻을 수 있다. 여기서, n×V11> m×V2인 경우에는, m개의 제 2 배기관(53B)에서의 합계의 배기 가스 유량이 너무 작아서, 장치 전체에서의 배기량을 크게 할 수 없기 때문에, 대유량 프로세스에 대한 대응이 곤란하게 된다. 한편, m×V2>n×V12인 경우에는, m개의 제 2 배기관(53B)에서의 합계의 배기 가스 유량이 너무 커져서, n개의 제 1 배기관(53A)에서의 APC 밸브(55A)에 의한 처리 용기(1) 내의 압력 제어성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 상기 식 (1)을 만족하도록 함으로써, APC 밸브(55A)와 APC 밸브(55B)의 설치 비율을 최적의 배분으로 하는 것도 가능하다.

한편, 본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100)에서는, 제 2 APC 밸브(55B)에 대해, 개도 0 또는 1000의 전환을 행하는 개폐 기능만을 이용하는 구성으로 했지만, 제 2 APC 밸브(55B)의 일부분 또는 전부 대신, 예컨대 게이트 밸브 등의 개폐밸브를 이용해도 된다.

[실시예 2]

다음으로, 도 7 및 도 8을 참조해서, 본 발명의 실시예 2의 플라즈마 에칭 장치에 대해서 설명한다. 이하의 설명에서는, 실시예 1과의 상위점을 중심으로 설명하고, 실시예 1과 동일한 구성에 대해서 중복하는 설명은 생략한다.

도 7은 본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100A)의 구성을 간략화해서 나타내는 모식도이다. 플라즈마 에칭 장치(100A)의 기본 구성은 실시예 1의 플라즈마 에칭 장치(100)와 마찬가지이기 때문에, 상세한 구성은 도시 및 설명을 생략한다.

도 8은 플라즈마 에칭 장치(100A)에서의 바닥벽(1a)의 평면도이다. 설명의 편의상, 도 8에는, 8개의 배기용 개구(51)에, 4개의 제 1 배기관(53A) 및 4개의 제 2 배기관(53B)의 배치를 나타내었다. 제 1 배기관(53A)에는 APC 밸브(55A)가 마련되어 있고, 제 2 배기관(53B)에는 APC 밸브(55B)가 마련되어 있다. 본 실시예에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 1 배기관(53A)과 제 2 배기관(53B)이 인접해서 배치되고, 바닥벽(1a)의 중심을 기준으로, 대향하는 2개의 짧은 변 및 긴 변을 따라서 2개씩 대칭으로 배치되어 있다. 따라서, APC 밸브(55A) 및 APC 밸브(55B)도 마찬가지의 배치이다.

본 실시예의 플라즈마 에칭 장치(100A)는 2개의 APC 밸브(55A, 55B)의 배기 방향의 하류측에 하나의 배기 장치(57)를 접속하는 구성으로 하고 있다. 즉, 플라즈마 에칭 장치(100A)에서는, 8개의 배기관(53) 중, 인접하는 제 1 배기관(53A)과 제 2 배기관(53B)을 합류시켜서 합류 배기관(53AB)로 하고, 이 합류 배기관(53AB)에 하나의 배기 장치(57)를 접속하고 있다. 이러한 구성에서도, 제 1 배기관(53A)에 마련된 APC 밸브(55A)를, 컨덕턴스의 제어성이 좋은 개도 30%까지의 범위 내에서 사용하면서 처리 용기(1) 내의 압력 제어를 행할 수 있다. 한편, 제 2 배기관(53B)에서는, 개도 100%의 APC 밸브(55B)에 의해서 컨덕턴스를 최대화할 수 있기 때문에, 플라즈마 에칭 장치(100A) 전체의 배기 능력을 저하시키지 않아도 되어서, 대유량 프로세스에 대한 대응이 가능하게 된다. 더욱이, 본 실시예에서는, 2개의 APC 밸브(55A, 55B)의 배기 방향 하류 위치에서 인접하는 제 1 배기관(53A)과 제 2 배기관(53B)을 합류시켜서, 합류 배기관(53AB)에 하나의 배기 장치(57)를 접속하는 구성으로 하고 있다. 이러한 구성에 의해서, 실시예 1에 비해서도, 고가의 터보 분자 펌프 등을 갖는 배기 장치(57)의 설치수를 반감시킬 수 있기 때문에, 장치 비용을 더욱 대폭 저감할 수 있다.

본 실시예의 다른 구성 및 효과는, 실시예 1과 마찬가지이다.

이상, 본 발명의 실시예를 예시의 목적으로 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예로 제약되는 것이 아니며, 여러가지의 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 평행 평판형의 플라즈마 에칭 장치를 예로 들었지만, 본 발명은 예컨대, 유도 결합 플라즈마 장치, 표면파 플라즈마 장치, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 장치, 헬리콘파 플라즈마 장치 등 다른 방식의 플라즈마 에칭 장치에도 적용 가능하다. 또한, 챔버 내의 압력 조절이 필요한 진공 장치라면, 드라이 에칭 장치에 한하지 않고, 예컨대, 성막 장치나 애싱 장치 등에도 동등하게 적용 가능하다.

또한, 본 발명은 FPD용 기판을 피처리체로 하는 것으로 한정하지 않고, 예컨대 반도체 웨이퍼나 태양 전지용 기판을 피처리체로 하는 경우에도 적용할 수 있다.

1 : 처리 용기 1a : 바닥벽
1b : 측벽 1c : 덮개체
11 : 서셉터 12 : 기재
13, 14 : 밀봉 부재 15 : 절연 부재
31 : 샤워 헤드 33 : 가스 확산 공간
35 : 가스 토출 구멍 37 : 가스 도입구
39 : 처리 가스 공급관 41 : 밸브
43 : 매스 플로우 컨트롤러 45 : 가스 공급원
51 : 배기용 개구 53 : 배기관
53a : 플랜지부 53A : 제 1 배기관
53B : 제 2 배기관 55, 55A, 55B : APC 밸브
57 : 배기 장치 61 : 압력계
71 : 급전선 73 : 매칭 박스(M.B.)
75 : 고주파 전원 100, 100A : 플라즈마 에칭 장치

Claims (8)

1. 피처리체인 FPD(플랫 패널 디스플레이)용 기판을 수용함과 아울러 내부를 진공 유지 가능한 처리 용기와,
   상기 처리 용기 내에 가스 공급로를 통해서 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과,
   상기 가스 공급로에 마련되며, 상기 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 유량 조절 장치와,
   상기 처리 용기 내의 압력을 검출하는 압력 검출 장치와,
   상기 처리 용기에 접속되며, 제 1 밸브가 마련된 복수의 제 1 배기로와,
   상기 처리 용기에 접속되며, 제 2 밸브가 마련된 복수의 제 2 배기로와,
   상기 제 1 배기로 또는 제 2 배기로에 접속된 배기 장치와,
   상기 처리 용기 내의 압력이 소정의 값이 되도록, 상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브를 각각 제어하는 제어부
   를 구비하고,
   상기 제 1 밸브는 상기 처리 용기 내의 압력에 따라 상기 제 1 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 자동 압력 제어 밸브이고,
   상기 제 2 밸브는 상기 처리 용기 내의 압력에 따라 상기 제 2 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 자동 압력 제어 밸브로서, 상기 제 2 배기로의 개폐 동작을 전환하는 밸브이며,
   상기 제어부는, 복수의 상기 제 1 배기로에 각각 마련된 상기 제 1 밸브의 개도(開度)를 통괄해서 조절하는 개도 조절부와, 복수의 상기 제 2 배기로에 각각 마련된 상기 제 2 밸브의 개폐 동작을 통괄해서 전환하는 개폐 전환부를 가지며, 상기 FPD용 기판에 대한 처리를 행하는 동안, 상기 제 1 밸브의 개도를 15~30%, 상기 제 2 밸브의 개도를 100%로 제어하는 것인
   진공 장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 배기로 및 상기 제 2 배기로는 모두 하나의 상기 배기 장치에 접속되어 있는 진공 장치.
   
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제어부는, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브에 의해서 컨덕턴스를 조절했을 때의 배기 가스 유량을 V11이라고 하고, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브의 개도를 전체 열림으로 했을 때의 배기 가스 유량을 V12라고 하며, 상기 제 2 배기로에서의 배기 가스 유량을 V2라고 했을 때, 하기의 식 (1);
   

   

   
   (여기서, n은 상기 제 1 배기로의 개수를 나타내고, m은 상기 제 2 배기로의 개수를 나타냄)
   의 관계가 성립되도록 상기 제 1 밸브의 개도 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 조절하는 진공 장치.
   
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 FPD용 기판에 대해, 에칭을 행하는 상기 제 2 밸브로서, 상기 제 2 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 밸브를 이용하고, 개폐 동작만을 행하는 진공 장치.
   
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 FPD용 기판에 대해 에칭을 행하는 에칭 장치인 진공 장치.
   
6. 삭제
7. 진공 장치에 있어서의 밸브 제어 방법으로서,
   상기 진공 장치는,
   피처리체인 FPD용 기판을 수용함과 아울러 내부를 진공 유지 가능한 처리 용기와,
   상기 처리 용기 내에 가스 공급로를 통해서 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과,
   상기 가스 공급로에 마련되며, 상기 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 유량 조절 장치와,
   상기 처리 용기 내의 압력을 검출하는 압력 검출 장치와,
   상기 처리 용기에 접속되며, 제 1 밸브가 마련된 복수의 제 1 배기로와,
   상기 처리 용기에 접속되며, 제 2 밸브가 마련된 복수의 제 2 배기로와,
   상기 제 1 배기로 또는 제 2 배기로에 접속된 배기 장치와,
   상기 처리 용기 내의 압력이 소정의 값이 되도록, 상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브를 각각 제어하는 제어부
   를 구비하고 있고,
   상기 제 1 밸브는 상기 처리 용기 내의 압력에 따라 상기 제 1 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 자동 압력 제어 밸브이고,
   상기 제 2 밸브는 상기 처리 용기 내의 압력에 따라 상기 제 2 배기로의 컨덕턴스를 가변으로 조절하는 자동 압력 제어 밸브로서, 상기 제 2 배기로의 개폐 동작을 전환하는 밸브이며,
   상기 제어부는, 복수의 상기 제 1 배기로에 각각 마련된 상기 제 1 밸브의 개도를 통괄해서 조절하는 개도 조절부와, 복수의 상기 제 2 배기로에 각각 마련된 상기 제 2 밸브의 개폐 동작을 통괄해서 전환하는 개폐 전환부를 갖는 것이며,
   모든 상기 제 2 밸브의 개도를 동기해서 전체 열림으로 하는 단계와,
   상기 압력 검출 장치에 의해 검출된 검출 압력값과 설정 압력값에 기초해서, 모든 상기 제 1 밸브의 개도를 동기해서 조절하는 단계
   를 포함함과 아울러,
   상기 FPD용 기판에 대한 처리를 행하는 동안, 상기 제 1 밸브의 개도를 15~30%, 상기 제 2 밸브의 개도를 100%로 제어하는
   것을 특징으로 하는 밸브 제어 방법.
   
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브에 의해서 컨덕턴스를 조절했을 때의 배기 가스 유량을 V11이라고 하고, 상기 제 1 배기로에서 상기 제 1 밸브의 개도를 전체 열림으로 했을 때의 배기 가스 유량을 V12라고 하며, 상기 제 2 배기로에서의 배기 가스 유량을 V2라고 했을 때, 하기의 식 (1);
   

   

   
   (여기서, n은 상기 제 1 배기로의 개수를 나타내고, m은 상기 제 2 배기로의 개수를 나타냄)
   의 관계가 성립되도록 상기 제 1 밸브의 개도 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 조절하는
   밸브 제어 방법.

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