JPH10144498A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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- JPH10144498A JPH10144498A JP8317112A JP31711296A JPH10144498A JP H10144498 A JPH10144498 A JP H10144498A JP 8317112 A JP8317112 A JP 8317112A JP 31711296 A JP31711296 A JP 31711296A JP H10144498 A JPH10144498 A JP H10144498A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シャワープレート等の電極部の劣化を抑制しな
がら、反応室内を効率的にガスクリーニングできるプラ
ズマ処理装置および方法を提供する。 【解決手段】平面図的に見てアノード130の基板載置
台25の中央部に開口する排気口60を介する排気経路
と、平面図的に見て基板載置台35の4隅近傍に開口す
る排気口61乃至64を介する排気経路とをエアバルブ
55、56で切換可能とする。成膜を中央の排気口60
を介して排気しながら行うことにより、均一に成膜でき
る。ガスクリーニングを、4隅の排気口61乃至64を
介して排気しながら行うことにより、内槽30の4隅近
傍にガス流を集中させることができ、その部分のガスエ
ッチングを促進でき、内槽30の内壁のガスエッチング
がより均一に行え、ガスクリーニング時間が短縮され、
シャワープレート26の過剰エッチングが抑制され、そ
の劣化が抑制される。
がら、反応室内を効率的にガスクリーニングできるプラ
ズマ処理装置および方法を提供する。 【解決手段】平面図的に見てアノード130の基板載置
台25の中央部に開口する排気口60を介する排気経路
と、平面図的に見て基板載置台35の4隅近傍に開口す
る排気口61乃至64を介する排気経路とをエアバルブ
55、56で切換可能とする。成膜を中央の排気口60
を介して排気しながら行うことにより、均一に成膜でき
る。ガスクリーニングを、4隅の排気口61乃至64を
介して排気しながら行うことにより、内槽30の4隅近
傍にガス流を集中させることができ、その部分のガスエ
ッチングを促進でき、内槽30の内壁のガスエッチング
がより均一に行え、ガスクリーニング時間が短縮され、
シャワープレート26の過剰エッチングが抑制され、そ
の劣化が抑制される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
およびプラズマ処理方法に関し、特に、半導体素子や液
晶表示素子(LCD)等を製造する際に使用される半導
体ウェーハやガラス基板等を処理するプラズマ処理装置
およびプラズマ処理方法に関する。
およびプラズマ処理方法に関し、特に、半導体素子や液
晶表示素子(LCD)等を製造する際に使用される半導
体ウェーハやガラス基板等を処理するプラズマ処理装置
およびプラズマ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のプラズマCVD装置の反
応室の構造を示す図であり、図2Aは縦断面図、図2B
は図2AのX2−X2線横断面図である。
応室の構造を示す図であり、図2Aは縦断面図、図2B
は図2AのX2−X2線横断面図である。
【0003】このプラズマCVD装置200は、処理槽
20を備えており、処理槽20は外槽40と内槽30と
を備えた2槽構造となっている。
20を備えており、処理槽20は外槽40と内槽30と
を備えた2槽構造となっている。
【0004】内槽30はカソード120を備えており、
カソード120は、カソードヒータ24とシャワープレ
ート26と反応ガス導入管28とを備えている。シャワ
ープレート26には多数のガス分散孔29が配設され、
反応ガス導入管28より導入された反応ガスをガス分散
孔29により内槽30内に分散供給し、その結果、基板
載置台35上に載置された基板36上に反応ガスを均一
に供給するようになっている。シャワープレート26は
平面図的に見て略直角四辺形の形状をしている。
カソード120は、カソードヒータ24とシャワープレ
ート26と反応ガス導入管28とを備えている。シャワ
ープレート26には多数のガス分散孔29が配設され、
反応ガス導入管28より導入された反応ガスをガス分散
孔29により内槽30内に分散供給し、その結果、基板
載置台35上に載置された基板36上に反応ガスを均一
に供給するようになっている。シャワープレート26は
平面図的に見て略直角四辺形の形状をしている。
【0005】内槽30には、カソード120と対向して
アノード130が設けられている。アノード130はア
ノードヒータ33とアノードヒータ33上に設けられた
基板載置台35とを備えている。基板載置台35は平面
図的に見て略直角四辺形の形状をしている。
アノード130が設けられている。アノード130はア
ノードヒータ33とアノードヒータ33上に設けられた
基板載置台35とを備えている。基板載置台35は平面
図的に見て略直角四辺形の形状をしている。
【0006】カソード120とアノード130とにより
いわゆる平行平板型の電極を構成している。カソード1
20には高周波電源46が接続されており、アノード1
30は接地されており、カソード120とアノード13
0との間に高周波電力を印加できるようになっている。
いわゆる平行平板型の電極を構成している。カソード1
20には高周波電源46が接続されており、アノード1
30は接地されており、カソード120とアノード13
0との間に高周波電力を印加できるようになっている。
【0007】カソード120の周囲には内槽上側壁31
が設けられ、アノードヒータ33の周囲には、内槽上側
壁31と対応して内槽下側壁32が固着されている。内
槽下側壁32はアノードヒータ33を昇降させることに
よって昇降し、アノードヒータ33が上昇すると内槽下
側壁32も上昇して内槽上側壁31と当接する。このよ
うにして、カソード120、アノード130、内槽上側
壁31および内槽下側壁32により内槽30が構成され
る。
が設けられ、アノードヒータ33の周囲には、内槽上側
壁31と対応して内槽下側壁32が固着されている。内
槽下側壁32はアノードヒータ33を昇降させることに
よって昇降し、アノードヒータ33が上昇すると内槽下
側壁32も上昇して内槽上側壁31と当接する。このよ
うにして、カソード120、アノード130、内槽上側
壁31および内槽下側壁32により内槽30が構成され
る。
【0008】内槽下側壁32には、図2Bに示すよう
に、所定の間隔で排気孔49が、基板載置台35の外周
の全周にわたって設けられている。アノードヒータ33
の下には集気槽38が設けられており、アノードヒータ
33、内槽下側壁32および集気槽38により排気槽3
7が構成される。排気槽37内は排気孔49を介して内
槽30と連通している。集気槽38の底板381には、
内排気管39が排気槽37内と連通して設けられてい
る。内排気管39は、図2Bに示すように、平面図的に
見て、基板載置台35の中央部に位置している。
に、所定の間隔で排気孔49が、基板載置台35の外周
の全周にわたって設けられている。アノードヒータ33
の下には集気槽38が設けられており、アノードヒータ
33、内槽下側壁32および集気槽38により排気槽3
7が構成される。排気槽37内は排気孔49を介して内
槽30と連通している。集気槽38の底板381には、
内排気管39が排気槽37内と連通して設けられてい
る。内排気管39は、図2Bに示すように、平面図的に
見て、基板載置台35の中央部に位置している。
【0009】処理槽20の底板211の中央部には外排
気管41が設けられている。内排気管39は外排気管4
1と同心円状に外排気管41に遊嵌して設けられてい
る。外排気管41は真空ポンプ(図示せず。)に接続さ
れている。
気管41が設けられている。内排気管39は外排気管4
1と同心円状に外排気管41に遊嵌して設けられてい
る。外排気管41は真空ポンプ(図示せず。)に接続さ
れている。
【0010】成膜工程においては、内槽30内を外排気
管41、内排気管39、排気槽37および排気孔49を
介して排気しながら、反応ガス導入管28から成膜用の
反応ガスを内槽30内に導入して内槽30内を所定の圧
力に制御しつつ、高周波電源46よりカソード120、
アノード130間に高周波電力を印加してプラズマを発
生させて、基板載置台35上に載置した基板36上に薄
膜を形成する。
管41、内排気管39、排気槽37および排気孔49を
介して排気しながら、反応ガス導入管28から成膜用の
反応ガスを内槽30内に導入して内槽30内を所定の圧
力に制御しつつ、高周波電源46よりカソード120、
アノード130間に高周波電力を印加してプラズマを発
生させて、基板載置台35上に載置した基板36上に薄
膜を形成する。
【0011】成膜時においては、この薄膜や他の反応副
生成物は、シャワープレート26や内槽30の他の内壁
にも付着・堆積するので、成膜処理を繰り返すと付着・
堆積を続け、やがては剥離し、それが成膜処理中の基板
36上に付着して基板36を汚染してしまう。
生成物は、シャワープレート26や内槽30の他の内壁
にも付着・堆積するので、成膜処理を繰り返すと付着・
堆積を続け、やがては剥離し、それが成膜処理中の基板
36上に付着して基板36を汚染してしまう。
【0012】そこで、所定の頻度でガスクリーニングを
行うことによりシャワープレート26や内槽30の他の
内壁に付着・堆積した反応副生成物をプラズマを利用し
てエッチング除去することが行われている。
行うことによりシャワープレート26や内槽30の他の
内壁に付着・堆積した反応副生成物をプラズマを利用し
てエッチング除去することが行われている。
【0013】このガスクリーニング工程では、基板36
を基板載置台35上に載置しない状態で、内槽30内
を、内層下側壁32に設けられた排気孔49、排気槽3
7、内排気管39および外排気管41を介して排気しな
がら、反応ガス導入管28からNF3 やSF6 といった
クリーニングガスを内槽30内に導入して内槽30内を
所定の圧力に制御しつつ、高周波電源46よりカソード
120、アノード130間に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させて、内槽30の内壁に付着・堆積した反
応副生成物をエッチング除去する。
を基板載置台35上に載置しない状態で、内槽30内
を、内層下側壁32に設けられた排気孔49、排気槽3
7、内排気管39および外排気管41を介して排気しな
がら、反応ガス導入管28からNF3 やSF6 といった
クリーニングガスを内槽30内に導入して内槽30内を
所定の圧力に制御しつつ、高周波電源46よりカソード
120、アノード130間に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させて、内槽30の内壁に付着・堆積した反
応副生成物をエッチング除去する。
【0014】しかしながら、このガスクリーニングにお
いては、内槽30内の箇所によって処理速度が違う。す
なわち、電界の強いシャワープレート26からクリーニ
ングが先に進み、徐々にその周辺、内槽30の他の内壁
部へと処理される。従って、内槽30の内壁、特に図2
BのA部の処理には長い時間がかかり、この部分の処理
が完全に終わる頃には、シャワープレート26が過剰処
理されてしまって劣化する。このシャワープレート26
の劣化は、CVD成膜速度の低下、膜均一性の悪化等を
招き、メンテナンスサイクルの間隔が短くなり稼働率が
悪化する等の問題を引き起こしていた。
いては、内槽30内の箇所によって処理速度が違う。す
なわち、電界の強いシャワープレート26からクリーニ
ングが先に進み、徐々にその周辺、内槽30の他の内壁
部へと処理される。従って、内槽30の内壁、特に図2
BのA部の処理には長い時間がかかり、この部分の処理
が完全に終わる頃には、シャワープレート26が過剰処
理されてしまって劣化する。このシャワープレート26
の劣化は、CVD成膜速度の低下、膜均一性の悪化等を
招き、メンテナンスサイクルの間隔が短くなり稼働率が
悪化する等の問題を引き起こしていた。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、反応室の内壁のガスクリーニングの処理に多く
の時間がかかり、シャワープレート等の電極部が劣化す
るという問題点を解決し、シャワープレート等の電界の
強い電極部の劣化を抑制しながら、反応室内を効率的に
クリーニングできるプラズマ処理装置およびプラズマ処
理方法を提供することにある。
目的は、反応室の内壁のガスクリーニングの処理に多く
の時間がかかり、シャワープレート等の電極部が劣化す
るという問題点を解決し、シャワープレート等の電界の
強い電極部の劣化を抑制しながら、反応室内を効率的に
クリーニングできるプラズマ処理装置およびプラズマ処
理方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、アノー
ドと、前記アノードと対向して設けられたカソードと、
前記アノードおよび前記カソードの一方に対して前記ア
ノードおよび前記カソードの他方とは反対側に開口して
設けられた第1の排気口および複数第2の排気口とを備
え、前記アノードおよび前記カソードの前記一方の形状
が平面図的に見て略多角形状であり、前記第1の排気口
が、前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方
を平面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのう
ちの前記一方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の
排気口が、前記アノードおよび前記カソードのうちの前
記一方を平面図的に見て前記アノードおよび前記カソー
ドのうちの前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口してい
ることを特徴とする第1のプラズマ処理装置が提供され
る。
ドと、前記アノードと対向して設けられたカソードと、
前記アノードおよび前記カソードの一方に対して前記ア
ノードおよび前記カソードの他方とは反対側に開口して
設けられた第1の排気口および複数第2の排気口とを備
え、前記アノードおよび前記カソードの前記一方の形状
が平面図的に見て略多角形状であり、前記第1の排気口
が、前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方
を平面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのう
ちの前記一方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の
排気口が、前記アノードおよび前記カソードのうちの前
記一方を平面図的に見て前記アノードおよび前記カソー
ドのうちの前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口してい
ることを特徴とする第1のプラズマ処理装置が提供され
る。
【0017】このように第1の排気口が、前記アノード
および前記カソードのうちの前記一方を平面図的に見て
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方のほ
ぼ中央部に開口しているから、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方に被成膜基板を設け、この第
1の排気口を介する排気経路を利用して基板上に成膜を
行うと、前記アノードおよび前記カソードのうちの前記
一方上のガスの流れが均一になり、基板上に形成される
薄膜の膜厚均一性が向上する。そして、これら複数の第
2の排気口を介する排気経路を利用してガスクリーニン
グ処理を行うと、前記アノードおよび前記カソードのう
ちの前記一方の各角部に対応する反応室の各箇所のエッ
チングを効率よく行えるようになってガスクリーニング
時間を短縮でき、それに伴い、電界の強いアノードまた
はカソードという電極部の劣化を抑制することもできる
ようになる。
および前記カソードのうちの前記一方を平面図的に見て
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方のほ
ぼ中央部に開口しているから、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方に被成膜基板を設け、この第
1の排気口を介する排気経路を利用して基板上に成膜を
行うと、前記アノードおよび前記カソードのうちの前記
一方上のガスの流れが均一になり、基板上に形成される
薄膜の膜厚均一性が向上する。そして、これら複数の第
2の排気口を介する排気経路を利用してガスクリーニン
グ処理を行うと、前記アノードおよび前記カソードのう
ちの前記一方の各角部に対応する反応室の各箇所のエッ
チングを効率よく行えるようになってガスクリーニング
時間を短縮でき、それに伴い、電界の強いアノードまた
はカソードという電極部の劣化を抑制することもできる
ようになる。
【0018】なお、場合によっては、第1の排気口を介
する排気経路と第2の排気口を介する排気経路とを共に
使用して、成膜やガスクリーニングを行うことも可能で
ある。
する排気経路と第2の排気口を介する排気経路とを共に
使用して、成膜やガスクリーニングを行うことも可能で
ある。
【0019】好ましくは、前記アノードおよび前記カソ
ードの前記他方の形状が、平面図的に見て、前記アノー
ドおよび前記カソードの前記一方の前記多角形状とほぼ
同じ略多角形状である。
ードの前記他方の形状が、平面図的に見て、前記アノー
ドおよび前記カソードの前記一方の前記多角形状とほぼ
同じ略多角形状である。
【0020】また、好ましくは、前記第1の排気口を介
する第1の排気経路と前記第2の排気口を介する第2の
排気経路とを切換可能とする。
する第1の排気経路と前記第2の排気口を介する第2の
排気経路とを切換可能とする。
【0021】さらに好ましくは、前記第1の排気口を介
する前記第1の排気経路と前記第2の排気口を介する前
記第2の排気経路とをプラズマ処理の種類に応じて切換
可能とする。
する前記第1の排気経路と前記第2の排気口を介する前
記第2の排気経路とをプラズマ処理の種類に応じて切換
可能とする。
【0022】そして、さらに一層好ましくは、前記第1
の排気口を介する前記第1の排気経路と前記第2の排気
口を介する前記第2の排気経路とを成膜処理とガスクリ
ーニング処理との間で切換可能とする。
の排気口を介する前記第1の排気経路と前記第2の排気
口を介する前記第2の排気経路とを成膜処理とガスクリ
ーニング処理との間で切換可能とする。
【0023】また、前記第1の排気口を介する前記第1
の排気経路と前記第2の排気口を介する前記第2の排気
経路とを、所定のプラズマ処理中に切換可能とすること
もできる。
の排気経路と前記第2の排気口を介する前記第2の排気
経路とを、所定のプラズマ処理中に切換可能とすること
もできる。
【0024】この場合に、好ましくは、前記所定のプラ
ズマ処理がガスクリーニング処理である。このように、
ガスクリーニング中に排気経路を切り換えても、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方の各角部に
対応する反応室の各箇所のエッチングを効率よく行える
ようになってガスクリーニング時間を短縮でき、それに
伴い、電界の強いアノードまたはカソードという電極部
の劣化を抑制することもできるようになる。
ズマ処理がガスクリーニング処理である。このように、
ガスクリーニング中に排気経路を切り換えても、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方の各角部に
対応する反応室の各箇所のエッチングを効率よく行える
ようになってガスクリーニング時間を短縮でき、それに
伴い、電界の強いアノードまたはカソードという電極部
の劣化を抑制することもできるようになる。
【0025】前記アノードおよびカソードの形状は、好
ましくは、平面図的にみて略直角四辺形であり、その場
合には、好ましくは、前記複数の第2の排気口が前記直
角四辺形の4隅近傍にそれぞれ開口している。
ましくは、平面図的にみて略直角四辺形であり、その場
合には、好ましくは、前記複数の第2の排気口が前記直
角四辺形の4隅近傍にそれぞれ開口している。
【0026】また、この第1のプラズマ処理装置におい
ては、好ましくは、前記アノードおよび前記カソードが
外槽内に設けられ、前記外槽に前記カソードおよび前記
アノードの前記他方が取り付けられ、前記カソードおよ
び前記アノードの前記他方を囲繞して前記外槽に第1の
内槽側壁が取り付けられ、前記カソードおよび前記アノ
ードの前記一方が基板搭載部を備え、前記カソードおよ
び前記カソードの前記一方の周囲に前記第1の内槽側壁
と対応する第2の内槽側壁が取り付けられ、前記基板載
置部を取り囲んで前記第2の内槽側壁に排気孔が設けら
れ、前記排気孔は前記第1の排気口および前記第2の排
気口と連通可能であり、前記カソード、前記アノード、
前記第1の内槽側壁および前記第2の内槽側壁により内
槽が構成されている。
ては、好ましくは、前記アノードおよび前記カソードが
外槽内に設けられ、前記外槽に前記カソードおよび前記
アノードの前記他方が取り付けられ、前記カソードおよ
び前記アノードの前記他方を囲繞して前記外槽に第1の
内槽側壁が取り付けられ、前記カソードおよび前記アノ
ードの前記一方が基板搭載部を備え、前記カソードおよ
び前記カソードの前記一方の周囲に前記第1の内槽側壁
と対応する第2の内槽側壁が取り付けられ、前記基板載
置部を取り囲んで前記第2の内槽側壁に排気孔が設けら
れ、前記排気孔は前記第1の排気口および前記第2の排
気口と連通可能であり、前記カソード、前記アノード、
前記第1の内槽側壁および前記第2の内槽側壁により内
槽が構成されている。
【0027】このように、内槽を設けることにより、成
膜やガスクリーニング等のプラズマ処理時に発生するプ
ラズマを内槽内に限定することができる。その結果、プ
ラズマ密度を上げることができて、成膜やガスエッチン
グを効率よく行うことができる。
膜やガスクリーニング等のプラズマ処理時に発生するプ
ラズマを内槽内に限定することができる。その結果、プ
ラズマ密度を上げることができて、成膜やガスエッチン
グを効率よく行うことができる。
【0028】さらに好ましくは、前記外槽内に設けられ
た排気槽をさらに有し、前記排気槽は前記アノードおよ
び前記カソードの前記一方に対して前記アノードおよび
前記カソードの前記他方とは反対側に設けられ、前記内
槽内は前記排気孔により前記排気槽内と連通され、前記
第1の排気口および複数第2の排気口が、前記排気槽の
壁面であって前記アノードおよび前記カソードの前記一
方と対向する壁面に開口している。
た排気槽をさらに有し、前記排気槽は前記アノードおよ
び前記カソードの前記一方に対して前記アノードおよび
前記カソードの前記他方とは反対側に設けられ、前記内
槽内は前記排気孔により前記排気槽内と連通され、前記
第1の排気口および複数第2の排気口が、前記排気槽の
壁面であって前記アノードおよび前記カソードの前記一
方と対向する壁面に開口している。
【0029】または、排気槽を設けずに、前記第1の排
気口および複数第2の排気口を、前記外槽の壁面であっ
て前記アノードおよび前記カソードの前記一方と対向す
る壁面に開口させてもよい。
気口および複数第2の排気口を、前記外槽の壁面であっ
て前記アノードおよび前記カソードの前記一方と対向す
る壁面に開口させてもよい。
【0030】また、好ましくは、前記カソードおよび前
記アノードの前記他方が、複数のガス分散孔を有するシ
ャワープレートと、前記ガス分散孔にガスを供給するガ
ス供給部とを備え、前記シャワープレートが前記カソー
ドおよび前記アノードの前記一方と対向して設けられて
いる。
記アノードの前記他方が、複数のガス分散孔を有するシ
ャワープレートと、前記ガス分散孔にガスを供給するガ
ス供給部とを備え、前記シャワープレートが前記カソー
ドおよび前記アノードの前記一方と対向して設けられて
いる。
【0031】この場合に、好ましくは、前記カソードお
よび前記アノードの前記一方の形状が平面図的に見て略
直角四辺形であり、前記シャワープレートが平面図的に
見て略直角四辺形である。
よび前記アノードの前記一方の形状が平面図的に見て略
直角四辺形であり、前記シャワープレートが平面図的に
見て略直角四辺形である。
【0032】また、好ましくは、前記カソードおよび前
記アノードの前記一方がアノードであり、前記カソード
および前記アノードの前記他方がカソードである。
記アノードの前記一方がアノードであり、前記カソード
および前記アノードの前記他方がカソードである。
【0033】また、本発明によれば、複数の種類のプラ
ズマ処理が可能なプラズマ処理装置において、プラズマ
処理の種類に応じて排気経路を変更可能としたことを特
徴とする第2のプラズマ処理装置が提供される。
ズマ処理が可能なプラズマ処理装置において、プラズマ
処理の種類に応じて排気経路を変更可能としたことを特
徴とする第2のプラズマ処理装置が提供される。
【0034】このようにすれば、プラズマ処理の種類に
応じて好ましいガスの流れを選択することができる。
応じて好ましいガスの流れを選択することができる。
【0035】そして、この第2のプラズマ処理装置にお
いて、好ましくは、前記複数の種類のプラズマ処理が、
成膜処理とガスクリーニング処理とを含む場合には、前
記成膜処理と前記ガスクリーニング処理とで前記排気経
路を変更可能とする。
いて、好ましくは、前記複数の種類のプラズマ処理が、
成膜処理とガスクリーニング処理とを含む場合には、前
記成膜処理と前記ガスクリーニング処理とで前記排気経
路を変更可能とする。
【0036】このようにすれば、成膜処理においては、
成膜処理に好ましいガスの流れを形成することができ、
またガスクリーニング処理においては、ガスクリーニン
グ処理に好ましいガスの流れを形成することができ、そ
れぞれに適した処理を行うことができる。
成膜処理に好ましいガスの流れを形成することができ、
またガスクリーニング処理においては、ガスクリーニン
グ処理に好ましいガスの流れを形成することができ、そ
れぞれに適した処理を行うことができる。
【0037】また、本発明によれば、所定のプラズマ処
理中に排気経路を可変としたことを特徴とする第3のプ
ラズマ処理装置が提供される。
理中に排気経路を可変としたことを特徴とする第3のプ
ラズマ処理装置が提供される。
【0038】このように、所定のプラズマ処理中に排気
経路を可変とすることにより、例えば、プラズマ処理中
にガスの流れを変更して、反応室内の複数の箇所におい
て、より均一にプラズマ処理をすることができるように
なる。
経路を可変とすることにより、例えば、プラズマ処理中
にガスの流れを変更して、反応室内の複数の箇所におい
て、より均一にプラズマ処理をすることができるように
なる。
【0039】この第3のプラズマ処理装置は、特に、前
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
【0040】また、本発明によれば、第1の排気経路に
よって成膜処理を行う工程と、前記第1の排気経路とは
異なる第2の排気経路によってガスクリーニング処理を
行う工程と、を備えることを特徴とする第1のプラズマ
処理方法が提供される。
よって成膜処理を行う工程と、前記第1の排気経路とは
異なる第2の排気経路によってガスクリーニング処理を
行う工程と、を備えることを特徴とする第1のプラズマ
処理方法が提供される。
【0041】このようにすれば、成膜処理においては、
成膜処理に好ましいガスの流れを形成することができ、
またガスクリーニング処理においては、ガスクリーニン
グ処理に好ましいガスの流れを形成することができ、そ
れぞれに適した処理を行うことができる。
成膜処理に好ましいガスの流れを形成することができ、
またガスクリーニング処理においては、ガスクリーニン
グ処理に好ましいガスの流れを形成することができ、そ
れぞれに適した処理を行うことができる。
【0042】また、本発明によれば、所定のプラズマ処
理中に排気経路を変えることを特徴とする第2のプラズ
マ処理方法が提供される。
理中に排気経路を変えることを特徴とする第2のプラズ
マ処理方法が提供される。
【0043】このように、所定のプラズマ処理中に排気
経路を変えることにより、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
経路を変えることにより、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
【0044】この第2のプラズマ処理方法は、特に、前
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
【0045】また、本発明によれば、アノードと、前記
アノードと対向して設けられたカソードと、前記アノー
ドおよび前記カソードの一方に対して前記アノードおよ
び前記カソードの他方とは反対側に開口して設けられた
第1の排気口および複数第2の排気口とを備え、前記ア
ノードおよび前記カソードの前記一方の形状が平面図的
に見て略多角形状であり、前記第1の排気口が、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平面図的
に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一
方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の排気口が、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平
面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口しており、前記第
1の排気口を介する第1の排気経路と前記第2の排気口
を介する第2の排気経路とを切換可能としたプラズマ処
理装置を使用して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処
理方法であって、前記第1の排気経路によって成膜処理
を行う工程と、前記第2の排気経路によってガスクリー
ニング処理を行う工程と、を備えることを特徴とする第
3のプラズマ処理方法が提供される。
アノードと対向して設けられたカソードと、前記アノー
ドおよび前記カソードの一方に対して前記アノードおよ
び前記カソードの他方とは反対側に開口して設けられた
第1の排気口および複数第2の排気口とを備え、前記ア
ノードおよび前記カソードの前記一方の形状が平面図的
に見て略多角形状であり、前記第1の排気口が、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平面図的
に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一
方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の排気口が、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平
面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口しており、前記第
1の排気口を介する第1の排気経路と前記第2の排気口
を介する第2の排気経路とを切換可能としたプラズマ処
理装置を使用して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処
理方法であって、前記第1の排気経路によって成膜処理
を行う工程と、前記第2の排気経路によってガスクリー
ニング処理を行う工程と、を備えることを特徴とする第
3のプラズマ処理方法が提供される。
【0046】このプラズマ処理方法で使用されるプラズ
マ処理装置においては、第1の排気口が、前記アノード
および前記カソードのうちの前記一方を平面図的に見て
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方のほ
ぼ中央部に開口しているから、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方に被成膜基板を設け、この第
1の排気口を介する第1の排気経路を利用して基板上に
成膜を行うと、前記アノードおよび前記カソードのうち
の前記一方上のガスの流れが均一になり、基板上に形成
される薄膜の膜厚均一性が向上する。そして、これら複
数の第2の排気口を介する第2の排気経路を利用してガ
スクリーニング処理を行うと、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方の各角部に対応する反応室の
各箇所のエッチングを効率よく行えるようになってガス
クリーニング時間を短縮でき、それに伴い、電界の強い
アノードまたはカソードという電極部の劣化を抑制する
こともできるようになる。
マ処理装置においては、第1の排気口が、前記アノード
および前記カソードのうちの前記一方を平面図的に見て
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方のほ
ぼ中央部に開口しているから、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方に被成膜基板を設け、この第
1の排気口を介する第1の排気経路を利用して基板上に
成膜を行うと、前記アノードおよび前記カソードのうち
の前記一方上のガスの流れが均一になり、基板上に形成
される薄膜の膜厚均一性が向上する。そして、これら複
数の第2の排気口を介する第2の排気経路を利用してガ
スクリーニング処理を行うと、前記アノードおよび前記
カソードのうちの前記一方の各角部に対応する反応室の
各箇所のエッチングを効率よく行えるようになってガス
クリーニング時間を短縮でき、それに伴い、電界の強い
アノードまたはカソードという電極部の劣化を抑制する
こともできるようになる。
【0047】そして、この場合に、好ましくは、前記ア
ノードおよび前記カソードの前記他方の形状が、平面図
的に見て、前記アノードおよび前記カソードの前記一方
の前記多角形状とほぼ同じ略多角形状であるプラズマ処
理装置を使用する。
ノードおよび前記カソードの前記他方の形状が、平面図
的に見て、前記アノードおよび前記カソードの前記一方
の前記多角形状とほぼ同じ略多角形状であるプラズマ処
理装置を使用する。
【0048】また、本発明によれば、アノードと、前記
アノードと対向して設けられたカソードと、前記アノー
ドおよび前記カソードの一方に対して前記アノードおよ
び前記カソードの他方とは反対側に開口して設けられた
第1の排気口および複数第2の排気口とを備え、前記ア
ノードおよび前記カソードの前記一方の形状が平面図的
に見て略多角形状であり、前記第1の排気口が、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平面図的
に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一
方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の排気口が、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平
面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口しており、前記第
1の排気口を介する第1の排気経路と前記第2の排気口
を介する第2の排気経路とを切換可能としたプラズマ処
理装置を使用して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処
理方法であって、所定のプラズマ処理中に排気経路を変
えることを特徴とする第4のプラズマ処理方法が提供さ
れる。
アノードと対向して設けられたカソードと、前記アノー
ドおよび前記カソードの一方に対して前記アノードおよ
び前記カソードの他方とは反対側に開口して設けられた
第1の排気口および複数第2の排気口とを備え、前記ア
ノードおよび前記カソードの前記一方の形状が平面図的
に見て略多角形状であり、前記第1の排気口が、前記ア
ノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平面図的
に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一
方のほぼ中央部に開口し、前記複数の第2の排気口が、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方を平
面図的に見て前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方の各角部近傍にそれぞれ開口しており、前記第
1の排気口を介する第1の排気経路と前記第2の排気口
を介する第2の排気経路とを切換可能としたプラズマ処
理装置を使用して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処
理方法であって、所定のプラズマ処理中に排気経路を変
えることを特徴とする第4のプラズマ処理方法が提供さ
れる。
【0049】このように、所定のプラズマ処理中に排気
経路を変えることにより、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
経路を変えることにより、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
【0050】この第4のプラズマ処理方法は、特に、前
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
記所定のプラズマ処理がガスクリーニング処理である場
合に好適に使用される。
【0051】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【0052】図1は、本発明の一実施の形態のプラズマ
CVD装置を説明するための図であり、図1Aは縦断面
図、図1Bは図1AのX1−X1線横断面図である。
CVD装置を説明するための図であり、図1Aは縦断面
図、図1Bは図1AのX1−X1線横断面図である。
【0053】本発明の第1の実施の形態のプラズマCV
D装置100は処理槽20を備えており、処理槽20は
外槽40と内槽30とを備えた2槽構造となっている。
D装置100は処理槽20を備えており、処理槽20は
外槽40と内槽30とを備えた2槽構造となっている。
【0054】処理槽20は、処理槽本体21と天井蓋2
2とを備えている。天井蓋22はその断面が凸字状とな
っており、中央に形成された凹部に絶縁体231〜23
3を介してカソード120が設けられている。カソード
120は、カソードヒータ24とシャワープレート26
と反応ガス導入管28とを備えている。カソードヒータ
24は、棒状の抵抗加熱式ヒータ線25がアルミニウム
部材内に埋め込まれて構成されている。カソードヒータ
24とシャワープレート26との間には間隙27が形成
されている。間隙27には反応ガス導入管28が連通し
ている。シャワープレート26には多数のガス分散孔2
9が配設され、反応ガス導入管28より導入された反応
ガスをガス分散孔29により内槽30内に分散供給し、
その結果、基板載置台35上に載置された基板36上に
反応ガスを均一に供給するようになっている。
2とを備えている。天井蓋22はその断面が凸字状とな
っており、中央に形成された凹部に絶縁体231〜23
3を介してカソード120が設けられている。カソード
120は、カソードヒータ24とシャワープレート26
と反応ガス導入管28とを備えている。カソードヒータ
24は、棒状の抵抗加熱式ヒータ線25がアルミニウム
部材内に埋め込まれて構成されている。カソードヒータ
24とシャワープレート26との間には間隙27が形成
されている。間隙27には反応ガス導入管28が連通し
ている。シャワープレート26には多数のガス分散孔2
9が配設され、反応ガス導入管28より導入された反応
ガスをガス分散孔29により内槽30内に分散供給し、
その結果、基板載置台35上に載置された基板36上に
反応ガスを均一に供給するようになっている。
【0055】内槽30には、カソード120と対向して
アノード130が設けられている。アノード130はア
ノードヒータ33とアノードヒータ33上に設けられた
基板載置台35とを備えている。アノードヒータ33
は、棒状の抵抗加熱式ヒータ線34がアルミニウム部材
内に埋め込まれて構成されている。カソード120とア
ノード130とによりいわゆる平行平板型の電極を構成
している。カソード120には高周波電源46が接続さ
れており、アノード130は接地されており、カソード
120とアノード130との間に高周波電力を印加でき
るようになっている。
アノード130が設けられている。アノード130はア
ノードヒータ33とアノードヒータ33上に設けられた
基板載置台35とを備えている。アノードヒータ33
は、棒状の抵抗加熱式ヒータ線34がアルミニウム部材
内に埋め込まれて構成されている。カソード120とア
ノード130とによりいわゆる平行平板型の電極を構成
している。カソード120には高周波電源46が接続さ
れており、アノード130は接地されており、カソード
120とアノード130との間に高周波電力を印加でき
るようになっている。
【0056】基板載置台35の形状は平面図的に見て略
直角四辺形であり、シャワープレート26の形状も平面
図的に見て略直角四辺形である。
直角四辺形であり、シャワープレート26の形状も平面
図的に見て略直角四辺形である。
【0057】アノードヒータ33は昇降ロッド42の上
端に固着されており、昇降ロッド42を昇降させること
によって昇降する。昇降ロッド42はエアシリンダ(図
示せず。)を昇降させることによって昇降する。なお、
昇降ロッド42は、処理槽本体21の底板211を気密
かつ昇降自在に貫通して設けられている。
端に固着されており、昇降ロッド42を昇降させること
によって昇降する。昇降ロッド42はエアシリンダ(図
示せず。)を昇降させることによって昇降する。なお、
昇降ロッド42は、処理槽本体21の底板211を気密
かつ昇降自在に貫通して設けられている。
【0058】天井蓋22の周囲の下面には絶縁体231
〜233を囲繞する内槽上側壁31が固着されている。
アノードヒータ33の周囲には、内槽上側壁31と対応
して、内槽下側壁32が固着されている。内槽下側壁3
2はアノードヒータ33を昇降させることによって昇降
し、アノードヒータ33が上昇すると内槽下側壁32も
上昇して内槽上側壁31と当接する。このようにして、
カソード120、アノード130、内槽上側壁31およ
び内槽下側壁32により内槽30が構成される。
〜233を囲繞する内槽上側壁31が固着されている。
アノードヒータ33の周囲には、内槽上側壁31と対応
して、内槽下側壁32が固着されている。内槽下側壁3
2はアノードヒータ33を昇降させることによって昇降
し、アノードヒータ33が上昇すると内槽下側壁32も
上昇して内槽上側壁31と当接する。このようにして、
カソード120、アノード130、内槽上側壁31およ
び内槽下側壁32により内槽30が構成される。
【0059】内槽下側壁32には、図1Bに示すよう
に、所定の間隔で排気孔49が、基板載置台35の外周
の全周にわたって設けられている。アノードヒータ33
の下には集気槽38が設けられており、集気槽38の側
板382の上部は内槽下側壁32の下部に固着されてい
る。アノードヒータ33、内槽下側壁32および集気槽
38により排気槽37が構成され、その内部には排気室
137が画成される。排気室137は排気孔49を介し
て内槽30と連通している。処理槽本体21、天井蓋2
2、内槽上側壁31、内槽下側壁32、集気槽38およ
び内排気管139、239、339、439により外槽
空間140が画成されている。
に、所定の間隔で排気孔49が、基板載置台35の外周
の全周にわたって設けられている。アノードヒータ33
の下には集気槽38が設けられており、集気槽38の側
板382の上部は内槽下側壁32の下部に固着されてい
る。アノードヒータ33、内槽下側壁32および集気槽
38により排気槽37が構成され、その内部には排気室
137が画成される。排気室137は排気孔49を介し
て内槽30と連通している。処理槽本体21、天井蓋2
2、内槽上側壁31、内槽下側壁32、集気槽38およ
び内排気管139、239、339、439により外槽
空間140が画成されている。
【0060】基板載置台35およびアノードヒータ33
を貫通してリフトピン43が昇降可能に設けられ、リフ
トピン43により基板載置台35上に載置された基板3
6が、基板載置台35から持ち上げられるようになって
いる。リフトピン43は昇降ロッド44の上端に固着さ
れており、昇降ロッド44を昇降させることによって昇
降する。昇降ロッド44はエアシリンダ(図示せず。)
を昇降させることによって昇降する。なお、昇降ロッド
44は、処理槽本体21の底板211を気密かつ昇降自
在に貫通して設けられている。
を貫通してリフトピン43が昇降可能に設けられ、リフ
トピン43により基板載置台35上に載置された基板3
6が、基板載置台35から持ち上げられるようになって
いる。リフトピン43は昇降ロッド44の上端に固着さ
れており、昇降ロッド44を昇降させることによって昇
降する。昇降ロッド44はエアシリンダ(図示せず。)
を昇降させることによって昇降する。なお、昇降ロッド
44は、処理槽本体21の底板211を気密かつ昇降自
在に貫通して設けられている。
【0061】集気槽38の底板381には、排気口60
乃至64が開口して設けられている。内排気管39、1
39、239、339および439が、排気口60乃至
64をそれぞれ介して排気室137とそれぞれ連通して
設けられている。図1Bに示すように、排気口60は平
面図的に見て基板載置台35の中央部に開口しており、
排気口61乃至64は平面図的に見て基板載置台35の
4隅近傍にそれぞれ開口している。
乃至64が開口して設けられている。内排気管39、1
39、239、339および439が、排気口60乃至
64をそれぞれ介して排気室137とそれぞれ連通して
設けられている。図1Bに示すように、排気口60は平
面図的に見て基板載置台35の中央部に開口しており、
排気口61乃至64は平面図的に見て基板載置台35の
4隅近傍にそれぞれ開口している。
【0062】処理槽本体21の底板211には、排気口
60乃至64の位置にそれぞれ対応して外排気管41、
141、241、341および441が外槽空間140
とそれぞれ連通して取り付けられている。内排気管3
9、139、239、339および439は、外排気管
41、141、241、341および441とそれぞれ
同心円状に遊嵌して設けられている。
60乃至64の位置にそれぞれ対応して外排気管41、
141、241、341および441が外槽空間140
とそれぞれ連通して取り付けられている。内排気管3
9、139、239、339および439は、外排気管
41、141、241、341および441とそれぞれ
同心円状に遊嵌して設けられている。
【0063】内排気管39、139、239、339お
よび439は、処理槽本体21の底板211に設けられ
た孔216および217ならびに外排気管41、14
1、241、341および441内にそれぞれ挿入され
ている。内排気管39、139、239、339および
439の外壁と底板211に設けられた孔216および
217の内壁ならびに外排気管41、141、241、
341および441の内壁との間には所定の隙間があ
る。この隙間を介して外槽空間140内が排気される
が、この隙間を狭めておくことにより、この隙間から反
応副生成物に起因するパーティクルが外槽空間140内
に逆拡散することを有効に防止できる。
よび439は、処理槽本体21の底板211に設けられ
た孔216および217ならびに外排気管41、14
1、241、341および441内にそれぞれ挿入され
ている。内排気管39、139、239、339および
439の外壁と底板211に設けられた孔216および
217の内壁ならびに外排気管41、141、241、
341および441の内壁との間には所定の隙間があ
る。この隙間を介して外槽空間140内が排気される
が、この隙間を狭めておくことにより、この隙間から反
応副生成物に起因するパーティクルが外槽空間140内
に逆拡散することを有効に防止できる。
【0064】また、内排気管39、139、239、3
39および439を、底板211の内壁よりも所定の長
さだけ外側に突出させている。このように内排気管3
9、139、239、339および439を所定の長さ
だけ突出させておくことにより、内排気管39、13
9、239、339および439と底板211の孔21
6、217ならびに外排気管41、141、241、3
41および441内との間のそれぞれの隙間から反応副
生成物に起因するパーティクルが外槽空間140内に逆
拡散することを有効に防止できる。
39および439を、底板211の内壁よりも所定の長
さだけ外側に突出させている。このように内排気管3
9、139、239、339および439を所定の長さ
だけ突出させておくことにより、内排気管39、13
9、239、339および439と底板211の孔21
6、217ならびに外排気管41、141、241、3
41および441内との間のそれぞれの隙間から反応副
生成物に起因するパーティクルが外槽空間140内に逆
拡散することを有効に防止できる。
【0065】外排気管41は排気管52に連通してい
る。外排気管141、241、341および441は1
本にまとめられて排気管51となり、やはり排気管52
と連通している。排気管52は真空ポンプ(図示せ
ず。)に接続されている。外排気管41と排気管52と
が合流する前に、外排気管41および排気管52にはそ
れぞれエアバルブ56、55が設けられており、排気口
60を介する中央部からの排気と排気口61〜64を介
する4隅からの排気とを切り換えられる構成としてい
る。
る。外排気管141、241、341および441は1
本にまとめられて排気管51となり、やはり排気管52
と連通している。排気管52は真空ポンプ(図示せ
ず。)に接続されている。外排気管41と排気管52と
が合流する前に、外排気管41および排気管52にはそ
れぞれエアバルブ56、55が設けられており、排気口
60を介する中央部からの排気と排気口61〜64を介
する4隅からの排気とを切り換えられる構成としてい
る。
【0066】内槽30内は、エアバルブ56を開いた場
合には、外排気管41、内排気管39、排気口60、排
気室137および排気孔49を介して排気され、外槽空
間140は、内排気管39の外壁と底板211の孔21
6の内壁および外排気管41の内壁との間の隙間ならび
に外排気管41を介して排気される。エアバルブ55を
開いた場合には、内槽30内は、外排気管141、24
1、341、441、内排気管139、239、33
9、439、排気室137および排気孔49を介して排
気され、外槽空間140は、内排気管139、239、
339、439の外壁と底板211の孔217の内壁お
よび外排気管141、241、341、441の内壁と
の間の隙間ならびに外排気管141、241、341、
441を介して排気される。
合には、外排気管41、内排気管39、排気口60、排
気室137および排気孔49を介して排気され、外槽空
間140は、内排気管39の外壁と底板211の孔21
6の内壁および外排気管41の内壁との間の隙間ならび
に外排気管41を介して排気される。エアバルブ55を
開いた場合には、内槽30内は、外排気管141、24
1、341、441、内排気管139、239、33
9、439、排気室137および排気孔49を介して排
気され、外槽空間140は、内排気管139、239、
339、439の外壁と底板211の孔217の内壁お
よび外排気管141、241、341、441の内壁と
の間の隙間ならびに外排気管141、241、341、
441を介して排気される。
【0067】このように内槽30内および外槽空間14
0を排気しながら、反応ガス導入管28から成膜用の反
応ガスまたはガスエッチング用の反応ガスを内槽30内
に導入して内槽30内および外槽空間140をそれぞれ
所定の圧力に制御する。
0を排気しながら、反応ガス導入管28から成膜用の反
応ガスまたはガスエッチング用の反応ガスを内槽30内
に導入して内槽30内および外槽空間140をそれぞれ
所定の圧力に制御する。
【0068】処理槽本体21の側板212、213には
基板搬入/搬出口48、148がそれぞれ設けられ、基
板搬入/搬出口48、148にはゲート弁47、147
がそれぞれ取付けられている。
基板搬入/搬出口48、148がそれぞれ設けられ、基
板搬入/搬出口48、148にはゲート弁47、147
がそれぞれ取付けられている。
【0069】本実施の形態のプラズマCVD装置100
においては、排気口60は、平面図的に見て基板載置台
35の中央部に位置している。従って、エアバルブ55
を閉じ、エアバルブ56を開いて、排気口60を介して
排気した場合には、内槽30は、内槽下側壁32に設け
られた複数の排気孔49のそれぞれからほぼ均一に排気
される。従って、基板載置台35上に載置された基板3
6上のガスの流れが均一となり、その結果、基板36上
に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一となる。従って、
歩留まりも向上し、生産性も向上する。
においては、排気口60は、平面図的に見て基板載置台
35の中央部に位置している。従って、エアバルブ55
を閉じ、エアバルブ56を開いて、排気口60を介して
排気した場合には、内槽30は、内槽下側壁32に設け
られた複数の排気孔49のそれぞれからほぼ均一に排気
される。従って、基板載置台35上に載置された基板3
6上のガスの流れが均一となり、その結果、基板36上
に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一となる。従って、
歩留まりも向上し、生産性も向上する。
【0070】また、排気口61乃至64は平面図的に見
て基板載置台35の4隅近傍にそれぞれ位置している。
従って、エアバルブ56を閉じ、エアバルブ55を開い
て、排気口61乃至64を介して排気した場合には、内
槽30の4隅、すなわち、図1BのA部近傍にガス流を
集中させることができる。従って、ガスクリーニング
を、エアバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて行え
ば、電界が弱く処理速度が遅い4隅の部分のガスエッチ
ングを促進することができる。従って、内槽30の内壁
のガスエッチングがより均一に行えるようになり、ガス
クリーニング時間が短縮され、シャワープレート26の
過剰エッチングが抑制され、その劣化が抑制される。そ
の結果、CVD成膜工程における成膜速度の低下が防止
され、また膜厚均一性も安定化し、メンテナンスサイク
ルの間隔も長くなり稼働率も向上する。
て基板載置台35の4隅近傍にそれぞれ位置している。
従って、エアバルブ56を閉じ、エアバルブ55を開い
て、排気口61乃至64を介して排気した場合には、内
槽30の4隅、すなわち、図1BのA部近傍にガス流を
集中させることができる。従って、ガスクリーニング
を、エアバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて行え
ば、電界が弱く処理速度が遅い4隅の部分のガスエッチ
ングを促進することができる。従って、内槽30の内壁
のガスエッチングがより均一に行えるようになり、ガス
クリーニング時間が短縮され、シャワープレート26の
過剰エッチングが抑制され、その劣化が抑制される。そ
の結果、CVD成膜工程における成膜速度の低下が防止
され、また膜厚均一性も安定化し、メンテナンスサイク
ルの間隔も長くなり稼働率も向上する。
【0071】また、内槽30を設けることにより、成膜
時やガスクリーニング時に発生するプラズマを内槽30
内に限定することができる。その結果、プラズマ密度を
上げることができて、成膜やガスエッチングを効率よく
行うことができる。
時やガスクリーニング時に発生するプラズマを内槽30
内に限定することができる。その結果、プラズマ密度を
上げることができて、成膜やガスエッチングを効率よく
行うことができる。
【0072】さらに、内槽30から流出する反応ガス
は、内槽下側壁32に設けられた排気孔49、排気室1
37、排気口60乃至64ならびに内排気管39、13
9、239、339および439をそれぞれ介して、処
理槽本体21の底板211の内壁よりも外側の外排気管
41、141、241、341および441内にそれぞ
れ排気される。従って、反応ガス、反応副生成物および
エッチング残渣等が外槽空間140内に流れ込むことが
防止され、外槽40の内壁に反応副生成物が付着するこ
とが防止される。その結果、メンテナンス時に外槽40
を清掃する必要がなくなり、その分、プラズマCVD装
置100の稼働率を上げることができる。
は、内槽下側壁32に設けられた排気孔49、排気室1
37、排気口60乃至64ならびに内排気管39、13
9、239、339および439をそれぞれ介して、処
理槽本体21の底板211の内壁よりも外側の外排気管
41、141、241、341および441内にそれぞ
れ排気される。従って、反応ガス、反応副生成物および
エッチング残渣等が外槽空間140内に流れ込むことが
防止され、外槽40の内壁に反応副生成物が付着するこ
とが防止される。その結果、メンテナンス時に外槽40
を清掃する必要がなくなり、その分、プラズマCVD装
置100の稼働率を上げることができる。
【0073】また、外槽40を設けているので、このプ
ラズマCVD装置100とロードロック槽等の他の槽と
の接続が容易となる。
ラズマCVD装置100とロードロック槽等の他の槽と
の接続が容易となる。
【0074】次に、このような構成のプラズマCVD装
置100の操作を説明する。
置100の操作を説明する。
【0075】基板36の搬入時には、エアシリンダ(図
示せず。)により、昇降ロッド42を降下させてアノー
ドヒータ33、基板載置台35、内槽下側壁32および
集気槽38を降下させて、内槽30を開放する。また、
エアシリンダ(図示せず。)により昇降ロッド44を動
作させ、リフトピン43を基板載置台35よりも突出さ
せておく。外排気管41等および内排気管39等を介し
て処理槽20内を所定の真空度に排気しておく。
示せず。)により、昇降ロッド42を降下させてアノー
ドヒータ33、基板載置台35、内槽下側壁32および
集気槽38を降下させて、内槽30を開放する。また、
エアシリンダ(図示せず。)により昇降ロッド44を動
作させ、リフトピン43を基板載置台35よりも突出さ
せておく。外排気管41等および内排気管39等を介し
て処理槽20内を所定の真空度に排気しておく。
【0076】ゲート弁47を開き、移載機(図示せ
ず。)により基板36を基板搬入/搬出口48から内槽
30内に搬入し、基板36をリフトピン43上に載せ
る。移載機が処理槽20の外に後退した後、ゲート弁4
7を閉じる。その後、エアシリンダ(図示せず。)によ
り昇降ロッド44を降下させ、基板36を基板載置台3
5上に載置する。その後、エアシリンダ(図示せず。)
により、昇降ロッド42を上昇させてアノードヒータ3
3、基板載置台35、内槽下側壁32および集気槽38
を上昇させて、内槽下側壁32の上部を内槽上側壁31
の下部に当接させて内槽30を閉じる。
ず。)により基板36を基板搬入/搬出口48から内槽
30内に搬入し、基板36をリフトピン43上に載せ
る。移載機が処理槽20の外に後退した後、ゲート弁4
7を閉じる。その後、エアシリンダ(図示せず。)によ
り昇降ロッド44を降下させ、基板36を基板載置台3
5上に載置する。その後、エアシリンダ(図示せず。)
により、昇降ロッド42を上昇させてアノードヒータ3
3、基板載置台35、内槽下側壁32および集気槽38
を上昇させて、内槽下側壁32の上部を内槽上側壁31
の下部に当接させて内槽30を閉じる。
【0077】その後、エアバルブ55を閉じエアバルブ
56を開いた状態で、内槽30内を、内層下側壁32に
設けられた排気孔49、排気室137、排気口60、内
排気管39および外排気管41を介して排気し、外槽空
間140を、内排気管39の外壁と底板211の孔21
6の内壁および外排気管41の内壁との間の隙間ならび
に外排気管41を介して排気する。このように内槽30
内および外槽空間140を排気しながら、反応ガス導入
管28から成膜用の反応ガスを内槽30内に導入して内
槽30内および外槽空間140をそれぞれ所定の圧力に
制御しつつ、高周波電源46よりカソード120、アノ
ード130間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せて、基板36上への成膜を行う。成膜時においては、
反応ガスや反応副生成物は、排気孔49、排気室13
7、排気口60および内排気管39を介して直接外排気
管41内に排気される。
56を開いた状態で、内槽30内を、内層下側壁32に
設けられた排気孔49、排気室137、排気口60、内
排気管39および外排気管41を介して排気し、外槽空
間140を、内排気管39の外壁と底板211の孔21
6の内壁および外排気管41の内壁との間の隙間ならび
に外排気管41を介して排気する。このように内槽30
内および外槽空間140を排気しながら、反応ガス導入
管28から成膜用の反応ガスを内槽30内に導入して内
槽30内および外槽空間140をそれぞれ所定の圧力に
制御しつつ、高周波電源46よりカソード120、アノ
ード130間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せて、基板36上への成膜を行う。成膜時においては、
反応ガスや反応副生成物は、排気孔49、排気室13
7、排気口60および内排気管39を介して直接外排気
管41内に排気される。
【0078】成膜が終わると、反応ガスの供給が止めら
れ、内槽30内および外槽空間140が排気口60、内
排気管39、外排気管41等を介して排気される。
れ、内槽30内および外槽空間140が排気口60、内
排気管39、外排気管41等を介して排気される。
【0079】その後、アノードヒータ33を下降させ、
リフトピン43を上昇させることにより、基板載置台3
5から基板36を持ち上げる。
リフトピン43を上昇させることにより、基板載置台3
5から基板36を持ち上げる。
【0080】その後、ゲート弁147を開き、移載機
(図示せず。)により基板36を基板搬入/搬出口14
8から搬出する。
(図示せず。)により基板36を基板搬入/搬出口14
8から搬出する。
【0081】ガスクリーニングを行うには、基板36を
基板載置台35上に載置しない状態で、昇降ロッド42
を上昇させてアノードヒータ33、基板載置台35、内
槽下側壁32および集気槽38を上昇させて、内槽下側
壁32の上部を内槽上側壁31の下部に当接させて内槽
30を閉じる。
基板載置台35上に載置しない状態で、昇降ロッド42
を上昇させてアノードヒータ33、基板載置台35、内
槽下側壁32および集気槽38を上昇させて、内槽下側
壁32の上部を内槽上側壁31の下部に当接させて内槽
30を閉じる。
【0082】その後、エアバルブ56を閉じエアバルブ
55を開いた状態で、内槽30内を、内層下側壁32に
設けられた排気孔49、排気室137、排気口61乃至
64内排気管139、239、339および439なら
びに外排気管141、241、341および441を介
して排気し、外槽空間140を、内排気管139、23
9、339および439の外壁と底板211の孔217
の内壁ならびに外排気管141、241、341および
441の内壁との間の隙間ならびに外排気管141、2
41、341および441を介して排気しながら、反応
ガス導入管28からNF3 、SF6 等のクリーニングガ
スを内槽30内に導入して内槽30内および外槽空間1
40をそれぞれ所定の圧力に制御しつつ、高周波電源4
6よりカソード120、アノード130間に高周波電力
を印加してプラズマを発生させて、内槽30の内壁に付
着・堆積した反応副生成物をエッチング除去する。ガス
クリーニング時においては、クリーニング残渣は、排気
孔49、排気室137、排気口61乃至64ならびに内
排気管139、239、339および439を介して直
接外排気管外排気管141、241、341および44
1内に排気される。ガスクリーニングが終わると、クリ
ーニングガスの供給が止められ、内槽30内および外槽
空間140が排気口61乃至64、排気管139、23
9、339および439ならびに外排気管141、24
1、341および441等を介して排気される。
55を開いた状態で、内槽30内を、内層下側壁32に
設けられた排気孔49、排気室137、排気口61乃至
64内排気管139、239、339および439なら
びに外排気管141、241、341および441を介
して排気し、外槽空間140を、内排気管139、23
9、339および439の外壁と底板211の孔217
の内壁ならびに外排気管141、241、341および
441の内壁との間の隙間ならびに外排気管141、2
41、341および441を介して排気しながら、反応
ガス導入管28からNF3 、SF6 等のクリーニングガ
スを内槽30内に導入して内槽30内および外槽空間1
40をそれぞれ所定の圧力に制御しつつ、高周波電源4
6よりカソード120、アノード130間に高周波電力
を印加してプラズマを発生させて、内槽30の内壁に付
着・堆積した反応副生成物をエッチング除去する。ガス
クリーニング時においては、クリーニング残渣は、排気
孔49、排気室137、排気口61乃至64ならびに内
排気管139、239、339および439を介して直
接外排気管外排気管141、241、341および44
1内に排気される。ガスクリーニングが終わると、クリ
ーニングガスの供給が止められ、内槽30内および外槽
空間140が排気口61乃至64、排気管139、23
9、339および439ならびに外排気管141、24
1、341および441等を介して排気される。
【0083】なお、上記においては、エアバルブ55を
閉じ、エアバルブ56を開いて、中央の排気口60を介
して排気しながら成膜を行い、ガスクリーニングは、エ
アバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて4隅の排気
口61乃至64を介して排気しながら行ったが、所定の
プラズマ処理、例えば、ガスエッチングを、エアバルブ
55およびエアバルブ56の両方を開いて中央の排気口
60および4隅の排気口を介して排気しながら行うこと
もでき、また、ガスエッチングを、最初はエアバルブ5
5およびエアバルブ56の両方を開いて中央の排気口6
0および4隅の排気口を介して排気しながら行い、途中
でエアバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて4隅の
排気口61乃至64を介して排気しながら行うこともで
きる。
閉じ、エアバルブ56を開いて、中央の排気口60を介
して排気しながら成膜を行い、ガスクリーニングは、エ
アバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて4隅の排気
口61乃至64を介して排気しながら行ったが、所定の
プラズマ処理、例えば、ガスエッチングを、エアバルブ
55およびエアバルブ56の両方を開いて中央の排気口
60および4隅の排気口を介して排気しながら行うこと
もでき、また、ガスエッチングを、最初はエアバルブ5
5およびエアバルブ56の両方を開いて中央の排気口6
0および4隅の排気口を介して排気しながら行い、途中
でエアバルブ56を閉じエアバルブ55を開いて4隅の
排気口61乃至64を介して排気しながら行うこともで
きる。
【0084】また、上記においては、集気槽38や内排
気管39、139、239、339、439を使用した
が、これらを使用しない構成とすることも可能である。
気管39、139、239、339、439を使用した
が、これらを使用しない構成とすることも可能である。
【0085】なお、本発明のプラズマCVD装置に使用
される基板としては、半導体ウェーハや液晶ディスプレ
ー用のガラス基板等が好適に使用される。
される基板としては、半導体ウェーハや液晶ディスプレ
ー用のガラス基板等が好適に使用される。
【0086】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置やプラズマ処
理方法においては、第1の排気口が、アノードおよびカ
ソードのうちの一方を平面図的に見て前記アノードおよ
び前記カソードのうちの前記一方のほぼ中央部に開口し
ているから、前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方に被成膜基板を設け、この第1の排気口を介す
る排気経路を利用して基板上に成膜を行うと、前記アノ
ードおよび前記カソードのうちの前記一方上のガスの流
れが均一になり、基板上に形成される薄膜の膜厚均一性
が向上する。そして、これら複数の第2の排気口を介す
る排気経路を利用してガスクリーニング処理を行うと、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方の各
角部に対応する反応室の各箇所のエッチングを効率よく
行えるようになってガスクリーニング時間を短縮でき、
それに伴い、電界の強いアノードまたはカソードという
電極部の劣化を抑制することもできるようになるまた、
複数の種類のプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置に
おいて、プラズマ処理の種類に応じて排気経路を変更可
能することによって、プラズマ処理の種類に応じて好ま
しいガスの流れを選択することができる。
理方法においては、第1の排気口が、アノードおよびカ
ソードのうちの一方を平面図的に見て前記アノードおよ
び前記カソードのうちの前記一方のほぼ中央部に開口し
ているから、前記アノードおよび前記カソードのうちの
前記一方に被成膜基板を設け、この第1の排気口を介す
る排気経路を利用して基板上に成膜を行うと、前記アノ
ードおよび前記カソードのうちの前記一方上のガスの流
れが均一になり、基板上に形成される薄膜の膜厚均一性
が向上する。そして、これら複数の第2の排気口を介す
る排気経路を利用してガスクリーニング処理を行うと、
前記アノードおよび前記カソードのうちの前記一方の各
角部に対応する反応室の各箇所のエッチングを効率よく
行えるようになってガスクリーニング時間を短縮でき、
それに伴い、電界の強いアノードまたはカソードという
電極部の劣化を抑制することもできるようになるまた、
複数の種類のプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置に
おいて、プラズマ処理の種類に応じて排気経路を変更可
能することによって、プラズマ処理の種類に応じて好ま
しいガスの流れを選択することができる。
【0087】また、所定のプラズマ処理中に排気経路を
可変とすることによって、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
可変とすることによって、例えば、プラズマ処理中にガ
スの流れを変更して、反応室内の複数の箇所において、
より均一にプラズマ処理をすることができるようにな
る。
【図1】本発明の一実施の形態のプラズマCVD装置を
説明するための図であり、図1Aは縦断面図、図1Bは
図1AのX1−X1線横断面図である。
説明するための図であり、図1Aは縦断面図、図1Bは
図1AのX1−X1線横断面図である。
【図2】従来のプラズマCVD装置を説明するための図
であり、図2Aは縦断面図、図2Bは図2AのX2−X
2線横断面図である。
であり、図2Aは縦断面図、図2Bは図2AのX2−X
2線横断面図である。
20…処理槽 22…天井蓋 24…カソードヒータ 26…シャワープレート 27…間隙 28…反応ガス導入管 29…ガス分散孔 30…内槽 31…内槽上側壁 32…内槽下側壁 33…アノードヒータ 35…基板載置台 36…基板 37…排気槽 38…集気槽 39、139、239、339、439…内排気管 40…外槽 41、141、241、341、441…外排気管 45…排気溝 46…高周波電源 49…排気孔 51、52…排気管 55、56…エアバルブ 60〜64…排気口 120…カソード 130…アノード 137…排気室 140…外槽空間 211…底板 381…底板 100…プラズマCVD装置
Claims (24)
- 【請求項1】アノードと、 前記アノードと対向して設けられたカソードと、 前記アノードおよび前記カソードの一方に対して前記ア
ノードおよび前記カソードの他方とは反対側に開口して
設けられた第1の排気口および複数第2の排気口とを備
え、 前記アノードおよび前記カソードの前記一方の形状が平
面図的に見て略多角形状であり、 前記第1の排気口が、前記アノードおよび前記カソード
のうちの前記一方を平面図的に見て前記アノードおよび
前記カソードのうちの前記一方のほぼ中央部に開口し、 前記複数の第2の排気口が、前記アノードおよび前記カ
ソードのうちの前記一方を平面図的に見て前記アノード
および前記カソードのうちの前記一方の各角部近傍にそ
れぞれ開口していることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項2】前記アノードおよび前記カソードの前記他
方の形状が、平面図的に見て、前記アノードおよび前記
カソードの前記一方の前記多角形状とほぼ同じ略多角形
状であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項3】前記第1の排気口を介する第1の排気経路
と前記第2の排気口を介する第2の排気経路とを切換可
能としたことを特徴とする請求項1または2記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項4】前記第1の排気口を介する前記第1の排気
経路と前記第2の排気口を介する前記第2の排気経路と
をプラズマ処理の種類に応じて切換可能としたことを特
徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項5】前記第1の排気口を介する前記第1の排気
経路と前記第2の排気口を介する前記第2の排気経路と
を成膜処理とガスクリーニング処理との間で切換可能と
したことを特徴とする請求項3または4記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項6】前記第1の排気口を介する前記第1の排気
経路と前記第2の排気口を介する前記第2の排気経路と
を、所定のプラズマ処理中に切換可能としたことを特徴
とする請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項7】前記所定のプラズマ処理がガスクリーニン
グ処理であることを特徴とする請求項6記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項8】前記アノードおよび前記カソードの形状が
平面図的にみて略直角四辺形であり、前記複数の第2の
排気口が前記直角四辺形の4隅近傍にそれぞれ開口して
いることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項9】前記アノードおよび前記カソードが外槽内
に設けられ、 前記外槽に前記カソードおよび前記アノードの前記他方
が取り付けられ、 前記カソードおよび前記アノードの前記他方を囲繞して
前記外槽に第1の内槽側壁が取り付けられ、 前記カソードおよび前記アノードの前記一方が基板搭載
部を備え、 前記カソードおよび前記カソードの前記一方の周囲に前
記第1の内槽側壁と対応する第2の内槽側壁が取り付け
られ、 前記基板載置部を取り囲んで前記第2の内槽側壁に排気
孔が設けられ、 前記排気孔は前記第1の排気口および前記第2の排気口
と連通可能であり、 前記カソード、前記アノード、前記第1の内槽側壁およ
び前記第2の内槽側壁により内槽が構成されることを特
徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項10】前記外槽内に設けられた排気槽をさらに
有し、前記排気槽は前記アノードおよび前記カソードの
前記一方に対して前記アノードおよび前記カソードの前
記他方とは反対側に設けられ、前記内槽内は前記排気孔
により前記排気槽内と連通され、前記第1の排気口およ
び複数第2の排気口が、前記排気槽の壁面であって前記
アノードおよび前記カソードの前記一方と対向する壁面
に開口していることを特徴とする請求項9記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項11】前記第1の排気口および複数第2の排気
口が、前記外槽の壁面であって前記アノードおよび前記
カソードの前記一方と対向する壁面に開口していること
を特徴とする請求項9記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項12】前記カソードおよび前記アノードの前記
他方が、複数のガス分散孔を有するシャワープレート
と、前記ガス分散孔にガスを供給するガス供給部とを備
え、前記シャワープレートが前記カソードおよび前記ア
ノードの前記一方と対向して設けられていることを特徴
とする請求項1乃至11のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項13】前記カソードおよび前記アノードの前記
一方の形状が平面図的に見て略直角四辺形であり、前記
シャワープレートが平面図的に見て略直角四辺形である
ことを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項14】前記カソードおよび前記アノードの前記
一方がアノードであり、前記カソードおよび前記アノー
ドの前記他方がカソードであることを特徴とする請求項
12または13記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項15】複数の種類のプラズマ処理が可能なプラ
ズマ処理装置において、プラズマ処理の種類に応じて排
気経路を変更可能としたことを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項16】前記複数の種類のプラズマ処理が、成膜
処理とガスクリーニング処理とを含み、前記成膜処理と
前記ガスクリーニング処理とで前記排気経路を変更可能
としたことを特徴とする請求項15記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項17】所定のプラズマ処理中に排気経路を可変
としたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項18】前記所定のプラズマ処理がガスクリーニ
ング処理であることを特徴とする請求項17記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項19】第1の排気経路によって成膜処理を行う
工程と、 前記第1の排気経路とは異なる第2の排気経路によって
ガスクリーニング処理を行う工程と、 を備えることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項20】所定のプラズマ処理中に排気経路を変え
ることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項21】前記所定のプラズマ処理がガスクリーニ
ング処理であることを特徴とする請求項20記載のプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項22】請求項3記載のプラズマ処理装置を使用
して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であっ
て、 前記第1の排気経路によって成膜処理を行う工程と、 前記第2の排気経路によってガスクリーニング処理を行
う工程と、 を備えることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項23】請求項3記載のプラズマ処理装置を使用
して複数のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であっ
て、 所定のプラズマ処理中に排気経路を変えることを特徴と
するプラズマ処理方法。 - 【請求項24】前記所定のプラズマ処理がガスクリーニ
ング処理であることを特徴とする請求項23記載のプラ
ズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8317112A JPH10144498A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8317112A JPH10144498A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10144498A true JPH10144498A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=18084579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8317112A Withdrawn JPH10144498A (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10144498A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7025855B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-04-11 | Anelva Corporation | Insulation-film etching system |
JP2008277795A (ja) * | 2001-12-21 | 2008-11-13 | Sumco Corp | エピタキシャル成長用サセプタ |
US8926754B2 (en) | 2001-12-21 | 2015-01-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Epitaxial growth susceptor |
CN105789092A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基片处理设备 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP8317112A patent/JPH10144498A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
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