KR100275918B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100275918B1
KR100275918B1 KR1019990041327A KR19990041327A KR100275918B1 KR 100275918 B1 KR100275918 B1 KR 100275918B1 KR 1019990041327 A KR1019990041327 A KR 1019990041327A KR 19990041327 A KR19990041327 A KR 19990041327A KR 100275918 B1 KR100275918 B1 KR 100275918B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tank
exhaust
inner tank
substrate
exhaust pipe
Prior art date
Application number
KR1019990041327A
Other languages
English (en)
Inventor
스다아츠히코
오카야마사토히로
Original Assignee
엔도 마코토
고쿠사이 일렉트릭 콤파니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019960001800A external-priority patent/KR100253134B1/ko
Application filed by 엔도 마코토, 고쿠사이 일렉트릭 콤파니 리미티드 filed Critical 엔도 마코토
Priority to KR1019990041327A priority Critical patent/KR100275918B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100275918B1 publication Critical patent/KR100275918B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 내조와 외조를 가진 2조구조의 기판처리장치에 있어서 반응가스 등이 외조내로 흘러드는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치에 관한 것으로, 본 발명은 외조(40)와 내조(30)를 구비하며, 내조(30)는 캐소드(120)와 애노드(130)를 구비하고, 내조(30)내에 반응가스도입관(28)을 연통한다. 애노드(130)는 기판재치대(35)와 애노드 히터(33)를 구비하며, 애노드 히터(33) 주변의 내조 하측벽(32)에, 배기구멍(49)을 기판재치대(35)를 둘러싸고 배설되어 있다. 애노드 히터(33)의 하부에는 배기조(37)를 배설한다. 배기조(37)내는 배기구멍(49)을 통해 내조(30)내와 연통한다. 배기조(37)내에 연통하여 내부 배기관(39)을 배설한다. 내부 배기관(39)을 평면에서 보았을 때 기판재치대(35)의 중앙부에 위치시킨다. 외조(40)의 바닥판(211)에 외부배기관(41)을 배설하고, 내부 배기관(39)은 외부배기관(41)에 헐렁하게 삽입시킨다. 내부 배기관(39)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L2만큼 돌출시킨다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 특히 외조와 내조를 가진 2조구조의 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정의 하나로, 기판상에 막 형성을 행하는 플라즈마 CVD공정이 있다. 이 공정에 있어서는 기밀한 처리실에 1쌍의 평행 평판형의 전극을 서로 대향시켜 배치하고, 이들 전극의 한쪽 위에 기판을 재치하고, 이 처리실 내에 반응가스를 공급하면서 1쌍의 전극 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜 가스분자를 플라즈마에 의해 여기시켜서 기판표면에 박막을 형성한다.
또한, 최근 플라즈마를 이용하여 처리실 내부를 청소하는 가스클리닝방법이 주목을 받고 있다. 이 방법은 NF3등의 클리닝가스를 처리실 내에 공급하면서 전극 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 클리닝 가스분자를 플라즈마에 의해 여기하고, 막 형성시 전극표면이나 처리실 내에 부착·퇴적된 반응 부생성물을 에칭제거하는 것이다.
이 가스클리닝방법은 막형성 후에 처리실의 온도를 낮추고, 그 후 대기에 개방하여 처리실을 분해하여 그 세정을 행하고, 그 후 처리실을 조립하며, 진공배기하고, 그 후 처리실의 온도를 상승시키는 종래의 클리닝방법에 비해 처리실의 온도강하, 대기개방, 분해, 조립, 진공배기 및 온도상승이라는 부수적인 공정을 생략할 수 있기 때문에 가동율 향상에 매우 유효하다.
플라즈마 CVD장치에 있어서, 이들 막 형성과 가스 클리닝을 효율적으로 행하기 위한 처리실 구조로서 내조와 외조를 가진 2조구조가 제안되어 있다. 이와 같이 내조를 배치함으로써, 발생하는 플라즈마를 내조 내부로 한정할 수 있다. 그 결과, 막 형성을 내조 내부로 한정시켜 행할 수 있어 플라즈마 밀도를 높여 막 형성의 효율화를 도모할 수 있다. 또한, 가스 클리닝을 행할 때에도 클리닝의 고효율화를 도모할 수 있다.
제8도는 이와 같은 종래의 2조구조의 플라즈마 CVD장치의 개략 단면도이다. 이 플라즈마 CVD장치(300)는 외조(15)와 내조(12)를 가진 처리조(1)를 구비하고 있다.
처리조(1)의 천정판(101)에는 내조벽(2)이 형성되고, 내조벽(2)의 내부에는 절연체(3)를 통해 캐소드(4)가 설치되어 있다. 이 캐소드(4)는 그 내부에 중공부(7)를 가지고 있다. 캐소드(4)의 상부에는 반응가스 도입관(5)이 중공부(7)와 연통해서 배치되어 있다. 캐소드(4)의 하부에는 샤워 플레이트(106)가 배치되어 있으며, 이 샤워 플레이트(106)에는 반응가스 도입관(5)으로부터 중공부(7)에 도입된 반응가스를 분산공급하기 위한 다수의 가스 분산구멍(6)이 형성되어 있다.
처리조(1)의 하부에는 캐소드(4)와 대향하여 애노드(9)가 상하이동 가능하게 배치되어 있다. 애노드(9) 상에는 서셉터(susceptor)(10)가 배치되고, 서셉터(10) 상에는 기판(11)이 재치된다. 애노드(9)가 상승하면 서셉터(10)도 상승하여 내조벽(2)의 하단 개구부를 닫는다. 그에 따라서 외조공간(151)과 내조공간(121)을 분리한다. 서셉터(10) 주변에는 내조공간(121)과 외조공간(151)을 연통하는 소정 개수의 내조 배기구멍(13)이 형성되어 있다. 또, 처리조(1)의 바닥판(102) 모서리의 1개소에는 외조 배기구멍(14)이 형성되어 있다. 또한, 이 제8도에서 처리조(1)에 형성된 기판반입/반출구를 생략하고 있다. 또, 반응가스 도입관에는 고주파전원(8)이 접속되고, 애노드(9)는 접지되어 있다.
이 플라즈마 CVD장치(300)를 사용하여 막 형성을 행할 경우에는 애노드(9)를 낮춘 위치에서 기판(11)을 서셉터(10)상에 재치하고, 그 후 애노드(9)를 상승시켜서 내조벽(2)의 하단 개구부를 닫음으로서, 내조공간(121)을 구획한다. 그후, 외조 배기구멍(14), 외조공간(151) 및 내조 배기구멍(13)을 통해 내조(12) 내부를 배기하면서 반응가스 도입관(5)으로부터 반응가스를 도입하여 가스 분산구멍(6)에 의해 반응가스를 분산공급하여 내조(12) 내부를 소정의 압력으로 제어하면서, 고주파전원(8)으로부터 캐소드(4), 애노드(9) 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 기판(11)상에 막을 형성한다. 발생하는 플라즈마는 내조공간(121)이라는 협소한 공간에 한정되기 때문에 고밀도가 되며, 고밀도 플라즈마에 의해 고효율로 막을 형성할 수 있다. 반응후의 가스는 내조 배기구멍(13)을 거쳐서 외조공간(151)으로 유출되며, 다시 외조 배기구멍(14)을 거쳐서 처리조(1) 밖으로 배출된다.
또한, 이 플라즈마 CVD장치(300)를 사용하여 가스클리닝을 행할 경우에는 기판(11)을 서셉터(10)상에 재치하지 않은 상태에서 애노드(9)에 의해 내조벽(2)의 하단개구부를 닫아 내조공간(121)을 구획한다. 그 후, 외조 배기구멍(14), 외조공간(151) 및 내조 배기구멍(13)을 통해 내조(12) 내부를 배기하면서 반응가스 도입관(5)으로부터 NF3등의 클리닝가스를 공급하여 내조(12) 내부를 소정의 압력으로 제어하면서, 고주파전원(8)으로부터 캐소드(4), 애노드(9) 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 내조(12)내에 부착·퇴적된 반응 부생성물을 에칭제거한다. 이 경우에도, 발생하는 플라즈마는 내조공간(121)이라는 협소한 공간에 한정되기 때문에 고밀도로 되므로, 고효율로 가스클리닝을 할 수 있다. 반응후의 가스는 내조 배기구멍(13)을 거쳐 외조공간(151)으로 유출되고, 다시 외조 배기구멍(14)을 거쳐 처리조(1) 밖으로 배출된다.
그러나, 이 종래의 플라즈마 CVD장치(300)에서는 반응가스 도입관(5)으로부터 내조(12) 내부에 도입된 가스는 내조 배기구멍(13)을 경유하여 외조공간(151) 내부로 유출되고, 그 후 처리조(1)의 바닥판(102)에 형성된 외조 배기구멍(14)으로부터 처리조(1) 밖으로 유출된다. 따라서, 내조 배기구멍(13)으로부터 유출된 반응가스나 반응 부생성물이 외조공간(151) 내부로 유출되고, 외조(15)의 내벽에 반응 부생성물이 부착되어 외조(15)의 정기적인 청소가 필요해지므로, 그 만큼 플라즈마 CVD장치(300)의 가동률이 낮아지는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 주요한 목적은 내조와 외조를 가진 2조구조의 기판처리장치에 있어서 반응가스나 반응 부생성물이 외조 내부로 흘러드는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
제1도는 본 발명에 따른 제1 실시형태의 플라즈마 CVD장치를 설명하기 위한 단면도.
제2도는 제1도의 A-A선에서 본 평면도.
제3도는 본 발명에 따른 제2 실시형태의 플라즈마 CVD장치를 설명하기 위한 단면도.
제4도는 제3도의 B-B선에서 본 평면도.
제5도는 본 발명에 따른 제3 실시형태의 플라즈마 CVD장치를 설명하기 위한 단면도.
제6도는 본 발명에 따른 제4 실시형태의 플라즈마 CVD장치를 설명하기 위한 단면도.
제7도는 본 발명에 따른 플라즈마 CVD장치가 사용되는 LCD용 매엽식(枚葉式) 플라즈마 CVD장치의 일예를 설명하기 위한 블록도.
제8도는 종래의 플라즈마 CVD장치를 설명하기 위한 개략 단면도.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
20:처리조 21:처리조 본체
22:천정덮개 23:절연체
24:캐소드히터 25,34:히터선
26:샤워 플레이트 27:간극
28:반응가스도입관 29:가스분산구멍
30:내조 31:내조 상측벽
32:내조 하측벽 33:애노드 히터
35:기판재치대 36:기판
37:배기조 38:집기조
39,139,239,339,439,539,639:내부 배기관
40:외조
41,141,241,341,441,541,641:외부배기관
42,421:승강로드 43:리프트 핀
44:로드 45,451:압력검출기
46:고주파전원 47,147:게이트밸브
48,148:기판반입/반출구
49,491,492,493,494:배기구멍
120:캐소드 121,131:알루미늄부재
130:애노드 132:바닥면
137:배기실 140:외조공간
143:리프트 핀 지지부재 211:바닥판
212,213:측판 214,215,218:내벽
216,217:구멍 381:바닥판
382:측판 383:상부면
391,393:외벽 411,413:내벽
H1:거리 L1,L10,L30:간극
L2,L20,L40:길이 D1,D2,D11,D21:내경
100,300:플라즈마 CVD장치 200:LCD용 매엽식 플라즈마 CVD장치
S1,S2:카세트 스탠드 T1,T5:대기용 반송로봇
T2,T3,T4:진공용 반송로봇 L1,L2:로드 록조
R1,R2,R3:성막조 H:기판가열조
본 발명에 의하면 내부를 감압가능한 외조, 상기 외조 내부에 배치된 내조, 상기 내조 내부와 연통하는 반응가스 도입관, 상기 내조의 벽의 적어도 일부의 벽에, 상기 외조와 이간되어 설치된 상기 적어도 일부의 벽, 상기 내조의 상기 적어도 일부의 벽에 배치된 제1 배기구멍, 적어도 상기 외조의 내벽면까지 연장됨과 동시에, 상기 제1 배기구멍에 직접 연통하여 설치되거나 상기 외조와 이간되어 설치된 배기경로를 거쳐 상기 제1 배기공에 연통하여 배치된 제1 배기관, 상기 외조에 형성된 제2 배기구멍, 상기 제2 배기구멍에 연통하여 적어도 상기 외조 내부를 감압배기하는 제2 배기관을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.
이와 같이, 외조 내부에 내조를 배치하고, 그 내조 내부와 연통 가능하게 배치된 제1 배기관을 외조의 내벽면까지 연장시킴으로써 내조로부터 유출된 반응가스는 외조의 내벽면보다도 외측으로 배기되게 된다. 따라서, 반응가스, 반응 부생성물 및 에칭찌꺼기 등이 외조 내부로 흘러드는 것이 방지되고, 외조의 내벽에 반응 부생성물이 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 유지보수시에 외조를 청소할 필요가 없어지므로 그 만큼 기판처리장치의 가동률을 높일 수 있다.
또한, 외조에 배기구멍을 형성하고, 이 배기구멍에 연통하는 제2 배기관을 배치하고 있기 때문에, 외조 내부도 감압으로 할 수 있으므로 내조의 방열이 억제된다. 그 결과, 내조를 고온벽 상태로 유지할 수 있으므로, 내조의 내벽에 박리되기 쉬운 반응 부생성물이 발생하지 않아 입자발생을 방지할 수 있다.
또한, 이와 같이 내조를 배치함으로써 기판처리장치가 플라즈마처리장치인 경우에는 막 형성이나 가스 클리닝 등 기판처리할 때 발생하는 플라즈마를 내조 내부로 한정할 수 있다. 그 결과, 플라즈마의 밀도를 높일 수 있어서 막 형성이나 가스에칭을 효율적으로 할 수 있다.
또, 외조를 배치함으로써 본 발명의 기판처리장치와 로드록 등의 다른 조와의 접속이 용이해진다.
바람직하게는 제1 배기관의 전단이 외조에 형성된 배기구멍내에 삽입되고, 제1 배기관의 전단이 외조의 내벽면보다 외측으로 돌출하여 제1 배기관과 이 배기구멍 사이에는 간극이 형성되어 있다.
이와 같이 제1배기관의 전단을 외조에 형성된 배기구멍 내에 삽입하고, 제1 배기관과 이 배기구멍 사이에 간극을 형성함으로써 외조에 형성된 배기구멍에 연통하는 제2 배기관을 통해 내조 및 외조 양쪽을 배기할 수 있다.
그리고, 그런 경우에 제1 배기관의 전단을 외조의 내벽면보다 외측으로 돌출시킴으로써 제1 배기관과 배기구멍 사이의 간극으로부터 반응 부생성물로 인한 입자가 외조 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 이 제1 배기관과 이 배기구멍 사이의 간극을 좁혀 둠으로써 제1 배기관과 배기구멍 사이의 간극으로부터 반응 부생성물로 인해 입자가 외조 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 이와 같이 외조에 형성된 배기구멍에 연통하는 제2 배기관을 통해 내조 및 외조의 양쪽을 배기할 수 있기 때문에, 외조 내부와 연통하는 압력검출기를 배치하고, 내조 내부와 연통하는 압력검출기는 배치하지 않더라도 내조 내부의 압력을 외조 내부와 연통하는 압력검출기에 의해 간접적으로 측정할 수 있다. 그리고, 압력검출기는 외조 내부와 연통시켜 배치되는 것 뿐이지 내조 내부와 연통하여 배치되지는 않으므로, 압력검출기는 플라즈마에 노출되지도 않고, 또 반응 부생성물이 부착되는 것도 방지된다. 그 결과, 압력검출정밀도의 경시적인 열화가 방지된다.
또한, 이와 같이 외조에 형성된 배기구멍에 연통된 제2 배기관을 통해 내조 및 외조의 양쪽을 배기하는 것이 아니라 내조 내부와 연통가능한 제1 배기관을 구비하는 배기라인을 외조와 연통하는 제2 배기관을 구비한 배기라인과는 독립시켜서 배기가능한 배기라인으로 할 수도 있다.
또한, 기판처리장치가 내조 내부에 배치된 기판재치부를 추가로 가지고, 내조는 기판재치부를 둘러싼 제2 배기구멍을 가지며, 제2 배기구멍은 제1 배기관과 연통가능한 것이 바람직하다.
이 경우에 기판처리장치가 외조 내부에 배치된 배기조를 추가로 가지고, 배기조는 내조 아래에 배치되며, 내조 내부는 제2 배기구멍에 의해 배기조 내부와 연통되고, 제1 배기관은 배기조 내부와 연통되어 있는 것이 바람직하다.
그리고, 바람직하게는 제1 배기관이 기판재치부를 평면에서 보았을 때 기판재치부의 거의 중앙에서 배기조 내부와 연통하고 있다. 이와 같이 제1 배기관이 기판재치부의 거의 중앙에서 배기조 내부와 연통함으로써 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍에 의해 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고, 생산성도 향상된다.
이와 같이 제1 배기관은 기판재치부를 평면에서 보았을 때 기판재치부의 거의 중앙에서 배기조 내부와 연통하는 것이 보다 바람직하지만, 제1 배기관이 제2 배기구멍 중 서로 가장 떨어진 한 쌍의 제2 배기구멍간 사이의 거리(L)의 1/4 길이의 반경(L/4)을 가지며, 기판재치부를 평면에서 보았을 때 기판재치부의 중앙을 중심으로 하는 원내에서 배기관 내부와 연통하고 있더라도 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍에 의해 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지고, 그 결과 기판상에 형성된 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 기판재치부의 중앙으로부터 L/4의 거리를 초과하는 위치에서 제1 배기관을 배기조 내부와 연통시키면 막두께나 제특성의 균일성이 나빠진다.
또한, 기판재치부를 평면에서 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상인 경우에는 제1 배기관을 다수 배치하고, 이들 다수의 제1 배기관을 직사각형의 대각선상에서 직사각형의 중앙에 대해 점대칭인 위치에서 배기조 내부와 연통되도록 형성하는 것도 바람직하다. 이와 같이 하면 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍으로부터의 배기를 이들 다수의 제1 배기관에 의해 거의 균등하게 분할하여 행하게 되며, 아울러 다수의 제1 배기관 각각의 근방에 형성된 제2 배기구멍은 다수의 제1 배기관의 각각과 거의 등거리에 배치되기 때문에, 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍으로부터 각각 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부상에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고, 생산성도 향상된다.
그리고, 기판처리장치가 플라즈마 처리장치인 경우에는 외조가 하부 외조와 상부 외조를 구비하며, 상부외조에 캐소드 및 애노드의 한쪽이 배치되고, 캐소드 및 애노드 중 상기 한쪽을 둘러싸고 상부외조에 내조 상측벽이 장착되며, 캐소드 및 애노드의 다른쪽은 외조 내부를 승강가능하게 배치되고, 캐소드 및 애노드의 상기 다른쪽은 기판재치부를 구비하고, 캐소드 및 캐소드의 상기 다른쪽 주변에는 내조 상측벽과 대응하는 내조 하측벽이 장착되고, 기판재치부를 둘러싸고 내조 하측벽에 제2 배기구멍이 형성되고, 제2 배기구멍은 제1 배기관과 연통가능하며, 캐소드 및 애노드의 상기 다른쪽이 상승함으로써 캐소드, 애노드, 내조 상측벽 및 내조 하측벽에 의해 내조를 구성하고, 캐소드 및 애노드의 상기 다른쪽이 상승하여 내조를 형성했을 때 제1 배기관은 적어도 외조의 내벽면까지 연장되는 것이 바람직하다.
그리고, 캐소드 및 애노드의 상기 다른쪽이 상승하여 내조를 형성했을 때에는 제1 배기관의 전단은 배기구멍 내에 삽입되고, 제1 배기관의 전단은 외조의 내벽면보다 외측으로 돌출하고, 제1 배기관과 배기구멍 사이에는 간극이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 외조 내에 배치된 배기조를 추가로 가지며, 배기조는 애노드 및 캐소드의 상기 다른쪽 하부에 배치되고, 내조 내부는 제2 배기구멍에 의해 배기조 내부와 연통되며, 제1 배기관은 배기조 내부와 연통되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의하면, 외조와, 상기 외조 내부에 배치된 내조와, 상기 내조 내부와 연통하는 반응가스도입관과, 상기 외조에 형성된 제1 배기구멍과, 상기 내조 내부에 배치된 기판재치부와, 상기 기판재치부를 둘러싸고 상기 내조에 형성된 제2 배기구멍을 가지며, 상기 내조는 상기 제2 배기구멍을 통해 상기 외조와 연통하고, 상기 제1 배기구멍은 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 경우에 상기 기판재치부의 거의 중앙부에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.
이와 같이, 외조에 형성된 제1 배기구멍이 기판재치부의 거의 중앙에 형성되어 있기 때문에 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍에 의해 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고 생산성도 향상된다.
또한, 본 발명에 의하면, 외조와, 상기 외조 내부에 배치된 내조와, 상기 내조 내부와 연통하는 반응가스도입관과, 상기 외조에 형성된 제1 배기구멍과, 상기 내조 내부에 배치된 기판재치부와, 상기 기판재치부를 둘러싸고 상기 내조에 형성된 제2 배기구멍과, 상기 외조 내부에 배치된 배기조와, 상기 배기조에 형성된 제3 배기구멍을 가지며, 상기 배기조는 상기 내조의 하부에 배치되고, 상기 내조 내부는 상기 제2 배기구멍을 통해 상기 배기조 내부와 연통하고, 상기 제3 배기구멍은 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 경우에 상기 기판재치부의 거의 중앙부에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.
이와 같이, 배기조에 형성된 제3 배기구멍이 기판재치부의 거의 중앙에 형성되어 있기 때문에, 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 제2 배기구멍에 의해 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고, 생산성도 향상된다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 바람직하게는 플라즈마 처리장치로 사용되며, 좀더 바람직하게는 플라즈마 CVD장치로서 사용된다.
본 발명의 플라즈마 CVD장치는, 특히 바람직하게는 액정디스플레이(LCD)나 반도체장치의 제조에 사용된다.
다음에 본 발명의 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다.
(제1 실시형태)
제1도는 본 발명에 따른 제1 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 설명하기 위한 단면도이며, 제2도는 제1도의 A-A에서 본 평면도이다.
본 발명에 따른 제1 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)는 처리조(20)를 구비하고 있으며, 처리조(20)는 외조(40)와 내조(30)를 구비한 2조구조로 되어 있다.
처리조(20)는 처리조 본체(21)와 천정덮개(22)를 구비하고 있다. 천정덮개(22)는 그 단면이 볼록한 형상으로 되어 있으며, 중앙에 형성된 오목부에 절연체(23)를 통해 캐소드(120)가 배치되어 있다. 캐소드(120)는 캐소드 히터(24)와 샤워 플레이트(26)와 반응가스 도입관(28)을 구비하고 있다. 캐소드 히터(24)는 봉형상의 저항가열식 히터선(25)이 알루미늄부재(121) 내에 매립되어 구성된다. 캐소드 히터(24)와 샤워 플레이트(26) 사이에는 간극(27)이 형성되어 있다. 간극(27)에는 반응가스 도입관(28)과 연통되어 있다. 샤워 플레이트(26)에는 다수의 가스분산구멍(29)이 배치되고, 반응가스 도입관(28)으로부터 도입된 반응가스를 가스분산구멍(29)에 의해 내조(30) 내에 분산공급하고, 그 결과 기판재치대(35)상에 재치된 기판(36)상에 반응가스를 균일하게 공급하도록 되어 있다.
내조(30)에는 캐소드(120)와 대향하여 애노드(130)가 배치되어 있다. 애노드(130)는 애노드 히터(33)와 애노드 히터(33)상에 배치된 기판재치대(35)를 구비하고 있다. 애노드 히터(33)는 봉형상의 저항가열식 히터선(34)이 알루미늄부재(131) 내에 매립되어 구성되어 있다. 캐소드(120)와 애노드(130)에 의해 소위 평행평판형 전극을 구성하고 있다. 캐소드(120)에는 고주파전원(46)이 접속되어 있고, 애노드(130)는 접지되어 있으며, 캐소드(120)와 애노드(130) 사이에는 고주파전력을 인가할 수 있게 되어 있다.
애노드 히터(33)는 승강로드(42)의 상단에 고착되어 있으며, 승강로드(42)를 승강시킴으로써 승강한다. 승강로드(42)는 에어실린더(도시생략)를 승강시킴으로써 승강한다. 또한, 승강로드(42)는 처리조 본체(31)의 바닥판(211)을 기밀하고 승강 가능하게 관통해서 배치되어 있다.
천정덮개(22) 주변의 하부면에는 절연체(23)를 둘러싼 내조 상측벽(31)이 고착되어 있다. 애노드 히터(33) 주변에는 내조 상측벽(31)과 대응하여 내조 하부측벽(32)이 고착되어 있다. 내조 하측벽(32)은 애노드 히터(33)를 승강시킴으로써 승강하고, 애노드 히터(33)가 상승하면 내조 하측벽(32)도 상승하여 내조 상측벽(31)과 맞닿는다. 이와 같이 해서 캐소드(120), 애노드(130), 내조 상측벽(31) 및 내조 하측벽(32)에 의해 내조(30)가 구성된다.
내조 하측벽(32)에는 제2도에 도시한 바와 같이, 소정의 간격으로 배기구멍(49)이 기판재치대(35) 외주의 전체둘레에 걸쳐서 형성되어 있다. 애노드 히터(33)의 하부에는 집기조(38)(기체를 수집하는 조)가 배치되어 있으며, 집기조(38)의 측판(382) 상부는 내조 하측벽(32)의 하부에 고착되어 있다. 애노드 히터(33), 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)에 의해 배기조(37)(기체를 배기하는 조)가 구성되고, 그 내부에는 배기실(137)이 구획된다. 배기실(137)은 배기구멍(49)을 통해 내조(30)와 연통되어 있다. 집기조(38)의 바닥판(381)에는 내부 배기관(39)이 배기실(137)과 연통해서 배치되어 있다. 내부 배기관(39)은 제2도에 도시한 바와 같이, 평면에서 보았을 때 기판재치대(35)의 중앙부에 위치하고 있다. 처리조본체(21), 천정덮개(22), 내조 상측벽(31), 내조 하측벽(32), 집기조(38) 및 내부 배기관(39)에 의해 외조공간(140)이 구획되어 있다.
기판재치대(35) 및 애노드 히터(33)를 관통하여 리프트 핀(43)이 승강가능하게 배치되고, 리프트 핀(43)에 의해 기판재치대(35) 상에 재치된 기판(36)이 기판재치대(35)로부터 들어올려지도록 되어 있다. 리프트 핀(43)은 승강로드(44)의 상단에 고착되어 있으며, 승강로드(44)를 승강시킴으로써 승강한다. 승강로드(44)는 에어실린더(도시생략)를 승강시킴으로써 승강한다. 또, 승강로드(44)는 처리조 본체(21)의 바닥판(211)을 기밀하고 승강가능하게 관통하여 배치되어 있다.
처리조 본체(21)의 바닥판(211) 중앙부에는 외부 배기관(41)이 외조 공간(140)과 연통해서 배치되어 있다. 내부 배기관(39)은 외부 배기관(41)과 동심원상으로 외부 배기관(41)에 느슨하게 삽입되어 배치된다. 내부 배기관(39)은 처리조 본체(31)의 바닥판(211)의 중앙부에 형성된 구멍(216) 및 외부 배기관(41) 내에 삽입되어 있다. 내부 배기관(39)의 외벽(391)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(216)의 내벽(215) 및 외부 배기관(41)의 내벽(411) 사이에는 간극(L1)이 있다. 이 간극(L1)의 거리를 약 8.5mm로 하고 있다. 이와 같이 간극(L1)을 좁혀 둠으로써 내부 배기관(39)과 바닥판(211)의 구멍(216) 및 외부 배기관(41)과의 간극(L1)으로부터 반응 부생성물에 기인하는 입자가 외조공간(140) 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 간극(L1)의 거리는 바람직하게는 5mm 내지 10mm의 범위로 한다. 또, 바닥판(211)에 형성된 구멍(216)의 내벽(215) 및 외부 배기관(41)의 내벽(411)은 동일한 면을 형성하도록 배치되어 있다. 바닥판(211)에 형성된 구멍(216)의 직경 및 외부 배기관(41)의 내경(D2)은 60mm이며, 내부 배기관(39)의 내경(D1)은 40mm이다.
또한, 내부 배기관(39)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L2만큼 돌출시키고 있다. 이 길이(L2)를 5mm로 하고 있다. 이와 같이 내부 배기관(39)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L2만큼 돌출시켜 둠으로써 내부 배기관(39)과 바닥판(211)의 구멍(216) 및 외부 배기관(41)과의 간극으로부터 반응 부생성물에 기인하는 입자가 외조공간(140) 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 이 길이 L2는 바람직하게는 3mm 내지 8mm로 한다.
외부 배기관(41)은 진공펌프(도시생략)에 접속되어 있다. 외부 배기관(41)의 도중에는 압력조정밸브(도시생략)가 배치되어 있다.
천정덮개(22)의 주변부를 관통하여 외조공간(140)에 연통해서 압력검출기(45)가 배치되어 있다.
처리조 본체(21)의 측판(212)(213)에는 기판반입/반출구(48)(148)가 각각 형성되고, 기판반입/반출구(48)(148)에는 게이트밸브(47)(147)가 각각 장착되어 있다.
막 형성시 및 가스에칭시, 내조(30) 내부는 외부배기관(41), 내부 배기관(39), 배기실(137) 및 배기구멍(49)을 통해 배기되고, 외조공간(140)은 내부 배기관(39)의 외벽(391)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(216)의 내벽(215) 및 외부 배기관(41)의 내벽(411) 사이의 간극 및 외부 배기관(41)을 통해 배기된다. 이와 같이 내조(30)내 및 외조 공간(140)을 배기하면서 반응가스 도입관(28)으로부터 막 형성용 반응가스 또는 가스에칭용 반응가스를 내조(30) 내부에 도입하여 내조(30) 내부 및 외조 공간(140)을 각각 소정의 압력으로 제어한다.
이 때, 외조 공간(140)의 압력은 압력검출기(45)에 의해 측정되며, 압력검출기(45)의 측정결과는 압력제어기(도시생략)에 입력된다. 압력제어기(도시생략)는 압력검출기(45)의 측정결과가 설정한 목표치가 되도록 압력조정밸브(도시생략)의 개도를 조정한다. 내조(30) 내부의 압력은 외조 공간(140)의 압력을 제어함으로써 간접적으로 제어된다. 또한, 내조(30)와 외조 공간(140)의 압력차는 외부 배기관(41)의 컨덕턴스, 내부 배기관(39)의 컨덕턴스, 배기실(137)의 컨덕턴스, 배기구멍(49)의 컨덕턴스, 내부 배기관(39)과 바닥판(211)의 구멍(216) 및 외부 배기관(41)과의 간극의 컨덕턴스 및 반응가스 도입관(28)으로부터 도입되는 반응가스의 유량에 의해 결정된다. 따라서, 미리 이들의 컨덕턴스를 구해 둠으로써 내조(30) 내부의 압력제어도 정밀하게 행할 수가 있다.
상술한 바와 같이, 외조 공간(140)을 감압으로 하므로, 내조(30)의 방열이 억제된다. 그 결과, 내조(30)를 고온벽 상태로 유지할 수 있으므로, 내조(30)의 내벽에 박리되기 쉬운 반응 부생성물이 발생하지 않아 입자발생을 방지할 수 있다.
또, 내조 하측벽(32)이 애노드 히터(33)에 고착되고, 집기조(38)가 이 내조 하측벽(32)에 고착되어 있으므로, 애노드 히터(33)로부터의 열이 열전도에 의해 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)에도 전달되고, 애노드 히터(33), 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)로 구성된 배기조(37)도 고온벽 상태로 유지할 수 있으므로, 배기조(37)의 내벽에 박리되기 쉬운 반응 부생성물이 발생하지 않아 입자의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 이와 같이 내조(30)를 배치함으로써 막 형성할 때나 가스클리닝할 때 발생하는 플라즈마를 내조(30) 내부로 한정할 수 있다. 그 결과, 플라즈마 밀도를 높일 수 있어서 막 형성이나 가스에칭을 효율적으로 할 수 있다.
내조(30)로부터 유출되는 반응가스는 내조 하측벽(32)에 형성된 배기구멍(49), 배기실(137) 및 내부 배기관(39)을 통해 처리조 본체(21)의 바닥판(211) 내벽(214)보다 외측의 외부 배기관(41) 내부로 배기된다. 따라서, 반응가스, 반응 부생성물 및 에칭찌꺼기 등이 외조공간(140) 내부로 흘러드는 것이 방지되며, 외조(40)의 내벽에 반응 부생성물이 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 유지보수시에 외조(40)를 청소할 필요가 없어져서 그만큼 플라즈마 CVD장치(100)의 가동율을 높일 수 있다.
내부 배기관(39)은 제2도에 도시한 바와 같이, 평면에서 보았을 때 기판재치대(35)의 중앙부에 위치하고 있기 때문에, 내조(30)는 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49) 각각으로부터 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치대(35)상에 재치된 기판(36) 상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판(36) 상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고 생산성도 향상된다.
또한, 애노드 히터(33)의 바닥면(132)과 집기조(38)의 바닥판(381) 상부면(383)과의 거리(H1)를 약 50mm로 하고 있다. 이와 같이 애노드 히터(33)와 집기조(38)의 거리를 어느 정도 이상 취하고 있으므로, 배기구멍(49) 중 내부 배기관(39)으로부터 가장 떨어진 배기구멍(491)(492)과 내부 배기관(39)의 거리(L3)와, 배기구멍(49) 중 내부 배기관(39)에 가장 가까운 배기구멍(493) (494)과 내부 배기관(39)과의 거리(L4)의 비율을 보다 작게 할 수 있어서 그만큼 내조(30)는 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49) 각각으로부터 보다 균일하게 배기되게 된다.
또한, 제8도에 도시한 종래의 플라즈마 CVD장치(300)에서는 반응가스 도입관(5)으로부터 내조(12) 내부로 도입된 가스는 내조 배기구멍(13)을 경유하여 외조공간(151) 내부로 유출되며, 그 후 처리조(1) 바닥판(102) 모서리의 1개소에 형성된 단일의 외조 배기구멍(14)으로부터 처리조(1) 밖으로 유출된다. 따라서, 내조(12) 내의 가스는 외조 배기구멍(14)에 가까운 내조 배기구멍(13)으로부터 보다 많이 유출되며, 외조 배기구멍(14)으로부터 먼 내조 배기구멍(13)에서는 보다 적게 유출된다. 그 결과, 내조(12) 내의 가스흐름분포에 불균일이 발생한다. 그리고, 이 불균일은 반응가스 도입관(5)으로부터 도입되는 가스유량을 증가시켜서 보다 많은 가스를 외조 배출구멍(14)으로부터 배출하고자 하면 더욱더 커진다. 가스유량을 증가시키는 것은 막형성이나 가스클리닝의 고속화, 나아가서는 CDV장치의 가동율 향상, 생산성의 향상으로 이어지기 때문에 매우 중요한 것이지만, 제1도에 도시한 플라즈마 CVD장치(300)에서는 가스유량을 증대시키면 가스흐름의 불균일성도 증대한다는 문제가 있었다.
이에 대해 본 실시 형태의 CVD장치(100)에 있어서는, 내부 배기관(39)은 평면에서 보았을 때 기판재치대(35)의 중앙부에 위치하고 있기 때문에 가스유량을 증대시켜도 내조(30)는 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49) 각각으로부터 거의 균일하게 배기되므로 기판(36)상의 가스흐름이 균일해진다. 또한, 이 내부 배기관(39)은 외부 배기구멍(41) 내에 삽입되어 있으므로, 외부 배기구멍(41)을 통해 효율적으로 내조(30) 내부를 배기할 수 있어서 가스의 대유량화가 뛰어나게 대응가능하다.
또한, 내부 배기관(39)의 위치는 기판재치대(35)의 중앙부인 것이 더욱 바람직하지만, 서로 대향하는 배기구멍(49) 사이의 거리 중 최대 간격(L), 이 경우에는 대각상에서 존재하는 배기구멍(491)(492) 사이의 거리(L)의 1/2 이하의 거리(L/2) 직경을 가지며, 기판재치대(35)의 중앙부를 중심으로 하는 원내이면, 내조(30)는 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49) 각각으로부터 거의 균일하게 배기되고, 기판재치대(35)상에 재치된 기판(36)상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판(36) 상에 형성된 막도 막두께나 제특성의 균일성이 거의 유지된다. 기판재치대(35)의 중앙부로부터 L/4의 거리를 초과하는 위치에 내부 배기관(39)을 배치하면 막두께나 제특성의 균일성이 나빠진다.
압력검출기(45)는 외조공간(140)에 연통하여 배치되어 있으므로, 플라즈마에 노출되지 않고, 또 반응 부생성물이 부착되는 일도 없다. 그 결과, 압력검출 정밀도의 경시적인 열화가 방지된다.
또, 외조(40)를 배치하고 있으므로, 이 플라즈마 CVD장치(100)와 로드 록 조 등 다른 조와의 접속이 용이해진다.
다음에, 이와 같은 구성의 플라즈마 CVD장치(100)의 조작을 설명한다.
기판(36) 반입시에는 에어실린더(도시생략)에 의해 승강로드(42)를 강하시켜서 애노드 히터(33), 기판재치대(35), 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)를 강하시키고, 내조(30)를 개방한다. 또, 에어실린더(도시생략)에 의해 승강로드(44)를 동작시켜서 리프트 핀(43)을 기판재치대(35)보다 돌출시켜 둔다. 외부 배기관(41) 및 내부 배기관(39)을 통해 처리조(20) 내부를 소정의 진공도로 배기해 둔다.
게이트밸브(47)를 열고, 이재기(移載機)(도시생략)에 의해 기판(36)을 기판반입/반출구(48)로부터 내조(30) 내부로 반입하고, 기판(36)을 리프트 핀(43) 상에 얹는다. 상기 이재기가 처리조(20)의 밖으로 후퇴한 후, 게이트밸브(47)를 닫는다. 그 후, 에어실린더(도시생략)에 의해 승강로드(44)를 강하시켜 기판(36)을 기판재치대(35)상에 재치한다. 그 후, 에어실린더(도시생략)에 의해 승강로드(42)를 상승시켜서 애노드 히터(33), 기판재치대(35), 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)를 상승시켜 내조 하측벽(32)의 상부를 내조 상측벽(31)의 하부에 맞닿게하여 내조(30)를 닫는다.
그후, 내조(30) 내부를, 내층하측벽(32)에 형성된 배기구멍(49), 배기실(137), 내부 배기관(39) 및 외부 배기관(41)을 통해 배기하고, 외조공간(140)을 내부 배기관(39)의 외벽(391)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(216)의 내벽(215) 및 외부 배기관(41)의 내벽(411) 사이에 형성된 간극 및 외부 배기관(41)을 통해 배기한다. 이와 같이 내조(30) 내부 및 외조공간(140)을 배기하면서 반응가스 도입관(28)으로부터 막형성용 반응가스를 내조(30) 내부로 도입하여 내조(30) 내부 및 외조공간(140)을 각각 소정의 압력으로 제어하면서, 고주파전원(46)으로부터 캐소드(120), 애노드(130) 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 기판(36) 상에 막을 형성한다. 막 형성시, 반응가스나 반응 부생성물은 배기구멍(49), 배기실(137) 및 내부 배기관(39)을 통해 직접 외부 배기관(41)내로 배기된다.
막형성이 끝나면 반응가스의 공급이 정지되어 내조(30) 내부 및 외조공간(140)의 반응가스가 내부 배기관(39), 외부배기관(41) 등을 통해 배기된다.
그후, 애노드 히터(33)를 하강시키고, 리프트 핀(43)을 상승시킴으로써 기판재치대(35)로부터 기판(36)을 들어올린다.
그 후, 게이트밸브(147)를 열고, 이재기(도시생략)에 의해 기판(36)을 기판반입/반출구(148)로부터 반출한다.
가스클리닝을 행하려면 기판(36)을 기판재치대(35)상에 재치하지 않은 상태에서, 승강로드(42)를 상승시켜서 애노드 히터(33), 기판재치대(35), 내조 하측벽(32) 및 집기조(38)를 상승시켜 내조 하측벽(32)의 상부를 내조 상측벽(31)의 하부에 맞닿게 함으로서 내조(30)를 닫는다.
그 후, 내조(30) 내부를, 내조 하측벽(32)에 형성된 배기구멍(49), 배기실(137), 내부 배기관(39) 및 외부 배기관(41)을 통해 배기하고, 외조공간(140)을 내부 배기관(39)의 외벽(391)과 바닥판(311)에 형성된 구멍(216)의 내벽(215) 및 외부 배기관(41)의 내벽(411) 사이의 간극 및 외부 배기관(41)을 통해 배기하면서 반응가스 도입관(28)으로부터 NF3등의 클리닝가스를 내조(30) 내부로 도입하여 내조(30) 내부 및 외조공간(140)을 각각 소정의 압력으로 제어하면서, 고주파전원(46)으로부터 캐소드(120), 애노드(130) 사이에 고주파전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜 내조(30)의 내벽에 부착·퇴적된 반응 부생성물을 에칭제거한다. 가스클리닝시에는 클리닝찌꺼기는 배기구멍(49), 배기실(137) 및 내부 배기관(39)을 통해 직접 외부 배기관(41)내로 배기된다. 가스클리닝이 끝나면 클리닝가스의 공급이 멈추고, 내조(30) 내부 및 외조공간(140)내의 반응가스가 내부 배기관(39), 외부배기관(41) 등을 통해 배기된다.
(제2의 실시형태)
제3도는 본 발명에 따른 제2 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 설명하기 위한 단면도이고, 제4도는 제3도의 B-B선에서 본 평면도이다.
본 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)에서는 애노드 히터(33)를 승강시키는 승강로드(421)는 애노드 히터(33)의 중앙부에 배치되어 있다. 따라서, 애노드 히터(33)가 열팽창을 일으켜도 그로 인해 승강로드(421)의 승강동작에 영향을 주는 일은 없다.
또, 4개의 내부 배기관(139)(239)(339)(439)이 배치되어 있다. 이들 내부 배기관(139)(239)(339)(439)은 기판재치대(35)의 대각선상에서 기판재치대(35)의 중앙으로부터 기판재치대의 4모서리를 각각 향하는 선상에서 기판재치대(35)의 중앙으로부터 같은 거리의 위치에 각각 배치되어 있다. 따라서, 기판재치대(35) 외주 주변의 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49)으로부터의 배기를 이들 내부 배기관(139)(239)(339)(439)에 의해 거의 4분할하여 행하게 되며, 아울러 각 내부 배기관(139)(239)(339)(439) 근방의 배기구멍(49)은 각 내부 배기관(139)(239)(339)(439)과 각각 거의 등거리에 배치되기 때문에 내조(30)는 내조 하측벽(32)에 형성된 다수의 배기구멍(49) 각각으로부터 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치대(35)상에 재치된 기판(36)상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판(36)상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고, 생산성도 향상된다.
처리조 본체(21)의 바닥판(211)에는 이들 내부 배기관(139)(239)(339)(439)의 위치에 대응하여 외부 배기관(141)(241)(341)(441)이 각각 외조공간(140)과 연통해서 배치되어 있다. 내부 배기관(139)(239)(339)(439)은 외부 배기관(141)(241)(341)(441)과 각각 동심원 형상으로 외부 배기관(141)(241)(341)(441)에 각각 느슨하게 삽입되어있다. 이하, 내부 배기관(139)(239)(339)(439) 중 내부 배기관(139)을 예로 들어 설명하겠는데, 나머지 내부 배기관(239)(339)(439)에 대해서도 내부 배기관(139)의 경우와 마찬가지이다. 내부 배기관(139)은 처리조 본체(21)의 바닥판(211)에 형성된 구멍(217) 및 외부 배기관(141)내에 삽입되어 있다. 내부 배기관(139)의 외벽(393)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(217)의 내벽(218) 및 외부 배기관(141)의 내벽 사이에는 간극(L10)이 있다. 이 간극(L10)의 거리를 약 4.5mm로 하고 있다. 이와 같이 간극(L10)을 좁혀 둠으로써 내부 배기관(139)과 바닥판(211)의 구멍(217) 및 외부 배기관(141)과의 간극(L10)으로부터 반응 부생성물로 인한 입자가 외조공간(140) 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 이 간극(L10)의 거리는 바람직하게는 3mm 내지 6mm로 한다. 또, 바닥판(211)에 형성된 구멍(217)의 내벽(218) 및 외부 배기관(141)의 내벽(413)은 동일면을 형성하도록 배치되어 있다. 바닥판(211)에 형성된 구멍(217)의 직경 및 외부 배기관(141)의 내부직경(D21)은 33mm이고, 내부 배기관(139)의 내부직경(D11)은 21mm이다.
또, 내부 배기관(139)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L20만큼 돌출시키고 있다. 이 길이 L20을 5mm로 하고 있다. 이와 같이 내부 배기관(139)을, 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L20만큼 돌출시켜 둠으로써 내부 배기관(139)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(217) 및 외부 배기관(141)의 간극으로부터 반응 부생성물에 기인하는 입자가 외조공간(140) 내부로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 이 거리 L20은 바람직하게는 3mm 내지 8mm로 한다.
내조(30)로부터 유출된 반응가스는 내조 하측벽(32)에 형성된 배기구멍(49), 배기실(137) 및 내부 배기관(139)(239)(339)(439)을 통해 처리조 본체(21)의 바닥판(211) 내경(214)보다 외측의 외부 배기관(141)(241)(341)(441) 내부로 각각 배기된다. 따라서, 반응가스, 반응 부생성물 및 에칭찌꺼기 등이 외조공간(140) 내부로 흘러드는 것이 방지되며, 외조(40)의 내벽에 반응 부생성물이 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 유지보수시에 외조(40)를 청소할 필요가 없어져서 그만큼 플라즈마 CVD장치(100)의 가동율을 높일 수 있다.
외부 배기관(241)(341)(441)은 외부 배기관(141) 도중에 접속되어 있으며, 외부 배기관(141)은 진공펌프(도시생략)에 접속되어 있다. 외부 배기관(141)의 도중에는 압력조정밸브(도시생략)가 배치되어 있다.
상기에 추가하여, 본 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)에서는 리프트 핀(43)을 개별 로드의 상부에 각각 고착하지 않고, 다수의 리프트 핀(43)을 리프트 핀 지지부재(143)상에 탑재하여 이 리프트 핀 지지부재(143)를 승강시킴으로써 리프트 핀을 승강시키고, 기판(36)을 승강시키는 점이 제1 실시형태의 경우와 다르지만 그밖의 점은 같다.
(제3의 실시형태)
제5도는 본 발명에 따른 제3 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 설명하기 위한 단면도이다.
상기 제1 및 제2의 실시형태에서는 내부 배기관(39)을 외부 배기관(41)에 느슨하게 삽입시키고, 내조(30)도 외부 배기관(41)을 통해 배기했으나, 본 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)에서는 내부 배기관(539)을 처리조 본체(21)의 바닥판(211)을 관통시켜서 처리조 본체(21)의 외측까지 연장시키고, 또 처리조 본체(21)의 바닥판(211)의 다른 개소에 외부 배기관(511)을 외조공간(140)에 연통시켜서 배치하고, 내조(30), 외조(40) 각각에 배기라인을 개별적으로 형성한 점이 제1 및 제2 실시형태와 다르지만, 그 밖의 점은 같다. 이 경우에는 내조(30)의 배기라인에 압력검출기(451)를 개별적으로 배치하여 내조(30)내의 압력을 측정하도록 하고 있다.
(제4의 실시형태)
제6도는 본 발명에 따른 제4 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 설명하기 위한 단면도이다.
상기 제2 실시형태에서는 배기조(37) 및 배기구멍(49)을 형성하고, 배기조(37) 및 배기구멍(49)을 통해 내조(30) 내부를 배기했으나, 본 실시형태에서는 배기조(37) 및 배기구멍(49)을 형성하지 않고, 내부 배기관(539)(639)을 직접 내조(30) 내부와 연통시키고, 내조(30) 내부를 내부 배기관(539)(639) 및 외부 배기관(541)(641)에 의해 배기하도록 한 점이 제2 실시형태와 다르지만, 그 밖의 점은 같다.
본 실시형태에서도 내부 배기관(539)(639)은 외부 배기관(541)(641)과 각각 동심원상으로 외부 배기관(541)(641)에 각각 느슨하게 삽입하여 배치되어 있다. 이하, 내부 배기관(539)(639)중 내부 배기관(539)을 예로 들어 설명하나, 내부 배기관(639)에 대해서도 내부 배기관(539)의 경우와 같다. 내부 배기관(539)은 처리조 본체(21)의 바닥판(211)에 형성된 구멍(221) 및 외부 배기관(541) 내에 삽입되어 있다. 내부 배기관(539)의 외벽(593)과 바닥판(211)에 형성된 구멍(221)의 내벽(222)과 외부 배기관(541)의 내벽(513) 사이에는 간극 L30이 있다. 이 간극 L30을 좁혀 둠으로써 내부 배기관(539)과 바닥판(211)의 구멍(221) 및 외부 배기관(541)의 간극 L30으로부터 반응 부생성물에 기인하는 입자가 외조공간(140)으로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 바닥판(211)에 형성된 구멍(221)의 내벽(222) 및 외부 배기관(541)의 내벽(513)은 동일면을 형성하도록 배치되어 있다.
또, 내부 배기관(539)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이(L40)만큼 돌출시키고 있다. 이와 같이 내부 배기관(539)을 바닥판(211)의 내벽(214)보다 길이 L40만큼 돌출시켜 둠으로써 내부 배기관(539)과 바닥판(211)의 구멍(221) 및 외부 배기관(541)의 간극으로부터 반응 부생성물에 기인하는 입자가 외조공간(140)내로 역확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
내조(30)로부터 유출되는 반응가스는 내부 배기관(539)(639)을 통해 처리조 본체(21)의 바닥판(211) 내벽(214)보다 외측의 외부 배기관(541)(641)내로 각각 배기된다. 따라서, 반응가스, 반응 부생성물 및 에칭찌꺼기 등이 외조공간(140)내로 흘러드는 것이 방지되고, 외조(40)의 내벽에 반응 부생성물이 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 유지보수시에 외조(40)를 청소할 필요가 없어져서 그만큼 플라즈마 CVD장치(100)의 가동율을 올릴 수 있다.
외부 배기관(641)은 외부 배기관(541) 도중에 접속되어 있으며, 외부 배기관(541)은 진공펌프(도시생략)에 접속되어 있다. 외부 배기관(541)의 도중에는 압력조정밸브(도시생략)가 배치되어 있다.
제7도는 본 발명의 플라즈마 CVD장치(100)가 사용되는 LCD용 매엽식 플라즈마 CVD장치(200)의 일예를 설명하기 위한 블록도이다.
LCD용 매엽식 플라즈마 CVD장치(200)에는 카세트 스탠드(S1)(S2), 대기용 반송로봇(T1)(T5), 진공용 반송로봇(T2)(T3)(T4), 로봇실(L1)(L2), 막형성실(R1)(R2)(R3), 기판가열실(H)이 형성되어 있다. 본 발명의 플라즈마 CVD장치(100)는 막형성실(R1)(R2)(R3)에 사용된다.
카세트 스탠드(S1)에는 통상 유리기판을 최대 20매까지 넣을 수 있는 카세트(도시생략)가 놓여진다. 대기용 반송로봇(T1)에 의해 카세트 스탠드(S1)에 놓여진 카세트(도시생략)로부터 유리기판을 1매만 취출하여 로드 록 실(L1)로 반송한다. 그 후, 로드 록 실(L1)을 대기압으로부터 진공으로 한 후, 진공용 반송로봇(T2)에 의해 기판가열실(H)로 유리기판을 반송한다. 기판가열실(H)에서 유리기판을 막형성 온도까지 가열하고, 그 후 진공용 반송로봇(T2)에 의해 막형성실(R1)로 반송한다. 그 후, 본 발명의 플라즈마 CVD장치를 이용한 막형성실(R1)에서, 예를들면 질화규소막(SiN막)의 막 형성을 행하고, 막 형성후 기판을 진공용 반송로봇(T3)에 의해 본 발명의 플라즈마 CVD장치를 이용한 막형성실(R2)로 반송한다. 막형성실(R2)에 있어서도 막형성실(R1)과 마찬가지로 예를들면 비정질 실리콘(a-Si)막의 막 형성을 행하고, 막 형성후 기판진공용 반송로봇(T4)에 의해 본 발명의 플라즈마 CVD장치를 사용한 막형성실(R3)로 반송한다. 막형성실(R3)에 있어서도 막형성실(R1)과 마찬가지로 예를들면 도핑된 비정질 실리콘(n+a-Si)막의 막형성을 행하고, 막형성후 기판을 진공용 반송로봇(T4)에 의해 로드 록 실(L2)로 반송한다. 로드 록 실(L2)에서 유리기판을 냉각함과 동시에 진공으로부터 대기로 복귀시킨다. 그후, 대기용 반송로봇(T5)에 의해 카세트 스탠드(S2)에 놓여진 카세트(도시생략)에 유리기판을 수용한다.
다음에 본 발명의 플라즈마 CVD장치(100)를 사용하여 플라즈마 CVD법으로 막형성을 행한 실시예를 설명한다.
(제1실시예)
제1도 및 제2도에 도시한 본 발명의 제1 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 사용하여 기판재치대(35)상에 350mm × 450mm, 두께 1.1mm의 유리기판(36)을 재치하고, 반응가스 도입관(28)으로부터 SiH4, NH3및 N2를 공급하여 유리기판(36)상에 질화규소막(SiN막)을 형성했다. 상기 각 가스의 유량비는 일정하게 하고, 전체 유량을 변화시켜서 막두께의 균일성과 막형성 속도를 평가했다. 또한, 막형성시 인가한 고주파전력은 전체 가스유량에 적합한 크기로 하고, 막형성시 압력은 0.4Torr로 했다. 기판단부 10mm의 폭 부분을 제외한 유리기판의 내측 영역을 균등하게 25분할하고, 광학식 막두께 계기를 이용하여 분할한 각 영역의 막두께를 측정하여 막두께의 균일성을 평가했다. 막두께의 균일성은 다음 식으로 구했다.
두께균일성=[(최대막두께-최소막두께)/(최대막두께+최소막두께)]×100
또, 막형성 속도는 형성된 막을 에칭액에 의해 기판으로부터 박리하여 막두께를 구하고, 이 막두께를 막형성 시간으로 나누어 구했다.
이와 같이 해서 얻어진 결과를 표1에 나타냈다.
표1
(제2실시예)
제3도 및 제4도에 도시한 본 발명의 제2 실시형태의 플라즈마 CVD장치(100)를 사용하여 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 막을 형성하고, 막두께의 균일성과 막형성 속도를 구했다. 그 결과를 표2에 나타냈다.
표2
(비교예)
제8도에 도시한 종래의 플라즈마 CVD장치를 사용하여 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 막을 형성하고, 막두께의 균일성과 막형성 속도를 구했다. 그 결과를 표3에 나타냈다.
표3
이들 표1 내지 표3에서 밝혀진 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 CVD장치를 사용한 경우에는 고속으로 막을 형성한 경우라도 뛰어난 막두께의 균일성을 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, 내조에서 유출되는 반응가스는 외조의 내벽면보다 외측으로 배기되게 된다. 따라서, 반응가스, 반응 부생성물 및 에칭찌꺼기 등이 외조 내부로 흘러드는 것이 방지되고, 외조의 내벽에 반응 부생성물이 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 유지보수시에 외조를 청소할 필요가 없어져서 그 만큼 기판처리장치의 가동율을 올릴 수 있다.
또, 내조 내부의 기판재치부를 둘러싼 배기구멍을 형성하고, 배기구멍으로부터의 배기를 거의 균일하게 할 수 있도록 배기관을 배치함으로써, 내조 내부는 기판재치부를 둘러싸고 형성된 배기구멍에 의해 거의 균일하게 배기된다. 따라서, 기판재치부에 재치된 기판상의 가스흐름이 균일해지며, 그 결과 기판상에 형성되는 막의 막두께나 제특성이 균일해진다. 따라서, 수율도 향상되고, 생산성도 향상된다.

Claims (15)

  1. (정정)내부를 감압가능한 외조,
    상기 외조 내부에 배치된 내조,
    상기 내조 내부와 연통하는 반응가스 도입관,
    상기 내조의 벽의 적어도 일부의 벽이며, 상기 외조와 이간되어 설치된 상기 적어도 일부의 벽,
    상기 내조의 상기 적어도 일부의 벽에 배치된 제1 배기구멍,
    적어도 상기 외조의 내벽면까지 연장됨과 동시에, 상기 제1 배기구멍에 직접 연통하여 설치되거나 상기 외조와 이간되어 설치된 배기경로를 거쳐 상기 제1 배기구멍에 연통하여 배치된 제1 배기관,
    상기 외조에 형성된 제2 배기구멍,
    상기 제2 배기구멍에 연통하여 적어도 상기 외조 내부를 감압배기하는 제2 배기관
    을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 배기관을 구비한 제1 배기라인,
    상기 제1 배기관을 구비하고 상기 제1 배기라인과는 독립적으로 배기가능한 제2 배기라인
    을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판처리장치는 상기 내조 내에 설치된 기판 재치부를 더 가지며, 상기 제1 배기구멍은 상기 기판재치부를 둘러싸도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기판처리장치는 상기 내조 내부에 설치된 기판재치부를 더 가지며, 상기 제1 배기구멍은 상기 기판재치부를 둘러싸도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 배기경로는 상기 외조 내에 배치된 배기조를 가지며, 상기 배기조는 상기 내조의 하부에 배치되고, 상기 내조 내부는 상기 제1 배기구멍에 의해 상기 배기조 내부와 연통되고, 상기 제1 배기관은 상기 배기조 내부와 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 배기관은 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 때 상기 기판재치부의 거의 중앙에서 상기 배기조 내와 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 배기관은 상기 제1 배기구멍 중 서로 가장 떨어진 한 쌍의 제2 배기구멍 사이의 거리 L의 1/4 길이의 반경(L/4)을 가지며, 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 때 상기 기판재치부의 중앙을 중심으로 하는 원내에서 상기 배기관 내와 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 배기관은 다수 배치되어 있고, 상기 기판재치부는 평면에서 보았을 때 실질적으로 직사각 형상이며, 상기 다수의 제1 배기관은 상기 직사각형의 대각선상에서 상기 직사각형의 중앙에 대해 점대칭인 위치에서 상기 배기조 내부와 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판처리장치는 플라즈마 처리장치이고,
    상기 외조는 하부 외조와 상부 외조를 구비하고,
    상기 상부 외조에 캐소드 및 애노드의 한쪽이 장착되고,
    상기 캐소드 및 애노드의 상기 한쪽을 둘러싸면서 상부 외조에 내조 상측벽이 장착되며,
    상기 캐소드 및 애노드의 다른쪽은 외조 내를 승강가능하게 배치되고,
    상기 캐소드 및 애노드의 상기 다른쪽이 기판재치부를 구비하고,
    상기 내조의 상기 적어도 일부가 내조 하측벽에서, 상기 내주 하측벽이
    상기 캐소드 및 캐소드의 상기 다른쪽 주변에 상기 내조 상측벽과 대응하여 장착되고,
    상기 내조 하측벽에 설치된 상기 제1 배기구멍이 상기 기판 탑재부를 둘러싸도록 배치되고,
    상기 캐소드 및 상기 애노드의 상기 다른쪽이 상승함으로써 상기 캐소드, 상기 애노드, 상기 내조 상측벽 및 내조 하측벽에 의해 상기 내조를 구성하고,
    상기 캐소드 및 상기 애노드의 상기 다른쪽이 상승하여 상기 내조를 형성했을 때 상기 제1 배기관은 적어도 상기 외조의 상기 내벽면까지 연장되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배기경로는
    상기 외조 내에 배치된 배기조를 가지고, 상기 배기조는 상기 애노드 및 상기 캐소드의 상기 다른쪽 하부에 배치되고, 상기 내조 내는 상기 제2 배기구멍에 의해 상기 배기조 내와 연통되며, 상기 제1 배기관은 상기 배기조 내와 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 내조에 설치된 가열수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 외조,
    상기 외조 내부에 배치된 내조,
    상기 내조 내부와 연통하는 반응가스 도입관,
    상기 외조에 형성된 제1 배기구멍,
    상기 내조 내부에 배치된 기판재치부,
    상기 내조의 일부를 구성하는 내조 구성부재에서 상기 기판재치부를 둘러싸고 있으면서, 상기 기판재치부에 장착되어 배치된 상기 내조구성부재,
    상기 내조구성부재에 배치된 제2 배기구멍에서, 상기 기판재치부를 둘러싸면서 상기 내조에 형성된 제2 배기구멍
    을 가지며,
    상기 내조는 상기 제2 배기구멍을 통해 상기 외조와 연통하고, 상기 제1 배기구멍은 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 경우에 상기 기판재치부의 거의 중앙부에 위치하고 있는 것
    을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 외조,
    상기 외조 내부에 배치된 내조,
    상기 내조 내부와 연통하는 반응가스 도입관,
    상기 외조에 형성된 제1 배기구멍,
    상기 내조 내부에 배치된 기판재치부,
    상기 내조의 일부를 구성하는 내조 구성부재에서 상기 기판재치부를 둘러싸고 있으면서, 상기 기판재치부에 장착되어 배치된 상기 내조구성부재,
    상기 내조구성부재에 배치된 제2 배기구멍에서, 상기 기판재치부를 둘러싸면서 상기 내조에 형성된 제2 배기구멍,
    상기 외조 내에 배치된 배기조,
    상기 배기조에 형성된 제3 배기구멍
    을 가지며,
    상기 배기조는 상기 내조의 하부에 배치되고, 상기 내조 내부는 상기 제2 배기구멍을 통해 상기 배기조 내부와 연통하며, 상기 제3 배기구멍은 상기 기판재치부를 평면에서 보았을 경우에 상기 기판재치부의 거의 중앙부에 위치하고 있는 것
    을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제1항 내지 제8항, 제11항, 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판처리장치는 플라즈마 처리장치인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판처리장치는 플라즈마 CVD장치인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1019990041327A 1995-01-27 1999-09-27 기판처리장치 KR100275918B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990041327A KR100275918B1 (ko) 1995-01-27 1999-09-27 기판처리장치

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3150895 1995-01-27
JP95-31508 1995-01-27
KR1019960001800A KR100253134B1 (ko) 1995-01-27 1996-01-27 기판처리장치
KR1019990041327A KR100275918B1 (ko) 1995-01-27 1999-09-27 기판처리장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960001800A Division KR100253134B1 (ko) 1995-01-27 1996-01-27 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100275918B1 true KR100275918B1 (ko) 2000-12-15

Family

ID=26369986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990041327A KR100275918B1 (ko) 1995-01-27 1999-09-27 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100275918B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2475621B (en) * 2009-11-20 2012-10-24 Ali Waqar Majeed Cleaning apparatus
KR102406835B1 (ko) * 2020-12-08 2022-06-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 도금 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6295828A (ja) * 1985-10-23 1987-05-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH01211930A (ja) * 1987-10-23 1989-08-25 Fujitsu Ltd 熱処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6295828A (ja) * 1985-10-23 1987-05-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH01211930A (ja) * 1987-10-23 1989-08-25 Fujitsu Ltd 熱処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2475621B (en) * 2009-11-20 2012-10-24 Ali Waqar Majeed Cleaning apparatus
KR102406835B1 (ko) * 2020-12-08 2022-06-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 도금 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100253134B1 (ko) 기판처리장치
JP3002448B1 (ja) 基板処理装置
KR100624273B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US5891251A (en) CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber
KR100234661B1 (ko) 이방성 에칭장치
KR100294401B1 (ko) 반도체처리중에반도체기판의 전체로 열을전달하기위한방법및장치
KR100443415B1 (ko) 열처리장치
US5653808A (en) Gas injection system for CVD reactors
US6828243B2 (en) Apparatus and method for plasma treatment
US5015330A (en) Film forming method and film forming device
KR100446875B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
US20130072002A1 (en) Batch-Type Remote Plasma Processing Apparatus
KR20030029249A (ko) 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치
JP2011253821A (ja) ワークピース製造装置
KR20040100196A (ko) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
JPH08260158A (ja) 基板処理装置
JPH09320799A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20180014656A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
EP2202785A1 (en) Plasma treatment apparatus, plasma treatment method, and semiconductor element
KR100275918B1 (ko) 기판처리장치
KR101039524B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2990551B2 (ja) 成膜処理装置
CN112166490A (zh) 基板处理装置及喷淋头
JPH11204443A (ja) 枚葉式の熱処理装置
US20080087220A1 (en) Plasma Processing Apparatus and Multi-Chamber System

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee