KR101129099B1 - 반도체 처리용 포집 유닛 및 성막 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 처리 장치의 배기 통로에, 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하기 위한 포집 유닛이 배치된다. 포집 유닛은, 케이싱 내에 착탈 가능하게 배치된 부생성물의 부분을 포집하기 위한 트랩 본체를 포함한다. 트랩 본체는, 배기 가스의 흐름의 방향을 따라 배열된 복수의 핀을 포함하고, 각 핀은, 부생성물의 부분이 부착되는 것에 의해 트랩되는 표면을 갖는다. 포집 유닛은 또한, 케이싱 내에 배치된, 트랩 본체 또는 케이싱의 내면으로부터 박리된 부생성물의 부분을, 케이싱의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 수취 기구를 포함한다. 수취 기구는, 그 위에 저류된 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용한다.
포집 유닛, 케이싱, 성막 장치, 트랩 본체, 부생성물

Description

반도체 처리용 포집 유닛 및 성막 장치 {COLLECTOR UNIT AND FILM FORMATION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판을 처리하는 반도체 처리 장치에 사용되는 포집 유닛 및 상기 포집 유닛을 사용한 반도체 처리용 성막 장치에 관한 것이다. 여기서, 반도체 처리라 함은, 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display)와 같은 FPD(Flat Panel Display)용 글래스 기판 등의 피처리 기판 상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성하는 것에 의해, 상기 피처리 기판 상에 반도체 디바이스나, 반도체 디바이스에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해 실시되는 다양한 처리를 의미한다.
반도체 집적 회로를 구성하는 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리 기판, 예를 들어 반도체(예를 들어 실리콘) 웨이퍼에, 성막, 에칭, 산화, 확산, 개질, 어닐, 자연 산화막의 제거 등의 각종 처리가 실시된다. 한번에 다수매의 반도체 웨이퍼에 대해 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 성막 처리를 실시할 수 있는 장치로서, 종형의(소위 뱃치식의) 성막 장치가 있다.
이 종형 성막 장치에서는, 우선, 반도체 웨이퍼가 웨이퍼 카세트로부터 종형 의 웨이퍼 보트 상에 이동 적재되고, 다단으로 지지된다. 웨이퍼 카세트에는, 예를 들어 25매의 웨이퍼를 수용할 수 있고, 웨이퍼 보트에는 30 내지 150매의 웨이퍼를 적재할 수 있다. 다음에, 웨이퍼 보트가 핫월형의 처리 용기의 하방으로부터 그 내부에 로드되는 동시에, 처리 용기가 기밀하게 폐쇄된다. 다음에, 처리 가스의 유량, 처리 압력, 처리 온도 등의 각종 처리 조건이 제어된 상태에서, 소정의 성막 처리가 행해진다.
성막 처리에 의해 생성되는 반응 생성물은, 반도체 웨이퍼의 표면뿐만 아니라, 예를 들어, 처리 용기의 내면이나 각종 지그 등에도, 부생성물막으로서 퇴적(부착)된다. 부생성물막이 처리 용기 내에 부착된 상태에서 성막 처리를 계속 행하면, 처리 용기를 구성하는 석영과 부생성물막과의 열팽창률의 차이에 의해 발생하는 응력에 의해 석영이나 부생성물막이 부분적으로 박리된다. 이것에 의해 파티클이 발생하여, 제조되는 반도체 디바이스의 수율을 저하시키거나, 혹은 처리 장치의 부품을 열화시키는 원인으로 된다.
이로 인해, 성막 처리를 복수회 행한 후, 처리 용기 내의 클리닝이 행해진다. 종래는, 처리 용기를, 예를 들어, 불화수소(HF) 용액으로 습식 클리닝하는 것이 일반적이었다. 이 경우, 습식 에칭에 의해 부생성물막이 제거된다. 그러나, 습식 클리닝에서는, 처리 용기를 떼어내어 수작업으로 클리닝하고, 다시 조립 및 조정하는 작업이 필요하다. 또한, 성막 장치를 장기간 정지해야만 하기 때문에, 큰 다운 타임이 발생하여, 가동률이 저하된다.
이러한 관점으로부터, 최근에는, 처리 용기의 분해를 수반하지 않는 건식 클 리닝이 일반적으로 사용된다. 이 건식 클리닝에서는, 히터에 의해 소정의 온도로 가열된 처리 용기 내에, 클리닝 가스, 예를 들어, 불소와 할로겐 함유 산성 가스와의 혼합 가스가 공급된다. 처리 용기의 내면 등에 부착된 부생성물막은, 클리닝 가스에 의해 건식 에칭되어, 제거된다. 또한, 이와 같은 클리닝 처리의 경향은, 뱃치식의 성막 장치뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼를 1매씩 처리하는 매엽식의 성막 장치에 있어서도 마찬가지이다.
예를 들어, 일본 특허 공개 평3-31479호 공보, 일본 특허 공개 평4-155827호 공보, 일본 특허 공개 평6-151396호 공보, 및 일본 특허 공개 제2004-343095호 공보는, 이러한 종류의 클리닝 처리에 관한 기술을 개시한다.
상술한 바와 같은 성막 장치에 있어서는, 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스 중에는, 성막에 의해 발생한 부생성물이 포함된다. 이 때문에, 부생성물을 배기 가스 중으로부터 포집하여 제거하기 위해, 처리 용기에 접속되는 배기계에는, 부생성물을 제거하는 포집 유닛이 배치된다.
도11은 성막 가스로서 예를 들어 TEOS(테트라에틸올소실리케이트)를 이용하여 SiO2의 박막을 퇴적할 때에 이용되는 종래의 포집 유닛의 일례를 나타내는 단면도이다. 도시하는 바와 같이, 포집 유닛(2)은, 원통 부재 형상의 케이싱(4)과, 이 내부에 배치되는 트랩 본체(6)에 의해 주로 구성된다. 케이싱(4)은, 일단부에는 가스 입구(4A)가 형성되고, 타단부에는 볼트(8)에 의해 착탈 가능하게 이루어진 덮개체(10)가 배치된다. 이 덮개체의 중앙부에 가스 출구(4B)가 형성된다.
트랩 본체(6)는, 복수의 원형 링 형상의 금속제의 핀(12)을 지지 로드(14)에 의해 소정의 간격으로 연결하여 지지하는 것에 의해 구성되고, 그 상류측에 반구 형상의 커버(16)가 배치된다. 또한, 트랩 본체(6)의 하류측은 덮개체(10)에 장착하여 지지된다.
상기 구성에 있어서, 성막시에는 처리 용기측으로부터 배출된 배기 가스는, 가스 입구(4A)로부터 포집 유닛(2)의 케이싱(4) 내로 들어간다. 이 배기 가스는 각 핀(12)의 표면과 접촉하면서, 이 링 형상의 핀(12)의 중심부를 통해 가스 출구(4B)로부터 배출되어 간다. 이때, 이 배기 가스 중에 포함되는 부생성물이 각 핀(12)의 표면에 부착되어 트랩되고, 배기 가스 중으로부터 제거된다.
이 경우, 부생성물은, 주로 각 핀(12)에 의해 트랩되지만, 이 배기 가스가 접촉하는 부분에서는 어디라도 부착된다. 따라서, 커버(16)의 표면이나 케이싱(4)의 내벽면 등에도 어느 정도의 부생성물이 부착되어 배기 가스 중으로부터 제거된다.
상술한 바와 같이 트랩된 부생성물은, 처리 용기 내를 클리닝할 때에 흐르는 ClF3 가스나 HF 가스 등의 클리닝 가스에 의해, 처리 용기 내의 부생성물과 함께 제거된다. 이것에 의해, 포집 유닛(2) 내가 폐색되는 것이 방지된다.
본 발명은, 포집한 부생성물을 단시간에 또한 효율적으로 제거하는 것이 가능한 반도체 처리용 포집 유닛 및 상기 포집 유닛을 사용한 반도체 처리용 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 시점은, 반도체 처리 장치의 배기 통로에 배치되고, 그 내부를 흐르는 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하기 위한 포집 유닛이며, 가스 입구와 가스 출구를 갖고 또한 상기 배기 통로의 일부를 형성하도록 배치되는 케이싱과, 상기 케이싱 내에 착탈 가능하게 배치된 상기 배기 가스 중의 상기 부생성물의 부분을 포집하기 위한 트랩 본체와, 상기 케이싱 내에 배치된, 상기 트랩 본체 또는 상기 케이싱의 내면으로부터 박리된 상기 부생성물의 부분을, 상기 케이싱의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 수취 기구를 구비하고, 상기 트랩 본체는, 상기 배기 가스의 흐름의 방향을 따라 배열된 복수의 핀을 구비하고, 각 핀은, 상기 부생성물의 부분이 부착되는 것에 의해 트랩되는 표면을 갖고, 상기 수취 기구는, 그 위에 저류된 상기 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용한다.
본 발명의 제2 시점은, 반도체 처리용 성막 장치이며, 피처리 기판을 수납하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와, 상기 처리 용기 내 를 배기하는 배기계와, 상기 처리 용기 내에 성막 가스를 공급하는 성막 가스 공급계와, 상기 처리 용기 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계를 구비하고, 상기 배기계는, 배기 통로에 배치되고, 그 내부를 흐르는 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하기 위한 포집 유닛을 포함하고, 상기 포집 유닛은, 가스 입구와 가스 출구를 갖고 또한 상기 배기 통로의 일부를 형성하도록 배치되는 케이싱과, 상기 케이싱 내에 착탈 가능하게 배치된 상기 배기 가스 중의 상기 부생성물의 부분을 포집하기 위한 트랩 본체와, 상기 케이싱 내에 배치된, 상기 트랩 본체 또는 상기 케이싱의 내면으로부터 박리된 상기 부생성물의 부분을 상기 케이싱의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 수취 기구를 구비하고, 상기 트랩 본체는, 상기 배기 가스의 흐름의 방향을 따라 배열된 복수의 핀을 구비하고, 각 핀은, 상기 부생성물의 부분이 부착되는 것에 의해 트랩되는 표면을 갖고, 상기 수취 기구는, 그 위에 저류된 상기 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 상기 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용한다.
본 발명의 추가 목적 및 이점들은 다음의 상세한 설명에 개시될 것이며, 부분적으로는 상세한 설명으로부터 명백할 것이고 또는 본 발명의 실시에 의해 학습될 수도 있다. 본 발명의 목적 및 이점들은 특별히 이후에 지시되는 수단들 및 조합들에 의해 인식되고 얻어질 수도 있다.
본 명세서에 합체되고 일부로 구성되는 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들을 나타내고 있고, 상기한 일반적인 설명과 함께 하기되는 실시예들의 상세한 설명은 본 발명의 원리들을 설명하는 것으로 제공된다.
본 발명에 따르면, 포집 유닛의 내부에 부생성물의 수취 부재를 배치함으로써 부생성물을 효율적으로 배제할 수 있고, 포집한 부생성물을 클리닝시에 단시간에 또한 효율적으로 확실하게 제거할 수 있다.
본 발명자 등은, 본 발명의 개발의 과정에서, 전술한 도11에 도시하는 바와 같은 배기계의 포집 유닛에 관련하여 발생하는 문제점에 대해 연구했다. 그 결과, 본 발명자 등은, 이하에 서술하는 바와 같은 지견을 얻었다.
상술한 바와 같이, 포집 유닛(2) 내부는, 처리 용기 내를 클리닝하는 것에 의해 동시에 클리닝된다. 각 핀(12)의 표면 등에 부착되는 부생성물을 제거하기 위해서는, 예를 들어 3시간 정도 클리닝 가스를 흘리면 좋다.
그러나, 이 클리닝 처리가 어느 정도 진행되면, 포집 유닛(2)의 각 핀(fin)(12)이나 커버(16)의 표면이나 케이싱(4)의 내벽면 등에 부착되는 부생성물의 점착력이 저하되어, 그곳으로부터 박리되어 낙하하는 경우가 있다. 도11에서는, 포집 유닛(2)이 횡 배치로 설치되는 상태를 도시하고, 낙하한 부생성물(M1)이 케이싱(4)의 바닥부(도11 중에 있어서 하부)에 두껍게 퇴적된다.
이와 같이, 부생성물(M1)이 두껍게 퇴적되면, 부생성물(M1)이 클리닝 가스와 접촉하는 면적이, 그 퇴적량과 비교하여 매우 적어진다. 부생성물(M1)을 완전히 제거하기 위해서는, 장시간, 예를 들어 낙하한 양에도 의존하지만, 또한 10시간 이상에 걸쳐 클리닝 가스를 계속 흘릴 필요가 있다. 이 때문에, 클리닝 시간이 과도 하게 길어져 장치의 가동률이 저하된다.
케이싱(4)의 덮개체(10)를 장착하고 있는 볼트(8)를 느슨하게 하여 분해하고, 트랩 본체(6)를 케이싱(4) 내로부터 취출하여 세정액으로 클리닝할 수 있다. 이 경우에는, 작업이 지나치게 대규모가 되어 유지 보수가 힘들어지는 동시에, 클리닝 시간이 과도하게 길어져 장치의 가동률이 저하된다.
이하에, 이와 같은 지견을 기초로 하여 구성된 본 발명 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일 부호를 붙이고, 중복 설명은 필요한 경우에만 행한다.
도1은 본 발명 실시 형태에 관한 성막 장치(종형 CVD 장치)를 도시하는 단면도이다. 이 성막 장치(22)는, 내측 통(24)과 외측 통(26)으로 이루어지는 석영제의 2중관 구조의 종형의 처리 용기(28)를 갖는다. 내측 통(24) 내에는, 피처리 기판을 보유 지지하기 위한 석영제의 웨이퍼 보트(30)가 수용된다. 웨이퍼 보트(30)에는 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 간격으로 다단으로 보유 지지된다. 또한, 이 간격은, 일정한 경우도 있고, 웨이퍼 위치에 따라 다른 경우도 있다.
처리 용기(28)의 하단 개구부에는, O링 등의 밀봉 부재(34)를 통해 예를 들어 스테인레스제의 통 부재 형상의 매니폴드(32)가 접속된다. 매니폴드(32)의 하단 개구부에는, 이 개구부를 개폐하기 위해 O링 등의 밀봉 부재(36)를 통해 덮개체(38)가 배치된다. 덮개체(38)에는 자성 유체 밀봉(40)을 통해 관통하는 회전 축(42)이 배치된다. 회전축(42)의 상단부에 회전 테이블(44)이 배치되고, 테이블(44) 상에 석영제의 보온통(46)이 배치되고, 보온통(46) 상에 웨이퍼 보트(30)가 적재된다. 회전축(42)은 승강 가능한 보트 엘리베이터(48)의 아암(48A)에 장착되고, 덮개체(38)나 웨이퍼 보트(30) 등과 일체적으로 승강 가능하다. 웨이퍼 보트(30)는 처리 용기(28) 내로 그 하방으로부터 삽입 분리 가능하게 이루어진다. 또한, 웨이퍼 보트(30)를 회전하지 않고, 이것을 고정 상태로 해도 좋다. 또한, 매니폴드(32)의 부분이 처리 용기와 일체적으로 석영으로 형성되는 경우도 있다.
매니폴드(32)에는, 처리 용기(28) 내로 소정의 가스를 공급하는 가스 공급 기구(50)가 배치된다. 구체적으로는, 가스 공급 기구(50)는, 매니폴드(32)를 관통하는 복수개, 도시예에서는 3개의 노즐(50A, 50B, 50C)을 갖고, 필요에 따라서 각 노즐(50A 내지 50C)로부터 유량 제어된 각종 가스를 공급할 수 있다. 여기서는, 예를 들어 SiO2막의 박막을 성막하기 위한 TEOS 가스, 클리닝 가스로서 이용하는 HF 가스, 캐리어 가스나 퍼지 가스 등으로서 이용하는 N2 가스를 각각 공급할 수 있다. 또한, 상기 가스 종류에 한정되지 않고, 퇴적하는 박막의 종류에 대응하여 다양한 가스가 이용된다.
각 노즐(50A, 50B, 50C)로부터 공급된 각 가스는, 내측 통(24) 내의 처리 공간인 웨이퍼의 처리 영역을 상승하여 천장부에서 하방으로 되돌아온다. 그리고 내측 통(24)과 외측 통(26)과의 간극 내를 흘러내려 외측 통(26)의 바닥부 측벽에 형성한 배기구(52)로부터 배출된다.
또한, 처리 용기(28)의 외주에는, 원통 형상의 단열층(54)이 배치된다. 이것의 내측에는 히터(56)가 배치되고, 내측에 위치하는 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열한다.
처리 용기(28)의 바닥부 측벽에 형성한 배기구(52)에는, 처리 용기(28) 내를 진공 배기하기 위한 배기계(60)가 배치된다. 구체적으로는, 배기계(60)는, 배기구(52)에 접속되어 배기 가스를 흘리는 예를 들어 스테인레스로 이루어지는 배기 통로(62)를 갖는다. 배기 통로(62)의 도중에, 이것에 흐르는 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하는 포집 유닛(64)이 배치된다. 또한, 배기 통로(62)의 도중에, 처리 용기(28) 내를 진공 배기하는 진공 펌프(66)가 배치된다.
배기계(60)의 전체는, 착탈 가능하게 이루어진 가열 재킷(68)에 의해 덮인다. 이것에 의해, 전체를 가열하는 것에 의해 박막의 성막시에는 배기 가스 중의 부생성물이 부착되는 것을 방지한다. 또한, 클리닝시에는 부생성물과 클리닝 가스와의 반응을 촉진시킨다. 또한, 반응에 의해 생긴 수분을 증발시켜 배관 등의 구성 재료의 부식을 방지한다.
포집 유닛(64)은 배기 통로(62)의 가장 상류측에 위치되고, 그 하류측에 진공 펌프(66)가 배치된다. 진공 펌프(66)의 바로 상류측의 배기 통로(62)에는, 압력 제어용 가스 공급 노즐(70)이 배치된다. 가스 공급 노즐(70)로부터 유량 제어하면서 불활성 가스로서 예를 들어 N2 가스를 공급한다. 이것에 의해, 진공 펌프(66)에 진공 배기되는 처리 용기(28) 내의 가스량을 변화시키고, 처리 용기(28) 내의 압력 제어를 행한다. 압력 제어용 가스 공급 노즐(70) 대신에, 예를 들어 버터플라이 밸브로 이루어지는 압력 제어 밸브를, 배기 통로(62)의 도중에 배치해도 좋다. 또한, 배기 통로(62)의 도중에는, 각 부재의 설치상의 이유나 공간상의 이유 등에 의해, 배기 통로(62)를 예를 들어 직각으로 굴곡시킨 크랭크부(72)를 불가피적으로 설치해야만 하는 경우도 있다.
도2는 도1에 도시하는 장치의 포집 유닛을 도시하는 단면도이다. 도3은 도2에 도시하는 포집 유닛의 분해 조립도이다. 도4는 도2에 도시하는 포집 유닛의 일부를 구성하는 트랩 본체를 도시하는 단면도이다. 도5a, 도5b는 도2 중 VA-VA선 및 VB-VB선의 화살표 단면도이다. 포집 유닛(64)은, 용기 형상으로 이루어진 케이싱(74)과, 케이싱(74) 내에 착탈 가능하게 배치되고 배기 가스 중의 부생성물을 포집하기 위한 트랩 본체(76)를 갖는다.
케이싱(74)은, 예를 들어 전체가 스테인레스로 이루어지는 원통 부재 형상으로 성형된 케이싱 본체(78)를 갖는다. 케이싱 본체(78)의 하류측의 개구부에, 볼트(81)에 의해 착탈 가능하게 덮개체(80)가 장착된다. 케이싱 본체(78)의 상류측은, 그 단면적이 점차 직경 축소되고 그 선단부는 가스 입구(74A)로서 구성된다. 그리고, 가스 입구(74A)에 형성된 플랜지부(82)에 배기 통로(62)의 상류측이 접속된다. 덮개체(80)는, 중앙에 큰 개구부를 갖고, 이것이 가스 출구(74B)로서 구성된다. 그리고, 가스 출구(74B)에 형성된 플랜지부(84)에 배기 통로(62)의 하류측이 접속된다. 가스 입구(74A)로부터 유입된 배기 가스를, 케이싱 본체(78) 내에 흘려서 가스 출구(74B)보다 하류측으로 배출한다.
트랩 본체(76)는, 예를 들어 스테인레스로 이루어지는 복수의 원형 링 형상(도넛 형상)의 핀(86)(도4 및 도5a 참조)을 갖는다. 이들의 복수의 핀(86)은, 소정의 간격의 동일 간격(P1)으로 서로 평행하게 배열되고, 각 핀(86)을 관통하도록 하여 설치한 복수의 지지 로드(88)에 의해 지지된다. 도2 중에는, 2개의 지지 로드(88)가 도시되지만, 실제로는, 도5a에 도시하는 바와 같이 핀(86)의 주위 방향으로 동일 간격으로 배치한 3개의 지지 로드(88)가 배치된다. 간격(P1)은 예를 들어 0.5 내지 2 ㎜ 정도이고, 핀(86)의 수는 트랩 본체(76)의 길이에도 의존하지만, 예를 들어 100매 정도이다.
지지 로드(88)의 상류측에는, 예를 들어 반원 형상, 혹은 곡면 형상(돔 형상)으로 이루어진 커버(90)가 장착된다. 이것에 의해, 상류측으로부터 흘러오는 배기 가스가 직접적으로 각 링 형상의 핀(86)의 중심 유로로 유입되지 않도록 된다. 각 지지 로드(88)의 하류측은 케이싱(74)의 덮개체(80)에 접속 고정된다. 따라서, 도3에 도시하는 바와 같이, 덮개체(80)를 고정하는 볼트(81)를 느슨하게 하여 떼어내는 것에 의해, 트랩 본체(76)는, 덮개(80)와 일체적으로 케이싱 본체(78)에 대해 착탈 가능하게 된다.
트랩 본체(76)에는, 지지 로드(88)와 평행하도록 각 핀(86)을 관통하여 로드 형상의 트랩 히터(92)가 배치된다(도2 및 도3 참조). 트랩 히터(92)는, 로드 형상의 복수개의 카트리지 히터(92A)로 이루어지고, 도5a에 도시하는 바와 같이, 여기서는 핀(86)의 주위 방향으로 동일 간격으로 3개 배치된다. 각 카트리지 히터(92A)에는 온도 계측용의 도시하지 않은 열전대가 배치된다. 이것에 의해, 클리 닝시에 각 핀(86)을 포함하는 트랩 본체(76)를 소정의 온도로 제어하면서 가열할 수 있다. 또한, 도2 및 도3에서는 카트리지 히터는 1개만 도시한다.
포집 유닛(64) 내에, 클리닝 가스를 흘리고 있을 때에 낙하하는 부생성물을 낙하 도중에 수취하기 위해, 수취 기구(96)가 배치된다. 도2에 도시하는 경우에는, 포집 유닛(64)은 그 길이 방향이 수평 방향이 되도록 횡 배치로 설치된다. 수취 기구(96)는 상하 방향에 대해 일단, 혹은 복수단에 걸쳐 배치된 수취 부재를 갖는다. 구체적으로는, 여기서는 도2 및 도5a, 도5b에 도시하는 바와 같이, 수취 기구(96)는 변칙적으로 3단에 걸쳐 배치된 수취 부재를 갖는다. 즉, 케이싱(74)의 원통 형상의 케이싱 본체(78)의 바닥부측(도면 중에 있어서 하방측)의 대략 반원부에는, 이 내벽면을 따라 이 내벽면으로부터 소정의 간격을 두고 바닥부 수취 부재(96A)가 배치된다. 바닥부 수취 부재(96A)는, 단면이 대략 반원 형상으로 이루어져 있고(도5a 참조), 도2에 도시하는 바와 같이 케이싱 본체(78)의 길이 방향의 대략 전역에 걸쳐 배치된다.
바닥부 수취 부재(96A)의 상단부는, 대략 90도로 외측으로 굴곡되어 선반부(98)를 형성한다. 선반부(98)의 측면 단부를 케이싱 본체(78)의 내벽면에 접속 고정하는 것에 의해 바닥부 수취 부재(96A)가 지지된다. 바닥부 수취 부재(96A)에 의해, 클리닝 처리 중에 상방으로부터 낙하해 오는 부생성물을 케이싱 본체(78)의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취할 수 있다. 바닥부 수취 부재(96A)는, 다수의 통기 구멍(100)을 갖고, 예를 들어 스테인레스제의 금속 메쉬[금망(金網)]나 펀칭 메탈 부재 등으로 이루어진다. 이것에 의해, 부생성물이 부착되어도 배기 가스나 클 리닝 가스를 그다지 저항 없이 통과시킬 수 있고, 즉 배기 컨덕턴스를 그다지 저하시키는 일이 없다. 이 점은, 후술하는 모든 수취 부재도 마찬가지인 구성으로 되어 있다.
트랩 본체(76)의 커버(90)의 표면에는, 소정의 간격을 두고 상하 2단의 상류 수취 부재(96B, 96C)가 수평 방향으로 연장시켜 배치된다(도5b 참조). 커버(90)는, 이 표면에 배기 가스가 직접적으로 닿기 때문에, 트랩되는 부생성물이 많다. 이 때문에, 상술한 바와 같이 상류 수취 부재(96B, 96C)를 설치하고, 클리닝시에 커버(90)의 표면을 미끄러 떨어져 오는 부생성물을 수취한다. 상류 수취 부재(96B, 96C)는, 모두 스테인레스제의 금속 메쉬나 펀칭 메탈 부재 등의 통기 구멍(100)을 갖는 부재로 이루어진다. 또한, 상류 수취 부재는, 1단으로 해도 좋고, 3단 이상 설치하도록 해도 좋다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 장치를 이용하여 행해지는, TEOS를 이용하여 SiO2막을 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 성막하는 처리에 대해 설명한다.
성막 장치(22)에 있어서, 반도체 웨이퍼(W)가 로드되어 있지 않은 대기 상태일 때에는, 처리 용기(28)는 프로세스 온도보다 낮은 온도로 유지된다. 처리시에는, 우선, 미처리의 다수매의 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(30)에 소정의 간격으로 다단으로 보유 지지시킨다. 이 웨이퍼 보트(30)를, 보트 엘리베이터(48)를 상승 구동하는 것에 의해, 처리 용기(28) 내에 그 하방으로부터 삽입한다. 또한, 덮개체(38)로 처리 용기(28)의 하단 개구부를 폐쇄하는 것에 의해 처리 용기(28) 내를 밀폐한다.
다음에, 히터(56)로의 공급 전압을 증가하여 웨이퍼(W)를 소정의 처리 온도까지 승온하는 동시에, 배기계(60)에 의해 처리 용기(28) 내를 진공 배기한다. 이것과 동시에, 가스 공급 기구(50)의 소정의 노즐(50A)로부터 유량 제어된 TEOS 가스를 처리 용기(28) 내로 도입한다. 이 TEOS 가스는, 처리 용기(8) 내를 상승하면서 열분해 반응하여 웨이퍼(W)의 표면에 SiO2막을 퇴적하여 형성한다.
이 성막 중에 있어서, 상술한 바와 같이 처리 용기(28) 내의 분위기는 배기계(60)의 진공 펌프(66)의 구동에 의해 진공 배기된다. 처리 용기(28)의 배기구(52)로부터 배출된 배기 가스는, 배기 통로(62) 내를 흘러 포집 유닛(64) 및 진공 펌프(66)를 통과하고, 또한 하류측으로 흘러간다. 이 배기 가스 중에는, SiO2의 성막 반응에 의해 생긴 부생성물이 포함되어 있다. 이 때문에, 배기 가스가 포집 유닛(64) 내를 흐를 때에, 배기 가스로부터 부생성물이 제거된다.
포집 유닛(64) 이외의 부분에서 부생성물이 부착 퇴적되는 것을 방지하기 위해, 배기계(60)를 덮어 설치한 가열 재킷(68)을 동작하고, 전체를 예를 들어 150 ℃ 정도로 가열해 둔다. 가스 입구(74A)로부터 들어간 배기 가스는, 케이싱(74)의 케이싱 본체(78) 내를 하류측을 향해 흐르면서, 도4에 도시하는 화살표 104로 나타내는 바와 같이 트랩 본체(76)의 각 핀(86) 사이를 중심을 향해 통과한다. 그 후, 배기 가스는, 덮개체(80)에 형성한 가스 출구(74B)로부터 하류측을 향해 흘러간다. 이와 같이 배기 가스가 포집 유닛(64) 내를 흐를 때에, 배기 가스가 접촉하는 부분 에서, 배기 가스 중의 부생성물이 부착 퇴적되고, 즉 트랩되어 이것이 배기 가스 중으로부터 제거된다.
이 부생성물은 주로 각 핀(86)의 표면에 다량으로 부착되어 제거(트랩)된다. 또한, 배기 가스와 직접 접촉하는 커버(90)의 표면, 트랩 본체(76)의 내벽면 및 각 수취 부재(96A 내지 96C)에도 부생성물이 각각 부착되어 제거된다. 이 부생성물은, SiO2 성분을 주체로 한 재료이다. 트랩 본체(76)에 냉매를 흘리는 냉각 수단을 설치하고, 이것을 냉각해 두면 부생성물을 보다 효율적으로 제거할 수 있다.
상기한 성막 처리를 완료한 후, TEOS 가스의 공급을 정지하고, 처리 용기(28) 내의 잔류 가스를 N2 가스 등에 의해 퍼지하여 배출한다. 그리고, 웨이퍼 보트(30)를 하방으로 강하시켜 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취출한다.
이와 같은 일련의 성막 처리를 반복하여 행하는 것에 의해, 내부 구조물, 예를 들어 내측 통(24)이나 외측 통(26)을 포함하는 처리 용기(28)의 표면, 웨이퍼 보트(30)의 표면, 보온통(46)의 표면에는 불필요한 막(TEOS에 의한 SiO2막)이 부착된다. 이 때문에, 정기적, 혹은 부정기적으로, 이들 불필요한 막을 깎아내어 제거하기 위한 클리닝 처리가 행해진다. 이 클리닝 처리에서는, 웨이퍼 보트(30)에 웨이퍼(W)를 보유 지지하지 않은 상태에서(빈 상태에서), 이것을 처리 용기(28) 내에 삽입하여 내부를 밀봉 상태로 한다.
그리고, 처리 용기(28) 내의 온도를 소정의 온도로 유지한 상태에서, 노즐(50B)로부터 클리닝 가스로서 HF 가스를 유량 제어하면서 처리 용기(28) 내로 도 입한다. 이것과 동시에, 노즐(50C)로부터 유량 제어하면서 희석 가스로서 N2 가스를 처리 용기(28) 내로 도입한다.
이와 같이, 처리 용기(8) 내로 도입된 HF 가스는, 처리 용기(28) 내를 흐르면서 보온통(46), 웨이퍼 보트(30), 내측 통(24), 외측 통(26)의 각 표면에 접촉한다. 이것에 의해, 여기에 부착되는 TEOS에 의한 실리콘 산화막(SiO2)을 에칭에 의해 깎아내고, 이것을 클리닝한다. 클리닝 가스는 진공 배기하는 배기계(60) 내로 흘러가고, 배기계(60) 내에 부착되는 SiO2를 주성분으로 하는 부생성물과도 반응하여, 이것을 제거해 간다.
이때, 클리닝 가스인 HF 가스는 SiO2와 하기 식과 같이 반응하고, 발생한 SiF4가 기체로 되어 날아가, 부생성물이 제거되어 간다.
4HF + SiO2 → SiF4 + 2H2O
상기 반응을 촉진시키고, 또한 발생한 수분(H2O)을 증발시켜 구성 재료인 스테인레스의 부식을 방지하기 위해, 가열 재킷(68)을 동작하고, 예를 들어 배기계(60)의 전체를 150 ℃ 정도로 유지한다. 또한 포집 유닛(64)에 있어서도, 트랩 히터(92)를 구동하여 트랩 본체(76)를 예를 들어 100 ℃ 정도로 가열한다. 이 클리닝시의 프로세스 조건의 일례는 이하와 같다. 처리 용기의 온도 : 500 ℃, 처리 용기 내의 압력 : 150 Torr, 가스 유량 : HF/N2 = 3/3 리터, 배기 통로의 온도 : 150 ℃.
이와 같이 하여 클리닝 처리가 어느 정도 진행되면, 포집 유닛(64) 내의 부생성물의 점착력이, 반응에 의해 발생한 수분에 의해 저하되어, 부착면으로부터 박리되어 낙하한다. 이 경우, 종래의 포집 유닛에서는 도11에 도시하는 바와 같이 바닥부에 부생성물이 산과 같이 퇴적된다. 이것을 완전히 제거하기 위해서는 장기간을 요하거나, 혹은 완전하게는 제거되지 않는 경우에는, 포집 유닛 자체를 분해하여 세정해야만 한다.
이것에 반해, 본 실시 형태에서는, 부착면으로부터 박리되어 낙하한 부생성물은, 낙하 도중에, 포집 유닛(64) 내에 설치한 각 수취 기구(96)의 각 수취 부재(96A 내지 96C) 위에 수취되고, 부생성물(M2)로서 저류된다. 도6a 내지 도6c는, 도5a, 도5b, 및 도2에 각각 대응하는 단면에 있어서의, 부생성물이 각 수취 부재 상에 저류되었을 때의 상태를 도시하는 단면도이다.
도6a 내지 도6c에 도시하는 바와 같이, 케이싱 본체(78)의 바닥부에 설치한 바닥부 수취 부재(96A) 위 및 트랩 본체(76)의 커버(90)에 설치한 상하 2단의 상류 수취 부재(96B, 96C) 위에는, 부착면으로부터 박리되어 낙하해 온 부생성물(M2)이 다량으로 퇴적된다. 그러나, 각 수취 부재(96A 내지 96C)는, 통기 구멍(100)을 갖는 금망 부재나 펀칭 메탈 부재 등에 의해 형성되기 때문에, 각 수취 부재(96A 내지 96C) 위에 수취되는 부생성물(M2)의 상면 및 하면의 양면이 클리닝 가스와 항상 접촉한다. 즉, 부생성물(M2)의 클리닝 가스와의 접촉 면적이 도11에 도시하는 부생성물(M1)의 경우보다도 훨씬 넓은 상태로 유지된다. 이 때문에, 클리닝 가스와의 반응이 촉진되고, 그만큼, 부생성물을 효율적으로 제거하는 것이 가능하게 된 다.
이와 같이, 포집 유닛(64)의 내부에, 클리닝시에 낙하해 오는 부생성물을 낙하 도중에 수취하는 수취 부재(96A 내지 96C)가 배치된다. 이 때문에, 낙하한 후라도 이 부생성물은 클리닝 가스로 효율적으로 접촉하는 상태로 노출된다. 이것에 의해, 부생성물(M2)을 효율적으로 배제할 수 있고, 결과적으로, 포집한 부생성물을 클리닝시에 단시간에 또한 효율적으로 확실하게 제거할 수 있다.
<실험>
도2 등에 도시하는 수취 기구(96)를 설치한 포집 유닛(64)과, 도11에 도시하는 포집 유닛(2)을 실제로 가동시켜 클리닝시의 평가를 행했다. 이 실험에 있어서, TEOS를 이용한 SiO2의 성막 처리를 행하고, 그 누적 막 두께가 2.7 ㎛가 된 시점에서, 전술한 바와 같은 조건 하에서 클리닝 처리를 180분간 행했다.
이 결과, 도11의 포집 유닛(2)에서는, 클리닝 처리 전의 부생성물의 양이 172.9 g이고, 클리닝 처리 후의 잔류 찌꺼기가 35.1 g이었다. 따라서, 이 잔류물의 비율은 20 ％이었다. 이것에 반해, 포집 유닛(64)에서는, 클리닝 처리 전의 부생성물의 양이 169.5 g이고, 클리닝 처리 후의 잔류 찌꺼기가 4.5g이었다. 따라서, 이 잔류물의 비율은 2.7 ％이고, 종래의 경우의 20 ％보다도 대폭 개선할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
<제1 변형예>
도7은 제1 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도이다. 이 변형예에 있어서, 도5a, 도5b에 도시하는 단면 반원 형상의 바닥부 수취 부재(96A)의 원호의 도중에, 서로 대향시켜 폭이 짧은 2개의 선반부(110)가 수평 방향으로 형성된다. 선반부(110)는, 케이싱 본체(78)의 길이 방향을 따라 배치된다. 선반부(110)에서 부생성물이 바닥부 수취 부재(96A)의 곡면 형상의 표면을 미끄러져 이동하는 것을 방지하는 동시에, 상방으로부터 낙하해 오는 부생성물을 수취할 수 있다. 또한, 선반부(110)도, 바닥부 수취 부재(96A)와 마찬가지로, 금망 부재나 펀칭 메탈 부재와 같은 통기 구멍을 갖는 부재에 의해 형성된다. 또한, 바닥부 수취 부재(96A)의 하방에는, 제2 바닥부 수취 부재(96D)가, 케이싱 본체(76)의 길이 방향을 따라 배치된다.
이와 같이, 2단에 걸쳐 바닥부 수취 부재(96A, 96D)를 설치하는 것에 의해, 상단의 바닥부 수취 부재(96A)로부터 낙하하는 부생성물을 하방에 위치하는 제2 바닥부 수취 부재(96D)로 다시 수취할 수 있다. 따라서, 부생성물이 케이싱 본체(76)의 바닥부까지 낙하하는 것을 방지할 수 있고, 그만큼, 클리닝 효율을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 바닥부 수취 부재(96A)의 도중에 선반부(110)를 설치하는 것에 의해, 낙하한 부생성물이 집합되는 일없이 이것을 분산시킨 상태로 유지할 수 있다. 이 때문에, 그만큼, 클리닝 효율을 더 향상시킬 수 있다.
<제2 변형예>
도8은 제2 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도이다. 이 변형예에 있어서, 수취 기구(96)는, 트랩 본체(76)의 전체 둘레에 걸쳐, 트랩 본체(76)와 케 이싱 본체(78)의 내면과의 사이에 개재하는 원통 형상의 수취 부재(96E)를 구비한다. 이 경우에도, 앞의 실시 형태 및 변형예와 마찬가지인 작용 효과를 발휘할 수 있다.
<제3 변형예>
도9는 제3 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도이다. 전술한 실시 형태 및 제1, 제2 변형예에서는, 포집 유닛(64)은, 그 길이 방향이 수평 방향으로 되도록 설치된다. 이것에 반해, 제3 변형예에 관한 포집 유닛은, 그 길이 방향이 수직 방향으로 되도록 설치된다. 이 경우에는, 수취 기구(96)는, 원형 링 형상의 선반부로 이루어지는 복수의 수취 부재를 구비한다. 도시예에서는, 링 형상의 선반 형상 수취 부재(96F, 96G, 96H)가 케이싱 본체(78)의 높이 방향을 따라 3단에 걸쳐 배치된다.
이 경우에도, 클리닝시에 낙하해 오는 부생성물을 각 선반 형상 수취 부재(96F 내지 96H)로 각각 수취하고, 이 부생성물이 바닥부에 모이는 것을 방지하여 분산시킬 수 있다. 따라서, 이 경우에도, 앞의 실시 형태 및 제1 내지 제2 변형예와 마찬가지인 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태 및 제1 내지 제3 변형예를 적절하게 조합하여 이용해도 좋다.
<배기 통로의 수취 부재>
상기 실시 형태 및 각 변형예에서는, 수취 기구(96)가 포집 유닛 내에 배치된다. 이것 대신에, 수취 기구(96)를 배기 통로(62) 내에 설치하도록 해도 좋다. 즉, 배기 통로(62)는, 도1에 도시하는 바와 같이 각 부재의 배열 위치에 의해 예를 들어 직각 형상으로 굴곡시켜 크랭크부(72)가 생기도록 배치해야만 하는 경우도 있다. 이와 같은 크랭크부(72)에서는, 배기 가스의 흐름 방향이 크게 변하기 때문에, 배기 통로(62)의 내벽면에 부생성물이 부착되는 경향이 있다. 이 경우, 이 크랭크부(72)가 포집 유닛(64)의 상류측에 위치하고 있으면, 부생성물이 물론 부착되는 경향이 높다. 그러나, 하류측에 위치하고 있어도, 포집 유닛(64)에서 완전히 제거되지 않은 부생성물이 하류측으로 흘러, 크랭크부(72)에서 부착된다.
도10은 배기 통로의 수직 상승 부분 및 수직 하강 부분에 수취 부재를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다. 즉, 크랭크부(72)에 있어서의 배기 통로(62)의 수직 상승 부분과 수직 하강 부분에, 수취 기구(96)의 배관용 수취 부재(96J, 96K)가 각각 배기 통로(62)를 가로지르도록 배치된다. 이 경우에도, 배관용 수취 부재(96J, 96K)는 금망 부재나 펀칭 메탈 부재와 같은 통기 구멍을 갖는 부재로 형성한다.
도10에 있어서, 크랭크부(72)의 코너부(72A)에 부착되는 부생성물은, 클리닝 처리 도중에 있어서 부유하여 낙하한다. 이 때문에, 이것을 낙하 도중에 배관용 수취 부재(96J, 96K)에 의해 각각 수취하고, 크랭크부(72)의 하부에 축적되지 않도록 한다. 이 경우에도, 부생성물을 1군데로 모이지 않도록 분산시켜 수취하기 때문에, 앞의 실시 형태나 제1 내지 제3 변형예와 마찬가지인 작용 효과를 발휘할 수 있다.
<그 밖의 변형예>
상기 실시 형태에 있어서는, SiO2막을 성막하는 경우가 예시된다. 이 막은, B(붕소)나 P(인) 등을 도프하면서 성막하는 경우도 있다. 박막의 막 종류도 실리콘 산화막(SiO2)에 한정되지 않고, 실리콘 질화막이나 실리콘 산질화막 등의 다른 박막이라도 좋다. 실리콘 질화막을 형성하는 경우에는, 처리 가스 공급계로부터, 실리콘 소스 가스와, NH3 가스 등의 질화 가스를 공급한다. 실리콘 산질화막을 형성하는 경우에는, 처리 가스 공급계로부터, 실리콘 소스 가스와, 일산화이질소(N2O), 일산화질소(NO)와 같은 산질화 가스를 공급한다.
사용하는 클리닝 가스는 HF 가스에 한정되지 않고, 퇴적되는 박막의 종류에 따라서 적절한 클리닝 가스를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막의 클리닝 가스로서는, 예를 들어 HF, Cl2, NF3, F2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어 실리콘 질화막을 제거하기 위해서는 F2 + H2의 클리닝 가스를 이용할 수 있다.
상기 실시 형태에 있어서는, 뱃치식의 처리 장치가 예시된다. 이것 대신에, 웨이퍼를 1매씩 처리하는 매엽식의 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 피처리 기판으로서는, 반도체 웨이퍼 대신에, 글래스 기판, LCD 기판, 세라믹 기판 등을 대상으로 할 수 있다.
추가적인 이점 및 변경들은 해당 기술 분야의 숙련자들에게 용이하게 발생할 것이다. 따라서, 보다 넓은 관점에서의 본 발명은 본 명세서에 도시되고 설명된 특정 설명 및 대표적인 실시예로 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그와 균등한 것에 의해 한정된 바와 같은 일반적인 본 발명의 개념의 기술 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경들이 이루어질 수도 있다.
도1은 본 발명 실시 형태에 관한 성막 장치(종형 CVD 장치)를 도시하는 단면도.
도2는 도1에 도시하는 장치의 포집 유닛을 도시하는 단면도.
도3은 도2에 도시하는 포집 유닛의 분해 조립도.
도4는 도2에 도시하는 포집 유닛의 일부를 구성하는 트랩 본체를 도시하는 단면도.
도5a, 도5b는 도2 중 VA-VA선 및 VB-VB선의 화살표 단면도.
도6a 내지 도6c는, 도5a, 도5b, 및 도2에 각각 대응하는 단면에 있어서의, 부생성물이 각 수취 부재 위에 저류되었을 때의 상태를 도시하는 단면도.
도7은 제1 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도.
도8은 제2 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도.
도9는 제3 변형예에 관한 포집 유닛을 도시하는 단면도.
도10은 수취 부재를 배기 통로에 설치한 상태를 도시하는 단면도.
도11은 성막 가스로서 예를 들어 TEOS를 이용하여 SiO2의 박막을 퇴적할 때에 이용되는 종래의 포집 유닛의 일례를 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 포집 유닛
4 : 케이싱
6 : 트랩 본체
8 : 볼트
12 : 핀
16 : 커버
22 : 성막 장치
28 : 처리 용기
30 : 웨이퍼 보트
60 : 배기계
M1, M2 : 부생성물
W : 웨이퍼

Claims (20)

  1. 반도체 처리 장치의 배기 통로에 배치되고, 그 내부를 흐르는 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하기 위한 포집 유닛이며,
    가스 입구와 가스 출구를 갖고 또한 상기 배기 통로의 일부를 형성하도록 배치되는 케이싱과,
    상기 케이싱 내에 착탈 가능하게 배치된 상기 배기 가스 중의 상기 부생성물의 부분을 포집하기 위한 트랩 본체와,
    상기 케이싱 내에 배치된, 상기 트랩 본체 또는 상기 케이싱의 내면으로부터 박리된 상기 부생성물의 부분을, 상기 케이싱의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 수취 기구를 구비하고,
    상기 트랩 본체는, 상기 배기 가스의 흐름의 방향을 따라 배열된 복수의 핀을 구비하고, 각 핀은, 상기 부생성물의 부분이 부착되는 것에 의해 트랩되는 표면을 갖고,
    상기 수취 기구는, 그 위에 저류된 상기 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용하는 것을 특징으로 하는 포집 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수취 기구는, 상기 클리닝 가스가 통과하는 다수의 통기 구멍을 갖는 수취 부재를 구비하는 포집 유닛.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수취 부재는 금속 메쉬 및 펀칭 메탈 부재로 이루어지는 군으로부터 선택된 부재를 구비하는 포집 유닛.
  4. 제1항에 있어서, 상기 수취 기구는 상기 트랩 본체의 하측에 배치된 바닥부 수취 부재를 구비하는 포집 유닛.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 트랩 본체는 상류측에 가스 흐름을 주위로 확산시키는 커버를 구비하고, 상기 수취 기구는 상기 커버에 장착된 상류 수취 부재를 구비하는 포집 유닛.
  7. 제2항에 있어서, 상기 수취 부재는 상기 케이싱의 내면과 간격을 두고 상기 내면을 따라 배치되는 포집 유닛.
  8. 제7항에 있어서, 상기 수취 기구는, 상기 수취 부재로부터 상기 트랩 본체를 향해 연장하는 선반부를 구비하는 포집 유닛.
  9. 제8항에 있어서, 상기 선반부는, 상기 클리닝 가스가 통과하는 통기 구멍을 갖는 포집 유닛.
  10. 제7항에 있어서, 상기 수취 부재는 상기 트랩 본체의 둘레 절반에 걸쳐, 상기 트랩 본체와 상기 케이싱의 내면과의 사이에 개재하는 포집 유닛.
  11. 제7항에 있어서, 상기 수취 부재는 상기 트랩 본체의 전체 둘레에 걸쳐, 상기 트랩 본체와 상기 케이싱의 내면과의 사이에 개재하는 포집 유닛.
  12. 제1항에 있어서, 상기 수취 기구는, 상기 포집 유닛의 상하 방향으로 간격을 두고 배열되고 또한 상기 클리닝 가스가 통과하는 다수의 통기 구멍을 갖는 원형 링 형상의 선반부로 이루어지는 복수의 수취 부재를 구비하는 포집 유닛.
  13. 제1항에 있어서, 상기 트랩 본체는, 상기 트랩 본체를 가열하는 트랩 히터를 구비하는 포집 유닛.
  14. 반도체 처리용 성막 장치이며,
    피처리 기판을 수납하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,
    상기 처리 용기 내를 배기하는 배기계와,
    상기 처리 용기 내에 성막 가스를 공급하는 성막 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계를 구비하고, 상기 배기계는, 배기 통로에 배치되고, 그 내부를 흐르는 배기 가스 중에 포함되는 부생성물을 포집하기 위한 포집 유닛을 포함하고, 상기 포집 유닛은,
    가스 입구와 가스 출구를 갖고 또한 상기 배기 통로의 일부를 형성하도록 배치되는 케이싱과,
    상기 케이싱 내에 착탈 가능하게 배치된 상기 배기 가스 중의 상기 부생성물의 부분을 포집하기 위한 트랩 본체와,
    상기 케이싱 내에 배치된, 상기 트랩 본체 또는 상기 케이싱의 내면으로부터 박리된 상기 부생성물의 부분을, 상기 케이싱의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 수취 기구를 구비하고,
    상기 트랩 본체는, 상기 배기 가스의 흐름의 방향을 따라 배열된 복수의 핀을 구비하고, 각 핀은, 상기 부생성물의 부분이 부착되는 것에 의해 트랩되는 표면을 갖고,
    상기 수취 기구는, 그 위에 저류된 상기 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 상기 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리용 성막 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 수취 기구는, 상기 클리닝 가스가 통과하는 다수의 통기 구멍을 갖는 수취 부재를 구비하는 반도체 처리용 성막 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 수취 부재는 상기 케이싱의 내면과 간격을 두고 상기 내면을 따라 배치되는 반도체 처리용 성막 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 성막 가스는, 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막, 및 실리콘 질화막으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 막을 형성하기 위한 가스를 포함하는 반도체 처리용 성막 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 클리닝 가스는, HF, Cl2, NF3, F2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스를 포함하는 반도체 처리용 성막 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 배기계는, 상기 포집 유닛과는 다른 위치에서 상기 배기 통로에 배치되고, 상기 배기 통로의 내면으로부터 박리된 상기 부생성물의 부분을, 상기 배기 통로의 바닥부에 퇴적되지 않도록 수취하는 추가의 배관용 수취 부재를 구비하고, 상기 추가의 배관용 수취 부재는, 그 위에 저류된 상기 부생성물의 부분을 상방 및 하방으로부터 상기 클리닝 가스와 접촉하는 것을 허용하는 반도체 처리용 성막 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 추가의 배관용 수취 부재는 상기 배기 통로의 수직 상승 부분 또는 수직 하강 부분에 배치되는 반도체 처리용 성막 장치.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
KR101879175B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
JP5874469B2 (ja) * 2012-03-19 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び成膜装置
US9057388B2 (en) 2012-03-21 2015-06-16 International Business Machines Corporation Vacuum trap
KR101366305B1 (ko) * 2012-08-02 2014-02-20 주식회사 지앤비에스엔지니어링 반도체 공정 부산물 트랩 장치
US20140112650A1 (en) * 2012-10-19 2014-04-24 Edwards Vacuum, Inc. Cartridge heater apparatus
JP5944883B2 (ja) * 2013-12-18 2016-07-05 東京エレクトロン株式会社 粒子逆流防止部材及び基板処理装置
JP6468884B2 (ja) * 2014-04-21 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 排気システム
CN105990182B (zh) * 2015-01-31 2019-08-02 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种清除iii族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法
KR101720620B1 (ko) * 2015-04-21 2017-03-28 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 챔버 세정방법
KR101760316B1 (ko) * 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
WO2017177398A1 (en) * 2016-04-13 2017-10-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for exhaust cooling
KR101736683B1 (ko) * 2016-09-06 2017-05-17 주식회사 엠아이 배관계에 배기물의 부착퇴적을 방지하기 위한 배관계 부품
JP6918146B2 (ja) 2017-05-19 2021-08-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置
KR102188604B1 (ko) * 2019-04-02 2020-12-09 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
CN112546799B (zh) * 2019-09-25 2023-01-17 未来宝株式会社 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置
KR102259064B1 (ko) * 2019-12-19 2021-05-31 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN114797360A (zh) * 2021-01-18 2022-07-29 赞解株式会社 钴-碳气体捕集装置
KR102352815B1 (ko) * 2021-06-08 2022-01-17 권도희 반도체 제조 장비용 부산물 포집장치
KR102416322B1 (ko) * 2021-12-13 2022-07-05 주식회사 미래보 사용된 내부포집타워의 자가 재생 기능을 가지는 반응부산물 포집장치
KR102572053B1 (ko) * 2023-05-16 2023-08-28 조민철 이물질 자동 배출이 가능한 포집 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131748A (ja) * 1999-11-01 2001-05-15 Tokyo Electron Ltd トラップ装置及びトラップ方法
JP2001214272A (ja) * 1999-11-24 2001-08-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
JP2004343095A (ja) * 2003-04-22 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置のクリーニング方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59196800U (ja) * 1983-06-17 1984-12-27 富士通株式会社 真空処理装置の配管構造
JP2913040B2 (ja) * 1988-08-26 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
JPH0331479A (ja) 1989-06-29 1991-02-12 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法
JP3058909B2 (ja) 1990-10-19 2000-07-04 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JPH06151396A (ja) 1992-11-02 1994-05-31 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法
DE69601062T2 (de) * 1995-08-14 1999-06-10 Ebara Corp Vorrichtung zum Abscheiden von in Gasen dispergierten Teilchen
JP3540064B2 (ja) * 1995-09-04 2004-07-07 株式会社アルバック ドライ真空ポンプ前段用のトラップ
US5820641A (en) * 1996-02-09 1998-10-13 Mks Instruments, Inc. Fluid cooled trap
US6156107A (en) * 1996-11-13 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
JP3991375B2 (ja) * 1996-11-13 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
JPH11307456A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Rohm Co Ltd 半導体基板表面処理装置における排気装置
JP2000070664A (ja) * 1998-06-18 2000-03-07 Kokusai Electric Co Ltd 加熱型トラップ装置および成膜装置
JP2000256856A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置
KR100688900B1 (ko) * 1999-12-15 2007-03-08 캐논 아네르바 가부시키가이샤 배출가스 여과장치, 보조여과장치 및 트랩장치
US6488745B2 (en) * 2001-03-23 2002-12-03 Mks Instruments, Inc. Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
JP2004104006A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Cable Ltd 析出物除去用トラップ
JP2004346378A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7044997B2 (en) * 2003-09-24 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Process byproduct trap, methods of use, and system including same
JP4642379B2 (ja) * 2004-05-12 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 排気捕集装置
JP2006167666A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Sharp Corp 排ガストラップ装置および排ガストラップ方法
TWI365919B (en) * 2004-12-28 2012-06-11 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method of using the same
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131748A (ja) * 1999-11-01 2001-05-15 Tokyo Electron Ltd トラップ装置及びトラップ方法
JP2001214272A (ja) * 1999-11-24 2001-08-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
JP2004343095A (ja) * 2003-04-22 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置のクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008098283A (ja) 2008-04-24
KR20080032611A (ko) 2008-04-15
JP5023646B2 (ja) 2012-09-12
US20080104935A1 (en) 2008-05-08
TW200834721A (en) 2008-08-16
TWI415188B (zh) 2013-11-11
CN101234389A (zh) 2008-08-06
CN101234389B (zh) 2012-09-05
US7727296B2 (en) 2010-06-01

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