KR20060124021A - 반도체소자 제조설비의 배기장치 - Google Patents

반도체소자 제조설비의 배기장치 Download PDF

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Abstract

반도체소자 제조설비의 배기장치를 제공한다. 제공된 반도체소자 제조설비의 배기장치는 배기라인 상에 장착되어 이 배기라인의 내부에서 유동되는 불순물을 포획하는 트랩의 외면에 냉각라인이 구비된 냉각자켓을 밀착되도록 장착한다. 따라서, 제공된 반도체소자 제조설비의 배기장치에 의하면 냉각자켓이 트랩의 외면에 장착됨으로써 불순물이 트랩에서 포획되는 기능을 증대시킬 뿐만 아니라 냉각수의 누수로 인해 트랩을 정비해야하는 번거로움을 피하게 된다.
냉각자켓

Description

반도체소자 제조설비의 배기장치{Exhaust apparatus of semiconductor manufacturing equipment}
도 1은 본 발명에 따른 배기장치를 구비한 반도체소자 제조설비를 도시한 구성도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 도시한 절개사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 배기장치의 냉각자켓을 도시한 구성도이다.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**
100 : 배기장치
110 : 배기라인
120 : 트랩
130 : 피팅
140 : 냉각자켓
141 : 냉각라인
143 : 냉각라인
144 : 냉각수 공급라인
145 : 냉각수 배출라인
151 : 냉각수 공급장치
152 : 온도감지센서
153 : 유량감지센서
155 : 제어부
157 : 표시장치
본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 조합되게 적층하는 과정을 통해 만들어진다.
상술한 반도체 소자 제조공정 중 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 금속증착 등의 공정은 웨이퍼가 놓이는 공정챔버 내부에 공정가스를 공급하고, 이들 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시키거나 고온 분위기에 있도록 하여 웨이퍼 상에 원하는 반응이 이루어지도록 하는 것이다.
한편, 반도체소자 제조에 사용되는 설비로 공급되어 공정을 마친 잔여가스나 공정 생성물은 진공 배기장치를 통해 외부로 배출되는데, 이 폐가스에는 여러 불순물이 포함되어 있다. 이러한 불순물이 배기장치에 연결된 진공펌프 등에 유입될 경 우 제거하기가 거의 불가능하고 진공펌프의 수명을 크게 단축시킨다. 따라서, 배기라인의 외부에 열선을 구비한 히팅테이프를 감아 배기라인의 온도를 유지시켜 배기라인의 내부에서 불순물이 응착되는 것을 방지하고, 배기라인 상의 일측에 트랩을 설치하여 잔여가스나 공정 생성물에 포함되어 있는 이들 불순물을 포획, 제거함으로써 진공설비를 보호하고 있다.
이때, 배기라인 상의 일측에 설치된 트랩은 피팅에 의해 배기라인과 상호 연결된다. 하지만, 배기라인의 내부에서 유동되는 불순물이 트랩에 포획되지 않고 배기라인과 트랩을 연결하는 피팅에 응착되는 경우가 종종 발생된다. 여기서, 트랩을 연결하는 피팅에 불순물이 응착되는 것은 배기라인 내부의 압력을 증가시켜 배기라인의 브로큰(Broken)을 발생시키고, 배기라인을 따라 유동되는 잔여가스나 공정 생성물이 다시 공정수행위치로 역류됨으로써 파티클 발생의 원인이 되어 소정 공정이 수행되는 웨이퍼의 불량을 야기시키는 문제점이 발생된다.
또한, 트랩의 내부에는 배기라인의 내부에서 유동되는 불순물이 피팅에서 응착되는 것을 방지하고 트랩에서 불순물을 포획하기 위하여 냉각수가 유동되는 냉각라인을 마련하기도 한다. 하지만, 트랩의 내부에 냉각라인을 설치하는 경우 냉각라인을 따라 유동되는 냉각수의 누수로 인해 트랩을 정비해야 하는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명은 상기에 상술한 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 공정수행의 과정에서 발생된 잔여가스나 공정 생성물에 포함 된 불순물을 포획하는 효과를 증대시킨 반도체소자 제조설비의 배기장치를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는 공정챔버의 일측에 연결되어 상기 공정챔버 내부의 잔여가스가 배기되는 배기라인과 이 배기라인 상에 장착되는 트랩 및 트랩의 외면에 밀착되도록 장착되며, 내부에 냉각라인이 구비된 냉각자켓을 포함한다.
그리고, 상기 냉각라인은 냉각수 공급장치를 통하여 냉각수가 공급되는 냉각수 공급라인과 일단이 연결되고, 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인과 타단이 연결된다.
그리고, 상기 냉각라인 또는 상기 냉각수 공급라인 상에는 냉각수의 온도를 감지하는 온도감지센서와 유동되는 냉각수의 유량을 감지하는 유량감지센서가 마련되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 냉각수 공급장치와 상기 온도감지센서 및 상기 유량감지센서에 전기적으로 연결되어 온도감지센서 및 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값에 의해 냉각수 공급장치를 제어하는 제어부를 더 포함한다.
그리고, 상기 제어부에 전기적으로 연결되어 온도감지센서와 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값을 표시하는 표시장치를 더 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한 다. 그리고, 본 발명에서는 공정이 수행되는 공정튜브의 내부로 DCS(SiH2Cl2)가스와 NH3가스를 공급함에 따라 공정튜브의 내부로 로딩된 웨이퍼 상에 SiH4 박막을 성장하고 공정튜브의 외부로 NH4Cl를 배기하는 열처리설비를 예로 들어 설명하기로 한다.
그러나, 본 실시예가 이하에서 개시되는 실시예에 한정할 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 그리고, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 배기장치를 구비한 반도체소자 제조설비를 도시한 구성도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 도시한 절개사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 냉각자켓을 도시한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 반도체소자 제조설비에는 웨이퍼를 수용하여 소정 공정을 실시하기 위한 여러가지 형태의 공정챔버가 구비된다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 여러가지 형태의 공정챔버 중에서 열처리공정이 수행되는 공정튜브(10)를 예로 들어 설명한다. 여기서, 공정튜브(10)는 하단이 개방된 원통형상으로 이너튜브(Inner tube)(12)와 아우터튜브(Outer tube)(14)로 이루어진 이중관 구조이다.
그리고, 이 아우터튜브(14)의 외측에는 공정튜브(10)의 내부를 고온으로 형 성하기 위해 선택적으로 가열하는 히터(20)가 설치된다.
또한, 공정튜브(10)의 하부에는 이너튜브(12)와 아우터튜브(14)를 지지하기 위한 플랜지(30)가 구비되며, 이 플랜지(30)에는 공정가스 즉, DCS가스와 NH3가스를 공정튜브(10) 내부로 주입시키기 위하여 공정튜브(10) 안쪽으로 관통된 공정가스 공급라인(40)이 마련됨과 동시에 공정튜브(10)의 내부를 진공배기하도록 하는 배기장치(100)가 마련된다. 이때의 배기장치(100)는 공정튜브(10)와 연결되는 배기라인(110)과 이 배기라인(110) 상에 마련되는 진공펌프(180) 및 도면에 도시되지는 않았으나 배기라인(110) 상에 마련되는 각종 밸브를 포함한다.
한편, 소정의 공정 진행 후 공정튜브(10)에서 생성되는 잔여가스와 공정 생성물에 포함된 불순물 즉, NH4Cl이 배기라인(100)의 내부에서 고체화되는 것을 방지하기 위한 히팅테이프(미도시)가 배기라인(100)의 외면 전체를 덮어 균일하게 가열되도록 감싸게 된다.
그리고, 배기라인(110) 상의 일측에는 잔여가스와 공정 생성물에 포함된 불순물을 포획할 수 있도록 하는 트랩(120)이 마련되며, 이때의 트랩(120)은 배기라인(110)과 피팅(130)에 의해 상호 연결된 구조를 가진다. 그리고, 이 트랩(120)의 외면에는 트랩(120)의 내부온도를 냉각시키는 냉각자켓(140)이 장착된다. 이때의 냉각자켓(140)은 트랩(120)의 형상과 동일하게 형성되어 트랩(120)의 외면에 밀착되도록 장착된다.
도 2 및 도 3을 참조하여 냉각자켓에 대해 구체적으로 살펴보면, 냉각자켓 (110)에는 트랩(120)에 용이하게 탈, 부착할 수 있도록 지퍼(143)가 마련된다.
그리고, 냉각자켓(140)의 내부에는 냉각수가 유동되는 냉각라인(141)이 마련된다. 이때, 냉각라인(141)의 일측에는 냉각수 공급장치(151)가 장착된 냉각수 공급라인(144)이 연결되고, 냉각라인(141)의 타측에는 냉각수 공급라인(144)을 통해 공급된 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인(145)이 연결된다. 여기서, 냉각라인(141)은 냉각자켓(140)의 탈, 부착 시 손상을 방지하기 위하여 유동라인(flexible line)으로 이루어질 수 있다.
한편, 냉각라인(141) 또는 냉각수 공급라인(144) 상에는 이 냉각라인(141)에 유동되는 냉각수의 온도를 감지하는 온도감지센서(152)가 장착되고, 냉각수의 유량을 감지하는 유량감지센서(153)가 장착된다. 본 발명에서는 도시된 바와 같이 냉각라인(141) 상에 온도감지센서(152)가 장착되고, 냉각수 공급라인(144) 상에 유량감지센서(153)가 장착된다. 이때의 온도감지센서(152)와 유량감지센서(153)는 제어부(155)와 전기적으로 연결되어 냉각수의 온도와 유량을 제어부(155)로 전달하게 된다. 그리고, 제어부(155)는 냉각수 공급장치(151)와 전기적으로 연결되어 냉각수 공급장치(151)를 제어하게 된다.
구체적으로, 제어부(155)는 온도감지센서(152)에 의해 감지되는 온도값과 유량감지센서(153)에 의해 감지되는 유량값에 따라 냉각수 공급장치(151)를 제어하여 냉각수 공급라인(144)에 공급하는 냉각수를 제어한다.
또한, 제어부(155)는 표시장치(157)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 표시장치(157)는 냉각라인(141)에 유동되는 냉각수의 온도를 표시할 수 있으며, 냉각수 공급장치(151)에 의해 유동되는 실제 냉각수의 유량을 표시할 수 있다. 그리고, 제어부(155)에 의해 제어되는 냉각수의 설정유량값을 표시할 수 있다. 그리고, 표시장치(157)에는 알람유닛이 장착되어 설정유량값 이상의 냉각수가 유동되면 작업자에게 전달할 수도 있다.
따라서, 본 발명에서는 냉각라인을 구비한 냉각자켓을 트랩의 외면에 장착시킴으로써, 배기라인 상에 유동되는 불순물을 트랩에 포획하는 효과를 증대시키게 되고, 냉각자켓의 내부에 장착된 냉각라인에 유동되는 냉각수로 하여금 트랩의 내부에 영향을 미치지 못하게 하여 트랩을 정비해야 하는 것을 방지한다.
한편, 본 발명은 도시한 도면을 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는 트랩의 외부에 장착된 냉각자켓에 의해 잔여가스와 공정 생성물에 함유된 불순물을 트랩에서 포획할 수 있는 효과를 증대시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는 트랩에 불순물을 포획하기 위하여 공급되는 냉각수의 누수에 의해 트랩을 정비해야 하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (5)

  1. 공정챔버의 일측에 연결되어 상기 공정챔버 내부의 잔여가스가 배기되는 배기라인;
    상기 배기라인 상에 장착되는 트랩;
    상기 트랩의 외면에 밀착되도록 장착되며, 내부에 냉각라인이 구비된 냉각자켓을 포함하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각라인은 냉각수 공급장치를 통하여 냉각수가 공급되는 냉각수 공급라인과 일단이 연결되고, 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인과 타단이 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 냉각라인 또는 상기 냉각수 공급라인 상에는 냉각수의 온도를 감지하는 온도감지센서와 유동되는 냉각수의 유량을 감지하는 유량감지센서가 마련된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 냉각수 공급장치와 상기 온도감지센서 및 상기 유량감지센서에 전기적으로 연결되어 상기 온도감지센서 및 상기 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값에 의해 상기 냉각수 공급장치를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제어부에 전기적으로 연결되어 상기 온도감지센서와 상기 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값을 표시하는 표시장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784392B1 (ko) * 2007-01-22 2007-12-11 삼성전자주식회사 파티클 포집방법 및 파티클 포집유닛, 그리고 이를구비하는 기판처리장치
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