JP2015531546A - ヒューム除去装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の一実施形態によると、基板処理装置は、基板を加工する工程が行われる工程ユニットと、前記基板が収容される収納容器が設置されるロードポートと、前記工程ユニットと前記ロードポートとの間に設置されて内部空間を有するフレームと、前記内部空間と連通する収納空間及び前記収納空間に基板が出入する入口を有し、前記入口と対向する後面に複数の排出孔が形成される内部用器と、前記内部容器の外側に設置されて前記排出孔を介して前記収納空間と連通する排出空間を形成する外部容器と、前記外部容器に形成されて前記排出空間と連通する排気孔と、前記排気孔に連結されて前記収納空間を強制排気する排気ポンプが設置される排気ラインと、を含む。
Description
本発明はヒューム除去装置及び基板処理装置に関するものであり、より詳しくは、所定の加工処理された基板の上に存在するヒュームを内部容器の後面に形成された排出孔を介して除去する装置に関するものである。
一般的に、半導体装置の製造では基板として使用されるシリコーン基板に対して蒸着、フォトリソグラフィ(photolithography)、エッチング(etching)、イオン注入、研磨、洗浄などの単位工程を繰り返し行って目的とする電気的特性を有する回路パターンを形成する。特に、洗浄工程は単位ごとの工程を行ってから基板の上に残留する異物を除去するために行われ、異物の種類に応じて乾式又は湿式工程が行われる。湿式洗浄工程の場合、多数の基板を同時に処理する配置式方法と各一枚単位に処理する枚葉式方法が必要に応じて選択的に行われる。
基板を各一枚単位に洗浄する枚葉式洗浄工程の場合、基板を回転させながら基板の上に洗浄液を供給する方法が使用される。特に、枚葉式洗浄工程を行うための装置の場合、基板を回転させるためのスピンチャック(spin chuck)、基板の上に洗浄液を供給するための洗浄液供給部、基板に供給された洗浄液を回収するための下部が塞がれた円筒状の洗浄容器、スピンチャックを回転させるための駆動部などを含む。洗浄液は基板の上から除去しようとする異物に応じて多様な種類の洗浄液が使用される。
例えば、黄酸、フッ酸、水酸化アンモニウム、塩酸、過酸化水素、ジクロロシラン(DCS)などを含む多様なケミカルが使用される。このようなケミカルを含む洗浄液は洗浄容器に腐食や変形をもたらす恐れがあり、その改善が要求されている。また、ケミカル種類の洗浄液は工程中のヒュームの発生原因となり、このようなヒュームは加工された基板と共にフープ(foup)に流入して基板の不良を起こす。
本発明の目的は、工程が完了した基板をヒューム除去装置に移送してヒュームを除去することにある。
本発明の他の目的は、工程完了後に基板から発生するヒュームを除去してヒュームがフープの内部に流入することを防止することにある。
本発明の更に他の目的は、後述する詳細な説明と添付した図面からより明確になる。
本発明の他の目的は、工程完了後に基板から発生するヒュームを除去してヒュームがフープの内部に流入することを防止することにある。
本発明の更に他の目的は、後述する詳細な説明と添付した図面からより明確になる。
本発明の一実施形態によると、基板処理装置は、基板を加工する工程が行われる工程ユニットと、前記基板が収容される収納容器が設置されるロードポート(loadport)と、前記工程ユニットと前記ロードポートとの間に設置されて内部空間を有するフレームと、前記内部空間と連通する収納空間及び前記収納空間に基板が出入する入口を有し、前記入口と対向する後面に複数の排出孔が形成される内部用器と、前記内部容器の外側に設置されて前記排出孔を介して前記収納空間と連通する排出空間を形成する外部容器と、前記外部容器に形成されて前記排出空間と連通する排気孔と、前記排気孔に連結されて前記収納空間を強制排気する排気ポンプが設置される排気ラインと、を含む。
前記基板処理装置は前記内部容器の入口に設置されて前記入口に向かってエアを噴射し、エアカーテンを形成して前記収納空間が外部から隔離されるエア噴射ユニットを更に含む。
前記内部容器は前記基板を上下方向に離隔積載する台を含む。
前記基板処理装置は前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含む。
前記内部容器は前記基板を上下方向に離隔積載する台を含む。
前記基板処理装置は前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含む。
前記基板処理装置は前記収納容器内に収容された前記基板を前記工程ユニットに伝達し、前記工程ユニットから工程が完了された前記基板を前記内部容器内に伝達し、前記内部容器からヒュームの除去が完了された前記基板を収納容器に伝達する移送ユニットを更に含む。
前記工程ユニットはジクロロシランを利用したシリコーン酸化膜の形成工程であり、前記排気ポンプは前記収納空間内で前記基板から発生したヒュームを強制排気する。
本発明の一実施形態によると、基板製造設備の一側に設置されて基板のヒュームを除去する装置において、所定の基板加工工程が完了された前記基板が収納される収納空間及び前記収納空間に基板が出入する入口を有し、前記入口と対向する後面に複数の排出孔が形成される内部用器と、前記内部容器の外側に設置されて前記排出孔を介して前記収納空間と連通する排出空間を形成する外部容器と、前記外部容器に形成されて前記排出空間と連通する排気孔と、前記排気孔に連結されて前記収納空間を強制排気する排気ポンプが設置される排気ラインと、を含む。
前記ヒューム除去装置は前記内部容器の入口に設置されて前記入口に向かってエアを噴射し、エアカーテンを形成して前記収納空間が外部から隔離されるエア噴射ユニットを更に含む。
前記ヒューム除去装置は前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含む。
前記ヒューム除去装置は前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含む。
本発明の一実施形態によると、内部容器と外部容器との間の排気空間に形成された排気孔を利用して内部容器に収納された基板のヒュームを除去することができる。また、加工された基板から発生したヒュームを除去することができるため、ヒュームによる基板の不良を防止し製品の収率を向上させることができる。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付した図1乃至図6を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形に変更してもよく、本発明の範囲が後述する実施形態によって限られると解釈してはならない。本実施形態は、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって、図面に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
図1は、本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。図1に示すように、基板処理装置300は基板Wの処理工程が行われる工程ユニット100及び工程ユニット100から基板Wを引き出し、引き入れる設備前方端部モジュール200(Equipment Front End Module:EFEM)を含む。工程ユニット100は多数の工程チャンバー110、トランスファチェンバー170、第1移送ユニット120及びロードロックチェンバー150を含む。
それぞれの工程チェンバー110はそれぞれ基板W提供されて半導体工程、例えば、エッチング(etching)、洗浄(cleaning)、アッシング(ashing)などのような工程を行って基板Wを加工する。トランスファチェンバー170は上から見ると大体多角形状を有し、トランスファチェンバー170はそれぞれの工程チェンバー110及びロードロックチェンバー150と連結される。トランスファチェンバー170の中には第1移送ユニット120が設置され、第1移送ユニット120はそれぞれの工程チェンバー110それぞれに基板Wをローディングするか工程チェンバー100から基板Wをアンローディングする。また、第1移送ユニット120はそれぞれの工程チェンバー110とロードロックチェンバー153との間に基板Wを移送する。
ロードロックチェンバー150はトランスファチェンバー170と設備前方端部モジュール200との間に設置される。ロードロックチェンバー150は工程チェンバー110に流入される基板Wが一時的に留まるローディングチェンバー150と、工程チェンバー110から半導体工程が完了して引き出された基板Wが一時的に留まるアンローディングチェンバー157を含む。この際、ロードロックチェンバー150の内部は真空及び大気圧に転換可能であり、トランスファチャンバー170及び工程チェンバー110は真空に維持される。よって、ロードロックチェンバー150は外部の汚染物質が工程チェンバーとトランスファチェンバー170に流入することを防止する。
設備前方端部モジュール200は複数個の収納容器120、複数個のロードポート220及びフレーム5、そして第2移送ユニット230を含む。収納容器210は多数の基板Wを収納可能であり、収納容器210は加工されていない基板Wを工程ユニット100に提供し、工程ユニット100によって加工された基板Wを更に収納する。収納容器210はロードポート220に安着され、ロードポート220はフレーム5の前方に設置されて収納容器210を支持する。
フレーム5はロードポート220とロードロックチェンバー150との間に設置されて内部空間8を有し、内部空間8には第2移送ユニット230が設置される。第2移送ユニット230はロードポート220に安着された収納容器210と工程ユニット230との間に基板Wを移送する。第2位送ユニット230は収納容器210から基板Wを引き出して工程ユニット230に基板Wを提供し、工程ユニット230から加工された基板2を提供されて収納容器210に移送する。
また、フレームは上部にファン(図示せず)とフィルタ(図示せず)を有する。ファンはフレーム内の上部から下部に空気が層流で流れるようにし、フィルタは空気中のパーティクル(particle)を除去して空気をろ過する。即ち、フレームの一側面に連通して設置されるヒューム除去装置1の収納空間(図2の3)はフレーム5の内部空間8より低い圧力を有し、内部空間8の気体は収納空間(図2の3)に向かって流動する。
基板を加工する枚葉式(single cluster)方式のジクロロシラン工程の場合、反応式1のような化学反応が行われる。
(SiH2Cl2+2N2O→SiO2+2N↑+2HCl)―反応式1
反応式1のように、ジクロロシラン工程が行われた基板Wが枚葉式方式でフープに移送されると、基板Wの表面に吸着されていた塩酸(HCl)が設備前方端部モジュール200内部の湿気と反応して塩酸が発生し、この塩酸が設備前方端部モジュール200内部の金属を腐食させる問題が発生する。特に、基板Wを各一枚単位に洗浄する枚葉式工程の場合、配置式工程より迅速に工程が完了されることで基板Wから発生する腐食性ガス(HCl)の残存量が増加し、周辺部品及び装置が腐食する問題が深刻である。
(SiH2Cl2+2N2O→SiO2+2N↑+2HCl)―反応式1
反応式1のように、ジクロロシラン工程が行われた基板Wが枚葉式方式でフープに移送されると、基板Wの表面に吸着されていた塩酸(HCl)が設備前方端部モジュール200内部の湿気と反応して塩酸が発生し、この塩酸が設備前方端部モジュール200内部の金属を腐食させる問題が発生する。特に、基板Wを各一枚単位に洗浄する枚葉式工程の場合、配置式工程より迅速に工程が完了されることで基板Wから発生する腐食性ガス(HCl)の残存量が増加し、周辺部品及び装置が腐食する問題が深刻である。
また、エッチング工程が完了した基板Wのヒュームが除去されないまま多数の基板Wを収納するための収納容器210に移動される場合、収納容器210内部の他の基板Wに転移されて汚染を起こす恐れがある。このような問題点を解決するため、本発明はヒューム除去装置1をフレーム5の一側に設置して基板Wの汚染原因であるヒューム及び腐食性ガスを除去する。ヒューム除去装置1について続く図面と共に説明する。
図2は、図1に示すヒューム除去装置を概略的に示す図である。図2に示すように、ヒューム除去装置1はフレーム5の一側に設置され、外部容器30の下部には支持部材50が設置されて外部容器30を支持する。外部容器30の内面には内部容器10が設置され、内部容器10はフレーム5の内部空間8と連通する収納空間3を有する。また、内部容器10には収納空間3に基板Wが出入する入口が形成される。外部容器30は内部容器10の外面と対応する形状を有し、外部容器30は内部容器10の後方と離隔配置されて排気空間(図5の25)を形成する。収納空間3には基板Wを収納する台20が具備され、所定の加工工程が完了された基板Wは第2移送ユニット230によって台20に移送される。台20は上下方向に加工工程が完了した基板Wを積載し、25個の基板Wを収容することができる。
また、内部容器10の入口に沿ってエア噴射ノズル60が設置される。エア噴射ノズル60は予め設定された位置に複数個配置され、エア噴射ノズル60はそれぞれ入口に向かってエアを噴射することでエアカーテンを形成して収納空間3とフレームの内部空間8から隔離する。エア噴射ノズルはエア供給管と連結された気体貯蔵タンク(図示せず)から気体を供給され、バルブ(図示せず)の開閉によってエア供給噴射量を調節する。気体貯蔵タンクは窒素(N2)及びアルゴン(Ar)のような不活性ガスに代替可能である。
図3は図2に示す外部容器の内部の設置状態を示す断面図であり、図4は図3に示す内部容器の背面図である。また、図5は図2に示すハウジングの内部に設置される排気ラインを概略的に示す図である。図3に示すように、内部容器10の外側には外部容器30が設置される。内部容器10の両側面にはヒータ70が設置されて基板Wを加熱し、内部容器10の収納空間3には台20が設置されて基板Wを収納する。ヒータ70は熱を発生して収納空間3の温度を上げ、それによって基板Wの上のヒュームを除去する。ヒータ70は内部容器10と台20との間に設置するが、内部容器10の内部に内装して設置してもよい。
上述したように、内部容器10はフレーム5の内部空間8と連通する収納空間3を有し、収納空間3に基板Wが出入する入口を有する。また、図4及び図5に示すように、内部容器10の入口と対向する後面には複数の排出孔15が形成される。フレームの上部に設置されたファンにより、フレーム5の内部空間8は内部容器10の収納空間3より高い圧力を維持するため、気体は内部容器10の入口側から内部容器10の排出孔15方向の気流を形成する。
内部容器10の後面と外部容器30との間には排気空間25が形成され、排気空間25に位置した外部容器30の底面には排気孔40が形成される。外部容器30の下部には支持部材50が設置されて外部容器30を支持する。支持部材50は開口を有してもよく、開口は排気孔40の下部に位置して排気孔40と連通してもよい。
排気孔40の下部には排気ライン43が設置され、排気ライン43は排気ポンプ45と連結されて収納空間3の気体を外部に強制排出する。即ち、内部容器10に設置されたヒータ70を利用し収納空間だけでなく内部の温度を上昇させて基板Wに発生したヒュームを除去するだけでなく、排気ポンプ45によって収納空間3のヒュームを内部容器10の後方に形成された排出孔15を介して排気孔40にポンピングして外部に排出することで収納空間3の内部に収納された基板Wの腐食を防止する。よって、加工された基板Wの不良を防止し、製品の収率を向上させる。
図6は、図2のヒューム除去装置におけるガスの流動状態を示す図である。上述したように、エア噴射ノズル60は内部容器10の入口に設置され、それぞれ入口に向かってエアを噴射することでエアカーテンを形成し、収納空間3を内部空間8から遮断する。排気ライン43が排気ポンプ45と連結されて排気孔40をポンピングすることで収納空間3のヒュームは内部容器10の排出孔15を介して排気空間25に流動する。ヒューム気体は排気空間25を介して排気孔40に強制排気することで、ヒューム気体の逆流を防止し、収納空間3の汚染源を完璧に除去することができる。
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが、それとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって、後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが、それとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって、後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
本発明は、多様な形態の半導体製造設備及びその製造方法に応用される。
Claims (9)
- 基板を加工する工程が行われる工程ユニットと、
前記基板が収容される収納容器が設置されるロードポートと、
前記工程ユニットと前記ロードポートとの間に設置されて内部空間を有するフレームと、
前記内部空間と連通する収納空間及び前記収納空間に基板が出入する入口を有し、前記入口と対向する後面に複数の排出孔が形成される内部容器と、
前記内部容器の外側に設置されて前記排出孔を介して前記収納空間と連通する排出空間を形成する外部容器と、
前記外部容器に形成されて前記排出空間と連通する排気孔と、
前記排気孔に連結されて前記収納空間を強制排気する排気ポンプが設置される排気ラインと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
前記内部容器の入口に設置されて前記入口に向かってエアを噴射し、エアカーテンを形成して前記収納空間が外部から隔離されるエア噴射ユニットを更に含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記内部容器は前記基板を上下方向に離隔積載する台を含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、
前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
前記収納容器内に収納された前記基板を前記工程ユニットに伝達し、前記工程ユニットから工程が完了された前記基板を前記内部容器内に伝達する、さらに前記内部容器からヒュームの除去が完了された前記基板を収納容器に伝達する移送ユニットを更に含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記工程ユニットはジクロロシランを利用したシリコーン酸化膜の形成工程であり、
前記排気ポンプは前記収納空間内で前記基板から発生したヒュームを強制排気することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 基板製造設備の一側に設置されて基板のヒュームを除去する装置において、
所定の基板加工工程が完了された前記基板が収納される収納空間及び前記収納空間に基板が出入する入口を有し、前記入口と対向する後面に複数の排出孔が形成される内部容器と、
前記内部容器の外側に設置されて前記排出孔を介して前記収納空間と連通する排出空間を形成する外部容器と、
前記外部容器に形成されて前記排出空間と連通する排気孔と、
前記排気孔に連結されて前記収納空間を強制排気する排気ポンプが設置される排気ラインと、を含むことを特徴とするヒューム除去装置。 - 前記ヒューム除去装置は、
前記内部容器の入口に設置されて前記入口に向かってエアを噴射し、エアカーテンを形成して前記収納空間が外部から隔離されるエア噴射ユニットを更に含むことを特徴とする請求項7記載のヒューム除去装置。 - 前記ヒューム除去装置は、
前記収納空間に設置されて前記基板を加熱するヒータを更に含むことを特徴とする請求項7記載のヒューム除去装置。
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JP2020524900A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | インデックス可能な側方収容ポッド装置、加熱側方収容ポッド装置、システム、及び方法 |
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