JP2022505396A - 高流速でガスパージされる側部収納ポッド装置、アセンブリ、及び方法 - Google Patents

高流速でガスパージされる側部収納ポッド装置、アセンブリ、及び方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2022505396000001
いくつかの実施形態では、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）の側部収納ポッド装置は、機器フロントエンドモジュールの本体の側壁に連結するように構成された表面を有する側部収納容器と、機器フロントエンドモジュールから基板を受け入れるように構成された開口部とを含む。ＥＦＥＭは、基板を支持するように構成された複数の支持部材を有する、側部収納容器内の側部収納チャンバを更に含む。ＥＦＥＭは、側部収納チャンバに近接して設けられ、側部収納チャンバとは別個のチャンバであるプレナムチャンバと、プレナムチャンバに連結された排気口とを更に含む。
【選択図】図２Ａ

Description

［０００１］本出願は、電子デバイス製造に関し、より具体的には、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）の側部収納ポッド装置、側部収納ポッド装置を含むＥＦＥＭアセンブリ、及び方法に関する。
［０００２］半導体構成要素製造における基板の処理は、複数のプロセスツールにおいて実行され、基板は、基板キャリア（例えば、前方開口型統一ポッド又はＦＯＵＰ）内のプロセスツール間を移動する。ＦＯＵＰは、それぞれのＦＯＵＰと、前壁の反対側のＥＦＥＭの後壁に連結された１つ又は複数の目的地（例えば、ロードロック（複数可）又は処理チャンバ（複数可））との間で基板を移送するように動作可能なロード（搬入）／アンロード（搬出）ロボットを含むＥＦＥＭの前壁にドッキングされうる。ＥＦＥＭを通過する際の汚染／腐食から基板を保護するために、適量の非反応性ガス（例えば、Ｎ２）を内部に注入することなどによって、ＥＦＥＭ内の環境が制御されうる。場合によっては、ＥＦＥＭは、例えば、恐らくは冷却のために、処理チャンバ（複数可）内の処理から戻ってくる基板を収納するために使用される、ＥＦＥＭの側壁に連結される側部収納ポッド装置を含む。しかしながら、場合によっては、既存のＥＦＥＭ及びその側部収納ポッド装置は、ある種の制限を受ける。
［０００３］いくつかの実施形態では、機器フロントエンドモジュールの側部収納ポッド装置が提供される。側部収納ポッド装置は、機器フロントエンドモジュールの機器フロントエンドモジュール本体の側壁に連結するように構成された表面を有する側部収納容器と、機器フロントエンドモジュールから基板を受け入れるように構成された開口部とを含みうる。側部収納容器内の側部収納チャンバは、基板を支持するように構成された複数の支持部材と、側部収納チャンバに近接して設けられたプレナムチャンバであって、側部収納チャンバとは別個のチャンバであるプレナムチャンバと、プレナムチャンバに連結された排気口とを含みうる。排気は、側部収納ポッド装置から除去されてもよく、ＥＦＥＭのＥＦＥＭチャンバに再循環されなくてもよい。
［０００４］いくつかの実施形態では、フロントエンド機器モジュールが提供される。フロントエンド機器モジュールは、機器フロントエンドモジュール本体と、機器フロントエンドモジュール本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置とを含みうる。側部収納ポッド装置は、機器フロントエンド本体の側壁に連結するように構成された表面を有する側部収納容器と、基板を支持するように各々が構成された、垂直方向に間隔が取られた複数の収納部材を有する容器内の側部収納ポッドチャンバと、側部収納ポッドチャンバとは別個のチャンバを備える、容器内のプレナムチャンバと、プレナムチャンバを側部収納ポッドチャンバから分離するように構成されたバッフルプレートと、プレナムチャンバに連結された排気口とを含む。
［０００５］いくつかの実施形態では、電子デバイス処理アセンブリが提供される。電子デバイス処理アセンブリは、機器フロントエンドモジュールを含む。機器フロントエンドモジュールは、機器フロントエンドモジュールチャンバを形成する機器フロントエンドモジュール本体と、機器フロントエンドモジュール本体の前壁に連結された１つ又は複数のロードポートであって、基板キャリアをそこにドッキングするように各々が構成された１つ又は複数のロードポートと、機器フロントエンドモジュール本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置とを含みうる。側部収納ポッド装置は、側部収納ポッドチャンバの壁を画定し、機器フロントエンドモジュール本体に連結するように構成されたシール面を有する側部収納容器を含みうる。チャンバ壁は、基板を支持するように構成された、垂直方向に間隔が取られた複数の支持部材と、側部収納ポッドチャンバとは別個のチャンバを有する、側部収納容器内のプレナムチャンバと、プレナムチャンバを側部収納ポッドチャンバから分離するように構成されたバッフルプレートと、排気口と、排気口に連結された排気導管と、排気口又は排気導管に連結された補助ファンとを含みうる。
［０００６］いくつかの実施形態では、側部収納ポッド装置を有するＥＦＥＭ内などで基板を処理する方法が提供される。この方法は、機器フロントエンドモジュール本体及び機器フロントエンドモジュールチャンバを含む機器フロントエンドモジュールを提供することを含みうる。機器フロントエンドモジュールは、機器フロントエンドモジュール本体の前壁に連結された１つ又は複数のロードポートであって、基板キャリアをドッキングするように各々が構成された１つ又は複数のロードポートと、機器フロントエンドモジュール本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置とを含みうる。この方法は、側部収納ポッド内に、バッフルプレートによって分離された側部収納ポッドチャンバ及びプレナムチャンバと、プレナムチャンバに連結された排気口を設けることを更に含みうる。この方法は、機器フロントエンドモジュールチャンバ内に収納された基板を横切り、バッフルプレートを通って、プレナムチャンバ内にパージガスを流すことを更に含みうる。この方法は、プレナムチャンバから排気口を通ってパージガスを排気することを更に含みうる。
［０００７］本開示のこれらの実施形態及び他の実施形態に従って、他の多くの態様及び特徴が提供される。本開示の実施形態の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付の図面から、より完全に明らかとなろう。
［０００８］後述する図面は、例示のみを目的としており、必ずしも縮尺通りではない。図面は、本開示の範囲を限定することを決して意図していない。
［０００９］本開示によるＥＦＥＭ本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置を含むＥＦＥＭを含む電子デバイス処理アセンブリの概略上面図を示す。 ［００１０］本開示の１つ又は複数の実施形態による側部収納ポッド装置の底部分の断面側面図を示す。 ［００１１］本開示の１つ又は複数の実施形態による側部収納ポッド装置のバッフルプレートを備える分離部材の正面図を示す。 ［００１２］本開示の１つ又は複数の実施形態による側部収納ポッド装置の排気の部分背面断面図を示す。 ［００１３］本開示の１つ又は複数の実施形態による、側部収納ポッド装置を含み、パージガス流及び再循環ガス流のパターンを示す、ＥＦＥＭの側面概略図を示す。 ［００１４］本開示の１つ又は複数の実施形態による側部収納ポッド装置を含むＥＦＥＭの部分斜視図を示す。 ［００１５］１つ又は複数の実施形態による、側部収納ポッドアセンブリを含むＥＦＥＭをパージする方法を示すフローチャートを示す。
［００１６］ここで、添付の図面に示された、提供される例示的な実施形態を詳細に参照する。可能な限り、同一又は類似の参照番号は、同一又は類似の部分を参照するために図面全体にわたって使用される。本明細書に記載の様々な実施形態の特徴は、別途特に明記されない限り、互いに組み合わせられうる。
［００１７］既存の電子デバイス製造アセンブリで処理される基板は、高い湿度又は他の環境要因（例えば、高過ぎる酸素（Ｏ２）レベル）、若しくは比較的高いレベルの他の化学汚染物質にさらされるときに問題が生じることがある。具体的には、比較的高い湿度レベル、比較的高いＯ２レベル、又は他の化学汚染物質に基板がさらされることで、場合によっては、基板特性に悪影響を及ぼすことがある。このように、ＥＦＥＭ内の環境は、低い相対湿度レベルのような所定の低い露出レベルに制御されうる。特に、そのような低い相対湿度環境は、他の懸念をもたらすことがある。例えば、比較的低い湿度は、処理チャンバ（複数可）内での処理後に、基板の表面からの特定の化学汚染物質の除去を困難にする可能性がある。例えば、ハロゲン含有成分（例えば、塩素、臭素、フッ素など）のような化学汚染物質は、基板の表面に接着され、このような低い相対湿度環境では、分離することが非常に困難となりうる。
［００１８］これらの問題を軽減するために、側部収納ポッド装置を通るパージガス流が供給される。例えば、パージガス流は、１００立方フィート／分（ｃｆｍ）以上、１２０ｃｆｍ以上、１４０ｃｆｍ以上、１６０ｃｆｍ以上、又は更に高い（１８０ｃｆｍ以上などの）流量で供給されうる。例えば、側部収納ポッド装置を通るパージガス流は、１００ｃｆｍ以上かつ２００ｃｆｍ以下でありうる。他の実施形態では、側部収納ポッド装置を通るパージガス流は、１５０ｃｆｍ以上かつ２００ｃｆｍ以下でありうる。
［００１９］したがって、本開示の１つ又は複数の実施形態によれば、（例えば、環境制御アセンブリの一部として）環境制御を有するＥＦＥＭを含む電子デバイス処理アセンブリが、ガスパージ能力を有する側部収納ポッド装置を更に含むように提供される。したがって、ある種の望ましくない化学汚染物質は、処理チャンバ（複数可）内での処理後に基板から効果的に除去されうる。これにより、側部収納ポッドチャンバ内に存在する、又は側部収納ポッドチャンバと共に収納された基板の表面上に位置する揮発性副生成物を効果的に低減及び／又は除去することが可能になる。更に、側部収納ポッド装置のパージ能力は、基板移送処理中の側部収納ポッドチャンバとＥＦＥＭチャンバとの間の相互汚染を低減しうる。
［００２０］本明細書に記載される装置、アセンブリ、及び方法は、ＥＦＥＭを通過するときに基板が曝される環境条件を制御することによって、基板の処理における効率及び／又は処理の改善を提供しうるが、側部収納ポッド装置に内在するときにも、同様でありうる。
［００２１］記載された実施形態では、ＥＦＥＭは、その前壁上のロードポートにドッキングされる（例えば、ＥＦＥＭ本体の前壁上に構成されたロードポートにドッキングされる）１つ又は複数の基板キャリアから基板を受け入れる。ＥＦＥＭ本体によって少なくとも部分的に形成されたＥＦＥＭチャンバ内に位置するロード／アンロードロボットのエンドエフェクタは、処理用の処理チャンバを含むメインフレーム内に移送するために、ＥＦＥＭの別の表面（例えば、その後面）上に連結された１つ又は複数のロードロック又は処理チャンバに基板を搬送する。
［００２２］いくつかの実施形態では、１つ又は複数の環境条件（例えば、相対湿度（ＲＨ）、Ｏ２の量、ＥＦＥＭチャンバ内へのパージガス（例えば、非反応性又は不活性）の流量、圧力、温度、又は任意の化学汚染物質の量）は、ＥＦＥＭチャンバ内で監視及び制御されうる。ＥＦＥＭ本体のロードポートにドッキングされたＦＯＵＰのいずれも、ＥＦＥＭチャンバ内の環境条件に関する特定の事前条件が満たされない限り、開かれない。
［００２３］本明細書の１つ又は複数の実施形態では、環境制御された側部収納ポッド装置が提供される。側部収納ポッド装置は、パージガスの流れを導入し、次いで、内部に収納された基板をパージガス流に曝露することによって、環境的に制御されうる。例えば、いくつかの実施形態では、側部収納ポッド装置は、２５以上の基板、又は更には５０以上の基板の収納を可能にする側部収納ポッドチャンバを含みうる。いくつかの実施形態では、側部収納装置は、取り外し可能／交換可能でありうる複数の側部収納容器を内部に含みうる。１つ又は複数の実施形態では、パージガスは、ＥＦＥＭチャンバから側部収納ポッドチャンバに提供されうる非反応性又は不活性ガスであってもよく、よって、内部に収納されて処理中に反応性又は汚染性ガスに曝露される任意の基板が、適切に脱気され、望ましくない汚染物質が、そこから分離されうる。
［００２４］側部収納ポッド装置は、バッフルプレートなどの適切な穿孔仕切りによって分離される側部ポッド収納チャンバ及びプレナムチャンバを含みうる。バッフルプレートは、内部に形成された一連の流路を含みうる。流路は、可変断面サイズ（例えば、直径）を含み、したがって、バッフルプレートを通る異なる断面を含みうる。流路は、所望の流量パターン又は流量プロファイルが側部収納ポッドチャンバ内に提供されるように配置されうる。特に、基板を収容しうる側部収納ポッドチャンバ内の全ての収納位置において実質的に均一な流速（Ｖ）を達成し、更に、上記のように、その内部で所定の最小流速を達成し、その上にある任意の化学汚染物質の分離を助けることが望ましい。
［００２５］側部収納ポッドチャンバを通るパージガス流は、ＥＦＥＭ本体の側壁開口部に連結された側部収納ポッド開口部を通って流入しうる。開口部は、常に開いた状態を維持し、ロード／アンロードロボットが、側部収納ポッド装置内の基板収納位置に瞬時にアクセスできるようにしてもよい。側部収納ポッドチャンバからの流れは、バッフルプレートを通ってプレナムチャンバ内に入り、排気口を通って出ることができ、排気ガス流は、ＥＦＥＭの外部に送ることができる。例えば、排気流は、化学フィルタ、吸収床、又は他の適切な排気スクラビング技術などの適切な排気処理装置に送ることができるだろう。このようにして、非反応性パージガスは、ＥＦＥＭチャンバを通って、側部収納ポッドチャンバ内に流れ、その内部に収納された任意の基板を超えて、プレナムチャンバ内に流れ、排気口を介して側部収納ポッド装置から流出しうる。これにより、基板上に存在しうる任意の化学汚染物質を分離させ、基板から除去し、側部収納ポッド装置及びＥＦＥＭから除去し、そこで基板を適切に配置し、基板を再汚染しないようにすることができる。側部収納ポッドチャンバを通る流量は、有利には、望ましくない汚染物質の許容可能な除去速度を達成するために、いくつかの実施形態において制御されうる。
［００２６］例示的な側部収納ポッド装置、側部収納ポッド装置を含むＥＦＥＭアセンブリ、及び側部収納ポッド装置に提供される基板を処理する方法の更なる詳細は、本明細書の図１－４を参照して更に説明される。
［００２７］図１及び図３Ａ－３Ｂは、本開示の１つ又は複数の実施形態による電子デバイス処理アセンブリ１００の例示的な実施形態の概略図を示す。電子デバイス処理アセンブリ１００は、移送チャンバ１０２を画定するメインフレーム壁を有するメインフレーム１０１を含みうる。移送ロボット１０３（点線の円として示される）は、移送チャンバ１０２内に少なくとも部分的に収容されうる。移送ロボット１０３は、移送ロボット１０３のロボットアーム（図示せず）の動作を介して、種々の目的地への基板の配置及びそこからの基板の抽出を行うように構成されうる。本明細書で使用される基板は、半導体ウエハ、シリコン含有ウエハ、パターニングされた又はパターニングされていないウエハ、ガラスプレートなどの電子デバイス又は回路部品を作るために使用される物品を意味するものとする。
［００２８］移送ロボット１０３の様々なロボットアーム構成要素の運きは、コントローラ１０６から命令された複数の駆動モータを収容する駆動アセンブリ（図示せず）への適切なコマンドによって制御されうる。コントローラ１０６からの信号は、移送ロボット１０３の様々なロボットアームの動きを引き起こしうる。適切なフィードバック機構は、位置エンコーダなどの種々のセンサによって、ロボットアームのうちの１つ又は複数に提供されうる。
［００２９］移送ロボット１０３は、移送チャンバ１０２内のほぼ中央に位置しうる、肩軸の周りを回転可能な相互接続されたロボットアームを含みうる。移送ロボット１０３は、移送チャンバ１０２の下部を形成するチャンバ壁（例えば、チャンバ床）に取り付けられるように構成されるベース（図示せず）を含みうる。しかしながら、いくつかの実施形態では、移送ロボット１０３は、天井に取り付けられてもよい。移送ロボット１０３は、処理ツールがツイン型処理チャンバ（図示されたように）を含む場合に、ツインチャンバ（例えば、図示されたように、並列の処理チャンバ）を保守するように構成されたデュアル型ロボットでありうる。半径方向に配向された処理チャンバのような他のタイプの処理チャンバ配向、並びに選択的コンプライアンス関節式ロボットアーム（ＳＣＡＲＡ）ロボットのような他のタイプの移送ロボットが、使用されうる。
［００３０］図示された実施形態における移送チャンバ１０２は、ほぼ正方形又はわずかに長方形の形状であり、複数のファセットを含みうる。移送ロボット１０３は、移送ロボット１０３によってアクセス可能な処理チャンバ又は他のチャンバとの間で基板１１９を移送及び／又は後退させることに適していることがある。
［００３１］移送ロボット１０３の目的地は、搬送された基板に対して処理を実行するように構成され動作可能でありうる第１のファセットに連結された第１の処理チャンバセット１０８Ａ、１０８Ｂといった、１つ又は複数の処理チャンバでありうる。移送ロボット１０３の更なる目的地はまた、第１の処理チャンバセット１０８Ａ、１０８Ｂとは反対側の第２の処理チャンバセット１０８Ｃ、１０８Ｄでありうる。同様に、移送ロボット１０３の目的地はまた、第３のファセット１０２Ｃに連結されたロードロック装置１１２とは反対側の第３の処理チャンバセット１０８Ｅ、１０８Ｆでありうる。
［００３２］ロードロック装置１１２は、内部に１つ又は複数のロードロックチャンバ（例えば、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂ）を含みうる。ロードロック装置１１２に含まれるロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、シングルウエハロードロック（ＳＷＬＬ）チャンバ、マルチウエハチャンバ、バッチロードロックチャンバ、又はそれらの組み合わせでありうる。例えば、ロードロックチャンバ１１２Ａなどの、ある特定のロードロックチャンバが、基板１１９の移送チャンバ１０２への流入のために使用される一方で、ロードロックチャンバ１１２Ｂなどの他のロードロックチャンバは、移送チャンバ１０２から基板を移動させるために使用されうる。
［００３３］様々な処理チャンバ１０８Ａ－１０８Ｆは、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、前洗浄、金属又は金属酸化物の除去など、基板１１９の任意の適切なプロセスを実行するように構成され動作可能でありうる。他の堆積、除去、又は洗浄プロセスが、内部に含まれる基板１１９上で実行されてもよい。
［００３４］基板１１９は、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）１１４から移送チャンバ１０２内に受け入れられ、また、移送チャンバ１０２を出て、ＥＦＥＭ１１４の表面（例えば、後壁）に連結されるロードロック装置１１２を通って、ＥＦＥＭ１１４に受け入れられてもよい。ＥＦＥＭ１１４は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを形成するチャンバ壁（例えば、前壁１１４Ｆ、後壁１１４Ｒ、側壁１１４Ｓ、及び上壁（天井）及び下壁（床）（符号なし）を含む、機器フロントエンドモジュール本体１１４Ｂを有する任意の容器でありうる。側壁１１４Ｓの１つは、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへのアクセスを得るために開かれうるアクセスドア１１４ｄを含みうる。１つ又は複数のロードポート１１５は、ＥＦＥＭ本体１１４Ｂの表面（例えば、前壁１１４Ｆ）上に提供され、そこで１つ又は複数の基板キャリア１１６（例えば、ＦＯＵＰ）を受けるように構成されうる。３つの基板キャリア１１６が示されているが、より多くの又はより少ない数の基板キャリア１１６がＥＦＥＭ１１４とドッキングされてもよい。
［００３５］ＥＦＥＭ１１４は、そのＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に従来の構造の適切なロード／アンロードロボット１１７（図３Ｂに部分的にのみ示される）を含みうる。ロード／アンロードロボット１１７は、エンドエフェクタ１１７ｅを含み、ドアオープナー機構（図示せず）などによって基板キャリア１１６のドアが開かれると、基板１１９を基板キャリア１１６から抽出し、基板１１９を、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを通して、ロードロック装置１１２のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂのうちの１つ又は複数内に供給するように構成され動作可能となりうる。
［００３６］更に、ロード／アンロードロボット１１７は、ロードロック装置１１２から基板１１９を抽出し、処理チャンバ１０８Ａ－１０８Ｆのうちの１つ又は複数内で基板１１９を処理した後などに、基板１１９を側部収納ポッド装置１２０の１つ又は複数の側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂ内に供給するように構成され動作可能となりうる。いくつかの実施形態では、ロード／アンロードロボット１１７は、基板１１９を基板キャリア１１６から抽出し、処理前に基板１１９を１つ又は複数の側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂ内に供給するように構成され動作可能でありうる。
［００３７］側部収納ポッド装置１２０は、ＥＦＥＭ１１４の側壁１１４Ｓに連結されうる。１つの特徴による側部収納ポッド装置１２０は、環境的に制御されうる。例えば、いくつかの実施形態では、側部収納ポッド装置１２０は、１つ又は複数の側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂを含み、各々が、基板１１９の収納を提供するように構成される側部収納ポッドチャンバ１２３を内部に画定する側部収納容器１２２を含みうる。
［００３８］例えば、２５以上、５０以上、更には７５以上の基板１１９が、側部収納ポッドチャンバ１２３の各々に収納されうる。基板１１９は、ＥＦＥＭ１１４の側壁１１４Ｓに形成された類似の開口部に連結する側部収納容器１２２の開口部１２４を介して側部収納ポッドチャンバ１２３との間で移送されうる。開口部１２４は、常に開いた状態を維持し、したがって、ロード／アンロードロボットによって内部に収納された基板への自由なアクセスが可能になる。環境制御は、側部収納ポッドチャンバ１２３内に収納された基板１１９を、本明細書で十分に説明される所望の流速Ｖで非反応性ガスのパージガス流に曝露する。
［００３９］より詳細には、図２Ａ－図３Ｂに示されるように、ＥＦＥＭ１１４の側部収納ポッド装置１２０は、内部に１つ又は複数の側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂを含みうる。２つが示されているが、１つ、２つ、３つ、又は更に４つ以上の側部収納容器が提供されてもよい。それらは、側壁１１４Ｓ上に、図示されたように積み重ねられてもよく、又は他の配向で設けられてもよい。側部収納容器１２２の各々は、機器フロントエンドモジュール本体１１４Ｂの側壁１１４Ｓに近接して位置する端面２２５を有し、ＥＦＥＭ１１４の本体１１４Ｂの側壁１１４Ｓに連結するか又は相互接続するように適切に構成されうる。連結は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃと側部収納ポッドチャンバ１２３との間に密封された境界面を提供するために、開口部１２４を包囲するシーリング部材２２６によるものでありうる。他の中間部材は、連結を容易にしうる。シーリング部材２２６は、Ｏリングシール、長方形シール又はガスケットシール、バルブシールなどの任意の適切なシールでありうる。シール材料は、プロピレンジエンモノマー、フルオロエラストマーなどでありうる。他の適切なシーリング部材及び材料が使用されてもよい。
［００４０］シーリング部材２２６は、適切な数の締め具２２７又は開口部１２４の周囲に配置された他のクランピング部材によって圧縮されうる。開口部１２４は、開口部１２４の高さに沿ってＥＦＥＭ１１４から基板１１９を受け入れるのに十分な大きさに構成されうる。例えば、開口部１２４は、基板１１９を受け入れるのに適した幅（例えば、直径３００ｍｍ）であり、ロード／アンロードロボット１１７が、側部収納ポッドチャンバ１２３の各々に垂直方向に間隔が取られた収納位置を提供する複数の支持部材２２８（図２Ａ）の各々にアクセスできるように、十分な高さを有しうる。他のサイズの基板１１９には、他のサイズが使用されうる。
［００４１］収納位置は、例えば、ロード／アンロードロボット１１７のエンドエフェクタがそれらにアクセスできるのに十分な規定された増分で垂直方向に間隔が取られた複数の支持部材２２８から形成されうる。複数の支持部材２２８は、ロード／アンロードロボット１１７のロボットエンドエフェクタ１１７ｅ（図３Ａ）が、基板１１９を収納位置上にロードするか、又は基板１１９を収納位置から取り外すことができるように、十分な距離だけ離間されうる。複数の支持部材２２８は、基板１１９を水平に支持するように構成されうる。例えば、支持部材２２８は、側部収納容器１２２の各側部から横方向に延びる適切な支持棚を含みうる。支持部材２２８は、基板１１９のエッジといった、基板１１９の一部分を支持するように構成されうる。
［００４２］側部収納ポッド装置１２０の側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂは、側部収納チャンバ１２３の各々に近接して設けられた後部にプレナムチャンバ１３０を更に含む。プレナムチャンバ１３０は、側部収納ポッドチャンバ１２３から分離されうる。プレナムチャンバ１３０は、側部収納チャンバ１２３に対して、開口部１２４とは反対側に位置する側部収納容器１２２の後側に設けられうる。プレナムチャンバ１３０は、側部収納チャンバ１２６とは別個のチャンバであり、バッフルプレート１３２（本明細書で後述される）などの任意の適切な構成の穿孔仕切りによって分離されうる。バッフルプレート１３２及びプレナム壁１２２ａによって画定される、プレナムチャンバ１３０の取り囲まれた空間（ｃｉｒｃｕｍｓｃｒｉｂｅｄ ｖｏｌｕｍｅ）は、バッフルプレート１３２から開口部１２４の平面まで延びる側部収納ポッドチャンバ１２３の空間よりもはるかに小さくてもよい。例えば、プレナムチャンバ１３０の各々の空間は、対応する側部収納ポッドチャンバ１２３の割合の小さな空間でありうる。
［００４３］側部収納ポッド装置１２０及び各側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂは、プレナムチャンバ１３０に連結され、プレナムチャンバ１３０から排気導管１３６を通してパージガスを排気するように構成される排気口２３４を更に含む。排気導管１３６は、ＥＦＥＭ１００の外部から出てもよい。排気導管１３６は、化学フィルタ、スクラバ、又は排気導管１３６によって運ばれる排出された排ガスを処理するように構成された他の類似の機能部材といった、排気廃水を処理するための任意の適切な排気処理装置１５０に連結されうる。
［００４４］図示されるように、側部収納容器１２２は、保持容器１２９の内部で完全に密封され、保持容器１２９もまた、ガスケット、Ｏ－リング、又はフランジを通して受けられた締め具２３７（図２Ａ）を保持するような他のシール及び適切なクランピング手段といった、任意の適切な手段によって、ＥＦＥＭ壁１１４Ｓに連結されかつ密封されうる。他のクランピング手段が使用されてもよい。
［００４５］図２Ｃに示される側部収納ポッド装置１２０の部分断面図に最もよく示されるように、排気導管１３６は、その長さに沿って、プレナム壁１２２ａと保持容器１２９の保持壁１２９ｗとの間の排気導管１３６の迅速な接続解除を可能にするように構成される迅速な接続解除連結部２４０を含みうる。例えば、迅速な接続解除連結部２４０は、側部収納容器１２２の側面に取り付けられる第１の静止部分を有し、迅速な接続解除連結部２４０の第２の部分は、例えば、可撓性（例えば、編組式又はアコーディオン式）導管である排気導管１３６に取り付けられうる。したがって、排気導管１３６は、迅速に接続解除され、側部収納容器１２２がプレナムチャンバ１３０に連結された排気口２３４から接続解除できるようにする。
［００４６］これにより、保守（例えば、洗浄及び／又は他の保守）のために、側部収納容器１２２を取り外すことが可能になる。排気導管１３６は、任意の適切な手段によって、保持容器１２９の保持壁１２９ｗを通過する。例えば、保持容器１２９の保持壁１２９ｗを通る排気導管１３６の通路は、シーリング部材２４２などの任意の適切な手段によって密封される密封接続によるものでもよい。シーリング部材２４２は、グロメット又は他の密封されたコネクタでありうる。オプションで、導管１３６は、形成され、溶接され、又は、別の方法で壁１２９ｗ内に密封された短いチューブで構成される通路に連結され、次いで、保持壁１２９ｗの両側で導管１３６の部分に連結される。オプションで、迅速な接続解除連結部のような連結部２４０は、保持容器１２９の保持壁１２９ｗに取り付けられてもよい。排気口２３４は、図示されたようにプレナムチャンバ１３０の底部分に近接して、又はプレナムチャンバ１３０の側方、上部若しくは底部、又は後壁に沿って別の場所に、連結されうる。
［００４７］１つ又は複数の実施形態では、例えば、窒素などの非反応性ガスがＥＦＥＭ１１４に供給されうる。内部に収納された任意の基板１１９が非反応性環境に曝露されるように、非反応性ガスは、側部収納ポッドチャンバ１２３を通って流れうる。非反応性ガス流への曝露は、汚染物質又は他の望ましくない条件（例えば、高湿度レベル）への曝露を防止又は低減し、十分な流速Ｖが存在するときに、基板１１９の表面からのある特定の望ましくない化学成分の脱気を引き起こしうる。例えば、望ましくない化学成分は、臭素含有成分、塩素含有成分、フッ素含有成分などのうちの１つ又は複数でありうる。これらの望ましくない化学成分は、パージガス流の適切な流速Ｖの結果として、基板１１９の表面から分離され除去されうる。側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂの各々を通るパージガス流の速度Ｖは、例えば、上述のとおりでありうる。速度Ｖが小さすぎると、望ましくない化学成分を効果的に分離させることができない。流速Ｖが大きすぎると、大きな圧力、高い運転コスト、及び側部収納ポッドを通る不均一又は非層流が生じる可能性がある。
［００４８］ここで図１及び図３Ａ－３Ｂを参照すると、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃには、環境制御された雰囲気をＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに提供する環境制御システム１１８が設けられうる。特に、環境制御システム１１８は、ＥＦＥＭ１１４に連結され、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の環境条件を監視及び／又は制御するように動作可能である。いくつかの実施形態では、ある特定の時間には、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃが、基板１１９の処理中などに、内部に非反応性ガスを受け入れうる。非反応性ガスは、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、又はヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスであり、パージガス供給部１１８Ｓから供給されうる。オプションで又は追加的に、パージガス供給部１１８Ａは、例えば、室温（ＲＴ）で５％未満の相対湿度（ＲＨ）を有するきれいな乾燥空気を含みうる。
［００４９］パージガス供給部１１８Ａは、制御バルブ１１８Ｖを介してＥＦＥＭ１１４の上部プレナム３４４に連結されうる。このようにして、非反応性ガス（以下、パージガス）の流れは、上側プレナム３４４から、化学フィルタ３４５、粒子フィルタ３４６、又はその両方でありうる１つ又は複数のフィルタを通って、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに流れうる。
［００５０］化学フィルタ３４５は、活性炭を含むシートであり、再循環ガス流から所望の低濃度まで特定の望ましくない化学汚染物質を濾過するために使用されうる。化学フィルタ３４５によって再循環ガス流から濾過される化学汚染物質は、ＮＨ３などのベース形成ガスであり、例えば、所望の濃度を提供するために濾過されうる。再循環ガス流キャブから濾過される化学汚染物質は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｏａｃ、ＮＯ２、ＮＯ３、ＰＯ４、ＨＦ、ＨＣＬなどの特定の酸形成ガスであり、例えば、所望の濃度まで濾過されうる。化学フィルタ３４５は、フローストリームから、化学汚染物質を１００ｐｐｂ以下、また更には酸形成ガスについては１０ｐｐｂ以下に除去するために使用されうる。
［００５１］オプションで、上部プレナム３４４からの流路は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内への実質的に均一なパージガス流を提供するように構成された均質化プレート３４７を通る流れを含みうる。均質化プレート３４７は、均質化プレート３４７からＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に出るすべての位置で流速を実質的に等しくするようにサイズ決定される複数の孔を内部に含みうる。そこから、パージガス流の一部は、側部収納ポッド装置１２０の１つ又は複数の側部収納ポッドチャンバ１２３内に進入する。ガス流の残りは、上部プレナム３４４に再循環される。再循環ガス流は、複数のリターンポート３２１を介すなどして、その底部分でＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを退出しうる。再循環経路は、アクセスドア１２４ｄに形成されたチャネル３５７を通過しうる。他の適切な再循環経路が提供されてもよい。
［００５２］図３Ａの図示された実施形態では、側部収納容器１２２を含む２つの側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂが設けられ、一方が他方の上に配置される。しかしながら、並列で、空間確保を可能にするような他の適切な配向も可能である。
［００５３］パージガス流は、１つ又は複数の側部収納ポッドチャンバ１２３を通過した後、バッフルプレート１３２を通過し、それぞれのプレナムチャンバ１３０に進入する際に、基板１１９の上、下、及び基板１１９の間を通過する。次いで、パージガス流は、排気口２３４、排気導管１３６を通って排気される。排気導管１３６は、任意の適切な構造でありうる。排気ガスは、更に、任意の適切な排気処理装置１５０に流れうる。
［００５４］１つ又は複数のバッフルプレート１３２は、基板１１９を内部に収容する１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３から、１つ又は複数のプレナムチャンバ１３０を分離する。特に、図２Ｂの平面図に最も良く示されるように、バッフルプレート１３２は、１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３の各々を通る実質的なガス流の均一性を引き起こすように適合された構成を含み、したがって、実質的なガス流の均一性が、内部に含まれる基板１１９にわたって提供されうる。本明細書で使用される「実質的なガス流の均一性」という用語は、１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３に含まれる垂直に配置された基板１１９を支持する収納位置の各々を横切る１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３の各々における流速Ｖ（図２Ａ）が、２５％以下だけ変動するが、１５％未満で変動する場合もあることを意味する。したがって、基板１１９の各々は、望ましくない化学汚染物質がそこから分離されるように、適切なガス流速に曝露されうる。基板１１９の表面からの望ましくない化学汚染物質の分離を可能にするガス流速Ｖは、上述の通りでありうる。望ましくない化学汚染物質の分離のために、ガス流速Ｖは、１００ｃｆｍ以上２００ｃｆｍ以下、又は１５０ｃｆｍ以上２００ｃｆｍ以下の範囲にあるべきである。
［００５５］実質的なガス流の均一性は、バッフルプレート１３２を通る一連の流路２５１（いくつかに符号が付されている）を形成することによって提供されうる。流路２５１の少なくともいくつかは、流路２５１の他の流路と比較して異なる断面を有している。例えば、１つの実施形態では、流路２５１は、バッフルプレート１３２の１つの垂直部分において一組の比較的大きな流路２５１Ｌ、及びバッフルプレート１３２の別の垂直部分において一組の比較的小さな流路２５１Ｓを画定又は含みうる。
［００５６］図示された実施形態では、比較的大きな流路２５１Ｌ、すなわち比較的大きな断面を有するものは、バッフルプレート１３２の一端２３２Ａ（例えば、図示されたプレナムチャンバ１３０の上端）に向かって位置する。例えば、比較的大きな流路２５１Ｌは、プレナムチャンバ１３０内の排気口２３４の位置から垂直方向に離れて位置決めされうる。図示された実施形態における排気口２３４は、プレナムチャンバ１３０の底部端に近接して位置決めされ、したがって、比較的大きな流路２５１Ｌは、バッフルプレート１３２の上端２３２Ａに近接して設けられる。
［００５７］しかしながら、いくつかの実施態様では、排気口２３４は、プレナムチャンバ１３０の上端と下端との間に配置されうる。この構成では、比較的大きい流路２５１Ｌは、バッフルプレート１３２の上端と下端の両方に設けられ、比較的小さい流路２５１Ｓは、排気口２３４の位置に近い垂直位置に配置されるだろう。
［００５８］したがって、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に存在するいくつかの環境条件が、側部収納ポッド１２０の１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３内に提供されうると理解すべきである。側部収納ポッド装置１２０の１つ又は複数の側部収納ポッドチャンバ１２３内のパージガスの適切な流速Ｖが確実に提供されるために、排気口２３４又は排気導管１３６は、１つ又は複数の側部収納チャンバ１２３を通るガス流を補助するための補助ファン１５２などの流れ補助装置に接続若しくは相互接続するか、又は流れ補助装置を含みうる。補助ファン１５２からの流れ補助装置は、排気導管１３６に沿った任意の場所に位置し、いくつかの実施形態では、排気処理装置１５０の一部でありうる。
［００５９］より詳細には、環境制御システム１１８は、以下のうちの少なくとも１つを制御しうる。
１）相対湿度（ＲＨ）、
２）温度（Ｔ）、
３）Ｏ２の量、又は
４）ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ及び／又は側部収納ポッドチャンバ１２３内の不活性ガス及び／又は非反応性ガスの量。
ＥＦＥＭ１１４の他の環境条件において、側部収納ポッド収納チャンバ１２３は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内への若しくはそれを通過するガス流通速度及び／若しくは側部収納ポッドチャンバ１２３内のガス流通速度Ｖ、又はＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ、側部収納チャンバ１２３、若しくはその両方の圧力などが、監視及び／又は制御されうる。
［００６０］いくつかの実施形態では、環境制御システム１１８は、コントローラ１０６を含む。コントローラ１０６は、適切なプロセッサ、メモリ、及び／又は様々なセンサ（例えば、センサ１２８（複数可））からの入力を受信し、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ及び／又は１つ又は複数の側部収納ポッドチャンバ１２３内に存在する環境条件を制御するために、１つ又は複数のバルブ又は他の構成要素（例えば、補助ファン１５２、再循環ファン３５４（複数可））を制御するための電子部品を含みうる。
［００６１］環境制御システム１１８は、１つ又は複数の実施形態では、相対湿度（ＲＨ）を感知するように構成されるセンサ１２８（例えば、相対湿度センサ）を用いてＥＦＥＭ１１４Ｃ内のＲＨを感知することによって、相対湿度（ＲＨ）を監視しうる。任意の適切なタイプの相対湿度センサ、例えば容量性型センサが使用されうる。側部収納ポッド１２０内の相対湿度はまた、側部収納ポッドチャンバ１２３、プレナムチャンバ１３０、又は排気導管１３６内に適切なセンサ（図示せず）を設けることなどによって監視されうる。ＲＨは、適量の不活性ガス及び／又は非反応性ガスを、環境制御システム１１８のパージガス供給部１１８Ａから入口ポート３５５を通ってＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に流すことによって低下させることができる。
［００６２］本明細書に記載されるように、パージガス供給部１１８Ａからの不活性ガス及び／又は非反応性ガスは、アルゴン、Ｎ２、ヘリウム、きれいな乾燥空気などの別の非反応性ガス、又はそれらの混合物でありうる。Ｈ２Ｏレベルが低い（例えば、純度≧９９．９９９５％、Ｈ２Ｏ≦５ｐｐｍ）の圧縮されたバルクガスは、例えば、環境制御システム１１８におけるパージガス供給部１１８Ａとして使用されうる。５％以下のＲＨなどの他のＨ２Ｏレベルが使用されてもよい。
［００６３］１つ又は複数の実施形態では、別の手段によって、所定の基準湿度値は、電子デバイス処理アセンブリ１００又はＥＦＥＭ１１４及び側部収納ポッドチャンバ１２１の環境に曝露された特定の基板１１９内で実行される特定のプロセスに許容される水分レベルに応じて、約１０００ｐｐｍ未満の水分、約５００ｐｐｍ未満の水分、更には約１００ｐｐｍ未満の水分でありうる。
［００６４］環境制御システム１１８は、ＥＦＥＭ１１４内の酸素（Ｏ２）のレベルを感知するように構成及び適合される酸素センサなどのセンサ１２８を含みうる。側部収納ポッドチャンバ１２１、プレナムチャンバ１３０、又は排気導管１３６内の酸素レベルもまた、監視されうる。いくつかの実施形態では、パージガス供給部１１８Ａから入口ポート３５５を通ってＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内への適量の不活性ガス及び／又は非反応性ガスの流れを開始する、コントローラ１０６から環境制御システム１１８までの制御信号が、酸素（Ｏ２）のレベルを閾値Ｏ２値未満に制御するために、発生しうる。１つ又は複数の実施形態では、閾値Ｏ２値は、電子デバイス処理システム１００で実行される特定のプロセス、又はＥＦＥＭ１１４、側部収納ポッド１２０、及び／又は側部収納ポッドチャンバ１２１の環境に曝露される特定の基板に対して許容される（品質に影響を及ぼさない）Ｏ２のレベルに応じて、約１０ｐｐｍ未満のＯ２、約１０ｐｐｍ未満のＯ２、更には約５ｐｐｍ未満のＯ２でありうる。他の閾値Ｏ２の値が使用されてもよい。いくつかの実施形態において、センサ１２８（例えば、酸素センサ）は、安全な閾値レベルを超えていることを確認し、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへの進入を許容する（例えば、メンテナンス中の技術者により）ために、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃにおける酸素レベルを感知しうる。
［００６５］環境制御システム１１８は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の絶対圧力又は相対圧力を測定する圧力センサ１３３を更に含みうる。側部収納ポッドチャンバ１２３、プレナムチャンバ１３０、又は排気導管１３６内の圧力レベルもまた、監視されうる。いくつかの実施形態では、コントローラ１０６は、パージガス供給部１１８ＡからＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ及び／又は側部収納ポッドチャンバ１２１内への不活性ガス及び／又は非反応性ガスの流量を制御し、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ、側部収納ポッドチャンバ１２３、プレナムチャンバ１３０、又は排気導管１３６内の圧力を制御しうる。
［００６６］本明細書に図示される実施形態では、コントローラ１０６は、適切なプロセッサ、メモリ、及び様々なセンサ１２８（複数可）から制御入力を受け取り、閉ループ又は他の適切な制御方式を実行するように適合された、周辺構成要素を有する任意の適切なコントローラでありうる。１つの実施形態では、制御スキームは、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ、側部収納ポッドチャンバ１２３、プレナムチャンバ１３０、又は排気導管１３６内の所望の環境条件を、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃからのガスの所望の交換速度及び再循環速度とともに達成するために、補助ファン１５２、再循環ファン３５４（複数可）、及びベースバルブ３５６のための制御設定とともに、バルブ１１８Ｖを介して入口ポート３５５を通してＥＦＥＭ１１４に導入されるパージガスの流量を変更しうる。いくつかの実施形態では、再循環速度、すなわち、再循環チャネル３５７を通るＥＦＥＭチャンバ１１４ｃからの再循環速度（ＲＲ）は、１０００ｃｆｍ以上でありうる。ＲＲは、再循環ファン３５４（複数可）の制御設定によって制御される。
［００６７］交換速度（ＥＲ）、すなわち、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃからのパージガスの除去速度は、排気導管１３６を通して排気されるガスの量と共にベースバルブ３５６を通して除去されるガスの量を考慮して、２００リットル／分以下など、小さくてよい。場合によっては、ベースバルブは排除されうる。
［００６８］別の実施形態では、制御スキームは、基板をＥＦＥＭ１１４及び／又は側部収納ポッドチャンバ１２３にいつ移送するかを決定しうる。いくつかの実施形態では、側部収納ポッドチャンバ１２３は、側部収納ポッドチャンバ１２３、プレナムチャンバ１３０、及び／又は排気導管１３６を監視し、かつ側部収納ポッドチャンバ１２３内の環境を制御するために、別個のコントローラ及び／又はセンサ（複数可）を使用しうる。
［００６９］したがって、ＥＦＥＭ１１４の本体に取り付けられた側部収納ポッド１２０は、特定の環境条件下で基板１１９を収納しうる。例えば、側部収納ポッドチャンバ１２３は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に存在するのと同じ環境条件（ＲＨ、Ｏ２、及び温度）で基板１１９を収納しうる。あるいは、側部収納ポッドチャンバ１２３は、基板収納のためにＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃとは異なる環境条件（例えば、より高い流速Ｖ）を採用してもよい。
［００７０］いくつかの実施形態では、例えば、側部収納ポッドチャンバ１２３への進入前に、ガス流を加熱するために、ヒータ（図示せず）が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、ヒータは、ＥＦＥＭチャンバ１１４ｃ内又は上部プレナムチャンバ３４４内に設けられてもよく、又は入口ポート３５５から進入するガスが加熱されてもよい。加熱により、例えば、５oＣ以上、５oＣから１０oＣ以上、又は更には５oＣから２５oＣの側部収納ポッドチャンバ１２３内のガス流温度が発生しうる。
［００７１］動作中、側部収納ポッドコンテナ１２０ａ、１２０ｂは、アクセスドア１２９ｄを介して保持容器１２９に搬入されるか、又は保持容器１２９から除去されうる。これにより、側部収納ポッドチャンバ１２３の容易なメンテナンス及び洗浄、並びに内部に新しい又は洗浄された側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂを迅速に追加する能力が可能になる。
［００７２］アクセスドア１２９ｄ及び保持容器１２９は、側部収納コンテナ１２０ａ、１２０ｂを包囲する密閉環境を提供するように構成されうる。側部収納ポッドコンテナ１２０ａ、１２０ｂは、ＥＦＥＭ側壁１１４Ｂに対する所定の位置に固定され、開口部１２４は開いたままにされ、基板１１９が、命令通りにロード／アンロードロボット１１７によって側部収納ポッドチャンバ１２３に搬入されるか、又は側部収納ポッドチャンバ１２３から除去されることができるようにする。
［００７３］いくつかの実施形態では、ロード／アンロードロボット１１７は、エンドエフェクタ１１７ｅの、側部収納ポッドチャンバ１２３内の収納位置のいずれかとの垂直な位置合わせを可能にする垂直運動能力を含みうる。
［００７４］図４は、本明細書で提供される実施形態による、ＥＦＥＭ１１４の側部収納ポッド装置１２０内、及び電子デバイス処理アセンブリ１００内などでの、基板１１９を処理する方法４００を示す。図４を参照すると、ブロック４０２において、方法４００は、機器フロントエンドモジュール本体１１４Ｂ及び機器フロントエンドモジュールチャンバ１１４Ｃを含む機器フロントエンドモジュール１１４であって、機器フロントエンドモジュール１１４が、機器フロントエンドモジュール本体１１５Ｂの前壁１１４Ｆに連結された１つ又は複数のロードポート１１５を含み、各ロードポート１１５が、基板キャリア１１６を支持するように構成された、機器フロントエンドモジュール１１４と、機器フロントエンドモジュール本体１１４Ｂの側壁１１４Ｓに連結された側部収納ポッド装置１２０とを提供することを含む。
［００７５］方法４００は、ブロック４０４において、側部収納ポッド装置１２０内に、バッフルプレート１３２によって分離された側部収納ポッドチャンバ１２３及びプレナムチャンバ１３０と、プレナムチャンバ１３０に連結された排気口２３４とを提供することを更に含む。
［００７６］方法４００は、ブロック４０６において、パージガス（例えば、非反応性ガス又は不活性ガス）を、機器フロントエンドモジュールチャンバ１２３内に収納された基板１１９を横切って、バッフルプレート１３２を通って、プレナムチャンバ１３０内に流し、ブロック４０８において、パージガスを、プレナムチャンバ１３０から排気口２３４を通って排気することを更に含む。排気は、その１つ又は複数の排気導管１３６を通って側部収納ポッド装置１２０から出て、再循環されるかＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに戻されるのではなく、排気処理装置１５０にルート決めされ、そこで適切に処理されうる。
［００７７］方法４００は、ブロック４１０において、補助ファン３５２などを用いて、側部収納ポッドチャンバ１２３を通るパージガスの流れを補助することを更に含みうる。流れ補助装置は、基板１１９にわたって所望のレベルまで流速Ｖを補い増加させ、そこから化学汚染物質を効果的に分離することができる。
［００７８］基板１１９にわたるパージガスの流れは、１００ｃｆｍ以上、１４０ｃｆｍ以上、又は更に１６０ｃｆｍ以上のガス流速Ｖを含みうる。１００ｃｆｍ以上かつ２００ｃｆｍ以下の流速Ｖは、基板１１９からのハロゲン含有成分のような化学汚染物質の分離に許容できることが見出された。
［００７９］側部収納ポッドチャンバ１２３は、複数の基板１１９を内部に収納し、ガス流速Ｖは、側部収納ポッドチャンバ１２３に収容された複数の基板１１９の各々にわたり実質的に均一でありうる。実質的に均一なガス流を発生させるために、バッフルプレート１３２内の穿孔の異なる寸法が使用されうる。例えば、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ、側部収納ポッドチャンバ１２３、バッフルプレート１３２、及びプレナムチャンバ１３０を通るガス流、並びに排気口２３４を通る出口は、バッフルプレート１３２のための適切な穿孔構造及びパターンを導出するためにモデル化され、実験的に試験されうる。
［００８０］前述の説明は、本開示のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、特定のシステム、構成要素、方法などの例などの多数の特定の詳細を記載する。しかしながら、本開示の少なくともいくつかの実施形態は、これらの特定の詳細なしに実施されうることが、当業者には明らかであろう。他の例では、本開示を不必要に曖昧にすることを回避するために、周知の構成要素又は方法は、詳細に説明されないか、又は単純なブロック図形式で提示される。したがって、記載された特定の詳細は、単に例示的なものである。特定の実施態様は、これらの例示的な詳細とは異なり、なおも本開示の範囲内にあると考えられうる。
［００８１］本明細書全体を通して、「１つの実施形態」又は「実施形態」の参照は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、又は特性が、少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所における「１つの実施形態では」又は「実施形態では」という語句が現れても、必ずしもすべてが同じ実施形態を参照しているわけではない。加えて、「又は」という用語は、排他的な「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することを意図している。「約」又は「およそ」という用語が本明細書で使用される場合、これは、提示される公称値が±１０％以内で正確であることを意味することが意図される。
［００８２］本明細書の方法の工程は、特定の順序で図示され説明されるが、特定の工程が逆の順序で実行され、特定の工程が他の工程と同時に少なくとも部分的に実行されるように、各方法の工程の順序が変更されてもよい。別の実施形態では、別個の工程の命令又はサブ工程は、断続的及び／又は交互でありうる。
［００８３］上記の説明は、例示を意図したものであり、限定を意図したものではないと理解すべきである。上記の説明を読み理解すれば、多くの他の実施形態が当業者に明らかになるだろう。したがって、開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照し、そのような特許請求の範囲が権利を有する均等物の全範囲と共に決定されるべきである。

Claims (15)

  1. 機器フロントエンドモジュールの側部収納ポッド装置であって、
    前記機器フロントエンドモジュールの本体の側壁に連結するように構成された表面と、前記機器フロントエンドモジュールから基板を受け入れるように構成された開口部とを有する側部収納容器と、
    基板を支持するように構成された複数の支持部材を有する、前記側部収納容器内の側部収納チャンバと、
    前記側部収納チャンバに近接して設けられたプレナムチャンバであって、前記側部収納チャンバとは別個のチャンバである、プレナムチャンバと、
    前記プレナムチャンバに連結された排気口と
    を備える、側部収納ポッド装置。
  2. 前記プレナムチャンバが、前記開口部とは反対側の前記側部収納容器の側面に位置決めされる、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  3. 前記プレナムチャンバが、バッフルプレートによって前記側部収納チャンバから分離され、前記バッフルプレートが、前記側部収納チャンバを通して実質的なガス流均一性をもたらすように適合される、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  4. 前記バッフルプレートを通して形成された一連の流路を更に備える、請求項３に記載の側部収納ポッド装置。
  5. 前記一連の流路の少なくともいくつかが、異なる断面を有する、請求項４に記載の側部収納ポッド装置。
  6. 前記一連の流路が、前記バッフルプレートの１つの垂直部分に位置決めされた一組のより大きな流路と、前記バッフルプレートの別の垂直部分に位置決めされた一組のより小さな流路とを備える、請求項４に記載の側部収納ポッド装置。
  7. 前記一組のより大きな流路が、前記バッフルプレートの一端に向かって位置するか、又は前記排気口から垂直に離れて位置決めされるかのうちの少なくとも１つである、請求項６に記載の側部収納ポッド装置。
  8. 前記排気口が、前記プレナムチャンバの底部分に連結される、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  9. 前記プレナムチャンバを前記側部収納チャンバから分離するためのバッフルプレートを更に備え、前記バッフルプレートが、前記バッフルプレートを通る異なる断面を有する一連の流路を備え、前記一連の流路が、前記プレナムチャンバの上端に近接して位置する一組のより大きな流路と、前記プレナムチャンバの底部端に近接して位置する一組のより小さな流路とを含む、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  10. 前記側部収納容器を包囲する保持容器を更に備える、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  11. 前記排気口に連結され、前記保持容器の壁を通過する排気導管を更に備える、請求項１０に記載の側部収納ポッド装置。
  12. 前記排気口に連結された補助ファン、又は前記排気口に連結された排気導管を更に備える、請求項１に記載の側部収納ポッド装置。
  13. フロントエンド機器モジュールであって、
    機器フロントエンド本体と、
    前記機器フロントエンド本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置と
    を備え、前記側部収納ポッド装置が、
    前記機器フロントエンド本体の側壁に連結するように構成された表面を有する側部収納容器と、
    基板を支持するように各々が構成された、垂直方向に間隔が取られた複数の収納部材を有する、前記側部収納容器内の側部収納ポッドチャンバと、
    前記側部収納ポッドチャンバとは別個のチャンバを備える、前記側部収納容器内のプレナムチャンバと、
    前記プレナムチャンバを前記側部収納ポッドチャンバから分離するように構成されたバッフルプレートと、
    前記プレナムチャンバに連結された排気口と
    を更に備える、フロントエンド機器モジュール。
  14. 機器フロントエンドモジュールを備え、前記機器フロントエンドモジュールが、
    機器フロントエンドモジュールチャンバを形成する機器フロントエンドモジュール本体と、
    前記機器フロントエンドモジュール本体の前壁に連結された１つ又は複数のロードポートであって、基板キャリアをそこにドッキングするように各々が構成された１つ又は複数のロードポートと、
    前記機器フロントエンドモジュール本体の側壁に連結された側部収納ポッド装置と
    を含み、前記側部収納ポッド装置が、
    側部収納ポッドチャンバの壁を画定し、前記機器フロントエンドモジュール本体に連結するように構成されたシール面を有する側部収納容器であって、前記壁が、基板を支持するように構成された、垂直方向に間隔が取られた複数の支持部材を含む、側部収納容器と、
    前記側部収納ポッドチャンバとは別個のチャンバを備える、前記側部収納容器内のプレナムチャンバと、
    前記プレナムチャンバを前記側部収納ポッドチャンバから分離するように構成されたバッフルプレートと、
    排気口と、
    前記排気口に連結された排気導管と、
    前記排気口又は前記排気導管に連結された補助ファンと
    を備える、電子デバイス処理アセンブリ。
  15. 前記機器フロントエンドモジュールチャンバに連結された環境制御システムであって、前記機器フロントエンドモジュールチャンバに環境制御された雰囲気を提供するための環境制御システムを更に備える、請求項１４に記載の電子デバイス処理アセンブリ。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11373891B2 (en) 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7221110B2 (ja) * 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN113644005A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理系统
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
US20220310404A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool and methods of operation

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054014A (en) * 1997-05-21 2000-04-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Exhaust apparatus
JP2009087972A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板収容機構及び半導体製造装置
US20150107770A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Side storage unit for removing fumes and manufacturing apparatus for semionductor devices having the same
JP2015531546A (ja) * 2012-09-24 2015-11-02 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド ヒューム除去装置及び基板処理装置
JP2017011150A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 東京エレクトロン株式会社 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
JP2017139274A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
JP2018509773A (ja) * 2015-03-24 2018-04-05 ピコ アンド テラ カンパニー リミテッドPico & Tera Co., Ltd ウェハー収納容器

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313867A (ja) * 2001-02-09 2002-10-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4816545B2 (ja) * 2007-03-30 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI475627B (zh) * 2007-05-17 2015-03-01 Brooks Automation Inc 基板運送機、基板處理裝置和系統、於基板處理期間降低基板之微粒污染的方法，及使運送機與處理機結合之方法
WO2009079636A2 (en) * 2007-12-18 2009-06-25 Entegris, Inc. Methods and apparatuses for controlling contamination of substrates
JP2012094822A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Shibaura Mechatronics Corp 密閉型容器及び半導体製造装置
US10090179B2 (en) * 2011-06-28 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor stocker systems and methods
KR101329304B1 (ko) * 2011-07-29 2013-11-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101215962B1 (ko) 2012-07-30 2012-12-27 이프로링크텍(주) Ｅｆｅｍ의 버퍼 스토리지 박스
CN105453246A (zh) * 2013-08-12 2016-03-30 应用材料公司 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法
US9272315B2 (en) * 2013-10-11 2016-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Mechanisms for controlling gas flow in enclosure
TWI749397B (zh) * 2013-12-13 2021-12-11 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組（ｅｆｅｍ）及半導體製造裝置
JP6349750B2 (ja) 2014-01-31 2018-07-04 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
US10510570B2 (en) 2014-10-24 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for purging a substrate carrier at a factory interface
WO2016085622A1 (en) * 2014-11-25 2016-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
US20180286726A1 (en) * 2015-10-05 2018-10-04 Brooks Ccs Gmbh Humidity control in semiconductor systems
US10515834B2 (en) 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems
JP6679906B2 (ja) * 2015-12-11 2020-04-15 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍ
KR20180045316A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 삼성전자주식회사 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US10159169B2 (en) * 2016-10-27 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods
KR102618491B1 (ko) * 2016-10-31 2023-12-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
KR20180074276A (ko) 2016-12-23 2018-07-03 피코앤테라(주) 이에프이엠
CN106684023A (zh) * 2017-03-14 2017-05-17 大族激光科技产业集团股份有限公司上海分公司 全封闭式smif系统
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
WO2018236544A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Applied Materials, Inc. DETACHABLE SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, HEATED SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, SYSTEMS AND METHODS
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
CN111316417B (zh) * 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
JP2019161105A (ja) 2018-03-15 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体装置
JP7100243B2 (ja) 2018-04-19 2022-07-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 排気ノズルユニット、ロードポート、及びｅｆｅｍ
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11749537B2 (en) * 2018-10-26 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating equipment front end modules
US11508593B2 (en) 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054014A (en) * 1997-05-21 2000-04-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Exhaust apparatus
JP2009087972A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板収容機構及び半導体製造装置
JP2015531546A (ja) * 2012-09-24 2015-11-02 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド ヒューム除去装置及び基板処理装置
US20150107770A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Side storage unit for removing fumes and manufacturing apparatus for semionductor devices having the same
JP2018509773A (ja) * 2015-03-24 2018-04-05 ピコ アンド テラ カンパニー リミテッドPico & Tera Co., Ltd ウェハー収納容器
JP2017011150A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 東京エレクトロン株式会社 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
JP2017139274A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法

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