KR20210066935A - 높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들 - Google Patents

높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR20210066935A
KR20210066935A KR1020217015647A KR20217015647A KR20210066935A KR 20210066935 A KR20210066935 A KR 20210066935A KR 1020217015647 A KR1020217015647 A KR 1020217015647A KR 20217015647 A KR20217015647 A KR 20217015647A KR 20210066935 A KR20210066935 A KR 20210066935A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
side storage
chamber
end module
storage pod
coupled
Prior art date
Application number
KR1020217015647A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102535776B1 (ko
Inventor
폴 비. 로이터
무랄리 나라시만
아뮬야 엘. 아세이드
패트릭 판네세
딘 씨. 흐루제크
니르 메리
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20210066935A publication Critical patent/KR20210066935A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102535776B1 publication Critical patent/KR102535776B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67379—Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/10—Inorganic adsorbents
    • B01D2253/102—Carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
    • B01D2257/202—Single element halogens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
    • B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/40—Nitrogen compounds
    • B01D2257/404—Nitrogen oxides other than dinitrogen oxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/40—Nitrogen compounds
    • B01D2257/406—Ammonia
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Ventilation (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

일부 실시예들에서, 장비 전단부 모듈(EFEM)의 측면 저장 포드 장치는, 장비 전단부 모듈의 바디의 측벽에 커플링되도록 구성된 표면 및 장비 전단부 모듈로부터 기판들을 수용하도록 구성된 개구를 갖는 측면 저장 인클로저를 포함한다. EFEM은, 복수의 지지 부재들을 갖는, 측면 저장 인클로저 내의 측면 저장 챔버를 더 포함하며, 복수의 지지 부재들은 복수의 지지 부재들 상에 기판들을 지지하도록 구성된다. EFEM은 측면 저장 챔버 가까이에 제공된 플레넘 챔버 ― 플레넘 챔버는 측면 저장 챔버와 별개의 챔버임 ― 및 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 더 포함한다.

Description

높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들
[0001] 본원은 전자 디바이스 제조에 관한 것으로, 더 구체적으로는 장비 전단부 모듈(EFEM; equipment front end module)들의 측면 저장 포드 장치(side storage pod apparatus), 측면 저장 포드 장치를 포함하는 EFEM 어셈블리들, 및 방법들에 관한 것이다.
[0002] 반도체 컴포넌트 제조에서 기판들을 프로세싱하는 것은 다수의 프로세스 툴들에서 수행되며, 여기서 기판들은 기판 캐리어들(예컨대, 전방 개방 통합 포드(Front Opening Unified Pod)들 또는 FOUP들)에서 프로세스 툴들 사이를 이동한다. FOUP들은, EFEM의 전면 벽 반대편의, EFEM의 후면 벽에 커플링된 하나 이상의 목적지들(예컨대, 로드 록(들) 또는 프로세스 챔버(들))과 개개의 FOUP들 사이에서 기판들을 전달하도록 동작가능한 로드/언로드 로봇을 포함하는 EFEM의 전면 벽에 도킹될 수 있다. EFEM을 통한 이송 동안 기판들을 오염/부식으로부터 보호하기 위해, 이를테면, 적절한 양의 비-반응성 가스(예컨대, N2)를 EFEM에 주입함으로써, EFEM 내의 환경이 제어될 수 있다. 일부 경우들에서, EFEM은, 예컨대 아마도 냉각을 위해 프로세싱 챔버(들)에서의 프로세싱으로부터 리턴되는 기판들을 저장하는 데 사용되는, EFEM의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함한다. 그러나, 일부 경우들에서, 기존의 EFEM들 및 기존의 EFEM들의 측면 저장 포드 장치는 특정 제한들을 겪는다.
[0003] 일부 실시예들에서, 장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치가 제공된다. 측면 저장 포드 장치는, 장비 전단부 모듈의 장비 전단부 모듈 바디의 측벽에 커플링되도록 구성된 표면 및 장비 전단부 모듈로부터 기판들을 수용하도록 구성된 개구를 갖는 측면 저장 인클로저를 포함할 수 있다. 측면 저장 인클로저 내의 측면 저장 챔버는, 복수의 지지 부재들 ― 복수의 지지 부재들은 복수의 지지 부재들 상에 기판들을 지지하도록 구성됨 ―, 측면 저장 챔버 가까이에 제공된 플레넘 챔버(plenum chamber) ― 플레넘 챔버는 측면 저장 챔버와 별개의 챔버임 ―, 및 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 포함할 수 있다. 배기(exhaust)는 측면 저장 포드 장치로부터 제거될 수 있고, EFEM의 EFEM 챔버로 재순환되지 않을 수 있다.
[0004] 일부 실시예들에서, 장비 전단부 모듈이 제공된다. 장비 전단부 모듈은, 장비 전단부 모듈 바디, 및 장비 전단부 모듈 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함할 수 있다. 측면 저장 포드 장치는: 장비 전단부 바디의 측벽에 커플링되도록 구성된 표면을 갖는 측면 저장 포드 인클로저, 기판을 지지하도록 각각 구성된 복수의 수직으로-이격된 저장 부재들을 갖는, 인클로저 내의 측면 저장 포드 챔버, 측면 저장 포드 챔버와 별개의 챔버를 포함하는, 인클로저 내의 플레넘 챔버, 플레넘 챔버를 측면 저장 포드 챔버로부터 분리하도록 구성된 배플 플레이트(baffle plate), 및 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 포함할 수 있다.
[0005] 일부 실시예들에서, 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리가 제공된다. 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리는 장비 전단부 모듈을 포함한다. 장비 전단부 모듈은: 장비 전단부 모듈 챔버를 형성하는 장비 전단부 모듈 바디; 장비 전단부 모듈 바디의 전면 벽에 커플링된 하나 이상의 로드 포트들 ― 각각의 로드 포트는 각각의 로드 포트에 기판 캐리어를 도킹하도록 구성됨 ―; 및 장비 전단부 모듈 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함할 수 있다. 측면 저장 포드 장치는: 측면 저장 포드 챔버의 챔버 벽들을 정의하고, 그리고 장비 전단부 모듈 바디에 커플링되도록 구성된 밀봉 표면을 갖는 측면 저장 인클로저를 포함할 수 있다. 챔버 벽들은, 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들 ― 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들은 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들 상에 기판들을 지지하도록 구성됨 ―, 측면 저장 포드 챔버와 별개의 챔버를 갖는, 측면 저장 인클로저 내의 플레넘 챔버, 플레넘 챔버를 측면 저장 포드 챔버로부터 분리하도록 구성된 배플 플레이트, 배기 포트, 배기 포트에 커플링된 배기 도관, 및 배기 포트 또는 배기 도관에 커플링된 보조 팬(supplemental fan)을 포함할 수 있다.
[0006] 일부 실시예들에서, 이를테면, 측면 저장 포드 장치를 갖는 EFEM 내에서 기판들을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 장비 전단부 모듈 바디 및 장비 전단부 모듈 챔버를 포함하는 장비 전단부 모듈을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 장비 전단부 모듈은, 장비 전단부 모듈 바디의 전면 벽에 커플링된 하나 이상의 로드 포트들 ― 각각의 로드 포트는 기판 캐리어를 도킹하도록 구성됨 ―, 및 장비 전단부 모듈 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함할 수 있다. 방법은, 측면 저장 포드에서, 배플 플레이트에 의해 분리되는 측면 저장 포드 챔버와 플레넘 챔버, 및 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법은, 장비 전단부 모듈 챔버에 저장된 기판들을 가로질러, 배플 플레이트를 통해, 그리고 플레넘 챔버 내로 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법은, 퍼지 가스를 플레넘 챔버로부터 배기 포트를 통해 배기하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0007] 다수의 다른 양상들 및 특징들이 본 개시내용의 이러한 그리고 다른 실시예들에 따라 제공된다. 본 개시내용의 실시예들의 다른 특징들 및 양상들은 다음의 상세한 설명, 청구항들, 및 첨부 도면들로부터 더 완전히 명백하게 될 것이다.
[0008] 이하에 설명되는 도면들은 단지 예시의 목적들을 위한 것이며 반드시 실척대로 그려진 것은 아니다. 도면들은 어떤 방식으로도 본 개시내용의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
[0009] 도 1은 본 개시내용에 따른, EFEM 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함하는 EFEM을 포함하는 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0010] 도 2a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 측면 저장 포드 장치의 최하부 부분의 측단면도를 예시한다.
[0011] 도 2b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 측면 저장 포드 장치의 배플 플레이트를 포함하는 분리 부재의 정면 평면도를 예시한다.
[0012] 도 2c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 측면 저장 포드 장치의 배기의 부분적인 후방 단면도를 예시한다.
[0013] 도 3a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른, 퍼지 가스 유동 및 재순환 가스 유동 패턴들을 예시하고 측면 저장 포드 장치를 포함하는 EFEM의 개략적인 측면도를 예시한다.
[0014] 도 3b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 측면 저장 포드 장치를 포함하는 EFEM의 부분 사시도를 예시한다.
[0015] 도 4는 하나 이상의 실시예들에 따른 측면 저장 포드 어셈블리를 포함하는 EFEM을 퍼지하는 방법을 도시하는 흐름도를 예시한다.
[0016] 이제, 제공된 예시적인 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 그 실시예들은 첨부 도면들에 예시된다. 가능한 경우에, 동일한 또는 유사한 참조 번호들은 도면들 전반에 걸쳐 동일한 또는 유사한 부분들을 지칭하기 위해 사용될 것이다. 본원에서 설명된 다양한 실시예들의 특징들은, 달리 구체적으로 기재되어 있지 않는 한, 서로 조합될 수 있다.
[0017] 기존의 전자 디바이스 제조 어셈블리들에서 프로세싱되는 기판들은, 높은 습도 또는 다른 환경 요인들(예컨대, 너무 높은 산소(O2) 레벨, 또는 비교적 높은 레벨들의 다른 화학 오염물들)에 노출될 때, 문제들을 겪을 수 있다. 특히, 일부 경우들에서, 비교적 높은 습도 레벨들, 비교적 높은 O2 레벨들, 또는 다른 화학 오염물들에 대한 기판들의 노출은 기판 특성들에 악영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, EFEM 내의 환경은 미리 정의된 낮은 노출 레벨, 이를테면, 낮은 상대 습도 레벨로 제어될 수 있다. 특히, 그러한 낮은 상대 습도 환경은 다른 문제들을 유발할 수 있다. 예컨대, 비교적 낮은 습도는 프로세싱 챔버(들)에서의 프로세싱 후에 기판의 표면으로부터 특정 화학 오염물들을 제거하는 것을 어렵게 만들 수 있다. 예컨대, 화학 오염물들, 이를테면, 할로겐-함유 성분들(예컨대, 염소, 브롬, 불소 등)은 기판의 표면에 부착될 수 있으며, 그러한 낮은 상대 습도 환경들에서는 분리하기가 매우 어려울 수 있다.
[0018] 이러한 문제들을 완화시키기 위해, 측면 저장 포드 장치를 통한 퍼지 가스 유동이 제공된다. 예컨대, 100 cfm(cubic feet per minute) 이상, 120 cfm 이상, 140 cfm 이상, 160 cfm 이상, 또는 심지어 180 cfm 이상과 같이 더 높은 퍼지 가스 유동이 제공될 수 있다. 예컨대, 측면 저장 포드 장치를 통한 퍼지 가스 유동은 100 cfm 이상 내지 200 cfm 이하일 수 있다. 다른 실시예들에서, 측면 저장 포드 장치를 통한 퍼지 가스 유동은 150 cfm 이상 내지 200 cfm 이하일 수 있다.
[0019] 따라서, 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따르면, 가스 퍼지 능력을 갖는 측면 저장 포드 장치를 더 포함하는, (예컨대, 환경 제어 어셈블리의 일부로서) 환경 제어들을 갖는 EFEM을 포함하는 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리들이 제공된다. 따라서, 특정한 바람직하지 않은 화학 오염물들은 프로세싱 챔버(들)에서의 프로세싱 다음에 기판들로부터 효과적으로 제거될 수 있다. 이는, 측면 저장 포드 챔버 내에 존재하거나 측면 저장 포드 챔버에 저장된 기판들의 표면들 상에 로케이팅된 임의의 휘발성 부산물들이 효과적으로 감소 및/또는 제거되는 것을 가능하게 한다. 또한, 측면 저장 포드 장치의 퍼지 능력은 기판 전달 프로세싱 동안 측면 저장 포드 챔버와 EFEM 챔버 사이의 교차 오염을 감소시킬 수 있다.
[0020] 본원에서 설명된 장치, 어셈블리들, 및 방법들은, EFEM을 통해 이송될 때 뿐만 아니라 측면 저장 포드 장치 내에 상주할 때 기판들이 노출되는 환경 조건들을 제어함으로써 기판들의 프로세싱에서 효율성 및/또는 프로세싱 개선들을 제공할 수 있다.
[0021] 설명된 실시예들에서, EFEM은 EFEM의 전면 벽 상의 로드 포트에 도킹되는(예컨대, EFEM 바디의 전면 벽 상에 구성된 로드 포트에 도킹되는) 하나 이상의 기판 캐리어들로부터의 기판들을 수용한다. EFEM 바디에 의해 적어도 부분적으로 형성된 EFEM 챔버에 로케이팅된 로드/언로드 로봇의 엔드 이펙터는, 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버들을 포함하는 메인프레임 내로의 전달을 위해 EFEM의 다른 표면(예컨대, EFEM의 후방 표면) 상에 커플링된 하나 이상의 로드 록들 또는 프로세스 챔버들로 기판을 전달한다.
[0022] 일부 실시예들에서, 하나 이상의 환경 조건들(예컨대, 상대 습도(RH), O2의 양, EFEM 챔버 내로의 퍼지 가스(예컨대, 비-반응성 또는 불활성) 유동의 양, 압력, 온도, 또는 임의의 화학 오염물의 양)은 EFEM 챔버에서 모니터링 및 제어될 수 있다. EFEM 챔버 내의 환경 조건들과 관련된 특정 사전-조건들이 충족되지 않는 한, EFEM 바디의 로드 포트들에 도킹된 어떤 FOUP들도 개방되지 않을 수 있다.
[0023] 본원의 하나 이상의 실시예들에서, 환경적으로-제어되는 측면 저장 포드 장치가 제공된다. 측면 저장 포드 장치는, 측면 저장 포드 장치를 통해 퍼지 가스의 유동을 도입하여 그 내부에 저장된 기판들을 퍼지 가스 유동에 노출시킴으로써 환경적으로 제어될 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 측면 저장 포드 장치는, 내부에 25개 이상의 기판들, 또는 심지어 50개 이상의 기판들의 저장을 가능하게 하는 측면 저장 포드 챔버를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 측면 저장 장치는, 제거가능/교환가능할 수 있는 다수의 측면 저장 컨테이너들을 내부에 포함할 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 퍼지 가스는, 프로세싱 동안 반응성 또는 오염 가스에 노출될 수 있는, 내부에 저장된 임의의 기판들이 적절하게 탈기되고 원하지 않는 오염물들이 기판들로부터 분리될 수 있도록, EFEM 챔버로부터 측면 저장 포드 챔버로 제공될 수 있는 비-반응성 또는 불활성 가스일 수 있다.
[0024] 측면 저장 포드 장치는, 적절한 천공된 파티션에 의해, 이를테면, 배플 플레이트에 의해 분리되는, 측면 포드 저장 챔버와 플레넘 챔버를 포함할 수 있다. 배플 플레이트는 내부에 형성된 일련의 유동 통로들을 포함할 수 있다. 유동 통로들은 가변 단면 크기들(예컨대, 직경들)을 포함할 수 있고, 그에 따라, 배플 플레이트를 관통하는 상이한 단면적들을 포함할 수 있다. 유동 통로들은, 원하는 유동 패턴 또는 유동 프로파일이 측면 저장 포드 챔버 내에 제공되도록 배열될 수 있다. 특히, 기판들을 포함할 수 있는 측면 저장 포드 챔버 내의 모든 저장 위치들에서 실질적으로 균일한 유속(V)을 달성하고, 추가로 기판들 상의 임의의 화학 오염물들을 분리시키는 것을 돕기 위해 위에서 논의된 바와 같이 내부에 미리 정의된 최소 유속을 달성하는 것이 바람직하다.
[0025] 측면 저장 포드 챔버를 통한 퍼지 가스 유동은 EFEM 바디의 측벽 개구에 커플링된 측면 저장 포드 개구를 통해 이루어질 수 있다. 개구는 항상 개방된 상태로 유지되어, 측면 저장 포드 장치의 기판 저장 위치들에 대한, 로드/언로드 로봇의 즉각적인 액세스를 제공한다. 측면 저장 포드 챔버로부터의 유동은 배플 플레이트를 통해, 플레넘 챔버 내로, 그리고 배기 포트를 통해 밖으로 이루어질 수 있으며, 배기 가스 유동은 EFEM 외부로 보내질 수 있다. 예컨대, 배기 유동은, 화학 필터, 흡수 베드, 또는 다른 적절한 배기 스크러빙 기술과 같은 적절한 배기 처리 장치로 보내질 수 있다. 이러한 방식으로, 비-반응성 퍼지 가스는 EFEM 챔버를 통해, 측면 저장 포드 챔버 내로, 측면 저장 포드 챔버의 내부에 저장된 임의의 기판들 위로, 그리고 플레넘 챔버 내로, 그리고 배기 포트를 통해 측면 저장 포드 장치 밖으로 유동할 수 있다. 이는, 기판들 상에 상주할 수 있는 임의의 화학 오염물들이 기판들로부터 분리되어 기판들로부터 제거되고, 측면 저장 포드 장치 및 EFEM으로부터 제거되는 것을 가능하게 하며, 임의의 화학 오염물들은 적절하게 폐기되어 기판들을 재-오염시키지 않을 수 있다. 일부 실시예들에서, 원하지 않는 오염물들의 허용가능한 제거 레이트를 달성하기 위해, 측면 저장 포드 챔버를 통한 유량들은 유리하게 제어될 수 있다.
[0026] 예시적인 측면 저장 포드 장치, 측면 저장 포드 장치를 포함하는 EFEM 어셈블리들, 및 측면 저장 포드 장치에 제공된 기판들을 프로세싱하는 방법들의 추가의 세부사항들이 본원에서 도 1 - 도 4를 참조하여 추가로 설명된다.
[0027] 도 1 및 도 3a - 도 3b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리(100)의 예시적인 실시예의 개략도들을 예시한다. 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리(100)는, 전달 챔버(102)를 정의하는 메인프레임 벽들을 갖는 메인프레임(101)을 포함할 수 있다. 전달 로봇(103)(점선 원으로 도시됨)이 전달 챔버(102) 내에 적어도 부분적으로 하우징될 수 있다. 전달 로봇(103)은 전달 로봇(103)의 로봇 암들(도시되지 않음)의 동작을 통해 다양한 목적지들에 기판들을 배치하고 그리고 다양한 목적지들로부터 기판들을 추출하도록 구성될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 기판들은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들, 이를테면, 반도체 웨이퍼들, 실리콘-함유 웨이퍼들, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 웨이퍼들, 유리 플레이트들 등을 제조하는 데 사용되는 물품들을 의미할 것이다.
[0028] 전달 로봇(103)의 다양한 로봇 암 컴포넌트들의 움직임은, 제어기(106)로부터 지시되는, 복수의 구동 모터들을 포함하는 구동 어셈블리(도시되지 않음)에 대한 적절한 커맨드들에 의해 제어될 수 있다. 제어기(106)로부터의 신호들은 전달 로봇(103)의 다양한 로봇 암들의 움직임을 야기할 수 있다. 다양한 센서들, 이를테면, 포지션 인코더들 등에 의해 로봇 암들 중 하나 이상에 대해 적절한 피드백 메커니즘들이 제공될 수 있다.
[0029] 전달 로봇(103)은 전달 챔버(102)에서 대략 중심에 로케이팅될 수 있는 숄더 축(shoulder axis)을 중심으로 회전가능한 상호연결된 로봇 암들을 포함할 수 있다. 전달 로봇(103)은 전달 챔버(102)의 하부 부분을 형성하는 챔버 벽(예컨대, 챔버 바닥)에 부착되도록 구성된 베이스(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서 전달 로봇(103)은 천장에 부착될 수 있다. 전달 로봇(103)은, 프로세싱 툴이 트윈-프로세스 챔버(twinned-process chamber)들을 포함할 때(도시된 바와 같음), 트윈 챔버들(예컨대, 병렬형(side-by-side) 프로세스 챔버들)(도시된 바와 같음)을 서비싱하도록 구성된 듀얼-타입 로봇일 수 있다. 다른 타입들의 프로세스 챔버 배향들, 이를테면, 방사상으로-배향된 프로세스 챔버들뿐만 아니라 다른 타입들의 전달 로봇들, 이를테면, SCARA(selective compliance articulating robot arm) 로봇들이 사용될 수 있다.
[0030] 도시된 실시예의 전달 챔버(102)는 형상이 대체로 정사각형 또는 약간 직사각형일 수 있고, 복수의 패싯들을 포함할 수 있다. 전달 로봇(103)은 전달 로봇(103)에 의해 액세스가능한 프로세스 또는 다른 챔버들에 기판들(119)을 전달하고 그리고/또는 그 프로세스 또는 다른 챔버들로부터 기판들(119)을 회수(retract)하는 데 능숙할 수 있다.
[0031] 전달 로봇(103)의 목적지들은, 제1 패싯에 커플링된 제1 프로세스 챔버 세트(108A, 108B)와 같은 하나 이상의 프로세스 챔버들일 수 있으며, 그 제1 프로세스 챔버 세트(108A, 108B)는 그에 전달된 기판들에 대해 프로세스를 수행하도록 구성되고 동작가능할 수 있다. 전달 로봇(103)의 추가의 목적지들은 또한, 제1 프로세스 챔버 세트(108A, 108B)와 대향될 수 있는 제2 프로세스 챔버 세트(108C, 108D)일 수 있다. 마찬가지로, 전달 로봇(103)의 목적지들은 또한, 제3 패싯(102C)에 커플링된 로드 록 장치(112)와 대향될 수 있는 제3 프로세스 챔버 세트(108E, 108F)일 수 있다.
[0032] 로드 록 장치(112)는 내부에 하나 이상의 로드 록 챔버들(예컨대, 예를 들어, 로드 록 챔버들(112A, 112B))을 포함할 수 있다. 로드 록 장치(112)에 포함된 로드 록 챔버들(112A, 112B)은 SWLL(single wafer load locks) 챔버들, 멀티-웨이퍼 챔버들, 배치 로드 록 챔버들, 또는 이들의 조합들일 수 있다. 예컨대, 특정 로드 록들, 이를테면, 로드 록(112A)이 전달 챔버(102) 내로의 기판들(119)의 흐름을 위해 사용될 수 있는 한편, 다른 로드 록 챔버들, 이를테면, 로드 록 챔버(112B)는 전달 챔버(102) 밖으로 기판들을 이동시키기 위해 사용될 수 있다.
[0033] 다양한 프로세스 챔버들(108A-108F)은, 기판들(119)의 임의의 적절한 프로세스, 이를테면, PVD(plasma vapor deposition) 또는 CVD(chemical vapor deposition), 에칭, 어닐링, 예비-세정, 금속 또는 금속 산화물 제거 등을 수행하도록 구성되고 동작가능할 수 있다. 다른 증착, 제거, 또는 세정 프로세스들이, 내부에 포함된 기판들(119)에 대해 수행될 수 있다.
[0034] 기판들(119)은 장비 전단부 모듈(EFEM)(114)로부터 전달 챔버(102) 내로 수용될 수 있고, 또한 EFEM(114)의 표면(예컨대, 후면 벽)에 커플링된 로드 록 장치(112)를 통해 EFEM(114)으로 전달 챔버(102)를 빠져나갈 수 있다. EFEM(114)은, EFEM 챔버(114C)를 형성하는 챔버 벽들(이를테면, 예컨대 전면 벽(114F), 후면 벽(114R), 측벽들(114S), 및 상부(천장) 및 하부(바닥) 벽들(라벨링되지 않음))을 포함하는 장비 전단부 모듈 바디(114B)를 갖는 임의의 인클로저일 수 있다. 측벽들(114S) 중 하나는, EFEM 챔버(114C)에 대한 액세스를 획득하기 위해 개방될 수 있는 액세스 도어(114d)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 로드 포트들(115)이 EFEM 바디(114B)의 표면들(예컨대, 전방 표면(114F)) 상에 제공될 수 있고 여기에 하나 이상의 기판 캐리어들(116)(예컨대, FOUP들)을 수용하도록 구성될 수 있다. 3개의 기판 캐리어들(116)이 도시되어 있지만, 더 많은 또는 더 적은 수들의 기판 캐리어들(116)이 EFEM(114)과 도킹될 수 있다.
[0035] EFEM(114)은 EFEM(114)의 EFEM 챔버(114C) 내에 종래의 구성의 적절한 로드/언로드 로봇(117)(도 3b에서 단지 부분적으로만 도시됨)을 포함할 수 있다. 로드/언로드 로봇(117)은 엔드 이펙터(117e)를 포함할 수 있으며, 이를테면, 도어 오프너 메커니즘(도시되지 않음)에 의해 일단 기판 캐리어(116)의 도어가 개방되면, 기판 캐리어(116)로부터 기판들(119)을 추출하고, 기판들(119)을 EFEM 챔버(114C)를 통해 로드 록 장치(112)의 로드 록 챔버들(112A, 112B) 중 하나 이상 내로 공급하도록 구성되고 작동될 수 있다.
[0036] 또한, 로드/언로드 로봇(117)은, 이를테면, 프로세스 챔버들(108A-108F) 중 하나 이상의 프로세스 챔버들(108A-108F) 내에서의 기판들(119)의 프로세싱 후에, 로드 록 장치(112)로부터 기판들(119)을 추출하고, 그리고 기판들(119)을 측면 저장 포드 장치(120)의 하나 이상의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b) 내로 공급하도록 구성되고 작동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드/언로드 로봇(117)은, 기판 캐리어들(116)로부터 기판들(119)을 추출하고, 프로세싱 전에 기판들(119)을 하나 이상의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b) 내로 공급하도록 구성되고 작동될 수 있다.
[0037] 측면 저장 포드 장치(120)는 EFEM(114)의 측벽(114S)에 커플링될 수 있다. 일 특징에 따른 측면 저장 포드 장치(120)는 환경적으로 제어될 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 측면 저장 포드 장치(120)는 하나 이상의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)을 포함할 수 있으며, 그 각각은 기판들(119)의 저장을 제공하도록 구성된, 내부에 측면 저장 포드 챔버(123)를 정의하는 측면 저장 인클로저(122)를 포함할 수 있다.
[0038] 예컨대, 25개 이상, 50개 이상, 또는 심지어 75개 이상의 기판들(119)이 측면 저장 포드 챔버들(123) 각각에 저장될 수 있다. 기판들(119)은, EFEM(114)의 측벽(114S)에 형성된 유사한 개구에 커플링될 수 있는 측면 저장 인클로저들(122) 내의 개구들(124)을 통해 측면 저장 포드 챔버들(123)로 그리고 측면 저장 포드 챔버들(123)로부터 전달될 수 있다. 개구들(124)은 항상 개방된 상태로 유지될 수 있으며, 그에 따라, 측면 저장 포드 챔버들(123) 내부에 저장된 기판들에 대한, 로드/언로드 로봇에 의한 제한받지 않는(unfettered) 액세스를 가능하게 할 수 있다. 환경 제어는 측면 저장 포드 챔버들(123)에 저장된 기판들(119)을 본원에서 완전히 설명된 원하는 유속(V)으로 비-반응성 가스의 퍼지 가스 유동에 노출시킨다.
[0039] 더 상세하게 그리고 도 2a - 도 3b에 도시된 바와 같이, EFEM(114)의 측면 저장 포드 장치(120)는 내부에 하나 이상의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)을 포함할 수 있다. 2개가 도시되어 있지만, 1개, 2개, 3개 또는 심지어 4개 이상의 측면 저장 컨테이너들이 제공될 수 있다. 이들은 도시된 바와 같이 적층될 수 있거나 다른 배향들로 측벽(114S) 상에 제공될 수 있다. 측면 저장 인클로저들(122) 각각은, 장비 전단부 모듈 바디(114B)의 측벽(114S) 가까이에 로케이팅된 단부 표면(225)을 가지며, 이는 EFEM(114)의 바디(114B)의 측벽(114S)에 커플링되거나 상호연결되도록 적절하게 구성될 수 있다. 커플링은, EFEM 챔버(114C)와 측면 저장 포드 챔버들(123) 사이에 밀봉된 계면을 제공하기 위해 개구(124)를 둘러싸는 밀봉 부재(226)를 통해 이루어질 수 있다. 다른 중간 부재들이 커플링을 용이하게 할 수 있다. 밀봉 부재(226)는 임의의 적절한 밀봉, 이를테면, O-링 밀봉, 직사각형 밀봉 또는 개스킷 밀봉, 벌브 밀봉(bulb seal) 등일 수 있다. 밀봉 재료는, 프로필렌 디엔 단량체(propylene diene monomer), 플루오로엘라스토머(fluoroelastomer) 등일 수 있다. 다른 적절한 밀봉 부재들 및 재료들이 사용될 수 있다.
[0040] 밀봉 부재(226)는 개구(124) 주위에 배열된 적절한 수의 패스너들(227), 또는 다른 클램핑 부재들에 의해 압축될 수 있다. 개구(124)는 개구(124)의 높이를 따라 EFEM(114)으로부터 기판들(119)을 수용하기에 충분히 크도록 구성될 수 있다. 예컨대, 개구(124)는 기판들(119)을 내부에 수용하기에 적합한 폭(예컨대, 300 mm의 직경)일 수 있고, 측면 저장 포드 챔버들(123) 각각에 수직으로 이격된 저장 위치들을 제공하는 복수의 지지 부재들(228)(도 2a) 각각에 로드/언로드 로봇(117)이 액세스할 수 있도록 충분히 높은 높이를 가질 수 있다. 다르게 크기가 정해진 기판들(119)을 위해 다른 크기들이 사용될 수 있다.
[0041] 저장 위치들은, 예컨대 로드/언로드 로봇(117)의 엔드 이펙터가 이들에 액세스하는 것을 가능하게 하기에 충분한, 정의된 증분들로 수직으로-이격될 수 있는 복수의 지지 부재들(228)로 형성될 수 있다. 복수의 지지 부재들(228)은, 로드/언로드 로봇(117)의 로봇 엔드 이펙터(117e)(도 3a)가 기판들(119)을 저장 위치들 상으로 로딩하거나 또는 기판들(119)을 저장 위치들로부터 제거하는 것을 가능하게 하기에 충분한 거리로 이격될 수 있다. 다수의 지지 부재들(228)은, 그 다수의 지지 부재들(228) 상에 수평으로 기판들(119)을 지지하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 지지 부재들(228)은, 측면 저장 인클로저(122)의 각각의 측면으로부터 측방향으로 연장되는 적절한 지지 선반들을 포함할 수 있다. 지지 부재들(228)은 기판(119)의 일부, 이를테면, 기판(119)의 에지들을 지지하도록 구성될 수 있다.
[0042] 측면 저장 포드 장치(120)의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)은 측면 저장 챔버들(123) 각각에 가까이 제공된 플레넘 챔버(130)를 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)의 후방 부분에 더 포함한다. 플레넘 챔버(130)는 측면 저장 포드 챔버(123)로부터 분리될 수 있다. 플레넘 챔버(130)는, 측면 저장 챔버(123)에 대해 개구(124) 반대편에 로케이팅된, 측면 저장 인클로저(122)의 후면 상에 제공될 수 있다. 플레넘 챔버(130)는 측면 저장 챔버(126)와는 별개의 챔버이며, (본원에서 나중에 설명될) 배플 플레이트(132)와 같은 임의의 적절한 구성의 천공된 파티션에 의해 분리될 수 있다. 배플 플레이트(132)와 플레넘 벽(122a)에 의해 정의된 바와 같은, 플레넘 챔버(130)의 국한된(circumscribed) 볼륨은 배플 플레이트(132)로부터 개구(124)의 평면으로 연장되는 측면 저장 포드 챔버(123)의 볼륨보다 훨씬 더 작을 수 있다. 예컨대, 플레넘 챔버들(130) 각각의 볼륨은 대응하는 측면 저장 포드 챔버(123)의 볼륨의 작은 비율일 수 있다.
[0043] 측면 저장 포드 장치(120) 및 각각의 측면 저장 컨테이너(120a, 120b)는, 플레넘 챔버(130)에 커플링되고 배기 도관(136)을 통해 플레넘 챔버(130)로부터 퍼지 가스를 배기하도록 구성된 배기 포트(234)를 더 포함한다. 배기 도관(136)은 EFEM(100) 외부로 빠져나갈 수 있다. 배기 도관들(136)은, 배기 폐기물을 처리하기 위한 임의의 적절한 배기 처리 장치(150), 이를테면, 화학 필터, 스크러버, 또는 배기 도관들(136)에 의해 운반되는 배기된 폐기물 가스를 프로세싱하도록 구성된 다른 유사하게 기능하는 부재에 커플링될 수 있다.
[0044] 도시된 바와 같이, 측면 저장 인클로저들(122)은 유지 인클로저(retaining enclosure)(129) 내에 완전히 둘러싸일 수 있으며, 유지 인클로저(129)는 또한, 임의의 적절한 수단, 이를테면, 개스킷, O-링, 또는 다른 밀봉재 및 적절한 클램핑 수단, 이를테면, 유지 인클로저(129)의 플랜지를 통해 수용되는 유지 패스너들(237)(도 2a)에 의해 EFEM 벽(114S)에 커플링 및 밀봉될 수 있다. 다른 클램핑 수단이 사용될 수 있다.
[0045] 도 2c에 도시된 측면 저장 포드 장치(120)의 부분 단면도에서 가장 잘 도시된 바와 같이, 배기 도관(136)은, 유지 인클로저(129)의 유지 벽(129w)과 플레넘 벽(122a) 사이의 배기 도관(136)의 신속한 분리를 가능하게 하도록 구성된 신속 분리 커플링(quick disconnect coupling)(240)을 그 배기 도관(136)의 길이를 따라 포함할 수 있다. 예컨대, 신속 분리 커플링(240)은 측면 저장 인클로저(122)의 측면에 부착된 제1 고정부를 가질 수 있으며, 신속 분리 커플링(240)의 제2 부분은, 예컨대 가요성(예컨대, 편조(braided) 또는 아코디언(accordion) 타입) 도관일 수 있는 배기 도관(136)에 부착될 수 있다. 따라서, 배기 도관(136)은 신속하게 분리되어, 측면 저장 인클로저(122)가 플레넘 챔버(130)에 커플링된 배기 포트(234)로부터 분리되는 것을 가능하게 할 수 있다.
[0046] 이는, 서비스를 위해 (예컨대, 세정 및/또는 다른 유지보수를 위해) 측면 저장 인클로저(122)가 제거되는 것을 가능하게 한다. 배기 도관(136)은 임의의 적절한 수단에 의해 유지 인클로저(129)의 유지 벽(129w)을 통과한다. 예컨대, 유지 인클로저(129)의 유지 벽(129w)을 통한 배기 도관(136)의 통과는 밀봉 부재(242)와 같은 임의의 적절한 수단에 의해 밀봉되는 밀봉 연결에 의해 이루어질 수 있다. 밀봉 부재(242)는 그로밋(grommet) 또는 다른 밀봉 커넥터일 수 있다. 선택적으로, 도관(136)은, 유지 벽(129w)에 형성되거나, 유지 벽(129w)에 용접되거나, 또는 다른 방식으로 유지 벽(129w)에 밀봉된 짧은 튜브로 구성될 수 있는 패스 스루(pass through)에 커플링될 수 있으며, 유지 벽(129w)은 이어 유지 벽(129w)의 양측들에서 도관(136)의 섹션들에 커플링된다. 선택적으로, 커플링(240)과 같은 신속 분리 커플링이 유지 인클로저(129)의 유지 벽(129w)에 부착될 수 있다. 배기 포트(234)는, 도시된 바와 같이 플레넘 챔버(130)의 최하부 부분 가까이에, 또는 플레넘 챔버(130)의 측방향 면들, 최상부 또는 최하부, 또는 후면 벽을 따라 다른 곳에서 커플링될 수 있다.
[0047] 예컨대, 하나 이상의 실시예들에서, 비-반응성 가스, 이를테면, 질소가 EFEM(114)에 공급될 수 있다. 비-반응성 가스는, 내부에 저장된 임의의 기판들(119)이 비-반응성 환경에 노출될 수 있도록, 측면 저장 포드 챔버(123)를 통해 유동할 수 있다. 비-반응성 가스 유동에 대한 노출은, 오염물들 또는 다른 원하지 않는 조건들(예컨대, 높은 습도 레벨들)에 대한 노출을 방지하거나 감소시킬 수 있으며, 충분한 유속(V)이 존재할 때, 기판들(119)의 표면으로부터 원하지 않는 특정 화학 성분들의 탈기를 야기할 수 있다. 예컨대, 원하지 않는 화학 성분들은, 브롬-함유 성분, 염소-함유 성분, 불소-함유 성분 등 중 하나 이상일 수 있다. 이러한 원하지 않는 화학 성분들은 퍼지 가스 유동의 적절한 유속(V)의 결과로 기판들(119)의 표면으로부터 분리 및 제거될 수 있다. 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b) 각각을 통한 퍼지 가스 유동의 유속(V)은, 예컨대 위에서 논의된 바와 같을 수 있다. 속도(V)가 너무 낮으면 원하지 않는 화학 성분들을 효과적으로 분리하지 못할 수 있다. 유속(V)이 너무 높으면, 큰 압력, 높은 운영 비용, 및 측면 저장 포드를 통한 균일하지 않은 또는 비-층류 유동이 초래될 수 있다.
[0048] 이제 도 1 및 도 3a - 도 3b를 참조하면, EFEM 챔버(114C)에는, EFEM 챔버(114C)에 환경적으로-제어된 분위기를 제공하는 환경 제어 시스템(118)이 제공될 수 있다. 특히, 환경 제어 시스템(118)은 EFEM(114)에 커플링되고, EFEM 챔버(114C) 내의 환경 조건들을 모니터링 및/또는 제어하도록 작동한다. 일부 실시예들에서 그리고 특정 시점들에서, EFEM 챔버(114C)는, 이를테면, 기판들(119)의 프로세싱 동안, 비-반응성 가스를 내부에 수용할 수 있다. 비-반응성 가스는 불활성 가스, 이를테면, 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 헬륨(He)일 수 있고, 퍼지 가스 공급부(118S)로부터 제공될 수 있다. 선택적으로 또는 추가적으로, 퍼지 가스 공급부(118S)는, 예컨대 실온(RT)에서 5% 미만의 상대 습도(RH)를 갖는 청정 건조 공기를 포함할 수 있다.
[0049] 퍼지 가스 공급부(118S)는 제어 밸브(118V)를 통해 EFEM(114)의 상부 플레넘(344)에 커플링될 수 있다. 이러한 방식으로, 비-반응성 가스(이하 퍼지 가스)의 유동은, 화학 필터(345), 입자 필터(346), 또는 둘 모두일 수 있는 하나 이상의 필터들을 통해 상부 플레넘(344)으로부터 EFEM 챔버(114C)로 유동할 수 있다.
[0050] 화학 필터(345)는 활성 탄소(activated carbon)를 함유하는 시트일 수 있고, 재순환 가스 유동으로부터의 원하지 않는 특정 화학 오염물들을 원하는 저농도로 필터링하는 데 사용될 수 있다. 화학 필터(345)에 의해 재순환 가스 유동으로부터 필터링되는 화학 오염물들은 염기-형성 가스들, 이를테면, NH3일 수 있으며, 예컨대 원하는 농도들을 제공하도록 필터링될 수 있다. 재순환 가스 유동으로부터 필터링되는 화학 오염물들은, 특정 산-형성 가스들, 이를테면, F, Cl, Br, Oac, NO2, NO3, PO4, HF, HCL일 수 있으며, 예컨대 원하는 농도들로 필터링될 수 있다. 화학 필터(345)는, 유동 스트림으로부터 화학 오염물들을, 산-형성 가스들의 경우에 100 ppb 이하, 또는 심지어 10 ppb 이하까지 제거하는 데 사용될 수 있다.
[0051] 선택적으로, 상부 플레넘(344)으로부터의 유동 경로는, EFEM 챔버(114C) 내로 실질적으로 균일한 퍼지 가스 유동을 제공하도록 구성된 균질화 플레이트(homogenation plate)(347)를 통한 유동을 포함할 수 있다. 균질화 플레이트(347)는, 균질화 플레이트(347)로부터 EFEM 챔버(114C)로 빠져나가는 모든 위치들에서 유속을 실질적으로 균등하게 하도록 크기가 정해진 복수의 홀들을 내부에 포함할 수 있다. 그로부터, 퍼지 가스 유동의 일부는 측면 저장 포드 장치(120)의 하나 이상의 측면 저장 포드 챔버들(123) 내로 들어간다. 가스 유동의 나머지는 상부 플레넘(344)으로 재순환된다. 재순환 가스 유동은, 이를테면, 복수의 리턴 포트들(321)을 통해, EFEM 챔버(114C)의 최하부 부분에서 EFEM 챔버(114C)를 빠져나갈 수 있다. 재순환 경로는 액세스 도어(124d)에 형성된 채널(357)을 통과할 수 있다. 다른 적절한 재순환 경로들이 제공될 수 있다.
[0052] 도 3a의 도시된 실시예에서, 측면 저장 인클로저들(122)을 포함하는 2개의 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)이 제공되며, 하나가 다른 하나 위에 배열된다. 그러나, 병렬형(side-by-side) 공간 허용과 같은 다른 적절한 배향들이 가능하다.
[0053] 퍼지 가스 유동은, 퍼지 가스 유동이 하나 이상의 측면 저장 포드 챔버들(123)을 통과한 다음 배플 플레이트들(132)을 통과하여 개개의 플레넘 챔버들(130) 내로 통과할 때, 기판들(119) 위, 기판들(119) 아래 및 기판들(119) 사이를 통과한다. 그런 다음, 퍼지 가스 유동은 배기 도관(136)을 통과하여 배기 포트(234)를 통해 배기된다. 배기 도관(136)은 임의의 적절한 구성일 수 있다. 배기 가스는 임의의 적절한 배기 처리 장치(150)로 추가로 유동할 수 있다.
[0054] 하나 이상의 배플 플레이트들(132)은, 내부에 기판들(119)을 포함하는 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123)로부터 하나 이상의 플레넘 챔버들(130)을 분리한다. 특히, 도 2b의 평면도에 가장 잘 도시된 바와 같이, 배플 플레이트(132)는 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123) 각각을 통해 실질적인 가스 유동 균일성을 유발하도록 구성된 구성을 포함할 수 있으며, 따라서, 내부에 포함된 기판들(119)에 걸쳐 실질적인 가스 유동 균일성이 제공될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "실질적인 가스 유동 균일성"이라는 용어는 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123)에 포함된 수직-배열된 기판들(119)을 지지하는 저장 위치들 각각을 가로지르는, 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123) 각각에서의 유속(V)(도 2a)이 25% 이하만큼 변화하지만, 15% 미만만큼 변화할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서, 기판들(119) 각각은, 원하지 않는 화학 오염물들이 기판들(119) 각각으로부터 분리될 수 있도록 적절한 가스 유속에 노출될 수 있다. 기판들(119)의 표면들로부터 원하지 않는 화학 오염물들의 분리를 가능하게 하는 가스 유속(V)은 위에서 논의된 바와 같을 수 있다. 원하지 않는 화학 오염물들의 분리를 위해, 가스 유속(V)은 100 cfm 이상 내지 200 cfm 이하, 또는 심지어 150 cfm 이상 내지 200 cfm 이하의 범위에 있어야 한다.
[0055] 실질적인 가스 유동 균일성은 배플 플레이트(132)를 통해 일련의 유동 통로들(251)(몇몇이 라벨링됨)을 형성함으로써 제공될 수 있다. 유동 통로들(251) 중 적어도 일부는, 유동 통로들(251) 중 다른 유동 통로들과 비교하여 상이한 단면적을 갖는다. 예컨대, 일 실시예에서, 유동 통로들(251)은, 배플 플레이트(132)의 하나의 수직 부분에서 한 세트의 상대적으로 더 큰 유동 통로들(251L) 및 배플 플레이트(132)의 다른 수직 부분에서 한 세트의 상대적으로 더 작은 유동 통로들(251S)을 정의하거나 포함할 수 있다.
[0056] 도시된 실시예에서, 상대적으로 더 큰 유동 통로들(251L), 즉, 상대적으로 큰 단면적들을 갖는 유동 통로들(251L)은 배플 플레이트(132)의 일 단부(232A)(예컨대, 도시된 바와 같은 플레넘 챔버(130)의 최상부 단부)를 향해 로케이팅된다. 예컨대, 상대적으로 더 큰 유동 통로들(251L)은 플레넘 챔버(130)에서 배기 포트(234)의 위치로부터 수직으로 멀리 떨어져 포지셔닝될 수 있다. 도시된 실시예에서의 배기 포트(234)는 플레넘 챔버(130)의 최하부 단부 가까이에 포지셔닝되고, 그에 따라, 상대적으로 더 큰 유동 통로들(251L)은 배플 플레이트(132)의 상부 단부(232A) 가까이에 제공된다.
[0057] 그러나, 일부 실시예들에서, 배기 포트(234)는 플레넘 챔버(130)의 상부 단부와 하부 단부 사이에 로케이팅될 수 있다. 이러한 구성에서, 상대적으로 더 큰 유동 통로들(251L)은 배플 플레이트(132)의 상부 단부 및 하부 단부 둘 모두에 제공될 수 있고, 상대적으로 더 작은 통로들(251S)은 배기 포트(234)의 위치 가까이의 수직 위치에 로케이팅될 것이다.
[0058] 따라서, EFEM 챔버(114C) 내에 존재하는 일부 환경 조건들이 측면 저장 포드(120)의 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123)에 제공될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 측면 저장 포드 장치(120)의 하나 이상의 측면 저장 포드 챔버들(123)에서 퍼지 가스의 적절한 유속(V)이 제공되는 것을 보장하기 위해, 배기 포트들(234) 또는 배기 도관들(136)은 하나 이상의 측면 저장 챔버들(123)을 통한 가스 유동을 보조하기 위한 보조 팬(152)과 같은 유동 지원부(flow assist)에 연결되거나, 상호연결되거나, 또는 이를 포함할 수 있다. 보조 팬(152)으로부터의 유동 지원은 배기 도관(136)을 따라 어디에나 로케이팅될 수 있고, 일부 실시예들에서는 배기 처리 장치(150)의 일부일 수 있다.
[0059] 더 상세하게, 환경 제어 시스템(118)은, EFEM 챔버(114C) 및/또는 측면 저장 포드 챔버(123) 내의, 1) 상대 습도(RH), 2) 온도(T), 3) O2의 양, 또는 4) 불활성 및/또는 비-반응성 가스의 양 중 적어도 하나를 제어할 수 있다. EFEM(114), 측면 저장 포드 챔버(123)의 다른 환경 조건들, 이를테면, EFEM 챔버(114C) 내로의 또는 EFEM 챔버(114C)를 통한 가스 유속, 및/또는 측면 저장 포드 챔버(123) 내의 가스 유속(V), 또는 EFEM 챔버(114C), 측면 저장 포드 챔버(123), 또는 이들 둘 모두 내의 압력이 모니터링 및/또는 제어될 수 있다.
[0060] 일부 실시예들에서, 환경 제어 시스템(118)은 제어기(106)를 포함한다. 제어기(106)는, 다양한 센서들(예컨대, 센서(들)(128))로부터 입력들을 수신하여 하나 이상의 밸브들 또는 다른 컴포넌트들(예컨대, 보조 팬들(152), 재순환 팬(들)(354))을 제어함으로써 EFEM 챔버(114C) 및/또는 하나 이상의 측면 저장 포드 챔버들(123) 내에 존재하는 환경 조건들을 제어하기 위해, 적절한 프로세서, 메모리, 및/또는 전자 컴포넌트들을 포함할 수 있다.
[0061] 하나 이상의 실시예들에서, 환경 제어 시스템(118)은, 상대 습도(RH)를 감지하도록 구성된 센서(128)(예컨대, 상대 습도 센서)를 이용하여 EFEM(114C) 내의 상대 습도(RH)를 감지함으로써, RH를 모니터링할 수 있다. 임의의 적절한 타입의 상대 습도 센서, 이를테면, 용량성-타입 센서가 사용될 수 있다. 측면 저장 포드(120) 내의 상대 습도는 또한, 이를테면, 측면 저장 포드 챔버(123), 플레넘 챔버(130), 또는 배기 도관(136)에 적절한 센서(도시되지 않음)를 제공함으로써 모니터링될 수 있다. 환경 제어 시스템(118)의 퍼지 가스 공급부(118S)로부터 유입구 포트(355)를 통해 EFEM 챔버(114C) 내로 적절한 양의 불활성 및/또는 비-반응성 가스를 유동시킴으로써, RH가 낮아질 수 있다.
[0062] 본원에서 설명된 바와 같이, 퍼지 가스 공급부(118S)로부터의 불활성 및/또는 비-반응성 가스는 아르곤, N2, 헬륨, 다른 비-반응성 가스, 이를테면, 청정 건조 공기, 또는 이들의 혼합물들일 수 있다. 예컨대, 낮은 H2O 레벨들(예컨대, 순도 ≥ 99.9995%, H2O ≤ 5 ppm)을 갖는 압축된 벌크 가스들이 환경 제어 시스템(118)에서 퍼지 가스 공급부(118S)로서 사용될 수 있다. 5%이하의 RH와 같은 다른 H2O 레벨들이 사용될 수 있다.
[0063] 하나 이상의 실시예들에서, 다른 척도에 따라, 미리-정의된 기준 습도 값은, EFEM(114) 및 측면 저장 포드 챔버(121)의 환경에 노출되는 특정 기판들(119) 또는 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리(100)에서 수행되는 특정 프로세스에 대해 허용가능한 수분의 레벨에 따라, 약 1000 ppm 미만의 수분, 약 500 ppm 미만의 수분, 또는 심지어 약 100 ppm 미만의 수분일 수 있다.
[0064] 환경 제어 시스템(118)은 EFEM(114) 내의 산소(O2) 레벨을 감지하도록 구성 및 적응된 산소 센서와 같은 센서(128)를 포함할 수 있다. 측면 저장 포드 챔버(121), 플레넘 챔버(130), 또는 배기 도관(136) 내의 산소 레벨이 또한 모니터링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 산소(O2) 레벨을 임계 O2 값 미만으로 제어하기 위해, 퍼지 가스 공급부(118S)로부터 유입구 포트(355)를 통해 EFEM 챔버(114C) 내로 적절한 양의 불활성 및/또는 비-반응성 가스의 유동을 개시하는, 제어기(106)로부터 환경 제어 시스템(118)으로의 제어 신호가 발생할 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 임계 O2 값은, EFEM(114), 측면 저장 포드(120) 및/또는 측면 저장 포드 챔버(121)의 환경에 노출되는 특정 기판들 또는 전자 디바이스 프로세싱 시스템(100)에서 수행되는 특정 프로세스에 대해 허용가능한(품질에 영향을 미치지 않는) O2의 레벨에 따라, 약 10 ppm 미만의 O2, 약 10 ppm 미만의 O2, 또는 심지어 약 5 ppm 미만의 O2일 수 있다. 다른 임계 O2 값들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 센서(128)(예컨대, 산소 센서)는, EFEM 챔버(114C) 내의 산소 레벨이 (예컨대, 유지보수 동안 기술자에 의한) EFEM 챔버(114C) 내로의 진입을 가능하게 하는 안전 임계 레벨을 초과하는 것을 보장하기 위해, EFEM 챔버(114C) 내의 산소 레벨을 감지할 수 있다.
[0065] 환경 제어 시스템(118)은 EFEM 챔버(114C) 내의 절대 또는 상대 압력을 측정하는 압력 센서(133)를 더 포함할 수 있다. 측면 저장 포드 챔버(123), 플레넘 챔버(130), 또는 배기 도관(136) 내의 압력 레벨이 또한 모니터링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어기(106)는, EFEM 챔버(114C), 측면 저장 포드 챔버(123), 플레넘 챔버(130), 또는 배기 도관(136) 내의 압력을 제어하기 위해, 퍼지 가스 공급부(118S)로부터 EFEM 챔버(114C) 및/또는 측면 저장 포드 챔버(121) 내로의 불활성 및/또는 비-반응성 가스의 유동량을 제어할 수 있다.
[0066] 본원에 도시된 실시예들에서, 제어기(106)는, 다양한 센서(들)(128)로부터 제어 입력들을 수신하고 폐루프 또는 다른 적절한 제어 방식을 실행하도록 구성된, 적절한 프로세서, 메모리, 및 주변 컴포넌트들을 갖는 임의의 적절한 제어기일 수 있다. 일 실시예에서, 제어 방식은, EFEM 챔버(114C)로부터의 가스의 원하는 교환 레이트 및 재순환 레이트와 함께 EFEM 챔버(114C), 측면 저장 포드 챔버(123), 플레넘 챔버(130), 또는 배기 도관(136)에서의 원하는 환경 조건들을 달성하기 위해, 보조 팬들(152), 재순환 팬(들)(354), 및 베이스 밸브(356)에 대한 제어 설정들과 함께 밸브(118V)를 통해 유입구 포트(355)를 거쳐 EFEM(114) 내로 도입되는 퍼지 가스의 유량을 변경할 수 있다. 일부 실시예들에서, 재순환 레이트, 즉, 재순환 채널(357)을 통한 EFEM 챔버(114C)로부터의 재순환 레이트(RR)는 1000 cfm 이상일 수 있다. RR은 재순환 팬(들)(354)의 제어 설정에 의해 제어된다.
[0067] 배기 도관들(136)을 통해 배기되는 가스의 양과 함께 베이스 밸브(356)를 통해 제거되는 가스의 양을 고려하면, 교환 레이트(ER), 즉, EFEM 챔버(114C)로부터의 퍼지 가스의 제거 레이트는 작을 수 있는데, 이를테면, 200 liter/min 이하일 수 있다. 일부 경우들에서, 베이스 밸브는 제거될 수 있다.
[0068] 다른 실시예에서, 제어 방식은 EFEM(114) 및/또는 측면 저장 포드 챔버(123) 내로 기판들을 언제 전달할지를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 측면 저장 포드 챔버(123)는 별개의 제어기 및/또는 센서(들)를 사용하여, 측면 저장 포드 챔버(123), 플레넘 챔버(130), 및/또는 배기 도관(136)을 모니터링하고 측면 저장 포드 챔버(123) 내의 환경을 제어할 수 있다.
[0069] 따라서, EFEM(114)의 바디에 부착된 측면 저장 포드(120)는 특정 환경 조건들 하에 기판들(119)을 저장할 수 있다. 예컨대, 측면 저장 포드 챔버(123)는 EFEM 챔버(114C)에 존재하는 환경 조건들(RH, O2, 및 온도)과 동일한 환경 조건들로 기판들(119)을 저장할 수 있다. 대안적으로, 측면 저장 포드 챔버(123)는 기판 저장을 위해 EFEM 챔버(114C)의 환경 조건들과 상이한 환경 조건들(예컨대, 더 높은 유속(V))을 이용할 수 있다.
[0070] 예컨대, 일부 실시예들에서, 측면 저장 포드 챔버(123) 내로의 진입 전에 가스 유동을 가열하기 위해 가열기(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 가열기는 EFEM 챔버(114C) 또는 상부 플레넘 챔버(344)에 제공될 수 있거나, 또는 유입구 포트(355)로부터 들어가는 가스가 가열될 수 있다. 가열은, 예컨대 측면 저장 포드 챔버(123) 내의 가스 유동 온도가 5℃ 이상, 10℃ 이상, 또는 심지어 5℃ 내지 25℃가 되게 할 수 있다.
[0071] 동작 시, 측면 저장 포드 컨테이너들(120a, 120b)은 액세스 도어(129d)를 통해 유지 인클로저(129) 내로 로딩되거나 유지 인클로저(129)로부터 제거될 수 있다. 이는, 측면 저장 포드 챔버(123)의 용이한 유지보수 및 세정을 가능하게 하고, 내부에 새로운 또는 세정된 측면 저장 컨테이너(120a, 120b)를 신속하게 추가할 수 있는 능력을 갖게 한다.
[0072] 액세스 도어(129d) 및 유지 인클로저(129)는 측면 저장 컨테이너들(120a, 120b)을 둘러싸는 밀봉된 환경을 제공하도록 구성될 수 있다. 측면 저장 포드 컨테이너들(120a, 120b)은 EFEM 측벽(114B)에 위치가 고정되며, 개구(124)는 개방된 상태로 유지되어, 기판들(119)이 지시된 대로 로드/언로드 로봇(117)에 의해 측면 저장 포드 챔버(123) 내로 로딩되거나 또는 측면 저장 포드 챔버(123)로부터 제거되는 것을 가능하게 한다.
[0073] 일부 실시예들에서, 로드/언로드 로봇(117)은 측면 저장 포드 챔버(123) 내의 저장 위치들 중 임의의 저장 위치와 엔드 이펙터(117e)의 수직 정렬을 가능하게 하기 위한 수직 운동 능력을 포함할 수 있다.
[0074] 도 4는 본원에서 제공된 실시예들에 따른, 이를테면, EFEM(114)의 측면 저장 포드 장치(120) 내에서 그리고 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리(100) 내에서 기판들(119)을 프로세싱하는 방법(400)을 예시한다. 도 4를 참조하면, 블록(402)에서, 방법(400)은, 장비 전단부 모듈 바디(114B) 및 장비 전단부 모듈 챔버(114C)를 포함하는 장비 전단부 모듈(114) ― 장비 전단부 모듈(114)은 장비 전단부 모듈 바디(114B)의 전면 벽(114F)에 커플링된 하나 이상의 로드 포트들(115)을 포함하고, 각각의 로드 포트(115)는 기판 캐리어(116)를 지지하도록 구성됨 ―, 및 장비 전단부 모듈 바디(114B)의 측벽(114S)에 커플링된 측면 저장 포드 장치(120)를 제공하는 단계를 포함한다.
[0075] 방법(400)은, 블록(404)에서, 측면 저장 포드 장치(120)에, 배플 플레이트(132)에 의해 분리되는 측면 저장 포드 챔버(123)와 플레넘 챔버(130), 및 플레넘 챔버(130)에 커플링된 배기 포트(234)를 제공하는 단계를 더 포함한다.
[0076] 방법(400)은, 블록(406)에서, 장비 전단부 모듈 챔버(123)에 저장된 기판들(119)을 가로질러, 배플 플레이트(132)를 통해, 그리고 플레넘 챔버(130) 내로 퍼지 가스(예컨대, 비-반응성 또는 불활성 가스)를 유동시키는 단계, 및 블록(408)에서, 플레넘 챔버(130)로부터 배기 포트(234)를 통해 퍼지 가스를 배기하는 단계를 더 포함한다. 배기는, 측면 저장 포드 장치(120)의 하나 이상의 배기 도관들(136)을 통해 측면 저장 포드 장치(120)를 빠져나가며, EFEM 챔버(114C)로 재순환되거나 그렇지 않으면 EFEM 챔버(114C)로 리턴되는 것이 아니라, 그 배기가 적절하게 처리될 수 있는 배기 처리 장치(150)로 라우팅될 수 있다.
[0077] 방법(400)은, 블록(410)에서, 이를테면, 보조 팬(352)을 이용하여, 측면 저장 포드 챔버(123)를 통해 퍼지 가스의 유동을 지원하는 단계를 더 포함할 수 있다. 유동 지원은 기판들(119)을 가로질러 유속(V)을 원하는 레벨로 보조하고 증가시켜, 기판들(119)로부터 화학 오염물들의 효과적인 분리를 가능하게 할 수 있다.
[0078] 기판들(119)을 가로지르는 퍼지 가스의 유동은, 100 cfm 이상, 140 cfm 이상, 또는 심지어 160 cfm 이상의 가스 유속(V)을 포함할 수 있다. 100 cfm 이상 내지 200 cfm 이하의 유속(V)은, 기판들(119)로부터 할로겐-함유 성분들과 같은 화학 오염물들의 분리를 위해 허용가능한 것으로 밝혀졌다.
[0079] 측면 저장 포드 챔버(123)는 내부에 복수의 기판들(119)을 저장할 수 있고, 가스 유속(V)은 측면 저장 포드 챔버(123)에 포함된 복수의 기판들(119) 각각에 걸쳐 실질적으로 균일할 수 있다. 배플 플레이트(132)에 있는 상이한 치수들의 천공들은 실질적으로 균일한 가스 유동을 야기하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, EFEM 챔버(114C), 측면 저장 포드 챔버(123), 배플 플레이트(132), 및 플레넘 챔버(130)를 통과하고, 그리고 배기 포트(234)를 통해 빠져나가는 가스 유동은, 배플 플레이트(132)에 대한 적절한 천공 구조 및 패턴을 유도하기 위해 모델링되고 실험적으로 테스트될 수 있다.
[0080] 이전의 설명은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들의 양호한 이해를 제공하기 위해, 특정 시스템들, 컴포넌트들, 방법들 등의 예들과 같은 다수의 특정 세부사항들을 설명한다. 그러나, 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들이, 그러한 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 본 개시내용을 불필요하게 불명료하게 하는 것을 피하기 위해, 잘-알려진 컴포넌트들 또는 방법들은 상세히 설명되지 않거나, 간단한 블록도 포맷으로 제시된다. 따라서, 설명된 특정 세부사항들은 단지 예시적인 것일 뿐이다. 특정 구현들이 그러한 예시적인 세부사항들로부터 변화될 수 있고, 여전히, 본 개시내용의 범위 내에 속하는 것으로 고려될 수 있다.
[0081] 본 명세서 전체에 걸친, "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 참조는, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐 다양한 위치들에서의 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"라는 문구의 등장들은 모두가 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 추가하여, "또는"이라는 용어는, 배타적인 "또는"이 아니라 포괄적인 "또는"을 의미하도록 의도된다. 본원에서 "약" 또는 "대략"이라는 용어가 사용되는 경우에, 이는, 제시되는 공칭(nominal) 값이 ± 10% 내에서 정확하다는 것을 의미하도록 의도된다.
[0082] 본원의 방법들의 동작들이 특정 순서로 도시되고 설명되지만, 각각의 방법의 동작들의 순서는, 특정 동작들이 역순으로 수행될 수 있도록, 특정 동작들이 적어도 부분적으로 다른 동작들과 동시에 수행될 수 있도록 변경될 수 있다. 다른 실시예에서, 별개의 동작들의 하위-동작들 또는 명령들은 간헐적인 및/또는 교번적인 방식일 수 있다.
[0083] 위의 설명은 예시적인 것으로 의도되며 제한적인 것으로 의도되지 않는다는 것이 이해된다. 상기 설명을 읽고 이해할 시에, 다수의 다른 실시예들이 당업자들에게 명백할 것이다. 따라서, 본 개시내용의 범위는, 첨부된 청구항들 및 이 청구항들이 권리를 갖는 등가물들의 전체 범위를 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (15)

  1. 장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치(side storage pod apparatus)로서,
    상기 장비 전단부 모듈의 바디의 측벽에 커플링되도록 구성된 표면 및 상기 장비 전단부 모듈로부터 기판들을 수용하도록 구성된 개구를 갖는 측면 저장 인클로저;
    복수의 지지 부재들을 갖는, 상기 측면 저장 인클로저 내의 측면 저장 챔버 ― 상기 복수의 지지 부재들은 상기 복수의 지지 부재들 상에 기판들을 지지하도록 구성됨 ―;
    상기 측면 저장 챔버 가까이에 제공된 플레넘 챔버(plenum chamber) ― 상기 플레넘 챔버는 상기 측면 저장 챔버와 별개의 챔버임 ―; 및
    상기 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 플레넘 챔버는, 상기 개구 반대편에 있는, 상기 측면 저장 인클로저의 측면 상에 포지셔닝되는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 플레넘 챔버는 배플 플레이트(baffle plate)에 의해 상기 측면 저장 챔버로부터 분리되며, 상기 배플 플레이트는 상기 측면 저장 챔버를 통해 실질적인 가스 유동 균일성을 야기하도록 구성되는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 배플 플레이트를 통해 형성된 일련의 유동 통로들을 더 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 일련의 유동 통로들 중 적어도 일부는 상이한 단면적을 갖는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 일련의 유동 통로들은, 상기 배플 플레이트의 하나의 수직 부분에 포지셔닝된 한 세트의 더 큰 유동 통로들 및 상기 배플 플레이트의 다른 수직 부분에 포지셔닝된 한 세트의 더 작은 유동 통로들을 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 한 세트의 더 큰 유동 통로들은, 상기 배플 플레이트의 일 단부를 향해 로케이팅되거나 또는 상기 배기 포트로부터 수직으로 멀리 떨어져 포지셔닝되는 것 중 적어도 하나인,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 배기 포트는 상기 플레넘 챔버의 최하부 부분에 커플링되는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 플레넘 챔버를 상기 측면 저장 챔버로부터 분리하는 배플 플레이트를 더 포함하며,
    상기 배플 플레이트는 상기 배플 플레이트를 통과하는 상이한 단면적들을 갖는 일련의 유동 통로들을 포함하고, 상기 일련의 유동 통로들은 상기 플레넘 챔버의 최상부 단부 가까이에 로케이팅된 한 세트의 더 큰 유동 통로들 및 상기 플레넘 챔버의 최하부 단부 가까이에 로케이팅된 한 세트의 더 작은 유동 통로들을 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 측면 저장 인클로저를 둘러싸는 유지 인클로저(retaining enclosure)를 더 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 배기 포트에 커플링된 배기 도관을 더 포함하고,
    상기 배기 도관은 상기 유지 인클로저의 벽을 통과하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 배기 포트에 커플링된 배기 도관 또는 상기 배기 포트에 커플링된 보조 팬(supplemental fan)을 더 포함하는,
    장비 전단부 모듈의 측면 저장 포드 장치.
  13. 장비 전단부 모듈로서,
    장비 전단부 바디; 및
    상기 장비 전단부 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함하며,
    상기 측면 저장 포드 장치는,
    상기 장비 전단부 바디의 측벽에 커플링되도록 구성된 표면을 갖는 측면 저장 포드 인클로저,
    기판을 지지하도록 각각 구성된 복수의 수직으로-이격된 저장 부재들을 갖는, 상기 측면 저장 인클로저 내의 측면 저장 포드 챔버,
    상기 측면 저장 포드 챔버와 별개의 챔버를 포함하는, 상기 측면 저장 인클로저 내의 플레넘 챔버,
    상기 플레넘 챔버를 상기 측면 저장 포드 챔버로부터 분리하도록 구성된 배플 플레이트, 및
    상기 플레넘 챔버에 커플링된 배기 포트를 더 포함하는,
    장비 전단부 모듈.
  14. 전자 디바이스 프로세싱 어셈블리로서,
    장비 전단부 모듈을 포함하며,
    상기 장비 전단부 모듈은,
    장비 전단부 모듈 챔버를 형성하는 장비 전단부 모듈 바디;
    상기 장비 전단부 모듈 바디의 전면 벽에 커플링된 하나 이상의 로드 포트들 ― 각각의 로드 포트는 상기 각각의 로드 포트에 기판 캐리어를 도킹하도록 구성됨 ―; 및
    상기 장비 전단부 모듈 바디의 측벽에 커플링된 측면 저장 포드 장치를 포함하며,
    상기 측면 저장 포드 장치는,
    측면 저장 포드 챔버의 벽들을 정의하고, 그리고 상기 장비 전단부 모듈 바디에 커플링되도록 구성된 밀봉 표면을 갖는 측면 저장 인클로저 ― 상기 벽들은 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들을 포함하며, 상기 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들은 상기 복수의 수직으로-이격된 지지 부재들 상에 기판들을 지지하도록 구성됨 ―;
    상기 측면 저장 포드 챔버와 별개의 챔버를 포함하는, 상기 측면 저장 인클로저 내의 플레넘 챔버;
    상기 플레넘 챔버를 상기 측면 저장 포드 챔버로부터 분리하도록 구성된 배플 플레이트;
    배기 포트;
    상기 배기 포트에 커플링된 배기 도관; 및
    상기 배기 포트 또는 상기 배기 도관에 커플링된 보조 팬을 포함하는,
    전자 디바이스 프로세싱 어셈블리.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 장비 전단부 모듈 챔버에 커플링된 환경 제어 시스템을 더 포함하며,
    상기 환경 제어 시스템은 환경적으로-제어된 분위기를 상기 장비 전단부 모듈 챔버에 제공하기 위한 것인,
    전자 디바이스 프로세싱 어셈블리.
KR1020217015647A 2018-10-26 2019-10-23 높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들 KR102535776B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862751506P 2018-10-26 2018-10-26
US62/751,506 2018-10-26
US16/657,685 2019-10-18
US16/657,685 US11244844B2 (en) 2018-10-26 2019-10-18 High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
PCT/US2019/057646 WO2020086706A1 (en) 2018-10-26 2019-10-23 High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210066935A true KR20210066935A (ko) 2021-06-07
KR102535776B1 KR102535776B1 (ko) 2023-05-26

Family

ID=70328359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217015647A KR102535776B1 (ko) 2018-10-26 2019-10-23 높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11244844B2 (ko)
JP (1) JP7137697B2 (ko)
KR (1) KR102535776B1 (ko)
CN (2) CN117219547A (ko)
TW (1) TWI778299B (ko)
WO (1) WO2020086706A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11373891B2 (en) 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7221110B2 (ja) * 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN113644005A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理系统
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
US11810805B2 (en) * 2020-07-09 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Prevention of contamination of substrates during gas purging
US20220310404A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool and methods of operation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020066201A (ko) * 2001-02-09 2002-08-14 가부시끼가이샤 도시바 환경 제어 유닛을 갖는 웨이퍼 운반 용기를 이용한 반도체장치의 제조 방법
KR20090094054A (ko) * 2007-03-30 2009-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및, 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
KR101637498B1 (ko) * 2015-03-24 2016-07-07 피코앤테라(주) 웨이퍼 수납용기
KR20170000790A (ko) * 2015-06-24 2017-01-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 격납 유닛, 반송 장치, 및 기판 처리 시스템

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054014A (en) * 1997-05-21 2000-04-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Exhaust apparatus
US9105673B2 (en) * 2007-05-09 2015-08-11 Brooks Automation, Inc. Side opening unified pod
JP2009087972A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板収容機構及び半導体製造装置
US20110114129A1 (en) * 2007-12-18 2011-05-19 Entegris, Inc. Methods and apparatuses for controlling contamination of substrates
JP2012094822A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Shibaura Mechatronics Corp 密閉型容器及び半導体製造装置
CN103620758B (zh) * 2011-06-28 2017-02-15 动力微系统公司 半导体储料器系统和方法
KR101329304B1 (ko) * 2011-07-29 2013-11-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101215962B1 (ko) 2012-07-30 2012-12-27 이프로링크텍(주) Ｅｆｅｍ의 버퍼 스토리지 박스
TW201413780A (zh) 2012-09-24 2014-04-01 Eugene Technology Co Ltd 煙氣移除設備及基板處理設備
JP6526660B6 (ja) * 2013-08-12 2019-06-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
US9272315B2 (en) * 2013-10-11 2016-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Mechanisms for controlling gas flow in enclosure
KR101682473B1 (ko) * 2013-10-18 2016-12-05 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
TW202349607A (zh) * 2013-12-13 2023-12-16 日商昕芙旎雅股份有限公司 搬運機械手臂
JP6349750B2 (ja) 2014-01-31 2018-07-04 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
CN107078080B (zh) 2014-10-24 2021-05-04 应用材料公司 用于在工厂介面处净化基板载具的系统、设备及方法
KR20210080633A (ko) * 2014-11-25 2021-06-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 캐리어 및 퍼지 챔버 환경 제어들을 이용하는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US20180286726A1 (en) * 2015-10-05 2018-10-04 Brooks Ccs Gmbh Humidity control in semiconductor systems
US10515834B2 (en) 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems
JP6679906B2 (ja) * 2015-12-11 2020-04-15 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍ
JP6632403B2 (ja) * 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
KR20180045316A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 삼성전자주식회사 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US10159169B2 (en) * 2016-10-27 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods
KR102618491B1 (ko) * 2016-10-31 2023-12-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
KR20180074276A (ko) 2016-12-23 2018-07-03 피코앤테라(주) 이에프이엠
CN106684023A (zh) * 2017-03-14 2017-05-17 大族激光科技产业集团股份有限公司上海分公司 全封闭式smif系统
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
TWI676089B (zh) * 2017-06-23 2019-11-01 美商應用材料股份有限公司 側儲存倉、電子裝置處理系統、和處理基板的方法
TWI779134B (zh) * 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
JP2019161105A (ja) 2018-03-15 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体装置
JP7100243B2 (ja) 2018-04-19 2022-07-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 排気ノズルユニット、ロードポート、及びｅｆｅｍ
US11749537B2 (en) * 2018-10-26 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating equipment front end modules
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11508593B2 (en) 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020066201A (ko) * 2001-02-09 2002-08-14 가부시끼가이샤 도시바 환경 제어 유닛을 갖는 웨이퍼 운반 용기를 이용한 반도체장치의 제조 방법
KR20090094054A (ko) * 2007-03-30 2009-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및, 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
KR101637498B1 (ko) * 2015-03-24 2016-07-07 피코앤테라(주) 웨이퍼 수납용기
KR20170000790A (ko) * 2015-06-24 2017-01-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 격납 유닛, 반송 장치, 및 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TW202034429A (zh) 2020-09-16
JP2022505396A (ja) 2022-01-14
CN112912999A (zh) 2021-06-04
US20200135521A1 (en) 2020-04-30
TWI778299B (zh) 2022-09-21
WO2020086706A1 (en) 2020-04-30
US11244844B2 (en) 2022-02-08
KR102535776B1 (ko) 2023-05-26
CN117219547A (zh) 2023-12-12
JP7137697B2 (ja) 2022-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102535776B1 (ko) 높은 유속, 가스-퍼지, 측면 저장 포드 장치, 어셈블리들, 및 방법들
JP7305857B2 (ja) インデックス可能な側方収容ポッド装置、加熱側方収容ポッド装置、システム、及び方法
US11749537B2 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating equipment front end modules
US11640915B2 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
KR102269564B1 (ko) 팩토리 인터페이스 챔버 필터 퍼지를 이용한 기판 프로세싱 장치 및 방법들
TWI768244B (zh) 具有工廠界面環境控制之基板處理系統、設備與方法
KR101682473B1 (ko) 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
CN105702601B (zh) 清洁系统和方法
JP2022095763A (ja) 側方収納ポッド、機器フロントエンドモジュール、及び、基板を処理する方法
US11610794B2 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
JP3330169B2 (ja) ガスシャワーノズルを備えた縦型熱処理装置
TWI706525B (zh) 裝載埠模組的前開式晶圓傳送盒的降低濕度裝置及具備其的半導體製程裝置
KR102289650B1 (ko) 로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
TWI841616B (zh) 側儲存倉、設備前端模組、和其操作方法
JP2023530972A (ja) バッチ式ウエハガス抜きチャンバとファクトリインターフェース及び真空下のメインフレームへの統合
TW202418448A (zh) 具有工廠界面環境控制之基板處理系統、設備與方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant