JP2023530972A - バッチ式ウエハガス抜きチャンバとファクトリインターフェース及び真空下のメインフレームへの統合 - Google Patents

Abstract

基板処理システムは、真空下のメインフレームに結合されたフロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）を含み、ＥＦＥＭは複数の接合開口部を含む。本システムは更に、複数の接合開口部のうちの１つの接合開口部においてＥＦＥＭに取り付けられたバッチ式ガス抜きチャンバを含む。バッチ式ガス抜きチャンバは、ＥＦＥＭの接合開口部に対して密閉されたハウジングを含む。ハウジング内に、複数の基板を保持するように構成されたカセットが位置する。ハウジングに取り付けられたリアクタチャンバは、カセットを受け入れ、複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行する。ガス抜きアクティブプロセスにより、複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去される。排気ラインが、水分及び汚染物質の出口を提供するためにリアクタチャンバに取り付けられる。【選択図】図３Ａ

Description

［００１］本願は、電子デバイスの製造に関し、より具体的には、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）のバッチ式ウエハガス抜きチャンバ、及びその真空下のメインフレームへの統合に関する。

［００２］半導体部品の製造における基板の処理は、複数のプロセスツールで行われ、基板は、基板キャリア（例えば、前方開口型統一ポッドすなわちＦＯＵＰ）においてプロセスツール間を移動する。ＦＯＵＰは、それぞれのＦＯＵＰと、前壁に対向するＥＦＥＭの後壁に結合された１又は複数の目的地（例えば、ロードロック(複数可)又は処理チャンバ(複数可)）との間で基板を移送するように動作可能なロード／アンロードロボットを含むＥＦＥＭの前壁にドッキングされ得る。例えば、これらの複数のプロセスツールが取り付けられた真空下のメインフレームを含む基板処理システムは、多くの堆積プロセスの公差及び高い歩留まりを満たすために、より低いレベルの汚染、高いレベルの真空、及びより良い生産性を有するように構成される。

［００３］いくつかの実施形態では、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、真空下のメインフレームに結合されたフロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）を含んでいてよく、ＥＦＥＭは複数の接合開口部を有する。バッチ式ガス抜きチャンバが、複数の接合開口部のうちの１つの接合開口部においてＥＦＥＭに取り付けられていてよい。バッチ式ガス抜きチャンバは、ＥＦＥＭの接合開口部に対して密閉されたハウジングを含み得る。カセットが、ハウジング内に位置し、複数の基板を保持するように構成され得る。リアクタチャンバが、カセットが挿入可能なハウジングに取り付けられていてよく、リアクタチャンバは、複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行する。ガス抜きアクティブプロセスにより、複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去される。排気ラインが、水分及び汚染物質の出口を提供するためにリアクタチャンバに取り付けられ得る。一実施形態では、ＥＦＥＭは不活性ＥＦＥＭである。

［００４］いくつかの実施形態では、基板を処理する方法が提供される。本方法は、複数の基板をフロントエンド開口型ポッド（ＦＯＵＰ）から、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）に取り付けられた又はＥＦＥＭと基板処理システムの真空下のメインフレームとの間に位置決めされたバッチ式ガス抜きチャンバのカセットに移送することを含み得る。本方法は更に、バッチ式ガス抜きチャンバのカセットを含むカセットホイストを、ハウジングからバッチ式ガス抜きチャンバのリアクタチャンバ内に持ち上げることを含み得る。本方法は更に、リアクタチャンバによって、複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行することを含んでいてよく、ガス抜きアクティブプロセスにより、複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去され、ガス抜きされた基板が生成される。本方法は更に、リアクタチャンバから排気ラインを通して、水分及び汚染物質を排出することを含み得る。本方法は更に、カセットホイストをカセットと共に下降させてガス抜きチャンバのハウジング内に戻すことを含み得る。

［００５］いくつかの実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバが提供される。ハウジングは、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）の接合開口部及び基板処理システムの真空下のメインフレームのファセットの両方に対して密閉可能である。バッチ式ガス抜きチャンバは更に、ハウジングに取り付けられ、カセットが挿入可能なリアクタチャンバを含み得る。カセットは、複数の基板を保持し、リアクタチャンバは、複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行する。ガス抜きアクティブプロセスにより、複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去される。バッチ式ガス抜きチャンバは更に、ハウジング内に位置決めされ、処理のためにカセットをハウジングからリアクタチャンバ内に移動させ、処理後にカセットをハウジングに戻すように適合されたカセットホイストを含み得る。バッチ式ガス抜きチャンバは更に、水分及び汚染物質の出口を提供するために、リアクタチャンバに取り付けられた排気ラインを含み得る。

［００６］多数の他の態様及び特徴が、本開示のこれらの実施形態及び他の実施形態に従って提供される。本開示の実施形態の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付の図面からより完全に明らかになるであろう。

［００７］以下に説明する図面は、例示のみを目的としたものであり、必ずしも縮尺通りに描かれていない。図面は、本開示の範囲をいかなる形でも限定するものではない。

実施形態に係るＥＦＥＭ本体の側壁に結合されたバッチ式ガス抜きチャンバを含むＥＦＥＭを有する基板処理システムを示す概略上面図である。 第１のバッチ式ガス抜きチャンバがＥＦＥＭに結合され、第２のバッチ式ガス抜きチャンバがメインフレームのファセットに取り付けられた基板処理システムの代替実施形態を示す上面図である。 様々な実施形態に係るバッチ式ガス抜きチャンバを示す前面斜視図である。 様々な実施形態に係るバッチ式ガス抜きチャンバのリアクタチャンバ内のカセットを示す断面図である。 様々な実施形態に係る基板処理システム内でバッチ式ガス抜きチャンバを用いる方法を示すフロー図である。 様々な実施形態に係る基板処理システム内でバッチ式ガス抜きチャンバを用いる方法を示すフロー図である。

［００１３］様々な実施形態において、本開示は、既存の基板処理システムと比較して、堆積プロセスの公差及び生産歩留まりを満たすために、より低いレベルの汚染、より高いレベルの真空、及びより良い生産性を達成する基板処理システムを説明する。基板が大気中のファクトリインターフェース（ＦＩ）を通過し、真空下のメインフレームのバッファチャンバのファセットに取り付けられたガス抜きチャンバで汚染された基板のガス抜きが行われる場合、これらの結果を出すことは困難である。ガス抜きの実施を想定して、汚染された基板をロードロックとガス抜きチャンバとの間を通過させる際に、バッファチャンバの圧力が大きく上昇する。このバッファ圧力は、基板がガス抜きされると若干回復するが、ガス抜きチャンバを開けて基板をガス抜きチャンバから取り出す際に、残留汚染物質により再び上昇する。この圧力が高くなると、バッファチャンバに取り付けられた堆積チャンバ又は移送チャンバ内に基板を移送するために受け入れ可能な堆積移送圧力に達するまでバッファチャンバが待機するため、大幅な時間遅れが発生する。また、残留汚染物質により、処理中に基板表面に欠陥が生じる可能性がある。

［００１４］これら及び他の欠陥を解決するために、本開示は、バッチ式ガス抜きチャンバが、ファクトリインターフェース（ＦＩ）とも呼ばれるフロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）に取り付けられた実施形態を説明する。幾つかの実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバは、複数の基板の表面から水分及び汚染物質を除去するために、複数の基板（例えば、２５枚から７５枚の基板）にガス抜きアクティブプロセスを実行する。ガス抜きアクティブプロセスは、例えば、プラズマによるプロセス及び加熱不活性ガスプロセスのうちの少なくとも１つであってよい。ガス抜きが行われた後、ＦＩロボットは、ガス抜きされた基板を、堆積チャンバ等の処理チャンバに（例えば、移送チャンバの真空ロボットを介して）移送する前に、ガス抜きチャンバからＦＩを通してロードロックに移送し得る。

［００１５］追加又は代替の実施形態では、ＥＦＥＭによる輸送中に汚染／腐食から基板を保護するために、ＥＦＥＭ内の環境は不活性に制御され得る。例えば、非反応性ガス又は不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２））をＥＦＥＭに適量注入して酸素を置換し、水分レベルを低下させることにより、ＥＦＥＭを制御することができる。この不活性環境を含む不活性ＥＦＥＭは、ガス抜きされた基板の、更なる汚染物質又は水分からの保護を提供する。実施形態では、ＥＦＥＭは、ＥＦＥＭの水分、圧力、温度及び／又は酸素レベルを検出するためのセンサを含む。１又は複数のバルブを制御することにより、検出された水分、圧力、温度及び／又は酸素レベルに基づいて、ＥＦＥＭに流入される不活性ガスの量を調整することができる。更に、ＥＦＥＭは、排気配管を含み得る。排気配管は、水分、粒子等のフィルタを含み得る。排気配管は、不活性ガス供給源から不活性ガスがＥＦＥＭ内に供給される入口配管に接続して戻る再循環配管を含み得る。ＥＦＥＭから排気配管を介して排気された不活性ガスは、フィルタリングされ、再びＥＦＥＭ内に再循環され得る。

［００１６］説明した実施形態では、ＥＦＥＭのＦＩロボットは、その前壁のロードポートにドッキングされた（例えば、ＥＦＥＭ本体の前壁に構成されたロードポートにドッキングされた）１又は複数の基板キャリアから基板を移送する。少なくとも一部がＥＦＥＭ本体によって形成されたＥＦＥＭチャンバに位置するＦＩロボットのエンドエフェクタが、より詳細に説明するように、ガス抜きのために基板をガス抜きチャンバに送り出す。ガス抜きが行われると、ＦＩロボットはガス抜きされた基板を、バッファチャンバ内又は移送チャンバ内のロボットによって回収するために、１又は複数のロードロックに移送する。１又は複数のロードロックは、移送チャンバ、バッファチャンバ、及び／又はパススルーチャンバを含むメインフレーム内に移送するために、ＥＦＥＭの別の面（例えば、その裏面）に結合され得る。移送チャンバは、複数の処理チャンバに接続され得る。

［００１７］このようにして、ガス抜きされた基板は、ロードロックを通って、真空下のメインフレームに取り付けられたガス抜きチャンバ内で更なるガス抜きを行わずに（例えば、移送チャンバ又はバッファチャンバに結合されたガス抜きチャンバなしで）、処理のために１又は複数の処理チャンバへ渡される。ファクトリインターフェースにおけるガス抜きから開始されるこのプロセスの順序は、メインフレームのバッファチャンバ及び／又は移送チャンバ内の圧力（例えば、真空）を維持することを含む多くの利点を伴い得る。これは、メインフレーム内の汚染物質を運ぶガスを排出する必要がないためである。また、バッファチャンバ又は移送チャンバ内への移送と処理チャンバ内への移送との間のガス抜きステップを省くことで、メインフレームの移送チャンバ内への基板の移動もより効率的である。更に、バッファチャンバ及び／又は移送チャンバ内の圧力をより一定に保つことで、チャンバ内の圧力調整に関連する待機時間が縮小され、基板の移送がより効率的になる。

［００１８］更に、従来、ガス抜きチャンバは、単一の基板を処理し、メインフレームのファセットを使用してメインフレームのバッファチャンバ及び／又は移送チャンバに結合される。本明細書に記載の実施形態では、更なる利点として、ガス抜きチャンバが以前に取り付けられたメインフレーム上のファセットは、プラズマウエハ堆積（ＰＶＤ）又は化学ウエハ堆積（ＣＶＤ）チャンバ（複数可）等の別の堆積チャンバを含むがこれに限定されない、他の用途に解放される。追加の利点は、メインフレームの及び／又はメインフレームに接続されたチャンバ（例えば、移送チャンバ、処理チャンバ及び／又はバッファチャンバ）間の相互汚染を防止し、処理チャンバ、バッファチャンバ、パススルーチャンバ及び／又は移送チャンバ間のメインフレーム内の汚染除去プロセスの負荷を低減させることを含む。

［００１９］図１は、一実施形態に係るＥＦＥＭ本体の側壁に結合されたバッチ式ガス抜きチャンバ１２０を含むＥＦＥＭ１１４（本明細書ではファクトリインターフェース（ＦＩ）とも呼ばれる）を有する基板処理システム１００を示す概略上面図である。基板処理システム１００は、バッファチャンバ１０２及び移送チャンバ１０４を画定するメインフレーム壁を有するメインフレーム１０１（例えば、真空下のメインフレーム）を含み得る。バッファチャンバ１０２は、実施形態における移送チャンバの一種であってよい。バッファロボット１０３は、少なくとも一部がバッファチャンバ１０２内に収容されていてよい。バッファロボット１０３は、バッファロボット１０３のロボットアームの操作を介して様々な目的地に基板を配置し、そこから取り出すように構成され得る。移送ロボット１０５は、少なくとも一部が移送チャンバ１０４内に収容されていてよい。移送ロボット１０５は、移送ロボット１０５のロボットアームの動作を介して、様々な目的地に基板を配置し、そこから取り出すように構成され得る。本明細書に記載の基板とは、半導体ウエハ、シリコン含有ウエハ、パターニングされた又はパターニングされていないウエハ、ガラス板等、電子デバイス又は回路部品を作るために使用される物品を意味するものとする。

［００２０］開示された実施形態では、バッファチャンバ１０２は、１又は複数（例えば、２つ）のパススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄを介して移送チャンバ１０４に結合される。実施形態では、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄは、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂと同様である。例えば、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄは、バッファロボット１０３及び／又は移送ロボット１０５が基板をピックアップして配置するためのステーションを含み得る。パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄは、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄを移送チャンバ１０４及び／又はバッファチャンバ１０２から密閉することを可能にするスリットバルブを含み得る、又は含まない場合がある。実施形態では、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄは、冷却ステーションとして使用される。

［００２１］バッファロボット１０３及び移送ロボット１０５の様々なロボットアーム部品の動きは、コントローラ１０６から指令される複数の駆動モータを含む駆動アセンブリ（図示せず）に対する適切な指令によって制御され得る。コントローラ１０６からの信号は、バッファロボット１０３及び移送ロボット１０５の様々なロボットアームの動きを引き起こし得る。位置エンコーダ等の様々なセンサによって、適切なフィードバック機構がロボットアームの１又は複数に提供され得る。

［００２２］コントローラ１０６は、移送ロボット１０５、バッファロボット１０３、ＦＩロボット１１７、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０、及び／又は更に基板処理システムの動作を制御し得る。コントローラ１０６は、基板処理システムにおいて、及び基板処理システムを通じて基板１１９の処理及び移送を制御し得る。コントローラ１０６は、例えばコンピュータであってよい、及び／又は、マイクロプロセッサ又は他の適切な中央処理装置（ＣＰＵ）、電子デバイス製造システムを制御するソフトウェアルーチンを記憶するためのメモリ、入力／出力周辺機器、及び、例えば電源、クロック回路、キャッシュ等の支援回路を含み得る。コントローラ１０６は、例えば、メインフレーム１０１に取り付けられた各プロセスチャンバを通して、及び／又はバッチ式ガス抜きチャンバ１２０を通して、１又は複数の基板を順次処理するようにプログラムされ得る。他の実施形態では、コントローラ１０６は、プロセスチャンバ及び／又はバッチ式ガス抜きチャンバ１２０を通して任意の順序で基板を処理するようにプログラムされ得る。更に他の実施形態では、コントローラ１０６は、１又は複数のプロセスチャンバ及び／又はバッチ式ガス抜きチャンバ１２０における１又は複数の基板の処理を省く及び／又は繰り返すようにプログラムされ得る。コントローラ１０６は、代替的に、基板処理システムにおいて１又は複数の基板を任意の適切な方法で処理するようにプログラムされ得る。

［００２３］移送ロボット１０５及びバッファロボット１０３は各々、移送チャンバ及びバッファチャンバ内のほぼ中央にそれぞれ位置し得る肩軸を中心に回転可能な１又は複数のロボットアームを含み得る。移送ロボット１０５及びバッファロボット１０３は各々、移送チャンバ１０４及びバッファチャンバ１０２の下部をそれぞれ形成するチャンバ壁（例えば、チャンバ床）に取り付けられるように構成されたベース（図示せず）を含み得る。しかしながら、バッファロボット１０３及び／又は移送ロボット１０５は、幾つかの実施形態では、天井に取り付けられていてよい。半径方向に配向されたプロセスチャンバ等の他のタイプのプロセスチャンバの配向、並びに選択的コンプライアンス多関節ロボットアーム（ＳＣＡＲＡ）ロボット等の他のタイプの移送ロボットが使用され得る。図示したように、単一の処理チャンバが各ファセットに結合される。しかしながら、幾つかの実施形態では、複数の処理チャンバが単一のファセットに結合される。

［００２４］図示した実施形態におけるバッファチャンバ１０２及び移送チャンバ１０４の各々は、概して正方形、長方形、六角形、八角形、又は円形の形状であってよく、複数のファセットを含み得る。バッファロボット１０３及び移送ロボット１０５は、移送ロボット１０３によってアクセス可能なプロセスチャンバ又は他のチャンバから及びそれらへ基板１１９を移送及び／又は戻すことができる。

［００２５］図示した実施形態では、メインフレーム１０１は、各々が８つのファセットを有する半径方向設計のバッファチャンバ１０２及び移送チャンバ１０４を含む。バッファチャンバ１０２及び移送チャンバ１０４は、それぞれのファセットのうちの２つによって互いに接続される。他の実施形態では、メインフレームは他の構成を有し得る。例えば、移送チャンバ１０４及びバッファチャンバ１０２は、より多い数のファセット又はより少ない数のファセットを有する他の構成を有し得る。ファセットは全て同じサイズ（例えば、同じ幅及び／又は長さ）を有し得る、又は異なるファセットは異なるサイズを有し得る。更に、バッファチャンバ１０２は、移送チャンバ１０４とは異なる数のファセットを有し得る。一実施形態では、メインフレーム１０１は、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂに結合された単一の移送チャンバを含み、バッファチャンバ１０４及びパススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄは省略される。単一の移送チャンバは、５、６、７、８又はそれ以上のファセットを有する半径方向移送チャンバであってよい。あるいは、単一の移送チャンバは、４つのファセットを含んでいてよく、正方形又は長方形の形状を有していてよい。

［００２６］バッファロボット１０３の目的地は、第１の処理チャンバ１０８Ａ、第２の処理チャンバ１０８Ｂ、第３の処理チャンバ１０８Ｃ、及び第４の処理チャンバ１０８Ｄ等の１又は複数の処理チャンバであってよい。更に、バッファロボット１０３は、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄに基板を配置し、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄから基板を回収し得る。ガス抜きチャンバを含む従来の構成では、第１の処理チャンバ１０８Ａ及び第４の処理チャンバ１０８Ｄは、ガス抜きチャンバであってよい。しかしながら、開示された実施形態では、処理チャンバは、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０がファクトリインターフェースに位置決めされることにより、通常、ガス抜きチャンバに結合されるそれらのファセットに代わりに接続される。幾つかの実施形態では、バッファチャンバ１０２がフルサイズの処理チャンバと接合することを可能にするために、アダプタがファセットと処理チャンバ１０８Ａ及び１０８Ｄとの間に位置決めされる。この構成では、基板処理システム１００は、バッチ式チャンバ及び／又は移送チャンバに接続する従来のガス抜きチャンバを使用する基板処理システムと比較して、増加した数の処理チャンバを含むことができ、したがって、より多くの処理ステップを実行することができる。

［００２７］第５の処理チャンバ１０８Ｅ、第６の処理チャンバ１０８Ｆ、第７の処理チャンバ１０８Ｇ、第８の処理チャンバ１０８Ｈ、及び第９の処理チャンバ１０８Ｉ等の１又は複数の追加の処理チャンバで基板を処理するために、バッファロボット１０３が、基板をパススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄに配置し得る。次に、移送ロボット１０５が、パススルーチャンバ１１２Ｃ、１１２Ｄから基板を回収して、第５の処理チャンバ１０８Ｅ、第６の処理チャンバ１０８Ｆ、第７の処理チャンバ１０８Ｇ、第８の処理チャンバ１０８Ｈ、及び／又は第９の処理チャンバ１０８Ｉのいずれかに基板を配置し得る。

［００２８］基板処理システム１００は更に、第１のロードロックチャンバ１１２Ａ及び第２のロードロックチャンバ１１２Ｂを含み得るが、追加のロードロックチャンバも想定される。ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、シングルウエハロードロック（ＳＷＬＬ）チャンバ、マルチウエハチャンバ、バッチ式ロードロックチャンバ、又はそれらの組合せであってよい。例えば、第１のロードロック１１２Ａ等の特定のロードロックは、バッファチャンバ１０２内への基板１１９の流れに使用することができ、第２のロードロックチャンバ１１２Ｂ等の他のロードロックチャンバは、基板をバッファチャンバ１０２から移動させるために使用され得る。同様に、パススルーチャンバ１１２Ｃは、移送チャンバ１０４内への基板１１９の流れに使用することができ、パススルーチャンバ１１２Ｄは、移送チャンバ１０４から基板を移動させてバッファチャンバ１０２に戻すために使用され得る。

［００２９］様々なプロセスチャンバ１０８Ａ～１０８Ｉは、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニール、前洗浄、金属又は金属酸化物の除去等の、基板１１９の任意の適切なプロセスを実施するように構成され動作可能であってよい。他の堆積、除去、又は洗浄プロセスを、そこに収容された基板１１９に対して実施することができる。

［００３０］基板１１９は、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）１１４からバッファチャンバ１０２内に受け入れられ、また、ＥＦＥＭ１１４の表面（例えば、後壁）に結合された第１及び第２のロードロックチャンバ１１２Ａ及び１１２Ｂを通って、バッファチャンバ１０２からＥＦＥＭ１１４に出ていくことができる。ＥＦＥＭ１１４は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを形成するチャンバ壁（例えば、前壁１１４Ｆ、後壁１１４Ｒ、側壁１１４Ｓ、及び上部（天井）及び下部（床）壁（ラベルなし））を含むフロントエンドモジュール機器本体を有する任意のエンクロージャであってよい。側壁１１４Ｓのうちの１つは、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへのアクセスを得るための接合開口部１１４Ｄを含み得る。

［００３１］様々な実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０は、接合開口部１１４ＤにおいてＥＦＥＭ１１４に（例えば、側壁１１４Ｓのうちの１つに）取り付けられる。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０は、代替的に、ＥＦＥＭ１１４と真空下のメインフレーム、例えば、メインフレーム１０１との間に位置決めされ得る。このような実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０は、ロードロックチャンバの機能を実行するようにも構成され得る。例えば、バッチ式ガス抜きチャンバは、バッチ式ガス抜きチャンバとＥＦＥＭ１１４との間に第１のスリットバルブアセンブリを含んでいてよく、バッチ式ガス抜きチャンバとメインフレーム１０１との間に第２のスリットバルブアセンブリを含んでいてよい。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０の対応する接合開口部は、幾つかの実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０とＥＦＥＭ１１４との間での真空シールの形成を可能にするために、シール１２２を含み得る。シール１２２は、Ｏリングシール、長方形シール又はガスケットシール、バルブシール等、任意の適切なシールであってよい。シール１２２の材料は、プロピレンジエンモノマ、フルオロエラストマ等であってよい。

［００３２］様々な実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０は更に、複数の基板１１９（例えば、実施形態では最大２５枚から最大７５枚の基板）を保持し得るカセット１２４と、カセット１２４が挿入可能であるリアクタチャンバ１２６とを含む。リアクタチャンバ１２６は、例えば、プラズマによるガス抜き又はガス抜き用の加熱不活性ガスを使用して基板１１９をガス抜きするために、ＥＦＥＭ１１４環境及びガス抜きチャンバハウジング（図示するように）から別々に密閉され得る。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０は更に、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０から水分及び汚染物質を吸引して排気するための排気処理装置１５０とファン１５２とを含み得る。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０を、図３Ａ～図３Ｂ及び図４Ａ～図４Ｂに関連して詳細に説明する。

［００３３］追加又は代替の実施形態では、１又は複数のロードポート１１５（例えば、追加の接合開口部）が、ＥＦＥＭ本体１１４Ｂの表面（例えば、前壁１１４Ｆ）に設けられ、そこに１又は複数の基板キャリア１１６（例えば、ＦＯＵＰ）を受け入れるように構成され得る。３つの基板キャリア１１６を図示したが、より多くの又はより少ない数の基板キャリア１１６が、ＥＦＥＭ１１４とドッキングされていてよい。代替の実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０が、これらのＦＯＵＰ位置のうちの１つに、又は図示したバッチ式ガス抜きチャンバ１２０とは反対側に取り付けられ、これらは全て破線で図示される。

［００３４］ＥＦＥＭ１１４は更に、そのＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に適切なロード／アンロードロボット１１７（例えば、ＦＩロボット）を含み得る。ロード／アンロードロボット１１７は、エンドエフェクタを含んでいてよく、ドアオープナ機構（図示せず）等によって基板キャリア１１６のドアが開かれると、基板キャリア１１６から基板１１９を取り出して、バッチ式ガス抜きキャリア１２０のカセット１２４内に基板１１９を供給するように構成され、動作可能であり得る。ロード／アンロードロボット１１７は更に、ガス抜きされたカセット１２４がリアクタチャンバ１２６から下降すると、カセット１２４から、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを通って、第１及び第２のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂのうちの１又は複数へ基板１１９を取り出すように構成及び動作し得る。

［００３５］更に、ロード／アンロードロボット１１７は、第１及び第２のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂの一方又は両方から基板１１９を取り出し、基板１１９を基板キャリア１１６の１又は複数に供給するように構成及び動作可能であり得る。幾つかの実施形態では、サイドストレージポッド（ＳＳＰ）がＥＦＥＭ１１４に接続され、処理された基板は、例えば、プロセスチャンバ１０８Ａ～１０８Ｉのうちの１又は複数における基板１１９の処理後にＳＳＰに配置され得る。

［００３６］図１を更に参照すると、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃは更に、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに環境制御された雰囲気を提供する環境制御システム１１８を含み得る。特に、環境制御システム１１８は、ＥＦＥＭ１１４に結合され、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の環境条件を監視及び／又は制御するように動作可能である。幾つかの実施形態では、ある時点において、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃは、基板１１９のガス抜き中等に、その中に非反応性（例えば、不活性）ガスを受け入れる場合がある。非反応性ガスは、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスであってよく、不活性ガス供給源１１８Ｓから提供され得る。オプションとして又は追加的に、不活性ガス供給源１１８Ｓは、例えば室温（ＲＴ）において５％未満の相対湿度（ＲＨ）を有する清浄乾燥空気を含み得る。

［００３７］実施形態では、ＥＦＥＭ１１４は、ＥＦＥＭ１１４の水分、圧力、温度及び／又は酸素レベルを検出するための１又は複数のセンサ１２８を含む。環境制御システム１１８によってＥＦＥＭ１１４内に流される不活性ガスの量は、１又は複数のバルブを制御することによって、検出された水分、圧力、温度及び／又は酸素レベルに基づいて調整され得る。更に、ＥＦＥＭ１１４は、排気配管（図示せず）を含み得る。排気配管は、水分、粒子等のフィルタを含み得る。排気配管は、不活性ガス供給源１１８Ｓから不活性ガスがＥＦＥＭ１１４内に供給される入口配管に接続して戻る再循環配管を含み得る。ＥＦＥＭ１１４から排気配管を介して排気された不活性ガスは、フィルタリングされ、再びＥＦＥＭ１１４内に再循環され得る。

［００３８］不活性ガス供給源１１８Ｓは、制御バルブ１１８Ｖを通してＥＦＥＭ１１４の上部プレナムに結合され得る。こうすると、非反応性ガス（又はパージガス）の流れは、上部プレナムから、化学フィルタ、粒子フィルタ、又はその両方であってよい１又は複数のフィルタを通ってＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに流れ得る。１又は複数の実施形態では、非反応性ガスはまた、詳細に説明するように、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０を通って流れ、その中に格納された基板１１９を非反応性環境に暴露する。幾つかの実施形態では、非反応性（又は不活性）ガスにより、基板１１９のガス抜きが行われる。

［００３９］幾つかの実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０が大気中のＥＦＥＭに取り付けられているために、ＥＦＥＭ１１４が上述したように不活性でない、及び／又は環境制御された雰囲気を含まない場合、基板は、更なる処理の前にまず洗浄チャンバ、例えば処理チャンバ１０８Ａ～１０８Ｄの１つの内の前洗浄に送られる。幾つかの実施形態では、この前洗浄は、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０による基板の処理に加えて実行され得る。洗浄チャンバで実行される前洗浄は、アニール前制御（ＡＰＣ）又はプラズマ反応性前洗浄（ＲＰＣ）のうちの１つであってよい。ＡＰＣの前洗浄は、化学物質及び温度を使用して昇華プロセスを実行するものであってよく、ＲＰＣは、ＲＦプラズマ洗浄プロセスであってよい。このような状況で実行される前洗浄は、ウエハの完全なガス抜きに比べ、単純で迅速なステップである。したがって、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０を大気中のＥＦＥＭに取り付けて、基板１１９を堆積処理に送る前に前洗浄を実行する場合においても、プロセス効率が向上するだけでなく、メインフレーム１０１のチャンバ内の圧力変動及び相互汚染のリスクも低減させることができる。

［００４０］図２は、第１のバッチ式ガス抜きチャンバ１２０ＡがＥＦＥＭ１１４に結合され、第２のバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃがメインフレーム１０１のファセットに取り付けられる基板処理システム２００の代替実施形態を示す上面図である。簡略化するために、処理チャンバ及び一部のロボットは図示していない。一実施形態では、第１のバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ａは、図示したように、ＥＦＥＭ１１４の右側に取り付けられる。代替の実施形態では、異なるバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｂが、点線で示すように、ファクトリインターフェースの左側に取り付けられる。説明したように、メインフレーム１０１は、基板１１９を移送し処理するための真空環境を作り出すことができる。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ａ又は１２０Ｂ及びバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃは、同一又は類似の設計であってよい、又は互いに異なる設計であってよい。例えば、一実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃはコンパクトな構成を有し、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ａは非コンパクトな構成を有する。

［００４１］他の実施形態では、バッチ式ガス抜きチャンバはＥＦＥＭ１１４に結合されず、本明細書の実施形態で説明するバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃは、メインフレーム１０１のファセットに結合される。様々な実施形態では、シール１２２は、実施形態におけるバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃのハウジングとメインフレーム１０１のファセットの接合開口部との間に位置決めされる。より詳細に説明するように、シール１２２により、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃ内に真空環境が存在することも可能になり得るが、カセット１２４もまたリアクタチャンバ１２６とのシールを形成し得る。実施形態では、ポート及び／又はスリットバルブアセンブリが、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃをメインフレーム１０１から分離させる。

［００４２］図２はまた、ＥＦＥＭ１１４に取り付けられたバッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ａを示す上面図であり、更に、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ａがガス抜きプロセスの副生成物である水分及び汚染物質を排出し得る排気管２２８を示す。排気管２２８は、リアクタ１２６に取り付けられ得る。バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃについて示すように、バッチ式ガス抜きチャンバのコンパクトな構成の実施形態では、排気管は、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０Ｃのフレーム又は本体と一体であってよい。

［００４３］図３Ａは、様々な実施形態に係るバッチ式ガス抜きチャンバ３２０を示す前面斜視図である。様々な実施形態によれば、バッチ式ガス抜きチャンバ３２０は、ハウジング３０２、交流（ＡＣ）制御部３０４、接合開口部３１４、カセットホイスト３２１、カセット３２４、リアクタチャンバ３２６、排気ライン３２８、並びにガス及び排気アクセスリッド３３０を含むが、これらに限定されない。実施形態では、カセットホイスト３２１は、リフト３３４（例えば、機械式リフト、磁気リフト、空気圧リフト等）と、カセット３２４が取り付けられたリアクタドア３３８とを含む。ハウジング３０２の接合開口部３１４は、ＥＦＥＭ１１４の接合開口部（図１～図２）及び基板処理システム１００の真空下のメインフレーム上のファセット（図２）の両方に対して密閉可能であってよい。説明したように、シール１２２は、バッチ式ガス抜きチャンバ３２０内に真空環境を作り出すために設けられ得る。実施形態では、スリットバルブアセンブリは、接合開口部３１４に結合する。スリットバルブアセンブリは、水平方向に配向した基板がそこを通過することを可能にするように適合された開口部を含み得る。スリットバルブアセンブリは、ゲートと、ゲートを開閉するアクチュエータとを含み得る。代替的に、バッチ式ガス抜きチャンバ３２０は、スリットバルブアセンブリを含まない。

［００４４］リアクタチャンバ３２６は、ハウジング３０２に取り付けられ得る。カセット３２４は、リアクタチャンバ３２６内に挿入可能であってよく、複数の基板１１９を保持するように適合される。カセット３２４は、バッチ式ガス抜きチャンバ３２０の交換可能な部分であってよい。図３Ｂに更に詳細に示すカセット３２４は、２５枚から７５枚の基板１１９、２０枚から６０枚の基板１１９等、多数の基板１１９を保持するように適合され得る。

［００４５］説明したように、カセットホイスト３２１は、リフト３３４と、カセット３２４が取り付けられたリアクタドア３３８とを含み得る。これらの実施形態では、リフト３３４は、リアクタドア３３８の底部に取り付けられ得る。リフトは機械式リフトであってよい。あるいは、リフトは、空気圧リフト（例えば、空気圧アクチュエータを含み得る、又は空気圧アクチュエータであり得る）、又は電磁リフト又は他のタイプのリフト機構であってよい。リフト３３４は、カセット３２４を運ぶカセットホイスト３２１を、リアクタチャンバ３２６の中へ及び外へと持ち上げ得る。更に、リフト３３４は、ロボットアームによって到達可能な高さまでカセット３２４を上昇又は下降させ得る。例えば、幾つかのロボットアームは、垂直方向の動きが制限されている、又は全くない。そのような実施形態の場合、ロボットアームが、基板をカセット３２４のスロット内に位置決めしてよく、リフト３３４がカセット３２４を上昇させて、基板をロボットアームのエンドエフェクタから、スロットのフィンガ又は支持体上に持ち上げることができる。あるいは、リフト３２４がカセットをロボットアームの垂直可動域内まで上昇又は下降させてよく、ロボットアームはカセット３２４から基板を除去したり、カセット３２４の上に基板を配置するために上昇及び／又は下降し得る。

［００４６］リアクタドア３３８は、カセット３２４とリフト３３４との間に位置決めされ得る。リアクタドア３３８は、実施形態では、処理中にハウジング３０２とリアクタチャンバ３２６との間にシールを形成するように構成される。一実施形態では、このシールは、真空シールでもある。リフト３３４は、リアクタドア３３８及びその上に保持されたカセット３２４をリアクタチャンバ３２６内に上昇させ得る。リアクタドア３３８は、カセット３２４の周囲のリアクタドア３３８の上面にＯリング又はガスケットを含み得る。リフト３３４は、リアクタドア３３８の上面をリアクタチャンバ３２６の底面に押し付けて、ガスケット又はＯリングを圧縮し、バッチ式ガス抜きチャンバ３２０が接続されるＥＦＥＭ又はメインフレームの内部からリアクタチャンバ３２６を密閉し得る。

［００４７］リアクタチャンバ３２６は、複数の基板１１９にガス抜きアクティブプロセスを実行し得る。例えば、ガス抜きアクティブプロセスは、加熱不活性ガスプロセス及びプラズマによるプロセスのうちの１つ又は組み合わせを介して、複数の基板の表面から水分及び汚染物質を除去する。

［００４８］カセットホイスト３２１は、上述したように、ハウジング３０２内に位置決めされ、処理のためにカセット３２４をハウジング３０２からリアクタチャンバ３２６内に移動させ、処理後にカセット３２４をハウジング３０２に戻すように適合され得る。

［００４９］様々な実施形態では、ガス及び排気アクセスリッド３３０は、入力ガスライン及び排気ガスライン、例えば少なくともリアクタチャンバ３２６に取り付けられた排気ライン３２８のための接合部を提供し、水分及び汚染物質のための出口を提供する。排気ガスラインは、排気管２２８、３２８、又は４２８に方向づけされ、基板処理システム１００の外部に方向づけされ得る。

［００５０］図３Ｂは、様々な実施形態に係るバッチ式ガス抜きチャンバのリアクタチャンバ３２６内のカセット３２４を示す断面図である。図示したように、カセット３２４は、基板が挿入され得る及び引き出され得るスロットを各々画定する支持体の足場を含む。支持体及びスロットは、カセット３２４が保持し得る基板の数に従って番号付けされていてよく、基板の表面がプロセスガス及び／又はプラズマに暴露されるように、規則的に間隔を空けて配置され得る。

［００５１］リアクタチャンバ３２６は、壁３４０に沿って間隔をおいて配置された複数のゾーンヒータ３４２を含む壁３４０を含み得るが、これに限定されない。リアクタチャンバ３２６は、壁３４０の上部に取り付けられた上部ヒータ３４４と、壁３４０の下部に取り付けられた下部ヒータ３４６とを含み得る。これらのゾーンヒータ３４２、上部ヒータ３４４、及び下部ヒータ３４６は、基板１１９の表面から水分及び汚染物質を除去するアクティブプロセスを実行するために温度の急激な上昇を生じさせる輻射熱を提供し得る。

［００５２］リアクタチャンバ３２６は更に、上部ヒータ３４４に取り付けられた複数のガス入力バルブ３５２及び複数のガス出力バルブ３５６を含み得る。リアクタチャンバ３２６は更に、複数のガス入力バルブ３５２に取り付けられた複数のガス入力ライン３６２を含み得る。複数のガス入力バルブ３５２は、複数のガス入力ライン３６２を通して加熱不活性ガスを均一に流す。複数のガス入力ライン３６２の数は、例えば、４つから８つであってよく、カセット３２４の高さ全体で垂直方向に配向され得る。複数のガス入力ライン３６２は、カセット３２４の複数の基板１１９の各々全体に加熱ガス（例えば、不活性ガス又は非反応性ガス）を流すために、番号付けされ、垂直方向にアライメントされた一連の開孔３６３を含み得る。複数の入力ガスライン３６２からのガスも加熱され（例えば、高温で流れる不活性ガス）、複数のゾーンヒータ３４２、上部ヒータ３４４、及び下部ヒータ３４６によって生じる熱に加えて、伝導熱を提供し得る。

［００５３］輻射熱及び伝導熱によるリアクタチャンバ３２６の内部の環境の温度範囲は、例えば８０～４５０℃であってよい。熱の上昇は、１５０℃で毎分約５～７℃であってよい。

［００５４］この加熱不活性ガス流への基板の暴露により、汚染物質又は他の不要な条件（例えば、高湿度レベル）への暴露が防止又は低減され得、十分な流速Ｖが存在する場合、基板１１９の表面からの特定の不要な化学成分のガス抜きが引き起こされ得る。例えば、不要な化学成分は、臭素含有成分、塩素含有成分、フッ素含有成分等のうちの１又は複数であってよい。これらの不要な化学成分は、リアクタチャンバ３２６内のパージガス流の適切な流速Ｖ及び／又は適切なレベルの温度の結果として、基板１１９の表面から解離及び除去され得る。流速Ｖ又は温度が低すぎると、不要な化学成分を効果的に解離させることができない場合がある。流速Ｖが高すぎる場合、大きい圧力、高い運用コスト、及びバッチ式ガス抜きチャンバ３２６を通る不均一又は非層流が生じる可能性がある。

［００５５］リアクタチャンバ３２６は更に、複数の出力バルブ３５６に結合された複数のガス出力ライン３６６を含み得る。複数のガス出力ライン３６６の数は、例えば、４つから８つであってよく、また、カセット３２４の高さ全体で垂直方向に配向され得る。複数のガス出力ライン３６６は、加熱ガスを複数の基板１１９の各々からの水分及び汚染物質と共に複数のガス出力バルブ３５６に取り付けられた排気ライン３２８（図３Ａ）から除去するために、番号付けされ、垂直方向にアライメントされた一連の開孔３６７を含み得る。代替の実施形態では、複数のガス入力ライン３６２は、その後の除去のために基板１１９の表面に適用され得るプラズマを運ぶことができる。プラズマは、その表面から汚染物質を除去するために、基板１１９の表面で化学反応を生じさせ得る。

［００５６］図４Ａ～図４Ｂは、様々な実施形態に係る基板処理システム１００内でバッチ式ガス抜きチャンバ１２０及び５２０を用いる方法４００を示すフロー図である。方法４００は、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０及び５２０と、本明細書で前述し図示したＥＦＥＭ１１４とによって実行され得る。幾つかの実施形態では、コントローラ１０６は、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０を制御し、バッチ式ガス抜きチャンバ１２０にリフト５３４を作動させ、バッチ式ガス抜き方策を選択し、バッチ式ガス抜き方策を実行する等して、基板の処理を制御する。

［００５７］工程４０５において、方法４００は、複数の基板をフロントエンド開口型ポッド（例えば、ＦＯＵＰ）からバッチ式ガス抜きチャンバのカセットに移送することから開始し得る。バッチ式ガス抜きチャンバは、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）に取り付けられる、又はＥＦＥＭと基板処理システムの真空下のメインフレームとの間に位置決めされる。

［００５８］工程４１０において、方法４００は、バッチ式ガス抜きチャンバのカセットを含むカセットホイストを、ハウジングからバッチ式ガス抜きチャンバのリアクタチャンバ内に持ち上げることによって継続し得る。リフト機構を作動させて、カセットをリアクタチャンバ内に持ち上げ、リアクタチャンバに対してリアクタドアを密閉し、それによって、バッチ式ガス抜きチャンバが接続されたＥＦＥＭ又はメインフレームの環境とは異なるリアクタチャンバのための閉鎖され密閉された環境が作り出され得る。

［００５９］工程４１５において、方法４００は、リアクタチャンバによって、複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行することによって継続し得る。ガス抜きアクティブプロセスにより、複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去され、ガス抜きされた基板が生成される。一実施形態では、ガス抜きアクティブプロセスは、リアクタチャンバが、例えば輻射熱を発生させるために、その１又は複数の壁のゾーンヒータで加熱され、またリアクタチャンバが基板全体にパージ（又は加圧）不活性ガスを流す、加熱不活性ガスプロセスである。加熱不活性ガスの熱と流速との組み合わせにより化学反応が起こり、化学汚染物質及び他の微粒子から基板の表面をパージする。別の実施形態では、ガス抜きアクティブプロセスは、プラズマを基板の表面に堆積させ、その後、化学反応を介して除去するプラズマによるプロセスである。また、化学汚染物質及びその他の微粒子から基板の表面をパージする化学反応を促進し、加速するために、熱を加えることもできる。

［００６０］工程４２０において、方法４００は、ガス抜きアクティブプロセス中及び／又はガス抜きアクティブプロセスが完了した後に、リアクタチャンバから排気ラインを通して水分及び汚染物質を排出することによって継続し得る。工程４２５において、方法４００は、カセットホイストをカセットと共に下降させてガス抜きチャンバのハウジング内に戻すことによって継続し得、ＦＩロボット１１７が次に基板を回収し得る。

［００６１］図４Ｂを引き続き参照すると、工程４３０において、方法４００は、処理のために、ガス抜きされた基板のうちの１枚のガス抜きされた基板を真空下のメインフレームと接合するロードロックチャンバに移送することによって継続し得る。

［００６２］工程４３５において、方法４００は、真空下のメインフレームのバッファチャンバ内の圧力が上昇するまで一定期間待機することによって継続し得る。この一定期間は、基板が最初にガス抜きされなかった場合に必要とされる期間よりも短い期間であり得る。工程４４０において、方法４００は、ガス抜きされた基板をロードロックチャンバからバッファチャンバに移送することによって継続し得る。

［００６３］工程４４５において、方法４００は、ガス抜きされた基板に前洗浄を実行して、洗浄された基板を生成するために、ガス抜きされた基板をバッファチャンバから洗浄チャンバ内に移送することによって継続し得る。説明したように、洗浄チャンバは、ＡＰＣ又はＲＰＣによる前洗浄チャンバのうちの１つであってよい。

［００６４］工程４５０において、方法４００は、処理のために清浄な基板を処理チャンバ内に移送することによって継続し得る。この処理は、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）による処理、化学気相堆積（ＣＶＤ）による処理等であり得る。

［００６５］先の説明では、本開示の幾つかの実施形態の理解を深めるために、特定のシステム、構成要素、方法等の例等、多数の具体的な詳細を記載している。しかしながら、本開示の少なくとも幾つかの実施形態が、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。他の例では、本開示を不必要に不明瞭にしないように、周知の構成要素又は方法は詳細には説明しない、又は単純なブロック図形式で提示する。したがって、記載された具体的な詳細は、単に例示的なものである。特定の実装態様は、これらの例示的な詳細と異なっていてよく、それでも本開示の範囲内であると見なされる。

［００６６］本明細書全体における「一実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明した特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所での「一実施形態では」又は「実施形態では」等の句の出現が全て、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。更に、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することが意図される。本明細書において、「約」又は「おおよそ」という用語が使用される場合、提示された公称値が±１０％以内の精度であることを意味することが意図される。

［００６７］本明細書の方法の工程を特定の順序で示し、説明したが、各方法の工程の順序は、特定の工程が逆の順序で実行され得ることにより、特定の工程が少なくとも部分的に他の工程と同時に実行され得るように、変更することが可能である。別の実施形態では、別個の工程の指示又は副工程は、断続的及び／又は交互の形式であってよい。

［００６８］上記の説明は、例示的なものであり、限定するものではないことを理解されたい。当業者には、上記の説明を読み、理解することにより、他の多くの実施形態が明らかになるであろう。したがって、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照し、上記特許請求の範囲が権利を有する完全な均等物の範囲と共に決定されるべきである。

Claims (20)

1. 真空下のメインフレームに結合されたフロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）であって、複数の接合開口部を含む、ＥＦＥＭと、
   前記複数の接合開口部のうちの１つの接合開口部において前記ＥＦＥＭに取り付けられたバッチ式ガス抜きチャンバであって、
   前記ＥＦＥＭの前記接合開口部に対して密閉されたハウジングと、
   前記ハウジング内に位置し、複数の基板を保持するように構成されたカセットと、
   前記ハウジングに取り付けられ、前記カセットが挿入可能なリアクタチャンバであって、前記リアクタチャンバは、前記複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行し、前記ガス抜きアクティブプロセスにより、前記複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去される、リアクタチャンバと、
   前記水分及び汚染物質の出口を提供するために、前記リアクタチャンバに取り付けられた排気ラインと
   を含む、バッチ式ガス抜きチャンバと
   を備える、基板処理システム。
2. 前記ＥＦＥＭは、前記ＥＦＥＭを通過する基板に対して不活性な環境を含む不活性ＥＦＥＭである、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記カセットは、２５枚から７５枚の基板を保持するように構成される、請求項１に記載の基板処理システム。
4. 前記バッチ式ガス抜きチャンバは更に、カセットホイストを含み、前記カセットホイストは、
   前記カセットが取り付けられた前記ハウジング内のリアクタドアと、
   前記リアクタドアの底部に取り付けられ、前記カセットを前記ハウジングから前記リアクタチャンバ内に移動させるリフトであって、前記リアクタドアは、前記リアクタチャンバと前記ハウジングとの間に真空シールを形成する、リフトと
   を含む、請求項１に記載の基板処理システム。
5. 前記リアクタチャンバは、
   壁に沿って間隔をおいて配置された複数のゾーンヒータを含む壁と、
   前記壁の上部に取り付けられた上部ヒータと、
   前記壁の底部に取り付けられた底部ヒータと、
   加熱ガスを前記カセットの前記複数の基板全体に流すために番号付けされアライメントされた一連の開孔を含む複数のガス入力ラインと、
   前記排気ラインに結合された複数のガス出力ラインであって、前記加熱ガスを前記複数の基板からの水分及び汚染物質と共に前記バッチ式ガス抜きチャンバから前記排気ラインを介して除去するために番号付けされアライメントされた一連の開孔を含む、複数のガス出力ラインと
   を含む、請求項１に記載の基板処理システム。
6. 前記ガス抜きアクティブプロセスは、プラズマによるプロセス及び加熱不活性ガスプロセスのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の基板処理システム。
7. 複数の基板をフロントエンド開口型ポッドから、フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）に取り付けられた又は前記ＥＦＥＭと基板処理システムの真空下のメインフレームとの間に位置決めされたバッチ式ガス抜きチャンバのカセットに移送することと、
   前記バッチ式ガス抜きチャンバの前記カセットを含むカセットホイストを、ハウジングから前記バッチ式ガス抜きチャンバのリアクタチャンバ内に持ち上げることと、
   前記リアクタチャンバによって、前記複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行することであって、前記ガス抜きアクティブプロセスにより、前記複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去され、ガス抜きされた基板が生成される、前記リアクタチャンバによって、前記複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行することと、
   前記リアクタチャンバから排気ラインを通して、前記水分及び汚染物質を排出することと、
   前記カセットホイストを前記カセットと共に下降させて前記ガス抜きチャンバの前記ハウジング内に戻すことと
   を含む方法。
8. 処理のために、前記ガス抜きされた基板のうちの１枚のガス抜きされた基板を前記真空下のメインフレームと接合するロードロックチャンバに移送することを更に含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記真空下のメインフレームのバッファチャンバ内の圧力が上昇するまで一定期間待機することと、
   前記ガス抜きされた基板を前記ロードロックチャンバからバッファチャンバに移送することと、
   前記ガス抜きされた基板に前洗浄を実行して、洗浄された基板を生成するために、前記ガス抜きされた基板を前記バッファチャンバから洗浄チャンバ内に移送することと、
   処理のために清浄な基板を処理チャンバ内に移送することと
   を更に含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記ガス抜きされた基板を移送することは、前記ガス抜きされた基板を前記ＥＦＥＭの不活性環境を通して移送することを含む、請求項７に記載の方法。
11. 前記ガス抜きアクティブプロセスを実行することは、
    前記ＥＦＥＭと前記バッチ式ガス抜きチャンバとの間にシールを形成することと、
    前記リアクタチャンバ内の前記複数の基板に、プラズマによるプロセス及び加熱不活性ガスプロセスのうちの少なくとも１つを実行することと
    を含む、請求項７に記載の方法。
12. 前記複数の基板を前記バッチ式ガス抜きチャンバの前記カセットに移送することは、２５枚から７５枚の基板を前記カセットに移送することを含む、請求項７に記載の方法。
13. フロントエンドモジュール機器（ＥＦＥＭ）の接合開口部及び基板処理システムの真空下のメインフレームのファセットの両方に対して密閉可能なハウジングと、
    前記ハウジングに取り付けられ、カセットが挿入可能なリアクタチャンバであって、前記カセットは複数の基板を保持し、前記リアクタチャンバは、前記複数の基板にガス抜きアクティブプロセスを実行し、前記ガス抜きアクティブプロセスにより、前記複数の基板の表面から水分及び汚染物質が除去される、リアクタチャンバと、
    前記ハウジング内に位置決めされ、処理のために前記カセットを前記ハウジングから前記リアクタチャンバ内に移動させ、処理後に前記カセットを前記ハウジングに戻すように適合された、カセットホイストと、
    前記水分及び汚染物質の出口を提供するために、前記リアクタチャンバに取り付けられた排気ラインと
    を備える、バッチ式ガス抜きチャンバ。
14. 前記カセットを更に備え、前記カセットは、２５枚から７５枚の基板を保持するように構成される、請求項１３に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
15. 前記ＥＦＥＭの前記接合開口部に嵌合する、前記ハウジングの第２の接合開口部と、
    第２の接合開口部に取り付けられたシールであって、前記ハウジング及び前記リアクタチャンバ内に真空を作り出すことを可能にする、シールと
    を更に備える、請求項１３に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
16. 前記カセットホイストは、
    前記カセットが取り付けられたリアクタドアであって、処理中に前記ハウジングと前記リアクタチャンバとの間にシールを形成するリアクタドアと、
    前記リアクタドアの底部に取り付けられたリフトであって、前記リアクタチャンバの内外へ前記カセットを持ち上げるリフトと
    を含む、請求項１３に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
17. 前記ガス抜きアクティブプロセスは、プラズマによるプロセス及び加熱不活性ガスプロセスのうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
18. 前記リアクタチャンバは、
    壁に沿って間隔をおいて配置された複数のゾーンヒータを含む壁と、
    前記壁の上部に取り付けられた上部ヒータと、
    前記壁の底部に取り付けられた底部ヒータと、
    加熱ガスを前記カセットの前記複数の基板全体に流すために番号付けされアライメントされた一連の開孔を含む複数のガス入力ラインと、
    前記排気ラインに結合された複数のガス出力ラインであって、前記加熱ガスを前記複数の基板からの水分及び汚染物質と共に前記排気ラインから除去するために番号付けされアライメントされた一連の開孔を含む、複数のガス出力ラインと
    を含む、請求項１３に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
19. 前記加熱ガスは、不活性ガス及び清浄乾燥空気のうちの一方を含む、請求項１８に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。
20. 前記複数のガス入力ライン及び前記複数のガス出力ラインは各々、４つから８つのラインを含む、請求項１８に記載のバッチ式ガス抜きチャンバ。

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