JP2022505473A - 前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法 - Google Patents

前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2022505473000001
機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）は、前部に配置されたリターンダクトを含む。ＥＦＥＭは、複数のロードポートを含む前壁、ロードロック装置に連結されるように構成された後壁、及び２つの側壁を含み得る。ＥＦＥＭチャンバは、前壁、後壁、及び２つの側壁の間に形成される。上部プレナムは、ＥＦＥＭの上部に配置され、ＥＦＥＭチャンバへの開口部を含む。リターンダクトは、ＥＦＥＭチャンバから上部プレナムへのガスの再循環を可能にするリターンガス流路を提供する。複数のリターンダクトの少なくとも幾つかは、ロードポートの間に配置される。電子デバイス製造アセンブリ及び機器フロントエンドモジュールを操作する方法も開示される。
【選択図】図２Ｃ

Description

［０００１］本開示は、電子デバイスの製造、より具体的には、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）、側面ストレージポッド、及びそれらを操作する方法に関する。
［０００２］半導体電子デバイス製造における基板の処理は、一般に、複数のプロセスツールで実行され、基板は、例えば、前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）等の基板キャリアのプロセスツール間を移動する。ＦＯＵＰは、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）のロードポートにドッキングされ得、１又は複数の基板がロードロック装置に移送され、そこから、周囲に配置された複数のプロセスチャンバを有するメインフレームハウジングの移送チャンバに移送され得る。環境制御された雰囲気は、ＦＯＵＰと各プロセスチャンバ内及びそれらの間、特にＥＦＥＭ内に提供され得る。処理中に特定の環境条件及びガスに基板が暴露されると、場合によっては基板が劣化する可能性がある。
［０００３］第１の実施形態によれば、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）が提供される。ＥＦＥＭは、複数のロードポートを含み得る前壁、ロードロック装置に連結されるように構成された後壁、及び２つの側壁を含む。機器フロントエンドモジュールチャンバは、前壁、後壁、及び２つの側壁の間に形成され得る。上部プレナムは、機器フロントエンドモジュールの上部に配置され、機器フロントエンドモジュールチャンバへの開口部を含み得る。複数のリターンダクトは、機器フロントエンドモジュールチャンバから上部プレナムへのガスの再循環を可能にするリターンガス流路を提供し得、複数のリターンダクトの少なくとも幾つかは、ロードポートの間に配置される。
［０００４］第２の実施形態によれば、電子デバイス製造アセンブリが提供される。電子デバイス製造アセンブリは、複数のロードポートを含み得る前壁、ロードロック装置に連結されるように構成された後壁、及び２つの側壁を含む機器フロントエンドモジュールを含み得る。機器フロントエンドモジュールチャンバは、前壁、後壁、及び２つの側壁の間に形成され得る。上部プレナムは、機器フロントエンドモジュールの上部に配置され、機器フロントエンドモジュールチャンバへの開口部を含み得る。複数のリターンダクトは、機器フロントエンドモジュールチャンバから上部プレナムへのガスの再循環を可能にするリターンガス流路を提供し得、複数のリターンダクトの少なくとも幾つかは、複数のロードポートの幾つかの間に配置される。第１の側面ストレージポッドは、第１の側壁のインターフェース開口部を介して機器フロントエンドモジュールの２つの側壁の第１の側壁に連結され得、機器フロントエンドモジュールチャンバから１又は複数の基板を受け入れるように構成される。側面ストレージポッドは、排気チャネルを含み得る。電子デバイスは更に、排気チャネルと上部プレナムとの間に連結された第１の側面リターンダクトを含み得る。
［０００５］本開示の更に別の実施形態によれば、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）を操作する方法が提供される。本方法は、複数のロードポートとインターフェースする機器フロントエンドモジュールチャンバに接続された上部プレナムを備えた機器フロントエンドモジュールを提供することを含み得る。本方法は更に、上部プレナムから機器フロントエンドモジュールチャンバにガスを流すことを含み得る。本方法は更に、ガスの少なくとも一部を、機器フロントエンドモジュールチャンバから、ロードポートの間に配置された１又は複数のリターンダクトを通して上部プレナムに再循環させることを含み得る。
［０００６］本開示のこれらの及び他の実施形態に係る更に別の態様、特徴、及び利点は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、及び添付の図面から容易に明らかになり得る。したがって、本書の図面及び説明は、本質的に例示的なものと見なされるべきであり、限定的なものとして見なされるべきではない。
［０００７］以下に記載の図面は、例示を目的としたものであり、必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。図面は、いかなる方法でも本開示の範囲を限定することを意図するものではない。
本開示の１又は複数の実施形態に係る電子デバイス製造アセンブリを示す概略上面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る前方リターンダクトを含む機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）を示す概略的な正面断面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る図２ＡのＥＦＥＭの左側立面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る前方リターンダクト及び２つの側面ストレージポッドを含む機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）の概略的な正面断面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係るＥＦＥＭ及びＥＦＥＭに連結された側面ストレージポッドを示す正面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る、側面ストレージポッドの壁及びドアが取り外された、ＥＦＥＭに連結された側面ストレージポッドを示す部分等角図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る、ＥＦＥＭと、その中に配置された側面ストレージコンテナを有する側面ストレージポッドとの間の例示的なインターフェースを示す側面断面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る排気バッフルを示す概略正面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る別の排気バッフルを示す概略正面図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係るＥＦＥＭを操作する方法を示すフロー図である。
［００１８］ここで、添付の図面に示す本開示の例示の実施形態を詳細に参照していく。可能な限り、幾つかの図面を通して同じ又は同様の部品を指すのに、図面全体で同じ参照番号を使用する。本書に記載の様々な実施形態の特徴は、特に明記されていない限り、互いに組み合わせることが可能である。
［００１９］電子デバイスの製造は、複数のプロセス中に基板を異なる化学物質に暴露することを伴い得る。基板への異なるプロセスの適用間に、基板はガス放出を経る場合がある。基板に適用される一部のプロセスにより、基板がフッ素、臭素、塩素等の腐食性化学物質をガス放出する可能性がある。これらの化学物質とその副生成物が基板から適切に除去されないと、基板に特定の欠陥が引き起こされ得る。
［００２０］本開示の１又は複数の実施形態によれば、基板処理を改善するために、電子デバイス製造アセンブリ及びＥＦＥＭを操作する方法が提供される。本書に記載のアセンブリ及び方法は、基板の環境曝露を制御することによって、特に、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）に連結された１又は複数の側面ストレージポッド内の条件を制御することによって、基板の処理における効率及び／又は処理の改善を提供し得る。１又は複数の側面ストレージコンテナは、側面ストレージポッド内に受け入れられるように構成され得、基板へのプロセス適用前及び／又は後のアイドル期間中等に、その上に基板を受け入れて支持するように構成された基板ホルダ（例えば、棚）を含み得る。
［００２１］パージガスは、ＥＦＥＭチャンバから側面ストレージコンテナ、そして側面ストレージポッド（ＳＳＰ）に流れ、そこでパージガスはその中に配置された基板を通過して流れ得る。パージガスは、側面ストレージコンテナの背面から排出され、側面リターンダクトを介してＥＦＥＭの上部プレナムに戻り得る。必要に応じて、パージガスをＳＳＰの化学フィルタに通し、そこからろ過されたガスを排出し得る。ある実施形態では、パージガスの再循環経路は、複数のリターンダクトを通過し得る。各リターンダクトは、ＥＦＥＭチャンバから上向きにＥＦＥＭの前壁に沿って延在し、上部プレナムに戻り得る。リターンダクトの少なくとも一部は、ＦＯＵＰがドッキングされているロードポートの間の位置に配置される。リターンダクトは、前壁の内側、前壁の外側、又はその両方でＥＦＥＭチャンバから上向きに延在し得る。これにより、再循環経路が占める空間を最小限に抑えることができる。更に、ＥＦＥＭの別の側壁に第２のＳＳＰを追加することもできる。側面ストレージコンテナからＥＦＥＭに再循環されるガスは、フィルタがオプションで使用される場合、化学フィルタによってろ過又は大幅に削減された特定のガスを実質的に含まない場合がある。ある実施形態では、ＳＳＰには加熱が含まれ得る。更に、基板がＥＦＥＭ内で暴露されるガスは、比較的乾燥している、加熱されている、及び／又は比較的低い酸素レベルを有する等、特定の所望の環境条件を有し得る。
［００２２］本書の図１～図８を参照しながら、ＥＦＥＭ、側面ストレージポッド、ＥＦＥＭ及び側面ストレージポッドを含む電子デバイス製造アセンブリ、及びＥＦＥＭを操作する方法の例示の実施形態のさらなる詳細を説明する。
［００２３］図１は、本開示の１又は複数の実施形態に係る電子デバイス製造アセンブリ１００の例示的な実施形態を示す概略図である。電子デバイス製造アセンブリ１００は、移送チャンバ１０２を画定するハウジング壁を有するメインフレームハウジング１０１を含み得る。移送ロボット１０３（点線の円として示す）が、移送チャンバ１０２内に少なくとも部分的に収容され得る。移送ロボット１０３は、移送ロボット１０３のアーム（図示せず）の操作を介して、様々な移送先との間で基板を配置及び除去するように構成され得る。本書で使用する基板とは、半導体ウエハ、シリコン含有ウエハ、パターニングされたウエハ、ガラス板等の電子デバイス又は回路構成要素を製造するために使用される物品を意味し得る。
［００２４］移送ロボット１０３の様々なアーム構成要素の動きは、コントローラ１０６から命令される、移送ロボット１０３の複数の駆動モータを含む駆動アセンブリ（図示せず）への適切なコマンドによって制御され得る。コントローラ１０６からの信号は、移送ロボット１０３の様々な構成要素の動きを引き起こし得る。適切なフィードバック機構は、位置エンコーダ等のような様々なセンサによって１又は複数の構成要素に提供され得る。
［００２５］図示した移送チャンバ１０２は、正方形であり得るが、わずかに長方形、六角形、八角形、又は別の多角形であり得、第１のファセット１０２Ａ、第２のファセット１０２Ｂ、第３のファセット１０２Ｃ、及び第４のファセット１０２Ｄを含み得る。図示した実施形態では、移送ロボット１０３は、デュアル基板を同時にチャンバセットに移送及び／又は格納することに熟達している場合がある。第１のファセット１０２Ａ、第２のファセット１０２Ｂ、第３のファセット１０２Ｃ、及び第４のファセット１０２Ｄは平面であり得、プロセスチャンバのセットへの入口はそれぞれのファセットに沿って位置し得る。しかしながら、メインフレームハウジング１０１の他の適切な形状、ファセット及びプロセスチャンバの数、及びロボットのタイプが可能である。
［００２６］移送ロボット１０３の移送先は、そこに送達された基板上でプロセスを実行するように構成及び動作可能であり得るプロセスチャンバ１０８Ａ～１０８Ｆのうちの任意の１又は複数であり得る。このプロセスは、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、前洗浄、金属又は金属酸化物の除去等の任意の適切なプロセスであり得る。他のプロセスは、その中の基板上で実行され得る。
［００２７］基板は、ＥＦＥＭ１１４から移送チャンバ１０２に受け入れられ得、ＥＦＥＭ１１４の後壁１１４Ｒに連結されたロードロック装置１１２を通して、移送チャンバ１０２を出てＥＦＥＭ１１４に送られ得る。ロードロック装置１１２は、その中に１又は複数のロードロックチャンバ（例えば、ロードロックチャンバ１１２Ａ及び１１２Ｂ）を含み得る。ロードロックチャンバ１１２Ａ及び１１２Ｂは、シングルウエハロードロック（ＳＷＬＬ）チャンバ、マルチウエハチャンバ、又はそれらの組み合わせであり得る。他の数のロードロックが含まれる場合がある。
［００２８］ＥＦＥＭ１１４は、例えば、前壁１１４Ｆ、後壁１１４Ｒ、２つの側壁１１４Ｓ１、１１４Ｓ２、上部１１４Ｔ（図２Ａ）、及び下部１１４Ｂ等の様々なエンクロージャ壁を有し、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを形成するエンクロージャであり得る。前壁１１４Ｆ、後壁１１４Ｒ、及び２つの側壁１１４Ｓ１、１１４Ｓ２のそれぞれは、基板交換及び／又は他の構成要素への連結を容易にするために、１又は複数のインターフェース開口部を有し得る。図１に示すように、１又は複数のロードポート１１５を、ＥＦＥＭ１１４の前壁１１５Ｆに設けることができる。１又は複数のロードポート１１５はそれぞれ、そこでそれぞれの基板キャリア１１６（例えば、ＦＯＵＰ）を受け入れ、ドッキングするように構成され得る。４つのロードポート１１５及び４つの基板キャリア１１６が示したが、他の実施形態では、ＥＦＥＭ１１４にドッキングされたロードポート１１５及び基板キャリア１１６の数がそれよりも多く又は少なくてよい。
［００２９］ＥＦＥＭ１１４は、そのＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内に従来の構造の適切なロード／アンロードロボット１１７（点線で示す）を含み得る。ロード／アンロードロボット１１７は、基板キャリア１１６のキャリアドアが、各ロードポート１１５のキャリアドアオープナ１１９を介して開かれると、基板キャリア１１６から基板を抽出し、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃを通して、ロードロック装置１１２の１又は複数のロードロックチャンバ１１２Ａ及び１１２Ｂの中へ基板を供給するように構成及び動作可能であり得る。
［００３０］側面ストレージポッド１２０は、ＥＦＥＭ１１４の側壁１１４Ｓ１に連結され得る。特に、ロード／アンロードロボット１１７は、１又は複数のプロセスチャンバ１０８Ａ～１０８Ｆでの処理の前及び／又は後に、側面ストレージポッド１２０から基板を抽出し、基板を側面ストレージポッド１２０にロードするように更に構成され得る。ある実施形態では、ロード／アンロードロボット１１７は、側面ストレージポッド１２０に２６の高さ、又は更に５２の高さ以上に積み重ねられた基板にアクセスするように構成された高Ｚロボットである。
［００３１］図示した実施形態では、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃは、その中に環境制御された雰囲気を提供する環境制御装置を備えていてもよい。特に、環境制御装置１１８は、ＥＦＥＭ１１４に連結され得、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の環境条件を監視及び／又は制御するように動作可能であり得る。ある実施形態及び特定の時点において、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃは、パージガス供給源１１８Ａから、例えば、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、又は清浄な乾燥空気等のパージガス（例えば、不活性ガス及び／又は非反応性ガス）をその中に受け入れ得る。パージガス供給源１１８Ａは、適切な導管及び１又は複数のバルブによってＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに連結され得る。ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の環境条件は、側面ストレージポッド１２０内に及び側面ストレージポッド１２０の一部として配置された側面ストレージコンテナ１２４及び２２４（図２）の内部に存在し得る。側面ストレージコンテナ１２４及び２２４は、その中に垂直に積み重ねられた基板４３５（図４）を受け入れる。ある実施形態では、側面ストレージポッド１２０は、基板を受け入れて支持するためにその中に配置された基板ホルダを有し得る。
［００３２］より詳細には、環境制御システム１１８は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の１）相対湿度（ＲＨ）、２）温度（Ｔ）、３）酸素（Ｏ２）の量、及び／又は４）パージガスの量のうちの少なくとも１つを制御し得る。ＥＦＥＭ１１４の他の環境条件、例えば、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへのガス流量、又はＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の圧力、あるいはその両方を監視及び／又は制御することができる。
［００３３］ある実施形態では、環境制御システム１１８は、コントローラ１０６を含む。コントローラ１０６は、様々なセンサからの入力を受信し、１又は複数のバルブを制御してＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内の環境条件を制御するための適切なプロセッサ、メモリ、及び電子構成要素を含み得る。環境制御システム１１８は、１又は複数の実施形態において、センサ１３０を用いてＥＦＥＭ１１４のＲＨを感知することによって相対湿度（ＲＨ）を監視し得る。静電容量センサ等、相対湿度を測定する任意の適切なタイプのセンサを使用することが可能である。環境制御システム１１８のパージガス供給源１１８ＡからＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに適切な量のパージガスを流すことによって、ＲＨを下げることができる。ある実施形態では、低Ｈ２Ｏレベル（例えば、純度≧９９．９９９５％、Ｈ２Ｏ≦５ｐｐｍ）を有する圧縮バルク不活性ガスが、例えば、環境制御システム１１８のパージガス供給源１１８Ａとして使用され得る。他の適切に低いＨ２Ｏレベルを使用することが可能である。
［００３４］別の態様では、センサ１３０が複数の環境条件を測定し得る。例えば、ある実施形態では、センサ１３０は、上記のように相対湿度値を測定し得る。１又は複数の実施形態において、事前定義された基準相対湿度値は、電子デバイス製造アセンブリ１００又はＥＦＥＭ１１４の環境に暴露された特定の基板で実行されている特定のプロセスに許容される水分レベルに応じて、水分１０００ｐｐｍ未満、水分５００ｐｐｍ未満、又は水分１００ｐｐｍ未満でさえあり得る。
［００３５］センサ１３０はまた、ＥＦＥＭ１１４内の酸素（Ｏ２）レベルも測定し得る。ある実施形態では、酸素（Ｏ２）レベルを閾値Ｏ２値以下に制御するために、コントローラ１０６から環境制御装置１１８への制御信号による、パージガス供給源１１８ＡからＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへの適切な量のパージガスの流れの開始が行われ得る。１又は複数の実施形態では、閾値Ｏ２値は、電子デバイス製造アセンブリ１００又はＥＦＥＭ１１４の環境に暴露された特定の基板４３５で実行されている特定のプロセスにおいて許容できる（品質に影響を及ぼさない）Ｏ２レベルに応じて、５０ｐｐｍ未満、１０ｐｐｍ未満、又は５ｐｐｍ未満でさえあり得る。ある実施形態では、センサ１３０は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃの酸素レベルを感知して、それがＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへの進入を可能にするための安全な閾値レベルを上回るようにすることができる。
［００３６］センサ１３０は、ＥＦＥＭ１１４内の絶対圧力又は相対圧力を更に測定し得る。ある実施形態では、コントローラ１０６は、パージガス供給１１８ＡからＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへのパージガスの流れの量を制御して、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃの圧力を制御し得る。
［００３７］本書に示す実施形態では、コントローラ１０６は、センサ１３０から制御入力（例えば、相対湿度及び／又は酸素）を受信し、閉ループ又は他の適切な制御スキームを実行するように構成されたプロセッサ、メモリ、及び周辺構成要素を含み得る。一実施形態では、制御スキームは、ＥＦＥＭ１１４に導入されているパージガスの流量を変更して、その中の所定の環境条件を達成し得る。別の実施形態では、制御スキームは、いつ基板をＥＦＥＭ１１４に移送するか、又はいつ基板キャリア１１６のドアを開くかを決定し得る。
［００３８］ＥＦＥＭ１１４に取り付けられた側面ストレージポッド１２０は、特定の環境条件下で基板４３５を格納し得る。例えば、側面ストレージポッド１２０は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに存在するのと同じ環境条件で基板４３５を格納し得るが、側面ストレージポッド１２０のガス流量は、著しく大きい等、異なる場合がある。側面ストレージポッド１２０は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに流体的に結合され得、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃからガス（例えば、パージガス）を受け入れ得る。側面ストレージポッド１２０は、側面ストレージポッド１２０からガスを排出する排気導管１３２、４３２を含み得、これにより更に、側面ストレージポッド１２０に格納された基板４３５が所望の環境条件及びパージガス流量に絶えず暴露されることが可能になる。
［００３９］ある実施形態では、側面ストレージポッド１２０は、１又は複数の垂直に整列した側面ストレージコンテナ１２４、２２４を受け入れ得る。例えば、第１の側面ストレージコンテナ１２４が、側面ストレージポッド１２０に受け入れられ得る。第１の側面ストレージコンテナ１２４は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに面する開口部１２６を含み得る。第１の側面ストレージコンテナ１２４は、開口部１２６の反対側に配置された排気プレナム１２８も含み得る。排気プレナム１２８は、排気プレナム１２８と側面ストレージポッド１２０の外側との間を連結し得る排気導管１３２に連結され得る。
［００４０］第１の排気導管１３２は、内部部分及び第１の外部部分１３２Ａから構成され得る。第２の導管２３４（図２）は、第２の側面ストレージコンテナ２２４（図２を参照）の間に連結され得、第２の外部部分１３４Ｂを含み得る。第１の外部部分１３４Ａ及び第２の外部部分１３４Ｂの両方が、カバー１３６内に配置され得る。ある実施形態では、カバー１３６は、第１の外部部分１３４Ａ及び第２の外部部分１３４Ｂではなく、側面ストレージコンテナ１２４及び２２４から排出されたガスを排出するための導管として機能し得る。他の実施形態では、第１の外部部分１３４Ａ及び第２の外部部分１３４Ｂは、側面ストレージポッド１２０の内部を通過し得る。
［００４１］図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、ＥＦＥＭ１１４の第１の側壁１１４Ｓ１に連結された側面ストレージポッド１２０を含む、ＥＦＥＭ１１４を示す簡略的な正面断面図及び側面図である。側面ストレージポッド１２０は、第１の側面ストレージコンテナ１２４を受け入れる第１のチャンバ２３０と、第２の側面ストレージコンテナ２２４を受け入れる第２のチャンバ２３３とを含み得る。第２の側面ストレージコンテナ２２４は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに面する開口部２２６を含み得る。第２の側面ストレージコンテナ２２４は、開口部２２６の反対側に配置された第２の排気プレナム２２８も含み得る。第２の排気プレナム２２８は、排気プレナム２２８と共通プレナム２３６との間に連結され得る第２の排気導管２３４（図４を参照）に連結され得る。
［００４２］第１の外部部分１３４Ａ及び第２の外部部分１３４Ｂの両方は、第１の側面ストレージコンテナ１２４の第１のプレナム１２８及び第２の側面ストレージコンテナ２２４の第２のプレナム２２８から排気ガスを受け入れる共通プレナム２３６に連結され得る。共通プレナム２３６は、側面ストレージポッド１２０に取り付けられる、又は側面ストレージポッド１２０の一部であり得、第２の側面ストレージコンテナ２２４の下に配置され得る。ある実施形態では、側面ストレージポッド１２０は、ＥＦＥＭ１１４の第１の側壁１１４Ｓ１に取り外し可能に取り付けられている。パージガスは、上部プレナム２３７に又はそれに隣接して配置された一連のファン２６４によって、共通プレナム２３６から引き出され得る。側面リターンダクト２６０ａは、共通プレナム２３６から延在するチャネル１４２（例えば、排気チャネル）に連結されて、排気ガスを上部プレナム２３７に方向づけし得る。ある実施形態では、側面ストレージポッド１２０を通るガス流は、１５０～１７５ｃｆｍ（４．２５～５．０ｃｍｍ）である。
［００４３］オプションのフィルタ２４８が、共通プレナム２３６を出る生成された排気ガス流路に提供され得る。例えば、フィルタ２４８は、ファン２６４によって引き出されたすべてのガスがフィルタ２４８を通過するように、チャネル１４２への入口に配置され得る。ある実施形態では、フィルタ２４８は、製造プロセスの適用後に側面ストレージポッド１２０に格納された１又は複数の基板２３５によってガス放出される１又は複数のガスをろ過する化学フィルタであり得る。ある実施形態では、フィルタ２４８は、塩素、臭素、及び／又はフッ素等の望ましくない化学物質をろ過するように機能し得る。ある実施形態では、フィルタ２４８は、アンモニア（ＮＨ３）等のベースガスを５．０ｐｐｂ以下にろ過し得る。ある実施形態では、フィルタ２４８は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、酢酸塩（ＯＡｃ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、硝酸塩（ＮＯ３）、リン酸塩（ＰＯ４）、フッ化水素（ＨＦ）、及び／又は塩酸（ＨＣｌ）等の酸性ガスを１．０ｐｐｂ以下にろ過し得る。ある実施形態では、フィルタ２４８は、活性炭フィルタを含み得る。他の実施形態では、フィルタ２４８は、粒子フィルタであり得る、又は粒子フィルタ／化学フィルタの組み合わせを含み得る。
［００４４］オプションとして、ヒータ２５０が、ファン２６４によって生成された排気ガス流路に沿って提供され得る。ヒータ２５０は、排気ガスが上部プレナム２３７に再循環される前に、排気ガスを所定の温度に加熱し得る。ある実施形態では、ヒータ２５０によって生成された熱は、反応物として、及び／又はＥＦＥＭ１１４及び／又は側面ストレージポッド１２０の相対湿度を変更するために使用され得る。ある実施形態では、ヒータ２５０は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃのパージガスを加熱して、側面ストレージポッド１２０に配置された基板２３５からのガス放出の速度を増加させ得る。
［００４５］したがって、ファン２６４は、ガス（例えば、ろ過されたガス）を側面リターンダクト２６０ａを通して上部プレナム２３７に引き込み、そこでろ過されたガスが、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに再循環される。更に、ファン２６４はまた、図１及び図２Ａ～２Ｂに示すように、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃから、少なくとも３つのリターンダクト１６０ｂ～１６０ｅを通って上部プレナム２３７にガスを引き込む（わかりやすくするためにロボットのロード／アンロードは図示していない）。プレナム１５４は、側面ストレージポッド１２０が連結されているＥＦＥＭ１１４の側壁に隣接して配置された開口部を有する。共通プレナム２３６は、側面リターンダクトに連結されているチャネル１４２に連結されるように構成されている。
［００４６］アクセスドア１５６は、ＥＦＥＭ１１４の第２の側壁１１４Ｓ２に連結されている。しかしながら、ある実施形態では、第２の側面ストレージポッド１２０ａは、アクセスドア１５６の代わりに、ＥＦＥＭ１１４の第２の側壁１１４Ｓ２に取り付けられ得る。第２の側面ストレージポッド１２０ａは、ある実施形態では、共通プレナム２３６への同様な又は同一の連結を含む、側面ストレージポッド１２０がＥＦＥＭ１１４の第１の側壁１１４Ｓ１に取り付けられるのと同じ方法で、ＥＦＥＭ１１４の第２の側壁１１４Ｓ２に取り付けられ得る。この実施形態では、第２の側面ストレージポッド１２０ａからの排気は、側面リターンダクト２６０ｅによって上部プレナム２３７に戻る。
［００４７］ここで図２Ａ～図２Ｃを参照すると、複数のリターンダクト２６０ｂ～２６０ｅ（図２Ａ）及び２６０ｂ～０２６０ｄ（図２Ｂ）のそれぞれが、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに連結されたそれぞれの第１の（下方）端部を有している。複数のリターンダクト２６０ｂ～２６０ｅ（図２Ａ）及び２６０ｂ～０２６０ｄ（図２Ｂ）のそれぞれは、ＥＦＥＭ１１４の前壁１１４Ｆに沿ってＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃの内側に上向きに延在していてよく、それぞれは互いに平行であり得るが、そうである必要はない。複数のリターンダクトのそれぞれは、上部プレナム２３７に連結されたそれぞれの第２の（上方）端部も有する。上部プレナム２３７は、ＥＦＥＭ１１４の上部全体にわたって水平に延在し得る。上部プレナム２３７は、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃへの１又は複数の開口部２４０を有し得る。開口部は、粒子フィルタ２６７及び場合によっては化学フィルタ２６８の上、下、又は中を含み得る。更に、穿孔を含む均質化プレート１４１が開口部２４０の近くに配設され、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃの中に入ってそれを通り、側面ストレージポッド１２０（又はポッド１２０、１２０ａ図２Ｃ）の中へ入る実質的に層流のガス流を生じさせ得る。他の実施形態は、図示した５つのダクト２６０ａ～２６０ｅより多い又は少ない場合があることに留意されたい。
［００４８］当然ながら、図１Ａに示すように、リターンダクト２６０ａ～２６０ｅは、ＥＦＥＭの前壁１１４Ｆの内側に沿って走っていてよく、一部は、ロードポート１１５（図２Ａに点線で示すロードポート１１５の位置）の間を通過し得る。オプションとして、リターンダクト２６０ａ～２６０ｅは、前壁１１５Ｆの外側、又は外側と内側の組み合わせ（図示せず）に延在し得る。
［００４９］図３は、ＥＦＥＭ１１４の簡略化された正面図、及び一実施形態の側面ストレージポッド１２０の簡略化された側面図である。図示したように、複数のリターンダクト２６０ａ～２６０ｅのうちの１つはそれぞれ、ロードポート１１５（又は基板キャリア１１６）用のキャリアドアオープナ１１９の第１の垂直側面に沿って上向きに延在するように構成され、複数のダクト２６０ａ～２６０ｅの別の１つは、キャリアドアオープナ１１９（又は基板キャリア１１６）の第２の垂直側面に沿って上向きに延在するように構成される。ある実施形態では、複数のリターンダクト２６０ａ～２６０ｅのうちの少なくとも１つが、２つの隣接するキャリアドアオープナ１１９（又は基板キャリア１１６）の垂直側面の間で上向きに延在するように構成される。ある実施形態では、リターンダクト２６０ａ～２６０ｅは、１００ｍｍ２から３００ｍｍ２以上の横断面積を有し得、曲がった板金又はプラスチックから作製され得る。
［００５０］前面ダクトＥＦＥＭ１１４の幾つかの利点は、他の方法では未使用の空間を利用することによるＥＦＥＭの全体的な深さの減少、流体の流れの改善（例えば、より多くの総流れ面積を提供することによる複数のリターンダクト２６０ａ～２６０ｅを通る抵抗の減少）、ＥＦＥＭ１１４の前壁全体に実質的に均等に分散された複数のリターンダクトを提供することによる、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ内のより直接的及び／又は層流の上部から下部への流体の流れ、及びＥＦＥＭ１１４の第２の側壁１１４Ｓ２のドア１５６を通る代わりに、ＥＦＥＭ１１４の前壁１１４Ｆに沿って複数のダクト２６０ａ～２６０ｅを提供することによる、第２の側面ストレージポッド１２０ａをＥＦＥＭ１１４の第２の（左）側壁１１４Ｓ２に取り付けるオプションを含む。
［００５１］図３に示す側面ストレージポッド１２０の実施形態は、第１のドア３５０及び第２のドア３５２を含み得る。第１のドア３５０及び第２のドア３５２は、保持エンクロージャ３５１の側面ストレージポッド１２０の当接部分とシールを形成し得る。第１のドア３５０及び第２のドア３５２は、側面ストレージポッド１２０の内部へのアクセスを可能にしながら、閉じたときに側面ストレージポッド１２０を密閉する、ヒンジ（図示せず）又は取り外し可能なパネルドア（例えば、ねじ込み式の密閉パネルドア）を含むヒンジタイプのドアであり得る。ある実施形態では、第１のドア３５０及び第２のドア３５２の代わりに単一のドアを使用することができる。第１のドア３５０及び第２のドア３５２、又は端部の適切なＯリング、ガスケット、又は他のシールは、保持エンクロージャ３５１の側面ストレージポッド１２０と気密シールを形成し得、これはまた、ＥＦＥＭ側壁１１４Ｓ１に対しても密閉される。ある実施形態では、第１のドア３５０は、第２のドア３５２によって密閉された第２の密閉された区画から分離され、別個に密閉可能な第１の密閉された区画を形成し得る。第１の側面ストレージコンテナ１２４は、第１の密閉された区画に受け入れられ得、第２の側面ストレージコンテナ２２４は、第２の密閉された区画に受け入れられ得る。他のタイプのドアを使用して、側面ストレージポッド１２０の内部にアクセスすることができる。
［００５２］図４は、側面ストレージポッド１２０を示す部分断面図である。側面ストレージポッド１２０は、ある実施形態では、取り付けプレート４１６を含み得る。保持エンクロージャ３５１のインターフェース側面４５３は、第１のドア３５０及び第２のドア３５２の反対側に配置され得る。取り付けプレート４１６は、第１の側面４１６ａを含み得、第２の側面４１６ｂは、保持エンクロージャ３５１のインターフェース側面４５３に取り付けられ得る。特に、取り付けプレート４１６の第１の側面４１６ａは、保持エンクロージャ３５１のインターフェース側面４５３に取り付けられ得る。取り付けプレート４１６の第２の側面４１６ｂは、ＥＦＥＭ１１４の外側に配置された第１の側壁１１４Ｓ１に取り付けられ得る。取り付けプレート４１６は、以下に説明するように、ＥＦＥＭ１１４のＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃと側面ストレージポッド１２０の内部との間に気密インターフェースを形成し得る。ある実施形態では、取り付けプレート４１６は、保持エンクロージャ３５１又はＥＦＥＭ１１４と一体的に形成され得る。
［００５３］第１のチャンバ２３０は、第１の側面ストレージコンテナ１２４に連結された第１の排気導管部分１３２を含み得、第２のチャンバ２３３は、第２の側面ストレージコンテナ２２４に連結された第２の排気導管部分２３４を含み得る。第１の排気導管部分１３２は、第１の外部排気導管１３４Ａ（図３）に連結され得、第２の排気導管部分４３２は、第２の外部排気導管１３４Ｂ（図３）に連結され得る。
［００５４］図示したように、側面ストレージポッド１２０は、第１のチャンバ２３０及び第２のチャンバ２３３を含み得る。しかしながら、側面ストレージポッドの他の実施形態は、３つ以上の垂直に積み重ねられたチャンバ等の、より多数のチャンバを含み得る。ある実施形態では、側面ストレージポッド１２０は、単一のチャンバを含み得る。複数の基板４３５は、第１の側面ストレージコンテナ１２４とＥＦＥＭ１１４との間、及び／又は第２の側面ストレージコンテナ２２４とＥＦＥＭ１１４との間で移送可能である。例えば、ロード／アンロードロボット１１７は、１又は複数のプロセスチャンバ１０８Ａ～１０８Ｆ（図１）での処理の前及び／又は後に、ＥＦＥＭ１１４と第１の側面ストレージコンテナ１２４との間、及びＥＦＥＭ１１４と第２の側面ストレージコンテナ２２４との間で基板４３５を移送し得る。ある実施形態では、第１の側面ストレージコンテナ１２４及び／又は第２の側面ストレージコンテナ２２４は、それぞれ、２６個の基板４３５を受け入れることができる。第１の側面ストレージコンテナ１２４及び第２の側面ストレージコンテナ２２４は、基板４３５の格納中、特定の環境条件下で基板４３５を維持することができる。例えば、基板４３５は、上記のように、ＥＦＥＭ１１４内のパージガスに暴露され得る。環境条件は、水及び／又は酸素の事前選択された閾値未満、又は上記で指定された特定の流量等の他の条件への曝露を提供するように制御され得る。オプションとして、ヒータ２５０は、再循環パージガスを加熱するように動作し得る。
［００５５］図５は、第１の側面ストレージコンテナ１２４を示す側面断面図である。第２の側面ストレージコンテナ２２４（図２）は、第１の側面ストレージコンテナ１２４と実質的に類似又は同一であり得る。第１の側面ストレージコンテナ１２４は、パネル開口部５０２に隣接して配置され、第１の側面ストレージコンテナ１２４の内部への単一の開口部を形成するポッド開口部５１６を有し得る。パネル開口部５０２は、ポッド開口部５１６と同じおおよそのサイズであり得、共に開口部１２６を提供する。ポッド凹部５１８が上部フランジ５２４に形成され得、ポッド開口部５１６の周囲に延在し得る。ポッドシール５２０は、ポッド凹部５１８内に受容され得る。ポッドシール５２０は、第１の側面ストレージコンテナ１２４の前部５１５と取り付けプレート４１６のインターフェース部分５００とのインターフェースを越えてガスが漏れるのを防ぐ。ポッドシール５２０は、ポッド凹部５１８及びインターフェース部分５００に接触する、エラストマベース材料等の柔軟な材料であり得る。ある実施形態では、ポッドシール５２０は、変形してポッド凹部５１８とインターフェース部分５００との間にシールを形成し得る柔軟な管である。他のタイプのシールを使用して、第１の側面ストレージコンテナ１２４及びインターフェース部分５００を密閉することができる。
［００５６］取り付けプレート４１６の第２の側面４１６ｂは、パネル開口部５０２の周囲に延在するパネル凹部５２５がその中に形成されていてもよい。パネルシール５２６は、取り付けプレート４１６とＥＦＥＭ１１４の第１の側壁１１４Ｓ１との間のガス交換を防ぐために、パネル凹部５２５内に受け入れられ得る。パネルシール５２６は平坦なシールであり、例えば、エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）ゴムでできていてよい。ある実施形態では、パネルシール５２６は、約１１ｍｍの深さであり、約５．８ｍｍの圧縮を有する。他のタイプのシール機構及び材料を使用して、第１の側壁１１４Ｓ１と取り付けプレート４１６との間にシールを形成することができる。
［００５７］第１の側面ストレージコンテナ１２４の内部は、その上に基板４３５（図４）を支持するように構成された複数の基板ホルダ５３０を含み得る。基板ホルダ５３０は、第１の側面ストレージコンテナ１２４の側面に形成された垂直に積み重ねられた棚であり得、上部基板ホルダ５３２及び下部基板ホルダ５３４を含み得る。基板ホルダ５３０は、基板ホルダ５３０によって受け入れられ、基板ホルダ５３０上で支持される基板４３５の周り（例えば、上及び下）のガス流を可能にし、ロード／アンロードロボット１１７による適切なアクセスを可能にするように、互いに距離を置いて配置され得る。特に、パネル開口部５０２、インターフェース開口部５０４、及びポッド開口部１２６を経由してＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃ（図１）から第１の側面ストレージコンテナ１２４の内部に入るガスは、基板ホルダ５３０上に受け入れられた基板４３５の周りを流れ得る。したがって、基板４３５は、所望の環境条件に維持される。
［００５８］第１の側面ストレージコンテナ１２４の後部５４０は、第１の側面ストレージコンテナ１２４のプレナム１２８を排気ダクト１３２と連結させる排気ポート５４４を含み得る。側面リターンダクト１６０ａに連結された排気ダクト１３２は、基板ホルダ５３０上に受け入れられた基板４３５の周りの上記のガス流を可能にするように構成され得る。排気プレナム１２８は、上部基板ホルダ５３２と下部基板ホルダ５３４との間で垂直に延在する高さを有し得る。排気プレナム１２８は、ほぼ基板４３５の幅である幅を有し得る。例えば、３００ｍｍのウエハの場合、幅は約２５０ｍｍから３５０ｍｍであり得る。
［００５９］排気バッフル５６４は、基板４３５と排気プレナム１２８との間のガス経路内にあり得る。図６は、排気バッフル５６４の一実施形態を示す正面図である。排気バッフル５６４は、基板のそれぞれが実質的に同じ流速を受けるように、第１の側面ストレージコンテナ１２４を通るガス流のバランスをとる複数の孔６６０（幾つかに記号が振られている）を含み得る。孔６６０は、排気バッフル５６４の底部に小さい直径Ｄ６１を有し、排気バッフル５６４の上部に大きい直径Ｄ６２を有し得る。より小さい直径を有する孔６６０は、ガス流のバランスをとるために、排気ポート５４４の近くに配置され得る。より大きい直径Ｄ６２は、１５ｍｍから１７ｍｍの間であり得、ある実施形態では、より大きい直径は、約１６ｍｍであり得る。孔６６０は、孔６６０の直径が排気バッフル５６４の上部から排気バッフル５６４の底部に向かって徐々に減少する２次元アレイとして配置され得る。ある実施形態では、孔６６０の列の隣接する対は、同じ直径を有する。例えば、列６６２の第１の対は、第１の直径を有する孔６６０を有し得、列６６４の第２の対は、第２のより大きい直径を有する孔６６０を有し得る。
［００６０］図７に、排気ポートが側面ストレージポッドの垂直距離の約半分に配置されている側面ストレージコンテナで使用され得る排気バッフル７６４の別の実施形態を示す。図７に示すように、より小さい直径の孔は、中央の排気ポートの位置の近くに配置され、これにより、側面ストレージポッド１２０を通るガス流のバランスがとれる。
［００６１］第１の側面ストレージコンテナ１２４の内部を通るガス流は、ポッド開口部５１６に入り、基板ホルダ５３０に支持された基板４３５の周りを通過し、排気バッフル５６４を通って流れ、排気プレナム１２８に入り、排気ポート５４４を介して排気される。気流構成は、基板ホルダ５３０に受け入れられた基板４３５がＥＦＥＭ１１４と同じ環境条件にあることを可能にするが、ある実施形態ではより大きな流速を達成する。
［００６２］同じ流れが、排気ガスが第２の排気導管２３４（図４）を通過して第２の外部排気導管部分１３４Ｂ（図２及び３）に入る第２の側面ストレージコンテナ２２４において起こり得る。第１及び第２の外部排気導管１３４Ａ及び１３４Ｂからの排気ガスは、共通プレナム２３６（図２）に入り、そこでヒータ２５０によって加熱され得る。排気ガスは、上記のように特定の化学物質を除去するために、化学フィルタ２４８によって更にろ過され得る。
［００６３］図８に、１又は複数の実施形態に係る、電子デバイス製造アセンブリにおいてＥＦＥＭを操作する方法８００を示す。プロセスブロック８０２において、方法８００は、複数のロードポートとインターフェースする機器フロントエンドモジュールチャンバに接続された上部プレナムを備えた機器フロントエンドモジュールを提供することを含み得る。
［００６４］プロセスブロック８０４において、方法８００は、上部プレナムから機器フロントエンドモジュールチャンバにガスを流すことを含み得る。例えば、図２Ａ、図２Ｂ、及び図３を参照すると、パージガスが、上部プレナム２３７からＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃの内部に流れ得る。パージガス流の一部は、ＥＦＥＭ１１４の側壁１１４Ｓ１でＥＦＥＭ１１４に連結された側面ストレージポッド１２０に入る。
［００６５］そして、プロセスブロック８０６において、方法８００は、ガスの少なくとも一部を、ＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃから、ロードポートの間に配置された１又は複数のリターンダクトを通して上部プレナムに再循環させることを含み得る。例えば、リターンダクトのそれぞれは、ＥＦＥＭ１１４の前壁１１４Ｆの内面（又は外面又は内面と外面の組み合わせ）に沿って垂直上向きに延在して、ＥＦＥＭの上部プレナム２３７に入り、その後、下向きにＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに戻り得る。例えば、図２Ａ、図２Ｂ、及び図３を参照すると、ろ過されたガスは、共通プレナム２３６から、前壁１１４Ｆに沿って複数のリターンダクト２６０ａ～２６０ｅを通って流れ、上部プレナム２３７に入り、次いでＥＦＥＭチャンバ１１４Ｃに戻り得る。
［００６６］工程において、パージガス供給源１１８Ａから上部プレナム２３７に提供されるパージガスの一部は、ベースバルブ１７２を通して除去され得る。ある実施形態では、ＥＦＥＭ１１４への新たなパージガスの流れは、ベースバルブ１７２を通って排出される排気の流れのように、比較的遅い一定の速度で提供され得る。例えば、パージガスは、例えば、ＥＦＥＭ１１４内に存在するガスの全量が数時間以下ごとにのみ交換される速度で、ＥＦＥＭ１１４から交換され得る。他の交換速度も使用可能である。
［００６７］前述の説明は、本開示の幾つかの実施形態の十分な理解を提供するために、特定のシステム、構成要素、方法等の例等の多数の特定の詳細を示すものである。しかしながら、本開示の少なくとも幾つかの実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施され得ることが当業者には明らかであろう。他の例では、本開示が不必要に曖昧にならないように、周知の構成要素又は方法は詳細に説明していない、又は単純なブロック図形式で提示されている。したがって、記載された特定の詳細は単なる例示にすぎない。特定の実装態様は、これらの例示的な詳細とは異なる場合があり、それでも、本開示の範囲内であると考えられる。
［００６８］本明細書全体での「一実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明する特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所での「一実施形態において」又は「実施形態において」という句の出現は、必ずしもすべてが同じ実施形態を指すとは限らない。
更に、「又は」という用語は、排他的「又は」ではなく、包括的「又は」を意味することを意図している。本明細書で「約」又は「おおよそ」という用語が使用される場合、これは、提示される公称値が±１０％以内で正確であることを意味することを意図している。
［００６９］本明細書の方法の工程を特定の順序で示し、説明しているが、各方法の工程の順序は、特定の工程が少なくとも一部において他の工程と同時に実施され得るように、特定の工程が逆の順序で実施され得るように変更され得る。別の実施形態では、個別の工程の指示又はサブ工程は、断続的及び／又は交互の方法であり得る。
［００７０］上記の説明は、例示を意図するものであり、限定的なものではないことを理解されたい。上記の説明を読んで理解することにより、他の多くの実施形態が当業者には明らかであろう。したがって、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照し、上記特許請求の範囲が権利を与えられている同等物の全範囲とともに決定されるべきである。

Claims (15)

  1. 機器フロントエンドモジュールであって、
    複数のロードポートを含む前壁、ロードロック装置に連結されるように構成された後壁、及び２つの側壁と、
    前記前壁、前記後壁、及び前記２つの側壁の間に形成された機器フロントエンドモジュールチャンバと、
    前記機器フロントエンドモジュールの上部にあり、前記機器フロントエンドモジュールチャンバへの開口部を含む上部プレナムと、
    前記機器フロントエンドモジュールチャンバから前記上部プレナムへのガスの再循環を可能にするリターンガス流路を提供する複数のリターンダクトであって、前記複数のリターンダクトの少なくとも幾つかが前記ロードポートの間に配置されている、複数のリターンダクトと
    を備える、機器フロントエンドモジュール。
  2. 前記複数のリターンダクトが前記前壁に沿って延在し、前記複数のリターンダクトの少なくとも幾つかが２つの隣接するキャリアドアオープナの側面の間で上向きに延在するように構成される、請求項１に記載の機器フロントエンドモジュール。
  3. 第１の側面ストレージポッドが前記２つの側壁のうちの少なくとも１つに連結され、前記第１の側面ストレージポッドからの排気チャネルが側面リターンダクトによって前記上部プレナムに連結される、請求項１に記載の機器フロントエンドモジュール。
  4. 前記２つの側壁の第１の側壁に連結された第１の側面ストレージポッドと、前記２つの側壁の第２の側壁に連結された第２の側面ストレージポッドとを備える、請求項１に記載の機器フロントエンドモジュール。
  5. 前記複数のロードポートにドッキングされた４つの基板キャリアと、前記リターンガス流路を提供する少なくとも３つのリターンダクトとを備える、請求項１に記載の機器フロントエンドモジュール。
  6. 電子デバイス製造アセンブリであって、
    機器フロントエンドモジュールであって、
    複数のロードポートを含む前壁、ロードロック装置に連結されるように構成された後壁、及び２つの側壁と、
    前記前壁、前記後壁、及び前記２つの側壁の間に形成された機器フロントエンドモジュールチャンバと、
    前記機器フロントエンドモジュールの上部にあり、前記機器フロントエンドモジュールチャンバへの開口部を含む上部プレナムと、
    前記機器フロントエンドモジュールチャンバから前記上部プレナムへのガスの再循環を可能にするリターンガス流路を提供する複数のリターンダクトであって、前記複数のリターンダクトの少なくとも幾つかが前記複数のロードポートの幾つかの間に配置されている、複数のリターンダクトと
    第１の側壁のインターフェース開口部を介して前記機器フロントエンドモジュールの前記２つの側壁の前記第１の側壁に連結された第１の側面ストレージポッドであって、前記機器フロントエンドモジュールチャンバから１又は複数の基板を受け入れるように構成され、排気チャネルを含む、第１の側面ストレージポッドと、
    前記排気チャネルと前記上部プレナムとの間に連結された第１の側面リターンダクトと
    を含む、機器フロントエンドモジュール
    を備える、電子デバイス製造アセンブリ。
  7. 前記複数のロードポートのうちの２つのそれぞれがキャリアドアオープナを含み、前記複数のリターンダクトのうちの１つが前記キャリアドアオープナの側面の間で上向きに延在するように構成される、請求項６に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  8. 前記複数のリターンダクトのうちの少なくとも幾つかは、前記前壁の内面に沿って上向きに延在するように構成される、請求項６に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  9. 前記複数のリターンダクトのうちの少なくとも幾つかは、前記前壁の外面に沿って上向きに延在するように構成される、請求項６に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  10. 前記第１の側面ストレージポッドが更に、
    前記インターフェース開口部に隣接して配置されたチャンバ開口部をそれぞれが有する１又は複数のチャンバと、
    前記１又は複数のチャンバに配置された１又は複数の側面ストレージコンテナであって、それぞれが、前記機器フロントエンドモジュールチャンバから前記１又は複数の基板を受け入れるように構成され、前記排気チャネルに連結され、前記チャンバ開口部から入るガスを排気するように構成される、１又は複数の側面ストレージコンテナと
    を含む、請求項６に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  11. 前記排気チャネルに連結された第３のプレナムに配置された化学フィルタを更に備える、請求項１０に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  12. 共通プレナムと、
    前記チャンバ開口部と前記共通プレナムとの間で前記１又は複数の側面ストレージコンテナに配置された排気バッフルと、
    前記共通プレナムを出る排気ガスを加熱するように構成されたヒータと
    を更に備える、請求項１０に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  13. 第２の側壁のインターフェース開口部を介して前記機器フロントエンドモジュールの前記２つの側壁の前記第２の側壁に連結された第２の側面ストレージポッドを更に備え、前記第２の側面ストレージポッドは、前記機器フロントエンドモジュールチャンバから１又は複数の基板を受け入れるように構成される、請求項６に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  14. 前記第２の側面ストレージポッドが第２の排気チャネルを含み、第２の側面リターンダクトが前記第２の排気チャネルと前記上部プレナムとの間に連結される、請求項１３に記載の電子デバイス製造アセンブリ。
  15. 機器フロントエンドモジュールを操作する方法であって、
    複数のロードポートでインターフェースする機器フロントエンドモジュールチャンバに接続された上部プレナムを備えた前記機器フロントエンドモジュールを提供することと、
    前記上部プレナムから前記機器フロントエンドモジュールチャンバにガスを流すことと、
    前記ガスの少なくとも一部を、前記機器フロントエンドモジュールチャンバから、前記ロードポートの間に配置された１又は複数のリターンダクトを通して前記上部プレナムに再循環させることと
    を含む方法。
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