TWI780030B - 形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的方法及系統 - Google Patents

形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的方法及系統 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種形成用於半導體基板使用並具有低溼度值的乾淨的環境的方法及系統。方法包括利用溼度感測器測量環境中的溼度值以保持環境在溼度的設定值上下的預定間距之間，接著提供環境清潔氣體直到溼度值下降到設定值上下的預定間距之間。

Description

形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境 的方法及系統
本發明關於一種形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的系統及方法。
半導體元件的製造對如晶圓、光罩、玻璃基板等之基板、用來存放及傳送這些基板的容器、與用以存放這些基板的倉儲均有潔淨度上的要求。微粒與其他汙染源的存在會對生產良率造成負面的影響。一般用來運送半導體基板的容器例如卡匣(cassette)、載具(carrier)、托盤(tray)、前開式通用晶圓盒(Front Opening Unified Pod,FOUP)、前開式運裝盒(Front-Opening Shipping Box,FOSB)、標準機械介面(Standard Mechanical Interface,SMIF)、容器、及盒體。舉例來說，典型的FOUP包括位在殼體內用來支撐基板的一個或多個櫛狀導引結構。FOUP亦可包括可從殼體移除並允許基板搬運機械臂從殼體存取基板的門(door)。一般來說，半導體基板會存放在倉儲(stocker)中，其包含用以安置大量基板的儲存腔室。
用以存放及運輸半導體基板如FOUP等之容器需要定期清潔以維持基板所需之標準潔淨度並避免基板被汙染。此外，可在容器中填充清洗氣體以進一步防止因排氣潛在造成基板的汙染。
用來存放半導體基板的倉儲可存放沒有放在容器中的裸基板或是存放放置於如FOUP容器中的基板。除了維持倉儲中的潔淨度外，並可在倉儲中填充清洗氣體以進一步防止汙染。
對於容器與倉儲的潔淨度有進一步改善的需要。
本發明揭露形成用於半導體基板之乾淨環境的方法與系統，其包括形成具有低溼度值的環境。溼度感測器可用來偵測環境中溼度值以保持環境在預定的溼度設定值上下的預定間距之間或保持環境在預定的溼度設定值。可提供氣體到環境中直到溼度值下降到設定值上下的預定間距之間或下降到設定值。
根據較佳的實施例，環境中的氣體可以再循環，如因此以減少氣體的消耗。
較佳的，溼度降低組件可耦接到再循環氣流以降低回返氣流的溼度值。
較佳的，當溼度值超過預定的門檻值時，更可添加新鮮乾燥氣體。新鮮乾燥氣體可例如直接添入環境或加入再循環氣流中。預定的門檻值可例如為設定值上下的預定間距的一個邊界值。
較佳的，溼度值可從環境中的氣體、從所提供氣體的排出氣體、或從再循環氣流量測而得到。
較佳的，溼度值也可從壓力下降速率來測得，例如可排出環境中氣體，高溼度氣體比低溼度氣體排得慢。
在一些實施例中，在容器被清潔後可在腔室去除汙染源。腔室可為真空腔室以從容器將汙染源排氣。腔室可為用來將汙染源從容器去除的清洗腔室。真空腔室中氣體的排出或清洗腔室內氣體的清洗可耦接到溼度感測器，因此當容器內溼度值到達設定值，例如低於10%或低於5%相對溼度或在5%到10%之間時，可停止此程序或接著進行不同的程序模式。在一些實施例中，容器內部可用如乾燥空氣或乾燥氮氣的低溼度氣體清洗，直到容器內的溼度值達到設定值，例如低於10%或低於5%相對溼度或在5%到10%之間。然後清洗氣體可再循環，並根據溼度反饋來加入新鮮乾燥氣體以例如維持固定溼度值。
在一些實施例中，倉儲可具有再循環氣體以維持潔淨度。倉儲可具有反饋環路以維持固定溼度值。舉例來說，當倉儲的溼度超過設定值則可添加新鮮乾燥氣體。再循環氣體可在倉儲內及存放半導體基板的儲存模組外提供。清洗氣體可提供給儲存模組以維持低微粒環境。提供給儲存模組的清洗氣體可再循環，並根據溼度反饋值加入新鮮乾燥氣體。
100、1210、1211、1212:環境
110、310、410、415、510、515、710、910、1010、1015、1016、1330、1335、1431、1432、1433、1810、1815、1816、1910、1916、2432、2433:濕度感測器
115、312、315、450、550:濕度值
120、504、702:輸入流
130、402、502、703:排出流
140、440、540、740、912:設定值
150、350、445、545、745:時間
160:氣體調節系統
170:新鮮乾燥氣體輸入
300、700、1041:容器
320、920、1040、1045、1845、1945、2273A、2273B、2408、2409:清洗氣體
360:範圍
370:周遭濕度
372:過衝
375、535:上升
380、1080、1085:半導體基板
400、500、2461、2466:腔室
430、530:降低
480、580:容器本體
485、585:容器蓋體
562:高抽氣速率
564:中等抽氣速率
566:低抽氣速率
730:固定大小的清洗
732、1020、1025、1820、1825、1920:清洗流
735:抽氣期間
750、915:相對溼度
780:本體
785、1301A:蓋體
900、1000、1005、1380、1480、1481、1612、1800、1900、2480、2481:倉儲
930、1306、2130、2131:進氣口
935、1021、1026、1821、1826、1921:氣流
940、1001、1006、1362、1363、1461、1462、1463、1465、1466、1616、1801、1806、1901、1906、2462、2463、2467、2468:儲存腔室
970、1070、1075、1076、1271、1870、1875、1876、1970、1976:過濾器
980:基板
1046、1846、1946:保護容器
1200:清洗氣體系統
1221:氣體路徑
1230、1231、1232:溼度感測器
1240、1241、1242、1282:氣體
1250、1251、1252、1350、1355、1451、1452、1453、2452、2453:閥
1261:抽氣系統
1300、2121、2122、2401:光罩
1301、1885、1985、2110、2111、2112、2272B、2402:內部容器
1301B、1303B:支撐件
1303、1880、1980、2403:外部容器
1303A:上蓋體
1305:把手
1307:空間
1309:雙容器載體
1320、1325、1421、1422、1423、2422、2423:再循環環路
1340、1345、1441、1442、1443:氣體源
1370、1470、2470:區域
1371、1471、1617A、1617B、2471:控制裝置
1372、1472、1618、2472:機械臂
1373、1473、2473:傳輸站
1377、1477、1613、2477:裝載站
1611:附加儲存裝置
1613A、1619:站
1614:架子
1615:機械臂組件
1830、1835、1930、1030、1035:新鮮乾燥氣體
1885:內部容器
第1A至1B圖繪示根據本發明一些實施例之溼度控制系統；第2A至2C繪示根據本發明一些實施例中以溼度控制環境的流程圖； 第3A至3B圖繪示根據本發明一些實施例在不同溼度值之清洗系統的配置；第4A至4B繪示根據本發明一些實施例中真空淨化腔室的配置；第5A至5C圖繪示根據本發明一些實施例中真空淨化腔室的配置；第6A至6B圖繪示根據本發明一些實施例中用以排除容器汙染的流程圖；第7A至7B繪示根據本發明一些實施例中用來調節容器的配置；第8A至8C圖繪示根據本發明一些實施例中用以調節容器的流程圖；第9A至9B繪示根據本發明一些實施例中用來調節倉儲的配置第10A圖至第10B圖繪示根據本發明一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置；第11A至11B圖繪示根據本發明一些實施例中用以調節倉儲的流程圖；第12A至12C圖繪示根據本發明一些實施例之清洗氣體的配置；第13A至13B圖繪示根據本發明一些實施例中用來存放超紫外線光罩載具的配置； 第14A至14B圖繪示根據本發明一些實施例之具有不同各別儲存腔室配置的倉儲；第15A至15B圖繪示根據本發明一些實施例中存放雙容器的流程圖；第16A至16C圖繪示根據本發明一些實施例中具有緩衝儲存組件的倉儲的配置；第17A至17B圖繪示根據本發明一些實施例中存放雙容器的流程圖；第18圖繪示根據本發明一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置；第19圖繪示根據本發明一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置；第20A至20B圖繪示根據本發明一些實施例中用以調節倉儲的流程圖；第21A至21C圖繪示根據本發明一些實施例中清洗隔室的配置；第22圖繪示根據本發明一些實施例中包括數個清洗隔室的儲存腔室；第23A至23B圖繪示根據本發明一些實施例中存放清洗隔室的流程圖；第24A至24B圖繪示根據本發明一些實施例中的倉儲；以及 第25圖繪示根據本發明一些實施例中用來存放光罩的流程圖。
第1A至1B圖繪示根據一些實施例之溼度控制系統。舉例來說，環境100形成在用以存放並傳送半導體基板的容器或用以存放半導體基板或存放容器的腔室中。在本說明書中，有時此容器或用以容納或處理此容器的腔室亦可替代性地被稱作所述之環境。
環境100可用惰性氣體120來沖洗，如：空氣或氮氣。溼度感測器110可耦接於惰性氣體的排出流130以量測排出流的溼度值。亦或可將溼度感測器耦接於環境100以量測環境中的溼度。溼度感測器可包括溼度計，其可使用電容式溼度計、電阻式溼度計、熱效溼度計或重量法溼度計來量測溼度。溼度感測器可用間接手法來量測溼度，如使用壓力感測器來量測壓力降低速率來得出溼度值。
在一些實施例中，排出流130可再循環利用，例如：排出流130的氣體可供應至輸入流120。氣體調節系統160包括氣體淨化裝置及減溼裝置，其可用以調節清洗氣流。舉例來說，輸入流120可包括乾燥的氣體，其溼度值小於10%、小於5%或介於5%到10%之間。取決於環境100的溼度，排出流130可具有較高的溼度。氣體調節系統160可調節排出流130，例如藉由過濾裝置濾除排出流中的微粒或藉由乾燥劑降低排出流的溼度。
在一些實施例中，新鮮乾燥氣體輸入170可供應至例如排出流130與輸入流120相耦接(經氣體調節系統160)的再循環環路。其中， 新鮮乾燥氣體輸入170可用來進一步減低輸入流120的溼度。舉例來說，當溼度感測器110量測再循環氣體所得的溼度值超過一特定設定值時，可加入新的乾燥氣體。
沖洗環境100可降低環境中的溼度，例如：使用惰性氣體120來沖洗。環境中的溼度115可在時間t=150下降至設定值140。在一些實施例中，當溼度達到溼度設定值140時，可停止清洗氣體120供應或其他製程條件可以發生。
在一些實施例中，本發明揭示使用溼度條件來保持儲存環境中的潔淨度，如：容納有半導體基板的容器或存放有容器或半導體基板的倉儲。
第2A至2C圖繪示根據一些實施例中以溼度控制環境的流程圖。在第2A圖中，環境內部可經由處理以減少環境中溼度至設定值。環境可形成或被提供於用以處理容器的腔室中，例如去除容器上的汙染源。舉例來說，容器可被供應至腔室中。容器可能被汙染源所汙染，如附著於容器表面的溼氣或微粒或嵌入容器壁面的分子等。可先清潔容器以去除表面汙染物並視需要加以乾燥。腔室可為真空腔室以便於使容器排出汙染源或去除附著於容器表面之溼氣。可處理腔室中的真空度直到使溼度值下降至設定值，例如低於10%或低於5%相對溼度或介於5%至10%間。真空腔室可在一時段中維持在低溼度設定值。
在步驟200中，將容器特別以放置或安置等方法提供於腔室中。可清潔容器並視需要加以乾燥。可用開放的配置來置放容器，如將容器的蓋體打開或以暴露出容器內部的方式置放容器。
在步驟210中，移除溼氣直到溼度達到設定值。舉例來說，可使用泵作業機構來抽空腔室。可使用泵或清洗流程以去除溼氣，如在抽空腔室後提供清洗氣體。可重複抽真空及清洗的流程直到溼度值下降至設定值或下降至設定值上下的預定間距之間。溼度值可藉由量測腔室抽真空時所排出之氣體而得知。溼度值亦可藉由量測腔室中剩餘的氣體而得知。可藉由如對腔室中氣體抽氣之速率來間接量測溼度值。
在步驟220中，視需要在一預定的時間內將腔室內維持在低溼度狀態。低溼度值有助於移除諸如在容器表面的溼氣等汙染源或排出容器中的汙染源。且低於10%或低於5%的溼度值可提供長效的容器潔淨度。
如第2B圖所示，環境的內部可用低溼度氣體如乾燥空氣或乾燥氮氣等來清洗，直到環境中之溼度降低至設定值。上述環境可為容納半導體基板之容器的內部。舉例來說，為避免如附著於容器表面的溼氣或微粒或嵌入容器內壁的分子汙染了容納在其中之半導體基板，因此需要清潔容器內部。此時容器可填充低溼度氣體以助於避免容器中汙染源蔓汙基板。容器內部的溼度值可低於如10%或5%相對溼度之設定值以長時間防止汙染。
在步驟240中，視需要清潔或乾燥容器。在步驟250中，使用流動氣體清洗容器內部直到溼度值到達設定值。可事先清潔及乾燥容器。此容器可為正在使用中的容器，例如：沒有在清洗步驟前事先清潔。根據容器中溼度值的訊號表示可計算或量測出溼度值。舉例來說，溼度值可藉由使用溼度計測量容器抽氣時所排出之氣體而得到。溼度值可藉 由量測容器中之壓降速率而得到。舉例來說，可停止清洗氣體並對容器內部氣體進行抽氣，則壓力下降速率可作為溼度值的指標。然後清洗氣體回復供應，重複此程序直到溼度值滿意為止。
清洗氣體可為新的乾燥氣體或再循環的氣體。如果清洗氣體是再循環的氣體，則可應用如減溼裝置(如乾燥過濾器)等之溼度控制來確保循環的氣體具有低溼度。除此之外，可加入新的乾燥氣體以維持低溼度值。可根據例如裝設在返回氣體的溼度感測器所得之溼度反饋值來決定添加新的氣體。
如第2C圖所示，第一環境內不可使用如乾燥空氣或乾燥氮氣等之低溼度氣體來清洗，直到環境中之溼度下降至設定值或下降至設定值上下的預定間距之內。第二環境可形成於第一環境中，並有其他清洗氣體用以清洗第二環境。第一環境可以是用以存放容器之倉儲，而第二環境可以是用以容納半導體基板之容器。藉由氣體清洗容器可保持存放於容器之半導體基板其所在環境的清潔，而可藉由氣體清洗倉儲可保持此容器之所在環境的清潔。在倉儲內或在容器內的溼度值可低於如相對溼度10%或5%等的設定值或介於5%至10%溼度值之間以長時間防止汙染。其中供應至容器及/或倉儲的清洗氣體可再循環並可根據溼度反饋值加入新的氣體。
在步驟270中，將倉儲內氣體再循環。氣體再循環可減少氣體使用量，因此可減少倉儲的運轉成本。可將如乾燥系統等之水氣移除組件施加於再循環氣體以維持倉儲中的低溼環境。
在步驟280中，比如根據所量測到之倉儲或循環氣體的溼度值，將新的氣體加入循環的氣體中以維持倉儲在所需的溼度值。
清洗氣體可供應給存放於倉儲中的容器。容納於容器之半導體基板可藉由清洗氣體而維持在所需的潔淨度。清洗氣體在離開容器後可與在倉儲中的循環氣體匯流。清洗氣體可循環使用，比如說離開容器的排出流在送回容器前可先經微粒過濾及水氣過濾等。而例如根據容器或循換氣體中溼度的量測結果，新的氣體可以經由容器而加進循環氣體中以維持容器中所需的溼度值。
在一些實施例中，本發明意識到高於一特定設定值如10%或5%的相對溼度時會汙染半導體基板。舉例來說，數據顯示若經過清洗後仍有高溼度值問題，可能是因為液體排出所造成的大量排氣並造成溼度過衝。反之，若清洗容器使其溼度值達到5%至10%或更低時，溼度值在清洗停止後會逐漸回到室內溼度。
第3A至3B圖繪示根據一些實施例在不同溼度值之清洗系統的配置。半導體基板380可存放於容器300中。可供應清洗氣體320給容器。可使用如溼度計等之溼度感測器310來量測容器中的溼度值。清洗氣體320可具有低溼度，例如為乾燥氮氣或乾燥空氣，例如溼度低於10%或5%。藉由清洗氣體排出水氣，因此容器中之溼度值312及315可隨時間逐漸下降。在時間t=350時，可停止清洗氣體供應。
若溼度值315低於範圍360，溼度可逐漸上升375至周遭溼度370。當時間t=350清洗停止時，若容器內仍具有高溼度值312，則溼 度值在回周遭溼度370前到可能會過衝372。造成過衝的原因可能是容器中的殘存溼氣，且過衝可能造成容器中基板的汙染。
因此在一些實施例中，本發明揭露一低溼度環境的形成以減少存放於環境中之基板的汙染，舉例來說，其中溼度少於10%或少於5%的溼度，或在一些實施例中少於2%或少於1%，或者介於5%至10%之間。
在一些實施例中，本發明揭露用於淨化容器例如容器的本體和蓋體的淨化腔室。真空腔室可用來排除汙染，其方法可藉由抽除附著於容器表面的汙染源或將鑲附於容器材料的汙染源以排氣方法去除等。汙染排除可具有低於設定值的溼度值，例如低於10%或低於5%相對溼度或介於5%至10%間。汙染排除可在一段時間內具有低於設定值的溼度值，其中時間可比1、2、5、或10分鐘長。淨化腔室的低溼度值可增進排除汙染對象物的潔淨度，例如當對象物被移出淨化腔室後可保有長時間的潔淨度。
第4A至4B圖繪示根據一些實施例中真空淨化腔室的配置。腔室400可包括抽氣機構以用來排出腔室中的氣體。抽氣機構可形成排出流402流出腔室400。溼度感測器410可耦接於排出流402以量測腔室中的溼度值。或者溼度感測器415可耦接於腔室以量測腔室中的溼度值。
在操作中，容器可包括容器本體480及容器蓋體485，且容器可放置於腔室400中以例如淨化容器。腔室400的真空環境可移除微粒並將分子從容器排出。在放置於腔室中前，可先清潔容器。在放置於腔室中前，亦可先使容器乾燥或部分乾燥。或者腔室可用來乾燥容器。
在一些實施例中，本發明揭露了用來去除汙染的低溼度腔室。低溼度可確保長效的潔淨度。舉例來說，在高溼度的環境下去除汙染雖然清潔了容器，但經過一段時間後，溼氣會從容器釋出並形成微粒於所保存的基板上。因為在淨化過程中，溼氣可被容器表面所吸收。因此在低溼度下去除汙染可提供長效的潔淨度，比如說，避免水氣或微粒從容器釋出。
在一些實施例中，淨化腔室的壓力可被降低430，例如從大氣壓力降到底部壓力。同時，溼度值450也可降低。可在一段時間內維持在底部壓力，例如直到時間t=445，此時溼度值達到設定值440，例如小於10%或小於5%相對溼度值或者介於5%至10%之間。因此，溼度可作為淨化流程中的判斷依據，亦即當溼度條件滿足時，才算完成汙染去除。
在一些實施例中，溼度條件可包括在一段時間內維持低溼度環境，以此確保容器已完全清潔。
第5A至5B圖繪示根據一些實施例中真空淨化腔室的配置。腔室500可包括抽氣機構，其用以將腔室內氣體抽出。抽氣機構可形成排出流502流出腔室500。腔室500可包括用以提供氣流到腔室的清洗機構。清洗機構可形成進入腔室500之輸入流504。溼度感測器510可耦接於排出流502，用以量測腔室內的溼度值。替換地，溼度感測器515可耦接於腔室，以量測腔室內的溼度值的溼度感測器515可耦接於腔室。
在操作中，容器可包括容器本體580及容器蓋體585，且容器可放置於腔室500中以例如淨化容器。腔室可受到抽氣與清洗的循環， 例如抽出腔室裡的氣體以降低內部壓力，然後流進新的氣體到腔室中。清洗可在抽氣動作正在進行時發生。
腔室500中的真空環境可移除微粒並將分子從容器排出。清洗可有助於抽氣作動，舉例來說，清洗可將汙染源推出。
在一些實施例中，可降低530淨化腔室中的壓力，比如說從大氣壓力降至底部壓力。在一段特定時間的抽氣後，清洗氣體可被導入，腔室內壓力因而上升535。亦可降低溼度值550。可維持底部壓力一段時間，舉例來說，可維持到時間t=545直到溼度值達到設定值540，設定值可小於10%或小於5%相對溼度值或者介於5%至10%之間。
可以用溼度計直接量測溼度值。或者可藉由例如腔室抽氣速率的壓力變化率來計算溼度值。舉例來說，相對於中等抽氣速率564或低抽氣速率566，高抽氣速率562代表腔室中有較低溼度值(如第5C圖所示)。
第6A至6B圖繪示根據一些實施例中用以排除容器汙染的流程圖。如第6A圖所示，在步驟600中，將容器清潔。在步驟610中，將容器放置於腔室中。在步驟620中，將腔室抽氣直到溼度到達設定值。使用抽氣或清洗等方式來抽出腔室中氣體。在步驟630中，當溼度達到設定值時，停止去除氣體。
在第6B圖中，在步驟650中，將容器清潔。在步驟660中，將容器置於腔室中。在步驟670中，引入氣體到腔室中。使用抽氣或清洗等方式來提供氣體至腔室中。在步驟680中，當溼度讀數達到設定值時，停止引入氣體。
在一些實施例中，本發明與2012年6月23日申請之美國申請案13/531,500的DMS032A(半導體清洗系統及方法)相關，並以引用方式併入本文。本發明之方法與系統可應用在DMS032A中第21圖、第23A至23B圖及第25圖的實施例中。
本發明在實施例中揭露了在清潔後用以將構件去除汙染的淨化腔室。去除汙染可採用真空腔室，其較佳具有高真空，例如低於10-3Torr或較佳低於10-6Torr。真空腔室可加速構件排氣，因此可移除卡在構件的氣體。
真空腔室可設計成具有高效抽氣及高抽氣傳導(pumping conductance)的配置。真空腔室可進一步包括加熱機構如腔壁加熱元件或紅外線加熱元件。加熱元件可以被加熱到40℃與90℃之間，並且較佳地加熱到大約70℃。加熱溫度取決於材料，例如，若小於100℃的低溫，較佳為用於聚合物材料，而100℃以上的高溫可以用於金屬。
在一個實施例中，諸如殘留氣體分析(RGA)等除氣監控感測器可被提供用以測量真空室中的污染物的排放，其後可以用於監測淨化處理程序。
在一個實施例中，將諸如氮氣等的惰性清洗氣體提供至真空室內部以回填由於對污染物進行除氣而留下的任何間隙。可以循環執行加壓和抽真空，從而對污染物進行除氣，然後用惰性氣體進行回填。
在一個實施例中，用高真空對構件淨化之後，在打開腔室之前先用氮氣加壓，使氮氣分子有效地塗佈於構件的表面(並填充子表面)，從而進一步提高潔淨度並防止粘附微粒。
在一些實施例中，本溼度控制配置可應用於DMS040的第21圖。真空腔室包括連接到如渦輪泵或低溫泵等真空泵的真空管線，此真空管線在腔室內產生高真空。加熱器被設置在真空腔室中以加熱腔室以及容器的構件。可包括用於監測除氣種類如RGA等感測器。清洗氣體可以給真空腔室提供惰性環境，舉例來說，防止將構件輸送到外面之前污染物的回流。
真空腔室可包括可耦接到腔室或真空管線之溼度感測器，比如說溼度計。溼度感測器可作為淨化流程的條件或需求，比如說，可進行淨化流程直到溼度值降到設定值。在一些實施例中，淨化流程可在溼度到達設定值後繼續再進行一段時間。
在一個實施例中，本發明揭露一種組裝台，其較佳為用以在受控制的環境下組裝分離的清潔構件的一體式組裝台。當要求高清潔度時，應考量避免暴露於潛在的污染源。因此，在被各別清潔之後，構件在潔淨環境中被組裝以保持清潔程度，從而，舉例來說，最小化由於暴露到外部環境而導致的容器內部的任何污染。
在一個實施例中，組裝台填充有氮氣。因此，在打開淨化腔室作輸送處理之前真空淨化腔室充有氮氣，而構件從真空淨化腔室送出後被送到填充有氮氣的組裝台。因此在清潔後，組裝台得以保持構件的清潔度。
在一個實施例中，本發明揭露了一種用於組裝雙容器光罩載體的組裝台。組裝台可以提供在內容器與外容器之間通過氮氣吹掃在潔淨環境(較佳為氮氣環境)中的組裝處理程序。
在一些實施例中，本溼度控制配置可應用於DMS040中的第23A圖至第23B圖。傳送要組裝的容器構件到組裝台，其中組裝台包括氮氣清洗氣體進氣口。底部支撐件放置在氮氣噴嘴上。接著底部支撐件和頂蓋被放置在底部支撐件上。接著頂蓋被帶到組裝台。在使用氮氣噴嘴將氮氣供予底部支撐件的情形下，將頂蓋與底部支撐件組裝在一起，因此有效地清洗並提供氮氣給由底部支撐件和頂部蓋所形成之外容器的內部空間。當組裝台在氮氣環境中且在一些情況下稍微加壓，此時打開組裝台並接著將組裝後的載體傳送到外面。
用來清洗組裝台及用在底部支撐件之氮氣噴嘴的氮氣可利用過濾器、溼度感測器並視需要搭配用以控制溼度值的新鮮氮氣而可被再循環使用。舉例來說，過濾器可用來去除或吸附在循環路徑中氮氣中的水氣。溼度感測器可耦接到新鮮氮氣源，當溼度值超過門檻值則添加新鮮氮氣。
在一個實施例中，本發明揭露了一種用於通過將清洗氮氣充入對象物內部空間的清潔系統的裝載及卸載台。為了保持載體內部的對象物的清潔度，使用如氮氣的惰性氣體連續清洗內部空間。因此，本發明揭露一種用於傳送及/或儲存台的惰性氣體清洗，其確保持續清洗內部空間。在一些實施例中，所述溼度控制配置可應用於DMS040的第25圖。將雙容器載體置於在台上的氮氣清洗噴嘴上。通過氮氣噴嘴將氮氣提供給雙容器載體的底部支撐件，使用新鮮氮氣不斷清洗外容器內的空間。
用在底部支撐件之清洗氮氣可利用過濾器及溼度感測器並視需要搭配用以控制溼度值的新鮮氮氣而可再循環使用。舉例來說，過濾器可用來去除或吸附在循環路徑中氮氣中的水氣。溼度感測器可耦接到新鮮氮氣源，當溼度值超過門檻值則添加新鮮氮氣。
在一些實施例中，本發明揭露用來調節容器的方法，其包括清洗容器內部直到容器內的溼度值達到滿意程度，例如低於10%或低於5%的相對溼度。並在一特定時間內維持溼度條件以確保容器內部具有可接受的溼度值。容器內部的低溼度值可增進半導體基板儲存環境的潔淨度，因此將容器從支持潔淨度如用來清洗容器之清洗系統移除後，亦可提供長時間的潔淨環境。
第7A至7B圖繪示根據一些實施例中用來調節容器的配置。容器700可包括清洗機構，其用以清洗容器內側。清洗機構可包括供應容器700的輸入流702，且容器700包括耦接至本體780之蓋體785。清洗機構可包括流出容器700的排出流703。溼度感測器710可耦接到排出流703以測量容器內的溼度值。或者溼度感測器可耦接到容器以測量容器內的溼度值。
在操作中，容器可具有基板存放在其中且可用低溼度氣體清洗容器，其中低溼度氣體可例如為乾燥空氣或乾燥氮氣。可執行固定大小的清洗730，此時惰性氣流可被供給到容器的內部。或者可執行抽氣或清洗動作，其包括清洗流732及接續在後的抽氣期間735。可持續固定大小的清洗或者是抽氣或清洗動作直到在時間t=745時的溼度值達到設定值740，其大小可小於10%或小於5%相對溼度或者介於5%至10%之間 的溼度。因此，溼度可作為清洗流程中的判斷依據，亦即當溼度條件滿足時，才算完成容器的清洗。
在一些實施例中，溼度條件可包括在一段時間內維持低溼度環境，以此確保容器已完全清潔。在一些實施例中，本發明揭露一種低溼度清洗程序，其用以維持容器的潔淨度。對所存放的基板來說，低溼度可確保長效的潔淨度。舉例來說，在完成清洗後，如果容器中的溼度值低於設定值，則基板可在長時間保持清潔。
第8A至8C圖繪示根據一些實施例中用以調節容器的流程圖。如第8A圖所示，在步驟800中，使用氣流清洗容器的內部直到溼度值達到設定值。如第8B圖所示，在步驟820中，重複對容器內部抽氣及清洗直到溼度值達到設定值。
如第8C圖所示，在步驟840中，將基板存放於容器中。在步驟850中，引進氣流到容器內部。在步驟860中，監測氣流排出後之排出流的溼度值。在步驟870中，當溼度值達到設定值時，停止引進氣流。
在一些實施例中，本發明與2014年12月13日申請之美國申請案14/569,662的DMS040(再循環基板容器清洗系統及方法)相關，並以引用方式併入本文。本發明之方法與系統可應用在DMS040的實施例中。舉例來說，所述溼度控制配置可應用於第2B圖、第3A至3B圖、第5圖、第7圖、第8圖、第10圖及第12圖所示的實施例中。
在一些實施例中，本發明揭露用於保持潔淨環境的程序。所述環境可為用來存放容器及半導體基板的倉儲。所述程序可包括在倉儲內部形成再循環流。再循環流可包括惰性氣體，例如空氣或氮氣。再 循環流的溼度可維持固定，例如固定在10%或5%相對溼度。可利用監測倉儲內的溼度值來維持固定溼度，當溼度值超過設定值時，則加入新鮮乾燥氣體到倉儲。當溼度值回到設定值時，則停止供應新鮮乾燥氣體。因此在一時間區間內的溼度可為定值，舉例來說其值為在所述時間區間內的平均溼度值，但瞬間溼度可在設定值附近波動。此外，可過濾再循環流以去除微粒及水氣。低溼度倉儲可增進用以存放半導體基板的儲存環境的潔淨度。
第9A至9B圖繪示根據一些實施例中用來調節倉儲的配置。倉儲900可包括儲存腔室940，儲存腔室940可用來存放半導體基板980，例如矽晶圓或光罩。如圖所示，基板980裸露地存放在儲存腔室940中。在一些實施例中，基板可存放在容器中，而後容器再存放在儲存腔室中。
可提供清洗氣體920以維持儲存腔室中環境的潔淨。清洗氣體可包括層流，係指流動不具有任何擾流或空間死角，舉例來說，此可防止微粒汙染基板。
在一些實施例中，清洗氣體可以再循環，舉例來說，此可減少氣體的使用量。再循環可以是連續的，例如氣體在儲存腔室上連續地循環。再循環亦可以是間歇的，例如：再循環氣體可停止一段時間後再接續流動。可提供用以過濾再循環氣體的水氣的過濾器970，例如提供於在再循環路徑以減少在再循環氣體中的水氣。溼度感測器910例如溼度計可被耦接到儲存腔室(或耦接到再循環氣體的再循環路徑)。進氣口930可被耦接到儲存腔室，以例如提供新鮮乾燥氣體935到儲存腔室中。上述 新鮮乾燥氣體可以是惰性氣體，例如空氣或是氮氣。新鮮乾燥氣體可有如低於5%或是2%的溼度。
進氣口930可被連結到溼度感測器910，因此當感測器顯示溼度值超過設定值912時，例如超過10%或是5%的相對溼度，提供氣流935。在一些實施例中，當溼度值超過如6%、7%、8%、9%或是10%之高溼度值時，氣流935即可流動。而當溼度值降至低於如5%、6%、7%、8%、或9%之低溼度值時，氣流935便可停止。舉例來說，高溼度值可為6%溼度，低溼度值可為5%溼度。因此儲存腔室中的溼度值可在5至6%的溼度範圍波動。
在一些實施例中，半導體基板可被存放在保護容器中且保護容器中被存放在儲存腔室內。可提供清洗氣體給儲存腔室以避免存放於其中的保護容器被汙染。可提供其他的清洗氣體給保護容器以避免存放於其中的基板被汙染。其中之一或兩個所述清洗氣體可再循環。溼度感測器可被用於調節儲存腔室或是保護容器內的溼度值。
第10A圖至第10B圖繪示根據一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置。如第10A圖所示，倉儲1000可包含用來存放保護容器1041的儲存腔室1001。保護容器1041中可存放多個半導體基板1080。可在儲存腔室1001中供應層狀清洗流1020以提供保護容器1041乾淨的環境。清洗流1020可再循環，並將水氣過濾器1070置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。在一些實施例中，視需要可於再循環路徑加入氣流1021，例如以此補償再循環路徑的任何氣體損失及/或保持儲存腔室1001內為正壓，例如高於大氣壓力。溼度感測器1010可耦接於 儲存腔室1001以測量在儲存腔室中的溼度。或者溼度感測器可耦接到再循環路徑上的任意位置以量測再循環氣體的溼度。溼度感測器1010可用來控制新鮮乾燥氣體1030並以此調節儲存腔室中的溼度值。舉例來說，若溼度超過上限時，可開啟新鮮乾燥氣體1030直到溼度下降到較低值。
清洗氣體1040可用來提供保護容器1040乾淨的環境。清洗氣體1040可流經半導體基板後與儲存腔室中的清洗流匯合。
如第10B圖所示，倉儲1005可包括用來存放保護容器1046的儲存腔室1006。在保護容器1046中可存放多個半導體基板1085。可在儲存腔室1006中供應層狀清洗流1025以提供保護容器1046乾淨的環境。清洗流1025可再循環，並將水氣過濾器1075置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。在一些實施例中，視需要可於再循環路徑加入氣流1026，如以此補充再循環路徑的任何氣體損失及/或保持儲存腔室1006為正壓，如高於大氣壓力。溼度感測器1015可耦接於儲存腔室1006以測量在儲存腔室中的溼度。或者溼度感測器可耦接到再循環路徑上的任意位置以量測再循環氣體的溼度。溼度感測器1015可用來控制新鮮乾燥氣體1035，並以此調節儲存腔室中的溼度值。舉例來說，若溼度超過上限時，可開啟新鮮乾燥氣體1035直到溼度下降到較低值。
清洗氣體1045可用來提供保護容器1046乾淨的環境。清洗氣體1045可流經半導體基板後再循環回到保護容器1046，其中水氣過濾器1076置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。溼度感測器1016可耦接到再循環路徑上的位置以量測再循環氣體中的溼度。溼度感測器1016可用來控制清洗氣體1045的流動，並以此調節保護容器中的 溼度值。舉例來說，清洗氣體1045具有一般流動速率。若溼度超過上限，則可增加清洗氣體1045使之大於一般流動速率直到溼度下降到較低值。然後可將清洗氣體1045調回到一般流動速率。可重複此程序而可將保護容器內的溼度控制在高值以及低值之間。
第11A至11B圖繪示根據一些實施例中用以調節倉儲的流程圖。如第11A圖所示，在步驟1100中，當腔室中溼度值超過設定值時，將新鮮乾燥氣體引入腔室。
如第11B圖所示，在步驟1120中，將工件存放到腔室中。在步驟1130中，視需要清洗工件。在步驟1140中，將腔室內的氣體再循環。在步驟1150中，監測腔室中溼度值。在步驟1160中，當溼度值超過設定值時，引進新鮮的氣流到腔室中。
在一些實施例中，本發明與2012年6月28日申請之美國申請案13/537,009的DMS033A(半導體清洗系統及方法)相關，並以引用方式併入本文。本發明之方法與系統可應用在DMS033A中第2A圖至第2B圖和第3A至3B圖的實施例、第7圖及第8圖的實施例及第19圖的實施例。
清洗氮氣可利用過濾器及溼度感測器並視需要搭配用以控制溼度值的新鮮氮氣而可再循環使用。舉例來說，過濾器可用來去除或吸附在循環路徑中氮氣中的水氣。溼度感測器可耦接到新鮮氮氣源，當溼度值超過門檻值則添加新鮮氮氣。
在一些實施例中，本發明揭露用來保持潔淨環境的清洗氣體系統。清洗氣體系統可被溼度感測器所控制，例如當溼度值超過門檻值時供應新鮮乾燥氣體到環境中。清洗氣體系統可包括將環境中氣體再 循環的再循環路徑。再循環路徑可包括供應其他的新鮮乾燥氣體，如用以補償在再循環路徑中損失的任何氣體。
第12A至12C圖繪示根據一些實施例之清洗氣體的配置。如第12A圖所示，清洗氣體系統1200可包括被溼度感測器所控制的氣體源。舉例來說，氣體源可配置用以供應例如氮氣或空氣的新鮮乾燥氣體1240。閥1250可耦接到氣流路徑以開關氣流1240。溼度感測器1230可耦接到例如容器或腔室之環境1210。閥1250可被溼度感測器控制，舉例來說當溼度感測器1230量測環境1210所得溼度超過第一門檻值如大於10%或大於5%相對溼度時，可以將閥打開(使氣體1240可以流動)。當溼度感測器1230量測環境1210所得溼度下降至低於第二門檻值如低於10%或低於5%相對溼度時，可以將閥1250關閉。可使用其它溼度範圍，如介於10%與5%之間或介於6%和5%之間的相對溼度。
第12B圖繪示清洗氣體系統的另一種配置，其可包括再循環氣體路徑1221。清洗氣體因此可在環境1211中再循環，並搭配過濾器1271(例如微粒過濾器及/或水氣過濾器)過濾清洗氣體。再循環氣體路徑可藉由抽氣系統1261形成。溼度感測器1231可耦接於再循環氣體路徑。閥1251可耦接到新鮮乾燥氣體1241並被溼度感測器控制，舉例來說當溼度感測器1231量測環境1211所得溼度超過第一門檻值如大於10%或大於5%相對溼度時，可以將閥打開(使氣體1241可以流動)。當溼度感測器1231量測環境1211所得溼度下降至低於第二門檻值如低於10%或低於5%相對溼度時，可以將閥1251關閉。
第12C圖繪示清洗氣體系統的另一種配置，其可包括再循環氣體路徑1221及新鮮乾燥氣流1282。清洗氣體可在環境1211中再循環，並搭配過濾器1272(例如微粒過濾器及/或水氣過濾器)過濾清洗氣體。再循環氣體路徑可藉由抽氣系統1262形成。可於再循環氣體路徑加入新鮮乾燥氣體1282，如以此補充流失的氣體或降低環境1212中水氣的增加。
溼度感測器1232可耦接到再循環氣體路徑。閥1252可耦接到新鮮乾燥氣體1242並可被溼度感測器所控制，舉例來說當溼度感測器1232量測環境1212所得之溼度超過第一門檻值如大於10%或大於5%相對溼度時，可以將閥打開(使氣體1242可以流動)。當溼度感測器1232量測環境1212所得之溼度下降至低於第二門檻值如低於10%或低於5%相對溼度時，可以將閥1252關閉。
在一些實施例中，本發明揭露用於高潔淨度物件的程序和系統，所述物件如超紫外線(EXJY)光罩載具。在接續說明中是以超紫外線光罩載具為範例，但發明本身並不以此為限制且可應用於有嚴格潔淨度要求的任意對象物，如低微粒汙染及低排氣構件之要求。
第13A至13B圖繪示根據一些實施例中用來存放超紫外線光罩載具的配置。如第13A圖所示，超紫外線光罩1300可存放在雙容器載體1309中，並在內部容器1301和外部容器1303之間的空間1307具有氮氣。內部容器可以如鋁的金屬所製成並包括上蓋體1301A及與其搭配之下部支撐件1301B。外部容器一般以具低排氣之聚合物所製成，其包括上蓋體1303A及與其搭配之下部支撐件1303B。兩個容器可具有給技術 員或給自動輸送系統握持的把手。把手1305顯示為用於外部容器上蓋體1303A。外部容器之支撐件1303B可具有進氣口1306，其用以接受清洗氮氣進入光罩載體的內部空間1307。
雙容器超紫外線光罩載體為高度潔淨度半導體製程的範例，其中光罩存放在兩層容器中以避免汙染。此外，兩層間的空間可填充氮氣或以氮氣清洗以避免細菌增長，或防止來自外部容器除氣出來的微粒附到內部容器。內部容器的空間也可填充氮氣或以氮氣清洗。如圖所示，將內部容器填充氮氣，例如內部容器的內部並沒有清洗氮氣的進氣口。或者內部容器可具有進氣口，如類似用於外部容器的進氣口1306。
在一些實施例中，本發明揭露用以存放雙容器的儲存系統，如用以存放空的超紫外線光罩載具或內部存放有光罩的超紫外線光罩載具。儲存系統可各別存放內部容器及外部容器以避免兩者之間的交叉汙染。舉例來說，外部容器相較於內部容器因為不同材質而可具有比高的排氣率。因此藉由各別存放兩容器可維持光罩所需的潔淨度。
儲存系統可包括兩個分開的儲存腔室，並只在容器傳輸時會耦接。各儲存腔室可被清洗，如以惰性氣體如空氣或氮氣清洗。溼度感測器可耦接到儲存腔室以使儲存腔室的溼度保持在固定範圍內。清洗氣體可再循環並視需要具有新鮮氣體進氣口，如以此補充任何氣體損失或以此維持儲存腔室為正壓。溼度感測器可耦接到儲存腔室或耦接到再循環環路。溼度感測器可耦接到另外的新鮮乾燥氣體源，如以此控制氣體源的流動，因此可將儲存腔室內的溼度值維持在設定值或維持在溼度範圍內。
第13B圖繪示具有兩個區別的儲存腔室的倉儲。倉儲1380可包括用以儲存外部容器的儲存腔室1363、用以儲存內部容器的儲存腔室1362及用以搬運基板與容器的區域1370。儲存腔室可用以存放內部容器或內部存放有基板的內部容器。裝載站1377係配置用以手動或自動裝載及卸載容器。視需要可包括有傳輸站1373，其用以支撐容器或工件支撐件。機械臂1372可在裝載站1377及儲存腔室1362、1363間搬運工件及工件容器。控制裝置1371包括用來操作倉儲的程序、感測器及指令。
可用溼度來控制清洗儲存腔室。舉例來說，儲存腔室1363可具有再循環環路1320。新鮮乾燥氣體源1340可耦接到儲存腔室且耦接到再循環環路。溼度感測器1330可耦接到再循環環路並且可藉由操控閥1350來調節氣體源1340。舉例來說，當在再循環環路所量測而得的儲存腔室1363中溼度值超過高點限制時，可開啟閥1350讓新鮮乾燥氣體可進入儲存腔室，因而降低腔室中溼度。在溼度降低到例如低於低點限制後關閉閥1350。因此，儲存腔室1363中的溼度可控制在低點限制和高點限制的範圍之間。
同樣的，儲存腔室1362可具有再循環環路1325。新鮮乾燥氣體源1345可耦接到儲存腔室及耦接到再循環環路。溼度感測器1335可耦接到再循環環路並且可用來操控閥1355來調節氣體源1345。舉例來說，當在再循環環路所量測而得的儲存腔室1362中溼度值超過高點限制時，可開啟閥1355讓新鮮乾燥氣體可進入儲存腔室，因而降低腔室中溼度。在溼度降低到例如低於低點限制後可關閉閥1350。因此，儲存腔室1362中的溼度可控制在低點限制和高點限制的範圍之間。
兩個儲存腔室間的潔淨度可以不同。舉例來說，因為內部容器用來存放基板，因此用來存放內部容器的儲存腔室1362可比儲存腔室1363來的乾淨。
在一些實施例中，倉儲可具有三個區別的儲存腔室，其用以存放外部容器、內部容器及基板(例如光罩)。或者倉儲可具有兩個儲存腔室，其用以存放外部容器及內部容器，而內部容器具有基板存放於其中。
第14A至14B圖繪示根據一些實施例之具有不同各別儲存腔室配置的倉儲。如第14A圖所示，倉儲1480可包括用來儲存外部容器的儲存腔室1463、用來儲存內部容器的儲存腔室1462、用來儲存基板的儲存腔室1461及用以搬運基板與容器的區域1470。裝載站1477係配置用以手動或自動裝載及卸載容器。視需要可包括有傳輸站1473，其用以支撐容器或工件。機械臂1472可在裝載站1477及儲存腔室1463、1462及1461間搬運工件及工件容器。控制裝置1471包括用來操作倉儲的程序、感測器及指令。
可用溼度來控制清洗儲存腔室。舉例來說，儲存腔室1463、1462及1461可分別具有再循環環路1423、1422及1421。新鮮乾燥氣體源1443、1442及1441可耦接到儲存腔室及耦接到再循環環路。溼度感測器1433、1432及1431可耦接到再循環環路並且可分別藉由操控閥1453、1452及1451來調節氣體源1433、1432及1431。舉例來說，當在再循環環路所量測而得的儲存腔室1463、1462及1461中溼度值超過高點限制時，可開啟閥1453、1452及1451讓新鮮乾燥氣體可進入儲存腔室， 因而降低腔室中溼度。在各別溼度降低到例如低於低點限制後各別關閉閥1453、1452及、1451。因此，儲存腔室1463、1462及1461中的溼度可控制在低點限制和高點限制的範圍之間。雖然圖式中所顯示儲存腔室有類似的配置，但可以對這些腔室，例如取決於所需的潔淨度，增加其他的功能或作修改。舉例來說，可在儲存腔室增加清洗過的隔室用來容納內部容器或基板，因為這些構件有較高的潔淨度需求。再者，雖然圖式中容器為封閉式結構，但亦可使用的其它配置，例如開放式結構，在開放式結構中容器的蓋體及底部支撐件可分離使容器內部可被清洗。或者封閉的容器可以有清洗氣體供應到內部，例如通過位在容器底部支撐件的清洗口。
如第14B圖所示，倉儲1481可包括用以儲存外部容器的儲存腔室1466、用以儲存內部容器的儲存腔室1465及用以搬運基板與容器的區域1470。儲存腔室可用來存放內部存放有基板的內部容器。裝載站1477係配置用以手動或自動裝載及卸載容器。視需要可包括有傳輸站1473，其用以支撐容器或工件。機械臂1472可在裝載站1477及儲存腔室1466及1465間搬運工件及工件容器。控制裝置1471包括用來操作倉儲的程序、感測器及指令。
可用溼度來控制清洗儲存腔室。舉例來說，儲存腔室可有再循環環路。新鮮乾燥氣體源可耦接到儲存腔室且耦接到再循環環路。溼度感測器1可耦接到再循環環路並且可藉由操控閥來調節氣體源。舉例來說，當在再循環環路所量測而得的儲存腔室中溼度值超過高點限制時，可開啟閥讓新鮮乾燥氣體可進入儲存腔室，因而降低腔室中溼度。 在溼度降低到例如低於低點限制後可關閉閥。因此，儲存腔室中的溼度可控制在低點限制和高點限制的範圍之間。雖然圖式中所顯示儲存腔室有類似的配置，但可以對這些腔室，例如取決於所需的潔淨度，增加其他的功能或作修改。
第15A至15B圖繪示根據一些實施例中存放雙容器的流程圖。如第15A圖所示，在步驟1500中，提供雙容器，其包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器及外部容器包括不同的材質。在步驟1510中，存放內部容器及外部容器在不同的儲存腔室中。
如第15B圖所示，在步驟1530中，提供雙容器，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器。在步驟1540中，存放內部容器及外部容器在不同的儲存腔室中。在步驟1550中，使用氣流清洗不同的儲存腔室直到溼度值到達設定值。
在一些實施例中，本發明揭露倉儲，其具有用以存放內部容器的儲存腔室(在內部容器中可存放基板或沒有存放基板)，及用以存放外部容器的緩衝儲存組件。緩衝儲存組件可具有一般的潔淨度，如用以存放以聚合物為主要材質的外部容器。亦可被修改儲存腔室以提升潔淨度，如用以存放以金屬為主要材質的內部容器。
倉儲可和2011年9月05日之美國申請案13/225,547(DMS034)中第1圖所描述的倉儲相似，該申請案以全文引用方式併入本文。
在一些實施例中，緩衝儲存組件可包括與儲存腔室及與儲存腔室連接的機械臂系統。機械臂系統可進一步存取裝載站(load lock station，例如裝載或卸載站)或設備的其他中途站點(例如傳輸站或交換站)，其用以將對象物在儲存腔室和設備站點間傳輸。舉例來說，緩衝儲存組件可安裝在鄰近設備處、在設備的側邊或在設備的裝載站附近。機械臂可配置夠到裝載站內部以從裝載站取得容器並將之帶到儲存腔室，或將容器從儲存腔室放入裝載站。
第16A至16C圖繪示根據一些實施例中具有緩衝儲存組件的倉儲的配置。如第16A圖所示，一個外部容器的附加儲存裝置1611耦接在具有裝載站1613的內部容器倉儲1612。本發明的文中所述之裝載站為用作支持容器站點，例如手動I/O站(例如由技術員從倉儲1612加載或卸載容器的站點)、自動I/O站(例如，使用自動化高架式傳送系統將容器從倉儲1612加載或卸載的站點)、或者在倉儲1612內的中途或接口站，用於支撐容器而作為I/O站和倉儲之間的過渡站。例如，可以將外部容器加載到I/O站(手動或自動)然後再將之傳送至中間站，在中間站打開外部容器給機器人存取其中的內部容器。
在一些實施例中，倉儲1612為單獨可獨立操作的倉儲，具有手動或自動I/O站作為製造設施中和其他設備的接口。倉儲接受內部存放有基板的內部容器。外部容器的附加儲存裝置1611可固定在倉儲的側邊作為倉儲的外部儲存裝置。將外部容器附加儲存裝置1611和倉儲1612耦接可包括配對外部容器附加儲存裝置1611的機械臂與倉儲1612的裝載站1613，以此外部容器附加儲存裝置1611可存取在裝載站1613的容器，例如接收位於裝載站1613的容器並存放在容器附加儲存裝置1611 中，或者從外部容器附加儲存裝1611的儲存腔室將容器放置到裝載站1613。
在一個範例流程中，將容器送到工件倉儲1612，並將位於容器中的內部容器移出並存放近倉儲1612中。然後外部容器附加儲存裝置的機械臂拾起外部容器並將之存放進外部容器附加儲存裝置1611的外部容器儲存腔室中。
第16B圖及第16C圖分別為固定在倉儲1612之附加儲存裝置1611的上視圖和前視圖。倉儲1612可包括用以接收容器的手動I/O站1613、儲存腔室1616和用以在I/O站1613及儲存腔室1616間傳送容器的機械臂1618。亦可包括其他如用以耦接自動化高架式傳送系統的自動化高架式I/O站1619及可作為容器接口站的中途站1613A。舉例來說，在I/O站1613的容器可被帶到接口站1613A，在接口站1613A容器的蓋體可被打開並用機械臂1618存取內部容器。
外部容器附加儲存裝置1611可包括機械臂組件1615和用來存放外部容器的複數個架子1614。機械臂組件1615配置用以存取架子1614及倉儲1612之裝載站1613、1613A上的外部容器。附加儲存裝置1611亦可包括用來控制其操作的控制裝置1617A。其中控制裝置1617A可具有與倉儲1612之控制裝置1617B類似的功能。控制裝置1617A可和控制裝置1617B通訊以獲得訊息或可和設施電腦通訊。
儲存腔室可用來存放空的內部容器或內部存放有基板的內部容器。或者儲存腔室，舉例來說，包括有兩個儲存腔室，可用來分別存放內部容器和基板。
第17A至17B圖繪示根據一些實施例中存放雙容器的流程圖。如第17A圖所示，在步驟1700中，提供雙容器其包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器及外部容器包括不同的材質。在步驟1710中，將內部容器存放於倉儲清洗過的儲存腔室中。在步驟1720中，將外部容器存放於倉儲隔壁的緩衝儲存腔室中。
如第17B圖所示，在步驟1740中提供雙容器，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器。在步驟1750中，將內部容器存放於倉儲清洗過的儲存腔室中，其中清洗過的儲存腔室包括氣流且其溼度在固定範圍內。在步驟1760中，將外部容器存放於倉儲隔壁的緩衝儲存腔室中。
在一些實施例中，內部容器可被存放在保護容器中且保護容器中被存放在儲存腔室內。可提供清洗氣體給儲存腔室以避免存放於其中的保護容器被汙染。亦可在保護容器中提供其它清洗氣體以避免存放在其中的內部容器受到汙染。其中之一或兩個所述清洗氣體可再循環。溼度感測器可被用於調節儲存腔室或是保護容器內的溼度值。
第18圖繪示根據一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置。倉儲1800可包括用以存放外部容器1800的儲存腔室1801。可在儲存腔室1801中供應層狀清洗流1820以提供乾淨的環境給外部容器1880。清洗流1820可再循環，並將水氣過濾器1870置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。在一些實施例中，視需要可於再循環路徑加入氣流1821，例如以此補充再循環路徑的任何氣體損失及/或保持儲存腔室1801內為正壓，例如高於大氣壓力。溼度感測器1810可耦接於儲存腔室1801以測量在儲存腔室中的溼度。亦或者溼度感測器可耦接 到再循環路徑上的任意位置以量測再循環氣體的溼度。溼度感測器1810可用來控制新鮮乾燥氣體1830並以此調節儲存腔室中的溼度值。舉例來說，若溼度超過上限時，可開啟新鮮乾燥氣體1830直到溼度下降到較低的大小。
倉儲1800可進一步包括用以存放保護容器1846的儲存腔室1806。保護容器1846中可存放多個半導體內部容器1885。內部容器可存放在儲存隔室1886中。層狀清洗流1825可被提供到儲存腔室1806中以提供保護容器1846乾淨的環境。清洗流1825可再循環，並將水氣過濾器1875置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。在一些實施例中，視需要可於再循環路徑加入氣流1826，例如以此補充再循環路徑的任何氣體損失及/或保持儲存腔室1806內為正壓，例如高於大氣壓力。溼度感測器1815可耦接於儲存腔室1806以測量在儲存腔室中的溼度。亦或者溼度感測器可耦接到再循環路徑上的任意位置以量測再循環氣體的溼度。溼度感測器1815可用來控制新鮮乾燥氣體1835並以此調節儲存腔室中的溼度值。舉例來說，若溼度超過上限時，可開啟新鮮乾燥氣體1835直到溼度下降到較低的大小。
清洗氣體1845可用來提供乾淨的環境給保護容器1846。清洗氣體1845可流經內部容器1885後再循環回到保護容器1846，其中水氣過濾器1876置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。溼度感測器1816可耦接到再循環路徑上的位置以量測再循環氣體中的溼度。溼度感測器1816可用來控制清洗氣體1845的流動，並以此調節保護容器中的溼度值。舉例來說，清洗氣體1845具有一般流動速率。若溼度超過 上限，則可增加清洗氣體1845使之大於一般流動速率直到溼度下降到較低的大小。然後可將清洗氣體1845調回到一般流動速率。可重複此程序而可將保護容器內的溼度控制在高低值之間。
或者清洗氣體1845可與儲存腔室1806之氣流1825匯合。
如圖所示，內部容器在沒有基板時被存放。在一些實施例中，內部容器可在有基板存放在其中時被存放。
如圖所示，內部容器被存放在儲存隔室1886中。在一些實施例中，內部容器可直接存放，例如並不放置在儲存隔室中。
第19圖繪示根據一些實施案例中具有溼度控制的倉儲的配置。倉儲1900可包括用來存放外部容器1980的儲存腔室1901及用來存放內部容器1985的儲存腔室1906。可提供層狀清洗流1920到儲存腔室1901、1906以提供內部容器1985及外部容器1980乾淨的環境。清洗流1920可再循環，並將水氣過濾器1970置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。在一些實施例中，視需要可於再循環路徑加入氣流1921，例如以此補充再循環路徑的任何氣體損失及/或保持儲存腔室1901內為正壓，例如高於大氣壓力。溼度感測器1910可耦接於儲存腔室1901以測量在儲存腔室中的溼度。亦或者溼度感測器可耦接到再循環路徑上的任意位置以量測再循環氣體的溼度。溼度感測器1910可用來控制新鮮乾燥氣體1930並以此調節儲存腔室中的溼度值。舉例來說，若溼度超過上限時，可開啟新鮮乾燥氣體1930直到溼度下降到較低的大小。
儲存腔室1906可包括用來存放內部容器(無論有無基板在其中)的保護容器1946。清洗氣體1945可用來提供乾淨的環境給保護容器 1946。清洗氣體1945可流經內部容器1985後再循環回到保護容器1946，其中水氣過濾器1976置放於再循環路徑以降低再循環清洗流中的水氣含量。溼度感測器1916可耦接到再循環路徑上的位置以量測再循環氣體中的溼度。溼度感測器1916可用來控制清洗氣體1945的流動，並以此調節保護容器中的溼度值。舉例來說，清洗氣體1945具有一般流動速率。若溼度超過上限，則可增加清洗氣體1945使之大於一般流動速率直到溼度下降到較低的大小。然後可將清洗氣體1945調回到一般流動速率。可重複此程序而可將保護容器內的溼度控制在高低值之間。
或者清洗氣體1945可與儲存腔室1906之氣流1920匯合。
如圖所示，內部容器在有基板時被存放。在一些實施例中，內部容器可在沒有基板存放在其中時被存放。
如圖所示，內部容器可直接存放，例如內部容器並不另外放置在儲存隔室中。在一些實施例中，內部容器可被存放在儲存隔室中。
第20A至20B圖繪示根據一些實施例中用以調節倉儲的流程圖。如第20A圖所示，在步驟2000中，提供雙容器其包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器及外部容器包括不同的材質。在步驟2010中，將內部容器存放進第一清洗過的隔室。在步驟2020中，將第一清洗過的隔室存放進在第一儲存腔室中的第二清洗過的隔室，其視需要作溼度控制。在步驟2030中，將外部容器存放進第二清洗過的儲存腔室其視需要作溼度控制。
如第20B圖所示，在步驟2050中，提供雙容器，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器。在步驟2060中，將內部容器存放進在 第一儲存腔室中清洗過的隔室，並視需要作溼度控制。在步驟2070中，將外部容器存放進第二清洗過的儲存腔室，並視需要作溼度控制。
在一些實施例中，本發明揭露用來搬運內部容器的清洗隔室，其中內部容器例如用來儲存光罩的超紫外線內箱。清洗隔室可包括用來接收清洗氣體的進氣口，讓所存放的內部容器可處於清潔的環境中。再者，清洗隔室可隔絕內部容器，因而可壁面交叉汙染，舉例來說從外部容器來的汙染。清洗隔室可存放例如超紫外線內箱的內部容器，且並可作為內部容器的傳送載具。清洗隔室可用具有低排氣特性的材料所製成，如金屬或合金。因為超紫外線雙容器的內箱一般使用金屬製成，所以與以聚合物為主要材質的超紫外線雙容器外箱比較，金屬清洗隔室可提供較乾淨的環境。
第21A至21C繪示根據一些實施例中清洗隔室的配置。如第21A圖所示，清洗隔室2100可用來容納空的內部容器2110，例如沒有在其中存放光罩的超紫外線雙容器的內箱。清洗隔室可具有進氣口2130用來接收清洗氣體，如氮氣或空氣。因為儲存需要，清洗隔室可持續被清洗。清洗操作可以有
新鮮乾燥氣體或可以有再循環氣體。再循環氣體可具有溼度反饋，比如用以調節溼度值到設定值(如低於10%或低於5%)或在一溼度範圍內(如介於5%到10%之間)。溼度反饋可包括溼度感測器用以控制新鮮乾燥氣體源，因此當溼度值超過設定值時可提供新鮮乾燥氣流。
因為傳送需要，清洗隔室可從清洗過的地方移走後被傳送到新的位置，如一個具有用在重新清洗隔室內側之清洗氣體的位置。在 清洗隔室內清洗過的環境可在一段時間內避免內部容器2110的汙染，例如在傳送過程的時間內。
內部容器可在打開或關閉時存放在清洗隔室中。在關閉時存放的配置的情況，內部容器的內側也可被清洗。舉例來說，內部容器可具有進氣口來接收清洗氣體。清洗隔室的清洗過的環境可具有壓力高於大氣壓力，因此清洗氣體可例如經由內部容器的進氣口而進入內部容器的內側。內部容器進氣口的位置可設置使得從清洗隔室進氣口進入的清洗氣體的一部分可進入內部容器。清洗隔室可具有導引組件2140用以將清洗氣體的一部分引導到內部容器的進氣口。
如第21B圖所示，清洗隔室2101可用來容納內部容器2111，例如有在其中存放光罩2121的超紫外線雙容器的內箱。清洗隔室可具有進氣口2131用來接收清洗氣體，如氮氣或空氣。清洗隔室2101的操作、配置和使用與清洗隔室2100相似。
如第21C圖所示，清洗隔室2102可用來容納內部容器2112，例如有在其中存放光罩2122的超紫外線雙容器的內箱。清洗隔室可與外面周遭隔絕，例如清洗隔室可以為了例如傳送而在填充清洗氣體後封閉。
在實施例中，清洗隔室可存放在倉儲的儲存腔室中，其具有用以保持存放對象物內部空間清潔的清洗氣體系統，存放對象物可例如為超紫外線雙容器的內箱。清洗氣體可以將氮氣(或其他惰性氣體)送進對象物內部，從而有效地替換內部環境、恢復清潔度、並可以消除或減少微粒除氣。舉例來說，在存放期間用氮氣連續(或斷續地)清洗超紫外線 雙容器的內部容器與清洗隔室之間的空間。再者，藉由用清洗隔室(可用金屬製成以減少排氣)取代以聚合物為主要材質的超紫外線雙容器的外部容器，內部容器的環境可比較清潔。
在實施例中，儲存腔室可用層流來清洗以保持儲存上的乾淨，並避免或減少從附著在載具外側來的汙染源。舉例來說，例如經過濾後之壓縮空氣的清潔氣體可從上部或側部引入儲存腔室以減少或根除交叉汙染。
在實施例中，清洗氣體可再循環以去除可能從外部環境來的汙染。再循環氣體可包括惰性氣體如氮氣或惰性氣體如空氣。再循環氣體可過濾以去除微粒且可冷卻以減少熱運動。因此儲存腔室的內部環境與外部環境隔絕，因而提供了合適於存放對象物的潔淨度。上面揭露的溼度反饋可用以減少在儲存腔室的溼度值。
第22圖繪示根據一些實施例中包括數個清洗隔室的儲存腔室。儲存腔室可與美國申請案13/537,009(DMS033A)中第7圖所描述的儲存腔室相似，特此以引用方式併入本文。
中央氣體路線2274傳送清洗氣體到清洗隔室。在一些實施例中，在没有任何主動計量表或控制阀的情況下，清洗氣體2273A、2273B連續傳送清洗氣體。清洗氣流可以在製造過程中事先決定，且可視需要有手動調整的計量閥，其調整可所有隔室相同或不同隔室有不同調整，但是可以沒有主動或反饋控制方法。清洗氣體可以流固定量的氣體，其與是否有對象物位在隔室無關。在其他實施例中，可主動控制清 洗氣體以例如在沒有存放對象物的隔室情況減少清洗氣體的流失。上面揭露的溼度反饋可用以減少清洗氣體路徑的溼度值。
清洗氣體可傳送例如氮氣的清潔氣體到所存放對象物所在內部空間，如清洗隔室2272A與雙容器光罩載體的內部容器2272B之間的空間。層流(從外部環境或從再循環環境)可傳送到儲存隔室，其可從頂部2271A(或從底部，未繪示於圖中)對所有隔室傳送或從側邊2271B對個別的隔室傳送。
內部容器可在打開或關閉時存放在清洗隔室中。在關閉時存放的配置的情況，內部容器的內側也可被清洗。舉例來說，內部容器可具有進氣口來接收清洗氣體。清洗隔室的清洗過的環境可具有壓力高於大氣壓力，因此清洗氣體可例如經由內部容器的進氣口而進入內部容器的內側。內部容器進氣口的位置可設置使得從清洗隔室進氣口進入的清洗氣體的一部分可進入內部容器。清洗隔室可具有導引組件用以將清洗氣體的一部分引導到內部容器的進氣口。
內部容器可在有基板或沒有基板的情況下被存放，所述基板例如是超紫外線光罩。內部容器一起與在其中的光罩可週期性的例如在高真空腔室中去除汙染。高真空淨化腔室可位於倉儲中，以例如避免內部容器和光罩曝露於不乾淨的環境中。
清洗隔室可一起與內部容器和光罩去除汙染。舉例來說，與內部容器及光罩一起清洗隔室可傳送到去除汙染腔室以去除汙染。或者可以打開清洗隔室，且將內部容器和光罩傳送到淨化腔室以去除汙染。在去除汙染後，將內部容器和光罩送回清洗隔室儲存。
第23A至23B圖繪示根據一些實施例中存放清洗隔室的流程圖。如第23A圖所示，在步驟2300中將雙容器的內部容器存放在清洗過的隔室中，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器和外部容器包括不同材質。在步驟2310中，斷開清洗氣體。在步驟2320中，傳送內部容器。
在第23B圖中，在步驟2340中將雙容器中的內部容器存放在隔室中，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器和外部容器包括不同材質。在步驟2350中，清洗所述隔室。在步驟2360中，存放內部容器。
在一些實施例中，本發明揭露倉儲其具有淨化腔室，其用以週期性的對如超紫外線光罩的基板作汙染去除。光罩可存放在內部容器中，內部容器存放在清洗隔室中，且清洗隔室存放在第一儲存腔室中。而外部容器可分離的存放在第二儲存腔室中。可包括如高真空腔室的淨化腔室對光罩或視需要與內部容器及清洗隔室一起週期性地去除汙染。
第24A至24B圖繪示根據一些實施例中的倉儲。如第24A圖所示，倉儲2480可包括用來儲存外部容器的儲存腔室2463、儲存腔室2462係用來儲存可被存放在清洗隔室之內部容器、用來去除汙染的高真空腔室2461、及用來搬運基板及容器的區域2470。裝載站2477係配置用以手動或自動裝載及卸載容器。視需要可包括有傳輸站2473，其用以支撐容器或工件支撐件。機械臂2472可在裝載站2477及儲存腔室2462、2463間搬運工件及工件容器。控制裝置2471包括用來操作倉儲的程序、感測器及指令。
可用溼度來控制清洗儲存腔室。舉例來說，儲存腔室2463、2462可分別具有再循環環路2423、2422。新鮮乾燥氣體源2443、2442可耦接到儲存腔室且耦接到再循環環路。溼度感測器2433、2432可耦接到再循環環路並且可分別用來操控閥2453、2452來調節氣體源2433、2432。舉例來說，當在再循環環路所量測而得的儲存腔室2463、2462中溼度值超過高點限制時，可分別開啟閥2453、2452讓新鮮乾燥氣體可進入儲存腔室，因而降低腔室中溼度。在溼度降低到例如低於低點限制後可關閉閥2453、2452。因此，儲存腔室2463及2462中的溼度可控制在低點限制和高點限制的範圍之間。
外部容器2403可存放在儲存腔室2463中。內部容器2402一起與光罩2401可存放在清洗隔室2407中。清洗隔室2407一起與內部容器和光罩可被存放在儲存腔室2462中。類似上述的配置，可提供清洗氣體2408到清洗隔室2407的內部。
淨化腔室2461可用來週期性的將光罩去除汙染，如在儲存一段時間後。淨化程序可包括內部容器和光罩，其中內部容器為打開狀態，例如將頂蓋從底部支撐件分離以曝露光罩。或者淨化流程可包括內部容器和光罩，其中內部容器為關閉狀態，例如將光罩密封在內部容器中。可提供清洗氣體到內部容器的內部用來去除汙染。
或者淨化程序可包括清洗隔室和內部容器，無論是否有光罩。
如第24B圖所示，倉儲2481可包括用來儲存外部容器的儲存腔室2468、儲存腔室2467係用來儲存可被存放在保護隔室之內部容器、用來去除汙染的高真空腔室2466、及用來搬運基板及容器的區域。
可用溼度來控制清洗儲存腔室。內部容器與光罩一起可存放在保護隔室中，而保護隔室可存放在儲存腔室2467中。類似上述的配置，可提供清洗氣體2409到保護隔室的內部。
淨化腔室2461可用來週期性的將光罩去除汙染，如在儲存一段時間後。淨化流程可包括內部容器和光罩，其中內部容器為關閉狀態，例如將光罩密封在內部容器中。可提供清洗氣體到內部容器的內部用來去除汙染。
第25圖繪示根據一些實施例中用來存放光罩的流程圖。在步驟2500中，在清洗過的隔室中將基板存放在雙容器的內部容器中，其中雙容器包括包圍內部容器的外部容器，其中內部容器和外部容器包括不同材質。在步驟2510中，週期性地將基板和內部容器傳送到淨化腔室。在步驟2520中，對基板和內部容器作汙染去除。在步驟2530中，將基板和內部容器送回清洗過的隔室。
100:環境
110:濕度感測器
120:輸入流
130:排出流
160:氣體調節系統
170:新鮮乾燥氣體輸入

Claims (20)

  1. 一種形成用於一半導體基板(1085)並具有低溼度值(115)的環境(1005、1046)的方法，其步驟包括：利用一第一溼度感測器(1015)測量一第一環境(1005)中的一第一溼度值(115)，以保持該第一環境(1005)在一溼度的設定值(140)上下的一預定間距之間或保持該第一環境(1005)在該溼度的設定值(140)；提供一第一清洗氣體(1025)至該第一環境(1005)，直至該第一環境(1005)的該第一溼度值(115)減少至約為該溼度的設定值(140)上下的一預定間距之間或達到該溼度的設定值(140)；利用一第二溼度感測器(1016)測量用來存放半導體基板(1085)之容器(1046)內之一第二環境內的第二濕度值，其中該第二環境(1046)形成在該第一環境(1005)中；以及提供一第二清洗氣體(1045)至該第二環境(1046)，直至該第二環境(1046)的該第二溼度值減少至約為該溼度的設定值(140)上下的一預定間距之間或達到該溼度的設定值(140)。
  2. 如請求項1所述之方法，其中在該第一環境(1005)中的該第一清洗氣體(1025)被再循環。
  3. 如請求項1或2所述之方法，其中在該第二環境(1046)中的該第二清洗氣體(1045)被再循環。
  4. 如請求項2或3所述之方法，其中藉由耦接到該第一清洗氣體(1025)的一再循環流之一第一溼度降低組件(1075)使在該第一清洗氣體(1025)之一回返流的第一溼度值(115)降低。
  5. 如請求項2、3或4所述之方法，其中藉由耦接到該第 二清洗氣體(1045)的一再循環流之一第二溼度降低組件(1076)使在該第二清洗氣體(1045)之一回返流的第二溼度值降低。
  6. 如前述任一請求項所述之方法，其中當該第一溼度值(115)超過一預定門檻值時，加入一新鮮乾燥氣體(1035)至該第一清洗氣體(1025)中。
  7. 如前述任一請求項所述之方法，其中量測該第一溼度值(115)：從該第一環境(1005)的該第一清洗氣體(1025)，或從所提供之該第一清洗氣體(1025)所排出之氣體中之該第一清洗氣體(1025)，或從一壓力下降率。
  8. 如前述任一請求項所述之方法，其中量測該第二溼度值：從該第二環境的該第二清洗氣體(1045)，或從所提供之該第二清洗氣體(1045)所排出之氣體中之該第二清洗氣體(1045)，或從一壓力下降率。
  9. 如前述任一請求項所述之方法，其中該第一環境(1005)為形成於用以存儲該容器(1046)的倉儲(1005)內。
  10. 如前述任一請求項所述之方法，其中該第一環境(1005)形成於用以處理該容器(1046)之一儲存腔室(1006)中，包括步驟：提供，尤其是放置，該容器(1046)在一腔室(400、200)內；清潔該容器(480)以去除表面污染物(200)；以及藉由對該腔室(400)抽真空和提供該第一清洗氣體(1025)，以去除該腔室(400、210)的一內部之濕氣，直到該溼度值(115)達到該設定值(140)上下的該預定間距之間的一值或達到該設定值(140)。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該腔室(400)在預定時間段(220)保持低濕度條件。
  12. 如前述任一請求項所述之方法，更包括步驟：清潔該容器(1046)和/或乾燥該容器(1046)。
  13. 一種形成用於一半導體基板並具有低溼度值(115)的一乾淨環境(1005、1046)的系統，包括：一第一溼度感測器(1015)，適用於測量一第一環境(1005)內的一第一溼度值(115)以保持該第一環境(1005)的溼度在一設定值(140)上下的一預定間距之間或保持該第一環境(1005)在溼度的該設定值(140)；一第一機構，適用於提供一第一清洗氣體(1025)給該第一環境(1005)直到該第一溼度值(115)下降到該設定值(140)上下的該預定間距之間的一值，或下降到該設定值(140)，一第二溼度感測器(1016)，適用於測量用來存放半導體基板(1085)之一容器(1046)內之一第二環境內的一第二溼度值，其中該第二環境(1046)係形成於該第一環境(1005)內；以及一第二機構，適用於提供一第二清洗氣體(1045)給該第二環境，直到該第二環境(1046)的該第二溼度值下降到該設定值(140)上下的該預定間距之間的一值，或下降到該設定值(140)。
  14. 如請求項13所述之系統，適用於在用於存儲和運輸半導體基板之該容器內或是在用於儲存用於存儲和運輸半導體基板之該容器的腔室內形成該第二環境。
  15. 如請求項13或14所述之系統，包括用於在該第一環境中再循環該第一清洗氣體的再循環路徑。
  16. 如請求項13、14或15所述之系統，包括用於在該第二環境中再循環該第二清洗氣體的再循環路徑。
  17. 如請求項13、14、15或16所述之系統，其中第一清洗氣體(1025)的返回流中的第一濕度值(115)通過耦合到該第一清洗氣體(1025)的再循環氣流的第一濕度降低組件(1075)降低。
  18. 如請求項13、14、15、16或17所述之系統，其中第二清洗氣體(1045)的返回流中的第二濕度值通過耦合到該第二清洗氣體(1045)的再循環氣流的第二濕度降低組件(1076)降低。
  19. 如請求項13-18任一項所述之系統，包括用於從該第一環境(1005)的該第一清洗氣體(1025)，或從所提供之該第一清洗氣體(1025)所排出之氣體中之該第一清洗氣體(1025)，或從一壓力下降率測量第一濕度值的溼度感測器(1015)。
  20. 如請求項13-19任一項所述之系統，包括用於從該第二環境的該第二清洗氣體(1045)，或從所提供之該第二清洗氣體(1045)所排出之氣體中之該第二清洗氣體(1045)，或從一壓力下降率測量第二濕度值的溼度感測器(1016)。
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