TW202034432A - 側儲存艙、設備前端模組與操作設備前端模組的方法 - Google Patents

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Abstract

一種電子裝置處理組件，包含EFEM，該EFEM具有至少一個側儲存艙接合至該EFEM。該側儲存艙具有側儲存艙容器。供應管道在EFEM的上氣室之間延伸至側儲存艙容器。風扇使沖洗氣體同時流動進入EFEM腔室和進入側儲存艙容器。風扇也導致來自EFEM腔室的沖洗氣體再循環。也揭露了操作EFEM的方法及EFEM。

Description

側儲存艙、設備前端模組與操作設備前端模組的方法
本揭示案相關於電子裝置製造，且更特定地相關於設備前端模組(EFEM)、側儲存艙(SSP)、及用於操作EFEM的方法。
電子裝置製造組件可包含圍繞限定轉移腔室的主機外殼佈置的多個處理腔室，及經配置以使基板進入和離開轉移腔室的一個或更多個裝載閘腔室。
電子裝置製造中的基板(例如，半導體部件，例如晶片前體、含矽晶圓、遮罩、遮罩晶圓、或含玻璃的片材)的處理可在多個工具中實行，其中基板行進在基板載具中的工具之間(例如前端統一艙(FOUP))。如果在處理之後沒有適當地移除基板，在處理期間將基板暴露於某些處理成分(例如，化合物及/或氣體)會劣化基板。例如，可通過暴露於部件而在基板上形成酸，這可劣化製造在基板上的部件。
據此，需要用於在處理期間控制基板的環境條件的改進的電子裝置處理組件、設備和方法。
無。
現在將詳細參考在附圖中圖示的本揭示案的範例實施例。將盡可能在所有附圖中使用相同元件符號以參照幾個視圖中相同或相似的零件。除非另外特別指出，否則本文描述的各種實施例的特徵可彼此組合。
電子裝置的製造可涉及在複數個處理期間將基板暴露於不同的化學物質。在應用於基板的不同處理之間，基板可能會發生脫氣。應用於基板的一些處理可能會使基板脫氣出腐蝕性化學物質，例如氟、溴及/或氯。如果該等氣體沒有實質從基板及其所處的環境中完全移除，該等氣體可能會使基板劣化。
根據本揭示案的一個或更多個實施例，提供了電子裝置處理組件、具有SSP的EFEM、及適於改進基板處理的方法。本文所述的組件、設備和方法可通過控制基板的環境暴露，尤其是控制耦合至設備前端模組的一個或更多個SSP內的條件，來提供基板處理中的效率及/或處理改進。一個或更多個側儲存容器可經配置以作為SSP的部分而為可接收的，且可包含例如在將處理應用於基板之前及/或之後的空閒週期期間在其中接收和支撐基板的基板保持器(例如，架子)。
在一個或更多個實施例中，沖洗氣體可從側儲存容器流動，沖洗氣體流過位於該側儲存容器中的基板進入EFEM腔室。氣體可在EFEM內再循環，一些氣體可從EFEM的基底排出。在一些實施例中，氣體可通過位於EFEM上部分中的化學過濾器。然後，一些經過濾的氣體可再循環回到EFEM腔室。在一些實施例中，氣體的再循環路徑可通過存取門至EFEM，這可最小化再循環路徑所佔據的空間。再循環進入EFEM腔室的氣體包含某些化學成分，通過化學過濾器過濾並最小化該等化學成分。另外，基板在EFEM內暴露於沖洗氣體，可具有某些環境條件，例如相對乾燥及/或具有相對低的O2 水平。
將參考本文圖 1 至5 來描述SSP、包含SSP的EFEM、及操作EFEM的方法的範例實施例的進一步細節。
圖 1 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的電子裝置處理系統100的範例實施例的示意圖。電子裝置處理系統100可包含具有限定轉移腔室102的外殼壁的主機外殼101。轉移機械手103(展示為虛線圓)可至少部分地收納於轉移腔室102內。轉移機械手103可經配置以經由轉移機械手103的臂(未展示)的操作將基板放置至目的地或從目的地提取基板。本文使用的基板可表示用於製造電子裝置或電路部件的物品，例如半導體晶圓、含矽晶圓、圖案化或未圖案化的晶圓、玻璃板、遮罩等。
可在控制器106下命令時通過合適的命令至含有轉移機械手103的複數個驅動馬達的驅動組件(未展示)，來控制轉移機械手103的各個臂部件的運動。來自控制器106的信號可使轉移機械手103的各個部件運動。可通過例如位置編碼器等的各種感測器為該等部件之一者或更多者提供合適的反饋機構。
在所描繪的實施例中，轉移腔室102的形狀可為正方形或稍微矩形，儘管其他形狀也是可能的(例如，六邊形等)，且可在轉移腔室102的壁上包含複數個小平面。轉移機械手103可擅於轉移及/或收回基板，例如在進入腔室組的同時進行(如所展示)。該等小平面可為平面的，且進入腔室組的入口可沿著個別的小平面安置。然而，其他的主機外殼101的合適形狀及小平面和處理腔室的數量也是可能的。
轉移機械手103的目的地可為第一處理腔室組108A、108B，第一處理腔室組108A、108B耦合至轉移腔室102的小平面且可經配置及可操作以在輸送至其上的基板上實行處理。該處理可為任何合適的處理，例如電漿氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)、蝕刻、退火、預清潔、金屬或金屬氧化物移除等。可在其中的基板上實行其他處理。
轉移機械手103的目的地也可為第二處理腔室組108C、108D，可與第一處理腔室組108A、108B相對。第二處理腔室組108C、108D可耦合至轉移腔室102的第二小平面，且可經配置以在基板上實行任何合適的處理，例如上述的任何處理。同樣地，轉移機械手103的目的地也可為第三處理腔室組108E、108F，可與耦合至轉移腔室的第三小平面的裝載閘設備112相對。第三處理腔室組108E、108F可經配置以在基板上實行任何合適的處理，例如上述的任何處理。
可從EFEM 114接收基板進入轉移腔室102，且也可經由耦合至EFEM 114表面(例如，後壁)的裝載閘設備112離開轉移腔室102至EFEM 114。裝載閘設備112可包含一個或更多個裝載閘腔室(例如，例如裝載閘腔室112A、112B)。包含於裝載閘設備112中的裝載閘腔室112A、112B可為單一晶圓裝載閘(SWLL)腔室、多晶圓腔室、或其組合。
EFEM 114可為具有形成EFEM腔室114C的壁(例如，例如前壁、後壁、側壁、頂部壁、和底部壁)的封閉體。可在EFEM 114的壁之一者(例如，前壁)上提供一個或更多個裝載端口115，且可經配置以在其處接收和對接一個或更多個基板載具116(例如，FOUP)。展示了三個基板載具116，但更多或更少數量的基板載具116可在EFEM 114處與裝載端口115對接。
EFEM 114可包含在其EFEM腔室114C內的常規構造的合適的裝載/卸載機械手117(此後稱為「 EFEM機械手」，如虛線所展示)。一旦開啟基板載具116的門，EFEM機械手117可經配置及操作以從基板載具116提取基板且經由EFEM腔室114C將基板饋送進入裝載閘設備112的一個或更多個裝載閘腔室112A、112B。
一旦開啟基板載具116的門，EFEM機械手117也可經配置及操作以從基板載具116提取基板且在該等基板閒置等待處理的同時將它們饋送進入SSP 120。SSP 120可耦合至EFEM 114的側壁。EFEM機械手117可進一步經配置以在一個或更多個處理腔室108A至108F中進行處理之前和之後，從側儲存艙120提取基板及將基板裝載進入側儲存艙120。在一些實施例中，EFEM機械手117是高Z機械手，經配置以存取堆疊在SSP 120中大於26高、或甚至52高或更高的基板。SSP 120可包含維護門121，以允許操作員在必要時(例如，在錯誤情況下或維護/清潔期間)存取SSP 120內部。
在所描繪的實施例中，可提供EFEM腔室114C具有環境控制，該等環境控制在其中提供了環境受控的大氣。特別地，環境控制設備118可耦合至EFEM腔室114C且可操作以監視及/或控制EFEM腔室114C內的環境條件。在一些實施例中，且在某些時間，EFEM腔室114C可在其中接收來自沖洗氣體供應118A的沖洗氣體(例如，惰性及/或非反應性氣體)，例如氬氣(Ar)、氮氣(N2 )、或氦氣(He)。在其他實施例中，或在其他時間，可從空氣供應118B提供空氣(例如，乾燥的過濾的空氣)。EFEM腔室114C內的環境條件可存在於位於SSP 120內且作為SSP 120的部分的側儲存容器124的內部中。在一些實施例中，SSP 120可具有位於其中的基板保持器以在不使用側儲存容器的情況下接收基板。儘管未在圖 1 中展示，在一些實施例中，沖洗氣體供應118A及/或空氣供應118B可耦合至SSP 120，以可選地將氣體/空氣直接供應至SSP 120，如箭頭208所示。
更詳細地，環境控制設備118可控制EFEM腔室114C內的以下至少一者或更多者：1)相對濕度(RH)；2)溫度(T)；3)O2 量；及/或4)沖洗氣體量。可以監視及/或控制EFEM腔室114C的其他環境條件，例如進入EFEM腔室114C的氣體流動率、或EFEM腔室114C中的壓力，或上述兩者。
在一些實施例中，環境控制設備118包含控制器106。控制器106可包含合適的處理器(例如，微處理器)、記憶體、及用於從一個或更多個感測器130接收輸入且控制一個或更多個閥的電子部件，以控制EFEM腔室114C內的環境條件。在一個或更多個實施例中，環境控制設備118可通過使用感測器130感測EFEM腔室114C中的RH來監視相對濕度(RH)。可使用測量相對濕度的任何合適類型的感測器，例如電容型感測器。可通過從環境控制設備118的沖洗氣體供應118A流動合適的量的沖洗氣體進入EFEM腔室114C來降低RH。如本文所述，來自沖洗氣體供應118A的惰性及/或非反應性氣體可為氬氣、N2 、氦氣、其他非反應性氣體、或上述之混合物。在一些實施例中，例如，可將具有低H2 O水平的壓縮散裝惰性氣體(例如，純度≥99.9995%，H2 O≤5 ppm)用作環境控制設備118中的沖洗氣體供應118A。可使用其他H2 O水平。
在另一態樣中，感測器130可測量複數個環境條件。例如，在一些實施例中，感測器130可如上述測量相對濕度RH值。在一個或更多個實施例中，預定參考相對濕度值可小於1000 ppm濕度、小於500 ppm濕度、或甚至小於100 ppm濕度，取決於針對在電子裝置處理組件100中或暴露於EFEM 114環境中的特定基板中實行的特定處理可容忍的溼度水平。感測器130也可測量EFEM腔室114C內的氧氣(O2 )的水平。在一些實施例中，從控制器106至環境控制設備118的閥的控制信號可啟動合適的量的沖洗氣體從沖洗氣體供應118A流動進入EFEM腔室114C，以控制氧氣(O2 )的水平至低於臨界值O2 值。在一個或更多個實施例中，O2 的臨界值可為小於50 ppm、小於10 ppm、或甚至小於5 ppm，取決於針對在電子裝置處理系統100中或暴露於EFEM 114環境中的特定基板中實行的特定處理可容忍(不影響品質)的O2 水平。在一些實施例中，感測器130可感測EFEM腔室114C中的氧氣水平，以確保該氧氣水平高於安全臨界值水平以允許進入EFEM腔室114C。
感測器130也可測量EFEM 114內的絕對或相對壓力。在一些實施例中，控制器106可控制從沖洗氣體供應118A進入EFEM腔室114C或從其他地方進入EFEM 114的沖洗氣體的流量，以控制EFEM腔室114C中的壓力。
在一些實施例中，電子裝置處理組件100的環境控制設備118可包含耦合至EFEM腔室114C的空氣供應118B。空氣供應118B可通過合適的管道和一個或更多個閥耦合至EFEM腔室114C或EFEM 114中的其他地方。
在本文所描繪的實施例中，控制器106可為整體系統控制器，包含處理器(例如，微處理器)、記憶體、和適於從感測器130接收控制輸入(例如，相對濕度及/或氧氣)及執行閉迴路或其他合適控制方案的周邊部件。在一些實施例中，控制方案可改變被導入EFEM 114的氣體的流動率，以在EFEM腔室114C中達到預定的環境條件。在一些其他實施例中，控制方案可決定何時將基板轉移進入EFEM 114。
如以下將詳細描述的，在操作中，沖洗氣體從EFEM 114的上氣室204循環進入EFEM腔室114C，同時經由一個或更多個供應管道125循環進入SSP 120。氣體係經由供應擋板123流動至基板及進入EFEM腔室114C。氣體離開側儲存艙120進入EFEM腔室114C。一部分經由再循環導管128再循環，另一部分經由排氣管道132排出。
現在轉至圖 2 至4 ，描述了SSP 120的細節及SSP 120如何耦合至EFEM主體的壁。圖 2 為包含耦合至EFEM主體114B的SSP 120的EFEM 114的側橫截面正視圖。圖 3 描繪了氣體供應擋板123的細節。圖 4 為包含耦合至EFEM 114的EFEM主體114B的SSP 120的EFEM 114的前正視圖。在一些實施例中，SSP 120可以可移除地接合至EFEM 114。可使用SSP 120以在特定環境條件下儲存基板202。例如，側儲存艙120可在與保持在EFEM腔室114C中相同的環境條件下儲存基板202，除了該等基板可能暴露於相對較高的沖洗氣體流動率之外。SSP 120可流體耦合至EFEM腔室114C(亦即，與EFEM腔室114C流體連通)，且可從EFEM 114內的上氣室204接收再循環氣體(例如，惰性氣體)。據此，儲存於SSP 120中的基板202除了流動率之外暴露於與EFEM腔室114C相同的環境條件。SSP 120可包含將再循環氣體從EFEM 114的上氣室204運送至SSP 120的供應導管125，進一步使得儲存於SSP 120中的基板202能夠持續地暴露於期望的環境條件。
可通過位於相鄰於上氣室204的風扇205將再循環的沖洗氣體從上氣室204推入供應導管125和EFEM腔室114C。在一些實施例中，通過SSP 120的氣體流動為150-200 cfm(4.25-5.67 cmm)，或甚至150-175 cfm(4.25-5.0 cmm)。在一些實施例中，一些新氣體(例如，惰性或非反應性氣體)可附加地或替代地經由氣體供應208供應至供應管道125。該流動可補充通過SSP 120的流動率，以確保達到通過的最小流動率。可選地，可在供應導管125中提供流動控制機構，例如流動控制閥(未展示)，以控制其中的流動率。來自EFEM腔室114C的一些少量氣體可從排氣132排出至EFEM 114外部。因此，隨著時間的流逝，EFEM腔室114C中的沖洗氣體的容積可緩慢地交換。
SSP 120可包含且適於接收一個或更多個側儲存容器124。在一些實施例中，SSP 120可在SSP 120的側儲存腔室210內接收一個或更多個垂直對齊的側儲存容器124。側儲存容器124可包含面向EFEM腔室114C的開口126且可設置相鄰於一個入口212以進入再循環導管128。再循環導管128包含門122中通向風扇205和上氣室204的部分214。再循環導管128可包含如所展示的附加通路以例如允許氣體圍繞EFEM機械手117的基底216流動。
側儲存容器124可被密封於SSP外殼127內，使得來自側儲存容器124內部內的排放氣體可不進入SSP 120的腔室210內部。因此，如多個氣流箭頭所示，一部分的沖洗氣體可經由排氣132離開EFEM腔室114C至EFEM 114外部，同時另一部分的沖洗氣體可經由再循環導管128和經由存取門122的部分214再循環返回。
過濾器220可位於由風扇205產生的氣體流動路徑中。例如，過濾器220可位於上氣室204附近，使得由風扇205推動的沖洗氣體通過過濾器220。在一些實施例中，過濾器220可為化學過濾器以在應用製造處理之後過濾由SSP 120中的基板202脫氣的一個或更多個氣體。在一些實施例中，化學過濾器220適於過濾氯、溴及/或氟。在一些實施例中，過濾器220可將例如氨氣(NH3 )的基礎氣體過濾至小於或等於5.0 ppb。在一些實施例中，過濾器220可將酸性氣體，例如氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、乙酸鹽(OAc)、二氧化氮(NO2 )、硝酸鹽(NO3 )、磷酸鹽(PO4 )、氟化氫(HF)和鹽酸(HCl)過濾至等於或小於1.0 ppb。在一些實施例中，過濾器220可為活性炭過濾器。
在一些實施例中，可提供微粒過濾器222以過濾小微粒以免進入EFEM腔室114C。過濾器可足夠精細以過濾(例如，≥99.99%)可能對在基板上製造的電子部件有害的微粒。進一步地，在一些實施例中，可使用包含遍布的小孔的均化板224以提供均勻的流動經過並進入EFEM腔室114C。均化板224可包含複數個開口及/或多孔材料以適用以均勻地分配來自上氣室204的氣體流動均勻地跨EFEM腔室114C。
在一些實施例中，經過管道125供應至SSP 120的氣體可位於過濾器220、222的下游，例如耦合至微粒過濾器222和均化板224之間的空間。
在一些實施例中，加熱器227也可位於風扇205產生的氣體流動中。當排放氣體再循環進入EFEM腔室114C且至SSP 120時，加熱器227可將沖洗氣體加熱至預定溫度。在一些實施例中，可使用加熱器227產生的熱以用作反應物及/或改變EFEM腔室114C及/或側儲存艙120中的相對濕度。在一些實施例中，加熱器227可加熱EFEM 114中的氣體以增加從位於側儲存艙120中的基板202的脫氣。加熱器227可將EFEM腔室114C和SSP 120中的氣體溫度增加至攝氏5度或更高、攝氏10度或更高、或甚至高於EFEM 114外部環境溫度攝氏5度至攝氏25度。
在一些實施例中，過濾器220、222、加熱器227和均化板224可以一個或更多個不同的組合進行組合。在一些實施例中，過濾器220、222、加熱器227和均化板224可以與圖 2 中所展示不同的順序來設置。例如，可交換均化板224和過濾器220、222的位置；可交換加熱器227和過濾器220或222。可使用過濾器220、加熱器227及/或均化板224的任何可行的佈置和組合。
在一些實施例中，至SSP 120的供應管道125可包含過濾器(未展示)及/或加熱器(未展示)。供應管道125使氣體能夠經由容器氣室226流動進入SSP 120。設置在容器氣室226和其餘的側儲存容器124之間的是供應擋板123，放置供應擋板123且在大小上具有適當的開口佈置以均勻地在側儲存容器124內的基板202上均勻地分配實質層狀氣體流動。
在圖 3 中展示了供應擋板123的範例實施例。在圖示的SSP 120的範例實施例中，供應管道125流動氣體進入容器氣室226的下部。因此，如圖 3 中所展示，供應擋板123包含開口302的陣列，其中在供應擋板123的下端處的開口的大小尺寸304小於在供應擋板123的上端處的開口的大小尺寸306。開口302的大小可從供應擋板123的下端至上端逐漸增加。選擇開口的大小，以通過使均勻量的氣體沿著側儲存容器124的整體高度流動進入側儲存容器124，來補償耦合至容器氣室226下部的供應管道125。換句話說，位於容器氣室226下部處的較小開口比頂部處的較大開口更多地限制氣體流動。在一些實施例中，開口302的大小範圍例如可為大約2 mm至20 mm。具有較小直徑的較小開口304可位於排氣端口附近以平衡氣體流動。在一些實施例中，較大的開口306可在15 mm及17 mm之間。所展示的開口302之陣列包含圓形開口302，但可使用任何可行的形狀的開口。
在一些實施例中，在供應管道在不同位置處(例如，在中間)耦合至容器氣室的情況下，可修改開口的陣列以補償不同的位置(例如，較小的開口可位於中間，而較大的開口可位於頂部和底部處)。
通過使返回導管部分214延伸經過存取門122，返回導管128所佔據的空間保持最小。如上述，存取門122中的返回導管部分214可耦合至位於EFEM 114頂部處的上氣室202。風扇205可幫助將沖洗氣體從返回導管128和返回導管部分214吸入上氣室204。上氣室204可包含或耦合至導致層狀氣體流動經過EFEM腔室114C和SSP 120的開口。化學及/或微粒過濾器可位於上氣室204中。
現在轉向圖 5 ，將根據一些實施例的操作EFEM的範例方法500描繪為流程圖。方法500包含提供一EFEM，該EFEM具有上氣室204及與上氣室204流體連通的EFEM腔室114C，及包含側儲存容器124的側儲存艙120(區塊502)。沖洗氣體從上氣室204流動進入EFEM腔室114C，並同時從上氣室204流動進入位於SSP 120內的側儲存容器124(區塊504)。氣體也從側儲存容器124排出進入EFEM腔室114C。同時，來自EFEM腔室114C的至少一部分的沖洗氣體再循環回到上氣室204中(區塊506)。在一些實施例中，經由排氣132從EFEM腔室114C沖洗來自EFEM腔室114C的至少一些沖洗氣體(區塊508)。
前述描述揭露了本揭示案的範例實施例。對於發明所屬領域具有通常知識者而言，落入本揭示案範圍內的上述設備、系統和方法的修改將是顯而易見的。據此，儘管已連接範例實施例揭露了本揭示案，應理解，其他實施例可落入由請求項限定的本揭示案的範圍內。
100:電子裝置處理系統 101:主機外殼 102:轉移腔室 103:轉移機械手 106:控制器 108A:第一處理腔室組 108B:第一處理腔室組 108C:第二處理腔室組 108D:第二處理腔室組 108E:第三處理腔室組 108F:第三處理腔室組 112:裝載閘設備 112A:裝載閘腔室 112B:裝載閘腔室 114:EFEM 114B:EFEM主體 114C:EFEM腔室 115:裝載端口 116:基板載具 117:EFEM機械手 118:環境控制設備 118A:沖洗氣體供應 118B:空氣供應 120:側儲存艙 121:維護門 122:門 123:供應擋板 124:側儲存容器 125:供應管道 126:開口 127:SSP外殼 128:再循環導管 130:感測器 132:排氣管道 202:基板 204:上氣室 205:風扇 208:氣體供應 210:側儲存腔室 212:入口 214:部分 216:基底 220:過濾器 222:微粒過濾器 224:均化板 226:容器氣室 227:加熱器 302:開口 304:大小尺寸 306:大小尺寸 500:方法 502:區塊 504:區塊 506:區塊 508:區塊
以下描述的附圖僅用於說明目的，不必要按比例繪製。附圖無意以任何方式限制本揭示案的範圍。
圖 1 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的包括側儲存艙(SSP)的電子裝置處理組件的示意性頂部視圖。
圖 2 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的包含耦合至EFEM主體的SSP的EFEM的側橫截面視圖。
圖 3 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的SSP的供應擋板的前平面視圖。
圖 4 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的包含SSP的EFEM的前平面視圖。
圖 5 圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例描繪操作EFEM的範例方法的流程圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:電子裝置處理系統
114:EFEM
114B:EFEM主體
114C:EFEM腔室
117:EFEM機械手
120:側儲存艙
121:維護門
122:門
123:供應擋板
124:側儲存容器
125:供應管道
126:開口
127:SSP外殼
128:再循環導管
132:排氣管道
202:基板
204:上氣室
205:風扇
208:氣體供應
210:側儲存腔室
212:入口
214:部分
216:基底
220:過濾器
222:微粒過濾器
224:均化板
226:容器氣室
227:加熱器

Claims (15)

  1. 一種側儲存艙，包括： 一第一腔室；一第一側儲存容器，該第一側儲存容器位於該第一腔室中，該第一側儲存容器經配置以從一設備前端模組接收一個或更多個基板，該第一側儲存容器包含一開口，該開口經配置以相鄰於該設備前端模組的一第一開口；一容器氣室，該容器氣室與該第一側儲存容器流體連通；及一第一供應管道，該第一供應管道耦合至該容器氣室且經配置以從一上氣室輸送一氣體流動進入該容器氣室。
  2. 如請求項1所述之側儲存艙，進一步包括一第一供應擋板，該第一供應擋板設置於該容器氣室及該第一側儲存容器之間。
  3. 如請求項2所述之側儲存艙，其中該第一供應擋板包含複數個開口，該複數個開口經配置以將由該第一供應管道輸送的一沖洗氣體流動實質均勻地分配遍布該第一側儲存容器。
  4. 如請求項1所述之側儲存艙，其中該第一供應管道進一步可耦合至一外部沖洗氣體供應。
  5. 如請求項1所述之側儲存艙，進一步包括： 一第二腔室；一第二側儲存容器，該第二側儲存容器位於該第二腔室中，該第二側儲存容器經配置以從該設備前端模組接收一個或更多個基板，該第二側儲存容器包含一開口，該開口經配置以相鄰於該設備前端模組的一第二開口；一第二容器氣室，該第二容器氣室與該第二側儲存容器流體連通；及一第二供應管道，該第二供應管道耦合至該第二容器氣室且經配置以從一上氣室輸送一氣體流動進入該第二容器氣室。
  6. 如請求項5所述之側儲存艙，進一步包含一第二供應擋板，該第二供應擋板設置於該第二容器氣室及該第二側儲存容器之間，其中該第二供應擋板包含複數個開口，該複數個開口經配置以將由該第二供應管道輸送的該沖洗氣體流動實質均勻地分配遍布該第二側儲存容器。
  7. 如請求項5所述之側儲存艙，其中該第二供應管道進一步可耦合至一外部沖洗氣體供應。
  8. 一種電子裝置處理組件，包括： 一設備前端模組，該設備前端模組包含一設備前端模組腔室，該設備前端模組腔室具有一個或更多個介面開口及與該設備前端模組腔室流體連通的一上氣室； 一個或更多個側儲存艙，該一個或更多個側儲存艙接合至該設備前端模組的一主體，該一個或更多個側儲存艙之每一者包括： 一第一腔室；一第一側儲存容器，該第一側儲存容器位於該第一腔室中，該第一側儲存容器經配置以從該設備前端模組腔室接收一個或更多個基板，該第一側儲存容器包含一第一開口，該第一開口位於相鄰於該設備前端模組腔室的一第一開口；一第一容器氣室，該第一容器氣室與該第一側儲存容器流體連通；及一第一供應管道，該第一供應管道在該上氣室及該第一容器氣室之間耦合且經配置以從該上氣室輸送一沖洗氣體流動進入該第一容器氣室。
  9. 如請求項8所述之電子裝置處理組件，進一步包括一加熱器，該加熱器位於該上氣室中，該加熱器經配置以加熱該上氣室中的沖洗氣體。
  10. 如請求項8所述之電子裝置處理組件，進一步包括一風扇，該風扇經配置以將沖洗氣體從該設備前端模組腔室及該第一側儲存容器再循環進入該上氣室。
  11. 如請求項8所述之電子裝置處理組件，進一步包括一第一供應擋板，該第一供應擋板設置於該第一容器氣室及該第一側儲存容器之間。
  12. 如請求項8所述之電子裝置處理組件，其中該側儲存艙進一步包括： 一第二腔室；一第二側儲存容器，該第二側儲存容器位於該第二腔室中，該第二側儲存容器經配置以從該設備前端模組腔室接收一個或更多個基板，該第二側儲存容器包含一開口，該開口經配置以相鄰於該設備前端模組腔室的一第二開口；一第二容器氣室，該第二容器氣室與該第二側儲存容器流體連通；及一第二供應管道，該第二供應管道在該上氣室及該第二容器氣室之間耦合且經配置以從該上氣室輸送一沖洗氣體流動進入該第二容器氣室。
  13. 一種操作一設備前端模組的方法，包括以下步驟： 提供一設備前端模組，該設備前端模組具有一上氣室及與該上氣室流體連通的一設備前端模組腔室，及一側儲存艙，該側儲存艙包含一側儲存容器；從該上氣室流動沖洗氣體進入該設備前端模組腔室，且同時從該上氣室流動進入位於該側儲存艙內的該側儲存容器；從該側儲存容器排出該沖洗氣體進入該設備前端模組腔室；及從該設備前端模組腔室將該沖洗氣體的至少一部分再循環進入該上氣室。
  14. 如請求項11所述之方法，進一步包括以下步驟：經由一排氣口沖洗來自該設備前端模組腔室的至少一些該沖洗氣體。
  15. 如請求項11所述之方法，進一步包括以下步驟：過濾從該上氣室離開至該設備前端模組腔室的該沖洗氣體。
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