JP2004311940A - 基板移送モジュールの汚染を制御することができる基板処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を収容する容器106を支持するロードポート112aを備え、基板に処理を行う工程チャンバを含む基板処理部へ基板を移送するロボットが内部に配置された基板移送チャンバ110を含む基板移送モジュール108と、基板移送チャンバ110に浄化ガスを供給して内部を浄化するガス供給部132及び浄化ガスを再循環させるガス循環管138を含む汚染制御部130を備える。基板移送チャンバ内を浄化して湿気及び汚染物質を除去し、処理完了後の基板が容器内で待機中に湿気及び汚染物質と反応して凝縮粒子を形成することを防止する。
【選択図】 図6
Description
このようなドライエッチング設備を用いたエッチング工程の実施は、まず、通常25枚のウェーハ(すなわち、半導体基板)20が収容されたカセット12を約10−3torr(133.3220×10−3Pa)の低真空状態に維持される第1ロードロックチャンバ14aにローディングする。その後、移送チャンバ15の移送ロボット16を通じて前記第1ロードロックチャンバ14a内のウェーハ20を1枚ずつ対応される高真空工程チャンバ18a、18b、18cに移送する。全ての高真空工程チャンバ18a、18b、18cは約10−6torr(133.3220×10−6Pa)の高真空状態に維持されている。
図5は本発明の第1実施形態による基板処理装置の平面図である。
図8は本発明の第2実施形態による基板処理装置の基板移送モジュールを示す側面図である。
102 基板処理部
104 基板
108 基板移送モジュール
110 基板移送チャンバ
112a、112b ロードポート
114 基板移送手段
116 ロボットアーム
120 フィルターユニット
122a、122b ロードロックチャンバ
124 移送チャンバ
126 移送ロボット
130 汚染制御部
132 ガス供給部
134 ガスライン
138 ガス循環管
140 センサー
142 データ受信部
144 制御部
Claims (20)
- 複数個の基板を収容する容器と、
前記基板に対して設定された工程を実施する少なくとも一つの工程チャンバを含む基板処理部と、
前記容器内の基板を前記基板処理部に移送するための基板移送手段がその内部に配置されている基板移送チャンバ、及び前記基板移送チャンバの外部に配置され、前記容器を支持するための少なくとも一つのロードポートを含み、前記基板処理部に連結される基板移送モジュールと、
前記基板移送チャンバに連結され、前記基板移送チャンバ内に浄化ガスを供給するガス供給部、及び前記基板移送チャンバ内部の浄化ガスを再循環させて前記基板移送チャンバ内に供給するガス循環管を含む汚染制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板移送手段は、前記容器内の前記基板を1枚ずつ移送するロボットアームを備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記容器は、前開き統合型ポッドであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板移送モジュールと前記基板処理部との間に配置されたロードロックチャンバをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記汚染制御部は不活性ガスを前記ガス供給部に連結するガス供給手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガスは窒素ガスであることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記汚染制御部は前記基板移送チャンバ内部の温度及び湿度を検出するためのセンサー、及び前記センサーにより検出された前記基板移送チャンバの温度及び湿度が設定値を超過すると前記浄化ガスの供給量を増加させ、設定値より低いと前記浄化ガスの供給量を減少させるように前記ガス供給部の動作を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ガス循環管は、前記ガス循環管を通じて前記基板移送チャンバに供給される前記浄化ガスが前記基板移送チャンバの内部で層流を形成するように、前記基板移送チャンバの一側面下部で最上部面に延びて設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板移送モジュールは前記基板移送チャンバ内に外部空気を流入させるためのファンと、流入させた前記外部空気を浄化するフィルターとを有するフィルターユニットをさらに備え、前記ガス循環管を通じて再循環される浄化ガスは前記フィルターユニットを通じて濾過されて前記基板移送チャンバに供給されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 複数個の基板を収容する容器と、
前記基板に対して設定された工程を実施する少なくとも一つの工程チャンバを含む基板処理部と、
前記容器内の基板を前記基板処理部に移送するための基板移送手段がその内部に配置されている基板移送チャンバ、及び前記基板移送チャンバの外部に配置され、前記容器を支持するための少なくとも一つのロードポートを含む基板移送モジュールと、
前記基板移送チャンバに連結され、前記基板移送チャンバに浄化ガスを供給して前記基板移送チャンバの内部を浄化するガス供給部及び前記供給された浄化ガスを再循環させて前記基板移送チャンバ内部に供給するためのガス循環管を含む汚染制御部を備え、
前記ロードポート上に支持されている前記容器の内部が前記基板移送チャンバに供給された前記浄化ガスに充填されて前記容器内に汚染物質が流入されることを防止することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板移送手段は前記基板を支持するロボットアーム及び前記ロボットアームを駆動させて前記基板を移動させるためのアーム駆動部を有するロボットからなることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記汚染制御部は前記基板移送チャンバ内部の温度及び湿度を検出するセンサー、及び前記センサーにより検出された基板移送チャンバの温度及び湿度が設定値を超過すると前記浄化ガスの供給量を増加させ、設定値より低いと前記浄化ガスの供給量を減少させるように前記ガス供給部の動作を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 基板移送チャンバ内に浄化ガスを提供し、前記浄化ガスを前記基板移送チャンバに再循環させる段階(a)と、
複数個の基板を含む容器を前記基板移送チャンバの外部に配置されたロードポート上にローディングさせる段階(b)と、
前記基板移送チャンバ内のロボットを用いて前記ロードポート上の前記容器から前記基板移送チャンバ内に前記基板を移送する段階(c)と、
前記基板移送チャンバから少なくとも一つの工程チャンバに前記基板を移送する段階(d)と、
前記工程チャンバ内で前記基板を処理する段階(e)と、
前記処理された基板を前記工程チャンバから前記容器に移送する段階(f)を含み、
前記(a)段階は前記(b)段階乃至前記(f)段階の間に続けて進行されることを特徴とする基板処理方法。 - 前記(c)段階及び前記(d)段階は、前記基板を1枚ずつ前記基板処理部に移送する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記(f)段階後、
前記ロードポート上に配置された前記容器から前記基板をアンローディングさせる段階(g)をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。 - 前記(a)段階は前記(b)段階乃至前記(g)段階の間に続けて進行されることを特徴とする請求項15に記載の基板処理方法。
- 前記浄化ガスは不活性ガスまたはドライ空気であることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記不活性ガスは窒素(N2)ガスを含むことを特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
- 前記(a)段階を進行する間に前記基板移送チャンバ内の湿度を測定する段階と、前記測定された湿度が設定値以上である場合、前記基板移送チャンバ内に供給される前記浄化ガスの流量を増加させる段階と、前記測定された湿度が設定値以下である場合、前記基板移送チャンバ内に供給される前記浄化ガスの流量を減少させる段階とをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記(d)段階で前記基板が初めて前記容器内に移送される場合、前記基板が移送された前記容器を前記基板移送チャンバから前記浄化ガスに埋めて前記(f)段階で前記基板が移送される間に前記基板を浄化ガスが取り囲む段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
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