JPH09153533A - 半導体ウエハ保管システムおよびそのシステムを使用した半導体装置の製造方式 - Google Patents

半導体ウエハ保管システムおよびそのシステムを使用した半導体装置の製造方式

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JPH09153533A
JPH09153533A JP7314068A JP31406895A JPH09153533A JP H09153533 A JPH09153533 A JP H09153533A JP 7314068 A JP7314068 A JP 7314068A JP 31406895 A JP31406895 A JP 31406895A JP H09153533 A JPH09153533 A JP H09153533A
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semiconductor wafer
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clean room
wafer
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JP7314068A
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Yoshiaki Yamada
義明 山田
Hiroshi Watanabe
宏 渡辺
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Mitsubishi Electric Corp
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    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーンルーム内に保管中の半導体ウエハが
クリーンルームエア中に含まれる有機物や水分によって
汚染されることを防止する。 【解決手段】 ウエハ保管装置本体と、これに別置きさ
れたケミカルフィルタを備えた気体供給装置とで構成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の製造
工程において、各工程の前後に半導体ウエハを環境汚染
から保護する半導体ウエハ保管システムと、そのシステ
ムを応用した半導体装置製造方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メモリに代表される半導体装置は、近年
ますます微細化、大集積化が進み、その製造には最先端
の加工技術が採用されるとともに加工工程も増加してき
ている。また微細化に伴い、半導体製造工程中における
ウエハの各種汚染に関しても、より一層の対策がとられ
ている。半導体装置は、製造中の環境による汚染により
製品歩留りが低下するため製造上の要求に応じたクラス
１、クラス１０等で称呼されるクリーンルーム内で製造
される。
【０００３】半導体装置は数多くの工程を経て完成され
ていくがその工程の前後にウエハをクリーンルーム内で
一時期保管する必要があり、自動化された搭載機能を備
えたウエハ保管装置に多数のウエハカセットに収納され
て保管されている。このウエハ保管装置は半導体装置の
大量生産化に伴い、またクリーンルーム内のウエハ搬送
が天井走行方式等を採用されていることから、大型なも
のとなり、２〜３ｍの高さの装置が一般的である。
【０００４】このようなウエハ保管装置の一例として特
公平１−４１５６１号公報に開示された内容を図８によ
って説明する。図において、１はクリーンルームで、天
井２から通常クリーンルーム向に使用されているＵＬＰ
Ａフィルタ３を通してクリーンエア４を下吹きし、下降
するエアをグレーチング床５を通して床下に吸引するよ
うに構成してある。１００はウエハ保管装置であり、６
は棚、７は棚６に収納された半導体ウエハを収納したウ
エハカセット、８は棚６からウエハカセット７を出し入
れする搬入出装置である。前記棚６の本体９において、
棚６の背面にフィルタ１０を設け、ウエハカセット７の
後面側にエア１２を供給するファンなどからなるエア供
給装置１１を前記本体９の下部に有する。このようにこ
のウエハ保管装置１００は、クリーンルームのクリーン
エアが取り込まれていて、いわばクリーンルーム内開放
型ウエハ保管装置である。
【０００５】次に作用について説明する。搬入出装置８
によるウエハカセット７の棚６からの出し入れ作業中に
おいて、クリーンエアが下降し、そして下降するエアを
床５下に吸引するとともに、棚６背面側からフィルタ１
０を通したクリーンエア１２を供給することにより、ウ
エハカセット７を載置している棚６内に搬入出装置８か
ら入ってこうようとする塵埃を阻止しうる。
【０００６】上述のように、従来のウエハ保管装置で
は、クリーンルーム内の空気により、半導体ウエハを塵
埃から防ぐようにしている。しかしながら通常クリーン
ルームに使用されているＵＬＰＡフィルタでは有機ミス
トや水分等が除去出来ず、それらによるコンタミネーシ
ョンにより半導体ウエハに悪影響を与えていた。これら
の悪影響の原因として次のようなものが考えられる。 （１）有機ミスト クリーンルーム建屋設備部材から、はく離飛散した例え
ばリンやボロン等の有機物が、クリーンルーム内開放型
のウエハ保管システム内の半導体ウエハに付着する。こ
のウエハをそのまま拡散炉内に挿入し高温加熱を行う
と、上記有機物もウエハ内に拡散し、所望半導体品質が
得られなくなる。 （２）水分 ＵＬＰＡフィルタでは除去されないクリーンルームエア
中の水分はウエハに付着する。この付着した水分で半導
体ウエハ上に自然酸化膜を形成する。この酸化膜の膜厚
は、保管期間、クリーンルーム内雰囲気等により厚さが
異る。従って、半導体製造プロセスのうち、酸化膜を形
成する工程では上記不特定厚みの自然酸化膜の上に意図
的厚みの酸化膜が形成されることになり得られる酸化膜
厚にバラツキを生じ、半導体デバイスの高性能化、微細
化に対応しきれない。 （３）さらに半導体の高集積化に伴い、リソグラフィ工
程にエキシマレーザ等が光源として使用されているが、
保管中のウエハのレジスト上に有機物が吸着していると
レーザ光との相互作用でレジストの酸失活現象と考えら
れるレジスト表面難溶化層の形成やレジスト膜減り現象
が発生し、微細パターニングが不可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ保管装置
は、クリーンルーム内で開放型であり、上記のようにク
リーンルーム内の空気を通気してウエハ保管システム内
の搬入出装置の動作で発生する塵埃から半導体ウエハを
保護するようにしているが、通常クリーンルームに設け
られているＵＬＰＡフィルタでは除去しきれない有機ミ
ストが、保管中の半導体ウエハに付着し次工程で基板中
に拡散したり、リソグラフィでパターニングを悪化させ
る等品質を劣化させ、また水分は不特定厚みの酸化膜を
形成しこれまた品質に悪影響を及ぼすという問題点があ
った。またさらに半導体製造設備の投資費用が高額とな
り、企業にとって大きな負担となってきているという問
題もある。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものである。
【０００９】請求項１〜請求項７に記載の発明の目的
は、クリーンルーム内に保管中のウエハに、有機物や水
分の付着やウエハ搬入出装置からの塵埃付着を防止する
ことである。
【００１０】請求項８に記載の発明の目的は、半導体装
置製造ラインの特定工程に保管中のウエハに有機物や水
分の付着をしない半導体ウエハ保管システムを組み入
れ、建設コストの低減とともに半導体装置の品質向上、
歩留り向上をはかることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１における半導体
ウエハ保管システムは、クリーンルーム内に設置された
ウエハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設け
られた気体供給装置とで構成される。
【００１２】請求項２における半導体ウエハ保管システ
ムは、クリーンルーム内に設置されたウエハ保管装置と
別置きされケミカルフィルタが設けられた気体供給装置
で構成され、ウエハ保管装置にはＵＬＰＡフィルタとフ
ァンを有する給気チャバと気体供給装置からの通気の一
部をリターンダクトとファンで給気チャバに戻す手段を
備えている。
【００１３】請求項３における半導体ウエハ保管システ
ムは、クリーンルーム内に設置されたウエハ保管装置
と、別置きされケミカルフィルタが設けられた気体供給
装置で構成され、ウエハ保管装置には、ウエハカセット
移載機ポートと投入払出しポートにロードロック機構を
備え、ウエハの出し入れ時にウエハ保管システムにクリ
ーンルーム内エアが侵入するのを防止する。
【００１４】請求項４における半導体ウエハ保管システ
ムは、ウエハ保管装置に差圧計と差圧計の信号によって
動作する排気口開閉調整機構を有し、ウエハ保管装置内
をクリーンルーム内圧力より高く保つ。
【００１５】請求項５における半導体ウエハ保管システ
ムは、クリーンルーム内に設置されたウエハ保管装置
と、別置きされケミカルフィルタが設けられた気体供給
装置で構成され、前記ウエハ保管装置には、ＵＬＰＡフ
ィルタとファンを有する給気チャンバとリターンダクト
と、ウエハカセット移載機ポートと投入払出しポートに
ロードロック機構と、差圧計とこの差圧計の信号によっ
て動作する排気口開閉調整機構とを備えたものである。
【００１６】請求項６における半導体ウエハ保管システ
ムは、気体供給装置から通気される気体がドライエアで
ある。
【００１７】請求項６における半導体ウエハ保管システ
ムは、気体供給装置から通気される気体がドライ窒素で
ある。
【００１８】請求項８における半導体装置の製造方式は
半導体装置の製造工程に対応して、別置きの気体供給装
置から通気される半導体ウエハ保管システムと、クリー
ンルーム内エアを取り込み通気される半導体ウエハ保管
システムとを設置したものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【００２０】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態
１による半導体ウエハ保管システムのうちのウエハ保管
装置本体の斜視図、図２は同装置の平面図、図３はウエ
ハ保管システムで別置きの気体供給装置を含むウエハ保
管装置本体の正面断面図、図４はウエハ保管装置の側面
図、図５は側面断面図である。
【００２１】図においてクリーンルーム１内に設置され
たウエハ保管装置本体２００は、図３に示すウエハを搭
載したウエハカセット２７を収納するウエハカセット収
納棚２１と、図４に示すウエハカセット搬送装置２２
と、図１、図４に示す移載機２３と、図１、図２に示す
移載機ポート２４および投入払出しポート２５と、図１
〜図３に示す給気チャンバ２６から主に構成され、図示
しない保護カバーによってウエハ保管装置本体２００が
覆われていて、装置本体２００の内部部品はクリーンル
ーム環境に直接さらされない構造である。いわば従来技
術で記載した装置がクリーンルーム内で開放型であるの
に対し、本実施の形態は密閉型である。
【００２２】図３、図５に示すように対面して設置され
るウエハカセット収納棚２１はウエハカセット２７を上
下、左右方向に複数収納できる。そして図３に示すよう
に、ウエハ保管装置２００に別置きのケミカルフィルタ
５８を備えた気体供給機４１が設置されている。ケミカ
ルフィルタ５８は例えば東レ、ダウコーニング・シリコ
ーン社等から市販されているものを使用する。この気体
供給機４１からの気体４２は、ダクト４３を通り複数の
ウエハ保管装置に送られる。
【００２３】図５に示すようにウエハカセット搬送装置
２２は、収納棚２１に沿って設けられた走行レール２８
上を移動し、ウエハカセット２７を棚２１と移載機ポー
ト２４や投入払出しポート２５との間を自動運転する。
【００２４】クリーンルーム１内には複数のウエハ保管
装置本体２００が設置されている。ウエハカセット２７
は図１に示すクリーンルーム天井下に設置されたレール
３０上を走行する天井走行搬送車３１で搬送され、複数
のウエハ保管装置本体２００間を連絡し、移載機２３に
て受け渡しが行われ移載機ポート２４上に載せられる。
【００２５】給気チャンバ２６には、図３に示すように
ＵＬＰＡフィルタ４０が設けられている。別置きされた
気体供給装置４１からダクト４３を通して送られた気体
４２はファン４４によって昇圧され例えば０．３ｍ／ｓ
の風速でＵＬＰＡフィルタ４０から均一に吹き出すよう
になっている。気体供給装置４１の外部にはケミカルフ
ィルタ５８が設置されている。一般にケミカルフィルタ
５８の有効寿命は短く、交換が数多く要求されるが、本
実施の形態１では、ウエハ保管装置本体２００内に設け
なく、別置きの気体供給装置４１の外部にケミカルフィ
ルタを設置しているため、交換が容易で、かつ半導体ウ
エハや他の部品、装置交換時の塵埃が影響を及ぼさない
という秀れた効果がある。
【００２６】また、気体供給装置４１から供給される気
体４２としては、クリーンルームエア以外にウエハプロ
セスで要求される保管雰囲気の要求に応じて選ばれ気体
供給装置の付属部品から通気されるドライ窒素やドライ
エア等があり、さらにはこれに限定されることなく、不
活性ガスの中から適宜選択されてもよい。
【００２７】給気チャンバ２６を通って吹き出された気
体５３は、ウエハ保管中のウエハカセット２７部を通り
ベース台４７に設けた図示しない排気口よりダウンフロ
となりクリーンルーム１の外に排気５２となって排出さ
れる経路と、搬送装置２２部を通り排気口よりダウンフ
ロとなる経路の他に、リターンダクト４５内をファン４
４によって給気チャンバ２６に帰る戻りの気体４５の経
路がある。この戻りの気体４５は、気体供給装置４１か
ら送られた気体４２と混合され給気チャンバ２６を通り
再び上記３つの経路を経る。このとき、主に搬送装置が
動作中に発生した塵埃も同時に給気チャンバ２６に送り
込まれるが、ＵＬＰＡフィルタ４０によって除去され
る。
【００２８】このようにウエハ保管装置本体２００内に
通気される気体５３の量はリターンダクト４５が設けら
れているので気体供給装置４１より送り出される気体４
２の量より多くすることが出来るので、気体供給装置４
１の容量を小さくすることが可能である。またダクト４
３に設けたバルブ５４を調整することにより複数のウエ
ハ保管装置本体２００間の供給気体量も相互に調整可能
となり、ウエハ保管量にふさわしい気体量の設定も可能
である。
【００２９】なお本実施の形態では、気体供給装置４１
をクリーンルーム１の外部のクリーンルーム例えばユー
ティリティエリアに設けた例を示したが、何らそれに限
られるものではなく、クリーンルーム１の清浄度（クリ
ーンクラス）より低位のクリーンルーム内に設置されて
もよい。その例としてクリーンルーム１が設けられた建
屋内で半導体製造装置から充分に離れ、この気体供給装
置４１の発塵やケミカルフィルタ交換時の塵埃が半導体
製造装置やウエハに悪影響を及ぼさない場所であればよ
い。
【００３０】このようにこの実施の形態１では、ウエハ
保管装置がクリーンルーム内に設置され、それと別置き
でケミカルフィルタを有する気体供給装置から送られる
気体が有機物や水分を含まずウエハ部に供給されるとと
もに、その排気の一部をリターンダクトを介して再循環
させている。
【００３１】このように気体供給装置のケミカルフィル
タによって従来のＵＬＰＡフィルタで除去出来なかった
クリーンルームの空気中の有機物や水分が除去されたも
のがウエハ保管装置に供給される。従って保管中のウエ
ハ表面に有機物が付着しないので熱拡散工程や他の処理
工程においてウエハ基板中に上記有機物の拡散がなくな
り、さらにレジスト膜に有機物が付着しないため、リソ
グラフィ工程におけるレーザ光の影響によるレジスト表
面難溶化層の形成やレジストの膜減り現象を防止出来
る。また水分が付着しないので、保管中に発生する不特
定厚みの自然酸化膜の形成が防止され、半導体装置製造
の一つの工程である酸化膜形成工程では所望の厚さの酸
化膜が形成され、半導体装置の高品質化、高歩留り化が
達成される。
【００３２】実施の形態２．図２〜図４に示すように移
載機ポート２４には、カセット載置ステージ３２の外側
（クリーンルーム側）に設けた外側扉３３と、ステージ
３２の内側（ウエハ保管装置本体側）に設けた内側扉３
４とが設けられている。また図２に示すように、投入払
出しポート２５には、カセット移載ステージ３５の外側
（クリーンルーム側）に設けた外側扉３６と、ステージ
３５の内側（ウエハ保管装置本体側）に設けた内側扉３
７が設けられている。
【００３３】これらの扉には、ウエハカセット２７をウ
エハ保管装置本体２００に投出入しようとするとき、ウ
エハ保管装置内にクリーンルーム内空気が混入しないよ
う自動開閉するいわゆるロードロック機構を備えてい
る。つまり、例えばカセットを保管装置に投入しようと
するとき、外側扉３３、３６を開けてカセットをポート
に載置するまで内側扉３４、３７は閉じられていてその
後外側扉３３、３６を閉じた後、内側扉３４、３７を開
けてカセットを保管装置に投入する等の一連の扉操作が
自動的に行われる機構を備える。
【００３４】従って、ウエハ保管装置本体２００内に
は、有機物や水分を含むクリーンルームエアが混入する
ことがなく、保管中のウエハ表面に有機物や水分の付着
がない。
【００３５】実施の形態３．図３に示すようにウエハ保
管装置本体２００はクリーンルームのグレーチング床５
４上のベース台４７に設置されている。そしてウエハ保
管装置本体２００は、図示しない保護カバーで囲まれて
いるとともに、上記ベース台４７はカセット収納棚２１
の下部以外は図示しないメクラ板が設けられている。カ
セット収納棚２１の下部には、気体排気口開閉調整機構
４９が設けられている。この機構４９は気体のダウンフ
ロ５２量を調整するものであり、後述する差圧計の信号
によって自動にて開閉しダウンフロ５２の通風口（排気
口）の面積を増減させるものであり、例えば格子状に設
けられた複数のフィンの角度を排気口に対し微調整を行
う構造とか、スリットが設けられた上下２枚の板が互に
逆方向に滑り差動を行う構造がとられている。
【００３６】またさらに、図５に示すように差圧計５１
が設置されている。この差圧計５１はウエハ保管装置本
体２００内の圧力とクリーンルーム内圧力との差を検知
し、ウエハ保管装置本体２００内圧力をクリーンルーム
内圧力より常に高くなるよう上記排気口開閉調整機構を
調整する信号を出す。
【００３７】このように排気口開閉調整機構と差圧計を
設けその差圧計の指示によって排気口を自動開閉調整し
ているのでウエハ保管装置本体２００内を常にクリーン
ルーム内圧力より高くすることができる。その結果クリ
ーンルームエアがウエハ保管装置本体内に侵入せず、保
管中のウエハに有機物や水分が付着せず、半導体装置品
質に悪影響を及ぼさないという秀ぐれた効果を奏す。な
おこのときの圧力差としては０．５〜１ｍｍＡｑ程度が
よい。
【００３８】実施の形態４．図６は実施の形態１または
３のウエハ保管装置本体２００および従来例で示したウ
エハ保管装置１００を半導体製造ライン内で使用してい
る概念を示す平面レイアウト図を示す。１００は図８で
説明したウエハ保管装置であって、クリーンルームエア
を本体内に取り込み通気する装置である。半導体製造ラ
インでは走行レール３０上を走行車３１が移動しウエハ
カセット２７を複数のウエハ保管装置本体１００、２０
０間に搬送する。
【００３９】３０１、３０２、３０３は半導体製造装置
を示し、例えば拡散炉、レジスト塗布コータ、縮小投影
装置（ステッパー）、ドライやウエットエッチング装
置、アッシャ、イオン注入機、ＣＶＤ装置等を示す。工
程１〜工程３はそれらの装置を使用して施される各種工
程を示す。半導体装置の製造には各種工程が採用されて
いるが、このうち保管中の半導体ウエハ表面にクリーン
ルーム中の有機物や水分が付着すると品質の悪化や歩留
りの低下を生じる工程２と、顕著な悪影響を生じない工
程１、３がある。
【００４０】そこで本実施の形態４では、半導体製造に
係る建設コスト、運転コスト、品質の最適化を狙い、工
程に応じたウエハ保管装置本体を設置するようにした。
【００４１】図６において半導体装置は例えば製造装置
３０１によって製造工程１を終了後、従来型のウエハ保
管装置１００に収納されその後速やかに走行車３１によ
って本実施の形態１〜３に示したウエハ保管装置本体２
００内に収納され、次工程２の製造装置３０１によるウ
エハ投入要求があるまで保管される。工程２からのウエ
ハ投入要求がでた後、ウエハ保管装置本体２００から払
い出された半導体ウエハは、半導体製造装置３０２内に
て、工程２の処理が行われる。工程２の処理が終了した
半導体ウエハは、再度ウエハ保管装置本体２００に戻さ
れた後次工程３のウエハ保管装置本体１００に搬送され
る。
【００４２】このような製造工程を採用することによ
り、一般のクリーンルームの環境に比較してより厳しい
例えば清浄度、湿度、充満させる気体の種類の限定など
の条件がある製造工程が必要とされるとき、そのために
クリーンルーム全体の雰囲気を上記のような特殊雰囲気
にする必要がなく、適宜本発明のウエハ保管装置を設け
ることで対応でき費用面での効果が大である。
【００４３】実施の形態５．なお、上記実施の形態４で
は、ウエハ保管装置１００、または２００を半導体製造
装置３０１、３０２、３０３に各々１式づつ設置する例
を示したが、図７に示すように製造ラインのタクトタイ
ムおよび次工程での保管環境の要求に合せて、１台の製
造装置に異ったつまり従来型のものと本願発明のウエハ
保管装置を設置すればさらに良好な品質が確保出来る。
【００４４】なお、本発明は上記した実施例に限定され
るものではないことは言うまでもなく、さらに特許請求
の範囲と実質的に均等な範囲のものまでも含む。
【００４５】
【発明の効果】請求項１に記載の半導体ウエハ保管シス
テムによれば別置きの気体供給装置からケミカルフィル
タを通して通気されるので、ウエハに有機物や水分が付
着しない。従って、不必要な有機物が半導体装置に拡散
したり、不特定の酸化膜の形成がなく安定した成膜形状
が得られ、高品質の半導体装置が得られるとともに歩留
りも向上する。また、ケミカルフィルタの取換えが容易
であり、その作業時に発生する塵埃が半導体製造ライン
へ影響しない。
【００４６】請求項２に記載の半導体ウエハ保管システ
ムによればウエハに有機物や水分や塵埃が付着せず、ま
た気体供給装置の容量を小さくすることができる。
【００４７】請求項３に記載の半導体ウエハ保管システ
ムによればウエハを保管システムに投出入するとき、ク
リーンルーム内エアが保管装置本体内に侵入せず、クリ
ーンルーム内エアに含まれる有機物や水分が保管中のウ
エハに付着しない。
【００４８】請求項４に記載の半導体ウエハ保管システ
ムによれば保管装置本体内圧力がクリーンルーム圧力に
比べ常に高く所定の圧力に保持されるのでクリーンルー
ム内エアが保管装置本体内に侵入せずウエハに有機物や
水分が付着しない。
【００４９】請求項５に記載の半導体ウエハ保管システ
ムによれば、保管中のウエハにクリーンルーム中の有機
物や水分が付着せず、良好な品質の半導体装置が得ら
れ、歩留りの向上もはかれる。またフィルタの取換えも
容易であり、気体供給装置も小型化される。さらにウエ
ハの投出入時にクリーンルームエアが侵入しない。
【００５０】請求項６、７記載の半導体ウエハ保管シス
テムによれば半導体製造工程におけるウエハ保管の要求
に応じて保管雰囲気が選択できる。
【００５１】請求項８記載の半導体装置の製造方式によ
れば、半導体製造工程における一般のクリーンルーム内
に比べて特殊なウエハ保管の要求に応じて、その工程で
必要とする製造装置にのみに対応したウエハ保管環境を
提供でき、建屋建設コスト、運転費の削減をはかれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１ないし実施の形態３の
内容を含む半導体ウエハ保管システムのウエハ保管装置
本体斜視図である。
【図２】 図１に示した装置本体の平面図である。
【図３】 半導体ウエハ保管システムの正面断面図であ
る。
【図４】 図１に示した装置本体の正面断面図である。
【図５】 図４の側面断面図である。
【図６】 本発明の実施の形態１ないし実施の形態３の
半導体ウエハ保管システムを半導体製造ライン内で使用
している実施の形態４を説明する概念レイアウト図であ
る。
【図７】 同上で実施の形態５を示す概念レイアウト図
である。
【図８】 従来のウエハ保管装置を示す図である。
【符号の説明】
１ クリーンルーム ２１ 収納棚 ２２
搬送装置 ２４ 移載機ポート ２５ 投入払出しポート ２６ 給気チャンバ、 ２７ ウエハカセット ３３
外側扉 ３４ 内側扉 ３５ カセット移載ステージ ３６ 外側扉 ３７ 内側扉 ４１
気体供給装置 ４２ 気体 ４４ ファン ４５
戻りの気体 ４５ リターンダクト ５１ 差圧計 ５２
排気 ５８ ケミカルフィルタ １００ 従来のウエハ保管装
置 ２００ 本発明のウエハ保管装置。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 クリーンルーム内に設置された半導体ウ
    エハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設けら
    れた気体供給装置とから構成されることを特徴とする半
    導体ウエハ保管システム。
  2. 【請求項２】 クリーンルーム内に設置された半導体ウ
    エハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設けら
    れた気体供給装置とから構成される半導体ウエハ保管シ
    ステムであって、前記半導体ウエハ保管装置には、ＵＬ
    ＰＡフィルタおよびファンを有する給気チャンバが収納
    されており、前記気体供給装置から前記給気チャンバを
    通り通気された気体の一部をリターンダクトを介し前記
    ファンによって前記給気チャンバに戻し、前記気体供給
    装置からの気体と混合させることを特徴とする半導体ウ
    エハ保管システム。
  3. 【請求項３】 クリーンルーム内に設置された半導体ウ
    エハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設けら
    れた気体供給装置とから構成される半導体ウエハ保管シ
    ステムであって、前記半導体ウエハ保管装置にはウエハ
    カセットの移載機ポートと投入払出しポートが設けら
    れ、前記各々のポートにはロードロック機構が備えられ
    たことを特徴とする半導体ウエハ保管システム。
  4. 【請求項４】 クリーンルーム内に設置された半導体ウ
    エハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設けら
    れた気体供給装置とから構成される半導体ウエハ保管シ
    ステムであって、前記半導体ウエハ保管装置には差圧計
    が設けられて半導体ウエハ保管装置内圧力とクリーンル
    ーム内圧力との差圧を検出し、この差圧計の信号によっ
    て前記半導体ウエハ保管装置に設けられた排気口開閉調
    整機が動作し、前記半導体ウエハ保管装置内圧力をクリ
    ーンルーム内圧力より高い所定値に保つことを特徴とす
    る半導体ウエハ保管システム。
  5. 【請求項５】 クリーンルーム内に設置された半導体ウ
    エハ保管装置と、別置きされケミカルフィルタが設けら
    れた気体供給装置とから構成される半導体ウエハ保管シ
    ステムであって、前記半導体ウエハ保管装置には、ＵＬ
    ＰＡフィルタおよびファンを有する給気チャンバが収納
    されており、前記気体給気装置から前記給気チャンバを
    通り通気された気体の一部をリターンダクトを介し前記
    ファンによって前記給気チャンバに戻し、前記気体給気
    装置からの気体と混合させ、 前記半導体ウエハ保管装置にはウエハカセットの移載機
    ポートと投入払出しポートが設けられ、前記各々のポー
    トにはロードロック機構が備えられ、 さらに前記半導体ウエハ保管装置には差圧計が設けられ
    て半導体ウエハ保管装置内圧力とクリーンルーム内圧力
    との差圧を検出し、この差圧計の信号によって、 前記半導体ウエハ保管装置に設けられた排気口開閉調整
    機構が動作し、前記半導体ウエハ保管装置内圧力をクリ
    ーンルーム内圧力より高い所定値に保つことを特徴とす
    る半導体ウエハ保管システム。
  6. 【請求項６】 ケミカルフィルタが設けられた気体供給
    装置から通気される気体は、ドライエアからなる請求項
    １〜５のいずれかに記載の半導体ウエハ保管システム。
  7. 【請求項７】 ケミカルフィルタが設けられた気体供給
    装置から通気される気体は、ドライ窒素からなる請求項
    １〜５のいずれかに記載の半導体ウエハ保管システム。
  8. 【請求項８】 半導体装置の製造ラインに、製造工程に
    対応して以下の半導体ウエハ保管システムを設置したこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方式。 （１）クリーンルーム内に設置された半導体ウエハ保管
    装置に、別置きされケミカルフィルタが設けられた気体
    供給装置から通気される半導体ウエハ保管システム。 （２）クリーンルーム内に設置された半導体ウエハ保管
    装置に、クリーンルーム内空気を取り込み通気される半
    導体ウエハ保管システム。
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