JPH07106406A - ウエハ保管設備 - Google Patents
ウエハ保管設備Info
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- JPH07106406A JPH07106406A JP940191A JP940191A JPH07106406A JP H07106406 A JPH07106406 A JP H07106406A JP 940191 A JP940191 A JP 940191A JP 940191 A JP940191 A JP 940191A JP H07106406 A JPH07106406 A JP H07106406A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保管中における自然酸化膜の成長を抑制する
ことができるウエハ保管設備を提供する。 【構成】 背部にフイルタ２０を取着したウエハ保管棚
１５、１６と、このウエハ保管棚の各区分棚に１９対し
てウエハカセットを出入れする移載装置７０と、上記ウ
エハ保管棚の背部に不活性流体を送り上記フイルタ２０
ーを通して上記移載装置７０側に向かう流れを発生させ
る流体循環装置と、下部排気口とを備えるウエハ保管庫
１０、このウエハ保管庫の入庫口に設けられた入庫側パ
スボックス３０、上記ウエハ保管庫の出庫口に設けられ
た出庫側パスボックス３１、上記不活性流体を貯えた不
活性流体貯留タンク４０、この不活性流体貯留タンクか
ら上記ウエハ保管庫へ伸び第１のバルブ５１を有する第
１のガス供給配管４１、上記不活性流体貯留タンクから
上記入庫側パスボックスへ伸び第２のバルブ５２を有す
る第２のガス供給配管４２、上記不活性流体貯留タンク
から上記出庫側パスボックスへ伸び第３のバルブ５３を
有する第３のガス供給配管４３、これらのバルブを制御
する流量制御装置４０を備えることを特徴とする。
ことができるウエハ保管設備を提供する。 【構成】 背部にフイルタ２０を取着したウエハ保管棚
１５、１６と、このウエハ保管棚の各区分棚に１９対し
てウエハカセットを出入れする移載装置７０と、上記ウ
エハ保管棚の背部に不活性流体を送り上記フイルタ２０
ーを通して上記移載装置７０側に向かう流れを発生させ
る流体循環装置と、下部排気口とを備えるウエハ保管庫
１０、このウエハ保管庫の入庫口に設けられた入庫側パ
スボックス３０、上記ウエハ保管庫の出庫口に設けられ
た出庫側パスボックス３１、上記不活性流体を貯えた不
活性流体貯留タンク４０、この不活性流体貯留タンクか
ら上記ウエハ保管庫へ伸び第１のバルブ５１を有する第
１のガス供給配管４１、上記不活性流体貯留タンクから
上記入庫側パスボックスへ伸び第２のバルブ５２を有す
る第２のガス供給配管４２、上記不活性流体貯留タンク
から上記出庫側パスボックスへ伸び第３のバルブ５３を
有する第３のガス供給配管４３、これらのバルブを制御
する流量制御装置４０を備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを取り扱
うクリーンルーム内において、ウエハカセットを一時的
に保管するウエハ保管設備に関する。
うクリーンルーム内において、ウエハカセットを一時的
に保管するウエハ保管設備に関する。
【０００２】
【従来の技術】クリーンルーム内の物品保管設備として
は、従来、特平１―４１５６１号公報に記載されたもの
がある。ここに開示されている物品保管設備は、物品保
管室内に、上下方向ならびに横方向に複数の区画収納空
間を有する物品保管棚と、両側に並ぶ物品保管棚間の中
央通路に沿って敷設された一定経路上を走行自在に且つ
昇降ならびに横方向進退自在な荷出入れ機構を有する搬
入出装置を備えている。この種の物品保管設備では、物
品保管棚の下部側にエア供給装置を設け、このエア供給
装置からのエアをフイルタを通しクリーンエアにして、
物品保管棚の背部から搬入出装置側へ吹き出されるよう
にして、塵埃が物品保管棚側へ浮遊し、滞留するのを防
止している。
は、従来、特平１―４１５６１号公報に記載されたもの
がある。ここに開示されている物品保管設備は、物品保
管室内に、上下方向ならびに横方向に複数の区画収納空
間を有する物品保管棚と、両側に並ぶ物品保管棚間の中
央通路に沿って敷設された一定経路上を走行自在に且つ
昇降ならびに横方向進退自在な荷出入れ機構を有する搬
入出装置を備えている。この種の物品保管設備では、物
品保管棚の下部側にエア供給装置を設け、このエア供給
装置からのエアをフイルタを通しクリーンエアにして、
物品保管棚の背部から搬入出装置側へ吹き出されるよう
にして、塵埃が物品保管棚側へ浮遊し、滞留するのを防
止している。
【０００３】更に、搬入出装置は、自走台車上に、荷出
入れ機構を案内する昇降案内装置や昇降駆動装置を搭載
しているので、磨耗による塵埃が発生し、そのままで
は、この塵埃が床下側に吸引除去されることなく物品保
管棚側へ移行して半導体ウエハ等に付着することになる
ので、搬入出装置の自走台車上に搭載している昇降案内
装置や昇降駆動装置等の全体にカバーを被せるとともに
自走台車下面側にエア吸引装置を設けて、カバー内で発
生した上記塵埃をエア吸引装置で下に吸引して、床下側
へ吸引除去するようにしている。
入れ機構を案内する昇降案内装置や昇降駆動装置を搭載
しているので、磨耗による塵埃が発生し、そのままで
は、この塵埃が床下側に吸引除去されることなく物品保
管棚側へ移行して半導体ウエハ等に付着することになる
ので、搬入出装置の自走台車上に搭載している昇降案内
装置や昇降駆動装置等の全体にカバーを被せるとともに
自走台車下面側にエア吸引装置を設けて、カバー内で発
生した上記塵埃をエア吸引装置で下に吸引して、床下側
へ吸引除去するようにしている。
【０００４】このように、クリーンルーム内の従来の物
品保管設備では、物品保管棚の背部から上記中央通路側
に向かうクリーンエアの気流を形成せしめて、浮遊塵埃
が物品保管棚の物品（ウエハカセットに収納されている
半導体ウエハ）に付着するのを防止するようにしてい
る。
品保管設備では、物品保管棚の背部から上記中央通路側
に向かうクリーンエアの気流を形成せしめて、浮遊塵埃
が物品保管棚の物品（ウエハカセットに収納されている
半導体ウエハ）に付着するのを防止するようにしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この例でも理解される
ように、半導体ウエハは塵埃による汚染を嫌うので、こ
れに対する対策は施されているが、半導体ＩＣの高集積
化が進むに伴い、保管中の自然酸化による酸化膜の形成
に対しても考慮する必要が生じてくる。
ように、半導体ウエハは塵埃による汚染を嫌うので、こ
れに対する対策は施されているが、半導体ＩＣの高集積
化が進むに伴い、保管中の自然酸化による酸化膜の形成
に対しても考慮する必要が生じてくる。
【０００６】図２及び図３は「超ＬＳＩウルトラクリー
ン テクノロジーシンポジュウム」（１９９０年１１月
１９日）で発表された論文中に記載されているもので、
図２はシリコン半導体ウエハの自然酸化による酸化膜の
形成と時間との関係を示し、図３は抵抗率と時間との関
係を示している。この論文によれは、シリコン半導体ウ
エハを大気さらしておくと、図２に示されるように、１
００〜２００分後には酸化膜の成長率が高くなり、図３
に示されるように、抵抗率はクリーニング無しの場合に
はほぼ５０分後から急激に高くなっている。
ン テクノロジーシンポジュウム」（１９９０年１１月
１９日）で発表された論文中に記載されているもので、
図２はシリコン半導体ウエハの自然酸化による酸化膜の
形成と時間との関係を示し、図３は抵抗率と時間との関
係を示している。この論文によれは、シリコン半導体ウ
エハを大気さらしておくと、図２に示されるように、１
００〜２００分後には酸化膜の成長率が高くなり、図３
に示されるように、抵抗率はクリーニング無しの場合に
はほぼ５０分後から急激に高くなっている。
【０００７】物品保管庫は、通常、半導体ウエハを数時
間〜数日間にわ亘り保管するので、物品保管庫内での自
然酸化膜の形成が原因で、高集積度ＩＣの製造が難しく
なるという問題が生じてくる。
間〜数日間にわ亘り保管するので、物品保管庫内での自
然酸化膜の形成が原因で、高集積度ＩＣの製造が難しく
なるという問題が生じてくる。
【０００８】本発明は上記問題を解消するためになされ
たもので、保管中における自然酸化膜の成長を抑制する
ことができるウエハ保管設備を提供することを目的とす
る。
たもので、保管中における自然酸化膜の成長を抑制する
ことができるウエハ保管設備を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、背部にフイルタを取着したウエハ保管棚と、
このウエハ保管棚の各棚に対してウエハカセットを出入
れする昇降可能な移載機構を搭載し上記ウエハ保管棚の
前面通路に配設されたレール上を走行する移載装置と、
上記ウエハ保管棚の背部に不活性流体を送り上記フイル
ターを通して上記前面通路側に向かう流れを発生させる
流体循環装置と、下部排気口とを備えるウエハ保管庫、
このウエハ保管庫の入出庫口に設けられたパスボック
ス、上記不活性流体を貯えた不活性流体貯留タンク、こ
の不活性流体貯留タンクから上記ウエハ保管庫へ伸び第
１のバルブを有する第１のガス供給配管、上記不活性流
体貯留タンクから上記パスボックスへ伸び第２のバルブ
を有する第２のガス供給配管、これらのバルブを制御す
る流量制御装置を備える構成とした。
するため、背部にフイルタを取着したウエハ保管棚と、
このウエハ保管棚の各棚に対してウエハカセットを出入
れする昇降可能な移載機構を搭載し上記ウエハ保管棚の
前面通路に配設されたレール上を走行する移載装置と、
上記ウエハ保管棚の背部に不活性流体を送り上記フイル
ターを通して上記前面通路側に向かう流れを発生させる
流体循環装置と、下部排気口とを備えるウエハ保管庫、
このウエハ保管庫の入出庫口に設けられたパスボック
ス、上記不活性流体を貯えた不活性流体貯留タンク、こ
の不活性流体貯留タンクから上記ウエハ保管庫へ伸び第
１のバルブを有する第１のガス供給配管、上記不活性流
体貯留タンクから上記パスボックスへ伸び第２のバルブ
を有する第２のガス供給配管、これらのバルブを制御す
る流量制御装置を備える構成とした。
【００１０】請求項２では、第１のバルブ、第２のバル
ブは共にＯＮ／ＯＦＦバルブであって、流量制御装置に
より時間管理される構成とし、請求項３では、ウエハ保
管庫内の酸素濃度を測定する酸素濃度計を有し、流量制
御装置は酸素濃度測定値と規定値との差に基づき第１の
バルブの開度を制御する構成とした。
ブは共にＯＮ／ＯＦＦバルブであって、流量制御装置に
より時間管理される構成とし、請求項３では、ウエハ保
管庫内の酸素濃度を測定する酸素濃度計を有し、流量制
御装置は酸素濃度測定値と規定値との差に基づき第１の
バルブの開度を制御する構成とした。
【００１１】請求項４では、ウエハ保管庫は二重壁構造
であって、ウエハ保管棚を配設する室を囲む空間を有
し、該室の天井はフィルタ壁、該室の底は吸引壁であ
り、上記空間が不活性流体の循環路となる構成とした。
であって、ウエハ保管棚を配設する室を囲む空間を有
し、該室の天井はフィルタ壁、該室の底は吸引壁であ
り、上記空間が不活性流体の循環路となる構成とした。
【００１２】
【作用】本発明では、ウエハ保管室内が、常時、不活性
ガスで充満されるので、半導体ウエハ表面の自然酸化膜
の成長が抑制され、また、ウエハ保管室内では区分棚の
背部から移載装置側に向かう不活性ガスの気流が生成さ
れるので、区分棚内の半導体ウエハへの塵埃の付着も防
止される。
ガスで充満されるので、半導体ウエハ表面の自然酸化膜
の成長が抑制され、また、ウエハ保管室内では区分棚の
背部から移載装置側に向かう不活性ガスの気流が生成さ
れるので、区分棚内の半導体ウエハへの塵埃の付着も防
止される。
【００１３】
【実施例】以下、本考案の１実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１４】図１において、１０はウエハ保管庫（スト
ッカー）であって、二重壁構造となっており、外壁１１
と内壁１２との間に空所１３が区画され、内壁１１で囲
まれる空間がウエハ保管室（主ストッカー）１４となっ
ている。このウエハ保管室１４の天井はフィルタ壁１４
Ａ、底は吸引壁１４Ｂとなっている。また、ウエハ保管
庫１０の外壁１１の底には排出口１１Ｂが設けられてい
る。ウエハ保管室１４の左右壁側にはそれぞれウエハ保
管棚１５、１６が設置され、ウエハ保管棚１５、１６の
背部と内壁１２との間に流体通路１７、１８が設けられ
ている。このウエハ保管棚１５、１６はウエハカセット
を収納する複数の区分棚１９を有しており、各区分棚１
９と流体通路１７もしくは１８との仕切りにはフィルタ
２０が設けられている。ウエハ保管棚１５、１６の下部
には流体通路１７、１８と連通する空所２１、２２が区
画されており、この空所２１には循環用ポンプ２３が配
置されている。図示しないが、空所２１についても同様
である。３０は第１の入出庫口に設けた第１のパスボッ
クス、３１は第２の入出庫口に設けた第２のパスボック
スであり、それぞれの天井にはフィルタ３０Ａ、３１Ａ
が配設され、底壁には排出口３０Ａ、３０Ｂが設けられ
ている。
ッカー）であって、二重壁構造となっており、外壁１１
と内壁１２との間に空所１３が区画され、内壁１１で囲
まれる空間がウエハ保管室（主ストッカー）１４となっ
ている。このウエハ保管室１４の天井はフィルタ壁１４
Ａ、底は吸引壁１４Ｂとなっている。また、ウエハ保管
庫１０の外壁１１の底には排出口１１Ｂが設けられてい
る。ウエハ保管室１４の左右壁側にはそれぞれウエハ保
管棚１５、１６が設置され、ウエハ保管棚１５、１６の
背部と内壁１２との間に流体通路１７、１８が設けられ
ている。このウエハ保管棚１５、１６はウエハカセット
を収納する複数の区分棚１９を有しており、各区分棚１
９と流体通路１７もしくは１８との仕切りにはフィルタ
２０が設けられている。ウエハ保管棚１５、１６の下部
には流体通路１７、１８と連通する空所２１、２２が区
画されており、この空所２１には循環用ポンプ２３が配
置されている。図示しないが、空所２１についても同様
である。３０は第１の入出庫口に設けた第１のパスボッ
クス、３１は第２の入出庫口に設けた第２のパスボック
スであり、それぞれの天井にはフィルタ３０Ａ、３１Ａ
が配設され、底壁には排出口３０Ａ、３０Ｂが設けられ
ている。
【００１５】４０は不活性ガスガス（この例では、Ｎ2
ガス）のガス貯留タンク（Ｎ2 ガスボンベ）、５０は流
量制御装置である。４１は第１のガス供給配管であっ
て、貯留タンク４０から物品保管庫１０の天井に伸び、
外壁１１と内壁１２との間の空所１３内に開口してい
る。５１は可変流量のバルブである。４２は第２のガス
供給配管であって、貯留タンク４０からパスボックス３
０の上部に伸びている。５２はＯＮ／ＧＦＦバルブであ
る。４３は第３のガス供給配管であって、貯留タンク４
０からパスボックス３１の上部に伸びている。５３はＯ
Ｎ／ＧＦＦバルブである。５４、５５および５６は常時
閉のバルブてある。
ガス）のガス貯留タンク（Ｎ2 ガスボンベ）、５０は流
量制御装置である。４１は第１のガス供給配管であっ
て、貯留タンク４０から物品保管庫１０の天井に伸び、
外壁１１と内壁１２との間の空所１３内に開口してい
る。５１は可変流量のバルブである。４２は第２のガス
供給配管であって、貯留タンク４０からパスボックス３
０の上部に伸びている。５２はＯＮ／ＧＦＦバルブであ
る。４３は第３のガス供給配管であって、貯留タンク４
０からパスボックス３１の上部に伸びている。５３はＯ
Ｎ／ＧＦＦバルブである。５４、５５および５６は常時
閉のバルブてある。
【００１６】６１は第１の酸素濃度計であって、物品保
管庫１０内の酸素濃度を測定する。６２は第２の酸素濃
度計であって、パスボックス３０内の酸素濃度を測定す
る。６３は第２の酸素濃度計であって、パスボックス３
１内の酸素濃度を測定する。流量制御装置５０は酸素濃
度計６１、６２、６３が測定した酸素濃度を信号のかた
ちで取り込んて監視し、酸素濃度計６１の測定値と規定
値との差に応じてバルブ５１の弁開度を制御する。流量
制御装置５０は、また、バルブ５２、５３を一定時間間
隔毎に所定時間の間だけ開弁する。
管庫１０内の酸素濃度を測定する。６２は第２の酸素濃
度計であって、パスボックス３０内の酸素濃度を測定す
る。６３は第２の酸素濃度計であって、パスボックス３
１内の酸素濃度を測定する。流量制御装置５０は酸素濃
度計６１、６２、６３が測定した酸素濃度を信号のかた
ちで取り込んて監視し、酸素濃度計６１の測定値と規定
値との差に応じてバルブ５１の弁開度を制御する。流量
制御装置５０は、また、バルブ５２、５３を一定時間間
隔毎に所定時間の間だけ開弁する。
【００１７】７０は中央通路の床に設けられたレール上
を走行する移載装置（スタッカークレーン）である。
を走行する移載装置（スタッカークレーン）である。
【００１８】また、８１は送風用フアン、８２は吸気用
フアンである。
フアンである。
【００１９】この構成においては、先ず、ウエハ保管庫
１０内、入庫側パスボックス３０内および出庫側パスボ
ックス３１内の空気をＮ2 ガスと置換する。このため、
バルブ５１、５２および５３を全開にして、ガス貯留タ
ンク４０からガス供給配管４１、４２および４３を通し
ウエハ保管庫１０内、パスボックス３０内およびパスボ
ックス３１内にＮ2 ガスを供給する。ウエハ保管庫１０
内に供給されたＮ2 ガスはウエハ保管室１４のフィルタ
壁１４Ａを通して該ウエハ保管室１４内に入り、ウエハ
保管室１４を充満しつつ底の吸引壁１４Ｂから空所１３
に流れ、ウエハ保管庫１０内の空気はバルブ５４から追
い出されて該ウエハ保管庫１０内はＮ2ガスに置換され
る。パスボックス３０内，パスボックス３１内にもフィ
ルタ３０Ａ、３１Ａを通した流入したＮ2 ガスにより空
気がバルブ５５および５６から追い出されて該パスボッ
クス３０内およびパスボックス３１内もＮ2 ガスに置換
される。
１０内、入庫側パスボックス３０内および出庫側パスボ
ックス３１内の空気をＮ2 ガスと置換する。このため、
バルブ５１、５２および５３を全開にして、ガス貯留タ
ンク４０からガス供給配管４１、４２および４３を通し
ウエハ保管庫１０内、パスボックス３０内およびパスボ
ックス３１内にＮ2 ガスを供給する。ウエハ保管庫１０
内に供給されたＮ2 ガスはウエハ保管室１４のフィルタ
壁１４Ａを通して該ウエハ保管室１４内に入り、ウエハ
保管室１４を充満しつつ底の吸引壁１４Ｂから空所１３
に流れ、ウエハ保管庫１０内の空気はバルブ５４から追
い出されて該ウエハ保管庫１０内はＮ2ガスに置換され
る。パスボックス３０内，パスボックス３１内にもフィ
ルタ３０Ａ、３１Ａを通した流入したＮ2 ガスにより空
気がバルブ５５および５６から追い出されて該パスボッ
クス３０内およびパスボックス３１内もＮ2 ガスに置換
される。
【００２０】ウエハ保管庫１０内、入庫側パスボックス
３０内および出庫側パスボックス３１内の空気→Ｎ2 ガ
ス置換が進み、酸素濃度が規定値以下に低下すると、流
量制御装置５０はバルブ５１、５２、５３を閉弁する。
この時、バルブ５４、５５、５６も閉弁される。これよ
り後は、ウエハ保管庫１０内の酸素濃度が規定値以上に
なると、流量制御装置５０がバルブ５１の開度を制御し
てウエハ保管庫１０内に速やかにＮ2 ガスを補充し、酸
素濃度を規定値以下に維持する。また、バルブ５２と５
３は一定時間間隔毎に所定時間だけ開弁され、これによ
り、パスボックス３０内およびパスボックス３１内には
定期的にＮ2 ガスが補充される。
３０内および出庫側パスボックス３１内の空気→Ｎ2 ガ
ス置換が進み、酸素濃度が規定値以下に低下すると、流
量制御装置５０はバルブ５１、５２、５３を閉弁する。
この時、バルブ５４、５５、５６も閉弁される。これよ
り後は、ウエハ保管庫１０内の酸素濃度が規定値以上に
なると、流量制御装置５０がバルブ５１の開度を制御し
てウエハ保管庫１０内に速やかにＮ2 ガスを補充し、酸
素濃度を規定値以下に維持する。また、バルブ５２と５
３は一定時間間隔毎に所定時間だけ開弁され、これによ
り、パスボックス３０内およびパスボックス３１内には
定期的にＮ2 ガスが補充される。
【００２１】ウエハ保管室１０内では、循環用ポンプ２
３、２４が動作して、流体通路１７、１８→フィルタ２
０→区分棚１９→保管室中央部→保管室底部→フィルタ
→空所２１、２２の経路でＮ2 ガスが循環し、区分棚１
９内への塵埃の侵入を防止する。
３、２４が動作して、流体通路１７、１８→フィルタ２
０→区分棚１９→保管室中央部→保管室底部→フィルタ
→空所２１、２２の経路でＮ2 ガスが循環し、区分棚１
９内への塵埃の侵入を防止する。
【００２２】本実施例では、パスボックス３０内および
パスボックス３１内もＮ2 ガスで充満するので、ウエハ
カセットの入出庫時に、ウエハ保管室１０内の酸素濃度
が急増するようなことがなく、ウエハ保管室１０内のＮ
2 濃度を常にほぼ一定に維持することができる。
パスボックス３１内もＮ2 ガスで充満するので、ウエハ
カセットの入出庫時に、ウエハ保管室１０内の酸素濃度
が急増するようなことがなく、ウエハ保管室１０内のＮ
2 濃度を常にほぼ一定に維持することができる。
【００２３】なお、上記実施例では、バルブ５２、５３
は一定時間間隔毎に所定時間だけ開弁する、即ち時間管
理しているが、ウエハカセットの入庫時、ウエハカセッ
トの入庫時は特別に開弁するようにしてもよく、バルブ
５１と同様に酸素濃度に基づいて開閉制御する構成とし
てもよす。また、逆に、バルブ５１も時間管理するよう
にしてもよい。
は一定時間間隔毎に所定時間だけ開弁する、即ち時間管
理しているが、ウエハカセットの入庫時、ウエハカセッ
トの入庫時は特別に開弁するようにしてもよく、バルブ
５１と同様に酸素濃度に基づいて開閉制御する構成とし
てもよす。また、逆に、バルブ５１も時間管理するよう
にしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明は以上説明した通り、ウエハ保管
室内を、常時、不活性ガスで充満させることができるの
で、半導体ウエハ表面の自然酸化膜の成長を抑制するこ
とができ、また、ウエハ保管室内では区分棚の背部から
移載装置側に向かう不活性ガスの気流を生成しているの
で、区分棚内の半導体ウエハへの塵埃の付着も防止する
ことができる。
室内を、常時、不活性ガスで充満させることができるの
で、半導体ウエハ表面の自然酸化膜の成長を抑制するこ
とができ、また、ウエハ保管室内では区分棚の背部から
移載装置側に向かう不活性ガスの気流を生成しているの
で、区分棚内の半導体ウエハへの塵埃の付着も防止する
ことができる。
【図１】本発明の実施例の縦断面図である。
【図２】シリコン半導体ウエハの自然酸化による酸化膜
の形成と時間との関係を示す図である。
の形成と時間との関係を示す図である。
【図２】シリコン半導体ウエハの自然酸化による酸化膜
抵抗率と時間との関係を示す図である。
抵抗率と時間との関係を示す図である。
１０ ウエハ保管庫 １４ ウエハ保管室 １４Ａ フィルタ壁 １５、１６ ウエハ保管棚 １７、１８ 流体通路 １９ 区分棚 ２０ フィルタ ２１ 循環用ボンプ ３０、３１ パスボックス ３０Ａ、３１Ｂ フィルタ ４０ ガス貯留タンク ４１〜４３ ガス供給配管 ５０ 流量制御装置 ５１〜５３ バルブ ６１〜６３ 酸素濃度計 ７０ 移載装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月１日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の縦断面図である。
【図２】 シリコン半導体ウエハの自然酸化に
よる酸化膜の形成と時間との関係を示す図である。
よる酸化膜の形成と時間との関係を示す図である。
【図３】 シリコン半導体ウエハの自然酸化に
よる酸化膜抵抗率と時間との関係を示す図である。
よる酸化膜抵抗率と時間との関係を示す図である。
【符号の説明】 １０ ウエハ保管庫 １４ ウエハ保管室 １４Ａ フイルタ壁 １５、１６ ウエハ保管棚 １７、１８ 流体通路 １９ 区分棚 ２０ フィルタ ２１ 循環用ボンプ ３０、３１ パスボックス ３０Ａ、３１Ｂ フィルタ ４０ ガス貯留タンク ４１〜４３ ガス供給配管 ５０ 流量制御装置 ５１〜５３ バルブ ６１〜６３ 酸素濃度計 ７０ 移載装置
フロントページの続き (72)発明者 村田 正直 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 背部にフイルタを取着したウエハ保管棚
と、このウエハ保管棚の各棚に対してウエハカセットを
出入れする昇降可能な移載機構を搭載し上記ウエハ保管
棚の前面通路に配設されたレール上を走行する移載装置
と、上記ウエハ保管棚の背部に不活性流体を送り上記フ
イルターを通して上記前面通路側に向かう流れを発生さ
せる流体循環装置と、下部排気口とを備えるウエハ保管
庫、このウエハ保管庫の入出庫口に設けられたパスボッ
クス、上記不活性流体を貯えた不活性流体貯留タンク、
この不活性流体貯留タンクから上記ウエハ保管庫へ伸び
第１のバルブを有する第１のガス供給配管、上記不活性
流体貯留タンクから上記パスボックスへ伸び第２のバル
ブを有する第２のガス供給配管、これらのバルブを制御
する流量制御装置を備えることを特徴とするウエハ保管
設備。 - 【請求項２】 第１のバルブ、第２のバルブは共にＯＮ
／ＯＦＦバルブであって、流量制御装置により時間管理
されることを特徴とする請求項１記載のウエハ保管設
備。 - 【請求項３】 ウエハ保管庫内の酸素濃度を測定する酸
素濃度計を有し、流量制御装置は酸素濃度測定値と規定
値との差に基づき第１のバルブの開度を制御することを
特徴とする請求項１記載のウエハ保管設備。 - 【請求項４】 ウエハ保管庫は二重壁構造であって、ウ
エハ保管棚を配設する室を囲む空間を有し、該室の天井
はフィルタ壁、該室の底は吸引壁であり、上記空間が不
活性流体の循環路となることを特徴とする請求項１〜３
記載のウエハ保管設備。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP940191A JPH07106406A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ保管設備 |
| US07/826,954 US5303482A (en) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Wafer airtight keeping unit and keeping facility thereof |
| DE69228014T DE69228014T2 (de) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Einheit zum luftdichten Aufbewahren von Halbleiterscheiben |
| EP92101358A EP0497281B1 (en) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Wafer airtight keeping unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP940191A JPH07106406A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ保管設備 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106406A true JPH07106406A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=11719401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP940191A Pending JPH07106406A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ウエハ保管設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106406A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997398A (en) * | 1995-12-01 | 1999-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer storage apparatus and semiconductor device fabricating apparatus using said apparatus |
| JP2001193900A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-17 | Ebara Corp | ガス循環システム |
| US6398476B1 (en) | 1997-01-24 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Automatic storage unit and automatic storing method |
| JP2005061719A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 乾燥パスボックス |
| JP2009512201A (ja) * | 2005-10-17 | 2009-03-19 | ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー | 汚染の影響を受けやすい平坦な物品を保管する、特に、半導体ウェハを保管する装置 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP940191A patent/JPH07106406A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997398A (en) * | 1995-12-01 | 1999-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer storage apparatus and semiconductor device fabricating apparatus using said apparatus |
| US6398476B1 (en) | 1997-01-24 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Automatic storage unit and automatic storing method |
| JP2001193900A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-17 | Ebara Corp | ガス循環システム |
| JP2005061719A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 乾燥パスボックス |
| JP2009512201A (ja) * | 2005-10-17 | 2009-03-19 | ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー | 汚染の影響を受けやすい平坦な物品を保管する、特に、半導体ウェハを保管する装置 |
| US8777540B2 (en) | 2005-10-17 | 2014-07-15 | Dynamic Microsystems Semiconductor Equipment Gmbh | Apparatus for storing contamination-sensitive flat articles, in particular for storing semiconductor wafers |
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