JP2001319867A - 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム - Google Patents

塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハに付着した水分等の分子レベルの不純
物を除去し，前記不純物の除去処理を必要最小限の好適
な条件で行う。 【解決手段】 塗布現像処理システム１の受け渡し部６
の第１の経路６０に，チャンバ内を所定の設定圧力に減
圧して所定時間チャンバ内のウェハＷに付着している水
分等の不純物を除去する減圧除去装置６５を設ける。吸
引装置７６によって減圧されるこのチャンバ内の圧力
は，第１の弁７８によって制御され，この第１の弁７８
は，コントローラ７９によってチャンバ内が設定圧力に
なるように制御される。一方，処理ステーション３に不
純物の濃度を測定する濃度測定装置１５を設ける。そし
て，この不純物の濃度の測定値がコントローラ７９に逐
次送られ，前記不純物の除去処理の際の所定の設定圧力
と減圧時間は，その測定値に基づいて必要最小限の好適
なものに調節される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の塗布現像処
理方法及び塗布現像処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパター
ンを照射して露光する露光処理，露光後のウェハに対し
て現像を行う現像処理，塗布処理前，露光処理前後及び
現像処理後にする加熱処理，冷却処理等が行われる。こ
れらの処理は，個別に設けられた各処理装置において行
われ，これらの各処理装置は，前記一連の処理を連続し
て行えるように一つに集約され，塗布現像処理システム
を構成している。
【０００３】通常，前記塗布現像処理システムは，この
塗布現像処理システム内に基板を搬入出するローダ・ア
ンローダ部と，塗布処理装置，現像処理装置，熱処理装
置等を有し，前記ウェハ処理の大半が行われる処理部
と，ウェハの露光処理が行われるシステム外にある露光
処理装置に隣接して設けられ，前記処理部と前記露光処
理装置間でウェハの受け渡しを行うインタフェイス部と
で構成されている。
【０００４】そして，この塗布現像処理システムにおい
てウェハの処理が行われる際には，ウェハに微粒子等の
不純物が付着することを防止するために，前記塗布現像
処理システム内に，空気清浄機等で清浄にされた空気を
ダウンフローとして供給するようにして，ウェハを清浄
な状態で処理できるようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，近年，
より細かく，より精密な回路パターンを形成するため
に，より短い波長の光を用いた露光技術が開発されつつ
あり，その短い波長の光を用いた場合には，今まで問題
とならなかった分子レベルの不純物，例えば，水分，水
蒸気，酸素，オゾン，有機物等が露光処理に悪影響を与
えるため，水分等を含む清浄空気のダウンフローだけで
は，精密な回路パターンが形成されないことが懸念され
る。
【０００６】そこで，ウェハが露光処理される前に気密
性の維持できるチャンバ内に基板を搬入し，その後チャ
ンバ内を所定の圧力に減圧してウェハの表面に付着した
不純物を除去する方法が考えられる。しかし，この場合
においても，ウェハに付着した不純物の量に関わらず，
一定の条件に設定されたチャンバ内で不純物を除去する
ようにすると，過剰なまでの除去処理が行われたり，除
去が不十分であったりすることが起こりうる。
【０００７】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ等の基板に付着した水分等の分子レベル
の不純物を除去し，さらに前記不純物の除去処理を必要
最小限の好適な条件で行う塗布現像処理方法とその塗布
現像処理方法を実施する塗布現像処理システムとを提供
することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，塗布現像処理システムの処理部において基板に塗布
液を供給して基板に塗布膜を形成する工程と，露光処理
装置において前記塗布膜が形成された基板に所定の光を
照射して前記基板を露光する工程と，前記処理部におい
て露光処理後に前記基板を現像する工程とを有する塗布
現像処理方法であって，前記塗布膜形成工程と前記露光
工程との間に，チャンバ内に基板を搬入する工程と，そ
の後気密に閉鎖された前記チャンバ内を所定の圧力に減
圧して所定の時間前記チャンバ内の基板に付着した不純
物を前記基板から除去する工程とを有し，前記所定の圧
力と前記所定の時間は，前記処理部内で測定される不純
物の濃度に基づいて調節されることを特徴とする塗布現
像処理方法が提供される。なお，不純物とは，埃や塵等
の微粒子だけでなく，水分，水蒸気，酸素，オゾン，有
機物等の分子レベルの不純物を含む意味である。
【０００９】このように，前記塗布膜形成工程と前記露
光工程との間に基板に付着した不純物を除去する工程を
有することにより，露光処理される際には基板が清浄化
されているため，不純物による悪影響を抑えて露光処理
が好適に行われる。また，前記除去工程の行われる前記
チャンバ内の前記所定の減圧圧力と所定の時間を前記処
理部内の不純物の濃度に基づいて調節することにより，
例えば基板に不純物があまり付着していないと予想され
る場合，すなわち前記処理部内の不純物の濃度が低い場
合には，前記所定の圧力を低くし又は前記所定時間を短
くして過剰な除去処理を抑制することができる。また，
基板に不純物が多く付着していると予想される場合，す
なわち前記処理部の不純物の濃度が高い場合には，前記
所定の圧力を高くし又は前記所定の時間を長くして除去
処理が十分に行われるようにする。こうすることによ
り，前記不純物の除去処理が必要最小限の好適な条件で
行われる。また，チャンバ内を減圧させることにより，
塗布液中の溶剤も同時に蒸発させることができ，従来加
熱によって行っていたこのような処理を同時に行うこと
ができる。なお，前記不純物の除去処理は，前記チャン
バ内を所定の圧力，例えば水の所定温度の飽和水蒸気圧
以下に減圧させ，基板上に付着した例えば水分を蒸発さ
せることにより行われるものである。また，ここで言う
前記所定圧力と前記所定の時間の調節は，両者を行う場
合だけでなく，どちら一方を行う場合をも含む意味であ
る。
【００１０】請求項２の発明によれば，塗布現像処理シ
ステムの処理部において基板に塗布液を供給して基板に
塗布膜を形成する工程と，露光処理装置において前記塗
布膜が形成された基板に所定の光を照射して前記基板を
露光する工程と，前記処理部において露光処理後に前記
基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であっ
て，前記塗布膜形成工程と前記露光工程との間に，チャ
ンバ内に基板を搬入する工程と，その後気密に閉鎖され
た前記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前
記チャンバ内の前記基板に付着した不純物を前記基板か
ら除去する工程とを有し，前記所定の圧力と前記所定の
時間は，前記塗布現像処理システムの置かれたクリーン
ルーム内で測定される不純物の濃度に基づいて調節され
ることを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
【００１１】この請求項２によれば，請求項１と同様
に，基板に付着した不純物を除去することができるの
で，不純物による悪影響を抑えて露光処理が好適に行わ
れる。また，前記クリーンルーム内の不純物の濃度に基
づいて前記所定の圧力と前記所定の時間を調節できるの
で，請求項１と同様に，基板に付着した水分等の不純物
の量に適切に対応した除去処理を行うことができる。ま
た，クリーンルーム内の不純物の濃度に基づいて前記調
節を行うことにより，不純物の濃度を測定する測定装置
を設置しやすいクリーンルームに設けることができる。
【００１２】上述した請求項１及び２の発明において，
請求項３のように不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
し，各所定の濃度範囲に対応した前記所定の圧力と前記
所定の時間を記憶する工程とをさらに有し，前記所定の
圧力と所定の時間の調節工程は，測定される前記不純物
の濃度に基づいて，その濃度の属する前記所定の濃度範
囲に対応する前記記憶された所定の圧力と所定の時間に
調節するようにしてもよい。このように，不純物の濃度
を区分し，その区分された濃度範囲毎に適切な前記所定
の圧力と前記所定の時間を記憶させておき，測定される
前記不純物の濃度に基づいて前記記憶された所定の圧力
と所定の時間に調節することにより，前記不純物の濃度
が同一濃度範囲に属する場合には前記調節工程は行われ
ず，前記不純物の濃度が他の濃度範囲に属するようにな
った場合にのみ前記調節工程が行われる。したがって，
基板に付着した不純物の量にさほど影響を与えないよう
な前記不純物の濃度の変動に対しては，前記調節工程が
行われず，必要な場合にのみ行うことができる。
【００１３】かかる請求項１〜３の発明において，請求
項４のように前記チャンバ内を所定の圧力に減圧する際
の所定の減圧速度をも，前記不純物の濃度に基づいて調
節されるようにしてもよい。このように，前記減圧速度
を調節すると，前記所定の圧力まで到達する時間が調節
できるため，例えば基板に付着した不純物が多い場合の
は，より長い間不純物を除去し，逆に基板に付着した不
純物の量が少ない場合には，より短い間不純物を除去す
ることができる。したがって，基板上に付着した不純物
の量に応じた時間で不純物を除去することができる。
【００１４】請求項５の発明によれば，塗布現像処理シ
ステムの処理部において基板に塗布液を供給して基板に
塗布膜を形成する工程と，露光処理装置において前記塗
布膜が形成された基板に所定の光を照射して前記基板を
露光する工程と，前記処理部において露光処理後に前記
基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であっ
て，前記塗布膜形成工程と前記露光工程との間に，チャ
ンバ内に基板を搬入する工程と，その後気密に閉鎖され
た前記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前
記チャンバ内の基板に付着した不純物を前記基板から除
去する工程とを有し，前記減圧時の減圧速度は，前記処
理部内で測定される不純物の濃度に基づいて調節される
ことを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
【００１５】このように，処理部内の不純物の濃度に基
づいて請求項１で記載した前記所定の圧力の代わりに前
記所定の減圧速度を調節することにより，前記所定圧力
に到達するまでの時間が調節され，基板に付着した不純
物の量に応じた時間，例えば不純物の濃度が高く，基板
に付着した不純物の量が多くなると予想される場合に
は，より長い時間吸引し，不純物の濃度が低く，基板に
付着した不純物の量が少なくなると予想される場合に
は，より短い時間吸引するようにして，前記不純物を除
去することができる。従って，必要以上の不純物の除去
処理が抑制され，好適な条件でその除去処理を行うこと
ができる。また，処理部で測定は，最も基板に不純物が
付着する可能性の高い場所での測定となるので，基板に
付着する不純物の量に密接に関係した測定値を得ること
ができる。また，チャンバ内を減圧させることにより，
塗布液中の溶剤も同時に蒸発させることができ，従来加
熱によって行っていたこのような処理を同時に行うこと
ができる。
【００１６】また，請求項６によれば，塗布現像処理シ
ステムの処理部において基板に塗布液を供給して基板に
塗布膜を形成する工程と，露光処理装置において前記塗
布膜が形成された基板に所定の光を照射して前記基板を
露光する工程と，前記処理部において露光処理後に前記
基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であっ
て，前記塗布膜形成工程と前記露光工程との間に，チャ
ンバ内に基板を搬入する工程と，その後気密に閉鎖され
た前記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前
記チャンバ内の基板に付着した不純物を前記基板から除
去する工程とを有し，前記減圧時の減圧速度は，前記塗
布現像処理システムの置かれたクリーンルーム内で測定
される不純物の濃度に基づいて調節されることを特徴と
する塗布現像処理方法が提供される。このように，クリ
ーンルーム内の不純物の濃度に基づいて前記減圧速度を
調節してもよく，不純物の除去処理を必要最小限の好適
な条件で行うことができる。なお，クリーンルームでの
前記濃度の測定は，スペースが広く他の装置の制約を受
けないので測定に適している。
【００１７】かかる請求項４〜６の発明において，請求
項７のように不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分し，
各所定の濃度範囲に対応した前記所定の減圧速度を記憶
する工程とを更に有し，前記所定の減圧速度の調節工程
は，測定される前記不純物の濃度に基づいて，その濃度
の属する前記所定の濃度範囲に対応する前記記憶された
減圧速度に調節するようにしてもよい。このように，請
求項３と同様にして，減圧速度の調節工程を測定される
前記不純物の濃度の基づいて，その濃度の属する前記所
定の濃度範囲に対応する前記記憶された減圧速度に調節
して行うことにより，基板上に付着する不純物の量がさ
ほど変わらない程度に前記不純物の濃度が変動した場合
には，前記濃度範囲が同一であるため前記減圧速度の調
節が行われず，前記減圧速度の調節を必要な場合にのみ
行うことができる。
【００１８】請求項８の発明によれば，少なくとも基板
に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を
行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装
置とを有する処理部と，少なくとも前記処理部と前記基
板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の
搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像
処理システムであって，前記処理部内の不純物の濃度を
測定する濃度測定装置と，気密に閉鎖されたチャンバを
有し，前記基板が前記露光処理される前に，前記チャン
バ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前記チャンバ内
の前記基板の塗布膜に付着した不純物を除去する減圧除
去装置と，前記濃度測定装置の測定値に基づいて前記減
圧除去装置の少なくとも前記所定の圧力又は前記所定の
時間を制御する減圧制御装置とを有することを特徴とす
る塗布現像処理システムが提供される。
【００１９】このように，前記濃度測定装置と前記減圧
制御装置とを設けることにより，請求項１に記載の塗布
現像処理方法が好適に実施できる。したがって，基板に
付着した不純物が除去され，さらにその除去処理を必要
最小限の好適な条件で行うことができる。また，前記チ
ャンバ内を減圧させることにより，塗布液中の溶剤も同
時に蒸発させることができ，従来加熱によって行ってい
たこのような処理を同時に実施することができる。
【００２０】請求項９の発明によれば，少なくとも基板
に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を
行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装
置とを有する処理部と，少なくとも前記処理部と前記基
板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の
搬送を行うためのインタフェイス部とがケーシング内に
備えられた塗布現像処理システムであって，前記ケーシ
ング外であって前記塗布現像処理システムの置かれたク
リーンルーム内の不純物の濃度を測定する濃度測定装置
と，気密に閉鎖自在なチャンバを有し，前記基板が前記
露光処理される前に，前記チャンバ内を所定の圧力に減
圧して所定の時間前記チャンバ内の前記基板の塗布膜に
付着した不純物を除去する減圧除去装置と，前記濃度測
定装置の測定値に基づいて前記減圧除去装置の少なくと
も前記所定の圧力又は前記所定の時間を制御する減圧制
御装置とを有することを特徴とする塗布現像処理システ
ムが提供される。
【００２１】この請求項９によれば，上述した請求項２
の塗布現像処理方法が好適に実施され，基板から不純物
が除去されて露光処理が好適に行われる。また，前記不
純物の除去処理が必要最小限で好適な条件で行われる。
さらに，塗布液中の溶剤を蒸発させる処理を加熱するこ
となく行うことができる。
【００２２】かかる請求項８及び９の発明において，請
求項１０のように不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
し，各所定の濃度範囲に対応した前記所定の圧力と前記
所定の時間を記憶し，前記測定値に基づいて，その濃度
の属する前記所定の濃度範囲に対応する前記記憶された
所定の圧力と前記所定の時間になるように前記減圧制御
装置を制御する制御手段を有するようにしてもよい。こ
のような前記制御手段を設けることにより，上述した請
求項３の塗布現像処理方法が好適に実施され，前記減圧
制御装置による前記所定の圧力及び前記所定の時間の調
節が必要に応じて行われる。
【００２３】また，かかる請求項８〜１０の発明におい
て，請求項１１のように前記減圧制御装置は，前記濃度
測定装置の測定値に基づいて，前記チャンバ内を前記所
定の圧力に減圧する際の減圧速度を制御する機能を有す
るようにしてもよい。このように，前記減圧制御装置が
前記減圧速度を制御する機能を有することにより，上述
した請求項４の塗布現像処理方法を好適に実施すること
ができる。したがって，減圧の際の前記所定圧力までに
かかる所要時間を調節することができ，基板上の不純物
の量に応じた時間で不純物を除去することができる。
【００２４】請求項１２の発明によれば，少なくとも基
板に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像
を行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理
装置とを有する処理部と，少なくとも前記処理部と前記
基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板
の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現
像処理システムであって，少なくとも前記処理部又はイ
ンタフェイス部内の不純物の濃度を測定する濃度測定装
置と，気密に閉鎖自在なチャンバを有し，前記基板が前
記露光処理される前に，前記チャンバ内を所定の圧力に
減圧して所定の時間前記チャンバ内の前記基板の塗布膜
に付着した不純物を除去する減圧除去装置と，前記濃度
測定装置の測定値に基づいて前記減圧除去装置の前記減
圧の際の減圧速度を制御する減圧制御装置とを有するこ
とを特徴とする塗布現像処理システムが提供される。
【００２５】この請求項１２によれば，処理部等で測定
した不純物の濃度に基づいて前記減圧速度を調節するこ
とができるので，請求項５に記載した塗布現像処理方法
を好適に実施することができる。したがって，不純物の
除去処理を必要最小限の好適な条件で行うことができ
る。
【００２６】請求項１３によれば，少なくとも基板に塗
布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を行う
現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装置と
を有する処理部と，少なくとも前記処理部と前記基板の
露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送
を行うためのインタフェイス部とがケーシング内に備え
られた塗布現像処理システムであって，前記ケーシング
外であって前記塗布現像処理システムの置かれたクリー
ンルーム内の不純物の濃度を測定する濃度測定装置と，
気密に閉鎖自在なチャンバを有し，前記基板が前記露光
処理される前に，チャンバ内を所定の圧力に減圧して所
定の時間前記チャンバ内の前記基板の塗布膜に付着した
不純物を除去する減圧除去装置と，前記濃度測定装置の
測定値に基づいて前記減圧除去装置の前記減圧の際の減
圧速度を制御する減圧制御装置とを有することを特徴と
する塗布現像処理システムが提供される。
【００２７】この請求項１３の発明によれば，クリーン
ルーム内の不純物の濃度を測定し，その測定値に基づい
て前記減圧速度を調節することができるので，請求項６
に記載の塗布現像処理方法が好適に実施することができ
る。
【００２８】かかる請求項１１〜１３の発明において，
請求項１４のように不純物の濃度を所定の濃度範囲に区
分し，各所定の濃度範囲に対応した前記減圧速度を記憶
し，前記測定値に基づいて，その測定値の属する前記所
定の濃度範囲に対応する前記記憶された減圧速度になる
ように前記減圧制御装置を制御する制御手段を有するよ
うにしてもよい。このような制御手段を設けることによ
り，上述した請求項７に記載の塗布現像処理方法が好適
に実施される。したがって，減圧速度の調節を前記不純
物の濃度が前記同一の濃度範囲に属さなくなる場合にの
み行うことができるので，その減圧速度の調節を必要な
場合にのみ行うことができる。
【００２９】請求項１５の発明によれば，請求項８〜１
４の塗布現像処理システムにおいて，前記インタフェイ
ス部と前記露光処理装置とは，受け渡し部を介して接続
されており，前記減圧除去装置は，前記受け渡し部に設
けられていることを特徴とする塗布現像処理システムが
提供される。
【００３０】このように，前記減圧除去装置を前記受け
渡し部に設けることにより，前記減圧除去装置が露光処
理装置に隣接するため，前記減圧除去装置において不純
物が除去された基板を露光処理装置に搬送しやすくな
る。また，複雑な機構を有する減圧除去装置を比較的ス
ペースの取れる受け渡し部に設けることは設計上好まし
い。
【００３１】かかる請求項１５の発明において，請求項
１６のように前記受け渡し部は，前記インタフェイス部
から前記露光処理装置に基板が搬送されるときに通過す
る第１の経路と，前記露光処理装置から前記インタフェ
イス部に基板が搬送される際に通過する第２の経路とを
有し，前記減圧除去装置は，前記第１の経路に設けられ
るようにしてもよい。このように，受け渡し部内に独立
した経路を２つ設けることにより，露光処理前の基板は
前記第１の経路を通過し，露光処理後の基板は前記第２
の経路を通過するようにして，基板の処理がスムーズに
行われる。
【００３２】以上の各塗布現像処理システムにおいて，
請求項１７のように前記減圧除去装置は，前記インタフ
ェイス部に設けられるようにしてもよい。このように，
前記減圧除去装置を前記インタフェイス部内に設けるこ
とにより，従来の塗布現像処理システムを拡張して，減
圧除去装置のための新たなスペースを設ける必要がない
ので，フットプリントの観点から好ましい。また，露光
処理装置との距離が比較的近いため，露光処理装置との
基板の受け渡しが好適に行われる。特に，減圧除去装置
において不純物が除去された基板は，また新たに不純物
が付着する前に，露光処理装置に搬入される方が好まし
いので，露光処理装置の近くに減圧除去装置を設けるこ
とは重要である。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗
布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現
像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処
理システム１の背面図である。
【００３４】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，そのケーシング１ａ内に，例えば２５枚のウェハ
Ｗをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に
対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬
入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処
理工程において枚葉式に所定の処理をウェハＷに施す各
種処理装置を多段に配置している処理部としての処理ス
テーション３と，この処理ステーション３と隣接して設
けられ，前記処理ステーション３と塗布現像処理システ
ム１外に設けらている露光処理装置４との間でウェハＷ
を搬送する際の経路の一部を担うインタフェイス部５
と，このインタフェイス部５と露光処理装置４との間に
設けられ，インタフェイス部５と露光処理装置４との間
のウェハＷの受け渡しを行う受け渡し部６とを一体に接
続した構成を有している。
【００３５】カセットステーション２では，カセット載
置台７上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向
（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。
そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣ
に収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直
方向）に対して移送可能なウェハ搬送体８が搬送路９に
沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対し
て選択的にアクセスできるようになっている。
【００３６】ウェハ搬送体８は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体８は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２及びア
ドヒージョン装置３１に対してもアクセスできるように
構成されている。
【００３７】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の
正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットス
テーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4
は，インタフェイス部５に隣接して配置されている。さ
らにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5
を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置
１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に
配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハ
Ｗを搬入出可能である。また，処理ステーション３内に
は，水分，水蒸気酸素，オゾン，有機物等の不純物の濃
度を測定する，例えばＡＰＩ―ＭＡＳＳ等の濃度測定装
置１５が設けられており，処理ステーション３内の不純
物の濃度を随時測定し，その測定値を後述するコントロ
ーラ７９に送信できるようになっている。
【００３８】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗
布装置１７と，露光処理後のウェハＷを現像処理する現
像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。
第２の処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置
１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重
ねられている。
【００３９】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを一旦待機させるため
のエクステンション装置３２，現像処理後のウェハＷを
冷却するクーリング装置３３，３４及び現像処理後のウ
ェハＷに加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３
６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００４０】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，露光処理前後のウェハＷを載置し，一旦待
機させるためのエクステンション装置４１，４２，露光
処理後のウェハＷを加熱し，その後所定温度に冷却する
加熱・冷却処理装置４３，４４，４５（図３中のＰＥＢ
／ＣＯＬ），レジスト液中の溶剤を蒸発させるために加
熱し，その後所定の温度に冷却する加熱・冷却処理装置
４６，４７（図３中のＰＲＥ／ＣＯＬ）等が下から順に
例えば８段に積み重ねられている。
【００４１】前記加熱・冷却処理装置４３は，図４に示
すように，そのケーシング４３ａ内の基台５０上に基板
を加熱するための円盤状の熱板５１と，その熱板５１上
まで移動し，熱板５１上からウェハＷを受け取って直ち
に該ウェハＷを冷却する冷却板５２を有している。そし
て，同じ装置内でウェハＷの加熱・冷却処理を連続して
行い，加熱によってウェハＷに与える熱履歴を常に一定
に保つことができるようになっている。なお，他の加熱
・冷却装置４４〜４７も同じ構成を有している。
【００４２】インタフェイス部５には，図１に示すよう
に，その中央部にウェハ搬送体５５が設けられている。
このウェハ搬送体５５はＸ方向（図１中の上下方向），
Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする
回転方向）の回転が自在にできるように構成されてお
り，第４の処理装置群G4に属するエクステンション装置
４１，４２，周辺露光装置５６及び受け渡し部６に対し
てアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるよ
うに構成されている。
【００４３】受け渡し部６は，トンネル状でその断面が
方形であるケーシング６ａによって，囲まれており，他
の雰囲気が容易に受け渡し部６内に流入しないように構
成されている。また，受け渡し部６は，インタフェイス
部５から露光処理装置４にウェハＷが搬送される際に通
過する第１の経路６０と，露光処理装置４からインタフ
ェイス部５にウェハＷが搬送される際に通過する第２の
経路６１とを有している。第１の経路６０と第２の経路
６１との間には，仕切板６３が設けられており，第１の
経路６０と第２の経路６１との雰囲気が干渉し合わない
ようになっている。
【００４４】第１の経路６０内には，ウェハＷ上のレジ
スト膜に付着した水分等の不純物を減圧室内で蒸発させ
て除去する減圧除去装置６５と，減圧除去装置６５と露
光処理装置４に対してウェハＷを搬送できるウェハ搬送
機構６６とが設けられている。
【００４５】ここで，減圧除去装置６５の構成について
詳しく説明する。減圧除去装置６５は，図５に示すよう
に，そのケーシング６５ａ内に，下面が開口した略筒状
に形成され上下に移動自在な蓋体７０と，その蓋体７０
の下側に位置して，蓋体７０と一体となってチャンバと
しての減圧室Ｓを形成する載置台７１とを有している。
【００４６】蓋体７０の上面中央部には，減圧室Ｓ内の
雰囲気を排気するための排気口７５が設けられており，
その排気口７５は，減圧室Ｓ内の雰囲気を吸引して減圧
させる吸引装置７６に第１の配管７７を通じて連通され
ている。また，第１の配管７７には，減圧室Ｓの圧力，
減圧時間を制御する減圧制御装置としての第１の弁７８
が設けられており，この第１の弁７８の開閉度を図示し
ないモータや空気圧等によって変更することにより，減
圧室Ｓ内の圧力が最終的に到達する所定の設定圧力と減
圧時間を制御できるようになっている。
【００４７】また，第１の弁７８は，さらに制御手段と
してのコントローラ７９によって制御されている。この
コントローラ７９は，蓋体７０の内部に設けられた圧力
センサ８０からのデータを受信可能になっており，減圧
室Ｓを減圧する際にはそのデータに基づいて第１の弁７
８を制御し，減圧室Ｓ内を設定圧力に減圧できるように
なっている。
【００４８】また，コントローラ７９は上述した処理ス
テーション３内の濃度測定装置１５からの測定値を随時
受信できるようになっている。コントローラ７９は，処
理ステーション３内の不純物の濃度とその濃度に適した
減圧室Ｓの設定圧力と減圧時間を所定の濃度範囲毎に記
憶できる機能を有しており，上述した濃度測定装置１５
からの不純物の濃度の測定値に基づいて第１の弁７８を
制御し，減圧室Ｓの設定圧力と減圧時間を前記記憶され
ている適正なものに変更できるようになっている。
【００４９】また，第１の配管７７には，第２の配管８
２が分岐して設けられており，この第２の配管８２は，
不活性気体，例えば窒素ガスが貯留されたバッファタン
ク８３に連通されている。また，この第２の配管８２に
は，前記不活性気体を減圧室Ｓ内に圧送するためのポン
プ８４とその流量を調節する第２の弁８５とが設けられ
ており，減圧された減圧室Ｓに不活性気体を所定の流量
で供給し，減圧室Ｓの圧力を回復させることができるよ
うになっている。なお，蓋体７０の内部の上部には，整
流板８８が設けられており，減圧室Ｓ内の雰囲気を均一
に排気できるようになっている。
【００５０】載置台７１は，厚みのある円盤状に形成さ
れており，その上にウェハＷを載置できるようになって
いる。載置台７１には，例えばペルチェ素子等の図示し
ない温度調節手段９０が設けられており，載置台７１を
所定の温度に制御し，載置台７１に載置されるウェハＷ
の温度をウェハＷ面内において均一に維持できるように
なっている。また，載置台７１の前記蓋体７０の下端部
に対向する位置には，複数の吸引口９１が設けられてお
り，蓋体７０の下端部と載置台７０とが接触した際に，
これらの吸引口９１からの吸引力によって蓋体７０と載
置台７１との密着性が維持され，さらに減圧室Ｓ内を減
圧した際には，減圧室Ｓ内に形成される気流の乱れを抑
制できるようになっている。また，載置台７１の中央付
近には，載置台７１を上下方向に貫通する貫通孔９２が
設けられている。
【００５１】載置台７１の下方には，載置台７１の下面
と一体となって負圧室Ｋを形成する略筒状の容器９５が
設けられている。この負圧室Ｋは，貫通孔９２を介して
減圧室Ｓと連通している。そして，容器９５の下面に
は，通気管９６が設けられており，図示しない減圧装置
により，通気管９６から負圧室Ｋ内の雰囲気を吸引し
て，貫通孔９２を通じて載置台７１上にウェハＷを吸着
できるように構成されている。容器９５内には，ウェハ
Ｗを昇降するための昇降ピン９７が設けられており，こ
の昇降ピン９７は，昇降移動機構９８によって，前記貫
通孔９２内を昇降自在になっている。
【００５２】また，ケーシング６５ａのインタフェイス
部５側と露光処理装置４側には，ウェハＷを搬入出する
ための搬送口１０５，１０６がそれぞれ設けられてお
り，各搬送口１０５，１０６には，シャッタ１０７，１
０８が設けられている。
【００５３】一方，第２の経路６１内には，図１に示す
ように露光処理が終了したウェハＷをインタフェイス部
５に搬送する際に一旦載置させておくための載置部１１
０と，露光処理装置４内のウェハＷを前記載置部１００
まで搬送するためのウェハ搬送機構１１１とが設けられ
ている。
【００５４】載置部１１０は，円盤状に形成されてお
り，その中心付近には，載置されるウェハＷを昇降させ
る昇降機構１１２が設けられている。そして，この昇降
機構１１２によって，載置部１１０とウェハ搬送機構１
１２及びウェハ搬送体５５との間でウェハＷの受け渡し
ができるようになっている。
【００５５】受け渡し部６とインタフェイス部５との間
には，受け渡し部６内の雰囲気とインタフェイス部５内
の雰囲気を遮断するための仕切板１１５が設けられてい
る。この仕切板１１５の前記減圧除去装置６５に対向す
る位置には，通過口１１６が設けられており，前記ウェ
ハ搬送体５５により，インタフェイス部５から減圧除去
装置６５にウェハＷを搬送できるようになっている。ま
た，この通過口１１６には，通過口１１６を開閉自在と
するシャッタ１１７が設けられており，ウェハＷが通過
口１１６を通過する場合にのみシャッタ１１７が開放さ
れ，それ以外の時はシャッタ１１７が閉じられるように
なっている。
【００５６】また，仕切板１１５の前記載置部１１０に
対向する位置には，通過口１１８が設けられており，前
記ウェハ搬送体５５により，載置部１１０からインタフ
ェイス部５内にウェハＷを搬送できるようになってい
る。さらに，この通過口１１８には，通過口１１８を開
閉自在とするシャッタ１１９が設けられており，ウェハ
Ｗが通過口１１８を通過する場合にのみシャッタ１１９
が開放されるようになっている。
【００５７】このように構成された受け渡し部６の上部
には，図６に示すような第１の経路６０と第２の経路６
１に不活性気体を供給し，不純物をパージする気体供給
装置１２１と，その第１の経路６０及び第２の経路６１
内の雰囲気を排気する排気手段１２２とが設けられてお
り，第１の経路６０内及第２の経路６１内を常に清浄雰
囲気に維持できるようになっている。また，この不活性
気体の供給量を制御することにより，受け渡し部６内の
圧力を制御できるようになっている。
【００５８】ウェハＷの露光処理を行う露光処理装置４
は，図１に示すように受け渡し部６に隣接して設けられ
ている。この露光処理装置４は，その露光処理装置４の
ケーシング４ａにより密閉されており，露光処理装置４
内の雰囲気を厳格に制御できるように構成されている。
また，ケーシング４ａの受け渡し部６側には，第１の経
路６０からウェハＷを搬入するための通過口１２５と，
第２の経路６１にウェハＷを搬出するための通過口１２
６が設けられており，これらの各通過口１２５，１２６
には，それぞれ通過口１２５，１２６を開閉自在とする
シャッタ１２７，１２８が設けられている。
【００５９】次に，以上のように構成された塗布現像処
理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプ
ロセスを説明する。
【００６０】先ず，ウェハＷの処理が開始される前に，
予め実験等で求めておいた処理ステーション３内の不純
物の濃度と，その濃度内でウェハＷが処理された場合の
ウェハＷに付着する不純物を除去するために必要な減圧
室Ｓの設定圧力と減圧時間とを所定の濃度範囲毎，例え
ば図７に示すように２０％毎にコントローラ７９に記憶
させておく。そして，塗布現像処理システム１が稼働さ
れると，濃度測定装置１５の測定が開始され，その測定
値がコントローラ７９に送られ，その測定値に対応した
減圧室Ｓの設定圧力と減圧時間が設定される。例えば不
純物の濃度が３０％の場合には，２．３ｋＰａ，１２０
ｓｅｃとなる。その後，不純物の濃度は常時測定され，
その測定値は逐次コントローラ７９に送信され，その測
定値に基づいて減圧室Ｓの設定圧力と減圧時間が逐次変
更される。また，受け渡し部６内に不活性気体を供給
し，受け渡し部６内を清浄な雰囲気に置換し，その後そ
の状態を維持するようにする。なお，このときに，受け
渡し部６内の圧力を露光処理装置４内の圧力よりも低く
設定し，受け渡し部６内の雰囲気が厳格に清浄化されて
いる露光処理装置４内に流入しないようにすることが好
ましい。
【００６１】そして，ウェハＷの処理が開始されると，
先ず，カセットステーション２において，ウェハ搬送体
７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，
処理ステーション３のアドヒージョン装置３１に搬入す
る。
【００６２】次いで，アドヒージョン装置３１におい
て，レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着
強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によっ
て，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却さ
れる。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又は
１９に搬送され，レジスト塗布処理が施される。そし
て，レジスト膜が形成されたウェハＷは，加熱・冷却処
理装置４６又４７（図３中のＰＲＥ／ＣＯＬ）に搬送さ
れ，加熱・冷却処理が施される。このとき，加熱処理及
び冷却処理を個別に設けられた各装置で順次行うのでは
なく，加熱・冷却処理装置４６，４７のように単一の装
置内で加熱・冷却処理を行うことにより，ウェハＷが加
熱処理されてから冷却処理されるまでの時間を常に一定
にすることができるため，加熱によってウェハＷに与え
られる熱履歴をウェハＷ間において同一にすることがで
きる。また，本実施の形態では，レジスト塗布処理から
現像処理までに行われる全ての加熱，冷却処理を加熱・
冷却装置４３〜４７を用いて行うようにしたため，レジ
スト塗布から現像処理までにかかる所要時間を全てのウ
ェハＷにおいて同一にすることができる。
【００６３】その後，ウェハＷがエクステンション装置
４１に搬送され，ウェハ搬送体５５によってエクステン
ション装置４１からインタフェイス部５内の周辺露光処
理装置５６に搬送される。そして，周辺露光装置５６で
その周辺部が露光されたウェハＷが再びウェハ搬送体５
５に保持され，通過口１１６から受け渡し部６の第１の
経路６０内の減圧除去装置６５に搬送される。このと
き，シャッタ１１７が開放され，ウェハＷが減圧除去装
置６５内に搬送されると，シャッタ１１７は再び閉じら
れる。
【００６４】ここで，減圧除去装置６５で行われる不純
物の除去工程のプロセスについて詳しく説明する。先
ず，図５に示したケーシング６５ａのインタフェイス部
５側のシャッタ１０７が開放され，上述したウェハ搬送
体５５によって，ウェハＷがケーシング６５ａ内に搬入
される。そして，ウェハＷは，昇降ピン９７に受け渡さ
れ，その後昇降ピン９７の下降により，所定温度，例え
ば２３℃に維持されている載置台７１上に載置される。
そして，通気孔９６からの吸引によりウェハＷが載置台
７１に吸着保持される。
【００６５】その後，蓋体７０が下降され，蓋体７０の
下端部が載置台７１と接触し，減圧室Ｓが形成される。
このとき，吸引口９１からの吸引が開始され，その吸引
力により蓋体７０と載置台７１が密着される。
【００６６】次いで，吸引装置７６が稼働し，排気口７
５から第１の配管７７を通じて減圧室Ｓ内の雰囲気が排
気され始め，減圧室Ｓの圧力が減圧され始める。このと
きの設定圧力は，上述した処理ステーション３内の不純
物の濃度の測定値に基づいて定められた設定圧力，例え
ば２．３ｋＰａであり，その値に基づいてコントローラ
７９が弁７８の開閉度を制御することにより達成され
る。そして，減圧室Ｓ内の減圧が進むと例えば不純物で
ある水分の飽和蒸気圧に達し，ウェハＷ上に付着した水
分が蒸発して，ウェハＷ上から離脱され，その水分が排
気口から排出される。そして，その状態を減圧時間，例
えば１２０ｓｅｃの間維持し，ウェハＷ上の水分が完全
に除去されるまでその処理が行われる。こうしてウェハ
Ｗ上に付着していた水分等の不純物が除去され，所期の
減圧除去処理が実施される。
【００６７】なお，処理ステーション３の不純物の濃度
が，例えば３０％から１５％に減少した場合には，図７
に示したデータに従って設定圧力が２．４ｋＰａに，減
圧時間が１１０ｓｅｃに変更され，この条件でウェハＷ
の減圧除去処理が行われる。この場合，濃度が３０％の
ときに比べて設定圧力を高くし，減圧時間を短くして，
不純物の除去能力を低下させたため，３０％のときより
も少ないと予想されるウェハＷに付着した不純物の量に
応じた除去処理が行われる。また，処理ステーション３
の不純物の濃度が３０％から２５％に変動したときに
は，設定圧力と減圧時間の変更は行われず，現設定圧力
と減圧時間が維持される。
【００６８】そして，前記減圧時間が経過すると，第１
の弁７８が閉鎖され，減圧室Ｓ内の減圧が停止される。
その後，ポンプ８４が稼働され，第２の弁８５が開放さ
れると，バッファタンク８３内の不活性気体が第２の配
管８２を通じて減圧室Ｓ内に供給され，減圧室Ｓ内の圧
力が回復される。
【００６９】次いで，吸引口９１からの吸引が停止され
た後，蓋体７０が上昇され，減圧室Ｓが開放される。そ
して，ウェハＷの載置台７１との吸着が解除され，ウェ
ハＷが昇降ピン９２によって上昇され，露光処理装置４
側のウェハ搬送機構６６に受け渡される。そして，ウェ
ハＷがケーシング６５ａの通過口１０６を通過し，減圧
除去装置６５内から搬出されると，ウェハＷの不純物の
除去工程が終了する。
【００７０】その後，露光処理装置４のケーシング４ａ
のシャッタ１２７が開放され，ウェハ搬送機構６６によ
って通過口１２５から露光処理装置４内にウェハＷが搬
入される。
【００７１】次いで，ウェハＷは，露光処理装置４にお
いて所定のパターンが露光される。そして，露光が終了
したウェハＷは，第２の経路６１内のウェハ搬送機構１
１１によって，露光処理装置４から通過口１２６を通っ
て第２の経路６１内に搬出される。このとき，シャッタ
１２８が開放され，ウェハＷが通過すると再び閉じられ
る。
【００７２】そして，第２の経路６１内に搬入されたウ
ェハＷは，載置部１１０上まで移動され，載置部１１０
の昇降機構１１２に受け渡され，その後載置部１１０に
一旦載置される。
【００７３】その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体５５に
よって，載置部１１０からシャッタ１１９の開放された
通過口１１８を通過し，インタフェイス部５内を通っ
て，処理ステーション３内のエクステンション装置４２
に搬送される。そして，ウェハＷは，主搬送装置１３に
よって，加熱・冷却処理装置４３，４４又は４５に搬送
され，露光処理後の加熱，冷却処理が順次施される。
【００７４】その後，ウェハＷは，現像処理装置１８又
は２０に搬送され，現像処理される。そして，現像処理
されたウェハＷは，ポストベーキング装置３５又は３６
に搬送されて加熱され，その後クーリング装置３３又は
３４に搬送され，所定温度に冷却される。そして，第３
の処理装置群のエクステンション装置３２に搬送され，
そこからウェハ搬送体７によって，カセットステーショ
ン２のカセットＣに戻される。以上の工程により，一連
のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００７５】以上の実施の形態によれば，減圧除去処理
装置６５により，ウェハＷ上に付着している水分等の不
純物を除去することができ，その後に行われる露光処理
が好適に行われる。
【００７６】また，処理ステーション３の不純物の濃度
を測定し，その測定値に基づいて減圧除去装置６５の設
定圧力と減圧時間を調節したため，前記不純物の濃度と
密接に関連したウェハＷ上の不純物の付着量に応じた必
要最小限の不純物の除去処理を行うことができる。
【００７７】また，図７で示したように前記不純物の濃
度を所定の濃度範囲に区分し，その濃度範囲毎に設定圧
力と減圧時間を設定するようにしたため，ウェハＷ上に
付着する不純物の量に影響がない程度の前記濃度の変動
があった場合には，前記設定圧力等の変更が行われず，
無駄な調節工程を省略できる。
【００７８】前記した実施の形態では，処理ステーショ
ン３内の不純物の濃度に基づいて減圧除去処理装置６５
内の減圧室Ｓ内の設定圧力と設定時間を調節していた
が，設定圧力と減圧時間の代わりに，減圧の際の減圧速
度を調節するようにしてもよい。以下，この場合につい
て第２の実施の形態として説明する。
【００７９】このような場合，前記実施の形態と同様な
構成を有する塗布現像処理システム１のコントローラ７
９に，予め図８に示すような処理ステーション３内の不
純物の濃度に対応したウェハＷに付着した不純物を除去
するために必要な減圧速度を前記不純物の濃度範囲毎に
記憶させておく。そして，減圧除去装置６５においてウ
ェハＷ上に付着した不純物を除去する際には，第１の実
施の形態と同様にして，処理ステーション３内の濃度測
定装置１５の測定結果に基づいて定められた減圧速度で
減圧されるように第１の弁７８を設定，調節する。
【００８０】このように，処理ステーション３内の不純
物の濃度に応じて減圧速度を調節することにより，設定
圧力まで減圧されるまでの所要時間が調節される。例え
ば不純物の濃度が高くウェハＷ上に多くの不純物が付着
している場合には，減圧速度を小さくして，徐々に設定
圧力に近づけて不純物の排気を促す傾斜時間を持続さ
せ，逆に不純物の濃度が低くウェハＷ上の不純物が少な
い場合には，減圧速度を大きくして，早く設定圧力に到
達するようにする。こうすることにより，ウェハＷに付
着している不純物の量に応じた時間で，ウェハＷ上の不
純物を除去することができるため，不純物を除去処理が
過剰に行われたり，除去処理が不十分であったりするこ
とが防止される。なお，この第２の実施の形態におい
て，第１の実施の形態で記載したように減圧室Ｓの設定
圧力と減圧時間も併せて調節するようにしてもよい。
【００８１】以上の実施の形態では，濃度測定装置１５
を処理ステーション３内に設け，処理ステーション３内
の不純物の濃度を測定するようにしたが，濃度測定装置
１５を塗布現像処理システム１外のクリーンルーム内又
はインタフェイス部５内に設け，クリーンルーム内又は
インタフェイス部５内の不純物の濃度を測定するように
してもよい。このように，濃度測定装置１５をクリーン
ルームに設けることは，処理ステーション３内よりもス
ペースが広く，装置を設置しやすいという利点があり，
インタフェイス部５内に設けることは，処理ステーショ
ン３よりも減圧除去装置６５に近く，ウェハＷの不純物
の付着量に最も密接に関連する不純物の濃度の測定値が
得られるという利点がある。
【００８２】また，以上の実施の形態では，インタフェ
イス部５と露光処理装置４との間に受け渡し部６を設
け，その受け渡し部６内に減圧除去装置６５を設けてい
たが，この減圧除去装置６５をインタフェイス部５内に
設けるようにしてもよい。このような場合，例えば図９
に示すように，塗布現像処理システム１４０のインタフ
ェイス部１４１内の正面側でかつ，ウェハ搬送体５５が
アクセス可能な位置に減圧除去装置１４２が設けられ
る。そして，露光処理装置１４３は，インタフェイス部
１４１に隣接して設けられ，そのケーシング１４３ａに
は，単一の通過口１４５とその通過口１４５を開閉自在
とするシャッタ１４６が設けられる。
【００８３】また，図１０に示すようにインタフェイス
部１４１の上部には，気体供給装置１５０が設けられ，
インタフェイス部１４１の下部には，インタフェイス部
１４１内の雰囲気を排気する排気管１５１が設けられて
おり，インタフェイス部１４１内に清浄化された不活性
気体を供給し，不純物をパージすることで，インタフェ
イス部１４１内を清浄な雰囲気に維持できるようになっ
ている。
【００８４】さらに，インタフェイス部１４１と処理ス
テーション３との間には，インタフェイス部１４１と処
理ステーション３内の雰囲気を遮断するための仕切板１
５５が設けられる。そして，その仕切板１５５の第４の
処理装置群Ｇ４のエクステンション装置４１及び４２に
対向する位置には，通過口１５６とその通過口１５６を
開閉自在とするシャッタ１５７が設けられ，処理ステー
ション３内の雰囲気がインタフェイス部１４１内に流入
することが防止される。
【００８５】以上のように構成された塗布現像処理シス
テム１４０において，上述した第１の実施の形態と同様
にして，濃度測定装置１５で測定された不純物の濃度に
基づいて，減圧除去装置１４２の減圧室Ｓの設定圧力と
減圧時間を調節するようにしてもよい。
【００８６】このように，減圧除去装置１４２をインタ
フェイス部１４１内に設けることにより，既存の塗布処
理システムと同じ大きさで，ウェハＷから不純物を取り
除く装置を取り付けることができるので，上述した実施
の形態と比べてシステムの小型化が図られる。
【００８７】さらに，以上の実施の形態における塗布現
像処理システム１又は１４０において，加熱・冷却装置
４６，４７で行うレジスト液中の溶剤を蒸発させる処理
を減圧除去装置６５又は１４２で不純物の除去処理と同
時に行うようにしてもよい。この場合，例えば，図１１
に示すように処理ステーション３の第４の処理装置群Ｇ
４に加熱・冷却装置４６，４７（ＰＲＥ／ＣＯＬ）の代
わりに，露光後の加熱，冷却処理を行う加熱・冷却装置
１６０（ＰＥＢ／ＣＯＬ），現像処理後の加熱処理を行
う加熱処理装置１６１を設け，第３の処理装置群Ｇ３に
露光後の加熱処理後のウェハＷを冷却処理する冷却処理
装置１６２を加えるようにする。
【００８８】そして，減圧除去装置６５内でウェハＷ上
に付着した不純物が除去されるときに，減圧室Ｓの圧力
を水分とレジスト液の溶剤の両方が蒸発する所定の圧
力，例えば１３３Ｐａまで減圧させてレジスト液中の溶
剤と不純物としての水分を同時に蒸発させるようにす
る。こうすることにより，減圧除去装置６５内において
溶剤蒸発処理と，不純物除去処理の両者を同時に行うこ
とができる。したがって，従来加熱・冷却装置４６，４
７で行っていた処理を減圧除去装置６５で行うことがで
きる。そして，上述したように溶剤蒸発処理のための装
置の代わりに他の熱処理装置を増やすことができるた
め，処理ステーション３内の処理能力が向上する。な
お，他の熱処理装置を増やすことなく加熱・冷却装置４
６，４７を省略した場合でも，熱処理装置の数を減少さ
せることができるので，処理ステーション３全体のコン
パクト化も図ることができる。
【００８９】また，以上で説明した実施の形態は，半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハＷの塗布現像処理システムについて
であったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬ
ＣＤ基板の塗布現像処理システムにおいても応用でき
る。
【００９０】
【発明の効果】請求項１〜１７によれば，露光処理前
に，基板の塗布膜に付着した水分，水蒸気，酸素，オゾ
ン，有機物等の分子レベルの不純物や微粒子等の不純物
を除去することができるため，その不純物に影響される
ことなく好適に露光処理が行われ，歩留まりの向上が図
られる。また，不純物の除去処理と同時に塗布液中の溶
剤を蒸発させることができるので，スループットの向上
が図られる。
【００９１】また，所定の位置で測定された不純物の濃
度に基づいて，減圧の際の所定の圧力と所定の時間又は
減圧の際の減圧速度を調節したため，基板に付着した水
分，酸素等の不純物をその不純物の付着量に応じた必要
最小限の好適な条件で行うことができる。したがって，
基板から処理に悪影響を与える不純物が好適に除去され
るため，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】 【符号の説明】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの
外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システム１内の加熱・冷却
処理装置の概略を示す横断面図である。
【図５】受け渡し部内の減圧除去装置の構成を示す縦断
面の説明図である。
【図６】図１の塗布現像処理システムの受け渡し部内の
不活性気体の流れの状態を示す露光処理装置から観た縦
断面の説明図である。
【図７】減圧除去装置のコントローラに記憶される不純
物の各濃度範囲毎の設定圧力と減圧時間を示す表であ
る。
【図８】第２の実施の形態において，減圧除去装置のコ
ントローラに記憶される不純物の各濃度範囲毎の減圧速
度の設定値を示す表である。
【図９】インタフェイス部に減圧除去装置を設けた場合
の塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図１０】図９の塗布現像処理システムのインタフェイ
ス部に供給される不活性気体の流れを示す縦断面の説明
図である。
【図１１】減圧除去装置でレジスト液の溶剤の蒸発処理
を行う場合の塗布現像処理システム１内の加熱・冷却処
理装置の配置例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム ４ 露光処理装置 ５ インタフェイス部 ６ 受け渡し部 １５ 濃度測定装置 ６０ 第１の経路 ６１ 第２の経路 ６５ 減圧除去装置 ７６ 吸引装置 ７８ 第１の弁 ７９ コントローラ Ｓ 減圧室 Ｋ 負圧室 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北野 高広 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 DA10 5F046 AA28 CD05 DA29

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 塗布現像処理システムの処理部において
    基板に塗布液を供給して基板に塗布膜を形成する工程
    と，露光処理装置において前記塗布膜が形成された基板
    に所定の光を照射して前記基板を露光する工程と，前記
    処理部において露光処理後に前記基板を現像する工程と
    を有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜形成工
    程と前記露光工程との間に，チャンバ内に基板を搬入す
    る工程と，その後気密に閉鎖された前記チャンバ内を所
    定の圧力に減圧して所定の時間前記チャンバ内の基板に
    付着した不純物を前記基板から除去する工程とを有し，
    前記所定の圧力と前記所定の時間は，前記処理部内で測
    定される不純物の濃度に基づいて調節されることを特徴
    とする，塗布現像処理方法。
  2. 【請求項２】 塗布現像処理システムの処理部において
    基板に塗布液を供給して基板に塗布膜を形成する工程
    と，露光処理装置において前記塗布膜が形成された基板
    に所定の光を照射して前記基板を露光する工程と，前記
    処理部において露光処理後に前記基板を現像する工程と
    を有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜形成工
    程と前記露光工程との間に，チャンバ内に基板を搬入す
    る工程と，その後気密に閉鎖された前記チャンバ内を所
    定の圧力に減圧して所定の時間前記チャンバ内の基板に
    付着した不純物を前記基板から除去する工程とを有し，
    前記所定の圧力と前記所定の時間は，前記塗布現像処理
    システムの置かれたクリーンルーム内で測定される不純
    物の濃度に基づいて調節されることを特徴とする，塗布
    現像処理方法。
  3. 【請求項３】 不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
    し，各所定の濃度範囲に対応した前記所定の圧力と前記
    所定の時間を記憶する工程とをさらに有し，前記所定の
    圧力と所定の時間の調節工程は，測定される前記不純物
    の濃度に基づいて，その濃度の属する前記所定の濃度範
    囲に対応する前記記憶された所定の圧力と所定の時間に
    調節することを特徴とする，請求項１又は２のいずれか
    に記載の塗布現像処理方法。
  4. 【請求項４】 前記チャンバ内を所定の圧力に減圧する
    際の所定の減圧速度をも，前記不純物の濃度に基づいて
    調節されることを特徴とする，請求項１，２又は３のい
    ずれかに記載の塗布現像処理方法。
  5. 【請求項５】 塗布現像処理システムの処理部において
    基板に塗布液を供給して基板に塗布膜を形成する工程
    と，露光処理装置において前記塗布膜が形成された基板
    に所定の光を照射して前記基板を露光する工程と，前記
    処理部において露光処理後に前記基板を現像する工程と
    を有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜形成工
    程と前記露光工程との間に，チャンバ内に基板を搬入す
    る工程と，その後気密に閉鎖された前記チャンバ内を所
    定の圧力に減圧して所定の時間前記チャンバ内の基板に
    付着した不純物を前記基板から除去する工程とを有し，
    前記減圧時の減圧速度は，前記処理部内で測定される不
    純物の濃度に基づいて調節されることを特徴とする，塗
    布現像処理方法。
  6. 【請求項６】 塗布現像処理システムの処理部において
    基板に塗布液を供給して基板に塗布膜を形成する工程
    と，露光処理装置において前記塗布膜が形成された基板
    に所定の光を照射して前記基板を露光する工程と，前記
    処理部において露光処理後に前記基板を現像する工程と
    を有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜形成工
    程と前記露光工程との間に，チャンバ内に基板を搬入す
    る工程と，その後気密に閉鎖された前記チャンバ内を所
    定の圧力に減圧して所定の時間前記チャンバ内の基板に
    付着した不純物を前記基板から除去する工程とを有し，
    前記減圧時の減圧速度は，前記塗布現像処理システムの
    置かれたクリーンルーム内で測定される不純物の濃度に
    基づいて調節されることを特徴とする，塗布現像処理方
    法。
  7. 【請求項７】 不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
    し，各所定の濃度範囲に対応した前記所定の減圧速度を
    記憶する工程とをさらに有し，前記所定の減圧速度の調
    節工程は，測定される前記不純物の濃度に基づいて，そ
    の濃度の属する前記所定の濃度範囲に対応する前記記憶
    された所定の減圧速度に調節することを特徴とする，請
    求項４，５又は６のいずれかに記載の塗布現像処理方
    法。
  8. 【請求項８】 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布
    処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，前
    記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と，
    少なくとも前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光
    処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタ
    フェイス部とを有する塗布現像処理システムであって，
    少なくとも前記処理部又はインタフェイス部内の不純物
    の濃度を測定する濃度測定装置と，気密に閉鎖自在なチ
    ャンバを有し，前記基板が前記露光処理される前に，前
    記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前記チ
    ャンバ内の前記基板の塗布膜に付着した不純物を除去す
    る減圧除去装置と，前記濃度測定装置の測定値に基づい
    て前記減圧除去装置の少なくとも前記所定の圧力又は前
    記所定の時間を制御する減圧制御装置とを有することを
    特徴とする，塗布現像処理システム。
  9. 【請求項９】 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布
    処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，前
    記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と，
    少なくとも前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光
    処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタ
    フェイス部とがケーシング内に備えられた塗布現像処理
    システムであって，前記ケーシング外であって前記塗布
    現像処理システムの置かれたクリーンルーム内の不純物
    の濃度を測定する濃度測定装置と，気密に閉鎖自在なチ
    ャンバを有し，前記基板が前記露光処理される前に，前
    記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間前記チ
    ャンバ内の前記基板の塗布膜に付着した不純物を除去す
    る減圧除去装置と，前記濃度測定装置の測定値に基づい
    て前記減圧除去装置の少なくとも前記所定の圧力又は前
    記所定の時間を制御する減圧制御装置とを有することを
    特徴とする，塗布現像処理システム。
  10. 【請求項１０】 不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
    し，各所定の濃度範囲に対応した前記所定の圧力と前記
    所定の時間を記憶し，前記測定値に基づいて，その測定
    値の属する前記所定の濃度範囲に対応する前記記憶され
    た所定の圧力と前記所定の時間になるように前記減圧制
    御装置を制御する制御手段を有することを特徴とする，
    請求項８又は９のいずれかに記載の塗布現像処理システ
    ム。
  11. 【請求項１１】 前記減圧制御装置は，前記濃度測定装
    置の測定値に基づいて，前記チャンバ内を前記所定の圧
    力に減圧する際の減圧速度も制御することを特徴とす
    る，請求項８，９又は１０のいずれかに記載の塗布現像
    処理システム。
  12. 【請求項１２】 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗
    布処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，
    前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部
    と，少なくとも前記処理部と前記基板の露光処理を行う
    露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのイ
    ンタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであっ
    て，少なくとも前記処理部又は前記インタフェイス部内
    の不純物の濃度を測定する濃度測定装置と，気密に閉鎖
    自在なチャンバを有し，前記基板が前記露光処理される
    前に，前記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時
    間前記チャンバ内の前記基板の塗布膜に付着した不純物
    を除去する減圧除去装置と，前記濃度測定装置の測定値
    に基づいて前記減圧除去装置の前記減圧の減圧速度を制
    御する減圧制御装置とを有することを特徴とする，塗布
    現像処理システム。
  13. 【請求項１３】 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗
    布処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，
    前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部
    と，少なくとも前記処理部と前記基板の露光処理を行う
    露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのイ
    ンタフェイス部とがケーシング内に備えられた塗布現像
    処理システムであって，前記ケーシング外であって前記
    塗布現像処理システムの置かれたクリーンルーム内の不
    純物の濃度を測定する濃度測定装置と，気密に閉鎖自在
    なチャンバを有し，前記基板が前記露光処理される前
    に，前記チャンバ内を所定の圧力に減圧して所定の時間
    前記チャンバ内の前記基板の塗布膜に付着した不純物を
    除去する減圧除去装置と，前記濃度測定装置の測定値に
    基づいて前記減圧除去装置の前記減圧の減圧速度を制御
    する減圧制御装置とを有することを特徴とする，塗布現
    像処理システム。
  14. 【請求項１４】 不純物の濃度を所定の濃度範囲に区分
    し，各所定の濃度範囲に対応した前記減圧速度を記憶
    し，前記測定値に基づいて，その測定値の属する前記所
    定の濃度範囲に対応する前記記憶された減圧速度になる
    ように前記減圧制御装置を制御する制御手段を有するこ
    とを特徴とする，請求項１１，１２又は１３のいずれか
    に記載の塗布現像処理システム。
  15. 【請求項１５】 前記インタフェイス部と前記露光処理
    装置とは，受け渡し部を介して接続されており，前記減
    圧除去装置は，前記受け渡し部に設けられていることを
    特徴とする，請求項８，９，１０，１１，１２，１３又
    は１４のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
  16. 【請求項１６】 前記受け渡し部は，前記インタフェイ
    ス部から前記露光処理装置に基板が搬送されるときに通
    過する第１の経路と，前記露光処理装置から前記インタ
    フェイス部に基板が搬送される際に通過する第２の経路
    とを有し，前記減圧除去装置は，前記第１の経路に設け
    られていることを特徴とする，請求項１５に記載の塗布
    現像処理システム。
  17. 【請求項１７】 前記減圧除去装置は，前記インタフェ
    イス部に設けられていることを特徴とする，請求項８，
    ９，１０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載
    の塗布現像処理システム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007055772A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Tokyo Metropolitan Univ 微小物品搬送装置
JP2009260032A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281854A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Canon Inc 露光装置
JP2005353763A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
JP4566035B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4301219B2 (ja) * 2005-08-01 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥方法、機能膜の製造方法および電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、並びに電子機器
US8815014B2 (en) * 2005-11-18 2014-08-26 Tokyo Electron Limited Method and system for performing different deposition processes within a single chamber
JP4762743B2 (ja) * 2006-02-09 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
CN102135734B (zh) * 2010-01-27 2013-09-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光阻去除方法
KR20150011239A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
JP6439774B2 (ja) * 2016-11-21 2018-12-19 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
US11264571B2 (en) * 2018-11-09 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Bake system and method of fabricating display device using the same
KR20200115884A (ko) * 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치
KR20220026713A (ko) * 2020-08-26 2022-03-07 주식회사 원익아이피에스 기판처리방법과, 그에 따른 기판처리장치 및 반도체 소자 제조방법
KR20230092188A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2856669A (en) * 1954-09-17 1958-10-21 Kalan Michael Periodic oxidation and reduction kiln
US4425075A (en) * 1981-04-20 1984-01-10 The Perkin-Elmer Corporation Wafer aligners
US5120634A (en) * 1982-08-25 1992-06-09 Fujitsu Limited Method for forming patterned resist layer on semiconductor body
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JPH0653149A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用シール材
US5340512A (en) * 1993-01-29 1994-08-23 Thomas & Betts Corporation Polymer concrete electrical insulator and method and apparatus for making
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5551165A (en) * 1995-04-13 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Enhanced cleansing process for wafer handling implements
US5839455A (en) * 1995-04-13 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Enhanced high pressure cleansing system for wafer handling implements
JPH0926176A (ja) * 1995-07-07 1997-01-28 Canon Inc 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法
JP3069945B2 (ja) * 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0950951A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Nikon Corp リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP3298785B2 (ja) * 1996-03-25 2002-07-08 三菱電機株式会社 半導体製造装置および発塵評価方法
JP3218425B2 (ja) * 1996-03-25 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US5779799A (en) * 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
EP0827186A3 (en) * 1996-08-29 1999-12-15 Tokyo Electron Limited Substrate treatment system
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
US5972235A (en) * 1997-02-28 1999-10-26 Candescent Technologies Corporation Plasma etching using polycarbonate mask and low pressure-high density plasma
JP3849822B2 (ja) * 1997-04-07 2006-11-22 株式会社ニコン リソク゛ラフィシステム
US6207231B1 (en) * 1997-05-07 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and coating apparatus
US6113698A (en) * 1997-07-10 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Degassing method and apparatus
US5999886A (en) * 1997-09-05 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Measurement system for detecting chemical species within a semiconductor processing device chamber
JPH11204396A (ja) 1998-01-08 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造システムおよびデバイス製造方法
US6106167A (en) * 1998-09-01 2000-08-22 Industrial Technology Research Institute Apparatus for photolithography process with gas-phase pretreatment
JP4054159B2 (ja) * 2000-03-08 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
SG105487A1 (en) * 2000-03-30 2004-08-27 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007055772A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Tokyo Metropolitan Univ 微小物品搬送装置
JP2009260032A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

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