TW495815B - Method and system for coating and developing - Google Patents

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TW495815B
TW495815B TW090110773A TW90110773A TW495815B TW 495815 B TW495815 B TW 495815B TW 090110773 A TW090110773 A TW 090110773A TW 90110773 A TW90110773 A TW 90110773A TW 495815 B TW495815 B TW 495815B
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processing
impurities
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TW090110773A
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Junichi Kitano
Yuji Matsuyama
Takahiro Kitano
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Description

495815 A7 __B7 五、發明説明（彳） 本發明係有關於基板之塗佈顯像處理方法及塗佈顯像 處理系統。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在例如半導體元件之製程中的光石印過程，乃進行在 晶圓表面形成光阻膜的光阻膜塗倚處理，針對經圖案曝光 後的晶圓進行顯像的顯像處理，在塗佈處理前，曝光處理 前後以及顯像處理後的加熱處理，冷卻處理等。該些處理 則是在個別設置的各處理裝置中進行，各處理裝置，如連 續進行上述一連串的處理般地整合成一個塗佈顯像處理系 統。此外，圖案的曝光處理本身，則是在鄰接於塗佈顯像 處理系統所設置之曝光處理裝置中進行。 通常，上述塗佈顯像處理系統，則具有將基板搬進搬 出該塗佈顯像處理系統內的裝載•卸載部、塗佈處理裝置 、顯像處理裝置、熱處理裝置等，係由進行大半之上述晶 圓處理的處理部，以及在該處理部與位在上述系統外之曝 光處理裝置之間進行晶圓之授受的介面部所構成。 經濟部智慈財產局：貝工消費合作社印災 此外，當在該塗佈顯像處理系統中進行晶圓的處理時 ’爲了要防止微粒子等的灘質附著在晶圓，則要將經空氣 淸淨機等所淨化的空氣當作downflow而供給到上述塗佈 顯像處理，另一方面，乃排出在塗佈顯像處理系統內的氣 體，以便於在淸淨的狀態下來處理晶圓。 然而，近年來，爲了要形成更微細，且更精密的電路 圖案，乃逐漸開發出一利用更短波長（例如1 5 7 n m ) 的光的曝光技術，當利用該短波長的光時，則到 目前爲止尙未造成問題之分子級的雜質，例如氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） -4 - 495815 A7 _______B7_ 五、發明説明（2 ) 、水蒸氣等會對曝光處理帶來惡劣影響，而無法形成精密 的電路圖案。 - _ 在此’則考慮一在晶圓進行曝光處理之前，將基板搬 入到能夠維持氣密性的室（chamber )內，之後，則將室 內減壓到所定的壓力，而除去附著在晶圓之表面上的雜質 的方法。但是此時，不管附著在晶圓之雜質的量如何，當 在被設定成一定的條件的室內欲除去雜質時，則必須要考 慮會所進行的除去處理是過度或不足。 本發明即有鑑於上述課題，其目的在於在塗佈顯像處 理系統中，除去附著在晶圓等之基板的水分等的分子級的 雜質’更者，則以必要最小限度的最佳條件來實施上述雜 質的除去處理。 本發明之塗佈顯像處理方法，具有： 將塗佈液供給到基板，而形成塗佈膜的過程； 針對經上述系統外之曝光裝置之曝光處理的基板，在 上述處理部中使上述基板顯像的過程及； 在形成上述塗佈膜後，在上述曝光處理之前，將基板 搬入到室（chamber)內，之後，將經氣密狀閉鎖的上述室 內減壓到所定的壓力，於所定的時間內，從上述基板除去 附著在上述室內之基板的雜質的過程， 上述所定的壓力與上述所定的時間，乃根據在上述處 理部內所測得的雜質濃度而被調節。 不只是灰塵等微粒子、連水分、水蒸氣、氧氣、臭氧 、有機物等之分子級的雜質，均是在此所稱的雜質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495815 A7 _ B7 五、發明説明（3 ) 根據本發明之其他的觀點，上述所定之壓力與上述所 定的時間，則是根據上述塗佈顯像處理系統之無塵室內所 測得的雜質的濃度而被調節。 本發明之塗佈顯像處理系統，具有： 具有在基板形成塗佈膜的塗佈處理裝置，進行上述基 板之顯像的顯像處理裝置，及進行上述基板之熱處理的熱 處理裝直的處理部， 在上述處理部與對上述基板進行曝光處理之系統外的 曝光處理裝置之間進行基板之搬送的介面部； 至少測量上述處理部或介面部內之雜質之濃度的濃度 測量裝置； 具有呈氣密狀可自由閉鎖的室（chamber )，在上述 基板經上述曝光處理之前，將該室內減壓到所定的壓力， 在所定的時間內除去附著在室內之上述基板之塗佈膜之雜 質的減壓除去裝置及； 根據上述濃度測量裝置的測量値至以控制上述所定之 壓力或時間的減壓控制裝置。 根據本發明之其他的觀點，上述減壓控制裝置係控制 在將上述室內減壓到上述所定之壓力時的減壓速度。 根據本發明，由於是在塗佈膜形成過程與上述曝光過 程之前除去附著在基板的雜質，因此，在作曝光處理時， 雜質不會附著在基板上。因此，連以短波長的曝光也可以 良好地進行。又，由於上述除去過程之所進行之室內的上 述所定的減壓壓力與時間，減壓速度，係根據在處理部內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-6- 495815 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或無塵室內之雜質的濃度而被調節，因此，當推測完全不 會有雜質附著在例如基板時，則降低上述所定的壓力，縮 短減壓時間，或是放慢減壓速度，可以抑制溫度的除去處 理。又，當推測會有許多的雜質附著在基板時，亦即，當 上述處理部之雜質的濃度高時，則提高上述所定的壓力， 拉長減壓時間，加快減壓速度，以便充分地進行除去處理 〇 因此，可以在必要最小限度之最佳條件下進行上述雜 質的除去處理。又，藉由使室內減壓，連在塗佈液中的溶 劑也會同時蒸發，而能夠同時進行以往藉由加熱所進行的 該處理。 此外，上述雜質的除去處理，則藉由將上述室內減壓 到所定的壓力，例如水之所定溫度的飽和水蒸氣壓以下； 而讓附著在基板上之例如水份蒸發而進行。 以下則說明本發明之最佳的實施形態。圖1爲本實施 形態之塗佈顯像處理系統1的平面圖，圖2爲塗佈顯像處 理系統1的正面圖，圖3爲塗佈顯像處理系統1的背面圖 經濟部智慈財產局員工消费合作社印製 〇 塗佈顯像處理系統1，如圖1所示，在其殼體1 a內 設有：例如以2 5個晶圓W爲卡匣單位，從外部相對於塗 佈顯像處理系統1搬進搬出，或是將晶圓W相對於卡匣C 搬進搬出的卡匣台2，在塗佈顯像處理過程中，作爲依照 一片一片式對晶圓W實施所定之處理的各種處理裝置配置 成多段之處理部的處理站3，設成與該處理站3相鄰，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495815 A7 B7___________ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述處理站3與設在塗佈顯像處理系統1外之曝光處理 裝置4之間，負責在搬送晶圓W時之路徑之一部分的介面 部5，以及設在該介面部5與曝光處理裝置4之間進行晶 圓W之授受的授受部6，而將該些加以連接成一體。 在卡匣站2中，多個的卡匣c，乃在X方向（圖中的 上下方向）呈一列地自由載置在卡匣載置台7上的所定的 位置。此外，相對於該卡匣配列方向（X方向）與被收容 在卡匣C之晶圓W的晶圓配列方向（Z方向；鉛直方向） 可移送的晶圓搬送體8，則設成可沿著搬送路徑9而自由 移動，而可以針對各卡匣C選擇性地進行存取（access ) 〇 晶圓搬送體8備有可進行晶圓W之定位的對位（ alignment)功能。該晶圓搬送體8，如後所述，則構成爲 可對屬於處理站3側之第3處理裝置群G 3的延遲（ extension)裝置3 2以及黏著（adhensive)裝置進行存取 〇 經濟部智慧財產局8工消費合作社印奴 在處理站3中，則將主搬送裝置1 3設在其中心部， 而將各種處理裝置呈多段地配置在該主搬送裝置1 3的周 邊，而構成處理裝置群。該塗佈顯像處理系統1 ，乃配置 有4個的處理裝置群Gl、G2、G3、G4，第1以及 第2的處理裝置群G 1、G 2，則被配置在顯像處理系統 1的正面側，第3的處理裝置群G 3，則配置成鄰接於卡 匣站2，第4的處理裝置群G 4，則配置成鄰接於介面部 5。更者，也可以另外選用地將第5的處理裝置群G 5配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -8- 495815 A7 _B7___ _ 五、發明説明（6 ) 置在背面側。上述主搬送裝置1 3，可以將晶圓W相對於 被配置在該些處理裝置群Gl、 G2、 G3、 G4的後述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的各種處理裝置搬進搬出。又，在處理站3內，則設有用 來測量水分、水蒸氣、氧氣、臭氧、有機物等之雜質的濃 度之例如A P I — M A S S等的濃度測量裝置1 5，可隨 時測量在處理站3內之雜質的濃度，且將該測量値送到後 述的控制器7 9。 在第1的處理裝置群G 1中，例如如圖2所示，從下 方開始依序呈2段地配置有用於對晶圓W塗佈光阻液的光 阻液塗佈裝置1 7，以及對經曝光處理後的晶圓W作顯像 處理的顯像處理裝置1 8。而與第2的處理裝置群G 2的 情形同樣地，從下方開始，依序呈2段地重疊有光阻液塗 佈裝置1 9，與顯像處理裝置2 0。 在第3的處理裝置群G3中，如圖3所示，乃從下方 開始依序例如呈7段地重疊有用於對晶圓W實施冷卻處理 的冷卻裝置3 0，用於提高光阻液與晶圓W之定著性的粘 著裝置3 1 ，用於讓晶圓W暫時待機的延遲裝置3 2，用 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於讓經顯像處理後的晶圓W冷卻的冷卻裝置3 3、3 4， 以及對經顯像處理後的晶圓W實施加熱處理的後烘烤（ post baking)裝置 3 5、 3 6 等。 在第4的處理裝置群G 4中，例如從下方開始依序呈 8段地重疊有例如冷卻裝置4 0，載置曝光處理前後之晶 圓W，之後，則冷卻到所定溫度之加熱。冷卻處理裝置 43，44，45(圖3中的？巳8/(：〇1)，爲了讓 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '" -9- 495815 A7 B7 _ _ 五、發明説明（7 ) 在光阻液中之溶劑蒸發而加熱，之後’則冷卻到所定之溫 度的加熱·冷卻處理裝置46、 47(圖3中的PRE/ C〇L )等。 上述加熱·冷卻處理裝置4. 3 ’如圖4 3所示，具有 .:在該殼體4 3 a內的基板5 0上’對基板進行加熱的圓 盤狀的熱板5 1 ，以及移動到該熱板5 1上’而從熱板 5 1上接受晶圓W，立即冷卻該晶圓W的冷卻板5 2。因 此，在同一裝置內，連續地進行晶圓W之加熱•冷卻處理 ，而可將藉由加熱而給予晶圓W的熱履歷經常保持爲一定 。此外，其他的加熱•冷卻處理裝置4 4〜4 7也具有相 同的構造。 在介面部5，則如圖1所示，在其中央部設有晶圓搬 送體5 5。該晶圓搬送體5 5，則構成爲可在Z方向（垂 直方向）自由移動與在β方向（以Z軸作爲中心的回轉方 向）自由回轉，而針對屬於第4的處理裝置群G 4的延遲 裝置41、4 2，周曝光裝置56，以及授受部6進行存 取，而分別可以搬送晶圓W。 授受部6，則被呈隧道狀，其斷面呈方形的殻體6 a 所包圍，而使其他的氣體不容易流入到授受部6內。又， 授受部6，則具有在將晶圓W從介面部5搬送到曝光處理 裝置4時會通過的第1路徑6 0，以及在將晶圓W從曝光 處理裝置4搬送到介面部5時會通過的第2路徑6 1。在 第1路徑6 0與第2路徑6 1之間設有分隔板6 3，而使 得第1路徑6 0與第2路徑6 1的環境不會彼此千擾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印災 -10- 495815 A7 _______B7_ 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第1路徑6 0內，設有在減壓室S內，讓附著在晶 圓W上之光阻膜上之水分等的雜質蒸發而予以除去的減壓 除去裝置6 5，以及可將晶圓w搬送到減壓除去裝置6 5 與曝光處理裝置4的晶圓搬送機搆6 6。 在此，則詳細地說明減壓除去裝置6 5的構造。減壓 除去裝置65，如圖5所示，在該殼體65a內，具有被 形成爲下面呈開口之大略筒狀，而可在上下自由移動的蓋 體7 0，以及位在該蓋體7 0的下側，而成爲一體，形成 作爲室（chamber)之減壓室S的載置台7 1。 在蓋體7 0的上面中央部有用於排出減壓室S內之氣 體的排氣口 7 5，該排氣口 7 5，則經由第1的配管7 7 ，而與會吸出減壓室S內之氣體而減壓的吸引裝置7 6連 通。又，在第1配管7 7，則設有作爲用來控制減壓室S 之壓力，減壓時間之減壓控制裝置的第1閥7 8，藉由根 據未圖示的馬達或空氣壓等變更該第1閥7 8的開閉度， 可以控制減壓室S內之壓力最後到達所定之設定壓力與減 壓時間。 經濟部智慈財產局S工消f合作社印繁 第1閥7 8，則被作爲控制器的控制器7 9的控制。 該控制器7 9可以接受來自設在蓋體7 〇之內部的壓力感 測器8 0的資料。在使減壓室S減壓時，則根據該資料來 控制第1閥7 8，而能夠將減壓室S內減壓到設定壓力。 控制器7 9，則可以隨時接受到來自上述處理站3內 之濃度測量裝置1 5的測量値。控制器7 9具有可針對所 定之濃度範圍3記憶在處理室3內之雜質的濃度與適合於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 495815 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該濃度之減壓室S的設定壓力與減壓時間的功能，根據來 自上述濃度測量裝置1 5之雜質的濃度的測量値來控制第 1閥7 8，而可將減壓室3的設定壓力與減壓時間變更成 上述所記憶的適當的値。 在第1配管7 7則分岐設有第2配管8 2 ’該第2配 管8 2，則與儲存有惰性氣體’例如氮氣的緩衝槽8 3連 通。在該第2配管8 2則設有用於將上述惰性氣體壓送到 減壓室S內的泵8 4與用來調節其流量的第2閥8 5 ’將 惰性氣體以所定的流量供給到經減壓的減壓室S ’而能夠 使減壓室S的壓力回復。在蓋體7 0之內部的上部設有整 流板8 δ，藉此，能夠使在減壓室S內的氣體均勻地被排 氣。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印¾ 載置台7 1被形成爲具有厚度的圓盤狀，且可將晶圓 W載置於其上。在載置台7 1則設有例如珀耳帖元件等之 未圖示的溫度調節機構9 0，將載置台7 1控制在所定的 溫度，而被載置在載置台7 1上之晶圓W的裝置，在晶圓 W面內可均勻地維持。在載置台7 1之面向蓋體7 0之下 端部的位置設有多個的吸引口 9 1 ，在蓋體7 0的下端部 與載置台7 1發生接觸之際，則藉由來自該些吸引口 9 1 的吸引口來維持蓋體7 0與載置台7 1的密接性，更者， 在將減壓室S內減壓之際，可以抑制在減壓室S內所形成 之氣體的流動。在載置台9 1的中央附近，則設有可在上 下方向貫穿載置台7 1的貫穿孔9 2。 在載置台7 1的下方，則設有可與載置台7 1的下面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 495815 A7 _B7 _ 五、發明説明（1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成爲一體，而形成負壓室K之大略呈筒狀的容器9 5。該 負壓室K，則經由貫穿孔9 2而與減壓室S連通。此外， 在容器9 5的下面則設有通氣管9 6 ’藉由未圖不的減壓 裝置，從通氣管9 6吸引在負壓室K內的環境’且經由貫 穿孔9 2，將晶圓W吸著在載置台7 1上。在容器9 5內 設有用於使晶圓W昇降的昇降銷（p i η ) 9 7，該昇降 銷9 7，則藉由昇降移動機構9 8 ’可在上述貫穿孔9 2 內自由昇降。 在殼體6 5 a之介面部5側與曝光處理裝置4側，則 分別設有用於將晶圓W搬進搬出的搬送口 1 〇 5、 1 0 6 ，而在各搬送口 1 〇 5、1 0 6設有開閉門（shutter) 10 7、108° 在第2路徑6 1內，如圖1所示，設有：在將完成曝 光處理之晶圓W搬送到介面部5時，會暫時供晶圓W載置 的載置部1 1 0，與用於將在曝光處理裝置4內的晶圓W 搬送到上述載置台1 1 0的晶圓搬送機構1 1 1。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 載置部1 1 0乃形成爲圓盤狀，在其中心附近，則設 有可讓所載置的晶圓W昇降的昇降機構1 1 2。此外，則 藉由該昇降機構1 1 2，在載置部1 1 0與晶圓搬送機構 1 1 1以及晶圓搬送體5 之間可進行晶圓W的授受。 在授受部6與介面部5之間，則設有用來遮斷在授受 部6內之氣體與介面部5內之氣體的分隔板1 1 5。在該 分隔板1 1 5面向上述減壓除去裝置6 5的位置，則設有 通過口 1 1 6。藉由上述晶圓搬送體5 5，將晶圓w從介 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13- 495815 A7 _B7_ 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 面部5搬送到減壓除去裝置6 5。在通過口 1 1 g則設有 將通過口 1 1 6設成可自由開閉的開閉門1 1 7 .，只有在 晶圓W通過通過口 1 1 6時才開放開閉門，而在以外的時 間，則關上開閉門1 1 9。 在分隔板1 1 5面向上述載置部1 1 〇的位置，則設 有通過口 1 1 8 ’藉由上述晶圓搬送體5 5，可將晶圓W 從載置部1 1 0搬送到介面部5內。更者，在該通過口 1 1 8則設有將通過口 1 1 8設成可自由開閉的開閉門 1 1 9，而只有在晶圓w通過通過口 1 1 8時才會開放開 閉門1 1 9。 在如此所構成之授受部6的上部，則設有：將惰性氣 體供給到圖6所示之第1路徑6 0與第2路徑6 1，而淸 洗雜質的氣體供給裝置1 2 1，以及用於排出該第1路徑 6 0與第2路徑6 1內之氣體的排氣管1 2 2，而可以經 常將第1路徑6 0內以及第2路徑6 1內維持在淸淨環境 。又，藉由控制該惰性氣體的供給量，來控制在授受部6 內的壓力。 經濟部智毪財產局員工消費合作社印製 用來進行晶圓W之曝光處理的曝光處理裝置4 ’如圖 1所示，乃設成鄰接於授受部6。該曝光處理裝置4 ’則 藉由該曝光處理裝置4的殼體4 a所密閉’而能夠嚴格地 控制在曝光處理裝置4內的環境。又’在殼體4 a之授受 部6側’則設有從第1路徑6 〇搬入晶圓w的通過口 1 2 5 ,以及將晶圓W搬出到第2路徑6 1的通過口 1 2 6。在各通過口 1 2 5、1 2 6則分別設有可以將通 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公*) 495815 A7 B7 五、發明説明（12 ) 過口 1 2 5 ，1 2 6設成自由開閉的開閉門]_ 2 7、 12 8° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著說明在如上所構成之塗佈顯像處理系統1中所進 行之光石印過程的製程。 首先，在開始進行晶圓W的處理之前，針對每個所定 的濃度範圍，如圖7所示，針對每2 0 %，將事先根據實 驗等所求得之處理站3內的雜質的濃度，與當在該濃度內 處理晶圓W時，爲了要除去附著在晶圓w上之雜質爲必要 之減壓室S的設定壓力與減壓時間記憶在控制器7 9內。 此外，當塗佈顯像處理系統1時，則開始測量濃度測 量裝置1 5，且將該測量値送到控制器7 9，而設定與該 測量値對應的減壓室S的設定壓力與減壓時間。例如當雜 質的濃度爲3 0 %時，則成爲2 · 3 k P a、 1 2 0 s e c。之後，則經常測量雜質的濃度，且將該測量値逐 一地送到控制器7 9。根據該測量値逐一地變更減壓室s 的設定壓力與減壓時間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印災 此外，當將惰性氣體供給到授受部6內時，則將授受 部6內置換成淸淨的環境，之後，則維持該狀態。此時， 則最好將在授受部6內的壓力設定成較在曝光處理裝置4 內的壓力爲低，以使在授受部6內的氣體不會流入到經過 嚴格淨化之5曝光處理裝置4內。 此外，當開始進行晶圓W的處理時，首先，在卡匣站 2中，晶圓搬送體8會從卡匣C取出1個的未處理的晶圓 W，而搬入到處理站3的黏著裝置3 1。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 495815 A7 _B7__ 五、發明説明（13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在黏著裝置3 1中，經塗佈可提高與光阻液之 密接性之Η M D S等之密接強化劑的晶圓W，則藉由主搬 送裝置1 3而被搬送到冷卻裝置3 0，且被冷卻到所定的 溫度。之後，晶圓W則被搬送到光阻液塗佈裝置1 7或 1 9來實施光阻液塗佈處理。此外，已形成有光阻膜的晶 圓W，則被搬送到加熱。冷卻處理裝置4 6或4 7 (圖3 中的PRE/COL)而實施加熱•冷卻處理。由於可以 將晶圓W從被加熱處理到被冷卻處理爲止的時間經常設成 一定，因此，藉由加熱而提供給晶圓W的熱履歷，則在晶 圓W之間可以設成一定。 又，本實施形態，由於從光阻塗佈處理到顯像處理爲 止所進行之全部的加熱•冷卻處理是在加熱•冷卻處理裝 置4 3〜4 7中進行，因此，從塗佈光阻液開始到顯像爲 止之所需要的時間，可以在全部的晶圓W中設成相同。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 之後，則將晶圓W搬送到延遲裝置4 1 ，藉由晶圓搬 送體5 5，從延遲裝置4 1搬送到介面部5內的周邊曝光 處理裝置56。此外，在周邊曝光裝置56中，其周邊經 曝光的晶圓W會再度爲晶圓搬送體5 5所保持，而從通過 口 1 1 6搬送到授受部6之第1路徑6 0內的減壓除去裝 置6 5。此時，則將開閉門打開1 1 7，當晶圓W被搬送 到減壓除去裝置6 5內時，開閉門1 1 7會再度被關閉。 在此，則詳細地說明在減壓除去裝置6 5中所進行之 雜質之除去過程的製程。首先，將位在圖5所示之殻體 6 5 a之介面部5側的開閉門1 〇 7打開，藉由上述晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16 - 495815 A7 B7 五、發明説明（14) 搬送體5 5 ，將晶圓W搬入到殼體6 5 a內。此外’晶圓 W則被傳送到昇降銷9 7，之後，則由昇降銷9 7的下降 ，而被載置在已被維持在所定溫度，例如2 3 C的載置台 7 1上。此外，則藉由來自通氣管9 6的吸引’使晶圓w 被吸著保持在載置台71上。 之後，蓋體7 0則下降，蓋體7 0的下端部則與載置 台7 1接觸，而形成減壓室S。此時，則從吸引口 9 1開 始吸引，藉該吸引力，使得蓋體7 0與載置台7 1密接。 接著，吸引裝置7 6會作動，而減壓室S內的氣體’ 會從排氣口 7 5，經由第1配管7 7開始排氣，而使得減 壓室S的壓力開始減壓，此時的設定壓力則爲根據在上述 處理站3內之雜質的濃度的測量値所設定的設定壓力’例 如2 · 3 k P a，根據該値，藉由控制器7 9控制閥7 8 的開閉度而達成。 此外，當進行減壓室S內的減壓時，則會達到例如爲 雜質之水分的飽和蒸氣壓，而使附著在晶圓W上的水分蒸 發，從晶圓W上脫離，該水分會從排氣口 7 5被排出。此 外，將該狀態維持一減壓時間，例如1 2 0 s e c，進行 該處理直到在晶圓W上的水分完全被除去爲止，而實施所 期望之減壓除去處理。 此外，當處理站3的雜質的濃度從3 0 %減少到1 5 %時，則根據圖7所示的雜質，設定壓力會變更成2 · 4 k P a，而減壓時間變更成1 1 0 s e c，在該條件下進 行晶圓W的減壓除去處理。此時，相較於濃度爲3 0 %胃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局g(工消f合作社印繁 -17- 495815 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，由於提高設定壓力，縮短減壓時間，而導致除去雜質的 能力降低，因此進行與預測較3 0 %時爲少之附著在晶圓 W之雜質的量對應的除去處理。又，當處理站3之雜質的 濃度從3 0 %變動到2 5 %時，則不變更設定壓力與減壓 時間，而維持目前的設定壓力與減壓時間。 此外，當經過上述減壓時間時，則關閉第1閥7 8， 而停止在減壓室S內的減壓。之後，泵8 4即作動，當第 2閥8 5被打開時，則在緩衝槽8 3內的惰性氣體會通過 第2配管8 2被供給到減壓室S內，而使得在減壓室s內 的壓力回復。 接著，在停止從吸引口 9 1吸引後，蓋體7 0即上昇 ，而打開減壓室S。此外，則解除晶圓W與載置台7 1的 吸著，晶圓W則藉由昇降銷9 2而上昇，而被傳送到在曝 光處理裝置4側的晶圓搬送機構6 · 6。此外，當晶圓W通 過殼體6 5 a ，而從減壓除去裝置6 5內搬出時，則結束 晶圓W的雜質的除去過程。 經濟部智慈財產局Μ工消費合作社印製 之後，則打開曝光處理裝置4之殼體4 a的開閉門 127，而藉由晶圓搬送機構6 6，從通過口 125，將 晶圓W搬入到曝光處理裝置4內。 接著，晶圓W，則在曝光處理裝置4內曝光所定的圖 案。此外，結束曝光的晶圓W，則藉由在第2路徑6 1內 的晶圓搬送機構1 1 1，而從曝光處理裝置4，通過通過 口 1 2 6而被搬出到第2路徑6 1內。此時，則打開開閉 門1 2 8，當晶圓W通過時才再度關閉。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -18- 495815 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，被搬入到第2路徑6 1內的晶圓W則移動到位 於載置部110上爲止，而被傳送到載置部11〇的昇降 機構1 1 2，之後，則暫時地載置在載置部1 1 〇。 之後，晶圓W，則藉由晶圓搬送體5 5，從載置部 1 1 0通過開閉門1 1 9之已開放的通過口 1 1 8 ’通過 介面部5內，而被搬送到處理站3內的延遲裝置4 2。此 外，晶圓W，則藉由主搬送裝置1 3 ’而被搬送到加熱· 冷卻處理裝置4 3、44或4 5，而依序實施經曝光處理 後的加熱•冷卻處理。 之後，晶圓W則被搬送到顯像處理裝置1 8或2 0而 實施顯像處理。此外，經顯像處理的晶圓W，則被搬送到 後烘培（post baking )裝置3 5或3 6而被加熱，之後， 則被搬送到冷卻裝置3 3或3 4，而被冷卻到所定溫度。 此外，則被搬送到第3處理群G 3的延遲裝置3 2，而藉 由晶圓搬送體5 5回到卡匣站2的卡匣C。藉由以上的過 程，則結束一連串的光石印過程。 經濟部智慧財產局肖工消费合作钍印製 根據以上的實施形態，藉由減壓除去裝置，可以除去 附著在晶圓W上之水分等的雜質，而使得之後所進行的曝 光處理得以良好地進行。 又，由於測量處理站3的雜質的濃度，而根據該測量 値來調節減壓除去裝置6 5的設定壓力與減壓時間，因此 可以進行與上述雜質的濃度和與密接相關連之晶圓W上之 雜質的附著量對應之必要最小限度的雜質除去處理。 又，如圖7所示般，將上述雜質的濃度區分爲所定的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 495815 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 濃度範圍，由於針對各濃度範圍來設定設定壓力與減壓時 間，因此，當上述濃度有不會影響到附著在晶圓w上之雜 質的量之程度的變動時，則不變更上述設定壓力等，可以 省略掉無謂的調節過程。 在上述的實施形態中，雖然是根據在作爲處理部之處 理站3內的雜質的濃度，來調節在減壓除去裝置6 5內之 減壓室S內的設定壓力與減壓時間，但是也可以取代設定 壓力與減壓時間，而改爲調節在作減壓時的減壓速度。以 下則說明以該例作爲第2實施形態。 此時，在具有與上述實施形態相同構造之塗佈顯像處 理系統1的控制器7 9，則事先針對上述雜質的各濃度範 圍，記憶有與在圖8所示之處理站3內的雜質的濃度呈對 應，而對於除去附著在晶圓W之雜質爲必要的減壓速度。 此外，當在減壓除去裝置6 5中，在除去附著在晶圓W上 的雜質時，則與第1實施形態同樣，如以根據在處理站3 內的濃度測量裝置1 5的測量結果所決定的減壓速度來減 速般地來設定，調節第1閥7 8的開閉度。 經濟部智总財/4局員工消費合作社印製 如此般，藉由根據在處理站3內之雜質的濃度來調節 減壓速度，可以調節到減壓到設定壓力爲止之所需要的時 間。例如當雜質的濃度高，且許多的雜質附著在晶圓W上 時，則減小減壓速度，而慢慢地接近於設定壓力，而持續 促進雜質之排氣的傾斜時間，相反地，當雜質的濃度低’ 且在晶圓W上的雜質少時，則增加減壓速度，以便於快些 到達設定壓力。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -20- 495815 A7 B7 五、發明説明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此一來，由於是在與附著在晶圓W上之雜質的量呈 對應的時間內除去在晶圓W上的雜質，因此可以防止對雜 質實施過度或是不足的除去處理。此外，在該第2實施形 態中，也可以如第1實施形態般，同時調節減壓室S的設 定壓力與減壓時間。 在以上的實施形態中，雖然是將濃度測量裝置1 5設 在處理站3內，而測量在處理站3內之雜質的濃度，但是 也可以將濃度測量裝置1 5設在位於塗佈顯像處理系統1 外的無塵室或介面部5內，而測量在無塵室內或介面部5 內之雜質的濃度。如此般，將濃度測量裝置1 5設在無塵 室，具有空間會較設在處理站3內時爲寬廣，且容易設置 濃度測量裝置1 5的優點。而將濃度測量裝置1 5設在介 面部5內，則具有會較設在處理站3內時更接近於減壓除 去裝置，而能夠測量出與晶圓W之雜質的附著量最密切相 關連之雜質的濃度之測量値的優點。 經濟部智慧財產局g (工消費合作社印製 在以上的實施形態中，雖然是在介面部5與曝光處理 裝置4之間設置授受部6，而在該授受部6內設置減壓除 去裝置6 5，但也可以將該減壓除去裝置6 5設在介面部 5內。此時，如圖9所示，則在塗佈顯像處理系統1 4 0 之介面部1 4 1內的正面側，且可供晶圓搬送體5 5取放 的位置設置減壓除去裝置1 4 2。此外，則將曝光處理裝 置1 4 3設成與介面部1 4 1相鄰，在其殻體1 4 3 a則 設有單一的通過口 1 4 5與使該通過口 1 4 5成爲自由開 閉的開閉門（shutter) 1 4 6。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ~ 495815 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖1 〇所示’在介面部1 4 1的上部設有氣體供給 裝置1 5 〇 ’而在介面部1 4 1的下部設有可將在介面部 1 4 1內的氣體排出的排氣管1 5 1 ，將經淨化的惰性氣 體供給到介面部1 4 1內，藉由對雜質實施淸洗，可以將 介面部1 4 1內維持在淸淨的環境。 更者’在介面部1.4 1與處理站3之間，則設有用來 遮斷介面部1 4 1與處理站3內之氣體的分隔板1 5 5。 此外，在該分隔板1 5 5面向第4處理裝置群G 4的延遲 裝置4 1以及4 2的位置，則設有通過口 1 5 6與使該通 過口 1 5 6成爲自由開閉的開閉門1 5 7，以防止在處理 室3內的氣體不會流入到介面部1 4 1內。 如此所構成的塗佈顯像處理系統1 4 0，則與上述的 第1實施形態相同，也可以根據由濃度測量裝置1 5所測 得的雜質的濃度，來調節減壓除去裝置1 4 2的減壓室S 的設定壓力與減壓時間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 如此般，藉由將減壓除去裝置1 4 2設在介面部 1 4 1內，由於可以在與現存之塗佈顯像處理系統相同的 空間大小內，來安裝從晶圓W除去雜質的裝置，因此，相 較於上述的實施形態，系統得以小型化。 更者，在以上之實施形態的塗佈顯像處理系統1或 140中，在減壓除去裝置65或142，也可以在進行 雜質的除去處理的同時，也進行加熱•冷卻處理裝置4 6 、4 7讓光阻液中的溶劑蒸發的處理。此時，則如圖1 1 所示般，在處理站3的第4處理裝置群G 4，取代加熱· 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 495815 A7 ___B7_ 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 冷卻處理裝置46、47 (PRE/COL)，而改設在 曝光後，用來進行加熱•冷卻處理的加熱·冷卻處理裝置 160 (PEB/COL)，以及在顯像處理後，用來進 行加熱處理的加熱處理裝置1 61 ，且在第3處理裝置群 G 3附加上針對在經曝光且加熱處理後的晶圓w進行冷卻 處理的冷卻處理裝置1 6 2。 此外，當要在減壓除去裝置6 5內除去附著在晶圓w 上之雜質時，則將減壓室S的壓力減壓到一能夠使水分與 光阻液的溶劑與兩者同時蒸發之所定的壓力，例如1 3 3 P a爲止，而可以使光阻液中的溶劑與作爲雜質的水分同 時蒸發。藉此，在減壓除去裝置6 5內可以同時進行溶劑 蒸發處理與雜質除去處理兩者。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 因此，可以在減壓除去裝置6 5中進行以往由加熱· 冷卻處理裝置4 6、4 7所進行的處理。此外，如上所述 ，由於取代用於溶劑蒸發處理的裝置，而改爲增設其他的 熱處理裝置，因此可以提高處理站3內的處理能力。此外 ’即使是不增加其他的熱處理裝置，而省略掉加熱•冷卻 處理裝置46、 47時，由於可以減少熱處理裝置的數目 ，因此也能夠達到處理站3整體的輕巧化。 以上所述的實施形態，雖然是針對在半導體晶圓元件 製程之光石印過程中的晶圓W的塗佈顯像處理系統，但本 發明也可以應用在半導體晶圓以外之基板，例如L C D基 板的塗佈顯像處理系統。 根據本發明，由於在曝光處理前，可將附著在基板之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - 495815 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 塗佈膜的水分、水蒸氣、氧氣、臭氧、有機物等之分子級 〔level〕的雜質或微粒子等的雜質，因此，可以在不被 雜質影響的情形下良好地進行曝光處理，而能夠提高良品 率。又，由於在雜質之除去處理的同時，也能夠讓在塗佈 液中的溶劑蒸發，因此能夠提高生產率。 更者，由於根據在所定之位置所測得的雜質的濃度， 來調節在作減壓時之所定的壓力與所定的時間，或是在減 壓時的減壓速度，因此，能夠以與雜質之附著量呈對應之 必要最小限度的最佳條件，來進行除去附著在基板上之水 分、氧氣等的雜質的處理。因此，由於可以從基板除去會 對處理帶來惡劣影響的雜質，因此可以提高良品率。 圖面之簡單說明 圖1爲從平面所看到之本實施形態之塗佈顯像處理系 統的說明圖。 圖2爲圖1之塗佈顯像處理系統的正面圖。 圖3爲圖1之塗佈顯像處理系統的正面圖。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 圖4爲位在圖1之塗佈顯像處理系統內之加熱•冷卻 處理裝置之槪略內容的橫斷面圖。 圖5爲表示在授受部內之減壓除去裝置之構造的縱斷 面的說明圖。 圖6爲從曝光處理裝置所看到之表示在圖1之塗佈顯 像處理系統之授受部內之惰性氣體之流動狀態的縱斷面的 說明圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 495815 A7 B7 五、發明説明（22 ) 圖7爲表示被記憶在減壓除去裝置之控制器之雜質之 各濃度範圍的設定壓力與減壓時間的表。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8爲在第2實施形態中，表示被記憶在減壓除去裝 置之控制器之雜質之各濃度範圍之減壓速度的設定値的表 〇 圖9爲從平面所看到之當在介面部設置減壓除去裝置 時之塗佈顯像處理系統的說明圖。 圖1 0爲表示被供給到圖9之塗佈顯像處理系統之介 面部之惰性氣體之流動的縱斷面的說明圖。 圖11爲表示當藉減壓除去裝置進行光阻液之溶劑之 蒸發處理時，在塗佈顯像處理系統內之加熱•冷卻處理裝 置之配置例的說明圖。 主要元件對照表 1 塗佈顯像處理系統 2 卡匣站 3 處理站 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 4 曝光處理裝置 5.141 介面部 6 授受部 7 卡匣載置部 8 晶圓搬送體 9 搬送路徑 13 主搬送裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -25- 495815 五 ___一 _ - -----------1—I---- In ” . . _ 經濟部智慧財產局貞工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（23) 15 濃度測量裝置 1 7 光阻液塗佈裝置 18 顯像處理裝置 19 光阻液塗佈裝置 2 0 顯像處理裝置 ， 3 1 黏著裝置 3 2、4 1、4 2 延遲裝置 30、 33、 34、 40 冷卻裝置 35.36 後烘焙裝置 43、 44、 45、 46、 47 加熱·冷卻處理裝置 5〇 基台 5 1 熱板 5 2 冷卻板 5 5 晶圓搬送體 56 周邊曝光裝置 6〇 第1路徑 6 1 第2路徑 65 減壓除去裝置 6 5 a、1 4 3 a 殼體 6 6 晶圓搬送機構 7〇 蓋體 7 1 載置台 7 5 排氣口 7 6 吸引裝置 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-26- 495815 A7 B7 五、發明説明（24) 7 7 第 — 配 管 7 8 第 1 閥 7 9 控 制 器 8 2 第 2 配 管 8 3 緩 衝 槽 8 4 泵 8 5 第 2 閥 8 8 整 流 板 9 〇 溫 度 m 節 機 構 9 1 吸 引 □ 9 2 貫 穿 孔 9 5 容 器 9 6 通 氣 管 9 7 昇 降 銷 9 8 昇 降 移 動 機 構 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 105.106 搬送口 1 0 7 ，1 0 8 開閉門 110 載置部 111 晶圓搬送機構 112 昇降機構 115.155 分隔板 116、 118、 125、 126 通過口 1 1 7、 1 1 9、 1 2 7、 1 2 8 開閉門 14 0 塗佈顯像處理系統 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 495815 A7 B7 五、發明説明（25 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 2 減 壓 除去裝 置 1 4 3 曝 光 顯像裝 置 1 4 5 > 1 5 6 通 過 1 4 6 > 1 5 7 開 閉 1 5 〇 氣 體 供給裝 置 1 5 1 排 氣 管 W 晶 圓 C 卡 匣 G 1 > G 2 、 G 5、 G S 減 壓 室 K 負 壓 室 處理裝置群 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -28-

Claims (1)

  1. 495815 附件：第90110773號專利申請案 A8 民國9〇年11月修正 中文申請專利範圍修正本 H f ---· - „ —--- 六、申請專利範圍 I......- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種塗佈顯像處理方法，其主要係針對一在塗佈 顯像處理系統的處理.部中，對基板實施塗佈顯像處理的方 法，其特徵在於： 具有： 將塗佈液供給到基板，而形成塗佈膜的過程； 針對經上述系統外之曝光裝置之曝光處理的基板，在 上述處理部中使上述基板顯像的過程及； 在形成上述塗佈膜後，在上述曝光處理之前，將基板 搬入到室（chamber)內，之後，將經氣密狀閉鎖的上述室 內減壓到所定的壓力，於所定的時間內，從上述基板除去 附著在上述室內之基板的雜質的過程， 上述所定的壓力與上述所定的時間，乃根據在上述處 理部內所測得的雜質濃度而被調節。 2 ·如申請專利範圍第1項之塗佈顯像處理方法，更 具有將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍，而記憶與各濃 度範圍對應之上述所定的壓力與上述所定的時間的過程， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述所定的壓力與所定的時間的調節，則是根據上述 雜質的濃度，而調節成爲與該濃度所屬之上述所定的濃度 範圍對應之上述所記憶的所定的壓力與所定的時間。 3 .如申請專利範圍第1項之塗佈顯像處理方法，在 將上述室內減壓到所定之壓力時的減壓速度，則是根據上 述雜質的濃度而被調節。 4 · 一種塗佈顯像處理方法，其主要係針對一在塗佈顯 像處理系統的處理部中，對基板實施塗佈顯像處理的方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 ： 495815 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其特徵在於： 具有： 將塗佈液供給到基板，而形成塗佈膜的過程； 針對經上述系統外之曝光裝置之曝光處理的基板，在 上述處理部中使上述基板顯像的過程及； 在形成上述塗佈膜後.，在上述曝光處理之前，將基板 搬入到室（chamber )內，之後，將經氣密狀閉鎖的上述室 內減壓到所定的壓力，於所定的時間內，從上述基板除去 附著在上述室內之基板的雜賛的過程’ 上述所定的壓力與上述所定的時間’則根據在上述塗 佈顯像處理系統之無塵室內所測得的雜質的濃度而被調節 〇 5 .如申請專利範圍第4項之塗佈顯像處理方法，更 具有將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍’而記憶與各濃 度範圍對應之上述所定的壓力與上述所定的時間的過程’ 上述所定的壓力與所定的時間的調節’則是根據上述 雜質的濃度，而調節成爲與該濃度所屬之上述所定的濃度 範圍對應之上述所記憶的所定的壓力與所定的時間。 6 ·如申請專利範圍第4項之塗佈顯像處理方法，在 將上述室內減壓到所定之壓力時的減壓速度，則是根據上 述雜質的濃度而被調節。 7 · —種塗佈顯像處理方法，其主要係針對一在塗佈 顯像處理系統的處理部中，對基板實施塗佈顯像處理的方 法，其特徵在於： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 · 495815 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 具有： 將塗佈液供給到基板，而形成塗佈膜的過程； 針對經上述系統外之曝光裝置之曝光處理的基板，在 上述處理部中使上述基板顯像的過程及； 在形成上述塗佈膜後，在上述曝光處理之前，將基板 搬入到室（chamber)內，.之後，將經氣密狀閉鎖的上述室 內減壓到所定的壓力，於所定的時間內，從上述基板除去 附著在上述室內之基板的雜質的過程， 上述減壓時之減壓速度，則根據在上述處理部內所測 得之雜質的濃度而被調節。 8 .如申請專利範圍第7項之塗佈顯像處理方法，更 具有將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍，記憶與各濃度 範圍對應之上述所定的減壓速度的過程， 上述減壓速度的調節，則根據所測得之上述雜質的濃 度，而調節成爲與該濃度所屬之上述所定的濃度範圍對應 之上述被記憶之所定的減壓速度。 9 · 一種塗佈顯像處理方法，其主要係針對一在塗佈 顯像處理系統的處理部中，對基板實施塗佈顯像處理的方 法，其特徵在於： 具有： · 將塗佈液供給到基板，而形成塗佈膜的過程； 針對經上述系統外之曝光裝置之曝光處理的基板，在 上述處理部中使上述基板顯像的過程及； 在形成上述塗佈膜後，在上述曝光處理之前，將基板 冢紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495815 有在彡成塗佈膜的塗佈處理裝置 推行卜沭甚 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 搬入到室（c h a m b e r )內’之後’將經氣密'狀閉鎖的上述室 內減壓到所定的壓力.，於所定的時間內’從上述基板除去 附著在上述室內之基板的雜質的過程’ 上述減壓時的減壓速度’則根據在上述塗佈顯像處理 系統之無塵室內所測得的雜質的濃度而被調節。 1 0 ·如申請專利範.圍第9項之塗佈顯像處理方法’ 更具有將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍，記憶與各濃 度範圍對應之上述所定的減壓速度的過程’ 上述減壓速度的調節，則根據所測得之上述雜質的濃 度，而調節成爲與該濃度所屬之上述所定的濃度範圍對應 之上述被記憶之所定的減壓速度。 1 1 . 一種塗佈顯像處理系統，其主要係針對一用於 對基板實施塗佈顯像處理的塗佈顯像處理系統，其特徵在 於： a 具 板之顯像的顯像處理裝置，及進行上述基板之熱處理的熱 處理裝置的處理部； 在上述處理部與對上述基板進行曝光處理之系統外的 曝光處理裝置之間進行基板之搬送的介面部； 至少測量上述處理部或介面部內之雜質之濃度的濃度 測量裝置； 具有呈氣密狀可自由閉鎖的室（chamber)，在上述基 板經上述曝光處理之前，將該室內減到所定的壓力，在所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公董） ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    495815 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 定的時間內除去附著在室內之上述基板之塗佈膜之雜質的 減壓除去裝置及； 根據上述濃度測量裝置的測量値至少控制上述所定之 壓力或時間的減壓控制裝置。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之塗佈顯像處理系統 ，具有可將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍，記憶與各 濃度範圍對應之上述所定的壓力與時間，根據上述測量値 來控制上述減壓控制裝置，以成爲與該測量値所屬之上述 所定的濃度範圍對應之上述所記憶之所定的壓力與時間的 控制器。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之塗佈顯像處理系統 ，上述減壓控制裝置，更根據上述濃度測量裝置的測量値 ，來控制在使上述室內減壓到上述所定之壓力時的減壓速 度。 1 4 · 一種塗佈顯像處理系統，其主要係針對一用於 對基板實施塗佈顯像處理的塗佈顯像處理系統，其特徵在 於： 具有在基形成塗佈膜的塗佈處理裝置，進行上述基 板之顯像的顯像處理裝置，及進行上述基板之熱處理的熱 處理裝置的處理部； 在上述處理部與對上述基板進行曝光處理之系統外的 曝光處理裝置之間進行基板之搬送的介面部； 至少測量上述處理部或介面部內之雜質之濃度的濃度 5 -；_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    495815 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 測量裝置； 具有呈氣密狀可自由閉鎖的室（chamber) ’在上述基 板經上述曝光處理之前，將該室內減壓到所定的壓力’在 所定的時間內除去附著在室內之上述基板之塗佈膜之雜質 的減壓除去裝置及； 根據上述濃度測量裝置的測量値，來控制上述減壓除 去裝置之至少上述所定之壓力或時間的減壓控制裝置。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之塗佈顯像處理系統 ，具有可將雜質的濃度區分成所定的濃度範圍，記憶與各 濃度範圍對應之上述所定的壓力與時間，根據上述測量値 來控制上述減壓控制裝置，以成爲與該測量値所屬之上述 所定的濃度範圍對應之上述所記憶之所定的壓力與時間的 控制器。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之塗佈顯像處理系統 ，上述減壓控制裝置，更根據上述濃度測量裝置的測量値 ，來控制在使上述室內減壓到上述所定之壓力時的減壓速 度。 1 7 · —種塗佈顯像處理系統，其主要係針對一用於 對基板實施塗佈顯像處理的塗佈顯像處理系統，其特徵在 於·· 具有成塗佈膜的塗佈處理裝置，進行上述基 板之福像的頌像處理裝置’及進行上述基板之熱處理的熱 處理裝置的處理部； 本^張尺度適用中關家標準（CNS ) Α4· ( 21GX 297公釐) ~ ~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495815 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在上述處理部與對上述基板進行曝光處理之系統外的 曝光處理裝置之間進.行基板之搬送的介面部； 至少測量上述處理部或介面部內之雜質之濃度的濃度 測量裝置； 具有呈氣密狀可自由閉鎖的室（chamber )，在上述基 板經上述曝光處理之前，將該室內減到所定的壓力，在所 定的時間內除去附著在室內之上述基板之塗佈膜之雜質的 減壓除去裝置及； 根據上述濃度測量裝置的測量値，來控制上述減壓控 制裝置之減壓力速度的減壓控制裝置。 1 8 · —種塗佈顯像處理系統，其主要係針對一用於 對基板實施塗佈顯像處理的塗佈顯像處理系統，其特徵在 於：
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具有在彡成塗佈膜的塗佈處理裝置，進行上述基 板之顯像的顯像處理裝置，及進行上述基板之熱處理的熱 處理裝置的處理部； 在上述處理部與對上述基板進行曝光處理之系統外的 曝光處理裝置之間進行基板之搬送的介面部； 至少測量上述處理部或介面部.內之雜質之濃度的濃度 測量裝置； 具有呈氣密狀可自由閉鎖的室（chamber )，在上述基 板經上述曝光處理之前，將該室內減壓到所定的壓力，在 所定的時間內除去附著在室內之上述基板之塗佈膜之雜質
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7 495815 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 的減壓除去裝置及； 根據上述濃度測量裝置的測量値，來控制上述減壓除 去裝置之減壓速度的減壓控制裝置。 1 9 .如申請專利範圍第1 1項之塗佈顯像處理系統 ，上述介面部與上述曝光處理裝置，乃經由授受部而被連 接，上述減壓除去裝置則被設在上述授受部。 2 〇 .如申請專利範圍第1 6項之塗佈顯像處理系統 ，上述授受部具有在將基板從上述介面部搬送到上述曝光 處理裝置時通過的第1路徑，與當基板從上述曝光處理裝 置搬送到上述介面部時通過的第2路徑， 而上述減壓除去裝置被設在上述第1路徑。 2 1 .如申請專利範圍第1 1項之塗佈顯像處理系統 ，上述減壓除去裝置被設在上述介面部。 ：——— I — II 0—, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
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