JP3218425B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 399
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 77
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 72
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 51
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 235000001630 Pyrus pyrifolia var culta Nutrition 0.000 description 2
- 240000002609 Pyrus pyrifolia var. culta Species 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、処理方法及び処
理装置に関するものである。
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。
【０００３】この処理工程は、半導体デバイスの高集積
化において極めて重要なプロセスであり、例えば６４Ｍ
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭの生産においては、従来
のレジスト液に代って化学増幅型レジスト液を使用する
プロセスが必要である。
化において極めて重要なプロセスであり、例えば６４Ｍ
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭの生産においては、従来
のレジスト液に代って化学増幅型レジスト液を使用する
プロセスが必要である。
【０００４】上記処理を行う装置として、被処理体例え
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化学増
幅型レジスト液は環境依存性が高く、雰囲気中に、例え
ばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrolidinone）
の有機アミン、極性分子が存在すると、解像不良を起こ
す虞れがある。
幅型レジスト液は環境依存性が高く、雰囲気中に、例え
ばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrolidinone）
の有機アミン、極性分子が存在すると、解像不良を起こ
す虞れがある。
【０００６】すなわち、露光された半導体ウエハの表面
に現像液を供給して現像処理を施す工程において、回路
パターンの正確な線幅が得られず、集積度の高精度の性
能が充分得られないという問題がある。この高集積度の
対応について発明者等は鋭意研究した結果、明らかでは
ないが、以下の理由により回路パターンの正確な線幅が
得られないと推測される。
に現像液を供給して現像処理を施す工程において、回路
パターンの正確な線幅が得られず、集積度の高精度の性
能が充分得られないという問題がある。この高集積度の
対応について発明者等は鋭意研究した結果、明らかでは
ないが、以下の理由により回路パターンの正確な線幅が
得られないと推測される。
【０００７】すなわち、未処理の半導体ウエハ表面に
付着した微粒子等のウエハ表面汚染物を除去する洗浄液
にアンモニアを使用するため、雰囲気中にアルカリ成分
が生成される。レジスト液を半導体ウエハ表面に塗布
する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処理を行う
際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン等のアル
カリ成分が生成される。
付着した微粒子等のウエハ表面汚染物を除去する洗浄液
にアンモニアを使用するため、雰囲気中にアルカリ成分
が生成される。レジスト液を半導体ウエハ表面に塗布
する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処理を行う
際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン等のアル
カリ成分が生成される。
【０００８】上記，の工程、すなわち洗浄処理工
程、疎水化処理工程において発生したアルカリ成分が露
光工程後の焼成工程や現像工程などの雰囲気に流入する
ことにより、上記焼成時や現像時に回路パターンの正確
な線幅が得られず、ＩＣ素子の歩留まりの低下を招くも
のと考えられる。
程、疎水化処理工程において発生したアルカリ成分が露
光工程後の焼成工程や現像工程などの雰囲気に流入する
ことにより、上記焼成時や現像時に回路パターンの正確
な線幅が得られず、ＩＣ素子の歩留まりの低下を招くも
のと考えられる。
【０００９】したがって、装置の雰囲気中のこの種のア
ルカリ成分すなわち解像不良を起因する不純物の濃度を
低下させる必要がある。そのため、各装置の処理室に例
えばケミカルフィルタを配置して上記不純物の濃度を低
下させている。しかし、ケミカルフィルタの経時変化等
によって雰囲気濃度が許容安全値を上回るため、各装置
内の雰囲気濃度を検出して、ケミカルフィルタの交換等
を行わなければならない。
ルカリ成分すなわち解像不良を起因する不純物の濃度を
低下させる必要がある。そのため、各装置の処理室に例
えばケミカルフィルタを配置して上記不純物の濃度を低
下させている。しかし、ケミカルフィルタの経時変化等
によって雰囲気濃度が許容安全値を上回るため、各装置
内の雰囲気濃度を検出して、ケミカルフィルタの交換等
を行わなければならない。
【００１０】上記問題を解決する手段として、従来で
は、各装置内の雰囲気を採取して、雰囲気中の解像不良
不純物の濃度を解析する方法が行われているが、この方
法では、濃度検出に時間を要し、半導体ウエハの上記処
理を連続的に行うシステムにおいては、歩留まりの低下
をきたすと共に、装置の信頼性が低下するという問題が
あった。
は、各装置内の雰囲気を採取して、雰囲気中の解像不良
不純物の濃度を解析する方法が行われているが、この方
法では、濃度検出に時間を要し、半導体ウエハの上記処
理を連続的に行うシステムにおいては、歩留まりの低下
をきたすと共に、装置の信頼性が低下するという問題が
あった。
【００１１】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、歩留まりの向上を図ると共に、装置の信頼性の向上
を図れるようにした処理方法及び処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
で、歩留まりの向上を図ると共に、装置の信頼性の向上
を図れるようにした処理方法及び処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理方法は、被処理体に処理液を塗
布した後、被処理体を露光処理し、露光処理された被処
理体を温度調整した後、現像処理する処理方法を前提と
し、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至
るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起
こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不
良しきい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
に、請求項１記載の処理方法は、被処理体に処理液を塗
布した後、被処理体を露光処理し、露光処理された被処
理体を温度調整した後、現像処理する処理方法を前提と
し、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至
るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起
こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不
良しきい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
【００１３】この場合、検出された濃度値の解像不良し
きい値より低い値に基いて各処理部の雰囲気を制御する
ようにしてもよい（請求項２）。
きい値より低い値に基いて各処理部の雰囲気を制御する
ようにしてもよい（請求項２）。
【００１４】請求項３記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
被処理体の処理を停止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
被処理体の処理を停止することを特徴とする。
【００１５】請求項４記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理部及び非処理部の被処理体を処理した後、処理を停
止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理部及び非処理部の被処理体を処理した後、処理を停
止することを特徴とする。
【００１６】請求項５記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理が施される被処理体の全ての処理を行った後、処理
を停止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理が施される被処理体の全ての処理を行った後、処理
を停止することを特徴とする。
【００１７】請求項６記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出すると共に、上記処理
部の外部環境の雰囲気中における解像不良を起こす不純
物の濃度を検出し、検出された所定の濃度値に基いて、
上記各処理部の雰囲気及び外部環境の雰囲気を制御する
ことを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出すると共に、上記処理
部の外部環境の雰囲気中における解像不良を起こす不純
物の濃度を検出し、検出された所定の濃度値に基いて、
上記各処理部の雰囲気及び外部環境の雰囲気を制御する
ことを特徴とする。
【００１８】上記請求項１ないし６のいずれかに記載の
処理方法において、異なる処理部で検出された濃度値の
差が所定以上に達した際に、再度検出を実行する方が好
ましい（請求項７）。
処理方法において、異なる処理部で検出された濃度値の
差が所定以上に達した際に、再度検出を実行する方が好
ましい（請求項７）。
【００１９】請求項８記載の処理方法は、空調された処
理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で被
処理体をレジスト処理する処理方法において、 外部か
ら上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送工程
と、 上記被処理体にレジストを塗布する塗布処理工程
と、 塗布レジストを露光処理する露光処理工程と、露
光された塗布レジストを現像処理する現像処理工程と、
上記搬送工程から現像処理工程に至るまでの間に少な
くとも１回は、上記レジスト処理システム内の処理雰囲
気中においてレジストの解像不良の原因となるアルカリ
成分の濃度を検出する工程と、 予め記憶されたレジス
トの解像不良を生じる上記レジスト処理システム内の処
理雰囲気中のアルカリ成分濃度のしきい値と上記濃度検
出工程の 検出値とを比較する工程と、 上記濃度検出工
程の検出値と、上記しきい値とに基いて上記搬送工程か
ら現像処理工程のうちの少なくとも１つの処理雰囲気を
制御する工程と、を有することを特徴とする。
理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で被
処理体をレジスト処理する処理方法において、 外部か
ら上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送工程
と、 上記被処理体にレジストを塗布する塗布処理工程
と、 塗布レジストを露光処理する露光処理工程と、露
光された塗布レジストを現像処理する現像処理工程と、
上記搬送工程から現像処理工程に至るまでの間に少な
くとも１回は、上記レジスト処理システム内の処理雰囲
気中においてレジストの解像不良の原因となるアルカリ
成分の濃度を検出する工程と、 予め記憶されたレジス
トの解像不良を生じる上記レジスト処理システム内の処
理雰囲気中のアルカリ成分濃度のしきい値と上記濃度検
出工程の 検出値とを比較する工程と、 上記濃度検出工
程の検出値と、上記しきい値とに基いて上記搬送工程か
ら現像処理工程のうちの少なくとも１つの処理雰囲気を
制御する工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】請求項９記載の処理方法は、空調された処
理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で被
処理体をレジスト処理する処理方法において、 外部か
ら上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送工程
と、 上記処理部内で上記被処理体にレジストを塗布す
る塗布処理工程と、 上記処理部内で塗布レジストを露
光処理する露光処理工程と、 上記処理部内で塗布レジ
ストを現像処理する現像処理工程と、 上記搬送工程か
ら現像処理工程に至るまでの間に少なくとも１回は、塗
布レジストを熱処理する工程と、 上記搬送工程から現
像処理工程に至るまでの間で少なくとも１回は、上記レ
ジスト処理システムの内部処理雰囲気中においてレジス
トの解像不良の原因となるアルカリ成分の濃度を検出す
る第１の濃度検出工程と、 上記レジスト処理システム
の外部環境の雰囲気中に含まれるアルカリ成分の濃度を
検出する第２の濃度検出工程と、 予め記憶されたレジ
ストの解像不良を生じる上記レジスト処理システムの内
部処理雰囲気中のアルカリ成分濃度の第１のしきい値と
上記第１の濃度検出工程の検出値とを比較する工程と、
予め記憶されたレジスト解像不良を生じる上記レジス
ト処理システムの外部環境の雰囲気中のアルカリ成分濃
度の第２のしきい値と上記第２の濃度検出工程の検出値
とを比較する工程と、 上記第１及び第２の濃度検出工
程の検出値と、上記第１のしきい値とに基いて上記搬送
工程から現像処理工程のうちの少なくとも１つの処理雰
囲気を制御する工程と、 上記第２の濃度検出工程の検
出値と、上記第２のしきい値とに基いて上記レジスト処
理システムの外部環境の雰囲気を制御する工程と、を有
することを特徴とする。
理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で被
処理体をレジスト処理する処理方法において、 外部か
ら上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送工程
と、 上記処理部内で上記被処理体にレジストを塗布す
る塗布処理工程と、 上記処理部内で塗布レジストを露
光処理する露光処理工程と、 上記処理部内で塗布レジ
ストを現像処理する現像処理工程と、 上記搬送工程か
ら現像処理工程に至るまでの間に少なくとも１回は、塗
布レジストを熱処理する工程と、 上記搬送工程から現
像処理工程に至るまでの間で少なくとも１回は、上記レ
ジスト処理システムの内部処理雰囲気中においてレジス
トの解像不良の原因となるアルカリ成分の濃度を検出す
る第１の濃度検出工程と、 上記レジスト処理システム
の外部環境の雰囲気中に含まれるアルカリ成分の濃度を
検出する第２の濃度検出工程と、 予め記憶されたレジ
ストの解像不良を生じる上記レジスト処理システムの内
部処理雰囲気中のアルカリ成分濃度の第１のしきい値と
上記第１の濃度検出工程の検出値とを比較する工程と、
予め記憶されたレジスト解像不良を生じる上記レジス
ト処理システムの外部環境の雰囲気中のアルカリ成分濃
度の第２のしきい値と上記第２の濃度検出工程の検出値
とを比較する工程と、 上記第１及び第２の濃度検出工
程の検出値と、上記第１のしきい値とに基いて上記搬送
工程から現像処理工程のうちの少なくとも１つの処理雰
囲気を制御する工程と、 上記第２の濃度検出工程の検
出値と、上記第２のしきい値とに基いて上記レジスト処
理システムの外部環境の雰囲気を制御する工程と、を有
することを特徴とする。
【００２１】請求項１０記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、上記濃度検出工程の検出値がしきい値又は第１のし
きい値を下回るように搬送工程から現像処理工程のうち
の少なくとも１つの処理雰囲気をフィードバック制御す
ることを特徴とする。
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、上記濃度検出工程の検出値がしきい値又は第１のし
きい値を下回るように搬送工程から現像処理工程のうち
の少なくとも１つの処理雰囲気をフィードバック制御す
ることを特徴とする。
【００２２】請求項１１記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部及び非処理部に存在する全ての被処理体の処理動
作を停止させ、更に、上記処理部内に供給される空調空
気に含まれるアルカリ成分を除去するためのケミカルフ
ィルタを交換し、ケミカルフィルタの交換後に処理部及
び非処理部における被処理体の処理を再開することを特
徴とする。
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部及び非処理部に存在する全ての被処理体の処理動
作を停止させ、更に、上記処理部内に供給される空調空
気に含まれるアルカリ成分を除去するためのケミカルフ
ィルタを交換し、ケミカルフィルタの交換後に処理部及
び非処理部における被処理体の処理を再開することを特
徴とする。
【００２３】請求項１２記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部に存在する全ての被処理体の処理動作を停止さ
せ、更に、上記処理部内に供給される空調空気に含まれ
るアルカリ成分を除去するためのケミカルフィルタを交
換し、ケミカルフィルタの交換後に処理部における被処
理体の処理を再開することを特徴とする。
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部に存在する全ての被処理体の処理動作を停止さ
せ、更に、上記処理部内に供給される空調空気に含まれ
るアルカリ成分を除去するためのケミカルフィルタを交
換し、ケミカルフィルタの交換後に処理部における被処
理体の処理を再開することを特徴とする。
【００２４】請求項１３記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部及び非処理部に存在する全ての被処理体の処理を
続行し、 上記全ての被処理体の処理を完了させた後
に、レジスト処理システムの処理部及び非処理部の処理
動作を停止させ、 更に、上記処理部内に供給される空
調空気に含まれるアルカリ成分を除去するためのケミカ
ルフィルタを交換し、ケミカルフィルタの交換後に処理
部及び非処理部における被処理体の処理を再開すること
を特徴とする。
は９記載の処理方法において、上記処理雰囲気を制御す
る工程では、濃度検出工程又は第１の濃度検出工程の検
出値が、しきい値又は第１のしきい値を上回ったとき
に、所定の表示を行うと共に、レジスト処理システムの
処理部及び非処理部に存在する全ての被処理体の処理を
続行し、 上記全ての被処理体の処理を完了させた後
に、レジスト処理システムの処理部及び非処理部の処理
動作を停止させ、 更に、上記処理部内に供給される空
調空気に含まれるアルカリ成分を除去するためのケミカ
ルフィルタを交換し、ケミカルフィルタの交換後に処理
部及び非処理部における被処理体の処理を再開すること
を特徴とする。
【００２５】請求項１４記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、 複数のレジスト処理シ
ステムを用いて同時に多数の被処理体を並列処理する場
合に、 上記濃度検出工程又は第１の濃度検出工程で
は、各レジスト処理システムの処理雰囲気中のアルカリ
濃度をそれぞれ検出し、 上記処理雰囲気を制御する工
程では、各検出値から得られる各レジスト処理システム
の処理雰囲気のアルカリ濃度情報をそれぞれ表示する
か、又は各検出値のうちの少なくとも１つが上記しきい
値を上回った場合にアラーム表示を行うことを特徴とす
る。
は９記載の処理方法において、 複数のレジスト処理シ
ステムを用いて同時に多数の被処理体を並列処理する場
合に、 上記濃度検出工程又は第１の濃度検出工程で
は、各レジスト処理システムの処理雰囲気中のアルカリ
濃度をそれぞれ検出し、 上記処理雰囲気を制御する工
程では、各検出値から得られる各レジスト処理システム
の処理雰囲気のアルカリ濃度情報をそれぞれ表示する
か、又は各検出値のうちの少なくとも１つが上記しきい
値を上回った場合にアラーム表示を行うことを特徴とす
る。
【００２６】請求項１５記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、 上記濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程における、上記レジスト処理システ
ム内の処理雰囲気中の異なる箇所のアルカリ成分濃度の
検出値のばらつきの差分が上記しきい値又は第１のしき
い値以下の値を上回ったときに、それらの処理雰囲気中
のアルカリ成分濃度を再度検出することを特徴とする。
は９記載の処理方法において、 上記濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程における、上記レジスト処理システ
ム内の処理雰囲気中の異なる箇所のアルカリ成分濃度の
検出値のばらつきの差分が上記しきい値又は第１のしき
い値以下の値を上回ったときに、それらの処理雰囲気中
のアルカリ成分濃度を再度検出することを特徴とする。
【００２７】請求項１６記載の処理方法は、請求項８又
は９記載の処理方法において、 更に、上記塗布処理工
程の前において、被処理体の表面をアドヒージョン処理
するアドヒージョン処理工程を有することを特徴とす
る。
は９記載の処理方法において、 更に、上記塗布処理工
程の前において、被処理体の表面をアドヒージョン処理
するアドヒージョン処理工程を有することを特徴とす
る。
【００２８】また、請求項１７記載の処理装置は、被処
理体に処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された
被処理体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所
定温度に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像部
と、露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、
上記各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出
する搬送手段とを具備する処理装置において、 少なく
とも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲
気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出する
濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信号と
予め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、
上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知
らせる警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
理体に処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された
被処理体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所
定温度に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像部
と、露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、
上記各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出
する搬送手段とを具備する処理装置において、 少なく
とも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲
気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出する
濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信号と
予め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、
上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知
らせる警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
【００２９】請求項１８記載の処理装置は、被処理体に
処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被処理
体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定温度
に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像部と、露
光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、上記各
処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出する搬
送手段とを具備する処理装置において、 少なくとも上
記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲気中に
おける解像不良を起こす不純物の濃度を検出する第１の
濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及
び中継部の外部の環境雰囲気中における解像不良を起こ
す不純物の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、 上
記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予め記
憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、 上記
制御手段からの信号により解像不良しきい値を知らせる
警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被処理
体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定温度
に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像部と、露
光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、上記各
処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出する搬
送手段とを具備する処理装置において、 少なくとも上
記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲気中に
おける解像不良を起こす不純物の濃度を検出する第１の
濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及
び中継部の外部の環境雰囲気中における解像不良を起こ
す不純物の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、 上
記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予め記
憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、 上記
制御手段からの信号により解像不良しきい値を知らせる
警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
【００３０】請求項１９記載の処理装置は、空調された
処理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で
被処理体をレジスト処理する処理装置において、 上記
被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処
理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処
理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理す
る現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け
渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び現像部のそれぞれとの間で上記被処理体
を搬入・搬出する搬送手段と、 ダウンフロー空気を上
記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の
上方に設けられ、処理部に導入しようとするダウンフロ
ー空気に含まれるアルカリ成分を除去するフィルタ手段
とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中
継部のうちの少なくとも１つの雰囲気中に存在するアル
カリ成分の濃度を検出する濃度検出手段と、 レジスト
の解像不良を生じる処理雰囲気中のアルカリ成分濃度の
しきい値を予め記憶しておくと共に、上記設定しきい値
と上記検出値とに基き上記塗布処理部、加熱部、冷却部
及び現像部の少なくとも１つの処理雰囲気を制御する制
御手段と、 上記制御手段から信号を受信して上記検出
値を表示する表示手段と、を具備することを特徴とす
る。
処理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で
被処理体をレジスト処理する処理装置において、 上記
被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処
理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処
理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理す
る現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け
渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び現像部のそれぞれとの間で上記被処理体
を搬入・搬出する搬送手段と、 ダウンフロー空気を上
記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の
上方に設けられ、処理部に導入しようとするダウンフロ
ー空気に含まれるアルカリ成分を除去するフィルタ手段
とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中
継部のうちの少なくとも１つの雰囲気中に存在するアル
カリ成分の濃度を検出する濃度検出手段と、 レジスト
の解像不良を生じる処理雰囲気中のアルカリ成分濃度の
しきい値を予め記憶しておくと共に、上記設定しきい値
と上記検出値とに基き上記塗布処理部、加熱部、冷却部
及び現像部の少なくとも１つの処理雰囲気を制御する制
御手段と、 上記制御手段から信号を受信して上記検出
値を表示する表示手段と、を具備することを特徴とす
る。
【００３１】請求項２０記載の処理装置は、空調された
処理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で
被処理体をレジスト処理する処理装置において、 上記
被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処
理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処
理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理す
る現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け
渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び現像部のそれぞれとの間で上記被処理体
を搬入・搬出する搬送手段と、 ダウンフロー空気を上
記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の
上方に設けられ、処理部に導入しようとするダウンフロ
ー空気に含まれるアルカリ成分を除去するフィルタ手段
とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中
継部のうちの少なくとも１つの雰囲気中に存在するアル
カリ成分の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、 上
記レジスト処理システムの外部環境の雰囲気中に存在す
るアルカリ成分の濃度を検出する第２の濃度検出手段
と、 レジストの解像不良を生じる処理雰囲気中のアル
カリ成分濃度のしきい値を予め記憶しておくと共に、上
記第１及び第２の濃度検出手段によりそれぞれ検出され
た検出値と上記しきい値とに基き上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び中継部のうちの少なくとも１つの雰囲気
を制御する制御手段と、 上記制御手段からの信号を受
信して上記検出値を表示する表示手段と、を具備するこ
とを特徴とする。
処理部及び非処理部を有するレジスト処理システム内で
被処理体をレジスト処理する処理装置において、 上記
被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処
理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処
理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理す
る現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け
渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び現像部のそれぞれとの間で上記被処理体
を搬入・搬出する搬送手段と、 ダウンフロー空気を上
記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の
上方に設けられ、処理部に導入しようとするダウンフロ
ー空気に含まれるアルカリ成分を除去するフィルタ手段
とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中
継部のうちの少なくとも１つの雰囲気中に存在するアル
カリ成分の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、 上
記レジスト処理システムの外部環境の雰囲気中に存在す
るアルカリ成分の濃度を検出する第２の濃度検出手段
と、 レジストの解像不良を生じる処理雰囲気中のアル
カリ成分濃度のしきい値を予め記憶しておくと共に、上
記第１及び第２の濃度検出手段によりそれぞれ検出され
た検出値と上記しきい値とに基き上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び中継部のうちの少なくとも１つの雰囲気
を制御する制御手段と、 上記制御手段からの信号を受
信して上記検出値を表示する表示手段と、を具備するこ
とを特徴とする。
【００３２】請求項２１記載の処理装置は、上記請求項
１７ないし２０のいずれかに記載の処理装置において、
上記濃度検出手段が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び
中継部からそれぞれ採取される空気を純水中で解析し
て、解像不良を起こす不純物の濃度を検出する濃度分析
器であることを特徴とする。
１７ないし２０のいずれかに記載の処理装置において、
上記濃度検出手段が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び
中継部からそれぞれ採取される空気を純水中で解析し
て、解像不良を起こす不純物の濃度を検出する濃度分析
器であることを特徴とする。
【００３３】この発明によれば、被処理体の雰囲気中に
おける解像不良を起こす不純物例えばアルカリ成分の濃
度を検出し、検出された濃度値を解像不良しきい値とを
比較することができるので、被処理体の処理部の雰囲気
を絶えず管理することができる。また、解像不良しきい
値あるいはしきい値より低い値を所定の表示手段で表示
すると共に、被処理体の処理動作の続行・停止を促すこ
とにより、オペレータに処理部の雰囲気状態を知らせる
ことができると共に、被処理体のダメージを抑制するこ
とができる。したがって、被処理体の処理雰囲気中の解
像不良を起こす不純物の濃度を絶えず管理して、最適な
状態で被処理体の処理を行うことができるので、歩留ま
りの向上が図れる共に、装置の信頼度の向上が図れる。
おける解像不良を起こす不純物例えばアルカリ成分の濃
度を検出し、検出された濃度値を解像不良しきい値とを
比較することができるので、被処理体の処理部の雰囲気
を絶えず管理することができる。また、解像不良しきい
値あるいはしきい値より低い値を所定の表示手段で表示
すると共に、被処理体の処理動作の続行・停止を促すこ
とにより、オペレータに処理部の雰囲気状態を知らせる
ことができると共に、被処理体のダメージを抑制するこ
とができる。したがって、被処理体の処理雰囲気中の解
像不良を起こす不純物の濃度を絶えず管理して、最適な
状態で被処理体の処理を行うことができるので、歩留ま
りの向上が図れる共に、装置の信頼度の向上が図れる。
【００３４】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
【００３５】上記レジスト液塗布・現像処理システム
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット１ａ（容器）と処理済みのウエハＷを収容する第２
のカセット１ｂ（容器）を所定位置に配置し、これら容
器１ａ及び１ｂとの間でウエハＷの搬出又は搬入を行う
ウエハＷの搬送用ピンセット２（搬送機構）と受渡し用
載置台３を具備するカセットステーション４（搬入・搬
出部）と、このカセットステーション４に隣接して配設
されてウエハＷの表面にレジスト膜を形成する塗布処理
部１０と、この塗布処理部１０に隣接して配設されて露
光処理されたウエハＷを現像処理する現像処理部２０
と、この現像処理部２０との間に、受渡し用載置台３１
を具備するインター・フェース部３０（中継部）を介し
て配設されて塗布処理されたウエハＷに所定のマスク部
材Ｍを介して光源から紫外光を照射してレジスト膜に所
定の回路パターンを露光する露光装置４０（露光処理
部）とで主要部が構成されている。
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット１ａ（容器）と処理済みのウエハＷを収容する第２
のカセット１ｂ（容器）を所定位置に配置し、これら容
器１ａ及び１ｂとの間でウエハＷの搬出又は搬入を行う
ウエハＷの搬送用ピンセット２（搬送機構）と受渡し用
載置台３を具備するカセットステーション４（搬入・搬
出部）と、このカセットステーション４に隣接して配設
されてウエハＷの表面にレジスト膜を形成する塗布処理
部１０と、この塗布処理部１０に隣接して配設されて露
光処理されたウエハＷを現像処理する現像処理部２０
と、この現像処理部２０との間に、受渡し用載置台３１
を具備するインター・フェース部３０（中継部）を介し
て配設されて塗布処理されたウエハＷに所定のマスク部
材Ｍを介して光源から紫外光を照射してレジスト膜に所
定の回路パターンを露光する露光装置４０（露光処理
部）とで主要部が構成されている。
【００３６】また、上記塗布処理部１０、現像処理部２
０及びインター・フェース部３０は、解像不良を起こす
不純物例えばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrol
idinone）の有機アミン、極性分子成分（以下に不純物
という）の濃度を検出する濃度検出手段例えば不純物成
分分析器５０（以下に濃度分析器という）によって内部
雰囲気中の不純物成分濃度が検出されるように構成され
ている。この不純物成分分析器５０によって検出された
濃度値（検出値）の検出信号は、制御手段例えば中央演
算処理装置６０（ＣＰＵ）に送信され、ＣＰＵ６０にお
いて予め記憶さ れた情報例えば不純物濃度値の解像不良
しきい値（例えばアンモニアの場合１ｐｐｂ）あるいは
その値より低い値と比較処理されて、モニター７０やア
ラーム（図示せず）等の表示手段にて表示されるように
構成されている。
０及びインター・フェース部３０は、解像不良を起こす
不純物例えばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrol
idinone）の有機アミン、極性分子成分（以下に不純物
という）の濃度を検出する濃度検出手段例えば不純物成
分分析器５０（以下に濃度分析器という）によって内部
雰囲気中の不純物成分濃度が検出されるように構成され
ている。この不純物成分分析器５０によって検出された
濃度値（検出値）の検出信号は、制御手段例えば中央演
算処理装置６０（ＣＰＵ）に送信され、ＣＰＵ６０にお
いて予め記憶さ れた情報例えば不純物濃度値の解像不良
しきい値（例えばアンモニアの場合１ｐｐｂ）あるいは
その値より低い値と比較処理されて、モニター７０やア
ラーム（図示せず）等の表示手段にて表示されるように
構成されている。
【００３７】上記塗布処理部１０と現像処理部２０の中
央部には、直線状の搬送路５が敷設されており、この搬
送路５を移動可能な搬送機構６が設けられている。この
搬送機構６には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ
方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬送アー
ム７が設けられている。
央部には、直線状の搬送路５が敷設されており、この搬
送路５を移動可能な搬送機構６が設けられている。この
搬送機構６には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ
方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬送アー
ム７が設けられている。
【００３８】上記塗布処理部１０において、搬送機構６
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、ブラシ洗浄部１
１，疎水化処理工程を実行するアドヒージョン部１２ａ
と冷却部１２ｂとを積み重ねて設けたアドヒージョン部
／冷却部１２及びベーク部１３（第１の熱処理部）が一
列に隣接して配置されている。また、搬送路５の他方の
側には、ジェット水洗浄部１４と個数例えば２個のレジ
スト液（具体的には通常のレジスト液と反射防止用レジ
スト液）をスピンコーティングするレジスト塗布部１５
ａ，１５ｂが一列に隣接して配置され、レジスト塗布部
１５ａ，１５ｂとベーク部１３とが搬送路５を介して対
向配置されている。このように搬送路５を介してベーク
部１３とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂとを離した状態
で対向配置することにより、ベーク部１３の熱がレジス
ト塗布部１５ａ，１５ｂに伝わるのを防止することがで
き、レジスト塗布処理に際して熱的影響を受けるのを防
止することができる。
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、ブラシ洗浄部１
１，疎水化処理工程を実行するアドヒージョン部１２ａ
と冷却部１２ｂとを積み重ねて設けたアドヒージョン部
／冷却部１２及びベーク部１３（第１の熱処理部）が一
列に隣接して配置されている。また、搬送路５の他方の
側には、ジェット水洗浄部１４と個数例えば２個のレジ
スト液（具体的には通常のレジスト液と反射防止用レジ
スト液）をスピンコーティングするレジスト塗布部１５
ａ，１５ｂが一列に隣接して配置され、レジスト塗布部
１５ａ，１５ｂとベーク部１３とが搬送路５を介して対
向配置されている。このように搬送路５を介してベーク
部１３とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂとを離した状態
で対向配置することにより、ベーク部１３の熱がレジス
ト塗布部１５ａ，１５ｂに伝わるのを防止することがで
き、レジスト塗布処理に際して熱的影響を受けるのを防
止することができる。
【００３９】上記現像処理部２０において、搬送機構６
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジス
ト膜を化学増感するための２個のベーク部２１（第２の
熱処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬
送路５の他方の側には、ベーク部２１と対向して個数例
えば２個の現像部２２例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
２１と現像部２２とを搬送路５を介して離した状態で対
向配置することにより、ベーク部２１の熱が現像部２２
に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して熱
的影響を受けるのを防止することができる。
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジス
ト膜を化学増感するための２個のベーク部２１（第２の
熱処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬
送路５の他方の側には、ベーク部２１と対向して個数例
えば２個の現像部２２例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
２１と現像部２２とを搬送路５を介して離した状態で対
向配置することにより、ベーク部２１の熱が現像部２２
に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して熱
的影響を受けるのを防止することができる。
【００４０】上記露光装置４０は、ウエハＷを受け渡し
するためのインター・フェース部３０を介して上記現像
処理部２０に連接されており、この露光装置４０には、
ウエハ載置台４１と光照射手段（図示せず）が設けられ
ている。また、この露光装置４０の一側にはウエハ載置
台４１上に載置されたウエハＷの上面に配設されるマス
ク部材Ｍを収容する容器４３が配置され、この容器４３
とウエハ載置台４１との間でマスク部材Ｍを受渡しする
マスク部材搬送アーム４２がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回
転（θ）自在に設けられている。また、露光装置４０に
は、この露光装置４０と現像処理部２０との間に配置さ
れたインター・フェース部３０との間でウエハＷの受渡
しを行うウエハ搬送アーム４４がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及
び回転（θ）自在に設けられている。
するためのインター・フェース部３０を介して上記現像
処理部２０に連接されており、この露光装置４０には、
ウエハ載置台４１と光照射手段（図示せず）が設けられ
ている。また、この露光装置４０の一側にはウエハ載置
台４１上に載置されたウエハＷの上面に配設されるマス
ク部材Ｍを収容する容器４３が配置され、この容器４３
とウエハ載置台４１との間でマスク部材Ｍを受渡しする
マスク部材搬送アーム４２がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回
転（θ）自在に設けられている。また、露光装置４０に
は、この露光装置４０と現像処理部２０との間に配置さ
れたインター・フェース部３０との間でウエハＷの受渡
しを行うウエハ搬送アーム４４がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及
び回転（θ）自在に設けられている。
【００４１】また、上記のように構成される塗布処理部
１０及び現像処理部２０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構８０につ
いて、図２に示す塗布処理部１０を代表して説明する
と、筐体８１によって形成される処理部を覆うカバー８
２の上部側にダクト８３が形成され、このダクト８３と
処理部内とを連通する連通路８４内には、上から順にケ
ミカルフィルタ８５（フィルタ手段），送風ファン８６
及びＵＬＰＡフィルタ８７が配設され、更にレジスト塗
布部１５ａ，１５ｂの上方にＵＬＰＡフィルタ８７が配
設されて、不純物成分濃度が所定値以下に抑制され、か
つ清浄化された空気が処理部内にダウンフロー状態で供
給されるようになっている。また、処理部中央の搬送路
５の底部には排気通路８８が設けられており、この排気
通路８８内に排気ファン８９が配設されて、上方より処
理部内に供給された清浄な空気が搬送路５及びレジスト
塗布部１５ａ，１５ｂに供給された後、下方に排気され
るようになっている。なおこの場合、ＵＬＰＡフィルタ
８７が連通路８４とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂの上
方の２箇所に配設されているが、必ずしも２箇所に配設
する必要はなく、少なくともいずれか１箇所に配設すれ
ばよい。
１０及び現像処理部２０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構８０につ
いて、図２に示す塗布処理部１０を代表して説明する
と、筐体８１によって形成される処理部を覆うカバー８
２の上部側にダクト８３が形成され、このダクト８３と
処理部内とを連通する連通路８４内には、上から順にケ
ミカルフィルタ８５（フィルタ手段），送風ファン８６
及びＵＬＰＡフィルタ８７が配設され、更にレジスト塗
布部１５ａ，１５ｂの上方にＵＬＰＡフィルタ８７が配
設されて、不純物成分濃度が所定値以下に抑制され、か
つ清浄化された空気が処理部内にダウンフロー状態で供
給されるようになっている。また、処理部中央の搬送路
５の底部には排気通路８８が設けられており、この排気
通路８８内に排気ファン８９が配設されて、上方より処
理部内に供給された清浄な空気が搬送路５及びレジスト
塗布部１５ａ，１５ｂに供給された後、下方に排気され
るようになっている。なおこの場合、ＵＬＰＡフィルタ
８７が連通路８４とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂの上
方の２箇所に配設されているが、必ずしも２箇所に配設
する必要はなく、少なくともいずれか１箇所に配設すれ
ばよい。
【００４２】上記空気清浄機構８０は、インター・フェ
ース部３０にも配設されており、インター・フェース部
３０内に清浄なダウンフロー空気が供給されるように構
成されている。
ース部３０にも配設されており、インター・フェース部
３０内に清浄なダウンフロー空気が供給されるように構
成されている。
【００４３】また、上記濃度分析器５０は、図２に示す
ように、純水５１を収容するタンク５２を具備してお
り、例えば塗布処理部１０内のレジスト塗布部１５ａ，
１５ｂの上方位置に吸入口５３を有する採取管５４と接
続されると共に、図示しない吸気ファンを具備する排気
管５５と接続されている。この濃度分析器５０により、
レジスト塗布部１５ａ，１５ｂ内の雰囲気空気がタンク
５２内に採取され、純水５１中で解析されて処理雰囲気
中の不純物成分の濃度値（検出値）が検出される。そし
て、その検出信号すなわち検出された不純物濃度値はＣ
ＰＵ６０に送られ、ＣＰＵ６０に予め記憶された解像不
良を起こす不純物濃度値のしきい値例えばアンモニア濃
度１ｐｐｂと比較されて、モニター７０にて表示される
と共に、濃度値が１ｐｐｂ以上の場合にはアラーム表示
されるようになっている。この場合、不純物濃度値が解
像不良しきい値（１ｐｐｂ）より低い値例えばアンモニ
ア濃度０．７ｐｐｂ以上に達した時に上記アラーム表示
を行えるようにすれば、処理部の雰囲気が不十分になる
前に処理部の雰囲気状態を知ることができ、解像不良が
生じる前に余裕をもって例えばケミカルフィルタ８５の
交換等を行うことができる。
ように、純水５１を収容するタンク５２を具備してお
り、例えば塗布処理部１０内のレジスト塗布部１５ａ，
１５ｂの上方位置に吸入口５３を有する採取管５４と接
続されると共に、図示しない吸気ファンを具備する排気
管５５と接続されている。この濃度分析器５０により、
レジスト塗布部１５ａ，１５ｂ内の雰囲気空気がタンク
５２内に採取され、純水５１中で解析されて処理雰囲気
中の不純物成分の濃度値（検出値）が検出される。そし
て、その検出信号すなわち検出された不純物濃度値はＣ
ＰＵ６０に送られ、ＣＰＵ６０に予め記憶された解像不
良を起こす不純物濃度値のしきい値例えばアンモニア濃
度１ｐｐｂと比較されて、モニター７０にて表示される
と共に、濃度値が１ｐｐｂ以上の場合にはアラーム表示
されるようになっている。この場合、不純物濃度値が解
像不良しきい値（１ｐｐｂ）より低い値例えばアンモニ
ア濃度０．７ｐｐｂ以上に達した時に上記アラーム表示
を行えるようにすれば、処理部の雰囲気が不十分になる
前に処理部の雰囲気状態を知ることができ、解像不良が
生じる前に余裕をもって例えばケミカルフィルタ８５の
交換等を行うことができる。
【００４４】また、ＣＰＵ６０からの信号が塗布処理部
１０の搬送機構６及びスピンチャック１６の駆動モータ
１７等にフィードバックされている。このように、ＣＰ
Ｕ６０からの信号を塗布処理部１０の搬送機構６及びス
ピンチャック１６の駆動モータ１７等にフィードバック
することにより、搬送機構６及び駆動モータ１７の駆動
を制御して、ウエハＷの塗布処理を、ＣＰＵ６０から送
信されるプログラムによって処理動作を続行あるいは停
止することができる。
１０の搬送機構６及びスピンチャック１６の駆動モータ
１７等にフィードバックされている。このように、ＣＰ
Ｕ６０からの信号を塗布処理部１０の搬送機構６及びス
ピンチャック１６の駆動モータ１７等にフィードバック
することにより、搬送機構６及び駆動モータ１７の駆動
を制御して、ウエハＷの塗布処理を、ＣＰＵ６０から送
信されるプログラムによって処理動作を続行あるいは停
止することができる。
【００４５】上記説明では、濃度分析器５０が塗布処理
部１０に接続される場合について説明したが、現像処理
部２０及びインター・フェース部３０においても同様に
濃度分析器５０が接続されている。
部１０に接続される場合について説明したが、現像処理
部２０及びインター・フェース部３０においても同様に
濃度分析器５０が接続されている。
【００４６】このように、塗布処理部１０、現像処理部
２０及びインター・フェース部３０に濃度分析器５０を
接続することにより、これら各処理部の雰囲気中の不純
物濃度値を検出し、その検出された不純物濃度値をモニ
タリングすることができる。また、検出された不純物濃
度値が解像不良濃度しきい値あるいはそれより低い所定
値に達した際、アラーム表示してオペレータに知らせる
ことができると共に、塗布処理部１０、現像処理部２０
の駆動モータ及び搬送機構６等の動作を、ＣＰＵ６０か
らのプログラムに基いて制御することができる。更に
は、ＣＰＵ６０のプログラムを変えることによって塗布
処理部１０、現像処理部２０及びインター・フェース部
３０で検出された不純物濃度値の差が所定以上になるよ
うな異常事態が生じた場合、自動的に再度検出を実行さ
せることができ、これにより、検出の確認及びトラブル
の原因を究明することができる。
２０及びインター・フェース部３０に濃度分析器５０を
接続することにより、これら各処理部の雰囲気中の不純
物濃度値を検出し、その検出された不純物濃度値をモニ
タリングすることができる。また、検出された不純物濃
度値が解像不良濃度しきい値あるいはそれより低い所定
値に達した際、アラーム表示してオペレータに知らせる
ことができると共に、塗布処理部１０、現像処理部２０
の駆動モータ及び搬送機構６等の動作を、ＣＰＵ６０か
らのプログラムに基いて制御することができる。更に
は、ＣＰＵ６０のプログラムを変えることによって塗布
処理部１０、現像処理部２０及びインター・フェース部
３０で検出された不純物濃度値の差が所定以上になるよ
うな異常事態が生じた場合、自動的に再度検出を実行さ
せることができ、これにより、検出の確認及びトラブル
の原因を究明することができる。
【００４７】上記制御の方法には、例えば不純物濃度値
が１ｐｐｂ以上に達した時、全てのウエハＷの処理動
作を停止する、塗布処理部１０、現像処理部２０及び
これら処理部１０，２０以外の容器１から搬出された未
処理のウエハＷを処理した後、動作を停止する、あるい
は各処理部１０，２０、処理部以外のインター・フェ
ース部３０や搬送中のウエハＷ以外にカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１内の全てのウエハＷを処理
した後、動作を停止する、などの制御方法が考えられ
る。このうち、の制御方法によれば、解像不良による
ウエハＷのダメージを押さえることができるが、処理部
１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷが無駄にな
るという問題がある。これに対し、の制御方法によれ
ば、解像不良によるウエハＷのダメージは否めないが、
処理部１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。また、
の制御方法によれば、の制御方法と同様解像不良によ
るウエハＷのダメージは否めないが、処理部１０，２０
内に搬入された未処理のウエハＷ及びカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１中の未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。しかし、
動作停止までの時間を要するという問題がある。このよ
うに、制御方法，及びには、それぞれ一長一短が
あるが、解像不良によるダメージを少なくするには、例
えば不純物濃度が解像不良しきい値よりやや低い値に達
した際に制御動作を行うようにするか、あるいは、ウエ
ハＷの処理状態を検知して、処理の進行状況に応じて上
記〜の制御方法を選択するなど、制御方法を適宜選
択して行えばよい。
が１ｐｐｂ以上に達した時、全てのウエハＷの処理動
作を停止する、塗布処理部１０、現像処理部２０及び
これら処理部１０，２０以外の容器１から搬出された未
処理のウエハＷを処理した後、動作を停止する、あるい
は各処理部１０，２０、処理部以外のインター・フェ
ース部３０や搬送中のウエハＷ以外にカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１内の全てのウエハＷを処理
した後、動作を停止する、などの制御方法が考えられ
る。このうち、の制御方法によれば、解像不良による
ウエハＷのダメージを押さえることができるが、処理部
１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷが無駄にな
るという問題がある。これに対し、の制御方法によれ
ば、解像不良によるウエハＷのダメージは否めないが、
処理部１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。また、
の制御方法によれば、の制御方法と同様解像不良によ
るウエハＷのダメージは否めないが、処理部１０，２０
内に搬入された未処理のウエハＷ及びカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１中の未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。しかし、
動作停止までの時間を要するという問題がある。このよ
うに、制御方法，及びには、それぞれ一長一短が
あるが、解像不良によるダメージを少なくするには、例
えば不純物濃度が解像不良しきい値よりやや低い値に達
した際に制御動作を行うようにするか、あるいは、ウエ
ハＷの処理状態を検知して、処理の進行状況に応じて上
記〜の制御方法を選択するなど、制御方法を適宜選
択して行えばよい。
【００４８】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図３のフローチャートを参照して説明する。
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図３のフローチャートを参照して説明する。
【００４９】まず、カセットステーション４に配置され
た未処理のウエハＷを搬送用ピンセット２によってカセ
ット１ａから受け取って受渡し用載置台３に搬送し、ウ
エハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラシ洗浄部１
１に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水洗浄部１４
に搬送してジェット水洗浄を行った後、アドヒージョン
部１２ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレジストとの
密着性を改善するための疎水化処理を施す。疎水化処理
されたウエハＷは冷却部１２ｂにて冷却された後、レジ
スト塗布部１５ａ，１５ｂに搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。この際、
塗布処理部１０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、洗浄処理の際に発生した不純物等のアル
カリ成分雰囲気をダウンフローにより排気し、補助的に
除去することができる。レジスト液の塗布が施されたウ
エハＷは再びベーク部１３に搬送されてベークされてレ
ジスト膜中の溶剤を蒸発する。
た未処理のウエハＷを搬送用ピンセット２によってカセ
ット１ａから受け取って受渡し用載置台３に搬送し、ウ
エハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラシ洗浄部１
１に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水洗浄部１４
に搬送してジェット水洗浄を行った後、アドヒージョン
部１２ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレジストとの
密着性を改善するための疎水化処理を施す。疎水化処理
されたウエハＷは冷却部１２ｂにて冷却された後、レジ
スト塗布部１５ａ，１５ｂに搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。この際、
塗布処理部１０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、洗浄処理の際に発生した不純物等のアル
カリ成分雰囲気をダウンフローにより排気し、補助的に
除去することができる。レジスト液の塗布が施されたウ
エハＷは再びベーク部１３に搬送されてベークされてレ
ジスト膜中の溶剤を蒸発する。
【００５０】上記塗布処理が施されたウエハＷはインタ
ー・フェース部３０の載置台３１に搬送されて位置合わ
せされた後、露光装置４０の搬送アーム４４によって載
置台４１上に搬送され、マスク部材Ｍを介して光源から
の光が照射されて所定のパターンが縮小投影されて露光
される。
ー・フェース部３０の載置台３１に搬送されて位置合わ
せされた後、露光装置４０の搬送アーム４４によって載
置台４１上に搬送され、マスク部材Ｍを介して光源から
の光が照射されて所定のパターンが縮小投影されて露光
される。
【００５１】露光処理されたウエハＷはインター・フェ
ース部３０を介してウエハ搬送アーム７によって現像処
理部２０のベーク部２１に搬送されてベークされた後、
現像部２２に搬送されて現像処理が施される。この際、
現像処理部２０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、塗布処理部１０の疎水化処理の際に発生
したアミン等のアルカリ成分雰囲気をダウンフローによ
り排気し、補助的に除去することができる。このように
して現像処理されたウエハＷは再びベーク部２１に搬送
されてポストベークされてパターン強度が強化される。
ース部３０を介してウエハ搬送アーム７によって現像処
理部２０のベーク部２１に搬送されてベークされた後、
現像部２２に搬送されて現像処理が施される。この際、
現像処理部２０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、塗布処理部１０の疎水化処理の際に発生
したアミン等のアルカリ成分雰囲気をダウンフローによ
り排気し、補助的に除去することができる。このように
して現像処理されたウエハＷは再びベーク部２１に搬送
されてポストベークされてパターン強度が強化される。
【００５２】上記のようにして現像が施されたウエハＷ
はカセットステーション４の受渡し用載置台３に搬送さ
れた後、搬送用ピンセット２によって受け取られて処理
済みのウエハＷを収容するカセット１ｂに搬送されて処
理が完了する。
はカセットステーション４の受渡し用載置台３に搬送さ
れた後、搬送用ピンセット２によって受け取られて処理
済みのウエハＷを収容するカセット１ｂに搬送されて処
理が完了する。
【００５３】また、上記のように、ウエハＷを塗布処理
部１０に搬送してレジスト液を塗布し、露光装置４０に
おいてフォトリソグラフィ技術により回路パターン等を
縮小してレジスト膜を露光し、これを現像処理部２０に
搬送して現像処理する一連の処理工程において、上記濃
度分析器５０及びＣＰＵ６０を用いて各処理部１０，２
０及びインター・フェース部３０の不純物濃度値を検出
し、その検出値が解像不良しきい値あるいはそれより低
い所定の値に達した際、モニター７０あるいはアラーム
表示によりオペレータに知らせることができる。つま
り、濃度値（検出値）が解像不良しきい値あるいはそれ
より低い所定の値に達した際、このアルカリ濃度情報を
モニター７０によりオペレータに知らせるか、あるいは
濃度値のうちの少なくとも１つがしきい値を上回った場
合には、アラーム表示によりオペレータに知らせること
ができる。したがって、オペレータは処理部の雰囲気が
最適状態でないことを知ることができ、雰囲気中の不純
物濃度値を下げるためにケミカルフィルタ８５を交換す
ることができる。また、ＣＰＵ６０からの信号に基いて
各処理部１０，２０及びインター・フェイス部３０の駆
動手段や搬送機構の駆動部の続行・停止を行うことによ
り、ウエハＷを解像不良やその他のダメージから回避す
ることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
部１０に搬送してレジスト液を塗布し、露光装置４０に
おいてフォトリソグラフィ技術により回路パターン等を
縮小してレジスト膜を露光し、これを現像処理部２０に
搬送して現像処理する一連の処理工程において、上記濃
度分析器５０及びＣＰＵ６０を用いて各処理部１０，２
０及びインター・フェース部３０の不純物濃度値を検出
し、その検出値が解像不良しきい値あるいはそれより低
い所定の値に達した際、モニター７０あるいはアラーム
表示によりオペレータに知らせることができる。つま
り、濃度値（検出値）が解像不良しきい値あるいはそれ
より低い所定の値に達した際、このアルカリ濃度情報を
モニター７０によりオペレータに知らせるか、あるいは
濃度値のうちの少なくとも１つがしきい値を上回った場
合には、アラーム表示によりオペレータに知らせること
ができる。したがって、オペレータは処理部の雰囲気が
最適状態でないことを知ることができ、雰囲気中の不純
物濃度値を下げるためにケミカルフィルタ８５を交換す
ることができる。また、ＣＰＵ６０からの信号に基いて
各処理部１０，２０及びインター・フェイス部３０の駆
動手段や搬送機構の駆動部の続行・停止を行うことによ
り、ウエハＷを解像不良やその他のダメージから回避す
ることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００５４】上記実施形態では、１台のレジスト液塗布
・現像処理システムにおける不純物成分濃度を検出し
て、各処理部の雰囲気を制御する場合について説明した
が、図４に示すように、複数台例えば５台のレジスト液
塗布・現像処理システムの各処理部の雰囲気を同時に制
御することもできると共に、レジスト液塗布・現像処理
システムを設置するクリーンルーム９０（外部環境）内
の不純物濃度値を濃度分析器５０（第２の濃度検出手
段）にて検出してクリーンルーム９０内すなわち外部環
境の雰囲気を制御することができる。なおこの場合、シ
ステム内の各処理部１０，２０及びインター・フェイス
部３０内の解像不良しきい値（第１のしきい値）とクリ
ーンルーム９０内の解像濃度しきい値（第２のしきい
値）は、環境の違いにより異なり、例えばシステム内の
各処理部１０，２０及びインター・フェイス部３０内の
解像不良しきい値（第１のしきい値）が１ｐｐｂである
のに対し、クリーンルーム９０内の解像不良しきい値
（第２のしきい値）は１０ｐｐｂである。このようにシ
ステム内の不純物濃度の他にクリーンルーム９０内の不
純物濃度を検出することにより、ケミカルフィルタ８５
の寿命の予測が可能となり、更に歩留まりの向上を図る
ことができる。
・現像処理システムにおける不純物成分濃度を検出し
て、各処理部の雰囲気を制御する場合について説明した
が、図４に示すように、複数台例えば５台のレジスト液
塗布・現像処理システムの各処理部の雰囲気を同時に制
御することもできると共に、レジスト液塗布・現像処理
システムを設置するクリーンルーム９０（外部環境）内
の不純物濃度値を濃度分析器５０（第２の濃度検出手
段）にて検出してクリーンルーム９０内すなわち外部環
境の雰囲気を制御することができる。なおこの場合、シ
ステム内の各処理部１０，２０及びインター・フェイス
部３０内の解像不良しきい値（第１のしきい値）とクリ
ーンルーム９０内の解像濃度しきい値（第２のしきい
値）は、環境の違いにより異なり、例えばシステム内の
各処理部１０，２０及びインター・フェイス部３０内の
解像不良しきい値（第１のしきい値）が１ｐｐｂである
のに対し、クリーンルーム９０内の解像不良しきい値
（第２のしきい値）は１０ｐｐｂである。このようにシ
ステム内の不純物濃度の他にクリーンルーム９０内の不
純物濃度を検出することにより、ケミカルフィルタ８５
の寿命の予測が可能となり、更に歩留まりの向上を図る
ことができる。
【００５５】また、上記実施形態では、システム内の各
処理部１０，２０及びインター・フェース部３０内の不
純物濃度値の解像不良しきい値を全て同じ値にする場合
について説明したが、勿論各処理部１０，２０、インタ
ー・フェース部３０毎に別のアラーム表示しきい値を設
定するようにしてもよい。
処理部１０，２０及びインター・フェース部３０内の不
純物濃度値の解像不良しきい値を全て同じ値にする場合
について説明したが、勿論各処理部１０，２０、インタ
ー・フェース部３０毎に別のアラーム表示しきい値を設
定するようにしてもよい。
【００５６】また、上記実施形態では、塗布処理部１
０、現像処理部２０及びインター・フェース部３０にお
けるウエハＷの処理部の雰囲気中の不純物濃度を検出す
る場合について説明したが、露光処理後のプリベークに
より解像不良の原因となる不純物（アンモニア成分等）
が焼成されるため、少なくともレジスト液の塗布処理か
ら現像処理に至るまでのウエハＷの処理部内の雰囲気中
の不純物濃度を検出するようにすればよい。好ましく
は、露光処理後にベーク処理されてからクーリング処理
に至る間に上記不純物濃度を検出する方がよい。
０、現像処理部２０及びインター・フェース部３０にお
けるウエハＷの処理部の雰囲気中の不純物濃度を検出す
る場合について説明したが、露光処理後のプリベークに
より解像不良の原因となる不純物（アンモニア成分等）
が焼成されるため、少なくともレジスト液の塗布処理か
ら現像処理に至るまでのウエハＷの処理部内の雰囲気中
の不純物濃度を検出するようにすればよい。好ましく
は、露光処理後にベーク処理されてからクーリング処理
に至る間に上記不純物濃度を検出する方がよい。
【００５７】また、上記実施形態では、不純物濃度の検
出ポイントを空気清浄機構８０のＵＬＰＡフィルタ８７
の下方近傍位置としているが、不純物濃度の検出ポイン
トを例えば装置内のドア（図示せず）付近に位置させる
ことにより、ドアを開放した時と閉鎖した時の不純物濃
度の変化を検出することができ、ドアの開放により装置
内の不純物濃度が所定値以上に達した際にアラーム表示
することができると共に、装置の動作制御を行うことが
できる。
出ポイントを空気清浄機構８０のＵＬＰＡフィルタ８７
の下方近傍位置としているが、不純物濃度の検出ポイン
トを例えば装置内のドア（図示せず）付近に位置させる
ことにより、ドアを開放した時と閉鎖した時の不純物濃
度の変化を検出することができ、ドアの開放により装置
内の不純物濃度が所定値以上に達した際にアラーム表示
することができると共に、装置の動作制御を行うことが
できる。
【００５８】なお、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び
現像処理する場合にも適用できることは勿論である。
処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び
現像処理する場合にも適用できることは勿論である。
【００５９】
【発明の効果】この発明によれば、被処理体の雰囲気中
における解像不良を起こす不純物例えばアルカリ成分の
濃度を検出し、検出された濃度値を解像不良しきい値と
を比較することができるので、被処理体の処理部の雰囲
気を絶えず管理することができる。また、解像不良しき
い値あるいはしきい値より低い値を所定の表示手段で表
示すると共に、被処理体の処理動作の続行・停止を促す
ことにより、オペレータに処理部の雰囲気状態を知らせ
ることができると共に、被処理体のダメージを抑制する
ことができるので、被処理体の処理雰囲気中の解像不良
を起こす不純物の濃度を絶えず管理して、最適な状態で
被処理体の処理を行うことができ。したがって、歩留ま
りの向上が図れる共に、装置の信頼性の向上を図ること
ができる。
における解像不良を起こす不純物例えばアルカリ成分の
濃度を検出し、検出された濃度値を解像不良しきい値と
を比較することができるので、被処理体の処理部の雰囲
気を絶えず管理することができる。また、解像不良しき
い値あるいはしきい値より低い値を所定の表示手段で表
示すると共に、被処理体の処理動作の続行・停止を促す
ことにより、オペレータに処理部の雰囲気状態を知らせ
ることができると共に、被処理体のダメージを抑制する
ことができるので、被処理体の処理雰囲気中の解像不良
を起こす不純物の濃度を絶えず管理して、最適な状態で
被処理体の処理を行うことができ。したがって、歩留ま
りの向上が図れる共に、装置の信頼性の向上を図ること
ができる。
【図１】この発明に係る処理装置の一例を示す半導体ウ
エハのレジスト液塗布・現像システムの概略平面図であ
る。
エハのレジスト液塗布・現像システムの概略平面図であ
る。
【図２】この発明における塗布処理部の概略断面図であ
る。
る。
【図３】この発明の処理方法の処理工程を説明するフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図４】この発明の処理方法の別の形態を示す概略平面
図である。
図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 塗布処理部 １３ ベーク部 １５ａ，１５ｂ レジスト塗布部 ２０ 現像処理部 ２１ ベーク部 ２２ 現像部 ３０ インター・フェース部（中継部） ４０ 露光装置 ５０ 濃度分析器（濃度検出手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段） ７０ モニター（表示手段） ８０ 空気清浄機構 ８５ ケミカルフィルタ（フィルタ手段） ９０ クリーンルーム
フロントページの続き (72)発明者 神澤 敬子 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ レクトロン株式会社プロセス開発センタ ー内 (72)発明者 片野 貴之 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ レクトロン株式会社プロセス開発センタ ー内 (56)参考文献 特開 平６−232022（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142312（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−211630（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−262699（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−45613（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−205047（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (21)
- 【請求項１】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不良し
きい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するように
したことを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理方法において、 検出された濃度値の解像不良しきい値より低い値に基い
て各処理部の雰囲気を制御するようにしたことを特徴と
する処理方法。 - 【請求項３】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記被処理体の処
理を停止することを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記処理部及び非
処理部の被処理体を処理した後、処理を停止することを
特徴とする処理方法。 - 【請求項５】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記処理が施され
る被処理体の全ての処理を行った後、処理を停止するこ
とを特徴とする処理方法。 - 【請求項６】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出すると共に、上記処理部の外部環境
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出し、検出された所定の濃度値に基いて、上記各処理部
の雰囲気及び外部環境の雰囲気を制御することを特徴と
する処理方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の処
理方法において、 異なる処理部で検出された濃度値の差が所定以上に達し
た際に、再度検出を実行するようにしたことを特徴とす
る処理方法。 - 【請求項８】 空調された処理部及び非処理部を有する
レジスト処理システム内で被処理体をレジスト処理する
処理方法において、 外部から上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送
工程と、 上記被処理体にレジストを塗布する塗布処理工程と、 塗布レジストを露光処理する露光処理工程と、 露光された塗布レジストを現像処理する現像処理工程
と、 上記搬送工程から現像処理工程に至るまでの間に少なく
とも１回は、上記レジスト処理システム内の処理雰囲気
中においてレジストの解像不良の原因となるアルカリ成
分の濃度を検出する工程と、予め記憶された レジストの解像不良を生じる上記レジス
ト処理システム内の処理雰囲気中のアルカリ成分濃度の
しきい値と上記濃度検出工程の検出値とを比較する工程
と、 上記濃度検出工程の検出値と、上記しきい値とに基いて
上記搬送工程から現像処理工程のうちの少なくとも１つ
の処理雰囲気を制御する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項９】 空調された処理部及び非処理部を有する
レジスト処理システム内で被処理体をレジスト処理する
処理方法において、 外部から上記非処理部内に上記被処理体を搬入する搬送
工程と、 上記処理部内で上記被処理体にレジストを塗布する塗布
処理工程と、 上記処理部内で塗布レジストを露光処理する露光処理工
程と、 上記処理部内で塗布レジストを現像処理する現像処理工
程と、 上記搬送工程から現像処理工程に至るまでの間に少なく
とも１回は、塗布レジストを熱処理する工程と、 上記搬送工程から現像処理工程に至るまでの間で少なく
とも１回は、上記レジスト処理システムの内部処理雰囲
気中においてレジストの解像不良の原因となるアルカリ
成分の濃度を検出する第１の濃度検出工程と、 上記レジスト処理システムの外部環境の雰囲気中に含ま
れるアルカリ成分の濃度を検出する第２の濃度検出工程
と、予め記憶された レジストの解像不良を生じる上記レジス
ト処理システムの内部処理雰囲気中のアルカリ成分濃度
の第１のしきい値と上記第１の濃度検出工程の検出値と
を比較する工程と、予め記憶された レジスト解像不良を生じる上記レジスト
処理システムの外部環境の雰囲気中のアルカリ成分濃度
の第２のしきい値と上記第２の濃度検出工程の検出値と
を比較する工程と、 上記第１及び第２の濃度検出工程の検出値と、上記第１
のしきい値とに基いて上記搬送工程から現像処理工程の
うちの少なくとも１つの処理雰囲気を制御する工程と、 上記第２の濃度検出工程の検出値と、上記第２のしきい
値とに基いて上記レジスト処理システムの外部環境の雰
囲気を制御する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項１０】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 上記処理雰囲気を制御する工程では、濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程の検出値が、しきい値又は第１のし
きい値を上回ったときに、上記濃度検出工程の検出値が
しきい値又は第１のしきい値を下回るように搬送工程か
ら現像処理工程のうちの少なくとも１つの処理雰囲気を
フィードバック制御することを特徴とする処理方法。 - 【請求項１１】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 上記処理雰囲気を制御する工程では、濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程の検出値が、しきい値又は第１のし
きい値を上回ったときに、所定の表示を行うと共に、レ
ジスト処理システムの処理部及び非処理部に存在する全
ての被処理体の処理動作を停止させ、 更に、上記処理部内に供給される空調空気に含まれるア
ルカリ成分を除去するためのケミカルフィルタを交換
し、ケミカルフィルタの交換後に処理部及び非処理部に
おける被処理体の処理を再開することを特徴とする処理
方法。 - 【請求項１２】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 上記処理雰囲気を制御する工程では、濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程の検出値が、しきい値又は第１のし
きい値を上回ったときに、所定の表示を行うと共に、レ
ジスト処理システムの処理部に存在する全ての被処理体
の処理動作を停止させ、 更に、上記処理部内に供給される空調空気に含まれるア
ルカリ成分を除去するためのケミカルフィルタを交換
し、ケミカルフィルタの交換後に処理部における被処理
体の処理を再開することを特徴とする処理方法。 - 【請求項１３】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 上記処理雰囲気を制御する工程では、濃度検出工程又は
第１の濃度検出工程の検出値が、しきい値又は第１のし
きい値を上回ったときに、所定の表示を行うと共に、レ
ジスト処理システムの処理部及び非処理部に存在する全
ての被処理体の処理を続行し、 上記全ての被処理体の処理を完了させた後に、レジスト
処理システムの処理部及び非処理部の処理動作を停止さ
せ、 更に、上記処理部内に供給される空調空気に含まれるア
ルカリ成分を除去するためのケミカルフィルタを交換
し、ケミカルフィルタの交換後に処理部及び非処理部に
おける被処理体の処理を再開することを特徴とする処理
方法。 - 【請求項１４】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 複数のレジスト処理システムを用いて同時に多数の被処
理体を並列処理する場合に、 上記濃度検出工程又は第１の濃度検出工程では、各レジ
スト処理システムの処理雰囲気中のアルカリ濃度をそれ
ぞれ検出し、 上記処理雰囲気を制御する工程では、各検出値から得ら
れる各レジスト処理システムの処理雰囲気のアルカリ濃
度情報をそれぞれ表示するか、又は各検出値のうちの少
なくとも１つが上記しきい値を上回った場合にアラーム
表示を行うことを特徴とする処理方法。 - 【請求項１５】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、上記濃度検出工程又は第１の濃度検出工程における、上
記レジスト処理システム内の処理雰囲気中の異なる箇所
のアルカリ成分濃度の検出値のばらつきの差分が上記し
きい値又は第１のしきい値以下の値を 上回ったときに、
それらの処理雰囲気中のアルカリ成分濃度を再度検出す
ることを特徴とする処理方法。 - 【請求項１６】 請求項８又は９記載の処理方法におい
て、 更に、上記塗布処理工程の前において、被処理体の表面
をアドヒージョン処理するアドヒージョン処理工程を有
することを特徴とする処理方法。 - 【請求項１７】 被処理体に処理液を塗布する塗布処理
部と、露光処理された被処理体を所定温度に加熱する加
熱部と、被処理体を所定温度に冷却する冷却部と、被処
理体を現像する現像部と、露光処理部との間で被処理体
を受け渡す中継部と、上記各処理部及び中継部との間で
被処理体を搬入・搬出する搬送手段とを具備する処理装
置において、 少なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信号と予め記憶された情報
信号とを比較処理する制御手段と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる表示手段と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項１８】 被処理体に処理液を塗布する塗布処理
部と、露光処理された被処理体を所定温度に加熱する加
熱部と、被処理体を所定温度に冷却する冷却部と、被処
理体を現像する現像部と、露光処理部との間で被処理体
を受け渡す中継部と、上記各処理部及び中継部との間で
被処理体を搬入・搬出する搬送手段とを具備する処理装
置において、 少なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する第１の濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の外部環境
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する第２の濃度検出手段と、 上記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予め
記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる表示手段と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項１９】 空調された処理部及び非処理部を有す
るレジスト処理システム内で被処理体をレジスト処理す
る処理装置において、 上記被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理する現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び現像
部のそれぞれとの間で上記被処理体を搬入・搬出する搬
送手段と、 ダウンフロー空気を上記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の上方に設けられ、処理部に導入
しようとするダウンフロー空気に含まれるアルカリ成分
を除去するフィルタ手段とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部のうちの少
なくとも１つの雰囲気中に存在するアルカリ成分の濃度
を検出する濃度検出手段と、 レジストの解像不良を生じる処理雰囲気中のアルカリ成
分濃度のしきい値を予め記憶しておくと共に、上記設定
しきい値と上記検出値とに基き上記塗布処理部、加熱
部、冷却部及び現像部の少なくとも１つの処理雰囲気を
制御する制御手段と、 上記制御手段から信号を受信して上記検出値を表示する
表示手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２０】 空調された処理部及び非処理部を有す
るレジスト処理システム内で被処理体をレジスト処理す
る処理装置において、 上記被処理体にレジストを塗布する塗布処理部と、 露光処理された上記被処理体を加熱する加熱部と、 上記被処理体を冷却する冷却部と、 上記被処理体を現像処理する現像処理部と、 露光処理された上記被処理体を受け渡す中継部と、 上記中継部と上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び現像
部のそれぞれとの間で上記被処理体を搬入・搬出する搬
送手段と、 ダウンフロー空気を上記処理部に供給する手段と、 少なくとも上記処理部の上方に設けられ、処理部に導入
しようとするダウンフロー空気に含まれるアルカリ成分
を除去するフィルタ手段とを具備し、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部のうちの少
なくとも１つの雰囲気中に存在するアルカリ成分の濃度
を検出する第１の濃度検出手段と、 上記レジスト処理システムの外部環境の雰囲気中に存在
するアルカリ成分の濃度を検出する第２の濃度検出手段
と、レジストの解像不良を生じる処理雰囲気中のアルカリ成
分濃度のしきい値を予め記憶しておくと共に、 上記第１
及び第２の濃度検出手段によりそれぞれ検出された検出
値と上記しきい値とに基き上記塗布処理部、加熱部、冷
却部及び中継部のうちの少なくとも１つの雰囲気を制御
する制御手段と、 上記制御手段からの信号を受信して上記検出値を表示す
る表示手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２１】 請求項１７ないし２０のいずれかに記
載の処理装置において、 上記濃度検出手段が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び
中継部からそれぞれ採取される空気を純水中で解析し
て、解像不良を起こす不純物の濃度を検出する濃度分析
器であることを特徴とする処理装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475296A JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
| TW086103595A TW358220B (en) | 1996-03-25 | 1997-03-21 | Method and apparatus for processing of substrate photoresist |
| US08/823,470 US5932380A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-24 | Method of processing resist utilizing alkaline component monitoring |
| EP97105041A EP0798598A3 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | Method of processing resist onto substrate and resist processing apparatus |
| KR1019970010284A KR100357313B1 (ko) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | 기판의레지스트처리방법및레지스트처리장치 |
| US09/277,734 US6097469A (en) | 1996-03-25 | 1999-03-29 | Method of processing resist onto substrate and resist processing apparatus |
| US09/277,735 US6017663A (en) | 1996-03-25 | 1999-03-29 | Method of processing resist utilizing alkaline component monitoring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475296A JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260275A JPH09260275A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3218425B2 true JP3218425B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=14118859
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09475296A Expired - Fee Related JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5932380A (ja) |
| EP (1) | EP0798598A3 (ja) |
| JP (1) | JP3218425B2 (ja) |
| KR (1) | KR100357313B1 (ja) |
| TW (1) | TW358220B (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11111809A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Innotech Corp | 搬送装置 |
| TW444275B (en) | 1998-01-13 | 2001-07-01 | Toshiba Corp | Processing device, laser annealing device, laser annealing method, manufacturing device and substrate manufacturing device for panel display |
| JPH11274050A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| KR100265287B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템 |
| KR20010014319A (ko) * | 1998-05-01 | 2001-02-26 | 히가시 데츠로 | 막 두께 측정 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US6364762B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment |
| US6355388B1 (en) * | 1999-10-07 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for controlling photoresist strip processes |
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1996
- 1996-03-25 JP JP09475296A patent/JP3218425B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-21 TW TW086103595A patent/TW358220B/zh active
- 1997-03-24 US US08/823,470 patent/US5932380A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-25 EP EP97105041A patent/EP0798598A3/en not_active Withdrawn
- 1997-03-25 KR KR1019970010284A patent/KR100357313B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-29 US US09/277,734 patent/US6097469A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-29 US US09/277,735 patent/US6017663A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0798598A3 (en) | 1999-03-24 |
| US5932380A (en) | 1999-08-03 |
| KR100357313B1 (ko) | 2003-01-24 |
| US6097469A (en) | 2000-08-01 |
| EP0798598A2 (en) | 1997-10-01 |
| JPH09260275A (ja) | 1997-10-03 |
| TW358220B (en) | 1999-05-11 |
| KR970067586A (ko) | 1997-10-13 |
| US6017663A (en) | 2000-01-25 |
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Legal Events
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070810 Year of fee payment: 6 |
|
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |