JP5817693B2

JP5817693B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP5817693B2
Application number: JP2012211450A
Authority: JP
Inventors: 中島　常長; 常長中島
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-09-25
Filing date: 2012-09-25
Publication date: 2015-11-18
Anticipated expiration: 2032-09-25
Also published as: JP2014067833A; KR20140040046A; KR101997932B1

Description

本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う技術分野に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成は、レジストなどの各種の塗布膜の形成処理及び現像処理を行う塗布、現像装置に露光処理を行う露光装置を接続したシステムにより行っている。
塗布、現像装置と露光装置との間には、例えばウエハの受け渡しステージと受け渡しアームとを備えたインターフェイスブロックが設けられている。そして、塗布、現像装置にてレジストが塗布されたウエハは、インターフェイスブロックの受け渡しステージに搬送され、前記受け渡しアームにより露光装置に搬送される。

露光装置では温度が露光プロセスに影響を与えるために、ウエハの温度を例えば２３℃に調整して露光処理を行っている。また、ウエハ面内において温度がばらついていると、露光処理の面内均一性が低下するおそれがあるため、面内温度のばらつきが例えば２３℃±０．１℃に収まるようにウエハの温度が調整される。このような露光装置内におけるウエハの温度の調整は、例えば温調機構を備えたプレートにウエハを載置したり、ウエハに対して温湿度調整された気体を供給することなどにより行われる。

従って、インターフェイスブロックから露光装置に搬入されるウエハの温度が露光処理時の設定温度から外れていたり、ウエハの面内温度の均一性が低い場合には、露光装置におけるウエハ温度の調整に時間がかかってしまい、露光装置側のスループットが低下してしまう。一般的には、塗布、現像装置に比べて露光装置の方がスループットが低い。このため、システム全体の生産効率を向上させるために、塗布、現像装置側を工夫して露光装置のスループットを高めることが期待されている。その一つとして、高精度に温度調整され、面内温度の均一性を高めたウエハを露光装置に搬入することが検討されている。

また、塗布、現像システムでは、インターフェイスブロックを取り外して作業空間を確保し、当該インターフェイスブロックや処理ブロック、露光装置等のメンテナンスを行う場合がある。インターフェイスブロックに受け渡しアームが設けられた構成では、インターフェイスブロックを取り外すことにより、受け渡しアームと処理ブロック及び露光装置側の受け渡しステージとの位置関係が変化してしまう。従って、メンテナンス終了後にインターフェイスブロックを元に戻した後、受け渡しアームと前記受け渡しステージとの位置合わせを行う必要がある。この受け渡しアームの位置合わせ調整には時間がかかるため、塗布、現像装置の生産効率が低下する一因になっている。

特許文献１には、インターフェイス装置に設けられた中間受け渡し台に冷却手段を設ける構成が記載されている。この例では、中間受け渡し台にて、露光処理のための温度に冷却されたウエハは、搬送機構により搬出載置台に載置され、露光装置側のアームにより露光装置に搬入される。
また、特許文献２には、インターフェイス部に、載置兼冷却ユニットと、露光装置への搬入用のハンド及び露光装置からの搬出用のハンドを設ける構成が記載されている。この例では、載置兼冷却ユニットにて所定温度に維持された基板が、搬入用のハンドにより露光装置の基板搬入用載置部に搬入され、露光後の基板は、露光装置の基板搬出部から搬出用のハンドにより搬出される。さらに、特許文献３には、インターフェイスステーションに、露光後のウエハＷを加熱し、その後冷却するためのＣＨＰ装置（Chilling Hot Plate Process Station）を設ける構成が記載されている。

しかしながら、特許文献１の構成では、ウエハを中間受け渡し台→搬送機構→搬出載置台→露光装置の経路で搬送するため、中間受け渡し台にて冷却されたとしても、ウエハが搬送機構に保持されたり、ウエハが搬出載置台に載置されたときに互いの接触部位にて熱の授受が起こる。このため、露光装置に搬入されるときには、ウエハは面内温度にばらつきが発生した状態となってしまう。また、特許文献２の構成においても、載置兼冷却ユニットにて所定温度に維持された基板を、インターフェイス部の搬出用のハンドで露光装置の基板搬入用載置部に搬送している。従って、基板とハンドとの間や、基板と基板搬入用載置部で熱の授受が起こり、基板搬入用載置部に置かれたウエハは面内温度がばらついたものとなる。このように特許文献１〜特許文献３によっても、本発明の課題の解決は困難である。

特開２００１−２７４２２１（段落００１９、００２８、００２９参照）特開２００９−２６００３２（段落００５０、００９０、００９１参照）特開２００１−３０８００５（段落００３５参照）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、露光装置へ受け渡される基板の面内温度の均一性を高めて、生産効率を向上させることができる技術を提供することにある。

本発明の基板処理装置は、レジスト膜が形成された基板を露光する露光装置に接続される基板処理装置において、
基板に対してレジスト膜を形成するための一連の処理を行うと共に、露光処理後の基板に対して現像処理を行う処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との接続方向を前後方向とすると、前記処理ブロックと前記露光装置との間に、当該処理ブロックに対して左右方向に移動可能に連結して設けられたインターフェイスブロックと、
前記処理ブロックに設けられ、レジスト膜が形成された基板の受け渡しを行うための搬出用受け渡し機構と、
前記インターフェイスブロックに設けられ、前記搬出用受け渡し機構から基板が一旦受け渡されて当該基板の温度を露光装置側にて要求される温度に調整し、前記露光装置の搬送機構により当該基板が搬出される搬出用載置部と、
前記インターフェイスブロックに設けられ、前記露光装置の搬送機構により露光後の基板が一旦受け渡される搬入用載置部と、
前記処理ブロックに設けられ、前記搬入用載置部から基板を受け取って処理ブロック内に搬入する搬入用受け渡し機構と、
前記基板を載置して、回転機構により鉛直軸回りに回転される回転ステージと、
前記回転ステージに載置された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記搬出用載置部を、当該搬出用載置部と前記搬出用受け渡し機構又は前記露光装置の搬送機構との間で基板を受け渡す位置と、当該搬出用載置部と前記回転ステージとの間で基板を受け渡す位置との間で移動させる移動機構と、を備え、
前記基板は位置合わせ用の切欠部を備えた半導体ウエハであり、
前記搬出用受け渡し機構及び搬入用受け渡し機構は、前記搬出用載置部及び搬入用載置部から見て露光装置の反対側に位置していることを特徴とする。

本発明では、基板に対してレジスト膜を形成するための一連の処理を行うと共に、露光処理後の基板に対して現像処理を行う処理ブロックと、露光装置との間にインターフェイスブロックに設け、このインターフェイスブロックに搬出用載置部を設けている。レジスト膜が形成された基板は、処理ブロックの搬出用受け渡し機構により搬出用載置部に受け渡され、ここで露光装置側にて要求される温度に調整される。そして、温度調整された基板は搬出用載置部から露光装置の搬送機構により直接受け取られる。基板は温度調整された後、処理ブロックやインターフェイスブロックの搬送機構に接触することなく直接露光装置側に受け渡されるので、露光装置の搬送機構以外へ基板の熱が移動するおそれがない。このため、基板は面内温度の均一性が高い状態で露光装置側へ受け渡される。これにより、露光装置では基板温度の調整時間が短縮できるためスループットが向上し、結果として基板処理装置の生産効率が高められる。

また、前記搬出用受け渡し機構及び搬入用受け渡し機構は、前記搬出用載置部及び搬入用載置部から見て露光装置の反対側に位置している。これにより、インターフェイスブロックを処理ブロックに対して左右方向に移動させたときに、搬出用受け渡し機構及び搬入用受け渡し機構と露光装置側の搬送機構との位置関係が変化しない。このため、例えばメンテナンス時に、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックＳ２に対して着脱しても、メンテナンス後の搬出用受け渡し機構と露光装置側の搬送機構との位置合わせ作業が不要となる。これにより、作業の煩雑化が抑えられてメンテナンス後の調整時間が短縮されるので、基板処理装置の生産効率が高められる。

本発明の塗布、現像システムの平面図である。塗布、現像システムの斜視図である。塗布、現像システムの縦断側面図である。塗布、現像システムの縦断側面図である。周縁露光モジュールを示す縦断面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す縦断面図である。搬入用受け渡しモジュールを示す縦断面図である。搬入用載置部を示す平面図である。インターフェイスブロックを示す縦断面図である。インターフェイスブロックの一部を示す縦断面図である。処理ブロックとインターフェイスブロックとを概略的に示す斜視図である。周縁露光モジュールにおける処理を示す工程図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。ウエハを示す平面図である。周縁露光モジュールを示す縦断面図である。周縁露光モジュールを示す平面図である。塗布、現像システムの他の例を示す平面図である。搬出用受け渡しモジュールを示す縦断面図である。塗布、現像システムのさらに他の例を示す平面図である。搬出用受け渡しモジュールを示す縦断面図である。キャリアと搬出用受け渡しモジュールと第１の搬送機構とを示す側面図である。キャリアと搬出用受け渡しモジュールと第１の搬送機構とを示す側面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションとを示す平面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションとを示す平面図である。塗布、現像システムのさらに他の例を示す平面図である。キャリアと搬出用受け渡しモジュールと搬入用受け渡しモジュールとを示す側面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションを示す平面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションを示す平面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションを示す平面図である。インターフェイスブロックと露光ステーションを示す平面図である。塗布、現像システムのさらに他の例を示す平面図である。

本発明の基板処理装置に係る実施の形態について説明する。先ず、図１〜図４を参照しながら基板処理装置の全体の概要について説明しておく。この基板処理装置は、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に接続してなる。インターフェイスブロックＳ３にはさらに露光ステーションＳ４が接続されて、塗布、現像システムが構成されている。

キャリアブロックＳ１は、同一のロットの基板であるウエハＷが複数枚収納されたキャリアＣを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構１３と、を備えている。以降の説明では、処理ブロックＳ２と露光ステーションＳ４との接続方向（図１中Ｘ方向）を前後方向、キャリアＣの配列方向（図１中Ｙ方向）を左右方向とする。

処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１側に設けられた塗布、現像ブロックＳ２Ａと、インターフェイスブロックＳ３側に設けられた洗浄ブロックＳ２Ｂと、を備えている。これら塗布、現像ブロックＳ２Ａと洗浄ブロックＳ２Ｂとは一体に設けられているため、以降は処理ブロックＳ２として説明する。処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」、単位ブロックを「層」と表現する場合がある。
この例では、処理ブロックＳ２は、下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられており、ＣＯＴ層（Ｂ３、Ｂ４）を代表して図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かう搬送領域Ｒ３の左右の一方側には棚ユニットＵ１〜Ｕ６が前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール２４と、保護膜形成モジュール２５とが前後に並べて設けられている。レジスト塗布モジュール２４は２つのカップユニット２１を備え、このカップユニット２１内にウエハＷを保持して、薬液ノズルからレジスト液をウエハＷ上に供給し、スピンコーティングが行われるように構成されている。また、保護膜形成モジュール２５は保護膜を形成するための薬液により、同様にしてカップモジュール２２を用いて処理が行われるように構成されている。

前記搬送領域Ｒ３には、ウエハＷを搬送するための基板搬送機構である搬送アームＡ３が設けられている。この搬送アームＡ３は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、かつ搬送領域Ｒ３の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ３の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、搬送領域Ｒ３の長さ方向に沿って配列され、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール２６が例えば２段に積層されて構成されている。

他の単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ５及びＢ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることなどを除き、単位ブロックＢ３、Ｂ４と同様に構成される。単位ブロックＢ１、Ｂ２は、レジスト塗布モジュール２４、保護膜形成モジュール２５の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＢ５、Ｂ６は、現像モジュールを備える。図３では各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＡ１〜Ａ６として示している。

処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡しアーム３０と、が設けられている。タワーＴ１は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。これらのモジュールとしては、実際には各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールと、ウエハＷの受け渡しを行う温調モジュール、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュールと、ウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが設けられている。ここでは、説明を簡素化するために、これらモジュールは受け渡しアーム３０と各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームＡ１〜Ａ６との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳとする。

また、処理ブロックＳ２における洗浄ブロックＳ２Ｂには、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２が設けられている。このタワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳが互いに積層されて構成されている。また、このタワーＴ２の左右方向の両側には夫々第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２が設けられており、これら受け渡し機構３１、３２の左右方向の両側には、第１の受け渡し機構３１側に露光処理前の洗浄モジュール２７、第２の受け渡し機構３２側に露光処理後の洗浄モジュール２８が夫々設けられている。第１の受け渡し機構３１は搬出用受け渡し機構、第２の受け渡し機構３２は搬入用受け渡し機構に夫々相当する。

前記第１の受け渡し機構３１は、タワーＴ２及び洗浄モジュール２７に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し機構であり、第２の受け渡し機構３２は、タワーＴ２及び洗浄モジュール２８に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し機構である。このため、第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２は、夫々進退自在、昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成されている。タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳは、前記第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２と各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームＡ１〜Ａ６との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。また、第１の受け渡し機構３１はインターフェイスブロックＳ３にウエハＷを受け渡し、第２の受け渡し機構３２はインターフェイスブロックＳ３からウエハＷを受け取る機能も備える。これら第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２の構成については後述する。

インターフェイスブロックＳ３は棚ユニットＵ７、Ｕ８を備えている。前記棚ユニットＵ７は、互いに積層された周縁露光モジュール４を備えており、これら周縁露光モジュール４に対しては第１の受け渡し機構３１によりウエハＷを受け渡すようになっている。前記周縁露光モジュール４は、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を露光するためのものである。また前記棚ユニットＵ８は、互いに積層された搬入用受け渡しモジュール６を備えており、これら搬入用受け渡しモジュール６からは、第２の受け渡し機構３２がウエハＷを受け取るようになっている。

インターフェイスブロックＳ３の前後方向の後段側には、露光装置をなす露光ステーションＳ４が設けられている。この露光ステーションＳ４には、レジスト膜が形成されたウエハＷをインターフェイスブロックＳ３から搬入するための第１の搬送機構６１と、露光処理後のウエハＷをインターフェイスブロックＳ３に搬出するための第２の搬送機構６２と、が設けられている。前記第１の搬送機構６１は前記周縁露光モジュール４からウエハＷを受け取るように構成され、前記第２の搬送機構６２は前記搬入用受け渡しモジュール６に対してウエハＷを受け渡すように構成されている。これら第１の搬送機構６１は搬入用搬送機構、第２の搬送機構６２は搬出用搬送機構に夫々相当するものであり、これらの構成については後述する。

続いて、周縁露光モジュール４について図５〜図７を参照して説明する。図５は処理ブロックＳ２側からインターフェイスブロックＳ３を見たときの周縁露光モジュール４の縦断面図、図６は周縁露光モジュール４の平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿った縦断面図である。これらの図に示すように、周縁露光モジュール４は、ウエハＷに対して周縁露光処理を行うための処理部４１と、当該処理部４１に対してウエハＷを搬送すると共に、ウエハＷを予め設定された温度に調整する移載プレート５１と、を備えている。移載プレート５１は搬出用載置部に相当するものである。これら処理部４１と移載プレート５１とは、共通の筐体４０の内部に、前記左右方向（図５中Ｙ方向）に並ぶように配設されている。図６中４０ａ及び４０ｂはウエハＷの搬送口である。前記筐体４０は例えば棚ユニットＵ７の一部をなすものであり、棚ユニットＵ７にはこれら筐体４０が積層されている。

前記処理部４１は、ウエハＷが水平に載置される回転ステージ４２を備えている。この回転ステージ４２は例えばウエハＷよりも小さい円板状に構成されており、回転機構４２ａにより鉛直軸周りに回転自在に構成されている。また、回転ステージ４２は移動部４２ｂにより、例えば前記左右方向に伸びるガイドレール４２ｃに沿って移動自在に構成されている。さらに、回転ステージ４２には複数の受け渡しピン４３が挿通されている。これら受け渡しピン４３は、昇降機構４３ａにより回転ステージ４２上にて突没し、移載プレート５１との間でウエハＷを受け渡す役割を果たしている。

回転ステージ４２上にウエハＷが載置されている位置を処理位置とすると、この処理位置に置かれたウエハＷの表面の周縁部を露光するように、露光部４４が配置されている。この露光部４４はランプハウス４５を備えており、ランプハウス４５には、例えば紫外線を照射する光源４５ａである紫外線ランプ、例えば水銀ランプやキセノンランプなどが設けられている。ランプハウス４５からは、光源４５ａの光例えば紫外線を光照射端４６に導く光路部材４７（４７ａ、４７ｂ）が伸び出している。光照射端４６は、ミラーやレンズ等の光学系部材と露光領域を区画形成するためのマスク等と、を備えると共に、処理位置に置かれたウエハＷの表面の周縁部に光を照射するようにウエハＷの上方に配置されている。

また、処理部４１には、前記処理位置に置かれたウエハＷの周縁の位置を検出するように、当該周縁の通過領域の上下に夫々発光部４８ａ及び受光部４８ｂを設けてなる周縁検出部４８が設けられている。前記発光部４８ａとしては、例えば複数のＬＥＤを直線状に配列させた光源や、直線状に伸びる単一のＬＥＤ等が用いられる。また、受光部４８ｂとしては、受光素子を直線状に配列したリニアイメージセンサを用いることができる。このリニアイメージセンサとしては、例えばＣＣＤラインセンサ、ファイバーラインセンサ、光電センサ等の各種のセンサが用いられる。以下では、ＣＣＤラインセンサを用いる場合を例にして説明する。

前記発光部４８ａと受光部４８ｂとは、前記処理位置にあるウエハＷの周縁部を介して互いに対向するように設けられている。そして、受光部４８ｂは、ウエハＷの径方向に受光素子が直線状に配列されており、発光部４８ａは、対応する受光部４８ｂの長さ方向全体に光を照射できるように構成されている。こうして、発光部４８ａと受光部４８ｂとの間には、前記受光素子の配列領域に対応する光軸が形成される。
そして、回転ステージ４２上のウエハＷの位置によって、光軸を遮断する程度が異なり、受光部４８ｂに入射する光量が変化するため、ウエハＷの周縁部の位置が検出できることになる。例えば受光素子はウエハＷの径方向に沿って例えば１００個並んでおり、受光した受光素子の数に対応する大きさだけ電圧降下が起こり、その電圧降下分の電圧値が、図７に示すＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル変換部）４９を介して制御部１００に送られるように構成されている。

前記移載プレート５１は例えばウエハＷとほぼ同じ大きさの水平な円板状に形成され、例えばペルチェ素子よりなる温調機構５４を備えており、移載プレート５上に載置されたウエハＷを予め設定された温度に調整できるように構成されている。図中５４ａは温調機構５４の電力供給部等を備えたコントローラである。また、移載プレート５１は、基台５２に沿って移動機構５３により、前記左右方向に水平移動ができるように構成されている。図５及び図６に示した移載プレート５１の位置を待機位置とすると、移載プレート５１は移動機構５３により待機位置と、処理部４１の回転ステージ４２上との間で水平に移動する。このため、移載プレート５１はスリット５５を備え、回転ステージ４２との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しピン４３の通過領域を形成している。

また、前記待機位置にある移載プレート５１に対しては、前記第１の受け渡し機構３１及び第１の搬送機構６１によりウエハＷの受け渡しが行われる。このため、移載プレート５１には、前記第１の受け渡し機構３１及び第１の搬送機構６１との間でウエハＷを受け渡すために切欠き５６が形成されている。この移載プレート５１が待機位置にあるときには、前記第１の受け渡し機構（搬出用受け渡し機構）３１は、前記移載プレート（搬出用載置部）５１から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置していることになる。
このような周縁露光モジュール４は、例えば一つのＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）に対して２個ずつ用意され、図４に示すように、棚ユニットＵ７には例えば４個の周縁露光モジュール４が積層されている。

第１の受け渡し機構３１、第２の受け渡し機構３２及び第１の搬送機構６１、第２の搬送機構６２は、この例では同様に構成されている。図６に第１の受け渡し機構３１及び第１の搬送機構６１を示すように、これらはウエハＷの側周を囲む扁平なフォーク６３と、当該フォーク６３から内側に突出してウエハＷの裏面を支持する支持部６４と、を備えている。これらフォーク６３は、図１０に示すように、基台６５に沿って移動機構６５ａにより進退自在、図示しない駆動機構により昇降及び鉛直軸回りに回転自在に構成されている。また、フォーク６３と移載プレート５１との間でウエハＷの受け渡しを行うときに、フォーク６３が移載プレート５１に対して昇降できるように、フォーク６３及び移載プレート５１の形状が夫々設定されている。このため、フォーク６３が待機位置にある移載プレート５１の上方側又は下方側の受け渡し位置まで進出したときに、前記支持部６４と切欠き５６とが対応するように夫々構成されると共に、前記支持部６４は切欠き５６よりも小さく形成されている。こうして、フォーク６３を前記受け渡し位置に進出させ、移載プレート５１に対して昇降させることにより、フォーク６３と移載プレート５１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。

また、前記搬入用受け渡しモジュール６は、図８及び図９に示すように、筐体６０内のステージ６６上に設けられた複数の支持ピン６７によりウエハＷの裏面側が支持されるように構成されている。この例では、支持ピン６７が搬入用載置部に相当する。この支持ピン６７に対しては、第２の受け渡し機構３２及び第２の搬送機構６２が昇降及び進退してウエハＷが受け渡される。このため、支持ピン６７は第２の受け渡し機構３２及び第２の搬送機構６２が受け渡し動作をしたときに、互いに干渉しないように、その形状や位置が設定されている。このとき、第２の受け渡し機構（搬入用受け渡し機構）３２は支持ピン（搬入用載置部）６７から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置している。また、前記筐体６０には、第２の受け渡し機構３２及び第２の搬送機構６２に対応する位置にウエハＷの搬送口６０ａ、６０ｂが夫々形成されている。前記筐体６０は棚ユニットＵ８の一部を構成するものであり、この棚ユニットＵ８には例えば２個の搬入用受け渡しモジュール６が積層されている。

このインターフェイスブロックＳ３は壁部により区画されており、前記処理ブロックＳ２に対して左右方向（Ｙ方向）に移動可能に連結して設けられている。例えば図１０に示すように、インターフェイスブロックＳ３と処理ブロックＳ２との間の側壁部７１、及びインターフェイスブロックＳ３と露光ステーションＳ４との間の側壁部７２には、第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２と、第１の搬送機構６１及び第２の搬送機構６２との移動領域を形成するための開口部７１ａ、７２ａが夫々形成されている。前記側壁部７１、７２に夫々隣接する処理ブロックＳ２及び露光ステーションＳ４の側壁部１４、１５にも、ウエハ搬送用の開口部１４ａ、１５ａが夫々形成されている。

インターフェイスブロックＳ３の天井部には、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファンなどを備えたフィルタユニット７３が設けられている。なお、図１０では、気体の流れを示すために、棚ユニットＵ８に設けられた搬入用受け渡しモジュール６は筐体６０のみを示している。

また、処理ブロックＳ２の底部には、インターフェイスブロックＳ３に近い領域に排気路２９が接続され、処理ブロックＳ２から回収される雰囲気が工場排気系に排気される一方、一部がフィルタ装置７４へと導入される。そして、フィルタ装置７４にて清浄化された空気は、前記フィルタユニット７３を介してインターフェイスブロックＳ３内にダウンフローとして吹き出されるようになっている。前記フィルタ装置７４は、例えば不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えている。
こうして、インターフェイスブロックＳ３内には、フィルタユニット７３からの清浄な空気が供給されると共に、露光ステーションＳ４内にて温湿度調整された雰囲気が入り込む。そして、これらの気体は、棚ユニットＵ７、Ｕ８の夫々の筐体４０、６０内部に、開口部４０ｂ、６０ｂを介して入り込み、当該筐体４０を通り抜けて処理ブロックＳ２側に向けて流れ、排気路２９を介して排気される。

また、インターフェイスブロックＳ３は、図１０〜図１２に示すように、例えばその底部にキャスター７５が取り付けられている。さらに、例えば処理ブロックＳ２の側壁部１４とインターフェイスブロックＳ３の側壁部７１との間にはガイド機構７６が設けられている。このガイド機構７６は、例えば図１１に示すように、前記側壁部１４、７１の一方に設けられた左右方向（Ｙ方向）に伸びるガイドレール７７と、前記側壁部１４、７１の他方に設けられ、前記ガイドレール７７に係合しながら移動するガイド部材７８と、を備えている。この例では、側壁部１４にガイドレール７７、側壁部７１にガイド部材７８が設けられている。こうして、インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２に対して、前記ガイド機構７６によりガイドされた状態で左右方向に移動自在に連結される。また、例えば前記ガイドレール７７には、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックＳ２に対して位置決めした状態で固定するための位置決め機構（図示せず）が設けられている。前記位置決めされる位置は、例えば塗布、現像システムを稼働させるときのインターフェイスブロックＳ３の位置（図２に示す位置）と、メンテナンス時にインターフェイスブロックＳ３を引き出した位置（図１２に示す位置）である。なお、図１２ではガイドレール７７を簡略化して描き、図１０ではガイド機構７６の図示を省略している。

前記塗布、現像システムは、例えばコンピュータからなる制御部１００を備えており、この制御部１００は、プログラム１０２、メモリ１０３、ＣＰＵ１０１からなるデータ処理部などを備えている。プログラム１０２には、移載機構１３、受け渡しアーム３０、各搬送アームＡ１〜Ａ６、第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２、第１の搬送機構６１及び搬入用搬送機構６２などに制御信号を出力するための搬送制御プログラム、処理レシピ１０５を参照しながら各モジュールを制御するためのプログラムなど、前記システムを運転するために必要なプログラムが含まれる。

図５及び図７には、塗布、現像システムの制御系のうち、本発明に関連が深い部位について示す。制御部１００は、一つのコンピュータに相当するものに限らず、ホストコンピュータ、各機構をコントロールするコントローラを合わせたシステムに相当するものであってもよい。周縁露光モジュール４の回転ステージ４２の回転機構４２ａ及び移動部４２ｂ、移載プレート５１の移動機構５３は制御部１００からの制御信号により制御される。また露光部４４の光源４５ａは、制御部１００からの制御信号によりオン、オフされる。さらに周縁検出部４８からの検出値は制御部１００に入力される。

前記プログラム１０２の中には周縁露光モジュール４における処理を実行するためのプログラムが含まれており、このプログラムにより後述の作用説明のように運転されることとなる。周縁露光モジュール４における処理について簡単に述べると、図１３に示すように、先ず、第１の受け渡し機構３１から移載プレート５１にウエハＷを受け渡す工程（ステップＳ１）と、移載プレート５１から回転ステージ４２にウエハＷを受け渡す工程（ステップＳ２）と、が行われる。次に、ウエハＷの周縁及び位置合わせ用の切欠部であるノッチを検出する工程（ステップＳ３）と、ウエハＷに対して周縁露光処理を行う工程（ステップＳ４）と、が行われる。次いで、ノッチが設定された位置に揃うようにウエハＷの位置合わせを行う工程（ステップＳ５）と、位置合わせされたウエハＷを移載プレート５１に受け渡す工程（ステップＳ６）と、が行われる。続いて、移載プレート５１によりウエハＷを設定された温度に温度調整する工程（ステップＳ７）と、温度調整されたウエハＷを移載プレート５１から第１の搬送機構６１に受け渡す工程（ステップＳ８）と、が実施される。

このうち、ウエハＷの周縁及びノッチを検出する工程については、ウエハＷを回転ステージ４２により、設定された回転速度で回転させながら、周縁検出部４８によりウエハＷの周縁を検出することにより行う。プログラム１０２には、前記周縁検出部４８の検出値に基づいて、ウエハＷの周縁とノッチの位置データを取得するための位置取得部をなす位置取得プログラムが含まれる。この位置取得プログラムでは、ウエハＷの回転方向の位置とウエハＷの周縁の位置とを対応付けた位置データが取得され、これによりノッチの位置データが取得される。処理レシピ１０５及びプログラム１０２は、メモリ１０３に格納されているが、図７では便宜上、それらを格納しているメモリ部分を省略して示している。

続いて、上述の実施の形態の作用について説明する。先ず、塗布、現像システムのウエハＷの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→移載機構１３→処理ブロックＳ２のタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→受け渡しアーム３０→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→単位ブロックＢ１（Ｂ２）→単位ブロックＢ３（Ｂ４）→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ→第１の受け渡し機構３１→インターフェイスブロックＳ３の周縁露光モジュール４→露光ステーションＳ４の第１の搬送機構６１→露光ステーションＳ４の経路で搬送される。次いで、露光処理後のウエハＷは、露光ステーションＳ４の第２の搬送機構６２→インターフェイスブロックＳ３の搬入用受け渡しモジュール６→第２の受け渡し機構３２→処理ブロックＳ２のタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ→単位ブロックＢ５（Ｂ６）→受け渡しアーム３０→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→移載機構１３→キャリアＣの順で流れていく。

次いで、周縁露光モジュール４における処理について、図１４〜図２０を参照して述べる。先ず、図１４に示すように、処理ブロックＳ２の第１の受け渡し機構３１から待機位置にある移載プレート５１にウエハＷを受け渡す。次に、移載プレート５１が回転ステージ４２側に移動して、移載プレート５１と受け渡しピン４３との協働作業により回転ステージ４２上にウエハＷを置く。次いで、図１５に示すように、ウエハＷを１回転させて周縁検出部４８によりウエハＷの周縁を光学的に検出し、ウエハＷの周縁とノッチの位置データを取得する。その後、ウエハＷの表面の周縁部に対して露光部４４からの紫外線（詳しくは光照射端４６）により露光を行うと共にウエハＷを回転させて、ウエハＷの全周に亘って露光(周縁露光)を行う(図１６参照)。ウエハＷを回転させるにあたっては、周縁検出部４８の検出結果に基づいて移動部４２ｂにより回転ステージ４２の位置を調整し、これにより露光幅が均一になるようにしている。その後、ウエハＷを、ノッチＮが予め設定された位置に揃うように位置合わせ（アライメント）する(図１７参照)。この位置合わせは、例えばウエハＷのノッチＮが露光ステーションＳ４側にて要求された向きに揃うように回転ステージ４２を回転させることにより行う。

こうして位置合わせされたウエハＷを回転ステージ４２から移載プレート５１に受け渡し、移載プレート５１にて、露光ステーションＳ４側で要求される温度に調整する（図１８参照）。ここでは、例えばウエハＷの面内温度が２３℃になるように温度調整する。続いて、移載プレート５１上のウエハＷを、露光ステーションＳ４の第１の搬送機構６１により受け取って、露光ステーションＳ４内に搬入する（図１９参照）。このように、移載プレート５１上のウエハＷは、露光ステーションＳ４の第１の搬送機構６１により直接受け取られる。このため、周縁露光モジュール４におけるノッチＮの位置合わせは、第１の搬送機構６１に受け取られたウエハＷのノッチが、露光ステーションＳ４側にて要求される位置に揃うように行う。ここで、ウエハＷのノッチＮの位置を揃えるとは、図２０に示すように、正常な位置にノッチＮの中心Ｎ０があるときに、前記ノッチＮの中心Ｎ０と回転ステージ４２の回転中心Ｏを結ぶ線を基準線Ｓとし、この基準線Ｓから±θ°（θ≦１０）以内に収まるように位置合わせすることをいう。

露光ステーションＳ４内では、例えばウエハＷの温度や、ノッチＮの位置の微調整を行った後、露光処理を実施する。露光処理後のウエハＷは、露光ステーションＳ４の第２の搬送機構６２により、インターフェイスブロックＳ３の搬入用受け渡しモジュール６に一旦受け渡され、次いで、処理ブロックＳ２の第２の受け渡し機構３２により処理ブロックＳ２に搬入する。

上述の実施の形態によれば、レジスト膜が形成されたウエハＷは、処理ブロックＳ２の第１の受け渡し機構３１（搬出用受け渡し機構）により移載プレート５１（搬出用載置部）に受け渡され、ここで露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整される。そして、温度調整されたウエハＷは移載プレート５１から露光ステーションＳ４の第１の搬送機構６１により直接受け取られる。このため、ウエハＷは温度調整された後、第１の搬送機構６１以外とは接触しないので、当該第１の搬送機構６１以外にウエハＷの熱が移動するおそれがない。このため、ウエハＷは面内温度の均一性が高い状態で露光ステーションＳ４側へ搬入される。これにより、露光ステーションＳ４では、ウエハＷの温度調整は微調整で足り、調整時間が短縮されるので、露光ステーションＳ４における処理時間が短縮され、結果として塗布、現像システム全体の生産効率が向上する。

また、第１の受け渡し機構３１（搬出用受け渡し機構）及び第２の受け渡し機構３２（搬入用受け渡し機構）は、前記移載プレート５１（搬出用載置部）及び搬入用受け渡しモジュール６（搬入用載置部）から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置している。これにより、例えばメンテナンス等のときに、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックＳ２に対して着脱しても、第１及び第２の受け渡し機構３１、３２と第１及び第２の搬送機構６１、６２との位置関係が変化することはない。このため、インターフェイスブロックＳ３を引き出して、再び処理ブロックＳ２に連結した後に、処理ブロックＳ２側の受け渡し機構３１、３２と、露光ステーションＳ４側の搬送機構６１、６２との位置合わせ作業が不要となり、作業の煩雑化を抑えることができる。これにより、メンテナンス後の調整時間が短縮され、塗布、現像システム全体の生産効率が高められる。

さらに、上述の実施の形態では、移載プレート５１から第１の搬送機構６１にウエハＷを受け渡すときに、ノッチＮが露光ステーションＳ４側にて要求された向きに揃うように、ノッチＮの位置合わせを行っている。このため、露光ステーションＳ４側では、ウエハＷのノッチＮの位置合わせが微調整で足り、当該位置合わせに要する時間が短縮される。従って、露光ステーションＳ４における処理時間が短縮されるので、塗布、現像システム全体の生産効率が向上する。

さらにまた、上述の実施の形態では、インターフェイスブロックＳ３に周縁露光モジュール４を設け、この移載プレート５１を搬出用載置部としている。この周縁露光モジュール４における処理は、露光ステーションＳ４に搬入される前のウエハＷに対して行われる最終処理である。このため、インターフェイスブロックＳ３に周縁露光モジュール４を設けることにより、周縁露光モジュール４と露光ステーションＳ４へのウエハＷの受け渡し用の搬出載置部とを共用することができ、さらにスループットが高められる。例えば処理ブロックＳ２に周縁露光モジュール４を設ける場合には、周縁露光モジュール４と別個にインターフェイスブロックＳ３に搬出用載置部を設ける必要があり、搬送箇所が増えるからである。また、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に周縁露光モジュール４を設ける場合には、周縁露光モジュール４の処理時間が長いと、当該周縁露光処理が律速となり、スループットが低下するおそれがあるからである。一方、インターフェイスブロックＳ２に周縁露光モジュール４を設ける場合には、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４における一連の処理と、周縁露光処理とを互いに独立して行うことができるので、周縁露光処理時間が長い場合には、棚ユニットＵ７に組み込む周縁露光モジュール４の数を調整すればよい。
さらに、上述の実施の形態によれば、インターフェイスブロックＳ３に搬送機構が設けられていないので、インターフェイスブロックＳ３の小型化及び軽量化を図ることができる。このため、メンテナンス時には、インターフェイスブロックＳ３の引き出し作業が容易となる。また、インターフェイスブロックＳ３及び処理ブロックＳ２にガイド機構７６を設け、装置の稼働時の位置とメンテナンス時の位置とを位置決めすることにより、処理ブロックＳ３に対する大きな位置ずれを抑えて、インターフェイスブロックＳ３を着脱することができる。このため、メンテナンス後に、インターフェイスブロックＳ３を所定の位置に戻したときに、周縁露光モジュール４の移載プレート５１と第１の受け渡し機構３１と第１の搬送機構６１との位置合わせ作業が容易となる。

ここで、周縁露光モジュール４では、第１の受け渡し機構３１から移載プレート５１にウエハＷを受け渡した後、移載プレート５１によりウエハＷを露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整してから、回転ステージ４２にウエハＷを受け渡すようにしてもよい。この場合には、温度調整により、面内温度のばらつきが抑えられたウエハＷに周縁露光処理が行われるので、より均一性の高い周縁露光処理を行うことができる。

また、上述の搬入用受け渡しモジュール６では、搬送用の開口部６０ａ，６０ｂを開閉自在に設け、筐体６０内に窒素ガス等の不活性ガスを供給するように構成してもよい。この場合には、例えば筐体６０内を不活性ガス雰囲気とした状態で、露光後のウエハＷを筐体６０内に搬入する。これにより、大気中のアミンとウエハＷ表面に形成されたパターンとの接触を抑えて、パターンの形状変化を抑制することができる。

続いて、インターフェイスブロックＳ３に設けられる周縁露光モジュールの他の例について図２１及び図２２を参照して説明する。この例の周縁露光モジュール４００は、図５〜図７に示す周縁露光モジュール４において、移載プレート５１を設けない構成であり、図５〜図７と同様の構成部分については同じ符号を付し、説明を省略する。
この例の回転ステージ４２０は搬出用載置部をなすものであり、例えばウエハＷよりも大きい円板状に構成され、その内部には温調機構５４が設けられている。また、回転ステージ４２０がウエハＷよりも大きく形成されていることから、発光部４８ａ及び受光部４８ｂとの間で光軸が形成されるように、回転ステージ４２０には切欠部４２１が形成されている。

このような周縁露光モジュール４００は、回転ステージ４２０と第１の受け渡し機構３１及び第１の搬送機構６１との間でウエハＷの受け渡しが行われるように、回転ステージ４２０の位置が設定されている。このとき、第１の受け渡し機構３１は、前記回転ステージ４２０から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置している。
また、回転ステージ４２０にウエハＷを受け渡すときには、受け渡しピン４３を回転ステージ４２０の上方側に位置させる共に、ウエハＷを保持した第１の受け渡し機構３１を受け渡しピン４３の上方側に進入させてから下降させ、次いで受け渡しピン４３を下降させることにより行う。また、第１の搬送機構６１にウエハＷを受け渡すときには、受け渡しピン４３を上昇させて、ウエハＷを回転ステージ４２０の上方側にて保持させる共に、第１の搬送機構６１を受け渡しピン４３の下方側に進入させてから上昇させることにより行う。図中４１０は筐体であり、４１１、４１２は夫々ウエハＷの搬送用の開口部である。

そして、この周縁露光モジュール４００では、第１の受け渡し機構３１から回転ステージ４２０にウエハＷを受け渡した後、回転ステージ４２０によりウエハＷを温調した状態で、ウエハＷの周縁及びノッチの位置を取得し、取得されたウエハＷの周縁の位置に基づいて周縁露光処理を行う。次いで、回転ステージ４２０を回転させて、ノッチＮの位置を露光ステーションＳ４側にて要求される位置に揃える。こうして、露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整されると共に、ノッチＮの位置合わせが行われたウエハＷを第１の搬送機構６１に受け渡す。

このような周縁露光モジュール４００においても、露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整されると共に、ノッチＮの位置合わせが行われたウエハＷを第１の搬送機構６１に受け渡している。このため、露光ステーションＳ４側においてウエハＷの温度調整時間や位置合わせ時間が短縮され、塗布、現像システムの生産効率を高めることができる。また、第１及び第２の受け渡し機構３１、３２と第１及び第２の搬送機構６１、６２との位置関係を変えることなく、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックに対して着脱することができる。このため、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックＳ２に対して着脱したときに、第１及び第２の受け渡し機構３１、３２と、第１及び第２の搬送機構６１、６２との位置合わせ作業が不要となる。

続いて、本発明の第２の実施の形態について、図２３及び図２４を参照して説明する。この実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、インターフェイスブロックＳ３の棚ユニットＵ７に周縁露光モジュールを設ける代わりに、アライメント機能を備えた搬出用受け渡しモジュール７を設けた点である。この例においては、図２３に示すように、周縁露光モジュール４ＡはＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の棚ユニットＵ６に組み込まれる。なお、この周縁露光モジュール４Ａは、例えば図５及び図２１の構成において、周縁検出部４８が設けられていない構成である。

前記搬出用受け渡しモジュール７は、例えば図２４に示すように、露光部４５及び移動部４２ｂ及びガイドレール４２ｃが設けられていない点を除いて、上述の図２１に示す例と同様に構成され、回転ステージ４２０が搬出用載置部に相当する。従って、この例においても、第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２は、回転ステージ４２０及び搬入用受け渡しモジュール６から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置している。また、上述の構成と同様の部分については同じ符号を付し、説明を省略する。

この例では、既述の例と同様に、ウエハＷを単位ブロックＢ３（Ｂ４）に搬送してレジスト膜を形成し、この単位ブロックＢ３の最終工程において、棚ユニットＵ６の周縁露光モジュール４Ａに搬送する。次いで、ウエハＷはタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ→第１の受け渡し機構３１→インターフェイスブロックＳ３の搬出用受け渡しモジュール７→露光ステーションＳ４の第１の搬送機構６１の経路で搬送される。露光後のウエハＷの搬送経路は、上述の例と同様である。
前記搬出用受け渡しモジュール７では、第１の受け渡し機構３１から回転ステージ４２０にウエハＷを受け渡した後、回転ステージ４２０によりウエハＷを温調した状態で、ウエハＷの周縁及びノッチＮの位置の取得を行う。次いで、回転ステージ４２０を回転させて、ノッチＮの位置を露光ステーションＳ４側にて要求される位置に揃える。こうして、露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整されると共に、ノッチＮの位置合わせが行われたウエハＷを第１の搬送機構６１に受け渡す。

このような搬出用受け渡しモジュール７においても、処理ブロックＳ２の第１の受け渡し機構３１により受け渡されたウエハＷを露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整すると共に、ノッチＮの位置合わせを行って、第１の搬送機構６１に受け渡しているので、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。また、第１及び第２の受け渡し機構３１、３２と第１及び第２の搬送機構６１、６２との位置関係を変えることなく、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックに対して着脱することができるので、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。

次いで、本発明の他の実施の形態について、図２５〜図３０を参照して説明する。この実施の形態は、インターフェイスブロックＳ３にキャリアＣの搬入部８１及び搬出部８２を設けた例である。これら搬入部８１及び搬出部８２は、処理ブロックＳ２側からインターフェイスブロックＳ３を見たときに、インターフェイスブロックＳ３の左右方向（図２５中Ｙ方向）の両側に連結されている。この例では、処理ブロックＳ２側から見て棚ユニットＵ７の右側に搬入部８１、棚ユニットＵ８の左側に搬出部８２が夫々設けられている。また、棚ユニットＵ７には、複数個例えば２個の搬出用受け渡しモジュール９１が積層して設けられている。

この例の搬出用受け渡しモジュール９１は、図２６に示すように、温調機構９２ａを備えた搬出用載置部をなすステージ９２と、昇降機構９３ａにより昇降自在に構成された受け渡しピン９３を備えている。図２６中９４はステージ９２の支持部材である。ウエハＷはステージ９２の表面のプロキシミティピン９５にて支持されることにより、ステージ９２との間に僅かな隙間を介して載置されている。この搬出用受け渡しモジュール９１は、例えば棚ユニットＵ７の一部を構成する筐体９６内に収納され、当該筐体９６は昇降機構９７により昇降自在に構成されている。この筐体９６には、第１の受け渡し機構３１と第１の搬送機構８５とステージ９２との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように、搬送用の開口部９６ａが形成されている。この例においても、第１の受け渡し機構３１及び第２の受け渡し機構３２は、ステージ９２及び搬入用受け渡しモジュール６から見て露光ステーションＳ４の反対側に位置している。

図２７及び図２８は、搬入部８１に設けられたキャリアＣ１と、ステージ９２と第１の搬送機構８５との間のウエハＷの受け渡しの様子を模式的に描く図である。これらに示すように、搬入部８１は例えばキャリアＣ１を載置する載置ステージ８３を備えている。キャリアＣ１は、その開口部８０が搬出用受け渡しモジュール９１側を向くように配置され、例えば載置ステージ８３上にて昇降機構８４により昇降自在に設けられている。また、この例の搬入用受け渡しモジュール６は例えば搬出用受け渡しモジュール９１と同様に昇降自在に構成されると共に、搬出部８２は搬入部８１と同様に構成されている。この例においても、例えば周縁露光モジュール４Ａは棚ユニットＵ６に設けられている。

この例の第１の搬送機構８５及び第２の搬送機構８６は、例えば図２５、図２７及び図２８に示すように多関節アームにより構成されている。この多関節アームは、例えば基台８７に積層された例えば２本のアーム８８、８８と、これらアーム８８、８８のうち上方側のアーム８８の先端部に取り付けられたピック８９と、を備えて構成されている。これらは、駆動部８７ａにより、前記基台８７を介して鉛直軸周りに回転自在及びピック８９が進退自在に構成されている。この例では、第１の搬送機構８５及び第２の搬送機構８６に昇降機構が設けられていない構成としているが、ピック８９を昇降させる昇降機構を設けるようにしてもよい。
この第１の搬送機構８５は、図２９に示すように搬出用受け渡しモジュール９１内のウエハＷを受け取ると共に、図３０に示すようにキャリアＣ１内のウエハＷを受け取るように構成される。同様に第２の搬送機構８６は、搬入用受け渡しモジュール６にウエハＷを受け渡すと共に、キャリアＣ２内にウエハＷを受け渡すように構成される。

この際、キャリアＣ１内のウエハＷを受け取るときに、例えば図２７及び図２８に示すように、第１の搬送機構８５がウエハＷを載置しようとするステージ９２の上方側を通ってキャリアＣ１内にアクセスすることができるように構成される。そして、キャリアＣ１から受け取ったウエハＷは、そのままステージ９２に受け渡されるように構成される。このようにキャリアＣ１及び搬出用受け渡しモジュール９１の高さ位置を適切な位置に設定してウエハＷの受け渡しを行う。また、キャリアＣ２内にウエハＷを受け渡すときには、例えば第２の搬送機構８６が搬入用受け渡しモジュール６の上方側、若しくは支持ピン６７の上方側の領域を通過してキャリアＣ２にアクセスすることができるように構成される。この例では、前記第１及び第２の搬送機構８５、８６は昇降しない構成であるため、キャリアＣ１、Ｃ２や搬出用受け渡しモジュール９１、搬入用受け渡しモジュール６との間のウエハの受け渡しは、キャリアＣ１、Ｃ２や搬出用受け渡しモジュール９２、搬入用受け渡しモジュール６側を昇降させて行う。

このような構成では、通常時のウエハＷの搬送は、インターフェイスブロックＳ３に搬送する手前までは既述の構成と同様に行う。そして、処理ブロックＳ２にてレジスト膜が形成されたウエハＷを、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ→第１の受け渡し機構３１→搬出用受け渡しモジュール９１の経路で搬送する。搬出用受け渡しモジュール９１では、第１の受け渡し機構３１と受け渡しピン９３との協働作業によりステージ９２のプロキシミティピン９５上にウエハＷを受け渡し、ステージ９２によりウエハＷを温調する。こうして、露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整されたウエハＷを、受け渡しピン７３との協働作業により第１の搬送機構８５に受け渡す。露光後のウエハＷの搬送経路は、上述の例と同様である。

また、この実施の形態の塗布、現像システムでは、例えば外部の塗布、現像装置においてレジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光ステーションＳ４にて露光処理を行うことができる。この場合には、レジスト膜が形成されたウエハＷが収納されたキャリアＣ１を搬入部８１に載置し、露光後のウエハＷを収納するキャリアＣ２を搬出部８２に載置する。そして、例えば図２７及び図２８に示すように、キャリアＣ１と、ウエハＷを載置しようとするステージ９２の高さを予め設定された位置にする。なお、キャリアＣ１、Ｃ２は図示しない開閉部により開閉されるようになっている。第１の搬送機構８５は、キャリアＣ１から受け取ったウエハＷをステージ９２に載置して温調し、露光ステーションＳ４側にて要求された温度に調整されたウエハＷを、第１の搬送機構８５に受け渡す。露光処理後のウエハＷは、例えば搬入用受け渡しモジュール６の上方側を通ってキャリアＣ２内に受け渡す。また、次のウエハＷをキャリアＣ１から受け取るときには、例えば図２８に示すように、キャリアＣ１と、ウエハＷを載置しようとするステージ９２の高さを調整して、同様にウエハＷの受け渡しを行う。

この例によれば、搬出用受け渡しモジュール９１にてウエハＷを露光ステーションＳ４側にて要求される温度に調整してから、第１の搬送機構８５に受け渡しているので、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。また、第１及び第２の受け渡し機構３１、３２と第１及び第２の搬送機構８５、８６との位置関係を変えることなく、インターフェイスブロックＳ３を処理ブロックに対して着脱することができるので、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。さらに、キャリアＣ１、Ｃ２、搬出用受け渡しモジュール９１や搬入用受け渡しモジュール６を昇降自在に設けているので、第１及び第２の搬送機構８５、８６が昇降自在に設けられていない場合であってもウエハＷの受け渡しができる。この例においては、キャリアＣ１のみをインターフェイスブロックＳ３に設け、露光処理後のウエハＷを第１の搬送機構６１により、同じキャリアＣ１内に受け渡すようにしてもよい。

また、図３１〜図３３に示すように、インターフェイスブロックＳ３にキャリアＣを載置するように構成してもよい。この例では、キャリアＣ１は搬出用受け渡しモジュール９１に隣接し、キャリアＣ２は搬入用受け渡しモジュール６に隣接するように載置される。そして、キャリアＣ１、Ｃ２及び搬出用受け渡しモジュール９１、搬入用受け渡しモジュール６は、夫々昇降機構８４、８４ａ、９７、９７ａにより昇降自在、移動機構９８ａ、９８ｂにより、前記左右方向（Ｙ方向）に伸びるガイドレール９８ｃに沿って移動自在に設けられている。前記キャリアＣ１、Ｃ２は、その開口部８０が露光ステーションＳ４側に向くように配置されている。

この例の第１の搬送機構１１１及び第２の搬送機構１１２は、例えばウエハＷの裏面側中央領域を保持する保持アーム１１３が進退自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成されている。この例では、第１の搬送機構１１１及び第２の搬送機構１１２に昇降機構が設けられていない構成としているが、保持アーム１１３を昇降させる昇降機構を設けるようにしてもよい。そして、例えば図３１に示すように、搬出用受け渡しモジュール９１を第１の搬送機構１１１と対応するように位置させ、搬出用受け渡しモジュール９１側を昇降させることにより、搬出用受け渡しモジュール９１と第１の搬送機構１１１との間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。また、図３３に示すように、キャリアＣ１を第１の搬送機構１１１と対応するように位置させ、キャリアＣ１側を昇降させることにより、キャリアＣ１内のウエハＷが第１の搬送機構１１１により受け取られる。一方、搬入用受け渡しモジュール６及びキャリアＣ２を第２の搬送機構１１２と対応するように夫々位置させることにより、搬入用受け渡しモジュール６又はキャリアＣ２に第２の搬送機構９２からウエハＷが受け渡される。

そして、例えば外部の塗布、現像装置においてレジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光ステーションＳ４にて露光処理を行う場合には、レジスト膜が形成されたウエハＷをキャリアＣ１に収納してインターフェイスブロックＳ３に搬入する。また、露光後のウエハＷを収納するキャリアＣ２をインターフェイスブロックＳ３に載置する。例えばインターフェイスブロックＳ３に設けられた図示しない開口部を介してキャリアＣ１、Ｃ２を載置し、キャリアＣ１、Ｃ２を図示しない開閉部により開く。そして、キャリアＣ１を第１の搬送機構１１１に対応する位置に移動させ、その高さ位置を調整して、第１の搬送機構１１１にウエハＷを受け渡す。次いで、搬出用受け渡しモジュール９１を第１の搬送機構１１１に対応する位置に移動させて、その高さ位置を調整し、ウエハＷをステージ９２に載置する。こうして、当該ステージ９２により露光ステーションＳ４側にて要求された温度に調整されたウエハＷを、搬出用受け渡しモジュール９１側を昇降させることにより、第１の搬送機構１１１に受け渡す。露光処理後のウエハＷは、キャリアＣ２を第２の搬送機構１１２に対応する位置に移動し、キャリアＣ２側を昇降させることにより、第２の搬送機構９２からキャリアＣ２内に受け渡す。この例においても、キャリアＣ１のみを設け、露光処理後のウエハＷを第１の搬送機構１１１により、同じキャリアＣ１内に受け渡すようにしてもよい。

さらに図３４に示すように、搬出用受け渡しモジュール９１（棚ユニットＵ７）及び搬入用受け渡しモジュール６（棚ユニットＵ８）を昇降自在、左右方向（Ｙ方向）及び前後方向（Ｘ方向）に移動自在に設けるようにしてもよい。この例では、例えば前記Ｙ方向ガイドレール９８ｃがＸ方向ガイドレール９８ｄに沿って、図示しない移動機構により移動自在に構成されている。

このような構成では、露光ステーションＳ４の第１の搬送機構１１１、第２の搬送機構１１２の離間距離やストロークに合わせて、搬出用受け渡しモジュール９１及び搬入用受け渡しモジュール６の位置を調整することができる。このため、露光ステーションＳ４の選択の自由度が高められる。

また、例えば図３５及び図３６に示すように、図３１〜図３４の構成において、キャリアＣ１、Ｃ２及び棚ユニットＵ７、Ｕ８の昇降機構８４、８４ａ、９７，９７ａ及び移動機構９８ａ、９８ｂを設けず、第１の搬送機構１１１、第２の搬送機構１１２を昇降自在に設けるように構成してもよい。この場合、インターフェイスブロックＳ３は左右方向に移動自在に構成されていることから、インターフェイスブロックＳ３自体を左右方向に移動させる。こうして、図３５に示すように、搬出用受け渡しモジュール９１を第１の搬送アーム１１１に対応するように位置させて、ウエハＷの受け渡しを行う。また、図３６に示すように、キャリアＣ１を第１の搬送機構１１１に対応するように位置させて、ウエハＷの受け渡しを行う。キャリアＣ２及び搬入用受け渡しモジュール６にウエハＷを受け渡すときには、夫々キャリアＣ２及び搬入用受け渡しモジュール６を搬送機構１１２に対応するように位置させて、夫々ウエハＷの受け渡しを行う。

以上において、本発明では、図３７に示すように、インターフェイスブロックＳ３に設けられた棚ユニットＵ１０に搬出用載置部と搬入用載置部とを積層して設けるようにしてもよい。この場合、第１の受け渡し機構（搬出用受け渡し機構）と第２の受け渡し機構（搬入用受け渡し機構）とを兼用する受け渡し機構１２１と、第１の搬送機構と第２の搬送機構とを兼用する搬送機構１２２と、を設ける。そして、これら受け渡し機構１２１及び搬送機構１２２を夫々進退自在、昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成することにより、これら搬出載置部と搬入載置部に対してウエハＷの受け渡しを行う。受け渡し機構１２３は、タワーＴ２の各部と洗浄モジュール２８との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。

以上において、本発明では、周縁検出部としてＣＣＤカメラを用い、ウエハＷを撮像して周縁の位置及びノッチＮの位置を検出するようにしてもよい。また、インターフェイスブロックＳ３に設けられた周縁露光モジュールでは、必ずしもウエハＷのノッチＮの位置合わせを行う必要はない。

さらにまた、搬入用載置部をウエハＷを載置して温調する構成としてもよい。例えばインターフェイスブロックＳ３の棚ユニットＵ８に、露光処理後の検査を行う検査モジュールを設ける場合には、検査の種類によっては温度の影響を受けるものもある。従って、露光処理後のウエハの温度を高い均一性を確保するように調整してから、検査モジュールにて所定の検査を行うようにすると、検査の信頼性が向上する。前記検査モジュールとしては、例えばパーティクルや膜厚を検査するモジュールが設けられる。また、周縁露光モジュール４においては、移載プレート５１の駆動機構５３に昇降機構を組み込み、移載プレート５１を昇降自在に構成するようにしてもよい。さらにまた、ウエハＷの位置合わせ用の切欠部はオリエンテーションフラットでもよい。

また、搬出用受け渡し機構及び搬入用受け渡し機構は、搬出用載置部及び搬入用載置部から見て露光装置の反対側に位置していればよい。搬出用載置部に対して搬出用受け渡し機構及び露光装置の搬送機構が夫々ウエハＷの受け渡しを行うことができれば、これらを前後方向に一直線上に配列する必要はない。また、搬入用載置部に対して搬入用受け渡し機構及び露光装置の搬送機構が夫々基板の受け渡しを行うことができれば、これらを前後方向に一直線上に配列する必要はない。搬出用載置部及び搬入用載置部は少なくとも１個設けるようにすればよく、基板の搬送速度やスループットを考慮して、適宜その個数が決定される。

３１第１の受け渡し機構（搬出用受け渡し機構）
３２第２の受け渡し機構（搬入用受け渡し機構）
４、４Ａ、４００周縁露光モジュール
４２、４２０回転ステージ
４４露光部
４８周縁検出部
５１移載プレート（搬出用載置部）
７、９１搬出用受け渡しモジュール
９２ステージ（搬出用載置部）
１００制御部
Ｂ１〜Ｂ６単位ブロック
Ｓ２処理ブロック
Ｓ３インターフェイスブロック
Ｓ４露光ステーションＳ４
Ｗウエハ

Claims

レジスト膜が形成された基板を露光する露光装置に接続される基板処理装置において、
基板に対してレジスト膜を形成するための一連の処理を行うと共に、露光処理後の基板に対して現像処理を行う処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との接続方向を前後方向とすると、前記処理ブロックと前記露光装置との間に、当該処理ブロックに対して左右方向に移動可能に連結して設けられたインターフェイスブロックと、
前記処理ブロックに設けられ、レジスト膜が形成された基板の受け渡しを行うための搬出用受け渡し機構と、
前記インターフェイスブロックに設けられ、前記搬出用受け渡し機構から基板が一旦受け渡されて当該基板の温度を露光装置側にて要求される温度に調整し、前記露光装置の搬送機構により当該基板が搬出される搬出用載置部と、
前記インターフェイスブロックに設けられ、前記露光装置の搬送機構により露光後の基板が一旦受け渡される搬入用載置部と、
前記処理ブロックに設けられ、前記搬入用載置部から基板を受け取って処理ブロック内に搬入する搬入用受け渡し機構と、
前記基板を載置して、回転機構により鉛直軸回りに回転される回転ステージと、
前記回転ステージに載置された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記搬出用載置部を、当該搬出用載置部と前記搬出用受け渡し機構又は前記露光装置の搬送機構との間で基板を受け渡す位置と、当該搬出用載置部と前記回転ステージとの間で基板を受け渡す位置との間で移動させる移動機構と、を備え、
前記基板は位置合わせ用の切欠部を備えた半導体ウエハであり、
前記搬出用受け渡し機構及び搬入用受け渡し機構は、前記搬出用載置部及び搬入用載置部から見て露光装置の反対側に位置していることを特徴とする基板処理装置。
前記回転ステージに載置された半導体ウエハの周縁の位置を検出する周縁検出部と、
前記周縁検出部の検出値に基づいて、前記切欠部の位置データを取得するための位置取得部と、を備え、
前記露光装置の搬送機構に前記搬出用載置部から半導体ウエハを受け渡すときに、前記切欠部が露光装置側にて要求された向きに揃うように、前記切欠部の位置データに基づいて前記回転機構を制御する制御部と、を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記搬出用載置部及び搬入用載置部は、前記露光装置側から見て左右に分かれて設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。