JP2006032718A - 露光装置、基板処理装置、リソグラフィシステム及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スループットの低下を招くことなく基板の温度調節を適切に行ない、適切に露光処理を行なうことのできる露光装置を提供する
【解決手段】露光装置の受け渡し部１２０は、基板処理装置から露光装置へ搬送する基板が載置される第１の基板載置部１２１及び露光装置から基板処理装置へ搬送する基板が載置される第３の基板載置部１２３とは別に、さらに別の基板載置部（第２の基板載置部１２２）を温度調節部として具備する。コータ・デベロッパから第１の基板載置部１２１に載置された基板は、すぐに温調部（第２の基板載置部１２２）に搬送され、第２のウエハ載置台１２２で基板温度が高精度に調節された後、露光装置本体に搬送される。ウエハがすぐに第２のウエハ載置台１２２に搬送されるので、第１の基板載置部１２１はすぐに空となり、次の基板を受け取れるようになり、コータ・デベロッパから露光装置への基板の搬送が待機状態となる事態が解消され、スループットの低下が防止される。
【選択図】 図２
【解決手段】露光装置の受け渡し部１２０は、基板処理装置から露光装置へ搬送する基板が載置される第１の基板載置部１２１及び露光装置から基板処理装置へ搬送する基板が載置される第３の基板載置部１２３とは別に、さらに別の基板載置部（第２の基板載置部１２２）を温度調節部として具備する。コータ・デベロッパから第１の基板載置部１２１に載置された基板は、すぐに温調部（第２の基板載置部１２２）に搬送され、第２のウエハ載置台１２２で基板温度が高精度に調節された後、露光装置本体に搬送される。ウエハがすぐに第２のウエハ載置台１２２に搬送されるので、第１の基板載置部１２１はすぐに空となり、次の基板を受け取れるようになり、コータ・デベロッパから露光装置への基板の搬送が待機状態となる事態が解消され、スループットの低下が防止される。
【選択図】 図２
Description
本発明は、例えば半導体素子等のマイクロデバイスを製造する際に用いる露光装置、その露光装置にインラインにて接続されるコータ・デベロッパ等の基板処理装置、これら露光装置及び基板処理装置を有するリソグラフィシステム、及びその露光装置を用いてマイクロデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
例えば半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ等の撮像素子、プラズマディスプレイ素子、薄膜磁気ヘッド、及びマイクロマシン等のマイクロデバイス（以下、電子デバイス又は単にデバイスと総称する）を製造する際のフォトリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクルに形成されたパターンの像を、投影光学系を介してフォトレジストが塗布された半導体ウエハやガラスプレート等の感光基板（以下、単に基板又はウエハ、あるいは一般的に被処理体と称する）上に転写する露光装置が使用される。この露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（ステッパー）や、レチクルとウエハとを投影光学系に対して同期して走査させて露光を行なうステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（スキャニング・ステッパー）が広く使用されている。また、投影光学系と基板との間に液体を満たした液浸露光装置や、電子線を用いて露光を行なうＥＢ露光装置も提案されている。
フォトリソグラフィ工程において、露光装置による露光工程の前工程は、フォトレジストをウエハに均一に塗布するレジスト塗布工程であり、また、露光装置による露光工程の後工程は、パターンを露光転写したウエハやガラスプレート等を現像する現像工程である。これら、露光工程の前後の工程におけるレジスト塗布及び現像を行なう装置として、ウエハを高速回転させフォトレジストをウエハに均一に塗布するスピンコータ等の塗布機能と、現像機能とを併せ持ったコータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）と呼ばれる塗布・現像装置がある。塗布・現像装置は、必要に応じて冷却部やベーク部を有しており、さらに必要に応じてウエハ等の被処理体を一時保持しておくバッファ機能を有している。
このような露光装置や塗布・現像装置においては、各処理工程毎に処理ロットを投入する煩雑さを避けるとともに、フォトレジストの化学的特性を維持しつつスループットを向上させるために、通常、塗布・現像装置を露光装置に隣接して設置し、かつ塗布・現像装置と露光装置とを直接接続して、ウエハ等の被処理体を双方の装置間で自動で搬送する方式が採られている。一般的にインライン接続と呼ばれる方式であり、リソグラフィシステムの多くがこの方式による運用を行なっている。
露光装置と塗布・現像装置とをインライン接続した場合、双方の装置間に被処理体であるウエハを互いに受け渡すための受け渡し部が設けられる。受け渡し部は、塗布・現像装置から露光装置への受け渡し部、及び露光装置から塗布・現像装置への受け渡し部の両方の機能を有する必要があり、双方が独立して設けられる場合も、両方を兼ねた装置が設けられる場合もある。
露光装置と塗布・現像装置とをインライン接続した場合、双方の装置間に被処理体であるウエハを互いに受け渡すための受け渡し部が設けられる。受け渡し部は、塗布・現像装置から露光装置への受け渡し部、及び露光装置から塗布・現像装置への受け渡し部の両方の機能を有する必要があり、双方が独立して設けられる場合も、両方を兼ねた装置が設けられる場合もある。
また、近年、半導体のパターンが微細化するに伴って、露光工程における線幅等の露光性能の維持のために、被処理体であるウエハの温度管理に厳密さが要求されている。そのため、塗布・現像装置内部の冷却部とは別に、露光装置に投入する被処理体の温度管理を行なうための温度調節部（温調部）を具備したシステムもあるが、通常、この温度調節部は、塗布・現像装置の受け渡し部が兼ねている場合が多い。
これら受け渡し部及び温調部は、露光装置が管理及び制御をする場合もあるが、塗布・現像装置が管理及び制御する場合もある。また、露光装置や塗布・現像装置とは別個（上位）の装置（制御装置）が管理及び制御をする場合もある。
これら受け渡し部及び温調部は、露光装置が管理及び制御をする場合もあるが、塗布・現像装置が管理及び制御する場合もある。また、露光装置や塗布・現像装置とは別個（上位）の装置（制御装置）が管理及び制御をする場合もある。
このようなシステム、すなわち露光装置、塗布・現像装置、受け渡し装置、及びインライン接続のための搬送系等を有するリソグラフィシステムにおいて、高いスループットで効率よくマイクロデバイスを製造するためには、各装置間での基板の搬送を効率よく行なう必要がある。そのために、例えば各装置の制御部間で基板の搬送に関する情報をやり取りし、その情報に基づいて基板を搬送可能になるまでの時間を予測する等の処理を行なって、基板の受け渡しのスケジューリングや次動作の決定等を行なうシステムも提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−７５８５３号公報
塗布・現像装置は、通常、装置内に複数の基板処理部を具備しており、処理の終わった被処理体（ウエハ）から順に露光装置への搬送を行なう。すなわち、処理の終わった被処理体は順次受け渡し部に送り出される。
しかしながら、受け渡し部がウエハの温度を調節する温調部を兼ねていると、塗布・現像装置から露光装置に被処理体を送り込む時に、温度調節のために、被処理体が受け渡し部に長時間滞留することとなる。その結果、塗布・現像装置が露光装置に搬送する被処理体を受け渡し部に投入しようとする時に、未だ前の被処理体が受け渡し部に存在している確率が高くなり、新たな被処理体を受け渡し部に投入する際に待機時間が生じることとなり、あるいはまたその待機時間が長くなることとなり、スループットの低下を招くという問題がある。
しかしながら、受け渡し部がウエハの温度を調節する温調部を兼ねていると、塗布・現像装置から露光装置に被処理体を送り込む時に、温度調節のために、被処理体が受け渡し部に長時間滞留することとなる。その結果、塗布・現像装置が露光装置に搬送する被処理体を受け渡し部に投入しようとする時に、未だ前の被処理体が受け渡し部に存在している確率が高くなり、新たな被処理体を受け渡し部に投入する際に待機時間が生じることとなり、あるいはまたその待機時間が長くなることとなり、スループットの低下を招くという問題がある。
一方、露光処理の終了した被処理体では化学変化が持続しており、なるべく迅速に、しかもウエハ毎にばらつかないように露光装置から搬出し、塗布・現像工程においてベーク・現像等の次工程に投入する必要がある。
しかしながら、前述したように塗布・現像装置から露光装置への被処理体の搬入が効率よく行なえず被処理体が受け渡し部等に滞留することとなると、露光装置から塗布・現像装置への被処理体の搬送についても迅速に行なえなくなったり、あるいは露光から現像までの所要時間（露光の終了した被処理体の搬送時間）が被処理体によってばらついたりする可能性が高くなり、スループットの低下を招くとともに、製造したデバイスの特性にばらつきが生じる可能性が生じる。
しかしながら、前述したように塗布・現像装置から露光装置への被処理体の搬入が効率よく行なえず被処理体が受け渡し部等に滞留することとなると、露光装置から塗布・現像装置への被処理体の搬送についても迅速に行なえなくなったり、あるいは露光から現像までの所要時間（露光の終了した被処理体の搬送時間）が被処理体によってばらついたりする可能性が高くなり、スループットの低下を招くとともに、製造したデバイスの特性にばらつきが生じる可能性が生じる。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、スループットの低下を招くことなく搬入される基板等の被処理体の温度調節を適切に行ない、適切に露光処理を行なうことのできる露光装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は、露光装置に搬入する基板等の被処理体の温度調節を、スループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできる基板処理装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は、基板処理装置から露光装置に基板等の被処理体を搬入する際に、その被処理体の温度調節をスループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできるリソグラフィシステムを提供することにある。
また本発明の他の目的は、スループットの低下を招くことなく基板等の被処理体の温度調節を適切に行なって露光処理を行なうことにより、高性能なデバイスを効率よく製造することのできるデバイス製造方法を提供することにある。
また本発明の他の目的は、露光装置に搬入する基板等の被処理体の温度調節を、スループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできる基板処理装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は、基板処理装置から露光装置に基板等の被処理体を搬入する際に、その被処理体の温度調節をスループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできるリソグラフィシステムを提供することにある。
また本発明の他の目的は、スループットの低下を招くことなく基板等の被処理体の温度調節を適切に行なって露光処理を行なうことにより、高性能なデバイスを効率よく製造することのできるデバイス製造方法を提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明に係る露光装置は、基板処理装置（２０）とインラインにて接続され基板処理装置（２０）との間で受け渡し部（１２０）を介して基板の受け渡しを行なう露光装置（１０）であって、受け渡し部（１２０）は、前記基板処理装置（２０）から搬入された基板が載置される第１の基板載置部（１２１）と、前記第１の基板載置部（１２１）の近傍に配置され、前記第１の基板載置部（１２１）に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部（１２２）と、少なくとも前記第１の基板載置部（１２１）に載置された基板を前記第２の基板載置部（１２２）に搬送する搬送部（１１５）と、前記基板処理装置（２０）に搬出する基板が載置される第３の基板載置部（１２３）と、を有し、前記第１の基板載置部（１２１）を介して搬入された基板を前記第２の基板載置部（１２２）において温度調節を行なって露光処理に供し、該露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部（１２３）を介して前記基板処理装置（２０）に搬出する（図２参照）（請求項１）。
このような構成の露光装置（１０）の受け渡し部（１２０）においては、基板処理装置（２０）と露光装置（１０）との間で基板を受け渡すための基板載置部が温調部を兼ねるのではなく、基板処理装置（２０）から露光装置（１０）へ搬送する基板が載置される第１の基板載置部（１２１）及び露光装置（１０）から基板処理装置（１０）へ搬送する基板が載置される第３の基板載置部（１２３）とは別に、温調部（第２の基板載置部（１２２））が設けられている。
従って、基板処理装置（２０）から第１の基板載置部（１２１）に載置された基板は、すぐに搬送部（１１５）により温調部（第２の基板載置部（１２２））に搬送される。その結果、第１の基板載置部（１２１）はすぐに次の基板を受け取れるようになり、基板処理装置（２０）において露光装置（１０）への基板の搬送が待機される状態が解消される。またこれにより、露光装置（１０）から基板処理装置（２０）への基板の搬送も滞りなくスムースに行なわれることとなり、スループットの低下や特性のばらつきを防止することができる。また、基板の温度調節は専用の基板載置部において行なっているので、必要十分な時間を費やして高精度に行なうことができる。
従って、基板処理装置（２０）から第１の基板載置部（１２１）に載置された基板は、すぐに搬送部（１１５）により温調部（第２の基板載置部（１２２））に搬送される。その結果、第１の基板載置部（１２１）はすぐに次の基板を受け取れるようになり、基板処理装置（２０）において露光装置（１０）への基板の搬送が待機される状態が解消される。またこれにより、露光装置（１０）から基板処理装置（２０）への基板の搬送も滞りなくスムースに行なわれることとなり、スループットの低下や特性のばらつきを防止することができる。また、基板の温度調節は専用の基板載置部において行なっているので、必要十分な時間を費やして高精度に行なうことができる。
好適には、少なくとも前記第１の基板載置部（１２１）及び前記第２の基板載置部（１２２）は、当該各基板載置部（１２１，１２２）の各基板載置面が鉛直方向に所定間隔をおいて略重なるように配置されている（図２参照）（請求項２）。
また好適には、前記基板を前記第１の基板載置部から前記第２の基板載置部に搬送する際の前記搬送部の移動範囲が、当該搬送部のみが移動する場合と比較して短くなるように、前記第１の基板載置部及び前記第２の基板載置部の何れか一方又は両方が、前記搬送部の前記搬送に伴って当該搬送部に対して相対的に移動する（請求項３）。
また好適には、第１〜第３の基板載置部の少なくとも何れか１つに対して、当該基板載置部の基板載置面にエアーフロー機構により所望の気体を吹き付けることにより（図４参照）、又は少なくとも一部にエアーカーテンを用いて仕切られた空間内に当該基板載置部を収容することにより（図５参照）、あるいは隔壁により仕切られた空間内に当該基板載置部を収容することにより（図６参照）、当該基板載置部に載置される基板を周囲雰囲気から隔離する（請求項４）。
また、本発明に係る基板処理装置は、露光装置とインラインにて接続され、前記露光装置との間で受け渡し部を介して基板の受け渡しを行なう基板処理装置であって、前記受け渡し部は、前記露光装置へ供給する基板が載置される第１の基板載置部と、前記第１の基板載置部の近傍に配置され、前記第１の基板載置部に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部と、少なくとも前記第１の基板載置部に載置された基板を前記第２の基板載置部に搬送する搬送部と、前記露光装置から搬入された基板が載置される第３の基板載置部とを有し、露光対象の基板を前記第１の基板載置部を介して前記第２の基板載置部に搬送し、温度調節を行なって前記露光装置に供給し、前記露光装置において露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部を介して受け取る（請求項５）。
また、本発明に係るリソグラフィシステムは、基板処理装置と、前記基板処理装置と受け渡し装置を介してインラインにて接続される露光装置と、前記基板処理装置と前記露光装置との間に介在される前記受け渡し装置とを有するリソグラフィシステムであって、前記受け渡し装置は、前記基板処理装置から搬入される前記露光装置へ供給する基板が載置される第１の基板載置部と、前記第１の基板載置部の近傍に配置され、前記第１の基板載置部に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部と、少なくとも前記第１の基板載置部に載置された基板を前記第２の基板載置部に搬送する搬送部と、前記露光装置から搬入された基板が載置される第３の基板載置部とを有し、露光対象の基板を前記第１の基板載置部を介して前記第２の基板載置部に搬送し、温度調節を行なって前記露光装置に供給し、前記露光装置において露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部を介して受け取り前記基板処理装置に搬出する（請求項６）。
また、本発明に係るデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、そのリソグラフィ工程では前述の何れかの露光装置を用いる（請求項７）。
なお、本欄においては、各構成に対して、添付図面に示されている対応する構成の符号を記載したが、これはあくまでも理解を容易にするためのものであって、何ら本発明に係る手段が添付図面を参照して後述する実施形態の態様に限定されることを示すものではない。
本発明によれば、スループットの低下を招くことなく搬入される基板等の被処理体の温度調節を適切に行ない、適切に露光処理を行なうことのできる露光装置を提供することができる。
また、露光装置に搬入する基板等の被処理体の温度調節を、スループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできる基板処理装置を提供することができる。
また、基板処理装置から露光装置に基板等の被処理体を搬入する際に、その被処理体の温度調節をスループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできるリソグラフィシステムを提供することができる。
また、スループットの低下を招くことなく基板等の被処理体の温度調節を適切に行なって露光処理を行なうことにより、高性能なデバイスを効率よく製造することのできるデバイス製造方法を提供することができる。
また、露光装置に搬入する基板等の被処理体の温度調節を、スループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできる基板処理装置を提供することができる。
また、基板処理装置から露光装置に基板等の被処理体を搬入する際に、その被処理体の温度調節をスループットの低下を招くことなく適切に行なうことのできるリソグラフィシステムを提供することができる。
また、スループットの低下を招くことなく基板等の被処理体の温度調節を適切に行なって露光処理を行なうことにより、高性能なデバイスを効率よく製造することのできるデバイス製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態のリソグラフィシステムについて、図１〜図７を参照して説明する。
まず、そのリソグラフィシステム１の構成について説明する。
図１は、本実施形態に係るリソグラフィシステム１の全体構成を示す図である。
図１に示すように、リソグラフィシステム１は、露光装置１０及び基板処理装置としてのコータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）２０を有する。
なお、以下の説明においては、図１における紙面内の左右方向をＸ軸方向、図１における紙面内でＸ軸方向に直交する方向（上下方向）をＹ軸方向、また、これらＸ軸、Ｙ軸に直交する紙面垂直方向をＺ軸方向と規定して説明を行なう。
まず、そのリソグラフィシステム１の構成について説明する。
図１は、本実施形態に係るリソグラフィシステム１の全体構成を示す図である。
図１に示すように、リソグラフィシステム１は、露光装置１０及び基板処理装置としてのコータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）２０を有する。
なお、以下の説明においては、図１における紙面内の左右方向をＸ軸方向、図１における紙面内でＸ軸方向に直交する方向（上下方向）をＹ軸方向、また、これらＸ軸、Ｙ軸に直交する紙面垂直方向をＺ軸方向と規定して説明を行なう。
まず、露光装置１０の構成について説明する。
露光装置１０は、チャンバ１００を有し、そのチャンバ１００は、仕切り壁１０３により内部が露光室１０１とローダ室１０２とに区分されている。
ローダ室１０２内には、露光装置側の基板搬送系としてのウエハローダ系１１０の大部分（図１中の符号１１１〜１１３、１１５〜１１８及び１２０の部分）が収容され、露光室１０１内には、レチクルのパターンをウエハＷに転写する露光装置本体１６０が収容されている。
露光装置１０は、チャンバ１００を有し、そのチャンバ１００は、仕切り壁１０３により内部が露光室１０１とローダ室１０２とに区分されている。
ローダ室１０２内には、露光装置側の基板搬送系としてのウエハローダ系１１０の大部分（図１中の符号１１１〜１１３、１１５〜１１８及び１２０の部分）が収容され、露光室１０１内には、レチクルのパターンをウエハＷに転写する露光装置本体１６０が収容されている。
ウエハステージＷＳＴは、不図示の防振パッドによって保持された不図示の定盤上をＸＹ２次元方向に移動可能に構成されており、このウエハステージＷＳＴに保持されたウエハＷに対してレチクルパターンが転写されるようになっている。
なお、図１には、ウエハＷが載置されるウエハステージＷＳＴのみを示す。露光装置本体１６０のウエハステージＷＳＴ以外の構成部は図示省略する。
なお、図１には、ウエハＷが載置されるウエハステージＷＳＴのみを示す。露光装置本体１６０のウエハステージＷＳＴ以外の構成部は図示省略する。
ウエハローダ系１１０は、Ｘ軸方向に延びるＸガイド１１１と、Ｘガイド１１１の上方（図１における紙面手前側、＋Ｚ側）においてＸガイド１１１と交差してＹ軸方向に延びるＹガイド１１２とを搬送ガイドとして備える。Ｙガイド１１２は、仕切り壁１０３を貫通した状態で設けられる。
ローダ室１０２内のＸガイド１１１のチャンバ１００の壁側（−Ｙ側）には、Ｘ軸方向に所定間隔を隔ててキャリア台１１３Ａ及び１１３Ｂが配置される。キャリア台１１３Ａ及び１１３Ｂは、露光装置１０をコータ・デベロッパ２０とのインライン接続により運用する場合ではなく、複数のウエハを収納可能なオープンカセット（ＯＣ：Open Cassette）を用いて露光装置１０に直接ウエハを投入する運用形態の場合に、そのオープンカセットＯＣが載置される台である。なお、オープンカセットの代わりに、フープ（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）を載置する構造でも良い。
オープンカセットＯＣ又はＦＯＵＰは、チャンバ１００（ローダ室１０２）の−Ｙ側の側壁に設けられた不図示の扉によって開閉可能な不図示の出し入れ口を介して、露光装置１０の外部とローダ室１０２との間で出し入れされる。
オープンカセットＯＣ又はＦＯＵＰは、手動型搬送車（ＰＧＶ：Person Guided Vehicle ）によって搬送しオペレータの手作業によって出し入れを行っても良いし、自走型搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）により搬送した後に自動的に出し入れを行なうようにしても良い。また、ＯＨＴ（Over Head Transfer）を用いて上方からキャリア台１１３Ａ及び１１３Ｂ上に設置しても良い。
オープンカセットＯＣ又はＦＯＵＰは、手動型搬送車（ＰＧＶ：Person Guided Vehicle ）によって搬送しオペレータの手作業によって出し入れを行っても良いし、自走型搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）により搬送した後に自動的に出し入れを行なうようにしても良い。また、ＯＨＴ（Over Head Transfer）を用いて上方からキャリア台１１３Ａ及び１１３Ｂ上に設置しても良い。
Ｘガイド１１１上には、不図示の駆動装置に駆動されＸガイド１１１に沿って移動する水平多関節型のロボット（スカラーロボット）１１５が設けられている。
また、Ｙガイド１１２には、不図示の駆動装置によって駆動されてＹガイド１１２に沿って移動するウエハ・ロードアーム１１６とウエハ・アンロードアーム１１７とが設けられている。
さらに、Ｙガイド１１２の−Ｙ方向端部の−Ｘ側の位置で、キャリア台１１３Ａとキャリア台１１３Ｂとの間には、ターンテーブル（回転テーブル）１１８が配置され、ターンテーブル１１８からＹ方向に所定距離隔てた位置に、不図示のウエハエッジセンサが配置されている。
また、Ｙガイド１１２には、不図示の駆動装置によって駆動されてＹガイド１１２に沿って移動するウエハ・ロードアーム１１６とウエハ・アンロードアーム１１７とが設けられている。
さらに、Ｙガイド１１２の−Ｙ方向端部の−Ｘ側の位置で、キャリア台１１３Ａとキャリア台１１３Ｂとの間には、ターンテーブル（回転テーブル）１１８が配置され、ターンテーブル１１８からＹ方向に所定距離隔てた位置に、不図示のウエハエッジセンサが配置されている。
また、Ｘガイド１１１のコータ・デベロッパ２０側（−Ｘ側）の端部とローダ室１０２のコータ・デベロッパ２０側の側壁との間に、本発明に係る装置間受け渡し部１２０が設けられている。
装置間受け渡し部１２０の構成を図２に示す。
装置間受け渡し部１２０は、図２に示すように、３個のウエハ載置台１２１〜１２３が、鉛直方向（Ｚ方向）に所定間隔で配置された構成である。
装置間受け渡し部１２０の構成を図２に示す。
装置間受け渡し部１２０は、図２に示すように、３個のウエハ載置台１２１〜１２３が、鉛直方向（Ｚ方向）に所定間隔で配置された構成である。
第１のウエハ載置台１２１は、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０に搬入されるウエハ（露光処理前のウエハ）Ｗが一時的に載置される台であり、第３のウエハ載置台１２３は、露光装置１０からコータ・デベロッパ２０に搬送されるウエハ（露光処理前のウエハ）Ｗが一時的に載置される台である。これら第１のウエハ載置台１２１及び第３のウエハ載置台１２３は、各々、基台１２４及び１２６上に３本１組の支持ピン１２５及び１２７が設けられた構成であり、この支持ピン１２５及び１２７上に図示のごとく搬送対象のウエハＷが載置される。
第２のウエハ載置台１２２は、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０に搬入されるウエハＷの基板温度を、露光処理に適した温度に高精度に調節する温度調節部としての基板載置部である。第２のウエハ載置台１２２には、コータ・デベロッパ２０から一旦第１のウエハ載置台１２１に搬入されたウエハＷが、ロボット１１５により移送されて載置される。また、第２のウエハ載置台１２２で温度調節のされたウエハＷは、ロボット１１５により取り出され、ウエハ・ロードアーム１１６等を介して露光装置本体１６０のウエハステージＷＳＴに搬入されて露光処理に供される。
第２のウエハ載置台１２２は、図示のごとく、基台１２８上に温調プレートとしての金属プレート１２９が設けられて形成される。第２のウエハ載置台１２２には、図示しない上下動ピンが設けられており、これが上昇することによりウエハＷが金属プレート１２９より浮き上がり、ロボット１１５により保持され得る状態となる。また、これが下降することにより、ピン上に載置されたウエハＷが金属プレート１２９上に密着して載置される。
金属プレート１２９の内部の表面（ウエハ載置面）近傍には、例えば同心円状あるいは渦巻き形状に、金属プレート１２９の温度を所望の温度に維持するための媒体が流れる流路が形成されている。金属プレート１２９のこの流路に、図示しないポンプ及び配管により所望の温度に制御された例えばＨＦＥ等の媒体を循環させることにより、金属プレート１２９の表面温度が高精度に所望の温度に維持・管理される。なお、温度制御のための構成物として、ペルチェ素子を用いるようにしても良い。
第２のウエハ載置台１２２において、ウエハＷの温度は、露光装置本体１６０の露光環境の温度（さらに言えば、ウエハステージＷＳＴ上のウエハ載置部の温度）と同一の温度となるように調整される。但し、装置間受け渡し部１２０からさらにウエハステージＷＳＴまで運ばれる際の温度変化が正確に予測できる場合には、これを考慮した温度を目標温度としても良い。（例えば、受け渡し部１２０からウエハステージＷＳＴまでウエハＷを運ぶ間に、ウエハＷがΔＴだけ温度低下するような場合には、受け渡し部１２０（第２のウエハ載置台１２２）の目標温度をΔＴだけ上げたものにしておく）。
第２のウエハ載置台１２２において、ウエハＷの温度は、露光装置本体１６０の露光環境の温度（さらに言えば、ウエハステージＷＳＴ上のウエハ載置部の温度）と同一の温度となるように調整される。但し、装置間受け渡し部１２０からさらにウエハステージＷＳＴまで運ばれる際の温度変化が正確に予測できる場合には、これを考慮した温度を目標温度としても良い。（例えば、受け渡し部１２０からウエハステージＷＳＴまでウエハＷを運ぶ間に、ウエハＷがΔＴだけ温度低下するような場合には、受け渡し部１２０（第２のウエハ載置台１２２）の目標温度をΔＴだけ上げたものにしておく）。
第１のウエハ載置台１２１〜第３のウエハ載置台１２３を有するこのような装置間受け渡し部１２０に対しては、露光装置１０のＹガイド１１１沿って移動するように設けられたロボット１１５、及び、後述するコータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により、ウエハＷが搬入されて載置され、また、載置されたウエハＷが取り出される。
具体的には、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０に投入されるウエハＷは、受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により第１のウエハ載置台１２１に運び込まれ載置される。
第１のウエハ載置台１２１に載置されたウエハＷは、露光装置１０のロボット１１５により運び出され、第２のウエハ載置台１２２に移され、温度調節に供される。
第２のウエハ載置台１２２において温度調節されたウエハＷは、ロボット１１５により取り出されて、Ｙガイド１１２に沿って移動するウエハ・ロードアーム１１６を介してウエハステージＷＳＴに載置され、露光に供される。
第１のウエハ載置台１２１に載置されたウエハＷは、露光装置１０のロボット１１５により運び出され、第２のウエハ載置台１２２に移され、温度調節に供される。
第２のウエハ載置台１２２において温度調節されたウエハＷは、ロボット１１５により取り出されて、Ｙガイド１１２に沿って移動するウエハ・ロードアーム１１６を介してウエハステージＷＳＴに載置され、露光に供される。
また、露光処理の終了したウエハＷは、Ｙガイド１１２に沿って移動するウエハ・アンロードアーム１１７によりウエハステージＷＳＴからアンロードされ、ロボット１１５を介して第３のウエハ載置台１２３に搬入される。
そして、第３のウエハ載置台１２３に搬入されたウエハＷは、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により取り出され、コータ・デベロッパ２０に搬入される。
そして、第３のウエハ載置台１２３に搬入されたウエハＷは、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により取り出され、コータ・デベロッパ２０に搬入される。
ローダ室１０２（図１参照）内には、その他に、ローダ制御装置１５０が設けられている。
ローダ制御装置１５０は、露光装置１０に投入されたウエハＷが順次適切に露光装置本体１６０のウエハステージＷＳＴにロードされ、また、露光処理の終了したウエハＷが適切にウエハステージＷＳＴからアンロードされるように、ウエハローダ系１１０の各部を制御する。また、ローダ制御装置１５０は、コータ・デベロッパ２０との間で、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０及び前述した露光装置１０の装置間受け渡し部１２０を介して、ウエハＷの受け渡しが効率よく適切に行なえるように、コータ・デベロッパ２０との間で通信を行ない、ウエハローダ系１１０の各部を制御する。すなわち、コータ・デベロッパ２０の制御装置と通信を行なうことにより、相互にウエハの処理状況に係る情報（データ）や処理の要求を送受し、これに基づいてウエハローダ系１１０における処理のスケジューリング等を行ない、最終的に、そのスケジューリング結果に従ってウエハの移動が行なえるようにウエハローダ系１１０の各部を制御する。
ローダ制御装置１５０は、露光装置１０に投入されたウエハＷが順次適切に露光装置本体１６０のウエハステージＷＳＴにロードされ、また、露光処理の終了したウエハＷが適切にウエハステージＷＳＴからアンロードされるように、ウエハローダ系１１０の各部を制御する。また、ローダ制御装置１５０は、コータ・デベロッパ２０との間で、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０及び前述した露光装置１０の装置間受け渡し部１２０を介して、ウエハＷの受け渡しが効率よく適切に行なえるように、コータ・デベロッパ２０との間で通信を行ない、ウエハローダ系１１０の各部を制御する。すなわち、コータ・デベロッパ２０の制御装置と通信を行なうことにより、相互にウエハの処理状況に係る情報（データ）や処理の要求を送受し、これに基づいてウエハローダ系１１０における処理のスケジューリング等を行ない、最終的に、そのスケジューリング結果に従ってウエハの移動が行なえるようにウエハローダ系１１０の各部を制御する。
次に、コータ・デベロッパ２０の構成について説明する。
コータ・デベロッパ２０は、図１に示すように、ウエハ搬入系２００、ウエハ処理部２２０及び受け渡しインターフェイス部２４０を有する。コータ・デベロッパ２０は、図示のごとくＸ軸方向に隣接して配置された３つのチャンバ２０１、２０２及び２４１を有しており、これらのチャンバに、ウエハ搬入系２００、ウエハ処理部２２０及び受け渡しインターフェイス部２４０が各々収容されている。
コータ・デベロッパ２０は、図１に示すように、ウエハ搬入系２００、ウエハ処理部２２０及び受け渡しインターフェイス部２４０を有する。コータ・デベロッパ２０は、図示のごとくＸ軸方向に隣接して配置された３つのチャンバ２０１、２０２及び２４１を有しており、これらのチャンバに、ウエハ搬入系２００、ウエハ処理部２２０及び受け渡しインターフェイス部２４０が各々収容されている。
ウエハ搬入系２００において、チャンバ２０１の内部には、Ｙ軸方向に延びるＹガイド２１１が配置されている。Ｙガイド２１１上には、不図示の駆動装置に駆動されＹガイド２１１に沿って移動する水平多関節型のロボット（スカラーロボット）２１２が設けられている。
Ｙガイド２１１のチャンバ２０１の壁側（−Ｘ側）には、Ｙ軸方向に沿って３つのキャリア台２１３Ａ〜２１３Ｃが配置されている。これらのキャリア台２１３Ａ〜２１３Ｃには、オープンカセットＯＣが各々載置される。オープンカセットＯＣは、チャンバ２０１の−Ｘ側の側壁に設けられた不図示の扉によって開閉可能な不図示の出し入れ口を介して、外部とチャンバ２０１との間で搬出入される。
また、チャンバ２０１の内部には、Ｃ／Ｄ制御装置２５０が設けられている。
Ｃ／Ｄ制御装置２５０は、リソグラフィシステム１にオープンカセットＯＣを介して投入されたロット（ウエハ）が適切に搬送され、コータ・デベロッパ２０の各処理部においてレジスト塗布や現像等の処理が行なわれ、また、露光装置１０に搬出されて露光処理に供されるように、コータ・デベロッパ２０の各部を制御する。また、Ｃ／Ｄ制御装置２５０は、受け渡しインターフェイス部２４０及び露光装置１０の装置間受け渡し部１２０を介してウエハＷの受け渡しが効率よく適切に行なえるように、露光装置１０との間で通信を行ない、これに基づいてウエハ処理部２２０内のウエハ搬送系や受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３を制御する。
Ｃ／Ｄ制御装置２５０は、リソグラフィシステム１にオープンカセットＯＣを介して投入されたロット（ウエハ）が適切に搬送され、コータ・デベロッパ２０の各処理部においてレジスト塗布や現像等の処理が行なわれ、また、露光装置１０に搬出されて露光処理に供されるように、コータ・デベロッパ２０の各部を制御する。また、Ｃ／Ｄ制御装置２５０は、受け渡しインターフェイス部２４０及び露光装置１０の装置間受け渡し部１２０を介してウエハＷの受け渡しが効率よく適切に行なえるように、露光装置１０との間で通信を行ない、これに基づいてウエハ処理部２２０内のウエハ搬送系や受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３を制御する。
ウエハ搬入系２００とウエハ処理部２２０との境界部分、すなわち、チャンバ２０１とチャンバ２０２との境界部分には、Ｙ軸方向中央やや−Ｙ側寄りの位置に、基板受け渡し部２２１が設けられている。この基板受け渡し部２２１は、基台及びその基台上に固定された３本の支持ピンから構成されており、この上にウエハＷが一時的に載置されて、チャンバ２０１内のＹガイド２１１に沿って移動するロボット２１２と、チャンバ２０２内のＸガイド２２２に沿って移動するロボット２２３との間でウエハＷが受け渡される。
ウエハ処理部２２０において、チャンバ２０２の内部には、基板受け渡し部２２１の＋Ｘ側に、Ｘ軸方向に延びるＸガイド２２２が配置されている。このＸガイド２２２上には、不図示の駆動装置に駆動されＸガイド２２２に沿って移動する水平多関節型のロボット（スカラーロボット）２２３が設けられている。
また、チャンバ２０２内には、Ｘガイド２２２の−Ｙ側に、第１の塗布部２３１、第２の塗布部２３２及び冷却部２３３が、また、Ｘガイド２２２の＋Ｙ側に、第１の現像部２３４、第２の現像部２３５、ベーク部２３６が、各々配置されている。
第１の塗布部２３１及び第２の塗布部２３２は、スピンコータを有する。このスピンコータは、水平にしたウエハＷ上にレジストを滴下しウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ上に均一なレジスト膜を形成する。
冷却部２３３は、例えばクーリングプレートと呼ばれる冷却された平坦なプレートを有する。クーリングプレートは、例えば冷却水の循環等により冷却される。この他、ペルチェ効果による電子冷却を利用する場合もある。本実施形態では、後述するプリベーク（ＰＢ）の際に加熱されたウエハＷを露光装置１０内で影響のない温度あるいはそれに十分近い温度まで冷却する。
第１の現像部２３４及び第２の現像部２３５は、露光装置１０により露光され、レジストにパターン像が形成されたウエハＷを現像する現像装置を有する。この現像装置としては、スピン式、ディップ式、あるいはスプレー式等の任意の方式の装置を用いることができる。
ベーク部２３６は、ベーキング装置を有する。ベーキング装置としては、抵抗加熱方式、赤外線加熱方式等の装置を用いることができる。ベーク部２３６においては、ベーキング装置により、プリベーク（ＰＢ）及び現像前ベーク（post-exposure bake：ＰＥＢ）を行なう。
プリベーク（ＰＢ）は、ウエハＷ上にレジストを塗布した後、塗布膜中の残留溶剤の蒸発と塗布膜とウエハＷの密着性強化のために実施する熱処理である。露光前に行なうために、ポリマーが重合したり、添加物の熱分解が生じない温度以下で行なう。
また、ＰＥＢは、単一波長の光で露光した場合の定在波効果によるレジストパターン（レジスト側壁形状）の変形を軽減するため、露光後現像処理前に行なう熱処理である。また、化学増幅型レジストの露光後の触媒反応促進の目的でも行なう。
なお、ベーク部２３６には、複数のウエハＷを同時に投入可能である。
プリベーク（ＰＢ）は、ウエハＷ上にレジストを塗布した後、塗布膜中の残留溶剤の蒸発と塗布膜とウエハＷの密着性強化のために実施する熱処理である。露光前に行なうために、ポリマーが重合したり、添加物の熱分解が生じない温度以下で行なう。
また、ＰＥＢは、単一波長の光で露光した場合の定在波効果によるレジストパターン（レジスト側壁形状）の変形を軽減するため、露光後現像処理前に行なう熱処理である。また、化学増幅型レジストの露光後の触媒反応促進の目的でも行なう。
なお、ベーク部２３６には、複数のウエハＷを同時に投入可能である。
ウエハ処理部２２０と受け渡しインターフェイス部２４０との境界部分、すなわち、Ｘガイド２２２の＋Ｘ側のチャンバ２０２とチャンバ２４１との境界部分には、基板受け渡し部２２４が設けられている。この基板受け渡し部２２４は、基台及びその基台上に固定された３本の支持ピンから構成されており、この上にウエハＷが一時的に載置されて、チャンバ２０２内のＸガイド２２２に沿って移動するロボット２２３と、チャンバ２４１内のロボット２４３との間でウエハＷが受け渡される。
受け渡しインターフェイス部２４０において、チャンバ２４１の内部には、必要に応じてウエハＷを一時的に保管するためのバッファキャリア２４４が載置されるキャリア台２４２、及び、水平多関節型ロボット２４３を有する。
ロボット２４３は、Ｃ／Ｄ制御装置２５０の制御に基づいて、ウエハ処理部２２０内のロボット２２３により基板受け渡し部２２４に載置されたウエハＷを受け取り、これを露光装置１０の装置間受け渡し部１２０の第１のウエハ載置台１２１に搬送する。また、ロボット２４３は、Ｃ／Ｄ制御装置２５０の制御に基づいて、露光装置１０の装置間受け渡し部１２０の第３のウエハ載置台１２３に載置されたウエハＷを受け取り、これを基板受け渡し部２２４に載置する。
ロボット２４３は、Ｃ／Ｄ制御装置２５０の制御に基づいて、ウエハ処理部２２０内のロボット２２３により基板受け渡し部２２４に載置されたウエハＷを受け取り、これを露光装置１０の装置間受け渡し部１２０の第１のウエハ載置台１２１に搬送する。また、ロボット２４３は、Ｃ／Ｄ制御装置２５０の制御に基づいて、露光装置１０の装置間受け渡し部１２０の第３のウエハ載置台１２３に載置されたウエハＷを受け取り、これを基板受け渡し部２２４に載置する。
次に、このような構成のリソグラフィシステム１の動作、すなわちリソグラフィシステム１におけるリソグラフィ工程の処理の流れについて、特に、本発明に係るウエハの搬送動作を中心として、図１及び図３を参照して説明する。
なお、以下に説明するリソグラフィシステム１の各部の動作は、前述したＣ／Ｄ制御装置２５０、ローダ制御装置１５０を含む露光装置１０及びコータ・デベロッパ２０内の制御部により管理及び制御されて実行されるものである。
なお、以下に説明するリソグラフィシステム１の各部の動作は、前述したＣ／Ｄ制御装置２５０、ローダ制御装置１５０を含む露光装置１０及びコータ・デベロッパ２０内の制御部により管理及び制御されて実行されるものである。
例えば、処理対象のウエハＷが、例えば２５枚毎のロットを単位としてオープンカセットＯＣに収納され、コータ・デベロッパ２０のウエハ搬入系２００のキャリア台２１３Ｂにセットされると、ウエハ搬入系２００のロボット２１２が、オープンカセットＯＣからウエハＷを取り出し、基板受け渡し部２２１に載置する。
基板受け渡し部２２１に載置されたウエハＷは、ウエハ処理部２２０のロボット２２３により受け取られて、例えば第１の塗布部２３１に搬入される。これにより、ウエハＷに対して、第１の塗布部２３１のスピンコータによりレジストの塗布が行なわれる。
基板受け渡し部２２１に載置されたウエハＷは、ウエハ処理部２２０のロボット２２３により受け取られて、例えば第１の塗布部２３１に搬入される。これにより、ウエハＷに対して、第１の塗布部２３１のスピンコータによりレジストの塗布が行なわれる。
レジストの塗布が終了したウエハＷは、ウエハ処理部２２０のロボット２２３により第１の塗布部２３１より搬出されて、ベーク部２３６に搬入される。これにより、ベーク部７４内のベーキング装置によりウエハＷに対してプリベーク（ＰＢ）が行なわれる。
プリベーク（ＰＢ）が終了したウエハＷは、ウエハ処理部２２０のロボット２２３によりベーク部２３６から搬出されて、冷却部２３３に搬入される。これにより、冷却部２３３内でウエハＷの冷却が行なわれる。
露光装置１０に投入されるウエハＷの温度は、露光装置１０内で影響のない温度、すなわち、例えば２０〜２５℃の範囲で定められる露光装置１０の露光室１０１内の空調系の温度を目標温度として調節するのが好ましい。しかしながら、リソグラフィシステム１においては、露光装置１０のウエハローダ系１１０に温度調節プレート（第２のウエハ載置台１２２）を含む装置間受け渡し部１２０が設けられており、ウエハＷの最終的かつ精細な温度調節はこの第２のウエハ載置台１２２で行なう。そのため、冷却部２３３では、ウエハＷの温度がその目標温度にある程度近くなっていれば良く、最終的な目標温度より若干高めの温度であっても良い。
露光装置１０に投入されるウエハＷの温度は、露光装置１０内で影響のない温度、すなわち、例えば２０〜２５℃の範囲で定められる露光装置１０の露光室１０１内の空調系の温度を目標温度として調節するのが好ましい。しかしながら、リソグラフィシステム１においては、露光装置１０のウエハローダ系１１０に温度調節プレート（第２のウエハ載置台１２２）を含む装置間受け渡し部１２０が設けられており、ウエハＷの最終的かつ精細な温度調節はこの第２のウエハ載置台１２２で行なう。そのため、冷却部２３３では、ウエハＷの温度がその目標温度にある程度近くなっていれば良く、最終的な目標温度より若干高めの温度であっても良い。
従って、冷却部２３３におけるウエハＷの冷却目標温度は、露光装置１０のウエハローダ系１１０の温度調節プレート（第２のウエハ載置台１２２）における精細な温度調節が効率よく行なえ、また、その温度調節プレートにおける温度調節時間が、コータ・デベロッパ２０と露光装置１０との間のウエハＷの受け渡し効率に影響しない程度の時間に収まること、さらに、コータ・デベロッパ２０内における冷却部２３３の運用効率等をも考慮して、Ｃ／Ｄ制御装置２５０により予め、あるいは適応的に決定される。
そのような所望の冷却目標温度まで冷却されたウエハＷは、ウエハ処理部２２０のロボット２２３により冷却部２３３から搬出されて、露光装置１０に投入されるべく基板受け渡し部２２４に載置される。
ウエハ搬入系２００のロボット２１２及びウエハ処理部２２０のロボット２２３は、オープンカセットＯＣに収容されているウエハＷを、順次このような一連の工程に投入する。
すなわち、ウエハ搬入系２００のロボット２１２は、基板受け渡し部２２１に載置したウエハＷがウエハ処理部２２０のロボット２２３により搬送されて基板受け渡し部２２１が空き状態となったら、オープンカセットＯＣから次のウエハＷを取り出し、基板受け渡し部２２１に載置する。
ウエハ処理部２２０のロボット２２３は、第１の塗布部２３１あるいは第２の塗布部２３２におけるレジスト塗布、ベーク部２３６におけるプリベーク、冷却部２３３における冷却、及び冷却の終了したウエハＷの基板受け渡し部２２４への搬出の各処理について、何れかの処理部においてウエハＷに対する処理が終了し次工程の処理部に空きがある場合に、処理の終了したウエハＷを順次次の工程の処理部に搬送する。
すなわち、ウエハ搬入系２００のロボット２１２は、基板受け渡し部２２１に載置したウエハＷがウエハ処理部２２０のロボット２２３により搬送されて基板受け渡し部２２１が空き状態となったら、オープンカセットＯＣから次のウエハＷを取り出し、基板受け渡し部２２１に載置する。
ウエハ処理部２２０のロボット２２３は、第１の塗布部２３１あるいは第２の塗布部２３２におけるレジスト塗布、ベーク部２３６におけるプリベーク、冷却部２３３における冷却、及び冷却の終了したウエハＷの基板受け渡し部２２４への搬出の各処理について、何れかの処理部においてウエハＷに対する処理が終了し次工程の処理部に空きがある場合に、処理の終了したウエハＷを順次次の工程の処理部に搬送する。
基板受け渡し部２２４に載置されたウエハＷは、受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により保持され搬送されて、露光装置１０のウエハローダ系１１０の装置間受け渡し部１２０の第１のウエハ載置台１２１に載置される（搬送動作（１）（図３参照））。
第１のウエハ載置台１２１に載置されたウエハＷは、ウエハローダ系１１０のＸガイド１１１に沿って移動するロボット１１５により、装置間受け渡し部１２０の最下層に配置された第２のウエハ載置台１２２たる温度調節プレートに搬送される（図３の搬送動作（２））。これにより、ウエハＷの温度は、露光装置本体１６０による露光処理の際の環境温度に等しい所定温度に高精度に調節される。
ウエハＷの温度調節が終了すると、ウエハローダ系１１０のロボット１１５が第２のウエハ載置台１２２よりそのウエハＷを受け取り、Ｘガイド１１１に沿ってターンテーブル１１８の近傍に移動し、ウエハＷをターンテーブル１１８上に載置する（図３の搬送動作（３））。
ウエハＷの温度調節が終了すると、ウエハローダ系１１０のロボット１１５が第２のウエハ載置台１２２よりそのウエハＷを受け取り、Ｘガイド１１１に沿ってターンテーブル１１８の近傍に移動し、ウエハＷをターンテーブル１１８上に載置する（図３の搬送動作（３））。
ウエハＷがターンテーブル１１８に載置されたら、不図示の駆動系によりターンテーブル１１８が回転され、これによってターンテーブル１１８に保持されたウエハＷが回転される。このウエハＷの回転中に、ウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行なわれ、その検出信号に基づいてローダ制御装置１５０によって、ウエハＷのノッチの方向、及びウエハ中心とターンテーブル１１８の中心との偏心量（方向及び大きさ）が求められる。そしてローダ制御装置１５０は、その結果に基づいてターンテーブル１１８を回転させ、ウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる（プリアライメント動作）。
ターンテーブル１１８上のウエハＷは、所定のウエハ受け取り位置に移動されたウエハ・ロードアーム１１６により受け取られるが、この時、ウエハ・ロードアーム１１６は、先に求められたウエハ中心とターンテーブル１１８の中心との偏心量のＹ方向成分を補正できる位置まで一旦移動し、その後ウエハＷを受け取る。
ウエハＷを受け取ったら、ウエハ・ロードアーム１１６は、所定のローディングポジションに待機しているウエハステージＷＳＴの上方に向かってＹガイド１１２に沿って移動する。
ウエハＷを受け取ったら、ウエハ・ロードアーム１１６は、所定のローディングポジションに待機しているウエハステージＷＳＴの上方に向かってＹガイド１１２に沿って移動する。
ウエハ・ロードアーム１１６は、ウエハステージＷＳＴの上方までウエハＷを搬送すると、ウエハＷをウエハステージＷＳＴに渡す。この時、先に求めた偏心量のＸ成分が補正されるように、ウエハ・ロードアーム１１６からウエハステージＷＳＴにウエハＷが渡される直前にウエハステージＷＳＴがＸ軸方向に微少駆動される。
そして、露光装置本体１６０により、ウエハステージＷＳＴ上に渡されたウエハＷに対する露光処理が行なわれる。
露光処理は、例えば、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷ上の各ショット領域を、不図示のレチクルステージに保持されたレチクルのパターンの投影光学系による投影位置に位置決めする動作と、レチクルを露光用照明光で照明してレチクルのパターンを投影光学系ＰＬを介して各ショット領域に転写する動作とを繰り返すことにより行なわれる。
なお、露光装置本体１６０が走査露光方式の露光を行なう装置の場合には、露光処理は、レチクル（レチクルステージ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルとウエハＷとを同期移動しつつレチクル上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを繰り返すことにより行なわれる。
露光処理は、例えば、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷ上の各ショット領域を、不図示のレチクルステージに保持されたレチクルのパターンの投影光学系による投影位置に位置決めする動作と、レチクルを露光用照明光で照明してレチクルのパターンを投影光学系ＰＬを介して各ショット領域に転写する動作とを繰り返すことにより行なわれる。
なお、露光装置本体１６０が走査露光方式の露光を行なう装置の場合には、露光処理は、レチクル（レチクルステージ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルとウエハＷとを同期移動しつつレチクル上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを繰り返すことにより行なわれる。
露光処理が終了すると、ウエハステージＷＳＴがアンローディングポジション、すなわち前述したローディングポジションまで移動し、ウエハ・アンロードアーム１１７が露光済みのウエハＷを受け取り、Ｘガイド１１１上方まで搬送し、そこに待機しているロボット１１５に受け渡す。
ロボット１１５は、Ｘガイド１１１に沿ってウエハＷをコータ・デベロッパ２０方向に搬送し、装置間受け渡し部１２０の第３のウエハ載置台１２３に載置する（図３の搬送動作（４））。
ロボット１１５は、Ｘガイド１１１に沿ってウエハＷをコータ・デベロッパ２０方向に搬送し、装置間受け渡し部１２０の第３のウエハ載置台１２３に載置する（図３の搬送動作（４））。
なお、ターンテーブル１１８に載置したウエハＷ（第１のウエハＷ１）がウエハ・ロードアーム１１６により露光装置本体１６０方向に搬送されたら、次のウエハＷ（第２のウエハＷ２）が装置間受け渡し部１２０の第２のウエハ載置台１２２において温度調節が終了し次第、ロボット１１５は、このウエハＷ（Ｗ２）を第２のウエハ載置台１２２より受け取りターンテーブル１１８に搬送する。そして、ターンテーブル１１８は、前述したように回転して、ウエハエッジセンサによるウエハエッジの検出、ウエハＷのノッチの方向及びウエハ中心とターンテーブル１１８の中心との偏心量（方向及び大きさ）の検出、及び、ウエハＷのノッチ部の方向の調整を行なう。
従って、先のウエハＷ（Ｗ１）について露光処理が終了し、ウエハＷ（Ｗ１）がウエハ・アンロードアーム１１７からロボット１１５に受け渡され、ロボット１１５が干渉しない位置までコータ・デベロッパ２０方向へ移動すると、ウエハ・ロードアーム１１６が既に回転調整の終了したウエハＷ（Ｗ２）をターンテーブル１１８上から直ちに受け取り、ローディングポジションに待機しているウエハステージＷＳＴ上方に向けて搬送し、ウエハステージＷＳＴ上に載置する。
そして、直ちに、ウエハステージＷＳＴ上に渡されたウエハＷ（Ｗ２）に対する露光動作が行なわれる。
そして、直ちに、ウエハステージＷＳＴ上に渡されたウエハＷ（Ｗ２）に対する露光動作が行なわれる。
露光処理が終了し装置間受け渡し部１２０の第３のウエハ載置台１２３に載置されたウエハＷは、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３により受け取られ、基板受け渡し部２２４に載置される（図３の搬送動作（５））。
基板受け渡し部２２４に搬送されたウエハ（露光済みウエハ）Ｗは、ロボット２２３によりベーク部２３６に搬入され、ベーク部２３６のベーキング装置によりＰＥＢが行なわれる。前述したように、ベーク部２３６は、複数のウエハを同時に収容可能である。
ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット２２３によりベーク部２３６から取り出され、例えば第１の現像部２３４に搬入され、第１の現像部２３４内の現像装置により現像が行なわれる。
そして、ウエハＷの現像が終了すると、ロボット２２３はウエハＷを第１の現像部２３４から取り出し、基板受け渡し部２２１に載置する。
そして、このウエハＷは、最終的にウエハ搬入系２００のロボット２１２により、オープンカセットＯＣの所定の収納段に搬入される。
そして、このウエハＷは、最終的にウエハ搬入系２００のロボット２１２により、オープンカセットＯＣの所定の収納段に搬入される。
リソグラフィシステム１においては、このような一連の処理を、一連のウエハＷに対して順次連続的に行なう。
従って、露光処理の終了したウエハＷが露光装置１０からコータ・デベロッパ２０に戻り始めた後は、コータ・デベロッパ２０のロボット２１２、ロボット２２３及びロボット２４３、及び露光装置１０のロボット１１５、ウエハ・ロードアーム１１６及びウエハ・アンロードアーム１１７は、オープンカセットＯＣからコータ・デベロッパ２０の各処理部を介しての露光装置１０へのウエハＷの搬送と、露光の終了したウエハＷの露光装置１０からコータ・デベロッパ２０の各処理部を介してのオープンカセットＯＣへの搬送とを、同時並行して行なうこととなる。
これら各処理部及び各ロボットにおけるウエハＷの処理及び搬送は、既述したようにローダ制御装置１５０を含む露光装置１０の制御部、及び、Ｃ／Ｄ制御装置２５０を含むコータ・デベロッパ２０の制御部により緻密にスケジューリングされ実行される。
従って、露光処理の終了したウエハＷが露光装置１０からコータ・デベロッパ２０に戻り始めた後は、コータ・デベロッパ２０のロボット２１２、ロボット２２３及びロボット２４３、及び露光装置１０のロボット１１５、ウエハ・ロードアーム１１６及びウエハ・アンロードアーム１１７は、オープンカセットＯＣからコータ・デベロッパ２０の各処理部を介しての露光装置１０へのウエハＷの搬送と、露光の終了したウエハＷの露光装置１０からコータ・デベロッパ２０の各処理部を介してのオープンカセットＯＣへの搬送とを、同時並行して行なうこととなる。
これら各処理部及び各ロボットにおけるウエハＷの処理及び搬送は、既述したようにローダ制御装置１５０を含む露光装置１０の制御部、及び、Ｃ／Ｄ制御装置２５０を含むコータ・デベロッパ２０の制御部により緻密にスケジューリングされ実行される。
このように、本実施形態のリソグラフィシステム１においては、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０にウエハＷを搬送する際に、露光装置１０のウエハローダ系１１０の装置間受け渡し部１２０において、ウエハＷ受け渡し用のプレート（基板載置部）ではなく、温度調節専用のプレート（第２のウエハ載置台１２２）を用いて、ウエハＷの温度調節を高精度に行なっている。従って、露光装置本体１６０の環境温度に精度良く調節されたウエハＷが露光装置１０に投入されることとなり、適切な露光処理を行なうことができる。すなわち、露光処理の際の温度変動により線幅異常や重ね合わせ不良などが発生する可能性を低減することができ、高精細なレチクルパターンを精度良くウエハＷに転写することができる。
また、ウエハＷの温度調節は、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０にウエハＷを受け渡すための第１のウエハ載置台１２１とは別に設けられた第２のウエハ載置台１２２で行なっているため、温度調節を行なうために受け渡し部が塞がった状態となり露光装置１０へのウエハＷの受け渡しが待たされるような状態を回避することができる。すなわち、システムのスループットを低下させることなく温度調節を行なうことができ、効率よくリソグラフィ工程を施すことができる。
なお、本発明は本実施形態のリソグラフィシステム１に限定されるものではなく、任意好適な種々の改変が可能である。
例えば、本発明に係る装置間受け渡し部１２０の構成は、図１及び図２を参照して前述した構成に限られるものではない。
図２に示した装置間受け渡し部１２０においては、３つのウエハ載置台１２１〜１２３を鉛直方向（Ｚ方向）に所定間隔で重なるように配置したが、ウエハローダ系１１０のスペースに水平方向（ＸＹ平面内）に余裕がある場合は、水平方向（Ｘ、Ｙ方向）に並べて配置するようにしても良い。また、３つのウエハ載置台１２１〜１２３のうち、任意の２つを鉛直方向に重ねて配置し、残りの１つを水平方向の別の位置に配置するようにしても良い。
図２に示した装置間受け渡し部１２０においては、３つのウエハ載置台１２１〜１２３を鉛直方向（Ｚ方向）に所定間隔で重なるように配置したが、ウエハローダ系１１０のスペースに水平方向（ＸＹ平面内）に余裕がある場合は、水平方向（Ｘ、Ｙ方向）に並べて配置するようにしても良い。また、３つのウエハ載置台１２１〜１２３のうち、任意の２つを鉛直方向に重ねて配置し、残りの１つを水平方向の別の位置に配置するようにしても良い。
また、本実施形態では装置間受け渡し部１２０の３つのウエハ載置台１２１〜１２３はローダ室１０２内に固定的に設置されるものとした。しかしながら、受け渡しインターフェイス部２４０のロボット２４３、あるいは、ウエハローダ系１１０のロボット１１５が、ウエハ載置台１２１〜１２３の何れかにウエハＷを出し入れする時に、ロボット２４３又はロボット１１５の移動に合わせて、装置間受け渡し部１２０も移動するような構成としても良い。その場合、装置間受け渡し部１２０は、ロボット２４３又はロボット１１５の移動ストロークが少なくなるように、換言すればロボット２４３又はロボット１１５と装置間受け渡し部１２０とがともに移動することにより（本実施形態の場合は、相対的にＺ方向に移動することにより）、相対的にロボット２４３又はロボット１１５が装置間受け渡し部１２０に対して十分なストロークで移動できるように移動するのが好適である。そのような構成とすれば、ロボット２４３又はロボット１１５のストロークを小さくして本実施形態と同等の機能を有する装置間受け渡し部１２０を実現することができる。また、装置間受け渡し部１２０を介したウエハＷの搬送時間を短くすることができ、より迅速にウエハＷの搬送が行なえる。
なお、装置間受け渡し部１２０を移動させる場合、３つのウエハ載置台１２１〜１２３が一体的に移動するようにしても良いし、ウエハＷの出し入れ対象となっているウエハ載置台等の必要な１つ又は２つのウエハ載置台のみが移動するようにしても良い。
なお、装置間受け渡し部１２０を移動させる場合、３つのウエハ載置台１２１〜１２３が一体的に移動するようにしても良いし、ウエハＷの出し入れ対象となっているウエハ載置台等の必要な１つ又は２つのウエハ載置台のみが移動するようにしても良い。
また、本実施形態の装置間受け渡し部１２０は、ローダ室１０２内にウエハ載置台１２１〜１２３がそのまま露出した状態で設置されている。しかしながら、ウエハ載置台１２１〜１２３の全て、あるいは任意のウエハ載置台を、ローダ室１０２内の雰囲気から隔離するような構成としても良い。
具体的には、例えば図４に示すように、エアーフロー機構１３１及び１３２により、ウエハ載置台に載置されたウエハＷの表面にエアーを流して、ウエハ表面の塵等を吹き飛ばすような構成としても良い。この場合は、例えば図４に示したように、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０に搬送する露光前のウエハＷが載置される第１のウエハ載置台１２１及び第３のウエハ載置台１２３にのみ、エアーを流すような構成も効果的である。
具体的には、例えば図４に示すように、エアーフロー機構１３１及び１３２により、ウエハ載置台に載置されたウエハＷの表面にエアーを流して、ウエハ表面の塵等を吹き飛ばすような構成としても良い。この場合は、例えば図４に示したように、コータ・デベロッパ２０から露光装置１０に搬送する露光前のウエハＷが載置される第１のウエハ載置台１２１及び第３のウエハ載置台１２３にのみ、エアーを流すような構成も効果的である。
また、例えば図５に示すように、ウエハ載置台１２１〜１２３を、ウエハＷを出し入れする箇所にエアーカーテンを具備したサブチャンバ１３３〜１３５内に配置することにより、ウエハ載置台１２１〜１２３をローダ室１０２の雰囲気から隔離するような構成としても良い。
また、例えば図６に示すように、ウエハ載置台１２１〜１２３の周囲を隔壁１３６〜１３８により覆い、周囲からの塵等が入り難くしたような構成であっても良い。
何れの場合も、本実施形態のようにウエハ載置台１２１〜１２３が鉛直方向に並べて配置された場合で、発塵やコンタミネーションが問題となる場合等に特に有効である。
また、例えば図６に示すように、ウエハ載置台１２１〜１２３の周囲を隔壁１３６〜１３８により覆い、周囲からの塵等が入り難くしたような構成であっても良い。
何れの場合も、本実施形態のようにウエハ載置台１２１〜１２３が鉛直方向に並べて配置された場合で、発塵やコンタミネーションが問題となる場合等に特に有効である。
また、本実施形態においては、装置間受け渡し部１２０は、露光装置１０のウエハローダ系１１０内に設置する構成としたが、例えば、コータ・デベロッパ２０の受け渡しインターフェイス部２４０内に設置する構成としても良い。そのような構成とすれば、スループットの低下を招くことなく所望の温度に高精度に調節した状態でウエハＷを露光装置１０に供給することのできるコータ・デベロッパ２０が実現できる。
また、コータ・デベロッパ２０あるいは露光装置１０とは全く別の装置として、装置間受け渡し部１２０を実現するようにしても良い。その場合は、コータ・デベロッパ２０と露光装置１０との間に、装置間受け渡し部１２０を有するウエハ受け渡し装置が介在することとなる。
また、コータ・デベロッパ２０あるいは露光装置１０とは全く別の装置として、装置間受け渡し部１２０を実現するようにしても良い。その場合は、コータ・デベロッパ２０と露光装置１０との間に、装置間受け渡し部１２０を有するウエハ受け渡し装置が介在することとなる。
その他、コータ・デベロッパ２０の構成、露光工程の前後のウエハ処理工程の手順等は、本実施形態に限られるものではなく任意に変更してよい。
例えば、塗布部や現像部の数は各々１つでも良いし、３つ以上具備する構成でも良い。また、冷却部やベーク部をさらに複数有する構成でも良いし、これらの処理部以外の任意のウエハ処理部を含む構成でも良い。
例えば、塗布部や現像部の数は各々１つでも良いし、３つ以上具備する構成でも良い。また、冷却部やベーク部をさらに複数有する構成でも良いし、これらの処理部以外の任意のウエハ処理部を含む構成でも良い。
なお、上述した本実施形態においては、第１〜第３のウエハ載置台１２１〜１２３が、上から順に１２１，１２３，１２２と積層される配置となっているが、この積層順位は、これに限られるものではなく、適宜変更しても良い。特に図３や図４に示されるように、上部のウエハ載置台から下部のウエハ載置台へゴミ等が落下する可能性があるような構造の場合には、これから露光に供されるウエハが上部にくるような配置構成（上から１２１，１２２，１２３又は上から１２２，１２１，１２３）とするのが望ましい。）
また、露光装置１０としては、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置、プロキシミティ方式の露光装置（Ｘ線露光装置等）を始めとする各種方式の露光装置を適用してよい。また、ＤＮＡチップ、マスク又はレチクル等の製造用に用いられる露光装置でも良い。
また、露光装置１０としては、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置、プロキシミティ方式の露光装置（Ｘ線露光装置等）を始めとする各種方式の露光装置を適用してよい。また、ＤＮＡチップ、マスク又はレチクル等の製造用に用いられる露光装置でも良い。
最後に、このような本実施形態のリソグラフィシステム１を用いたデバイスの製造方法について図７を参照して説明する。
図７は、例えばＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
図７に示すように、電子デバイスの製造工程においては、まず、電子デバイスの回路設計等のデバイスの機能・性能設計を行ない、その機能を実現するためのパターン設計を行ない（工程Ｓ８１０）、次に、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する（工程Ｓ８２０）。
一方、シリコン等の材料を用いてウエハ（シリコン基板）を製造する（工程Ｓ８３０）。
図７は、例えばＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
図７に示すように、電子デバイスの製造工程においては、まず、電子デバイスの回路設計等のデバイスの機能・性能設計を行ない、その機能を実現するためのパターン設計を行ない（工程Ｓ８１０）、次に、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する（工程Ｓ８２０）。
一方、シリコン等の材料を用いてウエハ（シリコン基板）を製造する（工程Ｓ８３０）。
次に、工程Ｓ８２０で製作したレチクル及び工程Ｓ８３０で製造したウエハを使用して、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する（工程Ｓ８４０）。
具体的には、まず、ウエハ表面に、絶縁膜、電極配線膜あるいは半導体膜との薄膜を成膜する（工程Ｓ８４１）。
次に、そのウエハを例えば本実施形態のリソグラフィシステム１に投入し、まず、コータ・デベロッパ２０においてウエハ表面の薄膜の全面にレジスト塗布装置（コータ）を用いて感光剤（レジスト）を塗布する（工程Ｓ８４２）。また、前述したようなプリベークや冷却を行ない露光装置１０に搬送する。
露光装置１０においては、このレジスト塗布後の基板の温度を装置間受け渡し部１２０の第２のウエハ載置台１２２において高精度に調節した後、露光装置１０のウエハステージＷＳＴ上にロードする。そして、工程Ｓ８３０において製造したレチクルをレチクルステージ上にロードして、そのレチクルに形成されたパターンをウエハ上に縮小転写する（工程Ｓ８４３）。
具体的には、まず、ウエハ表面に、絶縁膜、電極配線膜あるいは半導体膜との薄膜を成膜する（工程Ｓ８４１）。
次に、そのウエハを例えば本実施形態のリソグラフィシステム１に投入し、まず、コータ・デベロッパ２０においてウエハ表面の薄膜の全面にレジスト塗布装置（コータ）を用いて感光剤（レジスト）を塗布する（工程Ｓ８４２）。また、前述したようなプリベークや冷却を行ない露光装置１０に搬送する。
露光装置１０においては、このレジスト塗布後の基板の温度を装置間受け渡し部１２０の第２のウエハ載置台１２２において高精度に調節した後、露光装置１０のウエハステージＷＳＴ上にロードする。そして、工程Ｓ８３０において製造したレチクルをレチクルステージ上にロードして、そのレチクルに形成されたパターンをウエハ上に縮小転写する（工程Ｓ８４３）。
露光が終了したら、ウエハをウエハホルダからアンロードし、装置間受け渡し部１２０を介してコータ・デベロッパ２０に搬送し、コータ・デベロッパ２０の現像部を用いて現像する（工程Ｓ８４４）。これにより、ウエハ表面にレチクルパターンのレジスト像が形成される。
リソグラフィシステム１においてこれらの処理が終了したウエハは、さらにエッチング装置等によりエッチング処理が施され（工程Ｓ８４５）、ウエハ表面に残存するレジストが、例えばプラズマアッシング装置等を用いて除去される（工程Ｓ８４６）。
これにより、ウエハの各ショット領域に、絶縁層や電極配線等のパターンが形成される。
そして、このような処理をレチクルを変えて順次繰り返すことにより、ウエハ上に実際の回路等が形成される。
リソグラフィシステム１においてこれらの処理が終了したウエハは、さらにエッチング装置等によりエッチング処理が施され（工程Ｓ８４５）、ウエハ表面に残存するレジストが、例えばプラズマアッシング装置等を用いて除去される（工程Ｓ８４６）。
これにより、ウエハの各ショット領域に、絶縁層や電極配線等のパターンが形成される。
そして、このような処理をレチクルを変えて順次繰り返すことにより、ウエハ上に実際の回路等が形成される。
ウエハ上に回路等が形成されたら、次に、デバイスとしての組み立てを行なう（工程Ｓ８５０）。具体的には、ウエハをダイシングして個々のチップに分割し、各チップをリードフレームやパッケージに装着し電極を接続するボンディングを行ない、樹脂封止等パッケージング処理を行なう。
そして、製造したデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行ない（工程Ｓ８６０）、デバイス完成品として出荷する。
そして、製造したデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行ない（工程Ｓ８６０）、デバイス完成品として出荷する。
１…リソグラフィシステム
１０…露光装置
１００…チャンバ
１０１…露光室 １０２…ローダ室
１１０…ウエハローダ系
１１１…Ｘガイド １１２…Ｙガイド
１１３…キャリア台 １１５…ロボット
１１６…ウエハ・ロードアーム １１７…ウエハ・アンロードアーム
１１８…ターンテーブル
１２０…装置間受け渡し部
１２１…第１のウエハ載置台
１２２…温度調整プレート（第２のウエハ載置台）
１２３…第３のウエハ載置台
１２４，１２６…基台
１２５，１２７…支持ピン
１２８…基台
１２９…金属プレート
１３１，１３２…エアーフロー機構
１３３〜１３５…サブチャンバ
１３６〜１３８…隔壁
１５０…ローダ制御装置
１６０…露光装置本体
ＷＳＴ…ウエハステージ
２０…コータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）
２００…ウエハ搬入系
２０１…チャンバ ２１１…Ｙガイド
２１２…ロボット ２１３…キャリア台
２２０…ウエハ処理部
２２１…基板受け渡し部 ２２２…Ｘガイド
２２３…ロボット ２２４…基板受け渡し部
２３１…第１の塗布部 ２３２…第２の塗布部
２３３…冷却部 ２３４…第１の現像部
２３５…第２の現像部 ２３６…ベーク部
２４０…受け渡しインターフェイス部
２４１…チャンバ ２４２…キャリア台
２４３…ロボット
２５０…Ｃ／Ｄ制御装置
Ｗ…ウエハステージ
ＯＣ…オープンカセット
１０…露光装置
１００…チャンバ
１０１…露光室 １０２…ローダ室
１１０…ウエハローダ系
１１１…Ｘガイド １１２…Ｙガイド
１１３…キャリア台 １１５…ロボット
１１６…ウエハ・ロードアーム １１７…ウエハ・アンロードアーム
１１８…ターンテーブル
１２０…装置間受け渡し部
１２１…第１のウエハ載置台
１２２…温度調整プレート（第２のウエハ載置台）
１２３…第３のウエハ載置台
１２４，１２６…基台
１２５，１２７…支持ピン
１２８…基台
１２９…金属プレート
１３１，１３２…エアーフロー機構
１３３〜１３５…サブチャンバ
１３６〜１３８…隔壁
１５０…ローダ制御装置
１６０…露光装置本体
ＷＳＴ…ウエハステージ
２０…コータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）
２００…ウエハ搬入系
２０１…チャンバ ２１１…Ｙガイド
２１２…ロボット ２１３…キャリア台
２２０…ウエハ処理部
２２１…基板受け渡し部 ２２２…Ｘガイド
２２３…ロボット ２２４…基板受け渡し部
２３１…第１の塗布部 ２３２…第２の塗布部
２３３…冷却部 ２３４…第１の現像部
２３５…第２の現像部 ２３６…ベーク部
２４０…受け渡しインターフェイス部
２４１…チャンバ ２４２…キャリア台
２４３…ロボット
２５０…Ｃ／Ｄ制御装置
Ｗ…ウエハステージ
ＯＣ…オープンカセット
Claims (7)
- 基板処理装置とインラインにて接続され、前記基板処理装置との間で受け渡し部を介して基板の受け渡しを行なう露光装置であって、
前記受け渡し部は、
前記基板処理装置から搬入された基板が載置される第１の基板載置部と、
前記第１の基板載置部の近傍に配置され、前記第１の基板載置部に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部と、
少なくとも前記第１の基板載置部に載置された基板を前記第２の基板載置部に搬送する搬送部と、
前記基板処理装置に搬出する基板が載置される第３の基板載置部と、
を有し、前記第１の基板載置部を介して搬入された基板を前記第２の基板載置部において温度調節を行なって露光処理に供し、該露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部を介して前記基板処理装置に搬出することを特徴とする露光装置。 - 少なくとも前記第１の基板載置部及び前記第２の基板載置部は、当該各基板載置部の各基板載置面が鉛直方向に所定間隔をおいて重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
- 前記基板を前記第１の基板載置部から前記第２の基板載置部に搬送する際の前記搬送部の移動範囲が、当該搬送部のみが移動する場合と比較して短くなるように、前記第１の基板載置部及び前記第２の基板載置部の何れか一方又は両方が、前記搬送部の前記搬送に伴って当該搬送部に対して相対的に移動することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
- 前記第１〜第３の基板載置部の少なくとも何れか１つに対して、当該基板載置部の基板載置面にエアーフロー機構により所望の気体を吹き付けることにより、又は少なくとも一部にエアーカーテンを用いて仕切られた空間内に当該基板載置部を収容することにより、あるいは隔壁により仕切られた空間内に当該基板載置部を収容することにより、当該基板載置部に載置される基板を周囲雰囲気から隔離することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の露光装置。
- 露光装置とインラインにて接続され、前記露光装置との間で受け渡し部を介して基板の受け渡しを行なう基板処理装置であって、
前記受け渡し部は、
前記露光装置へ供給する基板が載置される第１の基板載置部と、
前記第１の基板載置部の近傍に配置され、前記第１の基板載置部に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部と、
少なくとも前記第１の基板載置部に載置された基板を前記第２の基板載置部に搬送する搬送部と、
前記露光装置から搬入された基板が載置される第３の基板載置部と、
を有し、露光対象の基板を前記第１の基板載置部を介して前記第２の基板載置部に搬送し、温度調節を行なって前記露光装置に供給し、前記露光装置において露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部を介して受け取ることを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理装置と、前記基板処理装置と受け渡し装置を介してインラインにて接続される露光装置と、前記基板処理装置と前記露光装置との間に介在される前記受け渡し装置とを有するリソグラフィシステムであって、
前記受け渡し装置は、
前記基板処理装置から搬入される前記露光装置へ供給する基板が載置される第１の基板載置部と、
前記第１の基板載置部の近傍に配置され、前記第１の基板載置部に載置された前記基板が搬送されて載置され、当該載置された基板の温度調節を行なう第２の基板載置部と、
少なくとも前記第１の基板載置部に載置された基板を前記第２の基板載置部に搬送する搬送部と、
前記露光装置から搬入された基板が載置される第３の基板載置部と、
を有し、露光対象の基板を前記第１の基板載置部を介して前記第２の基板載置部に搬送し、温度調節を行なって前記露光装置に供給し、前記露光装置において露光処理の終了した前記基板を前記第３の基板載置部を介して受け取り前記基板処理装置に搬出する
ことを特徴とするリソグラフィシステム。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１〜４の何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
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| JP2004210425A Pending JP2006032718A (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 露光装置、基板処理装置、リソグラフィシステム及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006032718A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277528A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| JP2014067833A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06255707A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-13 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| JP2002057100A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Canon Inc | 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| JP2002083854A (ja) * | 1999-07-09 | 2002-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置 |
| JP2002175976A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004210425A patent/JP2006032718A/ja active Pending
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