JP3202929B2 - 処理システム - Google Patents

処理システム

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JP3202929B2
JP3202929B2 JP26532996A JP26532996A JP3202929B2 JP 3202929 B2 JP3202929 B2 JP 3202929B2 JP 26532996 A JP26532996 A JP 26532996A JP 26532996 A JP26532996 A JP 26532996A JP 3202929 B2 JP3202929 B2 JP 3202929B2
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    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理装置と当該被処理基板を
搬送するための搬送装置とをシステム内に備えた処理シ
ステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から、例えば図７に示したようなレジスト塗布
・現像処理システム１０１が用いられている。
【０００３】このレジスト塗布・現像処理システム１０
１においては、複数のウエハを収納する収納体であるカ
セットＣを整列して複数載置する載置部１０２と、この
載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウエハＷを取
り出して、プロセス部にある搬送手段としてのメイン搬
送アーム１０３へと搬送する、搬送機構１０４とを備え
ており、搬送機構１０４は、カセットＣの整列方向（Ｘ
方向）に沿って設けられている搬送路１０５上を移動自
在になっている。そしてプロセス部にはウエハＷに対し
て所定の処理を行う各種の処理装置が、搬送手段として
の２つのメイン搬送アーム１０３、１０６の各搬送路１
０７、１０８を挟んだ両側に配置されている。即ち、回
転させたウエハＷに対してブラシ洗浄するブラシ洗浄装
置１１１、ウエハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗
洗浄装置１１２、ウエハＷの表面を疎水化処理してレジ
ストの定着性を向上させるアドヒージョン処理装置１１
３、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１１
４、回転するウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布装置１１５、１１５、レジスト液塗布後のウ
エハＷを加熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱
処理装置１１６、露光後のウエハＷを回転させながらそ
の表面に現像液を供給して現像処理する現像処理装置１
１７、１１７が配置され、ある程度集合化させることで
処理効率の向上が図られている。またこれら各種処理装
置に対するウエハの搬入出は、前記したメイン搬送アー
ム１０３、１０６によって行われている。
【０００４】またこのような処理システム１０１におい
ては、搬送機構１０４の搬送路１０５と、メイン搬送ア
ーム１０３、１０６の各搬送路１０７、１０８とは、平
面からみてちょうど略Ｔ字形になるよう配置されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した従
来のレジスト塗布・現像処理システム１０１では、概観
してもわかるように、設置にあたってかなり広いスペー
スを要し、改善が望まれていた。また搬送機構１０４の
搬送路１０５と、メイン搬送アーム１０３、１０６の各
搬送路１０７、１０８とは、平面からみて略Ｔ字形に配
置されているため、搬送機構１０４とメイン搬送アーム
１０３との間のウエハＷの授受は、必ず前記略Ｔ字形の
交点の部分、即ちメイン搬送アーム１０３の搬送路１０
７の最も載置部１０２寄りの部分であって、かつ搬送機
構１０４の搬送路１０５の中央部にて、行われる必要が
あった。そのため、結果的にカセットＣと、搬送機構１
０４、メイン搬送アーム１０３を介しての各処理装置と
の間のウエハＷの搬送に時間を要していた。従って、こ
の点からも改善が望まれていた。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようなレジスト塗布・現像処理システム
のような処理システムにおいて、各種処理装置のより高
い集約配置を図って設置に要するスペースの縮小化を図
り、スループットを従来より向上させると共に、パーテ
ィクルの発生しやすい動作環境を改善した新規な処理シ
ステムを提供して、前記問題の解決を図ることを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被処理基板を収納した収納体が
整列して複数載置される載置部と、この載置部上の収納
体に対して被処理基板を搬出入自在で、かつ載置部にお
ける前記整列方向に沿った搬送路を移動自在な搬送機構
と、この搬送機構との間で被処理基板を授受する搬送手
段と、回転する被処理基板に対し所定の液を供給して処
理を行う複数の液処理装置と、被処理基板に対し所定の
加熱処理を行う複数の加熱処理装置と、被処理基板に対
し所定の冷却処理を行う複数の冷却処理装置とを備え、
前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を
搬入出自在となるように構成された処理システムにおい
て、前記加熱処理装置及び冷却処理装置は集積されて熱
系処理装置群を構成し、前記液処理装置は集約されて液
処理装置群を構成し、これら熱系処理装置群と液処理装
置群とは、平面からみて前記搬送手段の搬送路を挟んで
対向して配置されると共に、この搬送手段の搬送路は、
前記搬送機構の搬送路とは平行に設けられ、さらに熱系
処理装置群は、前記搬送機構の搬送路の上方に配置され
ていることを特徴とする処理システムが提供される。
【０００８】既述したように、従来の装置は搬送手段の
搬送路と搬送機構の搬送路が平面からみて略Ｔ字型に配
置されているため、被処理基板の授受が前記略Ｔ字型の
交点の１箇所でしか行うことができなかった。しかし本
願発明の請求項１によれば、搬送手段の搬送路と搬送機
構の搬送路が平行に設けられているので、被処理基板を
授受する場所を自由に選択でき、従来の装置に比べ被処
理基板の受け渡し時の搬送手段と搬送機構の移動距離を
短くすることが可能である。従って被処理基板の搬送時
間を短縮することができる。また熱系液処理装置群が搬
送機構の搬送路の上方に配置されているので、その分、
設置に要する平面のスペースを従来より狭くすることが
できる。
【０００９】また請求項２の処理システムは、被処理基
板を収納した収納体が整列して複数載置される載置部
と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入
自在で、かつ載置部における前記整列方向に沿った搬送
路を移動自在な搬送機構と、この搬送機構との間で受け
渡し部を介して被処理基板を授受する搬送手段と、回転
する被処理基板に対し所定の液を供給して処理を行う複
数の液処理装置と、被処理基板に対し所定の加熱処理を
行う複数の加熱処理装置と、被処理基板に対し所定の冷
却処理を行う複数の冷却処理装置とを備え、前記搬送手
段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在
となるように構成された処理システムにおいて、前記加
熱処理装置及び冷却処理装置は集積されて熱系処理装置
群を構成し、前記液処理装置は集約されて液処理装置群
を構成し、これら熱系処理装置群と液処理装置群とは、
平面からみて前記搬送手段の搬送路を挟んで対向して配
置されると共に、この搬送手段の搬送路は、前記搬送機
構の搬送路とは平行に設けられ、さらに熱系処理装置群
は、前記受け渡し部の上方に配置されていることを特徴
としている。
【００１０】この請求項２の処理システムは、搬送手段
の搬送路と搬送機構の搬送路が平行に設けられていてる
ので、受け渡し部は、これら搬送路間の任意の位置に設
定できる。従って、各処理装置と収納体との間で被処理
基板を搬送するにあたり、搬送時間が最短になる任意の
位置に設置することが可能である。またこの受け渡し部
の上方に熱系液処理装置群を配置しているので、その
分、設置に要する平面のスペースを従来より狭くするこ
とができる。
【００１１】請求項３の処理システムは、請求項２の処
理システムにおいて、被処理基板の受け渡し部を、搬送
手段の搬送路に沿って複数設けていることを特徴として
いる。従って、被処理基板の収納体の位置や各処理装置
の位置を考慮した上で、被処理基板の処理前、処理後な
どにより、その都度複数の受け渡し部を使い分ければさ
らに効率よく被処理基板の搬送を行うことができる。
【００１２】請求項４の処理システムは、請求項１、２
又は３の処理システムにおいて、熱系処理装置群におけ
る加熱処理装置が、冷却処理装置の上に配置されている
ことを特徴としている。この構成により冷却処理装置は
加熱処理装置から発生した熱の影響を受けにくく、冷却
処理装置の温度の制御が容易になっている。また熱系処
理装置群の下方にある搬送機構もしくは被処理基板の受
け渡し部に対する熱は、この冷却処理装置によって遮断
されている。従って所期の動作に影響を与えることはな
い。
【００１３】請求項５の処理システムは、請求項１、
２、３又は４の処理システムにおいて、熱系処理装置群
における加熱処理装置が、他の冷却処理装置及び液処理
装置における各処理位置よりも高い位置に配置されてい
ることを特徴としている。このような配置により、冷却
処理装置や液処理装置は加熱処理装置からの熱的影響を
受けにくい。従って、例えば温度に対して敏感なレジス
ト液の塗布処理を行う場合などは、より高精度なレジス
ト膜を作成することができる。
【００１４】請求項６の処理システムは、請求項１、
２、３、４又は５の処理システムにおいて、液処理装置
群における液処理装置が積層された構造をとっているこ
とを特徴としている。これにより液処理装置を同一スペ
ース内に多数設置できるので、被処理基板の多量な処理
が可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明すると、本実施の形態は、ウエハに対して洗
浄処理、レジストの定着性を高めるアドヒージョン処
理、レジスト液の塗布処理、これらの処理後に実施され
る適宜の加熱処理、及び該加熱処理後にウエハを所定温
度にまで冷ます冷却処理、及び露光後の現像処理や加熱
処理などの処理を個別に行う各種処理装置を１つのシス
テムとしてまとめた、レジスト・現像処理を行うシステ
ムとして構成されている。図１、図２、図３は第１の実
施形態にかかるレジスト・現像処理を行う処理システム
１の平面、側面、外観を各々示している。この処理シス
テム１は、ウエハＷを収納した複数のカッセトＣを載置
する載置部１０と、ウエハＷを搬出入自在な搬送機構を
備えている第１の搬送ゾーン２０と、その上方に位置し
ウエハＷに対して所定の冷却及び加熱処理を行う熱系処
理装置群３０と、搬送機構と各処理装置との間でウエハ
Ｗを搬送するための搬送手段を備えている第２の搬送ゾ
ーン５０と、レジスト液塗布や現像処理等を行う液処理
装置群６０と、露光装置などの他のシステム外の処理装
置との間に介在させるインターフェース部７０とを有し
ている。
【００１６】第１の搬送ゾーン２０にはカセットＣの整
列方向（Ｘ方向）と平行に設けられている第１の搬送路
２２と、この第１の搬送路２２を移動自在な搬送機構で
あるウエハ搬送体２１が設けられている。このウエハ搬
送体２１はカセットＣ内のウエハＷを、後述するメイン
搬送アーム５１に対して移載したり、あるいはこのメイ
ン搬送アーム５１が搬送してきたウエハＷを受け取って
カセットＣ内に収納したりする機能を有している。また
ウエハ搬送体２１には、カセットＣから取り出したウエ
ハＷに対してオリフラ合わせを行うなどして、所定の位
置合わせを行うアライメント機構（図示せず）が付設さ
れている。
【００１７】熱系処理装置群３０は、第１の搬送路２２
の上方に配置され、さらにこの熱系処理装置群３０にお
いては加熱処理装置が冷却処理装置の上に配置されてい
ることを特徴としている。図３にその外観を示したよう
に、これら熱系の各処理装置が縦横４列ずつ並んでい
る。１段目右端から２段目左端へ順に、ウエハＷを所定
の温度まで冷ますための装置である冷却装置３１、３
２、３３、３４、３５、３６、３７、３８が配置されて
いる。下から３段目の右端には、レジスト液塗布前にウ
エハＷを疎水性にするための装置であるアドヒージョン
処理装置３９が配置されている。３段目右２列目から４
段目左端へは、ウエハＷに対して加熱処理を行うベーキ
ング装置４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６が
順に配置されている。
【００１８】液処理装置群６０は、熱系処理装群３０と
第２の搬送ゾーン５０を挟んで対向して配置されてお
り、ウエハＷを回転させてスクラバ洗浄を行う洗浄処理
装置６１と、ウエハＷを回転させながらこのウエハＷの
表面に対してレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置
６２と、ウエハＷを回転させながらこのウエハＷの表面
に対して現像液を供給し露光後のウエハＷに対して現像
処理を行う現像処理装置６３とを備えている。これら各
処理装置の搬入出口６１ａ、６２ａ、６３ａはメイン搬
送アーム５１側に対面している。なお前記熱系処理装置
群３０におけるベーキング装置４０〜４６は、液処理装
置群６０における洗浄処理装置６１、レジスト液塗布装
置６２及び現像処理装置６３の各処理位置よりも高い位
置に配置されている。
【００１９】第２の搬送ゾーン５０は熱系処理装置群３
０と液処理装置群６０との間に位置しており、メイン搬
送アーム５１とこのメイン搬送アーム５１が移動する第
２の搬送路５７が設けられている。メイン搬送アーム５
１は、熱系処理装置群３０、液処理装置群６０の各処理
装置及びウエハ搬送体２１との間でウエハを搬送するよ
うに構成されている。そのため各処理装置のウエハＷの
搬入出口はメイン搬送アーム５１側に設定されている。
またメイン搬送アーム５１は、ウエハＷを直接保持する
３本のピンセット５２、５３、５４を上下方向に備え、
これら各３本のピンセット５２、５３、５４は、基台５
５に沿った方向にスライドするようになっており、熱系
処理装置群３０と液処理装置群６０の各処理装置に対し
て進退自在である。なお基台５５自体は、メイン搬送ア
ーム５１を支持する昇降柱５６によって上下動自在であ
る。従って、このメイン搬送アーム５１のピンセット５
２、５３、５４は保持したウエハＷを、熱系処理装置群
３０と液処理装置群６０の各処理装置に対して搬入出自
在になっている。またメイン搬送アーム５１自体は、さ
らに適宜の駆動機構によってθ方向に回転自在である。
またメイン搬送アーム５１は第２の搬送路５７を自由に
移動することができかつ、ウエハ搬送体２１の第１の搬
送路２２と平行に設置されているため、ウエハ搬送体２
１との間でのウエハＷの授受の場所を自由に選択するこ
とができる。
【００２０】インターフェース部７０は図１に示したよ
うに、第２の搬送ゾーン５０の長手方向端部外方に配置
され、かつ液処理装置群６０の現像処理装置６３側に配
置されている。このインターフェース部７０はシステム
外に配置される露光装置（図示せず）との間で、ウエハ
Ｗを受け渡しするときに用いられる。
【００２１】本実施形態にかかる処理システム１は以上
のような構成を有しており、搬送ロボット（図示せず）
などによって未処理のウエハＷを収納したカセットＣが
載置部１０に載置されると、ウエハ搬送体２１がカセッ
トＣ内のウエハＷを取り出して所定のアライメントを実
施する。そしてメイン搬送アーム５１が適宜θ方向に回
転すると共に、Ｘ方向（カセットＣの整列方向）、Ｚ方
向（上下方向）に移動して、ウエハ搬送体２１上のウエ
ハＷを取りにいく。なおこのようなθ方向の回転とＸ方
向の移動及び、Ｚ方向への移動を同時に進行させるよう
にすれば、搬送時間の短縮が図れる。
【００２２】ウエハ搬送体２１上のウエハＷを受け取っ
たメイン搬送アーム５１は、再びθ方向に回転、Ｚ方向
及びＸ方向に移動して洗浄処理装置６１に対面し、次い
でウエハＷを保持しているピンセットが洗浄処理装置６
１の搬入出口６１ａ内に進入し、ウエハＷを洗浄処理装
置６１内に搬送してロードし、その後退避する。なおか
かるθ方向の回転とＸ方向及びＺ方向の移動も同時に進
行させるようにしてもよい。ウエハＷがロードされた洗
浄処理装置６１では、このウエハＷに対して所定の洗浄
処理を行い、処理が終了した後、メイン搬送アーム５１
は処理が終わったウエハＷを取りにいき、次いでＸ方
向、Ｚ方向に移動、及びθ方向に回転し、例えばベーキ
ング装置４３に対面して、保持しているウエハＷを今度
はこのベーキング装置４３内にロードする。なおベーキ
ング装置４３の搬入出口と洗浄処理装置６１の搬入出口
６１ａを対面させて配置すればＸ方向への移動は省略で
き、搬送時間の短縮が図れる。
【００２３】前記ベーキング装置４３によって所定の温
度に設定されたウエハＷは、メイン搬送アーム５１によ
って取り出され、次に例えば冷却装置３１に搬送され、
所定の温度まで冷却される。次いでウエハＷはメイン搬
送アーム５１によって取り出され、例えばアドヒージョ
ン処理装置３９に搬送され、ウエハ表面は疎水性にされ
る。その後アドヒージョン処理装置３９内のウエハＷは
メイン搬送アーム５１によって取り出される。
【００２４】次いでこのウエハＷはメイン搬送アーム５
１によってレジスト液塗布装置６２に搬送されていき、
そこで例えばウエハＷを回転させながらレジスト液を供
給するレジスト液塗布処理に付される。そしてレジスト
液塗布処理が終了すると、このウエハＷは、メイン搬送
アーム５１によって、例えばベーキング装置４４へと搬
送され、そこで所定の加熱処理が施され、前記レジスト
液は硬化してレジスト膜が形成される。
【００２５】加熱処理が終了すると、このウエハＷは例
えば冷却装置３２へと、メイン搬送アーム５１によって
搬送され、所定の温度にまで冷却される。そして、レジ
スト膜形成後のウエハＷは、メイン搬送アーム５１によ
ってインターフェース部７０の所定の場所に載置され
る。
【００２６】インターフェース部７０に載置されたレジ
スト膜形成後のウエハＷは、露光装置（図示せず）に搬
送されて所定のパターンの露光処理が施される。そして
露光後のウエハＷは再びインターフェース部７０に戻さ
れ、このウエハＷをメイン搬送アーム５１が取りに行
く。
【００２７】パターンの露光処理後のウエハＷを保持し
たメイン搬送アーム５１は、このウエハＷを現像処理装
置６３に搬送する。この現像処理装置６３においては、
例えばウエハＷを回転させながら現像液がウエハＷに供
給されて現像処理が施される。
【００２８】現像処理が終了したウエハＷは、メイン搬
送アーム５１によって、例えばベーキング装置４２に搬
送され、そこで所定の加熱処理が実施される。そして所
定の加熱処理が終了すると、このウエハＷはメイン搬送
アーム５１によって例えば冷却装置３８に搬送され、所
定の温度にまで冷却される。
【００２９】このようにして現像処理が終了して所定の
温度にまで冷却されたウエハＷは、メイン搬送アーム５
１によってウエハ搬送体２１に受け渡される。そしてウ
エハ搬送体２１は、載置部１０のカセットＣ内にこの処
理システム１での処理が終了したウエハＷを収納する。
【００３０】以上のような一連の処理は、同時並行的に
行われ、複数のウエハＷが常に同時にこの処理システム
内において、刻々と相応する処理に順次付されている。
【００３１】本実施形態にかかる処理システム１におい
ては、レジスト液塗布装置６２よりも、ベーキング装置
４０〜４６が高い位置に配置されているので、ベーキン
グ装置４０〜４６において発生した熱がレジスト液塗布
装置６２に伝達されにくくなっている。しかもベーキン
グ装置４０〜４６とレジスト液塗布装置６２との間に
は、高さ方向で冷却処理装置３１〜３８を介在している
位置関係になっていることにより、ベーキング装置４０
〜４６からの熱的影響はこれら冷却処理装置３１〜３８
によって遮断されている。従って、レジスト液塗布装置
６２においては、ベーキング装置４０〜４６からの熱的
影響を受けにくく、温度に敏感なレジスト液の処理を好
適に実施することができる。このような熱的影響の抑制
は他の液処理装置についても同様であり、洗浄処理装置
６１及び現像処理装置６３もベーキング装置４０〜４６
からの熱的影響を受ににくくなっている。従って、これ
ら洗浄処理装置６１、現像処理装置６３における所定の
処理も好適に行える。
【００３２】そして第１の搬送路２２の上方に熱系処理
装置群３０が配置されていることにより、システムの設
置に必要なスペースは、従来よりも小さいもので足り
る。また、ウエハ搬送体２１の第１の搬送路２２とメイ
ン搬送アーム５１の第２の搬送路５７を移動自在なウエ
ハ搬送体２１と第２の搬送路５７とは平行に設けられて
いるので、ウエハＷの受け渡し場所は自由に選択でき
る。従って、ウエハを授受する際にウエハ搬送体２１
と、メイン搬送アーム５７の移動距離が最も短くなる地
点を選択すれば、ウエハＷの搬送時間を短縮できる。
【００３３】なおこの第１の実施形態にかかる処理シス
テム１においては、洗浄処理装置６１、レジスト液塗装
置６２、現像処理装置６３を一段で横に並べて配置して
あったが、これをさらにそれぞれ積層させた構成として
もよい。このように積層した配置構成をとることで、同
一スペース内に多数の液処理装置を設置することがで
き、より多くのウエハＷを効率よく処理できる。
【００３４】前出第１の実施形態にかかる処理システム
１においては、搬送機構としてのウエハ搬送体２１から
搬送手段としてのメイン搬送アーム５１へのウエハＷの
授受がダイレクトであったが、この中間に受け渡し用の
基板載置部を設けてもよい。
【００３５】第２の実施形態にかかる処理システム８０
は、このような基板載置部を前出処理システム１に付加
した構成を採って、図４にその平面、図５に側面、図６
に外観を示した。以下前記第１の実施形態と同一部材は
同一番号をもって説明する。第１の搬送ゾーン２０と第
２の搬送ゾーン５０との間には、中継用基板載置部９０
が設置され、熱系処理装置群３０は中継用基板載置部９
０の上方に設置されている。中継用基板載置部９０には
受け渡し用の基板ステージ９１が設けられ、その上面に
ウエハＷを載置する載置部材９２が設けられ、この載置
部材９２から突出自在な支持ピン９３にウエハＷが直接
載置されるようになっている。また第１の実施形態にか
かる処理システム１のウエハ搬送体２１が備えていたよ
うなアライメント機構（図示せず）が、ウエハ搬送体２
３に備えられていない代わりに、基板ステージ９１に付
設されている。なお、その他の構成は第１の実施形態に
かかる処理システム１と同一である。
【００３６】この第２の実施形態にかかる処理システム
８０によれば、平行に設けられている第１の搬送路２２
と第２の搬送路５７の間に、ウエハを受け渡すための基
板ステージ９１が設けられているので、第１の実施形態
にかかる処理システム１の場合と同様、この基板ステー
ジ９１の設定場所を自由に選択することができる。従っ
て、装置のレイアウトやレシピなどを考慮して、この基
板ステージ９１の設置場所を選択することにより、カセ
ットＣと各処理装置との間でのウエハのスピーディーな
搬送が実現できる。その結果スループットを向上させる
ことが可能である。
【００３７】中継用基板載置部９０は待機部としても機
能させられるので、時間調整が容易で、各処理装置にお
ける処理を効率よく実施することができる。さらにこの
基板ステージ９１自体に冷却機能を付与してもよい。そ
して基板ステージ９１を並列、縦列あるいは積層に設け
るなどして複数のウエハＷを載置させられるようにすれ
ば、多数のウエハをいわば同時並行的に処理するにあた
って、極めて効率のよい一連の処理を実行することがで
きる。
【００３８】なお前記した各実施の形態に係る処理シス
テムは、ウエハに対してレジスト塗布・現像処理を行う
システムとして構成されていたが、本発明はこれに限ら
ず、回転するウエハに対して所定の液を供給して液系処
理を行う処理装置と、当該液系処理が終了した後の加熱
処理を行う加熱処理装置と、適宜の冷却処理装置と、搬
送機構と、搬送手段とを有するシステムに対して適用可
能である。もちろん被処理基板自体もウエハに限らず、
例えばＬＣＤ用ガラス基板であってもよい。
【００３９】
【発明の効果】請求項１の処理システムによれば、搬送
手段と搬送機構との搬送路が平行に設けられて被処理基
板を授受する場所を自由に選択できるため、従来のこの
種の処理システムに比べ被処理基板の受け渡し時の搬送
手段及び、搬送機構の移動距離が短縮される。その結
果、搬送時間が短くなるので、スループットを向上させ
ることができる。また、それと同時に移動距離が少なく
なる分、パーティクルの発生が従来より抑えられる。さ
らに、熱系液処理装置群が搬送機構の搬送路の上方に配
置されているので、設置に要する平面のスペースを従来
より狭くすることができる。従って、例えばクリーンル
ーム等の設備費を軽減することができる。
【００４０】請求項２の処理システムによれば、被処理
基板の受け渡し部の位置を搬送機構と搬送手段の移動距
離が最短になるように自由に配置することができる。よ
って、各装置のレイアウトなどを考慮することにより、
被処理基板の搬送時間の短縮が可能となり、スループッ
トを向上させることができる。それと同時に移動距離の
短縮に伴い、パーティクルの発生が従来より抑えられ
る。またこの受け渡し部を待機部として機能させること
ができ、時間調整は容易なので各処理装置による処理の
効率をアップさせることができる。そしてこの受け渡し
部の上方に熱系液処理装置群を配置している構成によ
り、設置に要する平面のスペースを従来より狭くするこ
とができ、請求項１と同様、クリーンルーム等の設備費
を軽減することができる。
【００４１】請求項３の処理システムよれば、各装置の
レイアウトや搬送にあたっての経路を考慮し適宜複数の
受け渡し部を使い分けることにより、さらに効率よく被
処理基板の搬送をおこなうことができる。その結果、さ
らなるスループットの向上が図れ、また搬送機構や搬送
手段の移動距離の短縮により、パーティクルの発生を抑
えることができる。
【００４２】請求項４の処理システムは、冷却処理装置
自体の温度制御が容易である。また熱系処理装置群の下
方にある搬送機構もしくは被処理基板の受け渡し部は熱
による影響を受けない。
【００４３】請求項５の処理システムでは、加熱処理装
置からの熱的影響を受けにくく、例えば、ウエハにレジ
スト処理を行う場合などは、より高精度なレジスト膜の
作成をすることができ、所定の処理を好適に行うことが
できる。
【００４４】請求項６の処理システムは、さらに多くの
液処理装置を組み込むことができ、多くの被処理基板を
同時並行的に処理することが可能である。よって請求項
１〜５よりもさらに、単位時間あたり多くの被処理基板
の処理を実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる処理システ
ムの平面の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる処理システ
ムの側面の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる処理システ
ムの外観を示す斜視図である。
【図４】第２の実施形態にかかる処理システムの平面の
説明図である。
【図５】第２の実施形態にかかる処理システムの側面の
説明図である。
【図６】第２の実施形態にかかる処理システムの外観を
示す斜視図である。
【図７】従来の処理システムの外観を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１、８０ 処理システム １０ 載置部 ２０ 第１の搬送ゾーン ２１、２３ ウエハ搬送体 ２２ 第１の搬送路 ３０ 熱系処理装置群 ３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８
冷却装置 ３９、 アドヒージョン処理装置 ４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６ ベーキ
ング装置 ５０ 第２の搬送ゾーン ５１ メイン搬送アーム ５７ 第２の搬送路 ６０ 液処理装置群 ６１ 洗浄処理装置 ６２ レジスト液塗布装置 ６３ 現像処理装置 ７０ インターフェース部 ９０ 中継用基板載置部 ９１ 基板ステージ Ｃ カセット Ｗ ウエハ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−148240（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−162109（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142355（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−111448（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−196414（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−357823（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−79413（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241840（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を収納した収納体が整列して
    複数載置される載置部と、この載置部上の収納体に対し
    て被処理基板を搬出入自在で、かつ載置部における前記
    整列方向に沿った搬送路を移動自在な搬送機構と、この
    搬送機構との間で被処理基板を授受する搬送手段と、回
    転する被処理基板に対し所定の液を供給して処理を行う
    複数の液処理装置と、被処理基板に対し所定の加熱処理
    を行う複数の加熱処理装置と、被処理基板に対し所定の
    冷却処理を行う複数の冷却処理装置とを備え、前記搬送
    手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自
    在となるように構成された処理システムにおいて、前記
    加熱処理装置及び冷却処理装置は集積されて熱系処理装
    置群を構成し、前記液処理装置は集約されて液処理装置
    群を構成し、これら熱系処理装置群と液処理装置群と
    は、平面からみて前記搬送手段の搬送路を挟んで対向し
    て配置されると共に、この搬送手段の搬送路は、前記搬
    送機構の搬送路とは平行に設けられ、さらに熱系処理装
    置群は、前記搬送機構の搬送路の上方に配置されている
    ことを特徴とする、処理システム。
  2. 【請求項２】 被処理基板を収納した収納体が整列して
    複数載置される載置部と、この載置部上の収納体に対し
    て被処理基板を搬出入自在で、かつ載置部における前記
    整列方向に沿った搬送路を移動自在な搬送機構と、この
    搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板を授受
    する搬送手段と、回転する被処理基板に対し所定の液を
    供給して処理を行う複数の液処理装置と、被処理基板に
    対し所定の加熱処理を行う複数の加熱処理装置と、被処
    理基板に対し所定の冷却処理を行う複数の冷却処理装置
    とを備え、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被
    処理基板を搬入出自在となるように構成された処理シス
    テムにおいて、前記加熱処理装置及び冷却処理装置は集
    積されて熱系処理装置群を構成し、前記液処理装置は集
    約されて液処理装置群を構成し、これら熱系処理装置群
    と液処理装置群とは、平面からみて前記搬送手段の搬送
    路を挟んで対向して配置されると共に、この搬送手段の
    搬送路は、前記搬送機構の搬送路とは平行に設けられ、
    さらに熱系処理装置群は、前記受け渡し部の上方に配置
    されていることを特徴とする、処理システム。
  3. 【請求項３】 受け渡し部は、搬送手段の搬送路に沿っ
    て複数設けられていることを特徴とする、請求項２に記
    載の処理システム。
  4. 【請求項４】 熱系処理装置群における加熱処理装置
    は、冷却処理装置の上に配置されていることを特徴とす
    る、請求項１、２又は３のいずれかに記載の処理システ
    ム。
  5. 【請求項５】 熱系処理装置群における加熱処理装置
    は、他の冷却処理装置及び液処理装置における各処理位
    置よりも高い位置に配置されていることを特徴とする、
    請求項１、２、３又は４のいずれかに記載の処理システ
    ム。
  6. 【請求項６】 液処理装置群における液処理装置は積層
    されていることを特徴とする、請求項１、２、３、４又
    は５のいずれかに記載の処理システム。
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