JP3485493B2 - 処理システム - Google Patents
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- JP3485493B2 JP3485493B2 JP13673399A JP13673399A JP3485493B2 JP 3485493 B2 JP3485493 B2 JP 3485493B2 JP 13673399 A JP13673399 A JP 13673399A JP 13673399 A JP13673399 A JP 13673399A JP 3485493 B2 JP3485493 B2 JP 3485493B2
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- JP
- Japan
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- block
- substrate
- processing
- liquid
- processing system
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス製造の技術分野に属する。
イス製造の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】ところで、これら一連の処理においては、
温度、湿度、アンモニア濃度、パーティクル状態等の様
々な環境を整える必要がある。そのため、従来から塗布
現像処理システムには温調装置より送出される清浄エア
ーをシステム上部より供給し、清浄エアーのダウンフロ
ーを形成すると共に、清浄エアーの供給口にケミカルフ
ィルターを介挿している。
温度、湿度、アンモニア濃度、パーティクル状態等の様
々な環境を整える必要がある。そのため、従来から塗布
現像処理システムには温調装置より送出される清浄エア
ーをシステム上部より供給し、清浄エアーのダウンフロ
ーを形成すると共に、清浄エアーの供給口にケミカルフ
ィルターを介挿している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
一連の処理のうち例えばレジスト膜を現像する工程は、
レジスト膜を形成する工程と比べて湿度をそれ程考慮す
る必要がないにもかかわらず、レジスト膜を形成する工
程と同一の環境であるため、必要以上の湿度制御を行っ
ていることになる。また、例えばレジスト膜を現像する
工程は、レジスト膜を形成する工程と比べてパーティク
ルの数を考慮する必要がないにもかかわらず、レジスト
膜を形成する工程と同一の環境であるため、必要以上に
ダウンフローの清浄エアーを供給していることになる。
更に、例えばレジスト塗布前にウェハ上に反射防止膜を
形成する工程を有するような場合には、該工程ではアン
モニアの濃度はそれ程問題にならないにもかかわらず、
ケミカルフィルターを介して清浄エアーを供給してた
め、必要以上の数のケミカルフィルターを使用してい
る、という課題がある。そして、これらの結果、システ
ム環境を形成するためのコストが増大する、という問題
を生じている。
一連の処理のうち例えばレジスト膜を現像する工程は、
レジスト膜を形成する工程と比べて湿度をそれ程考慮す
る必要がないにもかかわらず、レジスト膜を形成する工
程と同一の環境であるため、必要以上の湿度制御を行っ
ていることになる。また、例えばレジスト膜を現像する
工程は、レジスト膜を形成する工程と比べてパーティク
ルの数を考慮する必要がないにもかかわらず、レジスト
膜を形成する工程と同一の環境であるため、必要以上に
ダウンフローの清浄エアーを供給していることになる。
更に、例えばレジスト塗布前にウェハ上に反射防止膜を
形成する工程を有するような場合には、該工程ではアン
モニアの濃度はそれ程問題にならないにもかかわらず、
ケミカルフィルターを介して清浄エアーを供給してた
め、必要以上の数のケミカルフィルターを使用してい
る、という課題がある。そして、これらの結果、システ
ム環境を形成するためのコストが増大する、という問題
を生じている。
【０００５】そこで、本発明は、システム環境を形成す
るためのコストを削減することができる処理システムを
提供することを目的としている。
るためのコストを削減することができる処理システムを
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理システムは、基板上に反射防止膜を塗
布するための処理が行われる第１のブロックと、基板上
にレジスト膜を塗布するための処理が行われる第２のブ
ロックと、露光されたレジスト膜を現像するするための
処理が行われる第３のブロックと、これらブロック間で
基板を搬送することが実行される第４のブロックとに区
分され、前記第１及び第２のブロックについては温度及
び湿度を制御し、前記第３のブロックについては温度を
制御し、前記第４のブロックについては温調しないこと
を特徴とする。
め、本発明の処理システムは、基板上に反射防止膜を塗
布するための処理が行われる第１のブロックと、基板上
にレジスト膜を塗布するための処理が行われる第２のブ
ロックと、露光されたレジスト膜を現像するするための
処理が行われる第３のブロックと、これらブロック間で
基板を搬送することが実行される第４のブロックとに区
分され、前記第１及び第２のブロックについては温度及
び湿度を制御し、前記第３のブロックについては温度を
制御し、前記第４のブロックについては温調しないこと
を特徴とする。
【０００７】本発明のかかる構成によれば、処理内容に
応じてブロックに区分し、それぞれのブロック毎に適応
的に環境を制御しているので、システム環境を形成する
ためのコストを削減することができる。具体的には、膜
形成時の湿度は膜厚に影響が大であるのに対して、現像
時の湿度は現像処理にそれ程関係ないので、第１及び第
２のブロックについては温度及び湿度を制御し、第３の
ブロックについては湿度を制御することなく温度を制御
している。また、基板の搬送時は温度及び湿度とはあま
り関係ないので、第４のブロックについては温調してい
ない。これにより、全体としてシステム環境を形成する
ための設備等を少なくし、コストを削減している。
応じてブロックに区分し、それぞれのブロック毎に適応
的に環境を制御しているので、システム環境を形成する
ためのコストを削減することができる。具体的には、膜
形成時の湿度は膜厚に影響が大であるのに対して、現像
時の湿度は現像処理にそれ程関係ないので、第１及び第
２のブロックについては温度及び湿度を制御し、第３の
ブロックについては湿度を制御することなく温度を制御
している。また、基板の搬送時は温度及び湿度とはあま
り関係ないので、第４のブロックについては温調してい
ない。これにより、全体としてシステム環境を形成する
ための設備等を少なくし、コストを削減している。
【０００８】本発明の一の態様によれば、前記第２のブ
ロックは前記第３のブロックより陽圧とされ、前記第３
のブロックは前記第４のブロックより陽圧とされ、前記
第４のブロックは前記第１のブロックより陽圧とされて
いることを特徴とする。かかる構成により、パーティク
ルの数を少なくしたいブロックをより陽圧にして陰圧の
ブロックにパーティクルが流れ込むようにしているの
で、清浄エアーのダウンフローをそれ程強力に形成する
必要はなくなる。
ロックは前記第３のブロックより陽圧とされ、前記第３
のブロックは前記第４のブロックより陽圧とされ、前記
第４のブロックは前記第１のブロックより陽圧とされて
いることを特徴とする。かかる構成により、パーティク
ルの数を少なくしたいブロックをより陽圧にして陰圧の
ブロックにパーティクルが流れ込むようにしているの
で、清浄エアーのダウンフローをそれ程強力に形成する
必要はなくなる。
【０００９】本発明の一の態様によれば、前記第２のブ
ロックにはケミカルフィルタを介して温調されたエアー
が供給され、第１のブロックには直接温調されたエアー
が供給されることを特徴とする。これにより、ケミカル
フィルタの使用数を減らすことができる。
ロックにはケミカルフィルタを介して温調されたエアー
が供給され、第１のブロックには直接温調されたエアー
が供給されることを特徴とする。これにより、ケミカル
フィルタの使用数を減らすことができる。
【００１０】本発明の一の態様によれば、前記第１のブ
ロックで基板上に反射防止膜を塗布した後、前記第２の
ブロックで基板上にレジスト膜を塗布し、その後前記第
３のブロックで露光後のレジスト膜を現像することを特
徴とする。
ロックで基板上に反射防止膜を塗布した後、前記第２の
ブロックで基板上にレジスト膜を塗布し、その後前記第
３のブロックで露光後のレジスト膜を現像することを特
徴とする。
【００１１】本発明の一の態様によれば、前記第１のブ
ロックには基板上に反射防止膜を塗布するための第１の
処理ユニットが配置され、前記第２のブロックには基板
上にレジスト膜を塗布するための第２の処理ユニットが
配置され、前記第３のブロックには露光されたレジスト
膜を現像するするための第３の処理ユニットが配置さ
れ、前記第１の処理ユニットの数と前記第２の処理ユニ
ットの数とがほぼ等しく、前記第１の処理ユニットの数
と前記第２の処理ユニットの数との合計が前記第３の処
理ユニットの数とほぼ等しいことを特徴とする。これに
より、各処理ユニットの処理時間に応じた最適なシステ
ムが構成できる。
ロックには基板上に反射防止膜を塗布するための第１の
処理ユニットが配置され、前記第２のブロックには基板
上にレジスト膜を塗布するための第２の処理ユニットが
配置され、前記第３のブロックには露光されたレジスト
膜を現像するするための第３の処理ユニットが配置さ
れ、前記第１の処理ユニットの数と前記第２の処理ユニ
ットの数とがほぼ等しく、前記第１の処理ユニットの数
と前記第２の処理ユニットの数との合計が前記第３の処
理ユニットの数とほぼ等しいことを特徴とする。これに
より、各処理ユニットの処理時間に応じた最適なシステ
ムが構成できる。
【００１２】本発明の一の態様によれば、前記第１のブ
ロックと前記第２のブロックとが隣接し、前記第１のブ
ロック及び前記第２のブロックと前記第３のブロックと
の間に前記第４のブロックが介在し、前記第４のブロッ
クには、前記第１のブロックに対する第１の搬送装置
と、前記第２のブロックに対する第２の搬送装置と、前
記第３のブロックに対する第３の搬送装置と、これら搬
送装置間で基板の受け渡しを行うための受け渡し台とが
配置されていることを特徴とする。これにより、各処理
ユニットの処理時間に応じた最適なシステムが構成でき
る。
ロックと前記第２のブロックとが隣接し、前記第１のブ
ロック及び前記第２のブロックと前記第３のブロックと
の間に前記第４のブロックが介在し、前記第４のブロッ
クには、前記第１のブロックに対する第１の搬送装置
と、前記第２のブロックに対する第２の搬送装置と、前
記第３のブロックに対する第３の搬送装置と、これら搬
送装置間で基板の受け渡しを行うための受け渡し台とが
配置されていることを特徴とする。これにより、各処理
ユニットの処理時間に応じた最適なシステムが構成でき
る。
【００１３】本発明の一の態様によれば、前記第１のブ
ロック、前記第２のブロック及び前記第３のブロックに
はそれぞれ処理前の基板を冷却するための冷却板が配置
されていることを特徴とする。これにより、処理前の冷
却を処理に適した最適な環境で行うことができる。
ロック、前記第２のブロック及び前記第３のブロックに
はそれぞれ処理前の基板を冷却するための冷却板が配置
されていることを特徴とする。これにより、処理前の冷
却を処理に適した最適な環境で行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係る塗
布現像処理システムの構成を示す平面図である。
に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係る塗
布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【００１５】図１に示すように、この塗布現像処理シス
テム１は、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、
カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカセッ
トステーション２と、塗布現像処理工程の中でウェハＷ
に対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を多段
配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーシ
ョン３に隣接して設けられる露光装置４との間でウェハ
Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一
体に接続した構成を有している。
テム１は、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、
カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカセッ
トステーション２と、塗布現像処理工程の中でウェハＷ
に対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を多段
配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーシ
ョン３に隣接して設けられる露光装置４との間でウェハ
Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一
体に接続した構成を有している。
【００１６】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１７】このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第５のブロックＢ５に属
するエクステンションユニット５１やアライメントユニ
ット５２に対してアクセスできるように構成されてい
る。
在に構成されており、後述する第５のブロックＢ５に属
するエクステンションユニット５１やアライメントユニ
ット５２に対してアクセスできるように構成されてい
る。
【００１８】 処理ステーション３は、処理の内容に応
じてブロックに区分されている。具体的には、処理ステ
ーション３は、ウェハＷ上に反射防止膜を塗布するため
の処理が行われる第１のブロックＢ１と、ウェハＷ上に
レジスト膜を塗布するための処理が行われる第２のブロ
ックＢ２と、露光されたレジスト膜を現像するための処
理が行われる第３のブロックＢ３と、ウェハＷに対する
加熱処理が行われる第５及び第６のブロックＢ５、Ｂ６
と、これらブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６間で
ウェハＷを搬送することが実行される第４のブロックＢ
４とに区分されている。そして、処理ステーション３の
背面側において第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ
２とが隣接するように配置され、第３のブロックＢ３が
処理ステーション３の前面側に配置され、第１のブロッ
クＢ１及び第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３と
の間に第４のブロックＢ４が介在するように配置され、
処理ステーション３の両側に第５及び第６のブロックＢ
５、Ｂ６が配置されている。
じてブロックに区分されている。具体的には、処理ステ
ーション３は、ウェハＷ上に反射防止膜を塗布するため
の処理が行われる第１のブロックＢ１と、ウェハＷ上に
レジスト膜を塗布するための処理が行われる第２のブロ
ックＢ２と、露光されたレジスト膜を現像するための処
理が行われる第３のブロックＢ３と、ウェハＷに対する
加熱処理が行われる第５及び第６のブロックＢ５、Ｂ６
と、これらブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６間で
ウェハＷを搬送することが実行される第４のブロックＢ
４とに区分されている。そして、処理ステーション３の
背面側において第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ
２とが隣接するように配置され、第３のブロックＢ３が
処理ステーション３の前面側に配置され、第１のブロッ
クＢ１及び第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３と
の間に第４のブロックＢ４が介在するように配置され、
処理ステーション３の両側に第５及び第６のブロックＢ
５、Ｂ６が配置されている。
【００１９】ここで、第１のブロックＢ１には反射防止
膜塗布ユニット群２０が、第２のブロックＢ２にはレジ
スト塗布ユニット群３０が、第３のブロックＢ３には現
像処理ユニット群４０が、第５及び第６のブロックＢ
５、Ｂ６には加熱処理ユニット群５０がそれぞれ配置さ
れている。
膜塗布ユニット群２０が、第２のブロックＢ２にはレジ
スト塗布ユニット群３０が、第３のブロックＢ３には現
像処理ユニット群４０が、第５及び第６のブロックＢ
５、Ｂ６には加熱処理ユニット群５０がそれぞれ配置さ
れている。
【００２０】図２に示すように、反射防止膜塗布ユニッ
ト群２０には、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャッ
クに載せて反射防止膜を塗布して、該ウェハＷに対して
反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット２
１、２２が上下２段に配置されている。同様に、レジス
ト塗布ユニット群３０には、カップＣＰ内でウェハＷを
スピンチャックに載せてレジスト膜を塗布して、該ウェ
ハＷに対してレジスト膜塗布処理を施すレジスト塗布ユ
ニット３１、３２が上下２段に配置されている。
ト群２０には、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャッ
クに載せて反射防止膜を塗布して、該ウェハＷに対して
反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット２
１、２２が上下２段に配置されている。同様に、レジス
ト塗布ユニット群３０には、カップＣＰ内でウェハＷを
スピンチャックに載せてレジスト膜を塗布して、該ウェ
ハＷに対してレジスト膜塗布処理を施すレジスト塗布ユ
ニット３１、３２が上下２段に配置されている。
【００２１】図３に示すように、現像処理ユニット群４
０には、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載
せて現像液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を
施す現像処理ユニット４１〜４４が左右２列上下２段に
配置されている。なお、そのうち例えば１つのユニット
については周辺露光ユニットを配置するようにしてもよ
い。
０には、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載
せて現像液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を
施す現像処理ユニット４１〜４４が左右２列上下２段に
配置されている。なお、そのうち例えば１つのユニット
については周辺露光ユニットを配置するようにしてもよ
い。
【００２２】ここで、隣接するユニット間、具体的には
反射防止膜塗布ユニット２１とレジスト塗布ユニット３
１との間、反射防止膜塗布ユニット２２とレジスト塗布
ユニット３２との間、現像処理ユニット４１と現像処理
ユニット４３との間、現像処理ユニット４２と現像処理
ユニット４４との間には、それぞれこれらユニットと同
一の雰囲気にされる冷却板ＣＰＬが配置されている。こ
れら冷却板ＣＰＬは、例えば冷却板上にウェハＷを支持
する複数の支持ピン（図示を省略）を立設して構成され
る。
反射防止膜塗布ユニット２１とレジスト塗布ユニット３
１との間、反射防止膜塗布ユニット２２とレジスト塗布
ユニット３２との間、現像処理ユニット４１と現像処理
ユニット４３との間、現像処理ユニット４２と現像処理
ユニット４４との間には、それぞれこれらユニットと同
一の雰囲気にされる冷却板ＣＰＬが配置されている。こ
れら冷却板ＣＰＬは、例えば冷却板上にウェハＷを支持
する複数の支持ピン（図示を省略）を立設して構成され
る。
【００２３】図４に示すように、加熱処理ユニット群５
０は、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニッ
ト５１と、ウェハＷを待機させるエクステンションユニ
ット５２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニット
５３〜５７とが下から順に、例えば７段に積み重ねられ
たものが隣接して２組配置される。
０は、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニッ
ト５１と、ウェハＷを待機させるエクステンションユニ
ット５２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニット
５３〜５７とが下から順に、例えば７段に積み重ねられ
たものが隣接して２組配置される。
【００２４】第４のブロックＢ４の中心部には、ウェハ
Ｗを載置自在な受け渡し台６１が備えられている。この
受け渡し台６１を挟んで反射防止膜塗布ユニット２０群
及びレジスト塗布ユニット群３０と現像処理ユニット群
４０とは相対向しており、反射防止膜塗布ユニット群２
０と受け渡し台６１との間には第１の搬送装置６２が、
レジスト塗布ユニット群３０と受け渡し台６１との間に
は第２の搬送装置６３が、現像処理ユニット群４０と受
け渡し台６１との間には第３の搬送装置６４がそれぞれ
装備されている。
Ｗを載置自在な受け渡し台６１が備えられている。この
受け渡し台６１を挟んで反射防止膜塗布ユニット２０群
及びレジスト塗布ユニット群３０と現像処理ユニット群
４０とは相対向しており、反射防止膜塗布ユニット群２
０と受け渡し台６１との間には第１の搬送装置６２が、
レジスト塗布ユニット群３０と受け渡し台６１との間に
は第２の搬送装置６３が、現像処理ユニット群４０と受
け渡し台６１との間には第３の搬送装置６４がそれぞれ
装備されている。
【００２５】第１の搬送装置６２と第２の搬送装置６３
と第３の搬送装置６４とは基本的に同一の構成を有して
おり、第１の搬送装置６２の構成を図５に基づいて説明
すると、第１の搬送装置６２は、上端及び下瑞で相互に
接続され対向する一体の壁部７１、７２からなる筒状支
持体７３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウ
ェハ搬送手段７４を備えている。筒状支持体７３はモー
タ７５の回転軸に接続されており、このモータ７５の回
転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段７
４と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段７４
はθ方向に回転自在となっている。
と第３の搬送装置６４とは基本的に同一の構成を有して
おり、第１の搬送装置６２の構成を図５に基づいて説明
すると、第１の搬送装置６２は、上端及び下瑞で相互に
接続され対向する一体の壁部７１、７２からなる筒状支
持体７３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウ
ェハ搬送手段７４を備えている。筒状支持体７３はモー
タ７５の回転軸に接続されており、このモータ７５の回
転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段７
４と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段７４
はθ方向に回転自在となっている。
【００２６】ウェハ搬送手段７４の搬送基台７６上に
は、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
７７、７８が上下に備えられている。各ピンセット７
７、７８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体７３の両壁部７１、７２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット７
７、７８は搬送基台７６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。
は、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
７７、７８が上下に備えられている。各ピンセット７
７、７８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体７３の両壁部７１、７２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット７
７、７８は搬送基台７６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００２７】インターフェイス部５には、第６のブロッ
クＢ６に属するエクステンションユニット５１やアライ
メントユニット５２にアクセス可能なウェハ搬送体１１
０が装備されている。ウェハ搬送体１１０はレール１１
１に沿ったＸ方向への移動と、Ｚ方向（上下方向）への
昇降とが自在であり、θ方向にも回転自在となってい
る。そして、露光装置４に対してウェハＷを搬送するこ
とができるように構成されている。
クＢ６に属するエクステンションユニット５１やアライ
メントユニット５２にアクセス可能なウェハ搬送体１１
０が装備されている。ウェハ搬送体１１０はレール１１
１に沿ったＸ方向への移動と、Ｚ方向（上下方向）への
昇降とが自在であり、θ方向にも回転自在となってい
る。そして、露光装置４に対してウェハＷを搬送するこ
とができるように構成されている。
【００２８】ここで、図６はこの実施形態に係る塗布現
像処理システムにおける温調系の構成を示す図である。
像処理システムにおける温調系の構成を示す図である。
【００２９】図６に示すように、ウェハＷ上に反射防止
膜を塗布するための処理が行われる第１のブロックＢ１
及びウェハＷ上にレジスト膜を塗布するための処理が行
われる第２のブロックＢ２では、温度及び湿度を制御す
るための温湿度調整器８１を介してその上部よりダウン
フローの清浄エアーが供給されるようになっている。な
お、第２のブロックＢ２にはケミカルフィルタ８２を介
して温調されたエアーが供給され、第１のブロックＢ１
には直接温調されたエアーが供給されるようになってい
る。
膜を塗布するための処理が行われる第１のブロックＢ１
及びウェハＷ上にレジスト膜を塗布するための処理が行
われる第２のブロックＢ２では、温度及び湿度を制御す
るための温湿度調整器８１を介してその上部よりダウン
フローの清浄エアーが供給されるようになっている。な
お、第２のブロックＢ２にはケミカルフィルタ８２を介
して温調されたエアーが供給され、第１のブロックＢ１
には直接温調されたエアーが供給されるようになってい
る。
【００３０】 また、露光されたレジスト膜を現像する
ための処理が行われる第３のブロックＢ３では、温度だ
けを制御するための温度調整器８３を介してその上部よ
りダウンフローの清浄エアーが供給されるようになって
いる。なお、第３のブロックＢ３にはケミカルフィルタ
８４を介して温調されたエアーが供給されるようになっ
ている。
ための処理が行われる第３のブロックＢ３では、温度だ
けを制御するための温度調整器８３を介してその上部よ
りダウンフローの清浄エアーが供給されるようになって
いる。なお、第３のブロックＢ３にはケミカルフィルタ
８４を介して温調されたエアーが供給されるようになっ
ている。
【００３１】更に、ブロック間でウェハＷを搬送するこ
とが実行される第４のブロックＢ４では、このような温
調機器やケミカルフィルを介することなく直接ダウンフ
ローの清浄エアーが供給されるようになっている。
とが実行される第４のブロックＢ４では、このような温
調機器やケミカルフィルを介することなく直接ダウンフ
ローの清浄エアーが供給されるようになっている。
【００３２】また本実施形態に係る塗布現像処理システ
ム１においては、第２のブロックＢ２における清浄エア
ーの噴出圧を第３のブロックＢ３におけるそれよりも高
くすることで、第２のブロックＢ２は第３のブロックＢ
３より陽圧とされ、第３のブロックＢ３における清浄エ
アーの噴出圧を第４のブロックＢ４におけるそれよりも
高くすることで、第３のブロックＢ３は第４のブロック
Ｂ４より陽圧とされ、第４のブロックＢ４における清浄
エアーの噴出圧を第１のブロックＢ１におけるそれより
も高くすることで、第４のブロックＢ４は第１のブロッ
クＢ１より陽圧とされている。
ム１においては、第２のブロックＢ２における清浄エア
ーの噴出圧を第３のブロックＢ３におけるそれよりも高
くすることで、第２のブロックＢ２は第３のブロックＢ
３より陽圧とされ、第３のブロックＢ３における清浄エ
アーの噴出圧を第４のブロックＢ４におけるそれよりも
高くすることで、第３のブロックＢ３は第４のブロック
Ｂ４より陽圧とされ、第４のブロックＢ４における清浄
エアーの噴出圧を第１のブロックＢ１におけるそれより
も高くすることで、第４のブロックＢ４は第１のブロッ
クＢ１より陽圧とされている。
【００３３】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理
システム１は以上のように構成されている。次に、塗布
現像処理システム１の動作について説明する。
システム１は以上のように構成されている。次に、塗布
現像処理システム１の動作について説明する。
【００３４】まずカセットステーション２においてウェ
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで、このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第５のブロックＢ５に属するアライメン
トユニット５２に搬送される。アライメントユニット５
２で位置合わせを終了したウェハＷは、第１の搬送装置
６２により反射防止膜塗布ユニット２１（２２）とレジ
スト塗布ユニット３１（３２）との間に配置された冷却
板ＣＰＬに搬送される。次いで、冷却されたウェハＷは
反射防止膜塗布ユニット２１（２２）に搬送され、反射
防止膜が塗布される。
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで、このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第５のブロックＢ５に属するアライメン
トユニット５２に搬送される。アライメントユニット５
２で位置合わせを終了したウェハＷは、第１の搬送装置
６２により反射防止膜塗布ユニット２１（２２）とレジ
スト塗布ユニット３１（３２）との間に配置された冷却
板ＣＰＬに搬送される。次いで、冷却されたウェハＷは
反射防止膜塗布ユニット２１（２２）に搬送され、反射
防止膜が塗布される。
【００３５】次に反射防止膜が塗布されたウェハＷは第
１の搬送装置６２により第５のブロックＢ５に属する加
熱処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加熱
処理されたウェハＷは第１の搬送装置６２により反射防
止膜塗布ユニット２１（２２）とレジスト塗布ユニット
３１（３２）との間に配置された冷却板ＣＰＬに搬送さ
れる。次いで、冷却されたウェハＷはレジスト塗布ユニ
ット３１（３２）に搬送され、レジスト膜が塗布され
る。
１の搬送装置６２により第５のブロックＢ５に属する加
熱処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加熱
処理されたウェハＷは第１の搬送装置６２により反射防
止膜塗布ユニット２１（２２）とレジスト塗布ユニット
３１（３２）との間に配置された冷却板ＣＰＬに搬送さ
れる。次いで、冷却されたウェハＷはレジスト塗布ユニ
ット３１（３２）に搬送され、レジスト膜が塗布され
る。
【００３６】次に、レジスト膜が塗布されたウェハＷは
第２の搬送装置６３により第６のブロックＢ６に属する
加熱処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加
熱処理されたウェハＷは第６のブロックＢ６に属するエ
クステンションユニット５２に搬入されて、その場で待
機する。
第２の搬送装置６３により第６のブロックＢ６に属する
加熱処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加
熱処理されたウェハＷは第６のブロックＢ６に属するエ
クステンションユニット５２に搬入されて、その場で待
機する。
【００３７】次いで、ウェハＷはウェハ搬送体１１０に
よってエクステンションユニット５２から露光装置４に
搬送されて、所定の露光処理が施される。
よってエクステンションユニット５２から露光装置４に
搬送されて、所定の露光処理が施される。
【００３８】露光装置４でパターンが露光されたウェハ
Ｗは、ウェハ搬送体１１０で第６のブロックＢ６に属す
るエクステンションユニット５２に搬入され、更に第３
の搬送装置６４により第６のブロックＢ６に属する加熱
処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加熱処
理されたウェハＷは第３の搬送装置６４により現像処理
ユニット４１（４２）と現像処理ユニット４３（４４）
との間に配置された冷却板ＣＰＬに搬送される。次い
で、冷却処理されたウェハＷは第３の搬送装置６４によ
り現像処理ユニット４１、４３（４２、４４）に搬送さ
れ、現像処理が施される。
Ｗは、ウェハ搬送体１１０で第６のブロックＢ６に属す
るエクステンションユニット５２に搬入され、更に第３
の搬送装置６４により第６のブロックＢ６に属する加熱
処理ユニット５３〜５７に搬送される。次いで、加熱処
理されたウェハＷは第３の搬送装置６４により現像処理
ユニット４１（４２）と現像処理ユニット４３（４４）
との間に配置された冷却板ＣＰＬに搬送される。次い
で、冷却処理されたウェハＷは第３の搬送装置６４によ
り現像処理ユニット４１、４３（４２、４４）に搬送さ
れ、現像処理が施される。
【００３９】次に現像処理が施されたウェハＷは第３の
搬送装置６４により第６のブロックＢ６に属するエクス
テンションユニット５２に搬入されてその場で待機す
る。そして、エクステンショユニット５２からウェハ搬
送体１１で搬出され、カセット載置台１０上のカセット
Ｃに収納される。こうして、ウェハＷに対する一連の塗
布現像処理が終了する。
搬送装置６４により第６のブロックＢ６に属するエクス
テンションユニット５２に搬入されてその場で待機す
る。そして、エクステンショユニット５２からウェハ搬
送体１１で搬出され、カセット載置台１０上のカセット
Ｃに収納される。こうして、ウェハＷに対する一連の塗
布現像処理が終了する。
【００４０】このように本実施形態の塗布現像処理シス
テム１においては、処理内容に応じてブロックＢ１〜Ｂ
６に区分し、それぞれのブロック毎に適応的に環境、例
えば温度や湿度、圧力等を制御しているので、システム
環境を形成するためのコストを削減することができる。
テム１においては、処理内容に応じてブロックＢ１〜Ｂ
６に区分し、それぞれのブロック毎に適応的に環境、例
えば温度や湿度、圧力等を制御しているので、システム
環境を形成するためのコストを削減することができる。
【００４１】尚、上記実施形態では、基板としてウェハ
を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。
を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理内容に応じてブロックに区分し、それぞれのブロッ
ク毎に環境を制御しているので、システム環境を形成す
るためのコストを削減することができる。
処理内容に応じてブロックに区分し、それぞれのブロッ
ク毎に環境を制御しているので、システム環境を形成す
るためのコストを削減することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの構成を示す平面図である。
ムの構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける反
射防止膜塗布ユニット群及びレジスト塗布ユニット群の
構成を示す図である。
射防止膜塗布ユニット群及びレジスト塗布ユニット群の
構成を示す図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける現
像処理ユニット群の構成を示す図である。
像処理ユニット群の構成を示す図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおける加
熱処理ユニット群５０の構成を示す図である。
熱処理ユニット群５０の構成を示す図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける第
１の搬送装置の構成を示す図である。
１の搬送装置の構成を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムにおける温調系の構成を示す図である。
ムにおける温調系の構成を示す図である。
２０ 反射防止膜塗布ユニット群
２１、２２ 反射防止膜塗布ユニット
３０ レジスト塗布ユニット群
３１、３２ レジスト塗布ユニット
４０ 現像処理ユニット群
４１〜４４ 現像処理ユニット
８１ 温湿度調整器
８２ ケミカルフィルタ
８３ 温度調整器
８４ ケミカルフィルタ
Ｂ１ 第１のブロック
Ｂ２ 第２ブロック
Ｂ３ 第３のブロック
Ｂ４ 第４のブロック
ＣＰＬ 冷却板
Ｗ ウェハ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−261689（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−205062（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−214761（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−144763（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−335219（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−305256（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−294352（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−335146（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−251399（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/16 502
G03F 7/30 502
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に反射防止膜を塗布するための処
理が行われる第１のブロックと、基板上にレジスト膜を
塗布するための処理が行われる第２のブロックと、露光
されたレジスト膜を現像するための処理が行われる第３
のブロックと、これらブロック間で基板を搬送すること
が実行される第４のブロックとに区分され、 前記第１及び第２のブロックについては温度及び湿度を
制御し、前記第３のブロックについては温度を制御し、
前記第４のブロックについては温度及び湿度を制御せ
ず、 さらに、前記第２のブロックは前記第３のブロックより
陽圧とされ、前記第３のブロックは前記第４のブロック
より陽圧とされ、前記第４のブロックは前記第１のブロ
ックより陽圧とされていることを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項２】 前記第１のブロックと前記第２のブロッ
クとは、前記第４のブロックに対して前記第３のブロッ
クの反対側に配設されており、前記第１のブロック及び
前記第２のブロックの雰囲気は、前記第３のブロックの
雰囲気とは独立に制御可能であることを特徴とする請求
項１に記載の処理システム。 - 【請求項３】 基板上に反射防止膜を塗布するための処
理が行われる第１のブロックと、基板上にレジスト膜を
塗布するための処理が行われる第２のブロックと、露光
されたレジスト膜を現像するための処理が行われる第３
のブロックと、これらブロック間で基板を搬送すること
が実行される第４のブロックとに区分され、 前記第１及び第２のブロックについては温度及び湿度を
制御し、前記第３のブロックについては温度を制御し、
前記第４のブロックについては温度及び湿度を制御せ
ず、 前記第１のブロックと前記第２のブロックとは、前記第
４のブロックに対して前記第３のブロックの反対側に配
設されており、前記第１のブロック及び前記第２のブロ
ックの雰囲気は、前記第３のブロックの雰囲気とは独立
に制御可能であることを特徴とする処理システム。 - 【請求項４】 前記第２のブロックにはケミカルフィル
タを介して温調されたエアーが供給され、第１のブロッ
クには直接温調されたエアーが供給されることを特徴と
する請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の
処理システム。 - 【請求項５】 前記第１のブロックで基板上に反射防止
膜を塗布した後、前記第２のブロックで基板上にレジス
ト膜を塗布し、その後前記第３のブロックで露光後のレ
ジスト膜を現像することを特徴とする請求項１から請求
項４のうちいずれか１項に記載の処理システム。 - 【請求項６】 前記第１のブロックには基板上に反射防
止膜を塗布するための第１の処理ユニットが配置され、
前記第２のブロックには基板上にレジスト膜を塗布する
ための第２の処理ユニットが配置され、前記第３のブロ
ックには露光されたレジスト膜を現像するための第３の
処理ユニットが配置され、 前記第１の処理ユニットの数と前記第２の処理ユニット
の数とがほぼ等しく、 前記第１の処理ユニットの数と前記第２の処理ユニット
の数との合計が前記第３の処理ユニットの数とほぼ等し
いことを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれ
か１項に記載の処理システム。 - 【請求項７】 前記第４のブロックには、前記第１のブ
ロックに対する第１の搬送装置と、前記第２のブロック
に対する第２の搬送装置と、前記第３のブロックに対す
る第３の搬送装置と、これら搬送装置間で基板の受け渡
しを行うための受け渡し台とが配置されていることを特
徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記
載の処理システム。 - 【請求項８】 前記第１のブロック、前記第２のブロッ
ク及び前記第３のブロックにはそれぞれ処理前の基板を
冷却するための冷却板が配置されていることを特徴とす
る請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の処
理システム。 - 【請求項９】 前記第１のブロックより前記第２のブロ
ックの方がより精密に温調制御されていることを特徴と
する請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載の
処理システム。 - 【請求項１０】 基板に所定の処理液を供給して処理を
施す処理システムにおいて、 前記基板に所定の処理液の塗布処理を施すための液処理
ユニットで構成された第１のブロックと、 前記第１のブロックで塗布処理を行う処理液とは異なる
処理液の塗布処理を施す液処理ユニットで構成された第
２のブロックと、 前記第１のブロックと前記第２のブロックとで塗布処理
を行う処理液とは異なる処理液の塗布処理を施す液処理
ユニットで構成された第３のブロックと、 前記第１のブロックと前記第２のブロックと前記第３の
ブロックとで前記基板の受け渡しを行う複数の基板搬送
装置が配置される第４のブロックと、を具備し、 前記第１のブロックと前記第２のブロックとには所定の
温度及び湿度に制御された清浄空気が供給され、 前記第３のブロックには所定の温度に制御された清浄空
気が供給され、 前記第４のブロックには清浄空気のみが供給され、前記第２のブロックは前記第３のブロックより陽圧とさ
れ、前記第３のブロックは前記第４のブロックより陽圧
とされ、前記第４のブロックは前記第１のブロックより
陽圧とされていることを特徴とする処理システム。 - 【請求項１１】 基板に所定の処理液を供給して処理を
施す処理システムにおいて、 前記基板に所定の処理液の塗布処理を施すための液処理
ユニットで構成された第１のブロックと、 前記第１のブロックで塗布処理を行う処理液とは異なる
処理液の塗布処理を施す液処理ユニットで構成された第
２のブロックと、 前記第１のブロックと前記第２のブロックとで塗布処理
を行う処理液とは異なる処理液の塗布処理を施す液処理
ユニットで構成された第３のブロックと、 前記第１のブロックと前記第２のブロックと前記第３の
ブロックとで前記基板の受け渡しを行う複数の基板搬送
装置が配置される第４のブロックと、を具備し、 前記第１のブロックと前記第２のブロックとには所定の
温度及び湿度に制御された清浄空気が供給され、 前記第３のブロックには所定の温度に制御された清浄空
気が供給され、 前記第４のブロックには清浄空気のみが供給され、前記第１のブロックと前記第２のブロックとは、前記第
４のブロックに対して前記第３のブロックの反対側に配
設されており、前記第１のブロック及び前記第２のブロ
ックの雰囲気は、前記第３のブロックの雰囲気とは独立
に制御可能であることを特徴とする処理システム。 - 【請求項１２】 前記複数の基板搬送装置は、三角形の
各頂点の位置に配置されてなり前記複数の基板搬送装置
に対向する位置にそれぞれ前記第１のブロックと前記第
２のブロックと前記第３のブロックとが配置されている
ことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の処
理システム。 - 【請求項１３】 前記第４のブロックにそれぞれ隣接し
て設けられ前記基板に加熱処理を施す加熱ユニット及び
冷却処理を施す冷却板を含む複数の加熱処理ユニット群
と、 前記複数の加熱処理ユニット群のうち一方の加熱処理群
と複数の基板を収容するカセットとの間で前記基板の受
け渡しを行う基板搬送体と、 他方の加熱処理ユニット群とこの処理システムに接続さ
れる他の装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬
送体とを具備してなること特徴とする請求項１０から請
求項１２のうちいずれか１項に記載の処理システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13673399A JP3485493B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 処理システム |
| KR1020000025489A KR100590711B1 (ko) | 1999-05-18 | 2000-05-12 | 처리시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13673399A JP3485493B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331907A JP2000331907A (ja) | 2000-11-30 |
| JP3485493B2 true JP3485493B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=15182245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13673399A Expired - Fee Related JP3485493B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 処理システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3485493B2 (ja) |
| KR (1) | KR100590711B1 (ja) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09205062A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JP3421521B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3490582B2 (ja) * | 1997-01-28 | 2004-01-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3266848B2 (ja) * | 1997-03-03 | 2002-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置と塗布方法 |
| JP4080021B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2008-04-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3847895B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2006-11-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3228698B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3818465B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-09-06 | Ｔｄｋ株式会社 | インダクタンス素子 |
| JPH11251399A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1999
- 1999-05-18 JP JP13673399A patent/JP3485493B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-05-12 KR KR1020000025489A patent/KR100590711B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100590711B1 (ko) | 2006-06-15 |
| JP2000331907A (ja) | 2000-11-30 |
| KR20010020837A (ko) | 2001-03-15 |
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