KR100480668B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼를 반송하는 제 1반송장치, 제 2반송장치, 제 3반송장치를 각각 병렬로 배치한다. 제 1반송장치를 사이에 두고 제 1열처리장치군 및 제 2열처리장치군을 대향시켜 배치한다. 제 3반송장치를 사이에 두고 제 3열처리장치군 및 제 4열처리장치군을 대향시켜 배치한다. 제 2반송장치를 사이에 두고 현상처리장치군 및 레지스트도포장치군을 대향시켜 배치한다. 제 1반송장치와 제 2반송장치의 사이에 제 1주고받음대(臺)를 갖추고, 제 2반송장치와 제 3반송장치의 사이에 제 2주고받음대(臺)를 갖춘다. 제 2반송장치는, 현상처리장치군과, 레지스트도포장치군과, 각 주고받음대와의 사이에서만 웨이퍼를 반송하도록 되어있기 때문에, 열로 인한 처리액의 막두께 변화를 억제시킬 수 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 열처리장치, 액 처리장치 및 반송장치를 갖춘 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조에 있어서의 포토레지스트(photoresist) 처리공정에서는, 예를들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」로 칭함)등의 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 소정의 패턴을 노광(露光, exposure)한 후, 이 웨이퍼에 대하여 현상액을 공급하여 현상처리한다. 이와같은 일련의 처리를 행함에 있어서, 종래부터 도포현상처리장치가 사용되고 있다.
이 도포현상처리장치에는, 예를들어 레지스트의 정착성을 향상시키는 소수화처리(疎水化處理, 어드히젼처리), 레지스트액 도포 후의 웨이퍼를 가열하여 레지스트막을 경화시키는 가열처리, 가열처리 후의 웨이퍼를 냉각시키는 냉각처리등을 행하는 열처리장치와, 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성시키는 레지스트도포장치 및 노광 후의 웨이퍼에 대하여 현상액을 공급하여 현상처리를 행하는 현상처리장치등의 액처리장치가 개별적으로 갖추어져 있다. 그리고, 이들 열처리장치와 액처리장치의 사이에 있어서의 웨이퍼의 반송은 반송장치가 사용되고, 이 반송장치에는 웨이퍼를 보유 및 유지하여 열처리장치 또는 액처리장치 내에 당해 웨이퍼를 반입반출시키는 핀셋이 상하로, 예를 들어 3개가 장착되어 있다.
이들 중에서 최상부의 핀셋은, 통상적으로 레지스트도포장치로부터의 웨이퍼 반출시에 사용되고, 중앙부 및 최하부의 핀셋은 열처리장치에 대한 웨이퍼의 반입반출용으로 사용되고 있다. 관련된 구성에 의하면, 레지스트도포장치로부터 반출된 웨이퍼는 핀셋으로부터의 열 영향을 받지않아, 그 결과로서 온도 변화에 민감한 레지스트막의 막두께 변화를 방지시킬 수 있다.
그러나, 웨이퍼의 면적이 커지게 되면(대구경화), 그 만큼 웨이퍼가 보유하는 열량도 많아지고, 중앙부 및 최하부의 핀셋은 종래보다도 많은 열을 받게된다. 따라서, 이들 핀셋이 최상부의 핀셋에 미치는 열복사(熱輻射)의 영향을 무시할 수 없게된다. 즉, 상기의 열복사에 의해 최상부의 핀셋이 뜨거워짐으로써, 최상부의 핀셋에 보유 및 유지된 웨이퍼 상의 레지스트막의 막두께가 변화하게 될 우려가 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위해, 최상부 핀셋과 중앙부 핀셋 사이의 틈에, 예를들어 단열판(斷熱板)을 설치하고 있다.
그러나, 최상부 핀셋과 중앙부 핀셋 사이의 틈은 좁고, 당해 틈에 단열판을 설치하기 힘들다. 또, 상기 틈에 단열판을 배치하면 반송장치의 비대화(肥大化) 및 복잡화를 초래하기 때문에, 이점에 있어서도 바람직하지 않다.
본 발명의 주요목적은, 이와같은 과제를 해결하기 위한 것으로서, 예를들어 웨이퍼등의 기판이 대구경화(大口徑化)되어도, 상기와 같은 단열부재를 사용하는 일 없이 레지스트막등의 처리액 막두께의 변화를 억제시킬 수 있는 새로운 기판처리장치를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 주요부분의 하나에서는, 용기 내에서 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 액처리장치와, 용기 내에서 기판을 소정온도로 열처리하는 열처리장치와, 기판을 보유·유지부재로 보유 및 유지시킨 상태에서 반송하는 반송장치를 갖춘 처리장치이고, 반송장치는, 주고받음대와 상기 열처리장치와의 사이에서만 기판을 반송하는 제 1반송장치와, 주고받음대와 액처리장치와의 사이에서만 기판을 반송하는 제 2반송장치로 구성되고, 주고받음대는, 제 1반송장치와 상기 제 2반송장치의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.
관련된 구성에 의하면, 제 2반송장치는 열 영향을 받지않은 기판만을 반송하고, 열처리 직후의 열 영향을 받은 기판은 제 1반송장치가 반송한다. 따라서, 제 2반송장치에 갖추어진 보유·유지부재에는 기판으로부터의 열이 축적되지 않는다. 그 결과, 제 2반송장치의 보유·유지부재에 보유 및 유지된 기판에 형성된, 처리액에 의한 막의 막두께가 열에 의해 변화하는 것을 방지할 수 있다. 종래부터 사용되어 온 단열판등의 단열부재가 필요 없게 되고, 제 2반송장치의 비대화, 복잡화를 방지할 수 있다.
또, 본 발명의 주요부분의 또 다른 하나에서는, 복수개의 액처리계(液處理系) 처리장치를 갖추는 현상도포처리블록과, 이 현상도포처리블록의 양측에 설치되어 각각 복수개의 열처리계(熱處理系) 처리장치를 갖추는 제 1 및 제 2의 열처리블록과, 이 제 1및 제 2의 열처리블록 내에 각각 설치된 반송장치와, 현상도포처리블록 내에 설치된 반송장치와, 현상도포처리블록 내에 설치되어 현상도포처리블록 내에 설치된 반송장치와 제 1및 제 2의 열처리블록내에 각각 설치된 반송장치에 의해 기판을 주고 받는 주고받음대를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치가 제공된다.
관련된 구성에 의하면, 현상도포처리블록 내에 설치된 반송장치와 제 1및 제 2의 열처리블록내에 각각 설치된 반송장치에 의해 기판을 주고 받는 주고받음대를 현상도포처리블록 내에 설치함으로써, 제 1 및 제 2의 열처리블록 내에 각각 설치된 반송장치로 기판을 주고 받을 때에 있어서, 열처리 직후의 열 영향을 받은 기판은 일단 주고받음대를 매개로 하여 주거나 받아들여지기 때문에, 열처리 후의 기판으로의 열 영향이, 현상도포처리장치블록 내의 반송장치에 직접적으로 영향을 끼치는 일이 없다.
따라서, 현상도포처리블록 내의 처리액에 의한 막의 막두께가 열에 의해 변화하는 것을 방지할 수 있다.또, 본 발명의 주요부분의 또 다른 하나에서는, 도포현상영역내에 배치된 반송장치에서 액처리부에 기판을 반입하여 액처리하는 공정과, 상기 도포현상처리영역의 양측에 설치되고, 제 1 및 제 2 열처리영역내에 배치된 반송장치에서 열처리부에 기판을 반입하여 열처리하는 공정과, 상기 도포현상영역내에 배치된 반송장치와 열처리영역내에 배치된 반송장치와의 사이에서 주고받음대를 통하여 주고받음하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법이 제공된다.
이하, 첨부 도면에 의거하여, 본 발명의 바람직한 실시형태에 관하여 설명한다. 이 실시형태는 도포현상처리장치에 의해 구체화되어있다.
도포현상처리장치(1)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를들어 25장의 웨이퍼 (W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포현상처리장치(1)에 반입하거나 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하기 위한 카세트스테이션(2)과, 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 한 장씩 실시하는(枚葉式) 각종 처리유니트를 다단(多段)으로 배치한 처리스테이션(3)과, 이 처리스테이션에 인접하여 설치되는 노광장치(露光裝置)(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하는 인터페이스부(Interface)(5)를 일체로 접속시킨 구성을 가지고 있다.
카세트스테이션(2)에는, 재치부(載置部)인 카세트재치대(10) 상의 위치결정돌기(10a)에, 카세트(C)가 웨이퍼(W)의 출입구를 처리스테이션(3)측을 향하여 X방향(도 1 내의 상하방향)으로 자유롭게 재치된다.
처리스테이션(3)에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 3대의 반송장치라고 할 수 있는, 제 1반송장치(20)와 제 2반송장치(30)와 제 3반송장치(40)가 병렬로 배치되어 있다. 제 1반송장치(20)와 제 3반송장치(40)는 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있으며, 제 1반송장치(20)의 구성을 도 2에 의거하여 설명하면, 제 1반송장치(20)에는 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유로운 웨이퍼 반송수단(21)이 장착되어 있으며, 이 웨이퍼 반송수단(21)은 모터(22)의 회전 구동력으로 회전하는 회전축(23)에 의해 지지되고, θ방향으로 자유롭게 회전될 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송수단 (21)의 반송기대(搬送基臺)(24) 위에는, 웨이퍼(W)를 보유 및 유지하는 2개의 핀셋 (27, 28)이 상하로 장착되어 있다. 각 핀셋(27, 28)은 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있으며, 이들 핀셋(27, 28)에 의해 웨이퍼(W)가 보유 및 유지된다. 또, 제 3반송장치(40)에 있어서도, 제 1반송장치(20)의 핀셋(27, 28)과 동일한 기능 및 구성을 가지는 핀셋(47, 48)이 갖추어져 있다.
제 2반송장치(30)는 도 3에 나타낸 바와 같이, 상단 및 하단으로 서로 접속되어 대향하는 한쌍의 벽부(壁部)(31, 32)에 의해 구성되는 통형상지지체(33)의 내측에, 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유로운 웨이퍼 반송수단(34)을 갖추고 있다. 통형상지지체(33)는 모터(35)의 회전축에 접속되어 있으며, 이 모터(35)의 회전구동력에 의해, 상기 회전축을 중심으로 웨이퍼 반송수단(34)과 같이 회전한다. 따라서, 웨이퍼 반송수단(34)은 θ방향으로 자유롭게 회전될 수 있다.
이 웨이퍼 반송수단의 반송기대(搬送基臺)(36)에는, 웨이퍼(W)를 보유 및 유지하는 보유·유지부재로서의 핀셋(37, 38, 39)이, 예를들어 3개가 상하로 설치되어 있다. 각 핀셋(37, 38, 39)은 기본적으로 동일한 구성을 갖추고 있고, 통형상지지체(33)의 양 벽부(31, 32)의 측면개구부(側面開口部)를 자유롭게 통과할 수 있는 형태 및 크기를 가진다. 또, 각 핀셋(37, 38, 39)은 반송기대에 내장된 모터(도시 안됨)에 의해 전후 이동이 각각 자유롭도록 구성되어 있다.
제 1반송장치(20)를 사이에 두고 제 1열처리장치군(41)과 제 2열처리장치군 (42)이 서로 상대방을 향하여 배치되어 있고, 제 3반송장치(40)를 사이에 두고 제 3열처리장치군(43)과 제 4열처리장치군(44)이 서로 상대방을 향하여 배치되어 있다.
열처리장치군(41, 43)의 구성을, 도포현상처리장치(1)의 배면(背面)으로부터 본 도 4에 의거하여 설명하면, 제 1처리장치군(41)은, 웨이퍼(W)를 소정온도로 냉각처리하는 냉각처리장치(50)와, 레지스트와 웨이퍼(W)의 밀착성을 향상시키는 소수화(疎水化)처리장치(51)와, 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 행하는 얼라인먼트(alignmen t)장치(52)와, 웨이퍼(W)를 대기시키는 엑스텐션(extension)장치(53)와, 레지스트도포 후의 웨이퍼(W)를 소정온도로 가열처리하는 프리베이크(prebake)장치 (54, 54)와, 현상처리 후의 웨이퍼(W)를 가열처리하는 포스트베이크(post bake)장치(55, 55)를 비롯한 각종 열처리장치가 밑에서부터 순서대로, 예를들어 7단으로 중첩되어 쌓여져 있다. 제 3열처리장치군(43)은, 냉각처리장치(60)와, 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 엑스텐션 냉각장치(61)와, 엑스텐션장치(62)와, 냉각처리장치(63)와, 노광처리 후의 웨이퍼(W)를 가열처리하는 포스트엑스포져베이크(post exposure bake)장치(65, 65)와, 포스트 베이크(post bake)장치(66, 66)의 각 처리장치가 밑에서부터 순서대로, 예를들어 7단으로 중첩되어 쌓여져 있다.
열처리장치(42, 44)의 구성을, 도포현상처리장치(1)를 정면으로부터 본 도 5에 의거하여 설명하면, 제 2열처리장치군(42)은, 냉각처리장치(70)와, 엑스텐션 냉각장치(71)와, 엑스텐션장치(72)와, 냉각처리장치(73)와, 프리베이크(prebake)장치 (74, 74)와, 포스트 베이크(post bake)장치(75, 75)가 밑에서부터 순서대로 7단으로 중첩되어 쌓여져 있다. 제 4열처리장치군(44)은, 냉각처리장치(80, 80)와, 엑스텐션장치(81)와, 프리베이크(prebake)장치(82, 82)와, 포스트 베이크(post bake)장치(83, 83)가 밑에서부터 순서대로 7단으로 중첩되어 쌓여져 있다.
또, 제 2반송장치(30)를 사이에 두고, 도포현상처리장치(1)의 배면측에는 현상처리장치군(90)이, 도포현상처리장치(1)의 정면측에는 레지스트도포장치군(100)이, 각각 상대방을 향하여 배치되어 있다.
현상처리장치군(90)은, 컵(CP) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 현상액을 공급하는 각 현상처리장치(91, 92)가 병렬로 배치되고, 또 현상처리장치(91, 92)의 상단에는 현상처리장치(93, 94)가 중첩되어 쌓여져 있다.
레지스트도포장치군(100)은, 컵(CP) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액을 도포하는 각 레지스트도포장치(101, 102)가 병렬로 배치되고, 또 레지스트도포장치 (101, 102)의 상단에는 레지스트도포장치(103, 104)가 중첩되어 쌓여져 있다.
제 1반송장치(20)와 제 2반송장치(30)의 사이에는 제 1주고받음대(110)가 구비되어 있고, 제 2반송장치(30)와 제 3반송장치(40)의 사이에는 제 2주고받음대 (120)가 구비되어 있다. 각 주고받음대(110, 120)는 기본적으로 동일한 구성을 갖추고 있기 때문에, 여기서 제 1주고받음대(110)를 도 6에 의거하여 설명하면, 제 1주고받음대(110)는 상측재치대(上側載置臺)(111)와 하측재치대(下側載置臺)(112)를 갖추고 있고, 상측재치대(111)에는 웨이퍼(W)의 뒷면을 지지하는, 예를들어 3개의 지지핀(113)이, 하측지지대(112)에는 웨이퍼(W)의 뒷면을 지지하는, 예를들어 3개의 지지핀(114)이 각각 배치되어 있다. 또, 제 2주고받음대(120)에도, 제 1주고받음대(110)와 같이 상하로 지지핀(123, 124)이 각각 갖추어져 있다.
제 1반송장치(20)는, 카세트재치대(10) 상의 카세트(C)와, 제 1열처리장치군 (41) 및 제 2열처리장치군(42)에 속하는 각 열처리장치와, 제 1주고받음대(110)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다. 제 2반송장치(30)는, 현상처리장치군(90)에 속하는 각 현상처리장치(91, 92, 93, 94)와, 레지스트도포장치군 (100)에 속하는 각 도포장치(101, 102, 103, 104)와, 각 주고받음대(110, 120)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다. 제 3반송장치(40)는, 인터페이스부(Interface)(5)와, 제 3열처리장치군(43) 및 제 4열처리장치군(44)에 속하는 각 열처리장치와, 제 2주고받음대(120)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.
제 1열처리장치군(41)과, 제 2열처리장치군(42)과, 제 1반송장치(20)와 제 1주고받음대(110)와의 사이에는 차폐판(遮蔽板)(130)이 배치되어 있고, 차폐판(遮蔽板)(130)에는 수평상태의 웨이퍼(W)가 자유롭게 통과할 수 있는 크기와 형상을 갖추는 웨이퍼 반송구(131)가 설치되어 있다. 제 3열처리장치군(43)과, 제 4열처리장치군(44)과, 제 3반송장치(40)와, 제 2주고받음대(120)와의 사이에는 차폐판(遮蔽板)(140)이 배치되어 있고, 차폐판(遮蔽板)(140)에는 수평상태의 웨이퍼(W)가 자유롭게 통과할 수 있는 크기와 형상을 갖추는 웨이퍼 반송구(141)가 설치되어 있다. 각 웨이퍼 반송구(131, 141)는, 적절한 셔터(도시 안됨)에 의해 개폐가 자유롭도록 구성되어 있다.
본 발명의 실시형태에 관련된 도포현상처리장치(1)는 이상과 같이 구성되어있다. 다음, 도포현상처리장치의 작용 및 효과에 관하여 설명한다.
미처리 웨이퍼(W)를 수납하고 있는 카세트(C)가 카세트스테이션(2) 상에 재치되면, 제 1반송장치(20)가 카세트(C)에 접근하여, 하측의 핀셋(28)이 웨이퍼(W)를 한 장씩 꺼내어 이것을 보유 및 유지한다. 다음, 이 웨이퍼(W)는 핀셋(28)에 보유 및 유지된 상태로 제 1열처리장치군(41) 내의 소수화처리장치(51)에 반송된다.
소수화처리가 종료된 웨이퍼(W)는 제 1반송장치(20) 상측의 핀셋(27)에 의해 반출됨과 동시에 이 핀셋(27)에 보유 및 유지된 상태로 제 1열처리장치군(41)의 냉각처리장치(50) 또는 제 2열처리장치군(42)의 냉각처리장치(70)로 반송되어 적극적으로 냉각된다. 관련된 냉각처리가 종료된 웨이퍼(W)는 핀셋(28)에 의해 냉각처리장치(50) 또는 냉각처리장치(70)로부터 반출된 후, 핀셋(28)에 보유 및 유지된 상태로 제 1주고받음대(110)로 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 상측재치대(111)에 설치된 지지핀(113) 위에 지지된다.
다음, 이 웨이퍼(W)는 제 2반송장치(30)의 하측에 위치하는 핀셋(39)에 의해 반출되어, 레지스트도포장치군(100)으로 반송된다. 그리고, 레지스트도포장치군 (100)에 속하는, 예를들어 레지스트도포장치(101)에서 레지스트 도포처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제 2반송장치(30)의 상측에 위치하는 핀셋(37)에 의해 레지스트도포장치(101)로부터 반출되어, 핀셋(37)에 보유 및 유지된 상태로 제 2주고받음대 (120)로 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 제 2주고받음대(120)의 하측에 설치된 지지핀(124) 위에 지지된다.
그후, 웨이퍼(W)는 제 3반송장치(40)의 핀셋(48)으로 건네어진 후에, 제 4열처리장치군(44)에 속하는 하나의 프리베이크장치(82)로 반송된다. 이 프리베이크장치(82)에서 노광처리 전의 가열처리가 행하여진다. 그후, 웨이퍼(W)는 엑스텐션 냉각장치(61)로 반입되어 자연히 냉각된다. 관련된 냉각처리가 종료된 웨이퍼(W)는 제 3반송장치(40)의 핀셋(47)에 의해 반출되어, 핀셋(47)에 보유 및 유지된 상태로 노광장치(4)에 반송된다.
노광장치(4)에서의 노광처리가 종료된 후의 웨이퍼(W)는 핀셋(47)에 보유 및 유지되어, 제 3열처리장치군(43)의 포스트엑스포져베이크장치(65)로 반입된다. 이 포스트엑스포져베이크장치(65)에서 소정의 가열처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 그후 핀셋(47)에 보유 및 유지된 상태로 제 4열처리장치군(44)의 하나인 냉각처리장치 (80)로 반입되어, 소정온도로 적극적으로 냉각된다. 그후, 웨이퍼(W)는 제 3반송장치(40)에 의해 제 2주고받음대(120)로 다시 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 제 2주고받음대(120)의 상측에 설치된 지지핀(123) 위에 지지된다.
다음, 웨이퍼(W)는 제 2반송장치(30) 하측의 핀셋(39)에 보유 및 유지된 상태로, 제 2주고받음대로부터 현상처리장치군(90)으로 반송된다. 그리고, 현상처리장치군(90)에 속하는, 예를들어 현상처리장치(91)에서 소정의 현상처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제 2반송장치(30)의 핀셋(38)에 보유 및 유지된 상태로 제 1주고받음대(110)로 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 제 1주고받음대(110)의 하측재치대(112)에 설치된 지지핀(114) 위에 지지된다.
그후, 제 1주고받음대(110)로부터 제 1반송장치(20)의 핀셋(28)으로 건네어진 웨이퍼(W)는, 핀셋(28)에 보유 및 유지된 상태로 제 2열처리장치군(42)의 하나인 포스트베이크장치(75)로 반송된다. 이 포스트베이크장치(75)에서 소정의 가열처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 핀셋(27)에 보유 및 유지된 상태로 제 2열처리장치군 (42)의 냉각처리장치(73)로 반송되어, 소정온도로 냉각된다. 그후, 웨이퍼(W)는 카세트재치대(10)에 재치된 카세트(C)에 수납되어, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 도포현상처리공정이 종료된다.
이상과 같이 본 발명의 실시형태에 있어서, 제 1반송장치(20)는 제 1열처리장치군(41) 및 제 2열처리장치군(42)에 속하는 각 열처리장치로부터의 반출 직후의 웨이퍼(W)를 반송하고, 제 2반송장치(30)는 제 1열처리장치군(41)의 냉각처리장치 (50) 및 제 3열처리장치군(43)의 냉각처리장치(63)에서 냉각된 후의 웨이퍼(W)를 반송하고, 제 3반송장치(40)는 제 3열처리장치군(43) 및 제 4열처리장치군(44)에 속하는 각 열처리장치로부터의 반출 직후의 웨이퍼(W)를 반송한다. 따라서, 제 2반송장치(30)에 갖추어진 핀셋(37, 38, 39)은 높은 온도의 웨이퍼(W)를 보유 및 유지하는 일이 없기 때문에, 각 핀셋(37, 38, 39)은 뜨거워지지 않는다. 이 결과, 제 2반송장치에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 있어서, 열에 의한 막두께의 변화를 방지할 수 있다.
또, 제 2반송장치(30)에 있어서의 하측 핀셋(38, 39)이 열의 영향을 받지 않기 때문에, 상측 핀셋(37)에 대한 열복사(熱輻射)도 발생하지 않는다. 이 때문에, 핀셋(37)이 불필요하게 뜨거워지는 일이 없고, 종래부터 사용되고 있는 단열판(斷熱板)등의 단열부재(斷熱部材)가 필요없게 된다. 이 결과, 제 2반송장치(30)가 비대하게 되거나 복잡하게 되는 일이 없다.
또, 상기의 실시형태에서는, 제 1열처리장치군(41)과 제 2열처리장치군(42)에서 발생된 열이 현상처리장치군(90) 및 레지스트도포장치군(100)측에 전달되는 것을, 차폐판(遮蔽版)(130)으로 차단시킬 수 있다. 또, 제 3열처리장치군(43)과 제 4열처리장치군(44)에서 발생된 열이 현상처리장치군(90) 및 레지스트도포장치군 (100)측에 전달되는 것을, 차폐판(遮蔽版)(140)으로 차단시킬 수 있다. 따라서, 각 열처리장치군(41, 42, 43, 44)에서 발생한 열이, 현상처리장치군(90) 및 레지스트도포장치군(100)에 대하여 전달되기 어렵다. 그 결과, 온도 변화가 없는 보다 적절한 환경 하의 레지스트도포장치군(100)에서 소정의 레지스트도포처리를 행할 수 있고, 또 제 2반송장치(30)에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 있어서의 막두께도 한결 변화하지 않게 된다.
또, 각 차폐판(130, 140)에 각각 설치된 웨이퍼 반송구(131, 141)는 개폐가 자유롭도록 구성되어 있으나, 이들 웨이퍼 반송구(131, 141)는 웨이퍼(W)의 통과시 이외에는 폐쇄되어 있기 때문에, 현상처리장치군(90) 및 레지스트도포장치군(100)에 대한, 열 환경에 의한 열의 전달을 최소한으로 억제시킬 수 있다.
또, 본 발명에서는, 상기 실시형태에서 설명한 각 주고받음대(110, 120)를 대신하여, 도 7에 나타낸 주고받음대(150, 150)를 각각 사용하는 것도 가능하다.
이 주고받음대(150)는, 케이싱(casing)(151) 상부에 냉각재치대(152)를 갖춤과 동시에, 케이싱(casing)(151) 내부에 설치하여 구비된 실린더(153)에 의해 구멍(154) 속을 상하로 자유롭게 움직일 수 있는, 예를들어 3개의 승강핀(155)을 갖추고 있다. 그리고 냉각재치대(152)의 내부에는, 예를들어 23℃로 온도조정된 항온수(恒溫水)등이 통하는 순환로(도시 안됨)가 설치되어 있다.
관련된 주고받음대(150)에 의하면, 제 1반송장치(20) 또는 제 3반송장치(40)에 의해 반송되어 온 웨이퍼(W)를 상승시켜 승강핀(155) 상에 지지시킨 후에 이것을 하강시킴으로써, 이 웨이퍼(W)를 냉각처리대(152) 상에 재치시켜 냉각시킬 수 있다. 따라서, 주고받음대(150)로부터 웨이퍼(W)를 건네받는 제 2반송장치(30)의 핀셋(39)은 보다 온도가 낮은 웨이퍼(W)를 보유 및 유지하게 되어, 웨이퍼(W)의 열이 핀셋(39)에 전달되지 않게 된다. 그 결과, 레지스트막의, 열에 의한 막두께 변화를 확실하게 방지시킬 수 있어, 수율의 저하를 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또, 포스트엑스포져베이크장치(65)에 있어서의 가열처리종료 후의 웨이퍼(W)에 대하여 냉각처리를 실시할 때, 상기 주고받음대(150)를 사용하면, 제 4열처리장치군(44)의 냉각처리장치(80)로 웨이퍼(W)를 냉각처리할 필요가 없어지게 된다. 따라서, 제 3반송장치(40)가 포스트엑스포져베이크장치(65)로부터 냉각처리장치(80)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송공정을 생략할 수 있기 때문에, 더 높은 스루풋 (throughput)의 향상을 꾀할 수 있게 된다.
또, 상기의 설명에서는 냉각재치대(152) 내부의 순환로(도시 안됨)를 통하는 항온수에 의해 웨이퍼(W)를 냉각한다고 하였으나, 이 냉각재치대(152)에 펠체 (Peltier)소자(素子)를 설치하여 웨이퍼(W)를 냉각시켜도 좋다.
또, 도 8에 나타낸 바와 같이, 주고받음대(150)를 2단으로 중첩시킨 주고받음대(160)를 사용해도 좋다. 또, 기판으로서 웨이퍼(W)를 예로 들었으나, 본 발명은 관련된 예에 한정되지 않고, 예를들어 LCD기판이라도 좋다.
다음, 전술한 도 5에 대응하는, 장치내 압력등의 환경에 관하여 설명한다. 이 도포현상처리장치(1)는 도 9에 나타내는 바와 같이 각각의 블록 [카세트스테이션(2)·제 1의 열처리장치군(41) 및 제 2의 열처리장치군(42)이 배치되어 있는 제 1의 열처리블록(191)·현상처리장치군(90) 및 레지스트도포장치군(100)이 배치되어 있는 현상도포처리블록(192)·제 3의 열처리장치군(43) 및 제 4의 열처리장치군 (44)이 배치되어 있는 제 2의 열처리블록(193)·인터페이스부(5)]에 있어서 다운플로우(down flow)(DF)가 형성되어 있다.
이 다운플로우(DF)는, 상기 각 블록(2·191·192·193·5)의 상방 위치에 설치된 각 FFU(200·201·202·203·204)와 상기 각 블록(2·191·192·193·5)의 하방 위치에 설치된 각 다운플로우 회수기구(回收機構)(210·211·212·213·214)에 의해 각 블록(2·191·192·193·5)내에 소정 압력의 다운플로우가 자유롭게 형성되도록 구성되어 있다.
또, 상기 각 다운플로우 회수기구(回收機構)(210·211·212·213·214)에 의해 회수된 다운플로우는, 각 블록(2·191·192·193·5) 내를 소정의 온도 및/또는 습도를 원하는 환경으로 설정할 수 있도록 온도습도제어수단(220·221·222· 223·224)에 각각 접속되어, 이 온도습도제어수단(220·221·222·223·224)에 의해 조정된 에어(air)는, 각각 전술한 FFU(200·201·202·203·204)로 공급되어, 이들 FFU(200·201·202·203·204)에서 소정 파티클(particle)의 제거 및/또는 소정 유기물의 제거 및/또는 소정 유량의 토출이 조정되어, 각 블록(2·191·192·193·5) 내가 원하는 환경으로 설정되도록 구성되어 있다.
이와 같이 각 블록(2·191·192·193·5)내에 원하는 환경이 설정되는데, 바람직한 설정에 관하여 이하에서 설명한다.
먼저 압력의 설정에 관하여 설명하면, 이 장치 내의 압력은, 현상처리장치군 (90) 및 레지스트도포장치군(100)이 배치되어 있는 현상도포처리블록(192)의 압력 (PC)을 가장 높게 설정하고, 다음 제 1의 열처리장치군(41) 및 제 2의 열처리장치군(42)이 배치되어 있는 제 1의 열처리블록(191)의 압력(PB) 및 제 3열처리장치군 (43) 및 제 4열처리장치군(44)이 배치되어 있는 제 2의 열처리블록(193)의 압력 (PD)을 현상도포처리블록(192)의 압력(PC)보다 낮게 설정한다.
또, 이 제 1열처리장치군(41) 및 제 2열처리장치군(42)이 배치되어 있는 제 1의 열처리블록(191)의 압력(PB) 및 제 3의 열처리장치군(43) 및 제 4의 열처리장치군(44)이 배치되어 있는 제 2의 열처리블록(193)의 압력(PD)보다 낮게, 카세트스테이션(2)의 압력(PA) 및 인터페이스부(5)의 압력(PE)을 설정한다.
이들 관계를 식으로 나타내면,
PC>(PB 및 PD)>(PA 및 PE)로 된다.
이에 의해, 현상도포처리블록(192) 내에 제 1의 열처리장치군(41) 및 제 2의 열처리장치군(42)이 배치되어 있는 제 1의 열처리블록(191)으로부터, 또는 제 3의 열처리장치군(43) 및 제 4의 열처리장치군에 배치되어 있는 제 2의 열처리블록 (193)으로부터 열 영향을 받는 환경의 간섭을 억제시킬 수 있다.
따라서, 현상도포처리블록(192) 내에서의 처리에 있어서 열의 영향이 없기 때문에, 처리의 균일성이 향상하고 수율이 향상될 수 있다.
또, 제 1의 열처리블록(191) 또는 제 2의 열처리블록(193)의 환경에 대하여 카세트스테이션(2) 또는 인터페이스부(5)로부터의 환경의 간섭을 억제할 수 있기 때문에 대기속의 파티클(particle)이 진입하는 것을 억제할 수 있고, 특히, 현상도포처리블록(912) 내에서의 처리 후이고 열처리 전의 단계에 있는 웨이퍼(W)에 먼지등이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 열처리의 균일성이 향상하고 수율이 향상될 수 있다.
또, 카세트스테이션(2)의 압력(PA)은, 장치 외로부터 장치 내에 부적절한 파티클이 진입되는 것을 억제하기 위하여, 예를들어 장치가 배치되는 크린 룸(clean room)보다 높게 설정되어, 장치 외로부터 장치 내에 파티클등이 진입되는 것을 억제하도록 설정된다.
또, 인터페이스부(5)의 압력(PE)은, 제 3의 열처리장치군(43) 및 제 4의 열처리장치군(44)이 배치되어 있는 제 2의 열처리블록(193)의 압력(PD)보다 낮게 설정되어 있으나, 타(他) 장치(예를들어 노광장치)와 접속되어 있기 때문에, 접속되는 타 장치와의 관계에서 설정된다.
타 장치가 노광장치이고 노광장치 내에 부적절한 환경을 진입시키고 싶지 않을 경우, 인터페이스부(5)의 압력(PE)을 노광장치 내의 압력보다 더 낮게 설정하여도 좋다.
또, 열 영향을 더욱 고려할 경우, 전술한 바와 같이 제 1의 열처리블록(191) 및 제 2의 열처리블록(193)(열처리계 처리블록)보다 현상도포처리블록(192)(액처리계 처리블록)의 압력(PC)이 높은 양압(陽壓) 상태로 되도록 하는 것은 말할 필요도 없지만, 제 1의 열처리블록(191) 및 제 2의 열처리블록(193) 내에 있어서, 제 1의 열처리블록(191) 내의 제 1의 열처리장치군(41) 및 제 2의 열처리장치군(42) 및/또는 제 2의 열처리블록(193) 내의 제 3의 열처리장치군(43) 및 제 4의 열처리장치군 (44)의, 어느 한쪽의 열처리장치군을 열의 종류에 대응하여 구성시켜도 좋다.
즉, 제 1의 열처리블록(191) 내의 제 1의 열처리장치군(41) 및 제 2의 열처리장치군(42)을 예로 들면, 제 1의 열처리장치군(41)을 가열처리하는 처리장치로 구성하고, 제 2의 열처리장치군(42)을 냉각처리(예를들어, 현상도포처리블록에서의 처리온도로 설정시키는 처리)하는 냉각장치로 구성시켜도 좋다.
이에 의해, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록(191·193) 내에 있어서의 열 간섭을 억제시킬 수 있기 때문에, 블록 내에서의 처리의 균일성이 향상하고 수율이 향상될 수 있다.
또, 파티클의 영향에 대하여 더 설명하면, 전술한 바와 같이 제일 높게 양압(陽壓)으로 설정되어 있는 현상도포처리블록(192)(액처리계 처리블록)측에, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록(191·193) 내의 제 1의 반송장치(20)와 제 3의 반송장치(40)와, 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 제 1의 주고받음대(110)와 제 2의 주고받음대(120)를 설치하였기 때문에, 주고받기 공정에 있어서의 대기 시간중에 웨이퍼(W)가 열의 영향을 받거나 또는 파티클이 부착되는 등의 영향을 억제할 수 있어, 수율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 주요 효과는, 제 2반송장치의 보유·유지부재에 열이 축적되지 않기 때문에, 이 보유·유지부재로부터 기판상에 형성된 처리액의 막에 대하여 열의 영향이 없다는 것이다.
따라서, 기판상에 형성된 처리액의 막두께가 변화하는 것을 억제시킬 수 있기 때문에 수율의 저하를 방지할 수 있다. 또, 종래부터 사용되어온 단열판(斷熱板)등의 단열부재도 불필요하게 되고, 제 2반송장치의 비대화 및 복잡화를 방지할 수 있다.
또, 복수의 열처리장치와 액처리장치를 갖추고 있기 때문에, 청구항 1에서 알 수 있는 바와 같이 스루풋(throughput), 기판의 처리능력이 향상한다.
또, 열차단부재(熱遮斷部材)를 갖추고 있기 때문에, 각 열처리장치에서 발생된 열이 액처리장치로 전달되지 않는다. 따라서, 액처리장치 내의 온도변화를 보다 확실하게 방지할 수 있기 때문에, 막두께 변화를 더욱더 확실하게 방지하는 것이 가능하다.
또, 주고받음대에 설치한 복수의 재치부에 의해, 각 반송장치에 의한 원활한 기판 반송이 가능하기 때문에, 스루풋의 저하를 방지할 수 있다.
또, 재치부에서 냉각된 기판을 제 2반송장치의 보유·유지부재가 보유 및 유지하기 때문에, 제 2반송장치의 보유·유지 부재는 더욱 열의 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 이 보유·유지부재로부터 발생되는 열이 기판상의 막에 대하여 더한층 영향을 끼치지 못하게 되기 때문에, 수율의 저하를 더 확실하게 방지할 수 있다.
또, 제 1및 제 2의 열처리블록 내에 각각 설치된 반송장치에 의해 기판을 주고받을 때, 열처리 직후의 열 영향을 받은 기판은 일단 주고받음대를 매개로 하여 전달되기 때문에, 열처리 직후의 기판의 열 영향이 현상도포처리블록 내의 반송장치에 직접적으로 영향을 끼치는 일이 없다.
따라서, 기판 상에 형성된 처리액의 막두께가 변화하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 수율의 저하를 방지할 수 있다.
또, 현상도포처리블록 내의 압력은, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록 내의 압력보다 높은 양압(陽壓)으로 설정되기 때문에, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록측으로부터 현상도포처리블록 내에 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록 내의 환경(분위기)이 유입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 현상도포처리블록 내의 처리액의 막두께가 열에 의해 변화하는 것을 더욱더 확실하게 방지할 수 있다.
또, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록측으로부터 현상도포처리블록 내에 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록 내의 환경이 유입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 현상도포처리블록 내의 처리액의 막두께가 열에 의해 변화하는 것을 더욱더 확실하게 방지할 수 있다.
또, 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록측에서 열처리된 기판의 영향이 현상도포처리블록 내의 반송장치에 직접적으로 영향을 끼치는 일이 없고, 일단 원하는 온도로 설정된 후에 현상도포처리블록 내의 반송장치가 기판을 건네받음으로 인하여 열 영향을 받는 일이 없고, 일정한 온도의 기판을 현상도포처리블록 내의 액처리장치에 대하여 반송할 수 있다.
따라서, 현상도포처리블록 내의 처리액에 의한 막의 막두께가 열에 의해 변화하는 것을 더욱 확실하게 방지할 수 있기 때문에, 기판처리의 균일성 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시형태와 관련된 도포현상처리장치의 평면도이다.
도 2는, 도 1의 도포현상처리장치가 갖추고 있는 제 1반송장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 3은, 도 1의 도포현상처리장치가 갖추고 있는 제 2반송장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 4는, 도 1의 도포현상처리장치를 배면(背面)에서 본 설명도이다.
도 5는, 도 1의 도포현상처리장치를 정면에서 본 설명도이다.
도 6은, 도 1의 도포현상처리장치가 갖추고 있는 제 1주고받음대의 설명도이다.
도 7은, 도 6의 주고받음대의 변경예를 나타내는 설명도이다.
도 8은, 도 7의 주고받음대의 변경예를 나타내는 설명도이다.
도 9는, 도 1의 도포현상처리장치가 갖추고 있는 환경제어기구를 나타내는 설명도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포현상처리장치 20 : 제 1반송장치
30 : 제 2반송장치 40 : 제 3반송장치
41 : 제 1열처리장치군 42 : 제 2열처리장치군
43 : 제 3열처리장치군 44 : 제 4열처리장치군
90 : 현상처리장치군 91. 92. 93, 94 : 현상처리장치
100 : 레지스트도포장치군
101, 102, 103, 104 : 레지스트도포장치
110 : 제 1주고받음대 120 : 제 2주고받음대
130, 140 : 차폐판(遮蔽板) 191 : 제 1열처리 블록(block)
192 : 현상도포처리블록 193 : 제 2열처리 블록
C : 카세트 W : 웨이퍼

Claims (18)

  1. 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 액처리장치와, 기판을 소정 온도로 열처리하는 열처리장치와, 기판을 보유·유지부재로 보유 및 유지한 상태로 반송하는 반송장치를 갖춘 처리장치에 있어서,
    상기 반송장치는, 주고받음대와 상기 열처리장치와의 사이에서만 기판을 반송하는 제 1반송장치와, 상기 주고받음대와 상기 액처리장치와의 사이에서만 기판을 반송하는 제 2반송장치로 구성되고,
    상기 주고받음대는, 상기 제 1반송장치와 상기 제 2반송장치와의 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 제 1의 액처리장치 및 제 2의 액처리장치와,
    기판을 소정온도로 열처리하는 제 1의 열처리장치, 제 2의 열처리장치, 제 3의 열처리장치 및 제 4의 열처리장치와,
    기판을 보유·유지부재로 보유 및 유지한 상태로 반송하는, 병렬 배치된 제 1의 반송장치, 제 2의 반송장치 및 제 3의 반송장치를 갖추고,
    제 1의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 열처리장치와 제 2의 열처리장치가 서로 대향하여 배치되고, 제 2의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 액처리장치와 제 2의 액처리장치가 서로 대향하여 배치되고, 제 3의 반송장치를 사이에 두고 제 3의 열처리장치와 제 4의 열처리장치가 서로 대향하여 배치되고, 제 1의 반송장치와 제 2의 반송장치와의 사이에는 제 1의 주고받음대가 배치되고,
    제 2의 반송장치와 제 3의 반송장치와의 사이에는 제 2의 주고받음대가 배치되고,
    제 1의 반송장치는, 제 1의 열처리장치와, 제 2의 열처리장치 및 제 1의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 2의 반송장치는, 제 1의 액처리장치와, 제 2의 액처리장치와, 제 1의 주고받음대와 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 3의 반송장치는, 제 3의 열처리장치와, 제 4의 열처리장치 및 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 제 1의 액처리장치 및 제 2의 액처리장치와,
    기판을 소정 온도로 열처리하는 열처리장치를 다단(多段)으로 중첩시켜 쌓아올린, 제 1의 열처리장치군, 제 2의 열처리장치군, 제 3의 열처리장치군 및 제 4의 열처리장치군과,
    기판을 보유·유지부재로 보유 및 유지한 상태로 반송하는, 병렬 배치된 제 1의 반송장치, 제 2의 반송장치 및 제 3의 반송장치를 갖추고,
    제 1의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 열처리장치군과 제 2의 열처리장치군이 서로 대향하여 배치되고,
    제 2의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 액처리장치와 제 2의 액처리장치가 서로 대향햐여 배치되고,
    제 3의 반송장치를 사이에 두고 제 3의 열처리장치군과 제 4의 열처리장치군이 대향하여 배치되고,
    제 1의 반송장치와 제 2의 반송장치와의 사이에는 제 1의 주고받음대가 배치되고,
    제 2의 반송장치와 제 3의 반송장치와의 사이에는 제 2의 주고받음대가 배치되고,
    제 1의 반송장치는, 제 1의 열처리장치군 및 제 2의 열처리장치군의 각 열처리장치와, 제 1의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 2의 반송장치는, 제 1의 액처리장치 및 제 2의 액처리장치와, 제 1의 주고받음대 및 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 3의 반송장치는, 제 3의 열처리장치군 및 제 4의 열처리장치군의 각 열처리장치와, 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 액처리장치를 복수로 병렬 설치한 제 1의 액처리장치군 및 제 2의 액처리장치군과,
    기판을 소정 온도로 열처리하는 열처리장치를 다단(多段)으로 중첩시켜 쌓아올린, 제 1의 열처리장치군, 제 2의 열처리장치군, 제 3의 열처리장치군 및 제 4의 열처리장치군과,
    기판을 보유·유지부재로 보유 및 유지한 상태로 반송하는, 병렬 배치된 제 1의 반송장치, 제 2의 반송장치 및 제 3의 반송장치를 갖추고,
    제 1의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 열처리장치군과 제 2의 열처리장치군이 서로 대향하여 배치되고,
    제 2의 반송장치를 사이에 두고 제 1의 액처리장치군과 제 2의 액처리장치군이 서로 대향하여 배치되고,
    제 3의 반송장치를 사이에 두고 제 3의 열처리장치군과 제 4의 열처리장치군이 서로 대향하여 배치되고,
    제 1의 반송장치와 제 2의 반송장치와의 사이에는 제 1의 주고받음대가 배치되고,
    제 2의 반송장치와 제 3의 반송장치와의 사이에는 제 2의 주고받음대가 배치되고,
    제 1의 반송장치는, 제 1의 열처리장치군 및 제 2의 열처리장치군의 각 열처리장치와, 제 1의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 2의 반송장치는, 제 1의 액처리장치군 및 제 2의 액처리장치군의 각 액처리장치와, 제 1의 주고받음대와, 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되고,
    제 3의 반송장치는, 제 3의 열처리장치군 및 제 4의 열처리장치군의 각 열처리장치와, 제 2의 주고받음대와의 사이에서 기판을 반송하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 제 1의 액처리장치군, 제 2의 액처리장치군은, 액처리장치를 다단(多段)으로 중첩시켜 쌓아올린 것임을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제 2 항 내지 5 항중 어느 한 항에 있어서, 액처리장치와 열처리장치와의 사이에는, 열의 전달을 억제하는 열차폐부재(熱遮蔽部材)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제 2 항 내지 5 항중 어느 한 항에 있어서, 적어도 제 1의 주고받음대 또는 제 2의 주고받음대의 어느 한쪽이, 기판을 재치하는 재치부를 복수로 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제 2 항 내지 5 항중 어느 한 항에 있어서, 적어도 제 1의 주고받음대 또는 제 2의 주고받음대의 어느 한쪽이 기판을 냉각하는 기능을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 액처리계(液處理系)의 처리장치를 복수로 갖추는 현상도포처리블록과, 이 현상도포처리블록의 양측에 설치되어 각 열처리계의 처리장치를 복수로 갖추는 제 1 및 제 2의 열처리블록과, 이 제 1 및 제 2의 열처리블록 내에 각각 설치된 반송장치와, 상기 현상도포처리블록 내에 설치된 반송장치와, 상기 현상도포처리블록 내에 설치되어, 상기 현상도포처리블록 내에 설치된 반송장치와 상기 제 1 및 제 2의 열처리블록 내에 각각 설치된 반송장치에 의해 기판을 주고받는 주고받음대를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 현상도포처리블록 내의 압력은, 상기 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록 내의 압력보다 높은 양압(陽壓)으로 설정되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 현상도포처리블록과 상기 제 1 및/또는 제 2의 열처리블록과의 사이에, 개폐기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 제 9 항 또는 10 항에 있어서, 상기 주고받음대는 기판을 냉각하는 기능을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 도포현상영역내에 배치된 반송장치에서 액처리부에 기판을 반입하여 액처리하는 공정과,
    상기 도포현상처리영역의 양측에 설치되고,
    제 1 및 제 2 열처리영역내에 배치된 반송장치에서 열처리부에 기판을 반입하여 열처리하는 공정과,
    상기 도포현상영역내에 배치된 반송장치와 열처리영역내에 배치된 반송장치와의 사이에서 주고받음대를 통하여 주고받음하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 기판을 주고받음하는 공정은
    상기 도포현상처리영역내에 설치되고, 상기 제 1 및 제 2 열처리영역과 인접 배치된 제 1 주고받음대와 제 2 주고받음대를 각각 수직방향으로 복수 가지고,
    상기 제 1 및 제 2 열처리영역에서 기판을 소정의 온도로 열처리하는 공정에서 처리된 기판과,
    상기 도포현상처리영역에서 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 공정에서 처리하고/또는 처리된 기판을 다른 주고받음대에 재치하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 다른 주고받음대에 재치하는 공정은 상기 제 1 및 제 2 열처리영역으로부터 반송된 기판을 위쪽의 주고받음대에 재치하고, 상기 액처리장치로부터 반출된 기판을 아래쪽의 주고받음대에 재치하는 공정인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 주고받음대 중 어느 하나 또는/및 모두의 주고받음대에 기판을 냉각하는 냉각기구가 구비되고, 상기 기판을 주고받음하는 공정은 상기 냉각기구에 의해 냉각되는 냉각공정을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 냉각공정은 항온수 및/또는 펠체소자에 의한 냉각인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  18. 제 13 항 내지 제 15 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포현상처리영역에서 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 공정은, 상기 제 1 및 제 2 열처리영역에서 기판을 소정의 온도로 열처리하는 공정과 열차단한 분위기에서 처리하는 공정인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3416078B2 (ja) * 1999-06-09 2003-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW451274B (en) * 1999-06-11 2001-08-21 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
US6338582B1 (en) * 1999-06-30 2002-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate delivery apparatus and coating and developing processing system
TW449802B (en) * 1999-07-19 2001-08-11 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus of substrate treatment
US6402400B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW594835B (en) * 2000-05-09 2004-06-21 Tokyo Electron Ltd System for coating and developing
US6379056B1 (en) * 2000-09-12 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
KR100848772B1 (ko) 2001-02-22 2008-07-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치
US6558053B2 (en) * 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN100424815C (zh) * 2004-12-06 2008-10-08 株式会社迅动 基板处理装置及基板处理方法
US8932965B1 (en) 2008-07-30 2015-01-13 International Textile Group, Inc. Camouflage pattern with extended infrared reflectance separation
US10433593B1 (en) 2009-08-21 2019-10-08 Elevate Textiles, Inc. Flame resistant fabric and garment
US8793814B1 (en) 2010-02-09 2014-08-05 International Textile Group, Inc. Flame resistant fabric made from a fiber blend
US8209785B2 (en) 2010-02-09 2012-07-03 International Textile Group, Inc. Flame resistant fabric made from a fiber blend
JP5854741B2 (ja) * 2011-10-04 2016-02-09 株式会社アルバック 基板処理装置
JP6548513B2 (ja) 2015-08-21 2019-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5826129A (en) * 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3033009B2 (ja) * 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TW297910B (ko) * 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
TW333658B (en) * 1996-05-30 1998-06-11 Tokyo Electron Co Ltd The substrate processing method and substrate processing system
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3421521B2 (ja) 1996-11-11 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置

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