CN100424815C

CN100424815C - 基板处理装置及基板处理方法

Info

Publication number: CN100424815C
Application number: CNB2005101295631A
Authority: CN
Inventors: 浅野彻; 鸟山幸夫; 田口隆志; 三桥毅; 金山幸司; 奥村刚
Original assignee: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2005-12-06
Publication date: 2008-10-08
Anticipated expiration: 2025-12-06
Also published as: CN1812049A

Abstract

本发明提供一种基本处理装置及基板处理方法，在向曝光装置搬送基板时，使用接口用搬送机构的上侧的手部，在搬送从曝光装置被搬出的基板时，使用接口用搬送机构的下侧的手部。在将由曝光装置的曝光处理后的基板搬送到干燥处理部时，使用第五中央机械手下侧的手部，在搬送从干燥处理部被搬出的干燥处理后的基板时，使用第五中央机械手上侧的手部。即，使用上侧的手部搬送未附着液体的基板，使用下侧的手部搬送附着了液体的基板。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板进行各种处理，使用基板处理装置。

在这样的基板处理装置中，一般连续地对一张基板进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区构成。以相邻于接口区的方式配置有与基板处理装置另设的作为外部装置的曝光装置。

在上述的基板处理装置中，从分度器区搬入的基板，在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中进行反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂布处理之后，经由接口区搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口区被搬送到显影处理区。通过在显影处理区中对基板上的抗蚀膜进行显影处理来形成抗蚀图案之后，基板被搬送到分度器区。

在此，从接口区向曝光装置的基板的搬送和从曝光装置向接口区的基板的搬送，通过设在接口区的接口用搬送机构的一只臂来进行。

近年来，伴随着设备的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将刻线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上，来进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀图案的微细化有限。

因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出浸液法(例如参照国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，投影光学系统和基板间充满液体，能够将基板表面的曝光光波缩短。由此，可将曝光图案进一步微细化。

可是，在上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，因为在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，所以基板在附着了液体的状态下从曝光装置被搬出。

为此，在上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置安装上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置作为外部装置的情况下，附着在从投影曝光装置搬出的基板的液体，附着在保持臂上。保持臂也进行向曝光处理前的基板的投影曝光装置的搬入。由此，因为液体附着在保持臂上，所以附着在保持臂上的液体也附着在曝光处理前的基板的背面。

由此，在向投影曝光装置搬入基板时，环境中的尘埃等会附着在基板背面的液体上，会导致基板背面的污染。其结果，因为基板背面的污染，又是会发生曝光处理的解像性能低下的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，充分地防止基板的背面污染。

(1)根据本发明的一方面的基板处理装置是以相邻于曝光装置的方式配置的基板处理装置，该曝光装置是通过液浸法对基板进行曝光处理的装置，该基板处理装置具有对基板进行处理的处理部，以及在处理部和曝光装置之间进行基板的交接的交接部；处理部包括对基板做干燥处理的第一处理单元，交接部包括暂时载置基板的载置部、在处理部和载置部之间搬送基板的第一搬送单元、在载置部和曝光装置之间搬送基板的第二搬送单元、在载置部和第一处理单元之间搬送基板的第三搬送单元；第二搬送单元具备保持基板的第一和第二保持部，第二搬送单元，在从载置部向曝光装置搬送基板时由第一保持部来保持基板，在从曝光装置向载置部搬送基板时由第二保持部来保持基板；第三搬送单元具备保持基板的第三和第四保持部，第三搬送单元，在从第一处理单元向载置部搬送基板时由第三保持部来保持基板，在从载置部向第一处理单元搬送基板时由第四保持部来保持基板。

在该基板处理装置中，在处理部对基板进行了规定的处理之后，由第一搬送单元将基板搬送到载置部。其后，在由第二搬送单元的第一保持部保持基板的同时，将基板搬送到曝光装置。在曝光装置对基板进行了曝光处理之后，将基板保持在第二搬送单元的第二保持部的同时搬送到载置部。其后，将基板保持在第三搬送单元的第四保持部的同时搬送到第一处理单元。在第一处理单元进行了基板的干燥处理之后，将基板保持在第三搬送单元的第三保持部的同时搬送到载置部。其后，由第一搬送单元将基板搬送到处理部。

像这样，曝光处理后的基板，在由第一处理单元进行了干燥处理之后，由第一搬送单元被搬送到处理部。由此，在曝光装置中即使在基板附着了液体，曝光处理后的基板的液体也不会附着在第一搬送单元。

此外，在从载置部向曝光装置搬送基板时，由第二搬送单元的第一保持部保持基板，在从曝光装置向载置部搬送基板时，由第二搬送单元的第二保持部保持基板。就是说，在搬送曝光处理前的未附着液体的基板时，由第一保持部保持基板，在搬送曝光处理后的附着了液体的基板时，由第二保持部保持基板。由此，曝光处理后的基板的液体不会附着在第一保持部。

此外，在从第一处理单元向载置部搬送基板时，由第三搬送单元的第三保持部保持基板，在从载置部向第一处理单元部搬送基板时，由第四保持部保持基板。就是说，在搬送由第一处理单元进行干燥处理后的未附着液体的基板时，由第三保持部保持基板，在由曝光装置进行曝光处理后且由第一处理单元进行干燥处理前的附着了液体的基板时，由第四保持部保持基板。由此，曝光处理后的基板的液体不会附着在第三保持部。

其结果，因为防止了液体附着在曝光处理前的基板上，所以可以充分地防止由向液体上附着的尘埃等物质引起的基板的背面污染。由此，可以防止在曝光装置中由解像性能恶化等引起的基板的处理不良。

此外，因为在曝光处理之后马上由第一处理单元进行基板的干燥处理，所以防止附着在基板上的液体落在基板处理装置内。由此，防止基板处理装置的电气系统的异常等的动作不良。

(2)第二保持部也可以设在第一保持部的下方。此时，即使从第二保持部和其保持的基板上落下液体，液体也不会附着在第一保持部和其保持的基板上。由此，可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板上。

(3)第四保持部也可以设在第三保持部的下方。此时，即使从第四保持部和其保持的基板上落下液体，液体也不会附着在第三保持部和其保持的基板上。由此，可靠地防止液体附着在干燥处理后的基板上。

(4)交接部进一步包含对基板进行规定处理的第二处理单元，第一搬送单元，可以在处理部、第二处理单元和载置部之间搬送基板。

此时，在处理部对基板进行了规定的处理之后，由第一搬送单元将基板搬送到第二处理单元。在第二处理单元对基板进行了规定的处理之后，由第一搬送单元将基板搬送到载置部。

像这样，通过在交接部配置第二处理单元，不用增加基板处理装置的占用面积就可以追加处理内容。

(5)第二处理单元可以包含曝光基板的周边部分的边缘曝光部。此时，在边缘曝光部对基板的周边部分进行曝光处理。

(6)处理部，还可以包含第三处理单元，该第三处理单元在由曝光装置进行曝光处理前在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。

此时，在曝光装置中在感光性膜形成了曝光图案之后，由第一处理单元干燥基板。由此，可以防止感光性材料的成分溶解到在曝光时附着在基板上的液体中。由此，可以防止形成于感光性膜的曝光图案的变形。其结果，可以防止基板的处理不良。

(7)第一处理单元可以在由第一处理单元的基板的干燥处理前进一步进行基板的清洗处理。

此时，在曝光时，将附着了液体的基板从曝光装置向第一处理单元搬送期间，即使环境中的尘埃等附着在基板，也可以可靠地除去该附着物。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。

(8)第一处理单元可以具有将基板保持为大致水平的基板保持装置、使被基板保持装置保持的基板，在与该基板垂直的轴的周围旋转的旋转驱动装置、在向被保持于基板保持装置的基板上供给清洗液的清洗液供给部、在通过清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体的惰性气体供给部。

此第一处理单元通过基板保持装置将基板保持为大致水平，通过旋转驱动装置，基板在与该基板垂直的轴的周围旋转。此外，通过清洗液供给部，向基板上供给清洗液，接下来，通过惰性气体供给部供给惰性气体。

此时，因为在使基板旋转的同时向基板上供给清洗液，基板上的清洗液通过离心力向基板的周边部分移动并飞散。因此，可以可靠地防止通过清洗液被除去的尘埃等附着物残留在基板上。此外，因为在使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，高效地排除在基板的清洗后残留在基板上的清洗液。由此，在能可靠地防止在基板上残留尘埃等附着物的同时，可以可靠地干燥基板。其结果，可以可靠地防止基板的处理不良。

(9)惰性气体供给部，可以以使由清洗液供给部向基板上供给的清洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。

此时，因为可以防止清洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。

(10)第一处理单元可以进一步具备冲洗液供给部，该冲洗液供给部在通过清洗液供给部供给清洗液之后，且在通过惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。

此时，因为可以通过冲洗液可靠地冲掉清洗液，所以可以可靠地防止在基板上残留尘埃等附着物。

(11)惰性气体供给部，可以以使由冲洗液供给部向基板上供给的冲洗液从基板上的中心部向外方移动来从基板上被排除的方式，供给惰性气体。

此时，因为可以防止在基板上的中心部残留冲洗液，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。

(12)处理部可以包含对基板进行药液处理的药液处理单元和对基板进行热处理的热处理单元。此时，在药液处理单元对基板进行规定的药液处理，在热处理单元对基板进行规定的热处理。曝光处理后的基板，因为在第一处理单元中被干燥之后搬送到药液处理单元和热处理单元，所以即使在曝光装置中液体附着在基板上，该液体也不会落到药液处理单元和热处理单元。

(13)根据本发明的其他的局面的基板处理方法，在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中，对基板进行处理，该曝光装置是通过液浸法对基板进行曝光处理的装置，该基板处理装置具备：具有第一处理单元的处理部、第一搬送单元、具备第一和第二保持部的第二搬送单元、具备第三和第四保持部的第三搬送单元、和载置部，该方法具备以下工序：由处理部对基板进行规定的处理的工序、将由处理部处理了的基板由第一搬送单元搬送到载置部的工序、由第二搬送单元的第一保持部保持基板的同时搬送到曝光装置的工序、由第二搬送单元的第二保持部保持从曝光装置搬出的基板的同时向载置部搬送的工序、由第三搬送单元的第四保持部保持基板的同时从载置部搬送到第一处理单元的工序、由第一处理单元进行基板的干燥处理的工序、由第三搬送单元的第三保持部保持从第一处理单元搬出的基板的同时向载置部搬送的工序、由第一搬送单元从载置部向处理部搬送基板的工序。

在该基板处理方法中，在处理部对基板进行了规定的处理之后，由第一搬送单元向载置部搬送基板。其后，由第二搬送单元的第一保持部保持基板的同时向曝光装置搬送基板。在曝光装置对基板进行了曝光处理之后，在第二搬送单元的第二保持部保持基板的同时向载置部搬送基板。其后，在基板被保持在第三搬送单元的第四保持部的同时向第一处理单元搬送基板。在第一处理单元进行了基板的干燥处理之后，将基板保持在第三搬送单元的第三保持部的同时向载置部搬送基板。其后，由第一搬送单元向处理部搬送基板。

这样，曝光处理后的基板，由第一处理单元进行了干燥处理之后，由第一搬送单元向处理部搬送。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板，曝光处理后的基板的液体也不会附着在第一搬送单元。

此外，在从第一处理单元向载置部搬送基板时，由第三搬送单元的第三保持部保持基板，在从载置部向第一处理单元搬送基板时，由第四保持部保持基板。就是说，在搬送由第一处理单元进行干燥处理后的未附着液体的基板时，由第三保持部保持基板，在搬送由曝光装置进行曝光处理后且由第一处理单元进行干燥处理前的附着液体的基板时，由第四保持部保持基板。由此，曝光处理后的基板的液体不会附着在第三保持部。

其结果，因为防止了液体附着在曝光处理前的基板上，所以可以充分地防止向液体上附着的尘埃等物质引起的基板的背面污染。由此，可以防止在曝光装置中由解像性能恶化等引起的基板的处理不良。

(14)在由第三搬送单元从载置部向第一处理单元搬送基板的工序之后，且由第一处理单元进行基板的干燥处理的工序之前，进一步具备通过第一处理单元进行的基板的清洗工序。

此时，因为在第一处理单元中，进行曝光后的基板的清洗，所以即使将在曝光时附着了液体的基板从曝光装置搬送到第一处理单元的期间环境中的尘埃等附着在基板，也可以可靠地除去该附着物。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。

根据本发明，因为防止了液体附着在曝光处理前的基板上，所以可以充分地防止由向液体上附着的尘埃等引起的基板的背面污染。由此，可以防止在曝光装置中由解像性能恶化等引起的基板的处理不良。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式涉及的基板处理装置的俯视图。

图2是从+X方向看图1的基板处理装置的侧视图。

图3是从-X方向看图1的基板处理装置的侧视图。

图4是用于说明干燥处理单元的结构的图。

图5a、图5b、图5c是用于说明干燥处理单元的动作的图。

图6是清洗处理用喷嘴和干燥处理用喷嘴一体地设置的情况的示意图。

图7是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。

图8a、图8b、图8c是用于说明在使用图7的干燥处理用喷嘴的情况下的基板的干燥处理方法的图。

图9是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。

图10是表示干燥处理单元的其他例子的示意图。

图11是用于说明在使用图10的清洗处理单元的情况下的基板的干燥处理方法的图。

图12是用于说明第五中央机械手和接口用搬送机构的结构和动作的图。

具体实施方式

下面，用图说明本发明的实施方式涉及的基板处理装置。在以下的说明中，将半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁用基板、光掩模用基板等称为基板。

图1是本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的俯视图。

在图1以后的各个图中，为了明确位置关系，用箭头表示互相正交的X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向在水平面内互相垂直，Z方向相当于铅垂方向。另外，在各个方向中，箭头指向的方向为+方向，其相反方向为-方向。此外，以Z方向为中心旋转的方向为θ方向。

如图1所示那样，基板处理装置500包含，分度器区9，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、干燥/显影处理区12、以及接口区13。曝光装置14以与接口区13邻接的方式配置。在曝光装置14中，通过液浸法进行基板W的曝光处理。

以下，将分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、干燥/显影处理区12和接口区13分别称为处理区。

分度器区9包含控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器载置台60和分度器机械手IR。在分度器机械手IR设有用于交接基板W的手部IRH。

反射防止膜用处理区10，包含反射防止膜用热处理部100，101、反射防止膜用涂布处理部70和第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂布处理部70隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100，101相对置地设置。在第一中央机械手CR1，上下设有用于交接基板W的手部CRH1，CRH2。

在分度器区9与反射防止膜用处理区10之间，设有隔断环境用的隔壁15。在此隔壁15，上下接近地设置有用于在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间交接基板W的基板载置部PASS1，PASS2。上侧的基板载置部PASS1在从分度器区9向反射防止膜用处理区10搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS2在从反射防止膜用处理区10向分度器区9搬送基板W的时候被使用。

此外，在基板载置部PASS1，PASS2设有检出基板W的有无的光学式的传感器(无图示)。由此，可以判定在基板载置部PASS1，PASS2是否载置有基板W。此外，在基板载置部PASS1，PASS2，设置有被固定设置的多个支承销。另外，上述光学式的传感器和支承销，也同样地设置在后述的基板载置部PASS3～PASS12。

抗蚀膜用处理区11，包含抗蚀膜用热处理部110，111、抗蚀膜用涂布处理部80和第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂布处理部80，隔着第二中央机械手CR2，与抗蚀膜用热处理部110，111相对置地设置着。在第二中央机械手CR2，上下设有用于交接基板W的手部CRH3，CRH4。

在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间，设有隔断环境用的隔壁16。在此隔壁16，上下接近地设置有用于在反射防止膜用涂布处理区10和抗蚀膜用处理区11之间交接基板W的基板载置部PASS3，PASS4。上侧的基板载置部PASS3，在从反射防止膜用处理区10向抗蚀膜用处理区11搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS4，在从抗蚀膜用处理区11向反射防止膜用处理区10搬送基板W的时候被使用。

干燥/显影处理区12，包含显影用热处理部120，121、显影处理部90、干燥处理部95和第三中央机械手CR3。显影用热处理部121与接口区13邻接，如后述那样，具备基板载置部PASS7，PASS8。显影处理部90和干燥处理部95，隔着第三中央机械手CR3，与显影用热处理部120，121相对置地设置。在第三中央机械手CR3上下设有用于交接基板W的手部CRH5，CRH6。

在抗蚀膜用处理区11和干燥/显影处理区12之间，设有隔断环境用的隔壁17。在此隔壁17，上下接近地设置有用于在抗蚀膜用处理区11和干燥/显影处理区12之间交接基板W的基板载置部PASS5，PASS6。上侧的基板载置部PASS5，在从抗蚀膜用处理区11向干燥/显影处理区12搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS6，在从干燥/显影处理区12向抗蚀膜用处理区11搬送基板W的时候被使用。

接口区13，包含第四中央机械手CR4、第五中央机械手CR5、接口用搬送机构IFR和边缘曝光部EEW。此外，在边缘曝光部EEW的下侧，设有后述的基板载置部PASS9，PASS10，PASS11，PASS12、返回缓冲部RBF和进给缓冲部SBF。在第四中央机械手CR4，上下设有用于交接基板W的手部CRH7，CRH8。在第五中央机械手CR5，设有用于交接基板W的手部CRH9，CRH10。在接口用搬送机构IFR设有用于交接基板W的手部H5，H6。

在本实施方式涉及的基板处理装置500中，沿Y方向按顺序并列设置有分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、干燥/显影处理区12和接口区13。

图2是从+X方向看图1的基板处理装置500的侧视图。

在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂布处理部70(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元BARC。各涂布单元BARC具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘71和向被保持在旋转卡盘71的基板W供给反射防止膜的涂布液的供给喷嘴72。

在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂布处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元RES。各涂布单元RES具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘81和向被保持在旋转卡盘81的基板W供给抗蚀膜的涂布液的供给喷嘴82。

在干燥/显影处理区12上下层叠配置有显影处理部90和干燥处理部95。在显影处理部90上下层叠配置有4个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV，具备以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘91和向被保持在旋转卡盘91的基板W供给显影液的供给喷嘴92。

此外，在干燥处理部95配置有1个干燥处理单元DRY。在此干燥处理单元DRY进行基板W的清洗和干燥处理。干燥处理单元DRY的详细情况在后面记述。

在接口区13内的干燥/显影处理区12侧，上下层叠配置有2个边缘曝光部EEW、基板载置部PASS9，PASS10，PASS11，PASS12、进给缓冲部SBF和返回缓冲部RBF的同时，配置有第四中央机械手CR4(参照图1)和第五中央机械手CR5。各边缘曝光部EEW具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘98和将被保持在旋转卡盘98的基板W的周边曝光的光照射器99。

此外，在接口区13内的曝光装置14侧，配置有接口用搬送机构IFR。

图3是从-X方向看图1的基板处理装置500的侧视图。

在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100上下层叠配置有2个冷却单元(冷却板)CP，在反射防止膜用热处理部101上下层叠配置有4个加热单元(加热板)HP和2个冷却单元CP。此外，在反射防止膜用热处理部100，101的最上部分别配置有控制冷却单元CP和加热单元HP的温度的局部控制器LC。

在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部110上下层叠配置有4个冷却单元CP，在抗蚀膜用热处理部111上下层叠配置有5个加热单元HP。此外，在抗蚀膜用热处理部110，111分别配置有在最上部控制冷却单元CP和加热单元HP的温度的局部控制器LC。

在干燥/显影处理区12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个加热单元HP和4个冷却单元CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有4个加热单元HP、基板载置部PASS7，PASS8和2个冷却单元CP。此外，在显影用热处理部120，121的最上部分别配置有控制冷却单元CP和加热单元HP的温度的局部控制器LC。

接着，说明本实施方式涉及的基板处理装置500的动作。

在分度器区9的搬运器载置台60上，搬入多极容纳多张基板W的搬运器C。分度器机械手IR，使用手部IRH，将收纳在搬运器C内的未处理基板W取出。其后，分度器机械手IR向±X方向移动的同时，向±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移动并载置于基板载置部PASS1。

在本实施方式中，虽然采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)做为搬运器C，但不仅限于此，也可以使用将SMIF(StandardMechanical Inter Face：标准机械界面)盒或将容纳基板W曝露于外部气体的OC(open cassette：开放式盒子)等。而且，在分度器机械手IR、第一～第五中央机械手CR1～CR5和接口用搬送机构IFR，虽然分别使用使其相对基板W做直线滑动来做手部的进退动作的直动型搬送机械手，但不仅限于此，也可以使用通过活动关节，直线地做手部的进退动作的多关节型搬送机械手。

移动载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W，通过反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1被搬送到反射防止膜用热处理部100，101。

其后，第一中央机械手CR1从反射防止膜用热处理部100，101取出完成热处理的基板W，搬入到反射防止膜用涂布处理部70。在此反射防止膜用涂布处理部70，为了减少在曝光时发生的驻波和光晕，通过涂布单元BARC在基板W上涂布形成反射防止膜。

其后，第一中央机械手CR1从反射防止膜用涂布处理部70取出完成涂布处理的基板W，搬入反射防止膜用热处理部100，101。接着，第一中央机械手CR1从反射防止膜用热处理部100，101取出完成热处理的基板W，移动载置到基板载置部PASS3。

移动载置于基板载置部PASS3的基板W，通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2被搬送到抗蚀膜用热处理部110，111。

其后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110，111取出完成热处理的基板W，并搬入抗蚀膜用涂布处理部80。在此抗蚀膜用涂布处理部80，通过涂布单元RES在涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布形成光致抗蚀膜。

其后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用涂布处理部80取出完成涂布处理的基板W，并搬入抗蚀膜用热处理部110，111。接着，第二中央机械手CR2，从抗蚀膜用热处理部110，111取出完成热处理的基板W，并移动载置到基板载置部PASS5。

移动载置于基板载置部PASS5的基板W，通过干燥/显影处理区12的第三中央机械手CR3被移动载置于基板载置部PASS7。移动载置于基板载置部PASS7的基板W，通过接口区13的第四中央机械手CR4被搬送到边缘曝光部EEW。在此边缘曝光部EEW，对基板W的周边部分实施曝光处理。

接着，第四中央机械手CR4从边缘曝光部EEW将完成边缘曝光处理的基板W移动载置到基板载置部PASS9。

移动载置于基板载置部PASS9的基板W，通过第五中央机械手CR5移动载置到进给缓冲部SBF。其后，第五中央机械手CR5将基板从进给缓冲部SBF移动载置到基板载置部PASS11。

移动载置到基板载置部PASS11的基板W，通过接口用搬送机构IFR被搬入到曝光装置14。在曝光装置14，对基板W实施曝光处理之后，接口用搬送机构IFR将基板W移动载置到基板载置部PASS12。

移动载置到基板载置部PASS12的基板W，通过第五中央机械手CR5被搬送到干燥处理部95。在干燥处理部95，如上所述那样地通过干燥处理单元DRY对基板W实施清洗和干燥处理。其后，第五中央机械手CR5，将完成干燥处理的基板W从干燥处理部95移动载置到基板载置部PASS10。另外，关于第五中央机械手CR5和接口用搬送机构IFR的详细情况随后描述。

移动载置于基板载置部PASS10的基板W，通过接口区13的第四中央机械手CR4被搬送到干燥/显影处理区12的显影用热处理部121。在显影用热处理部121，对基板W实施曝光后烘干(PEB)。其后，第四中央机械手CR4从显影用热处理部121，将基板移动载置到基板载置部PASS8。

移动载置于基板载置部PASS8的基板W，通过干燥/显影处理区12的第三中央机械手CR3来接收。第三中央机械手CR3将基板W搬入显影处理部90。在显影处理部90，通过显影处理单元DEV对基板W实施显影处理。

其后，第三中央机械手CR3从显影处理部90，将完成显影处理的基板W取出，搬入显影用热处理部120。

接着，第三中央机械手CR3从显影用热处理部120，将热处理后的基板W取出，移动载置到设置在抗蚀膜用处理区11的基板载置部PASS6。

另外，由于故障等在显影处理部90暂时不能进行基板W的显影处理时，在显影用热处理部121对基板W实施曝光后烘干(PEB)之后，可以将基板W暂时收纳保管在接口区13的返回缓冲部RBF。

移动载置于基板载置部PASS6的基板W，通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2移动载置到基板载置部PASS4。移动载置于基板载置部PASS4的基板W，通过反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1移动载置到基板载置部PASS2。

移动载置于基板载置部PASS2的基板W，通过分度器区9的分度器机械手IR收纳于搬运器C内。由此，基板处理装置中的基板W的各处理结束。

在此，使用附图详细地说明上述的干燥处理单元DRY。

首先，说明干燥处理单元DRY的结构。图4是用于说明干燥处理单元DRY的结构的图。

如图4所示，干燥处理单元DRY具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621在将基板W保持为水平的同时，以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴为中心使基板W旋转。

旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636旋转的旋转轴625的上端。此外，在旋转卡盘621形成吸气通路(未图示)，在基板W载置于旋转卡盘621上的状态使吸气通路内排气，由此基板W的下面真空吸附在旋转卡盘621，可以将基板W保持在水平状态。

在旋转卡盘621的外方，设有第一转动马达660。在第一转动马达660连接有第一转动轴661。此外，在第一转动轴661以向水平方向延伸的方式连接有第一臂662。在第一臂662的前端设有清洗处理用喷嘴650。

通过第一转动马达660，在第一转动轴661旋转的同时第一臂662转动，清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。

以通过第一转动马达660、第一转动轴661和第一臂662内部的方式设置清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663，经由阀Va和阀Vb连接到清洗液供给源R1和冲洗液供给源R2。通过控制此阀Va，Vb的开关，可以进行向清洗处理用供给管663供给的处理液的选择和供给量的调整。在图4的结构中，通过打开阀Va，可以向清洗处理用供给管663供给清洗液，通过打开阀Vb，可以向清洗处理用供给管663供给冲洗液。

在清洗处理用喷嘴650，清洗液或是冲洗液，通过清洗处理用供给管663，从清洗液供给源R1或是冲洗液供给源R2被供给。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或是冲洗液。作为清洗液，使用例如纯水、络化物(离子化物质)溶于纯水的溶液或是氟化类药液等。作为冲洗液，可以使用纯水、碳酸水、氢水、电解离子水和HFE(氢氟醚)的任意一种。

在旋转卡盘621的外方，设有第二转动马达671。在第二转动马达671连接有第二转动轴672。此外，在第二转动轴672，以向水平方向延伸的方式连接有第二臂673，在第二臂673的前端设有干燥处理用喷嘴670。

通过第二转动马达671，第二转动轴672旋转的同时，第二臂673转动，干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621被保持的基板W的上方。

以通过第二转动马达671、第二转动轴672和第二臂673内的方式设置干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674，经由阀Vc连接到惰性气体供给源R3。通过控制此阀Vc的开关，可以进行向干燥处理用供给管674供给惰性气体的供给量的调整。

在干燥处理用喷嘴670，通过干燥处理用供给管674从惰性气体供给源R3供给惰性气体。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。例如作为惰性气体可以使用氮气(N₂)。

在向基板W的表面供给清洗液或冲洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板的上方，在向基板W的表面供给惰性气体时，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置。

此外，在向基板W的表面供给清洗液或冲洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，在向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。

被保持在旋转卡盘621的基板W，被收容在处理筒623内。在处理筒623的内侧，设有筒状的分隔壁633。此外，以包围旋转卡盘621的周围的方式，形成排液空间631，该排液空间631用于排出在基板W的处理中使用了的处理液(清洗液或是冲洗液)。进而，以包围排液空间631的方式，在处理筒623和分隔壁633之间，形成回收液空间632，该回收液空间632用于回收在基板W的处理中使用了的处理液。

在排液空间631连接有排液管634，该排液管634用于向排液处理装置(未图示)导入处理液，在回收液空间632连接有回收管635，该回收管635用于向回收处理装置(未图示)导入处理液。

在处理筒623的上方，设有防护装置624，该防护装置624用于防止从基板W来的处理液向外方分散。此防护装置624由相对旋转轴625旋转对称的形状形成。在防护装置624的上端部的内面，环状地形成有断面呈＜字形状的排液导向槽641。

此外，在防护装置624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面形成的回收液导向部642。在回收液导向部642的上端附近，形成有分隔壁收纳槽643，该分隔壁收纳槽643用于接纳处理筒623的分隔壁633。

在此防护装置624，设有用滚珠螺杆机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构让防护装置624在回收位置和排液位置之间上下移动，该回收位置为回收液导向部642与保持在旋转卡盘621的基板W的外周端面相对置的位置，该排液位置为排液导向槽641与保持在旋转卡盘621的基板W的外周端面相对置的位置。防护装置624位于回收位置(图4所示防护装置的位置)的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过回收液导向部642导入回收液空间632，通过回收管635被回收。相反，防护装置624位于排液位置的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过排液导向槽641导入排液空间631，通过排液管634被排出。通过以上的结构，进行处理液的排液和回收。

接着，说明具有上述结构的干燥处理单元DRY的处理动作。另外，下面说明的干燥处理单元DRY的各结构要素的动作，由图1的主控制器30控制。

首先，在搬入基板W时，在防护装置624下降的同时，图1的第五中央机械手CR5将基板W载置于旋转卡盘621上。载置于旋转卡盘621上的基板W被旋转卡盘621吸附保持着。

接着，在防护装置624被移动到上述的废液位置的同时，清洗处理用喷嘴650移动到基板W的中心部上方。其后，旋转轴625旋转，随着此旋转保持于旋转卡盘621的基板W旋转。其后，从清洗处理用喷嘴650向基板W的上面排出清洗液。由此，进行基板W的清洗。另外，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用了2个流体喷嘴的软性喷涂方式来进行。

经过规定时间后，停止清洗液的供给，从清洗处理用喷嘴650排出冲洗液。由此，冲洗掉基板W上的清洗液。

再经过规定时间后，旋转轴625的旋转速度降低。由此，减少由基板W的旋转甩掉的冲洗液的量，如图5a所示那样，在基板W的表面全体形成冲洗液的液层L。另外，也可以使旋转轴625的旋转停止，在基板W的表面全体形成冲洗液的液层L。

在本实施方式中，虽然为了能让清洗液和冲洗液的任意一种从清洗处理用喷嘴650被供给，采用了清洗液的供给和冲洗液的供给共用清洗处理用喷嘴650的结构，但是也可以采用清洗液供给用的喷嘴和冲洗液供给用的喷嘴分开的结构。

此外，在供给冲洗液的情况下，为了使冲洗液不流入基板W的背面，可以相对基板W的背面，从未图示的背部冲洗用喷嘴供给纯水。

另外，在使用纯水作为清洗基板W的清洗液的情况下，不需要供给冲洗液。

接下来，停止供给冲洗液，在清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴670排出惰性气体。由此，如图5b所示那样，基板W的中心部的冲洗液向基板W的周边部分移动，成为只在基板W的周边部分存在液层L的状态。

接着，在旋转轴625(参照图4)的旋转数上升的同时，如图5c所示那样，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部分上方缓缓移动。由此，在大的离心力作用于基板W上的液层L的同时，因为惰性气体喷在基板W的表面全体，所以可以可靠地除去基板W上的液层L。其结果，可以可靠地使基板W干燥。

接着，停止供给惰性气体，在干燥处理用喷嘴670退避到规定位置的同时，停止旋转轴625的旋转。其后，在防护装置624下降的同时，图1的第五中央机械手CR5将基板W从干燥处理单元DRY搬出。由此，完成在干燥处理单元DRY中的处理动作。

另外，清洗和干燥处理中的防护装置624的位置，最好按处理液的回收或废液的必要性进行适宜地变更。

此外，在图4所示的干燥处理单元DRY中，虽然个别地设有清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，但是也可以如图6所示那样，将清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670设置为一个整体。此时，由于在基板W的清洗处理时或是干燥处理时无需分别移动清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，所以可以简化驱动结构。

此外，作为干燥处理用喷嘴670的替代物，可以使用如图7所示那样的干燥处理用喷嘴770。

图7的干燥处理用喷嘴770具有向铅垂下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端和分支管771、772的下端，形成有排出惰性气体的气体排出口770a、770b、770c。从各排出口770a、770b、770c，分别如图7的箭头所示那样地向铅垂下方和斜下方排出惰性气体。就是说，在干燥处理用喷嘴770，朝向下方扩大喷射范围那样地排出惰性气体。

在此，在使用干燥处理用喷嘴770的情况下，干燥处理单元DRY，按照以下说明的动作进行基板W的干燥处理。

图8a～图8c是用于说明在使用干燥处理用喷嘴770的情况下的基板W的干燥处理方法的图。

首先，通过在图5a说明的方法在基板W的表面形成了液层L之后，如图8a所示那样，干燥处理用喷嘴770移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴770排出惰性气体。由此，如图8b所示那样，基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部分，成为只在基板W的周边部分存在液层L的状态。另外，此时，干燥处理用喷嘴770，接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的冲洗液可靠地移动。

接着，在旋转轴625(参照图4)的旋转数上升的同时，如图8c所示那样地，干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，大的离心力作用于基板W上的液层L的同时，扩大基板W上的惰性气体的喷射范围。其结果，可以可靠地除去基板W上的液层L。另外，通过设置在图4的第二转动轴672的旋转轴升降机构(未图示)使第二转动轴672上下升降，可以使干燥处理用喷嘴770上下移动。

此外，作为干燥处理用喷嘴770的替代物，可以使用如图9所示那样的干燥处理用喷嘴870。图9的干燥处理用喷嘴870，具有向下方直径逐渐扩大的排出口870a。从此排出口870a，如图9所示的箭头所示那样地向铅垂下方和斜下方排出惰性气体。就是说，即使是干燥处理用喷嘴870，也可以与图7的干燥处理用喷嘴770相同地，朝向下方扩大喷射范围那样地排出惰性气体。因此，使用干燥处理用喷嘴870的情况下，可以通过与使用干燥处理用喷嘴770相同的方法进行基板W的干燥处理。

此外，作为图4所示的干燥处理单元DRY的替代物，可以使用如图10所示那样的干燥处理单元DRYa。

图10所示的干燥处理单元DRYa与图4所示的干燥处理单元DRY相比有以下的不同点。

在图10的干燥处理单元DRYa中，在旋转卡盘621的上方，设有在中心部具有开口的圆板状遮断板682。从臂688的前端附近向铅垂向下方向设有支承轴689，在此支承轴689的下端，遮断板682以与保持在旋转卡盘621的基板W的上面相对置的方式被安装。

在支承轴689的内部，插通有连通到遮断板682的开口的气体供给路690。在气体供给路690供给例如氮气气体(N₂)。

在臂688连接有遮断板升降驱动机构697和遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在接近保持于旋转卡盘621的基板W的上面的位置与从旋转卡盘621向上方离开的位置之间上下移动。

在图10的干燥处理单元DRYa中，在基板W的干燥处理时，如图11所示那样，在遮断板682接近基板W的状态，对基板W和遮断板682之间的间隙，从气体供给路690供给惰性气体。此时，因为可以从基板W的中心部向周边部分高效地供给惰性气体，所以可以可靠地除去基板W上的液层L。

此外，在上述实施方式中，虽然在干燥处理单元DRY中，通过旋转干燥方法，对基板W实施干燥处理，但是也可以通过减压干燥方法、吹拂器干燥方法等其他的干燥方法对基板W实施干燥处理。

此外，在上述实施方式中，虽然在形成冲洗液的液层L的状态，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但是在未形成冲洗液的液层L的情况下，或是未使用冲洗液的情况下，使基板W旋转，一旦甩干清洗液的液层之后，可以立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，使基板W完全干燥。

接着，详细说明第五中央机械手CR5和接口用搬送机构IFR。图12是用于说明第五中央机械手CR5和接口用搬送机构IFR的结构和动作的图。

首先，说明第五中央机械手CR5的结构。如图12所示，在第五中央机械手CR5的固定台21，在±θ方向可旋转并且在±Z方向可升降地装载有手部支承台24。手部支承台24经由旋转轴25连接在固定台21内的马达M1，通过此马达M1旋转手部支承台24。在手部支承台24，可进退地上下设置有将基板W保持为水平姿态的2个手部CRH9、CRH10。

接着，说明接口用搬送机构IFR的结构。接口用搬送机构IFR的可动台31螺合在螺旋轴32。螺旋轴32以在X方向沿伸的方式由支承台33可旋转地支承着。在螺旋轴32的一端部设有马达M2，通过此马达M2旋转螺旋轴32，可动台31在±X方向水平移动。

此外，在可动台31上在±θ方向可旋转并且在±Z方向可升降地装载有手部支承台34。手部支承台34经由旋转轴35连接在可动台31内的马达M3，通过此马达M3旋转手部支承台34。在手部支承台34，可进退地上下设置有将基板W保持为水平姿态的2个手部H5、H6。

接着，说明第五中央机械手CR5和接口用搬送机构IFR的动作。第五中央机械手CR5和接口用搬送机构IFR的动作，通过图1的主控制器30来进行控制。

首先，第五中央机械手CR5，在使手部支承台24旋转的同时向+Z方向上升，使上侧的手部CRH9进入基板载置部PASS9。在基板载置部PASS9，手部CRH9一接到基板W，第五中央机械手CR5就让手部CRH9从基板载置部PASS9后退出来。

接着，第五中央机械手CR5在使手部支承台24在-Z方向下降。其后，第五中央机械手CR5，让手部CRH9进入到进给缓冲部SBF，将基板W搬入进给缓冲部SBF的同时，接到提前实行处理的基板W。

接着，第五中央机械手CR5在让手部CRH9后退的同时，使手部支承台24在+Z方向上升。其后，第五中央机械手CR5，让手部CRH9进入基板载置部PASS11，将基板W移动载置到基板载置部PASS11。

接着，接口用搬送机构IFR，在位置A让手部支承台34旋转的同时，在+Z方向上升，使上侧的手部H5进入基板载置部PASS11。在基板载置部PASS11一接到基板W，接口用搬送机构IFR就让手部H5从基板载置部PASS11后退出来，使手部支承台34在-Z方向下降。

接着，接口用搬送机构IFR在-X方向移动，在位置B使手部支承台34旋转的同时，让手部H5进入曝光装置14的基板搬入部14a(参照图1)。将基板搬入基板搬入部14a之后，接口用搬送机构IFR，让手部H5从基板搬入部14a后退出来。

接着，接口用搬送机构IFR在+X方向移动，在位置C使下侧的手部H6进入曝光装置14的基板搬出部14b(参照图1)。在基板搬出部14b，手部H6一接到曝光处理后的基板W，接口用搬送机构IFR就让手部H6从基板搬出部14b后退出来。

其后，接口用搬送机构IFR在-X方向移动，在位置A使手部支承台34旋转的同时，在+Z方向上升。其后，接口用搬送机构IFR让手部H6进入到基板载置部PASS12，将基板W移动载置到基板载置部PASS12。

接着，第五中央机械手CR5让下侧的手部CHR10进入基板载置部PASS12。在基板载置部PASS12手部CRH10一接到基板W，第五中央机械手CR5就让手部CRH10从基板载置部PASS12后退出来。

接着，第五中央机械手CR5让手部支承台24旋转的同时，让手部CRH9进入干燥处理单元DRY。在干燥处理单元DRY手部CRH9一接到提前实行处理的完成干燥处理的基板W，第五中央机械手CR5就让手部CRH9从干燥处理单元DRY后退出来，同时让手部CRH10进入到干燥处理单元DRY。在将基板W搬入了干燥处理单元DRY之后，第五中央机械手CR5让手部CRH10从干燥处理单元DRY后退出来。

接着，第五中央机械手CR5，在让手部支承台24旋转的同时在+Z方向上升，让手部CRH9进入基板载置部PASS10，将基板W移动载置到基板载置部PASS10。

如上所述，在本实施方式中，曝光处理后的基板W通过干燥处理单元DRY进行了干燥处理之后，通过第四搬送单元CR4被搬送到显影热处理部121。因此，在第四搬送单元CR4不会附着曝光处理后的基板W的液体。

此外，在将基板W从基板载置部PASS9向进给缓冲部SBF搬送的期间、从进给缓冲部SBF向基板载置部PASS11搬送的期间以及从干燥处理单元DRY向基板载置部PASS10搬送的期间，使用第五中央机械手CR5的上侧的手部CRH9，在将基板W从基板载置部PASS12向干燥处理单元DRY搬送的期间，使用第五中央机械手CR5的下侧的手部CRH10。就是说，在搬送曝光处理前和干燥处理后的未附着液体的基板W时，通过上侧的手部CRH9保持基板W，在搬送曝光处理后且干燥处理前的附着有液体的基板W时，通过下侧的手部CRH10保持基板W。因此，在手部CRH9不会附着曝光处理后的基板W的液体。

此外，在将基板W从基板载置部PASS11搬送到曝光装置14时，使用接口用搬送机构IFR的上侧的手部H5，在将基板W从曝光装置14搬送到基板载置部PASS12时，使用接口用搬送机构IFR下侧的手部H6。就是说，在搬送曝光处理前的未附着液体的基板W时，通过上侧的手部H5保持基板W，在搬送曝光处理后不久的附着了液体的基板W时，通过下侧的手部H6保持基板W。因此，在手部H5不会附着曝光处理后的基板W的液体。

其结果，因为防止了液体附着到曝光处理前的基板W，所以可以防止由向液体附着的尘埃等物质引起的对基板W的背面污染。由此，可以防止在曝光装置14中由解像性能低下导致的处理不良的发生。

此外，在本实施方式中，因为手部CRH10设在手部CRH9的下方，所以即使从手部CRH10和其保持的基板W落下液体，液体也不会附着在手部CRH9和其保持的基板W。

此外，因为手部H6设在手部H5的下方，所以即使从H6和其保持的基板W落下液体，液体也不会附着在手部H5和其保持的基板W。

其结构，因为可以可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板W，所以可以比较可靠地防止基板W的污染。

此外，在本实施方式中，在曝光处理后在干燥处理单元DRY中进行基板W的干燥处理。由此，基板W在从干燥处理单元DRY向接口区13、干燥/显影处理区12、抗蚀膜用处理区11、反射防止膜用处理区10和分度器区9搬送期间，防止液体落到基板处理装置500内。其结果，防止基板处理装置500的电气系统的异常等的动作不良。

此外，在干燥处理单元DRY，让基板W旋转的同时通过从基板W的中心部相周边部分喷射惰性气体来进行基板W的干燥处理。此时，因为可以可靠地除去基板W上的清洗液和冲洗液，所以可以可靠地防止环境中的尘埃等附着在清洗后的基板W。由此，在可以可靠地防止基板W的污染的同时，可以防止在基板W的表面产生干燥痕迹。

此外，因为可靠地防止清洗液和冲洗液残留在清洗后的基板W，所以在从干燥处理单元DRY向显影处理部90搬送基板W期间，可以可靠地防止抗蚀成分溶解到清洗液和冲洗液中。由此，可以防止形成于抗蚀膜的曝光图案的变形。其结果，可以可靠地防止显影处理时线宽精度低下的发生。

此外，干燥处理单元DRY，在基板W的干燥处理前进行基板W的清洗处理。此时，在将在曝光时液体附着了的基板W从曝光装置14向干燥处理单元DRY搬送期间，即使在该基板W附着了环境中的尘埃，也可以可靠地除去该附着物。

其结果，可以可靠地防止基板W的处理不良。

另外，在本实施方式中，从边缘曝光部EEW被移动载置到基板载置部PASS9的基板W，虽然是按照进给缓冲部SBF和基板载置部PASS11的顺序移动载置之后被搬送到曝光装置14的，但是，在安装进给缓冲部SBF和基板载置部PASS11的空间不太充足的情况下，可以从基板载置部PASS9向曝光装置14搬送基板W。

此外，在本实施方式中，虽然通过1台接口用搬送机构IFR，来进行从基板载置部PASS11向曝光装置14的搬送以及从曝光装置14向基板载置部PASS12的搬送，但是也可以使用多台接口用搬送机构IFR来进行基板W的搬送。

此外，涂布单元BARC，RES、显影处理单元DEV、干燥处理单元DRY、冷却单元CP和加热单元HP的个数也可以相应于各处理区的处理速度来做适当的变更。

在本实施方式中，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、干燥/显影处理区12相当于处理部，接口区13相当于交接部，干燥处理单元DRY，DRYa相当于第一处理单元，边缘曝光部EEW相当于第二处理单元，涂布单元RES相当于第三处理单元，基板载置部PASS9，基板载置部PASS10，基板载置部PASS11，基板载置部PASS12、进给缓冲部SBF和返回缓冲部RBF相当于载置部，第四中央机械手CR4相当于第一搬送单元，接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元，第五中央机械手CR5相当于第三搬送单元。

此外，手部H5相当于第一保持部，手部H6相当于第二保持部，手部CRH9相当于第三保持部，手部CRH10相当于第四保持部，涂布单元BARC，RES和显影处理单元DEV相当于药液处理单元，冷却单元CP和加热单元HP相当于热处理单元。

此外，旋转卡盘621相当于基板保持装置，旋转轴625和卡盘旋转驱动机构636相当于旋转驱动装置，清洗处理用喷嘴650相当于清洗液供给部和冲洗液供给部，干燥处理用喷嘴670，770，870相当于惰性气体供给部。

Claims

1. 一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，该曝光装置是通过液浸法对基板进行曝光处理的装置，其特征在于，该基板处理装置具有：

处理部，其对基板进行处理；

交接部，其用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接，

上述处理部包括对基板进行干燥处理的第一处理单元，

上述交接部包括：

载置部，其暂时载置基板；

第一搬送单元，其在上述处理部和上述载置部之间搬送基板；

第二搬送单元，其在上述载置部和上述曝光装置之间搬送基板；

第三搬送单元，其在上述载置部和上述第一处理单元之间搬送基板，

上述第二搬送单元具有保持基板的第一保持部和第二保持部，

上述第二搬送单元，在从上述载置部向上述曝光装置搬送基板时由上述第一保持部保持基板，在从上述曝光装置向上述载置部搬送基板时由上述第二保持部保持基板，

上述第三搬送单元具有保持基板的第三保持部和第四保持部，

上述第三搬送单元，在从上述第一处理单元向上述载置部搬送基板时由上述第三保持部保持基板，在从上述载置部向上述第一处理单元搬送基板时由上述第四保持部保持基板。

2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设在上述第一保持部的下方。

3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四保持部设在上述第三保持部的下方。

4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部进一步包含对基板进行规定的处理的第二处理单元，上述第一搬送单元在上述处理部、上述第二处理单元和上述载置部之间搬送基板。

5. 如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元包含对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部。

6. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部进一步包含第三处理单元，上述第三处理单元在由上述曝光装置进行曝光处理前在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。

7. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在由上述第一处理单元对上述基板进行干燥处理前，上述第一处理单元进一步对基板进行清洗处理。

8. 如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一处理单元具有：

基板保持装置，其大致水平地保持基板；

旋转驱动装置，其使被上述基板保持装置保持的基板，在与该基板垂直的轴的周围旋转；

清洗液供给部，其向被保持于上述基板保持装置的基板上供给清洗液；

惰性气体供给部，其在通过上述清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。

9. 如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部向基板上供给的清洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。

10. 如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一处理单元进一步具有冲洗液供给部，上述冲洗液供给部在通过上述清洗液供给部供给清洗液之后，且在通过上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。

11. 如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部向基板上供给的冲洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。

12. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部包含对基板进行药液处理的药液处理单元和对基板进行热处理的热处理单元。

13. 一种基板处理方法，其在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中，对基板进行处理，该曝光装置是通过液浸法对基板进行曝光处理的装置，上述基板处理装置具备：具有第一处理单元的处理部、第一搬送单元、具有第一保持部和第二保持部的第二搬送单元、具有第三保持部和第四保持部的第三搬送单元、和载置部，其特征在于，该方法具有以下工序：

由上述处理部对基板进行规定的处理的工序；

将由上述处理部处理的基板由上述第一搬送单元搬送到上述载置部的工序；

由上述第二搬送单元的上述第一保持部保持基板的同时，从上述载置部将基板搬送到上述曝光装置的工序；

由上述第二搬送单元的上述第二保持部保持从上述曝光装置搬出的基板的同时向上述载置部搬送的工序；

由上述第三搬送单元的上述第四保持部保持基板的同时，从上述载置部将基板搬送到上述第一处理单元的工序；

由上述第一处理单元进行基板的干燥处理的工序；

由上述第三搬送单元的上述第三保持部保持从上述第一处理单元搬出的基板的同时向上述载置部搬送的工序；

由上述第一搬送单元从上述载置部将基板搬送到上述处理部的工序。

14. 如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，在由上述第三搬送单元从上述载置部将基板搬送到上述第一处理单元的工序之后，且由上述第一处理单元对基板进行干燥处理的工序之前，进一步具有通过上述第一处理单元对基板进行清洗的工序。