CN1773376B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的基板处理装置具有分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块。以相邻于接口模块的方式配置有曝光装置。接口模块具有含有2个干燥处理单元的干燥处理部和接口用搬送机构。在曝光装置中，在对基板实施了曝光处理后，基板通过接口用搬送机构被搬送到干燥处理部的干燥处理单元。在干燥处理部的干燥处理单元中，进行基板的洗涤和干燥。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板进行各种处理，使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般连续地对一张基板进行多个不同的处理(例如参照JP特开2003-324139号公报)。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块构成。以相邻于接口模块的方式配置有与基板处理装置另设的作为外部装置的曝光装置。
在上述的基板处理装置中，从分度器模块搬入的基板，在反射防止膜用处理模块以及抗蚀膜用处理模块中进行反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂布处理之后，经由接口模块搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口模块被搬送到显影处理模块。通过在显影处理模块中对基板上的抗蚀膜进行显影处理来形成抗蚀图案之后，基板被搬送到分度器模块。
近年来，伴随着设备的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将刻线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上，来进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀图案的微细化有限。
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出浸液法(例如参照国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，投影光学系统和基板间充满液体，能够将基板表面的曝光光波缩短。由此，可将曝光图案进一步微细化。
可是，在上述的投影曝光装置中，因为在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，所以曝光处理后的基板在附着了液体的状态下从投影曝光装置被搬出。
为此，在上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置安装上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置作为外部装置的情况下，附着在从投影曝光装置搬出的基板的液体，落下到基板处理装置内，可能发生基板处理装置的电气系统的异常等的动作不良。
此外，由曝光处理后的水滴残渣、及来自基板上的有机膜的溶出物等，会污染基板，可能在以后的处理工序中发生基板的处理不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，防止在曝光装置中由附着在基板的液体导致的动作不良。
本发明的其他的目的是，提供一种基板处理装置，防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
(1)根据本发明的一方面的基板处理装置是以相邻于曝光装置的方式配置的基板处理装置，具有用于对基板进行处理的处理部，以及用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接的交接部；处理部包括给基板涂布处理液的第一处理单元；交接部包括在通过曝光装置进行曝光处理后使基板干燥的第二处理单元，以及在处理部、曝光装置和第二处理单元之间搬送基板的搬送装置。
本发明提供一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，上述曝光装置通过浸液法对基板进行曝光处理，其特征在于，具有：用于对基板进行处理的处理部，以及用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接的交接部；上述处理部包括向基板涂布处理液的第一处理单元；上述交接部包括：在通过上述曝光装置进行曝光处理后，对基板进行洗涤，然后使基板干燥的第二处理单元，以及在上述处理部、上述曝光装置和上述第二处理单元之间搬送基板的搬送装置；上述第二处理单元具有：基板保持装置，其将基板保持为大致水平，旋转驱动装置，其使被上述基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转，洗涤液供给部，其向被保持于上述基板保持装置的基板上供给洗涤液，惰性气体供给部，其在通过上述洗涤液供给部向基板上供给洗涤液之后，向基板上供给惰性气体。
在该基板处理装置中，在第一处理单元中，在基板上涂布处理液之后，通过搬送装置将基板搬送到曝光装置。在曝光装置中，对基板进行曝光处理之后，通过搬送装置将基板搬送到交接部的第二处理单元。在第二处理单元中，进行基板的干燥处理。实施了干燥处理的基板，通过搬送装置被搬送到处理部。
像这样，曝光处理后的基板，在交接部通过第二处理单元被干燥后，被搬送到处理部。由此，在曝光装置中即使在基板附着了液体，也可以防止该液体落到基板处理装置内。其结果，可以防止基板处理装置的动作不良。
此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留在基板上的液体中。其结果，可以防止形成于基板上的曝光图案变形。
(2)第二处理单元也可以通过向基板上供给惰性气体来使基板干燥。此时，因为使用惰性气体，可以在防止基板上的膜受到化学影响的同时，可靠地让基板干燥。
(3)交接部具有对基板进行规定的处理的第三处理单元以及暂时载置基板的载置部，搬送装置包括在处理部、第三处理单元和载置部之间搬送基板的第一搬送单元以及在载置部、第二处理单元和曝光装置之间搬送基板的第二搬送单元，第二搬送单元也可以将基板从曝光装置搬送到第二处理单元。
此时，在处理部的第一处理单位中，在对基板涂布处理液之后，通过交接部的第一搬送单元，将基板向第三处理单元搬送。在第三处理单元中对基板进行了规定的处理之后，基板通过第一搬送单元搬送到载置部。
其后，基板通过第二搬送单元从载置部被搬送到曝光装置。在曝光装置进行了基板的曝光处理之后，基板通过交接部的第二搬送单元，从曝光装置被搬送到第二处理单元。
在第二处理单元中进行了基板的干燥之后，通过第二搬送单元将基板搬送到载置部。其后，通过第一搬送单元将基板从载置部搬送到处理部。
这样，曝光处理后的基板，在交接部的第二处理单元中被干燥之后，被搬送到载置部。此时，在曝光装置中即使液体附着在基板，也可以防止该液体落到基板处理装置内。其结果，可以防止基板处理装置的动作不良。
(4)第二搬送单元具有保持基板的第一保持部和第二保持部，第二搬送单元在搬送被曝光装置进行曝光处理前的基板时，通过第一保持部保持基板，在搬送由曝光装置进行曝光处理后的基板时，通过第二保持部保持基板。
此时，第一保持部在搬送曝光处理前的未附着有液体的基板时被使用，第二保持部在搬送曝光处理后的附着了液体的基板时被使用。为此，因为液体不附着在第一保持部，所以可以防止液体附着在曝光装置前的基板。由此，可以防止由环境中的尘埃等的附着导致的基板的污染。其结果，可以防止在曝光装置中由解像性能低下导致的处理不良的发生。
(5)第二保持部可以设置在第一保持部的下方。此时，即使从第二保持部和被第二保持部所保持的基板落下液体，液体也不会附着在第一保持部和被第一保持部所保持的基板上。由此，可以可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板上。
(6)第三处理单元可以包含曝光基板的周边部分的边缘曝光部。此时，在边缘曝光部对基板的周边部分进行曝光处理。
(7)第二处理单元可以在干燥基板前进一步进行基板的洗涤。
此时，在曝光时，将附着了液体的基板从曝光装置向第二处理单元搬送期间，即使环境中的尘埃附着在基板，也可以可靠地除去该附着物。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。
(8)第二处理单元可以具有将基板保持为大致水平的基板保持装置、使被基板保持装置保持的基板，在与该基板垂直的轴的周围旋转的旋转驱动装置、在向被保持于基板保持装置的基板上供给洗涤液的洗涤液供给部、以及在通过洗涤液供给部向基板上供给洗涤液之后，向基板上供给惰性气体的惰性气体供给部。
此第二处理单元通过基板保持装置将基板保持为大致水平，通过旋转驱动装置，基板在与该基板垂直的轴的周围旋转。此外，通过洗涤液供给部，向基板上供给洗涤液，接下来，通过惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，因为在使基板旋转的同时向基板上供给洗涤液，基板上的洗涤液通过离心力向基板的周边部分移动并飞散。因此，可以可靠地防止通过洗涤液被除去的尘埃等附着物残留在基板上。此外，因为在使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，高效地排除在基板的洗涤后残留的洗涤液。由此，在能可靠地防止在基板上残留尘埃等附着物的同时，可以可靠地干燥基板。因此，可以可靠地防止曝光后，基板上的处理液的成分溶出到残留在基板上的洗涤液中。其结果，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(9)惰性气体供给部，可以以使由洗涤液供给部向基板上供给的洗涤液从基板上的中心部向外方移动来使上述洗涤液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，因为可以防止洗涤液残留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的洗涤液中。由此，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(10)第二处理单元可以进一步具备漂洗液供给部，该漂洗液供给部在通过洗涤液供给部供给洗涤液之后，在通过惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给漂洗液。
此时，因为可以通过漂洗液可靠地冲掉洗涤液，所以可以可靠地防止在基板上残留尘埃等附着物。
(11)惰性气体供给部，可以以使由漂洗液供给部向基板上供给漂洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述漂洗液从基板上被排除的方式，供给惰性气体。
此时，因为可以防止在基板上的中心部残留漂洗液，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的漂洗液中。由此，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(12)根据本发明的其他的局面的基板处理方法，在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中，对基板进行处理，该基板处理装置具有包含第一处理单元的处理部以及包含搬送装置和第二处理单元的交接部，该方法具备以下工序：在处理部中通过第一处理单元将处理液涂布于基板的工序；在交接部通过搬送装置将基板从处理部搬送到曝光装置的工序；在交接部在由曝光装置进行曝光处理后，将基板通过搬送装置搬送到第二处理单元的工序；在交接部通过第二处理单元进行基板干燥的工序；在交接部将被第二处理单元干燥了的基板通过搬送装置搬送到处理部的工序。
本发明提供一种基板处理方法，在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中对基板进行处理，上述基板处理装置具有包括第一处理单元的处理部和包括搬送装置和第二处理单元的交接部，上述曝光装置通过浸液法对基板进行曝光处理，其特征在于，该方法包括以下工序：在上述处理部，通过上述第一处理单元向基板涂布处理液的工序，在上述交接部，通过上述搬送装置将基板从上述处理部搬送到上述曝光装置的工序，在上述交接部，在由上述曝光装置进行曝光处理后，通过上述搬送装置将基板搬送到上述第二处理单元的工序，在上述交接部，通过上述第二处理单元对基板进行洗涤处理的工序，在上述交接部，通过上述第二处理单元对基板进行干燥处理的工序，在上述交接部，通过上述搬送装置将被上述第二处理单元干燥了的基板搬送到上述处理部的工序；通过上述第二处理单元对基板进行洗涤处理的工序包括：使被基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转的工序，向被保持于上述基板保持装置的基板上供给洗涤液的工序；通过上述第二处理单元对基板进行干燥处理的工序包括：使被基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转的工序，向被保持于上述基板保持装置的基板上供给惰性气体的工序。
在该基板处理方法中，通过处理部的第一处理单元，将处理液涂布到基板。其后，基板通过交接部的搬送装置被搬送到曝光装置。被曝光装置实施了曝光处理的基板，通过搬送装置被搬送到交接部的第二处理单元。在此，通过第二处理单元基板被干燥。被干燥了的基板，通过搬送装置被搬送到处理部。
这样，曝光处理后的基板首先通过交接部的第二处理单元被干燥，所以即使在曝光装置中液体附着在基板，也可以防止该液体落在基板处理装置内。其结果，可以防止基板处理装置的动作不良。
此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的液体中。其结果，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(13)在通过搬送装置将基板搬送到第二处理单元的工序后，在通过第二处理单元进行基板的干燥的工序之前，进一步具有通过第二处理单元进行的基板的洗涤工序。
此时，因为在第二处理单元中，进行曝光后的基板的洗涤，所以在曝光时，即使将附着了液体的基板从曝光装置搬送到第二处理单元的期间环境中的尘埃附着在基板，也可以可靠地除去该附着物。由此，可以可靠地防止基板的处理不良。
(14)根据本发明的另一个局面的基板处理装置是以相邻于曝光装置的方式配置的基板处理装置，具有用于对基板进行处理的处理部，以及用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接的交接部；处理部包括向基板涂布处理液的第一处理单元；交接部包括在由曝光装置进行曝光处理后，通过向基板供给包含液体和气体的混合流体的流体喷嘴，进行基板的洗涤处理的第二处理单元，以及在处理部、曝光装置和第二处理单元之间搬送基板的搬送装置。
在该基板处理装置中，在第一处理单元中在基板上涂布处理液之后，通过搬送装置将基板搬送到曝光装置。在曝光装置中，对基板进行曝光处理之后，通过搬送装置将基板搬送到交接部的第二处理单元。在第二处理单元中，进行基板的洗涤处理。实施了洗涤处理的基板通过搬送装置被搬送到处理部。
像这样，曝光处理后的基板在交接部被第二处理单元洗涤后被搬送到处理部。在第二处理单元中，通过流体喷嘴向基板供给包含气体和液体的混合流体。
此时，因为从流体喷嘴排出的混合流体包含细微的液滴，所以即使在基板表面有凸凹，通过细微的液滴也可以剥离附着在凸凹的污物。由此，可以可靠地除去基板表面的污物。此外，即使基板上的膜的润湿性较低的情况下，因为通过细微的液滴可以剥离基板表面的污物，所以可以可靠地除去基板表面的污物。这些结果，可以可靠地防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
此外，通过调节气体的流量，可容易地调节洗涤基板时的洗涤力。由此，在基板上的膜具有易破损的性质的情况下，通过减弱洗涤力可以防止基板上的膜的破损。此外，在基板表面的污染较为顽固的情况下，通过加强洗涤力可以可靠地除去基板表面的污物。由此，通过对应基板上的膜的性质和污染的程度来调整洗涤力，可以在防止基板上的膜破损的同时，可靠地洗涤基板。
(15)第二处理单元可以通过从流体喷嘴向基板供给包含惰性气体和洗涤液的混合流体来进行基板的洗涤处理。
此时，因为使用惰性气体，在防止对基板上的膜和洗涤液产生化学影响的同时，可以更可靠地除去基板表面的污物。其结果，可以充分地防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
(16)第二处理单元可以在基板的洗涤处理后，进行基板的干燥处理。
这样，曝光处理后的基板在交接部通过第二处理单元进行洗涤和干燥处理之后被搬送到处理部。由此，即使在曝光处理时或基板的洗涤处理时液体附着在基板，也可以防止该液体落在基板处理装置内。其结果，可以防止基板处理装置的动作不良。
此外，在曝光后，可以防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的液体中。其结果，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(17)第二处理单元可以包含惰性气体供给部，其通过向基板上供给惰性气体来进行基板的干燥处理。此时，因为使用惰性气体，所以可以在防止对基板上的膜发生化学影响的同时可靠地让基板干燥。
(18)可以将流体喷嘴作为惰性气体供给部发挥功能。此时，从流体喷嘴向基板上供给惰性气体，进行基板的干燥处理。由此，不需要将惰性气体供给部与流体喷嘴分开设置。其结果，可以用简单的结构可靠地进行基板的洗涤和干燥处理。
(19)第二处理单元可以进一步包含将基板保持为大致水平的基板保持装置，以及使被基板保持装置保持的基板，在与该基板垂直的轴的周围旋转的旋转驱动装置。
在此第二处理单元中，通过基板保持装置将基板保持为大致水平状态，通过旋转驱动装置使基板在与该基板垂直的轴的周围旋转。此外，通过流体喷嘴将包含惰性气体和洗涤液的混合流体供给到基板上，接着，通过惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，因为在使基板旋转的同时，向基板上供给包含惰性气体和洗涤液的混合流体，所以基板上的混合流体通过离心力向基板的周边部分移动并飞散。因此，可以可靠地防止通过混合流体被除去的尘埃等附着物残留在基板上。此外，因为在使基板旋转的同时，向基板上供给惰性气体，所以高效地排出在基板洗涤后残留于基板上的混合流体。由此，可以在可靠地防止尘埃等附着物残留于基板上的同时，可以可靠地让基板干燥。因此，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的混合流体中。其结果，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(20)第二处理单元，可以以使由流体喷嘴向基板上供给的混合流体从基板上的中心部向外方移动来使上述混合流体从基板上除去的方式，供给惰性气体。
此时，因为可以防止混合流体残留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的混合流体中。由此，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案的变形。
(21)第二处理单元可以进一步包含漂洗液供给部，其在从流体喷嘴供给混合流体之后，在通过惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给漂洗液。
此时，因为可以通过漂洗液可靠地冲掉混合流体，所以可以可靠地防止尘埃等附着物残留在基板上。
(22)可以将流体喷嘴作为漂洗液供给部发挥功能。此时，从流体喷嘴向基板上供给漂洗液。由此，不需要将漂洗液供给部与流体喷嘴分开设置。其结果，可以用简单的结构可靠地进行基板的洗涤和干燥处理。
(23)第二处理单元，可以以使由漂洗液供给部向基板上供给的漂洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述漂洗液从基板上除去的方式，供给惰性气体。
此时，因为可以防止漂洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面发生干燥痕迹。此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的漂洗液中。由此，可以可靠地防止形成于基板的曝光图案变形。
(24)流体喷嘴可以具有液体流通的液体流道、气体流通的气体流道、与液体流道连通并开口的液体排出口、以及在液体排出口附近设置的同时与气体流道连通并开口的气体排出口。
此时，在液体流过液体流道并从液体排出口排出的同时，气体流过气体流道并从气体排出口排出，在流体喷嘴的外部，液体和气体被混合。由此，生成雾状的混合流体。
这样，混合流体在流体喷嘴的外部通过混合液体和气体的混合而生成。由此，在流体喷嘴的内部，不需要设置混合液体和气体的空间。其结果，可以使流体喷嘴的小型化。
(25)根据本发明的其他的局面的基板处理方法，在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中，对基板进行处理，该基板处理装置具有包含第一处理单元的处理部和包含搬送装置和第二处理单元的交接部，该方法具备以下工序：在处理部中通过第一处理单元将处理液涂布于基板的工序；在交接部通过搬送装置将基板从处理部搬送到曝光装置的工序；在交接部，在由曝光装置进行曝光处理后，将基板通过搬送装置搬送到第二处理单元的工序；在交接部的第二处理单元中，通过向基板供给包含液体和气体的混合流体的流体喷嘴，进行基板的洗涤的工序；在交接部中将被第二处理单元洗涤了的基板通过搬送装置搬送到处理部的工序。
在该基板处理方法中，通过处理部的第一处理单元，将处理液涂布到基板。其后，基板通过交接部的搬送装置被搬送到曝光装置。被曝光装置实施了曝光处理的基板，通过搬送装置被搬送到交接部的第二处理单元。在此，在第二处理单元中从流体喷嘴向基板供给包含液体和气体的混合流体，由此来洗涤基板。被洗涤了的基板，通过搬送装置被搬送到处理部。
这样，曝光处理后的基板首先在交接部的第二处理单元中，通过从流体喷嘴向基板供给包含气体和液体的混合流体被洗涤。
此时，因为从流体喷嘴排出的混合流体包含细微的液滴，所以即使在基板表面有凸凹，通过细微的液滴也可以剥离附着在凸凹的污物。由此，可以可靠地除去基板表面的污物。此外，即使基板上的膜的润湿性较低的情况下，因为通过细微的液滴可以剥离基板表面的污物，所以可以可靠地除去基板表面的污物。其结果，可以可靠地防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
此外，通过调节气体的流量，可容易地调节洗涤基板时的洗涤力。由此，在基板上的膜具有易破损的性质的情况下，通过减弱洗涤力可以防止基板上的膜的破损。此外，在基板表面的污染较为顽固的情况下，通过加强洗涤力可以可靠地除去基板表面的污物。由此，通过对应基板上的膜的性质和污染的程度来调整洗涤力，可以在防止基板上的膜破损的同时，可靠地洗涤基板。
(26)在通过第二处理单元进行基板的洗涤工序后，在由第二处理单元被洗涤的基板通过搬送装置搬送到处理部的工序之前，可以进一步具有通过第二处理单元进行基板的干燥的工序。
这样，曝光处理后的基板在交接部中通过第二处理单元进行洗涤和干燥处理之后，被搬送到处理部。由此，在曝光处理时或是基板的洗涤处理时，即使液体附着在基板，也可以防止该液体落在基板处理装置内。其结果，可以防止基板处理装置的动作不良。
此外，在曝光后，可以可靠地防止基板上的处理液的成分溶出到残留于基板上的液体中。其结果，可以防止形成于基板的曝光图案的变形。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式涉及的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向看图1的基板处理装置的侧视图。
图3是从-X方向看图1的基板处理装置的侧视图。
图4是用于说明干燥处理单元的结构的图。
图5a、图5b、图5c是用于说明干燥处理单元的动作的图。
图6是洗涤处理用喷嘴和干燥处理用喷嘴一体地设置的情况的示意图。
图7是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。
图8a、图8b、图8c是用于说明在使用图7的干燥处理用喷嘴的情况下的基板的干燥处理方法的图。
图9是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。
图10是表示干燥处理单元的其他例子的示意图。
图11是用于说明在使用图10的洗涤处理单元的情况下的基板的干燥处理方法的图。
图12是用于说明接口用搬送机构的结构和动作的图。
图13是表示用于洗涤和干燥处理的2个流体喷嘴的内部结构的一个例子的纵向剖面图。
图14a、图14b、图14c是用于说明使用图13的2个流体喷嘴的情况下的基板的干燥处理方法的图。
具体实施方式
下面，用图说明本发明的实施方式涉及的基板处理装置。在以下的说明中，将半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁用基板、光掩模用基板等称为基板。
(1)第一实施方式
(1-1)基板处理装置的结构
图1是本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的俯视图。
在图1以后的各个图中，为了明确位置关系，用箭头表示互相正交的X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向在水平面内互相垂直，Z方向相当于铅垂方向。另外，在各个方向中，箭头指向的方向为+方向，其相反方向为-方向。此外，以Z方向为中心旋转的方向为θ方向。
如图1所示那样，基板处理装置500包含，分度器模块9，反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、以及接口模块13。曝光装置14以与接口模块13邻接的方式配置。在曝光装置14中，通过液浸法进行基板W的曝光处理。
以下，将分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12和接口模块13分别称为处理模块。
分度器模块9包含控制各处理模块的动作的主控制器(控制部)30、多个运送器载置台60和分度器机械手IR。在分度器机械手IR设有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理模块10，包含反射防止膜用热处理部100，101、反射防止膜用涂布处理部70和第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂布处理部70隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100，101相对置地设置。在第一中央机械手CR1，上下设有用于交接基板W的手部CRH1，CRH2。
在分度器模块9与反射防止膜用处理模块10之间，设有隔断环境用的隔壁15。在此隔壁15，上下接近地设置有用于在分度器模块9和反射防止膜用处理模块10之间交接基板W的基板载置部PASS1，PASS2。上侧的基板载置部PASS1在从分度器模块9向反射防止膜用处理模块10搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS2在从反射防止膜用处理模块10向分度器模块9搬送基板W的时候被使用。此外，在基板载置部PASS1，PASS2设有检出基板W的有无的光学式的传感器(无图示)。由此，可以判定在基板载置部PASS1，PASS2是否载置有基板W。此外，在基板载置部PASS1，PASS2，设置有被固定设置的多个支承销。另外，上述光学式的传感器和支承销，也同样地设置在后述的基板载置部PASS3～PASS10。
抗蚀膜用处理模块11，包含抗蚀膜用热处理部110，111、抗蚀膜用涂布处理部80和第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂布处理部80，隔着第二中央机械手CR2，与抗蚀膜用热处理部110，111相对置地设置着。在第二中央机械手CR2，上下设有用于交接基板W的手部CRH3，CRH4。
在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间，设有隔断环境用的隔壁16。在此隔壁16，上下接近地设置有用于在反射防止膜用涂布处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间交接基板W的基板载置部PASS3，PASS4。上侧的基板载置部PASS3，在从反射防止膜用处理模块10向抗蚀膜用处理模块11搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS4，在从抗蚀膜用处理模块11向反射防止膜用处理模块10搬送基板W的时候被使用。
显影处理模块12，包含显影用热处理部120，121、显影处理部90和第三中央机械手CR3。显影用热处理部121与接口模块13邻接，如后述那样，具备基板载置部PASS7，PASS8。显影处理部90，隔着第三中央机械手CR3，与显影用热处理部120，121相对置地设置。在第三中央机械手CR3上下设有用于交接基板W的手部CRH5，CRH6。
在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间，设有隔断环境用的隔壁17。在此隔壁17，上下接近地设置有用于在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间交接基板W的基板载置部PASS5，PASS6。上侧的基板载置部PASS5，在从抗蚀膜用处理模块11向显影处理模块12搬送基板W的时候被使用，下侧的基板载置部PASS6，在从显影处理模块12向抗蚀膜用处理模块11搬送基板W的时候被使用。
接口模块13，包含第四中央机械手CR4、缓冲SBF、接口用搬送机构IFR、边缘曝光部EEW和干燥处理部95。此外，在边缘曝光部EEW的下侧，设有后述的返回缓冲RBF1，RBF2和基板载置部PASS9，PASS10。在第四中央机械手CR4，上下设有用于交接基板W的手部CRH7，CRH8。
接口用搬送机构IFR，具有用于交接基板W的手部H5和手部H6。接口用搬送机构IFR，在基板载置部PASS9与曝光装置14之间，曝光装置14与干燥处理部95之间，以及干燥处理部95与基板载置部PASS10之间进行基板W的交接。后面详细地记述接口用搬送机构IFR。
在本实施方式涉及的基板处理装置500中，沿Y方向按顺序并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12和接口模块13。
图2是从+X方向看图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用涂布处理部70(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元BARC。各涂布单元BARC具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘71和向被保持在旋转卡盘71的基板W供给反射防止膜的涂布液的供给喷嘴72。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用涂布处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元RES。各涂布单元RES具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘81和向被保持在旋转卡盘81的基板W供给抗蚀膜的涂布液的供给喷嘴82。
在显影处理模块12的显影处理部90，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV，具备以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘91和向被保持在旋转卡盘91的基板W供给显影液的供给喷嘴92。
在接口模块13内的显影处理模块12侧，上下层叠配置有2个边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF1，RBF2和基板载置部PASS9，PASS10的同时，配置有第四中央机械手CR4。各边缘曝光部EEW具有以水平姿态吸附保持并旋转基板W的旋转卡盘98和将被保持在旋转卡盘98的基板W的周边曝光的光照射器99。
此外，在接口模块13内的曝光装置14侧，设置有干燥处理部95的同时，配置有接口用搬送机构IFR和缓冲器SBF(参照图1)。在干燥处理部95上下层叠配置有2个干燥处理单元DRY。在干燥处理单元DRY进行基板W的洗涤和干燥处理。干燥处理单元DRY的详细情况在后面记述。
图3是从-X方向看图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用热处理部100上下层叠配置有2个带有交接部的热处理单元PHP(以下仅称为“热处理单元”)和3个加热板HP，在反射防止膜用热处理部101上下层叠配置有2个粘结强化剂涂布处理部AHL和4个冷却板CP。此外，在反射防止膜用热处理部100，101分别配置有在最上部控制热处理单元PHP、加热板HP、粘结强化剂涂布处理部AHL和冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用热处理部110上下层叠配置有6个热处理单元PHP，在抗蚀膜用热处理部111上下层叠配置有4个冷却板CP。此外，在抗蚀膜用热处理部110，111分别配置有在最上部控制热处理单元PHP和冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在显影处理模块12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个加热板HP和4个冷却板CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有5个热处理单元PHP、基板载置部PASS7，PASS8和冷却板CP。此外，在显影用热处理部120，121分别配置有在最上部控制热处理单元PHP、加热板HP和冷却板CP的温度的局部控制器LC。
(1-2)基板处理装置的动作
说明本实施方式涉及的基板处理装置500的动作。
在分度器模块9的运送器载置台60上，搬入多极容纳多张基板W的运送器C。分度器机械手IR，使用用于交接基板W的手部IRH，将收纳在运送器C内的未处理基板W取出。其后，分度器机械手IR向±X方向移动的同时，向±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移动并载置于基板载置部PASS1。
在本实施方式中，虽然采用FOUP(front opening unified pod：晶圆传送盒)做为运送器C，但不仅限于此，也可以使用将SMIF(Standard MechanicalInter Face：标准机械界面晶圆)盒或将容纳基板W曝露于外部气体的OC(opencassette：开放式晶元匣)等。而且，在分度器机械手IR、第一～第四中央机械手CR1～CR4和接口用搬送机构IFR，虽然分别使用使其相对基板W做直线滑动来做手部的进退动作的直动型搬送机械手，但不仅限于此，也可以使用通过活动关节，直线地做手部的进退动作的多关节型搬送机械手。
移动载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W，通过反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH1来接收。第一中央机械手CR1通过手部CRH1将基板W搬入反射防止膜用热处理部100，101。其后，第一中央机械手CR1通过手部CRH2从反射防止膜用热处理部100，101将完成热处理的基板W取出，搬入反射防止膜用涂布处理部70。在此反射防止膜用涂布处理部70，为了减少在曝光时发生的驻波和光晕，通过涂布单元BARC在光致抗蚀剂膜的下部涂布形成反射防止膜。
其后，第一中央机械手CR1通过手部CRH1从反射防止膜用涂布处理部70，将完成涂布处理的基板W取出，搬入反射防止膜用热处理部100，101。
接着，第一中央机械手CR1通过手部CRH2从反射防止膜用热处理部100，101将完成热处理的基板W取出，移动载置到基板载置部PASS3。
移动载置于基板载置部PASS3的基板W，通过抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH3来接收。第二中央机械手CR2通过手部CRH3将基板W搬入抗蚀膜用热处理部110，111。其后，第二中央机械手CR2通过手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110，111将完成热处理的基板W取出，搬入抗蚀膜用涂布处理部80。在此抗蚀膜用涂布处理部80，通过涂布单元RES在涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布形成光致抗蚀膜。
其后，第二中央机械手CR2通过手部CRH3从抗蚀膜用涂布处理部80，将完成涂布处理的基板W取出，搬入抗蚀膜用热处理部110，111。
接着，第二中央机械手CR2，由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110，111将完成热处理的基板W取出，移动载置到基板载置部PASS5。
移动载置于基板载置部PASS5的基板W，通过显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH5来接收。第三中央机械手CR3通过手部CRH5将基板W移动载置于基板载置部PASS7。移动载置于基板载置部PASS7的基板W，通过接口模块13的第四中央机械手CR4上侧的手部CRH7来接收。第四中央机械手CR4通过手部CRH7将基板W搬入边缘曝光部EEW。在此边缘曝光部EEW，对基板W的周边部分实施曝光处理。
并且，第四中央机械手CR4通过手部CRH7从边缘曝光部EEW，将完成边缘曝光处理的基板W取出。其后，第四中央机械手CR4通过手部CRH7将基板W移动载置到基板载置部PASS9。
移动载置于基板载置部PASS9的基板W，通过接口用搬送机构IFR搬入到曝光装置14。在曝光装置14，对基板W实施曝光处理之后，接口用搬送机构IFR从曝光装置14接到基板W，将接到的基板W搬入到干燥处理部95的干燥处理单元DRY。另外，关于接口用搬送机构IFR的详细情况随后描述。
在干燥处理单元DRY对基板W实施洗涤和干燥处理之后，接口用搬送机构IFR，将基板W移动载置到基板载置部PASS10。
移动载置于基板载置部PASS10的基板W，通过接口模块13的第四中央机械手CR4下侧的手部CRH8来接收。第四中央机械手CR4通过手部CRH8将基板W搬入显影处理模块12的显影用热处理部121。在显影用热处理部121，对基板W实施热处理。其后，第四中央机械手CR4通过手部CRH8从显影用热处理部121，将基板W取出，移动载置到基板载置部PASS8。
移动载置于基板载置部PASS8的基板W，通过显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH6来接收。第三中央机械手CR3通过手部CRH6将基板W搬入显影处理部90。在显影处理部90，对曝光了的基板W实施显影处理。
其后，第三中央机械手CR3通过手部CRH5从显影处理部90，将完成显影处理的基板W取出，搬入显影用热处理部120。
接着，第三中央机械手CR3通过手部CRH6从显影用热处理部120，将热处理后的基板W取出，移动载置到设置在抗蚀膜用处理模块11的基板载置部PASS6。
另外，由于故障等在显影处理部90暂时不能进行基板W的显影处理时，在显影用热处理部121实施基板W的热处理之后，可以将基板W暂时收纳保管在接口模块13的返回缓冲部RBF1。
移动载置于基板载置部PASS6的基板W，通过抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH4移动载置到基板载置部PASS4。移动载置于基板载置部PASS4的基板W，通过反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH2移动载置到基板载置部PASS2。
移动载置于基板载置部PASS2的基板W，通过分度器模块9的分度器机械手IR收纳于运送器C内。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(1-3)干燥处理单元
在此，使用附图详细地说明上述的干燥处理单元DRY。
(1-3a)干燥处理单元的结构
首先，说明干燥处理单元DRY的结构。图4是用于说明干燥处理单元DRY的结构的图。
如图4所示，干燥处理单元DRY具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621在将基板W保持为水平的同时，以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴为中心使基板W旋转。
旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636旋转的旋转轴625的上端。此外，在旋转卡盘621形成吸气通路(未图示)，在基板W载置于旋转卡盘621上的状态使吸气通路内排气，由此基板W的下面真空吸附在旋转卡盘621，可以将基板W保持在水平状态。
在旋转卡盘621的外方，设有第一转动马达660。在第一转动马达660连接有第一转动轴661。此外，在第一转动轴661以向水平方向延伸的方式连接有第一臂662。在第一臂662的前端设有洗涤处理用喷嘴650。
通过第一转动马达660，在第一转动轴661旋转的同时第一臂662转动，洗涤处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第一转动马达660、第一转动轴661和第一臂662内部的方式设置洗涤处理用供给管663。洗涤处理用供给管663，经由阀Va和阀Vb连接到洗涤液供给源R1和漂洗液供给源R2。通过控制此阀Va，Vb的开关，可以调整向洗涤处理用供给管663供给处理液的选择和供给量。在图4的结构中，通过打开阀Va，可以向洗涤处理用供给管663供给洗涤液，通过打开阀Vb，可以向洗涤处理用供给管663供给漂洗液。
在洗涤处理用喷嘴650，洗涤液或是漂洗液，通过洗涤处理用供给管663，从洗涤液供给源R1或是漂洗液供给源R2被供给。由此，可以向基板W的表面供给洗涤液或是漂洗液。作为洗涤液，使用例如纯水、络化物(离子化物质)溶于纯水的溶液或是氟化类药液等。作为漂洗液，可以使用纯水、碳酸水、氢水、电解离子水和HFE(氢氟醚)的任意一种。
在旋转卡盘621的外方，设有第二转动马达671。在第二转动马达671连接有第二转动轴672。此外，在第二转动轴672，以向水平方向延伸的方式连接有第二臂673，在第二臂673的前端设有干燥处理用喷嘴670。
通过第二转动马达671，第二转动轴672旋转的同时，第二臂673转动，干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621被保持的基板W的上方。
以通过第二转动马达671、第二转动轴672和第二臂673内的方式设置干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674，经由阀Vc连接到惰性气体供给源R3。通过控制此阀Vc的开关，可以进行向干燥处理用供给管674供给惰性气体的供给量的调整。
在干燥处理用喷嘴670，通过干燥处理用供给管674从惰性气体供给源R3供给惰性气体。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。例如作为惰性气体可以使用氮气(N2)。
在向基板W的表面供给洗涤液或漂洗液时，洗涤处理用喷嘴650位于基板的上方，在向基板W的表面供给惰性气体时，洗涤处理用喷嘴650退避到规定的位置。
此外，在向基板W的表面供给洗涤液或漂洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，在向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
被保持在旋转卡盘621的基板W，被收容在处理筒623内。在处理筒623的内侧，设有筒状的分隔壁633。此外，以包围旋转卡盘621的周围的方式，形成排液空间631，该排液空间631用于排出在基板W的处理中使用了的处理液(洗涤液或是漂洗液)。进而，以包围排液空间631的方式，在处理筒623和分隔壁633之间，形成回收液空间632，该回收液空间632用于回收在基板W的处理中使用了的处理液。
在排液空间631连接有排液管634，该排液管634用于向排液处理装置(未图示)导入处理液，在回收液空间632连接有回收管635，该回收管635用于向回收处理装置(未图示)导入处理液。
在处理筒623的上方，设有防护装置624，该防护装置624用于防止从基板W来的处理液向外方分散。此防护装置624由相对旋转轴625旋转对称的形状形成。在防护装置624的上端部的内面，环状地形成有断面呈ㄑ字形状的排液导向槽641。
在防护装置624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面形成的回收液导向部642。在回收液导向部642的上端附近，形成有分隔壁收纳槽643，该分隔壁收纳槽643用于接纳处理筒623的分隔壁633。
在此防护装置624，设有用滚珠螺杆机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构让防护装置624在回收位置和排液位置之间上下移动，该回收位置为回收液导向部642与保持在旋转卡盘621的基板W的外周端面相对置的位置，该排液位置为排液导向槽641与保持在旋转卡盘621的基板W的外周端面相对置的位置。防护装置624位于回收位置(图4所示防护装置的位置)的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过回收液导向部642导入回收液空间632，通过回收管635被回收。相反，防护装置624位于排液位置的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过排液导向槽641导入排液空间631，通过排液管634被排出。通过以上的结构，进行处理液的排液和回收。
(1-3b)干燥处理单元的动作
接着，说明具有上述结构的干燥处理单元DRY的处理动作。另外，下面说明的干燥处理单元DRY的各结构要素的动作，由图1的主控制器30控制。
首先，在搬入基板W时，在防护装置624下降的同时，图1的接口用搬送机构IFR将基板W载置于旋转卡盘621。载置于旋转卡盘621上的基板W被旋转卡盘621吸附保持着。
接着，在防护装置624被移动到上述的废液位置的同时，洗涤处理用喷嘴650移动到基板W的中心部上方。其后，旋转轴625旋转，随着此旋转保持于旋转卡盘621的基板W旋转。其后，从洗涤处理用喷嘴650向基板W的上面排出洗涤液。由此，进行基板W的洗涤。另外，向基板W上的洗涤液的供给，也可以通过使用了2个流体喷嘴的软性喷涂方式进行。使用2个流体喷嘴的情况的干燥处理单元DRY的例子，在第二实施方式中进行说明。
经过规定时间后，停止洗涤液的供给，从洗涤处理用喷嘴650排出漂洗液。由此，冲洗掉基板W上的洗涤液。
再经过规定时间后，旋转轴625的旋转速度降低。由此，减少由基板W的旋转甩掉的漂洗液的量，如图5a所示那样，在基板W的表面全体形成漂洗液的液层L。另外，也可以使旋转轴625的旋转停止，在基板W的表面全体形成漂洗液的液层L。
在本实施方式中，虽然为了能让洗涤液和漂洗液的任意一种从洗涤处理用喷嘴650被供给，采用了洗涤液的供给和漂洗液的供给共用洗涤处理用喷嘴650的结构，但是也可以采用洗涤液供给用的喷嘴和漂洗液供给用的喷嘴分开的结构。
此外，在供给漂洗液的情况下，为了使漂洗液不流入基板W的背面，可以相对基板W的背面，从未图示的背部漂洗用喷嘴供给纯水。
另外，在使用纯水作为洗涤基板W的洗涤液的情况下，不需要供给漂洗 液。
接下来，停止供给漂洗液，在洗涤处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴670排出惰性气体。由此，如图5b所示那样，基板W的中心部的漂洗液向基板W的周边部分移动，成为只在基板W的周边部分存在液层L的状态。
接着，在旋转轴625(参照图4)的旋转数上升的同时，如图5c所示那样，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部分上方缓缓移动。由此，在大的离心力作用于基板W上的液层L的同时，因为惰性气体喷在基板W的表面全体，所以可以可靠地除去基板W上的液层L。其结果，可以可靠地使基板W干燥。
接着，停止供给惰性气体，在干燥处理用喷嘴670退避到规定位置的同时，停止旋转轴625的旋转。其后，在防护装置624下降的同时，图1的接口用搬送机构IFR将基板W从干燥处理单元DRY搬出。由此，完成在干燥处理单元DRY中的处理动作。
另外，洗涤和干燥处理中的防护装置624的位置，最好按处理液的回收或废液的必要性进行适宜地变更。
(1-3c)干燥处理单元的其他例子
此外，在图4所示的干燥处理单元DRY中，虽然个别地设有洗涤处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，但是也可以如图6所示那样，将洗涤处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670设置为一个整体。此时，由于在基板W的洗涤处理时或是干燥处理时没有需要分别移动洗涤处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，所以可以简化驱动结构。
此外，作为干燥处理用喷嘴670的替代物，可以使用如图7所示那样的干燥处理用喷嘴770。
图7的干燥处理用喷嘴770具有向铅垂下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端和分支管771、772的下端，形成有排出惰性气体的气体排出口770a、770b、770c。从各排出口770a、770b、770c，分别如图7的箭头所示那样地向铅垂下方和斜下方排出惰性气体。就是说，在干燥处理用喷嘴770，朝向下方扩大喷射范围那样地排出惰性气体。
在此，在使用干燥处理用喷嘴770的情况下，洗涤/干燥处理单元SD，按照以下说明的动作进行基板W的干燥处理。
图8a～图8c是用于说明在使用干燥处理用喷嘴770的情况下的基板W的干燥处理方法的图。
首先，通过在图6说明的方法在基板W的表面形成了液层L之后，如图8a所示那样，干燥处理用喷嘴770移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴770排出惰性气体。由此，如图8b所示那样，基板W的中心部的漂洗液移动到基板W的周边部分，成为只在基板W的周边部分存在液层L的状态。另外，此时，干燥处理用喷嘴770，接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的漂洗液可靠地移动。
接着，在旋转轴625(参照图4)的旋转数上升的同时，如图8c所示那样地，干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，大的离心力作用于基板W上的液层L的同时，扩大基板W上的惰性气体的喷射范围。其结果，可以可靠地除去基板W上的液层L。另外，通过设置在图4的第二转动轴672的旋转轴升降机构(未图示)使第二转动轴672上下升降，可以使干燥处理用喷嘴770上下移动。
此外，作为干燥处理用喷嘴770的替代物，可以使用如图9所示那样的干燥处理用喷嘴870。图9的干燥处理用喷嘴870，具有向下方直径逐渐扩大的排出口870a。从此排出口870a，如图9所示的箭头所示那样地向铅垂下方和斜下方排出惰性气体。就是说，即使是干燥处理用喷嘴870，也可以与图7的干燥处理用喷嘴770相同地，朝向下方扩大喷射范围那样地排出惰性气体。因此，使用干燥处理用喷嘴870的情况下，可以通过与使用干燥处理用喷嘴770相同的方法进行基板W的干燥处理。
此外，作为图4所示的干燥处理单元DRY的替代物，可以使用如图10所示那样的干燥处理单元DRYa。
图10所示的干燥处理单元DRYa与图4所示的干燥处理单元DRY相比有以下的不同点。
在图10的干燥处理单元DRYa中，在旋转卡盘621的上方，设有在中心部具有开口的圆板状遮断板682。从臂688的前端向铅垂向下方向设有支承轴689，在此支承轴689的下端，遮断板682以与保持在旋转卡盘621的基板W的上面相对置的方式被安装。
在支承轴689的内部，插通有连通到遮断板682的开口的气体供给路690。在气体供给路690供给例如氮气气体(N2)。
在臂688连接有遮断板升降驱动机构697和遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在接近保持于旋转卡盘621的基板W的上面的位置、与从旋转卡盘621向上方的离开的位置之间上下移动。
在图10的干燥处理单元DRYa中，在基板W的干燥处理时，如图1所示那样，在遮断板682接近基板W的状态，对基板W和遮断板682之间的间隙，从气体供给路690供给惰性气体。此时，因为可以从基板W的中心部向周边部分高效地供给惰性气体，所以可以可靠地除去基板W上的液层L。
此外，在上述实施方式中，虽然在干燥处理单元DRY中，通过旋转干燥方法，对基板W实施干燥处理，但是也可以通过减压干燥方法、吹拂器干燥方法等其他的干燥方法对基板W实施干燥处理。
此外，在上述实施方式中，虽然在形成漂洗液的液层L的状态，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但是在未形成漂洗液的液层L的情况下，或是未使用漂洗液的情况下，使基板W旋转，一旦甩干洗涤液的液层之后，可以立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，使基板W完全干燥。
(1-3d)干燥处理单元的效果
如上所述，在本实施方式涉及的基板处理装置500的接口模块13中，形成了光致抗蚀剂膜的基板W通过接口用搬送机构IFR被搬入到曝光装置14，实施了曝光处理的基板W通过接口用搬送机构IFR被搬入到干燥处理单元DRY。通过干燥处理单元DRY进行基板W的干燥处理。
由此，即使在曝光装置中，液体附着在基板W，也可以防止该液体落到基板处理装置500内。其结果，可以防止基板处理装置500的动作不良。
此外，在干燥处理单元DRY中，在使基板W旋转的同时，从基板W的中心部向周边部分喷射惰性气体，由此进行基板W的干燥处理。此时，因为可以除去基板W上的洗涤液和漂洗液，所以可以可靠地防止环境中的尘埃等附着在洗涤后的基板W。由此，在可以可靠地防止基板W的污染的同时，可以防止在基板W的表面产生干燥痕迹。
此外，因为可以可靠地防止洗涤液和漂洗液残留在洗涤后的基板W，所以在从干燥处理单元DRY向显影处理部90搬送基板W期间，可以可靠地防止抗蚀成分溶出到洗涤液和漂洗液中。由此，可以防止形成于抗蚀膜的曝光图案的变形。其结果，可以可靠地防止显影处理时线宽精度的低下。
此外，在干燥处理单元DRY中，在基板W的干燥处理前进行基板W的洗涤处理。此时，曝光时附着了液体的基板W，在从曝光装置14被搬送到干燥处理单元DRY期间，即使在该基板W附着了环境中的尘埃等，也可以可靠地除去该附着物。
其结果，可以可靠地防止基板W的处理不良。
(1-4)接口用搬送机构
接着，说明接口用搬送机构IFR。图12是用于说明接口用搬送机构IFR的结构和动作的图。
(1-4a)接口用搬送机构的结构和动作
首先，说明接口用搬送机构IFR的结构。如图12所示，在接口用搬送机构IFR的固定台21，在±θ方向可自由旋转并且在±Z方向可自由升降地装载有手部支承台24。手部支承台24经由旋转轴25连接在固定台21内的马达M2，通过此马达M2旋转手部支承台24。在手部支承台24，可自由进退地上下设置有将基板W保持为水平姿态的2个手部H5、H6。
说明接口用搬送机构IFR的动作。接口用搬送机构IFR的动作，通过图1的主控制器30来进行控制。
开始，接口用搬送机构IFR在使手部支承台24旋转的同时向+Z方向上升，使上侧的手部H5进入基板载置部PASS9。在基板载置部PASS9，手部H5一接到基板W，接口用搬送机构IFR就让手部H5从基板载置部PASS9后退出来。
接着，接口用搬送机构IFR在使手部支承台24旋转的同时，使手部支承台24在±Z方向上升或下降。并且，接口用搬送机构IFR，让保持基板W的手部H5进入到曝光装置14的基板搬入部14a(参照图1)。将基板W搬入基板搬入部14a后，接口用搬送机构IFR就让手部H5从基板搬入部14a后退出来。
接下来，接口用搬送机构IFR让下侧的手部H6进入到曝光装置14的基板搬入部14b(参照图1)。在基板搬入部14b，手部H6一接到曝光处理后的基板W，接口用搬送机构IFR就让手部H6从基板搬入部14b后退出来。
其后，接口用搬送机构IFR在使手部支承台24旋转的同时，使手部支承台24在±Z方向上升或下降。在此，接口用搬送机构IFR，让保持基板W的手部H6进入到2个干燥处理单元DRY中的一个。基板W搬入干燥处理单元DRY后，接口用搬送机构IFR就让手部H6从干燥处理单元DRY后退出来。
在此，接口用搬送机构IFR，使手部支承台24在±Z方向上升或下降。手部H5进入到2个干燥处理单元DRY中的另一个。在干燥处理单元DRY中，一接到干燥处理后的基板W，接口用搬送机构IFR就让手部H5从干燥处理单元DRY后退出来。
并且，接口用搬送机构IFR在使手部支承台24旋转的同时，在±Z方向上升或下降。在此，让保持基板W的手部H5进入到基板载置部PASS10，将基板W移动载置到基板载置部PASS10。
另外，将基板W从曝光装置14搬送到干燥处理单元DRY期间，在干燥处理单元DRY不能接纳基板W的情况下，基板W被暂时收纳保管在返回缓冲RBF2。
此外，将基板W从基板载置部PASS9搬送到曝光装置14期间，在曝光装置14不能接纳基板W的情况下，基板W被暂时收纳保管在缓冲SBF。
(1-4b)接口用搬送机构的效果
如上所述，在本实施方式中，将基板W从基板载置部PASS9向曝光装置14搬送的期间和从干燥处理单元DRY向基板载置部PASS10搬送的期间，使用接口用搬送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置14向干燥处理单元DRY的搬送期间使用手部H6。即，使用手部H6搬送附着了曝光处理后的液体的基板W，使用手部H5搬送曝光处理前的没有附着液体的基板W。因此，基板W的液体不会附着在手部H5。
此外，由于手部H6设置在手部H5的下方，即使从手部H6和由其所保持的基板W落下液体，也不会在手部H5和由其所保持的基板W附着液体。
由此，因为防止了液体附着到曝光处理前的基板W，所以可以防止由环境中的尘埃等附着而产生的对基板W的污染。由此，可以防止在曝光装置14中由解像性能低下导致的处理不良的发生。
(1-4c)第一实施方式的变形例
另外，在本实施方式中，虽然通过一台接口用搬送机构IFR，进行从基板载置部PASS9向曝光装置14的搬送，从曝光装置14向干燥处理单元DRY的搬送和从干燥处理单元DRY向基板载置部PASS10的搬送，但是也可以使用多个接口用搬送机构IFR进行基板W的搬送。
此外，干燥处理单元DRY的个数也不仅限于2个，也可以相应于各处理模块的处理速度做适当的变更。
此外，对应曝光装置14的基板搬入部14a和基板搬入部14a的位置，也可以变更接口用搬送机构IFR的动作和结构。例如，曝光装置14的基板搬入部14a和基板搬入部14b在不位于与基板载置部PASS9、PASS10相对置的位置的情况下，也可以将固定台21变为可动式的。
(2)第二实施方式
(2-1)使用2个流体喷嘴的干燥处理单元
第二实施方式涉及的基板处理装置与第一实施方式涉及的基板处理装置不相同的地方是，在干燥处理单元DRY中，用图13所示那样的2个流体喷嘴替代图4的洗涤处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670。第二实施方式涉及的基板处理装置的其他部分的结构与第一实施方式涉及的基板处理装置相同。
图13是表示用于洗涤和干燥处理的2个流体喷嘴950的内部结构的一个例子的纵向剖面图。从2个流体喷嘴950可以有选择性地排出气体、液体、以及气体和液体的混合流体。
本实施方式的2个流体喷嘴950被称为外部混合型。如图13所示的外部混合型的2个流体喷嘴950，通过内部主体部311和外部主体部312构成。内部主体部311例如由石英等构成，外部主体部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等氟化树脂构成。
沿内部主体部311的中心轴形成液体导入部311b。在液体导入部311b安装有图4的洗涤处理用供给管663。由此，从洗涤处理用供给管663供给的洗涤液或漂洗液被导入液体导入部311b。
在内部主体部311的下端，形成有连通液体导入部311b的液体排出口311a。内部主体部311插入到外部主体部312内。另外，内部主体部311和外部主体部312的上端部相互接合，而下端未接合。
在内部主体部311和外部主体部312之间，形成有圆筒状的气体通过部312b。在外部主体部312的下端，形成有与气体通过部312b连通的气体排出口312a。在外部主体部312的周壁，安装有与气体通过部312b连通那样的图4的干燥处理用供给管674。由此，从干燥处理用供给管674供给的惰性气体被导入气体通过部312b。
气体通过部312b在气体排出口312a附近，越向下方直径变得越小。其结果，能加速惰性气体的流速，由气体排出口312a排出。
从液体排出口311a排出的洗涤液和从气体排出口312a排出的惰性气体在2个流体喷嘴950的下端附近的外部混合，生成包含洗涤液的细微液滴的雾状的混合流体。
图14是用于说明使用图13的2个流体喷嘴的情况下的基板W的干燥处理方法的图。
首先，如图4所示那样，基板W通过旋转卡盘621被吸附保持着，随着旋转轴625的旋转而旋转。此时，旋转轴625的旋转速度为例如约500rpm。
在此状态，如图14a所示那样，从2个流体喷嘴950排出由洗涤液和惰性气体形成的雾状的混合流体到基板W上面的同时，2个流体喷嘴950从基板W的中心部上方向周边部分上方徐徐移动。由此，从2个流体喷嘴950喷射混合流体到基板W的表面全体，进行基板W的洗涤。
从2个流体喷嘴950排出的混合流体含有洗涤液的细微的液滴，所以即使在基板W表面有凸凹，通过洗涤液的细微的液滴可以将附着在凸凹的污物剥离。由此，可以可靠地除去基板W表面的污物。此外，即使基板W上的膜的润湿性较低，因为通过洗涤液的细微的液滴能剥离基板W表面的污物，所以可以可靠地除去基板W表面的污物。
此外，通过调节惰性气体的流量，可以容易地调节洗涤基板W的洗涤力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜和抗蚀盖膜)具有易破损的性质的情况下，通过减弱洗涤力可以防止基板W上的有机膜破损。此外，在基板W表面的污物较为顽固的情况下，通过加强洗涤力可以可靠地除去基板W表面的污物。这样，通过对应基板W上的有机膜的性质和污染的程度来调整洗涤力，可以在防止基板W上的有机膜破损的同时，可靠地洗涤基板W。
接着，如图14b所示那样，在停止混合流体的供给，降低旋转轴625的旋转速度的同时，在基板W上，从2个流体喷嘴950排出漂洗液。此时，旋转轴625的旋转速度为例如约10rpm。由此，在基板W的表面全体形成漂洗液的液层L。另外，也可以使旋转轴625停止旋转，在基板W的表面全体形成液层L。此外，在用纯水作为洗涤基板W的混合流体中的洗涤液的情况下，不供给漂洗液也可以。
形成液层L之后，停止供给漂洗液。接着，如图14c所示那样，从2个流体喷嘴950向基板W上排出惰性气体。由此，基板W的中心部的洗涤液移动到基板W的周边部分，成为只在基板W的周边部分存在液层L的状态。
其后，旋转轴625的旋转速度上升。此时，旋转轴625的旋转速度为例如约100rpm。由此，因为有大的离心力作用在基板W上的液层L，所以可以除去基板W上的液层L。其结果，基板W被干燥。
另外，在除去基板W上的液层L时，2个流体喷嘴950也可以从基板W的中心部上方向周边部分上方徐徐移动。由此，因为可以向基板W的表面全体喷射惰性气体，所以可以可靠地除去基板W上的液层L。其结果，可以可靠地干燥基板W。
(2-2)使用2个流体喷嘴的干燥处理单元的其他例子
另外，在使用图13的2个流体喷嘴950的情况下，通过2个流体喷嘴950向基板W供给漂洗液，但是也可以使用别的喷嘴向基板W供给漂洗液。
此外，在使用图13的2个流体喷嘴950的情况下，在除去基板W上的液层L时，虽然通过2个流体喷嘴950向基板W供给惰性气体，但是也可以使用别的喷嘴向基板W供给惰性气体。
(2-3)第二实施方式的效果
在第二实施方式涉及的基板处理装置500的接口模块13中，形成了光致抗蚀剂膜的基板W通过接口用搬送机构IFR被搬送到曝光装置14，实施了曝光处理的基板W通过接口用搬送机构IFR被搬送到干燥处理单元DRY。通过干燥处理单元DRY进行基板W的洗涤处理。此时，在曝光处理后，附着在基板W的水滴残渣和来自基板W上的有机膜的溶出物等，在干燥处理单元DRY中，被从2个流体喷嘴950向基板W供给的洗涤液和惰性气体的混合流体除去。
因为从2个流体喷嘴950排出的混合流体包含洗涤液的细微的液滴，所以即使基板W表面有凸凹，通过洗涤液的细微的液滴能剥离附着于凸凹的污物。由此，可以可靠地除去基板W表面的污物。此外，即使基板W上的膜的润湿性较低的情况下，由于通过洗涤液的细微的液滴能剥离基板W表面的污物，所以可以可靠地除去基板W表面的污物。其结果，可以防止由曝光处理后的基板的污染导致的基板的处理不良。
此外，通过调节惰性气体的流量，可以容易地调节洗涤基板W时的洗涤力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜和抗蚀盖膜)具有易破损的性质的情况下，通过减弱洗涤力可以防止基板W上的有机膜破损。此外，在基板W表面的污物较为顽固的情况下，通过加强洗涤力可以可靠地除去基板W表面的污物。这样，通过对应基板W上的有机膜的性质和污染的程度来调整洗涤力，可以在防止基板W上的有机膜破损的同时，可靠地洗涤基板W。
此外，在干燥处理单元DRY中，在基板W的洗涤处理后进行基板的干燥处理。由此，即使在基板的洗涤处理时，在基板W附着了洗涤液，也可以防止该洗涤液落到基板处理装置500内。其结果，可以防止基板处理装置500的动作不良。
此外，在干燥处理单元DRY中，在使基板W旋转的同时从基板W的中心部向周边部分喷射惰性气体，由此进行基板W的干燥处理。此时，因为可以可靠地除去基板W上的洗涤液和漂洗液，所以可以可靠地防止环境中的尘埃等附着在洗涤后的基板W。由此，在能可靠地防止基板W污染的同时，可以防止在基板W的表面发生干燥痕迹。
此外，由于可以可靠地防止在洗涤后的基板W残留洗涤液和漂洗液，所以在基板W从干燥处理单元DRY被搬送到显影处理部90的期间，可以可靠地防止抗蚀成分溶出到洗涤液和漂洗液中。由此，可以防止形成于抗蚀膜的曝光图案的变形。其结果，可以可靠地防止显影处理时线宽精度的低下。
这些结果，可以可靠地防止基板W的处理不良。
此外，在第二实施方式中，使用外部混合型的2个流体喷嘴950。在外部混合型的2个流体喷嘴950中，通过在2个流体喷嘴950的外部混合洗涤液和惰性气体来生成混合流体。在2个流体喷嘴950的内部，惰性气体和洗涤液分别以不同的流道被区分来流通。由此，洗涤液不残留在气体通过部312b内，可以将惰性气体单独从2个流体喷嘴950排出。进而，通过从洗涤处理用供给管663供给漂洗液，可以从2个流体喷嘴950单独排出漂洗液。因此，可从2个流体喷嘴950选择性地排出混合流体、惰性气体和漂洗液。
此外，在使用2个流体喷嘴950的情况下，不需要分别单独设置用于对基板W供给洗涤液和漂洗液的喷嘴和用于对基板W供给惰性气体的喷嘴。由此，可以用简单的结构可靠地进行基板W的洗涤和干燥。
(3)实施方案的各个构成要素和实施方式的各部分的对应
在本实施方式中，反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12相当于处理部，接口模块13相当于交接部，涂布单元RES相当于第一处理单元，干燥处理单元DRY、DRYa相当于第二处理单元，边缘曝光部EEW相当于第三处理单元，基板载置部PASS9、10相当于载置部，第四中央机械手CR4相当于第一搬送单元，接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元。
此外，手部H5相当于第一保持部，手部H6相当于第二保持部。
此外，旋转卡盘621相当于基板保持装置，旋转轴625和卡盘旋转驱动机构636相当于旋转驱动装置，洗涤处理用喷嘴650相当于洗涤液供给部和漂洗液供给部，干燥处理用喷嘴670，770，870相当于惰性气体供给部。
此外，2个流体喷嘴950相当于流体喷嘴，液体导入部311b相当于液体流道，气体通过部312b相当于气体流道。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，上述曝光装置通过浸液法对基板进行曝光处理，其特征在于，具有：
用于对基板进行处理的处理部，以及
用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接的交接部；
上述处理部包括向基板涂布处理液的第一处理单元；
上述交接部包括：
在通过上述曝光装置进行曝光处理后，对基板进行洗涤，然后使基板干燥的第二处理单元，以及
在上述处理部、上述曝光装置和上述第二处理单元之间搬送基板的搬送装置；
上述第二处理单元具有：
基板保持装置，其将基板保持为大致水平，
旋转驱动装置，其使被上述基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转，
洗涤液供给部，其向被保持于上述基板保持装置的基板上供给洗涤液，
惰性气体供给部，其在通过上述洗涤液供给部向基板上供给洗涤液之后，向基板上供给惰性气体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置；其特征在于，
上述交接部还包括对基板进行规定的处理的第三处理单元和暂时载置基板的载置部，
上述搬送装置包括：
第一搬送单元，上述第一搬送单元在上述处理部、上述第三处理单元和上述载置部之间搬送基板，以及
第二搬送单元，上述第二搬送单元在上述载置部、上述第二处理单元和上述曝光装置之间搬送基板；
上述第二搬送单元将基板从上述曝光装置搬送到上述第二处理单元。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二搬送单元具有保持基板的第一保持部和第二保持部；
上述第二搬送单元，在搬送由上述曝光装置进行曝光处理前的基板时，通过上述第一保持部保持基板；在搬送由上述曝光装置进行曝光处理后的基板时，通过上述第二保持部保持基板。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元包括边缘曝光部，上述边缘曝光部用于曝光基板的周边部分。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述洗涤液供给部向基板上供给的洗涤液从基板上的中心部向外方移动来使上述洗涤液从基板上被排除的方式，供给惰性气体。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还具有漂洗液供给部，该漂洗液供给部在由上述洗涤液供给部供给洗涤液后且在由上述惰性气体供给部供给惰性气体前，向基板上供给漂洗液。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述漂洗液供给部向基板上供给的漂洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述漂洗液从基板上被排除的方式，供给惰性气体。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元在由上述曝光装置进行曝光处理后，通过流体喷嘴来对基板进行洗涤处理，上述流体喷嘴用于向基板供给含有液体和气体的混合流体。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元通过从上述流体喷嘴向基板供给含有惰性气体和洗涤液的混合流体来对基板进行洗涤处理。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴作为上述惰性气体供给部发挥功能。
12.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使由上述流体喷嘴向基板上供给的混合流体从基板上的中心部向外方移动来使上述混合流体从基板上被除去的方式，供给惰性气体。
13.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还包括漂洗液供给部，该漂洗液供给部在从上述流体喷嘴供给混合流体后且在通过上述惰性气体供给部供给上述惰性气体前，向基板上供给漂洗液。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴作为上述漂洗液供给部发挥功能。
15.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使由上述漂洗液供给部向基板上供给的漂洗液从基板上的中心部向外方移动来使上述漂洗液从基板上被除去的方式，供给惰性气体。
16.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有液体流通的液体流道、气体流通的气体流道、液体排出口以及气体排出口，上述液体排出口与上述液体流道连通且开口，上述气体排出口设置在上述液体排出口附近，而且与上述气体流道连通且开口。
17.一种基板处理方法，在以邻接于曝光装置的方式配置的基板处理装置中对基板进行处理，上述基板处理装置具有包括第一处理单元的处理部和包括搬送装置和第二处理单元的交接部，上述曝光装置通过浸液法对基板进行曝光处理，其特征在于，该方法包括以下工序：
在上述处理部，通过上述第一处理单元向基板涂布处理液的工序，
在上述交接部，通过上述搬送装置将基板从上述处理部搬送到上述曝光装置的工序，
在上述交接部，在由上述曝光装置进行曝光处理后，通过上述搬送装置将基板搬送到上述第二处理单元的工序，
在上述交接部，通过上述第二处理单元对基板进行洗涤处理的工序，
在上述交接部，通过上述第二处理单元对基板进行干燥处理的工序，
在上述交接部，通过上述搬送装置将被上述第二处理单元干燥了的基板搬送到上述处理部的工序；
通过上述第二处理单元对基板进行洗涤处理的工序包括：
使被基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转的工序，
向被保持于上述基板保持装置的基板上供给洗涤液的工序；
通过上述第二处理单元对基板进行干燥处理的工序包括：
使被基板保持装置保持的基板绕着垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转的工序，
向被保持于上述基板保持装置的基板上供给惰性气体的工序。
18.如权利要求17所述的基板处理方法，其特征在于，通过上述第二处理单元对基板进行洗涤处理的工序，包括通过向基板供给含有液体和气体的混合流体的流体喷嘴对基板进行洗涤处理的工序。
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