JP4514657B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板上のレジスト膜に液体が染み込んでしまう場合がある。
これにより、液体が染み込んだレジスト膜に露光後の熱処理および現像処理を行うと、基板上のパターン欠陥が発生し、歩留まりが低下する。
本発明の目的は、露光時に基板上の膜に染み込む液体によるパターン欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
（１）
第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前に基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前に基板に疎水処理を行う疎水処理ユニットとを含み、疎水処理ユニットは、疎水性材料を気化させる気化装置と、複数の孔を有する整流板を有し、気化装置において気化した疎水性材料を整流板の複数の孔を通して基板に供給する疎水性材料供給装置とを含むものである。
第１の発明に係る基板処理装置は露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。
処理部においては、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成され、疎水処理ユニットにより感光性膜が形成された基板に疎水処理が行われる。疎水処理が行われた基板には露光装置において露光処理が行われる。
この場合、露光処理前に疎水処理ユニットにより基板に疎水処理が行われるので、露光装置において露光処理が行われる際に基板上の膜に液体が染み込むことが防止される。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。
また、基板に疎水性材料が供給されるので、基板上に疎水性材料が付着し、基板の疎水性が向上される。これにより、露光装置において露光処理が行われる際に、基板上の膜に液体が染み込むことが防止される。
また、基板に疎水性材料が気相状態で供給されるので、液状の疎水性材料を使用する場合と比べて、基板上の感光性材料への影響が低減される。したがって、感光性材料の感光性能が低下することが防止される。
また、液状の疎水性材料が気化装置において気化し、気化した疎水性材料が疎水性材料供給装置において整流板の複数の孔を通して基板に供給されるので、疎水性材料が基板上に一様に分散され、基板の表面に均一に疎水処理が行われる。
（２）
処理部は、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、乾燥処理ユニットは、受け渡し部に隣接するように配置され、受け渡し部は処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送ユニットを含み、搬送ユニットは露光処理後の基板を露光装置から乾燥処理ユニットに搬送してもよい。
この場合、受け渡し部においては、露光処理前の基板が搬送ユニットにより露光装置へ受け渡され、露光処理後の基板が搬送ユニットにより露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。
乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理が行われる。その後、受け渡し部において、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が搬送ユニットにより受け取られる。
これにより、露光装置による露光処理時に基板に付着した液体が、基板処理装置内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理後の基板の乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板の汚染を防止することができる。
また、基板処理装置内を液体が付着した基板が搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
これらの結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
（３）
搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、搬送ユニットは、露光装置による露光処理前の基板を搬送する際、および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、露光装置による露光処理後の基板を露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。
この場合、受け渡し部においては、露光処理前の基板が搬送ユニットの第１の保持手段により保持され、露光装置へ受け渡される。
また、露光処理後の基板が搬送ユニットの第２の保持手段により保持され、露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。
さらに、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が搬送ユニットの第１の保持手段により保持され、乾燥処理ユニットから受け取られる。
すなわち、露光処理時に液体が付着した基板の搬送には第２の保持手段が用いられ、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板の搬送には第１の保持手段が用いられる。したがって、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。
それにより、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理後および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
（４）
第２の保持手段は、第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
（５）
第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前に基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前に基板に疎水処理を行う疎水処理ユニットと、受け渡し部に隣接するように配置され、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送ユニットを含み、搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を有し、露光装置による露光処理前の基板を第１の保持手段により保持して搬送し、露光装置による露光処理後の基板を第２の保持手段により保持して露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送し、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を第１の保持手段により保持して搬送するものである。
第２の発明に係る基板処理装置は露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。
処理部においては、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成され、疎水処理ユニットにより感光性膜が形成された基板に疎水処理が行われる。疎水処理が行われた基板には露光装置において露光処理が行われる。
この場合、露光処理前に疎水処理ユニットにより基板に疎水処理が行われるので、露光装置において露光処理が行われる際に基板上の膜に液体が染み込むことが防止される。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。
また、受け渡し部においては、露光処理前の基板が搬送ユニットにより露光装置へ受け渡され、露光処理後の基板が搬送ユニットにより露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。
乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理が行われる。その後、受け渡し部において、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が搬送ユニットにより受け取られる。
これにより、露光装置による露光処理時に基板に付着した液体が、基板処理装置内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理後の基板の乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板の汚染を防止することができる。
また、基板処理装置内を液体が付着した基板が搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
これらの結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
また、受け渡し部においては、露光処理前の基板が搬送ユニットの第１の保持手段により保持され、露光装置へ受け渡される。また、露光処理後の基板が搬送ユニットの第２の保持手段により保持され、露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。さらに、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が搬送ユニットの第１の保持手段により保持され、乾燥処理ユニットから受け取られる。
すなわち、露光処理時に液体が付着した基板の搬送には第２の保持手段が用いられ、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板の搬送には第１の保持手段が用いられる。したがって、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。
それにより、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理後および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
（６）
第２の保持手段は、第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
（７）
疎水処理ユニットは、基板に疎水性材料を供給してもよい。この場合、基板上に疎水性材料が付着し、基板の疎水性が向上される。これにより、露光装置において露光処理が行われる際に、基板上の膜に液体が染み込むことが防止される。
（８）
疎水処理ユニットは、基板に疎水性材料を気相状態で供給してもよい。この場合、液状の疎水性材料を使用する場合と比べて、基板上の感光性材料への影響が低減される。したがって、感光性材料の感光性能が低下することが防止される。
（９）
疎水処理ユニットは、疎水性材料を気化させる気化装置と、気化装置において気化した疎水性材料を基板に供給する疎水性材料供給装置とを含んでもよい。この場合、液状の疎水性材料が気化装置において気化し、気化した疎水性材料が疎水性材料供給装置において基板に供給される。これにより、疎水性材料を気相状態で基板に供給することができる。
（１０）
疎水処理ユニットは、複数の孔を有する整流板をさらに含み、疎水性材料が整流板の複数の孔を通して基板に供給されてもよい。
これにより、疎水性材料は基板上に一様に分散される。したがって、基板の表面に均一に疎水処理が行われる。
（１１）
疎水処理ユニットは、疎水性材料供給装置内に載置された基板の温度を制御する温度制御装置をさらに含んでもよい。
この場合、疎水処理を行う際の基板の温度を温度制御装置により制御することができる。これにより、疎水性材料が基板に付着する最適な温度で疎水処理が効果的に行われる。
（１２）
疎水処理ユニットは、疎水性材料供給装置内に載置された基板の温度を２３〜１５０℃の範囲で制御してもよい。これにより、感光性膜の感光性能を低下させることなく疎水性材料が基板上に確実に付着される。
（１３）
疎水性材料は、ヘキサメチルジシラサンを含んでもよい。この場合、基板上にヘキサメチルジシラサンが付着し、基板の疎水性が向上される。
（１４）
疎水処理ユニットは、感光性膜形成ユニットにより基板上に形成された感光性膜に疎水処理を行ってもよい。
これにより、露光装置において露光処理が行われる際に基板上の感光性膜に液体が染み込むことが防止される。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。
（１５）
処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含み、疎水処理ユニットは、保護膜形成ユニットにより形成された保護膜に疎水処理を行ってもよい。
この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止されるとともに、基板上の感光性膜および保護膜に液体が染み込むことが防止される。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。
（１６）
処理部は、露光装置による露光処理後に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。
（１７）
処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含んでもよい。この場合、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。
（１８）
処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。
本発明によれば、疎水処理ユニットにより露光前の基板に疎水処理が行われる。それにより、露光装置において露光処理が行われる際に基板上の膜に液体が染み込むことが防止される。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
（１） 基板処理装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部５０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１は、後述する図３に示す疎水処理ユニットＨＹＰを備える。疎水処理ユニットＨＹＰの詳細は後述する。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第６のセンターロボットＣＲ６を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１６は、第７のセンターロボットＣＲ７、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが上下に積層配置される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、第７のセンターロボットＣＲ７（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の疎水処理ユニットＨＹＰ、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の疎水処理ユニットＨＹＰ、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。疎水処理ユニットＨＹＰの詳細は後述する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、疎水処理ユニットＨＹＰ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。
（２） 基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜熱処理部１３０，１３１では、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに熱処理が施された後、疎水処理ユニットＨＹＰによりレジストカバー膜の表面に疎水処理が行われる。詳細は後述する。次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理および疎水処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。
なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）から取り出し、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。詳細は後述する。
洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。インターフェースブロック１６におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作の詳細は後述する。
なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
（３） 疎水処理ユニットＨＹＰについて
ここで、上記の疎水処理ユニットＨＹＰについて図面を用いて詳細に説明する。図４は疎水処理ユニットＨＹＰの構成を説明するための断面図である。
図４に示すように、疎水処理ユニットＨＹＰは、液状の疎水性材料を気化させる気化処理装置２０１、および気化処理装置２０１において気化した疎水性材料を基板Ｗに供給する疎水性材料供給装置２０２を備える。
気化処理装置２０１は、疎水性材料を貯留する液溜容器２１２を有する。液溜容器２１２は不活性ガス供給管２１３を介して不活性ガス供給源Ｔ１に接続され、疎水性材料供給管２１６を介して疎水性材料供給源Ｔ２に接続されている。不活性ガス供給管２１３にはレギュレータ２１３ａが設けられ、不活性ガス供給源Ｔ１から不活性ガスが一定圧力で液溜容器２１２に供給される。疎水性材料供給管２１６にはバルブ２１６ａが設けられ、バルブ２１６ａを開くことにより疎水性材料供給源Ｔ２から液溜容器２１２に疎水性材料が供給される。
液溜容器２１２の下部には熱交換コイル２２１が取り付けられている。熱交換コイル２２１に電流が供給されることにより熱交換コイル２２１の温度が上昇し、液溜容器２１２内の疎水性材料が気化する。
疎水性材料供給装置２０２は、基板載置プレート２０３を備える。基板載置プレート２０３は、上面に載置された基板Ｗを所定の温度に加熱する。
基板載置プレート２０３を鉛直方向に貫通するように複数の昇降ピン２０５が設けられている。昇降ピン２０５は昇降ピン駆動装置２０５ａにより上下方向に昇降する。また、基板載置プレート２０３の外周部を取り囲むように排気口２１１が設けられている。排気口２１１は配管２１１ａを通して排気装置２１１ｂに接続されている。基板載置プレート２０３上の雰囲気は排気装置２１１ｂにより排気口２１１から配管２１１ａを通して排気される。
基板載置プレート２０３の上方を覆うようにカバー２０６が設けられている。カバー２０６の中央部を鉛直方向に貫通するように筒状の支持部材２０７が昇降可能に設けられている。支持部材２０７の上端には配管２１４が気化処理装置２０１の液溜容器２１２と連通するように接続されている。気化処理装置２０１において気化した疎水性材料は配管２１４を通して疎水性材料供給装置２０２の支持部材２０７へ送られる。配管２１４にはバルブ２１５が設けられ、バルブ２１５の開閉により気化処理装置２０１から疎水性材料供給装置２０２に送られる疎水性材料の流量が制御される。
支持部材２０７の下端には蓋体２０８が設けられている。支持部材２０７の内部は蓋体２０８の内部空間に連通している。蓋体２０８の内部には全面に複数の細孔を有する整流板２１０が取り付けられている。蓋体２０８は、整流板２１０が基板Ｗに対向するように基板載置プレート２０３の上方に上下動可能に設けられている。
また、カバー２０６の側面には基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬入搬出口２０９が設けられている。カバー２０６の内側には搬入搬出口２０９を塞ぐようにシャッター２１８が設けられている。シャッター２１８はシャッター駆動装置２１８ａにより上下方向に昇降し、カバー２０６の搬入搬出口２０９を開閉する。
次に、上記構成を有する疎水処理ユニットＨＹＰの動作について説明する。なお、以下に説明する疎水処理ユニットＨＹＰの各構成要素の動作は、図１のメインコントローラー９１により制御される。
最初に、支持部材２０７および蓋体２０８が上昇するとともに、昇降ピン駆動装置２０５ａにより昇降ピン２０５が上昇する。また、シャッター駆動装置２１８ａによりシャッター２１８が下降し、搬入搬出口２０９が開かれる。この状態で図１の第４のセンターロボットＣＲ４によりカバー２０６内の昇降ピン２０５上に基板Ｗが載置される。次に、昇降ピン駆動装置２０５ａにより昇降ピン２０５が下降し、昇降ピン２０５上の基板Ｗは基板載置プレート２０３の上面に支持される。また、シャッター駆動機構２１８ａによりシャッター２１８が上昇し、搬入搬出口２０９が閉じられる。
次いで、支持部材２０７および蓋体２０８が下降する。この状態で、基板載置プレート２０３上の基板Ｗは所定の温度に加熱される。基板Ｗの温度は、基板載置プレート２０３により２３℃〜１５０℃の範囲で制御されることが好ましい。
次に、気化した疎水性材料が液溜容器２１２から配管２１４を通して疎水性材料供給装置２０２の支持部材２０７に送られ、整流板２１０の複数の細孔を通して基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜の表面に疎水処理が行われる。カバー２０６内の疎水性材料は排気装置２１１ｂにより排気口２１１から配管２１１ａを通して排気される。
処理終了後、支持部材２０７および蓋体２０８が上昇する。次いで、昇降ピン駆動装置２０５ａにより昇降ピン２０５が上昇し、昇降ピン２０５により基板Ｗが持ち上げられる。また、シャッター駆動装置２１８ａによりシャッター２１８が下降し、カバー２０６の搬入搬出口２０９が開かれる。そして、図１の第４のセンターロボットＣＲ４により基板Ｗが疎水処理ユニットＨＹＰから搬出される。
基板Ｗに供給される疎水性材料としては、レジスト膜およびレジストカバー膜の特性を損なわず、かつレジスト膜およびレジストカバー膜への液体の染み込みを防止できる材料を用いる。例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）または低分子材料等を用いることができる。また、気化処理装置２０１に供給される不活性ガスとしては、例えば窒素ガス（Ｎ2 ガス）を用いることができる。不活性ガスとして、アルゴンガス（Ａｒガス）等の他の気体を用いてもよい。
（４） 洗浄／乾燥処理ユニットについて
ここで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。
（４−ａ） 洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図５は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。
図５に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図５の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。
スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）が用いられる。
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
（４−ｂ） 洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。
（５） インターフェースブロックのインターフェース用搬送機構について
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図７はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図７に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台１８１は螺軸１８２に螺合される。螺軸１８２は、Ｘ方向に延びるように支持台１８３によって回転可能に支持される。螺軸１８２の一端部にはモータＭ２が設けられ、このモータＭ２により螺軸１８２が回転し、可動台１８１が±Ｘ方向に水平移動する。
また、可動台１８１にはハンド支持台１８４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１８４は、回転軸１８５を介して可動台１８１内のモータＭ３に連結しており、このモータＭ３によりハンド支持台１８４が回転する。ハンド支持台１８４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１，Ｈ２が進退可能に上下に設けられる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図７の位置Ａにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１５においてハンドＨ１が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５から後退させ、ハンド支持台１８４を−Ｚ方向に下降させる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ１を露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１７ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板搬入部１７ａから後退させる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは下側のハンドＨ２を露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１７ｂにおいてハンドＨ２が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ２を基板搬出部１７ｂから後退させる。
その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいて、ハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ２を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは上側のハンドＨ１を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを受け取る。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを上側の基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
なお、上述のように露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて一時的に洗浄および乾燥処理ができない場合は、露光処理後の基板Ｗはインターフェースブロック１５の戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。
本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７への搬送、露光装置１７から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。
（６） 効果
（６−ａ） 疎水処理による効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、疎水処理ユニットＨＹＰにより基板Ｗ上のレジストカバー膜の表面に疎水処理が行われる。それにより、露光装置１７において露光処理が行われる際にレジスト膜およびレジストカバー膜に液体が染み込むことが防止される。その結果、露光処理後の露光後ベークおよび現像処理の工程においてパターン欠陥の発生が防止され、歩留まりの低下が防止される。
（６−ｂ） 疎水処理ユニットＨＹＰの効果
本実施の形態の疎水処理ユニットＨＹＰでは、液溜容器２１２において気化した疎水性材料が基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜の表面に疎水処理が行われる。それにより、液状の疎水性材料を使用する場合と比べて、基板Ｗ上のレジスト膜およびレジストカバー膜への影響が低減される。したがって、レジスト膜の感光性能およびレジストカバー膜の溶出防止機能が低下することが防止される。レジストカバー膜の溶出防止機能については後述する。
また、気化した疎水性材料は支持部材２０７に取り付けられた整流板２１０の複数の細孔を介して基板Ｗに供給される。これにより、疎水性材料は基板Ｗ上のレジストカバー膜上に一様に分散される。
また、気化した疎水性材料を基板Ｗに供給する際には、シャッター２１８によりカバー２０６の搬入搬出口２０９が閉じられるとともに、カバー２０６内の疎水性材料は排気装置２１１ｂにより排気される。これにより、疎水性材料が疎水処理ユニットＨＹＰの外部へ漏洩することが防止される。
また、疎水処理時の基板Ｗの温度は２３℃（室温）〜１５０℃に制御される。これにより、レジスト膜の光感度を低下させることなく疎水性材料がレジストカバー膜表面に確実に付着される。
（６−ｃ） 露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。
これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。
（６−ｄ） 露光処理後の基板の乾燥処理の効果
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。
（６−ｅ） 洗浄／乾燥処理ブロックの効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に洗浄／乾燥処理ブロック１５を追加した構成を有するので、低コストで、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
（６−ｆ） インターフェース用搬送機構のハンドについての効果
インターフェースブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７の基板搬入部１７ａへ露光処理前の基板Ｗを搬送する際、および洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１７の基板搬入部１７ｂから洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
（６−ｇ） レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
（６−ｈ） レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
（７） 他の効果
（７−ａ） 露光処理前の基板の洗浄処理について
本実施の形態に係る基板処理装置５００は、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行ってもよい。この場合、例えば洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。それにより、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。
また、レジストカバー膜の形成後であって露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。このとき、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜の成分が液体中に溶出することを防止することができる。
これらの結果、露光装置１７内の汚染が確実に防止されるとともに基板Ｗの表面にレジスト膜およびレジストカバー膜の成分が残留することも防止される。それにより、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
なお、露光処理前における基板Ｗの洗浄および乾燥処理は、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設けることにより行ってもよい。
（７−ｂ） レジストカバー膜用処理ブロックについて
露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う場合においては、レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄／乾燥処理部８０においては、洗浄処理時にレジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。
露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う場合においては、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けなくてもよい。この場合、レジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要がない。
さらに、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合は、疎水処理ユニットＨＹＰを、レジスト膜用処理ブロック１１および現像処理ブロック１２の少なくとも一方に設ける。この場合、疎水処理ユニットＨＹＰにより基板Ｗ上のレジスト膜の表面に疎水処理が行われる。それにより、露光装置１７において露光処理が行われる際、レジスト膜に液体が染み込むことが防止される。
これらの結果、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。
なお、本実施の形態では、疎水処理ユニットＨＹＰにより基板Ｗ上のレジストカバー膜の表面に疎水処理が行われる際、レジストカバー膜上に疎水性材料からなる膜が形成されない場合を説明した。
疎水処理によりレジストカバー膜上に疎水性材料からなる膜が形成される場合は、疎水性材料からなる膜は、レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂにおいてレジストカバー膜と同時に除去される。これにより、露光後の現像処理が確実に行われる。
また、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う場合においてレジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が設けられない場合は、基板Ｗ上のレジスト膜の表面に疎水処理が行われる。疎水処理によりレジスト膜上に疎水性材料からなる膜が形成される場合は、疎水性材料からなる膜の除去ユニットが洗浄／乾燥処理ブロック１５および現像処理ブロック１２の少なくとも一方に設けられてもよい。これにより、基板Ｗのレジスト膜上に形成された疎水性材料からなる膜の除去処理が行われ、露光後の現像処理が確実に行われる。
（７−ｃ） 洗浄／乾燥処理ユニットの効果
上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
それにより、洗浄／乾燥処理部８０から現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
（７−ｄ） 基板処理装置が防水機能を有する場合について
基板処理装置５００が十分な防水機能を有している場合には洗浄／乾燥処理部８０は設けなくてもよい。したがって、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。また、露光処理後の洗浄／乾燥処理部８０への基板Ｗの搬送が省略されるので、基板Ｗの生産性が向上する。
（７−ｅ） ロボットのハンドについての効果
第１〜第５のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ５およびインデクサロボットＩＲにおいては、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。
（８） 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図５に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図８に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
また、図５に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図９に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。
図９の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図９の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
図１０は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。
まず、図６で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１０（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１０（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図１０（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図５の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１１に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１１の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１１の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図９の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。
また、図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１２に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。
図１２に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。
図１２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）が供給される。
アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
図１２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１３に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
（請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応）
上記実施の形態においては、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当し、レジスト膜が感光性膜に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、疎水処理ユニットＨＹＰが疎水処理ユニットに相当し、気化処理装置２０１が気化装置に相当し、疎水性材料供給装置２０２が疎水性材料供給装置に相当し、基板載置プレート２０３が温度制御装置に相当し、レジストカバー膜が保護膜に相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、除去ユニットＲＥＭが除去ユニットに相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当する。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 疎水処理ユニットの構成を説明するための断面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図９の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１２の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
２０〜２５ 隔壁
３０ 反射防止膜用塗布処理部
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ 現像処理部
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
７０ レジストカバー膜除去用処理部
８０ａ，８０ｂ 洗浄／乾燥処理部
９１ 制御部
９２ キャリア載置台
２０１ 気化処理装置
２０２ 疎水性材料供給装置
２０３ 基板載置プレート
２１０ 整流版
５００ 基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ 塗布ユニット
Ｃ キャリア
ＣＰ 冷却ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ７ 第１〜第７のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＨＰ 加熱ユニット
ＨＹＰ 疎水処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１６ 基板載置部
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ 洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (18)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、
    前記露光装置による露光処理前に基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
    前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板に疎水処理を行う疎水処理ユニットとを含み、
    前記疎水処理ユニットは、
    疎水性材料を気化させる気化装置と、
    複数の孔を有する整流板を有し、前記気化装置において気化した前記疎水性材料を前記整流板の複数の孔を通して基板に供給する疎水性材料供給装置とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
    前記乾燥処理ユニットは、前記受け渡し部に隣接するように配置され、
    前記受け渡し部は前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送ユニットを含み、
    前記搬送ユニットは露光処理後の基板を前記露光装置から前記乾燥処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
    前記搬送ユニットは、
    前記露光装置による露光処理前の基板を搬送する際、および前記乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
    前記露光装置による露光処理後の基板を前記露光装置から前記乾燥処理ユニットへ搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記第２の保持手段は、前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、
    前記露光装置による露光処理前に基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
    前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板に疎水処理を行う疎水処理ユニットと、
    前記受け渡し部に隣接するように配置され、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、
    前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送ユニットを含み、
    前記搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を有し、前記露光装置による露光処理前の基板を前記第１の保持手段により保持して搬送し、前記露光装置による露光処理後の基板を前記第２の保持手段により保持して前記露光装置から前記乾燥処理ユニットへ搬送し、前記乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を前記第１の保持手段により保持して搬送することを特徴とする基板処理装置。
  6. 前記第２の保持手段は、前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記疎水処理ユニットは、基板に疎水性材料を供給することを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
  8. 前記疎水処理ユニットは、基板に前記疎水性材料を気相状態で供給することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記疎水処理ユニットは、前記疎水性材料を気化させる気化装置と、前記気化装置において気化した前記疎水性材料を基板に供給する疎水性材料供給装置とを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
  10. 前記疎水処理ユニットは、複数の孔を有する整流板をさらに含み、前記疎水性材料が前記整流板の複数の孔を通して基板に供給されることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
  11. 前記疎水処理ユニットは、前記疎水性材料供給装置内に載置された基板の温度を制御する温度制御装置をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４、９および１０のいずれかに記載の基板処理装置。
  12. 前記疎水処理ユニットは、前記疎水性材料供給装置内に載置された基板の温度を２３〜１５０℃の範囲で制御することを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
  13. 前記疎水性材料は、ヘキサメチルジシラサンを含むことを特徴とする請求項１〜４および７〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
  14. 前記疎水処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニットにより基板上に形成された前記感光性膜に疎水処理を行うことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  15. 前記処理部は、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含み、
    前記疎水処理ユニットは、前記保護膜形成ユニットにより形成された前記保護膜に疎水処理を行うことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  16. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理後に前記保護膜を除去する除去ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
  17. 前記処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理装置。
  18. 前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる前記感光膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
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