CN1773673B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置具有：分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、显影处理部以及接口部。以相邻于接口部的方式配置曝光装置。接口部具有清洗处理部以及接口用搬送机构。在曝光装置中对基板执行曝光处理之前，基板通过接口用搬送机构被搬送到清洗处理部。在清洗处理部中进行基板的清洗以及干燥。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板进行各种处理，使用了基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续的进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置，是由分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、显影处理部以及接口部构成。相邻于接口部而配置有与基板处理装置分开独立的作为外部装置的曝光装置。
在上述的基板处理装置中，从分度器部搬入的基板，在反射防止膜用处理部以及抗蚀膜用处理部中进行了反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口部被搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口部被搬送到显影处理部中。通过在显影处理部中对基板上的抗蚀膜进行显影处理，而形成抗蚀剂图形之后，基板被搬送到分度器部。
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，抗蚀剂图形的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线的图形经由投影透镜缩小投影在基板上而进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图形的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀剂图形的微细化受到了限制。
因此，作为可将曝光图形进一步微细化的投影曝光方法，提出了浸液法(例如参考国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，投影光学系统和基板之间充满液体，能够使基板表面的曝光用光短波长化。由此，可使曝光图形进一步微细化。
可是，上述的国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，由于在基 板和液体接触的状态下进行曝光处理，因此涂敷在基板上的抗蚀剂的成分的一部分稀出到液体中。稀出到该液体中的抗蚀剂的成分残留在基板的表面，可能成为不良的原因。
另外，稀出到液体中的抗蚀剂的成分污染曝光装置的透镜。由此，可能出现曝光图形的尺寸不良以及形状不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以防止基板上的处理液的成分稀出到曝光装置的液体中的基板处理装置以及基板处理方法。
(1)本发明的一个方面的基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，该曝光装置通过浸液法进行基板的曝光处理，其中，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部包括在基板上涂敷抗蚀剂液的第一处理单元，交接部包括：第二处理单元，其在曝光装置的曝光处理之前，使用清洗液对由第一处理单元涂敷了抗蚀剂液的基板的表面进行清洗，以使抗蚀剂中的成分的一部分稀出到所述清洗液中；搬送装置，其在处理部、曝光装置以及第二处理单元之间搬送基板，上述搬送装置包括对上述曝光装置进行基板的交接的搬送机构，上述搬送机构包括：第一保持部，其保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板；第二保持部，其保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板。
在该基板处理装置中，在第一处理单元中对基板涂敷处理液之后，基板通过搬送装置被搬送到第二处理单元。在第二处理单元中进行基板的清洗之后，基板通过搬送装置被搬送到曝光装置。在曝光装置中对基板进行曝光处理后，基板通过搬送装置被搬送到处理部。
这样，在曝光装置中进行曝光处理之前在第二处理单元进行基板的清洗。由此，在第一处理单元中涂敷到基板上的处理液的成分一部分稀出，而被冲洗掉。这时，在曝光装置中，即使在基板与液体接触的状态下进行曝光装置，基板上的处理液的成分也几乎不会稀出。由此，减低曝光装置的透镜等的污染的同时也防止在基板的表面残留处理液的成分。其结果，可以降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
(2)第一处理单元也可以将抗蚀剂液作为基板处理液涂敷在基板上。这时，在第二处理单元中，使基板上的抗蚀剂的成分的一部分稀出，而被冲洗。由此，即使在基板与液体接触的状态下进行曝光装置，抗蚀剂的成分也 几乎不会稀出。其结果，在降低曝光装置的透镜等的污染的同时也可以防止在基板的表面残留抗蚀剂的成分。
(3)也可以是交接部还包括对基板进行规定的处理的第三处理单元以及暂时装载基板的装载部，搬送装置包括：第一搬送单元，其在处理部、第三处理单元以及装载部之间搬送基板；第二搬送单元，其在装载部、第二处理单元以及曝光装置之间搬送基板，第二搬送单元将基板从装载部搬送到第二处理单元。
这时，在第一处理单元中对基板涂敷处理液之后，基板通过第一搬送单元被搬送到第三处理单元。在第三处理单元中对基板进行规定的处理之后，基板通过第一搬送单元被搬送到装载部。此后，基板通过第二搬送单元从装载部搬送到第二处理单元。在第二处理单元中进行基板的清洗之后，基板通过第二搬送单元被搬送到曝光装置。
这样，在曝光装置中进行曝光处理之前在第二处理单元进行基板的清洗。由此，在第一处理单元中涂敷到基板的处理液的成分的一部分稀出，而被冲洗。这时，在曝光装置中，即使在基板与液体接触的状态下进行曝光处理，基板上的处理液的成分也几乎不会稀出。由此，降低曝光装置的透镜等的污染的同时也可以防止在基板的表面残留处理液的成分。其结果，可以降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
(4)第三处理单元也可以包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部。这时，在边缘曝光部中对基板的周边部进行曝光处理。
(5)也可以是第一搬送单元具有保持基板的第一以及第二保持部，第一搬送单元在搬送由曝光装置曝光处理前的基板时，通过第一保持部保持基板，而在搬送由曝光装置曝光处理后的基板时，通过第二保持部保持基板，第二搬送单元具有保持基板的第三以及第四保持部，第二搬送单元在搬送由曝光装置曝光处理前的基板时，通过第三保持部保持基板，而在搬送由曝光装置曝光处理后的基板时，通过第四保持部保持基板。
这时，第一以及第三保持部在搬送曝光处理前的没有附着液体的基板时使用，第二以及第四保持部在搬送曝光处理后的附着了液体的基板时使用。为此，由于第一以及第三保持部没有附着液体，所以可以防止液体附着到曝光处理前的基板上。由此可以防止环境中的尘埃等的附着带来的基板的污染。其结果，可以防止在曝光装置中分辨性能的恶化等带来的处理不良的产生。
(6)也可以是第二保持部设置在第一保持部的下方，第四保持部设置 在第三保持部的下方。这时，即使液体从第二以及第四保持部及它们保持的基板落下，第一以及第三保持部及它们保持的基板上也不会附着液体。由此，可以确实防止在曝光处理前的基板上附着液体。
(7)第二处理单元也可以在对基板进行清洗后，还对基板进行干燥。
这时，可以防止环境中的尘埃等附着到清洗后的基板上。另外，若基板的清洗后在基板上残留清洗液，则有时处理液的成分会稀出到残留的清洗液中。因此，通过在基板的清洗后干燥基板，从而可以防止将基板上的处理液的成分稀出到残留在基板的清洗液中。由此，可以确实防止涂敷到基板上的处理液的膜的形状不良的产生的同时，可以确实防止曝光装置内的污染。这些的结果，可以确实防止基板的处理不良。
(8)也可以是第二处理单元具有：将基板大致水平保持的基板保持装置；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转；清洗液供给部，其向被保持于基板保持装置的基板上供给清洗液；惰性气体供给部，其在通过清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
在该第二处理单元中，通过基板保持装置使基板大致水平的保持，通过旋转驱动装置使基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转。另外，通过清洗液供给部向基板上供给清洗液，然后通过惰性气体供给部供给惰性气体。
这时，由于旋转基板的同时向基板上供给清洗液，所以基板上的清洗液通过离心力总是向基板的周边部移动并飞散。因此，可以防止稀出在清洗液中的处理液的成分残留在基板上。另外，由于旋转基板的同时向基板上供给惰性气体，所以在基板的清洗后高效排除残留在基板上的清洗液。由此，可以确实防止处理液的成分残留在基板上的同时，可以确实干燥基板。因此，将清洗后的基板搬送到曝光装置的期间，可确实防止基板上的处理液的成分进一步稀出到残留在基板上的清洗液中。其结果，可确实防止在基板上涂敷的处理液的膜的形状不良的产生的同时可以确实的防止曝光装置内的污染。
(9)也可以是惰性气体供给部，以使由清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止清洗液残留在基板上的中心部，所以可以确实防止基板的表面产生干燥后的水斑。另外，在清洗后的基板搬送到曝光装置的期间内，可以确实防止基板上的处理液的成分进一步稀出到残留在基板上的清 洗液中。由此，可以更准确的防止基板的处理不良。
(10)也可以是第二处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在通过清洗液供给部供给清洗液之后，且在通过惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
这时，由于可以通过冲洗液确实冲洗清洗液，所以可以更准确的防止稀出到清洗液中的处理液的成分残留在基板上。
(11)也可以是惰性气体供给部，以使由冲洗液供给部向基板上供给的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以可以确实防止在基板的表面产生干燥后的水斑。另外，在清洗后的基板搬送到曝光装置的期间内，可以确实防止基板上的处理液的成分进一步稀出到残留在基板上的冲洗液中。这些的结果，可以更准确的防止基板的处理不良。
(12)第二处理单元也可以通过从流体喷嘴向基板供给包含清洗液以及气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
这时，从流体喷嘴喷射的混合流体含有清洗液的微细液滴，因此，就算基板表面有凹凸，通过该微细液滴也可以去除附着在基板表面的污垢。另外，即使形成在基板上的膜的易湿性低的情况下，通过清洗液的细微液滴也可以去除基板表面的污垢，因此，可以确实除去基板表面的污垢。
因而，即使在曝光处理前，在基板上形成的膜的溶剂等升华，其升华物再次附着在基板的情况下，在第二处理单元中，该附着物也可以确实除去。
另外，通过调节气体的流量，可以容易的调节清洗基板时的清洗能力。因而，在基板上形成的膜具有易损的性质的情况下，通过降低清洗能力而可以防止基板上的膜的破损。另外，在基板表面的污垢牢固的情况下，通过增强清洗能力而可以确实除去基板表面的污垢。这样，通过按照基板上的膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而防止基板上的膜的破损的同时可以确实清洗基板。
(13)气体也可以是惰性气体。这时，使用了药液作为清洗液的情况下，防止对形成在基板上的膜以及清洗液带来化学性的影响，同时可以更确实的除去基板表面的污垢。
(14)第二处理单元也可以在基板的清洗处理后还进行基板的干燥处理。
这时，可以防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。另外，若清洗液残留在清洗处理后的基板上，则有时处理液的成分会稀出到残留的清洗液中。因此，通过在基板的清洗后干燥基板，从而可以防止基板上的处理液的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，可以确实防止涂敷在基板上的处理液的膜的形状不良的产生，同时可以确实防止曝光装置内的污染。这些的结果，可以确实防止基板的处理不良。
(15)第二处理单元也可以包括惰性气体供给装置，其通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。这时，由于使用惰性气体，在防止给在基板上形成的膜带来化学性的影响的同时可以使基板确实干燥。
(16)流体喷嘴也可以具有惰性气体供给装置的功能。这时，从流体喷嘴向基板上供给惰性气体，而进行基板的干燥处理。由此，不需要将惰性气体供给装置和流体喷嘴分别单独设置。其结果，用简单的结构可以确实进行基板的清洗以及干燥处理。
(17)第二处理单元还可以包括：将基板大致水平保持的基板保持装置；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转。
在该第二处理单元中，通过基板保持装置将基板大致水平的保持，通过旋转驱动装置使基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转。另外，通过流体喷嘴将混合流体供给到基板上，然后，通过惰性气体供给装置供给惰性气体。
这时，由于旋转基板的同时将混合流体供给到基板上，所以基板上的混合流体通过离心力移动分散到基板的周边部。因此，可以确实防止通过混合流体除去的尘埃等的附着物残留在基板上。另外，由于旋转基板的同时将惰性气体供给到基板上，所以可以高效排除在基板的清洗后残留在基板上的混合流体。由此，可以确实防止尘埃等的附着物残留在基板上的同时，能够可靠的干燥基板。其结果，可以确实防止基板的处理不良。
(18)第二处理单元也能够以使从流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动来使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止混合流体残留在基板上的中心部，所以可以确实防止在基板的表面产生干燥斑点。由此，可以可靠的防止基板的处理不良。
(19)第二处理单元也可以进一步包括冲洗液供给装置，其在从流体喷 嘴供给了混合流体之后，且在通过惰性气体供给装置供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
这时，通过冲洗液可以可靠的冲洗混合流体，所以可以更可靠的防止尘埃等的附着物残留在基板上。
(20)流体喷嘴也可以具有冲洗液供给装置的功能。这时，冲洗液从流体喷嘴供给到基板上。由此，不需要将冲洗液供给装置与流体喷嘴分别设置。其结果，用简单的结构就可以可靠的进行基板的清洗以及干燥处理。
(21)第二处理单元也能够以使由冲洗液供给装置供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
这时，由于可以防止冲洗液残留在基板上的中心部，所以可以可靠的防止在基板的表面产生干燥斑点。由此，可以确实防止基板的处理不良。
(22)流体喷嘴也可以具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在液体喷射口的附近的同时与气体流路连通并开口的气体喷射口。
这时，通过清洗液在液体流路流通并从液体喷射口喷射，气体在气体流路流通并从气体喷射口喷射，从而能够在流体喷嘴的外部混合清洗液和气体。由此，可以生成雾状的混合流体。
这样，混合流体在流体喷嘴的外部通过混合清洗液和气体而生成的。因此，在流体喷嘴的内部不需要设置用于混合清洗液和气体的空间。其结果，流体喷嘴可小型化。
(23)本发明的另一方面的基板处理方法，是在以相邻于曝光装置的方式配置的、具有第一处理单元、搬送装置以及第二处理单元的基板处理装置中处理基板的方法，该曝光装置通过浸液法进行基板的曝光处理，其中，包括：通过第一处理单元对基板涂敷抗蚀剂液的工序；在曝光装置的曝光处理前通过搬送装置将基板搬送到第二处理单元的工序；通过第二处理单元使用清洗液对由第一处理单元涂敷了抗蚀剂液的基板的表面进行清洗，以使抗蚀剂中的成分的一部分稀出到所述清洗液中的工序；通过搬送装置将由第二处理单元清洗过的基板搬送到曝光装置的工序，通过上述搬送装置从上述曝光装置搬送曝光处理后的基板的工序，向上述曝光装置搬送基板的工序包括通 过上述搬送装置的搬送机构的第一保持部保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理前的基板的工序，从上述曝光装置搬送基板的工序包括通过上述搬送装置的搬送机构的第二保持部保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理后的基板的工序。
在该基板处理方法中，在第一处理单元中对基板涂敷处理液之后，基板通过搬送装置被搬送到第二处理单元。在第二处理单元中进行基板的清洗之后，基板通过搬送装置被搬送到曝光装置。
这样，在曝光装置中进行曝光处理之前在第二处理单元中进行基板的清洗。由此，第一处理单元中在基板上涂敷的处理液的成分的一部分稀出，而被冲洗掉。这时，在曝光装置中，即使在基板与液体接触的状态下进行曝光处理，基板上的处理液的成分也几乎不会稀出。由此，在降低曝光装置的透镜等的污染的同时也可以防止处理液的成分残留在基板的表面。其结果，可以降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
(24)也可以在通过第二处理单元进行基板的清洗的工序之后，且在通过搬送装置将基板搬送到曝光装置之前，还具有通过第二处理单元进行基板的干燥的工序。
这时，在第二处理单元中，进行清洗后的基板的干燥处理，因此可以防止环境中的尘埃等附着到清洗后的基板上。另外，若在基板的清洗后清洗液残留在基板上，则有时处理液的成分会稀出到残留的清洗液中。因此，通过在基板的清洗后干燥基板，从而可以防止基板上的处理液的成分稀出到残留在基板上的清洗液中。由此，在可以可靠的防止在基板上涂敷的处理液的膜的形状不良的产生的同时可以可靠的防止曝光装置内的污染。这些的结果，可以可靠防止基板的处理不良。
根据本发明，在曝光装置中进行曝光处理之前在第二处理单元中进行基板的清洗。由此，在第一处理单元中涂敷在基板上的处理液的成分的一部分稀出，被冲洗掉。这时，在曝光装置中，即使在基板与液体接触的状态下进行曝光处理，基板上的处理液的成分也几乎不会稀出。由此，在降低曝光装置的透镜等的污染的同时也防止处理液的成分残留在基板的表面。其结果，可以降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向来看的图1的基板处理装置的侧视图。
图3是从-X方向来看的图1的基板处理装置的侧视图。
图4是用于说明清洗处理单元的结构的图。
图5A～图5C是用于说明清洗处理单元的动作的图。
图6是一体设置清洗处理用喷嘴与干燥处理用喷嘴情况的示意图。
图7是表示干燥处理用喷嘴的其他的例子的示意图。
图8A～图8C是用于说明使用了图7的干燥处理用喷嘴的情况下的基板的干燥处理方法的图。
图9是表示干燥处理用喷嘴的其他的例子的示意图。
图10是表示清洗处理单元的其他的例子的示意图。
图11是用于说明使用了图10的清洗处理单元的情况下的基板的干燥处理方法的图。
图12是表示用于说明接口用搬送机构的结构以及动作的图。
图13是表示用于清洗以及干燥处理的2流体喷嘴的内部结构的一个例子的纵向剖视图。
图14A～图14C是用于说明使用图13的2流体喷嘴的情况下的基板的清洗以及干燥处理方法的图。
具体实施方式
下面，针对本发明一个实施方式的基板处理装置，使用附图进行说明。在以下的说明中，所说基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩膜用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板等。
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的俯视图。
在图1以后的各图，为了明确位置关系，标有表示相互垂直的X方向、Y方向、Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，Z方向相当于垂直方向。此外，在各方向中，将箭头指向的方向设为+方向，其相反的方向设为-方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括：分度器部9、反射防止膜用处理 部10、抗蚀膜用处理部11、显影处理部12、以及接口部13。另外，以相邻于接口部13的方式配置曝光装置14。在曝光装置14中，通过浸液法进行基板W的曝光处理。
下面，将各个分度器部9、反射防止膜用处理部10、抗蚀膜用处理部11、显影处理部12以及接口部13分别称为处理部。
分度器部9包括控制各处理部的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台60以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR上设置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用部10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部70以及第一中心机械手CR1。反射防止膜用涂敷处理部70隔着第一中心机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对向而设置。在第一中心机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器部9和反射防止膜用处理部10之间，设置有环境隔断用隔断壁15。在该隔断壁15，上下接近设置有用于在分度器部9和反射防止膜用处理部10之间进行基板W的交接的基板装载部PASS1、PASS2。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器部9搬送到反射防止膜用处理部10时使用，下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理部10搬送到分度器部9时使用。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2设置有检测基板W的有无的光学式的传感器(未图示)。由此，可以进行在基板装载部PASS1、PASS2中是否装载有基板W的判定。另外，在基板装载部PASS1、PASS2设置有固定设置的多根支撑销。此外，上述的光学式的传感器以及支撑销也同样设置在后面所述的基板装载部PASS3～PASS10上。
抗蚀膜用处理部11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部80以及第二中心机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部80隔着第二中心机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对向而设置。在第二中心机械手CR2，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理部10和抗蚀膜用处理部11之间，设置有环境隔断用的隔断壁16。在该隔断壁16，上下接近设置有用于在反射防止膜用处理部10和抗蚀膜用处理部11之间进行基板W的交接的基板装载部PASS3、 PASS4。上侧的基板装载部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理部10搬送到抗蚀膜用处理部11时使用，下侧的基板装载部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理部11搬送到反射防止膜用处理部10时使用。
显影处理部12包括显影用热处理部120、121、显影处理器90以及第三中心机械手CR3。显影用热处理部121与接口部13相邻，如后所述，具有基板装载部PASS7、PASS8。显影处理器90隔着第三中心机械手CR3与显影用热处理部120、121相对向设置。在第三中心机械手CR3，上下设置有用于交接基板W的手CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理部11和显影处理部12之间，设置有环境隔断用的隔断壁17。在该隔断壁17，上下接近设置有用于在抗蚀膜用处理部11和显影处理部12之间进行基板W的交接的基板装载部PASS5、PASS6。上侧的基板装载部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理部11搬送到显影处理部12时使用，下侧的基板装载部PASS6在将基板W从显影处理部12搬送到抗蚀膜用处理部11时使用。
接口部13包括第四中心机械手CR4、缓冲贮存器SBF、接口用搬送机构IFR、边缘曝光部EEW以及清洗处理部95。另外，在边缘曝光部EEW的下侧，设置有后述的返回缓冲贮存器部RBF1、RBF2以及基板装载部PASS9、PASS10。在第四中心机械手CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
接口用搬送机构IFR具有用于交接基板W的手部H5以及手部H6。接口用搬送机构IFR，在基板装载部PASS9和清洗处理部95之间、清洗处理部95以及曝光装置14之间以及曝光装置14和基板装载部PASS10之间进行基板W的交接。对接口用搬送机构IFR的详细说明后面再述。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿Y方向依次并列设置有分度器部9、反射防止膜用处理部10、抗蚀膜用处理部11、显影处理部12以及接口部13。
图2是从+X方向来看的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理部10的反射防止膜用涂敷处理部70(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘71以及向保持在旋转卡盘71上的基 板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴72。
在抗蚀膜用处理部11的抗蚀膜用涂敷处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘81以及向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴82。
在显影处理部12的显影处理器90(参照图1)，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘91以及向保持在旋转卡盘91上的基板W供给显影液的供给喷嘴92。
在接口部13内，在显影处理部12侧，上下层叠配置有两个边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存器部RBF1、RBF2以及基板装载部PASS9、PASS10，同时配置有第四中心机械手CR4。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘98以及对保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。
另外，在接口部13内，在曝光装置14侧，设置有清洗处理部95(参照图1)，同时配置有接口用搬送机构IFR。在清洗处理部95，上下层叠配置两个清洗处理单元SOAK。在该清洗处理单元SOAK，进行基板W的清洗以及干燥处理。对于清洗处理单元SOAK的详细说明后述。
图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理部10的反射防止膜用热处理部100，上下层叠配置有两个带交接部热处理单元PHP(以下简称为“热处理单元”)和3个加热板HP，反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有2个粘合强化剂涂敷处理部AHL以及4个冷却板CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101，其最上部分别配置有控制热处理单元PHP、加热板HP、粘合强化剂涂敷处理部AHL以及冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理部11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有6个热处理单元PHP，在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有4个冷却板CP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111，其最上部分别配置有控制热处理单元PHP以及冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在显影处理部12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个加热板 HP以及4个冷却板CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有5个热处理单元PHP、基板装载部PASS7、PASS8以及冷却板CP。另外，在显影用热处理部120、121，其最上部分别配置有控制热处理单元PHP、加热板HP以及冷却板CP的温度的局部控制器LC。
下面，针对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
在分度器部9的搬运器装载台60的上面，搬入将多个基板W多级容纳的搬运器C。分度器机械手IR使用用于交接基板W的手部IRH，取出容纳在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移载到基板装载部PASS1。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为搬运器C，但是不限于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical InterFace：标准机械界面)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。进一步，在分度器机械手IR、第一～第四中心机械手CR1～CR4以及接口用搬送机构IFR，使用分别相对于基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直线运动型搬送机械手，但是不限于此，也可以使用通过使关节动作来直线的进行手部的进退动作的多关节型机械手。
移载到基板装载部PASS1上的未处理的基板W，通过反射防止膜用处理部10的第一中心机械手CR1的手部CRH1接收。第一中心机械手CR1通过手部CRH1将基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。然后，第一中心机械手CR1通过手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理过的基板W，并搬入到反射防止膜用涂敷处理部70。在该反射防止膜用涂敷处理部70中，为了减少曝光时产生的驻波和光晕，通过涂敷单元BARC在光致抗蚀膜的下部涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中心机械手CR1通过手部CRH1从反射防止膜用涂敷处理部70取出涂敷处理过的基板W，搬入到反射防止膜用热处理部100、101。接着，第一中心机械手CR1通过手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理过的基板W，移载到基板装载部PASS3。
移载到基板装载部PASS3的基板W通过抗蚀膜用处理部11的第二中心机械手CR2的手部CRH3被接收。第二中心机械手CR2通过手部CRH3而 将基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中心机械手CR2通过手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理过的基板W，并搬入到抗蚀膜用涂敷处理部80。在该抗蚀膜用涂敷处理部80中，通过涂敷单元RES在涂敷形成了反射防止膜的基板W上涂敷形成光致抗蚀膜。
然后，第二中心机械手CR2通过手部CRH3从抗蚀膜用涂敷处理部80取出涂敷处理过的基板W，并搬到抗蚀膜用热处理部110、111。接着，第二中心机械手CR2由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，移载到基板装载部PASS5上。
移载到基板装载部PASS5上的基板W由显影处理部12的第三中心机械手CR3的手部CRH5接收。第三中心机械手CR3通过手部CRH5将基板W移载到基板装载部PASS7上。移载到基板装载部PASS7上的基板W，由接口部13的第四中心机械手CR4的上侧的手部CRH7接收。第四中心机械手CR4通过手部CRH7将基板W搬入到边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第四中心机械手CR4通过手部CRH7从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W，并移载到基板装载部PASS9上。
移载到基板装载部PASS9上的基板W通过接口用搬送机构IFR搬入到清洗处理单元SOAK。在清洗处理单元SOAK中对基板W实施了清洗以及干燥处理之后，接口用搬送机构IFR将基板W搬入到曝光装置14。在曝光装置14中对基板W实施了曝光处理后，接口用搬送机构IFR将基板W移载到PASS10上。此外，关于接口用搬送机构IFR的具体结构，在后面叙述。
移载到基板装载部PASS10上的基板W由接口部13的第四中心机械手CR4的下侧的手部CRH8接收。第四中心机械手CR4通过手部CRH8将基板W搬入到显影处理部12的显影用热处理部121。在显影用热处理部121中，对基板W实施热处理。然后，第四中心机械手CR4通过手部CRH8从显影用热处理121取出基板W，并移载到基板装载部PASS8。
移载到基板装载部PASS8上的基板W，由显影处理部12的第三中心机械手CR3的手部CRH6接收。第三中心机械手CR3通过手部CRH6将基板W搬入到显影处理器90。在显影处理器90中，对曝光了的基板W执行显影处理。
然后，第三中心机械手CR3通过手部CRH5从显影处理器90取出显影 处理过的基板W，搬入到显影用热处理部120。
下面，第三中心机械手CR3通过手部CRH6从显影用热处理部120取出热处理后的基板W，移载到设置在抗蚀膜用处理部11的基板装载部PASS6。
此外，由于故障等，在显影处理器90中暂时不能进行基板W的显影处理时，在显影用热处理部121中对基板W实施热处理之后，可以暂时将基板W容纳保管在接口部13的返回缓冲贮存器部RBF1中。
移载到基板装载部PASS6的基板W通过抗蚀膜用处理部11的第二中心机械手CR2的手部CRH4而移载到基板装载部PASS4上。移载到基板装载部PASS4上的基板W通过反射防止膜用处理部10的第一中心机械手CR1的手部CRH2，被移载到基板装载部PASS2上。
移载到基板装载部PASS2上的基板W通过分度器部9的分度器机械手IR容纳在搬运器C内。由此，基板处理装置中的基板W的各处理结束。
在这里，对上述的清洗处理单元SOAK利用附图进行详细的说明。
首先，对清洗处理单元SOAK的结构进行说明。图4是用于说明清洗处理单元SOAK的结构的图。
如图4所示，清洗处理单元SOAK是具有用于将基板W水平保持的同时宜通过基板W的中心的垂直的旋转轴为中心使基板W旋转的旋转卡盘621。
旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636而旋转的旋转轴625的上端。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(无图示)，通过在将基板W装载到旋转卡盘621上的状态下在吸气路径内排气，从而将基板W的下表面与旋转卡盘621真空吸附，可以将基板W以水平姿势保持。
在旋转卡盘621的外侧设置有第一旋转马达660。第一旋转马达660与第一旋转轴661连接。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，并在第一臂部662的前端设置清洗处理用喷嘴650。
通过第一旋转马达660旋转第一旋转轴661的同时使第一臂部662旋转，清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第一旋转马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663是通过阀门Va以及阀门Vb连接清洗液供给源R1以及冲洗液供给源R2。通过控制该阀门Va、 Vb的开关，从而可以进行供给到清洗处理用供给管的处理液的选择以及供给量的调整。在图4的结构中，通过打开阀门Va，而可以将清洗液供给到清洗处理用供给管663，通过打开阀门Vb，则可以将冲洗液供给到清洗处理用供给管663。
将清洗液或者冲洗液通过清洗处理用供给管663从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2供给到清洗处理用喷嘴650。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液。清洗液可以使用纯水、在纯水中溶解了络合物(离子化)的液体或者氟类药液等。冲洗液可以使用纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水以及HFE(氢氟醚)的任一种。
在旋转卡盘621的外侧设置有第二旋转马达671。第二旋转马达671与第二旋转轴672连接。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672，并在第二臂部673的前端设置干燥处理用喷嘴670。
通过第二旋转马达671旋转第二旋转轴672的同时使第二臂部673旋转，干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第二旋转马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀门Vc连接于惰性气体供给源R3。通过控制该阀门Vc的开关，从而可以调整供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。
在干燥处理用喷嘴670，经由干燥处理用供给管674从惰性气体供给源R3供给惰性气体。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。惰性气体可以使用氮气(N2)。
在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板的上方，在向基板W的表面供给惰性气体时，清洗用喷嘴650退避到规定的位置。
另外，在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，在向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
由旋转卡盘621保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧，设置有筒状的间隔壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中使用的处理液(清洗液或者冲洗液)的 排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式形成有用于在处理杯623和间隔壁633之间回收基板W的处理中使用的处理液的回收液空间632。
在排液空间631，连接着用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管634，在回收液空间632连接着用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管635。
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的防护装置624。该防护装置624由相对于旋转轴625而旋转对称的形状构成。在防护装置624上端部的内面，环状形成截面“<”字状的排液引导槽641。
另外，在防护装置624的下端部的内面，形成由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。
该防护装置624上设置有用滚珠丝杠机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构，使防护装置624在回收液引导部642与保持在旋转卡盘621上的基板W的外周端面相对向的回收位置、和排液引导槽641与保持在旋转卡盘621上的基板W的外周端面相对向的排液位置之间上下移动。在防护装置624位于回收位置(如图4所示的防护装置的位置)的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过回收液引导部642引导到回收液空间632，而通过回收管635进行回收。另一方面，在防护装置624位于排液位置时，将从基板W向外侧飞散的处理液通过排液引导槽641引导到排液空间631，通过排液管634排液。根据以上的结构，进行处理液的排液以及回收。
接着，对具有上述结构的清洗处理单元SOAK的处理动作进行说明。此外，以下说明的清洗处理单元SOAK的各构成要件的动作通过图1的主控制器30进行控制。
首先，在搬入基板W时，防护装置624下降的同时，图1的接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载在旋转卡盘621上的基板W，通过旋转卡盘621而被吸附保持。
然后，防护装置624移动到上述排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650向基板W的中心部上方移动。其后，旋转轴625旋转，伴随着该旋转而被 保持在旋转卡盘621上的基板W旋转。其后，将清洗液从清洗处理用喷嘴650喷到基板W的上表面。由此，进行基板W的清洗，基板W上的抗蚀剂的成分稀出到清洗液中。在这里，基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。这时，基板W上的清洗液由于离心力总是向基板W的周边部分移动飞散。因而，可以防止稀出到清洗液中的抗蚀剂的成分残留在基板W上。此外，上述抗蚀剂的成分也可以例如通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间来稀出。还有，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用2流体喷嘴的柔性喷射(ソフトスプレ—)方式进行。
经过规定时间后，停止清洗液的供给，从清洗处理用喷嘴650喷射冲洗液。由此，冲洗基板W上的清洗液。其结果，可以可靠的防止稀出到清洗液中的抗蚀剂液的成分残留在基板W上。
进一步，经过规定时间后，旋转轴625的旋转速度降低。由此，通过基板W的旋转而甩开的冲洗液的量减少，如图5A所示，在基板W的表面整体上形成冲洗液的液层L。此外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的表面整体上形成液层L。
在本实施方式中，采用下述结构：以可以从清洗液处理用喷嘴650任意供给清洗液以及冲洗液的方式，采用在清洗液的供给以及冲洗液的供给中共用清洗液处理用喷嘴650的结构。但也可以采用清洗液供给用的喷嘴和冲洗液处理用的喷嘴分别分开的结构。
另外，在供给冲洗液时，为了使冲洗液不蔓延到基板W的北面，对基板W的背面从未图示的防冲洗用喷嘴供给纯水也可以。
此外，在清洗基板W的清洗液使用纯水的情况下，不需要进行冲洗液的供给。
下面，停止冲洗液的供给，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。其后，从干燥处理用喷嘴670喷射惰性气体。由此，如图5B所示变为以下状态：基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，仅基板W的周围存在液层L。
接着，旋转轴625(参照图4)的转速上升的同时，如图5C所示，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，在基板W上的液层L作用很大离心力的同时，可以对基板W的表面整体喷射 惰性气体，因此，可以确实除去基板W上的液层L。其结果，可以使基板W确实的干燥。
下面，停止惰性气体的供给，干燥处理喷嘴670退避到规定的位置的同时使旋转轴625的旋转停止。其后，防护装置624下降的同时图1的接口用搬送机构IFR将基板W从清洗处理单元SOAK搬出。由此，清洗处理单元SOAK中的处理动作结束。
此外，清洗以及干燥处理中的防护装置624的位置最好是按照处理液的回收或者排液的需要而适当变更。
此外，在图4所示的清洗处理单元SOAK中，将清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670分别单独设置，但如图6所示，也可以将清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670一体设置。这时，由于不需要在基板W的清洗处理时或者干燥处理时将清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670分别各自移动，所以可以使驱动机构简单化。
另外，代替干燥处理用喷嘴670，而使用如图7所示的干燥处理用喷嘴770也是可以的。
图7的干燥处理用喷嘴770具有向垂直下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成喷射惰性气体的气体喷射口770a、770b、770c。从各喷射口770a、770b、770c分别如图7的箭头所示向垂直下方以及斜下方喷射惰性气体。即，在干燥处理用喷嘴770中，以向下方扩大喷射范围的方式喷射惰性气体。
在这里，使用干燥处理用喷嘴770时，清洗处理单元SOAK通过以下说明的动作进行基板W的干燥处理。
图8是用于说明使用了干燥处理用喷嘴770的情况的基板W的干燥处理方法的图。
首先，通过在图6中说明的方法在基板W的表面形成液层L之后，如图8A所示，干燥处理用喷嘴770向基板W的中心部上方移动。其后，从干燥处理用喷嘴770喷射惰性气体。由此，如图8B所示变为以下状态，基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，仅基板W的周边部存在液层L。此外，这时，干燥处理用喷嘴770接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的冲洗液确实移动。
然后，在旋转轴625(参照图4)的转速上升的同时，如图8C所示干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，在基板W上的液层L作用很大的离心力的同时，基板W上的惰性气体喷射的范围扩大。其结果，可以确实的除去基板W上的液层L。另外，干燥处理用喷嘴770通过设置在图4的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)而使第二旋转轴672上下升降，从而可以上下移动。
另外，代替干燥处理用喷嘴770，而使用如图9所示的干燥处理用喷嘴870也可以。图9的干燥处理用喷嘴870具有向下方缓慢扩大直径的喷射口870a。从该喷射口870a沿图9所示的箭头向垂直下方以及斜下方喷射惰性气体。即，即使在干燥处理用喷嘴870，也与图7的干燥处理用喷嘴770相同，以向下方喷射的范围扩大的方式喷射惰性气体。因而，使用干燥处理用喷嘴870，也通过与使用干燥处理用喷嘴770的情况相同的方法从而可以进行基板W的干燥处理。
另外，代替图4所示的清洗处理单元SOAK，也可以使用如图10所示清洗处理单元SOAKa。
如图10所示的清洗处理单元SOAKa与图4所示的清洗处理单元SOAK的不同点为以下所说明的点。
在图10的清洗处理单元SOAKa中，在旋转卡盘621的上方设置有在中心部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向垂直方向设置支承轴689，在该支承轴689的下端，遮断板682以与保持在旋转卡盘621上的基板W的上表面相对向的方式安装着。
在支承轴689的内部，贯通有与遮断板682的开口连通着的气体供给路径690。在气体供给路径690例如供给氮气(N2)。
在臂部688，连接着遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在与保持在旋转卡盘621上的基板W的上表面接近的位置和从旋转卡盘621离开到上方的位置之间上下移动。
在图10的清洗处理单元SOAKa中，在基板W的干燥处理时，如图11所示，在使遮断板682接近基板W的状态下，对基板W和遮断板682之间的间隙从气体供给路径690供给惰性气体。这时，从基板W的中心部向周 边部可以高效的供给惰性气体，因此，可以确实除去基板W上的液层L。
另外，上述实施方式中，在清洗处理单元SOAK中通过旋转干燥方法对基板W执行干燥处理，但也可以通过减压干燥方法、风刀干燥方法等其他的干燥方法对基板W执行干燥处理。
另外，在上述实施方式中，是在形成冲洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但在没有形成冲洗液的液层L的情况或者没有使用冲洗液的情况下，使基板W旋转而将清洗液的液层一旦甩开之后，立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体使基板W完全干燥也是可以的。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中，在曝光装置14中对基板W进行曝光处理之前，在清洗处理单元SOAK中对基板W进行清洗处理。在该清洗处理时，基板W上的抗蚀剂液的成分的一部分稀出到清洗液或者冲洗液中，而被冲洗。为此，即使在曝光处理14中基板W和液体接触，基板W上的抗蚀剂的成分几乎没有稀出到液体中。由此，降低曝光装置14的透镜(未图示)等的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。其结果是，能够降低在曝光装置14中产生的基板W的处理不良。
另外，在清洗处理单元SOAK中，通过在基板W的清洗处理后旋转基板W，同时将惰性气体从基板W中心部向周边部吹拂，从而进行基板W的干燥处理。这时，由于可以确实除去基板W上的清洗液以及冲洗液，所以可以确实防止环境中的尘埃等附着在清洗后的基板W上。由此，在可以确实防止基板W的污染的同时，可以防止在基板W的表面产生干燥后的水斑。
另外，由于可以确实防止在清洗后的基板W残留清洗液以及冲洗液，所以在从清洗处理单元SOAK将基板W搬送到曝光装置14时，可以确实防止抗蚀剂的成分进一步稀出到清洗液以及冲洗液中。由此，可以确实防止抗蚀膜的形状不良的产生的同时，可以确实防止曝光装置14内的污染。
这些的结果是，可以确实防止基板W的处理不良。
下面，对接口用搬送机构IFR进行说明。图12是用于说明接口用搬送机构IFR的结构以及动作的图。
首先，针对接口用搬送机构IFR的结构进行说明。如图12所示，在接口用搬送机构IFR的固定台21上，以在±θ方向可旋转且在±Z轴方向可升降的方式搭载有手部支承台24。手部支承台24经由旋转轴25与固定台21内 的马达M2连接，通过该马达M2，手部支承台24旋转。在手部支承台24，可进退的上下设置有以水平姿势保持基板W的两个手部H5、H6。
下面，针对接口用搬送机构IFR的动作进行说明。接口用搬送机构IFR的动作由图1的主控制器30控制。
首先，接口用搬送机构IFR，使手部支承台24旋转，同时沿+Z方向上升，使上侧的手部H5进入基板装载部PASS9。在基板装载部PASS9中，当手部H5接收基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板装载部PASS9后退。
接着，接口用搬送机构IFR，使手部支承台24旋转同时沿+Z方向上升，使手部H5进入两个清洗处理单元SOAK中的一个。将基板W搬入清洗处理单元SOAK后，接口用搬送机构IFR使手部H5从清洗处理单元SOAK后退。
接着，接口用搬送机构IFR，使手部支承台24沿±Z方向上升或下降，使手部H5进入两个清洗处理单元SOAK中的另一个中。若在清洗处理单元SOAK中接收清洗处理后的基板W，则接口用搬送机构IFR使手部H5从清洗处理单元SOAK后退。
接着，接口用搬送机构IFR，使手部支承台24旋转同时沿-Z方向下降，使手部H5进入曝光装置14的基板搬入部14a(参照图1)。将基板搬入到搬入部14a后，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板搬入部14a后退。
接着，接口用搬送机构IFR使下侧的手部H6进入曝光装置14的基板搬出部14b(参照图1)。在基板搬出部14b中，当手部H6接收曝光处理后的基板W时，接口用搬送机构IFR使手H6从基板搬出部14b后退。
然后，接口用搬送机构IFR使手部支承台24旋转的同时沿+Z方向上升，使手H6进入基板装载部PASS10，并将基板W移载到基板装载部PASS10。
此外，将基板W从基板装载部PASS9搬送到清洗处理单元SOAK时，在清洗处理单元SOAK不能接收基板W的情况下，基板W在基板装载部PASS9等待直到清洗处理单元SOAK可接收为止。
另外，将基板W从清洗处理单元SOAK搬送到曝光装置14时，在曝光装置14不能接收基板W的情况下，基板W暂时搬送到缓冲贮存器SBF中，基板W在缓冲贮存器SBF等待直到曝光装置1可以接收为止。
如上所述，在本实施方式中，在将基板W从基板装载部PASS9搬送到 清洗处理单元SOAK时以及从清洗处理单元SOAK搬送到曝光装置14时，使用接口用搬送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置14搬送到基板装载部PASS10时，使用手部H6。即，在曝光处理后的附着了液体的基板W的搬送使用手部H6，而曝光处理前的未附着液体的基板W的搬送使用手部H5。因此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以即使液体从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
而且如上所述，在第四中心机械手CR4中，也是在曝光处理后的附着了液体的基板W的搬送(基板装载部PASS10和显影用热处理部121之间)中使用了下侧的手部CRH8，在曝光处理前的未附着液体的基板W的搬送(基板装载部PASS7和边缘曝光部EEW之间)中使用上侧的手CRH7。因此即使在第四中心机械手CR4中，液体也不会附着在曝光处理前的基板W上。
这些的结果是，由于可以防止液体附着在曝光处理前的基板W上，所以可以防止环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，可以防止在曝光装置14中由于分辨性能的恶化导致基板W的处理不良的产生。
此外，在本实施方式中，通过1台接口用搬送机构IFR进行从基板装载部PASS9到清洗处理单元SOAK的搬送、从清洗处理单元SOAK到曝光装置14的搬送以及从曝光装置14到基板装载部PASS10的搬送，但是也可以使用多台接口用搬送机构IFR进行基板W的搬送。
另外，涂敷单元BARC、RES、显影处理单元DEV、清洗处理单元SOAK、热处理单元PHP、加热板HP、粘合强化剂涂敷处理部AHL以及冷却板CP的个数也可以对应于各处理部的处理速度进行适当变更。
另外，对应于曝光装置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b的位置，也可以适当变更接口用搬送机构IFR的动作以及结构。例如曝光装置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b没有位于与基板装载部PASS9、PASS10相对向的位置的情况下，固定台21也可以为可动式的。
另外，在清洗处理单元SOAK中，代替如图4所示的清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670的一方或者双方而使用如图13所示的2流体喷嘴也可以。
图13是表示用于清洗以及干燥处理的2流体喷嘴950的内部结构的一个例子的纵向剖视图。从2流体喷嘴950可以选择性喷射气体、液体以及气体和液体的混合流体。
本实施方式的2流体喷嘴950被称为外部混合型。如图13所示的外部混合型的2流体喷嘴950是由内部主体部311及外部主体部312构成的。内部主体部311例如由石英等构成，外部主体部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等的氟树脂构成。
沿内部主体部311的中心轴形成圆筒状的液体导入部311b。在液体导入部311b安装有图4的清洗处理用供给管663。由此，将从清洗处理用供给管663供给的清洗液或者冲洗液导入到液体导入部311b。
在内部主体部311的下端，形成有与液体导入部311b连通的液体喷射口311a。内部主体部311插入到外部主体部312内。另外，内部主体部311以及外部主体部312的上端相互接合，而下端没有接合在一起。
在内部主体部311和外部主体部312之间形成有圆筒状的气体通过部312b。在外部主体部312的下端形成有与气体通过部312b连通的气体喷射口312a。在外部主体部312的圆周壁上，以与气体通过部312b连通的方式安装着图6的干燥处理用供给管674。由此，将从干燥处理用供给管674供给的惰性气体导入到气体通过部312b中。
气体通过部312b，在气体喷射口312a附近，随着向下方而直径变小。其结果是，惰性气体的流速加速，由气体喷射口312a喷射出。
从气体喷射口311a喷射的清洗液和从气体喷射口312a喷射的惰性气体在2流体喷嘴950的下端附近的外部混合，生成含有清洗液的微细液滴的雾状的混合流体。
图14是用于说明使用了图13的2流体喷嘴950时的基板W的清洗以及干燥处理方法的图。
首先，如图4所示，基板W由旋转卡盘621吸附保持，伴随着旋转轴625的旋转而旋转。这时，旋转轴625的转速例如约为500rpm。
在该状态下，如图14A所示，从2流体喷嘴950向基板W的上表面喷射由清洗液以及惰性气体构成的雾状混合流液的同时，2流体喷嘴950从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，混合流体从2流体喷嘴 950向基板W的表面全体喷射，进行基板W的清洗。
下面，如图14B所示，停止混合流体的供给，在旋转轴625的旋转速度降低的同时，在基板W上从2流体喷嘴喷射冲洗液。这时，旋转轴625的旋转速度例如约10rpm。由此，在基板W的表面全体形成冲洗液的液层L。另外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的表面整体形成液层L。另外，使用纯水作为在清洗基板W的混合流体中的清洗液的情况下，也可以不供给冲洗液。
形成液层L之后，停止冲洗液的供给。然后，如图14C所示，在基板W上从2流体喷嘴950喷射惰性气体。由此，基板W的中心部的清洗液移动到基板W的周边部，变为液层L仅存在于基板W的周边部的状态。
此后，旋转轴625的旋转速度上升。这时，旋转轴625的旋转速度例如约为100rpm。由此，由于在基板W上的液层L作用很大的离心力，所以可以除去基板W上的液层L。其结果，使基板W干燥。
另外，在除去基板W上的液层L时，2流体喷嘴950也可以从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，可以向基板W的表面整体喷射惰性气体，因此可以确实除去基板W上的液层L。其结果，可以确实使基板W干燥。
如上所述，在图13的2流体喷嘴中，从2流体喷嘴950喷射的混合流体包含清洗液的细微液滴，因此就连基板W表面有凹凸的情况，也可以通过清洗液的细微液滴去除附着在基板W上的污垢。由此，可以确实除去基板W表面的污垢。另外，在基板W上的膜的濡湿性低的情况下，也可以通过清洗液的微细液滴去除基板W表面的污垢，因此可以确切除去基板W表面的污垢。
因而，在曝光处理前通过热处理单元PHP或者加热板HP而对基板W执行热处理时，抗蚀膜的溶剂等在热处理单元PHP或者加热板HP内升华，即使其升华物再次附着在基板W上的情况下，在清洗处理单元SOAK中，可以确实除去其附着物。由此，可以确实防止曝光装置14内的污染。
另外，通过调节惰性气体的流量，可以容易的调节清洗基板W时的清洗能力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜)具有易损的性质的情况下，通过使清洗能力减弱而可以防止基板W上的有机膜的破损。另外，基板W 表面的污垢牢固的情况下通过增强清洗能力而可以确实除去基板W表面的污垢。这样，通过按照基板W上的有机膜的性质以及污垢的程度调节清洗能力，从而可以防止基板W上的有机膜的破损，同时可确实清洗基板W。
另外，在外部混合型的2流体喷嘴950中，混合流体是在2流体喷嘴950的外部通过混合清洗液和惰性气体而生成的。在2流体喷嘴950的内部，惰性气体和清洗液在分别不同的流路区分流通。由此，在气体通过部312b内不会残留清洗液，而可以将惰性气体单独的从2流体喷嘴950喷射。进一步，通过从清洗处理用供给管663供给冲洗液，而可以将冲洗液从2流体喷嘴950单独喷射。因而，可以将混合流体、惰性气体以及冲洗液从2流体喷嘴950选择性喷射。
另外，在使用2流体喷嘴950的情况下，不需要分别设置用于向基板W供给清洗液或者冲洗液的喷嘴、和用于向基板W供给惰性气体的喷嘴。由此，用简单的结构就可以确实进行基板W的清洗以及干燥。
此外，在上述的说明中，通过2流体喷嘴950而向基板W供给冲洗液，但也可以用另外的喷嘴向基板W供给冲洗液。
另外，在上述的说明中，通过2流体喷嘴950而向基板W供给惰性气体，但也可以用另外的喷嘴向基板W供给惰性气体。
在本实施方式中，反射防止膜用处理部10、抗蚀膜用处理部11以及显影处理部12相当于处理部，接口部13相当于交接部，涂敷单元RES相当于第一处理单元，清洗处理单元SOAK、SOAKa相当于第二处理单元，边缘曝光部EEW相当于第三处理单元，基板装载部PASS9、PASS10相当于装载部，第四中心机械手CR4相当于第一搬送单元，接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元。
另外，手部CRH7相当于第一保持部，手部CRH8相当于第二保持部，手部CRH5相当于第三保持部，手部CRH6相当于第四保持部。
另外，旋转卡盘621相当于基板保持装置，旋转轴625以及卡盘旋转驱动机构636相当于旋转驱动装置，清洗处理用喷嘴650相当于清洗液供给部以及冲洗液供给部，干燥处理用喷嘴670、770、870相当于惰性气体供给部。
另外，2流体喷嘴950相当于流体喷嘴，液体导入部311b相当于液体流路，气体通过部312b相当于气体流路。

Claims (24)

1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，该曝光装置通过浸液法进行基板的曝光处理，其特征在于，具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接；
上述处理部包括在基板上涂敷抗蚀剂液的第一处理单元，
上述交接部包括：
第二处理单元，其在上述曝光装置的曝光处理之前，使用清洗液对由上述第一处理单元涂敷了抗蚀剂液的基板的表面进行清洗，以使抗蚀剂中的成分的一部分稀出到所述清洗液中；
搬送装置，其在上述处理部、上述曝光装置以及上述第二处理单元之间搬送基板，
上述搬送装置包括对上述曝光装置进行基板的交接的搬送机构，
上述搬送机构包括：第一保持部，其保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板；第二保持部，其保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部还包括对基板进行规定的处理的第三处理单元以及暂时装载基板的装载部，
上述搬送装置还包括搬送单元，该搬送单元在上述处理部、上述第三处理单元以及上述装载部之间搬送基板；
上述搬送机构在上述装载部、上述第二处理单元以及上述曝光装置之间搬送基板，
上述搬送机构将基板从上述装载部搬送到上述第二处理单元。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述搬送单元具有保持基板的第三以及第四保持部，
上述搬送单元在搬送由上述曝光装置曝光处理前的基板时，通过上述第三保持部保持基板，而在搬送由上述曝光装置曝光处理后的基板时，通过上述第四保持部保持基板。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方，上述第四保持部设置在上述第三保持部的下方。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元在对基板进行清洗后，还对基板进行干燥。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元具有：
将基板大致水平保持的基板保持装置；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转；
清洗液供给部，其向被保持于上述基板保持装置的基板上供给清洗液；
惰性气体供给部，其在通过上述清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
10.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在通过上述清洗液供给部供给清洗液之后，且在通过上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部向基板上供给的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元通过从流体喷嘴向基板供给含有清洗液以及气体的混合流体来进行基板的清洗处理。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体为惰性气体。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元在对基板进行清洗处理后，还对基板进行干燥处理。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而进行基板的干燥处理。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述惰性气体供给部的功能。
17.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还包括：
将基板大致水平保持的基板保持装置；
旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板以与该基板垂直的轴为中心进行旋转。
18.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使从上述流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动来使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
19.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从上述流体喷嘴供给了混合流体之后，且在通过上述惰性气体供给部供给上述惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有上述冲洗液供给部的功能。
21.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动来使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
22.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有：流通液体的液体流路；流通气体的气体流路；与上述液体流路连通并开口的液体喷射口；设置在上述液体喷射口的附近的同时与上述气体流路连通并开口的气体喷射口。
23.一种基板处理方法，是在以相邻于曝光装置的方式配置的、具有第一处理单元、搬送装置以及第二处理单元的基板处理装置中处理基板的方法，该曝光装置通过浸液法进行基板的曝光处理，其特征在于，包括：
通过上述第一处理单元对基板涂敷抗蚀剂液的工序；
在上述曝光装置的曝光处理前通过上述搬送装置将基板搬送到上述第二处理单元的工序；
通过上述第二处理单元使用清洗液对由上述第一处理单元涂敷了抗蚀剂液的基板的表面进行清洗，以使抗蚀剂中的成分的一部分稀出到所述清洗液中的工序；
通过上述搬送装置将由上述第二处理单元清洗过的基板搬送到上述曝光装置的工序；
通过上述搬送装置从上述曝光装置搬送曝光处理后的基板的工序，
向上述曝光装置搬送基板的工序包括通过上述搬送装置的搬送机构的第一保持部保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理前的基板的工序，
从上述曝光装置搬送基板的工序包括通过上述搬送装置的搬送机构的第二保持部保持并搬送由上述曝光装置进行曝光处理后的基板的工序。
24.如权利要求23所述的基板处理方法，其特征在于，在通过上述第二处理单元进行基板的清洗的工序之后，且在通过上述搬送装置将基板搬送到上述曝光装置之前，还具有通过上述第二处理单元进行基板的干燥的工序。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN100592468C (zh) * 2006-02-02 2010-02-24 株式会社迅动 基板处理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2008091364A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4744427B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4869097B2 (ja) * 2007-02-15 2012-02-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010177673A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Semes Co Ltd 基板処理設備及び基板処理方法
CN102064126B (zh) * 2010-11-04 2013-04-17 友达光电股份有限公司 基板运输处理方法
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
KR101619166B1 (ko) * 2015-06-12 2016-05-18 카즈오 스기하라 기판의 세정·건조 처리 장치
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7136612B2 (ja) * 2018-07-13 2022-09-13 ローツェ株式会社 局所パージ機能を有する搬送装置
JP7405884B2 (ja) * 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1385882A (zh) * 2001-04-27 2002-12-18 株式会社神户制钢所 基板处理方法及基板处理设备
US6558053B2 (en) * 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032999B2 (ja) * 1992-11-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2896870B2 (ja) * 1995-05-19 1999-05-31 サンケン電気株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
JP3441304B2 (ja) * 1996-07-18 2003-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および方法
JPH11233480A (ja) 1998-02-10 1999-08-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置及びその方法
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
KR100348938B1 (ko) * 1999-12-06 2002-08-14 한국디엔에스 주식회사 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP4124400B2 (ja) * 2001-01-19 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2002273360A (ja) * 2001-03-22 2002-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP3725809B2 (ja) * 2001-09-19 2005-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW561516B (en) 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6832863B2 (en) 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP2004015023A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびその方法
JP4298238B2 (ja) * 2002-08-27 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP4087328B2 (ja) * 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
AU2003280854A1 (en) 2002-11-28 2004-06-18 Tokyo Electron Limited Wafer processing system, coating/developing apparatus, and wafer processing apparatus
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
JP4170864B2 (ja) * 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
TW200424767A (en) * 2003-02-20 2004-11-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method
JP4307132B2 (ja) * 2003-04-16 2009-08-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP1624481A4 (en) 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US6873938B1 (en) * 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
JP3993549B2 (ja) 2003-09-30 2007-10-17 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4194495B2 (ja) 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4401879B2 (ja) 2004-07-07 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板の回収方法及び基板処理装置
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4271109B2 (ja) * 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
JP4463081B2 (ja) 2004-11-10 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5008280B2 (ja) 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2006310724A (ja) * 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4381285B2 (ja) 2004-11-11 2009-12-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558053B2 (en) * 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN1385882A (zh) * 2001-04-27 2002-12-18 株式会社神户制钢所 基板处理方法及基板处理设备

Also Published As

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