CN1885160B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有：分度器模块、端部清洗处理模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块、抗蚀覆盖膜用处理模块、抗蚀覆盖膜除去模块、清洗/干燥处理模块以及接口模块。相邻于基板处理装置的接口模块而配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行对基板的曝光处理。在端部清洗模块的端部清洗处理部中，对曝光处理前的基板的端部进行清洗。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置。 
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板进行各种处理，使用着基板处理装置。 
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续地进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块构成。相邻于接口模块而配置有与基板处理装置分开独立的、作为外部装置的曝光装置。 
在上述的基板处理装置中，从分度器模块搬入的基板，在反射防止膜用处理模块以及抗蚀膜用处理模块中进行了反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口模块被搬送到曝光装置中。 
在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口模块被搬送到显影处理模块中。通过在显影处理模块中对基板上的抗蚀膜进行显影处理，而形成抗蚀剂图案之后，基板被搬送到分度器模块。 
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，对抗蚀剂图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上来进行了曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽取决于曝光装置的光源波长，所以对抗蚀剂图案的微细化具有局限性。 
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，而提出了浸液法(例如，参考国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册中的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满有液体，从而能够实现对基板表面的曝光用光的短波长化。由此，可使曝光图案进一步微细 化。 
可是，上述的国际公开第99/49504号手册中的投影曝光装置，由于在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，因此，当曝光处理前基板上附着有污染物质时，该污染物物质会混入液体中。 
在曝光处理前，虽然对基板进行种种的成膜处理，但有时会在该成膜处理的过程中对基板的端部造成污染。这样，当在基板的端部被污染的状态下进行基板的曝光处理时，有可能曝光装置的透镜被污染，而发生曝光图案的尺寸不良以及形状不良。 
另外，对于上述以往的基板处理装置，在使用浸液法的曝光处理中，有时基板的端部或端部附近的反射防止膜或抗蚀膜等所含有的成分会析出或溶出到浸液的液体内。其结果，导致曝光装置的透镜被污染，而引起曝光图案的尺寸不良以及形状不良。 
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以防止曝光装置内的污染、而能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生的基板处理装置。 
(1)本发明的一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其相邻于处理部的一端部而设置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接，处理部包括对由曝光装置进行曝光处理前的基板的端部进行清洗的第一处理单元。 
本发明的基板处理装置相邻于曝光装置而配置。在该基板处理装置中，通过处理部对基板进行规定的处理，并通过相邻于处理部的一端部而设置的交接部来在处理部和曝光装置之间进行基板的交接。 
在处理部中，通过第一处理单元来对由曝光装置进行曝光处理前的基板的端部进行清洗。由此，能够除去附着在曝光处理前的基板的端部上的污染物质。其结果，能够防止由基板的端部的污染导致的曝光装置内的污染、从而能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
(2)处理部具有：第二处理单元，其对由曝光装置进行曝光处理前的基板进行规定的处理；第三处理单元，其对由曝光装置进行曝光处理后的基板进行规定的处理，第一处理单元对由第二处理单元进行处理前的基板的端 部进行清洗也可。 
此时，在处理部中，通过第二处理单元来对由曝光装置进行曝光处理前的基板进行规定的处理；并通过第三处理单元来对由曝光装置进行曝光处理后的基板进行规定的处理。 
第一处理单元对由第二处理单元进行处理前的基板的端部进行清洗，从而可以防止基板的端部的污染物质接触污染到在第二处理单元、第三处理单元以及曝光装置之间搬送基板的搬送装置上。 
由此，在第二以及第三处理单元中，能够清洁地进行对基板的规定的处理。另外，由于基板的端部保持清洁，所以能够充分地防止由基板的端部的污染导致的基板的处理不良。 
(3)还具有基板搬入搬出部，该基板搬入搬出部相邻于处理部的另一端部而配置，并向处理部搬入基板以及从处理部搬出基板，处理部包括：第一处理单位，其具有第一处理单元以及搬送基板的第一搬送单元；一个或多个第二处理单位，其具有第二处理单元以及搬送基板的第二搬送单元；一个或多个第三处理单位，其具有第三处理单元以及搬送基板的第三搬送单元，第一处理单位相邻于基板搬入搬出部而配置。 
此时，通过基板搬入搬出部将基板搬入到处理部。在处理部的第一处理单位中，通过第一处理单元对从相邻的基板搬入搬出部搬入的基板的端部进行清洗，并将基板通过第一搬送单元来搬送基板。 
在第二处理单位中，通过第二处理单元来对由第一处理单元清洗过端部的曝光处理前的基板进行处理，并通过第二搬送单元来进行搬送。 
在处理部的第三处理单位中，通过第三处理单元来对曝光处理后的基板进行处理，并通过第三搬送单元来进行搬送。然后，通过基板搬入搬出部来将由第三处理单元处理过的基板从处理部搬出。 
该基板处理装置具有在具有第二处理单位、第三处理单位以及基板搬入搬出部的现有的基板处理装置上追加了第一处理单位的结构，所以能够以低成本防止由曝光处理前的基板的端部的污染导致的曝光装置内的污染。 
(4)第一处理单位还具有：第一装载部，其当将基板搬入到该处理单位时装载基板；第二装载部，其当将基板从该处理单位搬出时装载基板，第一搬送单元包括保持基板的第一以及第二保持部，第一搬送单元，当从第一 装载部向第一处理单元搬送基板时，通过第一保持部来保持基板，当从第一处理单元向第二装载部搬送基板时，通过第二保持部来保持基板。 
在第一处理单位中，搬入到该处理单位的基板被装载到第一装载部，并通过第一搬送单元的第一保持部将装载到第一装载部的基板搬送到第一处理单元。通过第一搬送单元的第二保持部来将由第一处理单元清洗过端部的基板搬送到第二装载部。然后，将装载到第二装载部的基板从该处理单位搬出。 
即，当对由第一处理单元清洗过端部的基板进行搬送时，使用第二保持部；而当对没有清洗端部的基板进行搬送时，使用第一保持部。因此，能够防止附着在基板的端部上的污染物质附着在第二保持部上。 
由此，能够防止污染物质附着在曝光处理前的基板的端部。其结果，能够防止曝光处理前的基板的污染。 
(5)将第一保持部设置在第二保持部的下方。此时，即使污染物质从第一保持部及由其保持的基板的端部落下，也可以防止第二保持部及由其保持的基板上附着污染物质。 
由此，能够可靠地防止在曝光处理前的基板上附着污染物质。其结果，能够可靠地防止曝光处理前的基板的污染。 
(6)第三处理单元包括在由曝光装置进行曝光处理后对基板进行干燥处理的干燥处理单元，具有干燥处理单元的第三处理单位相邻于交接部而配置，交接部具有第四搬送单元，该第四搬送单元将曝光处理前的基板交接到曝光装置，而将曝光处理后的基板从曝光装置搬送到干燥处理单元，并接收由干燥处理单元进行过干燥处理的基板。 
此时，在交接部中，通过第四搬送单元来将曝光处理前的基板交接到曝光装置，并通过第四搬送单元来将曝光处理后的基板从曝光装置搬送到干燥处理单元。 
在包含在第三处理单位的干燥处理单元中，进行对基板的干燥处理。然后，在交接部中，通过第四搬送单元来接收由干燥处理单元进行了干燥处理的基板。 
由此，能够防止当由曝光装置进行曝光处理时附着在基板上的液体落下到基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置的电气系统的异常等动 作不良。 
另外，通过对曝光处理后的基板进行干燥处理，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理后的基板上，从而能够防止基板的污染。 
另外，能够防止向基板处理装置内搬送附着有液体的基板，从而能够防止在曝光处理时附着在基板上的液体给基板处理装置内的环境带来影响。由此，基板处理装置内的温湿度调整变得容易。 
另外，能够防止在曝光处理时附着在基板上的液体在基板处理装置中附着于曝光处理前的其他基板上。因此，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的其他基板上，从而能够防止在曝光处理时的解像性能的劣化的同时，能够可靠地防止曝光装置内的污染。 
这样的结果，能够可靠地防止对基板W的处理不良。 
(7)第四搬送单元包括保持基板的第三以及第四保持部，第四搬送单元，当将曝光处理前的基板交接到曝光装置时、以及接收由干燥处理单元进行过干燥处理的基板时，通过第三保持部来保持基板，当将曝光处理后的基板从曝光装置搬送到干燥处理单元时，通过第四保持部来保持基板也可。 
此时，在交接部中，通过第四搬送单元的第三保持部来保持曝光处理前的基板，并将其交接到曝光装置。 
另外，通过第四搬送单元的第四保持部来保持曝光处理后的基板，并将其从曝光装置搬送到干燥处理单元。 
进而，通过第四搬送单元的第三保持部来保持由干燥处理单元进行了干燥处理的基板，并将其从干燥处理单元接收。 
即，对在曝光处理时附着有液体的基板进行搬送时，使用第四保持部；对曝光处理前以及由干燥处理单元进行干燥处理后的没有附着液体的基板进行搬送时，使用第三保持部。因此，能够防止液体附着在第三保持部上。 
由此，能够防止在曝光处理前以及由干燥处理单元进行干燥处理后的基板上附着液体。其结果，能够可靠地防止在曝光处理前以及由干燥处理单元进行干燥处理后的基板上附着环境中的灰尘等。 
(8)将第四保持部设置在第三保持部的下方也可。此时，即使液体从第四保持部及由其保持的基板上落下，也能够防止液体附着在第三保持部及由其保持的基板上。
由此，能够可靠地防止在曝光处理前的基板上附着灰尘等。其结果，能够可靠地防止曝光处理前的基板的污染。 
(9)第二处理单元包括感光性膜形成单元也可，该感光性膜形成单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。此时，通过感光性膜形成单元在清洗过端部的曝光处理前的基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。 
由此，在基板上形成感光性膜时，能够除去附着在基板的端部的污染物质，从而能够防止由基板的端部的污染导致的感光性膜的形成不良、从而能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
另外，在一个基板处理装置内，能够进行对基板的端部的清洗的同时，能够在基板上形成感光性膜，从而可以减少占用面积。 
(10)第二处理单元还包括保护膜形成单元也可，该保护膜形成单元形成保护感光性膜的保护膜。此时，由于在感光性膜上形成保护膜，所以即使在曝光装置中基板与液体相接触的状态下进行曝光处理，也能够防止感光性膜的成分溶出到液体中。由此，能够可靠地防止曝光装置内的污染。 
(11)第三处理单元还包括除去单元也可，该除去单元在由曝光装置进行曝光处理后除去保护膜。此时，能够可靠地除去在感光性膜上形成的保护膜。 
(12)第二处理单元还包括反射防止膜形成单元也可，该反射防止膜形成单元在由感光性膜形成单元形成感光性膜之前形成反射防止膜。此时，由于在基板上形成有反射防止膜，从而能够减少在曝光处理时发生的驻波和光晕。 
(13)第三处理单元包括对基板进行显影处理的显影处理单元也可。此时，通过显影处理单元来进行对基板的显影处理。 
这样，在一个基板处理装置内，能够进行对基板的端部的清洗的同时，能够进行对基板的显影处理，从而能够减少占用面积。 
(14)第一处理单元使用刷子来清洗基板的端部也可。此时，在第一处理单元中，通过刷子来对基板的端部进行清洗。 
这样，当使用刷子来对基板的端部进行清洗时，由于刷子直接接触到基板的端部，所以能够机械地剥离在基板的端部的污染物质。由此，能够可靠地除去牢固地附着在端部上的污染物质。
(15)第一处理单元使用二流体喷嘴来清洗基板的端部也可。此时，在第一处理单元中，通过二流体喷嘴来对基板的端部进行清洗。 
这样，当使用二流体喷嘴来进行对基板的端部的清洗时，气体与液体的混合流体被喷出到基板的端部，从而对基板的端部进行清洗。这样，能够通过使用混合流体来获得很高的清洗效果。 
另外，通过向基板的端部喷出气体与液体的混合流体，而在非接触状态下对基板的端部进行清洗，从而能够防止在清洗时对基板的端部的损伤。进而，通过对混合流体的喷出压力以及混合流体中的气体与液体的比例进行控制，还能够轻易地控制对基板的端部的清洗条件。 
另外，由于通过二流体喷嘴则能够向基板的端部喷出均匀的混合流体，从而不会发生清洗不均。 
(16)第一处理单元使用超声波喷嘴来清洗基板的端部也可。此时，在第一处理单元中，通过超声波喷嘴来对基板的端部进行清洗。 
这样，当使用超声波喷嘴来进行对基板的端部清洗处理时，对通过超声波喷嘴内的液体施加与高频电流值对应的高频输出。 
由此，向基板的端部喷出处于超声波振动状态的液体，从而对基板的端部进行清洗。此时，可以根据基板的种类以及清洗条件，以电的方式可变控制施加于液体的高频输出。 
(17)处理部还包括第二处理单元，该第二处理单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜，第一处理单元通过用于由浸液法的曝光处理中的液体，来清洗由曝光装置进行曝光处理前的基板的端部也可。 
在该基板处理装置中，通过交接部在处理部与曝光装置之间进行基板的交接。在基板上通过第二处理单元来形成由感光性材料构成的感光性膜。 
另外，在第一处理单元中，通过用于由浸液法的曝光处理中的液体来清洗由曝光装置进行曝光处理前的基板的端部。由此，在曝光处理中从感光性膜溶出或析出的成分，预先在第一处理单元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被冲洗掉。因此，能够防止在曝光处理时感光性膜的成分溶出或析出到上述液体中。由此，能够防止曝光装置被污染。其结果，能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
这里，在曝光处理时可能会溶出或析出到上述液体中的成分并不仅限于 包含在上述感光性膜中的成分，也会有包含于通过设置在本发明的基板处理装置外部的外部装置而形成在基板上的半导体膜、金属膜、绝缘膜或有机膜等中的成分。也能够使包含在这些膜中的成分预先在第一处理单元中溶出或析出。 
进而，在一个基板处理装置内，能够进行对基板的端部的清洗的同时，能够在基板上形成感光性膜，从而能够减少占用面积。 
(18)处理部还包括第三处理单元，该第三处理单元在由第二处理单元形成的感光性膜上形成保护该感光性膜的保护膜，第三处理单元通过液体来清洗在曝光处理前的基板的端部露出的感光性膜。 
此时，通过保护膜来保护形成在基板上的感光性膜。另外，在基板的端部存在没有被保护膜覆盖而处于露出的状态的感光性膜时，也会在第一处理单元中通过用于由浸液法的曝光处理中的液体来清洗曝光处理前的基板的该端部。由此，在曝光处理中从处于露出状态的感光性膜溶出或析出的成分，预先在第一处理单元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被冲洗掉。因此，能够防止在曝光处理时感光性膜的成分溶出或析出。由此，可以防止曝光装置被污染。其结果，能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
(19)处理部还包括第四处理单元，该第四处理单元在由第二处理单元形成感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜，第一处理单元通过液体来清洗在曝光处理前的基板的端部露出的反射防止膜以及感光性膜中的一方或双方。 
此时，由于在基板上形成反射防止膜，从而能够减少在曝光处理时产生驻波以及光晕。另外，在第一处理单元中，通过用于由浸液法的曝光处理中的液体来清洗通过曝光装置进行曝光处理前的基板的端部。由此，在曝光处理中从反射防止膜以及感光性膜中的一方或双方溶出或析出的成分，预先在第一处理单元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被冲洗掉。因此，能够防止在曝光处理时反射防止膜以及感光性膜中一方或双方的成分溶出或析出。由此，可以防止曝光装置被污染。其结果，能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
(20)液体也可以包括在纯水、丙三醇以及混合了高折射率的微粒与纯水的混合液中的至少一种。此时，能够通过这些液体来良好地进行由浸液法 的曝光处理的同时，能够在第一处理单元中良好地清洗基板的端部。 
(21)高折射率的微粒也可以包括铝氧化物。此时，能够通过包括铝氧化物的液体来良好地进行由浸液法的曝光处理，同时还能够在第一处理单元中良好地清洗基板的端部。 
(22)交接部包括搬送装置，该搬送装置在处理部和曝光装置之间搬送基板，搬送装置包括保持基板的第一以及第二保持部，当搬送曝光处理前的基板时，通过第一保持部来保持基板，当搬送曝光处理后的基板时，通过第二保持部来保持基板也可。 
此时，当搬送曝光处理时附着有液体的基板时使用第二保持部，而当搬送曝光处理前没有附着液体的基板时使用第一保持部。因此，能够防止液体附着在第一保持部上。由此，能够防止液体附着在曝光处理前的基板上。由此，能够可靠地防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的基板上。 
(23)将第二保持部设置在第一保持部的下方也可。此时，即使液体从第二保持部及由其保持的基板上落下，也能够防止液体附着在第一保持部及由其保持的基板上。由此，能够可靠地防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的基板上。 
(24)处理部还包括第五处理单元也可，该第五处理单元在曝光处理后除去保护膜。此时，能够可靠地除去在感光性膜上形成的保护膜。 
(25)处理部还包括对基板进行显影处理第六处理单元也可。此时，通过第六处理单元来进行对基板的显影处理。这样，在一个基板处理装置内，能够进行对基板的端部的清洗的同时，能够进行对基板的显影处理，从而能够减少占用面积。 
(26)第一处理单元包括二流体喷嘴也可，该二流体喷嘴向基板的端部喷出液体以及气体的混合流体。 
此时，在第一处理单元中，通过二流体喷嘴来清洗基板的端部。这样，当使用二流体喷嘴来进行对基板的端部清洗时，气体与液体的混合流体被喷出到基板的端部，从而对该端部进行清洗。这样，能够获得很高的清洗效果。 
另外，通过向基板的端部喷出气体与液体的混合流体，而可在非接触状态下对基板的端部进行清洗，从而能够防止清洗时对基板的端部的损伤。进而，通过对混合流体的喷出压力以及在混合流体中的气体与液体的比例进行 控制，还能够轻易地控制对基板的端部的清洗条件。 
另外，由于通过二流体喷嘴则能够向基板的端部喷出均匀的混合流体，从而不会发生清洗不均。 
(27)第一处理单元包括超声波喷嘴也可，该超声波喷嘴给液体施加超声波的同时，将液体喷出到上述基板的端部。 
此时，在第一处理单元中，通过超声波喷嘴来清洗基板的端部。这样，当使用超声波喷嘴来进行对基板的端部的清洗处理时，对通过超声波喷嘴内的液体施加与高频电流值对应的高频输出。由此，向基板的端部喷出处于超声波振动状态的液体，从而对该端部进行清洗，此时，可以根据基板的种类以及清洗条件，以电的方式可变控制施加于液体的高频输出。 
另外，本发明涉及一种基板处理装置，相邻于利用浸液法对基板进行曝光处理的曝光装置而配置，其特征在于，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其相邻于上述处理部的一端部而设置，用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接；上述处理部包括使用刷子对由上述曝光装置进行曝光处理前的基板的端部进行物理清洗的第一处理单元。 
附图说明
图1是第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。 
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置的侧视图。 
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置的侧视图。 
图4是用于说明端部清洗单元的结构的图。 
图5是用于说明基板的端部的概略的示意图。 
图6A、图6B是用于说明图4的端部清洗单元的端部清洗装置的结构的图。 
图7是用于说明使用在第一实施方式中的端部清洗单元的其他结构例的图。 
图8是表示用于端部清洗处理的二流体喷嘴的内部结构的一例的纵剖面图。 
图9是表示用于端部清洗处理的二流体喷嘴的内部结构的其他例子的纵剖面图。 
图10是用于说明使用在第一实施方式中的端部清洗单元的另一个其他结构例的图。 
图11是从-Y方向观察图1的端部清洗处理模块的图。 
图12是用于说明清洗/干燥处理单元的结构的图。 
图13是用于说明清洗/干燥处理单元的动作的图。
图14是用于说明接口用搬送机构的结构以及动作的图。 
图15是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。 
图16是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。 
图17是用于说明使用了图16的干燥处理用喷嘴时的基板的干燥处理方法的图。 
图18是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图。 
图19是表示清洗/干燥处理单元的其他例子的示意图。 
图20是用于说明使用了图19的清洗/干燥处理单元时的基板的干燥处理方法的图。 
图21是第二实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。 
图22是从+X方向观察图21的基板处理装置的侧视图。 
图23是从-X方向观察图21的基板处理装置的侧视图。 
图24是用于说明使用在第二实施方式中的端部清洗单元的其他结构例的图。 
图25是用于说明使用在第二实施方式中的端部清洗单元的另一个其他结构例的图。 
图26是用于说明接口用搬送机构的结构以及动作的图。 
具体实施方式
下面，针对本发明的一个实施方式的基板处理装置，使用附图进行说明。在以下的说明中，所谓基板指的是半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等，而且基板含有硅(Si)。 
另外，在以下的附图中，为了明确位置关系，标有表示相互垂直的X方向、Y方向、Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，而Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向上，将箭头指向的方向设为+方向，而将其相反的方向设为—方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。 
A.第一实施方式 
(1)基板处理装置的结构
下面，参照附图对第一实施方式的基板处理装置进行说明。 
图1是第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。 
如图1所示，基板处理装置500包括：分度器模块8、端部清洗处理模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀覆盖膜用处理模块13、抗蚀覆盖膜除去模块14、清洗/干燥处理模块15以及接口模块16。在基板处理装置500中，这些模块以上述顺序并列设置。 
以与基板处理装置500的接口模块16相邻的方式配置有曝光装置17。在曝光装置17中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。 
分度器模块8包括控制各模块的动作的主控制器(控制部)81、多个搬运器装载台82以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR上，上下设置有用于交接基板W的手部IRH1、IRH2。 
端部清洗处理模块9包括端部清洗后热处理部900、901、端部清洗处理模块90以及第一中心机械手CR1。端部清洗处理部90中间隔着第一中心机械手CR1而与端部清洗后热处理部900、901相对向地被设置。在第一中心机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH91、CRH92。 
在分度器模块8和端部清洗处理模块9之间，设置有环境隔断用隔断壁19。在该隔断壁19，上下接近设置有用于在分度器模块8和端部清洗处理模块9之间进行基板W的交接的基板装载部PASS81、PASS82。上侧的基板装载部PASS81在将基板W从分度器模块8搬送到端部清洗处理模块9时被使用，而下侧的基板装载部PASS82在将基板W从端部清洗处理模块9搬送到分度器模块8时被使用。 
另外，在基板装载部PASS81、PASS82设置有检测出基板W的有无的光学式传感器(未图示)。由此，可以进行在基板装载部PASS81、PASS82上是否装载有基板W的判定。另外，在基板装载部PASS81、PASS82设置有被固定设置的多根支承销。此外，上述的光学式传感器以及支承销，也同样设置在后述的基板装载部PASS1～PASS16上。 
反射防止膜用处理模块10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部30以及第二中心机械手CR2。反射防止膜用涂敷处理部30中间隔着第二中心机械手CR2而与反射防止膜用热处理部100、101相对向地被设置。在第二中心机械手CR2，上下设置有用于交接基板W的 手部CRH1、CRH2。 
在端部清洗处理模块9和反射防止膜用处理模块10之间，设置有环境隔断用的隔断壁20。在该隔断壁20，上下接近设置有用于在端部清洗处理模块9和反射防止膜用处理模块10之间进行基板W的交接的基板装载部PASS1、PASS2。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从端部清洗处理模块9搬送到反射防止膜用处理模块10时被使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到端部清洗处理模块9时被使用。 
抗蚀膜用处理模块11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部40以及第三中心机械手CR3。抗蚀膜用涂敷处理部40中间隔着第三中心机械手CR3而与抗蚀膜用热处理部110、111相对向地被设置。在第三中心机械手CR3，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。 
在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间，设置有环境隔断用的隔断壁21。在该隔断壁21，上下接近设置有用于在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间进行基板W的交接的基板装载部PASS3、PASS4。上侧的基板装载部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到抗蚀膜用处理模块11时被使用，而下侧的基板装载部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到反射防止膜用处理模块10时被使用。 
显影处理模块12包括显影用热处理部120、121、显影处理部50以及第四中心机械手CR4。显影处理部50中间隔着第四中心机械手CR4而与显影用热处理部120、121相对向地被设置。在第四中心机械手CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。 
在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间，设置有环境隔断用的隔断壁22。在该隔断壁22，上下接近设置有用于在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间进行基板W的交接的基板装载部PASS5、PASS6。上侧的基板装载部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到显影处理模块12时被使用，而下侧的基板装载部PASS6在将基板W从显影处理模块12搬送到抗蚀膜用处理模块11时被使用。 
抗蚀覆盖膜用处理模块13包括抗蚀覆盖膜用热处理部130、131、抗蚀 覆盖膜用涂敷处理部60以及第五中心机械手CR5。抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60中间隔着第五中心机械手CR5而与抗蚀覆盖膜用热处理部130、131相对向地被设置。在第五中心机械手CR5，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。 
在显影处理模块12和抗蚀覆盖膜用处理模块13之间，设置有环境隔断用的隔断壁23。在该隔断壁23，上下接近设置有用于在显影处理模块12和抗蚀覆盖膜用处理模块13之间进行基板W的交接的基板装载部PASS7、PASS8。上侧的基板装载部PASS7在将基板W从显影处理模块12搬送到抗蚀覆盖膜用处理模块13时被使用，而下侧的基板装载部PASS8在将基板W从抗蚀覆盖膜用处理模块13搬送到显影处理模块12时被使用。 
抗蚀覆盖膜除去模块14包括抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b以及第六中心机械手CR6。抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b中间隔着第六中心机械手CR6而相互对向地被设置。在第六中心机械手CR6，上下设置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。 
在抗蚀覆盖膜用处理模块13和抗蚀覆盖膜除去模块14之间，设置有环境隔断用的隔断壁24。在该隔断壁24，上下接近设置有用于在抗蚀覆盖膜用处理模块13和抗蚀覆盖膜除去模块14之间进行基板W的交接的基板装载部PASS9、PASS10。上侧的基板装载部PASS9在将基板W从抗蚀覆盖膜用处理模块13搬送到抗蚀覆盖膜除去模块14时被使用，而下侧的基板装载部PASS10在将基板W从抗蚀覆盖膜除去模块14搬送到抗蚀覆盖膜用处理模块13时被使用。 
清洗/干燥处理模块15包括曝光后烘干用热处理部150、151、清洗/干燥处理部80以及第七中心机械手CR7。曝光后烘干用热处理部151相邻于接口模块16，并且，如后所述，具有基板装载部PASS13、PASS14。清洗/干燥处理部80中间隔着第七中心机械手CR7而与曝光后烘干用热处理部150、151相对向地被设置。在第七中心机械手CR7，上下设置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12。 
在抗蚀覆盖膜除去模块14和清洗/干燥处理模块15之间，设置有环境隔断用的隔断壁25。在该隔断壁25，上下接近设置有用于在抗蚀覆盖膜除去模块14和清洗/干燥处理模块15之间进行基板W的交接的基板装载部 PASS11、PASS12。上侧的基板装载部PASS11在将基板W从抗蚀覆盖膜除去模块14搬送到清洗/干燥处理模块15时被使用，而下侧的基板装载部PASS12在将基板W从清洗/干燥处理模块15搬送到抗蚀覆盖膜除去模块14时被使用。 
接口模块16包括第八中心机械手CR8、输送缓冲贮存器SBF、接口用搬送机构IFR、以及边缘曝光部EEW。另外，在边缘曝光部EEW的下侧设置有后述的基板装载部PASS15、PASS16以及返回缓冲贮存器部RBF。在第八中心机械手CR8，上下设置有用于交接基板W的手部CRH13、CRH14，并在接口用搬送机构IFR，上下设置有用于交接基板W的手部H1、H2。 
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500的侧视图。 
在端部清洗处理模块9的端部清洗处理部90(参照图1)，上下层叠配置有3个端部清洗单元EC。后面对端部清洗单元EC进行详细描述。 
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用涂敷处理部30(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘31、以及向保持在旋转卡盘31上的基板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴32。 
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用涂敷处理部40(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘41、以及向保持在旋转卡盘41上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴42。 
在显影处理模块12的显影处理部50(参照图1)，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘51、以及向保持在旋转卡盘51上的基板W供给显影液的供给喷嘴52。 
在抗蚀覆盖膜用处理模块13的抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘61、以及向保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀覆盖膜的涂敷的供给喷嘴62。作为抗蚀覆盖膜的涂敷液，可以使用和抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗蚀剂以及水的反应特性弱的材料)。例如，氟树脂。涂敷单元COV通过使基板W旋转的同时在基板W上 涂敷涂敷液，而在形成在基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。 
在抗蚀覆盖膜除去模块14的抗蚀覆盖膜除去用处理部70b上(参照图1)，上下层叠配置有3个除去单元REM。各除去单元REM具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘71、以及向保持在旋转卡盘71上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)的供给喷嘴72。除去单元REM通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷剥离液，而除去形成于基板W上的抗蚀覆盖膜。 
此外，除去单元REM中的抗蚀覆盖膜的除去方法并不仅限于上述的例子。例如，可以通过在基板W的上方使狭缝喷嘴移动的同时向基板W上供给剥离液来除去抗蚀覆盖膜。 
在清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个清洗/干燥处理单元SD。后面对清洗/干燥处理单元SD进行详细描述。 
在接口模块16，上下层叠配置有2个边缘曝光部EEW、基板装载部PASS15、PASS16以及返回缓冲贮存器部RBF，同时配置有第八中心机械手CR8(参照图1)以及接口用搬送机构IFR。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘98、以及对保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。 
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置500的侧视图。 
在端部清洗处理模块9的端部清洗后热处理部900，上下层叠配置有2个加热单元(加热板)HP以及2个冷却单元(冷却板)CP，并在端部清洗后热处理部901，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在端部清洗后热处理部900、901的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用热处理部100，上下层叠配置有2个加热单元(加热板)HP以及2个冷却单元(冷却板)CP，并在反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有2个 加热单元HP以及2个冷却单元CP，并在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
在显影处理模块12的显影用热处理部120，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP，并在显影用热处理部121，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在显影用热处理部120、121的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀覆盖膜用处理模块13的抗蚀覆盖膜用热处理部130，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP，并在抗蚀覆盖膜用热处理部131，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在抗蚀覆盖膜用热处理部130、131的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀覆盖膜除去模块14的抗蚀覆盖膜除去用处理部70a，上下层叠配置有3个除去单元REM。 
在清洗/干燥处理模块15的曝光后烘干用热处理部150，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP，并在曝光后烘干用热处理部151，上下层叠配置有2个加热单元HP、2个冷却单元CP以及基板装载部PASS13、14。另外，在曝光后烘干用热处理部150、151的最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。 
此外，端部清洗单元EC、涂敷单元BARC、RES、COV、清洗/干燥处理单元SD、除去单元REM、显影处理单元DEV、加热单元HP以及冷却单元CP的个数，可以对应各模块的处理速度而适当进行变更。 
(2)基板处理装置的动作 
下面，参照图1～图3对第一实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。 
在分度器模块8的搬运器装载台82上，被搬入将多张基板W多级容纳的搬运器C。分度器机械手IR使用上侧的手部IRH1来取出容纳在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿± θ方向旋转移动，从而将未处理的基板W装载到基板装载部PASS81上。 
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为搬运器C，但是并不仅限于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical InterFace：标准机械界面)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。进一步，在分度器机械手IR、第一～第八中心机械手CR1～CR8以及接口用搬送机构IFR，使用分别相对基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直线运动型搬送机械手，但是并不仅限于此，也可以使用通过活动关节来进行手部的直线进退动作的多关节型搬送机械手。 
装载到基板装载部PASS81上的未处理的基板W，通过端部清洗处理模块9的第一中心机械手CR1来被接收。第一中心机械手CR1用下侧的手部CRH92来将该基板W搬入到端部清洗处理部90。在该端部清洗处理部90的端部清洗单元EC中，对搬入到基板处理装置500内的未处理的基板W的端部进行清洗(端部清洗处理)。在后面对端部清洗单元EC进行详细描述。 
第一中心机械手CR1用上侧的手部CRH91来从端部清洗处理部90取出进行过端部清洗处理的基板W，并将该基板W搬入到端部清洗后热处理部900、901。 
然后，第一中心机械手CR1用上侧的手部CRH91来从端部清洗后热处理部900、901取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS1。在后面对端部清洗处理模块9中的第一中心机械手CR1的动作进行详细描述。 
装载到基板装载部PASS1上的基板W，通过反射防止膜用处理模块10的第二中心机械手CR2来被接收。第二中心机械手CR2将该基板W搬入到反射防止膜用涂敷处理部30。在该反射防止膜用涂敷处理部30中，为了减少曝光处理时发生的驻波和光晕，而通过涂敷单元BARC来在基板W上涂敷形成反射防止膜。 
然后，第二中心机械手CR2从反射防止膜用涂敷处理部30取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。接着，第二中心机械手CR2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS3上。
装载到基板装载部PASS3的基板W，通过抗蚀膜用处理模块11的第三中心机械手CR3来被接收。第三中心机械手CR3将基板W搬入到抗蚀膜用涂敷处理部40。在该抗蚀膜用涂敷处理部40中，通过涂敷单元RES来在涂敷形成有反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。 
然后，第三中心机械手CR3从抗蚀膜用涂敷处理部80取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。接着，第三中心机械手CR3从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS5上。 
装载到基板装载部PASS5上的基板W，通过显影处理模块12的第四中心机械手CR4来被接收。第四中心机械手CR4将该基板W装载到基板装载部PASS7上。 
装载到基板装载部PASS7上的基板W，通过抗蚀覆盖膜用处理模块13的第五中心机械手CR5来被接收。第五中心机械手CR5将该基板W搬入到抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60。在该抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60中，如上所述，通过涂敷单元COV来在抗蚀膜上涂敷形成抗蚀覆盖膜。 
然后，第五中心机械手CR5从抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀覆盖膜用热处理部130、131。接着，第五中心机械手CR5从抗蚀覆盖膜用热处理部130、131取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS9上。 
装载到基板装载部PASS9上的基板W，通过抗蚀覆盖膜除去模块14的第六中心机械手CR6来被接收。第六中心机械手CR6将该基板W装载到基板装载部PASS11上。 
装载到基板装载部PASS11上的基板W，通过清洗/干燥处理模块15的第七中心机械手CR7来被接收。第七中心机械手CR7将该基板W装载到基板装载部PASS13上。 
装载到基板装载部PASS13上的基板W，通过接口模块16的第八中心机械手CR8来被接收。第八中心机械手CR8将该基板W搬入到边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。 
接着，第八中心机械手CR8从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS15上。
装载到基板装载部PASS15上的基板W，通过接口用搬送机构IFR搬入到曝光装置17的基板搬入部17a(参照图1)。 
此外，在曝光装置17不能接收基板W的情况下，基板W暂时容纳保管在输送缓冲贮存部SBF中。 
在曝光装置17中对基板W实施了曝光处理之后，接口用搬送机构IFR从曝光装置17的基板搬出部17b(参照图1)取出基板W，并搬入到清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80中。在清洗/干燥处理部80的清洗/干燥处理单元SD中，进行对曝光处理后的基板W的清洗以及干燥处理。详细情况在后面叙述。 
在清洗/干燥处理部80中对曝光处理后的基板W实施了清洗以及干燥处理之后，接口用搬送机构IFR从清洗/干燥处理部80取出基板W，并装载到基板装载部PASS16上。在后面对接口模块16中的接口用搬送机构IFR的动作进行详细描述。 
此外，在因故障等而在清洗/干燥处理部80暂时不能进行清洗以及干燥处理时，可以将曝光处理后的基板W暂时容纳保管在接口模块16的返回缓冲贮存部RBF中。 
装载到基板装载部PASS16上的基板W，通过接口模块16的第八中心机械手CR8来被接收。第八中心机械手CR8将该基板W搬入到清洗/干燥处理模块15的曝光后烘干用热处理部151。在曝光后烘干用热处理部151中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，第八中心机械手CR8从曝光后烘干用热处理部151取出基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS14上。 
此外，虽然在本实施方式中通过曝光后烘干用热处理部151来进行曝光后烘干，但也可以通过曝光后烘干用热处理部150来进行曝光后烘干。 
装载到基板装载部PASS14上的基板W，通过清洗/干燥处理模块15的第七中心机械手CR7来被接收。第七中心机械手CR7将该基板W装载到基板装载部PASS12上。 
装载到基板装载部PASS12上的基板W，通过抗蚀覆盖膜除去模块14的第六中心机械手CR6来被接收。第六中心机械手CR6将该基板W搬入到抗蚀覆盖膜除去用处理部70a或抗蚀覆盖膜除去用处理部70b。在抗蚀覆盖 膜除去用处理部70a、70b中，通过除去单元REM来除去基板W上的抗蚀覆盖膜。 
然后，第六中心机械手CR6从抗蚀覆盖膜除去用处理部70a或抗蚀覆盖膜除去用处理部70b取出处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS10。 
装载到基板装载部PASS10上的基板W，通过抗蚀覆盖膜用处理模块13的第五中心机械手CR5来被接收。第五中心机械手CR5将该基板W装载到基板装载部PASS8上。 
装载到基板装载部PASS8上的基板W，通过显影处理模块12的第四中心机械手CR4来被接收。第四中心机械手CR4将基板W搬入到显影处理部50。在显影处理部50中，通过显影处理单元DEV来对基板W进行显影处理。 
然后，第四中心机械手CR4从显影处理部50取出显影处理结束的基板W，并将该基板W搬入到显影用热处理部120、121。 
接着，第四中心机械手CR4从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS6上。 
装载到基板装载部PASS6上的基板W，通过抗蚀膜用处理模块11的第三中心机械手CR3来被接收。第三中心机械手CR3将该基板W装载到基板装载部PASS4上。 
装载到基板装载部PASS4上的基板W，通过反射防止膜用处理模块10的第二中心机械手CR2来被接收。第二中心机械手CR2将该基板W装载到基板装载部PASS2上。 
装载到基板装载部PASS2上的基板W，通过端部清洗处理模块9的第一中心机械手CR1来被接收。第一中心机械手CR1将该基板W装载到基板装载部PASS82上。 
装载到基板装载部PASS82上的基板W，通过分度器模块8的分度器机械手IR被容纳在搬运器C内。 
(3)关于端部清洗单元 
这里，使用附图对上述的端部清洗单元EC进行详细说明。此外，在以下说明的端部清洗单元EC的各构成元件的动作，将会受到图1的主控制器 (控制部)81的控制。 
(3-a)端部清洗单元的一个结构例 
图4是用于说明端部清洗单元EC的结构的图。如图4所示，端部清洗单元EC具有旋转卡盘201，该旋转卡盘201用于以水平保持基板W的同时使基板W在通过基板W的中心的、垂直的旋转轴的周围进行旋转。 
旋转卡盘201固定在通过卡盘旋转驱动机构204来旋转的旋转轴203的上端。另外，在旋转卡盘201上形成有吸气路径(无图示)，并通过在将基板W装载在旋转卡盘201上的状态下对吸气路径内进行排气，而将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘201上，从而能够将基板W以水平姿势保持。 
在既是旋转卡盘201的侧方且又是端部清洗单元EC内的上部的位置，设有端部清洗装置移动机构230。在端部清洗装置移动机构230，安装有向下方延伸的棒状的支承构件220。支承构件220通过端部清洗装置移动机构230在水平方向(参照图4的箭头M)移动。 
在支承构件220的下端部，以向水平方向延伸的方式安装有大致圆筒形的端部清洗装置210。由此，端部清洗装置210通过端部清洗装置移动机构230而与支承构件220一起移动。 
端部清洗装置210位于与由旋转卡盘201吸附保持的基板W大致相同的高度。由此，端部清洗装置210的一端与基板W的端部R相对向。在以下的说明中，将与端部清洗装置210的基板W的端部R相对向的一端作为正面。 
这里，参照下一个附图对基板W的上述端部R的定义进行说明。 
图5是用于说明基板W的端部R的概略的示意图。如图5所示，在基板W上形成有上述了的反射防止膜、抗蚀膜(都没有图示)以及抗蚀覆盖膜。 
基板W具有端面，如果示意性地图示该端面，则如图5所示。一般将该端面称为斜面部。另外，将具有沿着形成抗蚀覆盖膜的基板W的面的外周的宽度d(图5)的环状的区域，一般称为周边部。在本实施方式中，将上述的斜面部与周边部统称为端部R。此外，上述宽度d例如为2～3mm。 
回到图4，当对基板W的端部清洗处理开始时，通过端部清洗装置移动机构230，端部清洗装置210移动到基板W的端部位置。另外，当对基板W 的端部清洗处理结束时，通过端部清洗装置移动机构230，端部清洗装置210向远离基板W的端部R的位置移动。 
端部清洗装置210在其内部具有空间(后述的清洗室211)。在端部清洗装置210连接有清洗液供给管241以及排气管244。清洗液供给管241经由阀门242而连接到未图示的清洗液供给系统。通过打开阀门242，而使清洗液通过清洗液供给管241而供给到端部清洗装置210的内部空间。 
另外，排气管244连接到排气部245。排气部245吸引端部清洗装置210的内部空间的空气，而通过排气管244进行排气。 
详细说明端部清洗装置210。图6是用于说明图4的端部清洗单元EC的端部清洗装置210的结构的图。图6A表示端部清洗装置210的纵剖面图，而图6B表示端部清洗装置210的主视图。 
如图6A所示，在端部清洗装置210的大致圆筒形的机架210a的内部形成有清洗室211。 
另外，如图6A以及图6B所示，在机架210a的正面侧形成有连通清洗室211与外部的开口212。开口212以从中央部向两侧方上下宽度逐渐扩大的方式具有圆弧状的上面以及下面。当对基板W进行端部清洗处理时，在开口212被插入吸附保持在旋转卡盘上的基板W的端部R。 
在清洗室211内，以沿铅垂方向延伸的方式配置有大致圆筒形的刷子213。刷子213安装在向铅垂方向延伸的旋转轴214上。旋转轴214的上端以及下端可旋转地安装在形成在清洗室31的上部以及下部的旋转轴承上。由此，刷子213通过清洗室211以及旋转轴214而可旋转地被支承。 
当对基板W进行端部清洗处理时，旋转的基板W的端部R与刷子213相接触。由此，通过刷子213对基板W的端部R进行清洗。 
这里，在图4的端部清洗单元EC中，安装有刷子213的旋转轴214以与固定有旋转卡盘201的旋转轴203大致平行的方式被配置。由此，刷子213以确实接触到旋转的基板W的端部R的状态进行旋转。由此，附着在基板W的端部R上的污染物质被剥离。 
在端部清洗装置210的上部，连接有上述清洗液供给管241以及排气管244。 
清洗液供给管241连接到形成在机架210a内的清洗液供给路径241a、 241b。如图6A所示，清洗液供给路径241a从机架210a的外部延伸到清洗室211的上部内表面。另外，清洗液供给路径241b从机架210a的外部延伸到清洗室211的下部内表面。在图6A中，只表示清洗液供给路径241b的一部分。 
由此，当对基板W进行端部清洗处理时，供给到端部清洗装置210的清洗液从上下方向向在清洗室211内与刷子213接触的基板W的端部R进行喷出。由此，能够高效地清洗基板W的端部R。 
排气管244通过设在机架210a的上部的孔部而插入到清洗室211内。由此，如上所述，清洗室211内的空气被图4的排气部245所吸引，并通过排气管244进行排气。 
这样，在清洗室211中，由于其内部空气通过排气部245来被排气，所以能够高效地对挥发的清洗液以及清洗液的雾沫进行排气。 
在上述中，作为供给到端部清洗装置210并喷出到基板W的端部R上的清洗液，可以采用规定的抗蚀溶媒、氟类药液、氨过氧化氢水溶液、以及使用在曝光装置17的浸液法中的液体中的任意一种。 
此外，作为清洗液，例如，也可以采用纯水、在纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体或纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)、氟酸、硫酸以及硫酸过氧化氢水溶液的任一种。 
(3-b)端部清洗单元的其他结构例 
端部清洗单元EC也可以具有以下的结构。图7是用于说明使用在第一实施方式中的端部清洗单元EC的其他结构例的图。针对图7的端部清洗单元EC，说明与图4的端部清洗单元EC不同的点。 
如图7所示，在旋转卡盘201的外侧设置有马达301。在马达301连接有旋转轴302。另外，臂部303以向水平方向延伸的方式连接在旋转轴302上，并在臂部303的前端设置有二流体喷嘴310。该二流体喷嘴310喷出由气体以及液体构成的混合流体。对其详细内容在后面描述。 
此外，在臂部303的前端部，二流体喷嘴310以相对由旋转卡盘201保持的基板W的面倾斜的方式被安装。 
当对基板W的端部清洗处理开始时，通过马达301使旋转轴302旋转的同时臂部303往复转动。由此，二流体喷嘴310移动到由旋转卡盘201保 持的基板W的端部R的斜上方。其结果，二流体喷嘴310的混合流体的喷出部310a与基板W的端部R相对向。 
以通过马达301、旋转轴302以及臂部303的内部的方式设置有清洗液供给管331。清洗液供给管331的一端连接到二流体喷嘴310的同时，另一端经由阀门332而连接到未图示的清洗液供给系统。通过打开阀门332，将清洗液通过清洗液供给管331而供给到二流体喷嘴310。此外，在本例中，作为清洗液例如使用纯水，但是也可以取代纯水而使用规定的抗蚀溶媒、氟类药液、氨过氧化氢水溶液、使用于曝光装置17中的浸液法中的液体、氟酸、硫酸以及硫酸过氧化氢水溶液中的任何一种。 
另外，在二流体喷嘴310，与清洗液供给管331一起连接有气体供给管341的一端。气体供给管341的另一端经由阀门342而连接到未图示的气体供给系统。通过打开阀门342，而将气体供给到二流体喷嘴310。此外，在本例中，使用氮气(N2)而作为供给到二流体喷嘴310的气体，但也可以取代氮气(N2)而使用氩气或氦气等其他惰性气体。 
当对基板W进行端部清洗处理时，清洗液以及气体被供给到二流体喷嘴310。由此，从二流体喷嘴310对旋转的基板W的端部R喷出混合流体。由此，对基板W的端部R进行清洗。 
对二流体喷嘴310的内部结构的一例进行说明。图8是表示用于端部清洗处理的二流体喷嘴310的内部结构的一例的纵剖面图。 
图8所示的二流体喷嘴310被称为外部混合型。图8所示的外部混合型二流体喷嘴310由内部主体部311以及外部主体部312构成。内部主体部311例如由石英等构成，而外部主体部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等的氟类树脂构成。 
沿着内部主体311的中心轴形成有纯水导入部311b。在纯水导入部311b上安装有图7的清洗液供给管331。由此，从清洗液供给管331供给的纯水被导入到纯水导入部311b中。 
在内部主体部311的下端形成有连通到纯水导入部311b的纯水喷出口311a。内部主体部311被插入到外部主体部312内。此外，内部主体部311以及外部主体部312的上端部相互接合，而下端没有接合。 
在内部主体部311与外部主体部312之间，形成有圆筒状的气体通过部 312b。在外部主体部312的下端形成有连通到气体通过部312b的气体喷出口312a。在外部主体部312的周壁上，以连通到气体通过部312b的方式安装有图7的气体供给管341。由此，从气体供给管341供给的氮气(N2)被导入到气体通过部312b。 
气体通过部312b，在气体喷出口312a的附近越是下方位置其口径越小。其结果，氮气(N2)的流速被加速，并从气体喷出口312a喷出。 
在该二流体喷嘴310中，从纯水喷出口311a喷出的纯水与从气体喷出口312a喷出的氮气(N2)在二流体喷嘴310的下端附近混合，并生成含有纯水的微细液滴的雾状混合流体N。 
如上所述，当对基板W进行端部清洗处理时，通过向基板W的端部R喷出雾状的混合流体N，来进行对基板W的端部R的表面的清洗。 
此外，在图7的端部清洗单元EC中，也可以取代图8的二流体喷嘴310而使用在喷嘴主体的内部进行混合流体N的生成的内部混合型二流体喷嘴310。下面，对二流体喷嘴310的内部结构的其他例子进行说明。 
图9是表示用于端部清洗处理的二流体喷嘴310的内部结构的其他例子的纵剖面图。图9所示的二流体喷嘴310被称为内部混合型。 
图9所示的内部混合型二流体喷嘴310由气体导入管333以及主体部334构成。主体部334例如由石英构成，而气体导入管333例如由PTFE构成。 
在气体导入管333形成有从上端连通到下端的气体导入部333a。另外，在气体导入管333的上端安装有图7的气体供给管341。由此，从气体供给管341供给的氮气(N2)被导入到气体导入部333a中。 
主体部334由大口径的上部筒334a、锥形部334b以及小口径的下部筒334c构成。 
在上部筒334a的锥形部334b内形成有混合室334d，而在下部筒334c内形成有直流部334e。在下部筒334c的下端形成有连通到直流部334e的混合流体喷出口334f。 
在主体部334的上筒部334a，以连通到混合室334d的方式安装有图7的清洗液供给管331。由此，从清洗液供给管331供给的纯水被导入到混合室334d中。气体导入管333的下端部被插入到主体部334的上部筒334a的 混合室334d内。 
在图9的内部混合型二流体喷嘴310中，若从气体导入部333a供给经过加压的氮气(N2)，并从清洗液供给管331供给纯水，则在混合室334d中氮气(N2)与纯水被混合，从而生成含有纯水的微细液滴的雾状混合流体N。 
在混合室334d中生成的混合流体N沿着锥形部334b通过直流部334e，从而被加速。被加速的混合流体N从混合流体喷出口334f喷出到基板W的端部R。由此，对基板W的端部R进行清洗。 
(3-c)端部清洗单元的另一个其他结构例 
端部清洗单元EC还可以有以下的结构。图10是用于说明使用在第一实施方式中的端部清洗单元EC的另一个其他结构例的图。针对图10的端部清洗单元EC，说明与图7的端部清洗单元EC不同的点。 
如图10所示，在本例的端部清洗单元EC中，在臂部303的前端取代二流体喷嘴310而设有超声波喷嘴410。 
此外，在本例中，超声波喷嘴410也以相对由旋转卡盘201保持的基板W的面倾斜的方式，安装在臂部303的前端部。 
在超声波喷嘴410连接有清洗液供给管331。由此，与图7的例子同样，通过打开阀门332，使清洗液通过清洗液供给管331而供给到超声波喷嘴410。此外，在本例中，也是使用纯水作为清洗液。 
在超声波喷嘴410内，内置有高频振子411。该高频振子411与高频波发生装置420电连接。 
当对基板W进行端部清洗处理时，从超声波喷嘴410向基板W的端部R喷出纯水。这里，从超声波喷嘴410喷出纯水时，从高频波发生装置420向高频振子411供给高频电流。 
由此，高频振子411进行超声波振动，从而对通过超声波喷嘴410内的纯水施加与高频电流值对应的高频输出。其结果，处于超声波振动状态的纯水被喷出到基板W的端部R，并对基板W的端部R进行清洗。 
(4)关于第一中心机械手 
针对具有上述的端部清洗单元EC的端部清洗处理模块9的第一中心机械手CR1的动作进行说明。图11是从-Y方向观察图1的端部清洗处理模块 的图。 
如图11所示，在第一中心机械手CR1的固定台191上，在±θ方向可转动、且在±Z方向可升降地装载有手部支承台192。手部支承台192经由旋转轴193而与固定台191内的马达M1连接，所以通过该马达M1而手部支承台192可旋转。在手部支承台192，上下可自由进退地设置有以水平姿势保持基板W的2个手部CRH91、CRH92。 
装载到基板装载部PASS81(参照图1)上的基板W，通过第一中心机械手CR1的下侧的手部CRH92来被接收。然后，第一中心机械手CR1使手部支承台192旋转的同时沿±Z方向上升或下降，而通过手部CRH92将基板W搬入到端部清洗处理部90的端部清洗单元EC。由此，通过端部清洗单元EC对未处理的基板W的端部进行清洗处理。 
接着，第一中心机械手CR1通过上侧的手部CRH91从端部清洗处理部90的端部清洗单元EC接收端部清洗处理结束的基板W。 
接着，第一中心机械手CR1使手部支承台192旋转的同时沿±Z方向上升或下降，而通过手部CRH91将基板W搬入到端部清洗后热处理部900的加热单元HP。由此，通过加热单元HP对基板W进行加热处理。由此，除去通过端部清洗而附着在基板W上的清洗液，从而基板W被干燥。 
然后，第一中心机械手CR1通过上侧的手部CRH91从端部清洗后热处理部900的加热单元HP接收加热处理结束的基板W。 
第一中心机械手CR1将从加热单元HP接收的基板W搬入到端部清洗后热处理部900的冷却单元CP。由此，通过冷却单元CP对基板W进行冷却处理。 
然后，第一中心机械手CR1通过上侧的手部CRH91从端部清洗处理部900的冷却单元CP接收冷却处理结束的基板。第一中心机械手CR1将该基板W装载到上侧的基板装载部PASS1上。 
(5)关于清洗/干燥处理单元 
这里，使用附图详细说明上述清洗/干燥处理单元SD。 
(5-a)清洗/干燥处理单元的结构 
针对清洗/干燥处理单元SD的结构进行说明。图12是用于说明清洗/干燥处理单元SD的结构的图。
如图12所示，清洗/干燥处理单元SD具有用于水平保持基板W的同时、在通过基板W的中心的铅垂的旋转轴的周围使基板W旋转的旋转卡盘621。 
旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636而旋转的旋转轴625的上端。另外，在旋转卡盘621形成有吸气路径(无图示)，并通过在将基板W装载在旋转卡盘621上的状态下对吸气路径内进行排气，来将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘621上，从而可以将基板W以水平姿势保持。 
在旋转卡盘621的外侧设置有第一马达660。第一马达660与第一旋转轴661连接在一起。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，并在第一臂部662的前端设置有清洗处理用喷嘴650。 
通过第一马达660旋转第一旋转轴661的同时，使第一臂部662转动，而使清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。 
以通过第一马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663经由阀门Va以及阀门Vb而连接到清洗液供给源R1以及漂洗液供给源R2。通过控制该阀门Va、Vb的开与关，能够进行供给到清洗处理用供给管663的处理液的选择以及供给量的调整。在图12的结构中，通过打开阀门Va，能够将清洗液供给到清洗处理用供给管663，而通过打开阀门Vb，能够将漂洗液供给到清洗处理用供给管663。 
将清洗液或者漂洗液通过清洗处理用供给管663而从清洗液供给源R1或者漂洗液供给源R2供给到清洗处理用喷嘴650。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液。作为清洗液例如可以使用纯水、在纯水中溶解了络合物(离子化了的物质)的液体或者氟类药液等。作为漂洗液例如可以使用纯水、碳酸水、含氢水以及电解离子水、HFE(氢氟醚)中的任何一种。 
在旋转卡盘621的外侧设置有第二马达671。第二马达671与第二旋转轴672连接在一起。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672，并在第二臂部673的前端设置有干燥处理用喷嘴670。 
通过第二马达671旋转第二旋转轴672的同时，使第二臂部673转动，而使干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。 
以通过第二马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀门Vc连接到 惰性气体供给源R3。通过控制该阀门Vc的开与关，可以调整供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。 
惰性气体经由干燥处理用供给管674从惰性气体供给源R3被供给到干燥处理用喷嘴670。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。作为惰性气体例如可以使用氮气(N2)。 
当向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板的上方，而当向基板W的表面供给惰性气体时，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置。 
另外，当向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，而当向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。 
由旋转卡盘621保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧，设置有筒状的间隔壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中使用的处理液(清洗液或者漂洗液)的排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式在处理杯623和间隔壁633之间形成有用于回收基板W的处理中使用过的处理液的回收液空间632。 
在排液空间631连接有用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管634，而在回收液空间632连接有用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管635。 
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的挡板624。该挡板624具有相对旋转轴625而旋转对称的形状。在挡板624上端部的内面，环状地形成有截面为“<”字状的排液引导槽641。 
另外，在挡板624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。 
在该挡板624设置有由滚珠丝杠机构等构成的挡板升降驱动机构(未图示)。挡板升降驱动机构使挡板624在回收液引导部642与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端部相对向的回收位置、和排液引导槽641与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端部相对向的排液位置之间上下移动。在挡 板624位于回收位置(如图12所示的挡板的位置)的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过回收液引导部642来引导到回收液空间632，并通过回收管635进行回收。另一方面，在挡板624位于排液位置的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过排液引导槽641来引导到排液空间631，并通过排液管634进行排液。通过以上的结构，进行对处理液的排液以及回收。 
(5-b)清洗/干燥处理单元的动作 
下面，对具有上述结构的清洗/干燥处理单元SD的处理动作进行说明。此外，对以下说明的清洗/干燥处理单元SD的各构成元件的动作，通过图1的主控制器81(控制部)来进行控制。 
首先，当搬入基板W时，挡板624下降的同时，图1的接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载到旋转卡盘621上的基板W，通过旋转卡盘621而被吸附保持。 
接着，挡板624移动到上述排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650向基板W的中心部上方移动。然后，旋转轴625旋转，并随着该旋转被保持在旋转卡盘621上的基板W也旋转。然后，将清洗液从清洗处理用喷嘴650喷到基板W的上面。由此，进行对基板W的清洗。 
此外，在清洗/干燥处理部80a，当进行该清洗时基板W上的抗蚀覆盖膜的成分溶出到清洗液中。另外，在对基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。此时，由于存在离心力，所以基板W上的清洗液总是向基板W的周边部移动并被飞散。因而，可以防止溶出到清洗液中的抗蚀覆盖膜的成分残留在基板W上。此外，对于上述抗蚀覆盖膜的成分，例如也可以通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间来进行溶出。还有，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用如图8所示的二流体喷嘴的柔性喷出(ソフトスプレ—)方式来进行。 
经过规定时间后，停止供给清洗液，并从清洗处理用喷嘴650喷出漂洗液。由此，冲洗基板W上的清洗液。 
再经过规定时间后，旋转轴625的转速降低。由此，通过基板W的旋转来被甩掉的漂洗液的量减少，如图13(a)所示，在基板W的整个表面上形成漂洗液的液层L。此外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的 整个表面上形成液层L。 
接着，停止供给漂洗液，并清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。然后，从干燥处理用喷嘴670喷出惰性气体。由此，如图13(b)所示，基板W的中心部的漂洗液移动到基板W的周边部，从而变成仅在基板W的周边部存在液层L的状态。 
接着，旋转轴625(参照图12)的转速上升的同时，如图13(c)所示那样，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，对基板W上的液层L作用很大离心力的同时，可以对基板W的整个表面喷出惰性气体，因此，可以可靠地除去基板W上的液层L。其结果，可以可靠地使基板W干燥。 
接着，停止供给惰性气体，并使干燥处理喷嘴670退避到规定的位置的同时，使旋转轴625停止旋转。然后，挡板624下降的同时，图1的接口用搬送机构IFR将基板W从清洗/干燥处理单元SD搬出。由此，结束在清洗/干燥处理单元SD中的处理动作。此外，在清洗以及干燥处理中的挡板624的位置，最好按照处理液的回收或者废弃的需要而适当进行变更。 
此外，在上述实施方式中，采用了在清洗液的供给以及漂洗液的供给中共用清洗液处理用喷嘴650的结构，以使从清洗液处理用喷嘴650都能够供给清洗液以及漂洗液，但也可以采用分别分开清洗液供给用的喷嘴和漂洗液供给用喷嘴的结构。 
另外，当供给漂洗液时，也可以从未图示的防漂洗用喷嘴向基板W的背面供给纯水，以使漂洗液不蔓延到基板W的背面。 
另外，在作为清洗基板W的清洗液而使用纯水的情况下，不需要进行漂洗液的供给。 
另外，在上述实施方式中，通过旋转干燥方法来对基板W实施了干燥处理，但也可以通过减压干燥方法、风刀干燥方法等其他的干燥方法来对基板W实施干燥处理。 
另外，在上述实施方式中，在形成有漂洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但在不形成漂洗液的液层L的情况、或者不使用漂洗液的情况下，使基板W旋转而将清洗液的液层一旦甩掉之后，立 即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体而使基板W完全干燥也可。 
(6)关于接口模块的接口用搬送机构 
针对接口用搬送机构IFR进行说明。图14是用于说明接口用搬送机构IFR的结构以及动作的图。 
首先，针对接口用搬送机构IFR的结构进行说明。如图14所示，接口用搬送机构IFR的可动台181螺合在螺轴182上。螺轴182以向X方向延伸的方式通过支承台182可旋转地被支承。在螺轴182的一端部设置有马达M2，并通过该马达M2，螺轴182旋转，而使可动台181在±X方向上水平移动。 
另外，在可动台181，以在±θ方向可旋转、且在±Z方向可升降地装载有手部支承台184。手部支承台184经由旋转轴185而与可动台181内的马达M3连接在一起，而手部支承台184通过该马达M3来旋转。在手部支承台184，可自由进退地上下设置有以水平姿势保持基板W的2个手部H1、H2。 
下面，针对接口用搬送机构IFR的动作进行说明。接口用搬送机构IFR的动作使通过图1的主控制器(控制部)81来控制的。 
首先，接口用搬送机构IFR在图14的位置A使手部支承台184旋转的同时沿+Z方向上升，而使上侧的手部H1进入到基板装载部PASS15。若在基板装载部PASS15手部H1接收到基板W，则接口用搬送机构IFR使手部H1从基板装载部PASS15后退，并使手部支承台184向-Z方向下降。 
接着，接口用搬送机构IFR向-X方向移动，并在位置B使手部支承台184旋转的同时，使手部H1进入到曝光装置17的基板搬入部17a(参照图1)。将基板搬入到基板搬入部17a之后，接口用搬送机构IFR使手部H1从基板搬入部17a后退。 
接着，接口用搬送机构IFR使下侧的手部H2进入到曝光装置17的基板搬出部17b(参照图1)。若在基板搬出部17b中手部H2接收到曝光处理后的基板W，则接口用搬送机构IFR使手部H2从基板搬出部17b后退。 
然后，接口用搬送机构IFR向+X方向移动，并在位置A使手部支承台184旋转同时，使手部H2进入到清洗/干燥处理单元SD，从而将基板W搬入到清洗/干燥处理单元SD中。由此，通过清洗/干燥处理单元SD来对曝光 处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。 
接着，接口用搬送机构IFR使上侧的手部H1进入到清洗/干燥处理单元SD中，并从清洗/干燥处理单元SD接收清洗以及干燥处理后的基板W。接口用搬送机构IFR将该基板W装载到上侧的基板装载部PASS16上。 
此外，如上所述，在曝光装置17不能接收基板W的情况下，将基板W暂时容纳保管在输送缓冲贮存器SBF中。另外，在清洗/干燥处理单元SD中暂时不能进行清洗以及干燥处理的情况下，可以将曝光处理后的基板W暂时容纳保管在接口模块15的返回缓冲贮存部RBF中。 
在本实施方式中，通过一台接口用搬送机构IFR来进行从基板装载部PASS15到曝光装置17的搬送、从曝光装置17到清洗/干燥处理单元SD的搬送，但是，也可以使用多台接口用搬送机构IFR来进行对基板W的搬送。 
(7)在第一实施方式中的效果 
(7-a)由端部清洗处理的效果 
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中的端部清洗处理模块9的端部清洗处理部90中，通过端部清洗单元EC来对曝光处理前的基板W的端部R进行清洗。由此，能够除去附着在曝光处理前的基板W的端部R上的污染物质。其结果，可以防止因基板W的端部的污染而引起的曝光装置17内的污染，从而能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
(7-b)关于端部清洗处理的时刻的效果 
端部清洗处理模块9相邻于基板W被搬入的分度器8而被设置，因此端部清洗处理模块9中的基板W的端部清洗处理比在其他模块中的其他处理先执行。 
由此，可防止基板W的端部R的污染物质接触污染到用于在各模块之间搬送基板W的第一～第八中心机械手CR1～CR8以及接口用搬送机构IFR的手部IRH1～14、H1、H2上。 
由此，在反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀覆盖膜用处理模块13、抗蚀覆盖膜除去模块14以及清洗/干燥处理模块15中，能够清洁地进行对基板W的处理。 
另外，由于能够使基板W的端部R维持清洁，所以能够充分地防止因基板W的端部R的污染引起的对基板W的处理不良。
(7-c)端部清洗处理模块的效果 
包括端部清洗单元EC的端部清洗处理模块9配置在其他模块之间(分度器模块8与反射防止膜用处理模块10之间)。 
这样，由于本实施方式的基板处理装置500具有在现有的基板处理装置的基础上追加了端部清洗处理模块9的结构，所以能够以低成本防止由曝光处理前的基板W的端部的污染导致的曝光装置内的污染。 
(7-d)关于第一中心机械手的手部的效果 
在端部清洗处理模块9中，当从基板装载部PASS81向端部清洗处理部90搬送未处理的基板W时，使用第一中心机械手CR1的下侧的手部CRH92，而当从端部清洗处理部90向端部清洗后热处理部900、901搬送端部清洗处理结束的基板W时、以及从端部清洗后热处理部900、901向基板装载部PASS1搬送未处理的基板W时，使用第一中心机械手CR1的上侧的手部CRH91。 
即，在清洗过端部R的基板W的搬送中使用手部CRH91，而在还未清洗端部R的基板W的搬送中使用手部CRH92。 
此时，在端部清洗处理模块9中，能够防止附着在基板W的端部R上的污染物质附着在手部CRH91上。另外，将手部CRH92设置在手部CRH91的下方，所以即使污染物质从手部CRH92以及由其保持的基板W的端部R落下，也可以防止污染物质附着在手部CRH91以及由其保持的基板W上。 
由此，能够可靠地防止污染物质附着在曝光处理前的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光处理前的基板W的污染。 
(7-e)使用了刷子的端部清洗处理的效果 
在端部清洗单元EC中，如图4以及图6所示，当使用刷子213来进行对基板W的端部清洗处理时，由于刷子213直接接触到基板W的端部R，所以能够机械性地剥离在基板W的端部R的污染物质。由此，能够可靠地除去牢固地附着在端部R上的污染物质。 
(7-f)使用了二流体喷嘴的端部清洗处理的效果 
在端部清洗单元EC中，如图7～图9所示，当使用二流体喷嘴310来进行对基板W的端部清洗处理时，气体与液体的混合流体N被喷出到基板W的端部R，从而对基板W的端部R进行清洗。这样，通过使用混合流体 N，能够取得很高的清洗效果。 
另外，通过向基板W的端部R喷出气体与液体的混合流体N，在非接触状态下对基板W的端部R进行清洗，因此能够防止清洗时对基板W的端部R的损伤。进而，通过控制混合流体N的喷出压力以及混合流体N中的气体与液体的比例，还能够轻易地控制对基板W的端部R的清洗条件。 
另外，由于通过二流体喷嘴310能够向基板W的端部R喷出均匀的混合流体N，因此不会发生清洗不均。 
(7-g)使用了超声波喷嘴的端部清洗处理的效果 
在端部清洗单元EC中，如图10所示，当使用超声波喷嘴410来进行对基板W的端部清洗处理时，对通过超声波喷嘴410内的纯水施加与高频电流值对应的高频输出。 
由此，向基板W的端部R喷出处于超声波振动状态的纯水，从而对基板W的端部R进行清洗。此时，可以根据基板W的种类以及清洗条件来以电的方式可变控制施加于纯水的高频输出。 
(7-h)对曝光处理后的基板的清洗处理的效果 
在曝光装置17中对基板W进行了曝光处理之后，在清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80中进行对基板W的清洗处理。此时，即使在曝光处理时附着了液体的基板W上附着了环境中的灰尘等，也能够除去该附着物。由此，能够防止基板W的污染。 
另外，在清洗/干燥处理部80中，对曝光处理后的基板W进行干燥处理。由此，能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体落到基板处理装置500内。其结果，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等的动作不良。 
另外，通过对曝光处理后的基板W进行干燥处理，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理后的基板W上，因此能够防止基板W的污染。 
另外，由于能够防止附着有液体的基板W搬送到基板处理装置500内，从而能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体给基板处理装置500内的环境带来影响。由此，基板处理装置500内的温湿度的调整变得容易。 
另外，由于能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体附着于分度器机械手IR以及第一～第八中心机械手CR1～CR8上，从而能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上。由此，由于能够防止环境中的灰尘附着在 曝光处理前的基板W上，从而能够防止基板W的污染。其结果，能够防止在曝光处理时的解像性能的劣化，同时能够可靠地防止在曝光装置17内的污染。 
这样的结果，能够可靠地防止对基板W的处理不良。 
此外，用于进行对曝光处理后的基板W的干燥处理的结构并部不仅限于图1的基板处理装置500的例子。可以取代在抗蚀覆盖膜除去模块14与接口模块16之间设置清洗/干燥处理模块15，而在接口模块16内设置清洗/干燥处理部80来对曝光处理后的基板W进行干燥处理。 
(7-i)对曝光处理后的基板的干燥处理的效果 
在清洗/干燥处理单元SD中，通过使基板W旋转的同时从基板W的中心部向周边部喷出惰性气体，来进行对基板W的干燥处理。此时，由于能够可靠地除去基板W上的清洗液以及漂洗液，因此能够防止环境中的灰尘等附着在清洗后的基板W上。由此，能够可靠地防止基板W的污染，同时能够防止在基板W的表面上产生干燥斑点。 
(7-j)清洗/干燥处理模块的效果 
本实施方式的基板处理装置500具有在现有的基板处理装置的基础上追加了清洗/干燥处理模块15的结构，所以能够以低成本防止对基板W的处理不良。 
(7-k)关于接口用搬送机构的手部的效果 
在接口模块16中，当从基板装载部PASS15向曝光装置17的基板搬入部17a搬送曝光处理前的基板W时、以及从清洗/干燥处理单元SD向基板装载部PASS16搬送清洗以及干燥处理后的基板W时，使用接口用搬送机构IFR的手部H1，而当从曝光装置17的基板搬出部17b向清洗/干燥处理单元SD搬送曝光处理后的基板W时，使用接口用搬送机构IFR的手部H2。 
即，在没有附着液体的基板W的搬送中使用手部H1，而在附着有液体的基板W的搬送中使用手部H2。 
此时，由于能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体附着在手部H1上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上。另外，手部H2设置在手部H1的下方，所以即使液体从手部H2以及由其保持的基板W落下，也可以防止液体附着在手部H1以及由其保持的基板W上。由此，能够 可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光处理前的基板W的污染。 
(7-1)对抗蚀覆盖膜的涂敷处理的效果 
在曝光装置17中对基板W进行曝光处理之前，在抗蚀覆盖膜用处理模块13中在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。此时，即使在曝光装置17中基板W与液体接触，也能够防止通过抗蚀覆盖膜而抗蚀膜与液体接触，从而能够防止抗蚀膜的成分溶出到液体中。 
(7-m)对抗蚀覆盖膜的除去处理效果 
在显影模块12中对基板W进行显影处理之前，在抗蚀覆盖膜除去模块14中进行对抗蚀覆盖膜的除去处理。此时，由于能够在显影处理前可靠地除去抗蚀覆盖膜，从而能够可靠地进行显影处理。 
(7-n)清洗/干燥处理单元的效果 
如上所述，在清洗/干燥处理单元SD中，通过使基板W旋转的同时从基板W的中心部向周边部喷出惰性气体来进行对基板W的干燥处理，从而能够可靠地除去清洗液以及漂洗液。 
由此，能够可靠地防止在将基板W从清洗/干燥处理部80搬送到显影处理部50过程中抗蚀剂成分或者抗蚀覆盖膜的成分溶出到残留在基板W上的清洗液以及漂洗液中。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图案的变形。其结果，能够可靠地防止在显影处理时的线宽精度的降低。 
(7-o)关于机械手的手部的效果 
在第二～第六中心机械手CR2～CR6以及分度器机械手IR中，在对曝光处理前的基板W的搬送中使用上侧的手部，而在对曝光处理后的基板W的搬送中使用下侧的手部。由此，能够可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板W上。 
(7-p)抗蚀膜用涂敷处理部的效果 
在本例中，在清洗过端部R的曝光处理前的基板W上，通过抗蚀膜用涂敷处理部40来形成抗蚀膜。 
由此，在基板W上形成抗蚀膜时，由于附着在基板W的端部R上的污染物质已被除去，因此能够防止由基板W的端部R的污染导致的抗蚀膜的形成不良，从而能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良发生。
另外，在一台基板处理装置500中，能够进行对基板W的端部R的清洗的同时，在基板W上形成抗蚀膜，从而可以减少占用面积。 
(8)第一实施方式的基板处理装置的变形例及其效果 
(8-a)关于对曝光处理前基板的清洗处理 
第一实施方式的基板处理装置500可以在曝光处理前进行对基板W的清洗处理。此时，例如在清洗/处理干燥模块15的清洗/干燥处理部80中，对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理。由此，能够除去附着在曝光处理前的基板W上的灰尘等。其结果，可以防止曝光装置17内的污染。 
另外，在清洗/干燥处理部80中，在对基板W的清洗处理之后进行对基板W的干燥处理。由此，由于能够除去在清洗处理时附着在基板W上的清洗液或漂洗液，从而能够防止环境中的灰尘等再次附着在清洗处理后的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光装置17内的污染。 
另外，在既是抗蚀覆盖膜形成后、又是在曝光装置17中对基板W进行曝光处理之前的时候，在清洗/干燥处理部80中进行对基板W的清洗处理。此时，形成在基板W上的抗蚀覆盖膜的成分的一部分会溶出到清洗液中。由此，即使在曝光装置17中基板W与液体接触，也能够防止抗蚀覆盖膜的成分溶出到液体中。 
这样的结果，能够可靠地防止在曝光装置17内的污染的同时，能够防止抗蚀膜以及抗蚀覆盖膜的成分残留在基板W的表面上。由此，能够可靠地防止对基板W的处理不良。 
此外，也可以通过在接口模块16内设置清洗/干燥处理部80来进行对曝光处理前的基板W的清洗以及干燥处理。 
(8-b)关于抗蚀覆盖膜用处理模块 
在曝光处理前进行对基板W的清洗处理时，也可以不设置抗蚀覆盖膜用处理模块13。此时，在曝光处理前进行对基板W的清洗处理的清洗/干燥处理部80中，在清洗处理时抗蚀膜的成分的一部分溶出到清洗液中。由此，即使在曝光装置17中抗蚀膜与液体接触，也能够防止抗蚀剂成分溶出到液体中。其结果，能够防止曝光装置17内的污染。 
进而，当不设置抗蚀覆盖膜用处理模块13时，不需要设置抗蚀覆盖膜除去模块14。因此，能够减少基板处理装置500的占用面积。
(8-c)关于基板处理装置具有防水功能的情况 
在基板处理装置500具有充分的防水功能的情况下，也可以不设置清洗/干燥处理部80。此时，能够减少基板处理装置500的占用面积。另外，由于可以省略在曝光处理后向清洗/干燥处理部80搬送基板W，所以能够提高生产效率。 
(8-d)关于其他的配置例 
在上述的实施方式中，抗蚀覆盖膜除去模块14包括2个抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b，但抗蚀覆盖膜除去模块14可以取代在2个抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b中的一方，而包括对基板W进行热处理的热处理部。此时，由于能够有效地对多张基板W进行热处理，所以能够提高生产能力。 
(8-e)关于清洗/干燥处理单元的其他例 
在图12所示的清洗/干燥处理单元SD中，分别单独设置有清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，但如图15所示，也可以一体设置清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670。这时，由于不需要在对基板W的清洗处理时、或者干燥处理时分别单独移动清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670，所以可以使驱动机构简单化。 
另外，也可以代替图12所示的干燥处理用喷嘴670，而使用如图16所示的干燥处理用喷嘴770。 
图16的干燥处理用喷嘴770具有向垂直下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成有喷出惰性气体的气体喷出口770a、770b、770c。从各喷出口770a、770b、770c分别向如图16的箭头所示的垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。即，在干燥处理用喷嘴770中，以向下方喷出范围扩大的方式喷出惰性气体。 
这里，当使用干燥处理用喷嘴770时，清洗/干燥处理单元SD通过以下所说明的动作来进行对基板W的干燥处理。 
图17是用于说明在使用了干燥处理用喷嘴770的情况下对基板W的干燥处理方法的图。 
首先，通过在图13中说明的方法，在基板W的表面形成液层L之后， 如图17(a)所示，干燥处理用喷嘴770向基板W的中心部上方移动。然后，从干燥处理用喷嘴770喷出惰性气体。由此，如图17(b)所示，基板W的中心部的漂洗液移动到基板W的周边部，而变成仅在基板W的周边部存在液层L的状态。此外，这时，使干燥处理用喷嘴770接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的漂洗液确实地移动。 
接着，旋转轴625(参照图12)的转速上升的同时，如图17(c)所示，干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，对基板W上的液层L作用很大的离心力的同时，在基板W上被喷出惰性气体的范围扩大。其结果，能够可靠地除去在基板W上的液层L。另外，通过设置在图12的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)，使第二旋转轴672上下升降，从而能够使干燥处理用喷嘴770上下移动。 
另外，代替干燥处理用喷嘴770，而也可以使用如图18所示的干燥处理用喷嘴870。图18中的干燥处理用喷嘴870具有向下方直径逐渐扩大的喷出口870a。如图18所示的箭头，从该喷出口870a向垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。即，即使在干燥处理用喷嘴870，也与图16的干燥处理用喷嘴770相同，也以向下方喷出的范围扩大的方式喷出惰性气体。因而，在使用干燥处理用喷嘴870的情况下，也能够通过与使用干燥处理用喷嘴770的情况相同的方法来进行对基板W的干燥处理。 
另外，也可以代替图12所示的清洗/干燥处理单元SD，而使用如图19所示的清洗/干燥处理单元SDa。 
图19所示的清洗/干燥处理单元SDa与图12所示的清洗/干燥处理单元SD的不同点为以下的几点。 
在图19的清洗/干燥处理单元SDa中，在旋转卡盘621的上方设置有在中心部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向铅垂方向设置有支承轴689，并在该支承轴689的下端安装有遮断板682，以使其与由旋转卡盘621保持的基板W的上面相对向。 
在支承轴689的内部贯通有连通到遮断板682的开口的气体供给路径690。在气体供给路径690例如供给氮气(N2)。 
在臂部688连接有遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682上下移动在接近由旋转卡盘621 保持的基板W的上面的位置和向上方远离旋转卡盘621的位置之间。 
在图19的清洗/干燥处理单元SDa中对基板W进行干燥处理时，如图20所示，在使遮断板682接近基板W的状态下，对基板W和遮断板682之间的间隙从气体供给路径690供给惰性气体。这时，从基板W的中心部向周边部能够高效地供给惰性气体，因此能够可靠地除去基板W上的液层L。 
B.第二实施方式 
第二实施方式的基板处理装置与第一实施方式的基板处理装置500具有以下不同点。 
(1)基板处理装置的结构 
图21是第二实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。如图21所示，在本实施方式的基板处理装置500中，没有设置第一实施方式的基板处理装置500中的端部清洗处理模块9。因此，分度器模块8与反射防止膜用处理模块10相邻而设置。 
由此，在分度器模块8和反射防止膜用处理模块10之间，设置有环境隔断用隔断壁20。在该隔断壁20，上下接近设置有用于在分度器模块8和反射防止膜用处理模块10之间进行对基板W的交接的基板装载部PASS1、PASS2。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器模块8搬送到反射防止膜用处理模块10时使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到分度器模块8时使用。 
图22是从+X方向观察图21的基板处理装置500的侧视图。图23是从-X方向观察图21的基板处理装置500的侧视图。 
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中，相邻设置有分度器模块8与反射防止膜用处理模块10。 
另外，如图23所示，在本实施方式的基板处理装置500中，在清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80(参照图21)，依次层叠配置有一个端部清洗单元EC以及2个清洗/干燥处理单元SD。 
(2)基板处理装置的动作 
下面，针对本实施方式的基板处理装置500的动作，参照附图21～图23说明与第一实施方式的基板处理装置500的不同点。 
与第一实施方式相同，向分度器模块8的搬运器装载台82上，被搬入 对多张基板W进行多级容纳的搬运器C。分度器机械手IR使用上侧的手部IRH1来取出容纳在搬运器C内的未处理基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，而将未处理的基板W装载到基板装载部PASS1上。 
装载到基板装载部PASS1上的基板W，通过反射防止膜用处理模块10的第二中心机械手CR2来被接收。第二中心机械手CR2将该基板W搬入到反射防止膜用涂敷处理部30。通过该反射防止膜用涂敷处理部30的对基板W的处理，与第一实施方式相同。 
接着，第二中心机械手CR2从反射防止膜用涂敷处理部30取出涂覆处理结束的基板W，并将该基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。 
接着，第二中心机械手CR2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS3上。 
然后，与第一实施方式同样，将基板W通过第三～第六中心机械手CR3～CR6来搬送到基板装载部PASS11上。 
装载到基板装载部PASS11上的基板W，通过清洗/干燥处理模块15的第七中心机械手CR7来被接收。 
这里，在本实施方式中，在通过曝光装置17的曝光处理前，对基板W实施后述的端部清洗处理。第七中心机械手CR7将接收的基板W搬入到清洗/干燥处理部80的端部清洗单元EC内。对搬入到端部清洗单元EC内的基板W实施端部清洗处理。 
接着，第七中心机械手CR7从端部清洗单元EC取出端部清洗处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS13上。 
装载到基板装载部PASS13上的基板W，通过接口模块16的第八中心机械手CR8来被接收。 
与第一实施方式同样，第八中心机械手CR8将该基板W搬入到边缘曝光部EEW，然后从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS15上。 
装载到基板装载部PASS15上的基板W，通过接口用搬送机构IFR搬入到曝光装置17的基板搬入部17a(参照图21)。 
在曝光装置17中对基板W实施了曝光处理之后，接口用搬送机构IFR 从曝光装置17的基板搬出部17b(参照图21)取出基板W，并搬入到清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80。在清洗/干燥处理部80的清洗/干燥处理单元SD中，进行对曝光处理后的基板W的清洗以及干燥处理。 
然后，与第一实施方式同样，基板W通过接口用搬送机构IFR以及第二～第八中心机械手被搬送到基板装载部PASS2上。 
装载到基板装载部PASS2上的基板W，通过分度器模块8的分度器机械手IR来被容纳在搬运器C内。 
(3)关于端部清洗单元 
对在本实施方式中使用的端部清洗单元EC进行详细的说明。端部清洗单元EC的各构成元件的动作，受到设置在图21的分度器模块8中的主控制器81的控制。 
(3-a)端部清洗单元的一个结构例 
在本实施方式中，作为上述的端部清洗单元EC而可以使用在第一实施方式中说明过的图4的端部清洗单元EC。 
通常，抗蚀覆盖膜不以覆盖基板W的上述周边部的方式形成的情况较多。即，形成在基板W上的周边部的反射防止膜以及抗蚀膜中的一方或双方处于露出的状态。 
在本实施方式中，在作为后工序的、由曝光装置17的曝光处理前，通过清洗/干燥处理部80的端部清洗单元EC来对基板W实施端部清洗处理。所谓端部清洗处理是：通过对基板W的端部R(斜面部以及周边部)使用在曝光装置17中使用的浸液液体来进行清洗，使处于露出状态的反射防止膜以及抗蚀膜的一方或双方预先溶出或析出的处理。 
由此，当通过曝光装置17进行曝光处理时，能够防止反射防止膜以及抗蚀膜的一方或双方溶出或析出到浸液液体中。 
此外，作为在对基板W的端部清洗处理中使用的浸液液体，可以举例纯水、具有高折射率的丙三醇、混合了高折射率的微粒(例如，铝氧化物)与纯水的混合液以及有机类液体等。 
另外，作为浸液液体的其他例子，可以举例在纯水中溶解有络合物(离子化的物质)的液体、碳酸水、含氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)、氟酸、硫酸以及硫酸过氧化氢水溶液等。
(3-b)端部清洗单元的其他结构例 
端部清洗单元EC可以采用以下的结构。图24是用于说明使用在第二实施方式中的端部清洗单元EC的其他结构例的图。 
如图24所示，本例的端部清洗单元EC具有与在第一实施方式中说明过的图7的端部清洗单元EC大致相同的结构以及动作。 
因此，以下针对本例的端部清洗单元EC，说明与图7的端部清洗单元EC的不同点。 
在本实施方式中，设置在臂部303的前端部的二流体喷嘴310，相对由旋转卡盘201保持的基板W的表面，倾斜安装在基板W的外侧。 
当对基板W的端部清洗处理开始时，旋转轴302通过马达301来旋转的同时，臂部303也转动。由此，二流体喷嘴310移动到由旋转卡盘201保持的基板W的端部R的上方。其结果，二流体喷嘴310的混合流体的喷出部310a与基板W的端部R相对向。 
而且，通过打开阀门332，将作为清洗液的浸液液体通过清洗液供给管331来供给到二流体喷嘴310。另外，通过打开阀门342，对二流体喷嘴310供给气体。 
当进行对基板W的端部清洗处理时，清洗液以及气体被供给到二流体喷嘴310。由此，从二流体喷嘴310向旋转的基板W的端部R喷出混合流体。由此，基板W的端部R良好地被清洗。 
还有，在本实施方式中，在端部清洗单元EC中，设置有二流体喷嘴310b，其具有与上述二流体喷嘴310相同的结构以及功能。该二流体喷嘴310b以与由旋转卡盘201保持的基板W的背面相对向的方式倾斜安装在基板W的外侧。此外，二流体喷嘴310b具有喷出混合流体的喷出部310c，并安装在未图示的臂部上。 
这样，通过以分别与基板W的表面以及背面相对向的方式设置二流体喷嘴310、310b，能够可靠地清洗基板W的端部R。此外，由于二流体喷嘴310b的清洗液以及气体的各供给系统与二流体喷嘴310相同，所以省略其说明。 
二流体喷嘴310、310b例如具有在第一实施方式中说明过的图8以及图9的内部结构。
(3-c)端部清洗单元的另一个其他结构例 
端部清洗单元EC还可以具有以下的结构。图25是用于说明使用在第二实施方式中的端部清洗单元EC的另一个其他结构例的图。 
如图25所示，本例的端部清洗单元EC具有与在第一实施方式中说明过的图10的端部清洗单元EC大致相同的结构以及动作。 
因此，以下针对本例的端部清洗单元EC，说明与图10的端部清洗单元EC的不同点。 
如图25所示，在本例中，在臂部303的前端部以相对由旋转卡盘201保持的基板W的表面倾斜安装在基板W的外侧的方式安装有超声波喷嘴410。 
在超声波喷嘴410上，连接有清洗液供给管331。由此，与图24的例子同样，通过打开阀门332来使作为清洗液的浸液液体通过清洗液供给管331而供给到超声波喷嘴410。 
在进行对基板W的端部清洗处理时，从超声波喷嘴410向基板W的端部R喷出浸液液体。这里，当从超声波喷嘴410喷出浸液液体时，从高频波发生装置420向高频振子411供给高频电流。 
由此，高频振子411进行超声波振动，从而对通过超声波喷嘴410内的浸液液体施加与高频电流值对应的高频输出。其结果，处于超声波振动状态的浸液液体被喷出到基板W的端部R上，从而对基板W的端部R进行清洗。 
此外，在本例中，与图24的端部清洗单元EC的例子同样，在端部清洗单元EC内设置具有与上述超声波喷嘴410相同结构以及功能的超声波喷嘴410a。 
该超声波喷嘴410a以与由旋转卡盘201保持的基板W的背面相对向的方式倾斜安装在基板W的外侧。此外，在超声波喷嘴410a内置有高频振子411a，并且，超声波喷嘴410a被安装在未图示的臂部上。 
这样，通过以与基板W的表面以及背面分别相对向的方式设置有超声波喷嘴410、410a，从而能够可靠地清洗基板W的端部R。此外，超声波喷嘴410a的清洗液以及高频电流的各供给系统与超声波喷嘴410相同，所以省略其说明。 
(4)关于清洗/干燥处理单元
用于第二实施方式的清洗/干燥处理单元SD的结构以及动作与在第一实施方式中说明过的清洗/干燥处理单元SD的结构以及动作相同。因此，省略其说明。 
(5)关于接口模块的接口用搬送机构 
图26是用于说明接口用搬送机构IFR的结构以及动作的图。用于本施方式的接口用搬送机构IFR的结构以及动作与在第一实施方式中说明过的接口用搬送机构IFR的结构以及动作相同。因此，省略其说明。 
此外，如上所述，在本实施方式中，在端部清洗单元EC内通过浸液液体对由曝光装置17的处理前的基板W的端部R进行清洗。 
(6)在第二实施方式中的效果 
第二实施方式的基板处理装置500在第一实施方式的基板处理装置500的效果的基础上，还具有以下效果。 
(6-a)通过端部清洗处理的效果 
如上所述，在清洗/干燥处理部80的端部清洗单元EC内通过浸液液体来对由曝光装置17的曝光处理前的基板W的端部R进行清洗。由此，在通过浸液法的曝光处理中，反射防止膜以及抗蚀膜中的一方或双方溶出或析出的成分，预先在端部清洗单元EC中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被冲洗掉。因此，能够防止在进行曝光处理时反射防止膜以及抗蚀膜中的一方或双方溶出或析出到浸液液体中。由此，可以防止曝光装置17(曝光装置17的透镜)被污染。其结果，能够防止曝光图案的尺寸不良以及形状不良的发生。 
此外，在进行曝光处理时可能会溶出或析出到浸液液体中的成分，并不仅限于包含在上述反射防止膜以及抗蚀膜中的成分，也会有通过设置在本实施方式的基板处理装置500外部的外部装置而形成在基板W上的半导体膜、金属膜、绝缘膜或有机膜等所包含的成分。包含在这些膜中的成分也能够预先在端部清洗单元EC中溶出或析出。 
(6-b)使用了刷子的端部清洗处理的效果 
当在端部清洗单元EC中通过刷子213来进行对基板W的端部清洗处理时，由于刷子213直接接触到基板W的端部R，所以能够可靠地除去来自基板W的端部R的反射防止膜以及抗蚀膜中的一方或双方的溶出物或析出物。
(7)第二实施方式的基板处理装置的变形例及其效果 
(7-a)关于使用在端部清洗处理中的清洗喷嘴的其他例 
在上述实施方式中，当进行对基板W的端部清洗处理时，使用了清洗液供给路径241a、241b、二流体喷嘴310、310b以及超声波喷嘴410、410a，但并不仅限于此，还可以使用具备小口径的针状的喷出部的清洗喷嘴。此时，能够高精度地清洗基板W的小区域端部R。 
(7-b)端部清洗单元的其他配置例 
在上述实施方式中，在清洗/干燥处理模块15的清洗/干燥处理部80中的端部清洗单元EC中进行了对基板W的端部清洗处理，但并不仅限于此，也可以在清洗/干燥处理部80以外的部分(例如，抗蚀覆盖膜用处理模块13的抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60中的涂敷单元COV)进行处理。此时，能够消减到抗蚀覆盖膜形成后的端部清洗单元EC为止的搬送工序，从而能够提高生产能力。 
(7-c)关于其他的配置例 
在上述的实施方式中，抗蚀覆盖膜除去模块14包括2个抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b，但是，抗蚀覆盖膜除去模块14可以取代2个抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b中的一方，而包括对基板W进行热处理的热处理部。此时，由于能够高效地进行对多张基板W的热处理，所以能够提高生产能力。 
(7-d)关于清洗/干燥处理单元的其他例 
与第一实施方式同样，使用于清洗/干燥处理单元SD中的清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670的结构也可以采用不同的结构，并进行跟这些结构对应的对基板W的清洗处理以及干燥处理。 
C.技术方案中的各构成元件与实施方式中的各部的对应 
(1)技术方案中的各构成元件与第一实施方式中的各部的对应 
在第一实施方式中，端部清洗处理模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀覆盖膜用处理模块13、抗蚀覆盖膜除去模块14以及清洗/干燥处理模块15相当于处理部；接口模块16相当于交接部，端部清洗处理部90的端部清洗单元EC相当于第一处理单元。 
另外，反射防止用涂敷处理部30的涂敷单元BARC、抗蚀膜用涂敷处 理部40的涂敷单元RES以及抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60的涂敷单元COV相当于第二处理单元；显影处理部50的显影处理单元DEV、抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b的除去单元REM以及清洗/干燥处理部80的清洗/干燥处理单元SD相当于第三处理单元。 
并且，接口模块16相当于基板搬入搬出部；中心机械手CR1相当于第一搬送单元；端部清洗处理模块9相当于第一处理单位；中心机械手CR2、CR3、CR5相当于第二搬送单元；反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11以及抗蚀覆盖膜用处理模块13相当于第二处理单位。 
中心机械手CR4、CR6、CR7相当于第三搬送单元；显影处理模块12、抗蚀覆盖膜除去模块14以及清洗/干燥处理模块15相当于第三处理单位；基板装载部PASS81相当于第一装载部；基板装载部PASS1相当于第二装载部；手部CRH92相当于第一保持部；手部CRH91相当于第二保持部。 
并且，清洗/干燥处理部80的清洗/干燥处理单元SD相当于干燥处理单元；接口用搬送机构IFR相当于第四搬送单元；手部H1相当于第三保持部；手部H2相当于第四保持部。 
另外，抗蚀膜用涂敷处理部40的涂敷单元RES相当于感光性膜形成单元；抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60的涂敷单元COV相当于保护膜形成单元；抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b的除去单元REM相当于除去单元；反射防止用涂敷处理部30的涂敷单元BARC相当于反射防止膜形成单元；显影处理部50的显影处理单元DEV相当于显影处理单元。 
(2)技术方案中的各构成元件与第二实施方式中的各部的对应 
在第二实施方式中，反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀覆盖膜用处理模块13、抗蚀覆盖膜除去模块14以及清洗/干燥处理模块15相当于处理部；接口模块16相当于交接部。 
另外，在上述实施方式中，抗蚀膜用涂敷处理部40的涂敷单元RES相当于第二处理单元；端部清洗处理部90的端部清洗单元EC相当于第一处理单元；抗蚀覆盖膜用涂敷处理部60的涂敷单元COV相当于第三处理单元；反射防止用涂敷处理部30的涂敷单元BARC相当于第四处理单元；抗蚀覆盖膜除去用处理部70a、70b的除去单元REM相当于第五处理单元；显影处理部50的显影处理单元DEV相当于第六处理单元；接口用搬送机构IFR相当于搬送装置；手部H1、H2分别相当于第一以及第二保持部。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，相邻于利用浸液法对基板进行曝光处理的曝光装置而配置，其特征在于，具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其相邻于上述处理部的一端部而设置，用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理部包括使用刷子对由上述曝光装置进行曝光处理前的基板的端部进行物理清洗的第一处理单元。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部具有：
第二处理单元，其对由上述曝光装置进行曝光处理前的基板进行规定的处理；
第三处理单元，其对由上述曝光装置进行曝光处理后的基板进行规定的处理，
上述第一处理单元对由上述第二处理单元进行处理前的基板的端部进行清洗。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有基板搬入搬出部，该基板搬入搬出部相邻于上述处理部的另一端部而配置，并向上述处理部搬入基板以及从上述处理部搬出基板，
上述处理部包括：
第一处理单位，其具有上述第一处理单元以及搬送基板的第一搬送单元；
一个或多个第二处理单位，其具有上述第二处理单元以及搬送基板的第二搬送单元；
一个或多个第三处理单位，其具有上述第三处理单元以及搬送基板的第三搬送单元，
上述第一处理单位相邻于上述基板搬入搬出部而配置。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一处理单位还具有：第一装载部，其在基板被搬入到该处理单位时装载基板；第二装载部，其在基板被从该处理单位搬出时装载基板，
上述第一搬送单元包括保持基板的第一以及第二保持部，
上述第一搬送单元，
当从上述第一装载部向上述第一处理单元搬送基板时，通过上述第一保持部来保持基板，
当从上述第一处理单元向上述第二装载部搬送基板时，通过上述第二保持部来保持基板。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一保持部设置在上述第二保持部的下方。
6.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第三处理单元包括在由上述曝光装置进行曝光处理后对基板进行干燥处理的干燥处理单元，
具有上述干燥处理单元的上述第三处理单位相邻于上述交接部而配置，
上述交接部具有第四搬送单元，该第四搬送单元将曝光处理前的基板交接到上述曝光装置，而将曝光处理后的基板从上述曝光装置搬送到上述干燥处理单元，并接收由上述干燥处理单元进行过干燥处理的基板。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第四搬送单元包括保持基板的第三以及第四保持部，
上述第四搬送单元，
当将曝光处理前的基板交接到上述曝光装置时，以及接收由上述干燥处理单元进行过干燥处理的基板时，通过上述第三保持部来保持基板，
当将曝光处理后的基板从上述曝光装置搬送到上述干燥处理单元时，通过上述第四保持部来保持基板。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第四保持部设置在上述第三保持部的下方。
9.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元包括感光性膜形成单元，该感光性膜形成单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还包括保护膜形成单元，该保护膜形成单元形成保护上述感光性膜的保护膜。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元还包括除去单元，该除去单元在由上述曝光装置进行曝光处理后除去上述保护膜。
12.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元还包括反射防止膜形成单元，该反射防止膜形成单元在由上述感光性膜形成单元形成上述感光性膜之前形成反射防止膜。
13.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单元包括对基板进行显影处理的显影处理单元。
14.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部还包括第二处理单元，该第二处理单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜，
上述第一处理单元通过使用于浸液法的曝光处理中的液体，来清洗由上述曝光装置进行曝光处理前的基板的端部。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部还包括第三处理单元，该第三处理单元在由上述第二处理单元形成的上述感光性膜上形成保护该感光性膜的保护膜，
上述第一处理单元通过上述液体来清洗在上述曝光处理前的基板的端部露出的上述感光性膜。
16.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部还包括第四处理单元，该第四处理单元在由上述第二处理单元形成上述感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜，
上述第一处理单元通过上述液体来清洗在上述曝光处理前的基板的端部露出的上述反射防止膜以及上述感光性膜中的一方或双方。
17.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体包含有纯水、丙三醇以及混合了高折射率的微粒与纯水的混合液中的至少一种。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体包含有混合了高折射率的微粒与纯水的混合液，
上述高折射率的微粒包括铝氧化物。
19.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部包括搬送装置，该搬送装置在上述处理部和上述曝光装置之间搬送基板，
上述搬送装置包括保持基板的第一以及第二保持部，
当搬送上述曝光处理前的基板时，通过上述第一保持部来保持基板，
当搬送上述曝光处理后的基板时，通过上述第二保持部来保持基板。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方。
21.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部还包括第五处理单元，该第五处理单元在上述曝光处理后除去上述保护膜。
22.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部还包括对基板进行显影处理的第六处理单元。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7942158B2 (en) * 2005-07-13 2011-05-17 Honda Electronics Co., Ltd. Ultrasonic edge washing apparatus
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN100592468C (zh) * 2006-02-02 2010-02-24 株式会社迅动 基板处理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008042004A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4949064B2 (ja) * 2007-02-15 2012-06-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4999487B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5149513B2 (ja) * 2007-02-15 2013-02-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP5004611B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100882474B1 (ko) * 2007-06-22 2009-02-06 세메스 주식회사 세정 유닛을 갖는 기판 처리 장치
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4976949B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7641406B2 (en) * 2007-07-26 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP5039468B2 (ja) * 2007-07-26 2012-10-03 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2009071235A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5091687B2 (ja) * 2008-01-08 2012-12-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5522903B2 (ja) * 2008-04-16 2014-06-18 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2010114123A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板洗浄方法
KR101109074B1 (ko) * 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN101794710B (zh) 2009-01-30 2012-10-03 细美事有限公司 用于处理基板的系统及方法
CN102078866A (zh) * 2009-11-26 2011-06-01 昆山厚声电子工业有限公司 薄膜片状基板的掩膜清洗烘干工艺
CN103721913B (zh) * 2010-07-29 2015-05-20 东京应化工业株式会社 涂敷方法及涂敷装置
JP5608148B2 (ja) * 2011-11-25 2014-10-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP5747842B2 (ja) * 2012-02-27 2015-07-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP6111104B2 (ja) * 2013-03-15 2017-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄乾燥方法および基板現像方法
JP6399739B2 (ja) * 2013-09-27 2018-10-03 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
JP2016134508A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6910148B2 (ja) * 2017-01-13 2021-07-28 株式会社ディスコ ウエーハ洗浄装置
JP7055219B2 (ja) * 2018-10-31 2022-04-15 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7241589B2 (ja) * 2019-04-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN110707022B (zh) * 2019-09-06 2022-07-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洁装置
JP7348021B2 (ja) * 2019-10-15 2023-09-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR102584514B1 (ko) * 2020-07-09 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004363453A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd 基板洗浄装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0175278B1 (ko) 1996-02-13 1999-04-01 김광호 웨이퍼 세정장치
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH1154588A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置
TW385488B (en) 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
JPH11219930A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Ebara Corp 洗浄装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP4311520B2 (ja) * 2002-02-22 2009-08-12 大日本スクリーン製造株式会社 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3865602B2 (ja) * 2001-06-18 2007-01-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
CN1356728A (zh) 2001-12-20 2002-07-03 华中科技大学 铁电场效应晶体管及其制备方法
JP2003197592A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端面洗浄装置および基板処理装置
JP4342147B2 (ja) 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
JP4137711B2 (ja) 2003-06-16 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送手段の位置合わせ方法
JP4455020B2 (ja) * 2003-11-17 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 露光方法
JP4101740B2 (ja) * 2003-12-09 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置及びレジストパターンの形成方法
JP4194495B2 (ja) 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004363453A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd 基板洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200707087A (en) 2007-02-16
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CN1885160A (zh) 2006-12-27

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