KR20070092191A - 기판처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070092191A
KR20070092191A KR1020070079353A KR20070079353A KR20070092191A KR 20070092191 A KR20070092191 A KR 20070092191A KR 1020070079353 A KR1020070079353 A KR 1020070079353A KR 20070079353 A KR20070079353 A KR 20070079353A KR 20070092191 A KR20070092191 A KR 20070092191A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
board
unit
processing
Prior art date
Application number
KR1020070079353A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100864126B1 (ko
Inventor
카즈히토 시게모리
코지 가네야마
아키코 하루모토
타다시 미야기
마사시 가나오카
슈이치 야수다
Original Assignee
가부시키가이샤 소쿠도
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 소쿠도 filed Critical 가부시키가이샤 소쿠도
Publication of KR20070092191A publication Critical patent/KR20070092191A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100864126B1 publication Critical patent/KR100864126B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

기판처리 장치는, 인덱서 블록, 단부 세정 처리 블록, 반사 방지막용 처리 블록, 레지스트 막용 처리 블록, 현상 처리 블록, 레지스트 커버 막용 처리 블록, 레지스트 커버 막제거 블록, 세정/건조 처리 블록 및 인터페이스 블록을 구비한다. 기판처리 장치의 인터페이스 블록에 인접하도록 노광 장치가 배치된다. 노광 장치에 있어서는, 액침법에 의해 기판의 노광 처리가 행하여진다. 단부 세정 처리 블록의 단부 세정 처리부에 있어서는, 노광 처리전의 기판의 단부가 세정된다.
인덱서 블록, 포토마스크용 기판, 레지스트 막용 처리 블록

Description

기판처리 장치 및 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
도 1은, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리 장치를 +X방향으로부터 본 측면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리 장치를 -X방향으로부터 본 측면도이다.
도 4는, 단부 세정 유닛의 구성을 설명하기 위한 도이다.
도 5는, 기판의 단부를 설명하기 위한 개략적 모식도이다.
도 6은, 도 4의 단부 세정 유닛의 단부 세정 장치의 구조를 설명하기 위한 도이다.
도 7은, 제1의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 8은, 단부 세정 처리에 이용되는 2류체 노즐의 내부구조의 1 예를 나타내는 세로단면도이다.
도 9는, 단부 세정 처리에 이용되는 2류체 노즐의 내부구조의 다른 예를 나타내는 세로단면도이다.
도 10은, 제1의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛의 또 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 11은, 도 1의 단부 세정 처리 블록을 -Y방향으로부터 본 도이다.
도 12는, 세정/건조 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 도이다.
도 13은, 세정/건조 처리 유닛의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 14는, 인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 15는, 건조 처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 16은, 건조 처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 17은, 도 16의 건조 처리용 노즐을 이용한 경우의 기판의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 18은, 건조 처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 19는, 세정/건조 처리 유닛의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 20은, 도 19의 세정/건조 처리 유닛을 이용했을 경우의 기판의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 21은, 제2의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 22는, 도 21의 기판처리 장치를 +X방향으로부터 본 측면도이다.
도 23은, 도 21의 기판처리 장치를 -X방향으로부터 본 측면도이다.
도 24는, 제2의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 25는, 제2의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛의 또 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 26은, 인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
본 발명은, 기판의 처리를 하는 기판처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종기판에 여러가지의 처리를 하기 위해서, 기판처리 장치가 이용되고 있다.
이러한 기판처리 장치로는, 일반적으로, 한 장의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행하여진다. 특개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리 장치는, 인덱서 블록, 반사 방지막용 처리 블록, 레지스트 막용 처리 블록, 현상 처리 블록 및 인터페이스 블록에 의해 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록, 기판처리 장치와는 별체의 외부장치인 노광 장치가 배치된다.
상기의 기판처리 장치에 있어서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은, 반사 방지막용 처리 블록 및 레지스트 막용 처리 블록에 있어서 반사 방지막의 형성 및 레지스트 막의 도포 처리가 행하여진 후, 인터페이스 블록을 통해서 노광 장치에 반송된다.
노광 장치에 있어서 기판상의 레지스트 막에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통해서 현상 처리블록에 반송된다. 현상 처리 블록에 있어서 기판상의 레지스트 막에 현상 처리가 행하여짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화 가 중요한 과제가 되었다. 종래의 일반적인 노광 장치에 있어서는, 레쿠칠의 패턴을 투영 렌즈를 통해서 기판 위로 축소 투영함으로써 노광 처리가 행해졌다. 그러나, 이러한 종래의 노광 장치에 있어서는, 노광 패턴의 선폭은 노광 장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
그래서, 노광 패턴의 새로운 미세화를 가능하게 하는 투영 노광 방법으로서, 액침법이 제안되었다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에 있어서는, 투영 광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워지고 있어, 기판표면에 있어서의 노광 광을 단파장화할 수가 있다.그것에 의해, 노광 패턴의 새로운 미세화가 가능해진다.
그런데, 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에 있어서는, 기판과 액체가 접촉한 상태에서 노광 처리가 행하여지므로, 노광 처리 전에 기판에 오염물질이 부착되면, 그 오염물질이 액체 중에 혼입한다.
노광 처리 전에 있어서는, 기판에 대하여 여러가지의 성막처리가 행해지지만, 이 성막처리의 과정에서, 기판의 단부가 오염될 경우가 있다. 이렇게, 기판의 단부가 오염되어진 상태에서 기판의 노광 처리를 하면, 노광 장치의 렌즈가 오염되어져, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.
또한, 상기 종래의 기판처리 장치로는, 액침법에 의한 노광 처리에 있어서, 기판의 단부 또는 단부 부근의 반사 방지막 또는 레지스트 막 등에 포함되는 성분이 액침액 내에 석출 또는 용출할 경우가 있다. 그 결과, 노광 장치의 렌즈가 오염되어져, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제가 되어 있다. 이러한 종래의 노광 장치에 있어서는, 노광 패턴의 선폭은 노광 장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다. 그래서, 노광 패턴의 새로운 미세화를 가능하게 하는 투영 노광 방법으로서, 액침법이 제안되었다. (예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조).국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에 있어서는, 투영 광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워지고 있어, 기판표면에 있어서의 노광 광을 단파장화 할 수가 있다.그것에 의해, 노광 패턴의 새로운 미세화가 가능해진다.
상기 종래의 기판처리 장치로는, 액침법에 의한 노광 처리에 있어서, 기판의 단부 또는 단부 부근의 반사 방지막 또는 레지스트 막 등에 포함되는 성분이 액침액 내에 석출 또는 용출할 경우가 있다. 그 결과, 노광 장치의 렌즈가 오염되어져, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 우려가 있다. 따라서 본 발명은 이와 같은 문제에 대한 것이다.
본 발명의 목적은, 노광 장치내의 오염을 방지할 수 있고, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있는 기판처리 장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일국면을 따르는 기판처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치이며, 기판에 처리를 하기 위한 처리부와, 처리부의 일단부에 인접하도록 설치되어, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수도(受渡:받고 넘기는 것)를 하기 위한 수도(受渡)부를 구비하고, 처리부는, 노광 장치에 의한 노 광 처리전의 기판의 단부를 세정하는 제1의 처리 유닛을 포함하는 것이다.
본 발명에 관계하는 기판처리 장치는 노광 장치에 인접하도록 배치된다. 이 기판처리 장치에 있어서는, 처리부에 의해 기판에 소정의 처리가 행하여지고, 처리부의 일단부에 인접하도록 설치된 수도(受渡)부에 의해, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수도(受渡)가 행하여진다.
처리부에 있어서는, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판의 단부가 제1의 처리 유닛에 의해 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판의 단부에 부착된 오염물질을 제거할 수 있다. 그 결과, 기판의 단부의 오염에 기인하는 노광 장치내의 오염을 방지할 수 있고, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있다.
(2) 처리부는, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판에 소정의 처리를 하는 제2의 처리 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판에 소정의 처리를 하는 제3의 처리 유닛을 포함하고, 제1의 처리 유닛은, 제2의 처리 유닛에 의한 처리전의 기판의 단부를 세정해도 좋다.
이 경우, 처리부에 있어서는, 제2의 처리 유닛에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판에 소정의 처리가 행하여지고, 제3의 처리 유닛에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판에 소정의 처리가 행하여진다.
제1의 처리 유닛이 제2의 처리 유닛에 의한 처리전의 기판의 단부를 세정하는 것에 의해, 제2의 처리 유닛, 제3의 처리 유닛 및 노광 장치 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치에 기판의 단부의 오염물질이 전사하는 것이 방지된다.
그것에 의해, 제2 및 제3의 처리 유닛에 있어서, 기판에 대한 소정의 처리를 청정하게 할 수 있다. 또한, 기판의 단부가 청정하게 유지되므로, 기판의 단부의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량이 충분히 방지된다.
(3) 처리부의 타단부에 인접하도록 배치되고, 처리부에의 기판의 반입 및 처리부에서의 기판의 반출을 하는 기판반입 반출부를 더욱 구비하고, 처리부는, 제1의 처리 유닛 및 기판을 반송하는 제1의 반송 유닛을 구비하는 제1의 처리 단위와,
제2의 처리 유닛 및 기판을 반송하는 제2의 반송 유닛을 구비하는 1 또는 복수의 제2의 처리 단위와, 제3의 처리 유닛 및 기판을 반송하는 제3의 반송 유닛을 구비하는 1 또는 복수의 제3의 처리 단위를 포함하고, 제1의 처리 단위는, 기판반입 반출부에 인접하도록 배치되어도 좋다.
이 경우, 기판이 기판반입 반출부에 의해 처리부에 반입된다. 처리부의 제1의 처리 단위에 있어서는, 인접하는 기판반입 반출부에서 반입된 기판의 단부가 제1의 처리 유닛에 의해 세정되어, 기판이 제1의 반송 유닛에 의해 반송된다.
처리부의 제2의 처리 단위에 있어서는, 제1의 처리 유닛에 의해 단부가 세정된 노광 처리전의 기판이 제2의 처리 유닛에 의해 처리되어, 제2의 반송 유닛에 의해 반송된다.
처리부의 제3의 처리 단위에 있어서는, 노광 처리후의 기판이 제3의 처리 유닛에 의해 처리되어, 제3의 반송 유닛에 의해 반송된다. 그리고, 제3의 처리 유닛에 의해 처리된 기판이 기판반입 반출부에 의해 처리부에서 반출된다.
이 기판처리 장치는, 제2의 처리 단위, 제3의 처리 단위 및 기판반입 반출부 를 갖는 기존의 기판처리 장치에, 제1의 처리 단위를 추가한 구성을 가지므로 저코스트에서 노광 처리전의 기판의 단부의 오염에 기인하는 노광 장치내의 오염을 방지하는 것이 가능해진다.
(4) 제1의 처리 단위는, 기판이 해당 처리 단위에 반입될 때에 기판이 재치되는 제1의 재치부와, 기판이 해당 처리 단위로부터 반출될 때에 기판이 재치되는 제2의 재치부를 더 구비하고, 제1의 반송 유닛은, 기판을 유지하는 제1 및 제2의 유지부를 포함하고, 제1의 반송 유닛은, 제1의 재치부에서 제1의 처리유닛에 기판을 반송할 때는 제1의 유지부에 의해 기판을 유지하고, 제1의 처리 유닛으로부터 제2의 재치부에 기판을 반송할 때는 제2의 유지부에 의해 기판을 유지해도 좋다.
제1의 처리 단위에 있어서는, 해당 처리 단위로 반입된 기판이 제1의 재치부에 재치되어, 제1의 재치부에 재치된 기판이 제1의 반송 유닛의 제1의 유지부에 의해 제1의 처리유닛에 반송된다. 제1의 처리 유닛에 의해 단부가 세정된 기판이, 제1의 반송 유닛의 제2의 유지부에 의해 제2의 재치부에 반송된다. 그 후, 제2의 재치부에 재치된 기판이 해당 처리 단위로부터 반출된다.
즉, 제1의 처리 유닛에 의해 단부가 세정된 기판을 반송할 때는 제2의 유지부가 이용되고, 단부가 세정되어 있지 않은 기판을 반송할 때에는 제1의 유지부가 이용된다. 따라서, 제2의 유지부에 기판의 단부에 부착된 오염물질이 부착되는 것을 방지할 수가 있다.
그것에 의해, 노광 처리전의 기판의 단부에 오염물질이 부착되는 것을 방지할 수가 있다. 그 결과, 노광 처리전의 기판의 오염을 방지할 수가 있다.
(5) 제1의 유지부는, 제2의 유지부보다도 아래쪽으로 설치되어도 좋다. 이 경우, 제1의 유지부 및 그것이 유지하는 기판의 단부에서 오염물질이 낙하해도, 제2의 유지부 및 그것이 유지하는 기판에 오염물질이 부착되는 것이 방지된다.
그것에 의해, 노광 처리전의 기판에 오염물질이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.그 결과, 노광 처리전의 기판의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
(6) 제3의 처리 유닛은, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에 기판의 건조 처리를 하는 건조 처리 유닛을 포함하고, 건조 처리 유닛을 구비하는 제3의 처리 단위는, 수도(受渡)부에 인접하도록 배치되어, 수도(受渡)부는, 노광 처리전의 기판을 노광 장치에 수도(受渡)하고, 노광 처리후의 기판을 노광 장치로부터 건조 처리유닛에 반송하고, 건조 처리 유닛에 의해 건조 처리된 기판을 받는 제4의 반송 유닛을 구비해도 좋다.
이 경우, 수도(受渡)부에 있어서는, 노광 처리전의 기판이 제4의 반송 유닛에 의해 노광 장치에 수도(受渡)되고, 노광 처리후의 기판이 제4의 반송 유닛에 의해 노광 장치로부터 건조 처리유닛에 반송된다.
제3의 처리 단위에 포함되는 건조 처리 유닛에 있어서는, 기판의 건조 처리가 행하여진다. 그 후, 수도(受渡)부에 있어서, 건조 처리 유닛에 의해 건조 처리된 기판이 제4의 반송 유닛에 의해 받아진다.
이것에 의해, 노광 장치에 의한 노광 처리시에 기판에 부착된 액체가, 기판처리 장치 내에 낙하하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판처리 장치의 전기계통의 이상 등의 동작 불량을 방지할 수가 있다.
또한, 노광 처리후의 기판의 건조 처리를 행함으로써, 노광 처리후의 기판에 분위기중의 진애 등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판의 오염을 방지할 수가 있다.
또한, 기판처리 장치 내를 액체가 부착된 기판이 반송되는 것을 방지할 수가 있으므로, 노광 처리시에 기판에 부착된 액체가 기판처리 장치내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수가 있다. 그것에 의해, 기판처리 장치내의 온습도조정이 용이해진다.
또한, 노광 처리시에 기판에 부착된 액체가 기판처리 장치 내에 있어서 노광 처리전의 다른 기판에 부착되는 것을 방지할 수가 있다. 따라서, 노광 처리전의 다른 기판에 분위기중의 진애등이 부착되는 것이 방지되므로, 노광 처리시의 해상성능의 열화를 방지할 수가 있는 동시에 노광 장치내의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
이것들의 결과, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수가 있다.
(7) 제4의 반송 유닛은, 기판을 유지하는 제3 및 제4의 유지부를 포함하고, 제4의 반송 유닛은, 노광 처리전의 기판을 노광 장치에 수도(受渡)할 때 및 건조 처리 유닛에 의해 건조 처리된 기판을 받을 때에는 제3의 유지부에 의해 기판을 유지하고, 노광 처리후의 기판을 노광 장치로부터 건조 처리유닛에 반송할 때는 제4의 유지부에 의해 기판을 유지해도 좋다.
이 경우, 수도(受渡)부에 있어서는, 노광 처리전의 기판이 제4의 반송 유닛의 제3의 유지부에 의해 유지되어, 노광 장치에 수도(受渡)된다.
또한, 노광 처리후의 기판이 제4의 반송 유닛의 제4의 유지부에 의해 유지되어, 노광 장치로부터 건조 처리유닛에 반송된다.
더욱이, 건조 처리 유닛에 의해 건조 처리된 기판이 제4의 반송 유닛의 제3의 유지부에 의해 유지되어, 건조 처리 유닛으로부터 받아진다.
즉, 노광 처리시에 액체가 부착된 기판의 반송에는 제4의 유지부가 이용되고, 노광 처리전 및 건조 처리 유닛에 의한 건조 처리후의 액체가 부착되어 있지 않은 기판의 반송에는 제3의 유지부가 이용된다. 따라서, 제3의 유지부에 액체가 부착되는 것을 방지할 수가 있다.
그것에 의해, 노광 처리 전 및 건조 처리 유닛에 의한 건조 처리후의 기판에 액체가 부착되는 것을 방지할 수가 있다. 그 결과, 노광 처리 후 및 건조 처리 유닛에 의한 건조 처리후의 기판에 분위기중의 진애 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.
(8) 제4의 유지부는, 제3의 유지부보다도 아래쪽으로 설치되어도 좋다. 이 경우, 제4의 유지부 및 그것이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하해도, 제3의 유지부 및 그것이 유지하는 기판에 액체가 부착되는 것이 방지된다.
그것에 의해, 노광 처리전의 기판에 진애등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다. 그 결과, 노광 처리전의 기판의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
(9) 제2의 처리 유닛은, 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 감광성 막형성 유닛을 포함해도 좋다. 이 경우, 단부가 세정된 노광 처리전의 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막이 감광성 막형성 유닛에 의해 형성된다.
이것에 의해, 기판에 감광성 막을 형성할 때에는, 기판의 단부에 부착된 오염물질이 제거되어 있으므로, 기판의 단부의 오염에 기인하는 감광성 막의 형성 불량을 방지할 수 있고, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있다.
또한, 하나의 기판처리 장치 내에 있어서, 기판의 단부의 세정을 하는 동시에, 기판에 감광성 막을 형성 할 수가 있으므로, 풋 프린트를 저감할 수가 있다.
(10) 제2의 처리 유닛은, 감광성 막을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막형성 유닛을 더욱 포함해도 좋다. 이 경우, 감광성 막 위로 보호막이 형성되므로, 노광 장치에 있어서 기판이 액체와 접촉한 상태에서 노광 처리가 행하여져도, 감광성 막의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 방지된다. 그것에 의해, 노광 장치내의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
(11) 제3의 처리 유닛은, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에 보호막을 제거하는 제거 유닛을 더욱 포함해도 좋다. 이 경우, 감광성 막 위로 형성된 보호막을 확실하게 제거할 수가 있다.
(12) 제2의 처리 유닛은, 감광성 막형성 유닛에 의한 감광성 막의 형성전에 기판에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막형성 유닛을 더욱 포함해도 좋다. 이 경우, 기판 위로 반사 방지막이 형성되므로, 노광 처리시에 발생하는 정재파 및 할레이션을 저감시킬 수 있다.
(13) 제3의 처리 유닛은, 기판의 현상 처리를 하는 현상 처리 유닛을 포함해도 좋다. 이 경우, 현상 처리 유닛에 의해 기판의 현상 처리가 행하여진다.
이렇게, 하나의 기판처리 장치 내에 있어서, 기판의 단부의 세정을 하는 동시에, 기판의 현상 처리를 할 수 있으므로, 풋 프린트를 저감할 수가 있다.
(14) 제1의 처리 유닛은, 브러시를 이용해서 기판의 단부를 세정해도 좋다. 이 경우, 제1의 처리 유닛에 있어서는, 브러시에 의해 기판의 단부가 세정된다.
이렇게, 브러시를 이용해서 기판의 단부를 세정할 경우에는, 기판의 단부에 직접 브러시가 접촉하므로, 기판의 단부의 오염물질을 물리적으로 박리시킬 수 있다. 그것에 의해, 단부에 강고하게 부착된 오염물질을 확실하게 제거할 수 있다.
(15) 제1의 처리 유닛은, 2류체 노즐을 이용해서 기판의 단부를 세정해도 좋다.
이 경우, 제1의 처리 유닛에 있어서는, 2류체 노즐에 의해 기판의 단부가 세정된다.
이렇게, 2류체 노즐을 이용해서 기판의 단부의 세정을 할 경우에는, 기체와 액체와의 혼합 유체가 기판의 단부에 토출되어, 기판의 단부가 세정된다. 이렇게, 혼합 유체를 이용하는 것에 의해 높은 세정 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기체와 액체와의 혼합 유체가 기판의 단부에 토출됨으로써, 비접촉에서 기판의 단부가 세정되므로, 세정시에 있어서의 기판의 단부의 손상이 방지된 다.
더욱이, 혼합 유체의 토출압 및 혼합 유체에 있어서의 기체와 액체와의 비율을 제어하는 것에 의해 기판의 단부의 세정 조건을 용이하게 제어하는 것도 가능하다.
또한, 2류체 노즐에 의하면, 균일한 혼합 유체를 기판의 단부에 토출 할 수가 있으므로, 세정 불균일이 발생하지 않는다.
(16) 제1의 처리 유닛은, 초음파 노즐을 이용해서 기판의 단부를 세정해도 좋다.
이 경우, 제1의 처리 유닛에 있어서는, 초음파 노즐에 의해 기판의 단부가 세정된다.
이렇게, 초음파 노즐을 이용해서 기판의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 초음파 노즐 내를 지나는 액체에 고주파전류의 값에 응한 고주파출력이 인가된다.
이것에 의해, 초음파진동 상태가 된 액체가 기판의 단부에 토출되어, 기판의 단부가 세정된다. 이 경우, 액체에 인가되는 고주파출력을 기판의 종류 및 세정 조건에 따라 전기적으로 가변제어하는 것이 가능해진다.
(17) 처리부는, 기판 위로 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 제2의 처리 유닛을 더욱 포함하고, 제1의 처리 유닛은, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판의 단부를 액침법에 의한 노광 처리에 이용되는 액체에 의해 세정해도 좋다.
그 기판처리 장치에 있어서는, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수도(受渡)가 수도(受渡)부에 의해 행하여진다. 기판 위로 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막이 제2의 처리 유닛에 의해 형성된다.
또한, 제1의 처리 유닛에 있어서 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판의 단부가 액침법에 의한 노광 처리에 이용되는 액체에 의해 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리 중에 감광성 막으로부터 용출 또는 석출하는 성분이 미리 제1의 처리 유닛에 있어서 용출 또는 석출하고, 용출물 또는 석출물이 씻어 버려진다. 따라서, 노광 처리시에, 상기 액체 중에 감광성 막의 성분이 용출 또는 석출되는 것이 방지된다.
이것에 의해, 노광 장치가 오염되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 것이 방지된다.
여기에서, 노광 처리시에 상기 액체 중에 용출 또는 석출하는 가능성이 있는 성분은 감광성 막 중에 포함되는 성분에 한정되는 것은 아니고, 본 발명에 관계되는 기판처리 장치밖에 설치된 외부장치에 의해 기판 위로 형성된 반도체막, 금속막, 절연막 또는 유기막 등에 포함되는 성분도 있다. 이것들의 막에 포함되는 성분도 미리 제1의 처리 유닛에 있어서 용출 또는 석출시킬 수 있다.
더욱이, 하나의 기판처리 장치 내에 있어서, 기판의 단부의 세정을 하는 동시에, 기판 위로 감광성 막을 형성 할 수가 있으므로, 풋 프린트(foot print)를 저감할 수가 있다.
(18) 처리부는, 제2의 처리 유닛에 의해 형성된 감광성 막위로 해당 감광성 막을 보호하는 보호막을 형성하는 제3의 처리 유닛을 더욱 포함하고, 제1의 처리 유닛은, 노광 처리전의 기판의 단부에 있어서 노출한 감광성 막을 액체에 의해 세정해도 좋다.
이 경우, 기판 위로 형성된 감광성 막이 보호막에 의해 보호된다. 또한, 기판의 단부에 있어서 보호막에 의해 피복되지 않고 노출한 상태의 감광성 막이 있을 경우에 있어서도, 제1의 처리 유닛에 있어서 노광 처리전의 해당 단부가 액침법에 의한 노광 처리에 이용되는 액체에 의해 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리중에 노출한 상태의 감광성 막으로부터 용출 또는 석출하는 성분이 미리 제1의 처리 유닛에 있어서 용출 또는 석출하고, 용출물 또는 석출물이 씻어 버려진다. 따라서, 노광 처리시에, 상기 액체 중에 감광성 막의 성분이 용출 또는 석출하는 것이 방지된다.
이것에 의해, 노광 장치가 오염되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 것이 방지된다.
(19) 처리부는, 제2의 처리 유닛에 의한 감광성 막의 형성 전에, 기판 위로 반사 방지막을 형성하는 제4의 처리 유닛을 더욱 포함하고, 제1의 처리 유닛은, 노광 처리전의 기판의 단부에 있어서 노출한 반사 방지막 및 감광성 막의 한 쪽방향 또는 양쪽을 액체에 의해 세정해도 좋다.
이 경우, 기판 위로 반사 방지막이 형성되므로, 노광 처리시에 발생하는 정재파(定在波) 및 할레이션(halation)을 저감시킬 수 있다. 또한, 제1의 처리 유닛에 있어서 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판의 단부가 액침법에 의한 노광 처리에 이용되는 액체에 의해 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리 중에 반사 방지막 및 감광성 막의 한 쪽 또는 양쪽으로부터 용출 또는 석출하는 성분이 미리 제1의 처리 유닛에 있어서 용출 또는 석출하고, 용출물 또는 석출물이 씻어 버려진다. 따라서, 노광 처리시에, 상기 액체 중에 반사 방지막 및 감광성 막의 한 쪽 또는 양쪽의 성분이 용출 또는 석출하는 것이 방지된다. 이것에 의해, 노광 장치가 오염되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 것이 방지된다.
(20) 액체는, 순수, 글리세롤 및 고굴절율의 미립자와 순수를 혼합한 혼합액의 적어도 1종을 포함해도 좋다. 이 경우, 이것들의 액체에 의해 액침법에 의한 노광 처리를 양호하게 행할 수 있는 동시에, 제1의 처리 유닛에 있어서 기판의 단부를 양호하게 세정할 수가 있다.
(21) 고굴절율의 미립자는, 알루미늄 산화물을 포함해도 좋다. 이 경우, 알루미늄 산화물을 포함하는 액체에 의해 액침법에 의한 노광 처리를 더욱 양호하게 행할 수 있는 동시에, 제1의 처리 유닛에 있어서 기판의 단부를 더욱 양호하게 세정할 수가 있다.
(22) 수도(受渡)부는, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하고, 반송 장치는, 기판을 유지하는 제1 및 제2의 유지부를 포함하고, 노광 처리전의 기판을 반송할 때는 제1의 유지부에 의해 기판을 유지하고, 노광 처리후의 기판을 반송할 때는 제2의 유지부에 의해 기판을 유지해도 좋다.
이 경우, 노광 처리시에 액체가 부착된 기판의 반송에는 제2의 유지부가 이용되고, 노광 처리전의 액체가 부착되어 있지 않은 기판의 반송에는 제1의 유지 부가 이용된다. 따라서, 제1의 유지부에 액체가 부착되는 것을 방지할 수가 있다.
그것에 의해, 노광 처리전의 기판에 액체가 부착되는 것을 방지할 수가 있다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판에 분위기중의 진애(塵埃)등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.
(23) 제2의 유지부는, 제1의 유지부보다도 아래쪽으로 설치되어도 좋다. 이 경우, 제2의 유지부 및 이것이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하해도, 제1의 유지부 및 이것이 유지하는 기판에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판에 진애 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.
(24) 처리부는, 노광 처리 후에 보호막을 제거하는 제5의 처리 유닛을 더욱 포함해도 좋다. 이 경우, 감광성 막 위로 형성된 보호막을 확실하게 제거할 수가 있다.
(25) 처리부는, 기판의 현상 처리를 하는 제6의 처리 유닛을 더욱 포함해도 좋다. 이 경우, 제6의 처리 유닛에 의해 기판의 현상 처리가 행하여진다.이렇게, 하나의 기판처리 장치 내에 있어서, 기판의 단부의 세정을 하는 동시에, 기판의 현상 처리를 할 수 있으므로, 풋 프린트를 저감할 수가 있다.
(26) 제1의 처리 유닛은, 액체 및 기체의 혼합 유체를 기판의 단부에 토출하는 2류체 노즐을 포함해도 좋다.
이 경우, 제1의 처리 유닛에 있어서는, 2류체 노즐에 의해 기판의 단부가 세정된다. 이렇게, 2류체 노즐을 이용해서 기판의 단부의 세정을 할 경우에는, 기 체와 액체와의 혼합 유체가 기판의 단부에 토출되어, 해당 단부가 세정된다.
그것에 의해, 높은 세정 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기체와 액체와의 혼합 유체가 기판의 단부에 토출됨으로써, 비접촉으로 해당 단부가 세정되므로, 세정시에 있어서의 기판의 단부의 손상이 방지된다.
더욱이, 혼합 유체의 토출압 및 혼합 유체에 있어서의 기체와 액체와의 비율을 제어하는 것에 의해 기판의 단부의 세정 조건을 용이하게 제어하는 것도 가능하다.
또한, 2류체 노즐에 의하면, 균일한 혼합 유체를 기판의 단부에 토출 할 수가 있으므로, 세정불균일이 발생하지 않는다.
(27) 제1의 처리 유닛은, 액체에 초음파를 부여하면서 기판의 단부에 토출하는 초음파 노즐을 포함해도 좋다.
이 경우, 제1의 처리 유닛에 있어서는, 초음파 노즐에 의해 기판의 단부가 세정된다. 이렇게, 초음파 노즐을 이용해서 기판의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 초음파 노즐내를 지나는 액체에 고주파전류의 값에 따른 고주파출력이 인가된다. 이것에 의해, 초음파진동 상태가 된 액체가 기판의 단부에 토출되어, 해당 단부가 세정된다. 이 경우, 액체에 인가되는 고주파출력을 기판의 종류 및 세정 조건 에 따라 전기적으로 가변제어하는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 1실시형태에 관계하는 기판처리 장치에 대해서 도면을 이용해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기 판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말하고, 기판은 규소(Si)를 포함한다.
또한, 이하의 도면에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X 방향 및 Y방향은 수평면내에서 서로 직교하고, Z 방향은 연직방향에 상당한다. 또, 각 방향으로 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대의 방향을 -방향이라고 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전 방향을 θ방향으로 하고 있다.
A .제1의 실시형태
(1) 기판처리 장치의 구성
이하, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 모식적(模式的) 평면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판처리 장치(500)는, 인덱서 블록(8), 단부 세정 처리 블록(9), 반사 방지 막용 처리 블록(10), 레지스트 막용 처리 블록(11), 현상 처리 블록(12), 레지스트 커버 막용 처리 블록(13), 레지스트 커버 막제거 블록(14), 세정/건조 처리 블록(15) 및 인터페이스 블록(16)을 포함한다. 기판처리 장치(500)에 있어서는, 이것들의 블록이 상기의 순서로 병설된다.
기판처리 장치(500)의 인터페이스 블록(16)에 인접하도록 노광 장치(17)가 배치된다. 노광 장치(17)에 있어서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광 처리가 행하여진다.
인덱서 블록(8)은, 각 블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(81), 복수의 캐리어 재치대(82) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(IRH1), (IRH2)가 상하로 설치된다.
단부 세정 처리 블록(9)은, 단부 세정 후 열처리부(900), (901), 단부 세정 처리부(90) 및 제1의 센터 로봇(CR1)을 포함한다. 단부 세정 처리부(90)는, 제1의 센터 로봇(CR1)을 사이에 끼어서 단부 세정 후 열처리부(900),(901)에 대향해서 설치된다. 제1의 센터 로봇(CR1)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH91), (CRH92)가 상하로 설치된다.
인덱서 블록(8)과 단부 세정 처리 블록(9)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 인덱서 블록(8)과 단부 세정 처리 블록(9)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS81), (PASS82)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS81)는, 기판(W)을 인덱서 블록(8)으로부터 단부 세정 처리 블록(9)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS82)는, 기판(W)을 단부 세정 처리 블록(9)으로부터 인덱서 블록(8)에 반송할 때에 이용된다.
또한, 기판재치부(PASS81), (PASS82)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그것에 의해, 기판재치부(PASS81), (PASS82)에 있어서 기판(W)이 재치되어 있을 것인가 아닌가의 판정을 하는 것이 가 능해진다. 또한, 기판재치부(PASS81), (PASS82)에는, 고정 설치된 복수본의 지지 핀이 설치되어 있다. 또, 상기의 광학식의 센서 및 지지 핀은, 후술하는 기판재치부(PASS1)∼(PASS16)에도 동일하게 설치된다.
반사 방지막용 처리 블록(10)은, 반사 방지막용 열처리부(100), (101), 반사 방지막용 도포 처리부(30) 및 제2의 센터 로봇(CR2)을 포함한다. 반사 방지막용 도포 처리부(30)는, 제2의 센터 로봇(CR2)을 사이에 끼어서 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에 대향해서 설치된다. 제2의 센터 로봇(CR2)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH1), (CRH2)가 상하로 설치된다.
단부 세정 처리 블록(9)과 반사 방지막용 처리 블록(10)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 단부 세정 처리 블록(9)과 반사 방지막용 처리 블록(10)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS1), (PASS2)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는, 기판(W)을 단부 세정 처리 블록(9)으로부터 반사 방지막용 처리 블록(10)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는, 기판(W)을 반사 방지막용 처리 블록(10)으로부터 단부 세정 처리 블록(9)에 반송할 때에 이용된다.
레지스트 막용 처리 블록(11)은, 레지스트 막용 열처리부(110), (111), 레지스트 막용 도포 처리부(40) 및 제3의 센터 로봇(CR3)을 포함한다. 레지스트 막용 도포 처리부(40)는, 제3의 센터 로봇(CR3)을 사이에 끼어서 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에 대향해서 설치된다. 제3의 센터 로봇(CR3)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH3), (CRH4)가 상하로 설치된다.
반사 방지막용 처리 블록(10)과 레지스트 막용 처리 블록(11)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 반사 방지막용 처리 블록(10)과 레지스트 막용 처리 블록(11)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS3), (PASS4)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3)는, 기판(W)을 반사 방지막용 처리 블록(10)으로부터 레지스트 막용 처리 블록(11)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)는, 기판(W)을 레지스트 막용 처리 블록(11)으로부터 반사 방지막용 처리 블록(10)에 반송할 때에 이용된다.
현상 처리 블록(12)은, 현상용 열처리부(120), (121), 현상 처리부(50) 및 제4의 센터 로봇(CR4)을 포함한다. 현상 처리부(50)는, 제4의 센터 로봇(CR4)을 사이에 끼어서 현상용 열처리부(120), (121)에 대향해서 설치된다.
제4의 센터 로봇(CR4)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH5), (CRH6)가 상하로 설치된다.
레지스트 막용 처리 블록(11)과 현상 처리 블록(12)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(22)이 설치된다. 이 격벽(22)에는, 레지스트 막용 처리 블록(11)과 현상 처리 블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS5), (PASS6)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는, 기판(W)을 레지스트 막용 처리 블록(11)으로부터 현상 처리 블록(12)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는, 기판(W)을 현상 처리 블록(12)으로부터 레지스트 막용 처리 블록(11)에 반송할 때에 이용된다.
레지스트 커버 막용 처리 블록(13)은, 레지스트 커버 막용 열처리부(130), (131), 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60) 및 제5의 센터 로봇(CR5)을 포함한다. 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)는, 제5의 센터 로봇(CR5)을 사이에 끼어서 레지스트 커버 막용 열처리부(130), (131)에 대향해서 설치된다.
제5의 센터 로봇(CR5)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH7), (CRH8)가 상하로 설치된다.
현상 처리 블록(12)과 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(23)이 설치된다. 이 격벽(23)에는, 현상 처리 블록(12)과 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS7), (PASS8)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS7)는, 기판(W)을 현상 처리 블록(12)으로부터 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS8)는, 기판(W)을 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)으로부터 현상 처리 블록(12)에 반송할 때에 이용된다.
레지스트 커버 막제거 블록(14)은, 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b) 및 제6의 센터 로봇(CR6)을 포함한다. 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)는, 제6의 센터 로봇(CR6)을 사이에 끼어서 서로 대향해서 설치된다. 제6의 센터 로봇(CR6)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH9), (CRH10)가 상하로 설치된다.
레지스트 커버 막용 처리 블록(13)과 레지스트 커버 막제거 블록(14)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(24)이 설치된다. 이 격벽(24)에는, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)과 레지스트 커버 막제거 블록(14)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS9), (PASS10)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS9)는, 기판(W)을 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)으로부터 레지스트 커버 막제거 블록(14)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS10)는, 기판(W)을 레지스트 커버 막제거 블록(14)으로 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)에 반송할 때에 이용된다.
세정/건조 처리 블록(15)은, 노광후 베이크용 열처리부(150), (151), 세정/건조 처리부(80) 및 제7의 센터 로봇(CR7)을 포함한다.노광후 베이크용 열처리부(151)는 인터페이스 블록(16)에 인접하고, 후술하는 것 같이, 기판재치부(PASS13), (PASS14)를 구비한다. 세정/건조 처리부(80)는, 제7의 센터 로봇(CR7)을 사이에 끼어서 노광후 베이크용 열처리부(150), (151)에 대향해서 설치된다. 제7의 센터 로봇(CR7)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH11), (CRH12)가 상하로 설치된다.
레지스트 커버 막제거 블록(14)과 세정/건조 처리 블록(15)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(25)이 설치된다. 이 격벽(25)에는, 레지스트 커버 막제거 블록(14)과 세정/건조 처리 블록(15)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS11), (PASS12)가 상하로 근접해서 설치된다.위쪽의 기판재치부(PASS11)는, 기판(W)을 레지스트 커버 막제거 블록(14)으로 세정/건조 처리 블록(15)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS12)는, 기판(W)을 세정/건조 처리 블록(15)으로부터 레지스트 커버 막제거 블록(14)에 반송할 때에 이용된 다.
인터페이스 블록(16)은, 제8의 센터 로봇(CR8), 이송 버퍼부(SBF), 인터페이스용 반송 기구(IFR) 및 에지 노광부(EEW)를 포함한다. 또한, 에지 노광부(EEW)의 아래쪽에는, 후술하는 기판재치부(PASS15)， (PASS16) 및 되돌아감 버퍼부(RBF)가 설치되어 있다. 제8의 센터 로봇(CR8)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(CRH13), (CRH14)가 상하로 설치되어, 인터페이스용 반송 기구(IFR)에는, 기판(W)을 수도(受渡)하기 위한 핸드(H1), (H2)가 상하로 설치된다.
도 2는, 도 1의 기판처리 장치(500)를 +X방향으로부터 본 측면도이다.
단부 세정 처리 블록(9)의 단부 세정 처리부(90)(도 1참조)에는, 3개의 단부 세정 유닛(EC)이 상하로 적층배치된다. 단부 세정 유닛(EC)의 상세한 것은 후술한다.
반사 방지막용 처리 블록(10)의 반사 방지막용 도포 처리부(30)(도 1참조)에는, 3개의 도포 유닛(BARC)이 상하로 적층배치된다. 각 도포 유닛(BARC)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(31) 및 스핀 척(31) 위로 유지된 기판(W)에 반사 방지막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(32)을 구비한다.
레지스트 막용 처리 블록(11)의 레지스트 막용 도포 처리부(40)(도 1참조)에는, 3개의 도포 유닛(RES)이 상하로 적층배치된다. 각 도포 유닛(RES)은, 기판(W)을 수평자세에서 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(41) 및 스핀 척(41)위로 유지된 기판(W)에 레지스트 막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(42)을 구비한다.
현상 처리 블록(12)의 현상 처리부(50)(도 1참조)에는, 5개의 현상 처리 유닛(DEV)이 상하로 적층배치된다. 각 현상 처리 유닛(DEV)은, 기판(W)을 수평자세에서 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(51) 및 스핀 척(51)위로 유지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급 노즐(52)을 구비한다.
레지스트 커버 막용 처리 블록(13)의 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)(도 1참조)에는, 3개의 도포 유닛(COV)이 상하로 적층배치된다. 각 도포 유닛(COV)은, 기판(W)을 수평자세에서 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(61) 및 스핀 척(61)위로 유지된 기판(W)에 레지스트 커버 막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(62)을 구비한다. 레지스트 커버 막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 이용할 수 있다. 예컨대, 불소수지이다. 도포 유닛(COV)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)위로 도포 액을 도포하는 것에 의해, 기판(W)위로 형성된 레지스트 막위로 레지스트 커버 막을 형성한다.
레지스트 커버 막제거 블록(14)의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70b)(도 1참조)에는, 3개의 제거 유닛(REM)이 상하로 적층배치된다. 각 제거 유닛(REM)은, 기판(W)을 수평자세에서 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(71) 및 스핀 척(71)위로 유지된 기판(W)에 박리 액 (예컨대 불소수지)을 공급하는 공급 노즐(72)을 구비한다. 제거 유닛(REM)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)위로 박리 액을 도포하는 것에 의해, 기판(W)위로 형성된 레지스트 커버 막을 제거한다.
또, 제거 유닛(REM)에 있어서의 레지스트 커버 막의 제거 방법은 상기의 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 기판(W)의 윗쪽에 있어서 슬릿 노즐을 이동시키면 서 기판(W)위로 박리 액을 공급하는 것에 의해 레지스트 커버 막을 제거해도 좋다.
세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)(도 1참조)에는, 3개의 세정/건조 처리 유닛(SD)이 상하로 적층배치된다. 세정/건조 처리 유닛(SD)의 상세한 것은 후술한다.
인터페이스 블록(16)에는, 2개의 에지 노광부(EEW), 기판재치부(PASS15), (PASS16) 및 되돌아감 버퍼부(RBF)가 상하로 적층배치되는 동시에, 제8의 센터 로봇(CR8)(도 1참조) 및 인터페이스용 반송 기구(IFR)가 배치된다. 각 에지 노광부(EEW)는, 기판(W)을 수평자세에서 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(98) 및 스핀 척(98)위로 유지된 기판(W)의 주변을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.
도 3은, 도 1의 기판처리 장치(500)을 -X방향으로부터 본 측면도이다.
단부 세정 처리 블록(9)의 단부 세정 후 열처리부(900)에는, 2개의 가열 유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각 유닛(쿨링 플레이트)(CP)이 적층배치되고, 단부 세정 후 열처리부(901)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치된다. 또한, 단부 세정 후 열처리부(900), (901)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
반사 방지막용 처리 블록(10)의 반사 방지막용 열처리부(100)에는, 2개의 가열 유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각 유닛(쿨링 플레이트)(CP)이 적층배치되고, 반사 방지막용 열처리부(101)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치된다. 또한, 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 막용 처리 블록(11)의 레지스트 막용 열처리부(110)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치되고, 레지스트 막용 열처리부(111)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치된다. 또한, 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
현상 처리 블록(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치되고, 현상용 열처리부(121)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120), (121)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 커버 막용 처리 블록(13)의 레지스트 커버 막용 열처리부(130)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치되고, 레지스트 커버 막용 열처리부(131)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치된다. 또한, 레지스트 커버 막용 열처리부(130), (131)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 커버 막제거 블록(14)의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a)에는, 3개의 제거 유닛(REM)이 상하로 적층배치된다.
세정/건조 처리 블록(15)의 노광후 베이크용 열처리부(150)에는, 2개의 가열 유닛(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층배치되고, 노광후 베이크용 열처리부(151)에는 2개의 가열 유닛(HP), 2개의 냉각 유닛(CP) 및 기판재치부(PASS13, 14)가 상하로 적층배치된다. 또한, 노광후 베이크용 열처리부(150), (151)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
또, 단부 세정 유닛(EC), 도포 유닛(BARC), (RES), (COV), 세정/건조 처리 유닛(SD), 제거 유닛(REM), 현상 처리 유닛(DEV), 가열 유닛(HP) 및 냉각 유닛(CP)의 개수는, 각 블록의 처리 속도에 따라 적시변경하여도 좋다.
(2)기판처리 장치의 동작
다음에, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)의 동작에 대해서 도 1∼도 3을 참조하면서 설명한다.
인덱서 블록(8)의 캐리어 재치대(82) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서 로봇 (IR)은, 위쪽의 핸드(IRH1)를 이용해서 캐리어(C)내에 수납된 미처리의 기판(W)을 집어낸다. 그 후, 인덱서 로봇 (IR)은 ±θ방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하고, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS81)에 재치한다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod )을 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Interface ) 포드나 수납 기판(W)을 외기에 노출시키는 OC(open cassette)등을 이용해도 좋다. 더욱이, 인덱서 로봇(IR), 제1∼제8의 센터 로봇(CR1)∼(CR8) 및 인터페이스용 반송 기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이드시켜서 핸드의 진퇴 동작을 하는 직동형 반송 로봇을 이용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 관절을 움직이는 것에 의해 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 하는 다관절형 반송 로봇을 이용해도 좋다.
기판재치부(PASS81)에 재치된 미처리의 기판(W)은, 단부 세정 처리 블록(9)의 제1의 센터 로봇(CR1)에 의해 받아진다. 제1의 센터 로봇(CR1)은, 아래쪽의 핸드(CRH92)를 이용해서 그 기판(W)을 단부 세정 처리부(90)에 반입한다. 이 단부 세정 처리부(90)의 단부 세정 유닛(EC)에서는, 기판처리 장치(500)에 반입된 미처리의 기판(W)의 단부가 세정된다(단부 세정 처리). 단부 세정 유닛(EC)의 상세한 것은 후술한다.
제1의 센터 로봇(CR1)은, 위쪽의 핸드(CRH91)를 이용해서 단부 세정 처리부(90)로부터 단부 세정 처리된 기판을 집어내고, 그 기판(W)을 단부 세정 후 열처리부(900), (901)에 반입한다.
그 후, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 위쪽의 핸드(CRH91)를 이용해서 단부 세정 후 열처리부(900), (901)로부터 、열처리필의 기판(W)을 집어내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다. 단부 세정 처리 블록(9)에 있어서의 제1의 센터 로봇(CR1)의 동작의 상세는 후술한다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 기판(W)은, 반사 방지막용 처리 블록(10)의 제2의 센터 로봇(CR2)에 의해 받아진다. 제2의 센터 로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 반사 방지막용 도포처리부(30)에 반입한다. 이 반사 방지막용 도포처리부에서는, 노광처리시에 발생하는 정재파나 할레이션을 감소시키기 위해, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W)위에 반사 방지막이 도포형성된다.
그 후, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 반사 방지막용 도포 처리부(30)로부터 도포 처리필의 기판(W)을 집어내고, 그 기판(W)을 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에 반입한다. 다음에, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리필의 기판(W)을 집어내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 막용 처리 블록(11)의 제3의 센터 로봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3의 센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 레지스트 막용 도포 처리부(40)에 반입한다. 이 레지스트 막용 도포 처리부(40)에서는, 도포 유닛(RES)에 의해, 반사 방지막이 도포 형성된 기판(W)위로 레지스트 막이 도포 형성된다.
그 후, 제3의 센터 로봇(CR3)은, 레지스트 막용 도포 처리부(40)로부터 도포 처리필의 기판(W)을 집어내고, 그 기판(W)을 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에 반입한다. 다음에, 제3의 센터 로봇(CR3)은, 레지스트 막용 열처리부(110)，(111)에 반입한다. 다음에, 제3의 센터 로봇(CR3)은 레지스트 막용 열처리부로부터 열처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상 처리 블록(12)의 제4의 센터 로봇(CR4)에 의해 받아진다. 제4의 센터 로봇(CR4)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)의 제5의 센터 로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5의 센터 로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)에 반입한다.
이 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)에서는, 상술한 바와 같이 도포 유닛(COV)에 의해 레지스트 막위로 레지스트 커버 막이 도포 형성된다.
그 후, 제5의 센터 로봇(CR5)은, 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)로부터 도포 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 레지스트 커버 막용 열처리부(130), (131)에 반입한다. 다음에, 제5의 센터 로봇(CR5)은, 레지스트 커버 막용 열처리부(130), (131)로부터 열처리후의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버 막제거 블록(14)의 제6의 센터 로봇(CR6)에 의해 받아진다. 제6의 센터 로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 세정/건조 처리 블록(15)의 제7의 센터 로봇(CR7)에 의해 받아진다. 제7의 센터 로봇(CR7)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS13)에 재치한다.
기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스 블록(16)의 제8의 센터 로봇(CR8)에 의해 받아진다. 제8의 센터 로봇(CR8)은, 그 기판(W)을 에지 노광부(EEW)에 반입한다. 이 에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주변부에 노광 처리가 행해진다.
다음에, 제8의 센터 로봇(CR8)은, 에지 노광부(EEW)로부터 에지 노광 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS15)에 재치한다.
기판재치부(PASS15)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스용 반송 기구(IFR)에 의해 노광 장치(17)의 기판반입부(17a)(도 1참조)에 반입된다.
또, 노광 장치(17)가 기판(W)의 수도(受渡)를 할 수 없을 경우는, 기판(W)은 이송 버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납 보관된다.
노광 장치(17)에 있어서, 기판(W)에 노광 처리가 행해진 후, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는, 기판(W)을 노광 장치(17)의 노광 장치(17b)(도 1참조)부터 꺼내서, 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)에 반입한다. 세정/건조 처리부(80)의 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서는, 노광 처리후의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행하여진다. 상세한 것은 후술한다.
세정/건조 처리부(80)에 있어서, 노광 처리후의 기판(W)에 세정 및 건조 처리가 행해진 후, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는, 기판(W)을 세정/건조 처리부(80)로부터 꺼내고, 기판재치부(PASS16)에 재치한다. 인터페이스 블록(16)에 있어서의 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 동작의 상세한 것은 후술한다.
또, 고장 등에 의해 세정/건조 처리부(80)에 있어서 일시적으로 세정 및 건조 처리를 할 수 없을 때는, 인터페이스 블록(16)의 되돌아감 버퍼부(RBF)에 노광 처리후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수가 있다.
기판재치부(PASS16)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스 블록(16)의 제8의 센터 로봇(CR8)에 의해 받아진다. 제8의 센터 로봇(CR8)은, 그 기판(W)을 세정/건조 처리 블록(15)의 노광후 베이크용 열처리부(151)에 반입한다. 노광후 베이크용 열처리부(151)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후 베이크 (PEB)가 행하여진다. 그 후, 제8의 센터 로봇(CR8)은, 노광후 베이크용 열처리부(151)로부터 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS14)에 재치한다.
또, 본 실시형태에 있어서는 노광후 베이크용 열처리부(151)에 의해 노광후 베이크를 하고 있지만, 노광후 베이크용 열처리부(150)에 의해 노광후 베이크를 하여도 좋다.
기판재치부(PASS14)에 재치된 기판(W)은, 세정/건조 처리 블록(15)의 제7의 센터 로봇(CR7)에 의해 받아진다. 제7의 센터 로봇(CR7)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.
기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버 막제거 블록(14)의 제6의 센터 로봇(CR6)에 의해 받아진다. 제6의 센터 로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a) 또는 레지스트 커버 막제거용 처리부(70b)에 반입한다. 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)에 있어서는, 제거 유닛(REM)에 의해, 기판(W)상의 레지스트 커버 막이 제거된다.
그 후, 제6의 센터 로봇(CR6)은, 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a) 또는 레지스트 커버 막제거용 처리부(70b)로부터 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13) 의 제5의 센터 로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5의 센터 로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은, 현상 처리 블록(12)의 제4의 센터 로봇(CR4)에 의해 받아진다. 제4의 센터 로봇(CR4)은, 그 기판(W)을 현상 처리부(50)에 반입한다. 현상 처리부(50)에 있어서는, 현상 처리 유닛(DEV)에 의해, 기판(W)의 현상 처리가 행하여진다.
그 후, 제4의 센터 로봇(CR4)은, 현상 처리부(50)로부터 현상 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120), (121)에 반입한다.
다음에, 제4의 센터 로봇(CR4)은, 현상용 열처리부(120), (121)로부터 열처리후의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 막용 처리 블록(11)의 제3의 센터 로봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3의 센터 로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS4)에 재치한다.
기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은, 반사 방지막용 처리 블록(10)의 제2의 센터 로봇(CR2)에 의해 받아진다. 제2의 센터 로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS2)에 재치한다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은, 단부 세정 처리 블록(9)의 제1의 센터 로봇(CR1)에 의해 받아진다. 제1의 센터 로봇(CR1)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS82)에 재치한다.
기판재치부(PASS82)에 재치된 기판(W)은, 인덱서 블록(8)의 인덱서 로봇 (IR)에 의해 캐리어(C)내에 수납된다.
(3) 단부 세정 유닛에 대해서
여기에서, 상기의 단부 세정 유닛(EC)에 대해서 도면을 이용해서 상세히 설명한다.
또, 이하에 설명하는 단부 세정 유닛(EC)의 각 구성 요소의 동작은, 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(81)에 의해 제어된다.
(3-a) 단부 세정 유닛의 1구성 예
도 4는 단부 세정 유닛(EC)의 구성을 설명하기 위한 도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 단부 세정 유닛(EC)은, 기판(W)을 수평으로 유지하는 동시에 기판(W)의 중심을 지나는 연직된 회전축의 주위에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀 척(201)을 구비한다.
스핀 척(201)은, 지퍼 회전 구동 기구(204)에 의해 회전되는 회전축(203)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀 척(201)에는 흡기로(도시하지 않음)가 형성되고 있고, 스핀 척(201)위로 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 내를 배기함으로써, 기판(W)의 하면을 스핀 척(201)에 진공흡착하고, 기판(W)을 수평자세에서 유지할 수가 있다.
스핀 척(201)의 측쪽에서 또한 단부 세정 유닛(EC)내의 상부에는, 단부 세정 장치이동 기구(230)가 설치되어 있다. 단부 세정 장치이동 기구(230)에는, 아래쪽으로 연장되는 봉상의 지지부재(220)가 설치되어 있다. 지지부재(220)는, 단부 세정 장치이동 기구(230)에 의해 수평방향(도 4 화살표M참조)으로 이동한다.
지지부재(220)의 하단부에는, 거의 원통형상을 갖는 단부 세정 장치(210)가 수평방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 이것에 의해, 단부 세정 장치(210)는, 단부 세정 장치이동 기구(230)에 의해 지지부재(220)와 함께 이동한다.
단부 세정 장치(210)는, 스핀 척(201)에 흡착 유지된 기판(W)과 거의 같은 높이에 위치한다. 이것에 의해, 단부 세정 장치(210)의 일단이 기판(W)의 단부(RO)와 대향한다. 이하의 설명에 있어서는, 단부 세정 장치(210)의 기판(W)의 단부(R)와 대향하는 일단을 정면이라고 한다.
여기에서, 기판(W)의 상기단부(R)의 정의에 대해서 다음 도면을 참조하면서 설명한다. 도 5는, 기판(W)의 단부(R)를 설명하기 위한 개략적 모식도이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판(W)위로는, 상술한 반사 방지막, 레지스트 막 (모두 도시하지 않음) 및 레지스트 커버 막이 형성된다.
기판(W)은 단면을 가지며, 이 단면을 개략적으로 도시하면 도 5와 같이 된다. 이 단면을, 일반적으로 베벨부라고 부른다. 또한, 레지스트 커버 막이 형성되는 기판(W)의 면의 외주에 따른 폭(d)(도 5)을 갖는 환상의 영역을, 일반적으로 주변부라고 부른다. 본 실시형태에서는, 상기의 베벨부와 주변부를 총칭해서 단부(R)라고 부른다. 또, 상기 폭(d)은 예컨대 2∼3mm이다.
도 4로 되돌아가서, 기판(W)의 단부 세정 처리 시작시에 있어서, 단부 세정 장치(210)는, 단부 세정 장치이동 기구(230)에 의해 기판(W)의 단부 위치로 이동한다. 또한, 기판(W)의 단부 세정 처리 종료시에 있어서, 단부 세정 장치(210)는, 단부 세정 장치이동 기구(230)에 의해 기판(W)의 단부(R)로부터 떨어지도록 이 동한다.
단부 세정 장치(210)는, 그 내부에 공간을 갖는다(후술의 세정실(211)).단부 세정 장치(210)에는, 세정액 공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다. 세정액 공급관(241)은, 밸브(242)를 통해서 도시하지 않는 세정액 공급계에 접속되어 있다. 밸브(242)를 엶으로써, 세정액이 세정액 공급관(241)을 통해서 단부 세정 장치(210)의 내부공간에 공급된다.
또한, 배기관(244)은, 배기부(245)에 접속되어 있다. 배기부(245)는, 단부 세정 장치(210)의 내부공간의 분위기를 흡인하고, 배기관(244)을 통해서 배기한다.
단부 세정 장치(210)의 상세를 설명한다. 도 6은, 도 4의 단부 세정 유닛(EC)의 단부 세정 장치(210)의 구조를 설명하기 위한 도이다. 도 6(a)에 단부 세정 장치(210)의 세로단면도가 표시되고, 도 6(b)에 단부 세정 장치(210)의 정면도가 표시되어 있다.
도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 단부 세정 장치(210)의 대략 원통형상의 하우징(210a)의 내부에는, 세정실(211)이 형성되어 있다.
또한, 도 6(a) 및 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 하우징(210a)의 정면측에는, 세정실(211)과 외부를 연통시키는 개구(212)가 형성되어 있다. 개구(212)는, 중앙부에서 양측 쪽에 걸쳐서 상하 폭이 점차 확대하도록, 원호모양의 상면 및 하면을 갖는다. 기판(W)의 단부 세정 처리 시에는, 개구(212)에 스핀 척(201)에 흡착 유지된 기판(W)의 단부(R)가 삽입된다.
세정실(211)내에는, 거의 원통형상을 갖는 브러시(213)가 연직방향으로 연장되도록 배치되어 있다. 브러시(213)는 연직방향으로 연장되는 회전축(214)에 설치되어 있다. 회전축(214)의 상단 및 하단은, 세정실(31)의 상부 및 하부에 형성된 회전 축받이에 회전가능하게 설치되어 있다. 이것에 의해, 브러시(213)는, 세정실(211) 및 회전축(214)에 의해 회전가능하게 지지되어 있다.
기판(W)의 단부 세정 처리 시에는, 회전하는 기판(W)의 단부(R)와 브러시(213)가 접촉한다. 이것에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 브러시(213)에 의해 세정된다.
여기에서, 도 4의 단부 세정 유닛(EC)에 있어서, 브러시(213)가 설치된 회전축(214)은, 스핀 척(201)이 고정되는 회전축(203)과 거의 평행이 되도록 배치된다. 이것에 의해, 브러시(213)가 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 확실하게 접촉한 상태에서 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)의 단부(R)에 부착된 오염물질이 박리된다.
단부 세정 장치(210)의 상부에는, 상술의 세정액 공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다.
세정액 공급관(241)은, 하우징(210a)내에 형성된 세정액 공급로(241a), (241b)에 접속되어 있다. 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급로(241a)는, 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 상부내면까지 연장되고 있다.
또한, 세정액 공급로(241b)는, 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 하부내면까지 연장되고 있다. 도 6(a)에는, 세정액 공급관(241b)의 일부만이 표시되 어 있다.
이것에 의해, 기판(W)의 단부 세정 처리 시에는, 단부 세정 장치(210)에 공급되는 세정액이, 세정실(211)내에서 브러시(213)와 접촉하는 기판(W)의 단부(R)를 향해서 상하 방향으로부터 분사된다. 그것에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 효율적으로 세정된다.
배기관(244)은, 하우징(210a)의 상부에 설치된 구멍부를 통해서 세정실(211)내에 삽입되어 있다. 이것에 의해, 상술한 바와 같이, 세정실(211)내의 분위기가 도 4의 배기부(245)에 의해 흡인되어, 배기관(244)을 통해서 배기된다.
이렇게, 세정실(211)에 있어서는, 그 내부분위기가 배기부(245)에 의해 배기되므로, 휘발한 세정액 및 세정액의 미스트가 효율적으로 배기된다.
상기에 있어서, 단부 세정 장치(210)에 공급되어, 기판(W)의 단부(R)에 분사되는 세정액으로서는, 소정의 레지스트 용매, 불소계 물약, 암모니아 과수 및 노광 장치(17)에 있어서의 액침법에 이용되는 액체의 어느것인가가 이용된다.
이밖에, 세정액으로서는, 예컨대, 순수, 순수에 착체(이온화한 것)을 녹인 액 또는 순수, 탄산수, 순수, 전해 이온수, HFE( 하이드로플루오르에테르 ), 불산, 황산 및 황산과수의 어느것인가를 이용할 수도 있다.
(3-b) 단부 세정 유닛의 다른 구성 예
단부 세정 유닛(EC)은, 이하의 구성을 가져도 좋다. 도 7은 제1의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛(EC)의 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 7의 단부 세정 유닛(EC)에 대해서, 도 4의 단부 세정 유닛(EC)과 다른 점 을 설명한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 스핀 척(201)의 바깥쪽에는, 모터(301)가 설치되어 있다. 모터(301)에는, 회전운동축(302)이 접속되어 있다. 또한, 회전운동축(302)에는, 암(303)이 수평방향으로 연장되도록 연결되고, 암(303)의 선단에 2류체 노즐(310)이 설치되어 있다. 이 2류체 노즐(310)은, 기체 및 액체로 이루어지는 혼합 유체를 토출한다. 상세한 것은 후술한다.
또, 암(303)의 선단부에 있어서, 2류체 노즐(310)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 면에 대하여 경사해서 설치되어 있다.
기판(W)의 단부 세정 처리 개시시에는, 모터(301)에 의해 회전운동축(302)이 회전하는 동시에 암(303)이 회전운동 한다. 이것에 의해, 2류체 노즐(310)이 스핀 척(621)에 의해 유지된 기판(W)의 단부(R)의 비스듬하게 위쪽으로 이동한다. 그 결과, 2류체 노즐(310)의 혼합 유체의 토출부(310a)가, 기판(W)의 단부(R)에 대향한다.
모터(301), 회전운동축(302) 및 암(303)의 내부를 지나도록 세정액 공급관(331)이 설치되어 있다. 세정액 공급관(331)은, 일단이 2류체 노즐(310)에 접속되는 동시에, 타단이 밸브(332)를 통해서 도시하지 않는 세정액 공급계에 접속되어 있다. 밸브(332)를 엶으로써, 세정액이 세정액 공급 관(331)을 통해서 2류체 노즐(310)에 공급된다. 또, 본 예에서는, 세정액으로서 예컨대 순수를 이용하지만, 순수 대신에 소정의 레지스트 용매, 불소계 물약, 암모니아 과수, 노광 장치(17)에 있어서의 액침법에 이용되는 액체, 불화수소산, 황산 및 황산과수의 어느 것인가를 이용할 수도 있다.
또한, 2류체 노즐(310)에는, 세정액 공급관(331)과 함께, 기체공급관(341)의 일단이 접속되어 있다. 기체공급관(341)의 타단은, 밸브(342)를 통해서 도시하지 않는 기체공급계에 접속되어 있다. 밸브(342)를 엶으로써 기체가 2류체 노즐(310)에 공급된다. 또, 본 예에서는, 2류체 노즐(310)에 공급되는 기체로서 질소 가스(N2)를 이용하지만, 질소 가스(N2)의 대신에 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 다른 불활성 가스를 이용할 수도 있다.
기판(W)의 단부 세정 처리 시에는, 세정액 및 기체가 2류체 노즐(310)에 공급된다. 이것에 의해, 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 2류체 노즐(310)로부터 혼합 유체가 토출된다. 그것에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다.
2류체 노즐(310)의 내부구조의 일례를 설명한다. 도 8은, 단부 세정 처리에 이용되는 2류체 노즐(310)의 내부구조의 1 예를 나타내는 세로단면도이다.
도 8에 표시되는 2류체 노즐(310)은 외부혼합형이라고 불린다. 도 8에 나타내는 외부혼합형의 2류체 노즐(310)은, 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)에 의해 구성된다. 내부본체부(311)는, 예컨대 석영 등으로부터 이루어지고, 외부본체부(312)는, 예컨대 PTFE(폴리 데트라플루오로에틸렌)등의 불소수지로 이루어진다.
내부본체부(311)의 중심축에 따라 순수 도입부(311b)가 형성되어 있다. 순수 도입부(311b)에는 도 7의 세정액 공급관(331)이 설치된다. 이것에 의해, 세정액 공급관(331)으로부터 공급되는 순수가 순수 도입부(311b)에 도입된다.
내부본체부(311)의 하단에는, 순수 도입부(311b)에 연통하는 순수 토출구(311a)가 형성되어 있다. 내부본체부(311)는, 외부본체부(312)내에 삽입되어 있다. 또, 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)의 상단부는 서로 접합되고 있고, 하단은 접합되어 있지 않다.
내부본체부(311)와 외부본체부(312)와의 사이에는, 원통모양의 기체통과부(312b)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 하단에는, 기체통과부(312b)에 연통하는 기체토출구(312a)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 주벽에는, 기체통과부(312b)에 연통하도록 도 7의 기체공급관(341)이 설치되어 있다.
이것에 의해, 기체공급관(341)으로부터 공급되는 질소 가스(N2)가 기체통과부(312b)에 도입된다.
기체통과부(312b)는, 기체토출구(312a)근방에 있어서, 아래쪽을 향함에 따라서 지름이 작게 되어 있다. 그 결과, 질소 가스(N2)의 유속이 가속되어, 기체토출구(312a)로부터 토출된다.
이 2류체 노즐(310)에서는, 순수 토출구(311a)로부터 토출 된 순수와 기체토출구(312a)로부터 토출 된 질소 가스(N2)가 2류체 노즐(310)의 하단부근의 외부에서 혼합되어, 순수의 미세한 액적을 포함하는 안개모양의 혼합 유체(N)가 생성된다.
상술한 바와 같이, 기판(W)의 단부 세정 처리시에 있어서는,안개모양의 혼 합 유체(N)가 기판(W)의 단부(R)에 토출됨으로써, 기판(W)의 단부(R)의 표면의 세정이 행하여진다.
또, 도 7의 단부 세정 유닛(EC)에 있어서는, 도 8의 2류체 노즐(310)에 대신하여, 혼합 유체(N)의 생성을 노즐 본체의 내부에서 하는 내부혼합형의 2류체 노즐(310)을 이용해도 좋다. 2류체 노즐(310)의 내부구조의 다른 예를 설명한다.
도 9는, 단부 세정 처리에 이용되는 2류체 노즐(310)의 내부구조의 다른 예를 나타내는 세로단면도이다. 도 9에 표시되는 2류체 노즐(310)은 내부혼합형이라고 불린다.
도 9에 나타내는 내부혼합형의 2류체 노즐(310)은, 기체도입관(333) 및 본체부(334)에 의해 구성된다. 본체부(334)는, 예컨대, 석영으로 이루어지고, 기체도입관(333)은, 예컨대, PTFE로 이루어진다.
기체도입관(333)에는, 상단으로부터 하단까지 연통하는 기체도입부(333a)가 형성되어 있다. 또한, 기체도입관(333)의 상단에는, 도 7의 기체공급관(341)이 설치되어 있다. 이것에 의해, 기체공급관(341)로부터 공급되는 N2가스가 기체도입부(333a)에 도입된다.
본체부(334)는, 지름이 큰 상부통(334a), 테이퍼부(334b) 및 지름이 작은 하부통(334c)으로 이루어진다.
상부통(334a)의 테이퍼부(334b)내에 혼합실(334d)이 형성되고, 하부통(334c)내에 직류부(334e)가 형성되어 있다. 하부통(334c)의 하단에는, 직류 부(334e)에 연통하는 혼합 유체토출구(334f)가 형성되어 있다.
본체부(334)의 상부통(334a)에는, 혼합실(334d)에 연통하도록 도 7의 세정액 공급관(331)이 설치되어 있다. 이것에 의해, 세정액 공급관(331)으로부터 공급되는 순수가 혼합실(334d)에 도입된다. 기체도입관(333)의 하단부는, 본체부(334)의 상부통(334a)의 혼합실(334d)내에 삽입되어 있다.
도 9의 내부혼합형의 2류체 노즐(310)에서는, 기체도입부(333a)로부터 가압된 질소 가스(N2)가 공급되고, 세정액 공급관(331)으로부터 순수가 공급되면, 혼합실(334d)에서 질소 가스(N2)와 순수가 혼합되어, 순수의 미세한 액적을 포함하는 안개모양의 혼합 유체(N)가 생성된다.
혼합실(334d)에서 생성된 혼합 유체(N)는, 테이퍼부(334b)에 따라 직류부(334e)를 통과하는 것에 의해 가속된다. 가속된 혼합 유체(N)는, 혼합 유체토출구(334f)로부터 기판(W)의 단부(R)에 토출된다. 그것에 의해, 기판(W)의 단부(R)의 세정이 행하여진다.
(3-c) 단부 세정 유닛의 또 다른 구성 예
단부 세정 유닛(EC)은, 더욱 이하의 구성을 가져도 좋다. 도 10은, 제1의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛(EC)의 또 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다. 도 10의 단부 세정 유닛(EC)에 대해서, 도 7의 단부 세정 유닛(EC)과 다른 점을 설명한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 본예의 단부 세정 유닛(EC)에 있어서는, 암(303)의 선단에 2류체 노즐(310)에 대신하여 초음파 노즐(410)이 설치되어 있다.
또, 본예에 있어서도, 초음파 노즐(410)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 면에 대하여 경사해서 암(303)의 선단부에 설치되어 있다.
초음파 노즐(410)에는, 세정액 공급관(331)이 접속되어 있다. 이것에 의해, 도 7의 예와 같이, 밸브(332)를 엶으로써, 세정액이 세정액 공급관(331)을 통해서 초음파 노즐(410)에 공급된다. 또, 본예에서도, 세정액으로서 순수를 이용한다.
초음파 노즐(410)내에는, 고주파진동자(411)가 내장되어 있다. 이 고주파진동자(411)는, 고주파발생 장치(420)와 전기적으로 접속되어 있다. 기판(W)의 단부 세정 처리시에 있어서는, 순수가 초음파 노즐(410)로부터 기판(W)의 단부(R)를 향해서 토출된다. 여기에서, 초음파 노즐(410)로부터 순수가 토출될 때는, 고주파발생 장치(420)로부터 고주파진동자(411)에 고주파전류가 공급된다.
그것에 의해, 고주파진동자(411)가 초음파진동하고, 초음파 노즐(410)내를 지나는 순수에게 고주파전류의 값에 따른 고주파출력이 인가된다. 그 결과, 초음파진동 상태가 된 순수가 기판(W)의 단부(R)에 토출되어, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다.
(4) 제1의 센터 로봇에 대해서
상기의 단부 세정 유닛(EC)을 구비하는 단부 세정 처리 블록(9)의 제1의 센터 로봇(CR1)의 동작을 설명한다. 도 11은, 도 1의 단부 세정 처리 블록을 -Y방향으로부터 본 도이다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 제1의 센터 로봇(CR1)의 고정대(191)에는 핸드 지지대(192)가 ±θ방향으로 회전가능하며 또한 ±Z방향으로 승강가능하게 탑재된다.
핸드 지지대(192)는, 회전축(193)을 통해서 고정대(191)내의 모터(M1)에 연결되어 있고, 이 모터(M1)에 의해 핸드 지지대(192)가 회전한다. 핸드 지지대(192)에는, 기판(W)을 수평자세에서 유지하는 2개의 핸드(CRH91), (CRH92)가 진퇴가능하게 상하로 설치된다.
기판재치부(PASS81)(도 1참조)에 재치된 기판(W)은, 제1의 센터 로봇(CR1)의 아래쪽의 핸드(CRH92)에 의해 받아진다. 그 후, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 핸드 지지대(192)를 회전시키는 동시에 ±Z방향으로 상승 또는 하강시키고, 핸드(CRH92)에 의해 기판(W)을 단부 세정 처리부(90)의 단부 세정 유닛(EC)에 반입한다. 이것에 의해, 단부 세정 유닛(EC)에 의해 미처리의 기판(W)의 단부 세정 처리가 행하여진다.
다음에, 제1의 센터 로봇(CRl)은, 위쪽의 핸드(CRH91)에 의해 단부 세정 처리부(90)의 단부 세정 유닛(EC)으로부터 단부 세정 처리필의 기판(W)을 받는다.
계속해서, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 핸드 지지대(192)을 회전시키는 동시에 ±Z방향으로 상승 또는 하강시켜, 핸드(CRH91)에 의해 기판(W)을 단부 세정 후 열처리부(900)의 가열 유닛(HP)에 반입한다. 이것에 의해, 가열 유닛(HP)에 의해, 기판(W)이 가열 처리된다. 그것에 의해, 단부 세정에 의해 기판(W)에 부착된 세정액이 제거되어, 기판(W)이 건조한다.
그 후, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 위쪽의 핸드(CRH91)에 의해 단부 세정 후 열처리부(900)의 가열 유닛(HP)으로부터 가열 처리필의 기판(W)을 받는다.
제1의 센터 로봇(CR1)은, 가열 유닛(HP)으로부터 받은 기판(W)을 단부 세정 후 열처리부(900)의 냉각 유닛(CP)에 반입한다. 이것에 의해, 냉각 유닛(CP)에 의해 기판(W)이 냉각 처리된다.
그 후, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 위쪽의 핸드(CRH91)에 의해 단부 세정 후 열처리부(900)의 냉각 유닛(CP)으로부터 냉각 처리필의 기판(W)을 받는다. 제1의 센터 로봇(CR1)은, 그 기판(W)을 위쪽의 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
(5) 세정/건조 처리 유닛에 대해서
여기에서, 상기의 세정/건조 처리 유닛(SD)에 대해서 도면을 이용해서 상세히 설명한다.
(5-a) 세정/건조 처리 유닛의 구성
세정/건조 처리 유닛(SD)의 구성에 대해서 설명한다. 도 12는, 세정/건조 처리 유닛(SD)의 구성을 설명하기 위한 도이다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 세정/건조 처리 유닛(SD)은, 기판(W)을 수평으로 유지하는 동시에 기판(W)의 중심을 지나는 연직된 회전축의 주위에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀 척(621)을 구비한다.
스핀 척(621)은, 지퍼 회전 구동 기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀 척(621)에는 흡기로 (도시하지 않음)가 형성되고 있어, 스핀 척(621)위로 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 내를 배기함으로 써, 기판(W)의 하면을 스핀 척(621)에 진공흡착하고, 기판(W)을 수평자세에서 유지할 수가 있다.
스핀 척(621)의 바깥쪽에는, 제1의 모터(660)가 설치되어 있다. 제1의 모터(660)에는, 제1의 회전운동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 제1의 회전운동축(661)에는, 제1의 암(662)이 수평방향으로 연장되도록 연결되어, 제1의 암(662)의 선단에 세정 처리용 노즐(650)이 설치되어 있다.
제1의 모터(660)에 의해 제1의 회전운동축(661)이 회전하는 동시에 제1의 암(662)이 회전운동 하고, 세정 처리용 노즐(650)이 스핀 척(621)에 의해 유지된 기판(W)의 윗쪽으로 이동한다.
제1의 모터(660), 제1의 회전운동축(661) 및 제1의 암(662)의 내부를 지나도록 세정 처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정 처리용 공급 관(663)은, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해서 세정액 공급원(R1) 및 린스액 공급원(R2)에 접속되어 있다. 이 밸브(Va), (Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정 처리용 공급 관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 할 수 있다. 도 12의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 엶으로써, 세정 처리용 공급 관(663)에 세정액을 공급할 수가 있고, 밸브(Vb)를 여는 것으로써, 세정 처리용 공급 관(663)에 린스액을 공급할 수가 있다.
세정 처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이, 세정 처리용 공급관(63)을 통과해서 세정액 공급원(R1) 또는 린스액 공급원(R2)으로부터 공급된다. 그것 에 의해, 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수가 있다. 세정액으로서는, 예컨대, 순수, 순수에게 착체(이온화한 것)를 녹인 액 또 불소계 물약 등이 이 용된다. 린스 액으로서는, 예컨대, 순수, 탄산수, 소물 및 전해 이온수, HFE( 하이드로플루오로에텔 )의 어느것인가가 사용된다.
스핀 척(621)의 바깥쪽에게는, 제2의 모터(671)가 설치되어 있다.
제 2의 모터(671)에는, 제2의 회전운동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 제2의 회전운동축(672)에는, 제2의 암(673)이 수평방향으로 연장되도록 연결되어, 제2의 암(673)의 선단에 건조 처리용 노즐(670)이 설치되어 있다.
제2의 모터(671)에 의해 제2의 회전운동축(672)이 회전하는 동시에 제2의 암(673)이 회전운동 하고, 건조 처리용 노즐(670)이 스핀 척(621)에 의해 유지된 기판(W)의 윗쪽으로 이동한다.
제2의 모터(671), 제2의 회전운동축(672) 및 제2의 암(673)의 내부를 지나도록 건조 처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조 처리용 공급관(67)은, 밸브(Vc)를 통해서 불활성 가스 공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브 (Vc)의 개폐를 제어하는 것에 의해, 건조 처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성가스의 공급량을 조정할 수가 있다.
건조 처리용 노즐(670)에는, 불활성 가스가, 건조 처리용 공급관(674)을 통하여 불활성 가스 공급원(R3)으로부터 공급된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 불활성가스를 공급할 수가 있다. 불활성 가스로서는, 예컨대, 질소 가스(N2)가 이용된다.
기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급하는 때는, 세정 처리용 노즐(50)은 기판의 윗쪽에 위치하고, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때에는, 홍처리용 노즐(650)은 소정의 위치로 퇴피된다.
또한, 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는, 건조 처리용 노즐 (670)은 소정의 위치에 퇴피되어, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는, 건조 처리용 노즐(670)은 기판(W)의 윗쪽에 위치한다.
스핀 척(621)에 유지된 기판(W)은, 처리 컵(623)내에 수용된다. 처리 컵(623)의 안쪽에는, 통모양의 경계벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀 척(621)의 주위를 둘러싸도록, 기판(W)의 처리에 이용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액 하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다.
또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록, 처리 컵(623)과 경계벽(633)의 사이에 기판(W)의 처리에 이용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(632)이 형성되어 있다.
배액공간(631)에는, 배액처리 장치(도시하지 않음)에 처리액을 이끌기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액공간(632)에는, 회수 처리 장치(도시하지 않음)에 처리액을 이끌기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.
처리 컵(623)의 윗쪽에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 가드(624)가 설치되어 있다. 이 가드(624)는, 회전축(625)에 대하여 회전 대칭한 형상으로 이루어져 있다. 가드(624)의 상단부의 내면에는, 단면く자모양의 배액안내홈구(641)가 환상으로 형성되어 있다.
또한, 가드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사하는 경사 면으로 이루어지는 회수액 안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(642)의 상단부근에는, 처리 컵(623)의 경계벽(633)을 받아 들이기 위한 경계벽 수납홈구(643)가 형성되어 있다.
이 가드(624)에는, 볼 나사 기구등으로 구성된 가드 승강 구동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 가드 승강 구동 기구는, 가드(624)를, 회수액 안내부(642)가 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 외주단부에 대향하는 회수 위치와, 배액안내홈구(641)가 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 외주단부에 대향하는 배액위치와의 사이에서 상하동시킨다. 가드(624)가 회수 위치(도 12에 나타내는 가드의 위치)에 있을 경우에는, 기판(W)에서 바깥쪽에게 비산한 처리액이 회수액 안내부(642)에 의해 회수액공간(632)에 이끌어져, 회수관(635)을 통과하여 회수된다. 한편, 가드(624)가 배액위치에 있을 경우에는, 기판(W)에서 바깥쪽에게 비산한 처리액이 배액안내홈구(641)에 의해 배액공간(631)으로 이끌어져, 배액관(634)을 통과시켜서 배액 된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.
(5-b) 세정/건조 처리 유닛의 동작
다음에, 상기의 구성을 갖는 세정/건조 처리 유닛(SD)의 처리 동작에 대해서 설명한다. 또, 이하에 설명하는 세정/건조 처리 유닛(SD)의 각 구성 요소의 동작은, 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(81)에 의해 제어된다.
우선 기판(W)의 반입 시에는, 가드(624)가 하강하는 동시에, 도 1의 인터페이스용 반송 기구(IFR)가 기판(W)을 스핀 척(621)위로 재치한다. 스핀 척(621)위로 재치된 기판(W)은, 스핀 척(621)에 의해 흡착 유지된다.
다음에, 가드(624)가 상술한 폐액위치까지 이동하는 동시에, 세정 처리용 노즐(650)이 기판(W)의 중심부윗쪽으로 이동한다. 그 후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 동반해 스핀 척(621)에 유지되어 있는 기판(W)이 회전한다.
그 후, 세정 처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 상면으로 토출된다. 이것에 의해, 기판(W)의 세정이 행하여진다.
또, 세정/건조 처리부(80a)에 있어서는, 이 세정시에 기판(W)상의 레지스트 커버 막의 성분이 세정액중에 용출한다. 또한, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)위로 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주변부에 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 중에 용출한 레지스트 커버 막의 성분이 기판(W)위로 잔류하는 것을 방지할 수가 있다. 또, 상기의 레지스트 커버 막의 성분은, 예컨대, 기판(W)위로 순수를 담아서 일정시간유지하는 것에 의해 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W)상에의 세정액의 공급은, 도 8에 나타내는 것 같은 2류체 노즐을 이용한 소프트 스프레이 방식에 의해 행하여도 좋다.
소정시간 경과 후, 세정액의 공급이 정지되고, 세정 처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이것에 의해, 기판(W)상의 세정액이 씻어 버려진다.
또한 소정시간 경과 후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 뿌리쳐지는 린스액의 양이 감소하고, 도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(L)이 형성된다.또, 회전축(625)의 회전을 정지시켜서 기판(W)의 표면전체에 액층(L)을 형성해도 좋다.
다음에, 린스액의 공급이 정지되고, 세정 처리용 노즐(650)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 건조 처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부윗쪽으로 이동한다.그 후, 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도 13(b)에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주변부에 이동하고, 기판(W)의 주변부에만 액층(L)이 존재하는 상태로 된다.
다음에, 회전축(625)(도 12참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 13(c)에 나타낸 바와 같이 건조 처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로부터 주변부 윗쪽으로 서서히 이동한다. 이것에 의해, 기판(W)상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W)의 표면전체에 불활성 가스를 내뿜을 수가 있으므로, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실하게 건조시킬 수 있다.
다음에, 불활성 가스의 공급이 정지되어, 건조 처리 노즐(670)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그 후, 가드(624)가 하강하는 동시에 도 1의 인터페이스용 반송 기구(IFR)가 기판(W)을 세정/건조 처리 유닛(SD)으로부터 반출한다. 이것에 의해, 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서의 처리 동작이 종료한다. 또, 세정 및 건조 처리중에 있어서의 가드(624)의 위치는, 처리액의 회수 또는 폐액의 필요성에 따라 적의변경하는 것이 바람직하다.
또, 상기 실시형태에 있어서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스 액의 어느것이나 공급할 수 있게, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용의 노즐과 린스액공급용의 노즐을 따로따로 나눈 구성을 채용해도 좋다.
또한, 린스액을 공급할 경우에는, 린스액이 기판(W)의 이면으로 돌아 들어가지 않도록, 기판(W)의 이면에 대하여 도시하지 않는 백 린스용 노즐로부터 순수를 공급되게 해도 좋다.
또한, 기판(W)을 세정하는 세정액에 순수를 이용할 경우에는, 린스액의 공급을 할 필요는 없다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 스핀 건조 방법에 의해 기판(W)에 건조 처리를 실시하지만, 감압 건조 방법, 에어 나이프 건조 방법 등의 다른 건조 방법에 의해 기판(W)에 건조 처리를 실시해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 린스액의 액층(L)이 형성된 상태에서, 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층(L)을 형성하지 않을 경우 혹은 린스액을 이용하지 않을 경우에는 세정액의 액층을 기판(W)을 회전시켜서 일단 뿌리친 나중에, 바로 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급해서 기판(W)을 완전히 건조시키도록 해도 좋다.
(6) 인터페이스 블록의 인터페이스용 반송 기구에 대해서
인터페이스용 반송 기구(IFR)에 대해서 설명한다. 도 14는 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
우선, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 구성에 대해서 설명한다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 가동대(181)는 나사축(182)에 나사맞춤된다. 나사축(182)은, X방향으로 연장되도록 지지대(183)에 의해 회전가능하 게 지지된다. 나사축(182)의 일단부에는 모터(M2)가 설치되어, 이 모터(M2)에 의해 나사축(182)이 회전하고, 가동대(181)가 ±X방향으로 수평이동한다.
또한, 가동대(181)에는 핸드 지지대(184)가 ±θ방향으로 회전가능하며, 또한 ±Z방향으로 승강가능하게 탑재된다. 핸드 지지대(184)는, 회전축(185)을 통해서 가동대(181)내의 모터(M3)에 연결되어 있고, 이 모터(M3)에 의해 핸드 지지대(184)가 회전한다. 핸드 지지대(184)에는, 기판(W)을 수평자세에서 유지하는 2개의 핸드(H1), (H2)가 진퇴가능하게 상하로 설치된다.
다음에, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 동작에 대해서 설명한다. 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 동작은, 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(81)에 의해 제어된다.
우선, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는, 도 14의 위치A에 있어서 핸드 지지대(184)를 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시키고, 위쪽의 핸드(H1)를 기판재치부(PASS15)에 진입시킨다. 기판재치부(PASS15)에 있어서 핸드(H1)가 기판(W)을 받으면, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 핸드(H1)를 기판재치부(PASS15)로부터 후퇴시켜, 핸드 지지대(184)를 -Z방향으로 하강시킨다.
다음에, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 -X방향으로 이동하고, 위치(B)에 있어서 핸드 지지대(184)를 회전시키는 동시에 핸드(H1)를 노광 장치(17)의 기판반입부(17a)(도 1참조)에 진입시킨다. 기판(W)을 기판반입부(17a)에 반입한 후, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 핸드(H1)를 기판반입부(17a)로부터 후퇴시킨다.
다음에, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 아래쪽의 핸드(H2)를 노광 장 치(17)의 기판반출부(17b)(도 1참조)에 진입시킨다. 기판반출부(17b)에 있어서 핸드(H2)가 노광 처리후의 기판(W)을 받으면, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 핸드(H2)를 기판반출부(17b)로부터 후퇴시킨다.
그 후, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 +X방향으로 이동하고, 위치A에서, 핸드 지지대(184)를 회전시키는 동시에 핸드(H2)를 세정/건조 처리 유닛(SD)에 진입시켜, 기판(W)을 세정/건조 처리 유닛(SD)에 반입한다. 이것에 의해, 세정/건조 처리 유닛(SD)에 의해 노광 처리후의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행하여진다.
계속해서, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는 위쪽의 핸드(H1)를 세정/건조 처리 유닛(SD)에 진입시켜, 세정/건조 처리 유닛(SD)으로부터 세정 및 건조 처리후의 기판(W)을 받는다. 인터페이스용 반송 기구(IFR)는, 그 기판(W)을 위쪽의 기판재치부(PASS16)에 재치한다.
또, 상술한 바와 같이 노광 장치(17)가 기판(W)의 받아들임을 할 수 없을 경우는, 기판(W)은 이송 버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납 보관된다. 또한, 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서 일시적으로 세정 및 건조 처리를 할 수 없을 경우는, 노광 처리후의 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 되돌아감 버퍼부(RBF)에 일시적으로 수납 보관된다.
본 실시형태에 있어서는, 1대의 인터페이스용 반송 기구(IFR)에 의해, 기판재치부(PASS15)로부터 노광 장치(17)에의 반송, 노광 장치(17)로부터 세정/건조 처리 유닛(SD)에의 반송을 하고 있지만, 복수의 인터페이스용 반송 기구(IFR)를 이용해서 기판(W)의 반송을 하여도 좋다.
(7) 제1의 실시형태에 있어서의 효과
(7-a) 단부 세정 처리에 의한 효과
이상과 같이, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)에 있어서는, 단부 세정 처리 블록(9)의 단부 세정 처리부(90)에 있어서, 단부 세정 유닛(EC)에 의해 노광 처리전의 기판(W)의 단부(R)가 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)의 단부(R)에 부착된 오염물질을 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 단부(R)의 오염에 기인하는 노광 장치내의 오염을 방지할 수 있고, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있다.
(7-b) 단부 세정 처리의 타이밍에 관한 효과
단부 세정 처리 블록(9)은, 기판(W)이 반입되는 인덱서 블록(8)에 인접해서 설치되어, 단부 세정 처리 블록(9)에 있어서의 기판(W)의 단부 세정 처리는, 다른 블록에 있어서의 다른 처리보다도 먼저 행하여진다.
이것에 의해, 각 블록 사이에서 기판(W)을 반송하기 위한 제1∼제8의 센터 로봇(CR1)∼(CR8) 및 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 핸드(IRH1∼14), (H1), (H2)에 기판(W)의 단부(R)의 오염물질이 전사되는 것이 방지된다.
그것에 의해, 반사 방지막용 처리 블록(10), 레지스트 막용 처리 블록(11), 현상 처리 블록(12), 레지스트 커버 막용 처리 블록(13), 레지스트 커버막제거 블록(14) 및 세정/건조 처리 블록(15)에 있어서, 기판(W)의 처리를 청정하게 할 수 있다.
또한, 기판(W)의 단부(R)가 청정하게 유지되므로, 기판(W)의 단부(R)의 오염에 기인하는 기판(W)의 처리 불량이 충분히 방지된다.
(7-c) 단부 세정 처리 블록의 효과
단부 세정 유닛(EC)을 포함하는 단부 세정 처리 블록(9)이, 다른 블록 간 (인덱서 블록(8)과 반사 방지막용 처리 블록(10)과의 사이)에 배치되어 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)는, 기존의 기판처리 장치에 단부 세정 처리 블록(9)을 추가한 구성을 가지므로, 저코스트에서, 노광 처리전의 기판(W)의 단부의 오염에 기인하는 노광 장치내의 오염을 방지하는 것이 가능해진다.
(7-d) 제1의 센터 로봇의 핸드에 관한 효과
단부 세정 처리 블록(9)에 있어서는, 기판재치부(PASS81)로부터 단부 세정 처리부(90)에 미처리의 기판(W)을 반송할 때는, 제1의 센터 로봇(CR1)의 아래쪽의 핸드(CRH92)가 이용되고, 단부 세정 처리부(90)로부터 단부 세정후열처리부(900), (901)에 단부 세정 처리필의 기판(W)을 반송할 때, 및 단부 세정후열처리부(900), (901)로부터 기판재치부(PASS1)에 미처리의 기판(W)을 반송할 때는, 제1의 센터 로봇(CR1)의 위쪽의 핸드(CRH91)가 이용된다.
즉, 단부(R)가 세정된 기판(W)의 반송에는 핸드(CRH91)가 이용되고, 단부(R)가 세정되어 있지 않은 기판(W)의 반송에는 핸드(CRH92)가 이용된다.
이 경우, 단부 세정 처리 블록(9)에 있어서, 기판(W)의 단부(R)에 부착된 오염물질이 핸드(CRH91)에 부착되는 것이 방지된다. 또한, 핸드(CRH92)는, 핸드(CRH91)보다도 아래쪽에 설치되므로, 핸드(CRH92) 및 그것이 유지하는 기판(W)의 단부(R)로부터 오염물질이 낙하해도, 핸드(CRH91) 및 그것이 유지하는 기판(W)에 오염물질이 부착되는 것이 방지된다.
그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)에 오염물질이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다. 그 결과, 노광 처리전의 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
(7-e) 브러시를 이용한 단부 세정 처리의 효과
단부 세정 유닛(EC)에 있어서, 도 4 및 도 6에 나타낸 바와 같이 브러시(213)를 이용해서 기판(W)의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 기판(W)의 단부(R)에 직접 브러시(213)가 접촉하므로, 기판(W)의 단부(R)의 오염물질을 물리적으로 박리시킬 수 있다. 그것에 의해, 단부(R)에 강고하게 부착된 오염물질을 확실하게 제거할 수 있다.
(7-f) 2류체 노즐을 이용한 단부 세정 처리의 효과
단부 세정 유닛(EC)에 있어서, 도 7∼도 9에 나타낸 바와 같이 2류체 노즐(310)을 이용해서 기판(W)의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 기체와 액체와의 혼합 유체(N)가 기판(W)의 단부(R)에 토출되어, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다. 이렇게, 혼합 유체(N)를 이용하는 것에 의해 높은 세정 효과를 얻을 수 있다.
또, 기체와 액체와의 혼합 유체(N)가 기판(W)의 단부(R)에 토출됨으로써, 비접촉에서 기판(W)의 단부(R)가 세정되므로, 세정시에 있어서의 기판(W)의 단부(R)의 손상이 방지된다. 더욱이, 혼합 유체(N)의 토출압 및 혼합 유체(N)에 있어 서의 기체와 액체와의 비율을 제어하는 것에 의해 기판(W)의 단부(R)의 세정 조건을 용이하게 제어하는 것도 가능하다.
또한, 2류체 노즐(310)에 의하면, 균일한 혼합 유체(N)를 기판(W)의 단부(R)에 토출할 수가 있으므로, 세정불균일이 발생하지 않는다.
(7-g) 초음파 노즐을 이용한 단부 세정 처리의 효과
단부 세정 유닛(EC)에 있어서, 도 10에 나타낸 바와 같이 초음파 노즐(410)을 이용하여 기판(W)의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 초음파 노즐(410)내를 지나는 순수에 고주파전류의 값에 따른 고주파출력이 인가된다.
이것에 의해, 초음파진동 상태로 된 순수가 기판(W)의 단부(R)에 토출되어, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다. 이 경우, 순수에 인가되는 고주파출력을 기판(W)의 종류 및 세정 조건 에 따라 전기적으로 가변제어하는 것이 가능해진다.
(7-h) 노광 처리후의 기판의 세정 처리의 효과
노광 장치(17)에 있어서 기판(W)에 노광 처리가 행하여진 후, 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)에 있어서 기판(W)의 세정 처리가 행하여진다. 이 경우, 노광 처리시에 액체가 부착된 기판(W)에 분위기중의 진애등이 부착되어도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염을 방지할 수가 있다.
또, 세정/건조 처리부(80)에 있어서는, 노광 처리후의 기판(W)의 건조 처리가 행하여진다. 그것에 의해, 노광 처리시에 기판(W)에 부착된 액체가, 기판처리 장치(500)내로 낙하하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판처리 장치(500)의 전기계통의 이상등의 동작 불량을 방지할 수가 있다.
또한, 노광 처리후의 기판(W)의 건조 처리를 하는 것에 의해, 노광 처리후의 기판(W)에 분위기중의 진애등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염을 방지할 수가 있다.
또한, 기판처리 장치(500)내를 액체가 부착된 기판(W)이 반송되는 것을 방지할 수가 있으므로, 노광 처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리 장치(500)내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수가 있다. 그것에 의해, 기판처리장치(500)내의 온습도조정이 용이해진다.
또한, 노광 처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 인덱서 로봇(IR) 및 제1∼제8의 센터 로봇(CR1∼CR8)에 부착되는 것이 방지되므로, 노광 처리전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)에 분위기중의 진애등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염이 방지된다.그 결과, 노광 처리시의 해상성능의 열화를 방지할 수가 있는 동시에 노광 장치 (17)내의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
이것들의 결과, 기판(W)의 처리 불량을 확실하게 방지할 수가 있다.
또, 노광 처리후의 기판(W)의 건조 처리를 하기 위한 구성은 도 1의 기판처리 장치(500)의 예에 한정되지 않는다. 레지스트 커버 막제거 블록(14)과 인터페이스 블록(16)과의 사이에 세정/건조 처리 블록(15)을 설치하는 대신에, 인터페이스 블록(16)내에 세정/건조 처리부(80)를 설치하고, 노광 처리후의 기판(W)의 건조 처 리를 하여도 좋다.
(7-i) 노광 처리후의 기판의 건조 처리의 효과
세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성 가스를 기판(W)의 중심부로부터 주변부로 내뿜는 것에 의해 기판(W)의 건조 처리를 하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기중의 진애등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수가 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수가 있다.
(7-j) 세정/건조 처리 블록의 효과
본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)는, 기존의 기판처리 장치에 세정/건조 처리 블록(15)을 추가한 구성을 가지므로, 저코스트에서, 기판(W)의 처리 불량을 방지할 수가 있다.
(7-k) 인터페이스용 반송 기구의 핸드에 관한 효과
인터페이스 블록(16)에 있어서는, 기판재치부(PASS15)로부터 노광 장치(17)의 기판반입부(17a)에 노광 처리전의 기판(W)을 반송할 때 및 세정/건조 처리 유닛(SD)으로부터 기판재치부(PASS16)에 세정 및 건조 처리후의 기판(W)을 반송할 때에는, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 핸드(H1)가 이용되고, 노광 장치(17)의 기판반입부(17b)로부터 세정/건조 처리 유닛(SD)에 노광 처리후의 기판(W)을 반송할 때는, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 핸드(H2)가 이용된다.
즉, 액체가 부착되어 있지 않은 기판(W)의 반송에는 핸드(H1)가 이용되고, 액체가 부착된 기판(W)의 반송에는 핸드(H2)가 이용된다.
이 경우, 노광 처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 핸드(H1)에 부착되는 것이 방지되므로, 노광 처리전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 또 핸드(H2)는 핸드(H1)보다 아래쪽으로 설치되므로, 핸드(H2) 및 그것이 유지하는 기판(W)으로부터 액체가 낙하해도, 핸드(H1) 및 그것이 유지하는 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 방지할 수가 있다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다. 그 결과, 노광 처리전의 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수가 있다.
(7-l) 레지스트 커버 막의 도포 처리의 효과
노광 장치(17)에 있어서 기판(W)에 노광 처리가 행하여지기 전에, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)에 있어서, 레지스트 막위로 레지스트 커버 막이 형성된다. 이 경우, 노광 장치(17)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉해도, 레지스트 커버 막에 의해 레지스트 막이 액체와 접촉하는 것이 방지되므로, 레지스트의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 방지된다.
(7-m) 레지스트 커버 막의 제거 처리의 효과
현상 처리 블록(12)에 있어서 기판(W)에 현상 처리가 행하여지기 전에, 레지스트 커버 막제거 블록(14)에 있어서, 레지스트 커버 막의 제거 처리가 행하여진다. 이 경우, 현상 처리 전에 레지스트 커버 막이 확실하게 제거되므로, 현상 처리를 확실하게 할 수 있다.
(7-n) 세정/건조 처리 유닛의 효과
상술한 바와 같이, 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성 가스를 기판(W)의 중심부로부터 주변부에 내뿜는 것에 의해 기판(W)의 건조 처리를 하고 있으므로, 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있다.
그것에 의해, 세정/건조 처리부(80)로부터 현상 처리부(50)에 기판(W)을 반송하는 동안에, 레지스트의 성분 또는 레지스트 커버 막의 성분이 기판(W)위로 잔류한 세정액 및 린스액 중에 용출하는 것을 확실하게 방지할 수가 있다. 그것에 의해, 레지스트 막에 형성된 노광 패턴의 변형을 방지할 수가 있다. 그 결과, 현상 처리시에 있어서의 선폭정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수가 있다.
(7-o) 로봇의 핸드에 관한 효과
제2∼제6의 센터 로봇(CR2)∼(CR6) 및 인덱서 로봇 (IR)에 있어서는, 노광 처리전의 기판(W)의 반송에는 위쪽의 핸드를 이용하고, 노광 처리후 기판(W)의 반송에는 아래쪽의 핸드를 이용한다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.
(7-p) 레지스트 막용 도포 처리부에 관한 효과
본예에서는, 단부(R)가 세정된 노광 처리전의 기판(W)에 레지스트 막용 도포 처리(40)에 의해 레지스트 막이 형성된다.
이것에 의해, 기판(W)에 레지스트 막을 형성할 때에는, 기판(W)의 단부(R)에 부착한 오염물질이 제거되어 있으므로, 기판(W)의 단부(R)의 오염에 기인하는 레지스트 막의 형성 불량을 방지할 수 있고, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있다.
또한, 하나의 기판처리 장치(500)내에 있어서, 기판(W)의 단부(R)의 세정을 하는 동시에, 기판(W)에 레지스트 막을 형성 할 수가 있으므로, 풋 프린트를 저감할 수가 있다.
(8) 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 변형 예 및 그 효과
(8-a) 노광 처리전의 기판의 세정 처리에 대해서
제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)는, 노광 처리 전에 기판(W)의 세정처리를 하여도 좋다. 이 경우, 예컨대 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조처리부(80)에 있어서, 노광 처리전의 기판(W)의 세정 및 건조 처리를 한다. 그것에 의해, 노광 처리전의 기판(W)에 부착된 진애등을 제거할 수 있다.그 결과, 노광 장치(17)내의 오염을 방지할 수가 있다.
또한, 세정/건조 처리부(80)에 있어서는, 기판(W)의 세정 처리후에 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 그것에 의해, 세정 처리시에 기판(W)에 부착된 세정액 또는 린스액이 제거되므로, 세정 처리후의 기판(W)에 분위기중의 진애등이 재차 부착하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 장치(17)내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 레지스트 커버 막의 형성후이며 노광 장치(17)에 있어서 기판(W)에 노광처리가 행하여지기 전에, 세정/건조 처리부(80)에 있어서 기판(W)의 세정 처리가 행하여진다. 이 때, 기판(W)위로 형성된 레지스트 커버 막의 성분의 일부가 세정액 중에 용출한다. 그것에 의해, 노광 장치(17)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉해도, 레지스트 커버 막의 성분이 액체 중에 용출하는 것을 방지할 수가 있다.
이것들의 결과, 노광 장치(17)내의 오염이 확실하게 방지되는 동시에 기판(W)의 표면에 레지스트 막 및 레지스트 커버 막의 성분이 잔류하는 것도 방지된다. 그것에 의해, 기판(W)의 처리 불량을 확실하게 방지할 수가 있다.
또, 노광 처리 전에 있어서의 기판(W)의 세정 및 건조 처리는, 인터페이스 블록(16)내에 세정/건조 처리부(80)를 설치하는 것에 의해 하여도 좋다.
(8-b) 레지스트 커버 막용 처리 블록에 대해서
노광 처리 전에 기판(W)의 세정 처리를 할 경우에 있어서는, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)은 설치하지 않아도 좋다. 이 경우, 노광 처리 전에 기판(W)의 세정 처리를 하는 세정/건조 처리부(80)에 있어서는, 세정 처리시에 레지스트 막의 성분의 일부가 세정액 중에 용출한다. 그것에 의해, 노광 장치(17)에 있어서 레지스트 막이 액체와 접촉해도, 레지스트의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 장치(17)내의 오염을 방지할 수가 있다.
더욱이, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)을 설치하지 않을 경우, 레지스트 커버 막제거 블록(14)을 설치하는 필요가 없다. 따라서, 기판처리 장치(500)의 풋 프린트를 저감할 수가 있다.
(8-c) 기판처리 장치가 방수 기능을 가질 경우에 대해서
기판처리 장치(500)가 충분한 방수 기능을 갖고 있을 경우에는 세정/건조 처리부(80)는 설치하지 않아도 좋다. 이 경우, 기판처리 장치(500)의 풋 프린트를 저감할 수가 있다. 또한, 노광 처리후의 세정/건조 처리부(80)에의 기판(W)의 반송이 생략되므로, 기판(W)의 생산성이 향상한다.
(8-d) 다른 배치 예에 대해서
상기의 실시형태에 있어서, 레지스트 커버 막제거 블록(14)은 2개의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)를 포함하지만, 레지스트 커버 막제거 블록(14)은 2개의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)의 한 쪽으로 바꾸고, 기판(W)에 열처리를 하는 열처리부를 포함해도 좋다. 이 경우, 복수의 기판(W)에 대한 열처리가 효율적으로 행하여지므로, 스루풋이 향상한다.
(8-e) 세정/건조 처리 유닛의 다른 예에 대해서
도 12에 나타낸 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서는, 세정 처리용 노즐(650)과 건조 처리용 노즐(670)이 별개로 설치되어 있지만, 도 15에 나타낸 바와 같이, 세정 처리용 노즐(650)과 건조 처리용 노즐(670)을 일체로 설치해도 좋다.
이 경우, 기판(W)의 세정 처리시 또는 건조 처리시에 세정 처리용 노즐(650) 및 건조 처리용 노즐(670)을 각각 따로따로 이동시킬 필요가 없으므로, 구동 기구를 단순화할 수가 있다.
또한, 도 12에 나타내는 건조 처리용 노즐(670)의 대신에, 도 16에 나타내는 것 같은 건조 처리용 노즐(770)을 이용해도 좋다.
도 16의 건조 처리용 노즐(770)은, 연직 아래쪽으로 연장되는 동시에 측면으로부터 경사 아래쪽으로 연장되는 분지관(771), (772)을 갖는다. 건조 처리용 노즐(770)의 하단 및 분지관(771), (772)의 하단에는 불활성 가스를 토출하는 가스 토출구(770a), (770b), (770c)가 형성되어 있다. 각 토출구(770a), (770b), (770c) 로부터는, 각각 도 16의 화살표로 나타낸 바와 같이 연직아래 쪽 및 비스듬히 아래쪽으로 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조 처리용 노즐(770)에 있어서는, 아래쪽을 향해서 내뿜는 범위가 확대되도록 불활성 가스가 토출된다.
여기에서, 건조 처리용 노즐(770)을 이용할 경우에는, 세정/건조 처리 유닛(SD)은 이하에 설명하는 동작에 의해 기판(W)의 건조 처리를 한다.
도 17은, 건조 처리용 노즐(770)을 이용했을 경우의 기판(W)의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.
우선, 도 13에서 설명한 방법에 의해 기판(W)의 표면에 액층(L)이 형성된 후, 도 17(a)에 나타낸 바와 같이, 건조 처리용 노즐(770)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로 이동한다. 그 후, 건조 처리용 노즐(770)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도 17(b)에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주변부에 이동하고, 기판(W)의 주변부에만 액층(L)이 존재하는 상태가 된다. 또, 이 때, 건조 처리용 노즐(770)은, 기판(W)의 중심부에 존재하는 린스액을 확실하게 이동시킬 수 있게 기판(W)의 표면에 근접시켜 둔다.
다음에, 회전축(625)(도 12참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 17(c)에 나타낸 바와 같이 건조 처리용 노즐(770)이 윗쪽으로 이동한다. 이것에 의해, 기판(W)상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W)상의 불활성 가스를 내뿜을 수 있는 범위가 확대된다. 그 결과, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다. 또, 건조 처리용 노즐(770)은, 도 12의 제2의 회전운동축(672)에 설치된 회전운동축승강 기구(도시하지 않음) 에 의해 제2의 회전운동축(672)을 상하로 승강시키는 것에 의해 상하로 이동시킬 수 있다.
또, 건조 처리용 노즐(770)의 대신에, 도 18에 나타낸 바와 같은 건조 처리용 노즐(870)을 이용해도 좋다. 도 18의 건조 처리용 노즐(870)은, 아래쪽을 향해서 서서히 지름이 확대하는 토출구(870a)를 갖는다. 이 토출구(870a)로부터는, 도 18의 화살표에서 나타낸 바와 같이 연직아래 쪽 및 비스듬히 아래쪽으로 불활성 가스가 토출된다.
즉, 건조 처리용 노즐(870)에 있어서도, 도 16의 건조 처리용 노즐(770)과 동일하게, 아래쪽을 향해서 내뿜는 범위가 확대되도록 불활성 가스가 토출된다. 따라서, 건조 처리용 노즐(870)을 이용할 경우도, 건조 처리용 노즐(770)을 이용할 경우와 같은 방법에 의해 기판(W)의 건조 처리를 할 수 있다.
또한, 도 12에 나타내는 세정/건조 처리 유닛(SD)의 대신에, 도 19에 나타낸 바와 같은 세정/건조 처리 유닛(SDa)를 이용해도 좋다.
도 19에 나타내는 세정/건조 처리 유닛(SDa)이 도 12에 나타낸 바와 같은 세정/건조 처리 유닛(SD)과 다른 것은 이하의 점이다.
도 19의 세정/건조 처리 유닛(SDa)에 있어서는, 스핀 척(621)의 윗쪽에, 중심부에 개구를 갖는 원판모양의 차단판(682)이 설치되어 있다. 암(688)의 선단부근으로부터 연직하방향으로 지지축(689)이 설치되고, 그 지지축(689)의 하단에, 차단판(682)이 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 상면에 대향하도록 설치되어 있다.
지지축(689)의 내부에는, 차단판(682)의 개구에 연통한 가스 공급로(690) 가 삽통되어 있다. 가스 공급로(690)에는, 예컨대, 질소 가스(N2)가 공급된다.
암(688)에는, 차단판 승강 구동 기구(697) 및 차단판 회전 구동 기구(698)가 접속되어 있다. 차단판 승강 구동 기구(697)는, 차단판(682)을 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 상면에 근접한 위치와 스핀 척(621)으로부터 윗쪽으로 떨어진 위치와의 사이에서 상하동시킨다.
도 19의 세정/건조 처리 유닛(SDa)에 있어서는, 기판(W)의 건조 처리시에, 도 20에 나타낸 바와 같이, 차단판(682)을 기판(W)에 근접시킨 상태에서, 기판(W)과 차단판(682)과의 사이의 간극에 대하여 가스 공급로(690)로부터 불활성 가스를 공급한다. 이 경우, 기판(W)의 중심부로부터 주변부에 효율적으로 불활성 가스를 공급할 수가 있으므로, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다.
B. 제2의 실시형태
제2의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치가 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)와 다른 것은 이하의 점이다.
(1) 기판처리 장치의 구성
도 21은, 제2의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)에는, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)의 단부 세정 처리 블록(9)이 설치되어 있지 않다. 따라서, 인덱서 블록(8)과 반사 방지막용 처리 블록(10)이 인접해서 설치되어 있다.
이것에 의해, 인덱서 블록(8)과 반사 방지막용 처리 블록(10)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 인덱서 블록(9)과 반사 방지막용 처리 블록(10)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 하기 위한 기판재치부(PASS1), (PASS2)이 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)은, 기판(W)을 인덱서 블록(8)으로부터 반사 방지막용 처리 블록(10)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)은, 기판(W)을 반사 방지막용 처리 블록(10)으로부터 인덱서 블록(8)에 반송할 때에 이용된다.
도 22는 도 21의 기판처리 장치(500)를 +X방향으로부터 본 측면도이며, 도 23은 도 21의 기판처리 장치(500)를 -X방향으로부터 본 측면도이다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)에 있어서는, 인덱서 블록(8)과 반사 방지막용 처리 블록(10)이 인접해서 설치되어 있다.
또한, 도 23에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)에 있어서, 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)(도 21참조)에는, 1개의 단부 세정 유닛(EC) 및 2개의 세정/건조 처리 유닛(SD)이 이 순서로 적층배치된다.
(2) 기판처리 장치의 동작
다음에, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)의 동작에 대해서, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)와 다른 점을 도 21∼도 23을 참조하면서 설명한다.
제1의 실시형태와 동일하게, 인덱서 블록(8)의 캐리어 재치대(82) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서 로봇(IR)은, 위쪽의 핸드(IRHl)을 이용해서 캐리어(C)내에 수납된 미처리의 기판(W)을 집어낸다. 그 후, 인덱서 로봇 (IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하고, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 기판(W)은, 반사 방지막용 처리 블록(10)의 제2의 센터 로봇(CR2)에 의해 받아진다. 제2의 센터 로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 반사 방지막용 도포 처리부(30)에 반입한다. 이 반사 방지막용 도포 처리부(30)에 의한 기판(W)에의 처리는 제1의 실시형태와 동일하다.
그리고, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 반사 방지막용 도포 처리부(30)로부터 도포 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에 반입한다.
계속해서, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
그 후, 기판(W)은, 제1의 실시형태와 동일하게 하여, 제3∼제6의 센터 로봇(CR3)∼(CR6)에 의해 기판재치부(PASS11)에 반송된다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 세정/건조 처리 블록(15)의 제7의 센터 로봇(CR7)에 의해 받아진다.
여기에서, 본 실시형태에서는, 노광 장치(17)에 의한 노광 처리 전에, 기 판(W)에 대하여 후술의 단부 세정 처리를 실시한다. 제7의 센터 로봇(CR7)은, 받은 기판(W)을 세정/건조 처리부(80)의 단부 세정 유닛(EC)에 반입한다. 단부 세정 유닛(EC)내에 반입된 기판(W)에는 단부 세정 처리가 행해진다.
다음에, 제7의 센터 로봇(CR7)은, 단부 세정 유닛(EC)으로부터 단부 세정 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS13)에 재치한다.
기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스 블록(16)의 제8의 센터 로봇(CR8)에 의해 받아진다.
제8의 센터 로봇(CR8)은, 제1의 실시형태와 동일하게, 그 기판(W)을 에지 노광부(EEW)에 반입하고, 에지 노광부(EEW)로부터 에지 노광 처리필의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS15)에 재치한다.
기판재치부(PASS15)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스용 반송 기구(IFR)에 의해 노광 장치(17)의 기판반입부(17a)(도 21참조)에 반입된다.
노광 장치(17)에 있어서, 기판(W)에 노광 처리가 행해진 후, 인터페이스용 반송 기구(IFR)는, 기판(W)을 노광 장치(17)의 노광 장치(17b)(도 21참조)로부터 꺼내고, 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)에 반입한다. 세정/건조 처리부(80)의 세정/건조 처리 유닛(SD)에 있어서는, 노광 처리후의 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행하여진다.
그후, 기판(W)은, 제1의 실시형태와 동일하게 해서, 인터페이스용 반송 기구(IFR) 및 제2∼제8의 센터 로봇에 의해 기판재치부(2)에 반송된다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은, 인덱서 블록(8)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C)내에 수납된다.
(3) 단부 세정 유닛에 대해서
본 실시형태에 있어서 이용되는 단부 세정 유닛(EC)의 상세를 설명한다. 단부 세정 유닛(EC)의 각 구성 요소의 동작은, 도 21의 인덱서 블록(8)에 설치된 메인 컨트롤러(81)에 의해 제어된다.
(3-a) 단부 세정 유닛의 1구성 예
본 실시형태에 있어서는, 상기의 단부 세정 유닛(EC)에, 제1의 실시형태에서 설명한 도 4의 단부 세정 유닛(EC)을 이용할 수 있다.
보통, 레지스트 커버 막은, 기판(W)상의 상기 주변부를 덮도록 형성되어 있지 않은 경우가 많다. 즉, 기판(W)상의 주변부에 형성된 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽은 노출한 상태로 되어 있다.
본 실시형태에서는, 후 공정인 노광 장치(17)에 의한 노광 처리 전에 있어서, 세정/건조 처리부(80)의 단부 세정 유닛(EC)에 의해 기판(W)에 대하여 단부 세정 처리를 행한다. 단부 세정 처리란, 기판(W)의 단부(R)(베벨부 및 주변부)를 노광 장치(17)에서 이용되는 액침액을 이용해서 세정하는 것으로써, 노출한 상태가 되어 있는 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽을 미리 용출 또는 석출시키는 처리이다.
그것에 의해, 노광 장치(17)에 의한 노광 처리할 때에, 액침액중에 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽이 용출 또는 석출하는 것이 방지된다.
또, 기판(W)의 단부 세정 처리에 이용되는 액침액의 예로서는, 순수, 고굴 절율을 갖는 글리세롤, 고굴절율의 미립자 (예컨대, 알루미늄 산화물)와 순수를 혼합한 혼합액 및 유기계의 액체 등을 들 수 있다.
또한, 액침액의 다른 예로서는, 순수에 착체(이온화한 것)을 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해 이온수, HFE( 하이드로 플루오로에텔 ), 불화수소산 및 황산과수 등을 들 수 있다.
(3-b) 단부 세정 유닛의 다른 구성 예
단부 세정 유닛(EC)은, 이하의 구성을 가져도 좋다. 도 24는 제2의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛(EC)의 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 24에 나타낸 바와 같이, 본 예의 단부 세정 유닛(EC)은, 제1의 실시형태에 서 설명한 도 7의 단부 세정 유닛(EC)과 거의 같은 구성 및 동작을 갖는다.
따라서, 이하에서는 본예의 단부 세정 유닛(EC)에 대해서, 도 7의 단부 세정 유닛(EC)과 다른 점을 설명한다.
본 실시형태에 있어서, 암(303)의 선단부에 설치된 2류체 노즐(310)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 표면에 대하여 기판(W)의 외측에 경사해서 설치되어 있다.
기판(W)의 단부 세정 처리 시작 시에는, 모터(301)에 의해 회전운동축(302)이 회전하는 동시에 암(303)이 회전운동 한다. 이것에 의해, 2류체 노즐(310)이 스핀 척(201)에 의해 유지된 기판(W)의 단부(R)의 윗쪽으로 이동한다. 그 결과, 2류체 노즐(310)의 혼합 유체의 토출부(310a)가, 기판(W)의 단부(R)에 대향한다.
그리고, 밸브(332)가 열리는 것에 의해, 세정액으로서 액침액이 세정액 공급관(331)을 통해서 2류체 노즐(310)에 공급된다. 또한, 밸브(342)를 여는 것으로써 기체가 2류체 노즐(310)에 공급된다.
기판(W)의 단부 세정 처리 시에는, 세정액 및 기체가 2류체 노즐(310)에 공급된다. 이것에 의해, 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 2류체 노즐(310)로부터 혼합 유체가 토출된다. 그것에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 양호하게 세정된다.
더욱이, 본 실시형태에서는, 단부 세정 유닛(EC)내에, 상기 2류체 노즐(310)과 같은 구성 및 기능을 가지는 2류체 노즐(310b)이 설치된다. 이 2류체 노즐(310b)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 이면에 대향하도록 기판(W)의 외측에 경사해서 설치되어 있다. 또, 2류체 노즐(310b)은, 혼합 유체를 토출하는 토출부(310c)를 구비하고, 도시하지 않은 암에 설치되어 있다.
이렇게, 기판(W)의 표면 및 이면에 각각 대향하도록 2류체 노즐(310), (310b)을 설치하는 것에 의해, 기판(W)의 단부(R)를 확실하게 세정하는 것이 가능해진다. 또, 2류체 노즐(310b)의 세정액 및 기체의 각 공급계는, 2류체 노즐(310)과 같으므로 설명을 생략한다.
2류체 노즐(310), (310b)은, 예컨대 제1의 실시형태에서 설명한 도 8 및 도 9의 내부구조를 갖는다.
(3-c) 단부 세정 유닛의 더욱 다른 구성 예
단부 세정 유닛(EC)은, 더욱 이하의 구성을 가져도 좋다. 도 25는, 제2의 실시형태에서 이용되는 단부 세정 유닛(EC)의 더욱 다른 구성 예를 설명하기 위한 도이다.
도 25에 나타낸 바와 같이, 본예의 단부 세정 유닛(EC)은, 제1의 실시형태에 있어서 설명한 도 10의 단부 세정 유닛(EC)과 거의 같은 구성 및 동작을 갖는다.
따라서, 이하에서는 본예의 단부 세정 유닛(EC)에 대해서, 도 10의 단부 세정 유닛(EC)과 다른 점을 설명한다.
도 25에 나타낸 바와 같이, 본 예에 있어서, 초음파 노즐(410)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 표면에 대하여 기판(W)의 외측에 경사해서 암(303)의 선단부에 설치되어 있다.
초음파 노즐(410)에는, 세정액 공급관(331)이 접속되어 있다. 이것에 의해, 도 24의 예와 같이, 밸브(332)를 여는 것에 의해, 세정액으로서 액침액이 세정액 공급관(331)을 통해서 초음파 노즐(410)에 공급된다.
기판(W)의 단부 세정 처리시에 있어서는, 액침액이 초음파 노즐(410)로부터 기판(W)의 단부(R)를 향해서 토출된다. 여기에서, 초음파 노즐(410)로부터 액침액이 토출될 때에는, 고주파발생 장치(420)로부터 고주파진동자(411)에 고주파전류가 공급된다.
그것에 의해, 고주파진동자(411)가 초음파진동하고, 초음파 노즐(410)내를 지나는 액침액에 고주파전류의 값에 응한 고주파출력이 인가된다. 그 결과, 초음파진동 상태가 된 액침액이 기판(W)의 단부(R)에 토출되어, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다.
또, 본 예에 있어서도, 도 24의 단부 세정 유닛(EC)의 예와 같이, 단부 세정 유닛(EC)내에, 상기초음파 노즐(410)과 같은 구성 및 기능을 가지는 초음파 노즐(410a)이 설치된다.
이 초음파 노즐(410a)은, 스핀 척(201)에 의해 유지되는 기판(W)의 이면에 대향하도록 기판(W)의 외측에 경사해서 설치되어 있다. 또, 초음파 노즐(410a)내에는 고주파진동자(411a)가 내장되고 있어, 초음파 노즐(410a)은 도시하지 않는 암에 설치되어 있다.
이렇게, 기판(W)의 표면 및 이면에 각각 대향하도록 초음파 노즐(410), (410a)를 설치하는 것에 의해, 기판(W)의 단부(R)를 확실하게 세정하는 것이 가능해진다. 또, 초음파 노즐(410a)의 세정액 및 고주파전류의 각 공급계는, 초음파 노즐(410)과 같으므로 설명을 생략한다.
(4) 세정/건조 처리 유닛에 대해서
제2의 실시형태에 있어서 이용되는 세정/건조 처리 유닛(SD)의 구성 및 동작은, 제1의 실시형태에서 설명한 세정/건조 처리 유닛(SD)의 구성 및 동작과 같다. 따라서, 설명을 생략한다.
(5) 인터페이스 블록의 인터페이스용 반송 기구에 대해서 도 26은, 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다. 본 실시형태에 있어서 이용되는 인터페이스용 반송 기구(IFR)의 구성 및 동작은, 제1의 실시형태에서 설명한 인터페이스용 반송기구(IFR)의 구성 및 동작과 같다. 따라서, 설명을 생략한다.
또, 상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 노광 장치(17)에 의한 처리전의 기판(W)단부(R)가, 단부 세정 유닛(EC)내에서 액침액에 의해 세정된다.
(6) 제2의 실시형태에 있어서의 효과
제2의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)는, 제1의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)에 의한 효과에 가하고, 이하의 효과를 갖는다.
(6-a) 단부 세정 처리에 의한 효과
이상과 같이, 세정/건조 처리부(80)의 단부 세정 유닛(EC)에 있어서 노광 장치(17)에 의한 노광 처리전의 기판(W)의 단부(R)가 액침액에 의해 세정된다. 그것에 의해, 액침법에 의한 노광 처리 중에 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽으로부터 용출 또는 석출하는 성분이 미리 단부 세정 유닛(EC)에 있어서 용출 또는 석출하고, 용출물 또는 석출물이 씻어 버려진다. 따라서, 노광 처리시에, 액침액 중에 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽이 용출 또는 석출하는 것이 방지된다. 이것에 의해, 노광 장치(17)(노광 장치(17)의 렌즈)가 오염되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 것이 방지된다.
또, 노광 처리시에 액침액중에 용출 또는 석출하는 가능성이 있는 성분은 상기 반사 방지막 및 레지스트 막중 에 포함되는 성분에 한정되는 것은 아니고, 본 실시형태에 관계하는 기판처리 장치(500)의 밖에 설치된 외부장치에 의해 기판(W)위로 형성된 반도체막, 금속막, 절연막 또는 유기막 등에 포함되는 성분도 있다. 이것들의 막에 포함되는 성분도 미리 단부 세정 유닛(EC)에 있어서 용출 또는 석출시킬 수 있다.
(6-b) 브러시를 이용한 단부 세정 처리의 효과
단부 세정 유닛(EC)에 있어서 브러시(213) 에 의해 기판(W)의 단부 세정 처리를 할 경우에는, 기판(W)의 단부(R)에 직접 브러시(213)가 접촉해서 세정되므로, 기판(W)의 단부(R)의 반사 방지막 및 레지스트 막의 한 쪽 또는 양쪽으로부터의 용출물 또는 석출물을 확실하게 제거할 수가 있다.
(7) 제2의 실시형태에 관계하는 기판처리 장치의 변형 예 및 그 효과
(7-a) 단부 세정 처리에 이용하는 세정 노즐의 다른 예에 대해서
상기 실시형태에서는, 기판(W)의 단부 세정 처리를 할 때에, 세정액 공급로(241a), (241b), 2류체 노즐(310), (310b) 및 초음파 노즐(410), (410a)을 이용했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 지름이 작은 바늘모양의 토출부를 구비하는 세정 노즐을 이용해도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 영역의 작은 단부(R)를 정밀도 높게 세정할 수가 있다.
(7-b) 단부 세정 유닛의 다른 배치 예
상기 실시형태에서는, 기판(W)의 단부 세정 처리를 세정/건조 처리 블록(15)의 세정/건조 처리부(80)에 있어서의 단부 세정 유닛(EC)에서 하지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 세정/건조 처리부(80)이외의 장소 (예컨대, 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)의 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)에 있어서의 도포 유닛(COV))에서 하여도 좋다. 이 경우, 레지스트 커버 막 형성후의 단부 세정 유닛(EC)까지의 반송 공정을 삭감할 수가 있고, 스루풋을 향상할 수가 있다.
(7-c) 다른 배치 예에 대해서
상기의 실시형태에 있어서, 레지스트 커버 막제거 블록(14)은 2개의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)를 포함하지만, 레지스트 커버 막제거 블록(14)은 2개의 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)의 한 쪽에 대신해서, 기판(W)에 열처리를 하는 열처리부를 포함해도 좋다. 이 경우, 복수의 기판(W)에 대한 열처리가 효율적으로 행하여지므로, 스루풋이 향상한다.
(7-d) 세정/건조 처리 유닛의 다른 예에 대해서
제1의 실시형태와 같이, 세정/건조 처리 유닛(SD)에 이용되는 세정 처리용 노즐(650) 및 건조 처리용 노즐(670)의 구성을 상이한 구성으로 하고, 그것들의 구성에 따른 기판(W)의 세정 처리 및 건조 처리를 하여도 좋다.
C .청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각부와의 대응
(1) 청구항의 각 구성 요소와 제1의 실시형태의 각부와의 대응
제1의 실시형태에 있어서는, 단부 세정 처리 블록(9), 반사 방지막용 처리 블록(10), 레지스트 막용 처리 블록(11), 현상 처리 블록(12), 레지스트 커버 막용 처리 블록(13), 레지스트 커버 막제거 블록(14) 및 세정/건조 처리 블록(15)이 처리부에 상당하고, 인터페이스 블록(16)이 수도(受渡)부에 상당하고, 단부 세정 처리부(90)의 단부 세정 유닛(EC)이 제1의 처리 유닛에 상당한다.
또한, 반사 방지막용 도포 처리부(30)의 도포 유닛(BARC), 레지스트 막용 도포 처리부(40)의 도포 유닛(RES) 및 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)의 도포 유닛(COV)이 제2의 처리 유닛에 상당하고, 현상 처리부(50)의 현상 처리 유닛(DEV), 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)의 제거 유닛(REM) 및 세정/건조 처리부(80)의 세정/건조 처리 유닛(SD)이 제3의 처리 유닛에 상당한다.
더욱이, 인터페이스 블록(16)이 기판반입 반출부에 상당하고, 센터 로봇(CR1)이 제1의 반송 유닛에 상당하고, 단부 세정 처리 블록(9)이 제1의 처리 단위에 상당하고, 센터 로봇(CR2), (CR3), (CR5)이 제2의 반송 유닛에 상당하고, 반사 방지막용 처리 블록(10), 레지스트 막용 처리 블록(11) 및 레지스트 커버 막용 처리 블록(13)이 제2의 처리 단위에 상당한다.
센터 로봇(CR4), (CR6), (CR7)이 제3의 반송 유닛에 상당하고, 현상 처리 블록(12), 레지스트 커버 막제거 블록(14) 및 세정/건조 처리 블록(15)이 제3의 처리 단위에 상당하고, 기판재치부(PASS81)가 제1의 재치부에 상당하고, 기판재치부(PASS1)가 제2의 재치부에 상당하고, 핸드(CRH92)가 제1의 유지부에 상당하고, 핸드(CRH91)가 제2의 유지부에 상당한다.
더욱이, 세정/건조 처리부(80)의 세정/건조 처리 유닛(SD)이 건조 처리 유닛에 상당하고, 인터페이스용 반송 기구(IFR)가 제4의 반송 유닛에 상당하고, 핸드(HI)가 제3의 유지부에 상당하고, 핸드(H2)가 제4의 유지부에 상당한다.
또한, 레지스트 막용 도포 처리부(40)의 도포 유닛(RES)이 감광성 막 형성 유닛에 상당하고, 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)의 도포 유닛(COV)이 보호막형성 유닛에 상당하고, 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)의 제거 유닛(REM)이 제거 유닛에 상당하고, 반사 방지막용 도포 처리부(30)의 도포 유닛(BARC)이 반사 방지막형성 유닛에 상당하고, 현상 처리부(50)의 현상 처리 유닛(DEV)이 현상 처리 유닛에 상당한다.
(2) 청구항의 각 구성 요소와 제2의 실시형태의 각부와의 대응
제2의 실시형태에 있어서는, 반사 방지막용 처리 블록(10), 레지스트 막용 처리 블록(11), 현상 처리 블록(12), 레지스트 커버 막용 처리 블록(13), 레지스트 커버 막제거 블록(14) 및 세정/건조 처리 블록(15)이 처리부에 상당하고, 인터페이스 블록(16)이 수도(受渡)부에 상당한다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 레지스트 막용 도포 처리부(40)의 도포 유닛(RES)이 제2의 처리 유닛에 상당하고, 단부 세정 처리부(90)의 단부 세정 유닛(EC)이 제1의 처리 유닛에 상당하고, 레지스트 커버 막용 도포 처리부(60)의 도포 유닛(COV)이 제3의 처리 유닛에 상당하고, 반사 방지막용 도포 처리부(30)의 도포 유닛(BARC)이 제4의 처리 유닛에 상당하고, 레지스트 커버 막제거용 처리부(70a), (70b)의 제거 유닛(REM)이 제5의 처리 유닛에 상당하고, 현상 처리부(50)의 현상 처리 유닛(DEV)이 제6의 처리 유닛에 상당하고, 인터페이스용 반송 기구(IFR)가 반송 장치에 상당하고, 핸드(H1), (H2)가 각각 제1 및 제2의 유지부에 상당한다.
본 발명에 의하여, 노광 장치내의 오염을 방지할 수 있게 되는 효과가 있고, 또한 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수가 있는 기판처리 장치를 제공하는 것이 본 발명의 효과에 해당한다.

Claims (8)

  1. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치에 있어서,
    기판 위에 막을 형성하는 막형성 유닛과,
    상기 막형성 유닛에 의한 막형성후 또한 상기 노광 장치에 의한 노광처리전의 기판의 단부를 세정하는 제1의 처리 유닛과,
    상기 제1의 처리 유닛에 의해 단부가 세정된 기판을 상기 노광 장치에 주고, 상기 노광 장치로부터 노광처리후의 기판을 받는 반송유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 처리 유닛은, 브러시를 이용해서 기판의 단부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 처리 유닛은, 2류체(流體) 노즐을 이용해서 기판의 단부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 처리 유닛은, 초음파 노즐을 이용해서 기판의 단부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 막형성 유닛은, 기판 위에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 제2의 처리 유닛을 더 포함하고,
    상기 제1의 처리 유닛은, 상기 제2의 처리 유닛에 의해 감광성 막이 형성된 기판의 단부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 막형성 유닛은,
    기판 위에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 제2의 처리 유닛과,
    상기 제2의 처리 유닛에 의해 형성된 상기 감광성 막 위에 그 감광성 막을 보호하는 보호막을 형성하는 제3의 처리 유닛을 포함하고,
    상기 제1의 처리 유닛은, 상기 제3의 처리 유닛에 의해 보호막이 형성된 기판의 단부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제2의 처리 유닛에 의한 감광성 막의 형성전에, 기판 위에 반사 방지막을 형성하는 제4의 처리 유닛을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  8. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치를 이용해서 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판처리 장치내에서 기판 위에 막을 형성하는 공정과,
    상기 기판처리 장치내에서 상기 막이 형성된 기판의 단부를 세정하는 공정과,
    단부가 세정된 기판을 상기 기판처리 장치로부터 상기 노광 장치에 주는 공정과,
    상기 노광 장치에 의해 노광처리가 행해진 기판을 상기 노광 장치로부터 상기 기판처리 장치내에 반입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
KR1020070079353A 2005-06-24 2007-08-08 기판처리 장치 및 방법 KR100864126B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00185762 2005-06-24
JP2005185762A JP4522329B2 (ja) 2005-06-24 2005-06-24 基板処理装置
JPJP-P-2005-00281599 2005-09-28
JP2005281599A JP4845463B2 (ja) 2005-06-24 2005-09-28 基板処理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060056567A Division KR100809766B1 (ko) 2005-06-24 2006-06-22 기판처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070092191A true KR20070092191A (ko) 2007-09-12
KR100864126B1 KR100864126B1 (ko) 2008-10-16

Family

ID=37567495

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060056567A KR100809766B1 (ko) 2005-06-24 2006-06-22 기판처리 장치
KR1020070079353A KR100864126B1 (ko) 2005-06-24 2007-08-08 기판처리 장치 및 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060056567A KR100809766B1 (ko) 2005-06-24 2006-06-22 기판처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7604424B2 (ko)
JP (2) JP4522329B2 (ko)
KR (2) KR100809766B1 (ko)
CN (1) CN1885160B (ko)
TW (1) TWI326392B (ko)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7942158B2 (en) * 2005-07-13 2011-05-17 Honda Electronics Co., Ltd. Ultrasonic edge washing apparatus
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN100592468C (zh) * 2006-02-02 2010-02-24 株式会社迅动 基板处理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008042004A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4949064B2 (ja) * 2007-02-15 2012-06-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5004611B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP5149513B2 (ja) * 2007-02-15 2013-02-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4999487B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100882474B1 (ko) * 2007-06-22 2009-02-06 세메스 주식회사 세정 유닛을 갖는 기판 처리 장치
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7641406B2 (en) * 2007-07-26 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP4976949B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5039468B2 (ja) * 2007-07-26 2012-10-03 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2009071235A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5091687B2 (ja) * 2008-01-08 2012-12-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5522903B2 (ja) * 2008-04-16 2014-06-18 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2010114123A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板洗浄方法
CN101794710B (zh) 2009-01-30 2012-10-03 细美事有限公司 用于处理基板的系统及方法
KR101109074B1 (ko) * 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN102078866A (zh) * 2009-11-26 2011-06-01 昆山厚声电子工业有限公司 薄膜片状基板的掩膜清洗烘干工艺
CN102343327A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 东京应化工业株式会社 涂敷方法及涂敷装置
JP5608148B2 (ja) * 2011-11-25 2014-10-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP5747842B2 (ja) * 2012-02-27 2015-07-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP6111104B2 (ja) * 2013-03-15 2017-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄乾燥方法および基板現像方法
JP6399739B2 (ja) * 2013-09-27 2018-10-03 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
JP2016134508A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6910148B2 (ja) * 2017-01-13 2021-07-28 株式会社ディスコ ウエーハ洗浄装置
CN112655078B (zh) * 2018-10-31 2024-04-09 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
CN110707022B (zh) * 2019-09-06 2022-07-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洁装置
JP7348021B2 (ja) * 2019-10-15 2023-09-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR102584514B1 (ko) * 2020-07-09 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0175278B1 (ko) * 1996-02-13 1999-04-01 김광호 웨이퍼 세정장치
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH1154588A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置
TW385488B (en) * 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
JPH11219930A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Ebara Corp 洗浄装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP4311520B2 (ja) * 2002-02-22 2009-08-12 大日本スクリーン製造株式会社 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3865602B2 (ja) * 2001-06-18 2007-01-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
CN1356728A (zh) 2001-12-20 2002-07-03 华中科技大学 铁电场效应晶体管及其制备方法
JP2003197592A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端面洗浄装置および基板処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
JP2004363453A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd 基板洗浄装置
JP4137711B2 (ja) * 2003-06-16 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送手段の位置合わせ方法
JP4455020B2 (ja) * 2003-11-17 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 露光方法
JP4101740B2 (ja) * 2003-12-09 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置及びレジストパターンの形成方法
JP4194495B2 (ja) 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100809766B1 (ko) 2008-03-07
JP4522329B2 (ja) 2010-08-11
KR20060135531A (ko) 2006-12-29
CN1885160A (zh) 2006-12-27
US7604424B2 (en) 2009-10-20
US20060291855A1 (en) 2006-12-28
CN1885160B (zh) 2011-12-28
JP4845463B2 (ja) 2011-12-28
KR100864126B1 (ko) 2008-10-16
TWI326392B (en) 2010-06-21
JP2007005659A (ja) 2007-01-11
JP2007095891A (ja) 2007-04-12
TW200707087A (en) 2007-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100864126B1 (ko) 기판처리 장치 및 방법
KR100736802B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100758623B1 (ko) 기판처리 장치 및 기판처리 방법
KR100875788B1 (ko) 기판처리장치
JP5154008B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9703199B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100876508B1 (ko) 기판처리장치
KR100684627B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP5008280B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4667252B2 (ja) 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) 基板処理装置
KR20080076775A (ko) 기판처리장치
KR20080076776A (ko) 기판처리장치
JP2007214365A (ja) 基板処理装置
JP2007201078A (ja) 基板処理装置
US8031324B2 (en) Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit
JP2007036121A (ja) 基板処理装置
JP2007189139A (ja) 基板処理装置
JP2007012998A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム
JP4753641B2 (ja) 基板処理システム
JP2007208021A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140923

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 11