TWI326392B - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Description
1326392 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 § 本發明係關於進行基板處理的基板處理裝置。 - 【先前技術】 ^ · 為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器 .用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩 用基板等各種基板施行各種處理,便使用基板處理裝置。 此種基板處理裝置一般係對一片基板連續施行複數不 •同處理。日本專利特開2003_324139號公報中所記载的基 板處理裝置係由:索引器區塊、抗反射膜用處理區塊、光 阻膜用處理區塊、顯影處理區塊及介面區塊構成。依鄰接 介面區塊的方式,配置除基板處理裝置以外之其他外部裝 置的曝光裝置。 上述基板處理裝置中,從索引器區塊所搬入的基板,在 抗反射膜用處理區塊及光阻膜用處理區塊中施行抗反射 _膜形成及光阻膜塗佈處理之後,便經由介面區塊而搬往曝 光裝置。 在曝光裝置中,對基板上的光阻膜施行曝光處理之後, 便經由介面區塊將基板搬往顯影處理區塊。在顯影處理區 〜塊中,藉由對基板上的光阻膜施行顯影處理而形成光阻圖 Ί 案之後,便將基板搬往索引器區塊。 近年,Ik裝置的尚密度化及高積體化,光阻圖案的細微 化已成重要課題。習知一般曝光裝置中,將遮罩圖案經由 投影透鏡而縮小投影於基板上’俾施行曝光處理。但是, 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 6 1326392 • 在此種習知曝光裝置中,因為曝光圖案的線寬係依照曝光 • 裝置的光源波長而決定’因而光阻圖案的細微化將有其極 限。 — 所以’可將曝光圖案更進一步細微化的投影曝光方法, •.提案有如浸潰法(例如參照國際公開第99/495〇4號說明 •冊)。在國際公開第99/49504號說明冊的投影曝光裝置 中,於投影光學系統與基板之間充滿液體,便可將基板表 面的曝光光施行短波長化。藉此,可將曝光圖案更進一步 響細微化。 但疋,上述國際公開第99/495〇4號說明冊的投影曝光 裝置,因為係在基板與液體相接觸狀態下施行曝光處理, 因而若在曝光處理前有污染物質附著於基板上,該污染物 質將混入液體中。 ^ 在曝光處理前將對基板施行各種成膜處理,但是在該成 膜處理過程中,將有基板端部遭受污染的情況。如此,若 _在基板端部遭受污染的狀態下施行基板曝光處理,曝光裝 置的透鏡將遭受污染,恐將發生曝光圖案尺寸不良與形狀 不良等狀況。 一 再者,上述習知基板處理裝置在依浸潰法施行曝光處理 '時基板螭部或端部附近之抗反射膜或光阻膜等所含成分 、將有析出或溶出於浸潰液内的情況。結果將導致曝光裝^ 透鏡遭染,恐將發生曝光圖案尺寸不良與形 狀況。 反寻 【發明内容】 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 7 1326392 .本發明之目的在於提供一種可防止曝光裝置内遭受污 染’能防止發生曝光圖案尺寸不良及形狀不良等狀況的基 板處理裝置。 、 (1) ^ 依照本發明一方面的基板處理裝置,係鄰接曝光裝置而 配置的基板處理裝置,具備有:用於對基板進行處理的處 理部;以及鄰接處理部一端部設置,並用於在處理部與曝 _光裝置之間進行基板收授的收授部;處理部係包括有將依 曝光裝置施行曝光處理前的基板端部施行清洗之第丨處 理單元。 本發明的基板處理裝置係配置呈鄰接於曝光裝置。在該 基板處理裝置中,利用處理部對基板施行既定處理,並利 用鄰接於處理部一端部而設置的收授部,在處理部與曝光 裝置之間進行基板收授。 處理部中,利用曝光裝置施行曝光處理前的基板端部係 Φ利用第1處理單元施行清洗。藉此,便可將曝光處理前的 基板端部上所附著之污染物質去除。結果,可防止因基板 端部污染所引發的曝光裝置内污染狀況,俾可防止發生曝 光圖案尺寸不良及形狀不良。 (2) n 處理料可為包括有,湘曝光裝置施行曝光處理前 的基板施行既定處理的第2處理單元,以及對利用曝光裝 置施行曝光處理後的基板施行既定處理的第3處理單 元;第1處理單元係對利用第2處理單元施行處理前的基 312XP/發明說明書(補件)/95· 10/95121854 8 )^2 板端部施行清洗。 理 此It况下’在處理部中,利用第2處理單元對以曝光裂 f施行曝光處理前的基板施行既定處理,並利用第3處理 單元對以曝光裝置施行曝光處理後的基板,施行既定處 猎由第1處理單元對利用第2處理單元施行處理前的基 板施行清洗,便可防止基板端部污染物質,轉印於在第2 處理單元、第3處理單元及曝光裝置間進行基板搬送的搬 送裝置上。 藉此’在第2及第3處理單元中’便可對基板施行既定 處理的清潔。此外,因為基板端部保持於清潔狀態,因而 可充分防止因基板端部污染所引發的基板處理不良。 (3) 亦可更具備有基板搬人搬出部,其係配置成鄰接於處理 部另-端部,並進行將基板搬人處理部中、及從處理部搬 出f板;處理部係包括:第1處理單位’係具備有第!處 理单兀及搬送基板的第丨搬送單元;—個或複數之第2處 理單位’係具備有第2處理單元及搬送基板的第2搬 兀;以及-個或複數之第3處理單位,係具備有第3處理 單元及搬送基板的第3搬送單元;其巾,f丨處理I 可配置成鄰接於基板搬入搬出部。 此情況下,基板將利用基板搬入搬出部搬入於 中。在處理部的第1處理單位中,從鄰接的基板搬入搬出 部所搬入的基板端部’係利用第i處理單元施行清洗,而 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 9 丄 JZ0:^2 基板則利用第1搬送單元進行搬送。 施處,中,利用第1處理旱元將端部 處理’並ί丨用》理别之基板,係利用第2處理單元施行 處理並利用第2搬送單元進行搬送。 =處理部的第3處理單位中,經曝光處理 ^二處,施行處理,並利用第3搬送單元進行搬 該基板處理裝置係在具有第2處理單位、第3處理罩 及基板搬入搬出部的頦右+ 弟3處理早位 處板處理裝置中,具有追加第1 二早位的構這’因而可依低成本防止 板端部遭受污染利發之曝光裝置㈣ (4) 搬位亦可更具備有··第1載置部’係當將基板 厂理早位時载置基板;以及第2載置部,係當基板 理早位令搬出時載置基板;而第1搬送單元係包括 =者基板的第1與第2保持部;第1搬送單元係當從第 載♦置部將基板搬往第!處理單元時,利用第β持部保 持者基板’而當從帛丨4理單元將基板搬往帛2載置部 時,利用第2保持部保持著基板。 第1處理單位中’搬往該處理單位中的基板將載置於第 1載置。Ρ上’而第!載置部上所載置的基板將利用第工搬 送單元的第1保持部搬往第1處理單元。利用第1處理單 70對端部施行清洗的基板,將利用第1搬送單元的第2保 312ΧΡ/^_ 明書(補件)/95·10/95121854 1326392 持部搬往第2載置部。㈣,第2載 便從該處理單位中搬出。 斤載置的基板 進==將經第1處理單元對端部施行清洗過的基板 的^3! 錢用第2料部1切㈣尚未清洗 =進行搬送之際’則使用第!保持部。所以,可防止 基“部所附著的污染物質附著於第2保持部上。 部措Γ果將二防止污染物質附著於曝光處理前的基板端 果,可防止曝光處理前的基板遭受污染。 第1保持部亦可設置於較第2保持部更靠下方處。此情 況下,即使從第i保持部、及其所保持的基板端部上掉落 ^染物質,仍可防止污染物質附著於第2保持部及其所保 持的基板上。 藉此,可確貫防止污染物質附著於曝光處理前的基板 上。結果,將可確實防止曝光處理前的基板遭受 φ (6) 第3處理單元亦可包括有··對利用曝光裝置施行曝光處 理後的基板,施行乾燥處理的乾燥處理單元;而具備乾燥 處理單元的第3處理單位係配置成鄰接於收授部,收授部 '係具備有第4搬送單元,其係將曝光處理前的基板收授給 1曝光裝置,並將曝光處理後的基板從曝光裝置搬往乾燥處 理單元,且接受經乾燥處理單元施行乾燥處理過的基板。 此情況下,在收授部中,曝光處理前的基板係利用第4 搬送單元收授給曝光裝置,並將曝光處理後的基板利用第 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 1326392 4搬送單元’從曝光裝置搬往乾燥處理單元。 在第3處理單位中所含乾燥處理單元中係施行基板的 乾燥處理。然後,在收授部中,利帛4搬送單元接受經 '乾燥處理單元施行乾燥處理過的基板。 " 藉此,可防止當利用曝光裝置施行曝光處理時,基板上 所附著的液體掉落於基板處理裝置内。結果,可防止基板 處理裝置發生電氣系統異常等動作不良。 再者,藉由施行曝光處理後的基板乾燥處理,可防止環 境中的塵埃等附著於曝光處理後的基板上,因此可防止基 板遭受污染。 再者,因為可防止在基板處理裝置内進行液體附著的基 板搬送,故可防止當曝光處理時,基板上所附著液體對基 板處理裝置内的環境造成影響.藉此,便可輕易施行基板 處理裝置内的溫濕度調整。 再者,將可防止在曝光處理時,基板上所附著的液體在 鲁基板處理裝置内,附著於曝光處理前的其他基板上。所 以,可防止曝光處理前的其他基板上附著環境中的塵埃 等,因而可防止曝光處理時的解像性能劣化,且可破實防 止曝光裝置内遭受污染。 "•該等結果將可確實防止基板之處理不良。 • ⑺ 第4搬送單元亦可包括有:保持著基板的第3與第4保 持部;而第4搬送單元係當將曝光處理前的基板收授給曝 光裝置之際、及接受經乾燥處理單元施行乾燥處理過的基 312XP/發明說明書(補件)/95、10/95121854 12 1326392 板之際,係利用第3保持部保持著基板,而當將經曝光處 =後的基板從曝光裝置中搬往乾燥處理單元之際,係利用 第4保持部保持著基板。 b,况下,在收授部中,曝光處理前的基板係利用第4 送單元的第3保持部進行保持,並收授給曝光裝置。 再者,曝光處理後的基板係利用第4搬送單元的第4保 持部進行保持,並從曝光裝置中搬往乾燥處理單元。 再者,經乾燥處理單元施行乾燥處理過的基板,係利用 第4搬送單元的第3保持部進行保持,並從乾燥處理單元 被接受。 換言之,曝光處理時附著了液體之基板的搬送係使用第 4保持部’而在曝光處理前、及則乾燥處理單元施行乾 燥處理後的未附著液體之基板的搬送則使用第3保持 部。所以’可防止第3保持部上附著液體。 藉此,便可防止曝光處理前、及利用乾燥處理單元施行 φ乾燥處理後的基板上附著液體。、结果,可確實防止環境中 的塵埃等附著於曝光處理後及利用乾燥處理單元施行乾 燥處理後的基板上。 (8) ••第4保持部亦可設置於較第3保持部更靠下方處。此情 :況下,即使從第4保持部、及其所保持的基板端部上掉落 污染物質,仍可防止污染物質附著於第3保持部及其所保 持的基板上。 ’' 藉此,可確實防止塵埃等附著於曝光處理前的基板上。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95· 1 〇/95121854 將可確實防止曝光處理前的基板遭受污染。 =處理早兀亦可包括有感光性膜形成單元,其係在基 形成由感光性材料所構成之感光性膜。此情況下,在 h 經清洗過的曝尖♦ 义 單元报A i K丄 處理刖之基板上,利用感光性膜形成 y成㈣光性材料所構成之感光性辉。 藉此’ S在基板上形成感光性膜之際,因為可將基板端 附著的污染物質去除,故可防止因基板端部遭受污染 :引毛的感光性膜之形成不良,俾可防止發生曝光圖案尺 寸不良及形狀不良。 、.主再者目為在單一基板處理裝置内,將施行基板端部的 :月洗且可在基板上形成感純膜,因而可縮小佔有面積 (footprint)。 (10) 第2處理單元亦可更進一步包括有保護膜形成單元,其 鲁係形成對感光性膜進行保護的保護膜。此情況下,因為在 感光性膜上形成有保護膜,因此即使在曝光裝置中依基板 ㈣到液體的狀態施行曝光處理,仍可防止感純膜成分 溶出於液體中。藉此’便可確實防止曝光裝置内遭受污 (11) /、 :» 3處理單元亦可更進—纟包括有去除單元,其係在利 用曝光裝置施行曝光處理後,將保護膜去除。此情況下, 可確實將感光性膜上所形成的保護膜去除。 (12) 312XP/發明說明書(補件)/9ϋ 〇/95121854 14 1326392 _第2處理單元亦可更進-步包括有抗反射膜形成單 疋,其係在利用感光性膜形成單元形成感光性膜之前於 基板上形成抗反射膜。此情況下,因為在基板上形成有抗 反射膜,因而可降低曝光處理時所發生的駐波及晕光。 (13) 第3處理單元亦可含有進行基板顯影處理的顯影處理 單元。此情況下,係利用顯影處理單元進行基板的顯影處 理。 、如此,在單-基域理^内,將可進行基板端部的清 洗,並進行基板的顯影處理,因而可降低佔有面積。 (14) ' 第1處理單元亦可使用毛刷(blush)對基板端部施行清 洗。此情況下’係在帛1處理單元中利用毛刷施行基板端 部的清洗。 如此,當使用毛刷施行基板端部的清洗時,因為基板端 部直接接觸毛刷,因此可使基板端部的污染物質物理性地 剝離。藉此,便可確實地將端部上牢固附著的污染物質去 除。 (15) 第1處理單元亦可使用二流體噴嘴對基板端部施行清 洗。此情況下,係在第丨處理單元中利用二流體喷嘴施行 基板端部的清洗。 如此,當使用二流體喷嘴對基板端部施行清洗時,氣體 與液體的混合流體將朝基板端部噴出,並清洗基板端部。 312XP/發明說明書(補件)/95-1 〇/95121854 15 ^26392 依此便可藉由使用混合流體而獲得高清洗效果。 再者’因藉由氣體與液體的混合流體朝基板端部嘴出, 而依非接觸式清洗基板端部,因此將可防止清洗時對基板 端部造成損傷。此外,藉由控制混合流體喷出壓、與混人 ^流體中的氣體與液體比率,便可輕易控制基板端部的清洗 條件。 / ' 再者,根據二流體喷嘴,可將均勾之混合流體朝基板端 部噴出’因而不致發生清洗不均。 • (16) 第1處理單元亦可使用超音波噴嘴對基板端部施行清 洗。此情況下,在第丨處理單元中係利用超音波噴嘴對基 板端部施行清洗。 如此’當使用超音波喷嘴施行基板端部清洗處理時,將 對在超音波喷嘴内流通的液體施加因應高頻電流值的高 頻輸出。 φ 藉此,呈超音波振動狀態的液體朝基板端部噴出,並將 基板端部施行清洗。此情況下,對液體所施加的高頻輸 出’可因應基板種類及清洗條件進行電氣式可變控制。 (17) ― 處理部亦可更進一步包含有第2處理單元,其係在基板 _ 上形成由感光性材料所構成之感光性膜;而第1處理單元 係將利用曝光裝置施行曝光處理前的基板端部,藉由依浸 潰法施行曝光處理時所使用液體進行清洗。 在該基板處理裝置中,將利用收授部在處理部與曝光裝 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 16 進订基板的收授。在基板上將利用第2處理單元形 成由感光性材料所構成之感光性膜。 ,在第1處理單元中,利用曝光裝置施行曝光處理 刖的基板端部,传洚丨丨田/夺,主 處理 液體進行Μ Μ X 騎曝域理時所使用之 的成分,^先2,曝光處理中從感光性膜溶出或析出 =出物將被沖洗掉。所以,當施行曝光處理之際:= 性膜成分溶出或析出至上述謝。藉此,可防: 曝先裝置遭受污染。結果,可防止發 及形狀不良。 系尺寸不良 中行曝光處理之際,可能溶出或析出至上述液體 本笋明僅限於感光性膜中所含成分,亦包括藉由除 浙:處理装置以外所設置的外部裝置而在基板 成^成導㈣、金相、絕緣膜或有機膜等之中所含 ::出該⑽所含成分亦可預先在第1處理單元中溶出 二裝置内,可進行基叫 (18) 扳上形成感先性臈,因而可減少佔有面積。 虛部亦可更進-步含有第3處理單元,其係在由第2 蠖膜早3形處成之感光性膜上,形成保護該感光性膜的保 露中單元係對在曝域理前於基板端部所裸 露出的感光性膜,利用液體施行清洗。 此清况下|基板上所形成的感光性膜係利用保護膜進 312ΧΡ/^^#(Μ#)/95-1〇/95ΐ2ΐ854 1326392 露:么此:基板端部即便有未被保護膜所被覆而呈 于膜的情況,於第1處理單元對曝光處理 體進Γ。:可利用依浸潰法施行曝光處理時所使用液 所冰此’在曝域理#從露出狀態之感光性膜 ^出或析出的成分’將預先在第1處理單元中溶出或析 之於並:溶出物或析出物沖洗掉。所以,當施行曝光處理 朴示可防止感光性膜成分溶出或析出至上述液體中。 =尺:=曝光裝置遭受污染。結果,將防止發生曝光 圖案尺寸不良及形狀不良。 (19) 處理部亦可更進-步含有第4處理單元,其係在利用第 ;理早兀形,感光性膜之前’在基板上形成抗反射膜; =1處理單it係、將在曝光處理前於基板端部裸露出的 ^反射膜及感光性膜之其中一者或雙方,利用液體施行清 洗0 _本未清况了 〇為在基板上形成抗反射膜’因而可降低曝 先處理時所發生的駐波及4光。此外,在第丨處理單元 中,利用曝光裝置施行曝光處理前的基板端部,係利用依 浸潰法施行曝光處理時所使用之液體進行清洗。藉此,在 二曝光處理中從抗反射膜及感光性膜之其中一者或曰雙方所 :溶出或析出的成分,將預先在帛i處理單元中^或析 出,並將溶出物或析出物沖洗掉。所以,當施行曝光處理 之際,可防止抗反射膜及感光性膜之其令一者或雙方的成 分溶出或析出於上述液體中。藉此,將防止曝光裝置遭受 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95· 10/95121854 ,〇 Ίο。)結果將防止發生曝光圖案尺寸不良及形狀不良 純中丙三醇、以及將高折射率微粒子與 ^触 合液中之至少1種。此情況下,可利用該 。。乂 -依照浸潰法良好地施行曝光處理,且可在第i處理 早疋中對基板端部施行良好的清洗。 (21) 鲁 η斤射率微粒子亦可含有㉟氧化物。此情況下,藉由含 ㈣氧化物的液體’將可更良好地依浸潰法施行曝光處 理,且在第1處理單元中可更良好地對基板端部施行清 洗。 (22) ,收授部亦可含有在處理部與曝光裝置之間進行基板搬 送^搬送裝置;搬送裝置係含有保持基板的第丨及第2保 持。卩,當將曝光處理前的基板進行搬送之際,係利用第工 籲保持部保持基板’而當將曝光處理後的基板進行搬送之 際,則利用第2保持部保持基板。 此情況下,在曝光處理時附著了液體的基板進行搬送時 係使用第2保持部,而於曝光處理前之並未附著液體的基 --板進行搬送時則使用第1保持部。所以,可防止液體附著 二於第1保持部上。藉此,可防止曝光液體附著於處理前之 基板上。依此便可確實防止環境中的塵埃等附著於曝光處 理如的基板上。 (23) 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 19 叫6392 部亦可設置於較第i保持部更靠下方處。此情 ί二吏液體從第2保持部、及其所保持的基板上掉 上。:此=體附著於第1保持部及其所保持的基板 此,可讀實防止塵埃等附著於曝光處理前的基板上。 的亦可更進-步含有在曝光處理後將保護膜去除 單元。此情況下’可確實將感光性膜上所形成 保濩膜去除。 〜 (25) 處理部亦可更進-步含有進行基板顯影處理的第6户 理單元。此情況下,利用第6處理單元進行基板的顯影: 理°如此’可在單-基板處理裝置内,進行基板端部的清 洗,且進行基板的顯影處理,故可減少佔有面積。 (26) ' 第1處理單元亦可含有將液體與氣體的混合流體朝基 板端部喷出的二流體喷嘴。 土 此情況下,在第1處理單元中,係利用二流體噴嘴對基 板端部施行清洗。如此,當使用二流體喷嘴進行基板端部 清洗時’氣體與液體的混合流體將朝基板端部嘴出,並將 該端部施行清洗。藉此可獲得高清洗效果。 再者’因為藉由氣體與液體的混合流體朝基板端部喷 出,並依非接觸式清洗該端部’故可防止清洗時對烏板端 部造成損傷。此外,藉由控制混合流體之喷出愿、偽、θ /、作匕5 流體中的氣體與液體比率’則可輕易地控制基板端邹的青 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 20 1326392 洗條件。 再者’根據二流體喷嘴,可將均勻之混合流體朝基板端 部喷出’因而不致發生清洗不均。 (27) 第1處理單元亦可含有對液體賦予超音波,並朝基板端 部喷出的超音波喷嘴。 此情況下’在第1處理單元中,係利用超音波噴嘴對基 板端部施行清洗。如此,當使用超音波喷嘴施行基板端部 清洗處理時’將對在超音波喷嘴内流通的液體施加因應高 頻電流值的尚頻輸出。藉此,呈超音波振動狀態的液體朝 基板端部噴出,並將基板端部施行清洗。此情況下,對液 體所加加的南頻輸出可因應基板種類及清洗條件進行電 氣式可變控制。 【實施方式】 以下,針對本發明一實施形態的基板處理裝置,使用圖 式進行說明。在以下的說明中,所謂「基板」係指半導體 基板、液晶顯示裝置用基板、錢顯示器用基板、光罩用 ^璃基板4碟用基板、磁碟用基板、光磁❹基板、光 罩用基板等,基板係含有矽(Si 正▲者在乂下圖式中’為了使位置關係明確而附加相互 传::不方向、γ方向及2方向的箭頭。X方向與Y方向 係在水平面内相互正交,而 外,將久古6 “ 刀门係相备於錯直方向。另 方向設定η向」n wit向」,將其相反 以Z方向為中心的旋轉方向 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 21 1^^6392 設定為「Θ方向」。 Α•第1實施形態 (1)基板處理裝置之構造 乂下’針對第1實施形態的基板處理裝置,參照圖式進 . 行說明。 圖1所示係第1實施形態的基板處理裝置之示意俯視 圖。 # 如圖1所示,基板處理裝置500係包括有:索引器區塊 8、端部清洗處理區塊9、抗反射膜用處理區塊丨〇、光阻 膜用處理區塊11、顯影處理區塊12、光阻覆蓋膜用處理 區塊13、光阻覆蓋膜去除區塊14、清洗/乾燥處理區塊 15及介面區塊16。在基板處理裝置5〇〇中,該等區塊係 依上述順序並設。 依鄰接於基板處理裝置500的介面區塊16之方式,配 置曝光裝置17。在曝光裝置17中,利用浸潰法施行基板 鲁W的曝光處理。 索引器區塊8係包括有:控制各區塊動作的主控制器 (控制部)81、複數之載具載置台82、及索引器機器人IR。 在索引器機器人IR中上下地設有用於收授基板w的手部 -.IRH1 、 IRH2 。 二 端部清洗處理區塊9係包括有:端部清洗後熱處理部 9〇〇、901、端部清洗處理部9〇及第1中央機器人CR1。 端部清洗處理部90係包夾第1中央機器人CR1,且與端 部清洗後熱處理部900、901呈相對向地設置。在第!中 312XP/發明說明書(補件)/951〇/95121854 22 1326392 央機器人CR1中上下地設有用於收授基板w的手部 CRH91 、 CRH92 。 在索引器區塊8與端部清洗處理區塊9之間設有環境阻 •隔用隔壁19。該隔壁19處上下接近地設有用於在索引器 - 區塊8與端部清洗處理區塊9之間進行基板W收授的基板 載置部PASS81、PASS82。上侧基板載置部PASS81係當將 基板W從索引器區塊8搬往端部清洗處理區塊9時使用, 而下側基板載置部PASS82係當將基板W從端部清洗處理 •區塊9搬往索引器區塊8時使用。 再者’在基板載置部PASS81、PASS82中,設有檢測有 無基板W的光學式感測器(未圖示)。藉此可進行基板載置 部PASS81、PASS82中是否載置有基板w的判斷。此外, 在基板載置部PASS81、PASS82中係設有固定設置之複數 根支樓栓。另外’上述光學式感測器及支撐栓在後述基板 載置部PASS1〜PASS16中亦同樣地進行設置。 • 抗反射膜用處理區塊1〇係包括有:抗反射膜用熱處理 部100、101、抗反射膜用塗佈處理部3〇及第2中央機器 人CR2。抗反射膜用塗佈處理部3〇係包夾第2中央機器 人CR2 ’且與抗反射膜用熱處理部100、101呈相對向設 一置。在第2中央機器人CR2中上下地設有用於收授基板w _ 的手部 CRH1、CRH2。 在端部清洗處理區塊9與抗反射膜用處理區塊1〇之間 設有環境阻隔用隔壁20。該隔壁20處上下接近地設有用 於在端部清洗處理區塊9與抗反射膜用處理區塊1〇之間 312XP/發明說明書(補件)/95·1〇/95121854 23 1326392 進行基板w收授的基板載置部PASS1、pASS2。上側基板 载置部PASS1係、當將基板w從端部清洗處理區塊9搬往抗 反射膜用處理區塊1G時使用,而下側基板載置部PASS2 •係當將基板W從抗反射膜用處理區塊1〇搬往端部清洗處 . 理區塊9時使用。 光阻膜用處理區塊11係包括有:光阻膜用熱處理部 110、11卜光阻膜用塗佈處理部4〇及第3中央機器人CR3。 光阻膜用塗佈處理部4〇係包夾第3中央機器人CR3,且 與光阻膜用熱處理部11〇、111呈相對向設置。在第3中 央機态人CR3中上下地設有用於收授基板w的手部CRH3、 CRH4。 在抗反射膜用處理區塊1 〇與光阻膜用處理區塊丨丨之間 設有環境阻隔用隔壁21。該隔壁21處上下接近地設有用 於在抗反射膜用處理區塊1 〇與光阻膜用處理區塊1丨之間 進行基板W收授的基板載置部PASS3、PASS4。上側基板 鲁載置部PASS3係當將基板W從抗反射膜用處理區塊1 〇搬 在光阻膜用處理區塊11時使用,而下侧基板載置部PASS4 係當將基板W從光阻膜用處理區塊11搬往抗反射膜用處 理區塊10時使用。 顯影處理區塊12係包括有:顯影用熱處理部12〇、121、 一 顯影處理部50及第4中央機器人CR4。顯影處理部5〇係 包失第4中央機器人CR4,且與顯影用熱處理部120、i 21 呈相對向設置。在第4中央機器人CR4中上下地設有用於 收授基板W的手部CRH5、CRH6。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 24 上326392 C塊11與顯影處理區塊12之間設有環 浼阻隔用隔壁22。玆胛辟99老, • 卩田土 22處上下接近地設有用於在光 阻膜用處理區幻1與顯影處理區塊12之間進行基板W收
' 授的基板載置部PASS5、P 後來 心5 PASS6。上側基板載置部PASS5 將基板心光阻顧處理區塊U搬往顯影處理區塊 2時使用’ q側基板載置部咖6係將基板w從顯影 处理區塊12搬往光阻膜用處理區塊u時使用。 •光阻覆蓋顧處理區塊13係包括有:光阻覆蓋膜用敎 處理部130、131、光阻覆蓋膜用塗佈處理部6()、及第5 中央機器人CR5。光阻覆蓋膜用塗佈處理部6〇係包夾第5 $央機盗人CR5,且與光阻覆蓋膜用熱處理部13〇、ΐ3ι 呈相對向設置。在第5中央機器人CR5中上下地設有用於 收授基板W的手部CRH7、CRH8。 在顯影處理區塊12與光阻覆蓋臈用處理區塊13之間設 有環境阻隔用隔壁23。該隔壁23處上下接近地設有用二 鲁在顯影處理區塊12與光阻覆蓋膜用處理區塊“之間進行 基板w收授的基板載置部PASS7、PASS8。上側基板載置 部PASS7係、當將基板W從顯影處理區塊12搬往光阻覆蓋 膜用處理區塊13時使用,而下側基板載置部廳8係各 :將基板w從光阻覆蓋膜用處理區塊13搬往顯影處理區^ 12時使用。 光阻覆蓋膜去除區塊14係包括有:光阻覆蓋膜去 處理部70a、7Gb、及第6中央機器人⑽。光阻覆蓋膜去 除用處理部70a、70b係包央第6中央機器人CR6,並設 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 25 1326392 ’置呈相對向狀態。在第6中央機器人CR6中上下地設有用 於收授基板w的手部CRH9、CRH10。 在光阻覆蓋膜用處理區塊13與光阻覆蓋臈去除區塊Η •之間設有環境阻隔用隔壁24。該隔壁24處上下接近地設 .有用於在光阻覆蓋膜用處理區塊13與光阻覆蓋膜去除區 塊14之間進行基板w收授的基板載置部以%9、。 上側基板載置„卩PASS9係當將基板ψ從搬往光阻覆蓋膜用 處理區塊13搬往光阻覆蓋膜去除區塊14時使用,而下側 基板載置部PASS10係當將基板W從光阻覆蓋膜去除區塊 14搬在光阻覆蓋膜用處理區塊13時使用。 清洗/乾燥處理區塊丨5係包括有··曝光後烘烤用熱處理 部150、151、清洗/乾燥處理部8〇、及第7中央機器人 CR7。曝光後烘烤用熱處理部ι51係鄰接於介面區塊μ, 並如後述’具備有基板載置部PASS13、PASS14。清洗/乾 燥處理部80係包夾第7中央機器人CR7,並與曝光後烘 _烤用熱處理部150、151呈相對向設置。在第7中央機器 人CR7中上下地設有用於收授基板w的手部CRH11、CRH12。 在光阻覆蓋膜去除區塊14與清洗/乾燥處理區塊15之 間設有環境阻隔用隔壁25。該隔壁25處上下接近地設有 ~ 用於在光阻覆蓋膜去除區塊14與清洗/乾燥處理區塊15 _ 之間進行基板W收授的基板載置部PASS11、PASS12。上 側基板載置部PASS11係當將基板W從光阻覆蓋膜去除區 塊14搬往清洗/乾燥處理區塊15時使用,而下侧基板載 置部PASS 12係當將基板W從清洗/乾燥處理區塊15搬往 31發明說明書(補件)/95-10/95121854 26 1326392 光阻覆蓋膜去除區塊14時使用。 介面區塊16係包括有:第8中央機器人CR8、搬送缓衝 部SBF、介面用搬送機構ifr、及邊緣曝光部。此外, .在邊緣曝光部EEW下側設有:後述之基板載置部passI 5、 .PASS16、及返回缓衝部RBF。在第8中央機器人CR8中上 下地設有用於收授基板W的手部CRH13、CRH14,在介面 用搬送機構IFR中上下地設有用於收授基板w的手部H卜 H2 〇 圖2所示係從+χ方向觀看圖!所示基板處理裝置5⑽ 時的側視圖。 在端部清洗處理區塊9的端部清洗處理部9〇(參照圖υ 中上下積層配置;3個端部清洗單元Ec。端部清洗單元 EC將於後詳述。 在抗反射膜用處理區塊10的抗反射膜用塗佈處理部 3〇γ參照圖1)中,上下積層配置3個塗佈單元barc。各塗 #佈單,BARC係具備有:旋轉夾具3卜係依水平姿態吸附 保持著基板w並進行旋轉;及供應噴嘴32,係對旋轉夾 具31上所保持的基板w供應抗反射膜的塗佈液。 ”在光阻膜用處理區塊U的光阻膜用塗佈處理部4〇(參 ' ”?、圖1)中,上下積層配置3個塗佈單元RES。各塗佈單元 _ H、備有.旋轉夾具41 ’係依水平姿態吸附保持著基 板w並進行旋轉;及供應噴嘴42,係對旋轉夾具以上所 保持的基板w供應光阻膜的塗佈液。 在顯影處理區塊12的顯影處理部5〇(參照圖丨)中,上 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 27 1^26392 下積層配置5個顯影處理單元DEV。各顯影處理單元dev 係具備有:旋轉夾具51 ’係依水平姿態吸附保持著基板w 並進行旋轉;及供應喷嘴52,係對旋轉夾具51上所保持 的基板W供應顯影液。 在光阻覆蓋膜用處理區塊13的光阻覆蓋膜用塗佈處理 部6〇(。參照圖1)中,上下積層配置3個塗佈單元c〇v。各 塗佈單元⑽係具備有:_夾具6卜純水平姿態吸 附保持著基板w並進行旋轉;及供應喷嘴62,係對旋轉 夾具61上所保持的基板w供應光阻覆蓋膜的塗饰液。光 阻覆蓋膜的塗佈㈣可制與光阻及水之㈣親和力較 ,之材料(與光阻及水間之反應性較低的材料)。例如氣樹 月曰。塗佈單兀C0V係藉由一邊使基板w進行旋轉,一邊在 土板W上塗佈塗佈液’而在基板w上所形成之光阻膜上 成光阻覆蓋膜。 阻覆蓋膜去除區塊14的光阻覆蓋膜去除用處理部 〇士照® 1)中’上下積層配置3個去除單元刪。各去 除早:REM係具備有··旋轉夹具71,係依水平姿態吸 保持者基板w並進行旋轉;及供應喷嘴72,係對旋轉夹 Ϊ 71上所保持的基板W供應剝離液(例如氟樹脂)。去除 係藉由一邊使基板μ行旋轉,-邊在基板^ d離液’而將基板w上所形成的光阻覆蓋膜去除。 去除單元_的光阻覆蓋膜去除方法並不僅限於 邊例如亦可在基板界上方一邊移動狹縫喷嘴,-土 上供應剝離液,而將光阻覆蓋膜去除。 312XP/發明說明書(補件)/95·10/95121854 28 1326392 在清洗/乾燥處理區塊15的清洗/乾燥處理部8〇(參照 圖1)中,上下積層配置3個清洗/乾燥處理單元SD。清洗 /乾燥處理單元SD將於後詳述。 • 在介面區塊1 6中,上下積層配置2個邊緣曝光部EEW、 .基板載置部PASS15、PASS16、及返回緩衝部RBF,並配置 著第8中央機器人CR8(參照圖1)及介面用搬送機構ifr。 各邊緣曝光部EEW係具備有:旋轉夾具98,係依水平姿 態吸附保持著基板w並進行旋轉;及光照射器99,係對 •旋轉炎具98上所保持的基板w周緣施行曝光。 圖3為從-X方向觀看圖1所示基板處理裝置5〇〇時的 側視圖。 在h部清洗處理區塊9的端部清洗後熱處理部9 〇 〇中, 積層配置2個加熱單元(加熱板)Hp及2個冷卻單元(冷卻 板)cp,而在端部清洗後熱處理部9〇1中則上下積層配置 2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。此外,在端部清洗 籲後熱處理部900、901中,於最上部分別設置控制著冷卻 單元CP及加熱單元HP溫度的局部控制器lc。 在抗反射膜用處理區塊10的抗反射膜用熱處理部1〇〇 中,積層配置2個加熱單元(加熱板)Hp及2個冷卻單元(冷 - 卻板)cp,而在抗反射膜用熱處理部1 οι中,上下積層配 ,置2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。此外,在抗反射 膜用熱處理部1 00、1 01中,於最上部分別設置控制著冷 卻單元CP及加熱單元HP溫度的局部控制器LC。 在光阻膜用處理區塊11的光阻膜用熱處理部11〇中, 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 29 1326392 個加熱單元肝及2個冷卻單元cp,而在 先:膜理部⑴中,上下積層配置2個加熱單元 及2個冷卻單元cp。此外,在光阻膜用熱處理部⑴、 _ JV於最上部分別設置控制著冷卻單元CP及加熱單 凡HP溫度的局部控制器LC。 在顯影處理區塊12的顯影用熱處理部120中,上下穑 層配置2個加熱單元HP及2個冷卻單元cp,而在顯影用 熱處,部121巾’上T積層配置2個加熱單元HP及2個 冷部單7G CP。此外,在顯影用熱處理部丨2〇、工2丨中,於 最上部分別設置控制著冷卻單元cp及加熱單元肝溫度的 局部控制器LC。 在光阻覆蓋膜用處㈣塊13的纽覆蓋膜用熱處理部 130中,上下積層配置2個加熱單元肝及2個冷卻單元 cp,而在光阻覆蓋膜用熱處理部131中上下積 個加熱單元HP及2個冷卻單元c卜此外,在光阻覆蓋膜 ·=熱處理部130、131巾,於最上部分別設置控制著冷卻 單元CP及加熱單元HP溫度的局部控制器。 在光阻覆蓋膜去除區塊14的光阻覆蓋膜去除用處理部 70a中’上下積層配置3個去除單元。 在清洗/乾燥處理區塊15的曝光後烘烤用熱處理部15〇 中,上下積層配置2個加熱單元jjp及2個冷卻單元Cp, 而在曝光後烘烤用熱處理部151中,上下積層配置2個加 熱單元HP、2個冷卻單元CP、及基板載置部pASS13、 PASS14。此外,在曝光後烘烤用熱處理部15〇、151中, 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 30 1326392 溫度 於最上部分別設置控制著冷卻單元cp及加熱單元肝 的局部控制器LC。 另外。,端部清洗單元EC、塗佈單元BARC,RES,c〇v、产 /乾無處理單元SD、去除單4 _、顯影處理單元咖月、 HP、及冷卻單元cp的個數,係可配合各區 處理速度而適當變更。 (2)基板處理裝置之動作
其次,針對第1實施形態的基板處理裝置5〇〇之動作, 參照圖1〜圖3進行說明。 在索引II區塊8的載具載置台82上,將複數片基板w 搬入多段收納的載具C中。索引器機器人IR係使用上侧 手部IRH1取出載具C内所收納的未處理基板然後, =丨器機器人IR便朝±χ方向進行移動,並朝“方向進 仃旋轉移動’而將未處理基板w載置於基板載置部如 上。 • 本貫施形態中,載具C係採用FOUP(front opening unified P〇d),惟並不僅侷限於此,亦可使用 SMIF(Standard Mechanical lnter Face)晶圓盒、或將收 納基板w暴露於外部空氣的Oc(opencassette)等。此外, ~在索引器機器人1R、第卜第8中央機器人CR1〜CR8、及 -介面用搬送機構1FR中,雖分別使用對基板W進行直線滑 動而進行手部進退動作的直驅式搬送機器人,惟並不僅侷 限於此,亦可使用藉由使關節進行動作,而直線性進行手 部進退動作的多關節型搬送機器人。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 31 1326392 在基板載置部PASS81上所載置的未處理基板w,係利 用端部清洗處理區塊9的第1中央機器人CR1進行接收。 第Ϊ中央機器人CR1係使用下侧手部CRH92,將該基板w .搬入至端部清洗處理部90中。該端部清洗處理部9〇的端 • 部清洗單元EC,將經搬入於基板處理裝置500中的未處 理基板W端部施行清洗(端部清洗處理)^端部清洗單元 EC將於後詳述。 第1中央機器人CR1係使用上端手部CRH91,從端部清 洗處理部90中將經端部清洗處理過的基板w取出,再將 該基板W搬入於端部清洗後熱處理部9〇0、9〇1中。 然後,第1中央機器人CR1係使用上側手部CRH91,從 端部清洗後熱處理部900、901取出經熱處理過的基板w, 並將該基板W載置於基板載置部PASS1上。端部清洗處理 區塊9的第1中央機器人CR1之動作將於後詳述。 在基板載置部PASS1上所載置的基板w,將利用抗反射 Φ膜用處理區塊10的第2中央機器人CR2進行接收。第2 中央機器人CR2將該基板w搬入於抗反射膜用塗佈處理部 30中。該抗反射膜用塗佈處理部3〇為了減少在曝光處理 時所發生的駐波與暈光,係利用塗佈單元BARC在基板w - 上塗佈形成抗反射膜。 然後,第2中央機器人CR2係從抗反射膜用塗佈處理部 30中,將經塗佈處理過的基板w取出,並將該基板埘搬 入於抗反射膜用熱處理部100、1〇1中。其次,第2中央 機器人CR2從抗反射膜用熱處理部1〇〇、1〇1中,將經熱 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 32 1326392 處理過的基板w取出,並將#其 PASS3上。 並Ή基板w载置於基板載置部 用==,PASS3上所載置的基板讲,係利用光阻膜 ▲ f „ 的第3中央機11人⑵進行接收。第3中 中⑴將該基板W搬人至光賴用塗佈處理部 中。该光阻膜用塗佈處理部4〇利用塗 塗佈形成抗反射膜的基板W上,塗佈形成光_。在已 然後’帛3中央機器人⑴從光阻膜用塗佈處理部利 中,將經塗佈處理過的基板w取出,並將該基板你搬入至 先阻膜用熱處理部;Π0、U1中。其次,第3中 ^從光阻制熱處理部11G、ln t,將經熱處理過的 基板w取出,並將該基板w載置於基板载置部pAss5上。 在基板载置部PASS5上所載置的基Μ,係利用顯影處 ,區塊12的第4中央機器人CR4進行接收。第4中央機 益人CR4將該基板w載置於基板載置部PASS7上。 在基板載置部PASS7上所載置的基板w,係利用光阻覆 蓋膜用處理區塊13的第5中央機器人CR5進行接收。第 5中央機器人CR5將該基板W搬入至光阻覆蓋膜用塗佈處 理部60中。該光阻覆蓋膜用塗佈處理部6〇則如上述,利 用塗佈單元COV在光阻臈上塗佈形成光阻覆蓋膜。 然後,第5中央機器人CR5係從光阻覆蓋膜用塗佈處理 部60中,將經塗佈處理過的基板w取出,並將該基板w 搬入至光阻覆蓋膜用熱處理部丨30、131中。其次,第5 中央機崙人CR5從光阻覆蓋膜用熱處理部no、131中, 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 33 1326392 將經熱處理後的基板W取出 置部PASS9上。 ’並將該基板W載置於基板載 “在基板載置部PASS9上所載置的基^,係利用光阻覆 .蓋膜去除區塊丨4的第6中央機器人CR6進行接收。第6 •中央機器人CR6將該基板w載置於基板載置部pAssn上。 在基板載置部PASS11上所载置的基板w,係利用清洗/ 乾燥處理區塊15的第7中央機器人CR7進行接收。第7 中央機器人CR7將該基板w載置於基板載置部PASS13上。 在基板載置部PASS13上所載置的基板w,係利用介面 區塊16的第8中央機器人CR8進行接收。第8中央機器 人CR8將該基板w搬入於邊緣曝光部EEw中。在該邊緣曝 光部EEW中對基板w周緣部施行曝光處理。 其次’第8中央機器人CR8從邊緣曝光部EEW中,將經 邊緣曝光處理過的基板W取出,並將該基板w載置於基板 載置部PASS15上。 φ 在基板載置部PASS15上所載置的基板W,係利用介面 用搬送機構IFR,搬入於曝光裝置π的基板搬入部17a(參 照圖1)中。 另外’當曝光裝置17無法接受基板W的情況時,係將 基板w暫時收納保管於搬送緩衝部SBF中。 在曝光裝置17中對基板W施行曝光處理之後,介面用 搬送機構IFR便將基板W從曝光裝置17的基板搬出部 17b(參照圖1)中取出,並搬入於清洗/乾燥處理區塊15 的清洗/乾燥處理部80中。在清洗/乾燥處理部80的清洗 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 34 丄⑽392 理後的基板W清洗及 乾,處理單元SD中,係施行曝光處 乾燥處理。其將於後詳述。 行=乾乾Λ處:Λ8。:, 八 並載置於基板載置部PASS16 述。”㊣塊16的介面㈣送機構IFR之動作將於後詳 另::當因故障等而在清洗/乾燥處理部8〇中暫時盔法 乾燥處理時,係將經曝光處理後的基板W暫時 收納保官於介面區塊16的返回緩衝部rbf中。 在基板載置部PASS16上所載置的基板w,係利用介面 區塊16的第8中央機ϋ人CR8進行接收。第8中央機器 人CR8將该基板w搬入於清洗/乾燥處理區塊15的曝光後 供烤用熱處料151巾。在曝光後㈣用熱處理部151 中,對基板w施行曝光後烘烤(PEB)。然後,第8中央機 器人CR8從曝光後烘烤用熱處理部151將基板w取出,並 將該基板W載置於基板載置部PASS14上。 另外,在本實施形態中’雖利用曝光後烘烤用熱處理部 151施行曝光後烘烤,但是亦可利用曝光後烘烤用熱處理 部15 0施行曝光後烘烤。 在基板載置部PASS14上所載置的基板W,係利用清洗/ 乾燥處理區塊15的第7中央機器人CR7進行接收。第7 中央機器人CR7將該基板w载置於基板載置部PASS12上。 在基板載置部PASS12上所載置的基板w,係利用光阻 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 35 1326392 •覆蓋膜去除區塊14的第6中央機器人(:⑽進行接收。第 6中央機器人CR6將該基板⑺搬入於光阻覆蓋膜去除用處 理部70a或光阻覆蓋膜去除用處理部7〇b中。在光阻覆蓋 .臈去除用處理部70a、70b中,利用去除單元_將基板 -的光阻覆蓋膜去除。 然後,第6中央機器人CR6從光阻覆蓋膜去除用處理部 7〇a或光阻覆蓋膜去除用處理部7〇b中,將經處理完成的 基板w取出,並將該基板w載置於基板載置部pAssi〇上。 ,基板載置部PASS10上所載置的基板w,係利用光阻 覆蓋膜用處理區塊13的第5中央機器人CR5進行接收。 第5中央機器人CR5將該基板w載置於基板載置部pASS8 上0 在基板載置部PASS8上所載置的基板#,係利用顯影處 ,區塊12的第4中央機器人CR4進行接收。第4中央機 态人CR4將該基板w搬入至顯影處理部5〇中。在顯影處 φ理部50中,利用顯影處理單元DEV施行基板¥的顯=處 理。 然後,第4中央機器人CR4從顯影處理部5〇中,將經 顯影處理過的基板W取出,並將該基板w搬入於顯影用埶 ·:處理部 120、121 中。 - 其次,第4中央機器人CR4從顯影用熱處理部12〇、121 中,將經熱處理後的基板W取出,並將該基板?载置於旯 板載置部PASS6上。 在基板載置部PASS6上所载置的基板w,係利用光阻膜 312χρ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 36 1326392 2理區塊1丨_3巾央心人⑴進 央機器人_亥基板W載置於基板載置部二4第上3。中 在基板載置部PASS4上所载置的基板w, 膜用處理區塊10的第2中央機5§A rp9 射 兴機态人CR2進行接收。第2 中央機器人CR 2將該基板w載詈於其柘# m 土锻W戰置於基板载置部PASS2上。 在基板載置部PASS2上所载置的基板w,係利用 洗處理區塊9的第1中央機3|人rpi^ m 夬機益人CR1進行接收。第1中央
态人CR1將該基板W載置於基板載置部pAss82上。、 在基板载置部PASS82上所载置的基板w,係利用㈣ 益區塊8的索引器機器人IR收納於載具c内。 (3)關於端部清洗單元 在此,針對上述端部清洗單元EC,使用圖式進行詳細 說明。另外,以下所說明的端部清洗單元EC之各構成要 件的動作,將利用圖丨所示之主控制器(控制部)81進 控制。 鲁(3-a)端部清洗單元之一構造例 圖4為端部清洗單元Ec的構造說明圖。如圖4所示, 端部清洗單元EC係具備有旋轉夾具2〇1,其將基板w水 平保持,並在通過基板w中心的鉛直旋轉軸周圍使基板 -:W進行旋轉。 : 旋轉夾具201係固定於利用夾具旋轉驅動機構204進行 旋轉的旋轉軸203上端。此外,在旋轉夾具201中係形成 吸氣通路(未圖示),並在旋轉夹具2〇1上載置著基板#的 狀態下’對吸氣通路内施行排氣,藉此將基板W下面真空 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 37 1326392 吸附於旋轉夾具201上’而可將基板W依水平姿態保持。 在方疋轉夾具2 01側邊且端部清洗單元ec内的上部,# 有端部清洗裝置移動機構230。在端部清洗裝置移動機構 230中安裝有朝下方延伸的棒狀支撐構件22〇。支撐構件 220係利用端部清洗裝置移動機構23〇朝水平方向(參照 圖4中的箭頭μ)進行移動。 在支撐構件220下端部,係將具有略圓筒形狀的端部清 洗裝置210安裝成朝水平方向延伸。藉此,端部清洗裝^ 210將利用端部清洗裝置移動機構23〇而與支撐構件2別 一起移動。 端部清洗裝置210係位於與旋轉夾具2〇1上所吸附保持 的基板W大致相同高度處。藉此,端部清洗裝置2丨〇之一 端與基板W端部R呈相對向。在以下說明中,將端部 裝置210與基板W端部^相對向的一端,設定為「正面' 在此,針對基板W的上述端部R定義,參照下 進 行說明。 u八運 圖5所示係基板W之端部R的說明概略示意圖 所不’在基板W上,形成有上述抗反㈣ 圖示)及光阻覆蓋膜。 膜〔均未 基板W係具有端面,且端面若概略圖示便如圖 一般將該端面稱為「斜面邱 膜所形志^其k w 。卩」。此外,一般將沿光阻覆蓋 膜所^/成之基板w面外周的宫译“国 為「周緣部」。本實施形:中寬,度將=)的環狀區域’稱 稱為「端部R」。料部與周緣部统 上迷見度d係例如2〜3mm。 312XP/發明說明書(補件)/95· 10/95121854 38 1326392 重返圖4在基板w端部開始清洗處理時,端部清洗 .裝置210利用端部清洗褒置移動機構230移往基板W的端 部位置處。此外,待基板评之端部清洗處理結束時,端部 .清洗裝係利用端部清洗裝置移動機構23〇朝遠離基 - 板W端部R的方式進行移動。 端部清洗裝置210係内部具有空間(後述之清洗室 211>端部清洗裝置21〇係連接於清洗液供應管及排 籲氣管244。清洗液供應管241係經由閥242而連接於未圖 不清洗液供應系《藉由將閥242開啟,清洗液將通過清洗 液供應管241供應給端部清洗裝置21〇之内部空間。 再者,排氣管244係連接於排氣部245。排氣部245係 對端部清洗裝置210之内部空間環境進行抽吸,並經由排 氣管244進行排氣。 說明端部清洗裝置210的詳細内容。圖6所示係圖4之 端部清洗單元EC的端部清洗裝置21〇構造說明圖。圖6(a) φ所示係端部清洗裝置210的縱剖圖,圖6(b)所示係端部 清洗裝置210的正視圖。 如圖6(a)所示’在端部清洗裝置21〇的略圓筒形狀外 殼210a内部,係形成清洗室211。 再者,如圖6(a)及圖6(b)所示,在外殼21 〇a的正面側 形成有將清洗室211連通於外部的開口 212。開口 212係 依從中央部橫跨二側邊且上下寬度逐漸擴大的方式,具有 圓弧狀上面及下面。在基板W施行端部清洗處理時,將由 方疋轉失具201所吸附保持的基板W端部r插入於開口 212 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 39 丄以6392 中。 在β洗至211内將具有略圓筒形狀毛刷213配置呈朝鉛 直方向延伸。毛刷213係安裝於朝鉛直方向延伸的旋轉軸 .上。旋轉軸214上端與下端係可旋轉地安裝於在清洗 -室31上部與下部所形成的旋轉軸承上。藉此,毛刷213 利用清洗至211及旋轉轴214而可旋轉地支撐著。 在基板W施行端部清洗處理時,進行旋轉的基板w端部 R係與毛刷213相接觸。藉此,基板w端部R利用毛刷213 進行清洗。 其中,圖4所示之端部清洗單元Ec中,毛刷213所安 裝的紋轉軸214係配置呈略平行於旋轉夾具2〇1所固定的 方疋轉軸203。藉此,毛刷213可依確實接觸到旋轉基板w 端部R的狀態進行旋轉。藉此,在基板w端部R上所附著 的污染物質將剝離。 在端部清洗裝置210上部係連接著上述清洗液供應管 眷241及排氣管244。 清洗液供應管241係連接於外殼21〇a内所形成之清洗 液供應路241a、241b。如圖6(a)所示,清洗液供應路24U 係從外殼210a外部延伸至清洗室211上部内面。此外, ' π洗液供應路2 41 b係從外殼210 a外部延伸至清洗室211 --下:内面。圖6(a)中僅圖示部分的清洗液供應管241b。 藉此,當基板W施行端部清洗處理時,對端部清洗裝置 210所供應的清洗液係在清洗室211内朝向毛刷213所接 觸之基板W的端部R,從上下方向喷射出。#此,將效率 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 4〇 1326392 佳地施行基板w端部R的清洗。 排氣管244係通過外殼210a上部所設置的孔部並插入 至清洗室211内。藉此便如上述,利用圖4所示排氣部 245對清洗室211内的環境進行抽吸,並通過排氣管244 進行排氣。 /依此,清洗室211的内部環境將利用排氣部245進行排 乳,而將所揮發的清洗液及清洗液霧沫進行效率佳的排 氣。 上述供應給端部清洗裝置21〇並朝基板w端部R喷射出 的清洗液,係可使用既定之光阻溶劑、氟系藥液、氨一過 氧化氫水、及曝光裝置17中使用於浸潰法的液體之任一 種。 其他的清洗液係可使用諸如:純水、於純水溶解錯合物 (A離子化者)的液體或純水、碳酸水、氫水、電解離子水、 HFE(氫化氟醚)、氫氟酸、硫酸及硫酸過氧化氫水之任一 者。 (3-b)端部清洗單元之其他構造例 端部清洗單元EC亦可具有以下構造。目7所示係第j 實施形恕所使用之端部清洗單元Ec之其他構造例說明 圖。相關® 7所示之端部清洗單元EC,僅就與圖4所示 知。卩π洗單元EC相異處進行說明。 如圖7所示,在旋轉夹具2〇1外方設有馬達3〇1。馬達 301係連接著轉動轴3〇2。此外,轉動轴3〇2係依朝水平 方向延伸之方式連結著臂部3〇3,並在臂部3〇3前端設置 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 41 1326392 310係噴出由氣體與液體 二流體噴嘴310。該二流體喷嘴 所構成之混合流體。容後詳述。 另外’在臂部303的前端處,二流體喷嘴310 方疋轉夾具201所保持的基板w面呈傾斜安裝。 田基板W開始施行端部清洗處理時,係利用馬達 2軸3〇2旋轉且使臂部轉動。藉此,二流體噴嘴 310將朝旋轉夾具621所保持基板w端部r的斜
向移動。結果’二流體嘴嘴31G的混合流體喷出部 將與基板W端部R呈對向。 依通過馬達3(Π、轉動軸3〇2及臂部3〇3内部的方式机 置清洗液供應管33卜清洗液供應管331係-端連接於: 流體喷嘴31G ’而另—端則經由閥332連接於未圖示之清 洗液,應系統。藉由將閥332開啟’清洗液便通過清洗液 供應管33卜並供應給二流體噴嘴310。3外’本例中, 清洗液雖使用例如純水,但是亦可取代純水,改為使用諸 如既定之光阻溶劑、㈣魏、氨_過氧化氫水、曝光裝 置Π中使用於浸潰法中的液體、氫氟酸、硫酸及硫酸過 氧化氮水之任一者。 再者,二流體喷嘴31〇係與清洗液供應管331 一起連接 於氣體供應管341 —端。氣體供應管341的另一端經由閥 而連接於未圖示氣體供應系统。藉由將目㈣開啟, 將氣體供應給二流體噴嘴31〇。另外,本例中,供應給二 流體喷嘴310的氣體雖使用氮氣(Ν〇,但是亦可取代氮氣 (…),改用諸如氬氣或氦氣等其他的非活性氣體。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 42 !326392 在基板W施行端部清洗處理時,清洗液及氣體將供應給 二流體喷嘴310。藉此,從二流體喷嘴31 〇朝旋轉之基板 W端部R喷出混合流體。藉此,將基板w端部R施行清洗。 針對二流體噴嘴310内部構造之一例進行說明。圖8所 不係端部清洗處理所使用之二流體噴嘴31〇的内部構造 一例的縱剖圖。 圖8所示二流體喷嘴31〇係通稱「外部混合型」。圖8
所示外部混合型二流體喷嘴31〇係由内部本體部3ΐι及外 部本體部312構成。内部本體部311係由諸如石英等構 成,而外部本體部312則由諸如PTFE(聚四氟乙烯)等 樹脂構成。 沿内部本體部311中心軸形成純水導入部3Ub。純水 導入部3Ub中安裝著圖7所示之清洗液供應管331,。藉 此,從清洗液供應管331所供應的純水被導入於純水導二 部311 b中。 在内部本體部311下端形成連通於純水導入部3ub的 純水噴出口 31la。内部本體部311插入於外部本體部312 外’内部本體部311與外部本體部312的上端部係 祁互接合’但下端則未接合。 狀SI本體部311與外部本體部312之間,係形成圓筒 狀軋體通過部312b。在外部本體部312下 氣體通過部312b的氣體噴出σ 312a ^連通於 岡辟u “ 在外部本體部312 依連通於氣體通過部312b的方式,安裝荖圖7 所不之氣體供應管34卜藉此,從氣體供應管如所供應 312XP/胃 (補件)/95· 10/95121854 43 1326392 的氮氣(NO被導入於氣體通過部312匕中。 氣體通過部312b係在翁辦邊山 〇 仕軋體噴出口 312a附近呈# 方、直徑越小。結果,將氣名迓至越朝下 出口 312a°M·出。 攸乱股1 該二流體喷嘴310係將從純 ,N μ M φ 噴出口 31 la所喷出的純
_ 口 312a所噴出的氮氣(N 體喷嘴310下端附近的外部進行混合,而生成含有 微液滴的霧狀混合流體N。 a β 細 如上述,當基板W施行端_*卩、、主+ ν朝基板噴出,7:=處Γ’霧狀混合流體 清洗。 』藉此對基板W端部R的表面施行 另外’在圖7所示端部清啡留― ,1,月洗早70 EX中,亦可取代圖8 所示二流體喷嘴310,改為估田士 為使用在喷嘴本體内部進行混合 流體N生成的内部混合型-& 主一机體噴嘴310。針對-浠艚喰 嘴310内部構造的其他例進行說明。 了一抓體赁 圖9所示係端部清洗處理所使用之二流體喷嘴㈣的内 部構造其他例之縱剖圖。圖 ^ Γ ^ Α 圃9所不二流體喷嘴310係通稱 「内部混合型」。 τ ^ # 部混合型二流體喷嘴則係由氣體導入管 3及本體部334構成。本體部334係由諸如石英構成, 而氣體導入管333係由諸如打肫構成。 ,氣體導人s 333中形成從上端連通至下端的氣體導 ^加。此外’在氣體導入管哪上端安裝著圖7所 不氣體供應管341。蕻ιΜ·,μ > & 糟此從氣體供應管341所供應的Ν2 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 .. 44 1326392 氣體被導入於氣體導入部333a中。 本體部334係大徑的上部筒334a、推拔部334b、及小 徑的下部筒334c構成。 • 在上部筒334a的推拔部334b内形成混合室334d,並 . 在下部筒334c内形成直流部334e。在下部筒334c下端 將形成連通於直流部334e的混合流體喷出口 334f。 在本體部334的上部筒334a上,依連通於混合室334d 的方式,安裝著圖7所示清洗液供應管3 31。藉此,從清 籲洗液供應管331所供應的純水被導入於混合室334d中。 氣體導入管333下端部插入於本體部334之上部筒334a 的混合室3 3 4 d内。 圖9所示内部混合型二流體喷嘴310若從氣體導入部 333a供應經加壓的氮氣(N2),並從清洗液供應管331供應 純水,則在混合室334d中氮氣(N2)與純水進行混合,而 生成含有純水細微液滴的霧狀混合流體N。 φ 在混合室334d中所生成的混合流體N,係沿推拔部334b 通過直流部334e而被加速。經加速的混合流體N從混合 流體喷出口 334f朝基板W端部R喷出。藉此進行基板W 端部R的清洗。 _ (3-c)端部清洗單元之再另一構造例 端部清洗單元EC亦可更進一步具有以下構造。圖10所 '示係第1實施形態所使用之端部清洗單元EC之再另一構 造例的說明圖。相關圖10所示端部清洗單元EC,僅就與 圖7所示端部清洗單元EC的相異處進行說明。 312XP/發明說明書(補件)/95·10/95121854 45 I326392 如圖10所示,本例的端部清洗單元阢係在臂部扣3儿 端,取代二流體喷嘴31〇而改設超音波噴嘴41〇。。 别 另外,本例中,超音波喷嘴41〇亦相對於利用 201所保持的基板W面呈傾斜地安裝於臂部3〇3前端了 超曰波喷嘴410係連接於清洗液供應管gw。藉此, 同圖7所示例子,藉由將閥332開啟,清洗液經二洗 供應官331而供應給超音波噴嘴41 〇。另外,本例子 清洗液亦使用純水。 ^ ’ 在超音波喷嘴410内係内建有高頻振動元件41卜詨古 頻振動元件411係電耦接於高頻產生裝置42〇。 ^同 在基板W施行端部清洗處理時,純水從超音波喷 朝基板W端部R喷出。在此,當從超音波嘴嘴41〇 純水之際,從高頻產生裝置42〇對高頻振動 高頻電流。 供應 藉此,高頻振動元件411將產生超音波振動,並對 $音波喷嘴4H)内的純水施加配合高頻電流值的高頻輪 、‘果,呈超音波振動狀態的純水將朝基板w端部Κ噴 出’而將基板W端部R施行清洗。 (4)相關第1中央機器人 具有端部清洗單元Ec的端部清洗處理區塊9 中央機器人CR1動作進行說明。圖u所示係。 鳊。卩h洗處理區塊從-γ方向觀看到的圖示。 U所示,在第1中央機器人⑻的固M191上, 手。P支標台192搭載成可朝土Θ方向旋轉且可㈣方向 312XP/_說明書(補件)/95-10/95121854 46 1326392 升降手。(5支禮台192係經由旋轉軸193而連結於固定台 • 191内的馬達Ml ,俾利用該馬達Ml將手部支撐台192旋 轉在手。卩支揮台192可進退並上下地設置將基板^依水 •平姿態保持的2個手部CRH91,CRH92。 , 在基板載置部PASS81C參照圖1)上所載置的基板w,係 由第1中央機器人CR1下側的手部CRH92進行接收。然 後,第1中央機器人CR1使手部支撐台192進行旋轉,且 籲朝±z方向進行上升或下降,俾利用手部CRH92將基板w 搬入於端部清洗處理部9〇的端部清洗單元Ec中。藉此, 便利用端部清洗單元EC對未處理的基板w施行端部清洗 處理。 其-人,第1中央機器人CR1利用上側的手部cr{J9 1 ,從 端部清洗處理部90的端部清洗單元EC接收經端部清洗處 理完成的基板W。 接著,第1中央機器人CR1使手部支撐台192進行旋 籲轉,並朝±z方向進行上升或下降,俾利用手部1將 基板W搬入端部清洗後熱處理部9〇0的加熱單元Hp中。 藉此,利用加熱單元HP對基板W施行加熱處理。依此, 利用端部清洗將基板W上所附著的清洗液去除,並將基板 W乾燥。 然後’第1中央機器人CR1利用上侧的手部cRjjgi,從 端部清洗後熱處理部900的加熱單元Hp中,接收經加熱 處理完成的基板W。 ‘ 第1中央機器人CR1將從加熱單元Hp中所接收到的基 312XP/發明說明書(補件)/95·10/95121854 47 入::部清洗後熱處理部_的冷卻單元cp中。 \ ;便利用冷卻單元⑶對基板W施行冷卻處理。 然後,第1中央播哭人rD1 端1、、主、 B CR1利用上側的手部cRfl91,從 二==理部900的冷卻單元cp,接收經冷卻處 疋成的基板W。第]中水地这, m 、機器人CR1將該基板W載置於 側的基板載置部PASS1上。 (5 )相關清洗/乾燥處理單元 細=針對上述清洗/乾燥處理單元sd,使用圖式進行詳 (5~a)清洗/乾燥處理單元的構造 一::清洗/乾燥處理單元仙的構造進行說明。圖以所 不係*洗/乾燥處理單元SD的構造說明圖。 且不,清洗/乾燥處理單元sd係具備有旋轉夾 具621,其係將基板w 7欠单彳笨彡主 奶吉#“ 板评水千保持,且於通過基板W中心的 •口直疋轉軸之周圍使基板w進行旋轉。 >浐:夾、621係固疋於利用夾具旋轉驅動機構636而進 2轉的旋轉軸625上端。此外,在旋轉夹具621中係形 成吸乳通路(未圖示)’並依在旋轉夾具62 W的狀態,對吸氣通路内進行排氣,而將基板W下面^ 吸Π旋轉失具621上,則可將基板W依水平姿態保持: r ^疋轉夾具621外側設有第1馬達66G。第i馬達660 係連接於第1轉動軸661。此外 ^ 此外,第1轉動軸661依朝水 …J、申之方式連結者第1臂部662,並在第1臂部662 剷k设置清洗處理用喷嘴6 5 〇。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 48 臂部fifif ,1馬f66Q使第1轉動軸661旋轉,並轉動第1 伴_ /而清洗處理用噴嘴65G朝利用旋轉夾具621所 保持的基板W上方移動。
依通過第1馬達_、第i轉動軸661及第i臂部呢 ^ ^式設置清洗處理用供應管663。清洗處理用供應 糸左由閥Va及閥vb,連接於清洗液供應源R1及 '^液供應源R2 °藉由控制該㈤Va、Vb的開閉,可進行 十π洗處理用供應管663所供應處理液的選擇及供應量 調整。在_ 12所示構造中,藉由將@ Va f歼1啟,可對清洗 處理用供應管663供應清洗液,ϋ由將閥Vb開啟,可對 清洗處理用供應管663供應沖洗液。 清洗處理用噴嘴650中,清洗液或沖洗液係通過清洗處 理用供應管663,而由清洗液供應源R1或沖洗液供應源 R2進行供應。藉此,可對基板w表面供應清洗液或沖洗 液。/月洗液係可使用諸如純水、在純水中溶解有錯合物(經 離子化者)的液體、或氟系藥液等。沖洗液係可使用諸如: 純水、碳酸水、氫水及電解離子水、HFE(氫化氟醚)等任 —種。 在旋轉夾具621外側設有第2馬達671。第2馬達671 ·:連接於第2轉動軸672。此外’第2轉動軸672依朝水平 : 方向延伸之方式連結著第2臂部673,並在第2臂部673 前端設置乾燥處理用喷嘴670。 利用第2馬達671使第2轉動軸672旋轉,並轉動第2 臂部673 ’而乾燥處理用喷嘴670係朝利用旋轉夹具621 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 49 保持的基板W上方移動β 内邛的:工2馬達671、第2轉動軸672及第2臂部673 應管674 ^ 設置乾燥處理用供應管674。乾燥處理用供 :抑Μ # pt二由閥VC而連接於非活性氣體供應源R3。藉 所:“ VC的開閉,可調整對乾燥處理用供應管674 所供應之非活性氣體的供應量。 處理时嘴㈣中,非活性氣體係通過乾燥處理 二二s 674並從非活性氣體供應源R3進行供應。藉此, =土板W表面供應非活性氣體。非活性氣體係可使 如鼠氣(N〇。 當對基板W表面供應清洗液或沖洗液之際,清洗處理用 噴嘴650係位於基板上彳,而當對基板?表面供應非活性 氣體之際’清洗處理用噴嘴650則退避至既定位置處。 再者^對基板^表面供應清洗液或沖洗液之際,乾燥 處理用喷嘴670將退避至既定位置處,而當對基板w表面 #供應非活性氣體之際,乾燥處理用喷嘴67〇則位於基板w 上方。 由旋轉夾具621所保持的基板W係收容於處理杯623 内。在處理杯623内側設有筒狀隔間壁633。此外,依包 圍旋轉夹具621周圍的方式形成用於將基板w處理時所使 用之處理液(清洗液或沖洗液)進行排液的排液空間6 w。 且’依包圍排液空間631的方式,在處理杯623與隔間壁 633之間,形成用於將基板W處理時所使用之處理液進行 回收用的回收液空間632。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 50 1326392 排液空間631係連接於用於將處理液導引至排液處理 裝置(未圖示)中的排液管634,而回收液空間632係連接 於用於將處理液導引至回收處理裝置(未圖示)中的回收 • 管 635。 在處理杯623上方設有防止處理液從基板w中飛濺於外 侧的護具624。該護具624係相對於旋轉軸625呈旋轉對 稱形狀。在護具624上端部内面係環狀地形成截面〈字狀 的排液導引溝641。 ®再者’在護具624下端部内®,係形成由朝外側下方傾 斜的傾斜面所構成之回收液導引部642。在回收液導引部 642的上端附近,係形成用於接受處理杯623之隔 的隔間壁收納溝643。 土 在該護具624中設有由滾珠螺桿機構等所構成之護具 升降驅動機構(未圖示)。護具升降驅動機構係使護呈624 在回收液導引部642與由旋轉夾具621所保持之基板#外 鲁周端部呈相對向的回收位置處、以及排液導引溝641與由 旋轉夾具621所保持之基板w外周端部呈相對向的排液位 置之間進行上下移動。當護具624位於回收位置(圖12中 所示護具位置)時,將從基板w中朝外侧飛濺的處理液, 利用回收液導引部642導引於回收液空間632中,並通過 :回收管635進行回收。另一方面,當護具624位於排液位 置時,將從基板W中朝外邊飛濺的處理液,利用排液導引 溝641導引於排液空間631中,並通過排液管634而進行 排液。藉由以上構造,而進行處理液的排液及回收。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 51 1326392 (5-b)清洗/乾燥處理單元之動作 其次’針對具上述構造的清洗/乾燥處理單元SI)之處理 動作進行說明。另外,以下所說明的清洗/乾燥處理單元 SD之各構成要件的動作,係利用圖1所示之主控制器(控 . 制部)81進行控制。 首先’當基板W搬入時,護具624下降,且圖1之介面 用搬送機構IFR將基板W載置於旋轉夾具621上。在旋轉 夾具621上所載置的基板W係利用旋轉夾具621吸附保 •持。 其次’護具624移動至上述廢液位置處,且清洗處理用 喷嘴650移動至基板w中心部上方《然後,旋轉軸625進 行旋轉,隨此旋轉,由旋轉夾具621所保持的基板ψ亦將 進行旋轉。然後,從清洗處理用喷嘴650中將清洗液喷出 於基板W上面。藉此而進行基板w的清洗。 另外,在清洗/乾燥處理部80a中,於清洗時,基板w 鲁上的光阻覆蓋膜成分將溶出於清洗液中。此外,在基板w 的清洗中,於使基板W進行旋轉的情況下,對基板w上供 應清洗液。此情況下’基板W上的清洗液將利用離心力而 經吊地朝基板w周緣部移動並飛錢。所以,可防止溶出於 清洗液中的光阻覆蓋膜成分殘留於基板W上。另外,上述 : 光阻覆蓋膜成分亦可例如在基板W上裝盛純水,並藉由保 持一定時間而使其溶出。此外,對基板w上的清洗液供 應’亦可利用使用圖8所示之二流體喷嘴的軟性喷霧方式 時實施。 312XP/發明說明書(補件)/95_10/95121854 52 1326392 經既定時間後’停止清洗液的供應,並從清洗處理用噴 嘴650中喷出沖洗液。藉此,將基板w上的清洗液沖洗掉。 再經既定時間後,降低旋轉軸625的旋轉速度。藉此, 將減少因基板W旋轉而甩掉的沖洗液量,而如圖13(&)所 示,在基板W表面整體形成沖洗液液層l。另外,亦可停 止旋轉軸625的旋轉而在基板w表面整體形成液層 其次,停止沖洗液的供應,清洗處理用噴嘴65〇退避至 既定位置處,且乾燥處理用喷嘴67〇移動至基板w中心部 上方。然後,從乾燥處理用噴嘴670中喷出非活性氣體。 藉此,則如圖13(b)所示,基板W中心部的沖洗液將朝基 板W周緣部移動,形成僅有基板w周緣部存在液層[的狀 態。 其次’增加旋轉軸6 2 5 (參照圖12)旋轉數,且如圖13 (c) 所示,將乾燥處理用喷嘴670從基板W中心部上方徐緩地 移往周緣部上方。藉此,對基板W上的液層L作用較大的 離心力,且可對基板w表面整體吹附非活性氣體,因而可 確貫去除基板W上的液層L。結果,可確實將基板w施行 乾燥。 其次’停止非活性氣體的供應,乾燥處理喷嘴670退避 至既定位置處,且停止旋轉軸625的旋轉。然後,護具 624下降’且圖1所示之介面用搬送機構IFR將基板W從 清洗/乾燥處理單元SD中搬出。藉此,便完成清洗/乾燥 處理單元SD的處理動作。另外,清洗及乾燥處理中的護 具624位置’最好配合處理液的回收或廢液的必要性而進 312XP/發明說明書(補件)/95巧〇/95⑵854 53 1326392 行適當變更。 另外’在上述實施形態中’係採用依能從清洗液處理用 喷嘴650中供應清洗液或沖洗液中任一種的方式,而清洗 • 液供應及沖洗液供應均共用清洗液處理用喷嘴650的構 • 造,但是清洗液供應用喷嘴與沖洗液供應用喷嘴亦可採用 個別分開的構造。 再者,當供應沖洗液時’為使沖洗液不致迂迴入基板w 者面中,亦可對基板W背面從未圖示之背面沖洗用噴嘴中 供應純水。 再者,當對基板W施行清洗的清洗液係使用純水時,則 不需進行沖洗液供應。 再者,上述實施形態中,雖利用旋轉乾燥方法對基板w 施^乾燥處理,但是亦可利用減壓乾燥方法、氣刀乾燥方 法等其他乾燥方法,對基板W施行乾燥處理。 再者,上述實施形態中,在形成沖洗液液層L的狀態 籲下,係構成為從乾燥處理用噴嘴67〇中供應非活性氣體, 但是當未形成沖洗液液層L的情況、或未使用沖洗液的情 況,亦可使基板W旋轉並暫時將清洗液液層甩乾之後,再 馬上從乾燥處理用㈣670中供應非活性氣體,而使基板 -:w完全乾燥。 :相關介面區塊之介面用搬送機構 針對介面用搬送機構IFR進行說明。圖14所示係介面 用搬送機構IFR的構造及動作之說明圖。 首先’針對介面用搬送機構IFR的構造進行說明。如圖 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 54 軸二不,介面用搬送機構⑽的可動台181係螺合於螺 么==。螺轴182係依朝χ方向延伸之方式,利用支標 M2,利用^轉地支標著。在螺轴182其中一端部設有馬達 :该馬達Μ2將螺轴182旋轉’俾使可動台ΐ8ι朝一+ 八万向進行水平移動。 方L者鐘在可動台Μ1上’將手部支撐台184依可朝“ 3 =且可朝±2方向進行升降的方式進行搭載。手部 支標:184係經由旋轉轴185連結於可動台ΐ8ι内的馬達 J用該馬達Μ3使手部支稽台184旋轉。在手部支揮 2口個丰:可進退並上下地設有將基板W依水平姿態保持的 Z個手部HI、H2。 IFR之動作進行說明。介面 用圖1所示主控制器(控制 其次’針對介面用搬送機構 用搬送機構IFR的動作係利 部)81進行控制。 首先,介面用搬送機構IFR係在圖14所示位置a處, 使手部支樓台184進行旋轉,且朝+z方向上升,並使上 進入至基板載置部⑽15中。若在基板載置部
由手部H1接收基板w,則介面用搬送機構IFR 使手部H1從基板載置部_15後退並使手部支標台 184朝-Z方向下降。 σ 其次,介面用搬送機構IFR朝^方向移動,並在位置β 處使手部支#台184_,且使手部H1進人曝域置ΐ7 的基板搬人部17a(參照圖1)中。在將基板W搬人於基板 搬入部17a之後,介面用搬送機構⑽使手部hi從基板 312XP/發明說明書(補件)/95-1 〇/95121854 55 1326392 搬入部17a後退。 其次,介面用搬送機構IFR使下側的手部進入曝光 裝置17的基板搬出部17b(參照圖丨)中。若基板搬出部 17 b中手Η 2接收經曝光處理後的基板ψ,則介面用搬送 •機構1FR使手部Η2從基板搬出部nb後退。 然後,介面用搬送機構IFR朝+x方向移動,並在位置A 處,手部支撐台184旋轉,並使手部H2進入清洗/乾燥處 理單元SD中,而將基板w搬入清洗/乾燥處理單元SD中。 藉此,利用清洗/乾燥處理單元SD對經曝光處理後的基板 W施行清洗及乾燥處理。 接著,介面用搬送機構IFR使上側的手部H1進入清洗/ 乾燥處理單元SD中,並從清洗/乾燥處理單元SD中接收 經清洗及乾燥處理後的基板w。介面用搬送機構IFR將該 基板w載置於上侧的基板載置部pass16。 另外,如上述,當曝光裝置17無法接收基板w的情況 φ時,基板W係暫時收納保管於搬送緩衝部SBF中。此外, 當在清洗/乾燥處理單元SD中暫時無法施行清洗及乾燥 處理的情況時,曝光處理後的基板#係暫時收納保管於介 面區塊15的返回緩衝部rbf中。 、·本實施形態中’利用1台介面用搬送機構IFR,進行從 -基板載置部PASS15搬往曝光裝置17的搬送、從曝光裝置 17搬往清洗/乾燥處理單元汕的搬送但是亦可使用複 數之介面用搬送機構IFR進行基板#的搬送。 (7)第1實施形態的效果 312XP/發明說明書(補件)/95_ 1 〇/95121854 56 ijzojyz (7 - a)端部清洗處理的效果 如上述,本實施形態的基板處理裝置 洗處理區塊9的端部清洗處理 1^月 元此清洗曝光處理前的基板;;端部清洗單 處理前的基= 1 ητ有I π染物質去除。社果, 可防正因基板以部㈣污染所造成之曝先裝置内遭。受果污 染,俾可防止發生曝光圖案尺寸不良及形狀不良等狀況。 (7-b)相關端部清洗處理時序的效果 端部清洗處理區塊9係鄰接基^所搬人的索引器區塊 8而設置’端部清洗處理區塊9的基板界端部清洗處理係 較其他區塊的其他處理更早實施。 藉此,可防止在各區塊間用於進行基板ψ搬送的第卜 第8中央機器人CR1〜CR8、及介面用搬送機構IFR之手部 IRH1〜14、HI、H2上’轉寫基板W端部R的污染物質。 藉此,可在杬反射膜用處理區塊1〇、光阻膜用處理區 塊11、顯影處理區塊12、光阻覆蓋膜用處理區塊13、光 阻覆蓋膜去除區塊14及清洗/乾燥處理區塊丨5中,潔淨 地進行基板W處理。 再者,因為基板W端部R係保持潔淨,因而可充分防止 因基板W端部R污染所造成的基板w之處理不良。 (7-c)端部清洗處理區塊之效果 含有端部清洗單元EC的端部清洗處理區塊9,係配置 於其他區塊間(索引器區塊8與抗反射膜用處理區塊1〇之 間)。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 57 1326392 如此,因為本實施形態的基板處理裝置5〇 〇,具有在現 有基板處理裝置上追加端部清洗處理區塊9的構造,因而 可降低成本,且防止因曝光處理前的基板w端部污染所造 • 成之曝光裝置内遭受污染狀況。 • (7_d)相關第1中央機器人手部的效果 在端部清洗處理區塊9中,當從基板載置部pASS81中 將未處理基板W搬往端部清洗處理部9〇之際,係使用第 1中央機器人CR1訂側手部CRH92,而當從端部清洗處 理部90中將經端部清洗處理完成的基板w搬往端部清洗 後熱處理部900、901之際,以及當從端部清洗後熱處理 I5 900 901中,將未處理基板w搬往基板載置部passi 之際係使用第1中央機器人CR1的上側手部CRH91。 換言之,對端部R已清洗的基板w搬送係使用手部 CRH91,而對端部R尚未清洗的基板w搬送則使用手 CRH92 。 ° • 此情況下,在端部清洗處理區塊9中,可防止基板w端 部R所附著的污染物質附著於手部CRH91的狀況發生。此 外,因為手部CRH92設置於較手部CRH91更靠下方處因 此即使從手部CRH92、及其所保持的基板w端部R掉落污 :染物質,仍可防止污染物質附著於手部CRH91及其所保 的基板W上。 μ ' 糟此,可確實防止污染物質附著於曝光處理前的基板W 上。結果,可確實防止曝光處理前的基板w遭受污染。 (7-e)使用毛刷施行端部清洗處理的效果 312XP/發明說明書(補件)/95·! 〇/95! 2 j 854 58 1326392 在端部清洗單元EC中,當如圖4及圖6心,使用毛 刷213施打基板W端部清洗處理的情況時,因為基板⑼端 部R直接接觸毛刷213,因此可將基板w端部㈣污染物 質進行物理性剝離。藉此’可確實將端部R上牢 污染物質去除。 α-f)使用二流體噴嘴施行端部清洗處理的效果
當在端部清洗單元EC中,如圖7〜圖9所示,使用二流 體喷嘴310施行基板W端部清洗處理時,氣體與液體的^ 合流體請朝基板W端部R噴出,並將基板w端部r清洗。 依此,可藉由使用混合流體N而獲得高清洗效果。 再者’藉由氣體與液體的混合流體N朝基板w端部只喷 出,而依非接觸式對基板W端部!^施行清洗,因此可防止 清洗時對基板W端部以成損傷。此外,藉由控制混合流 體N噴出壓、與混合流體N中的氣體與液體比率,便可輕 易控制基板W端部R的清洗條件。 再者,根據二流體喷嘴31〇,可將均勻混合之流體㈣月 土板W端部R噴出,因而不致發生清洗不均。 (7 - g )使用超音波喷嘴施行端部清洗處理的效果 當在端部清洗單元EC中,如圖1〇所示,使用超音波喷 嘴410施行基板w端部清洗處理時,將對在超音波喷嘴 41^内流通的純水施加因應高頻電流值的高頻輸出。、 藉此,主超音波振動狀態的純水將朝基板w端部κ喷 出,並將基板W端部R施行清洗。此情況下, 施 加的高頻輸出可賴基板丨㈣及清洗條件進 3_發明說明書(補件)/95-10/95121854 59 1326392 可變控制。
V (7 h)曝光處理後的基板之清洗處理效果 在曝光裝置17中對基板W施行曝光處理之後,在清洗/ •乾燥處理區塊15的清洗/乾燥處理部8Q中施行基板界的 '清洗處理。此情況下,即使在曝光處理時已附著液體的基 板W上,附著了環境中的塵埃等,仍可將該附著物去除。 藉此’可防止基板W遭受污染。 再者,在清洗/乾燥處理部80中,係施行經曝光處理後 的基板W之乾燥處理。藉此,可防止在曝光處理時附著於 基板W上的液體掉落於基板處理裝置5〇〇内。結果,可防 止基板處理裝置500出現電氣系統異常等動作不良。 再者,藉由對經曝光處理後的基板w施行乾燥處理,可 防止在經曝光處理後的基板#上附著環境中的塵埃等,因 而可防止基板W遭受污染。 再者,由於可防止將附著有液體的基板w搬往基板處理 鲁裝置500内,因而可防止在曝光處理時,基板说上所附著 的液體對基板處理裝置500内的環境造成影響。藉此可輕 易地進行基板處理裝置500内的溫濕度調整。 再者,因為可防止在曝光處理時附著於基板#上的液體 -附著於索引器機器人^及第卜第8令央機器人cln〜CR8 :上,故可防止液體附著於曝光處理前的基板。藉此, 可防止曝光處理前的基板w上附著環境中的塵埃等狀 況,故防止基板W遭受污染。結果,可防止曝光處理時的 解像性能劣化,且可確實防止曝光裝置丨7内遭受污染。 312XP/發明說明書(補件)/95_1〇/95121854 60 1326392 . 該等結果可確實防止基板W發生處理不良。 另外,用於施行曝光處理後的基板评乾燥處理之構造, 並不僅侷限於圖丨所示之基板處理裝置5〇〇的例子。亦可 .取代在光阻覆蓋膜去除區塊14與介面區塊16之間設置清 •洗/乾燥處理區塊15,改為在介面區塊16内設置清洗/乾 燥處理部80,並對經曝光處理後的基板“行乾燥處理。 (7-i)曝光處理後的基板乾燥處理效果 在清洗/乾燥處理單元SD中,藉由於使基板w進行旋轉 的情況下,將非活性氣體從基板w十心部朝周緣部吹附, 而施行基板w的乾燥處理。此情況下,可確實將基板w上 的清洗液及沖洗液去除,因而可確實防止在清洗後的基板 w上附著環境中的塵埃等狀況。藉此,可確實防止基板w 遭受污染,且可防止在基板w表面上發生乾燥不均的狀 況。 (7_j)清洗/乾燥處理區塊的效果 • 因為本實施形態的基板處理裝置500具有在現有基板 處理裝置上追加清洗/乾燥處理區塊15的構造,故屬低成 本’且可防止基板W之處理不良狀況。 (7-k)相關介面用搬送機構的手部效果 • 在介面區塊16中,當從基板載置部PASS15將曝光處理 〔前的基板w,搬往曝光裝置17的基板搬入部17a之際, 以及從清洗/乾燥處理單元SD將經清洗及乾燥處理後的 基板W’搬往基板載置部PASS16之際,係使用介面用搬 送機構IFR的手部H1,而當從曝光裝置17的基板搬入部 312XP/發明說明書(補件)/95·10/95121854 61 1326392 17b,將經曝光處理後的基板W搬往清洗/乾燥處理單元 SD之際,係使用介面用搬送機構的手部H2。 換言之’在未附著液體的基板W搬送時係使用手部扪, ’ 而在附著液體的基板W搬送時則使用手部jj2。 * 此情況下,因為可防止在曝光處理時附著於基板W上的 液體附著於手部H1上,故可防止液體附著於曝光處理前 的基板w上。此外,因為手部H2係設置於較手部H1更靠 下方處,故即使從手部H2及其所保持的基板评上掉落液 體,仍可防止手部H1及其所保持的基板w上發生液體附 著。藉此可確實防止在曝光處理前的基板W上附著液體。 結果可確實防止曝光處理前的基板w遭受污染。 (7_1)光阻覆蓋膜之塗佈處理效果 在曝光裝置17中,於對基板w施行曝光處理之前,係 在光阻覆蓋膜用處理區塊13中,於光阻膜上形成光阻覆 蓋膜。此情況下,即使在曝光裝置17基板w接觸到液體, 籲仍可藉由光阻覆蓋膜而防止光阻膜接觸到液體,故可防止 光阻成分溶出於液體中。 O-m)光阻覆蓋膜之去除處理效果 在顯影處理區塊12中,於對基板w施行顯影處理前, 二係在光阻覆蓋膜去除區塊14中進行光阻覆蓋膜的去除處 :理。此情況下’將可在顯影處理前確實將光阻覆蓋膜去 除,因而將可確實進行顯影處理。 (7-n)清洗/乾燥處理單元的效果 如上述,在清洗/乾燥處理單元SD中,藉由在使基板w 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 62 ^26392 2㈣的情況下’將非活減體從基板w _ 部吹附,而施行農杯w & #陆+ n m 液及沖洗液去I @乾燥處理,因而可確實地將清洗 糟此’在基板清洗/乾燥處理部㈣搬往顯影處理部 =之間,料確實防止光阻成分或絲覆蓋膜成分溶出 :土 上所殘留的清洗液及沖洗液中。藉此可防止光阻
:士所形成之曝光圖案發生變形。結果,可確實防止在顯 影處理時發生線寬精度的降低。 “、 (7-〇)相關機器人手部的效果 在第2~第6中央機器人CR2~CR6及索引器機器人 中,於曝光處理前的基板贤搬送時係使用上侧的手部而 在經,光處理後的基板w搬送時則使用下側的手部。藉此 可確貫防止在曝光處理前的基板w上附著液體。 (7-P)相關光阻臈用塗佈處理部的效果 本例中,在端部R經清洗過的曝光處理前之基板w上, 鲁利用光阻膜用塗佈處理部4〇形成光阻膜。 藉此,當在基板W上形成光阻膜之際,因為可將基板w ^部R上所附著的污染物質去除,因而可防止因基板W端 部R的污染而發生之光阻膜形成不良狀況,可防止曝光圖 1案尺寸不良及形狀不良等狀況的發生。 山再者,因為在單一個基板處理裝置500内,施行基板w 端部R的清洗,且在基板w上形成光阻膜,因而可降低佔 有面積。 (8)第1實施形態的基板處理裝置變化例及其效果 312XP/發明說明書(補件)/95·1()/95121854 63 1326392 (8-a)相關曝光處理前的基板清洗處理 第1實施形態的基板處理裝置500亦可在曝光處理前係 施行基板W的清洗處理。此情況下,例如在清洗/乾燥處 理區塊15的清洗/乾燥處理部8〇中,進行曝光處理前的 基板W清洗及乾燥處理。藉此可將曝光處理前的基板W上 所附著之塵埃等去除。結果,可防止曝光裝置17内遭受 污染。 再者,在清洗/乾燥處理部8〇中,於基板w清洗處理後 係施行基板W的乾燥處理^藉此,因為在清洗處理時將基 板w上所附著之清洗液或沖洗液去除,因而可防止在經清 洗處理後的基板W上再度附著環境中的塵埃等。結果,可 球實防止曝光展置17内遭受污染。 再者,在光阻覆蓋膜形成後,且在曝光裝置17中對基 板W施行曝光處理之前,係在清洗/乾燥處理部8〇中施行 基板化的,月洗處理。此時,基板所形成之光阻覆蓋膜 成分的其中-部分將溶出於清洗液中。藉此即使在曝光 裝置17中基板w接觸到液體,仍可防止光阻覆蓋膜成分 溶出於液體中。 、 結果將可確實防止曝光裝置17内遭受污染且防止在 基板W表面上殘留光阻膜及光阻覆蓋膜成分。藉此可確實 防止基板W處理之不良狀況。 另外,曝光處理前的基板W清洗及乾燥處理,係利用在 介面區塊16内所⑨置的清洗/乾燥處理部8()實施。 (8-b)相關光阻覆蓋膜用處理區塊 312XP/發明說明書(補件)/95·1〇/95丨2丨854 設;光:Ϊ前進行基板W清洗處理的情況時,亦可未 前進行其=用處理區塊13。此情況下,在曝光處理 處理時洗/乾燥處理部80中,於清洗 此,= 的其中一部分將溶出於清洗液中。, 光阻成分、容^裝置17中光阻膜接觸到液體,仍可防止 污染。刀-出於液體中。結果可防止曝光裝置17内遭受 不=置=置光阻覆蓋膜用處理區塊13的情況時, 、口又置先阻覆蓋膜去除區塊14。 理裝置500的佔有面積。 戶斤以,可減少基板處 (8 ' C )相關基板處理裝置具有防水功能的情況 去當基板處理裝置5GG具有充分防水功能的情況時,亦可 二f凊洗’乾燥處理部80。此情況下,可減少基板處理 ^置500之佔有面積。此外’因為在曝光處理後可省略將 基板w搬往清洗/乾燥處理部8G,因而提升基μ的生產 性0 (8-d)相關其他配置例 上述實施形態中,光阻覆蓋膜去除區塊14係包括有2 個光阻覆蓋膜去除用處理部7〇a、7〇b,但是光阻覆蓋膜 去除區塊14亦可取代2個光阻覆蓋膜去除用處理部7〇心 70b中之者,改為含有對基板W施行熱處理的熱處理 部。此情況下,將可對複數基板w效率佳地施行熱處理, 因而將提升產能。 (8-e)相關清洗/乾燥處理單元的其他例 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 65 置、、主=2所示清洗/乾燥處理單a仰中,雖分開個 如if料650與錢處理时嘴㈣,但是亦;Γ ㈣設成::ΤΓ處理用喷嘴650與乾燥處理用喷嘴 燥處理時二此在基板w施行清洗處理時或乾 乾燥處理用嘴使清洗處理用喷嘴650與 化。 、嘴670進仃移動,因而可將驅動機構單純 ^者^可取代圖12所示乾燥處理用喷嘴㈣,改為 口圖16所示乾燥處理用噴嘴77〇。 且面戶LI乾燥處理用嘴嘴770係具有朝錯直下方延伸 朝斜下方延伸的支流管771、772。在乾燥 、嘴770下端及支流管川、772下端,形成喷出 770a' 770b' ^ ^ 及斜 77化分別如圖16中箭頭所示,朝鉛直下方 中出非活性氣體。即’在乾燥處理用喷嘴77〇 中依擴大朝下方切㈣的方式喷出非活性氣體。 此1使用乾燥處理㈣嘴770的情 =理單元別係依照以下所說明動作施行基板 處理圖吏用乾燥處理用喷嘴770時的基板-燥 '依…、圖13所說明方法在基板w表面上形成液層 至如y?(a)所示,將乾燥處理用噴嘴770移動 主暴板W中心部上方。钟w么JlL ^ ιβ ^ 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 二、、後,伙乾燥處理用噴嘴770中噴 66 1326392 出非活性氣體。藉此如圖1 7(b)所示,基板w中心部的沖 洗液移動至基板W周緣部,而形成僅有基板ψ周緣部存在 液層L的狀態。另外,此時,為了能使基板w中心部所存 在的沖洗液確實移動,乾燥處理用喷嘴77〇係靠近基板w 表面。 其次,使旋轉軸625(參照 .-…W双丄7Γ,且如圖 17(c)所示,使乾燥處理用喷嘴77〇朝上方移動。藉此, 將對基板W上的液層L作用較大的離心力,且擴大:板w 上的非活性氣體吹附範圍。結果,可確實將基板w上的液 層L去除。另外,乾燥處理用嘴嘴77〇係利用圖12所示 第2轉動軸672中設置的轉動軸升降機構(未圖示),使第 2轉動軸672進行上下升降,*使其進行上下移動。 再者,亦可取代乾燥處理用噴嘴77〇,改用如圖Μ 示之乾燥處理料嘴87G。s 18所示之錢處理用 870係具有朝下方逐漸擴大直徑的喷出口 87Qa。從該 口 870a係如圖18中箭頭所示,朝錯直下方及斜下方嘴 非活性氣體。即,在錢處理料嘴87Q巾,如 所示乾燥處理用噴嘴770,仿妹4* ά 16 a山,、 賃货依擴大朝下方吹附範圍的方十 喷出非活性氣體。所以,當使 x 況時、使用乾燥處理用喷嘴處;用噴嘴87°的情 方法施行基板W的乾燥處理。 依…、相同 亦可取代圖12所示清洗/乾燥處理單元S 用圖19所示之清洗/乾燥處理單元SDa。 圖19所示清洗/乾燥處理單元咖不同於圖^所示之 312XP/發明翻書(補件)/95‘1〇/95121854 67 1326392 清洗/乾燥處理單元SD之處,係如了述。 在圖19所示清洗/乾燥處理單元SDa中,係於旋轉夾具 621上方設置中心部具有開口的圓板狀阻隔板682。從臂 部688前端附近起朝鉛直下方向設置支撐轴689,在該支 •撐軸689下端,將阻隔板682安裝成與旋轉夾具621所保 持之基板W上面呈相對向。 在支撐軸689内部插通著連通於阻隔板682開口的氣體 _供應路690。對氣體供應路69〇供應例如氮氣(N2)。 臂部688係連接著阻隔板升降驅動機構697及阻隔板旋 轉驅動機構698。阻隔板升降驅動機構697係將阻隔板682 在靠近由旋轉夾具621所保持之基板w上面的位置、以及 朝上方退離旋轉夾具621的位置之間進行上下移動。 在圖19所示清洗/乾燥處理單元SDa中,當基板w施行 乾燥處理時’係如圖20所示,在使阻隔板682靠近基板 W的狀態下,從氣體供應路690對基板w與阻隔板682間 鲁的間隙供應非活性氣體。此情況下,因為可從基板w中心 部朝周緣部效率佳地供應非活性氣體,因而可確實將基板 W上的液層l去除。 Β·第2實施形態 -· 第2實施形態的基板處理裝置’不同於第1實施形態的 ' 基板處理裝置500之處,係如下述。 U)基板處理裝置之構造 圖21所示係第2實施形態的基板處理裝置示意俯視 圖。如圖21所示’本實施形態的基板處理裝置5qq中, 312ΧΙ>/發明說明書(補件)/95-10/95121854 68 1326392 並未设置第1實施形態的基板處理裝置500之端部清洗處 理區塊9°所以,索引器區塊8與抗反射膜用處理區塊10 係相鄰接設置。 ’ 藉此’在索引器區塊8與抗反射膜用處理區塊1〇之間 .5又置環丨兄阻隔用隔壁20。在該隔壁20中,上下相靠近地 設置用於在索引器區塊9與抗反射膜用處理區塊之間 進行基板w收授的基板載置部PASS1、PASS2。上側的基 鲁板載置部PASS1係使用於將基板w從索引器區塊8搬往抗 反射膜用處理區塊1 〇的時候,而下側的基板載置部pASS2 係使用於將基板W從抗反射膜用處理區塊丨〇搬往索引器 區塊8的時候。 圖22所示係從+X方向觀看圖21所示基板處理裝置5〇〇 日令的侧視圖’圖23所示係從-X方向觀看圖21所示基板 處理裝置500時的側視圖。 如上述’本實施形態的基板處理裝置5〇0,係將索引器 籲區塊8與抗反射膜用處理區塊10相鄰接設置。 再者,如圖23所示’本實施形態的基板處理裝置, 係在清洗/乾燥處理區塊15的清洗/乾燥處理部8〇(參照 圖21)中,依序積層配置著1個端部清洗單元Ec、及2個 清洗/乾燥處理單元SD。 (2)基板處理裝置之動作 其次’針對本實施形態的基板處理裝置5〇〇動作,就不 同於第1實施形態的基板處理裝置500之處,參照圖2卜 圖23進行說明。 3I2XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 69 1326392 如同第1實施形態’在索引器區塊8的載具載置台82 上,搬入多層收納複數片基板w的載 口 =上,RH1取出載具c内所收納 Θ方索引裔機盗人以朝以方向進行移動,並朝土 ㈣,而絲處理餘W基板載置 土板載置部PASS1上所載置的未處理基板w,係利用 抗反射膜用處理區塊10的第2中央機器人CR2進行接 =第2中央機益人CR2將該基板w搬入抗反射膜用塗佈 处理部3〇中。而利用該抗反射膜用塗佈處理部30對基板 W所施行的處理,係如同第1實施形態。 …、:後第2中央機器人CR2從抗反射膜用塗佈處理部 30中,將經塗佈處理過的基板w取出,並將該基板⑺搬 入抗反射膜用熱處理部1〇〇、1〇1中。 接著’第2中央機器人CR2從抗反射膜用熱處理部丨〇〇、 鲁101中,將經熱處理過的基板#取出,並將該基板▽載置 於基板載置部PASS3上。 然後,基板w係如同第!實施形態,利用第3〜第6中 央機器人CR3〜CR6搬往基板載置部PASS11。 二 在基板載置部PASS11上所載置的基板w,係利用清洗/ :乾燥處理區塊15的第7中央機器人CR7進行接收。 其中,本實施形態中,在利用曝光裝置17施行曝光處 理前,對基板W施行後述端部清洗處理。第7中央機器人 CR7將所接受到的基板W搬往清洗/乾燥處理部8〇的端部 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 70 1326392 清洗單兀EC中。對經搬入端部清洗單元EC内的基板w施 行端部清洗處理。 其次,第7中央機器人CR7從端部清洗單元Ec中,將 .經端部清洗處理完成的基板W取出,並將該基板w載置於 基板載置部PASS13上。 在基板載置部PASS13上所載置的基板w’將利用介面 區塊16的第8中央機器人CR8進行接收。 第8中央機器人CR8係如同第1實施形態,將該基板w 搬入邊緣曝光部EEW中,並從邊緣曝光部EEW中將經邊緣 曝光處理完成的基板W取出,再將該基板w載置於基板載 置部PASS15上。 在基板載置部PASS15上所載置的基板w ,係利用介面 用搬送機構IFR搬入於曝光裝置17的基板搬入部17a(參 照圖21)中。 在曝光裝置17中,對基板w施行曝光處理後,介面用 籲搬送機構IFR將基板W從曝光裝置17的曝光裝置nb(參 照圖21)中取出,並搬入於清洗/乾燥處理區塊15的清洗 /乾燥處理部8〇中。在清洗/乾燥處理部80的清洗/乾燥 處理單元SD中,施行曝光處理後的基板w清洗及乾燥處 理。 然後’基板W係如同第1實施形態,利用介面用搬送機 構IFR及第2〜第8中央機器人搬往基板載置部2。 在基板載置部PASS2上所載置的基板W,將利用索引器 區塊8的索引器機器人ir收納於載具c内。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 1326392 (3)相關端部清洗單元 就本實施形態中所使用的端部清洗單元EC,進行詳細 說明。端部清洗單元EC各構成要件的動作,係利用圖2! 所示之索引器區塊8中所設置主控制器81進行控制。 (3-a)端部清洗單元之一構造例 本實施形態中,上述端部清洗單元Ec可使用第丨實施 形中所說明的圖4所示端部清洗單元ec。
通常,光阻覆蓋膜大多未形成為覆蓋基板?上的上述周 緣部。即,在基板W上的周緣部所形成之抗反射臈及光阻 臈之其中一者或雙方係呈裸露狀態。 ,本實施形態巾,在利用後續步驟的曝光裝£ 17施行曝 光處理前’係利用清洗/乾燥處理部8()的端部清洗單元 =對基板W施行端部清洗處理。所謂「端料洗處理」 :精由對基板W的端部R(斜面部及周緣部),使用在曝光 ^置17中所制的浸潰液施行清洗,*預先使 =抗反射膜及光阻膜之其中—者或雙方溶出或析= 17施行曝光處理之際,將可防 一者或雙方溶出或析出於浸潰 藉此,當利用曝光裝置 止抗反射膜及光阻膜其中 液中。 有f L Γ基板w的端部清洗處理時所使用的浸潰液例, ^ 之甘油、尚折射率微粒子(例如鋁 h的混合液、及有機系液體等。 , 之其他例,有如:在純水溶解錯合物(經離 312XP/^B^iftB^e(iim/95-l〇/95i2i854 ^ HFE(氫化 ,化者)的料、碳酸水、氫水、電解離子水 氟醚)、氫氟酸、硫酸及硫酸過氧化氫水等。 (3-b)端部清洗單元之其他構造例 端部清洗單元EC亦可具有以下椹、止^ 容浐拟能娇描田 下構&。圖24所示係第2 只細形態所使用之端部清洗單元 圖。 队之另一構造例說明 第二例的端部清洗單元沉係具有大致如同
⑽態中所說明的圖7之端部清洗單元EC的構造 及動作。 一所以’以下就本例的端部清洗單元Ec,不同於圖7所 不端部清洗單元EC之處進行說明。 本實施形態中,在臂部3G3前端部所設置的二流體喷嘴 310,係相對於利用旋轉失具2G1保持的基板w表面,安 裝成朝基板W外側傾斜狀態。 在基板w開始施行端部清洗處理時,係利用馬達3〇1使 •轉動軸302旋轉,並使臂部3〇3轉動。藉此,二流體喷嘴 310移往利用旋轉夾具2〇1所保持的基板w端部r上方。 結果,二流體噴嘴31〇的混合流體喷出部31()a與基板w 端部R呈相對向。 ' 然後,藉由將閥332開啟,清洗液的浸潰液便通過清洗 -液供應管331並供應給二流體喷嘴310。此外,藉由將閥 342開啟,將氣體供應給二流體喷嘴。 虽基板W施行端部清洗處理時,清洗液及氣體係供應給 一流體喷嘴310°藉此朝旋轉中的基板W端部R從二流體 312XP/發明說明書(補件)/95·10/95121854 73 喷嘴310中噴$ 好的清洗。 混合流體。依此 對基板W端部R施行良 者本貫知形態中,於端部清洗單元内設置具有 如同上述二流體喷嘴31〇之構造及功能的二流體喷嘴 310b。該—流體喷嘴31〇b係相對於由旋轉夾具⑼1所保 持之基板W背面,安裝成朝基板W外側傾斜。另外,二流 體喷嘴31Gb係具備有喷出混合流體的喷出部3i()c,並安 裝於未圖示的臂部上。 如此,藉由分別與基板w表面及背面呈相對向狀態設置 二流體噴嘴310、31Gb ’則可確實對基板w端部R施行清 洗。另外’因為二流體噴嘴31〇b的清洗液及氣體各供應 系統,均如同二流體喷嘴31〇,因而便不再贅述。 二流體噴嘴310、310b係具有例如第i實施形態中所說 明的圖8及圖9之内部構造。 (3-c)端部清洗單元再另一構造例 端部清洗單元EC亦可更具有以下構造。圖25所示係第 2實施形態所使用之端部清洗單元EG的再另—構造例說 明圖。 如圖25所示,本例的端部清洗單元阢係具有大致如同 第1實施形態中所說明的圖10之端部清洗單元阢的構造 及動作。 所以,以下就本例的端部清洗單元阢,不同於圖1〇所 示端部清洗單元EC之處進行說明。 如圖25所示,本例中,超音波噴嘴41〇係相對於由旋 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 74 1326392 ,夾具加所保持之基板w表面’朝基板w外側傾斜地安 裝於臂部303前端部。 超音波噴嘴410係連接於清洗液供應管331。藉此,如 同圖24所示例子’藉由將閥332開啟,清洗液的浸潰液 將通過清洗液供應管331而供應給超音波噴嘴。 在基板W施行端部清洗處理時,浸潰液將從超音波噴嘴 410朝基板W端部R噴出。此處,t從超音波噴嘴41〇嗔 出浸潰液,際,係從高頻產生裝置420對高頻振動元件 411供應向頻電流。 、藉此’高頻振動元件411產生超音波振動,並對在超音 波喷嘴410内流通的液體施加因應高頻電流值的高頻: 出。結果,呈超音波振動狀態的浸潰液朝基板⑻端部Rot 出’而將基板W端部R施行清洗。 另外,本例中,亦如同圖24所示之端部清洗單元沉的 例子,在端部清洗單元EG内設置具有如同上述超音波噴 嘴410相同構造及功能的超音波噴嘴4i〇a。 、 t音波噴嘴41Ga係相對由旋轉夾具2G1所保持的基 板W月面’安裝成朝基板w外側傾斜的狀態、。另外 :内係内建有高頻振動元件4以,而超音波 喷嘴410a則文裝於未圖示的臂部上。 立Ϊ此2由分別與基板W表面及#面呈相對向地設置超 音波賀嘴41〇、他,可確實對基W端部R施行清洗超 ϋ卜雄因為超音波噴嘴他的清洗液及高頻電流的各供 應糸、.先,均如同超音波喷嘴41〇,因而便不再贅述。 312XP/發明說明書(補件)/95_1〇/95121854 75 1326392 . (4)相關清洗/乾燥處理單元 第2貫施形態中所使用之清洗/乾燥處理單元so的構造 動作’係如同第1實施形態中所說明的清洗/乾燥處理 . 單元SD之構造及動作。所以不再贅述。 '(5)相關介面區塊的介面用搬送機構 圖=所示係介面用搬送機構IFR的構造及動作說明 圖。本實施形態中所使用之介面用搬送機構IFR的構造及 動作均如同第1貝把开> 態中所說明介面用搬送機構Ifr 的構造及動作。所以不再贅述。 另外,如上述,本實施形態中,依曝光裝置丨7施行處 理前的基板W端部R,係在端部清洗單元EC内利用浸潰 液施行清洗。 (6)第2實施形態的效果 第2實施形態的基板處理裝置500,係除了第丨實施形 態的基板處理裝置500所產生之效果之外,尚具有以下效 •果° (6-a)端部清洗處理的效果 如上述,在清洗/乾燥處理部80的端部清洗單元Ec中, 依曝光裝置17施行曝光處理前的基板w端部R,係利用 ' ’又/貝液細*行/月洗。藉此,在依浸潰法施行曝光處理中,從 :抗反射膜及光阻膜其中一者或雙方所溶出或析出的成 分,預先在端部清洗單元Ec中便溶出或析出,並將溶出 物或析出物沖洗掉。所以,當施行曝光處理之際,可防止 抗反射膜及光阻膜其中一者或雙方溶出或析出於浸潰液 312XP/^^#(»)/95.i〇/95121g54 76 1326392 -、中、九藉此,將防止曝光裝置17(曝光裝置17的透鏡)遭受 ^染。結果,將防止發生曝光圖案尺寸不良及形狀不良 狀況。 • 另外二當施行曝光處理之際,可能溶出或析出於浸潰液 八的,成刀並不僅限於上述抗反射膜及光阻膜中所含的成 为,亦包括有利用在本實施形態基板處理裝置5〇〇外所設 置的外部震置,於基板评上所形成的半導體膜、金屬膜、 絕,膜或有機膜等之中所含成分。該等膜中所含成分亦可 預先在端部清洗單元EC中溶出或析出。 (6 b )使用毛刷的端部清洗處理效果 a :在端部清洗單元EC中利用毛刷213施行基板W的端 部清洗處理時,因為基板w端部㈣直接接觸毛刷213並 施打清洗,因而可確實將來自基板w端部R的抗反射膜及 光阻膜其中一者或雙方之溶出物或析出物去除。 (7)第2實施形態的基板處理裝置變化例及其效果 籲(7 - a )相關端部清洗處理時所使用之清洗噴嘴的另一例 上述實施形態中,當基板以行端部清洗處理之際,雖 使用清洗液供應路241a、241b、二流體噴嘴31〇、31仳 及超音波喷嘴410、410a,惟並不僅限於此,亦可使用具 :備小徑針狀噴出部的清洗喷嘴。此情況下,可對基板评區 ,域的小端部R施行高精度的清洗。 (7-b)端部清洗單元之另一配置例 。上述實施形態中,基板w的端部清洗處理係在清洗/乾 燥處理區塊15的清洗/乾燥處理部8〇之端部清洗單元 312XP/發明說明書(補件)/95-10/9512丨854 77 1326392 中實施,惟並不僅限於此,亦可在除了清洗/乾燥處理部 =以外的地方(例如光阻覆蓋膜用處理區塊13的光阻覆 蓋膜用塗佈處理部60之塗佈單元COV)實施。此情況下, 將可刪除直到光阻覆蓋膜形成後的端部清洗單元為止 -之搬送步驟’而可提升產能。 (7-c)相關其他配置例 上述實施形態中,光阻覆蓋膜去除區塊14係包括有2 _個光阻覆蓋膜去除用處理部7〇a、7〇b,但是光阻覆蓋膜 去除區塊14亦可取代2個光阻覆蓋膜去除用處理部7〇a、 70b之其中一者,改為含有對基板w施行熱處理的熱處理 部。此情況下,可對複數基板w有效率地施行熱處理,因 而將提升產能。 (7-d)相關清洗/乾燥處理單元之另一例 如同第1實施形態,亦可將清洗/乾燥處理單元SD所使 用之清洗處理用噴嘴650及乾燥處理用噴嘴67〇的構造設 _疋為不同構造,並因應該等構造施行基板w的清洗處理及 乾無處理。 C.申請專利範圍各構成要件與實施形態各部位的對應 (1)申請專利範圍各構成要件與第丨實施形態各部位的對 '應 ^ 第1實施形態中,端部清洗處理區塊9、抗反射膜用處 理區塊10、光阻膜用處理區塊U、顯影處理區塊12、光 阻覆蓋膜用處理區塊13、光阻覆蓋膜去除區塊μ及清洗 /乾燥處理區塊15係相當於處理部;介面區塊16係相當 312χΡ/發明說明書(補件)/95-10/95121854 78 以0观 :收授邛,端部清洗處理部9〇的端部清洗單元EC係相當 於第1處理單元。 再者’抗反射臈用塗佈處理部3〇的塗佈單元mrc、光 塗佈處理部4G的塗佈單元服、及光阻覆蓋膜用 2處理部60的塗佈單元⑽,係相當於第2處理單元; 二=理部50的顯影處理單元丽、光阻覆蓋膜去除用 ^主部70a、7Gb的去除單元REM、及清洗/乾燥處理部8〇 的>月洗/乾燥處理單元SD,係相當於第3處理單元。 00者面區塊16係相當於基板搬入搬出部丨中央機 :以?:當於第1搬送單元;端部清洗處理區塊9係 Λ理單位;中央機器人CR2、⑽、哪係相當 理區堍"达早凡;抗反射膜用處理區塊10、光阻膜用處 處理單位。、及光阻覆蓋膜用處理11塊13,係相當於第2 理區塊15,係相告於第除區塊14、及清洗/乾燥處 # ^ 、田;第3處理單位;基板載置部PASS81 置部7 :二基板載置部PASS1係相當於第2載 當於第係相當於第1保持部 相當於二T乾,處理部⑽的清洗/乾燥處理單元仙係 搬:單‘:、手=二;介面用搬送機構1FR係相當於第4 於第二1/係相當於第3保持部;手㈣係相當 312 ^^«*(»)/95-,〇/95121854 79 1326392 再者,光阻膜用塗佈處理部4〇的塗佈單元 於感光性膜形成單元;光阻覆蓋 ’、田 佈單元⑽係相當於㈣膜开^用塗佈處理部60的塗 處理邱7D 早元;光阻覆蓋膜去除用 處理# 7Ga、7Gb的去除單元_係 反射膜用塗佈處理部3〇的塗佈罩“…輯早兀,抗 m , H 耋佈早70 BARC係相當於抗反射 膜形成早7G ;顯影處理部50的顯岑卢 _ 於顯影處理單元。 I員-處理早谓係相當 (广請專利範圍各構成要件與第2實施形態各部 應 弟2實施形態中,抗反射臈用處理區塊ι〇、光阻膜用 處理區塊U、顯影處理區塊12、光阻覆蓋膜用處理區塊 13、先阻覆蓋膜去除區塊14及清洗/乾燥處理區塊15, 係相當於處理部;介面區塊16係相當於收授部。 再者,上述實施形態中,光㈣用塗佈處理部的塗 佈单元跪係相當於第2處理單元;端部清洗處理部9〇 #的端部清洗單元EC係相當於第i處理單元;光阻覆蓋膜 用塗伟處理部60的塗佈單元⑽係相當於第3處理單 凡;抗反射膜用塗佈處理部3〇的塗佈單元^眈係相當於 第4處理單元;光阻覆蓋膜去除用處理部7〇a、的去 :除單元REM係相當於第5處理單元;顯影處理部5〇的顯 :影處理單元DEV係相當於第6處理單元;介面用搬送機構 IF1M系相當於搬送裝置;手部^、们係分別相當於第i 及第2保持部。 【圖式簡單說明】 312XP/發明說明書(補件)/95]q/95121854 80 1326392 圖1為第1實施形態的基板處理裝置之示意俯視圖。 圖2為從+X方向觀看圖1所示基板處理裝置時的側視 圖。 圖3為從-X方向觀看圖1所示基板處理裝置時的側視 圖。 圖4為端部清洗單元的構造說明圖。 圖5為說明基板端部的概略示意圖。 圖6(a)、(b)為說明圖4所示端部清洗單元的端部清洗 裝置之構造圖。 圖7為第1實施形態所使用之端部清洗單it之另-構造 之二流體喷嘴的内部構造 之二流體噴嘴的内部構造 之端部清洗單元之再另一 理區塊從-Y方向觀看到的 圖8為端部清洗處理所使用 一例的縱剖圖。 圖9為端部清洗處理所使用 另一例的縱剖圖。
圖1 〇為第1實施形態所使用 構造例的說明圖。 圖11為圖1所示端部清洗處 圖。 圖12為用於說明清洗/乾燥處理單元的構造圖。 圖13U)〜(C)為用於說明清洗/乾燥 圖14為說明介面用搬送機構的構造及動作之圖的圖 圖15為乾燥處理用噴嘴的另一例示意圖。 圖16為乾燥處理用喷嘴的另—例示意圖。 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 81 圖】7(a)〜(c)為使用圖16所 板的乾燥處理方法之說明圖。、“、處理用噴嘴時,基 圖18為乾燥處理用噴嘴的另一 m 1〇 ^ * 力例不意圖。 圖19為峋洗/乾燥處理單元 im on ^ J力一例不意圖。 圖20為使用圖19所示清 圖 乾燥處理方法說明圖。 L坧處理早兀時,基板的 圖21為第2實施形態的基板處理 圖22為從+X方向觀看:讀視圖。 視圖。 所不基板處理裝置時的側 圖23為從-X方向觀看圖21 有Q Z1所不基板處理裝置時的侧 視圖。 圖24為第2實施形態所使用之端部清洗單元另一構造 例的說明圖。 圖25為第2實施形態所使用之端部清洗單元再另一構 造例的說明圖。 圖26為介面用搬送機構的構造及動作之說明圖。 【主要元件符號說明】 8 索引器區塊 9 端部清洗處理區塊 10 抗反射膜用處理區塊 11 光阻膜用處理區塊 12 顯影處理區塊 13 光阻覆蓋膜用處理區塊 14 光阻覆蓋膜去除區塊 312XP/發明說明書(補件V95-10/95121854 82 1326392 15 清洗/乾燥處理區塊 16 介面區塊 17 曝光裝置 ' 17a 基板搬入部 17b 基板搬出部 19 、 20 、 21、22、23、24、25 隔壁 30 抗反射膜用塗佈處理部 31、 41、51、61、71、98、201、621 旋轉夾具 32、 42、52、62、72 供應喷嘴 40 光阻膜用塗佈處理部 50 顯影處理部 60 光阻覆蓋膜用塗佈處理部 70a 、 70b 光阻覆蓋膜去除用處理部 80 、 80a 清洗/乾燥處理部 81 主控制器(控制部) φ 82 載具載置台 90 端部清洗處理部 99 光照射器 100 、 101 抗反射膜用熱處理部 , 110 、 111 光阻膜用熱處理部 , 120 、 121 顯影用熱處理部 130 、 131 光阻覆蓋膜用熱處理部 150 、 151 曝光後烘烤用熱處理部 181 可動台 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 83 1326392 182 螺軸 183 支撐台 184 、 192 手部支撐台 185 、 203 、 214、625 旋轉軸 191 固定台 204 、 636 夾具旋轉驅動機構 210 端部清洗裝置 210a 外殼 211 清洗室 212 開口 213 毛刷 220 支撐構件 230 端部清洗裝置移動機構 241 ' 331 清洗液供應管 242 、 332 、 342、Va、Vb、Vc 閥 244 排氣管 245 排氣部 301、Ml、M2、M3 馬達 302 轉動軸 303 臂部 310 、 310b 二流體喷嘴 310a 混合流體喷出部 310c 喷出部 311 内部本體部 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 84 1326392 311a 純水喷出口 311b 純水導入部 312 外部本體部 氣體喷出口 312a 、 770a 、 770b 、 770c - 312b 333 333a 334 * 334a 334b 334c 334d 334e 334f 341 φ 410 、 410a 411 、 411a 氣體通過部 氣體導入管 氣體導入部 本體部 上部筒 推拔部 下部筒 混合室 直流部 混合流體喷出口 氣體供應管 超音波喷嘴 南頻振動元件 420 500 623 624 631 632 633 南頻產生裝置 基板處理裝置 處理杯 護具 排液空間 回收液空間 隔間壁 85 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 1326392 634 排液管 635 回收管 641 排液導引溝 642 643 650 660 661 662 663 670 、 770 回收液導引部 隔間壁收納溝 清洗處理用喷嘴 第1馬達 第1轉動軸 第1臂部 清洗處理用供應管 870 乾燥處理用喷嘴 671 第2馬達 672 第2轉動軸 673 第2臂部 674 乾燥處理用供應管 阻隔板 支撐軸 φ 682 689 690 氣體供應路 697 阻隔板升降驅動機構 698 阻隔板旋轉驅動機構 771、772 支流管 870a 喷出口 900、901 端部清洗後熱處理部 BARC、COV、RES塗佈單元 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 86 1326392 c 載具 CP 冷卻單元(冷卻板) CR1 第 1 中央機器人 CR2 第 2 中央機器人 CR3 第 3 中央機器人 CR4 第 4 中央機器人 CR5 第 5 中央機器人 CR6 第 6 中央機器人 CR7 第 7 中央機器人 CR8 第 8 中央機器人 CRfH、CRH2、CRH3、CRH4、CRH5、CRH6、CRH7、CRH8、CRH9、 CRH10 、 CRH11 、 CRH12 、 CRH13 、 CRH14 、 CRH91 、 CRH92 、 HI、H2、IRH1、IRH2 手部 DEV 顯影處理單元 EC 端部清洗單元 EEW 邊緣曝光部 HP 加熱單元(加熱板) IFR 介面用搬送機構 IR 索引器機器人 L 沖洗液液層 LC 局部控制器 N 霧狀混合流體 PASS1 、 PASS2 、 PASS3 、 PASS4 、 PASS5 、 PASS6 、 PASS7 、 PASS8、PASS9、PASSIO、PASSn、PASS12、PASS13、PASS14 ' 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 87 1326392 基板載置部 PASS15 、 PASS16 、 PASS8卜 PASS82 R 端部 R1 清洗液供應源 R2 沖洗液供應源 R3 非活性氣體供應源 RBF 返回緩衝部 REM 去除單元 SBF 搬送緩衝部 SD 、 SDa 清洗/乾燥處理單元 W 基板 312XP/發明說明書(補件)/95-10/95121854 88
Claims (1)
- 丄326392 備有:修正補充 ML 2 8 2009 替換本 申請專利範圍: 一種基板處理裝置’係鄰接曝光裝置而配置者,其具 處理部’其對基板進行處理;以及 收授部,其鄰接上述處理部一端部而設置,並在上述處 理部與上述曝光裝置之間,進行基板收授; 其中’上述處理部包括有: 第1處理單7G,其對利用上述曝光震置施行曝光處理前 的基板端部,使用毛刷施行清洗; 第2處理單7C’其對利用上料織置施行曝光處理前 的基板,形成由感光性材料所構成之感光性膜;以及 第3處理早70,其對彻上料光裝置施行曝光處理後 的基板’施行顯影處理; 义而上述第1處理單元對湘上述第2處理單元施行處理 月'J的基板端部施行清洗。 2.如申請專利範圍第!項之基板處理装置,其中,進一 步具備有基板搬入搬出部’其配置成鄰接上 ί部’將基板搬人上述處理部卜並從上述處理部搬出基 其中,上述處理部包括有: 1處理單元及搬送基板 第1處理單位,其具備有上述第 的第1搬送單元; 一個或複數個第2處理單位盆 亓泠珈早位其具備有上述第2處理單 几及搬达基板的第2搬送單元;以及 95121854 89 1326392 年1月成修正補无 -個或複數個第3處理單位’其具備有上述第3處理單 70及搬送基板的第3搬送單元; 而上述第1處理單位配置成鄰接上述基板搬人搬出部。 3.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,",上述 第1處理單位進—步具財:第1载置部’其於將基板搬 入f處理單位之際載置基板;以及第2載置部,其於將基 板從該處理單位中搬出之際載置基板; 鲁而上述第1搬送單元包括有保持基板的帛1與第 部; 上述第1搬送單元當從上述第β置部#基板搬往上述 第1處理單元之際,利用上述第i保持部保持基板; 當從上述第1處理單元將基板搬往上述第2載置部之 際,利用上述第2保持部保持基板。 4.如申請專利範圍第3項之基板處理裝置,其中,上述 第1保持部設置於較第2保持部更靠下方處。 • 5.如申請專利範圍帛2項之基板處理裝置中,上述 處理部進一步包括有一個或複數個第4處理單位,其具備 有第4處理單元及搬送基板的第*搬送單元; 而上述第4處理單元包括有對利用上述曝光裝置施行 曝光處理後的基板施行乾燥處理的乾燥處理單元; 具備上述乾燥處理單元的上述第 接上述收授部; 4處理單位,配置成鄰 上述收授部具備有第5搬送單元,其將曝光處理前的基 板對上述曝光裝置進行收授,並將曝光處理後的基板從上 95121854 90 1326392 今S 補充 置乾燥處理單元,且接受經上述乾燥處 理早兀施仃乾燥處理過的基板。 6.如申請專利範圍第5項之基板處理襞置,其中,上 第5搬送單元包括有保持基板的第3與第4保持部; 而第5搬送單元於將曝光處理前的基板對上述曝光震 =純授之際、及接受經錢處理單元施行乾燥處理過 、土板之際’利用上述第3保持部保持基板; =經曝光處理後的基板從上述曝光裝置中搬往上述 無處理早70之際’利用上述第4保持部保持基板。 々7.如申請專利範圍帛6項之基板處理裝置,其中,上述 第4保持部設置於較上述第3保持部更靠下方處。 8. 如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置,苴中, 更進一步包括有保護膜形成單元,其形成保護上‘ 感光性膜的保護膜。 9. 如申清專利範圍第8項之基板處理裝置,其中,上述 丨理::進一步包括有去除單元,其在利用上述曝光裝置 粑仃曝光處理後,將上述保護膜去除。 …10·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中,上 述處理部更進一步包括有抗反射膜形成單元,其在利用上 理單元形成上述感光性膜之前,於基板上形成抗 '1·如申請專利範圍帛i項之基板處理裝置,盆中,上 處理單元將利用上述曝光裝置施行曝光處理前的 "4,利用依浸潰法施行曝光處理時所使用的液體進 95121854 1326392FEB 2 4 2010 行清洗。 〇卑、、肢補充 二.如申請專利範圍第u項之基板處 述處理部更進一牛七社士扣# 置具中’上 2處理單丄 有保護膜形成單元,其在由上述第 的保護膜; 攻保濩該感先性膜 露理單元對在上述曝光處理前於基板端部所 路出的感光性膜,利用上述液體施行清洗。 所 二如申請專利範圍第u項之基板處理袋置 =二進:步含有抗反射膜形成單元,其在利用上述 射膜Γ早70形成上述感光性膜之前’在基板上形成抗反 ♦ 第1處理單元將在上料光處理前於基板端部所 路出的上述抗反射膜及上述感光性膜之其中—者 方,利用上述液體施行清洗。 14·如申請專利範圍第u項之基板處理裝置,立中,上 述液體含有純水、甘油、以及高折射率微粒子與純水相混 合的混合液之至少1種。 15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置,其中,上 述高折射率微粒子含有鋁氧化物。 〃 16. 如申凊專利範圍第丨項之基板處理裝置,其中,上 述收授部包括有在上述處理部與上述曝光裝置之間進行 基板搬送的搬送褒置; 而上述搬送裝置包括有保持基板的第1及第2保持部; 當將上述曝光處理前的基板進行搬送之際,利用上述第 95121854 92 1326392 1保持部保持基板; 當將上述曝光處理後的基板進行搬送之際,利用上述第 2保持部保持基板。 17.如申請專利範圍第16項之基板處理 豆 上 迷第2保持部設置於較上述第1保持部更靠下方處。95121854 93
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