KR20080076775A

KR20080076775A - 기판처리장치

Info

Publication number: KR20080076775A
Application number: KR1020080013075A
Authority: KR
Inventors: 요시테루 후쿠토미; 마사미 오타니
Original assignee: 가부시키가이샤 소쿠도
Priority date: 2007-02-15
Filing date: 2008-02-13
Publication date: 2008-08-20
Also published as: US20080212049A1; JP2008198879A

Abstract

기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스터막용 처리블록, 레지스터 커버막용 처리블록, 현상처리블록, 레지스터 커버막 제거블록, 세정/건조처리블록 및 인터페이스 블록을 포함한다. 이러한 블록은 상기 순서로 나란히 설치된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 노광장치가 배치된다. 노광장치에서는, 액침법에 의해 기판의 노광처리를 한다. 현상처리블록은 현상처리부 및 제5 센터로봇을 포함하고, 현상처리부는 제5 센터로봇을 사이에 두고 서로 대향하여 설치된다.

기판처리장치, 스루풋, 오염, 노광처리, 세정처리, 정재파, 헐레이션

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판에 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.

반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해서, 기판처리장치가 사용되고 있다.

이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로, 한 매의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행해진다(예를 들면, 일본국 특허공개 2003－324139호 공보 참조). 일본국 특허공개 2003－324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스터막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스 블록으로 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록, 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치가 배치된다.

상기 기판처리장치에 있어서, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리블록 및 레지스터막용 처리블록에 의해 반사방지막의 형성 및 레지스터막의 도포 처리가 행해진 후, 인터페이스 블록을 통하여 노광장치로 반송된다. 노광장치에서 기판상의 레지스터막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스 블록 을 통하여 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에서 기판상의 레지스터막에 현상처리가 행하여지는 것에 의해 레지스터 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.

최근, 디바이스(device)의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스터 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되고 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클(reticle)의 패턴을 투영렌즈를 통하여 기판상에 축소 투영함으로써 노광처리가 행하여졌다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에 있어서는, 노광 패턴의 선폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.

그래서, 노광 패턴을 더 미세화하는 것을 가능하게 하는 투영노광방법으로서, 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예를 들면, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 투영광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워져 있어, 기판 표면에서의 노광 광(光)을 단파장화할 수 있다. 이에 의해, 노광 패턴을 더 미세화하는 것이 가능하게 된다.

그런데, 상기 투영 노광장치에 있어서는, 노광 패턴의 미세화에 수반하여, 더 정확한 현상처리가 요구된다. 그 때문에, 최근에는 종래에 비해 현상처리가 장시간화하고 있다. 현상처리의 시간이 길어지면, 기판처리장치 전체의 스루풋(throughput)이 저하한다.

본 발명의 목적은 기판 처리에서의 스루풋을 충분히 향상할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.

(1) 본 발명의 한 형태에 따르는 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 소정의 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부에 대하여 기판을 반입 및 반출하기 위한 반입반출부와, 처리부와 노광장치와의 사이에 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부는 제1 처리단위 및 제2 처리단위를 포함하고, 제1 처리단위는 감광성막형성영역, 열처리영역 및 제1 반송영역을 갖고, 감광성막형성영역 및 열처리영역은 제1 반송영역을 사이에 두고 대향하도록 배치되고, 감광성막형성영역에는, 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛(unit)이 설치되고, 열처리영역에는, 기판에 열처리를 행하는 제1 열처리 유닛이 설치되고, 제1 반송영역에는, 기판을 반송하는 제1 반송유닛이 설치되고, 제2 처리단위는 제1 현상영역, 제2 현상영역 및 제2 반송영역을 갖고, 제1 및 제2 현상영역은 제2 반송영역을 사이에 두고 대향하도록 배치되고, 제1 및 제2 현상영역에는 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 현상처리를 행하는 현상유닛이 각각 설치되며, 제2 반송영역에는 기판을 반송하는 제2 반송유닛이 설치된 것이다.

이 기판처리장치에 있어서는, 기판이 반입반출부에 의해 처리부로 반입된다. 처리부의 제1 처리단위 내에서는, 감광성막형성유닛에 의해 기판에 감광성막이 형성되고, 제1 열처리 유닛에 의해 기판에 열처리를 행하는 것과 아울러, 제1 반송유닛에 의해 감광성막의 형성 전, 형성 후 또는 열처리 후의 기판이 반송된다.

감광성막이 형성된 기판은 제1 및 제2 반송유닛에 의해, 주고받기부로 건네진다. 처리부로부터 건네받은 기판이 주고받기부에 의해 노광장치로 반입된다. 이에 의해, 노광장치에 있어서, 기판에 노광처리가 행해진다.

노광처리 후의 기판은 노광장치로부터 반출되어 주고받기부로 건네진다. 노광장치로부터 건네받은 기판이 주고받기부에 의해 처리부로 더 건네진다.

처리부의 제2 처리단위 내에서는, 현상유닛에 의해 노광처리 후의 기판에 현상처리가 행해짐과 아울러, 제2 반송유닛에 의해 현상처리 전 또는 현상처리 후의 기판이 반송된다. 현상처리 후의 기판은 기판반입반출부에 의해 처리부로부터 반출된다.

제2 처리단위에 있어서는, 제1 및 제2 현상영역이 제2 반송영역을 사이에 두고 대향하도록 배치된다. 이에 의해, 제2 처리단위에는 다수의 현상유닛을 설치하는 것이 가능하다. 이에 의해, 현상처리가 장시간화하는 경우라도, 다수의 현상유닛에 의해 기판의 현상처리를 행할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치 전체의 기판 처리에서의 스루풋을 충분히 향상시킬 수 있다.

(2) 제1 및 제2 현상영역 중 적어도 한 쪽에는, 기판에 열처리를 행하는 제2 열처리 유닛이 더 설치되어도 좋다.

이 경우, 제2 처리단위 내에서, 현상처리 후의 기판의 열처리를 신속히 실시 하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판 처리에서의 스루풋을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

(3) 처리부는 제3 처리단위를 더 포함하고, 제3 처리단위는 반사방지막 형성 영역 및 제3 반송영역을 갖고, 반사방지막 형성 영역에는, 감광성막형성유닛에 의한 감광성막의 형성 전에 기판에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 유닛이 설치되며, 제3 반송영역에는 기판을 반송하는 제3 반송유닛이 설치되어도 좋다.

이 경우, 제3 처리단위 내에서는, 감광성막의 형성 전의 기판에 반사방지막이 형성됨과 아울러, 제3 반송유닛에 의해 반사방지막의 형성 전 또는 형성 후의 기판이 반송된다. 이에 의해, 노광처리시에 발생하는 정재파(定在波) 및 헐레이션(halation)을 저감시킬 수 있다.

(4) 처리부는 제4 처리단위를 더 포함하고, 제4 처리단위는 보호막 형성 영역 및 제4 반송영역을 갖고, 보호막 형성 영역에는, 노광장치에 의한 노광처리 전에 감광성막을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 유닛이 설치되고, 제4 반송영역에는, 기판을 반송하는 제4 반송유닛이 설치되어도 좋다.

이 경우, 제4 처리단위 내에서는, 보호막 형성 유닛에 의해 감광성막이 형성된 노광처리 전의 기판에 보호막이 형성됨과 아울러, 제4 반송유닛에 의해 보호막의 형성 전 또는 형성 후의 기판이 반송된다. 이에 의해, 노광장치에 있어서 기판이 액체와 접촉한 상태로 노광처리가 행해져도, 감광성막의 성분이 액체 속으로 용출(溶出)하는 것이 방지된다. 이에 의해, 노광장치 내의 오염을 확실하게 방지할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

(5) 처리부는 제5 처리단위를 더 포함하고, 제5 처리단위는 보호막제거 영역 및 제5 반송영역을 갖고, 보호막제거 영역에는 노광장치에 의한 노광처리 후로서 현상유닛에 의한 현상처리 전에 보호막을 제거하는 보호막제거 유닛이 설치되고, 제5 반송영역에는 기판을 반송하는 제5 반송유닛이 설치되어도 좋다.

이 경우, 제5 처리단위 내에서는, 보호막제거 유닛에 의해 노광처리 후이면서 현상처리 전인 기판으로부터 보호막이 제거됨과 아울러, 제5 반송유닛에 의해 보호막의 제거 전 또는 제거 후의 기판이 반송된다. 이에 의해, 제2 처리단위에 있어서 현상처리가 확실하게 행해진다.

(6) 처리부는 제6 처리단위를 더 포함하고, 제6 처리단위는 노광 전 세정영역 및 제6 반송영역을 갖고, 노광 전 세정영역에는, 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 세정하는 노광 전 세정유닛이 설치되고, 제6 반송영역에는, 기판을 반송하는 제6 반송유닛이 설치되어도 좋다.

이 경우, 제6 처리단위 내에서는, 노광 전 세정유닛에 의해 노광처리 전의 기판이 세정됨과 아울러, 제6 반송유닛에 의해 세정 전 또는 세정 후의 기판이 반송된다. 이에 의해, 노광장치에 청정한 기판을 반입할 수 있다. 이에 의해, 노광장치 내의 오염이 방지되고, 높은 정밀도로 기판의 노광처리를 행할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

(7) 노광 전 세정유닛은 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판의 표면 및 단부(端部)를 세정하는 표면단부 세정유닛을 포함하여도 좋다.

이 경우, 표면단부 세정유닛에 의해 노광처리 전의 기판의 표면 및 단부가 세정되므로, 기판의 표면 및 단부에 부착하는 오염물질에 기인하는 노광장치 내의 오염이 방지된다. 이에 의해, 높은 정밀도로 기판의 노광처리를 행할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

(8) 제6 처리단위는 반전(反轉)영역을 더 갖고, 반전영역에는, 기판의 일면(一面)과 타면(他面)을 서로 반전시키는 반전유닛이 설치되고, 노광 전 세정유닛은 기판의 이면(裏面)을 세정하는 이면세정유닛을 포함하여도 좋다.

이 경우, 제6 처리단위에 있어서는, 반전유닛에 의해, 표면이 윗 방향으로 향한 기판을 이면이 윗 방향으로 향하도록 노광처리 전의 기판의 일면과 타면을 서로 반전시킬 수 있다. 그리고, 반전된 기판의 이면이 이면세정유닛에 의해 세정된다. 이에 의해, 기판의 이면에 부착하는 오염물질에 기인하는 노광장치 내의 오염이 방지된다. 따라서, 높은 정밀도로 기판의 노광처리를 행할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

(9) 주고받기부는 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 세정하여 건조시키는 세정건조유닛과 기판을 반송하는 주고받기유닛을 구비하여도 좋다.

이 경우, 주고받기부에 있어서는, 주고받기유닛에 의해 기판이 반송된다. 또한, 세정건조유닛에 의해, 노광처리 후의 기판의 세정처리를 행하므로, 노광처리시에 액체가 부착한 기판에 노광처리 후에 분위기 중의 먼지가 부착하여도, 그 부착물을 없앨 수 있다.

또한, 세정건조유닛에 의해, 노광처리 후의 기판의 건조처리가 행해지므로, 노광처리 후의 기판에 분위기 중의 먼지가 부착하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 노광처리시에 기판에 부착한 액체가 처리부 내에 낙하하는 것이 방지되므로, 기판처리장치의 전기계통의 이상 등의 동작 불량을 방지할 수 있고, 그 결과, 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

본 발명에 의하면, 현상처리가 장시간화하는 경우라도, 다수의 현상유닛에 의해 기판의 현상처리를 행할 수 있고, 그 결과, 기판처리장치 전체의 기판 처리에서의 스루풋을 충분히 향상시킬 수 있다.

또한, 노광처리시에 발생하는 정재파 및 헐레이션을 저감시킬 수 있다.

또한, 노광장치에 있어서 기판이 액체와 접촉한 상태로 노광처리가 행해져도, 감광성막의 성분이 액체 속으로 용출하는 것이 방지된다. 이에 의해, 노광장치 내의 오염을 확실하게 방지할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

또한, 노광장치 내의 오염이 방지되고, 높은 정밀도로 기판의 노광처리를 행할 수 있어 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.

또한, 이하의 설명에서는, 회로 패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판의 면 (面)을 표면이라고 칭하고, 그 반대측의 면을 이면이라고 칭한다. 또한, 아래쪽으로 향해진 기판의 면을 하면이라고 칭하고, 위쪽으로 향해진 기판의 면을 상면이라고 칭한다.

또한, 이하의 도면에는, 위치관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 부여하고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 한편, 각 방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 ＋방향, 그 반대의 방향을 ―방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.

＜1＞ 제1 실시형태

이하, 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.

(1) 기판처리장치의 구성

도 1은 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스터막용 처리블록(11), 레지스터 커버막용 처리블록(12), 현상처리블록(13), 레지스터 커버막 제거블록(14), 세정/건조처리블록(15) 및 인터페이스 블록(16)을 포함한다. 기판처리장치(500)에 있어서는, 이러한 블록(9∼16)이 상기 순서로 나란히 설치된다.

기판처리장치(500)의 인터페이스 블록(16)에 인접하도록 노광장치(17)가 배치된다. 노광장치(17)에 있어서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리가 행해진 다.

인덱서 블록(9)은 각 블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(91), 복수의 캐리어(carrier) 재치대(載置台)(92) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH1, IRH2)가 상하로 설치된다.

반사방지막용 처리블록(10)은 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포처리부(30) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 반사방지막용 도포처리부(30)는 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 두고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CRH2)가 상하로 설치된다.

인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서 블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서 블록(9)으로 반송할 때에 사용된다.

또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무(有無)를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에 있어서 기판(W)이 재치되어 있는지 여부의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 복수 개의 지지핀이 고정되어 있다. 한편, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASS16)에도 마찬가지로 설치된다.

레지스터막용 처리블록(11)은 레지스터막용 열처리부(110, 111), 레지스터막용 도포처리부(40) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 레지스터막용 도포처리부(40)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 두고 레지스터막용 열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하로 설치된다.

반사방지막용 처리블록(10)과 레지스터막용 처리블록(11)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스터막용 처리블록(11)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스터막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)는 기판(W)을 레지스터막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용된다.

레지스터 커버막용 처리블록(12)은 레지스터 커버막용 열처리부(120), 현상용 열처리부(121), 레지스터 커버막용 도포처리부(50) 및 제4 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스터 커버막용 도포처리부(50)는 제4 센터로봇(CR4)을 사이에 두고 레지스터 커버막용 열처리부(120) 및 현상용 열처리부(121)에 대향하여 설치된다. 제4 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하로 설치 된다.

레지스터막용 처리블록(11)과 레지스터 커버막용 처리블록(12)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(22)이 설치된다. 이 격벽(22)에는, 레지스터막용 처리블록(11)과 레지스터 커버막용 처리블록(12)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 레지스터막용 처리블록(11)으로부터 레지스터 커버막용 처리블록(12)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는 기판(W)을 레지스터 커버막용 처리블록(12)로부터 레지스터막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용된다.

현상처리블록(13)은 현상처리부(60a, 60b) 및 제5 센터로봇(CR5)을 포함한다. 현상처리부(60a, 60b)는 제5 센터로봇(CR5)을 사이에 두고 서로 대향하여 설치된다. 제5 센터로봇(CR5)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하로 설치된다.

레지스터 커버막용 처리블록(12)과 현상처리블록(13)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(23)이 설치된다. 이 격벽(23)에는, 레지스터 커버막용 처리블록(12)과 현상처리블록(13)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS7)는 기판(W)을 레지스터 커버막용 처리블록(12)으로부터 현상처리블록(13)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS8)는 기판(W)을 현상처리블록(13)으로부터 레지스터 커버막용 처리블록(12)으로 반송할 때에 사용된다.

레지스터 커버막 제거블록(14)은 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b) 및 제6 센터로봇(CR6)을 포함한다. 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b)는 제6 센터로봇(CR6)을 사이에 두고 서로 대향하여 설치된다. 제6 센터로봇(CR6)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하로 설치된다.

현상처리블록(13)과 레지스터 커버막 제거블록(14)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(24)이 설치된다. 이 격벽(24)에는, 현상처리블록(13)과 레지스터 커버막 제거블록(14)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS9)는 기판(W)을 현상처리블록(13)으로부터 레지스터 커버막 제거블록(14)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS10)는 기판(W)을 레지스터 커버막 제거블록(14)으로부터 현상처리블록(13)으로 반송할 때에 사용된다.

세정/건조처리블록(15)은 노광 후 베이크용 열처리부(150, 151), 세정/건조처리부(80) 및 제7 센터로봇(CR7)을 포함한다. 노광 후 베이크용 열처리부(151)는 인터페이스 블록(16)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판재치부(PASS13, PASS14)를 구비한다. 세정/건조처리부(80)는 제7 센터로봇(CR7)을 사이에 두고 노광 후 베이크용 열처리부(150, 151)에 대향하여 설치된다. 제7 센터로봇(CR7)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)가 상하로 설치된다.

레지스터 커버막 제거블록(14)과 세정/건조처리블록(15)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(25)이 설치된다. 이 격벽(25)에는, 레지스터 커버막 제거블록(14)과 세정/건조처리블록(15)과의 사이에 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기 판재치부(PASS11, PASS12)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS11)는 기판(W)을 레지스터 커버막 제거블록(14)으로부터 세정/건조처리블록(15)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS12)는 기판(W)을 세정/건조처리블록(15)으로부터 레지스터 커버막 제거블록(14)으로 반송할 때에 사용된다.

인터페이스 블록(16)에는, 제8 센터로봇(CR8), 엣지(edge)노광부(EEW), 인터페이스용 반송기구(IFR) 및 노광 후 세정/건조처리부(95)가 이 순서대로 ＋X방향을 따라 나란히 설치된다. 엣지노광부(EEW)의 아래쪽에는, 후술하는 기판재치부(PASS15, PASS16), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 설치되어 있다. 제8 센터로봇(CR8)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH13, CRH14)가 상하로 설치되고, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)가 상하로 설치된다.

도 2는 도 1의 기판처리장치(500)의 한 쪽의 측면도이다.

반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(30)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하로 적층 배치된다. 각 도포유닛(BARC)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(spin chuck)(31) 및 스핀척(31) 상에 파지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(32)을 구비한다.

레지스터막용 처리블록(11)의 레지스터막용 도포처리부(40)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하로 적층 배치된다. 각 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(41) 및 스핀척(41) 상에 파지된 기판(W) 에 레지스터막의 도포액을 공급하는 공급노즐(42)를 구비한다.

레지스터 커버막용 처리블록(12)의 레지스터 커버막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(COV)이 상하로 적층 배치된다. 각 도포유닛(COV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 상에 파지된 기판(W)에 레지스터 커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다. 레지스터 커버막의 도포액으로서는, 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스터 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불소수지이다. 도포유닛(COV)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 도포액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스터막 상에 레지스터 커버막을 형성한다.

현상처리블록(13)의 현상처리부(60b)(도 1 참조)에는, 4개의 현상처리유닛(DEV)이 상하로 적층 배치된다. 각 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 상에 파지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(62)를 구비한다.

레지스터 커버막제거블록(14)의 레지스터 커버막제거용 처리부(70b)(도 1 참조)에는, 3개의 제거유닛(REM)이 상하로 적층 배치된다. 각 제거유닛(REM)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 상에 파지된 기판(W)에 박리액(예를 들면, 불소수지)을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다. 제거유닛(REM)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 박리액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스터 커버막을 제거한다.

그리고, 제거유닛(REM)에서의 레지스터 커버막의 제거 방법은 상기 예에 한 정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 위쪽에서 슬릿 노즐(slit nozzle)을 이동시키면서 기판(W) 상에 박리액을 공급함으로써 레지스터 커버막을 제거하여도 좋다.

세정/건조처리블록(15)의 세정/건조처리부(80)(도 1 참조)에는, 4개의 표면단부 세정/건조유닛(SD)이 상하로 적층 배치된다. 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 상세한 것에 대하여는 후술한다.

인터페이스 블록(16)의 노광 후 세정/건조처리부(95)에는, 3개의 노광 후 세정/건조유닛(DRY)이 상하로 적층 배치된다. 각 노광 후 세정/건조유닛(DRY)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 상에 파지된 기판(W)에 세정용의 처리액(세정액 및 린스액)을 공급하는 노즐(92)을 구비한다.

도 3은 도 1의 기판처리장치(500)의 한 쪽의 측면도이다.

반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100)에는, 2개의 가열유닛(핫 플레이트(hot plate))(HP) 및 4개의 냉각유닛(쿨링 플레이트(cooling plate))(CP)이 적층 배치되고, 반사방지막용 열처리부(101)에는, 6개의 가열유닛(HP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)의 최상부에는, 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(local controller)(LC)가 각각 배치된다.

레지스터막용 처리블록(11)의 레지스터막용 열처리부(110)에는, 4개의 가열유닛(HP) 및 4개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치되고, 레지스터막용 열처리부(111)에는, 6개의 가열유닛(HP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 레지스터막용 열처리부(110, 111)의 최상부에는, 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.

레지스터 커버막용 처리블록(12)의 레지스터 커버막용 열처리부(120)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치되고, 현상용 열처리부(121)에는, 6개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 레지스터 커버막용 열처리부(120) 및 현상용 열처리부(121)의 최상부에는, 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.

현상처리블록(13)의 현상처리부(60a)에는, 4개의 현상처리유닛(DEV)이 상하로 적층 배치된다.

레지스터 커버막 제거블록(14)의 레지스터 커버막제거용 처리부(70a)에는, 3개의 제거유닛(REM)이 상하로 적층 배치된다.

세정/건조처리블록(15)의 노광 후 베이크용 열처리부(150)에는, 4개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치되고, 노광 후 베이크용 열처리부(151)에는, 6개의 가열유닛(HP) 및 기판재치부(PASS13, PASS14)가 상하로 적층 배치된다. 또한, 노광 후 베이크용 열처리부(150, 151)의 최상부에는, 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.

인터페이스 블록(16)의 대략 중앙부(도 1 참조)에는, 2개의 엣지노광부(EEW), 기판재치부(PASS15, PASS16), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 상하로 적층 배치된다. 각 엣지노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지하여 회전하는 스핀척(도시하지 않음) 및 스핀척 상에 파지된 기판(W)의 주연(周緣)을 노광하는 광조사기(光照射器)(도시하지 않음)를 구비한다.

또한, 도포유닛(BARC, RES, COV), 표면단부 세정/건조유닛(SD), 제거유닛(REM), 노광 후 세정/건조유닛(DRY), 엣지노광부(EEW), 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 개수는 각 블록(10∼16)에서의 처리속도에 따라 적당히 변경하여도 좋다.

(2) 기판처리장치의 동작

다음에, 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대하여 도 1∼도 3을 참조하면서 설명한다.

인덱서 블록(9)의 캐리어 재치대(92) 상에는, 복수 매의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 재치된다. 인덱서 로봇(IR)은 위쪽의 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미처리(未處理)의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서 로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.

본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드(pod)나 수납 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette) 등을 사용하여도 좋다.

또한, 인덱서 로봇(IR), 제2∼제8 센터로봇(CR2∼CR8) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이딩시켜 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 관 절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다(多)관절형 반송로봇을 사용하여도 좋다.

기판재치부(PASS1)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취(受取)된다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(30)로 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(30)에서는, 노광처리시에 발생하는 정재파 및 헐레이션을 감소시키기 위해서, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 상에 반사방지막이 도포 형성된다.

그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 반사방지막용 도포처리부(30)로부터 도포 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)로 반입한다.

다음에, 제2 센터로봇(CR2)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.

기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 레지스터막용 처리블록(11)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 레지스터막용 도포처리부(40)로 반입한다. 이 레지스터막용 도포처리부(40)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막 상에 레지스터막이 도포 형성된다.

그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 레지스터막용 도포처리부(40)로부터 도포 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스터막용 열처리부(110, 111)로 반입한다. 다음에, 제3 센터로봇(CR3)은 레지스터막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.

기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막용 처리블록(12)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 레지스터 커버막용 도포처리부(50)로 반입한다.

이 레지스터 커버막용 도포처리부(50)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스터막 상에 레지스터 커버막이 도포 형성된다.

그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스터 커버막용 도포처리부(50)로부터 도포 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스터 커버막용 열처리부(120)로 반입한다. 다음에, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스터 커버막용 열처리부(120)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.

기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(13)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.

기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막 제거블록(14)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6 센터로봇(CR6)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.

기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은 세정/건조처리블록(15)의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취된다.

제7 센터로봇(CR7)은 그 기판(W)을 세정/건조처리부(80)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)으로 반입한다. 표면단부 세정/건조유닛(SD) 내에서는, 반입된 기판(W)에 후술하는 표면단부 세정처리가 실시된다. 이에 의해, 노광장치(17)에 의한 노 광처리 전의 기판(W)의 표면 및 단부가 청정하게 유지된다.

다음에, 제7 센터로봇(CR7)은 표면단부 세정/건조유닛(SD)으로부터 표면단부 세정처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS13)에 재치한다.

기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(16)의 제8 센터로봇(CR8)에 의해 수취된다. 제8 센터로봇(CR8)은 그 기판(W)을 엣지노광부(EEW)로 반입한다. 이 엣지노광부(EEW)에서는, 기판(W)의 주연부(周緣部)에 노광처리가 실시된다.

다음에, 제8 센터로봇(CR8)은 엣지노광부(EEW)로부터 엣지 노광처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS15)에 재치한다.

기판재치부(PASS15)에 재치된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 노광장치(17)의 기판 반입부(17a)(도 1 참조)로 반입된다.

한편, 노광장치(17)가 기판(W)을 받아들일 수 없는 경우에는, 기판(W)은 이송버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납 보관된다.

노광장치(17)에서, 기판(W)에 노광처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 기판(W)을 노광장치(17)의 기판반출부(17b)(도 1 참조)로부터 꺼내, 노광 후 세정/건조처리부(95)로 반입한다.

상술한 바와 같이, 노광 후 세정/건조처리부(95)의 노광 후 세정/건조유닛(DRY)에 있어서는, 스핀척(91)(도 2 참조)에 의해 수평자세로 회전하는 기판(W)의 표면에, 노즐(92)로부터 처리액(세정액 및 린스액)이 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면이 세정된다. 그 후, 노즐(92)로부터 기판(W)에의 처리액의 공급이 정지함으로써, 기판(W)에 부착하는 세정액이 털어 내져 기판(W)의 표면이 건조된다(털어내기 건조).

또한, 노광 후 세정/건조유닛(DRY)에는, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 분사하는 기체분사노즐이 설치되어도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 털어내기 건조 중, 또는 기판(W)의 표면에 린스액의 액층을 형성한 후에, 기체분사노즐로부터 기판(W)에 불활성 가스를 분사함으로써, 기판(W)의 표면이 확실하게 건조된다.

이와 같이 노광 후 세정/건조처리부(95)에서는, 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행한다. 그 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 기판(W)을 노광 후 세정/건조처리부(95)로부터 꺼내, 기판재치부(PASS16)에 재치한다.

그리고, 고장 등에 의해 노광 후 세정/건조처리부(95)에서 일시적으로 세정 및 건조처리를 할 수 없을 때는, 인터페이스 블록(16)의 복귀버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.

기판재치부(PASS16)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(16)의 제8 센터로봇(CR8)에 의해 수취된다. 제8 센터로봇(CR8)은 그 기판(W)을 세정/건조처리블록(15)의 노광 후 베이크용 열처리부(151)로 반입한다.

노광 후 베이크용 열처리부(151)에서는, 기판(W)에 대하여 노광 후 베이크(PEB)가 행해진다. 그 후, 제8 센터로봇(CR8)은 노광 후 베이크용 열처리부(151)로부터 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS14)에 재치한다.

또한, 본 실시형태에 있어서는, 노광 후 베이크용 열처리부(151)에 의해 노광 후 베이크를 행하고 있지만, 노광 후 베이크용 열처리부(150)에 의해 노광 후 베이크를 행하여도 좋다.

기판재치부(PASS14)에 재치된 기판(W)은 세정/건조처리블록(15)의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취된다. 제7 센터로봇(CR7)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.

기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막 제거블록(14)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6 센터로봇(CR6)은 그 기판(W)을 레지스터 커버막제거용 처리부(70a) 또는 레지스터 커버막제거용 처리부(70b)로 반입한다. 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b)에서는, 제거유닛(REM)에 의해 기판(W) 상의 레지스터 커버막이 제거된다.

그 후, 제6 센터로봇(CR6)은 레지스터 커버막제거용 처리부(70a) 또는 레지스터 커버막제거용 처리부(70b)로부터 제거 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.

기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(13)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 현상처리부(60a) 또는 현상처리부(60b)로 반입한다. 현상처리부(60a, 60b)에서는, 현상처리유닛(DEV)에 의해 기판(W)의 현상처리를 행한다.

그 후, 제5 센터로봇(CR5)은 현상처리부(60a) 또는 현상처리부(60b)로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.

기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막용 처리블록(12)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇은 그 기판(W)을 현상용 열처리 부(121)로 반입한다. 현상용 열처리부(121)에 있어서는, 현상처리 후의 기판(W)에 열처리가 실시된다.

그리고, 제4 센터로봇(CR4)은 현상용 열처리부(121)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.

기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스터막용 처리블록(11)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS4)에 재치한다.

기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS2)에 재치한다.

기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인덱서 블록(9)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 내에 수납된다.

(3) 표면단부 세정/건조유닛에 대하여

여기서, 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 대하여 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 각 구성요소의 동작은 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.

(3－a) 표면단부 세정/건조유닛의 구성

도 4는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.

이 표면단부 세정/건조유닛(SD)에서는, 기판(W)의 표면 및 단부가 세정된다(표면단부 세정처리).

도 4에 도시하는 바와 같이, 표면단부 세정/건조유닛(SD)은 기판(W)을 수평 으로 파지함과 아울러 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전축의 주위로 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(201)을 구비한다.

스핀척(201)은 척(chuck)회전구동기구(204)에 의해 회전되는 회전축(203)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(201)에는, 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있어, 스핀척(201) 상에 기판(W)을 재치한 상태로 흡기로 안을 배기(排氣)함으로써, 기판(W)의 하면을 스핀척(201)에 진공 흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 파지할 수 있다.

스핀척(201)의 측방에는 모터(250)가 설치되어 있다. 모터(250)에는, 회동축(251)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(251)에는, 아암(arm)(252)이 수평방향으로 뻗도록 연결되며, 아암(252)의 선단에 표면세정용 노즐(260)이 설치되어 있다.

모터(250)에 의해 회동축(251)이 회전하면, 아암(252)이 회동한다. 이에 의해, 표면세정용 노즐(260)은 스핀척(201)에 의해 파지된 기판(W)의 위쪽 위치와 바깥쪽 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다.

모터(250), 회동축(251) 및 아암(252)의 내부를 지나도록 세정처리용 공급관(270)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(270)은 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통하여 세정액공급원(R1) 및 린스액공급원(R2)에 접속되어 있다.

이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 4의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 개방함으로써 세정처리용 공급관(270)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸 브(Vb)를 개방함으로써 세정처리용 공급관(270)에 린스액을 공급할 수 있다.

이와 같이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270) 및 표면세정용 노즐(260)을 통하여 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다.

세정액으로서는, 예를 들면, 소정의 레지스터 용매, 불소계 약액(藥液), 암모니아과수(過水), 및 노광장치(17)에서의 액침법에 사용되는 액체 중 어느 하나가 사용된다. 이 이외, 세정액으로서는, 예를 들면, 순수(純水), 순수에 착체(錯體)(이온화 한 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해 이온수, HFE(하이드로 플루오르 에테르(hydrefluoroether)), 불화수소산, 황산 및 황산과수 중 어느 하나를 사용할 수도 있다. 린스액으로서는, 예를 들면, 순수, 탄산수, 수소수 및 전해 이온수, HFE 중 어느 하나가 사용된다.

또한, 스핀척(201)의 측방과 표면단부 세정/건조유닛(SD) 내의 상부에는, 단부세정장치 이동기구(230)가 설치되어 있다. 단부세정장치 이동기구(230)에는, 아래쪽으로 뻗은 막대모양(棒狀)의 지지부재(220)가 장착되어 있다. 지지부재(220)는 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 상하 방향 및 수평 방향으로 이동한다.

지지부재(220)의 하단부에는, 대략 원통 형상을 갖는 단부세정장치(210)가 수평 방향으로 뻗도록 장착되어 있다. 이에 의해, 단부세정장치(210)는 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 지지부재(220)와 함께 이동한다. 이에 의해, 단부세정장치(210)의 일단을 스핀척(201)에 파지되는 기판(W)의 단부(R)와 대향시킬 수 있다. 이하의 설명에 있어서는, 단부세정장치(210)의 기판(W)의 단부(R)와 대향하는 일단을 정면으로 한다.

여기서, 기판(W)의 상기 단부(R)의 정의에 대하여 다음의 도면을 참조하면서 설명한다. 도 5는 기판(W)의 단부(R)를 설명하기 위한 개략적 모식도이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 기판(W) 상에는 상술한 반사방지막, 레지스터막(모두 도시하지 않음) 및 레지스터 커버막이 형성된다.

기판(W)은 단면(端面)을 갖고, 이 단면을 개략적으로 도시하면 도 5와 같이 된다. 이 단면을, 일반적으로 베벨부(bevel portion)라고 부른다. 또한, 레지스터 커버막이 형성되는 기판(W)의 면의 끝단에서부터 안쪽으로 거리 d까지의 영역을, 일반적으로 주연부(周緣部)라고 부른다. 본 실시형태에서는, 상기 베벨부와 주연부를 총칭하여 단부(R)라고 부른다. 그리고, 상기 거리 d는, 예를 들면 2∼3 mm이다. 또한, 단부(R)가 주연부를 포함하지 않아도 좋다. 이 경우에는, 표면단부 세정/건조유닛(SD)은 기판(W)의 단부(R)에 대하여 베벨부만을 세정한다.

통상, 레지스터 커버막은 기판(W) 상의 상기 주연부를 덮도록 형성되어 있지 않은 경우가 많다. 즉, 기판(W) 상의 주연부에 형성된 반사방지막 및 레지스터막의 한 쪽 또는 양쪽 모두는 노출한 상태로 되어 있다.

도 4로 돌아와, 단부세정장치(210)는 표면단부 세정처리시에 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 스핀척(201) 상의 기판(W)의 단부(R) 부근의 위치로 이동하고, 표면단부 세정처리를 하지 않은 기간에는, 스핀척(201)의 바깥쪽에서 대기한다.

단부세정장치(210)는 그 내부에 공간을 갖는다(후술하는 세정실(211)). 단 부세정장치(210)에는, 세정액공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다. 세정액공급관(241)은 밸브(242)를 통하여 도시하지 않는 세정액공급계에 접속되어 있다. 밸브(242)를 개방함으로써, 세정액이 세정액공급관(241)을 통하여 단부세정장치(210)의 내부 공간으로 공급된다.

또한, 배기관(244)은 배기부(245)에 접속되어 있다. 배기부(245)는 단부세정장치(210)의 내부 공간의 분위기를 흡인하여, 배기관(244)을 통하여 배기한다.

여기서, 단부세정장치(210)의 상세 구조를 설명한다. 도 6은 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 단부세정장치(210)의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도 6(a)에 단부세정장치(210)의 종단면도가 도시되며, 도 6(b)에 단부세정장치(210)의 정면도가 도시되어 있다.

도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 단부세정장치(210)의 대략 원통 형상의 하우징(210a)의 내부에는 세정실(211)이 형성되어 있다.

또한, 도 6(a) 및 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 하우징(210a)의 정면 측에는, 세정실(211)과 외부를 연통시키는 통로(212)가 형성되어 있다. 통로(212)는 중앙부로부터 양측방에 걸쳐 상하폭이 점차 확대하도록, 원호 형상의 상면 및 하면을 갖는다. 기판(W)의 표면단부 세정처리시에는, 통로(212)에 스핀척(201)에 흡착 파지된 기판(W)의 단부(R)가 삽입된다.

세정실(211) 내에는, 대략 원통 형상을 갖는 브러쉬(brush)(213)가 연직 방향으로 뻗도록 배치되어 있다. 브러쉬(213)는 연직 방향으로 뻗은 회전축(214)에 장착되어 있다. 회전축(214)의 상단 및 하단은 세정실(211)의 상부 및 하부에 형 성된 회전 베어링에 회전 가능하게 장착되어 있다. 이에 의해, 브러쉬(213)는 세정실(211) 및 회전축(214)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다.

기판(W)의 표면단부 세정처리시에는, 회전하는 기판(W)의 단부(R)와 브러쉬(213)가 접촉한다. 이에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 브러쉬(213)에 의해 세정된다.

여기서, 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 있어서, 브러쉬(213)가 장착된 회전축(214)은, 스핀척(201)이 고정되는 회전축(203)과 대략 평행하게 되도록 배치된다. 이에 의해, 브러쉬(213)가 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 확실하게 접촉한 상태로 회전한다.

단부세정장치(210)의 상부에는, 상술한 세정액공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다.

세정액공급관(241)은 하우징(210a) 내에 형성된 세정액공급로(241a, 241b)에 접속되어 있다. 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 세정액공급로(241a)는 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 상부 내면까지 뻗어 있다. 또한, 세정액공급로(241b)는 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 하부 내면까지 뻗어 있다. 도 6(a)에는, 세정액공급관(241b)의 일부만이 도시되어 있다.

이러한 구성에 의해, 기판(W)의 표면단부 세정처리시에는, 단부세정장치(210)에 공급되는 세정액이 세정실(211) 내에서 브러쉬(213)와 접촉하는 기판(W)의 단부(R)를 향하여 상하 방향으로부터 분사된다. 이에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 효율적으로 세정된다.

배기관(244)은 하우징(210a)의 상부에 설치된 구멍부분을 통하여 세정실(211) 내에 삽입되어 있다. 이에 의해, 상술한 바와 같이 세정실(211) 내의 분위기가 도 4의 배기부(245)에 의해 흡인되어 배기관(244)을 통하여 배기된다.

이와 같이 세정실(211)에 있어서는, 그 내부 분위기가 배기부(245)에 의해 배기되므로, 휘발한 세정액 및 세정액의 미스트(mist)가 효율적으로 배기된다.

위의 기재에 있어서, 기판(W)의 단부(R)에 분사되는 세정액으로서는, 소정의 레지스터 용매, 불소계 약액, 암모니아과수, 및 노광장치(17)에서의 액침법에 사용되는 액체 중 어느 하나가 사용된다.

이 이외, 세정액으로서는, 기판(W)의 표면을 세정하는 세정액과 마찬가지로, 예를 들면, 순수, 순수에 착체(이온화 한 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해 이온수, HFE, 불화수소산, 황산 및 황산과수 중 어느 하나를 사용할 수도 있다.

상기와 같이 브러쉬(213)에 의해 기판(W)의 단부(R)를 세정하는 경우에는, 기판(W)의 단부(R)에 직접 브러쉬(213)가 접촉하므로, 기판(W)의 단부(R)의 오염물질을 물리적으로 박리시킬 수 있다. 이에 의해, 단부(R)에 강고하게 부착한 오염물질을 더 확실하게 없앨 수 있다.

(3－b) 표면단부 세정/건조유닛의 동작

상기 구성을 갖는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 처리 동작에 대하여 설명한다.

표면단부 세정/건조유닛(SD)에의 기판(W)의 반입시에는, 도 1의 제7 센터로봇(CR7)이 기판(W)을 스핀척(201) 상에 재치한다. 스핀척(201) 상에 재치된 기 판(W)은 스핀척(201)에 의해 흡착 파지된다.

다음에, 표면세정용 노즐(260)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동하고, 단부세정장치(210)가 스핀척(201) 상의 기판(W)의 단부(R) 부근의 위치로 이동한다. 그리고, 회전축(203)이 회전함으로써 기판(W)이 회전한다.

이 상태에서, 표면세정용 노즐(260)로부터 기판(W)의 표면에 세정액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이와 동시에, 단부세정장치(210)에 세정액이 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다.

소정 시간 경과 후, 표면세정용 노즐(260)은 기판(W)의 표면에, 세정액에 대신하여 린스액을 토출한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 공급된 세정액이 씻겨 내려가게 된다. 또한, 이때, 단부세정장치(210)에의 세정액의 공급이 정지된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 토출된 린스액이 기판(W)의 단부(R)로 유입되어, 기판(W)의 단부(R)에 부착하는 세정액이 씻겨 내려가게 된다.

소정 시간이 더 경과한 후, 표면세정용 노즐(260)은 기판(W)으로의 린스액의 토출을 정지하여, 스핀척(201)에 의해 파지된 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다. 또한, 단부세정장치(210)도 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다.

그리고, 회전축(203)의 회전수가 상승한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 린스액에 큰 원심력이 작용한다. 이에 의해, 기판(W)의 표면 및 단부(R)에 부착하는 액체가 털어 내져 기판(W)이 건조된다.

또한, 세정/건조처리부(80)에 있어서, 상기 표면단부 세정처리시에는, 기판(W) 상의 레지스터 커버막의 성분이 세정액 속으로 용출한다. 이에 의해, 세정 액 속으로 용출한 레지스터 커버막의 성분이 기판(W) 상에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 예를 들면, 기판(W) 상에 순수를 부어서 일정시간 유지함으로써 상기 레지스터 커버막의 성분을 순수 속으로 용출시켜도 좋다.

기판(W) 상에의 세정액 및 린스액의 공급은 기체 및 액체로 이루어지는 혼합 유체를 토출하는 이류체(二流體) 노즐을 사용한 소프트 스프레이(soft spray) 방식에 의해 행하여도 좋다.

도 4의 표면세정용 노즐(260)로서 이류체 노즐을 사용하는 경우에는, 혼합 유체를 분사하는 이류체 노즐을 회전하는 기판(W)의 바깥쪽으로부터 기판(W)의 중심을 통과하도록 이동시킨다. 이에 의해, 세정액 또는 린스액을 포함한 혼합 유체를 기판(W)의 표면 전체에 걸쳐 효율적으로 분사할 수 있다.

또한, 이와 같이 이류체 노즐을 사용하는 경우, 도 4의 점선으로 표시하는 바와 같이, 표면세정용 노즐(260)에는 질소 가스(N₂), 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 공급할 필요가 있다.

(3－c) 표면단부 세정/건조유닛의 다른 구성예

표면단부 세정/건조유닛(SD)은 이하의 구성을 행하여도 좋다. 도 7은 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 있어서, 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)과 다른 점을 설명한다.

도 7에 도시하는 바와 같이, 본 예의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 있어서 는, 도 4의 단부세정장치(210)를 대신하여, 기판(W)의 단부(R)를 세정하기 위한 구성요소로서 이류체 노즐(310)이 설치되어 있다.

구체적으로는, 스핀척(201)의 바깥쪽에, 모터(301)가 설치되어 있다. 모터(301)에는 회동축(302)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(302)에는, 아암(303)이 수평 방향으로 뻗도록 연결되고, 아암(303)의 선단에 이류체 노즐(310)이 설치되어 있다. 이 이류체 노즐(310)은 기체 및 액체로 이루어지는 혼합 유체를 토출한다.

그리고, 아암(303)의 선단부에 있어서, 이류체 노즐(310)은 스핀척(201)에 의해 파지되는 기판(W)의 표면에 대하여 경사지도록 장착되어 있다.

기판(W)의 표면단부 세정처리의 개시시에는, 모터(301)에 의해 회동축(302)이 회전함과 함께 아암(303)이 회동한다. 이에 의해, 이류체 노즐(310)이 스핀척(201)에 의해 파지된 기판(W)의 단부(R)의 위쪽으로 이동한다. 그 결과, 이류체 노즐(310)의 혼합 유체의 토출부(310a)가 기판(W)의 단부(R)에 대향한다.

모터(301), 회동축(302) 및 아암(303)의 내부를 지나도록 세정액공급관(331)이 설치되어 있다. 세정액공급관(331)은 일단이 이류체 노즐(310)에 접속됨과 아울러, 타단이 밸브(332)를 통하여 도시하지 않는 세정액공급계에 접속되어 있다. 밸브(332)를 개방함으로써, 세정액이 세정액공급관(331)을 통하여 이류체 노즐(310)에 공급된다.

또한, 이류체 노즐(310)에는, 세정액공급관(331)과 함께, 기체공급관(341)의 일단이 접속되어 있다. 기체공급관(341)의 타단은 밸브(342)를 통하여 도시하지 않는 기체공급계에 접속되어 있다. 밸브(342)를 개방함으로써 기체가 이류체 노 즐(310)에 공급된다. 이류체 노즐(310)에 공급되는 기체로서는, 질소 가스(N₂), 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다.

기판(W)의 표면단부 세정처리시에는, 세정액 및 기체가 이류체 노즐(310)에 공급된다. 이에 의해, 상술한 바와 같이 표면세정용 노즐(260)로부터 기판(W)의 표면에 세정액 및 린스액이 토출됨과 아울러, 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 이류체 노즐(310)로부터 혼합 유체가 토출된다.

이와 같이 혼합 유체를 사용함으로써 높은 세정 효과를 얻을 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 단부(R)가 양호하게 세정된다. 또한, 기체와 액체와의 혼합 유체가 기판(W)의 단부(R)에 토출됨으로써, 비접촉으로 기판(W)의 단부(R)가 세정되므로, 세정시에서의 기판(W)의 단부(R)의 손상이 방지된다. 또한 혼합 유체의 토출압 및 혼합 유체에서의 기체와 액체의 비율을 제어함으로써 기판(W)의 단부(R)의 세정 조건을 용이하게 제어하는 것도 가능하다.

또한, 이류체 노즐(310)에 의하면, 균일한 혼합 유체를 기판(W)의 단부(R)에 토출할 수 있으므로, 세정 얼룩이 발생하지 않는다.

상기 예에 한정되지 않고, 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 있어서, 기판(W)의 단부(R)를 세정하기 위한 구성요소로서는, 고주파 진동자를 내장하는 초음파 노즐을 사용하여도 좋다.

(4) 제1 실시형태에서의 효과

(4－a) 현상처리블록에 의한 효과

일반적으로, 복수의 블록이 나란히 설치되는 기판처리장치에 있어서, 기판(W)에 현상처리를 행하는 현상처리블록에는, 기판(W)에 현상처리를 행하는 현상처리부와, 현상처리 후의 기판(W)을 가열 처리하기 위한 열처리부가 설치된다.

또한, 이 현상처리블록에 기판(W)을 반송하는 센터로봇이 설치되는 경우에는, 센터로봇을 사이에 두고 대향하도록 현상처리부와 현상용 열처리부를 설치하는 것이 일반적이다.

이에 대하여, 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 현상처리블록(13)에 있어서는, 현상처리부(60a, 60b)가 제5 센터로봇(CR5)을 사이에 두고 서로 대향하여 설치되어 있다.

즉, 이 현상처리블록(13)에 있어서는, 일반적으로 설치되어야 할 현상용 열처리부의 위치에, 현상처리부(60a)가 설치되어 있다. 이에 의해, 현상처리블록(13)은 종래의 기판처리장치에 비해 다수(본 예에서는, 8개)의 현상처리유닛(DEV)을 포함한다.

이에 의해, 현상처리의 시간이 길어지는 경우라도, 다수의 현상처리유닛(DEV)으로 다수의 기판(W)에 현상처리를 행할 수 있으므로, 기판처리장치 전체의 기판 처리에서의 스루풋을 충분히 향상시킬 수 있다.

(4－b) 표면단부 세정처리에 의한 제1 효과

제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 세정/건조처리부(80)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 의해 노광처리 전의 기판(W)에 표면단부 세정처리가 실시된다. 이에 의해, 노광장치(17)로 반입되는 기판(W)의 표면 및 단부(R)가 청 정하게 유지된다. 그 결과, 노광처리 전의 기판(W)의 표면 및 단부(R)의 오염에 기인하는 노광장치(17) 내의 오염을 방지할 수 있어, 노광 패턴의 치수 불량 및 형상 불량의 발생을 방지할 수 있다.

(4－c) 표면단부 세정처리에 의한 제2 효과

상술한 바와 같이 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 기판(W)의 표면 및 단부(R)를 표면단부 세정/건조유닛(SD) 내에서 동시에 세정할 수 있다. 이에 의해, 노광처리 전에, 기판(W)의 표면 및 단부(R)를 개별적으로 세정할 필요가 없기 때문에, 기판 처리에서의 스루풋의 저하가 방지된다.

또한, 기판(W)의 표면을 세정하는 표면 세정유닛, 및 기판(W)의 단부(R)를 세정하는 단부 세정유닛을 개별적으로 설치할 필요가 없다.

이에 의해, 세정/건조처리블록(15)의 소형화가 실현된다. 또는 세정/건조처리블록(15) 내에 설치하는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 수를 증가시킴으로써, 기판 처리에서의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다. 또한 세정/건조처리블록(15)의 세정/건조처리부(80) 내에 다른 처리 유닛을 설치하는 것도 가능하게 된다.

(5) 기타

상기 표면단부 세정처리에 사용되는 세정액은 기판(W) 상의 막의 성분을 미리 용출 또는 석출시키기 위해서, 노광장치(17)에서의 액침법에 사용되는 액체(액침액)를 사용하는 것이 바람직하다. 액침액의 예로서는, 순수, 고굴절률을 갖는 글리세롤(glycerol), 고굴절률의 미립자(예를 들면, 알루미늄 산화물)와 순수를 혼합한 혼합액, 및 유기계의 액체 등을 들 수 있다.

또한, 액침액의 다른 예로서는, 순수에 착체(이온화 한 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해 이온수, HFE(하이드로 플루오르 에테르), 불화수소산, 황산 및 황산과물 등을 들 수 있다.

본 실시형태에서는, 노광장치(17)에서 기판(W)에 노광처리를 하기 전에, 레지스터 커버막용 처리블록(12)에서, 레지스터막 상에 레지스터 커버막이 형성된다. 이 경우, 노광장치(17)에 대하여 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 레지스터 커버막에 의해 레지스터막이 액체와 접촉하는 것이 방지되므로, 레지스터의 성분이 액체 속으로 용출하는 것이 방지된다.

＜2＞ 제2 실시형태

이하, 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)와 다른 점을 설명한다.

(1) 기판처리장치의 구성

도 8은 제2 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이며, 도 9는 도 8의 기판처리장치(500)의 한 쪽의 측면도이며, 도 10은 도 8의 기판처리장치(500)의 다른 쪽의 측면도이다.

도 8∼도 10에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 레지스터 커버막용 처리블록(12)의 구성이 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)와 다르다.

이 레지스터 커버막용 처리블록(12)은 레지스터 커버막용 열처리부(120, 122), 레지스터 커버막용 도포처리부(50) 및 제4 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지 스터 커버막용 도포처리부(50)는 제4 센터로봇(CR4)을 사이에 두고 레지스터 커버막용 열처리부(120, 122)에 대향하여 설치된다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 레지스터 커버막용 열처리부(122)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다.

또한, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 현상처리블록(13)의 구성이 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)와 다르다.

이 현상처리블록(13)은 현상처리부(60c, 60d), 현상용 열처리부(130, 131) 및 제5 센터로봇(CR5)을 포함한다. 여기서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 현상처리부(60c)는 현상용 열처리부(130, 131) 상에 적층 배치되어 있다. 이에 의해, 현상처리블록(13)에 있어서, 현상처리부(60d)는 제5 센터로봇(CR5)을 사이에 두고 현상처리부(60c) 및 현상용 열처리부(130, 131)에 대향하여 설치된다.

도 9에 도시하는 바와 같이, 현상처리부(60d)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 현상처리부(60c)에는, 2개의 현상처리유닛(DEV)이 상하로 적층 배치된다. 현상용 열처리부(130, 131)에는, 각각 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다. 현상용 열처리부(130, 131)의 최상부에는, 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.

(2) 기판처리장치의 동작

상기 구성에 의해, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에서는, 제1 실시형태와 다른 동작을 한다.

먼저, 제2 실시형태에 있어서도 인덱서 블록(9)의 캐리어 재치대(92) 상에 캐리어(C)가 재치된다. 그리고, 캐리어(C) 내에 수납된 미처리의 기판(W)은 인덱서 로봇(IR)에 의해 수취되어 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 반송됨으로써, 기판재치부(PASS5)에 재치된다.

기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막용 처리블록(12)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 레지스터 커버막용 도포처리부(50)로 반입한다. 이에 의해, 레지스터막 상에 레지스터 커버막이 도포 형성된다.

그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스터 커버막용 도포처리부(50)로부터 도포 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스터 커버막용 열처리부(120, 122)로 반입한다. 다음에, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스터 커버막용 열처리부(120, 122)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.

기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(13)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 수취되어 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 노광장치(17)로 반송된다.

노광장치(17)에 의한 노광처리 후의 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 꺼내져 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 반송됨으로써, 기판재치부(PASS10)에 재치된다.

기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(13)의 제5 센터로 봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 현상처리부(60c) 또는 현상처리부(60d)로 반입한다. 현상처리부(60c, 60d)에서는, 현상처리유닛(DEV)에 의해 기판(W)의 현상처리를 행한다.

그 후, 제5 센터로봇(CR5)은 현상처리부(60c) 또는 현상처리부(60d)로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(130, 131)로 반입한다. 다음에, 제5 센터로봇(CR5)은 현상용 열처리부(130, 131)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.

기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 레지스터 커버막용 처리블록(12)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.

기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 인덱서 블록(9)으로 반송되어 캐리어(C) 내에 수납된다.

(3) 제2 실시형태에서의 효과

이에 대하여, 제2 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 현상처리블록(13)에 있어서는, 현상처리부(60c, 60d)가 제5 센터로봇(CR5)을 사이에 두고 서로 대향하여 설치되어 있다. 이에 의해, 현상처리블록(13)은 종래의 기판처리장치에 비해 다수(본 예에서는 7개)의 현상처리유닛(DEV)을 포함한다.

아울러, 본 실시형태에서는, 현상처리블록(13)이 현상처리부(60c, 60d)와 함께 현상용 열처리부(130, 131)를 포함하므로, 현상처리 후의 기판(W)의 열처리를 신속히 실시할 수 있다.

＜3＞ 제3 실시형태

이하, 본 발명의 제3 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)와 다른 점을 설명한다.

(1) 기판처리장치의 구성

도 11은 제3 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이고, 도 12는 도 11의 기판처리장치(500)의 한 쪽의 측면도이며, 도 13은 도 11의 기판처리장치(500)의 다른 쪽의 측면도이다.

도 11∼도 13에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 세정/건조처리블록(15)의 구성이 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(500)와 다르다.

이 세정/건조처리블록(15)은 기판반전부(150a), 노광 후 베이크용 열처리 부(150b, 151), 제1 세정/건조처리부(80a), 제2 세정/건조처리부(80b) 및 제7 센터로봇(CR7)을 포함한다.

제1 세정/건조처리부(80a) 및 제2 세정/건조처리부(80b)는 이 순서대로 상하로 적층 배치되어 있다. 제1 및 제2 세정/건조처리부(80a, 80b)는 제7 센터로봇(CR7)을 사이에 두고 기판반전부(150a), 노광 후 베이크용 열처리부(150b, 151)에 대향하여 설치된다.

도 12에 도시하는 바와 같이, 제1 세정/건조처리부(80a)에는 2개의 이면세정유닛(SDR)이 상하로 적층 배치되며, 제2 세정/건조처리부(80b)에는 2개의 표면단부 세정/건조유닛(SD)이 상하로 적층 배치된다.

여기서, 이면세정유닛(SDR)은 기판(W)의 이면을 세정하기 위해서 사용된다. 이면세정유닛(SDR)에는, 기판(W)의 이면이 위쪽으로 향한 상태로 기판(W)이 반입된다. 이면세정유닛(SDR)의 자세한 것은 후술한다.

도 13에 도시하는 바와 같이, 세정/건조처리블록(15)에 있어서, 노광 후 베이크용 열처리부(151)는 인터페이스 블록(16)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 후 베이크용 열처리부(151)에는 6개의 가열유닛(HP) 및 기판재치부(PASS13, 14)가 상하로 적층 배치된다. 노광 후 베이크용 열처리부(151)의 최상부에는 로컬 컨트롤러(LC)가 배치된다.

이 노광 후 베이크용 열처리부(151)에 인접하도록, 기판반전부(150a) 및 노광 후 베이크용 열처리부(150b)가 이 순서대로 상하로 적층 배치된다.

기판반전부(150a)에는 2개의 반전유닛(RT)이 상하로 적층 배치된다. 노광 후 베이크용 열처리부(150b)에는 4개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 기판반전부(150a)의 최상부에는 반전유닛(RT)의 동작 및 후술하는 노광 후 베이크용 열처리부(150b)의 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 배치된다.

여기서, 반전유닛(RT)은 기판(W)의 일면(표면)과 타면(이면)을 서로 반전시키기 위해 사용된다. 예를 들면, 기판(W)의 표면이 위쪽으로 향하고 있는 경우에, 반전유닛(RT)은 기판(W)의 이면이 위쪽으로 향하도록 기판(W)을 반전시킨다. 반전유닛(RT)의 자세한 것은 후술한다.

(2) 기판처리장치의 동작

먼저, 제3 실시형태에 있어서도 인덱서 블록(9)의 캐리어 재치대(92) 상에 캐리어(C)가 재치된다.

여기서, 본 실시형태에 있어서, 캐리어(C)에 수납되는 복수의 기판(W)은 그 표면이 위쪽으로 향한 상태에서 파지되어 있다. 그리고, 캐리어(C) 내에 수납된 미처리의 기판(W)은 인덱서 로봇(IR)에 의해 수취되어 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 반송됨으로써, 기판재치부(PASS11)에 재치된다.

기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은 세정/건조처리블록(15)의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취된다. 제7 센터로봇(CR7)은 그 기판(W)을 제2 세정/건조처리부(80b)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)으로 반입한다.

표면단부 세정/건조유닛(SD)에서는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 기판(W)에 표면단부 세정처리가 실시된다. 이에 의해, 노광장치(17)에 의한 노광처리 전의 기판(W)의 표면 및 단부가 청정하게 유지된다.

그 후, 제7 센터로봇(CR7)은 표면단부 세정/건조유닛(SD)으로부터 표면단부 세정처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판반전부(150a)의 반전유닛(RT)으로 반입한다.

반전유닛(RT)은 상술한 바와 같이 기판(W)의 일면과 타면을 서로 반전한다. 즉, 반전유닛(RT)은 표면이 위쪽으로 향한 기판(W)을, 이면이 위쪽으로 향하도록 반전한다.

이어서, 제7 센터로봇(CR7)은 이면이 위쪽으로 향한 기판(W)을 반전유닛(RT)으로부터 꺼내, 그 기판(W)을 제1 세정/건조처리부(80a)의 이면세정유닛(SDR)으로 반입한다. 이면세정유닛(SDR)은 상술한 바와 같이 기판(W)의 이면을 세정한다.

다음에, 제7 센터로봇(CR7)은 이면세정유닛(SDR)으로부터 이면이 세정된 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 다시 기판반전부(150a)의 반전유닛(RT)으로 반입한다.

따라서, 반전유닛(RT)은 이면이 위쪽으로 향한 기판(W)을 표면이 위쪽으로 향하도록 반전한다. 그리고, 제7 센터로봇(CR7)은 표면이 위쪽으로 향한 기판(W)을 반전유닛(RT)로부터 꺼내, 기판재치부(PASS13)에 재치한다.

기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 노광장치(17)로 반송된다. 이에 의해, 노광장치(17)에 의해 기판(W)에 노광처리가 실시된다. 노광처리 후의 기판(W)은 제1 실시형태와 마찬가지로 하여 인덱서 블 록(9)으로 반송되어 캐리어(C) 내에 수납된다.

(3) 이면세정유닛에 대하여

여기서, 이면세정유닛(SDR)에 대하여 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 그리고 이하에 설명하는 이면세정유닛(SDR)의 각 구성요소의 동작은 도 11의 메인 컨트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.

(3－a) 이면세정유닛의 구성

도 14는 이면세정유닛(SDR)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 이 이면세정유닛(SDR)에서는, 기판(W)의 이면이 세정된다(이면세정처리).

도 14에 도시하는 바와 같이, 이면세정유닛(SDR)은 기판(W)을 수평으로 파지함과 아울러 기판(W)의 중심을 통과하는 연직축의 주위로 기판(W)을 회전시키는 기계식의 스핀척(201R)을 구비한다. 이 스핀척(201R)은 기판(W)의 외주 단부를 파지한다. 스핀척(201R)은 척회전구동기구(204)에 의해 회전되는 회전축(203)의 상단에 고정되어 있다.

상술한 바와 같이, 이면세정유닛(SDR)에는, 이면이 위쪽으로 향해진 상태의 기판(W)이 반입된다. 그 때문에, 기판(W)은 이면이 위쪽으로 향해진 상태로 스핀척(201R)에 의해 파지된다. 이면 세정처리시에, 기판(W)은 스핀척(201R) 상의 회전식 파지핀(PIN)에 의해 그 하면의 주연부 및 외주 단부가 파지된 상태에서 수평자세를 유지하면서 회전된다.

표면단부 세정/건조유닛(SD)과 마찬가지로, 스핀척(201R)의 바깥쪽에는 모터(250)가 설치되어 있다. 모터(250)에는 회동축(251)이 접속되어 있다. 회동 축(251)에는, 아암(252)이 수평 방향으로 뻗도록 연결되고, 아암(252)의 선단에 이면 세정용 노즐(260R)이 설치되어 있다.

모터(250)에 의해 회동축(251)이 회전하면, 아암(252)이 회동한다. 이에 의해, 이면 세정용 노즐(260R)은 스핀척(201R)에 의해 파지된 기판(W)의 위쪽 위치와 바깥쪽 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다.

모터(250), 회동축(251) 및 아암(252)의 내부를 지나도록 세정처리용 공급관(270)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(270)은 표면단부 세정/건조유닛(SD)과 마찬가지로, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통하여 세정액공급원(R1) 및 린스액공급원(R2)에 접속되어 있다.

밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270) 및 이면 세정용 노즐(260R)을 통해 기판(W)의 이면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 이면을 세정할 수 있다.

(3－b) 이면세정유닛의 동작

이면세정유닛(SDR)으로의 기판(W)의 반입시에는, 도 11의 제7 센터로봇(CR7)이 기판(W)을 스핀척(201R) 상에 재치한다. 스핀척(201) 상에 재치된 기판(W)은 스핀척(201R)에 의해 파지된다.

다음에, 이면 세정용 노즐(260R)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그리고, 회전축(203)이 회전함으로써 기판(W)이 회전한다.

이 상태에서, 이면 세정용 노즐(260R)로부터 기판(W)의 이면에 세정액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 이면이 세정된다.

소정 시간 경과 후, 이면세정용 노즐(260R)은 기판(W)의 이면에, 세정액에 대신해 린스액을 토출한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 공급된 세정액이 씻겨 내려가게 된다.

소정 시간이 더 경과한 후, 이면 세정용 노즐(260R)은 기판(W)으로의 린스액의 토출을 정지하여, 스핀척(201R)에 의해 파지된 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다.

그리고, 회전축(203)의 회전수가 상승한다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔류하는 린스액에 큰 원심력이 작용한다. 이에 의해, 기판(W)의 이면 및 단부에 부착하는 액체가 털어 내져 기판(W)이 건조된다.

이면세정유닛(SDR)에 있어서도, 기판(W) 상에의 세정액 및 린스액의 공급은, 기체 및 액체로 이루어지는 혼합 유체를 토출하는 이류체 노즐을 사용한 소프트 스프레이 방식에 의해 행하여도 좋다. 이류체 노즐을 사용하는 경우, 이면세정용 노즐(260R)에는 도 14의 점선으로 표시하는 바와 같이, 질소 가스(N₂), 아르곤 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 공급할 필요가 있다.

(4) 반전유닛에 대하여

여기서, 반전유닛(RT)에 대하여 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 그리고, 이하에 설명하는 반전유닛(RT)의 각 구성요소의 동작은 도 11의 메인 컨트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.

(4－a) 반전유닛의 구성

도 15는 반전유닛(RT)에 설치되는 기판반전장치(7)의 외관을 나타내는 사시 도이며, 도 16은 기판반전장치(7)의 일부의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 15 및 도 16에 도시하는 바와 같이, 기판반전장치(7)는 제1 지지부재(771), 제2 지지부재(772), 복수의 기판지지핀(773a, 773b), 제1 가동부재(774), 제2 가동부재(775), 고정판(776), 링크기구(777) 및 회전기구(778)를 포함한다.

도 16에 도시하는 바와 같이, 제2 지지부재(772)는 방사상으로 뻗은 6개의 막대모양 부재로 구성된다. 그 6개의 막대모양 부재의 각 선단부에는 각각 기판지지핀(773b)이 설치되어 있다.

마찬가지로, 도 15에 도시하는 바와 같이, 제1 지지부재(771)도, 방사상으로 뻗은 6개의 막대모양 부재로 구성된다. 6개의 막대모양 부재의 각 선단부에는 각각 기판지지핀(773a)이 설치되어 있다.

그리고, 본 실시형태에 있어서, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 6개의 막대모양 부재로 이루어지지만, 이에 한정되지 않고, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 다른 임의 수의 막대모양 부재 또는 다른 임의의 형상 부재로 이루어져도 좋다. 예를 들면, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 복수의 제1 및 제2 지지핀(773a, 773b)을 따르는 외주를 갖는 원판 또는 다각형 등의 다른 형상으로 형성되어도 좋다.

제1 가동부재(774)는 ㄷ자 형상으로 이루어진다. 제1 지지부재(771)는 제1 가동부재(774)의 일단에 고정되어 있다. 제1 가동부재(774)의 타단은 링크기구(777)에 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 가동부재(775)는 ㄷ자 형상으로 이루어진다. 제2 지지부재(772)는 제2 가동부재(775)의 일단에 고정되어 있다. 제2 가동부재(775)의 타단은 링크기구(777)에 접속되어 있다. 링크기구(777)는 회전기구(778)의 회전축에 장착되어 있다. 이 링크기구(777) 및 회전기구(778)는 고정판(776)에 장착되어 있다.

도 15의 링크기구(777)에는, 에어 실린더 등이 내장되어 있어, 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)를 상대적으로 이간시킨 상태와 근접시킨 상태로 선택적으로 이행시킬 수 있다. 또한, 도 15의 회전기구(778)에는, 모터 등이 내장되어 있어, 링크기구(777)를 통하여 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)를 수평 방향의 축 주위로, 예를 들면 180도 회전시킬 수 있다.

(4－b) 반전유닛의 동작

다음에, 도 17 및 도 18은 도 15의 기판반전장치(7)의 동작을 나타내는 모식적 구성도이다.

먼저, 도 17(a)에 도시하는 바와 같이, 기판반전장치(7)로 도 11의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 기판(W)이 반입된다. 이 경우, 링크기구(777)의 기능에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)는 수직 방향으로 이간한 상태로 지지되어 있다.

제7 센터로봇(CR7)의 핸드(CRH11, CRH12)는 제2 지지부재(772)의 복수의 기판지지핀(773b) 상에 기판(W)을 옮겨 놓는다. 기판(W)을 옮겨 놓은 후, 제7 센터로봇(CR7)의 핸드(CRH11, CRH12)는 기판반전장치(7)로부터 빠져나간다.

다음에, 도 17(b)에 도시하는 바와 같이, 링크기구(777)의 기능에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수직 방향으로 근접한 상태로 이행된다.

이어서, 도 18(c)에 도시하는 바와 같이, 회전기구(778)의 기능에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수평축의 주위로 화살표 θ7의 방향으로 180도 회전한다.

이 경우, 기판(W)은 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)와 함께, 제1 지지부재(771) 및 제2 지지부재(772)에 설치된 복수의 기판지지핀(773a, 773b)에 파지되면서 180도 회전한다.

마지막으로, 링크기구(777)의 기능에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수직 방향으로 이간한 상태로 이행된다.

그리고, 제7 센터로봇(CR7)의 핸드(CRH11, CRH12)가 기판반전장치(7) 내로 진입하여, 도 18(d)에 도시하는 바와 같이, 기판(W)을 파지하여 빠져나간다.

(5) 제3 실시형태에서의 효과

제3 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, 제2 세정/건조처리부(80b)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 의해 노광처리 전의 기판(W)에 표면단부 세정처리가 실시됨과 아울러, 제1 세정/건조처리부(80a)의 이면세정유닛(SDR)에 의해 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 실시된다.

이에 의해, 노광장치(17)에 의한 노광처리 전의 기판(W)의 표면, 이면 및 단부가 세정된다. 이에 의해, 노광장치(17)로 반입되는 기판(W)의 표면, 이면 및 단부가 청정하게 유지된다.

그 결과, 노광처리 전의 기판(W)의 표면, 이면 및 단부의 오염에 기인하는 노광장치(17) 내의 오염이 더 충분히 방지할 수 있어, 노광 패턴의 치수 불량 및 형상 불량의 발생을 더 충분히 방지할 수 있다.

그리고, 표면단부 세정처리시에는, 기판(W)의 이면이 스핀척(201)(도 4)에 의해 흡착 파지되지만, 표면단부 세정처리 후에 신속히 이면세정처리를 하므로, 기판(W)의 이면의 흡착자취가 용이하게 제거된다.

＜4＞ 다른 실시형태 및 그 효과

(1) 레지스터 커버막에 대하여

제1∼제3 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서, 기판(W)의 표면에 형성되는 레지스터막과 노광장치(17)에 사용되는 액체가 접촉하여도 레지스터의 성분이 액체 속으로 용출하지 않으면, 레지스터 커버막용 처리블록(12) 및 레지스터 커버막 제거블록(14)을 기판처리장치(500)에 설치하지 않아도 좋다. 이 경우, 각 블록(12, 14)을 없앰으로써, 기판처리장치(500)의 소형화 및 풋 프린트(foot print)의 저감이 실현됨과 아울러, 기판 처리에서의 스루풋이 더 향상한다.

(2) 다른 배치예에 대하여

제1∼제3 실시형태에 있어서, 레지스터 커버막 제거블록(14)은 2의 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b)를 포함하지만, 레지스터 커버막 제거블록(14)이 2개의 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b)의 한쪽을 대신하여 기판(W)에 열처리를 행하는 열처리부를 포함하여도 좋다. 이 경우, 복수의 기판(W)에 대한 열처리가 효율적으로 행해지므로, 기판 처리에서의 스루풋이 향상한다.

(3) 노광장치에 대하여

상기 각 실시형태에 있어서, 노광장치(17)는 액침법을 사용하지 않고 기 판(W)의 노광처리를 행하여도 좋다. 이 경우에서도, 기판처리장치(500)에, 현상처리유닛(DEV)이 센터로봇을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치된 현상처리블록(13)을 설치함으로써 본원발명의 목적을 달성하는 것이 가능하다.

＜5＞ 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 부(部)와의 대응 관계

이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 부와의 대응의 예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 아래와 같은 예에 한정되지 않는다.

상기 각 실시형태에 있어서는, 반사방지막용 처리블록(10), 레지스터막용 처리블록(11), 레지스터 커버막용 처리블록(12), 현상처리블록(13), 레지스터 커버막 제거블록(14) 및 세정/건조처리블록(15)이 처리부의 예이며, 인덱서 블록(9)이 반입반출부의 예이며, 인터페이스 블록(16)이 주고받기부의 예이다.

또한, 레지스터막용 처리블록(11)이 제1 처리단위의 예이고, 현상처리블록(13)이 제2 처리단위의 예이고, 레지스터막용 도포처리부(40)가 감광성막형성영역의 예이고, 레지스터막용 열처리부(110, 111)가 열처리영역의 예이며, 제3 센터로봇(CR3)의 설치 영역이 제1 반송영역의 예이다.

또한, 레지스터막이 감광성막의 예이고, 도포유닛(RES)이 감광성막형성유닛의 예이고, 레지스터막용 열처리부(110, 111)의 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)이 제1 열처리 유닛의 예이며, 제3 센터로봇(CR3)이 제1 반송유닛의 예이다.

또한, 현상처리부(60a∼60d)가 제1 및 제2 현상영역의 예이고, 제5 센터로봇(CR5)의 설치 영역이 제2 반송영역의 예이고, 현상처리유닛(DEV)이 현상유닛의 예이며, 제5 센터로봇(CR5)이 제2 반송유닛의 예이다.

또한 현상용 열처리부(130, 131)의 핫플레이트(HP) 및 쿨링플레이트(CP)가 제2 열처리 유닛의 예이고, 반사방지막용 처리블록(10)이 제3 처리단위의 예이고, 반사방지막용 도포처리부(30)가 반사방지막 형성 영역의 예이고, 제2 센터로봇(CR2)의 설치 영역이 제3 반송영역의 예이고, 도포유닛(BARC)이 반사방지막 형성 유닛의 예이며, 제2 센터로봇(CR2)이 제3 반송유닛의 예이다.

또한, 레지스터 커버막용 처리블록(12)이 제4 처리단위의 예이고, 레지스터 커버막용 도포처리부(50)가 보호막 형성 영역의 예이고, 제4 센터로봇(CR4)의 설치 영역이 제4 반송영역의 예이고, 도포유닛(COV)가 보호막 형성 유닛의 예이며, 제4 센터로봇(CR4)이 제4 반송유닛의 예이다.

또한, 레지스터 커버막 제거블록(14)이 제5 처리단위의 예이고, 레지스터 커버막제거용 처리부(70a, 70b)가 보호막제거 영역의 예이고, 제6 센터로봇(CR6)의 설치 영역이 제5 반송영역의 예이고, 제거유닛(REM)이 보호막제거 유닛의 예이며, 제6 센터로봇(CR6)이 제5 반송유닛의 예이다.

또한, 세정/건조처리블록(15)이 제6 처리단위의 예이고, 세정/건조처리부(80), 제1 세정/건조처리부(80a) 및 제2 세정/건조처리부(80b)가 노광 전 세정영역의 예이며, 제7 센터로봇(CR7)의 설치 영역이 제6 반송영역의 예이다.

또한, 표면단부 세정/건조유닛(SD) 및 이면세정유닛(SDR)이 노광 전 세정유닛의 예이고, 제7 센터로봇(CR7)이 제6 반송유닛의 예이고, 기판반전부(150a)가 반전영역의 예이고, 노광 후 세정/건조처리부(95)가 세정건조유닛의 예이고, 제8 센터로봇(CR8) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 주고받기유닛의 예이다.

청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.

도 1은 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다

도 2는 도 1의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 3은 도 1의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 4는 표면단부 세정/건조유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.

도 5는 기판의 단부를 설명하기 위한 개략적 모식도이다.

도 6은 도 4의 표면단부 세정/건조유닛의 단부세정장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.

도 7은 표면단부 세정/건조유닛의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다.

도 8은 제2 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다.

도 9는 도 8의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 10은 도 8의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 11은 제3 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다.

도 12는 도 11의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 13은 도 11의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도이다.

도 14는 이면세정유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.

도 15는 반전유닛에 설치되는 기판반전장치의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 16은 기판반전장치의 일부의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 17은 도 15의 기판반전장치의 동작을 나타내는 모식적 구성도이다.

도 18은 도 15의 기판반전장치의 동작을 나타내는 모식적 구성도이다.

Claims

노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서,

기판에 소정의 처리를 행하기 위한 처리부와,

상기 처리부에 대하여 기판을 반입 및 반출하기 위한 반입반출부와,

상기 처리부와 상기 노광장치와의 사이에 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고,

상기 처리부는 제1 처리단위 및 제2 처리단위를 포함하고,

상기 제1 처리단위는 감광성막형성영역, 열처리영역 및 제1 반송영역을 갖고,

상기 감광성막형성영역 및 열처리영역은 상기 제1 반송영역을 사이에 두고 대향하도록 배치되고,

상기 감광성막형성영역에는, 상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛(unit)이 설치되고,

상기 열처리영역에는, 기판에 열처리를 행하는 제1 열처리 유닛이 설치되고,

상기 제1 반송영역에는, 기판을 반송하는 제1 반송유닛이 설치되고,

상기 제2 처리단위는 제1 현상영역, 제2 현상영역 및 제2 반송영역을 갖고,

상기 제1 및 제2 현상영역은 제2 반송영역을 사이에 두고 대향하도록 배치되고,

상기 제1 및 제2 현상영역에는, 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 현상 처리를 행하는 현상유닛이 각각 설치되며,

상기 제2 반송영역에는, 기판을 반송하는 제2 반송유닛이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 현상영역 중 적어도 한 쪽에는, 기판에 열처리를 행하는 제2 열처리 유닛이 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,

상기 처리부는 제3 처리단위를 더 포함하고,

상기 제3 처리단위는 반사방지막 형성 영역 및 제3 반송영역을 갖고,

상기 반사방지막 형성 영역에는, 상기 감광성막형성유닛에 의한 감광성막의 형성 전에 기판에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 유닛이 설치되며,

상기 제3 반송영역에는 기판을 반송하는 제3 반송유닛이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,

상기 처리부는 제4 처리단위를 더 포함하고,

상기 제4 처리단위는 보호막 형성 영역 및 제4 반송영역을 갖고,

상기 보호막 형성 영역에는, 노광장치에 의한 노광처리 전에 상기 감광성막 을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 유닛이 설치되고,

상기 제4 반송영역에는, 기판을 반송하는 제4 반송유닛이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제4항에 있어서,

상기 처리부는 제5 처리단위를 더 포함하고,

상기 제5 처리단위는 보호막제거 영역 및 제5 반송영역을 갖고,

상기 보호막제거 영역에는, 상기 노광장치에 의한 노광처리 후로서 상기 현상유닛에 의한 현상처리 전에 보호막을 제거하는 보호막제거 유닛이 설치되며,

상기 제5 반송영역에는, 기판을 반송하는 제5 반송유닛이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,

상기 처리부는 제6 처리단위를 더 포함하고,

상기 제6 처리단위는 노광 전 세정영역 및 제6 반송영역을 갖고,

상기 노광 전 세정영역에는, 상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 세정하는 노광 전 세정유닛이 설치되며,

상기 제6 반송영역에는, 기판을 반송하는 제6 반송유닛이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제6항에 있어서,

상기 노광 전 세정유닛은 상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판의 표면 및 단부(端部)를 세정하는 표면단부 세정유닛을 포함한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제7항에 있어서,

상기 제6 처리단위는 반전(反轉)영역을 더 갖고,

상기 반전영역에는, 기판의 일면(一面)과 타면(他面)을 서로 반전시키는 반전유닛이 설치되며,

상기 노광 전 세정유닛은 기판의 이면(裏面)을 세정하는 이면세정유닛을 포함한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,

상기 주고받기부는 상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 세정하여 건조시키는 세정건조유닛과 기판을 반송하는 주고받기유닛을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.