KR100938737B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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요시테루 후쿠토미
마사미 오타니
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

기판처리장치에서는 인덱서 블록, 레지스트막(膜)용 처리 블록, 세정/건조처리 블록, 현상처리 블록 및 인터페이스 블록이 이 순서로 나란히 설치된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 노광장치(露光裝置)가 배치된다. 노광장치에서는 액침법(液浸法)으로 기판의 노광처리가 행해진다. 세정/건조처리 블록과 현상처리 블록과의 사이에, 각 블록 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(基板載置部)가 상하에 근접해서 설치된다. 기판재치부의 상측 및 기판재치부의 하측에 기판의 일면(一面)과 타면(他面)을 반전시키는 반전(反轉)유닛이 적층배치(積層配置)된다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판에 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광(光)디스크용 기판, 자기(磁氣)디스크용 기판, 광자기(光磁氣)디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지 처리를 행하기 위해서, 기판처리장치가 이용되어 있다.
이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로 1장의 기판에 대해 복수(複數)의 다른 처리가 연속적으로 행해진다 (예를 들면, 일본특허공개 2003－324139호 공보 참조). 일본특허공개 2003－324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막(反射防止膜)용 처리 블록, 레지스트막용 처리 블록, 현상처리(現像處理) 블록 및 인터페이스 블록으로 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록, 기판처리장치와는 분리된 외부장치인 노광장치가 배치된다.
상기 기판처리장치에서, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리 블록 및 레지스트막용 처리 블록에 의해 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행해진 후, 인터페이스 블록을 통해 노광장치에 반송된다. 노광장치에 서 기판상의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통해 현상처리 블록에 반송된다. 현상처리 블록에서 기판상의 레지스트막에 현상처리가 행해짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록에 반송된다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되어 있다. 종래의 일반적인 노광장치에서는 레티클 패턴을 투영렌즈를 통해 기판상에 축소투영함으로써 노광처리가 행해져 왔다. 그러나 이러한 종래의 노광장치에서는 노광패턴의 선폭(線幅)은 노광장치의 광원의 파장에 의해 정해지기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
그래서, 노광패턴이 더 미세화되는 것을 가능하게 하는 투영노광방법으로서 액침법(液浸法)이 제안되어 있다 (예를 들면, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에서는 투영광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워져 있어, 기판 표면에서의 노광광(露光光)을 단파장화(短波長化)할 수 있다. 이로써, 노광패턴이 더 미세화되는 것이 가능해진다.
그런데 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛에 기재되어 있는 것처럼 액침법(液浸法)을 이용하여 기판의 노광처리를 행하는 경우에 있어서는, 기판의 이면(裏面)이 오염되어 있으면, 기판의 이면에 부착된 오염물질이 노광장치 내의 액체에 혼입한다. 그로 인해, 노광장치의 렌즈가 오염되어, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.
또한, 노광처리 후의 기판이 노광장치로부터 반출(搬出)되고, 현상처리 블록에 반입되는 기판의 이면이 오염되어 있으면, 현상불량이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 목적은 작업처리량의 저하가 억제되면서 노광처리 전(前) 또는 노광처리 후의 기판의 오염에 의한 처리불량이 방지된, 소형화가 가능한 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 한 국면에 따른 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되어, 표면(表面) 및 이면(裏面)을 가진 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 기판에 소정의 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하며, 처리부는 제1 처리단위, 제2 처리단위 및 제3 처리단위를 포함하고, 제1 처리단위(處理單位)는 감광성막 형성영역 및 제1 반송영역을 가지며, 감광성막 형성영역에는 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판에 감광성 재료로 된 감광성막(感光性膜)을 형성하는 감광성막 형성유닛이 설치되고, 제1 반송영역에는 기판을 반송하는 제1 반송유닛이 설치되며, 제2 처리단위는 세정영역 및 제2 반송영역을 갖고, 세정영역에는 기판의 표면을 세정하는 표면세정유닛 및 기판의 이면을 세정하는 이면세정유닛이 설치되며, 제2 반송영역에는 기판을 반송하는 제2 반송유닛이 설치되고, 제3 처리단위는 현상처리영역 및 제3 반송영역을 가지며, 현상처리영역에는 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 현상처리를 행하는 현상유닛이 설치되고, 제3 반송영역에는 기판을 반송하는 제3 반송유닛이 설치되며, 제1 처리단위와 제2 처리단위와의 사이에는 제1 및 제2 반송유 닛에 의해 반송되는 기판이 재치가능한 제1 재치(載置)유닛이 설치되고, 제2 처리단위와 제3 처리단위와의 사이에는 제2 및 제3 반송유닛에 의해 반송되는 기판을 재치가능한 제2 재치유닛이 설치되며, 제1 및 제2 재치유닛의 적어도 한쪽에는 제2 반송유닛에 의해 반입되는 기판의 일면(一面)과 타면(他面)을 서로 반전시키는 반전유닛이 적층배치된 것이다.
이 기판처리장치에서는 처리부에 의해서 기판에 처리가 행해진다. 처리가 행해진 기판은 주고받기부에 건네진다. 그리고, 처리부로부터 건네진 기판이 주고받기부에 의해서 노광장치에 반입된다. 이로써, 노광장치에서, 기판에 노광처리가 행해진다. 노광처리 후의 기판은 노광장치로부터 반출되어 주고받기부에 건네진다. 노광장치로부터 건네진 기판이 주고받기부에 의해서 처리부에 반입된다.
처리부 내의 제1 처리단위, 제2 처리단위 및 제3 처리단위에서, 기판은 각각 제1 반송유닛, 제2 반송유닛 및 제3 반송유닛에 의해서 반송된다. 제1 처리단위와 제2 처리단위와의 사이에서 반송되는 기판은 제1 재치유닛에 재치된다. 제2 처리단위와 제3 처리단위와의 사이에서 반송되는 기판은 제2 재치유닛에 재치된다.
제1 처리단위에서는 감광성막 형성유닛에 의해서 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판에 감광성막이 형성된다.
또한, 제2 처리단위(處理單位)에서는 표면세정유닛에 의해 기판의 표면이 세정된다. 이 경우, 제2 처리단위에서, 제2 반송유닛은 제1 및 제2 재치유닛의 적어도 한쪽에 설치된 반전유닛에 기판을 반입한다. 반전유닛은 표면(表面)이 위쪽으로 향한 기판을 이면(裏面)이 위쪽으로 향하도록 기판의 일면(一面)과 타면(他面) 을 서로 반전시킨다. 이로써, 반전된 기판의 이면을 이면세정유닛으로 세정할 수 있다. 이렇게 하여, 제2 처리단위에서는 기판의 표면 및 이면이 세정된다.
제3 처리단위에서는 현상유닛에 의해서 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판의 현상처리가 행해진다.
상기한 바와 같이, 노광장치에 의한 노광처리 전 또는 노광처리 후의 기판을 표면세정유닛 및 이면세정유닛으로 세정함으로써, 노광장치에 반입되는 기판의 표면 및 이면, 또는 노광장치로부터 반출된 기판의 표면 및 이면을 청정하게 유지할 수가 있다. 이로써, 노광처리 전의 기판의 표면 및 이면의 오염에 기인하는 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있고, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 방지할 수 있다. 또는, 노광처리 후의 기판의 표면 및 이면의 오염에 기인하는 현상불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이, 제2 처리단위에서는 제2 반송유닛에 의하여 표면세정유닛, 이면세정유닛 및 반전유닛 사이에서 기판이 반송된다. 이로써, 표면세정유닛, 이면세정유닛 및 반전유닛이 각각 별개의 처리단위에 걸쳐서 설치되는 경우에 비해, 반송거리 및 반송시간이 단축된다. 그 결과, 작업처리량이 향상한다.
또한, 반전유닛이 제1 또는 제2 재치유닛에 적층되어 있으므로, 반전유닛을 설치하기 위한 새로운 처리단위를 설치할 필요가 없다. 이로써, 기판처리장치의 소형화가 실현될 수 있다. 또한, 처리단위 내에 반전유닛을 설치할 필요가 없으므로, 제1∼제3 처리단위 내의 각(各) 유닛을 감소시킬 필요도 없다. 이로써, 작업처리량의 저하가 억제된다.
(2) 세정영역은 제1 세정영역 및 제2 세정영역을 포함하며, 제1 및 제2 세정영역은 제2 반송영역을 사이에 두고서 대향하도록 배치되며, 제1 세정영역에는 표면세정유닛이 설치되고, 제2 세정영역에는 이면세정유닛이 설치되며, 제2 반송유닛은 표면세정유닛, 이면세정유닛, 제1 재치유닛, 제2 재치유닛 및 반전유닛의 사이에서 기판을 반송가능하게 설치되어도 좋다.
이 경우, 제2 반송유닛은 표면세정유닛, 이면세정유닛, 제1 재치유닛, 제2 재치유닛 및 반전유닛에 의해서 포위되도록 제2 반송영역에 설치된다. 이로써, 제2 반송유닛은 회전동작 및 승강동작함으로써 각(各) 유닛 사이에서 기판을 신속하게 반송할 수 있다. 이로써, 기판처리에서의 작업처리량이 향상한다.
(3) 표면세정유닛 및 이면세정유닛은 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 세정해도 좋다.
이 경우, 노광장치에 반입되는 기판의 표면 및 이면을 미리 세정함으로써, 노광장치 내의 오염을 확실하게 방지함과 아울러 노광패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 충분히 방지할 수 있다.
또한, 감광성막이 형성된 기판을 세정함으로써, 감광성 재료의 성분을 미리 용출(溶出)하게 할 수 있다. 이로써, 노광장치에서 액침법에 의한 노광처리를 정확하게 행할 수 있다.
(4) 표면세정유닛은 기판의 표면 및 단부(端部)를 동시에 세정해도 좋다.
이 경우, 표면세정유닛에 의해 기판의 표면 및 단부가 세정되므로, 기판의 이면에 더하여 표면 및 단부가 청정하게 유지된다. 이로써, 노광처리 전의 기판의 표면, 이면 및 단부의 오염에 기인하는 노광장치 내의 오염을 방지할 수 있고, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 충분히 방지할 수 있다. 또는, 노광처리 후의 기판의 표면 및 이면의 오염에 기인하는 현상불량을 방지할 수 있다.
또한, 기판의 표면 및 단부를 개별적으로 세정할 필요 없이, 기판의 표면 및 단부가 동시에 세정되므로 기판처리에서의 작업처리량의 저하가 억제된다.
본 발명에 의하면 작업처리량의 저하가 억제되면서 노광처리 전(前) 또는 노광처리 후의 기판의 오염에 의한 처리불량이 방지된, 소형화가 가능한 기판처리장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치에 대해 도면을 이용해서 설명한다. 이하 설명에서, 기판이란 반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 글라스 기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
또한, 이하의 설명에서는 회로패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판의 면을 표면(表面)이라고 칭하고, 그 반대쪽의 면을 이면(裏面)이라고 칭한다. 또한, 아래로 향해진 기판의 면을 하면(下面)이라고 칭하고, 위로 향해진 기판의 면을 상면(上面)이라고 칭한다.
또한, 이하의 도면에는 위치관계를 명확히 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에 서 서로 직교하며, Z방향은 연직 방향에 상당하다. 또한, 각(各) 방향에서 화살표가 향하는 방향을 ＋방향, 그 반대방향을 ―방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.
(1) 기판처리장치의 구성
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(10), 레지스트막용 처리 블록(11), 세정/건조처리 블록(12), 현상처리 블록(13) 및 인터페이스 블록(14)을 포함한다. 기판처리장치(500)에서는, 이들 블록(10∼14)이 상기의 순서로 나란히 설치된다.
기판처리장치(500)의 인터페이스 블록(14)에 인접하도록 노광장치(15)가 배치된다. 노광장치(15)에서는 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리가 행해진다.
인덱서 블록(10)은 각(各) 블록의 동작을 제어하는 메인 콘트롤러(제어부)(91), 복수의 캐리어 재치대(92) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH1, IRH2)가 상하에 설치된다.
레지스트막용 처리 블록(11)은 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(40) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(40)는 제1 센터로봇(CR1)을 사이에 두고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향해서 설치된다. 제1 센터로봇(CR1)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다.
인덱서 블록(10)과 레지스트막용 처리 블록(11)과의 사이에는 분위기 차단용 의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는 인덱서 블록(10)과 레지스트막용 처리 블록(11)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접하여 설치된다.
위쪽의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서 블록(10)으로부터 레지스트막용 처리 블록(11)으로 반송할 때 이용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 레지스트막용 처리 블록(11)으로부터 인덱서 블록(10)으로 반송할 때 이용된다.
기판재치부(PASS1, PASS2)에는 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이로써, 기판재치부(PASS1, PASS2)에서 기판(W)이 재치되어 있는가 아닌가의 판정을 행하는 것이 가능해진다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는 복수 개의 지지핀이 고정되어 있다. 또한, 상기 광학식 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASS10)에도 같은 형태로 설치된다.
세정/건조처리 블록(12)은 제1 세정/건조처리부(120), 제2 세정/건조처리부(121) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 제1 세정/건조처리부(120)는 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 두고 제2 세정/건조처리부(121)에 대향해서 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.
레지스트막용 처리 블록(11)과 세정/건조처리 블록(12)과의 사이에는 분위기 차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는 레지스트막용 처리 블록(11)과 세정/건조처리 블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접해서 설치된다.
위쪽의 기판재치부(PASS3)는 기판(W)을 레지스트막용 처리 블록(11)으로부터 세정/건조처리 블록(12)으로 반송할 때 이용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)는 기판(W)을 세정/건조처리 블록(12)으로부터 레지스트막용 처리 블록(11)으로 반송할 때 이용된다.
현상처리 블록(13)은 현상처리부(60), 열처리부(132, 133) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 열처리부(133)는 인터페이스 블록(14)에 인접하며, 후술하는 바와 같이 기판재치부(PASS7, PASS8)를 구비한다. 현상처리부(60)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 두고 열처리부(132, 133)에 대향(對向)해서 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하에 설치된다.
세정/건조처리 블록(12)과 현상처리 블록(13)과의 사이에는 분위기 차단용인 2장의 격벽(22a, 22b)이 설치된다. 이들 격벽(22a, 22b)에는 현상처리 블록(13)과 세정/건조처리 블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접해서 설치된다. 또한, 기판재치부(PASS5)의 위쪽 및 기판재치부(PASS6)의 아래쪽에 후술하는 반전유닛(RT)이 적층배치된다. 또한, 2개의 반전유닛(RT)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출은 세정/건조처리 블록(12)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 행해진다.
이와 같이, 기판재치부(PASS5, PASS6)의 상하에 반전유닛(RT)이 설치됨으로써, 세정/건조처리 블록(12)과 현상처리 블록(13)과의 사이에 틈새가 생기지만, 이 틈새의 크기는 각(各) 블록의 폭(Y방향에서의 길이)보다 충분히 작다.
위쪽의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 세정/건조처리 블록(12)으로부터 현상처리 블록(13)으로 반송할 때 이용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는 기판(W) 을 현상처리 블록(13)으로부터 세정/건조처리 블록(12)으로 반송할 때 이용된다.
반전유닛(RT)은 기판(W)의 일면(표면)과 타면(이면)을 서로 반전(反轉)시키기 위해 이용된다. 예를 들면, 기판(W)의 표면이 위쪽으로 향해 있는 경우에, 반전유닛(RT)은 기판(W)의 이면이 위쪽으로 향하도록 기판(W)을 반전시킨다. 반전유닛(RT)의 상세(詳細)는 후술한다.
인터페이스 블록(14)에는 제4 센터로봇(CR4), 에지노광부(EEW) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 이 순서로 ＋X방향을 따라 나란하게 설치된다.
에지노광부(EEW)의 아래쪽에는 후술하는 기판재치부(PASS9, PASS10), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 설치되어 있다. 제4 센터로봇(CR4)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하에 설치되며, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)가 상하에 설치된다.
도 2는 도 1의 기판처리장치(500)의 한쪽 측면도이다.
레지스트막용 처리 블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(40)(도 1 참조)에는 4개의 도포(塗布)유닛(RES)이 상하에 적층배치된다. 각(各) 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착파지해서 회전하는 스핀척(41) 및 스핀척(41)상에 파지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(42)을 구비한다.
세정/건조처리 블록(12)의 제1 세정/건조처리부(120)에는 4개의 이면세정유닛(SDR)이 상하에 적층배치된다. 이면세정유닛(SDR)의 상세는 후술한다.
현상처리 블록(13)의 현상처리부(60)(도 1 참조)에는 4개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층배치된다. 각(各) 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세 로 흡착파지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61)상에 파지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.
상술한 바와 같이, 세정/건조처리 블록(12)과 현상처리 블록(13)과의 사이에는 기판재치부(PASS5, PASS6)가 설치됨과 아울러, 그들 상하에 반전유닛(RT)이 설치되어 있다.
인터페이스 블록(14)의 대략 중앙부(도 1 참조)에는 2개의 에지노광부(EEW), 기판재치부(PASS9, PASS10), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 이 순서로 상하에 적층배치된다.
각 에지노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착파지해서 회전하는 스핀척(도시하지 않음) 및 스핀척상에 파지된 기판(W)의 가장자리(周緣)를 노광하는 광조사기(光照射器)(도시하지 않음)를 구비한다.
도 3은 도 1의 기판처리장치(500)의 다른쪽 측면도이다.
레지스트막용 처리 블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110)에는 4개의 가열유닛(HP) 및 4개의 냉각유닛(CP)이 상하에 적층배치되며, 레지스트막용 열처리부(111)에는 6개의 가열유닛(HP)이 상하에 적층배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)의 최상부에는 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 콘트롤러(LC)가 각각 배치된다.
세정/건조처리 블록(12)의 제2 세정/건조처리부(121)에는 4개의 표면단부 세정/건조유닛(SD)이 상하에 적층배치된다. 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 상세는 후술한다.
현상처리 블록(13)의 열처리부(132)에는 4개의 가열유닛(HP) 및 4개의 냉각유닛(CP)이 상하에 적층배치되며, 열처리부(133)에는 6개의 가열유닛(HP) 및 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 적층배치된다. 또한, 열처리부(132, 133)의 최상부에는 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 콘트롤러(LC)가 각각 배치된다.
또한, 도포유닛(RES), 현상처리유닛(DEV), 이면세정유닛(SDR), 표면단부 세정/건조유닛(SD), 에지노광부(EEW), 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 개수는 각 블록(10∼14)에서의 처리속도에 따라 적당히 변경해도 좋다.
(2) 기판처리장치의 동작
다음으로, 본 실시 형태에 따른 기판처리장치(500)의 동작에 대해 도 1∼도 3을 참조하면서 설명한다.
인덱서 블록(10)의 캐리어 재치대(載置臺)(92)상에는, 복수 매(枚)의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 재치된다. 여기서, 캐리어(C)에 수납되는 복수의 기판(W)은 그 표면이 위쪽을 향한 상태로 지지되어 있다.
인덱서 로봇(IR)은 위쪽의 핸드(IRH1)를 이용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미처리 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서 로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하여, 미처리 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
본 실시 형태에서는 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드 또는 수납된 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette) 등을 이용해도 좋다.
또한, 인덱서 로봇(IR), 제1∼제4 센터로봇(CRl∼CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는 각각 기판(W)에 대해 직선적으로 슬라이드 되게 하여 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 이용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형(多關節型) 반송로봇을 이용해도 좋다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리 블록(11)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 받아들여진다. 제1 센터로봇(CR1)은 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(40)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(40)에서는 도포유닛(RES)에 의해 기판(W)의 표면에 레지스트막이 도포형성된다.
그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 레지스트막용 도포처리부(40)로부터 도포처리가 완료된 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 다음으로, 제1 센터로봇(CR1)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 완료된 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 세정/건조처리 블록(12)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해서 받아들여진다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 제2 세정/건조처리부(121)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 반입한다. 표면단부 세정/건조유닛(SD) 내에서는 반입된 기판(W)에 후술하는 표면단부(表面端部) 세정처리가 실시된다. 이로써, 노광장치(15)에 의한 노광처리 전(前)의 기판(W)의 표면 및 단부가 청정하게 유지된다.
그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 표면단부 세정/건조유닛(SD)으로부터 표면단부 세정처리가 완료된 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5, PASS6)의 상하에 적층배치된 반전유닛(RT)에 반입한다. 이로써, 표면이 위쪽으로 향한 기판(W)이 반전유닛(RT)에 의해 이면(裏面)이 위쪽으로 향하도록 반전된다.
이어서, 제2 센터로봇(CR2)은 이면이 위쪽으로 향한 기판(W)을 반전유닛(RT)으로부터 꺼내어, 그 기판(W)을 제1 세정/건조처리부(120)의 이면세정유닛(SDR)에 반입한다. 이로써, 기판(W)에 후술하는 이면세정처리가 실시되어, 노광장치(15)에 의한 노광처리 전의 기판(W)의 이면이 청정하게 유지된다.
다음으로, 제2 센터로봇(CR2)은 이면세정유닛(SDR)으로부터 이면이 세정된 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 다시 반전유닛(RT)에 반입한다. 이로써, 이면이 위쪽으로 향한 기판(W)이 반전유닛(RT)에 의해 표면이 위쪽으로 향하도록 반전된다.
그리고, 제2 센터로봇(CR2)은 표면이 위쪽으로 향한 기판(W)을 반전유닛(RT)으로부터 꺼내어, 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상처리 블록(13)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 받아들여진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 열처리부(133)의 기판재치부(PASS7)에 재치한다.
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(14)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 받아들여진다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 에지노광부(EEW)에 반입한다. 이 에지노광부(EEW)에서는 기판(W)의 가장자리부(周緣部)에 노광처리가 실시된다.
다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은 에지노광부(EEW)로부터 에지노광처리가 완료된 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 노광장치(15)의 기판반입부(15a)(도 1 참조)에 반입된다.
또한, 노광장치(15)가 기판(W)을 수납할 수 없는 경우, 기판(W)은 이송버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납보관된다.
노광장치(15)에서 기판(W)에 노광처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 기판(W)을 노광장치(15)의 기판반출부(基板搬出部)(15b)(도 1 참조)로부터 꺼내어, 기판재치부(PASS10)에 재치한다.
또한, 고장 등으로 인터페이스 블록(14)에서 일시적으로 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치할 수 없을 때는, 인터페이스 블록(14)의 복귀버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납보관할 수 있다.
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(14)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 받아들여진다. 제4 센터로봇(CR4)은 받아들여진 기판(W)을 현상처리 블록(13)의 열처리부(133)에 반입한다. 열처리부(133)에서는 기판(W)에 대해 노광 후 베이크(PEB)가 행해진다. 그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 열처리부(133)로부터 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.
또한, 본 실시 형태에서는 열처리부(133)에 의해 노광 후 베이크를 행하고 있지만, 열처리부(132)에 의해 노광 후 베이크를 실시해도 좋다.
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 현상처리 블록(13)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 받아들여진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 현상처리부(60)에 반입한다. 이로써, 기판(W)에 현상처리가 행해진다. 그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 현상처리부(60)로부터 현상처리 후의 기판(W)을 꺼내어, 그 기판(W)을 열처리부(132)에 반입한다.
열처리부(132)에서는 현상처리 후의 기판(W)에 열처리가 실시된다. 그리고, 제3 센터로봇(CR3)은 열처리부(132)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내어, 기판재치부(PASS6)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 세정/건조처리 블록(12)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 받아들여진다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS4)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리 블록(11)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 받아들여진다. 제1 센터로봇(CR1)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS2)에 재치한다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인덱서 블록(9)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 내에 수납된다.
(3) 표면단부 세정/건조유닛에 대해
여기서, 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 대해 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 각(各) 구성요소의 동작은 도 1의 메인 콘트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.
(3－a) 표면단부 세정/건조유닛의 구성
도 4는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 이 표면단부 세정/건조유닛(SD)에서는 기판(W)의 표면 및 단부가 세정된다 (표면단부 세정처리).
도 4에 나타내는 바와 같이, 표면단부 세정/건조유닛(SD)은 기판(W)을 수평 으로 파지함과 아울러 기판(W)의 중심을 통과하는 연직(鉛直) 회전축의 주위로 기판(W)을 회전하게 하기 위한 스핀척(201)을 구비한다.
스핀척(201)은 척회전구동기구(204)에 의해 회전되는 회전축(203)의 상단(上端)에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(201)에는 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있어, 스핀척(201)상에 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 안을 배기함으로써, 기판(W)의 하면(下面)을 스핀척(201)에 진공흡착하여 기판(W)을 수평자세로 파지할 수 있다.
스핀척(201)의 옆쪽에는 모터(250)가 설치되어 있다. 모터(250)에는 회동축(251)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(251)에는 아암(252)이 수평방향으로 연장되는 형태로 연결되어, 아암(252)의 선단(先端)에 표면세정용 노즐(260)이 설치되어 있다.
모터(250)에 의해서 회동축(251)이 회전하면, 아암(252)이 회동한다. 이로써, 표면세정용 노즐(260)은 스핀척(201)에 의해서 지지된 기판(W)의 위쪽 위치와 바깥쪽 위치와의 사이에서 이동가능하게 되어 있다.
모터(250), 회동축(251) 및 아암(252)의 내부를 통과하도록 세정처리용 공급 관(270)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(270)은 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해서 세정액공급원(R1) 및 린스액공급원(R2)에 접속되어 있다.
이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 4의 구성에서는 밸브(Va)를 엶으로써 세정처리용 공급관(270)에 세정액을 공급할 수 있으며, 밸브(Vb)를 엶으로써 세정처리용 공급관(270)에 린스액을 공급할 수 있다.
이와 같이, 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270) 및 표면세정용 노즐(260)을 통해서 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 이로써, 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다.
세정액으로는, 예컨대 소정의 레지스트 용매(溶媒), 불소계 약액(藥液), 암모니아과수 및 노광장치(15)에서의 액침법에 이용되는 액체 중 어느 하나가 이용된다. 이외, 세정액으로는, 예컨대 순수(純水), 순수에 착체(錯體)(이온화된 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해이온수, HFE(하이드로 플루오로 에테르), 불화수소산, 황산 및 황산과수 중 어느 하나를 이용할 수도 있다. 린스액으로는, 예컨대 순수, 탄산수, 수소수 및 전해이온수, HFE 중 어느 하나가 이용된다.
또한, 스핀척(201)의 옆쪽이면서 표면단부 세정/건조유닛(SD) 안의 상부에는 단부세정장치 이동기구(230)가 설치되어 있다. 단부세정장치 이동기구(230)에는 아래쪽으로 연장되는 봉 모양의 지지부재(220)가 장착되어 있다. 지지부재(220)는 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 상하방향 및 수평방향으로 이동한다.
지지부재(220)의 하단부에는 대략 원통 형상을 갖는 단부세정장치(210)가 수 평방향으로 연장되는 형태로 장착되어 있다. 이로써, 단부세정장치(210)는 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 지지부재(220)와 함께 이동한다. 이로써, 단부세정장치(210)의 일단(一端)을 스핀척(201)에 파지되는 기판(W)의 단부(R)와 마주보게(對向) 할 수 있다. 이하의 설명에서는 단부세정장치(210)의 기판(W)의 단부(R)와 대향(對向)하는 일단(一端)을 정면(正面)으로 한다.
여기서, 기판(W)의 상기 단부(R)의 정의(定義)에 대해 다음의 도면을 참조하면서 설명한다. 도 5는 기판(W)의 단부(R)를 설명하기 위한 개략적 모식도(模式圖)이다. 기판(W)상에는 상술한 레지스트막(도시하지 않음)이 형성된다.
기판(W)은 단면(端面)을 가지며, 이 단면을 개략적으로 도시하면 도 5와 같이 된다. 이 단면을 일반적으로 베벨부(部)라고 부른다. 또한, 기판(W)의 면(面)의 끝으로부터 안쪽으로 거리 d까지의 영역을 일반적으로 가장자리부(周緣部)라고 부른다. 본 실시 형태에서는 상기 베벨부와 가장자리부를 총칭하여 단부(R)라고 부른다. 또한, 상기 거리 d는 예를 들면 2∼3mm이다. 또한, 단부(R)가 가장자리부를 포함하지 않아도 좋다. 이 경우에는, 표면단부 세정/건조유닛(SD)은 기판(W)의 단부 R에 대해서 베벨부만을 세정한다.
통상(通常), 레지스트 커버막(膜)은 기판(W)상의 상기 가장자리부를 덮는 형태로 형성되어 있지 않은 경우가 많다. 즉, 기판(W)상의 가장자리부에 형성된 레지스트막은 노출된 상태로 되어 있다.
도 4로 돌아와, 단부세정장치(210)는 표면단부 세정처리시에 단부세정장치 이동기구(230)에 의해 스핀척(201)상의 기판(W)의 단부(R) 부근의 위치로 이동하 며, 표면단부 세정처리가 행해지지 않는 기간에는 스핀척(201)의 바깥쪽에서 대기한다.
단부세정장치(210)는 그 내부에 공간을 갖는다 (후술하는 세정실(211)). 단부세정장치(210)에는 세정액공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다. 세정액공급관(241)은 밸브(242)를 통해 도시하지 않은 세정액공급계(洗淨液供給系)에 접속되어 있다. 밸브(242)를 엶으로써, 세정액이 세정액공급관(241)을 통해 단부세정장치(210)의 내부공간에 공급된다.
또한, 배기관(244)은 배기부(245)에 접속되어 있다. 배기부(245)는 단부세정장치(210)의 내부공간의 분위기를 흡인하여, 배기관(244)을 통해 배기한다.
여기서, 단부세정장치(210)의 상세(詳細)를 설명한다. 도 6은 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 단부(端部)세정장치(210)의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도 6(a)에 단부세정장치(210)의 종단면도가 도시되며, 도 6(b)에 단부세정장치(210)의 정면도가 도시되어 있다.
도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 단부세정장치(210)의 대략 원통 형상으로 된 하우징(21Oa)의 내부에는 세정실(211)이 형성되어 있다.
또한, 도 6(a) 및 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 하우징(210a)의 정면쪽에는 세정실(211)과 외부를 연통하게 하는 개구(開口)(212)가 형성되어 있다. 개구(212)는 중앙부로부터 양 옆쪽에 걸쳐서 상하 폭이 점차 확대하도록 원호(圓弧) 형상의 상면 및 하면을 갖는다. 기판(W)의 표면단부 세정처리시에는, 개구(212)에 스핀척(201)에 흡착파지된 기판(W)의 단부(R)가 삽입된다.
세정실(211) 내에는 대략 원통 형상을 갖는 브러시(213)가 연직 방향으로 연장되는 형태로 배치되어 있다. 브러시(213)는 연직 방향으로 연장되는 회전축(214)에 장착되어 있다. 회전축(214)의 상단 및 하단은 세정실(211)의 상부 및 하부에 형성된 회전베어링에 회전가능하게 장착되어 있다. 이로써, 브러시(213)는 세정실(211) 및 회전축(214)에 의해 회전가능하게 지지되어 있다.
기판(W)의 표면단부 세정처리시에는 회전하는 기판(W)의 단부(R)와 브러시(213)가 접촉한다. 이로써, 기판(W)의 단부(R)가 브러시(213)에 의해 세정된다.
여기서, 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에서, 브러시(213)가 장착된 회전축(214)은 스핀척(201)이 고정되는 회전축(203)과 거의 평행하게 되도록 배치된다. 이로써, 브러시(213)가 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 확실하게 접촉된 상태에서 회전한다.
단부세정장치(210)의 상부에는 상술한 세정액공급관(241) 및 배기관(244)이 접속되어 있다.
세정액공급관(241)은 하우징(210a) 내에 형성된 세정액공급로(241a, 241b)에 접속되어 있다. 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 세정액공급로(241a)는 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 상부내면(上部內面)까지 연장되어 있다. 또한, 세정액공급로(241b)는 하우징(210a)의 외부로부터 세정실(211)의 하부내면까지 연장되어 있다. 도 6(a)에는 세정액공급관(241b)의 일부만이 나타나 있다.
이러한 구성에 의해, 기판(W)의 표면단부 세정처리시에는 단부세정장치(210)에 공급되는 세정액이 세정실(211) 내에서 브러시(213)와 접촉하는 기판(W)의 단 부(R)를 향해서 상하방향으로부터 분사된다. 이로써, 기판(W)의 단부(R)가 효율적으로 세정된다.
배기관(244)은 하우징(210a)의 상부에 설치된 구멍부분(孔部)을 통해 세정실(211) 내에 삽입되어 있다. 이로써, 상술한 바와 같이, 세정실(211) 내의 분위기가 도 4의 배기부(245)에 의해서 흡인되어, 배기관(244)을 통해 배기된다.
이와 같이, 세정실(211)에서는 그 내부 분위기(雰圍氣)가 배기부(245)에 의해 배기되므로, 휘발(揮發)한 세정액 및 세정액의 미스트가 효율적으로 배기된다.
상기에서, 기판(W)의 단부(R)에 분사되는 세정액으로는 소정의 레지스트 용매, 불소계 약액, 암모니아과수 및 노광장치(15)에서의 액침법에 이용되는 액체 중 어느 하나가 이용된다.
이외, 세정액으로는 기판(W)의 표면을 세정하는 세정액과 마찬가지로, 예컨대 순수, 순수에 착체(이온화된 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해이온수, HFE, 불화수소산, 황산 및 황산과수 중 어느 하나를 이용할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 브러시(213)에 의해 기판(W)의 단부(R)를 세정하는 경우에는 기판(W)의 단부(R)에 직접 브러시(213)가 접촉하므로, 기판(W)의 단부(R)의 오염물질을 물리적으로 박리되게 할 수 있다. 이로써, 단부(R)에 강고하게 부착된 오염물질을 더욱 확실히 없앨 수 있다.
(3－b) 표면단부 세정/건조유닛의 동작
상기 구성을 갖는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 처리동작에 대해 설명한다.
표면단부 세정/건조유닛(SD)으로의 기판(W)의 반입시에는 도 1의 제2 센터로 봇(CR2)이 기판(W)을 스핀척(201)상에 재치한다. 스핀척(201)상에 재치된 기판(W)은 스핀척(201)에 의해 흡착파지된다.
다음으로, 표면세정용 노즐(260)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동하고, 단부세정장치(210)가 스핀척(201)상의 기판(W)의 단부(端部)(R) 부근의 위치로 이동한다. 그리고, 회전축(203)이 회전함으로써 기판(W)이 회전한다.
이 상태에서, 표면세정용 노즐(260)로부터 기판(W)의 표면에 세정액이 토출된다. 이로써, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이와 동시에, 단부세정장치(210)에 세정액이 공급된다. 이로써, 기판(W)의 단부(R)가 세정된다.
소정시간 경과 후, 표면세정용 노즐(260)은 기판(W)의 표면에 세정액 대신에 린스액을 토출한다. 이로써, 기판(W)상에 공급된 세정액이 씻겨 내려간다. 또한, 이때 단부세정장치(210)로의 세정액의 공급이 정지된다. 이로써, 기판(W)의 표면에 토출된 린스액이 기판(W)의 단부(R)에 흘러들어, 기판(W)의 단부(R)에 부착되는 세정액이 씻겨 내려간다.
또한 소정시간 경과 후, 표면세정용 노즐(260)은 기판(W)으로의 린스액의 토출을 정지하고, 스핀척(201)에 의해 파지된 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다. 또한, 단부세정장치(210)도 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다.
그리고, 회전축(203)의 회전수가 상승한다. 이로써, 기판(W)상에 잔류하는 린스액에 큰 원심력이 작용한다. 이로써, 기판(W)의 표면 및 단부(R)에 부착되는 액체가 털어내져서 기판(W)이 건조된다.
기판(W) 위로의 세정액 및 린스액의 공급은 기체 및 액체로 된 혼합유체를 토출하는 이류체(二流體) 노즐을 이용한 소프트 스프레이 방식으로 행해도 좋다.
도 4의 표면세정용 노즐(260)로서 이류체 노즐을 이용하는 경우에는, 혼합유체를 분사하는 이류체 노즐을 회전하는 기판(W)의 바깥쪽으로부터 기판(W)의 중심을 통과하는 형태로 이동하게 한다. 이로써, 세정액 또는 린스액을 포함하는 혼합유체를 기판(W)의 표면 전체에 걸쳐 효율적으로 분사할 수 있다.
또한, 이와 같이 이류체 노즐을 이용하는 경우, 도 4의 점선으로 나타낸 바와 같이, 표면세정용 노즐(260)에는 질소가스(N2), 아르곤가스 또는 헬륨가스 등의 불활성 가스를 공급할 필요가 있다.
(3－c) 표면단부 세정/건조유닛의 다른 구성예
표면단부 세정/건조유닛(SD)은 이하의 구성을 가져도 좋다. 도 7은 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 대해, 도 4의 표면단부 세정/건조유닛(SD)과 다른 점을 설명한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 본 예의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에서는 도 4의 단부세정장치(210) 대신에, 기판(W)의 단부(R)를 세정하기 위한 구성요소로서 이류체 노즐(310)이 설치되어 있다.
구체적으로는, 스핀척(201)의 바깥쪽에 모터(301)가 설치되어 있다. 모터(301)에는 회동축(302)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(302)에는 아암(303)이 수평방향으로 연장되는 형태로 연결되어, 아암(303)의 선단에 이류체 노즐(310)이 설치되어 있다. 이 이류체 노즐(310)은 기체 및 액체로 된 혼합유체를 토출한다.
또한, 아암(303)의 선단부에서, 이류체 노즐(310)은 스핀척(201)에 의해 파지되는 기판(W)의 표면에 대하여 경사진 형태로 장착되어 있다.
기판(W)의 표면단부 세정처리의 개시시에는 모터(301)에 의해 회동축(302)이 회전함과 아울러 아암(303)이 회동한다. 이로써, 이류체 노즐(310)이 스핀척(201)에 의해 지지된 기판(W)의 단부(R)의 위쪽으로 이동한다. 그 결과, 이류체 노즐(310)의 혼합유체의 토출부(310a)가 기판(W)의 단부(R)에 대향(對向)한다.
모터(301), 회동축(302) 및 아암(303)의 내부를 통과하는 형태로 세정액공급관(331)이 설치되어 있다. 세정액공급관(331)은 일단(一端)이 이류체 노즐(310)에 접속됨과 아울러, 타단(他端)이 밸브(332)를 통해 도시하지 않은 세정액공급계에 접속되어 있다. 밸브(332)를 엶으로써, 세정액이 세정액공급관(331)을 통해 이류체 노즐(310)에 공급된다.
또한, 이류체 노즐(310)에는 세정액공급관(331)과 함께 기체공급관(341)의 일단이 접속되어 있다. 기체공급관(341)의 타단은 밸브(342)를 통해 도시하지 않은 기체공급계에 접속되어 있다. 밸브(342)를 엶으로써 기체가 이류체 노즐(310)에 공급된다. 이류체 노즐(310)에 공급되는 기체로는 질소가스(N2), 아르곤가스 또는 헬륨가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
기판(W)의 표면단부 세정처리시에는 세정액 및 기체가 이류체 노즐(310)에 공급된다. 이로써, 상술한 바와 같이 표면세정용 노즐(260)로부터 기판(W)의 표면 에 세정액 및 린스액이 토출됨과 아울러, 회전하는 기판(W)의 단부(R)에 이류체 노즐(310)로부터 혼합유체가 토출된다.
이와 같이, 혼합유체를 이용함으로써 높은 세정효과를 얻을 수 있다. 이로써, 기판(W)의 단부(R)가 양호하게 세정된다. 또한, 기체와 액체의 혼합유체가 기판(W)의 단부(R)에 토출됨으로써, 비접촉으로 기판(W)의 단부(R)가 세정되므로, 세정시에 있어서의 기판(W) 단부(R)의 손상이 방지된다. 또한, 혼합유체의 토출압 및 혼합유체에서의 기체와 액체의 비율을 제어함으로써 기판(W) 단부(R)의 세정조건을 용이하게 제어하는 일도 가능하다.
또한, 이류체 노즐(310)에 의하면, 균일한 혼합유체를 기판(W)의 단부(R)에 토출할 수 있으므로, 세정 얼룩이 발생하지 않는다.
상기 예에 한정하지 않고, 표면단부 세정/건조유닛(SD)에서, 기판(W)의 단부(R)를 세정하기 위한 구성요소로서는 고주파 진동자를 내장하는 초음파 노즐을 이용해도 좋다.
(4) 이면세정유닛에 대해
여기서, 이면세정유닛(SDR)에 대하여 도면을 이용해서 상세히 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 이면세정유닛(SDR)의 각(各) 구성요소의 동작은 도 1의 메인 콘트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.
(4－a) 이면세정유닛의 구성
도 8은 이면세정유닛(SDR)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 이 이면세정유닛(SDR)에서는 기판(W)의 이면(裏面)이 세정된다 (이면세정처리).
도 8에 나타낸 바와 같이, 이면세정유닛(SDR)은 기판(W)을 수평으로 지지함과 아울러 기판(W)의 중심을 통과하는 연직축 주위로 기판(W)을 회전하게 하는 기계식 스핀척(201R)을 구비한다. 이 스핀척(201R)은 기판(W)의 외주(外周) 단부(端部)를 지지한다. 스핀척(201R)은 척회전구동기구(204)에 의해 회전되는 회전축(203)의 상단에 고정되어 있다.
상술한 바와 같이, 이면세정유닛(SDR)에는 이면(裏面)이 위쪽으로 향해진 상태의 기판(W)이 반입된다. 그 때문에, 기판(W)은 이면이 위쪽으로 향해진 상태에서 스핀척(201R)에 의해 지지된다. 이면세정처리시에 기판(W)은 스핀척(201R)상의 회전식 파지핀(PIN)에 의해 그 하면의 가장자리부(周緣部) 및 외주 단부가 파지된 상태에서 수평자세를 유지하면서 회전된다.
표면단부 세정/건조유닛(SD)과 마찬가지로, 스핀척(201R)의 바깥쪽에는 모터(250)가 설치되어 있다. 모터(250)에는 회동축(251)이 접속되어 있다. 회동축(251)에는 아암(252)이 수평방향으로 연장되는 형태로 연결되어, 아암(252)의 선단에 이면세정용 노즐(260R)이 설치되어 있다.
모터(250)에 의해 회동축(251)이 회전하면 아암(252)이 회동한다. 이로써, 이면세정용 노즐(260R)은 스핀척(201R)에 의해 파지된 기판(W)의 위쪽 위치와 바깥쪽 위치와의 사이에서 이동가능하게 되어 있다.
모터(250), 회동축(251) 및 아암(252)의 내부를 통과하는 형태로 세정처리용 공급관(270)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(270)은 표면단부 세정/건조유닛(SD)과 마찬가지로, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해 세정액공급원(R1) 및 린스액공 급원(R2)에 접속되어 있다.
밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(270) 및 이면세정용 노즐(260R)을 통해 기판(W)의 이면(裏面)에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 이로써, 기판(W)의 이면을 세정할 수 있다.
(4－b) 이면세정유닛의 동작
이면세정유닛(SDR)으로의 기판(W)의 반입시에는 도 1의 제2 센터로봇(CR2)이 기판(W)을 스핀척(201R)상에 재치한다. 스핀척(201)상에 재치된 기판(W)은 스핀척(201R)에 의해 지지된다.
다음으로, 이면세정용 노즐(260R)이 기판(基板)(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그리고, 회전축(203)이 회전함으로써 기판(W)이 회전한다.
이 상태에서, 이면세정용 노즐(260R)로부터 기판(W)의 이면에 세정액이 토출된다. 이로써, 기판(W)의 이면이 세정된다.
소정시간 경과 후, 이면세정용 노즐(260R)은 기판(W)의 이면에 세정액 대신에 린스액을 토출한다. 이로써, 기판(W)상에 공급된 세정액이 씻겨 내려간다.
또한 소정시간 경과 후, 이면세정용 노즐(260R)은 기판(W)으로의 린스액의 토출을 정지하고, 스핀척(201R)에 의해 파지된 기판(W)의 바깥쪽으로 이동한다.
그리고, 회전축(203)의 회전수가 상승한다. 이로써, 기판(W)상에 잔류하는 린스액에 큰 원심력이 작용한다. 이로써, 기판(W)의 이면 및 단부에 부착되는 액체가 털어내져서 기판(W)이 건조된다.
이면세정유닛(SDR)에 있어서도 기판(W) 위로의 세정액 및 린스액의 공급은 기체 및 액체로 된 혼합유체를 토출하는 이류체 노즐을 이용한 소프트 스프레이 방식으로 행해도 좋다. 이류체 노즐을 이용하는 경우, 이면세정용 노즐(260R)에는 도 8의 점선으로 나타내는 바와 같이, 질소가스(N2), 아르곤가스 또는 헬륨가스 등의 불활성 가스를 공급할 필요가 있다.
(5) 반전유닛에 대해
여기서, 반전유닛(RT)에 대해 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 반전유닛(RT)의 각(各) 구성요소의 동작은 도 1의 메인 콘트롤러(제어부)(91)에 의해 제어된다.
(5－a) 반전유닛의 구성
도 9는 반전유닛(RT)에 설치되는 기판반전장치(7)의 외관을 나타내는 사시도이며, 도 10은 기판반전장치(7)의 일부의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 기판반전장치(7)는 제1 지지부재(771), 제2 지지부재(772), 복수의 기판지지핀(773a, 773b), 제1 가동부재(774), 제2 가동부재(775), 고정판(776), 링크기구(777) 및 회전기구(778)를 포함한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제2 지지부재(772)는 방사상(放射狀)으로 연장된 6개의 봉형상부재(棒狀部材)로 구성된다. 그 6개의 봉형상부재의 각(各) 선단부에는 각각 기판지지핀(773b)이 설치되어 있다.
마찬가지로, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 지지부재(771)도 방사상으로 연장된 6개의 봉형상부재로 구성된다. 6개의 봉형상부재의 각 선단부에는 각각 기 판지지핀(773a)이 설치되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 6개의 봉형상부재로 이루어지지만, 이것에 한정되지 않고, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 다른 임의의 수(數)의 봉형상부재 또는 다른 임의의 형상부재로 이루어져도 좋다. 예컨대, 제1 및 제2 지지부재(771, 772)가 복수의 제1 및 제2 지지핀(773a, 773b)에 따른 외주(外周)를 갖는 원판 또는 다각형 등의 다른 형상으로 형성되어도 좋다. 제1 가동부재(可動部材)(774)는 ㄷ자형상으로 이루어진다. 제1 지지부재(771)는 제1 가동부재(774)의 일단(一端)에 고정되어 있다. 제1 가동부재(774)의 타단은 링크기구(777)에 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 가동부재(775)는 ㄷ자형상으로 이루어진다. 제2 지지부재(772)는 제2 가동부재(775)의 일단에 고정되어 있다. 제2 가동부재(775)의 타단은 링크기구(777)에 접속되어 있다. 링크기구(777)는 회전기구(778)의 회전축에 장착되어 있다. 이 링크기구(777) 및 회전기구(778)는 고정판(776)에 장착되어 있다.
도 9의 링크기구(777)에는 에어실린더 등이 내장되어 있어, 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)를 상대적으로 떨어지게 한 상태와 근접하게 한 상태로 선택적으로 이행하게 할 수 있다. 또한, 도 9의 회전기구(778)에는 모터 등이 내장되어 있어, 링크기구(777)를 통해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)를 수평방향의 축 주위로 예를 들면 180도 회전하게 할 수 있다.
(5－b) 반전유닛의 동작
다음으로, 도 11 및 도 12는 도 9의 기판반전장치(7)의 동작을 나타내는 모 식적 구성도이다.
우선, 도 11(a)에 나타내는 바와 같이, 기판반전장치(7)에 도 1의 제2 센터로봇(CR2)에 의해서 기판(W)이 반입된다. 이 경우, 링크기구(777)의 작용에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)는 수직방향으로 떨어진 상태로 지지되어 있다.
제2 센터로봇(CR2)의 핸드(CRH5, CRH6)는 제2 지지부재(772)의 복수의 기판지지핀(773b)상에 기판(W)을 이재(移載)한다. 기판(W)을 이재한 후, 제2 센터로봇(CR2)의 핸드(CRH5, CRH6)는 기판반전장치(7)로부터 빠져나온다(退出).
다음으로, 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 링크기구(777)의 작용에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수직방향으로 근접한 상태로 이행된다.
이어서, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 회전기구(778)의 작용에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수평축의 주위로 화살표(θ7) 방향으로 180도 회전한다.
이 경우, 기판(W)은 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)와 함께, 제1 지지부재(771) 및 제2 지지부재(772)에 설치된 복수의 기판지지핀(773a, 773b)에 지지되면서 180도 회전한다.
최후로, 링크기구(777)의 작용에 의해 제1 가동부재(774) 및 제2 가동부재(775)가 수직방향으로 떨어진 상태로 이행된다.
그리고, 제2 센터로봇(CR2)의 핸드(CRH5, CRH6)가 기판반전장치(7) 내에 진입하여, 도 12(d)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)을 붙들고 빠져나간다.
(6) 효과
(6－a) 세정처리에 의한 제1 효과
본 실시 형태에 따른 기판처리장치(500)에서는 세정/건조처리 블록(12)의 제2 세정/건조처리부(121)의 표면단부 세정/건조유닛(SD)에 의해 노광처리 전의 기판(W)에 표면단부 세정처리가 실시된다. 이로써, 노광장치(15)에 반입되는 기판(W)의 표면 및 단부가 청정하게 유지된다.
또한, 세정/건조처리 블록(12)의 제1 세정/건조처리부(120)의 이면세정유닛(SDR)에 의해 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 실시된다. 이로써, 노광장치(15)에 반입되는 기판(W)의 이면이 청정하게 유지된다.
그 결과, 노광처리 전의 기판(W)의 표면, 단부(端部) 및 이면(裏面)의 오염에 기인하는 노광장치(15) 내의 오염을 방지할 수 있고, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량의 발생을 충분히 방지할 수 있다.
또한, 표면단부 세정처리시에는 기판(W)의 이면(裏面)이 스핀척(201)(도 4)에 의해 흡착파지되지만, 표면단부 세정처리 후에 신속하게 이면세정처리가 행해지므로, 기판(W)의 이면의 흡착자국이 용이하게 제거된다.
(6－b) 세정처리에 의한 제2 효과
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판처리장치(500)에서는 기판(W)의 표면 및 단부를 표면단부 세정/건조유닛(SD) 내에서 동시에 세정할 수 있다. 이로써, 노광처리 전에 기판(W)의 표면 및 단부를 개별적으로 세정할 필요가 없으므로, 기판처리에서의 작업처리량의 저하가 방지된다.
또한, 기판(W)의 표면을 세정하는 표면세정유닛 및 기판(W)의 단부를 세정하는 단부세정유닛을 개별적으로 설치할 필요가 없다. 이로써, 세정/건조처리 블록(12)의 소형화가 실현된다.
또한, 세정/건조처리 블록(12) 내에 설치하는 표면단부 세정/건조유닛(SD)의 수를 증가시킴으로써, 기판처리에서의 작업처리량을 더욱 향상하게 하는 것도 가능하다. 또한, 세정/건조처리 블록(12)의 제2 세정/건조처리부(121) 내에 다른 처리유닛을 설치하는 것도 가능해진다.
(6－c) 반전유닛의 배치에 의한 제1 효과
상술한 바와 같이, 세정/건조처리 블록(12)에는 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 두고 마주보는 형태로, 복수의 표면단부 세정/건조유닛(SD) 및 복수(複數)의 이면세정유닛(SDR)이 설치된다. 또한, 세정/건조처리 블록(12)에 배치되는 기판재치부(PASS5, PASS6)의 상하에는 2개의 반전유닛(RT)이 적층배치되어 있다.
이와 같이, 세정/건조처리 블록(12)에서는 표면단부 세정/건조유닛(SD), 이면세정유닛(SDR) 및 반전유닛(RT)이 제2 센터로봇(CR2)을 포위하는 형태로 설치된다.
이로써, 제2 센터로봇(CR2)은, ±θ방향으로 90도 회전함과 아울러 승강동작함으로써, 표면단부 세정/건조유닛(SD)과 반전유닛(RT)과의 사이 및 이면세정유닛(SDR)과 반전유닛(RT)과의 사이에서 기판(W)을 신속하게 반송할 수 있다.
이로써, 복수의 처리 블록에 개별적으로 표면단부 세정/건조유닛(SD), 이면세정유닛(SDR) 및 반전유닛(RT)을 설치하는 경우에 비해서, 각(各) 유닛(SD, SDR, RT) 사이의 기판(W)의 반송거리가 짧아져 기판(W)의 반송시간이 단축된다. 그 결과, 기판처리장치 전체의 기판처리에서의 작업처리량을 충분히 향상하게 할 수 있다.
(6－d) 반전유닛의 배치에 의한 제2 효과
반전유닛(RT)은 세정/건조처리 블록(12)과 현상처리 블록(13)과의 사이에 위치하는 기판재치부(PASS5, PASS6)의 상하에 적층(積層)하여 설치된다. 이와 같이, 이 기판처리장치(500)에서는 반전유닛(RT)을 위한 새로운 블록을 설치할 필요가 없다. 따라서, Y방향에서의 기판처리장치(500)의 대형화가 방지되어 있다.
또한, 각 블록(10∼14)의 처리부 내에 반전유닛(RT)을 설치할 필요가 없으므로, 반전유닛(RT)을 설치하기 위해 각 블록(10∼14)의 처리부 내에 본래 설치해야 할 유닛의 수를 감소시킬 필요도 없다. 이로써, 기판처리에서의 작업처리량의 저하가 방지된다.
(7) 변형예 및 그 효과
(7－a) 인터페이스 블록의 구성에 대해
본 실시 형태에서, 노광장치(15)가 액침법을 이용하여 기판(W)의 노광처리를 행하는 경우, 도 1의 점선으로 나타낸 바와 같이, 인터페이스 블록(14) 내에 노광 후 세정/건조유닛(DRY)이 설치되어도 좋다.
이 노광 후 세정/건조유닛(DRY)은, 예를 들면 기판(W)을 수평자세로 흡착파지하여 회전하는 스핀척(도시하지 않음) 및 스핀척상에 파지된 기판(W)에 세정용의 처리액(세정액 및 린스액)을 공급하는 노즐(도시하지 않음)을 구비한다.
이로써, 노광 후 세정/건조유닛(DRY)은 노즐로부터 기판(W)의 표면에 처리액을 공급함으로써 기판(W)의 표면을 세정한 후, 세정처리 후의 기판(W)을 회전시킨다. 이로써, 기판(W)에 부착되는 액체가 털어내져서 기판(W)의 표면이 건조된다.
이와 같이 하여, 노광처리 후의 기판(W)이 세정 및 건조처리됨으로써, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리장치(500)의 내부로 낙하하는 것이 방지되므로, 기판처리장치(500)의 전기(電氣) 계통의 이상 등의 동작불량을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 처리불량이 방지된다.
(7－b) 다른 동작예
본 실시 형태에서, 제1 및 제2 세정/건조처리부(120, 121)는 노광처리 후이면서 또한 현상처리 후(後)인 기판(W)을 세정해도 좋다.
이 경우, 세정/건조처리 블록(12)의 제2 센터로봇(CR2)은 노광처리 전의 기판(W)을 기판재치부(PASS3)로부터 받아서 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
또한, 제2 센터로봇(CR2)은 노광처리 후이면서 또한 현상처리 후인 기판(W)을 기판재치부(PASS6)로부터 받으면, 그 기판(W)을 제1 세정/건조처리부(120), 제2 세정/건조처리부(121) 및 반전유닛(RT)과의 사이에서 반송한다. 이로써, 기판(W)의 전면(全面)이 세정된다. 그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS4)에 재치한다.
이외, 제1 및 제2 세정/건조처리부(120, 121)는 노광처리 후(後)이면서 현상처리 전(前)인 기판(W)을 세정해도 좋다. 이 경우, 노광처리 후의 청정한 기판(W)이 현상처리유닛(DEV)에 반입된다. 이로써, 현상처리 후의 기판(W)의 오염에 기인 하는 현상불량(現像不良)이 방지된다.
(7－c) 다른 배치예
본 실시 형태에서, 세정/건조처리 블록(12) 및 현상처리 블록(13)은 서로 교체되는 형태로 배치되어도 좋다. 이 경우, 기판처리장치(500)에서는 인덱서 블록(10), 레지스트막용 처리 블록(11), 현상처리 블록(13), 세정/건조처리 블록(12) 및 인터페이스 블록(14)이 이 순서로 나란히 설치된다.
이 경우, 노광장치(15)로부터 반출(搬出)된 노광처리 후의 기판(W)의 표면(表面), 이면(裏面) 및 단부(端部)를 제1 세정/건조처리부(120) 및 제2 세정/건조처리부(121)에 의해 신속히 세정할 수 있다. 이로써, 기판처리의 작업처리량이 향상함과 아울러, 현상처리 후의 기판(W)의 오염에 기인하는 현상불량이 방지된다.
(7－d) 레지스트 커버막(膜)에 대해
상기 기판처리장치(500)에서, 기판(W)의 표면에 형성되는 레지스트막과 노광장치(15)에서 액침법에 의해 이용되는 액체가 접촉함으로써 레지스트의 성분이 액체 중에 용출(溶出)하기 쉬운 경우에는, 레지스트막(膜)을 보호하는 레지스트 커버막을 형성하기 위한 새로운 처리 블록(레지스트 커버막 형성 블록)을 설치해도 좋다. 이 경우, 노광장치(15)에 의한 노광처리시에 레지스트의 성분이 액체 중에 용출하는 것이 레지스트 커버막에 의해 방지된다.
또한, 레지스트 커버막 형성 블록을 설치할 때에는, 노광장치(15)에 의한 노광처리 후(後)로서 현상처리 블록(13)의 현상처리부(60)에 의한 현상처리 전에 레지스트 커버막을 제거하기 위한 새로운 처리 블록(레지스트 커버막 제거 블록)을 설치할 필요가 있다. 이 경우, 정확하면서 또한 확실한 현상처리가 행해진다.
(7－e) 반사방지막에 대해
상기 기판처리장치(500)에는 기판(W)상에 반사방지막을 형성하기 위한 새로운 처리 블록(반사방지막용 처리 블록)을 설치해도 좋다. 이 경우, 레지스트막의 형성 전에 기판(W)의 표면에 반사방지막을 형성함으로써, 노광처리시에 발생하는 정재파(定在波) 및 할레이션을 감소시킬 수 있다.
(7－f) 노광장치에 대해
상기 실시 형태에서, 노광장치(15)는 액침법을 이용하는 일 없이 기판(W)의 노광처리를 행해도 좋다. 이 경우에도, 기판처리장치(500)에 이면세정유닛(SDR) 및 반전유닛(RT)을 설치함으로써 본원발명의 목적을 달성하는 것이 가능하다.
(7－g) 그 외
상기 표면단부 세정처리에 이용되는 세정액은 기판(W)상의 막 성분을 미리 용출 또는 석출(析出)하게 하기 위해서, 노광장치(15)에서의 액침법에 이용되는 액체(액침액)를 이용하는 것이 바람직하다. 액침액의 예로는 순수(純水), 고굴절률을 갖는 글리세롤, 고굴절률의 미립자(예를 들면, 알루미늄산화물)와 순수를 혼합한 혼합액 및 유기계(有機系)의 액체 등을 들 수 있다.
또한, 액침액의 다른 예로서는 순수(純水)에 착체(이온화된 것)를 녹인 액, 탄산수, 수소수, 전해이온수, HFE(하이드로 플루오로 에테르), 불화수소산, 황산 및 황산과수 등을 들 수 있다.
(8) 청구항의 각(各) 구성요소와 실시 형태의 각부(各部)와의 대응관계
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각부와의 대응 예에 대해 설명하지만, 본 발명은 아래의 예에 한정되지 않는다.
상기 각(各) 실시 형태에서는 레지스트막용 처리 블록(11), 세정/건조처리 블록(12) 및 현상처리 블록(13)이 처리부의 예이며, 인터페이스 블록(14)이 주고받기부의 예이고, 레지스트막용 처리 블록(11)이 제1 처리단위의 예이며, 세정/건조처리 블록(12)이 제2 처리단위의 예이고, 현상처리 블록(13)이 제3 처리단위의 예이다.
또한, 레지스트막용 도포처리부(40)가 감광성막 형성영역의 예이며, 제1 센터로봇(CR1)의 설치영역이 제1 반송영역의 예이고, 도포유닛(RES)이 감광성막 형성유닛의 예이며, 제1 센터로봇(CR1)이 제1 반송유닛의 예이다.
또한, 제1 및 제2 세정/건조처리부(120, 121)가 세정영역의 예이며, 제2 센터로봇(CR2)의 설치영역이 제2 반송영역의 예이고, 표면단부 세정/건조유닛(SD)이 표면세정유닛의 예이며, 제2 센터로봇(CR2)이 제2 반송유닛의 예이다.
또한, 현상처리부(60)가 현상처리영역의 예이며, 제3 센터로봇(CR3)의 설치영역이 제3 반송영역의 예이고, 현상처리유닛(DEV)이 현상유닛의 예이며, 제3 센터로봇(CR3)이 제3 반송유닛의 예이다.
또한, 기판재치부(PASS3, PASS4)가 제1 재치(載置)유닛의 예이고, 기판재치부(PASS5, PASS6)가 제2 재치유닛의 예이며, 제1 세정/건조처리부(120)가 제1 세정영역의 예이고, 제2 세정/건조처리부(121)가 제2 세정영역의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 이용할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 한쪽 측면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 다른쪽 측면도이다.
도 4는 표면단부 세정/건조유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 기판의 단부를 설명하기 위한 개략적 모식도이다.
도 6은 도 4의 표면단부 세정/건조유닛의 단부세정장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 표면단부 세정/건조유닛의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 이면세정유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 반전유닛에 설치되는 기판반전장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 10은 기판반전장치의 일부의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 11은 도 9의 기판반전장치의 동작을 나타내는 모식적 구성도이다.
도 12는 도 9의 기판반전장치의 동작을 나타내는 모식적 구성도이다.

Claims (4)

  1. 노광장치에 인접하는 형태로 배치되며, 표면(表面) 및 이면(裏面)을 갖는 기판을 처리하는 기판처리장치로서,
    기판에 소정 처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하며,
    상기 처리부는 제1 처리단위, 제2 처리단위 및 제3 처리단위를 포함하고,
    상기 제1 처리단위는 감광성막 형성영역 및 제1 반송영역을 가지며,
    상기 감광성막 형성영역에는 상기 노광장치에 의한 노광처리 전(前)의 기판에 감광성 재료로 된 감광성막을 형성하는 감광성막 형성유닛이 설치되고,
    상기 제1 반송영역에는 기판을 반송하는 제1 반송유닛이 설치되며,
    상기 제2 처리단위는 세정영역 및 제2 반송영역을 갖고,
    상기 세정영역에는 기판의 표면을 세정하는 표면세정유닛 및 기판의 이면(裏面)을 세정하는 이면세정유닛이 설치되며,
    상기 제2 반송영역에는 기판을 반송하는 제2 반송유닛이 설치되고,
    상기 제3 처리단위는 현상처리영역 및 제3 반송영역을 가지며,
    상기 현상처리영역에는 상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 현상처리를 행하는 현상유닛이 설치되고,
    상기 제3 반송영역에는 기판을 반송하는 제3 반송유닛이 설치되며,
    상기 제1 처리단위와 상기 제2 처리단위와의 사이에는 상기 제1 및 제2 반송유닛에 의해 반송되는 기판이 재치가능한 제1 재치유닛이 설치되고,
    상기 제2 처리단위와 상기 제3 처리단위와의 사이에는 상기 제2 및 제3 반송유닛에 의해 반송되는 기판을 재치가능한 제2 재치유닛이 설치되며,
    상기 제1 및 제2 재치유닛 중 적어도 한쪽에는 상기 제2 반송유닛에 의해 반입되는 기판의 표면(表面)과 이면(裏面)을 서로 반전(反轉)시키는 반전유닛이 적층배치된 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정영역은 제1 세정영역 및 제2 세정영역을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 세정영역은 상기 제2 반송영역을 사이에 두고 마주보는 형태로 배치되고,
    상기 제1 세정영역에는 상기 표면세정유닛이 설치되며,
    상기 제2 세정영역에는 상기 이면세정유닛이 설치되고,
    상기 제2 반송유닛은 상기 표면세정유닛, 상기 이면세정유닛, 상기 제1 재치유닛, 제2 재치유닛 및 상기 반전유닛의 사이에서 기판을 반송가능하게 설치된 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표면세정유닛 및 상기 이면세정유닛은 상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 세정하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표면세정유닛은 기판의 표면 및 단부(端部)를 동시에 세정하는 기판처리장치.
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