JPS5911628A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS5911628A JPS5911628A JP12250782A JP12250782A JPS5911628A JP S5911628 A JPS5911628 A JP S5911628A JP 12250782 A JP12250782 A JP 12250782A JP 12250782 A JP12250782 A JP 12250782A JP S5911628 A JPS5911628 A JP S5911628A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- surface layer
- thin film
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は基板上に形成さ力、た薄膜上にレジストパタ
ーンを形成する方法に関するものである。
ーンを形成する方法に関するものである。
半導体集積回路等の半導体装置を製造する際に、写真製
版技術は不可欠であり、最近増々微細パターン化、低欠
陥化が要求されている。
版技術は不可欠であり、最近増々微細パターン化、低欠
陥化が要求されている。
次に、従来の方法について第１図によって説明する。第
１図（、）において、ガラス基板（１）上にクロムなど
の金属薄膜（２）ヲ約６ｏｏＸに形成させる０次に、Ａ
Ｚ １３５０ （ｓｈ ｉ ｐｔ）’社製）などの感
光性樹脂（３）をレジストとして約４００ＯＡの厚さに
被着させる。ついで、ベーク処理のあと所望のパターン
を形成するために、露光を行なう（第１図（ｂ）参照）
０この露光後、現像を行ない、レジストパターン（４）
を得る（第１図（ｅ）参照）。そして、現像後水洗を行
なうが、この水洗時、水洗方法によってはレジスト表層
部の異物（５）が水圧によりキャビテーションを生じ、
下地の金属薄膜（２）をも剥離してピンホール（６）が
発生する。ついで、形成さｆ′したレジストパターン（
４）をマスクにしてエツチングを行ない（第１図（ｄ）
参照）、しかる後、上記レジストを剥離することにより
、第１図（、）に示すパターン（７）が得られる。
１図（、）において、ガラス基板（１）上にクロムなど
の金属薄膜（２）ヲ約６ｏｏＸに形成させる０次に、Ａ
Ｚ １３５０ （ｓｈ ｉ ｐｔ）’社製）などの感
光性樹脂（３）をレジストとして約４００ＯＡの厚さに
被着させる。ついで、ベーク処理のあと所望のパターン
を形成するために、露光を行なう（第１図（ｂ）参照）
０この露光後、現像を行ない、レジストパターン（４）
を得る（第１図（ｅ）参照）。そして、現像後水洗を行
なうが、この水洗時、水洗方法によってはレジスト表層
部の異物（５）が水圧によりキャビテーションを生じ、
下地の金属薄膜（２）をも剥離してピンホール（６）が
発生する。ついで、形成さｆ′したレジストパターン（
４）をマスクにしてエツチングを行ない（第１図（ｄ）
参照）、しかる後、上記レジストを剥離することにより
、第１図（、）に示すパターン（７）が得られる。
以上のように、従来のパターン形成法では、現像後の水
洗時にレジスト表層部に存する異物によりピンホールが
生じる次め、低欠陥のパターンが得られないという欠点
があった。ま念、欠陥を減少させしかも水洗効果を出す
ためには長時間、水洗槽に浸漬させておく必要があるな
どの欠点を有していた。
洗時にレジスト表層部に存する異物によりピンホールが
生じる次め、低欠陥のパターンが得られないという欠点
があった。ま念、欠陥を減少させしかも水洗効果を出す
ためには長時間、水洗槽に浸漬させておく必要があるな
どの欠点を有していた。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、露光
前にレジスト処理を行なうことによシ、レジスト表層部
の異物を除去せしめて無欠陥パターンを容易に形成する
ことのできるパターン形成法を提供することを目的とし
ている。
前にレジスト処理を行なうことによシ、レジスト表層部
の異物を除去せしめて無欠陥パターンを容易に形成する
ことのできるパターン形成法を提供することを目的とし
ている。
以下、この発明の一実施例を第２図に基いて説明する０
第２図（ａ）において、ガラス基板（１）上にクロムな
どの金属薄膜（２）を約６０ＯＡに被着させる。次に、
ＡＺ １３５ｏ（ｓｈｉｐｚｙ社製）などの感光性樹脂
（３）ヲレジストとして約４００ＯＡ の厚さに被着
させる。ついで、８０℃で約３０分間ベーク処理を行な
い有機溶媒を蒸発気化させる。そして、レジスト表層部
に異物（５）が存在しているとピンホールとなるため、
ＡＺ現像液に約３０秒程度浸漬し、水洗乾燥させる。こ
の表面処理を施した結果、第２図（ｂ）に示すように、
感光性樹脂（３２）の膜厚は約３９０ＯＡ となり、
レジスト表層部の異物は除去された。次に、所望のパタ
ーンを形成するために露光を行ない（第２図（ｃ）参照
）、現像、水洗おＬび乾燥させる（第２図（ｄ）参照）
。このとき、現像液は上述と同様の現像液で約６０秒間
行なう。
どの金属薄膜（２）を約６０ＯＡに被着させる。次に、
ＡＺ １３５ｏ（ｓｈｉｐｚｙ社製）などの感光性樹脂
（３）ヲレジストとして約４００ＯＡ の厚さに被着
させる。ついで、８０℃で約３０分間ベーク処理を行な
い有機溶媒を蒸発気化させる。そして、レジスト表層部
に異物（５）が存在しているとピンホールとなるため、
ＡＺ現像液に約３０秒程度浸漬し、水洗乾燥させる。こ
の表面処理を施した結果、第２図（ｂ）に示すように、
感光性樹脂（３２）の膜厚は約３９０ＯＡ となり、
レジスト表層部の異物は除去された。次に、所望のパタ
ーンを形成するために露光を行ない（第２図（ｃ）参照
）、現像、水洗おＬび乾燥させる（第２図（ｄ）参照）
。このとき、現像液は上述と同様の現像液で約６０秒間
行なう。
ついで、得られたレジストパターン（４） ｔマスクに
して第２図（ｄ）に示すように、エツチングを行なう。
して第２図（ｄ）に示すように、エツチングを行なう。
このエツチングは、例えばプラズマ中で四塩化炭素の雰
囲気にて圧力０．２ Ｔｏｒｒ 、出力１７０Ｗのもと
で行なった。このエツチング後、レジスト剥離を行なう
ことにより、第２図（ｅ）に示すパターン（７）が得ら
れた。
囲気にて圧力０．２ Ｔｏｒｒ 、出力１７０Ｗのもと
で行なった。このエツチング後、レジスト剥離を行なう
ことにより、第２図（ｅ）に示すパターン（７）が得ら
れた。
したがって、このようにし形成さｎ、たパターン（７）
を観察した結果、ピンホールもなく、無欠陥のパターン
が得うした。また、パターンのエツジもシャープで切ｆ
の良いパターンが得られた。
を観察した結果、ピンホールもなく、無欠陥のパターン
が得うした。また、パターンのエツジもシャープで切ｆ
の良いパターンが得られた。
なお、上記実施例では、通常のフォトリソグラフィによ
るパターン形成方法について述べ念が、リフトオフ法な
どの他のパターン形成法についても同様の効果を奏する
。また、ポジレジストとしてＡＺ１３５０について述べ
たが、他の光レジストあるいは電子ビーム用レジストで
もよく、同様の効果を奏する。さらに、レジスト表層部
の異物の除去方法として予め現像する方法について述べ
たが、他に例えばプラズマ雰囲気中でレジスト表層部を
酸素あるいはウェットエアで除去する方法でもよく同様
の効果を奏する。
るパターン形成方法について述べ念が、リフトオフ法な
どの他のパターン形成法についても同様の効果を奏する
。また、ポジレジストとしてＡＺ１３５０について述べ
たが、他の光レジストあるいは電子ビーム用レジストで
もよく、同様の効果を奏する。さらに、レジスト表層部
の異物の除去方法として予め現像する方法について述べ
たが、他に例えばプラズマ雰囲気中でレジスト表層部を
酸素あるいはウェットエアで除去する方法でもよく同様
の効果を奏する。
以上のように、この発明によｎ、ば、露光前に１／レジ
スト層部を表面処理することにより、レジスト表面ある
いは表層部の異物が除去さｊ、るため、水圧によるキャ
ビテーションがなくなり、パターン欠損を排除すること
ができる。こｎによって、ピンホールのない無欠陥パタ
ーンが容易に精度よく得らｎる。従って、ピンホールの
ような修正困難で複雑な欠陥がなくなり、無欠陥パター
ンが容易に早く作成できる。！！た、水洗の方法の自由
度も増し、従来の↓うに長時間水洗する必要もなくなる
などのすぐ１．た効果を奏する。
スト層部を表面処理することにより、レジスト表面ある
いは表層部の異物が除去さｊ、るため、水圧によるキャ
ビテーションがなくなり、パターン欠損を排除すること
ができる。こｎによって、ピンホールのない無欠陥パタ
ーンが容易に精度よく得らｎる。従って、ピンホールの
ような修正困難で複雑な欠陥がなくなり、無欠陥パター
ンが容易に早く作成できる。！！た、水洗の方法の自由
度も増し、従来の↓うに長時間水洗する必要もなくなる
などのすぐ１．た効果を奏する。
第１図（、）乃至（、）は従来のフォトマスクの製造方
法全工程順に示す断面図、第２図（、）乃至（ｅ）はこ
の発明の一実施例によるフォトマスクの製造方法を工程
順に示す断面図である。 （１）・・・・ガラス基板、（２）・・・・金属薄膜、
（３）・・・・感光性樹脂（レジス））、（３２）・・
・・浅層部処理後の感光性樹脂、（４）・・・・レジス
トパターン、（５）・・・・異物、（６）・・・・ピン
ホール、（７戸・＠争パターン。 代理人 葛 野 信 − 第１図 ら 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ２、発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 住 所 東京都千代［１１区九０内二Ｊ ｌ−
」２？！’］ｌ′３−ｅ’７５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第１頁第１９行、第３頁第９行の「ＡｌＩ３５０
（ｓｈｔｐｘｙ社製）」をｒＡＺ １３５０ （
ＳｈｉＰ−１ｅｙ社製）」と補正する。 以 上
法全工程順に示す断面図、第２図（、）乃至（ｅ）はこ
の発明の一実施例によるフォトマスクの製造方法を工程
順に示す断面図である。 （１）・・・・ガラス基板、（２）・・・・金属薄膜、
（３）・・・・感光性樹脂（レジス））、（３２）・・
・・浅層部処理後の感光性樹脂、（４）・・・・レジス
トパターン、（５）・・・・異物、（６）・・・・ピン
ホール、（７戸・＠争パターン。 代理人 葛 野 信 − 第１図 ら 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ２、発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 住 所 東京都千代［１１区九０内二Ｊ ｌ−
」２？！’］ｌ′３−ｅ’７５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第１頁第１９行、第３頁第９行の「ＡｌＩ３５０
（ｓｈｔｐｘｙ社製）」をｒＡＺ １３５０ （
ＳｈｉＰ−１ｅｙ社製）」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 基板上に形成された薄膜にレジストパターンを形成して
パターン形成法する工程において、前記薄膜上にレジス
ト表層部し、ついでそのレジスト表層部を表面処理した
後、所望のレジストパターンを得ることを特徴とするパ
ターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12250782A JPS5911628A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12250782A JPS5911628A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911628A true JPS5911628A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14837551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12250782A Pending JPS5911628A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911628A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294520A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
| KR100537182B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-12-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조방법 |
| JP2006310731A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7713685B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Exposure system and pattern formation method |
| US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-07-30 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
| US9703199B2 (en) | 2004-12-06 | 2017-07-11 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12250782A patent/JPS5911628A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100537182B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-12-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조방법 |
| JP2005294520A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
| WO2005101467A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Tokyo Electron Limited | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
| US7665916B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-02-23 | Tokyo Electron Limited | Coater/developer and coating/developing method |
| JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
| US7713685B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Exposure system and pattern formation method |
| US8088565B2 (en) | 2004-06-09 | 2012-01-03 | Panasonic Corporation | Exposure system and pattern formation method |
| US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-07-30 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2006310731A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8585830B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-11-19 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9703199B2 (en) | 2004-12-06 | 2017-07-11 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
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