JPH06138640A - ホトマスクの製法 - Google Patents
ホトマスクの製法Info
- Publication number
- JPH06138640A JPH06138640A JP31289692A JP31289692A JPH06138640A JP H06138640 A JPH06138640 A JP H06138640A JP 31289692 A JP31289692 A JP 31289692A JP 31289692 A JP31289692 A JP 31289692A JP H06138640 A JPH06138640 A JP H06138640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- resist pattern
- material layer
- shielding material
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハードブランクを選択エッチングしてホトマ
スクを製作する方法において、エッチング不良及びピン
ホール不良を防止する。 【構成】 ガラス等のマスク基板１０の表面にクロム等
の遮光材層１２を形成したハードブランクにおいて、所
望のレジストパターン１４Ａを形成した後、微小孔１４
ａへのエッチング液の浸入を容易にするためパターン上
面に純水をスプレーディップする。このとき、レジスト
表面と純水との摩擦による帯電のため遮光材層１２の一
部が静電破壊され、ピンホールになることがある。この
ようなピンホール発生を防ぐため、パターン上面にエッ
チング液をスプレーディップして比抵抗を下げてから上
記純水のスプレーディップを行ない、この後パターン１
４Ａをマスクとするウェットエッチングを行なう。
スクを製作する方法において、エッチング不良及びピン
ホール不良を防止する。 【構成】 ガラス等のマスク基板１０の表面にクロム等
の遮光材層１２を形成したハードブランクにおいて、所
望のレジストパターン１４Ａを形成した後、微小孔１４
ａへのエッチング液の浸入を容易にするためパターン上
面に純水をスプレーディップする。このとき、レジスト
表面と純水との摩擦による帯電のため遮光材層１２の一
部が静電破壊され、ピンホールになることがある。この
ようなピンホール発生を防ぐため、パターン上面にエッ
チング液をスプレーディップして比抵抗を下げてから上
記純水のスプレーディップを行ない、この後パターン１
４Ａをマスクとするウェットエッチングを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス等の
製造に用いられるホトマスクの製法に関し、特にハード
ブランクをウェットエッチングする前に帯電防止処理を
経てプリウェット処理を施すことによりエッチング不良
及びピンホール不良を防止するようにしたものである。
製造に用いられるホトマスクの製法に関し、特にハード
ブランクをウェットエッチングする前に帯電防止処理を
経てプリウェット処理を施すことによりエッチング不良
及びピンホール不良を防止するようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードブランクを選択エッチング
してホトマスクを製作する方法としては、図６に示すよ
うに、ハードブランク上の遮光材層をレジストパターン
をマスクとするウェットエッチングによりｔ0 〜ｔ1 の
期間中選択的にエッチングしてから、ｔ1 〜ｔ2 の期間
中純水洗浄処理を行ない、ｔ2 〜ｔ3 の期間中スピンド
ライ（乾燥）処理を行なうものが提案されている。
してホトマスクを製作する方法としては、図６に示すよ
うに、ハードブランク上の遮光材層をレジストパターン
をマスクとするウェットエッチングによりｔ0 〜ｔ1 の
期間中選択的にエッチングしてから、ｔ1 〜ｔ2 の期間
中純水洗浄処理を行ない、ｔ2 〜ｔ3 の期間中スピンド
ライ（乾燥）処理を行なうものが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来法による
と、図７に示すように、ガラス等のマスク基板１０とそ
の表面のクロム等の遮光材層とからなるハードブランク
に対してレジストパターン１４Ａの形成後にエッチング
液１６をスプレーディップしてウェットエッチングを行
なうと、レジストパターン１４Ａの微小孔１４ａ等には
気泡ができてエッチング液１６が浸透せず、遮光材層の
一部がエッチングされずに残存する。このため、遮光材
層の残存部からなる遮光パターン１２Ａは、レジストパ
ターン１４Ａを忠実に反映したものにならない不都合が
あった。
と、図７に示すように、ガラス等のマスク基板１０とそ
の表面のクロム等の遮光材層とからなるハードブランク
に対してレジストパターン１４Ａの形成後にエッチング
液１６をスプレーディップしてウェットエッチングを行
なうと、レジストパターン１４Ａの微小孔１４ａ等には
気泡ができてエッチング液１６が浸透せず、遮光材層の
一部がエッチングされずに残存する。このため、遮光材
層の残存部からなる遮光パターン１２Ａは、レジストパ
ターン１４Ａを忠実に反映したものにならない不都合が
あった。
【０００４】このような不都合をなくすため、ウェット
エッチングに先立ってプリウェット処理を行なうことに
よりレジストパターンに対する濡れ性を向上させること
が試みられた。プリウェット処理では、例えば図８に示
すように、マスク基板１０及び遮光材層１２からなるハ
ードブランクに対してレジストパターン１４Ａの形成後
ウェットエッチングの前に純水をスプレーディップす
る。しかし、純水をスプレーディップすると、レジスト
表面と純水との摩擦による帯電（静電気のチャージアッ
プ）のためマスク基板１０とレジストパターン１４Ａと
の間に放電が起き、遮光材層１２の一部が静電破壊され
てピンホールＰになることが判明した。
エッチングに先立ってプリウェット処理を行なうことに
よりレジストパターンに対する濡れ性を向上させること
が試みられた。プリウェット処理では、例えば図８に示
すように、マスク基板１０及び遮光材層１２からなるハ
ードブランクに対してレジストパターン１４Ａの形成後
ウェットエッチングの前に純水をスプレーディップす
る。しかし、純水をスプレーディップすると、レジスト
表面と純水との摩擦による帯電（静電気のチャージアッ
プ）のためマスク基板１０とレジストパターン１４Ａと
の間に放電が起き、遮光材層１２の一部が静電破壊され
てピンホールＰになることが判明した。
【０００５】この発明の目的は、エッチング不良及びピ
ンホール不良を防止することができる新規なホトマスク
の製法を提供することにある。
ンホール不良を防止することができる新規なホトマスク
の製法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るホトマス
クの製法は、マスク基板の表面に形成された遮光材層の
上に所望のレジストパターンを形成する工程と、前記レ
ジストパターンに対して帯電防止処理を施す工程と、前
記レジストパターンに対して前記帯電防止処理の実施中
又はその後にプリウェット処理を施す工程と、前記プリ
ウェット処理の後前記レジストパターンをマスクとする
ウェットエッチングにより前記遮光材層を選択的にエッ
チングすることにより前記遮光材層の残存部からなる遮
光パターンを形成する工程とを含むものである。
クの製法は、マスク基板の表面に形成された遮光材層の
上に所望のレジストパターンを形成する工程と、前記レ
ジストパターンに対して帯電防止処理を施す工程と、前
記レジストパターンに対して前記帯電防止処理の実施中
又はその後にプリウェット処理を施す工程と、前記プリ
ウェット処理の後前記レジストパターンをマスクとする
ウェットエッチングにより前記遮光材層を選択的にエッ
チングすることにより前記遮光材層の残存部からなる遮
光パターンを形成する工程とを含むものである。
【０００７】
【作用】この発明の製法によれば、ウェットエッチング
の前にプリウェット処理を行なうので、レジストパター
ンへのエッチング液の浸透性が改善され、遮光材層のエ
ッチング不良を防止することができる。また、帯電防止
処理を経てプリウェット処理を行なうので、プリウェッ
ト処理中にレジストパターンの帯電が抑制され、遮光材
層のピンホール不良を防止することができる。
の前にプリウェット処理を行なうので、レジストパター
ンへのエッチング液の浸透性が改善され、遮光材層のエ
ッチング不良を防止することができる。また、帯電防止
処理を経てプリウェット処理を行なうので、プリウェッ
ト処理中にレジストパターンの帯電が抑制され、遮光材
層のピンホール不良を防止することができる。
【０００８】
【実施例】図１〜４は、この発明の一実施例に係るホト
マスクの製法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（４）を順次に説明する。
マスクの製法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（４）を順次に説明する。
【０００９】（１）例えばガラスからなるマスク基板１
０の表面にクロムからなる遮光材層１２を形成したハー
ドブランクを用意した後、遮光材層１２上に電子ビーム
レジスト層１４を形成する。レジスト層１４の形成は、
回転塗布法によりレジストを塗布した後、その塗布層を
熱処理（プレベーク）することにより行なわれる。
０の表面にクロムからなる遮光材層１２を形成したハー
ドブランクを用意した後、遮光材層１２上に電子ビーム
レジスト層１４を形成する。レジスト層１４の形成は、
回転塗布法によりレジストを塗布した後、その塗布層を
熱処理（プレベーク）することにより行なわれる。
【００１０】（２）次に、電子ビーム露光処理によりレ
ジスト層１４に配線パターン等の所望のパターンを転写
した後、現像、ポストベーク等の処理を行なうことによ
りレジスト層１４の残存部からなるレジストパターン１
４Ａを形成する。
ジスト層１４に配線パターン等の所望のパターンを転写
した後、現像、ポストベーク等の処理を行なうことによ
りレジスト層１４の残存部からなるレジストパターン１
４Ａを形成する。
【００１１】（３）次に、レジストパターン１４Ａをマ
スクとする選択エッチング工程に移る。この工程では、
一例として図５に示すように、Ｔ0 〜Ｔ2 の期間中ハー
ドブランクのレジストパターン面にエッチング液をスプ
レーディップして帯電防止処理を行ない、Ｔ1 〜Ｔ3 の
期間中レジストパターン面に純水をスプレーディップし
てプリウェット処理を行なった後、Ｔ3 〜Ｔ4 の期間中
レジストパターン面にエッチング液１６をスプレーディ
ップしてレジストパターン１４Ａをマスクとするウェッ
トエッチングを行ない、この後Ｔ4 〜Ｔ5 の期間中レジ
ストパターン面に純水をスプレーディップして洗浄処理
を行ない、さらにＴ5 〜Ｔ6 の期間中ハードブランクに
対してスピンドライ処理を施す。
スクとする選択エッチング工程に移る。この工程では、
一例として図５に示すように、Ｔ0 〜Ｔ2 の期間中ハー
ドブランクのレジストパターン面にエッチング液をスプ
レーディップして帯電防止処理を行ない、Ｔ1 〜Ｔ3 の
期間中レジストパターン面に純水をスプレーディップし
てプリウェット処理を行なった後、Ｔ3 〜Ｔ4 の期間中
レジストパターン面にエッチング液１６をスプレーディ
ップしてレジストパターン１４Ａをマスクとするウェッ
トエッチングを行ない、この後Ｔ4 〜Ｔ5 の期間中レジ
ストパターン面に純水をスプレーディップして洗浄処理
を行ない、さらにＴ5 〜Ｔ6 の期間中ハードブランクに
対してスピンドライ処理を施す。
【００１２】帯電防止処理では、エッチング液のスプレ
ーディップによりレジストパターン面の比抵抗が低下
し、帯電が抑制される。このような帯電抑制効果が低下
しないうちにプリウェット処理を終了するように図５の
Ｔ2 〜Ｔ3 の期間の長さを適当に設定しておくと、プリ
ウェット処理では、図８に示したようなピンホール不良
を発生させることなくレジストパターン面の濡れ性を向
上させることができる。そして、ウェットエッチングで
は、図３に示すように微小孔１４ａ内にもエッチング液
１６が十分に浸入するようになり、エッチング不良の発
生を回避することができる。すなわち、遮光材層１２の
残存部からなる遮光パターン１２Ａとしては、レジスト
パターン１４Ａを忠実に反映したものが得られる。
ーディップによりレジストパターン面の比抵抗が低下
し、帯電が抑制される。このような帯電抑制効果が低下
しないうちにプリウェット処理を終了するように図５の
Ｔ2 〜Ｔ3 の期間の長さを適当に設定しておくと、プリ
ウェット処理では、図８に示したようなピンホール不良
を発生させることなくレジストパターン面の濡れ性を向
上させることができる。そして、ウェットエッチングで
は、図３に示すように微小孔１４ａ内にもエッチング液
１６が十分に浸入するようになり、エッチング不良の発
生を回避することができる。すなわち、遮光材層１２の
残存部からなる遮光パターン１２Ａとしては、レジスト
パターン１４Ａを忠実に反映したものが得られる。
【００１３】（４）上記のような選択エッチング工程の
後、ハードブランクの上面からアッシング処理等により
レジストパターン１４Ａを除去する。この結果、ホトマ
スクが得られるが、最終的には、欠陥検査等を経て完成
となる。
後、ハードブランクの上面からアッシング処理等により
レジストパターン１４Ａを除去する。この結果、ホトマ
スクが得られるが、最終的には、欠陥検査等を経て完成
となる。
【００１４】なお、この発明は、上記実施例に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、マスク基板は、石英ガラス等であってもよ
く、遮光材層は、酸化クロムの単層又はクロム及び酸化
クロムの積層等であってもよい。また、図５において、
Ｔ1 ＝Ｔ2 としてもよく、このときはＴ2 〜Ｔ3 の期間
を短く設定する。
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、マスク基板は、石英ガラス等であってもよ
く、遮光材層は、酸化クロムの単層又はクロム及び酸化
クロムの積層等であってもよい。また、図５において、
Ｔ1 ＝Ｔ2 としてもよく、このときはＴ2 〜Ｔ3 の期間
を短く設定する。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、プリ
ウェット処理によりエッチング不良を防止すると共に帯
電防止処理によりピンホール不良を防止するようにした
ので、ホトマスクの品質及び製造歩留りが飛躍的に向上
する効果が得られるものである。
ウェット処理によりエッチング不良を防止すると共に帯
電防止処理によりピンホール不良を防止するようにした
ので、ホトマスクの品質及び製造歩留りが飛躍的に向上
する効果が得られるものである。
【図１】 この発明の一実施例に係るホトマスクの製法
におけるレジスト層形成工程を示す基板断面図である。
におけるレジスト層形成工程を示す基板断面図である。
【図２】 図１の工程に続くレジストパターン形成工程
を示す基板断面図である。
を示す基板断面図である。
【図３】 図２の工程に続くエッチング工程を示す基板
断面図である。
断面図である。
【図４】 図３の工程に続くレジスト除去工程を示す基
板断面図である。
板断面図である。
【図５】 図３のエッチング工程における処理の流れを
示すタイムチャートである。
示すタイムチャートである。
【図６】 従来のエッチング工程における処理の流れを
示すタイムチャートである。
示すタイムチャートである。
【図７】 従来法におけるエッチング不良の発生状況を
示す基板断面図である。
示す基板断面図である。
【図８】 純水スプレーディップ時の帯電によるピンホ
ール不良の発生状況を示す基板断面図である。
ール不良の発生状況を示す基板断面図である。
１０：マスク基板、１２：遮光材層、１２Ａ：遮光パタ
ーン、１４：レジスト層、１４Ａ：レジストパターン、
１６：エッチング液。
ーン、１４：レジスト層、１４Ａ：レジストパターン、
１６：エッチング液。
Claims (1)
- 【請求項１】マスク基板の表面に形成された遮光材層の
上に所望のレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンに対して帯電防止処理を施す工程
と、 前記レジストパターンに対して前記帯電防止処理の実施
中又はその後にプリウェット処理を施す工程と、 前記プリウェット処理の後前記レジストパターンをマス
クとするウェットエッチングにより前記遮光材層を選択
的にエッチングすることにより前記遮光材層の残存部か
らなる遮光パターンを形成する工程とを含むホトマスク
の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31289692A JPH06138640A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ホトマスクの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31289692A JPH06138640A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ホトマスクの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138640A true JPH06138640A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18034761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31289692A Pending JPH06138640A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ホトマスクの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138640A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998054617A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Couche a alignement de cristaux liquides et son procede de fabrication; afficheur a cristaux liquides comportant ladite couche et son procede de fabrication |
| US6368681B1 (en) | 1996-07-10 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal alignment film, method of manufacturing the film, liquid crystal display using the film and method, and method of manufacturing the liquid crystal display |
| JP2006041346A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Fujitsu Ltd | 帯電防止された電子装置およびその製造方法 |
| KR100780815B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2007-11-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 액정표시장치용 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160016A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JPH03200150A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Fujitsu Ltd | マスクウェットエッチング方法 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP31289692A patent/JPH06138640A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160016A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JPH03200150A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Fujitsu Ltd | マスクウェットエッチング方法 |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| US6368681B1 (en) | 1996-07-10 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal alignment film, method of manufacturing the film, liquid crystal display using the film and method, and method of manufacturing the liquid crystal display |
| WO1998054617A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Couche a alignement de cristaux liquides et son procede de fabrication; afficheur a cristaux liquides comportant ladite couche et son procede de fabrication |
| JP2006041346A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Fujitsu Ltd | 帯電防止された電子装置およびその製造方法 |
| KR100780815B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2007-11-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 액정표시장치용 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 |
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