JPH05281703A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05281703A JPH05281703A JP10599092A JP10599092A JPH05281703A JP H05281703 A JPH05281703 A JP H05281703A JP 10599092 A JP10599092 A JP 10599092A JP 10599092 A JP10599092 A JP 10599092A JP H05281703 A JPH05281703 A JP H05281703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- photoresists
- substrate
- pattern
- baked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジスト側壁に金属が堆積しない良好
な逆テーパー形状のフォトレジストパターン形成方法を
提供することである。 【構成】 リフトオフ法におけるレジストパターンの形
成において、上層部のフォトレジスト５には感度の低い
レジスト、下層部のフォトレジスト４には感度の高いレ
ジストを配置してフォトレジストパターンを形成する。
な逆テーパー形状のフォトレジストパターン形成方法を
提供することである。 【構成】 リフトオフ法におけるレジストパターンの形
成において、上層部のフォトレジスト５には感度の低い
レジスト、下層部のフォトレジスト４には感度の高いレ
ジストを配置してフォトレジストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリフトオフ法等によるパ
ターン形成方法の改良に関する。
ターン形成方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ドライエッチやウエットエッチが
困難な材料の加工や微細パターンの形成にリフトオフ法
が用いられてきた。リフトオフ法は、図２（ａ）に示す
ように、半導体装置などの電子デバイス基体１の表面に
フォトレジストパターン２を形成し、次にＡｌなどの金
属を蒸着法などで堆積後、有機溶媒を用いてフォトレジ
ストとフォトレジスト上部に堆積している金属を取り除
くことにより所望の金属パターン３を得る方法である。
困難な材料の加工や微細パターンの形成にリフトオフ法
が用いられてきた。リフトオフ法は、図２（ａ）に示す
ように、半導体装置などの電子デバイス基体１の表面に
フォトレジストパターン２を形成し、次にＡｌなどの金
属を蒸着法などで堆積後、有機溶媒を用いてフォトレジ
ストとフォトレジスト上部に堆積している金属を取り除
くことにより所望の金属パターン３を得る方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のリフト
オフ法では、図２（ａ）に示す如く、金属の堆積時にフ
ォトレジストパターン２の側壁の部分に金属３が付着す
ると、有機溶媒処理後もそのまま残り、図２（ｂ）に示
すようにそれがひげ状の金属細片３’となり、配線ショ
ート等を引き起こす。このためフォトレジスト断面が逆
テーパー形状に形成され易いポジ型レジストを使用する
のが通常であるが、それだけでは万全ではなくしばしば
配線ショートを起こしている。
オフ法では、図２（ａ）に示す如く、金属の堆積時にフ
ォトレジストパターン２の側壁の部分に金属３が付着す
ると、有機溶媒処理後もそのまま残り、図２（ｂ）に示
すようにそれがひげ状の金属細片３’となり、配線ショ
ート等を引き起こす。このためフォトレジスト断面が逆
テーパー形状に形成され易いポジ型レジストを使用する
のが通常であるが、それだけでは万全ではなくしばしば
配線ショートを起こしている。
【０００４】本発明の目的はリフトオフ法において、フ
ォトレジスト側壁に金属が堆積しない良好な逆テーパー
形状のフォトレジストパターン形成方法を提供すること
にある。
ォトレジスト側壁に金属が堆積しない良好な逆テーパー
形状のフォトレジストパターン形成方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のパターン形成方法は、基板上に、第１のフ
ォトレジストを塗布しベーキングする第１の工程と、第
１のフォトレジスト上に、このレジストの感度よりも感
度の低い第２のフォトレジストを形成する第２の工程
と、所定のパターンが描かれているマスクにより上記第
１及び第２のフォトレジストを露光、現像し、ベークす
る第３の工程と、を含むことを要旨とする。
め、本発明のパターン形成方法は、基板上に、第１のフ
ォトレジストを塗布しベーキングする第１の工程と、第
１のフォトレジスト上に、このレジストの感度よりも感
度の低い第２のフォトレジストを形成する第２の工程
と、所定のパターンが描かれているマスクにより上記第
１及び第２のフォトレジストを露光、現像し、ベークす
る第３の工程と、を含むことを要旨とする。
【０００６】
【作用】第２のレジストより第１のレジストの方が感度
が良いので、レジストパターン形成後フォトレジスト断
面は良好な逆テーパー状になる。
が良いので、レジストパターン形成後フォトレジスト断
面は良好な逆テーパー状になる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明のパターン形成方法の一実施例
で、まず図１（ａ）に示すように、加工する基体１上に
感度の高いフォトレジストＡ（４）を周知の方法で０．
６μｍ程度塗布し、８０〜９０℃でベーキングする。次
に感度の低いフォトレジストＢ（５）を０．６μｍ程度
塗布し、８０〜９０℃でベークする。フォトレジスト
Ａ，Ｂはポジ型レジストで感度が異なれば良い。次に所
望のパターンが描かれているガラスマスクを使い周知の
方法でフォトレジストを露光、現像しベークする。
明する。図１は本発明のパターン形成方法の一実施例
で、まず図１（ａ）に示すように、加工する基体１上に
感度の高いフォトレジストＡ（４）を周知の方法で０．
６μｍ程度塗布し、８０〜９０℃でベーキングする。次
に感度の低いフォトレジストＢ（５）を０．６μｍ程度
塗布し、８０〜９０℃でベークする。フォトレジスト
Ａ，Ｂはポジ型レジストで感度が異なれば良い。次に所
望のパターンが描かれているガラスマスクを使い周知の
方法でフォトレジストを露光、現像しベークする。
【０００８】ポジ型レジスト４，５は露光時にフォトレ
ジストの下、基体１の表面からの反射を受けフォトレジ
スト下部の方が細くなるが、下部のフォトレジスト４の
方がフォトレジスト５よりも感度が良いため、より細く
なり、その結果レジストパターン形成後、フォトレジス
ト断面が良好な逆テーパー（ステンシル）になる。
ジストの下、基体１の表面からの反射を受けフォトレジ
スト下部の方が細くなるが、下部のフォトレジスト４の
方がフォトレジスト５よりも感度が良いため、より細く
なり、その結果レジストパターン形成後、フォトレジス
ト断面が良好な逆テーパー（ステンシル）になる。
【０００９】このように充分な逆テーパーフォトレジス
トパターン形状を得られるため、図１（ｂ）に示すよう
に金属３を堆積したときに、フォトレジスト４の側壁金
属が堆積することがなく、フォトレジスト４，５の有機
溶媒処理後も、図１（ｃ）に示す如く、前記ひげ状の金
属の発生がないため良好な歩留りが得られる。
トパターン形状を得られるため、図１（ｂ）に示すよう
に金属３を堆積したときに、フォトレジスト４の側壁金
属が堆積することがなく、フォトレジスト４，５の有機
溶媒処理後も、図１（ｃ）に示す如く、前記ひげ状の金
属の発生がないため良好な歩留りが得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
制御性が良く量産的にも優れたリフトオフ工程が可能に
なり、またそのリフトオフ工程の応用分野が広がる等の
効果がある。
制御性が良く量産的にも優れたリフトオフ工程が可能に
なり、またそのリフトオフ工程の応用分野が広がる等の
効果がある。
【図１】本発明の一実施例の説明図である。
【図２】従来のリフトオフ法の説明図である。
１ 基体 ２ フォトレジスト ３ 金属 ４ 下層レジスト ５ 上層レジスト ３’ ひげ状金属
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、第１のフォトレジストを塗布
しベーキングする第１の工程と、 第１のフォトレジスト上に、このレジストの感度よりも
感度の低い第２のフォトレジストを形成する第２の工程
と、 所定のパターンが描かれているマスクにより上記第１及
び第２のフォトレジストを露光、現像し、ベークする第
３の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10599092A JPH05281703A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10599092A JPH05281703A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281703A true JPH05281703A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14422172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10599092A Pending JPH05281703A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516746B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광마스크의 제조방법 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP10599092A patent/JPH05281703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516746B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광마스크의 제조방법 |
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