JP2001345540A - 回路配線の形成法 - Google Patents
回路配線の形成法Info
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- JP2001345540A JP2001345540A JP2000165532A JP2000165532A JP2001345540A JP 2001345540 A JP2001345540 A JP 2001345540A JP 2000165532 A JP2000165532 A JP 2000165532A JP 2000165532 A JP2000165532 A JP 2000165532A JP 2001345540 A JP2001345540 A JP 2001345540A
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- plating
- plating mask
- dissimilar metal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セミアディティブ法によって回路配線の側面も
異種金属で被覆することの可能な回路配線の形成法を提
供する。 【解決手段】セミアディティブ法によってメッキマスク
３の開口部に電解メッキ手段で回路配線４を形成し、メ
ッキマスク３に再度近接露光・現像処理を行った後、回
路配線４の表面に異種金属層６をメッキ処理する。
異種金属で被覆することの可能な回路配線の形成法を提
供する。 【解決手段】セミアディティブ法によってメッキマスク
３の開口部に電解メッキ手段で回路配線４を形成し、メ
ッキマスク３に再度近接露光・現像処理を行った後、回
路配線４の表面に異種金属層６をメッキ処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セミアディティブ
法によって回路配線の側面も異種金属で被覆することの
可能な回路配線の形成法に関する。
法によって回路配線の側面も異種金属で被覆することの
可能な回路配線の形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】回路基板を製作する手法と
して、セミアディティブ法により回路配線を形成するに
は、先ず絶縁層上にメッキリ−ドとなるシ−ド層を形成
した後、フォトレジスト等を用いてシ−ド層上の不要部
分をマスキングし、次いで開口部に電解メッキ手段で回
路配線を形成し、最後にマスキング材及びシ−ド層を除
去することにより所要の回路配線を製作することができ
る。
して、セミアディティブ法により回路配線を形成するに
は、先ず絶縁層上にメッキリ−ドとなるシ−ド層を形成
した後、フォトレジスト等を用いてシ−ド層上の不要部
分をマスキングし、次いで開口部に電解メッキ手段で回
路配線を形成し、最後にマスキング材及びシ−ド層を除
去することにより所要の回路配線を製作することができ
る。
【０００３】このような回路配線に金等の異種金属を被
覆する場合には、メッキ工程を異種メッキ液に変えて繰
り返し行うことにより可能である。
覆する場合には、メッキ工程を異種メッキ液に変えて繰
り返し行うことにより可能である。
【０００４】しかしながら、このような異種金属を電解
メッキ手段で回路配線に被覆する場合、メッキを繰り返
し被覆すると回路配線の上面のみに異種金属が被覆され
るので、回路配線の側面は内部金属が露出している。
メッキ手段で回路配線に被覆する場合、メッキを繰り返
し被覆すると回路配線の上面のみに異種金属が被覆され
るので、回路配線の側面は内部金属が露出している。
【０００５】例えば、銅メッキ等で回路配線を形成した
後、表面の保護の為に金等を被覆した場合、回路配線の
上面はすべて金等で保護されるが、側面は保護されず銅
が露出することとなる。このように回路配線の側面が保
護されない場合には、耐蝕性の低下或いはマイグレーシ
ョンの発生等、回路配線の信頼性が低下する。
後、表面の保護の為に金等を被覆した場合、回路配線の
上面はすべて金等で保護されるが、側面は保護されず銅
が露出することとなる。このように回路配線の側面が保
護されない場合には、耐蝕性の低下或いはマイグレーシ
ョンの発生等、回路配線の信頼性が低下する。
【０００６】そこで、回路配線の側面まで異種金属を被
覆形成するには、回路配線を形成した後、メッキマスク
となるフォトレジスト等を除去し、次いで異種金属のメ
ッキマスクとなるフォトレジストを再度塗布し、更に回
路配線形成時より開口寸法の大きいフォトマスク等で露
光し、現像後にメッキ手段で異種金属を被覆する手法も
考えられる。
覆形成するには、回路配線を形成した後、メッキマスク
となるフォトレジスト等を除去し、次いで異種金属のメ
ッキマスクとなるフォトレジストを再度塗布し、更に回
路配線形成時より開口寸法の大きいフォトマスク等で露
光し、現像後にメッキ手段で異種金属を被覆する手法も
考えられる。
【０００７】しかし、この場合には、異種金属用メッキ
マスクは回路配線より開口寸法が大きい為、回路配線幅
に対して異種金属の幅は大きくなり、微細な回路配線の
形成には適用不可となる。
マスクは回路配線より開口寸法が大きい為、回路配線幅
に対して異種金属の幅は大きくなり、微細な回路配線の
形成には適用不可となる。
【０００８】そこで、本発明は、セミアディティブ法に
よって回路配線の側面も異種金属で被覆することの可能
な回路配線の形成法を提供するものである。
よって回路配線の側面も異種金属で被覆することの可能
な回路配線の形成法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】その為に、本発明による
回路配線の形成法では、セミアディティブ法によってメ
ッキマスクの開口部に電解メッキ手段で所要の回路配線
を形成し、前記メッキマスクがポジ型フォトレジストの
場合には、前記メッキマスクに再度近接露光・現像処理
を行った後、前記回路配線の表面に金等の異種金属をメ
ッキ処理するものである。
回路配線の形成法では、セミアディティブ法によってメ
ッキマスクの開口部に電解メッキ手段で所要の回路配線
を形成し、前記メッキマスクがポジ型フォトレジストの
場合には、前記メッキマスクに再度近接露光・現像処理
を行った後、前記回路配線の表面に金等の異種金属をメ
ッキ処理するものである。
【００１０】また、本発明による他の回路配線の形成法
では、セミアディティブ法によってメッキマスクの開口
部に電解メッキ手段で所要の回路配線を形成し、前記メ
ッキマスクを除去して異種金属用メッキマスクを再度形
成し、次いでこのメッキマスクに近接露光・現像処理を
行った後、回路配線の表面に金等の異種金属層をメッキ
処理するものである。
では、セミアディティブ法によってメッキマスクの開口
部に電解メッキ手段で所要の回路配線を形成し、前記メ
ッキマスクを除去して異種金属用メッキマスクを再度形
成し、次いでこのメッキマスクに近接露光・現像処理を
行った後、回路配線の表面に金等の異種金属層をメッキ
処理するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図示の実施例を参照しなが
ら本発明を更に詳述する。図１は本発明による回路配線
の形成工程図であり、同図（１）の如く、先ず回路基板
の絶縁層１上にメッキリ−ドとなるシ−ド層２を形成す
ると共に、ポジ型フォトレジストを用いてその塗布及び
露光・現像処理によって、シ−ド層２の不要部分をマス
キングするメッキマスク３を形成する。
ら本発明を更に詳述する。図１は本発明による回路配線
の形成工程図であり、同図（１）の如く、先ず回路基板
の絶縁層１上にメッキリ−ドとなるシ−ド層２を形成す
ると共に、ポジ型フォトレジストを用いてその塗布及び
露光・現像処理によって、シ−ド層２の不要部分をマス
キングするメッキマスク３を形成する。
【００１２】次に、同図（２）の如く、メッキマスク３
の開口部に対する電解銅メッキ手段で所要の回路配線４
を形成する。そこで、同図（３）の如く、フォトマスク
等を用いて上記メッキマスク３に再度近接露光・現像処
理を施すと、メッキマスク３の全体が適度に縮小して回
路配線４の側面との間に好適な間隙を生ずるメッキマス
ク５が形成される。
の開口部に対する電解銅メッキ手段で所要の回路配線４
を形成する。そこで、同図（３）の如く、フォトマスク
等を用いて上記メッキマスク３に再度近接露光・現像処
理を施すと、メッキマスク３の全体が適度に縮小して回
路配線４の側面との間に好適な間隙を生ずるメッキマス
ク５が形成される。
【００１３】この段階で、同図（４）の如く、金等の異
種金属のメッキ処理を行うことにより回路配線４の上面
及び側面に一様に被着した異種金属層６を形成できるの
で、最後に、不要となったメッキマスク５を除去し、ま
た、シ−ド層２の除去により同図（５）の如く、微細な
回路配線であっても上面及び側面が一様に異種金属層６
で保護された回路配線４を具備した回路基板を得ること
ができる。
種金属のメッキ処理を行うことにより回路配線４の上面
及び側面に一様に被着した異種金属層６を形成できるの
で、最後に、不要となったメッキマスク５を除去し、ま
た、シ−ド層２の除去により同図（５）の如く、微細な
回路配線であっても上面及び側面が一様に異種金属層６
で保護された回路配線４を具備した回路基板を得ること
ができる。
【００１４】ここで、メッキマスク３，５にポジ型フォ
トレジスト以外のタイプのものを用いる場合には、セミ
アディティブ法によってメッキマスクの開口部に電解メ
ッキ手段で上記と同様に所要の回路配線４を形成した段
階で、そのメッキマスクを除去して異種金属用メッキマ
スクを再度形成し、このメッキマスクに上記と同様に近
接露光・現像処理を行った後、回路配線４の表面に異種
金属層６をメッキ処理して回路基板を製作することもで
きる。
トレジスト以外のタイプのものを用いる場合には、セミ
アディティブ法によってメッキマスクの開口部に電解メ
ッキ手段で上記と同様に所要の回路配線４を形成した段
階で、そのメッキマスクを除去して異種金属用メッキマ
スクを再度形成し、このメッキマスクに上記と同様に近
接露光・現像処理を行った後、回路配線４の表面に異種
金属層６をメッキ処理して回路基板を製作することもで
きる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、セミアディティブ法を
用いて回路配線の側面を含む周囲に金等の異種金属を一
様に形成することが可能である。
用いて回路配線の側面を含む周囲に金等の異種金属を一
様に形成することが可能である。
【００１６】また、開口寸法が異なるフォトマスク等を
用いた場合に比し、回路配線の上部では回路配線とメッ
キマスクとの間隔が好適に広くなるので、メッキ時に於
ける液の更新が良好となり均一な成膜が可能であり、そ
して、回路配線の下部では回路配線とメッキマスクとの
間隔が狭くなって異種金属層の幅と回路配線の幅との差
が少なくなる為、微細な回路配線の形成に有利である。
用いた場合に比し、回路配線の上部では回路配線とメッ
キマスクとの間隔が好適に広くなるので、メッキ時に於
ける液の更新が良好となり均一な成膜が可能であり、そ
して、回路配線の下部では回路配線とメッキマスクとの
間隔が狭くなって異種金属層の幅と回路配線の幅との差
が少なくなる為、微細な回路配線の形成に有利である。
【００１７】更に、メッキマスクにポジ型フォトレジス
トを使用する場合には、回路配線の形成に用いたそのメ
ッキマスクを異種金属のメッキマスクとしても使用する
ことができるので、工程の簡略化を図れる。
トを使用する場合には、回路配線の形成に用いたそのメ
ッキマスクを異種金属のメッキマスクとしても使用する
ことができるので、工程の簡略化を図れる。
【図１】本発明による回路配線の形成工程図。
１ 絶縁層 ２ シ−ド層 ３ メッキマスク ４ 回路配線 ５ メッキマスク ６ 異種金属層
Claims (5)
- 【請求項１】セミアディティブ法によってメッキマスク
の開口部に電解メッキ手段で所要の回路配線を形成し、
前記メッキマスクに再度近接露光・現像処理を行った
後、前記回路配線の表面に異種金属をメッキ処理するこ
とを特徴とする回路配線の形成法。 - 【請求項２】前記メッキマスクがポジ型フォトレジスト
である請求項１に記載の回路配線の形成法。 - 【請求項３】前記異種金属が金である請求項１又は２に
記載の回路配線の形成法。 - 【請求項４】セミアディティブ法によってメッキマスク
の開口部に電解メッキ手段で所要の回路配線を形成し、
前記メッキマスクを除去して異種金属用メッキマスクを
再度形成し、次いでこのメッキマスクに近接露光・現像
処理を行った後、回路配線の表面に異種金属層をメッキ
処理することを特徴とする回路配線の形成法。 - 【請求項５】前記異種金属が金である請求項４の回路配
線の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165532A JP2001345540A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 回路配線の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165532A JP2001345540A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 回路配線の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345540A true JP2001345540A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18668994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000165532A Pending JP2001345540A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 回路配線の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001345540A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120667A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | プリント基板の製造方法およびプリント基板 |
| JP2007180476A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Toppan Printing Co Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
| JP2011044563A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | 回路基板およびその製造方法 |
| CN106548952A (zh) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 深南电路股份有限公司 | 一种精细线路的制作方法 |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000165532A patent/JP2001345540A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120667A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | プリント基板の製造方法およびプリント基板 |
| JP4599132B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2010-12-15 | 富士通株式会社 | プリント基板の製造方法およびプリント基板 |
| JP2007180476A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Toppan Printing Co Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
| JP4730220B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-20 | 凸版印刷株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JP2011044563A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | 回路基板およびその製造方法 |
| CN106548952A (zh) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 深南电路股份有限公司 | 一种精细线路的制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |