JPS636556A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
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- JPS636556A JPS636556A JP15193486A JP15193486A JPS636556A JP S636556 A JPS636556 A JP S636556A JP 15193486 A JP15193486 A JP 15193486A JP 15193486 A JP15193486 A JP 15193486A JP S636556 A JPS636556 A JP S636556A
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- photoresist
- pattern
- film
- resist pattern
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体回路素子における導体の微細パターン形
成方法に関し、例えばリフトオフ配線方法を用いた微細
パターン形成方法に関する。
成方法に関し、例えばリフトオフ配線方法を用いた微細
パターン形成方法に関する。
〈従来の技術〉
現在、半導体回路の高集積化・高速化のため回路パター
ンの微細加工化が進み、特に配線導体の形成については
高い寸法精度を得ることができるリフトオフ法が利用さ
れている。リフトオフ法は、ホトレジストで配線逆パタ
ーンを形成しておき、そのホトレジストパターン上に電
極配線材料を堆積し、不要部分の電極配線材料をホトレ
ジストと同時に剥離してしまう方法である。
ンの微細加工化が進み、特に配線導体の形成については
高い寸法精度を得ることができるリフトオフ法が利用さ
れている。リフトオフ法は、ホトレジストで配線逆パタ
ーンを形成しておき、そのホトレジストパターン上に電
極配線材料を堆積し、不要部分の電極配線材料をホトレ
ジストと同時に剥離してしまう方法である。
第２図（ａ）〜（ｅ）はリフトオフ配線法の工程を示し
念ものである。
念ものである。
（１） 基板１に段差パターン２を形成する。（第２
図ら）） （２）形成した段差パターン２を覆うようリフトオフ用
ホトレジスト３を塗布する。（第２図（ｂ））（３）ホ
トマスク４を用いて所望配線と逆のパターンをホトレジ
スト３に露光し、現像してリフトオフ用レジストパター
ン３′を形成する。（第２図（Ｃ）） （４）アルミニウム膜５をレジストパターモ堆積する。
図ら）） （２）形成した段差パターン２を覆うようリフトオフ用
ホトレジスト３を塗布する。（第２図（ｂ））（３）ホ
トマスク４を用いて所望配線と逆のパターンをホトレジ
スト３に露光し、現像してリフトオフ用レジストパター
ン３′を形成する。（第２図（Ｃ）） （４）アルミニウム膜５をレジストパターモ堆積する。
（第２図（ｄ））
（５）不要なアルミニウム膜をレジストパターン３′と
同時に剥離すると、アルミニウム膜の配線パターン５′
が完成する。（第２図（ｅ））〈発明が解決しようとす
る問題点〉 リフトオフ配線法においては、す７トオフ用ホトレジス
トのステップカバレジを改善するためホトレジスト３の
膜厚は少なくとも１．５から１．８ミクロン必要となる
。ところがホトレジスト３をこのように厚い膜厚にする
とホトレジスト３の解像度が低下し、その結果レジスト
パターン３′にテーパーが生じる。レジストパターン３
′ニテーパーがあると、第２図（ｅ）に示す如くリフト
オフ時に配線パターン５′のエツジ部にパリ６が生じ、
このバリ６により電極配線のショートを引き起こすとい
った問題がある。
同時に剥離すると、アルミニウム膜の配線パターン５′
が完成する。（第２図（ｅ））〈発明が解決しようとす
る問題点〉 リフトオフ配線法においては、す７トオフ用ホトレジス
トのステップカバレジを改善するためホトレジスト３の
膜厚は少なくとも１．５から１．８ミクロン必要となる
。ところがホトレジスト３をこのように厚い膜厚にする
とホトレジスト３の解像度が低下し、その結果レジスト
パターン３′にテーパーが生じる。レジストパターン３
′ニテーパーがあると、第２図（ｅ）に示す如くリフト
オフ時に配線パターン５′のエツジ部にパリ６が生じ、
このバリ６により電極配線のショートを引き起こすとい
った問題がある。
また、上述の（３）工程のあと、基板を芳香族有機化合
物に浸漬し、テーパーに対応させてステンシルを形成す
る方法がある。しかし、こうした方法は工程の複雑化を
もたらす正解像度はさらに低下する０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述する問題を解決するためになされたもので
、レジストパターンにテーパーが生じないことを可能に
する微細パターンの形成方法を提供するものである。
物に浸漬し、テーパーに対応させてステンシルを形成す
る方法がある。しかし、こうした方法は工程の複雑化を
もたらす正解像度はさらに低下する０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述する問題を解決するためになされたもので
、レジストパターンにテーパーが生じないことを可能に
する微細パターンの形成方法を提供するものである。
本発明はホトレジストを露光する際のホトマスクパター
ンエツジ付近の入射光線の回折に着目し、ホトレジスト
を露光する前にホトレジスト上にＣＥＬ膜（コントラス
ト・エンノーンスト・リングラフィ膜、例えばＧＥ社製
ＣＥＬ膜ＣＥＭ−４２０）を塗布してホトレジストに入
射する光のコントラストを大きくするものである。
ンエツジ付近の入射光線の回折に着目し、ホトレジスト
を露光する前にホトレジスト上にＣＥＬ膜（コントラス
ト・エンノーンスト・リングラフィ膜、例えばＧＥ社製
ＣＥＬ膜ＣＥＭ−４２０）を塗布してホトレジストに入
射する光のコントラストを大きくするものである。
く作 用〉
ホトレジストを露光する際、ＣＥＬ膜を予めホトレジス
ト上に塗布することによシ、ホトマスクを透過してホト
レジストに到達する光線に対してホトマスクパターンの
中心部とエツジ部とに大きなコントラストを与えること
ができ、その結果ホトレジストの解像度が向上し、導体
パターンを確実に形成することが可能になる。
ト上に塗布することによシ、ホトマスクを透過してホト
レジストに到達する光線に対してホトマスクパターンの
中心部とエツジ部とに大きなコントラストを与えること
ができ、その結果ホトレジストの解像度が向上し、導体
パターンを確実に形成することが可能になる。
〈実施例〉
第１図（ａ）〜（ｅ）は本実施例によるアルミニウム配
線工程を示す図である。
線工程を示す図である。
（１）シリコン基板１上に酸化シリコン等の絶縁膜から
なる段差パターン２を形成する。（第１図（ａ）） （２）段差パターン２を覆うようにホトレジスト３を塗
布し、前記ホトレジスト３上にＣＥＬ膜７を形成する。
なる段差パターン２を形成する。（第１図（ａ）） （２）段差パターン２を覆うようにホトレジスト３を塗
布し、前記ホトレジスト３上にＣＥＬ膜７を形成する。
（第１図（ｂ））
（３）前記ＣＥＬ膜７の上にホトマスク４を重ね紫外線
にて露光し、ＣＥＬ膜７を有機溶剤で剥離した後、ホト
レジスト３を現像してレジストパターン３′を得る。（
第１図（Ｃ）） （４）作成したレジストパターン３′の上からアルミニ
ウムを堆積する。（第１図（ｄ）） （５） レジストパターンを不要なアルミニウム膜と
同時に剥離してアルミニウム配線パターン５′を形成す
る。（第１図（ｅ）） ここで上記ＣＥＬ膜７は、通常露光に用いられす る超高圧水銀灯における４３６ｎｍの波長のＣＪＩ（ｂ
） ストの改善モデルを示す。第３図−に示すように、−般
にホトマスクを用いて露光するとホトマスクを透過した
光、特にステッパ等の光学系を通過した光は光の回折に
よシその入射強度がマスクパターンエツジ付近では低く
、中心部では高くなるという傾向がある。こうして強度
が波形となった光（ｃｉ） がＣＥＬ膜を透過すると、第３図（６）に示すようにし
きい値を境にしてしきい値以下の強度の光はに示すＣＥ
Ｌ膜を透過した光の強度を比較すると、（ｄ） 第３図（社）に示す光の強度の方がコントラストが大き
いことがわかり、同じ露光時間においてもパターンエツ
ジ部と中心部で明らかに露光量に差が生じて、パターン
エツジ部のホトレジストをひさし状に残すことができる
。その結果ＣＥＬ膜を露光時に使用すると１．５〜１．
８ミクロンといった厚い膜厚のホトレジストにおいても
解像度が向上する上、リフトオフ法において有効なオー
パーツ・ング形状を持つレジストパターンを与えること
になる。
にて露光し、ＣＥＬ膜７を有機溶剤で剥離した後、ホト
レジスト３を現像してレジストパターン３′を得る。（
第１図（Ｃ）） （４）作成したレジストパターン３′の上からアルミニ
ウムを堆積する。（第１図（ｄ）） （５） レジストパターンを不要なアルミニウム膜と
同時に剥離してアルミニウム配線パターン５′を形成す
る。（第１図（ｅ）） ここで上記ＣＥＬ膜７は、通常露光に用いられす る超高圧水銀灯における４３６ｎｍの波長のＣＪＩ（ｂ
） ストの改善モデルを示す。第３図−に示すように、−般
にホトマスクを用いて露光するとホトマスクを透過した
光、特にステッパ等の光学系を通過した光は光の回折に
よシその入射強度がマスクパターンエツジ付近では低く
、中心部では高くなるという傾向がある。こうして強度
が波形となった光（ｃｉ） がＣＥＬ膜を透過すると、第３図（６）に示すようにし
きい値を境にしてしきい値以下の強度の光はに示すＣＥ
Ｌ膜を透過した光の強度を比較すると、（ｄ） 第３図（社）に示す光の強度の方がコントラストが大き
いことがわかり、同じ露光時間においてもパターンエツ
ジ部と中心部で明らかに露光量に差が生じて、パターン
エツジ部のホトレジストをひさし状に残すことができる
。その結果ＣＥＬ膜を露光時に使用すると１．５〜１．
８ミクロンといった厚い膜厚のホトレジストにおいても
解像度が向上する上、リフトオフ法において有効なオー
パーツ・ング形状を持つレジストパターンを与えること
になる。
〈発明の効果〉
以上、本発明によればホトレジストのパターニング時に
テーパーの形成が避けられるため、微細で精度の高い導
体パターンが得られ、ひいては信頼性及び集積度の高い
半導体回路を得ることが可能になる。
テーパーの形成が避けられるため、微細で精度の高い導
体パターンが得られ、ひいては信頼性及び集積度の高い
半導体回路を得ることが可能になる。
ミニラム配線パターン形成工程を示？！！また、第１、
基板 ２６段差パターン ３．ホトレジスト３； ホ
トレジストパターン ４． マスク５゜アルミニウム膜
５．′ リフトオフアルミニウムパターン ６．バ
リ ７．ＣＥＬ膜 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 咲来金り（＝ｘ’ａ ｙｂｘニジｗ ｆＩＩＪＬ／
ｌ’／−ｙ舛ｘ＠第２図
基板 ２６段差パターン ３．ホトレジスト３； ホ
トレジストパターン ４． マスク５゜アルミニウム膜
５．′ リフトオフアルミニウムパターン ６．バ
リ ７．ＣＥＬ膜 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 咲来金り（＝ｘ’ａ ｙｂｘニジｗ ｆＩＩＪＬ／
ｌ’／−ｙ舛ｘ＠第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体回路導体の微細パターン形成方法において、 基板上に段差パターンを形成する工程と、 前記段差パターンを覆うようにホトレジストを塗布する
工程と、 前記ホトレジスト上にＣＥＬ膜を被着する工程と、 ホトマスクとＣＥＬ膜を通してホトレジストを露光する
工程と、 ＣＥＬ膜を剥離する工程と、 ホトレジストを現像する工程と、 レジストパターン上に金属薄膜を堆積する工程と、 レジストパターンと不要金属部分を同時に剥離して導体
パターンを形成する工程とからなることを特徴とする微
細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193486A JPS636556A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193486A JPS636556A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636556A true JPS636556A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15529394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15193486A Pending JPS636556A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028122A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15193486A patent/JPS636556A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028122A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法 |
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