KR0126649B1 - 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조공정시 리소그라피(Lithography) 공정에 사용되는 마스크의 크롬패턴을 형성할 때 기존의 공정으로 석영유리기판상에 크롬패턴을 형성하고, 전체 구조 상부에 음감광막(Negative Photoresist)을 도포한 후 후면 노광하여 크롬패턴간의 석영유리기판상에 음감광막을 남기고, 크롬 습식식각 용액에서 크롬패턴을 소정두께 만큼 제거한 다음 빛 차단막을 증착하고, 이후 음감광막을 제거하므로써, 크롬패턴의 측면이 균일하게 되어 반도체 제조시 선폭조절을 양호하게 할 수 있는 마스크의 크롬패턴을 형성하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법

제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 마스크의 크롬패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

제2도는 상기 제1A도의 A부분을 확대한 도면.

제3도는 상기 제1F도의 B부분을 확대한 도면.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 석영유리기판2,2A,20 : 크롬패턴

3 : 음감광막4 : 빛 차단막

본 발명은 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 제조공정시 리소그라피(Lithography) 공정에 사용되는 마스크의 크롬패턴을 형성할 때 기존의 공정으로 석영유리기판상에 크롬패턴을 형성하고, 전체 구조 상부에 음감광막(Negative Photoresist)을 도포한 후 후면 노광하여 크롬패턴간의 석영유리기판상에 음감광막을 남기고, 크롬 습식식각 용액에서 크롬패턴을 소정두께 만큼 제거한 다음 빛 차단막을 증착하고, 이후 음감광막을 제거하므로써, 크롬패턴의 측면이 균일하게 되어 반도체 제조시 선폭조절을 양호하게 할 수 있는 마스크의 크롬패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조공정시 소정의 패턴을 형성하기 위하여 크롬패턴이 설계된 마스크를 사용한다. 크롬패턴 제작시 실제 크롬패턴은 균일하지 못하고 꺼칠꺼칠한 표면을 갖게 되는데, 거칠은 정도가 심하면 반도체 제조공정시 선폭조절이 어렵다.

따라서 본 발명은 거칠은 크롬패턴을 균일한 면을 갖도록 하므로써 반도체 제조시 선폭조절을 양호하게 할 수 있는 마스크의 크롬패턴을 형성하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 마스크의 크롬패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도로서, 제1A도는 공지의 방법으로 석영유리기판(1)상에 다수의 크롬패턴(2)이 형성된 상태의 마스크를 도시한 것으로, 크롬패턴(2)의 A부분을 확대한 제3도에 도시된 바와 같이 크롬패턴(2)의 측면부가 균일하지 못하다. 즉, 측면부의 면이 깨끗하고 균일하지 못함에 따라 이러한 크롬패턴(2)을 갖는 마스크를 사용하여 반도체 소자의 제조공정에 사용할 경우 일정한 패턴선폭을 얻기가 어렵다.

제1B도는 상기 크롬패턴(2)을 포함한 석영유리기판(1)상에 음감광막(3)을 도포한 후 후면 노광을 실시하는 상태를 도시한 것이다.

제1C도는 상기 노광된 음감광막(3)을 현상하여 크롬패턴(2)간의 석영유리기판(1)에만 상기 음감광막(3)이 패턴화된 상태를 도시한 것이다.

제1D도는 상기 제1C도 상태의 마스크를 크롬 습식식각 용액에 담그어 크롬패턴(2)을 소정두께로 식각하여 상부는 물론 음감광막(3)과의 경계면이 식각되어 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)을 형성한 상태를 도시한 것이다.

제1E도는 상기 상태하에서 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 빛 차단막(4)을 형성한 상태를 도시한 것이다.

상기 빛 차단막(4)은 최초 형성된 크롬패턴(2)과 동일한 크롬으로 증착하거나 또는 Al₂O₃, Au, Ag 등을 증착하여 형성할 수 있다.

제1F도는 상기 음감광막(3)을 제거하여 석영유리기판(1) 상부에 식각에 의해 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)과 그 둘레에 형성된 빛 차단막(4)으로 된 본 발명의 크롬패턴(20)을 완성한 상태를 도시한 것이다. 이때 크롬패턴(20)의 선폭은 최초 형성된 크롬패턴(2)의 선폭과 동일하다.

상기 크롬패턴(20)은 B부분을 확대한 제4도에 나타낸 것과 같이 그 측면부가 깨끗하면서 균일한 상태를 이룬다.

상술한 바와 같이 본 발명은 균일하지 못한 크롬패턴을 소정 두께로 식각한 다음 다시 빛 차단막을 형성시키므로써 면이 균일한 상태의 크롬패턴을 얻을 수 있어 반도체 제조시 선폭을 양호하게 할 수 있다.

Claims (2)

1. 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 있어서, 공지의 방법으로 석영유리기판상에 표면이 불균일한 다수의 크롬패턴이 형성된 상태에서, 그 상부에 음감광막을 도포한 후 후면 노광을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 노광된 음감광막을 현상하여 크롬패턴 간의 석영유리기판에만 상기 음감광막을 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 크롬 습식식각 용액에 담그어 크롬패턴의 상부면 및 음감광막과의 경계면을 식각하여 선폭이 좁아진 크롬패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 스퍼터링 방식으로 빛 차단막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 음감광막을 제거하여 상기 석영유리기판 상부에 선폭이 좁아진 크롬패턴과 그 둘레에 형성된 빛 차단막으로 된 표면이 균일한 크롬패턴을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 빛 차단막은 크롬, Al₂O₃, Au, Ag중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.