KR100995140B1 - 포토 마스크 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 석영 기판 상에 차광층을 증착하는 단계와; 상기 차광층 상에 블로킹막을 증착하는 단계와; 상기 블로킹막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 O₂ 가스를 공급하면서 상기 블로킹막을 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 식각된 블로킹막을 식각 마스크로 상기 차광층을 식각하는 단계를 포함하는 포토 마스크 제조 방법에 관한 것이다.

이러한 본 발명에 의한 포토 마스크 제조 방법은 기존과 비교하여 동일 구조를 갖되 블로킹막을 적용하여 차광층을 패터닝함으로써 별도의 노광 장비의 변화 없이 미세 선폭 구현이 가능한 이점이 있다.

블로킹막, 티타늄나이트라이드, 미세

Description

포토 마스크 제조 방법{Method for manufacturing Photo MASK}

도1a 내지 도1c는 종래 기술에 의한 포토 마스크 제조 방법을 나타낸 순차적인 단면도이다.

도2a 내지 도2c는 본 발명에 의한 포토 마스크 제조 방법을 나타낸 순차적인 공정 단면도이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

200 : 석영 기판 210 : 크롬막

220 : 티타늄나이트라이드막 230 : 포토레지스트 패턴

본 발명은 포토 마스크 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존과 동일 구조를 갖되 별도의 노광 장비 변화 없이 미세 선폭 구현이 가능한 포토 마스크 제조 방법에 관한 것이다.

종래의 포토 마스크 패턴형성방법에 의하면 원하는 형상의 패턴을 웨이퍼 상의 레지스트 패턴을 이용하여 형성하게 된다. 예컨대, 크롬 등의 금속으로 이루어지는 차광층 상층부에 레지스트를 도포한 후 노광 및 현상 공정을 진행하여 레지스트 패턴을 형성한 다음, 이 레지스트 패턴을 식각마스크로 이용하여 차광층 즉 크롬을 식각함으로써 포토마스크 패턴을 형성하게 된다.

그런데, 반도체 디바이스의 미세화에 따라, 포토리소그래피 공정에서의 미세화가 요구되어 포토마스크의 패턴 치수 또한 미세화되어 패턴의 정밀도가 요구되고 있다. 이와 같이 미세한 선폭을 요구하는 경우 기존의 패터닝 장비를 이용해서는 패턴 결함이 발생하는 문제점이 있었다.

이하 종래 기술에 의한 포토 마스크 제조 방법의 문제점을 하기 도면을 참조하여 설명한다.

도1a 내지 도1c는 종래 기술에 의한 포토 마스크 제조 방법을 나타낸 순차적인 단면도이다.

우선, 도1a에 도시된 바와 같이 석영 기판(100)에 차광층 예를 들어 크롬막(110)을 일정 두께 증착한 후에 포토레지스트(120)를 도포한다. 그리고, 전자 빔을 이용하여 상기 포토레지스트(120)를 노광한 후 현상 공정을 진행하여 원하는 포토레지스트 패턴을 형성한다.

이어서, 도1b에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트 패턴(120)을 식각 마스크로 이용한 식각 공정으로 크롬막(110)을 식각한다.

그런 다음, 상기 포토레지스트 패턴(120)을 제거하고 세정 공정을 진행함으 로써 도1c에 도시된 바와 같이 포토마스를 형성한다.

그런데, 선폭이 미세화 될 수록 종래 기술에 의한 포토 마스크 제조 방법을 적용하면 식각 공정에 어려움이 있어 원하는 패턴이 도1c의 "A" 사이즈 인데 반해 선폭이 더 크게 형성되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 크롬막 상부에 블로킹막을 추가하고 포토레지스트 패턴 형성 후 O₂ 가스를 공급하면서 블로킹 막을 원하는 선폭이 되도록 형성한 후 블로킹 막을 식각마스크로 이용한 식각공정으로 하부의 크롬막을 패터닝함으로써, 별도의 패터닝 장비 없이 미세 선폭을 확보할 수 있도록 하는 포토 마스크 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 석영 기판 상에 차광층을 증착하는 단계와; 상기 차광층 상에 블로킹막으로 이용할 멀티 필름을 증착하는 단계와; 상기 멀티 필름 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 O₂ 가스를 공급하면서 상기 멀티 필름을 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 식각된 멀티 필름을 식각 마스크로 상기 차광층 을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법에 관한 것이다.

상기 본 발명에 의한 포토 마스크 제조 방법에 의하면, 크롬막 상부에 블로킹막을 추가하고 포토레지스트 패턴 형성 후 O₂ 가스를 공급하면서 블로킹 막을 원하는 선폭이 되도록 형성한 후 블로킹 막을 식각마스크로 하부의 크롬막을 패터닝함으로써, 별도의 패터닝 장비 없이 미세 선폭을 확보할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.

도2a 내지 도2c는 본 발명에 의한 포토 마스크 제조 방법을 나타낸 순차적인 공정 단면도이다.

우선, 도2a에 도시된 바와 같이 석영 기판(200) 상에 차광층 예를 들어 크롬막(210)을 소정 두께로 증착한 후에 크롬막(210) 상에 블로킹막으로 티타늄 나이트라이드막(220)을 증착한다.

그리고 나서, 상기 티타늄 나이트라이드막(220) 상에 포토레지스트를 도포한 후에 소정의 노광 및 현상 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴(230)을 형성한다. 이때, "A" 의 선폭이 실제로 요구되는 포토마스트의 선폭을 나타내는 것이다.

이어서, 상기 포토레지스트 패턴(230)을 식각 마스크로 티타늄 나이트라이드 막을 식각하되, 먼저 O₂ 가스를 공급하면서 포토레지스트를 원하는 선폭 즉, 상기 "A"의 선폭이 되도록 크기를 조절하면서 도2b에 도시된 바와 같이 티타늄나이트라이드막(220)을 식각한다.

이후, 상기 포토레지스트 패턴(230)을 제거한 후에 상기 식각된 티타늄나이트라이드막을 식각마스크로 이용하여 하부의 크롬막(210)을 식각하면 도2c에 도시된 바와 같이 크롬막은 패터닝 되고 상기 티타늄나이트라이드막은 크롬막 식각 과정에허 제거된다.

이와 같이 본 발명에 의한 포토 마스크 제조 방법에 의하면, 크롬막 상부에 블로킹막으로 티타늄나이트라이드막을 추가하고 포토레지스트 패턴 형성 후 O₂ 가스를 공급하면서 티타늄나이트라이드막을 원하는 선폭이 되도록 형성한 후 티타늄나이트라이드막을 식각마스크로 하부의 크롬막을 패터닝함으로써, 별도의 패터닝 장비 없이 미세 선폭을 확보할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명은 크롬막 상부에 멀티 필름을 형성하여 원하는 선폭으로 블로킹막을 패터닝 한 후 이를 이용하여 크롬막을 식각함으로써 크롬층에 데미지를 주지 않고도 원하는 선폭을 구현할 수 있는 이점이 있다.

또한, 식각 마스크로 멀티층을 이용하기 때문에 포토레지스트의 두께를 낮출 수 있는 이점이 있다.

Claims (3)

1. 석영 기판 상에 차광층을 증착하는 단계와;

   상기 차광층 상에 블로킹막을 증착하는 단계와;

   상기 블로킹막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와;

   상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;

   상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 O₂ 가스를 공급하면서 상기 블로킹막을 식각하는 단계와;

   상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 식각된 블로킹막을 식각 마스크로 상기 차광층을 식각하는 단계를

   포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 블로킹막은 티타늄나이트라이드막인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기

   블로킹막은 200~400Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.

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