JPS61224713A - 導体パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導体パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61224713A JPS61224713A JP6589385A JP6589385A JPS61224713A JP S61224713 A JPS61224713 A JP S61224713A JP 6589385 A JP6589385 A JP 6589385A JP 6589385 A JP6589385 A JP 6589385A JP S61224713 A JPS61224713 A JP S61224713A
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- Japan
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- pattern
- resist film
- conductor pattern
- forming
- resist
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、リフトオフ法を用いた導体パターンの形成方
法に関する。
法に関する。
［発明の技術的背景］
従来から、たとえば弾性表面波素子の製造にあたって圧
電基板上に導体パターンを形成する場合には、一般に圧
電基板上にＡ４１１Ｍを蒸着し、この上にレジスト膜を
形成した後、所望の導体パターンと等しいパターンを有
するマスクを用いて、前記レジスト膜上に硬化パターン
を形成し、このレジスト膜の未硬化部分を溶解除去した
後、露出したＡぶ薄膜の部分をエツチングし、ついでレ
ジスト膜の硬化パターンを除去することにより形成され
ている。
電基板上に導体パターンを形成する場合には、一般に圧
電基板上にＡ４１１Ｍを蒸着し、この上にレジスト膜を
形成した後、所望の導体パターンと等しいパターンを有
するマスクを用いて、前記レジスト膜上に硬化パターン
を形成し、このレジスト膜の未硬化部分を溶解除去した
後、露出したＡぶ薄膜の部分をエツチングし、ついでレ
ジスト膜の硬化パターンを除去することにより形成され
ている。
しかしながら、このような方法ではエツチング液に対し
て弱い圧電基板を使用する場合には圧電基板がエツチン
グ液に侵されてしまうため、リフトオフ法により圧電基
板上へ導体パターンを形成することが行われている。第
５図は従来のリフトオフ法を用いた導体パターンの形成
工程を示す図である。この方法においては、（Ａ）まず
、圧電基板１上に感光性レジストインク等によりレジス
ト膜２が形成される。（Ｂ）次に、所望の導体パターン
と等しいパターンを有するマスク３を用いてレジスト族
２が露光され、レジスト膜２上に硬化パターンが形成さ
れる。（Ｃ）次いで、レジスト族２の未硬化部分が溶剤
により溶解除去され、圧電基板１上に硬化パターン２′
が形成される。
て弱い圧電基板を使用する場合には圧電基板がエツチン
グ液に侵されてしまうため、リフトオフ法により圧電基
板上へ導体パターンを形成することが行われている。第
５図は従来のリフトオフ法を用いた導体パターンの形成
工程を示す図である。この方法においては、（Ａ）まず
、圧電基板１上に感光性レジストインク等によりレジス
ト膜２が形成される。（Ｂ）次に、所望の導体パターン
と等しいパターンを有するマスク３を用いてレジスト族
２が露光され、レジスト膜２上に硬化パターンが形成さ
れる。（Ｃ）次いで、レジスト族２の未硬化部分が溶剤
により溶解除去され、圧電基板１上に硬化パターン２′
が形成される。
（Ｄ）しかる後、この硬化パターン２′上にＡｉ薄１１
４が蒸着され、（Ｅ）この後、腐蝕液により硬化パター
ン２′がこのうえに蒸着されたＡ（簿膜４とともに除去
されて圧電基板１上に所望の導体パターン４′が形成さ
れる。
４が蒸着され、（Ｅ）この後、腐蝕液により硬化パター
ン２′がこのうえに蒸着されたＡ（簿膜４とともに除去
されて圧電基板１上に所望の導体パターン４′が形成さ
れる。
［背景技術の問題点］
しかしながら上述した従来のリフトオフ法では、第６図
に拡大して示すように、ＡＪ薄膜４の蒸着工程において
硬化パターン２′の側面にもＡＪ２ｉ１膜４が蒸着され
るため硬化パターン２′の剥離液はパターンの膜厚が薄
く、かつ割目が生じている硬化パターン２′のエツジの
部分から起こるが、この部分にＡ１１ｌ膜４が蒸着され
ているため剥離液の浸透に時間がかかり、特に硬化パタ
ーン２′のエツジの傾斜が緩くなった場合には、剥離が
非常に困難になるという難点があった。
に拡大して示すように、ＡＪ薄膜４の蒸着工程において
硬化パターン２′の側面にもＡＪ２ｉ１膜４が蒸着され
るため硬化パターン２′の剥離液はパターンの膜厚が薄
く、かつ割目が生じている硬化パターン２′のエツジの
部分から起こるが、この部分にＡ１１ｌ膜４が蒸着され
ているため剥離液の浸透に時間がかかり、特に硬化パタ
ーン２′のエツジの傾斜が緩くなった場合には、剥離が
非常に困難になるという難点があった。
［発明の目的］
本発明は、このような従来のリフトオフ法の難点を解消
すべくなされたもので、リフトオフ法において導体金属
蒸着後硬化パターンを除去する際に硬化パターンへの剥
離液の浸透を迅速に行なうことができ、これによって剥
離時間を短縮できる導体パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
すべくなされたもので、リフトオフ法において導体金属
蒸着後硬化パターンを除去する際に硬化パターンへの剥
離液の浸透を迅速に行なうことができ、これによって剥
離時間を短縮できる導体パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
［発明の概要］
すなわち本発明の導体パターンの形成方法は、（イ）基
板上に第１のレジスト族を形成してこのレジスト膜へ所
望の導体パターンよりも幅広のパターンを有するマスク
を用いて第１の硬化パターンを形成する工程と、（ロ）
この硬化パターンの形成された第１のレジスト膜上へ第
２のレジスト膜を形成してこのレジスト膜上へ所望の導
体パターンとほぼ等しい幅のパターンを有するマスクを
用いて第２の硬化パターンを形成する工程と、（ハ）前
記第１および第２のレジスト膜の未硬化部分を溶解除去
する工程とを用いて導体パターンを形成することにより
、硬化パターン除去の工程を短時間で行なうことを可能
としたものである。
板上に第１のレジスト族を形成してこのレジスト膜へ所
望の導体パターンよりも幅広のパターンを有するマスク
を用いて第１の硬化パターンを形成する工程と、（ロ）
この硬化パターンの形成された第１のレジスト膜上へ第
２のレジスト膜を形成してこのレジスト膜上へ所望の導
体パターンとほぼ等しい幅のパターンを有するマスクを
用いて第２の硬化パターンを形成する工程と、（ハ）前
記第１および第２のレジスト膜の未硬化部分を溶解除去
する工程とを用いて導体パターンを形成することにより
、硬化パターン除去の工程を短時間で行なうことを可能
としたものである。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、たとえば第２図に示すように圧ｆｆｆ基板５
上へ直接導体パターン６を形成する場合に本発明を適用
したものである。
上へ直接導体パターン６を形成する場合に本発明を適用
したものである。
第１図に示すように、この実施例においては、まず、圧
Ｎ基板５上へ目標とする導体パターンの厚さの２ないし
３倍程度の膜厚になるように感光性レジストインクを塗
布してベーキングを行い、第１のレジスト膜７を形成す
る（第１図Ａ）。
Ｎ基板５上へ目標とする導体パターンの厚さの２ないし
３倍程度の膜厚になるように感光性レジストインクを塗
布してベーキングを行い、第１のレジスト膜７を形成す
る（第１図Ａ）。
次に、この第１のレジスト膜７上へ所望の導体パターン
よりも、やや太めにパターンの形成された第１のマスク
８を用いて紫外線により第１のレジスト膜７を露光して
第１の硬化パターン７′を形成する（第１図Ｂ）。さら
に、この第１の硬化パターン７′の形成されたレジスト
膜２上へ同様の方法により第２のレジスト膜９を形成し
く第１図Ｃ）、この第２のレジスト膜９上へ所望の導体
パターンとほぼ等しい（設計値通り）のパターンを有す
る第２のマスク１０を第１のレジスト膜７の第１の硬化
パターン７′のパターンの中心と第２のマスク１０のパ
ターンの中心とを一致させて同様にして露光させ第２の
硬化パターン９′を形成する（第１図Ｄ）。このように
して２層に硬化パターンが形成された第１および第２の
レジストＭ ７．９を常法により溶剤を用いて未硬化部
分を溶解除去する（第１図Ｅ）。この後、常法によりＡ
ＡｉＪ膜１１を蒸着して導体パターン６を圧電基板５上
および第２の硬化パターン９′上に形成するが、第２の
レジスト膜９の第２の硬化パターン９′の幅が第１の硬
化パターン７′より広く形成されているので、第２の硬
化パターン９′があたかも「ひさし」のように第１の硬
化パターン７′上を覆い、ＡＪの蒸１ｍである八ぷ薄膜
１１は第２の硬化パターン９′上にのみ形成され、第１
の硬化パターン７′のエツジ部にはＡ１１ｔｌｌＩ！１
１が蒸着されない（第１図Ｆ）。したがって、この後、
剥離液で処理すると剥離液は、第１の硬化パターン７′
に容易に浸透し速やかに剥離除去されて、所望の導体パ
ターン６が得られる（第１図Ｇ）。
よりも、やや太めにパターンの形成された第１のマスク
８を用いて紫外線により第１のレジスト膜７を露光して
第１の硬化パターン７′を形成する（第１図Ｂ）。さら
に、この第１の硬化パターン７′の形成されたレジスト
膜２上へ同様の方法により第２のレジスト膜９を形成し
く第１図Ｃ）、この第２のレジスト膜９上へ所望の導体
パターンとほぼ等しい（設計値通り）のパターンを有す
る第２のマスク１０を第１のレジスト膜７の第１の硬化
パターン７′のパターンの中心と第２のマスク１０のパ
ターンの中心とを一致させて同様にして露光させ第２の
硬化パターン９′を形成する（第１図Ｄ）。このように
して２層に硬化パターンが形成された第１および第２の
レジストＭ ７．９を常法により溶剤を用いて未硬化部
分を溶解除去する（第１図Ｅ）。この後、常法によりＡ
ＡｉＪ膜１１を蒸着して導体パターン６を圧電基板５上
および第２の硬化パターン９′上に形成するが、第２の
レジスト膜９の第２の硬化パターン９′の幅が第１の硬
化パターン７′より広く形成されているので、第２の硬
化パターン９′があたかも「ひさし」のように第１の硬
化パターン７′上を覆い、ＡＪの蒸１ｍである八ぷ薄膜
１１は第２の硬化パターン９′上にのみ形成され、第１
の硬化パターン７′のエツジ部にはＡ１１ｔｌｌＩ！１
１が蒸着されない（第１図Ｆ）。したがって、この後、
剥離液で処理すると剥離液は、第１の硬化パターン７′
に容易に浸透し速やかに剥離除去されて、所望の導体パ
ターン６が得られる（第１図Ｇ）。
以上の実施例は本発明を圧電基板上へ導体パターンを直
接形成させた場合の例であるが、本発明は、金属面上へ
導体パターンを形成させることもできる。
接形成させた場合の例であるが、本発明は、金属面上へ
導体パターンを形成させることもできる。
すなわち、第３図はＬＪ ＨＦ帯の弾性表面波共振子１
２のボンディングバット部１３の周辺を拡大して示す斜
視図であるが、このようにＬＪＨＦ帯の弾性表面波共振
子１２にボンディングバット部１３を形成する場合に適
用することができる。すなわち、ＵＨＦ帯の弾性表面波
共振子１２は電極Ａ４部１４の膜厚が薄いため配線用Ａ
ｎワイヤ（図示せず）をボンディングした場合にＡｎワ
イヤと電極へβ部１４との密着が悪くなる。このため、
弾性表面波共振子１２とともに電極へβ部１４を形成し
た後にボンディングバット部１３だけを本発明の方法を
用ル）て／ｌ膜厚を厚くしてボンディング性を向上させ
ることができる。すなわち、第４図に示すように、たと
えばＵＨＦ帯の弾性表面波共振子１２の電極ＡＡ部１４
を形成した後にこの電機“Ａβ部１４上に厚さ１．５μ
ｍ程度の第１のレジスト膜を形成し、この第１のレジス
ト膜上上に１０１μ璽×２０１μｍの長方形の窓が闘い
たマスクを用いて露光し、この部分に第１の硬化パター
ン７′を形成させる。次に第２のレジスト膜を０８５μ
ｍ程度に形成し、１００μ璽×２００μｍの長方形の窓
が同いた第２のマスクを用いて第１の硬化パターン７″
の内側に露光されるようにして露光し、この部分に第２
の硬化パターン ９′を形成させる。次に、こ
れを前述した方法により現像する。この後、抵抗蒸着法
で／ｌを、たとえば５０００人の厚さに蒸着し、ボンデ
ィングバット部１３を形成し、さらに剥離液で処理して
第１および第２の硬化パターン７’ 、９’ を除去す
る。この場合、第１の硬化パターン７′のエツジ部には
Ａｎ蒸着膜が形成されていないので、剥離液による処理
を短時間で行なうことが可能である。
２のボンディングバット部１３の周辺を拡大して示す斜
視図であるが、このようにＬＪＨＦ帯の弾性表面波共振
子１２にボンディングバット部１３を形成する場合に適
用することができる。すなわち、ＵＨＦ帯の弾性表面波
共振子１２は電極Ａ４部１４の膜厚が薄いため配線用Ａ
ｎワイヤ（図示せず）をボンディングした場合にＡｎワ
イヤと電極へβ部１４との密着が悪くなる。このため、
弾性表面波共振子１２とともに電極へβ部１４を形成し
た後にボンディングバット部１３だけを本発明の方法を
用ル）て／ｌ膜厚を厚くしてボンディング性を向上させ
ることができる。すなわち、第４図に示すように、たと
えばＵＨＦ帯の弾性表面波共振子１２の電極ＡＡ部１４
を形成した後にこの電機“Ａβ部１４上に厚さ１．５μ
ｍ程度の第１のレジスト膜を形成し、この第１のレジス
ト膜上上に１０１μ璽×２０１μｍの長方形の窓が闘い
たマスクを用いて露光し、この部分に第１の硬化パター
ン７′を形成させる。次に第２のレジスト膜を０８５μ
ｍ程度に形成し、１００μ璽×２００μｍの長方形の窓
が同いた第２のマスクを用いて第１の硬化パターン７″
の内側に露光されるようにして露光し、この部分に第２
の硬化パターン ９′を形成させる。次に、こ
れを前述した方法により現像する。この後、抵抗蒸着法
で／ｌを、たとえば５０００人の厚さに蒸着し、ボンデ
ィングバット部１３を形成し、さらに剥離液で処理して
第１および第２の硬化パターン７’ 、９’ を除去す
る。この場合、第１の硬化パターン７′のエツジ部には
Ａｎ蒸着膜が形成されていないので、剥離液による処理
を短時間で行なうことが可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明においては、リフトオフ法で
導体パターンを形成するにあたりレジスト膜を２層に形
成し、かつそれぞれの層のレジスト膜に第１の導体パタ
ーンが所望の導体パターンよりも幅広となるように硬化
パターンを形成して金属蒸着を行なうので、レジスト膜
の硬化パターンのエツジ部に金属蒸着膜が形成されるレ
ジスト膜の硬化パターンの剥離液による除去を短時間で
行なうことができる。
導体パターンを形成するにあたりレジスト膜を２層に形
成し、かつそれぞれの層のレジスト膜に第１の導体パタ
ーンが所望の導体パターンよりも幅広となるように硬化
パターンを形成して金属蒸着を行なうので、レジスト膜
の硬化パターンのエツジ部に金属蒸着膜が形成されるレ
ジスト膜の硬化パターンの剥離液による除去を短時間で
行なうことができる。
第１図は、本発明の詳細な説明するための図、第２図は
本発明の適用どれる弾性表面波素子の部分斜視図、第３
図は本発明の他の実施例の適用される弾性表面波素子の
部分斜視図、第４図は本発明の他の実施例を説明するた
めの図、第５図および第６図は従来のリフトオフ法を説
明するための図である。 ５・・・・・・・・・圧電基板 ６・・・・・・・・・導体パターン ７・・・・・・・・・第１のレジスト膜７′・・・・・
・第１の硬化パターン ８・・・・・・・・・第１のマスク ９・・・・・・・・・第２のレジスト膜９′・・・・・
・第２の硬化パターン １０・・・・・・・・・第２のマスク １１・・・・・・・・・Ａ℃薄膜 出願人 株式会社 東芝 代理人弁理士 須 山 佐 − 粥２図 何３図
本発明の適用どれる弾性表面波素子の部分斜視図、第３
図は本発明の他の実施例の適用される弾性表面波素子の
部分斜視図、第４図は本発明の他の実施例を説明するた
めの図、第５図および第６図は従来のリフトオフ法を説
明するための図である。 ５・・・・・・・・・圧電基板 ６・・・・・・・・・導体パターン ７・・・・・・・・・第１のレジスト膜７′・・・・・
・第１の硬化パターン ８・・・・・・・・・第１のマスク ９・・・・・・・・・第２のレジスト膜９′・・・・・
・第２の硬化パターン １０・・・・・・・・・第２のマスク １１・・・・・・・・・Ａ℃薄膜 出願人 株式会社 東芝 代理人弁理士 須 山 佐 − 粥２図 何３図
Claims (2)
- （１）（イ）基板上に第１のレジスト膜を形成してこの
レジスト膜へ所望の導体パターンよりも幅広のパターン
を有するマスクを用いて第１の硬化パターンを形成する
工程と、（ロ）この硬化パターンの形成された第１のレ
ジスト膜上へ第２のレジスト膜を形成してこのレジスト
膜上へ所望の導体パターンとほぼ等しい幅のパターンを
有するマスクを用いて第２の硬化パターンを形成する工
程と、（ハ）前記第１および第２のレジスト膜の未硬化
部分を溶解除去する工程と、（ニ）前記レジスト膜の除
去された基板の面上へ金属蒸着膜を形成する工程と、（
ホ）前記第１および第２のレジスト膜の硬化パターンを
この上に形成された金属蒸着膜とともに除去する工程と
からなることを特徴とする導体パターンの形成方法。 - （２）第１のレジスト膜が金属面上に形成されかつ導体
パターンが前記金属面上に形成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の導体パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6589385A JPS61224713A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 導体パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6589385A JPS61224713A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 導体パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224713A true JPS61224713A (ja) | 1986-10-06 |
Family
ID=13300096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6589385A Pending JPS61224713A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 導体パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424075B1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| US7694398B2 (en) * | 2005-09-15 | 2010-04-13 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing a liquid ejection head |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6589385A patent/JPS61224713A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424075B1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| US7694398B2 (en) * | 2005-09-15 | 2010-04-13 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing a liquid ejection head |
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