JP3189719B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に複数
の弾性表面波フィルタ素子を構成してなる弾性表面波装
置の製造に好適に用い得る方法に関する。
の弾性表面波フィルタ素子を構成してなる弾性表面波装
置の製造に好適に用い得る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器等で用いられる弾性表面
波フィルタでは、所望の伝送特性を得るために、同一圧
電基板上において複数の弾性表面波素子を構成したもの
が用いられている。この場合、個々の弾性表面波素子に
要求される特性が異なるため、弾性表面波素子を構成し
ている電極の膜厚が弾性表面波素子間で異なっている。
波フィルタでは、所望の伝送特性を得るために、同一圧
電基板上において複数の弾性表面波素子を構成したもの
が用いられている。この場合、個々の弾性表面波素子に
要求される特性が異なるため、弾性表面波素子を構成し
ている電極の膜厚が弾性表面波素子間で異なっている。
【０００３】従来、同一圧電基板上への電極膜厚の異な
る弾性表面波素子の形成は、図４に示す工程を経て行わ
れていた。なお、図４に示す工程により得られる弾性表
面波装置は、図４（ｅ）に断面図で示す通りである。す
なわち、膜厚が相対的に厚い電極４１ａを用いて形成さ
れた第１の弾性表面波フィルタ素子４１と、相対的に薄
い膜厚の電極４２ａを有する第２の弾性表面波フィルタ
素子４２とが、同一の圧電基板４３上に構成されてい
る。
る弾性表面波素子の形成は、図４に示す工程を経て行わ
れていた。なお、図４に示す工程により得られる弾性表
面波装置は、図４（ｅ）に断面図で示す通りである。す
なわち、膜厚が相対的に厚い電極４１ａを用いて形成さ
れた第１の弾性表面波フィルタ素子４１と、相対的に薄
い膜厚の電極４２ａを有する第２の弾性表面波フィルタ
素子４２とが、同一の圧電基板４３上に構成されてい
る。
【０００４】弾性表面波フィルタ素子４１，４２の形成
にあたっては、先ず、図４（ａ）に示すように、圧電基
板４３上に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２の電極
４２ａの膜厚に等しい厚みの導電膜４４を形成する。導
電膜４４は、例えばアルミニウム等を蒸着することによ
り形成される。
にあたっては、先ず、図４（ａ）に示すように、圧電基
板４３上に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２の電極
４２ａの膜厚に等しい厚みの導電膜４４を形成する。導
電膜４４は、例えばアルミニウム等を蒸着することによ
り形成される。
【０００５】次に、導電膜４４上に、レジストを全面塗
布し、しかる後、マスクを用いて露光することにより、
図４（ａ）に示すようにレジスト４５をパターニングす
る。レジスト４５のパターニングは、第１，第２の弾性
表面波フィルタ素子の電極と等しい形状となるように行
われる。
布し、しかる後、マスクを用いて露光することにより、
図４（ａ）に示すようにレジスト４５をパターニングす
る。レジスト４５のパターニングは、第１，第２の弾性
表面波フィルタ素子の電極と等しい形状となるように行
われる。
【０００６】次に、導電膜４４をエッチングし、レジス
ト４５を除去することにより、図４（ｂ）に示すよう
に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２の電極４２ａを
形成すると共に、第１の弾性表面波フィルタ素子４１側
については、導電膜４４の厚みで構成された電極４１ａ
´を形成する。
ト４５を除去することにより、図４（ｂ）に示すよう
に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２の電極４２ａを
形成すると共に、第１の弾性表面波フィルタ素子４１側
については、導電膜４４の厚みで構成された電極４１ａ
´を形成する。
【０００７】次に、図４（ｃ）に示すように、第１の弾
性表面波フィルタ素子４１側については、電極４１ａ´
が形成されていない領域にレジスト４６´を形成すると
共に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２側について
は、レジスト４６を付与する。この場合、レジスト４６
´は、圧電基板４３上にレジストを全面に付与した後フ
ォトリソグラフィによりパターニングすることにより形
成されるが、予め形成された電極４１ａ´間に正確にレ
ジスト４６´を残存させる必要がある。
性表面波フィルタ素子４１側については、電極４１ａ´
が形成されていない領域にレジスト４６´を形成すると
共に、第２の弾性表面波フィルタ素子４２側について
は、レジスト４６を付与する。この場合、レジスト４６
´は、圧電基板４３上にレジストを全面に付与した後フ
ォトリソグラフィによりパターニングすることにより形
成されるが、予め形成された電極４１ａ´間に正確にレ
ジスト４６´を残存させる必要がある。
【０００８】しかる後、Ａｌなどの導電性材料を蒸着す
ることにより、図４（ｄ）に示すように、電極４１ａ´
上に電極４１ａ″を積層する。この場合、レジスト４６
及びレジスト４６´上にも導電膜４７が形成される。
ることにより、図４（ｄ）に示すように、電極４１ａ´
上に電極４１ａ″を積層する。この場合、レジスト４６
及びレジスト４６´上にも導電膜４７が形成される。
【０００９】次に、上記レジスト４６，４６´を導電膜
４７と共にリフトオフし、図４（ｅ）に示す電極４１ａ
を完成させる。このようにして、弾性表面波フィルタ素
子４１，４２の膜厚の異なる電極４１ａ，４２ａが形成
される。
４７と共にリフトオフし、図４（ｅ）に示す電極４１ａ
を完成させる。このようにして、弾性表面波フィルタ素
子４１，４２の膜厚の異なる電極４１ａ，４２ａが形成
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法では、最初に形成した電極４１ａ´間にレジス
ト４６´を形成し、かつ電極４１ａ´上に正確に電極４
１ａ″を積層形成しなければならなかった。他方、弾性
表面波素子の電極幅は１μｍ程度と非常に細い。従っ
て、レジスト４６´の形成及び電極４１ａ″の積層につ
いては、サブミクロンオーダの精度で行わねばならず、
製造歩留りが極端に悪化するという問題があった。
製造方法では、最初に形成した電極４１ａ´間にレジス
ト４６´を形成し、かつ電極４１ａ´上に正確に電極４
１ａ″を積層形成しなければならなかった。他方、弾性
表面波素子の電極幅は１μｍ程度と非常に細い。従っ
て、レジスト４６´の形成及び電極４１ａ″の積層につ
いては、サブミクロンオーダの精度で行わねばならず、
製造歩留りが極端に悪化するという問題があった。
【００１１】本発明は、上記欠点を解消し、同一基板上
に厚みの異なる電極を用いて構成された複数の電子部品
素子を構成するにあたり、より粗い精度でも正確に各電
極を形成することができ、従って、所望通りの特性を発
揮し得る電子部品の製造方法の提供を目的とする。
に厚みの異なる電極を用いて構成された複数の電子部品
素子を構成するにあたり、より粗い精度でも正確に各電
極を形成することができ、従って、所望通りの特性を発
揮し得る電子部品の製造方法の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、圧電基板上にＩＤＴ電極を有する第１の弾性表面波
フィルタと前記第１の弾性表面波フィルタと電極膜厚の
異なる第２の弾性表面波フィルタとを形成してなる弾性
表面波装置の製造方法において、前記圧電基板上に、前
記第１の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極を形成する工
程と、前記第１の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極が形
成された圧電基板上に、前記第２の弾性表面波フィルタ
のＩＤＴ電極が形成される領域を除いてレジストを付与
する工程と、第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極膜
厚と等しい膜厚の導電膜を形成する工程と、レジスト及
びレジスト上に形成されている導電膜をリフトオフして
前記第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極を形成する
工程とを備えることを特徴とする。
は、圧電基板上にＩＤＴ電極を有する第１の弾性表面波
フィルタと前記第１の弾性表面波フィルタと電極膜厚の
異なる第２の弾性表面波フィルタとを形成してなる弾性
表面波装置の製造方法において、前記圧電基板上に、前
記第１の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極を形成する工
程と、前記第１の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極が形
成された圧電基板上に、前記第２の弾性表面波フィルタ
のＩＤＴ電極が形成される領域を除いてレジストを付与
する工程と、第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極膜
厚と等しい膜厚の導電膜を形成する工程と、レジスト及
びレジスト上に形成されている導電膜をリフトオフして
前記第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極を形成する
工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を図面を参照して説明することにより、本発明に係る電
子部品の製造方法及び弾性表面波装置の製造方法を明ら
かにする。
を図面を参照して説明することにより、本発明に係る電
子部品の製造方法及び弾性表面波装置の製造方法を明ら
かにする。
【００１８】（第１の実施例）図１は、本発明の第１の
実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するため
の断面図である。
実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するため
の断面図である。
【００１９】本実施例においては、図１（ｅ）に示すよ
うに、同一の圧電基板３において、電極膜厚の異なる第
１の弾性表面波フィルタ素子１と第２の弾性表面波フィ
ルタ素子２とを形成する。弾性表面波フィルタ素子１の
電極１ａは、弾性表面波フィルタ素子２の電極２ａに比
べて膜厚が相対的に厚くされている。
うに、同一の圧電基板３において、電極膜厚の異なる第
１の弾性表面波フィルタ素子１と第２の弾性表面波フィ
ルタ素子２とを形成する。弾性表面波フィルタ素子１の
電極１ａは、弾性表面波フィルタ素子２の電極２ａに比
べて膜厚が相対的に厚くされている。
【００２０】先ず、図１（ａ）に示すように、圧電基板
３上に、全面に第１の弾性表面波フィルタ素子１の電極
１ａと等しい膜厚の導電膜４を形成する。圧電基板３
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 または水晶などの圧電
単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミッ
クスのような圧電セラミックスにより構成され得る。ま
た、圧電基板３として、アルミナなどの絶縁性材料から
なる絶縁基板上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成したもの
を用いてもよい。
３上に、全面に第１の弾性表面波フィルタ素子１の電極
１ａと等しい膜厚の導電膜４を形成する。圧電基板３
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 または水晶などの圧電
単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミッ
クスのような圧電セラミックスにより構成され得る。ま
た、圧電基板３として、アルミナなどの絶縁性材料から
なる絶縁基板上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成したもの
を用いてもよい。
【００２１】導電膜４は、Ａｌなどの導電性材料を蒸
着、スパッタリング、メッキ等の適宜の方法で付与する
ことにより形成される。次に、導電膜４上に全面にポジ
型のレジストを付与する。このレジスト上に、第１の弾
性表面波フィルタ素子１の電極１ａの部分が遮蔽部とさ
れたマスクを用いて露光し、しかる後、露光されたレジ
スト部分を除去することにより、パターニングされたレ
ジスト５を得る。
着、スパッタリング、メッキ等の適宜の方法で付与する
ことにより形成される。次に、導電膜４上に全面にポジ
型のレジストを付与する。このレジスト上に、第１の弾
性表面波フィルタ素子１の電極１ａの部分が遮蔽部とさ
れたマスクを用いて露光し、しかる後、露光されたレジ
スト部分を除去することにより、パターニングされたレ
ジスト５を得る。
【００２２】次に、レジスト５を侵さないが、導電膜４
を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行い、
図１（ｂ）に示すように、電極１ａを形成する。次に、
圧電基板３上に、ポジ型のレジストを全面に付与し、し
かる後、第２の弾性表面波フィルタ素子２側において、
電極２ａのパターン形状部分が開口部とされたマスクを
レジスト上に積層して露光し、露光された電極２ａ部分
のレジストを除去することにより、パターニングされた
レジスト６´を得る。なお、図１（ｃ）から明らかなよ
うに、第１の弾性表面波フィルタ素子１側においては、
レジスト６により電極１ａが保護されている。
を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行い、
図１（ｂ）に示すように、電極１ａを形成する。次に、
圧電基板３上に、ポジ型のレジストを全面に付与し、し
かる後、第２の弾性表面波フィルタ素子２側において、
電極２ａのパターン形状部分が開口部とされたマスクを
レジスト上に積層して露光し、露光された電極２ａ部分
のレジストを除去することにより、パターニングされた
レジスト６´を得る。なお、図１（ｃ）から明らかなよ
うに、第１の弾性表面波フィルタ素子１側においては、
レジスト６により電極１ａが保護されている。
【００２３】次に、第２の電極２ａに等しい膜厚の導電
膜を付与する。このようにして、図１（ｄ）に示すよう
に、第２の電極２ａが形成される。しかる後、レジスト
６，６´上に付与されている導電膜７をレジスト６，６
´と共にリフトオフし、図１（ｅ）に示す弾性表面波装
置８を得る。
膜を付与する。このようにして、図１（ｄ）に示すよう
に、第２の電極２ａが形成される。しかる後、レジスト
６，６´上に付与されている導電膜７をレジスト６，６
´と共にリフトオフし、図１（ｅ）に示す弾性表面波装
置８を得る。
【００２４】図４に示した従来法では、先に形成された
電極下にレジスト４６´を正確にパターニングしなけれ
ばならず、かつ先に形成された電極４１ａ´上に、正確
に電極４１ａ″を積層しなければならなかったのに対
し、本実施例では、このようなサブミクロンのオーダの
精度が必要とされる工程を実施する必要はない。すなわ
ち、レジスト５のパターニングや、レジスト６´のパタ
ーニングについては、電極１ａ，２ａの幅が１μｍ程度
であっても、たかだか数十ミクロンオーダの精度で行え
ば十分でよいため、十分な伝送特性を示す弾性表面波装
置８を高い良品率を持って製造することができる。
電極下にレジスト４６´を正確にパターニングしなけれ
ばならず、かつ先に形成された電極４１ａ´上に、正確
に電極４１ａ″を積層しなければならなかったのに対
し、本実施例では、このようなサブミクロンのオーダの
精度が必要とされる工程を実施する必要はない。すなわ
ち、レジスト５のパターニングや、レジスト６´のパタ
ーニングについては、電極１ａ，２ａの幅が１μｍ程度
であっても、たかだか数十ミクロンオーダの精度で行え
ば十分でよいため、十分な伝送特性を示す弾性表面波装
置８を高い良品率を持って製造することができる。
【００２５】（第２の実施例）図２は、本発明の第２の
実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するため
の断面図である。本実施例においても、第１の実施例と
同様に、かつ図２（ｄ）に示すように、電極膜厚が異な
る第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１１，１２が同
一の圧電基板１３上に構成された弾性表面波装置を形成
する。弾性表面波フィルタ素子１１の電極１１ａは、弾
性表面波フィルタ素子１２の電極１２ａよりも厚くされ
ている。
実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するため
の断面図である。本実施例においても、第１の実施例と
同様に、かつ図２（ｄ）に示すように、電極膜厚が異な
る第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１１，１２が同
一の圧電基板１３上に構成された弾性表面波装置を形成
する。弾性表面波フィルタ素子１１の電極１１ａは、弾
性表面波フィルタ素子１２の電極１２ａよりも厚くされ
ている。
【００２６】先ず、圧電基板１３上に、導電膜１４を形
成する。圧電基板１３上に導電膜１４を形成する工程及
び材料については、第１の実施例の圧電基板３上に導電
膜４を形成する工程と同様にして行い得る。次に、第１
の弾性表面波フィルタ素子１１側において、導電膜１４
上にポジ型のレジスト１５を付与する。レジスト１５の
付与は、第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１１，１
２を分離し得る精度で行えばよい。
成する。圧電基板１３上に導電膜１４を形成する工程及
び材料については、第１の実施例の圧電基板３上に導電
膜４を形成する工程と同様にして行い得る。次に、第１
の弾性表面波フィルタ素子１１側において、導電膜１４
上にポジ型のレジスト１５を付与する。レジスト１５の
付与は、第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１１，１
２を分離し得る精度で行えばよい。
【００２７】次に、第２の弾性表面波フィルタ素子１２
側において、導電膜１４をハーフエッチングする。ハー
フエッチングについては、レジスト１５を侵さないが、
導電膜１４を蝕刻し得るエッチャントを用いて行われ、
かつ最終的に第２の電極１２ａと同等の厚みとなるよう
に行われる。
側において、導電膜１４をハーフエッチングする。ハー
フエッチングについては、レジスト１５を侵さないが、
導電膜１４を蝕刻し得るエッチャントを用いて行われ、
かつ最終的に第２の電極１２ａと同等の厚みとなるよう
に行われる。
【００２８】しかる後、レジスト１５を除去することに
より、図２（ｂ）に示すように、導電膜１４ａと、ハー
フエッチングされた導電膜１４ｂとが形成されることに
なる。
より、図２（ｂ）に示すように、導電膜１４ａと、ハー
フエッチングされた導電膜１４ｂとが形成されることに
なる。
【００２９】次に、導電膜１４ａ，１４ｂ上に、全面に
ポジ型のレジストを付与し、しかる後、第１，第２の電
極１１ａ，１２ａのパターン以外を開口部とするマスク
をレジストに積層し、露光し、露光されたレジスト部分
を除去することにより、図２（ｃ）に示すパターニング
されたレジスト１６ａ，１６ｂを得る。レジスト１６ａ
は、第１の電極１１ａの形状に応じてパターニングされ
ており、レジスト１６ｂは第２の電極１２ａの形状に応
じてパターニングされている。
ポジ型のレジストを付与し、しかる後、第１，第２の電
極１１ａ，１２ａのパターン以外を開口部とするマスク
をレジストに積層し、露光し、露光されたレジスト部分
を除去することにより、図２（ｃ）に示すパターニング
されたレジスト１６ａ，１６ｂを得る。レジスト１６ａ
は、第１の電極１１ａの形状に応じてパターニングされ
ており、レジスト１６ｂは第２の電極１２ａの形状に応
じてパターニングされている。
【００３０】次に、レジスト１６ａ，１６ｂを侵さない
が、導電膜１４ａ及びハーフエッチングされた導電膜１
４ｂを蝕刻し得るエッチャントを用いてエッチングし、
しかる後、レジスト１６ａ，１６ｂを除去する。このよ
うにして、図２（ｄ）に示す弾性表面波フィルタ装置１
７が得られる。
が、導電膜１４ａ及びハーフエッチングされた導電膜１
４ｂを蝕刻し得るエッチャントを用いてエッチングし、
しかる後、レジスト１６ａ，１６ｂを除去する。このよ
うにして、図２（ｄ）に示す弾性表面波フィルタ装置１
７が得られる。
【００３１】本実施例においても、レジスト１５の付与
は、ハーフエッチング、レジスト１６ａ，１６ｂを得る
パターニングを実施するだけでよく、従って、たかだか
数十ミクロンオーダの精度でこれらの工程を実施し得る
ため、第１の実施例の場合と同様に、高い良品率を持っ
て良好な伝送特性を示す弾性表面波装置を製造すること
ができる。
は、ハーフエッチング、レジスト１６ａ，１６ｂを得る
パターニングを実施するだけでよく、従って、たかだか
数十ミクロンオーダの精度でこれらの工程を実施し得る
ため、第１の実施例の場合と同様に、高い良品率を持っ
て良好な伝送特性を示す弾性表面波装置を製造すること
ができる。
【００３２】（第３の実施例）図３は、弾性表面波装置
の製造方法に適用した第３の実施例を説明するための断
面図であり、本実施例においても、図３（ｅ）に示すよ
うに、電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波フィル
タ素子２１，２２が同一圧電基板２３に構成された弾性
表面波装置を製造する。
の製造方法に適用した第３の実施例を説明するための断
面図であり、本実施例においても、図３（ｅ）に示すよ
うに、電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波フィル
タ素子２１，２２が同一圧電基板２３に構成された弾性
表面波装置を製造する。
【００３３】先ず、図３（ａ）に示すように、圧電基板
２３上に、第１の電極２１ａの膜厚と等しい厚みの導電
膜２４を形成する。圧電基板２３上に導電膜２４を形成
する工程及びこれらの材料については、第１の実施例と
同様の工程で行い得る。
２３上に、第１の電極２１ａの膜厚と等しい厚みの導電
膜２４を形成する。圧電基板２３上に導電膜２４を形成
する工程及びこれらの材料については、第１の実施例と
同様の工程で行い得る。
【００３４】次に、導電膜２４上に、全面にポジ型のレ
ジストを付与し、しかる後、第１，第２の電極２１ａ，
２２ａ部分を遮蔽部とするマスクを重ね、露光し、露光
されたレジスト部分を除去することにより、パターニン
グされたレジスト２５を得る。レジスト２５は、第１，
第２の電極２１ａ，２２ａが位置する部分に設けられて
いる。
ジストを付与し、しかる後、第１，第２の電極２１ａ，
２２ａ部分を遮蔽部とするマスクを重ね、露光し、露光
されたレジスト部分を除去することにより、パターニン
グされたレジスト２５を得る。レジスト２５は、第１，
第２の電極２１ａ，２２ａが位置する部分に設けられて
いる。
【００３５】次に、レジスト２５を侵さないが、導電膜
２４を蝕刻し得るエッチャントを用いてエッチングを施
し、さらにレジスト２５を除去する。このようにして、
図３（ｂ）に示すように、電極２１ａが形成されると共
に、第２の弾性表面波フィルタ素子２２側では、膜厚の
大きな電極２２ａ´が形成される。
２４を蝕刻し得るエッチャントを用いてエッチングを施
し、さらにレジスト２５を除去する。このようにして、
図３（ｂ）に示すように、電極２１ａが形成されると共
に、第２の弾性表面波フィルタ素子２２側では、膜厚の
大きな電極２２ａ´が形成される。
【００３６】次に、図３（ｃ）に示すように、第１の弾
性表面波フィルタ素子２１側において、電極２１ａを保
護するようにレジスト２６を付与する。レジスト２６の
付与は、第１，第２の弾性表面波フィルタ素子２１，２
２間を分離する精度で行い得るため、たかだか数十ミク
ロンオーダの精度で行い得る。
性表面波フィルタ素子２１側において、電極２１ａを保
護するようにレジスト２６を付与する。レジスト２６の
付与は、第１，第２の弾性表面波フィルタ素子２１，２
２間を分離する精度で行い得るため、たかだか数十ミク
ロンオーダの精度で行い得る。
【００３７】次に、電極２２ａ´の厚みを、最終的な第
２の電極２２ａの厚みとするようにハーフエッチングを
施す。このようにして、図３（ｄ）に示すように、第２
の電極２２ａを完成させる。
２の電極２２ａの厚みとするようにハーフエッチングを
施す。このようにして、図３（ｄ）に示すように、第２
の電極２２ａを完成させる。
【００３８】しかる後、レジスト２６を除去することに
より、図３（ｅ）に示す弾性表面波装置２７を得ること
ができる。第３の実施例においても、レジスト２６の付
与については、さほど高精度に行う必要がないため、良
品率を高めつつ、十分な伝送特性を有する弾性表面波装
置を提供することができる。
より、図３（ｅ）に示す弾性表面波装置２７を得ること
ができる。第３の実施例においても、レジスト２６の付
与については、さほど高精度に行う必要がないため、良
品率を高めつつ、十分な伝送特性を有する弾性表面波装
置を提供することができる。
【００３９】（変形例）なお、第１〜第３の実施例にお
いて、レジストはネガ型及びポジ型の何れのレジストを
用いてもよく、レジストの種類に応じてマスクを用意す
ればよい。
いて、レジストはネガ型及びポジ型の何れのレジストを
用いてもよく、レジストの種類に応じてマスクを用意す
ればよい。
【００４０】
【００４１】加えて、第１，第２の電子部品素子以外
に、さらに他の電子部品素子が同一基板上に形成されて
いる電子部品の製造方法にも適用し得る。
に、さらに他の電子部品素子が同一基板上に形成されて
いる電子部品の製造方法にも適用し得る。
【００４２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明では、基板上に第
１の電子部品素子の電極を形成した後に、同一基板上に
おいて第１の電子部品素子の電極をレジストで保護した
状態で、第２の電子部品素子の電極をフォトリソグラフ
ィ及びエッチングにより形成するものであるため、第１
の電子部品素子の電極の形成及び第２の電子部品素子の
電極の形成に際し、従来法のようなより高い精度が要求
される工程を実施せずともよい。例えば、請求項５に記
載のように、弾性表面波装置の製造方法に適用した場
合、電極の幅は１μｍ程度と非常に細くなるが、その場
合であっても、たかだか数十μｍ程度の精度で製造し得
るため、製造に際しての良品率を大幅に高めることが可
能となる。
１の電子部品素子の電極を形成した後に、同一基板上に
おいて第１の電子部品素子の電極をレジストで保護した
状態で、第２の電子部品素子の電極をフォトリソグラフ
ィ及びエッチングにより形成するものであるため、第１
の電子部品素子の電極の形成及び第２の電子部品素子の
電極の形成に際し、従来法のようなより高い精度が要求
される工程を実施せずともよい。例えば、請求項５に記
載のように、弾性表面波装置の製造方法に適用した場
合、電極の幅は１μｍ程度と非常に細くなるが、その場
合であっても、たかだか数十μｍ程度の精度で製造し得
るため、製造に際しての良品率を大幅に高めることが可
能となる。
【００４３】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明に係る電子部品の製造方法において、第２の電
子部品素子の電極形成工程を、第２の電子部品素子の電
極が形成される領域を除いてレジストを付与し、第２の
電子部品素子の電極膜厚と等しい膜厚の導電膜を形成し
た後に、レジスト及びレジスト上に形成されている導電
膜をリフトオフするだけで、膜厚の異なる第１，第２の
電子部品素子を有する電子部品を確実に得ることができ
る。すなわち、上記レジストの付与、導電膜の形成及び
レジスト及びレジスト上に形成されている導電膜のリフ
トオフについては、非常に高い精度が要求されないた
め、電子部品の製造に際しての良品率を効果的に高め得
る。
載の発明に係る電子部品の製造方法において、第２の電
子部品素子の電極形成工程を、第２の電子部品素子の電
極が形成される領域を除いてレジストを付与し、第２の
電子部品素子の電極膜厚と等しい膜厚の導電膜を形成し
た後に、レジスト及びレジスト上に形成されている導電
膜をリフトオフするだけで、膜厚の異なる第１，第２の
電子部品素子を有する電子部品を確実に得ることができ
る。すなわち、上記レジストの付与、導電膜の形成及び
レジスト及びレジスト上に形成されている導電膜のリフ
トオフについては、非常に高い精度が要求されないた
め、電子部品の製造に際しての良品率を効果的に高め得
る。
【００４４】請求項３に記載の発明では、基板上に第１
の電子部品素子の電極膜厚に等しい厚みの導電膜を形成
し、第１の電子部品素子が構成される領域上にレジスト
を付与し、第２の電子部品素子の構成される領域の導電
膜を第２の電子部品素子の電極膜厚に等しい厚みとなる
ようにハーフエッチングし、第１，第２の電子部品素子
の電極形状となるように導電膜及びハーフエッチングさ
れた導電膜をフォトリソグラフィ及びエッチングにより
パターニングするだけでよいため、請求項１に記載の発
明の場合と同様に、非常に高い精度が要求される工程を
実施せずともよい。従って、例えば、請求項５に記載の
ように、電極幅が１μｍ程度である弾性表面波装置の製
造に適用した場合、上記各工程における精度が数十μｍ
程度でよいため、製造に際しての良品率を効果的に高め
ることができる。
の電子部品素子の電極膜厚に等しい厚みの導電膜を形成
し、第１の電子部品素子が構成される領域上にレジスト
を付与し、第２の電子部品素子の構成される領域の導電
膜を第２の電子部品素子の電極膜厚に等しい厚みとなる
ようにハーフエッチングし、第１，第２の電子部品素子
の電極形状となるように導電膜及びハーフエッチングさ
れた導電膜をフォトリソグラフィ及びエッチングにより
パターニングするだけでよいため、請求項１に記載の発
明の場合と同様に、非常に高い精度が要求される工程を
実施せずともよい。従って、例えば、請求項５に記載の
ように、電極幅が１μｍ程度である弾性表面波装置の製
造に適用した場合、上記各工程における精度が数十μｍ
程度でよいため、製造に際しての良品率を効果的に高め
ることができる。
【００４５】請求項４に記載の発明においても、第１，
第２の電子部品素子の電極を、第１の電子部品素子の電
極膜厚と等しい厚みとなるように形成しておき、第１の
電子部品素子上をレジストで保護し、第２の電子部品素
子の電極をハーフエッチングすることにより、第２の電
子部品素子の電極を形成するため、請求項１，３に記載
の発明と同様に、非常に高い精度が要求される工程を実
施せずともよい。従って、同様に、電子部品の良品率を
大幅に高めることができ、例えば、請求項５に記載のよ
うに、弾性表面波装置の製造に適用した場合、電極幅が
１μｍ程度と非常に細い場合であっても、上記各工程で
要求される精度がたかだか数十μｍ程度であるため、弾
性表面波装置の良品率を大幅に高め得る。
第２の電子部品素子の電極を、第１の電子部品素子の電
極膜厚と等しい厚みとなるように形成しておき、第１の
電子部品素子上をレジストで保護し、第２の電子部品素
子の電極をハーフエッチングすることにより、第２の電
子部品素子の電極を形成するため、請求項１，３に記載
の発明と同様に、非常に高い精度が要求される工程を実
施せずともよい。従って、同様に、電子部品の良品率を
大幅に高めることができ、例えば、請求項５に記載のよ
うに、弾性表面波装置の製造に適用した場合、電極幅が
１μｍ程度と非常に細い場合であっても、上記各工程で
要求される精度がたかだか数十μｍ程度であるため、弾
性表面波装置の良品率を大幅に高め得る。
【００４６】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
〜４に記載の各製造方法を用いて、電極幅が１μｍ程度
の非常に細い弾性表面波装置を高い良品率で製造するこ
とが可能となる。よって、伝送特性の良好な弾性表面波
装置を、安価に提供することが可能となる。
〜４に記載の各製造方法を用いて、電極幅が１μｍ程度
の非常に細い弾性表面波装置を高い良品率で製造するこ
とが可能となる。よって、伝送特性の良好な弾性表面波
装置を、安価に提供することが可能となる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施例の製
造方法を説明するための各断面図。
造方法を説明するための各断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例に係
る電子部品の製造方法を説明するための各断面図。
る電子部品の製造方法を説明するための各断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第３の実施例に係
る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面
図。
る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面
図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、従来の弾性表面波装置の製
造方法を説明するための各断面図。
造方法を説明するための各断面図。
１，２…第１，第２の弾性表面波フィルタ素子 １ａ，２ａ…第１，第２の電極 ３…圧電基板 ４…導電膜 ５…レジスト ６，６´…レジスト ７…導電膜 ８…弾性表面波装置 １１，１２…第１，第２の弾性表面波フィルタ素子 １１ａ，１２ａ…第１，第２の電極 １３…圧電基板 １４…導電膜 １４ａ…導電膜 １４ｂ…ハーフエッチングされた導電膜 １５…レジスト １６ａ，１６ｂ…レジスト １７…弾性表面波装置 ２１，２２…第１，第２の弾性表面波フィルタ素子 ２１ａ，２２ａ…第１，第２の電極 ２３…圧電基板 ２４…導電膜 ２５…レジスト ２６…レジスト ２７…弾性表面波装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/00 - 3/10 H03H 9/145 H03H 9/64
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板上にＩＤＴ電極を有する第１の
弾性表面波フィルタと前記第１の弾性表面波フィルタと
電極膜厚の異なる第２の弾性表面波フィルタとを形成し
てなる弾性表面波装置の製造方法において、 前記圧電基板上に、前記第１の弾性表面波フィルタのＩ
ＤＴ電極を形成する工程と、前記第１の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極が形成され
た圧電基板上に、前記第２の弾性表面波フィルタのＩＤ
Ｔ電極が形成される領域を除いてレジストを付与する工
程と、 第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極膜厚と等しい膜
厚の導電膜を形成する工程と、 レジスト及びレジスト上に形成されている導電膜をリフ
トオフして前記第２の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極
を形成する工程 とを備えることを特徴とする、弾性表面
波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34547896A JP3189719B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34547896A JP3189719B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190390A JPH10190390A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3189719B2 true JP3189719B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=18376869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34547896A Expired - Lifetime JP3189719B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189719B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9639324B2 (en) | 2008-10-15 | 2017-05-02 | Marvell World Trade Ltd. | Architecture for writing and reading data in a data storage system |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3317274B2 (ja) | 1999-05-26 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3368885B2 (ja) | 2000-03-15 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| US7299528B2 (en) * | 2002-11-05 | 2007-11-27 | Lee David M | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device |
| KR20050079691A (ko) | 2004-02-06 | 2005-08-11 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 소자의 제조방법 |
| JP2009189036A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
| JP5777975B2 (ja) | 2011-08-22 | 2015-09-16 | 太陽誘電株式会社 | 通信モジュール |
| CN103002660B (zh) * | 2011-09-13 | 2016-06-15 | 深南电路有限公司 | 一种线路板及其加工方法 |
| CN105578800B (zh) * | 2014-10-08 | 2018-10-26 | 深南电路有限公司 | 一种电路板的制作方法 |
| CN110856359B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-07-13 | 江苏上达半导体有限公司 | 一种半减成法高精密蚀刻方法 |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34547896A patent/JP3189719B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9639324B2 (en) | 2008-10-15 | 2017-05-02 | Marvell World Trade Ltd. | Architecture for writing and reading data in a data storage system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10190390A (ja) | 1998-07-21 |
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