CN110856359B - 一种半减成法高精密蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半减成法高精密蚀刻方法,涉及线路加工技术领域,包括以下步骤:Sp1:准备铜箔基材,在铜箔基材的铜箔金属层面涂上光刻胶,进行曝光、显影处理;Sp2:对铜箔金属层面进行蚀刻处理,蚀刻厚度范围为5um‑10um,以保证蚀刻精细度;Sp3:将铜箔金属层面上多余的光刻胶进行剥离处理;Sp4:在铜箔金属层面上涂布或贴附阻抗剂;本发明制造出的精细线路精度由第一次涂布或贴附材料的曝光解析度决定,与第二次涂布或贴附的材料无关,且第一次蚀刻掉的金属层厚度为5um‑10um,符合成熟的薄铜蚀刻技术,可以保证线路的精密度,解决了厚铜的精细线路的制作难点,可以生产出不同厚度的精细线路,满足日趋发展的电子技术需求。

Description

一种半减成法高精密蚀刻方法
技术领域
本发明涉及线路加工技术领域,具体是一种半减成法高精密蚀刻方法。
背景技术
随着电子技术的不断发展,电子产品向轻、薄、短、小、多功能、高可靠性方向发展。印刷线路板具有配线密度高、重量轻、散热性能好等特点,正是符合目前电子产品的发展趋势,因此印刷线路板的应用越来越广泛。但是电子产品日趋复杂及多样化,因此对印刷线路板的线路设计也提出了新的要求。线路影响阻抗,如何保证各种信号(特别是高速信号)的完整性,需要通过线路设计来实现。线路设计包括线路的线宽、线距、线路的厚度及长度。
由于受限于目前的曝光技术及蚀刻技术,只能在薄的铜箔上制作精细线路,但是由于电子产品日趋复杂及多样化,薄铜线路已满足不了市场的需求。
因此,本领域技术人员提供了一种半减成法高精密蚀刻方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半减成法高精密蚀刻方法,以解决上述背景技术中提出受限于目前的曝光技术及蚀刻技术,只能在薄的铜箔上制作精细线路,但是由于电子产品日趋复杂及多样化,薄铜线路已满足不了市场需求的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种半减成法高精密蚀刻方法,包括以下步骤:
Sp1:准备铜箔基材,在铜箔基材的铜箔金属层面涂上光刻胶,进行曝光、显影处理;
Sp2:对铜箔金属层面进行蚀刻处理,蚀刻厚度范围为5um-10um,以保证蚀刻精细度;
Sp3:将铜箔金属层面上多余的光刻胶进行剥离处理;
Sp4:在铜箔金属层面上涂布或贴附阻抗剂;
Sp5:将铜箔金属层面最上层的阻抗剂通过清洗研磨方式进行去除;
Sp6:再次进行对铜箔金属层面蚀刻处理,把铜箔金属层面上没有阻抗剂保护的铜蚀刻掉形成铜线路;
Sp7:将铜线路上多余的阻抗剂进行剥离处理,最终即可得到铜厚为25um-30um的精细线路。
作为本发明进一步的方案:所述Sp1中涂布的光刻胶为负性光刻胶或正性光刻胶,所述Sp1中涂布的光刻胶厚度尺寸为1um-10um。
作为本发明进一步的方案:所述Sp4中的阻抗剂为感光或非感光材料,所述Sp4中阻抗剂的厚度尺寸为5um-20um。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明制造出的精细线路精度由第一次涂布或贴附材料的曝光解析度决定,与第二次涂布或贴附的材料无关,且第一次蚀刻掉的金属层厚度为5um-10um,符合成熟的薄铜蚀刻技术,可以保证线路的精密度,解决了厚铜的精细线路的制作难点,可以生产出不同厚度的精细线路,满足日趋发展的电子技术需求。
附图说明
图1为本发明Sp1中曝光、显影处理后的示意图;
图2为本发明Sp2中铜箔金属层面进行蚀刻处理的示意图;
图3为本发明Sp3中光刻胶剥离处理后的示意图;
图4为本发明Sp4中铜箔金属层面上涂布或贴附阻抗剂后的示意图;
图5为本发明Sp5中最上层阻抗剂去除后的示意图;
图6为本发明Sp6中铜箔金属层面上蚀刻后的示意图;
图7为本发明Sp7中阻抗剂剥离处理后的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图7,本发明实施例中,一种半减成法高精密蚀刻方法,包括以下步骤:
Sp1:准备铜箔基材,在铜箔基材的铜箔金属层面涂上光刻胶,进行曝光、显影处理;
Sp2:对铜箔金属层面进行蚀刻处理,蚀刻厚度范围为5um-10um,以保证蚀刻精细度;
Sp3:将铜箔金属层面上多余的光刻胶进行剥离处理;
Sp4:在铜箔金属层面上涂布或贴附阻抗剂;
Sp5:将铜箔金属层面最上层的阻抗剂通过清洗研磨方式进行去除;
Sp6:再次进行对铜箔金属层面蚀刻处理,把铜箔金属层面上没有阻抗剂保护的铜蚀刻掉形成铜线路;
Sp7:将铜线路上多余的阻抗剂进行剥离处理,最终即可得到铜厚为25um-30um的精细线路。
所述Sp1中涂布的光刻胶为负性光刻胶或正性光刻胶,所述Sp1中涂布的光刻胶厚度尺寸为1um-10um,所述Sp4中的阻抗剂为感光或非感光材料,所述Sp4中阻抗剂的厚度尺寸为5um-20um。
以上所述的,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种半减成法高精密蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:
Sp1:准备铜箔基材,在铜箔基材的铜箔金属层面涂上光刻胶,进行曝光、显影处理;
Sp2:对铜箔金属层面进行蚀刻处理,蚀刻厚度范围为5um-10um,以保证蚀刻精细度;
Sp3:将铜箔金属层面上多余的光刻胶进行剥离处理;
Sp4:在铜箔金属层面上涂布或贴附阻抗剂;
Sp5:将铜箔金属层面最上层的阻抗剂通过清洗研磨方式进行去除,使得经SP2蚀刻部分的铜箔金属层被阻抗剂覆盖,未蚀刻部分的铜箔金属层暴露;
Sp6:再次进行对铜箔金属层面蚀刻处理,把铜箔金属层面上没有阻抗剂保护的铜蚀刻掉形成铜线路;
Sp7:将铜线路上多余的阻抗剂进行剥离处理,最终即可得到铜厚为25um-30um的精细线路。
2.根据权利要求1所述的一种半减成法高精密蚀刻方法,其特征在于,所述Sp1中涂布的光刻胶为负性光刻胶或正性光刻胶,所述Sp1中涂布的光刻胶厚度尺寸为1um-10um。
3.根据权利要求1所述的一种半减成法高精密蚀刻方法,其特征在于,所述Sp4中的阻抗剂为感光或非感光材料,所述Sp4中阻抗剂的厚度尺寸为5um-20um。
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