JP2005130068A - 圧電共振器の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
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- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0471—Resonance frequency of a plurality of resonators at different frequencies
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- Y10T29/49005—Acoustic transducer
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
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Abstract
【課題】 相互に異なる共振周波数を有する圧電共振器を少ないステップで形成する。
【解決手段】 圧電膜14上に上部電極層20を形成する第1のステップと、上部電極層20にレジスト21を塗布してこれを上部電極の形状にパターニングする第2のステップと、パターニングされたレジスト21をマスクとし、マスキングされた部分以外の上部電極層20を除去して複数の第1の上部電極15aを形成する第3のステップと、レジスト21を除去する第4のステップと、第1の上部電極15aにレジスト22を塗布して一部の第1の上部電極15aが露出するようにこれをパターニングする第5のステップと、露出した第1の上部電極15aを所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極15bを形成する第6のステップと、レジスト22を除去する第7のステップと、を含む圧電共振器の製造方法とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 圧電膜14上に上部電極層20を形成する第1のステップと、上部電極層20にレジスト21を塗布してこれを上部電極の形状にパターニングする第2のステップと、パターニングされたレジスト21をマスクとし、マスキングされた部分以外の上部電極層20を除去して複数の第1の上部電極15aを形成する第3のステップと、レジスト21を除去する第4のステップと、第1の上部電極15aにレジスト22を塗布して一部の第1の上部電極15aが露出するようにこれをパターニングする第5のステップと、露出した第1の上部電極15aを所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極15bを形成する第6のステップと、レジスト22を除去する第7のステップと、を含む圧電共振器の製造方法とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は圧電共振器の製造方法に関し、特に相互に異なる共振周波数を有する圧電共振器の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
圧電薄膜中を伝搬するバルク波(BAW − Bulk Acoustic Wave)を用いた圧電共振器でフィルタを構成する場合には、複数の圧電共振器が異なる共振周波数を有するようにしなければならない。一般には、それぞれの圧電共振器における上部電極の膜厚を変えることによりこれが達成される。また、上部電極はリソグラフィー技術を用いてパターニングが行われる。
したがって、同一基板上に所望の周波数特性を有するフィルタを作製する過程において、上部電極については、パターニングおよび膜厚を変化させることによる周波数調整が必須となる。
ここで、従来の技術による上部電極のパターニングおよび共振周波数の調整について説明する。なお、ここではフィルタが2つの異なる共振周波数(共振周波数A、B)を有する圧電共振器からなる場合を取り上げている。
第1の製造方法は、たとえば特開2002−335141号公報に開示されているものである。すなわち、図6において、圧電膜14上に上部電極層20を形成し(図6(a))、その上にレジスト21を塗布して当該レジスト21を一部の上部電極の形状にパターニングする(図6(b))。次に、パターニングされたレジスト21をマスクとし、マスキングされた部分以外の上部電極層20を所定の厚みだけエッチングし(図6(c))、レジスト21を除去する(図6(d))。続いて、レジスト22を塗布して当該レジスト22を全ての上部電極の形状にパターニングし(図6(e))、パターニングされたレジスト22をマスクとし、マスキングされた部分以外の上部電極層20を除去する(図6(f))。最後に、レジスト22を除去することにより(図6(g))、共振周波数Aが得られる厚い膜厚の第1の上部電極15aと、共振周波数Bが得られる薄い膜厚の第2の上部電極15bが形成される。
また、第2の製造方法は、たとえば特開2003−22074号公報に開示されているものである。すなわち、図7において、圧電膜14上にレジスト21を塗布してこれを上部電極の形状にパターニングし(図7(a))、その上に上部電極層20を成膜して(図7(b))、レジスト21を除去する(図7(c))。ここで、全ての膜厚が同じ上部電極15bが形成される。次に、レジスト22を塗布して一部の上部電極15bが露出するようにレジスト22をパターニングし(図7(d))、再び上部電極層23を成膜して(図7(e))、レジスト22を除去する(図7(f))。これにより、共振周波数Aが得られる厚い膜厚の第1の上部電極15aと、共振周波数Bが得られる薄い膜厚の第2の上部電極15bが形成される。
特開2002−335141号公報
特開2003−22074号公報
しかしながら、第1の製造方法では、最終ステップ(図6(g))でパターニングが完了して上部電極が分離している。したがって、この後において初めて、上部電極15a,15bについてそれぞれ1回ずつ、合計2回の共振周波数測定ステップを含む周波数調整が可能となる。このとき、それぞれの上部電極15a,15bを独立して周波数調整するために各周波数調整プロセス毎にマスキングが必要になり、トータルとして多くのステップを取ることとなる。
また、第2の製造方法では、図7(d)に示すステップの前に1回目の周波数調整が可能である。しかし、図7(f)に示すステップの後に2回目の周波数調整が必要となり、この場合には片側の上部電極をマスキングする工程が入るので、トータルとしては長いステップを踏む必要がある。しかも、第2の方法では、一部の上部電極では2回成膜が繰り返されるため、その電極界面に高抵抗層が生成され共振特性が劣化する恐れがある。
そこで、本発明は、相互に異なる共振周波数を有する圧電共振器を少ないステップで形成することのできる圧電共振器の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る圧電共振器の製造方法は、基板上に形成された下部電極と、圧電膜を挟んで前記下部電極と反対側に形成された上部電極とで所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器の製造方法であって、前記圧電膜上に上部電極層を形成する第1のステップと、前記上部電極層にレジストを塗布して当該レジストを上部電極の形状にパターニングする第2のステップと、パターニングされた前記レジストをマスクとし、マスキングされた部分以外の前記上部電極層を除去して複数の第1の上部電極を形成する第3のステップと、前記レジストを除去する第4のステップと、前記第1の上部電極にレジストを塗布して一部の前記第1の上部電極が露出するように当該レジストをパターニングする第5のステップと、露出した前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極を形成する第6のステップと、前記レジストを除去する第7のステップと、を含むことを特徴とする。
また、上記課題を解決するため、本発明に係る圧電共振器の製造方法は、基板上に形成された下部電極と、圧電膜を挟んで前記下部電極と反対側に形成された上部電極とで所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器の製造方法であって、前記圧電膜上にレジストを塗布する第1のステップと、前記圧電膜が上部電極の形状に露出するように前記レジストをパターニングする第2のステップと、パターニングされた前記レジストおよび露出した前記圧電膜の上に上部電極層を形成する第3のステップと、前記レジストを除去することによって当該レジストの上面に形成された前記上部電極層も併せて除去し、前記圧電膜上に複数の第1の上部電極を形成する第4のステップと、前記第1の上部電極にレジストを塗布して一部の前記第1の上部電極が露出するように当該レジストをパターニングする第5のステップと、露出した前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極を形成する第6のステップと、前記レジストを除去する第7のステップと、を含むことを特徴とする。
本発明の好ましい形態において、前記第4のステップの後であって前記第5のステップの前に、前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして前記下部電極と前記第1の上部電極とで第1の共振周波数を得る周波数調整ステップを含むとともに、前記第6のステップにおいては前記下部電極と前記第2の上部電極とで第2の共振周波数を得ることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第3のステップにおいては、実際の使用には供されない少なくとも1つの第1のダミー上部電極を併せて形成して少なくとも1つの第1のダミー共振器を作成し、前記周波数調整ステップにおいては、前記第1の上部電極とともに前記第1のダミー上部電極をエッチングしながら前記第1のダミー共振器を用いて前記第1の共振周波数を調整し、前記第5のステップにおいては、さらに前記第1のダミー上部電極にもレジストを塗布して少なくとも1つの前記第1のダミー上部電極が露出するように当該レジストをパターニングし、前記第6のステップにおいては、露出した前記第1の上部電極とともに露出した前記第1のダミー上部電極を所定の厚みだけエッチングして形成された第2のダミー上部電極を備えた第2のダミー共振器を用いて前記第2の共振周波数を調整することを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、第1のステップに先立って、前記圧電膜上に誘電体膜を形成することを特徴とする。
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
すなわち、本発明によれば、第4のステップで第1の上部電極が形成され、第6のステップで第1の上部電極よりも薄い膜厚の第2の上部電極が形成され、第2の上部電極の形成過程で共振周波数の調整が可能になるので、相互に異なる共振周波数を有する圧電共振器を少ないステップで形成することが可能になる。
また、本発明によれば、上部電極の成膜は一度限りなので、従来の技術における第2の製造方法のように成膜が繰り返されることによる電極の高電気抵抗化を心配する必要がない。
さらに、圧電膜上に誘電体膜を形成し、その上に上部電極を形成するようにすれば、圧電共振器の温度特性が改善されるとともに急峻な周波数特性が得られる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
図1は本発明の一形態である製造方法により製造された圧電共振器を示す断面図、図2は本発明の一形態である圧電共振器の製造方法をプロセスを追って示す断面図、図3は本発明の他の形態である圧電共振器の製造方法をプロセスを追って示す断面図、図4は図2および図3の圧電共振器の製造方法により形成される圧電共振器を示す平面図、図5は図4の圧電共振器の等価回路図である。
図1に示す圧電共振器はSMR(Solidly Mounted Resonator)型圧電共振器と呼ばれるもので、たとえば単結晶シリコンからなる基板11の上に、音響インピーダンスが高い薄膜と低い薄膜、たとえばAlN膜12aとSiO2膜12bとが交互に各4層ずつ形成されてなる音響反射膜12が形成されている。この音響反射膜12上にはPt膜が真空蒸着法により成膜され、リソグラフィーによりパターニングされて下部電極13が形成されている。
さらに、下部電極13上には、スパッタリング法によりZnOからなる圧電膜14が成膜されている。そして、圧電膜14上には、同じくスパッタリング法によりAlが成膜され、リソグラフィーによりパターニングされて上部電極15が形成されている。
このような圧電共振器において、下部電極13と上部電極15とに交流電圧を印可すると、圧電効果により圧電膜14の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号が得られる。
なお、本形態においては音響反射膜12は8層であるが、音響インピーダンスの異なる薄膜が3層以上にわたって交互に形成されていればよい。さらに、圧電膜14と上部電極15との間には、温度特性を改善したり急峻な周波数特性を得るためにSiO2膜等の誘電体膜を付加してもよい。
そして、各薄膜の膜質および形成方法は上記のものに限定されるものではなく、一例に過ぎない。
次に、以上説明した構造を有する圧電共振器における上部電極15の製造方法について、図2、図3、図4および図5を用いて説明する。
図2において、先ず、圧電膜14上に、たとえばスパッタリング法により膜厚330nmの上部電極層20を成膜する(図2(a)、第1のステップ)。この上部電極層20の膜厚は、最も低い共振周波数を必要とする圧電共振器の設計膜厚に約10%程加えた値となっている。なお、前述したSiO2膜等の誘電体膜を付加する場合には、上部電極層20の形成に先立ってこれを圧電膜14上に形成する。
次に、上部電極層20にレジスト21を塗布して、これをリソグラフィーにより上部電極部分だけが覆われた形状にパターニングする(図2(b)、第2のステップ)。そして、パターニングされたレジスト21をマスクとし、マスキングされた部分以外の上部電極層20をイオンミリング装置を用いてビーム電圧500V、ビーム電流100mAでAr+により除去して330nmの膜厚を有する複数の第1の上部電極15aを形成し、複数の共振器が形成・分離される(図2(c)、第3のステップ)。
その後、第1の上部電極15a上に残っているレジスト21を有機溶剤にて除去する。(図2(d)、第4のステップ)。
以上のステップの代わりに、図3の(a)〜(c)で示されたリフトオフを用いてもよい。
すなわち、圧電膜14上にレジスト21を塗布し(図3(a)、第1のステップ)、圧電膜14が上部電極の形状に露出するようにレジスト21をパターニングする(図3(b)、第2のステップ)。次に、パターニングされたレジスト21および露出した圧電膜14の上に上部電極層20を形成する(図3(c)、第3のステップ)。そして、レジスト21を除去することによってこのレジスト21の上面に形成された上部電極層20も併せて除去すると、圧電膜14上に複数の第1の上部電極15aが形成される(図3(d)、第4のステップ)。
第4のステップを実行して第1の上部電極15aが形成されたならば、下部電極13と第1の上部電極15aとによりたとえば約1.9GHzの共振周波数(第1の共振周波数f1)が得られるまで、イオンミリング装置により第1の上部電極15aの全面エッチングと共振周波数の測定を繰り返す(周波数調整ステップ)。
なお、この周波数調整ステップは、たとえば上部電極層20を設計膜厚(ここでは300nm)通りに成膜でき、これによりエッチングすることなく所望の共振周波数が得られる場合などでは、省略することができる。さらに、エッチング方法はイオンミリングに限定されず、例えばウェットプロセスを用いてもよい。
さて、第4のステップまたは周波数調整ステップを実行したならば、第1の上部電極15aにレジスト22を塗布して、リソグラフィーによりエッチングが必要とされる一部の第1の上部電極15aが露出するようにこれをパターニングする(図2(e)、第5のステップ)。このとき、露出した第1の上部電極15aについては、後述する電極の不完全なエッチングを防止するために、共振部分のエリアよりたとえば10μm大きくなるようにエッチングするのがよい。
次に、露出した第1の上部電極15aを所定の厚みだけエッチングして300nmよりも薄い膜厚を有する第2の上部電極15bを形成する(図2(f)、第6のステップ)。この第6のステップにおいては、下部電極13と第2の上部電極15bとで、前述した第1の共振周波数f1である1.9GHzよりも約3%高い1.96GHzの共振周波数(第2の共振周波数f2)が得られるまで、第2の上部電極15bのエッチングと共振周波数の測定を繰り返す。
但し、このようにエッチングと周波数測定により所望の共振周波数に追い込んでいく作業は、第2の上部電極15bが1回のエッチングで所望の共振周波数が得られた場合などでは、省略することができる。
最後に、レジスト22を除去して(図2(g)、第7のステップ)、圧電共振器が完成する。
ここで、周波数調整ステップおよび第6のステップにおける上部電極15の周波数調整は、次のようにして行われる。
すなわち、図4および図5において、たとえば第1の共振周波数f1を有する並列腕側圧電共振器Pと第2の共振周波数f2を有する直列腕側圧電共振器S1,S2から構成されるラダー型フィルタ30を作成する場合、第3のステップにおいて、実際の使用には供されない複数の第1のダミー上部電極15a1を併せて形成して複数の第1のダミー共振器L1を近接した位置に作成する。そして、周波数調整ステップにおいては、第1の上部電極15aとともに第1のダミー上部電極15a1をエッチングを繰り返して行い、この第1のダミー共振器L1で共振周波数を測定しながら第1の共振周波数f1を調整する。
なお、第1のダミー共振器L1は、ここでは2つの共振器が直列に接続されているが、これはこの2つの上部電極部分に測定端子を当てることにより容易に共振周波数測定ができるようにするためである。そして、圧電膜にビア(貫通孔)が形成されて下部電極が一部露出された構造では、ダミー共振器が1つでも、このダミー共振器の上部電極および下部電極に測定端子を当てることにより共振周波数の測定が可能である。したがって、ダミー共振器は1つでも、複数でもよい。
第5のステップにおいては、さらに第1のダミー上部電極15a1にもレジストを塗布して一部の第1のダミー上部電極15a1が露出するように当該レジストをパターニングする。このとき、第1のダミー上部電極15a1は、その全体がエッチングされるようにパターニングする。
なお、この第5のステップにおいて、前述のように、露出した第1の上部電極15aは共振部分のエリアより僅かに広いエリアがエッチングされる。これは、リソグラフィー工程において、マスクのミスアライメントにより電極の一部がレジストで覆われエッチングされないことを防ぐためである。
そして、第6のステップにおいては、露出した第1の上部電極15aとともに露出した第1のダミー上部電極15a1を所定の厚みだけエッチングして形成された第2のダミー上部電極15b1を備えた第2のダミー共振器L2を用い、第2の上部電極15bとともに第2のダミー上部電極15b1をエッチングを繰り返して行い、第2のダミー共振器L2で共振周波数を測定しながら第2の共振周波数f2を調整する。
このように、本願では、第4のステップで第1の上部電極15aが形成され、第6のステップで第1の上部電極15aよりも薄い膜厚の第2の上部電極15bが形成されるようになっているので、第2の上部電極15bの形成過程で共振周波数の調整が可能になる。これにより、相互に異なる共振周波数を有する圧電共振器を少ないステップで形成することが可能になる。つまり、第4のステップを実行した後に1回目の周波数調整ができ、第6のステップの実行中において2回目の周波数調整ができることから、さらなるステップは不要になり、少ないステップで上部電極15の作製が可能になる。
また、上部電極15の成膜は一度限りなので、従来の技術における第2の製造方法のように成膜が繰り返されることによる電極の高電気抵抗化を心配する必要がない。
以上は、フィルタが2つの異なる共振周波数を有する圧電共振器から構成される場合について述べたが、フィルタが3つ以上の異なる共振周波数を有する圧電共振器から構成される場合であっても、図2および図3において示すステップ(e)〜(g)を繰り返すことにより適用が可能である。
以上の説明においては、本発明をSMR型の圧電共振器に適用した場合について説明したが、基板の一部を切り欠いてバルク波を伝搬しやすくしたダイヤフラム型の圧電共振器など、圧電膜を用いた積層型の圧電共振器全般に適用することができる。
11 基板
12 音響反射膜
12a AlN膜
12b SiO2膜
13 下部電極
14 圧電膜
15 上部電極
15a 第1の上部電極
15a1 第1のダミー上部電極
15b 第2の上部電極
15b1 第2のダミー上部電極
20 上部電極層
21 レジスト
22 レジスト
23 上部電極層
30 ラダー型フィルタ
L1 第1のダミー共振器
L2 第2のダミー共振器
P 並列腕側圧電共振器
S1,S2 直列腕側圧電共振器
12 音響反射膜
12a AlN膜
12b SiO2膜
13 下部電極
14 圧電膜
15 上部電極
15a 第1の上部電極
15a1 第1のダミー上部電極
15b 第2の上部電極
15b1 第2のダミー上部電極
20 上部電極層
21 レジスト
22 レジスト
23 上部電極層
30 ラダー型フィルタ
L1 第1のダミー共振器
L2 第2のダミー共振器
P 並列腕側圧電共振器
S1,S2 直列腕側圧電共振器
Claims (5)
- 基板上に形成された下部電極と、圧電膜を挟んで前記下部電極と反対側に形成された上部電極とで所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器の製造方法であって、
前記圧電膜上に上部電極層を形成する第1のステップと、
前記上部電極層にレジストを塗布して当該レジストを上部電極の形状にパターニングする第2のステップと、
パターニングされた前記レジストをマスクとし、マスキングされた部分以外の前記上部電極層を除去して複数の第1の上部電極を形成する第3のステップと、
前記レジストを除去する第4のステップと、
前記第1の上部電極にレジストを塗布して一部の前記第1の上部電極が露出するように当該レジストをパターニングする第5のステップと、
露出した前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極を形成する第6のステップと、
前記レジストを除去する第7のステップと、
を含むことを特徴とする圧電共振器の製造方法。 - 基板上に形成された下部電極と、圧電膜を挟んで前記下部電極と反対側に形成された上部電極とで所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器の製造方法であって、
前記圧電膜上にレジストを塗布する第1のステップと、
前記圧電膜が上部電極の形状に露出するように前記レジストをパターニングする第2のステップと、
パターニングされた前記レジストおよび露出した前記圧電膜の上に上部電極層を形成する第3のステップと、
前記レジストを除去することによって当該レジストの上面に形成された前記上部電極層も併せて除去し、前記圧電膜上に複数の第1の上部電極を形成する第4のステップと、
前記第1の上部電極にレジストを塗布して一部の前記第1の上部電極が露出するように当該レジストをパターニングする第5のステップと、
露出した前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして第2の上部電極を形成する第6のステップと、
前記レジストを除去する第7のステップと、
を含むことを特徴とする圧電共振器の製造方法。 - 前記第4のステップの後であって前記第5のステップの前に、前記第1の上部電極を所定の厚みだけエッチングして前記下部電極と前記第1の上部電極とで第1の共振周波数を得る周波数調整ステップを含むとともに、
前記第6のステップにおいては前記下部電極と前記第2の上部電極とで第2の共振周波数を得ることを特徴とする請求項1または2記載の圧電共振器の製造方法。 - 前記第3のステップにおいては、実際の使用には供されない少なくとも1つの第1のダミー上部電極を併せて形成して少なくとも1つの第1のダミー共振器を作成し、
前記周波数調整ステップにおいては、前記第1の上部電極とともに前記第1のダミー上部電極をエッチングしながら前記第1のダミー共振器を用いて前記第1の共振周波数を調整し、
前記第5のステップにおいては、さらに前記第1のダミー上部電極にもレジストを塗布して少なくとも1つの前記第1のダミー上部電極が露出するように当該レジストをパターニングし、
前記第6のステップにおいては、露出した前記第1の上部電極とともに露出した前記第1のダミー上部電極を所定の厚みだけエッチングして形成された第2のダミー上部電極を備えた第2のダミー共振器を用いて前記第2の共振周波数を調整することを特徴とする請求項3記載の圧電共振器の製造方法。 - 前記第1のステップに先立って、前記圧電膜上に誘電体膜を形成することを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の圧電共振器の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361567A JP2005130068A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 圧電共振器の製造方法 |
US10/968,976 US7003875B2 (en) | 2003-10-22 | 2004-10-21 | Method for manufacturing piezo-resonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361567A JP2005130068A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 圧電共振器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005130068A true JP2005130068A (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=34509946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003361567A Withdrawn JP2005130068A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 圧電共振器の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7003875B2 (ja) |
JP (1) | JP2005130068A (ja) |
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- 2003-10-22 JP JP2003361567A patent/JP2005130068A/ja not_active Withdrawn
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- 2004-10-21 US US10/968,976 patent/US7003875B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20050090033A1 (en) | 2005-04-28 |
US7003875B2 (en) | 2006-02-28 |
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