JPH09116366A - 弾性表面波デバイスの特性調整方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの特性調整方法Info
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- JPH09116366A JPH09116366A JP26715295A JP26715295A JPH09116366A JP H09116366 A JPH09116366 A JP H09116366A JP 26715295 A JP26715295 A JP 26715295A JP 26715295 A JP26715295 A JP 26715295A JP H09116366 A JPH09116366 A JP H09116366A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチングの制御を簡単化し、調整の容易化を
図ることを目的とする。 【解決手段】圧電体ＷＥの表面に導電材料膜からなる電
極１０を有した弾性表面波デバイス１において、電極１
０の上に、互いにエッチング特性の異なる第１の層５
１，５２及び第２の層６１，６２からなる複層構造の調
整用の膜５０を設け、調整用の膜５０の最上層のみを除
去する選択エッチングを１回以上行って当該調整用の膜
５０の厚さを最適化する。
図ることを目的とする。 【解決手段】圧電体ＷＥの表面に導電材料膜からなる電
極１０を有した弾性表面波デバイス１において、電極１
０の上に、互いにエッチング特性の異なる第１の層５
１，５２及び第２の層６１，６２からなる複層構造の調
整用の膜５０を設け、調整用の膜５０の最上層のみを除
去する選択エッチングを１回以上行って当該調整用の膜
５０の厚さを最適化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電材料を用いて
所定の特性の弾性表面波デバイスを製造するための特性
調整方法に関する。
所定の特性の弾性表面波デバイスを製造するための特性
調整方法に関する。
【０００２】弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）
は、通信機器、ＴＶ、ＶＴＲなどの高周波回路の小型化
に好適である。近年、携帯電話に代表される移動通信機
器の市場が膨らみ、ＳＡＷデバイスの需要が急増してい
る。このため、ＳＡＷデバイスの生産性の向上が求めら
れている。
は、通信機器、ＴＶ、ＶＴＲなどの高周波回路の小型化
に好適である。近年、携帯電話に代表される移動通信機
器の市場が膨らみ、ＳＡＷデバイスの需要が急増してい
る。このため、ＳＡＷデバイスの生産性の向上が求めら
れている。
【０００３】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスは、圧電体（圧電材料基
板又はガラス基板などの上に設けた圧電性薄膜）の表面
を伝播する弾性波を利用したデバイスである。
板又はガラス基板などの上に設けた圧電性薄膜）の表面
を伝播する弾性波を利用したデバイスである。
【０００４】ＳＡＷデバイスには、機械的弾性波信号と
電気的信号との変換手段として、圧電体の表面に薄膜導
体からなる櫛形電極が設けられている。櫛形電極は、す
だれ状電極、交叉指電極、又はＩＤＴなどとも呼称され
ている。
電気的信号との変換手段として、圧電体の表面に薄膜導
体からなる櫛形電極が設けられている。櫛形電極は、す
だれ状電極、交叉指電極、又はＩＤＴなどとも呼称され
ている。
【０００５】デバイス特性は櫛形電極の寸法条件に依存
する。例えば、３６°回転Ｙカット−Ｘ伝播のタンタル
酸リチウム結晶を用いた２ＧＨｚ帯域のバンドパスフィ
ルタでは、櫛形の電極指の配列ピッチは約２μｍであ
り、電極指の幅は約０．５μｍである。
する。例えば、３６°回転Ｙカット−Ｘ伝播のタンタル
酸リチウム結晶を用いた２ＧＨｚ帯域のバンドパスフィ
ルタでは、櫛形の電極指の配列ピッチは約２μｍであ
り、電極指の幅は約０．５μｍである。
【０００６】ＳＡＷデバイスの製造において、櫛形電極
の形成にはフォトリソグラフィが用いられ、通常は多数
個のデバイスについて一括に、櫛形電極を含む導体のパ
ターニングが行われる。フォトリソグラフィは微細加工
に適しているものの、実際にはパターニング誤差が避け
られない。このためデバイス特性にも誤差が生じる。特
に数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波数帯域のデバイスで
は、周波数特性の誤差が大きいので、製造の歩留りを高
めるために周波数特性の調整が必要である。
の形成にはフォトリソグラフィが用いられ、通常は多数
個のデバイスについて一括に、櫛形電極を含む導体のパ
ターニングが行われる。フォトリソグラフィは微細加工
に適しているものの、実際にはパターニング誤差が避け
られない。このためデバイス特性にも誤差が生じる。特
に数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波数帯域のデバイスで
は、周波数特性の誤差が大きいので、製造の歩留りを高
めるために周波数特性の調整が必要である。
【０００７】従来、周波数特性の調整方法として、電極
を２層構造の導電膜としてその上層の厚さを調整する選
択エッチングを行う方法が知られている（特開平４−１
５８６１２号）。この方法のような電極の膜厚の調整
は、電極の幅の調整に比べて周波数の可変量が大きい。
また、上層をエッチングして下層をエッチングしない場
合には、電極全体としては幅が変わらないので、インピ
ーダンスや選択度（Ｑ）に対する影響が小さい。
を２層構造の導電膜としてその上層の厚さを調整する選
択エッチングを行う方法が知られている（特開平４−１
５８６１２号）。この方法のような電極の膜厚の調整
は、電極の幅の調整に比べて周波数の可変量が大きい。
また、上層をエッチングして下層をエッチングしない場
合には、電極全体としては幅が変わらないので、インピ
ーダンスや選択度（Ｑ）に対する影響が小さい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の調整方法では、
電極を厚さ方向に連続的にエッチングするので、エッチ
ングを厳密に制御する必要があった。調整を確実なもの
にするには、特性をモニターしながらエッチングを行
い、適切な時点でエッチングを終了する必要があった。
また、複数のデバイスに対する調整を一括して行う場合
に、エッチングレートのバラツキに起因して調整の歩留
りが低下するという問題があった。
電極を厚さ方向に連続的にエッチングするので、エッチ
ングを厳密に制御する必要があった。調整を確実なもの
にするには、特性をモニターしながらエッチングを行
い、適切な時点でエッチングを終了する必要があった。
また、複数のデバイスに対する調整を一括して行う場合
に、エッチングレートのバラツキに起因して調整の歩留
りが低下するという問題があった。
【０００９】本発明は、エッチングの制御を簡単化し、
調整の容易化を図ることを目的としている。
調整の容易化を図ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】電極の上に多層構造の調
整膜を設けておき、調整膜が適切な厚さになるまで、調
整膜を１層ずつ段階的にエッチングする。層単位の選択
エッチッングが可能となるように調整膜の各層の材料を
選定する。
整膜を設けておき、調整膜が適切な厚さになるまで、調
整膜を１層ずつ段階的にエッチングする。層単位の選択
エッチッングが可能となるように調整膜の各層の材料を
選定する。
【００１１】請求項１の発明の特性調整方法は、圧電体
の表面に導電材料膜からなる電極を有した弾性表面波デ
バイスにおいて、前記電極の上に、互いにエッチング特
性の異なる第１及び第２の層からなる複層構造の調整用
の膜を設け、前記調整用の膜の最上層のみを除去する選
択エッチングを１回以上行って当該調整用の膜の厚さを
最適化するものである。
の表面に導電材料膜からなる電極を有した弾性表面波デ
バイスにおいて、前記電極の上に、互いにエッチング特
性の異なる第１及び第２の層からなる複層構造の調整用
の膜を設け、前記調整用の膜の最上層のみを除去する選
択エッチングを１回以上行って当該調整用の膜の厚さを
最適化するものである。
【００１２】請求項２の発明の特性調整方法は、圧電体
の表面に導電材料膜からなる電極とそれを被覆する保護
膜とを有した弾性表面波デバイスにおいて、前記保護膜
の上に、互いにエッチング特性の異なる第１及び第２の
層からなる複層構造の調整用の膜を設け、前記調整用の
膜の最上層のみを除去する選択エッチングを１回以上行
って当該調整用の膜の厚さを最適化するものである。
の表面に導電材料膜からなる電極とそれを被覆する保護
膜とを有した弾性表面波デバイスにおいて、前記保護膜
の上に、互いにエッチング特性の異なる第１及び第２の
層からなる複層構造の調整用の膜を設け、前記調整用の
膜の最上層のみを除去する選択エッチングを１回以上行
って当該調整用の膜の厚さを最適化するものである。
【００１３】請求項３の発明の特性調整方法は、導電材
料膜からなる電極を有した複数の弾性表面波素子が圧電
体を用いて一体的に形成された弾性表面波デバイスにお
いて、前記各弾性表面波素子の電極の上に、互いにエッ
チング特性の異なる第１及び第２の層からなる複層構造
の調整用の膜を設け、前記複数の弾性表面波素子の内の
少なくとも１つに対して前記調整用の膜の最上層のみを
除去する選択エッチングを１回以上行い、その際に各回
毎に対象とする１つ又は複数の前記弾性表面波素子を選
択することによって、前記各弾性表面波素子の前記調整
用の膜の厚さを最適化するものである。
料膜からなる電極を有した複数の弾性表面波素子が圧電
体を用いて一体的に形成された弾性表面波デバイスにお
いて、前記各弾性表面波素子の電極の上に、互いにエッ
チング特性の異なる第１及び第２の層からなる複層構造
の調整用の膜を設け、前記複数の弾性表面波素子の内の
少なくとも１つに対して前記調整用の膜の最上層のみを
除去する選択エッチングを１回以上行い、その際に各回
毎に対象とする１つ又は複数の前記弾性表面波素子を選
択することによって、前記各弾性表面波素子の前記調整
用の膜の厚さを最適化するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１はＳＡＷフィルタ１の導体パ
ターンの一例を示す平面図、図２はＳＡＷフィルタ１の
共振器の電極構造を示す平面図である。
ターンの一例を示す平面図、図２はＳＡＷフィルタ１の
共振器の電極構造を示す平面図である。
【００１５】図１に例示したＳＡＷフィルタ１は、回路
構成上は３組のＬ形フィルタを連設した梯子形フィルタ
であり、６つの共振器ＲＥ１〜６を有している。直列ア
ームの共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共
振器ＲＥ４〜６の反共振周波数とがほぼ一致する場合に
は、ＳＡＷフィルタ１は、その共振周波数を中心周波数
とするバンドパスフィルタとなる。
構成上は３組のＬ形フィルタを連設した梯子形フィルタ
であり、６つの共振器ＲＥ１〜６を有している。直列ア
ームの共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共
振器ＲＥ４〜６の反共振周波数とがほぼ一致する場合に
は、ＳＡＷフィルタ１は、その共振周波数を中心周波数
とするバンドパスフィルタとなる。
【００１６】各共振器ＲＥ１〜６は、図２のように、励
振用の櫛形電極１０と、その弾性波伝播方向の両側に配
置された短絡型の反射器２０とを有している。櫛形電極
１０の励振特性は、電極指Ｆの膜厚、電極指Ｆの幅ｗ、
電極指間隔ｄ、開口長（電極交叉幅）、及び電極対の数
によって定まる。
振用の櫛形電極１０と、その弾性波伝播方向の両側に配
置された短絡型の反射器２０とを有している。櫛形電極
１０の励振特性は、電極指Ｆの膜厚、電極指Ｆの幅ｗ、
電極指間隔ｄ、開口長（電極交叉幅）、及び電極対の数
によって定まる。
【００１７】櫛形電極１０及び反射器２０は、各共振器
ＲＥ１〜６を結ぶ配線導体とともに、フォトリソグラフ
ィを用いて多数個のＳＡＷフィルタ１について一括に形
成される。その際に、感光性レジスト材のパターン露光
の手法として、部分露光（ショット）を繰り返すステッ
プ露光法が用いられる。
ＲＥ１〜６を結ぶ配線導体とともに、フォトリソグラフ
ィを用いて多数個のＳＡＷフィルタ１について一括に形
成される。その際に、感光性レジスト材のパターン露光
の手法として、部分露光（ショット）を繰り返すステッ
プ露光法が用いられる。
【００１８】図１の例では、６（＝２×３）個分のマス
クパターンを有したレチクルを用いて、９×１３回のシ
ョット（ステップ露光）を繰り返すことにより、圧電材
料のウエハＷＥ上に合計７０２個のＳＡＷフィルタ１の
薄膜回路導体が形成されている。各ＳＡＷフィルタ１に
は、ウエハプロセス段階での検査のための導体３０が設
けられている。ウエハＷＥを分割する以前の段階では、
個々のＳＡＷフィルタ１に対応する１チップ分の薄膜回
路導体（導体３０を除く）は、焦電を防ぐために隣接す
る他のチップの導体と一体化されている。
クパターンを有したレチクルを用いて、９×１３回のシ
ョット（ステップ露光）を繰り返すことにより、圧電材
料のウエハＷＥ上に合計７０２個のＳＡＷフィルタ１の
薄膜回路導体が形成されている。各ＳＡＷフィルタ１に
は、ウエハプロセス段階での検査のための導体３０が設
けられている。ウエハＷＥを分割する以前の段階では、
個々のＳＡＷフィルタ１に対応する１チップ分の薄膜回
路導体（導体３０を除く）は、焦電を防ぐために隣接す
る他のチップの導体と一体化されている。
【００１９】検査用の導体３０の平面形状（設計形状）
は、櫛形電極１０の電極指１１と平行で且つ等間隔に並
ぶ複数の直線部分と、隣接する直線部分の端部を繋ぐ折
返し連結部と、測定パッドとするために膨大化された両
端部とをもつミアンダ状である。つまり、導体３０は、
ＳＡＷフィルタ１の特性を規定する櫛形電極１０と同様
に、ラインアンドスペース構造を有する。これにより、
露光時の近接効果やエッチング特性の影響、すなわちパ
ターン幅の増減傾向（設計寸法と実際の寸法との大小関
係）が、導体３０と櫛形電極１０とに同様に現れ、ＳＡ
Ｗフィルタ１の特性が導体３０の電気抵抗に反映され
る。
は、櫛形電極１０の電極指１１と平行で且つ等間隔に並
ぶ複数の直線部分と、隣接する直線部分の端部を繋ぐ折
返し連結部と、測定パッドとするために膨大化された両
端部とをもつミアンダ状である。つまり、導体３０は、
ＳＡＷフィルタ１の特性を規定する櫛形電極１０と同様
に、ラインアンドスペース構造を有する。これにより、
露光時の近接効果やエッチング特性の影響、すなわちパ
ターン幅の増減傾向（設計寸法と実際の寸法との大小関
係）が、導体３０と櫛形電極１０とに同様に現れ、ＳＡ
Ｗフィルタ１の特性が導体３０の電気抵抗に反映され
る。
【００２０】以下、ＳＡＷフィルタ１の製造の手順を説
明する。図３は電極形成の過程を示す図である。圧電基
板として、例えば３６°回転Ｙカット−Ｘ伝播ＬｉＴａ
Ｏ3 単結晶からなる３インチのウエハＷＥを用意する。
ウエハＷＥの厚さは３００〜５００μｍとする。
明する。図３は電極形成の過程を示す図である。圧電基
板として、例えば３６°回転Ｙカット−Ｘ伝播ＬｉＴａ
Ｏ3 単結晶からなる３インチのウエハＷＥを用意する。
ウエハＷＥの厚さは３００〜５００μｍとする。
【００２１】蒸着又はスパッタリングなどの成膜手法を
用いて、ウエハＷＥの表面を電極材料からなる厚さ１０
００Å程度の導電膜１０ａで被覆する。電極材料として
は、アルミニウム又はその合金が好ましい。また、ウエ
ハＷＥの裏面を、チタン、クロムなどの導電膜４０で被
覆する〔図３（Ａ）〕。表裏の成膜順序は任意である。
ただし、ウエハＷＥの周面で導電膜１０ａと導電膜４０
とが重なるように、成膜時におけるウエハＷＥの配置条
件を設定する。導電材料でウエハＷＥを完全に被覆する
ことにより、焦電を防止することができる。
用いて、ウエハＷＥの表面を電極材料からなる厚さ１０
００Å程度の導電膜１０ａで被覆する。電極材料として
は、アルミニウム又はその合金が好ましい。また、ウエ
ハＷＥの裏面を、チタン、クロムなどの導電膜４０で被
覆する〔図３（Ａ）〕。表裏の成膜順序は任意である。
ただし、ウエハＷＥの周面で導電膜１０ａと導電膜４０
とが重なるように、成膜時におけるウエハＷＥの配置条
件を設定する。導電材料でウエハＷＥを完全に被覆する
ことにより、焦電を防止することができる。
【００２２】次に、周波数特性の調整に用いる複層構造
の膜（以下、調整膜という）を形成するために、導電膜
１０ａの上に二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）とクロム（Ｃ
ｒ）とを交互に被着させる。例えば８００ＭＨｚ帯域の
バンドパスフィルタにおいては、膜厚の変化にともなっ
て中心周波数が表１の割合でシフトする。
の膜（以下、調整膜という）を形成するために、導電膜
１０ａの上に二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）とクロム（Ｃ
ｒ）とを交互に被着させる。例えば８００ＭＨｚ帯域の
バンドパスフィルタにおいては、膜厚の変化にともなっ
て中心周波数が表１の割合でシフトする。
【００２３】
【表１】
【００２４】本実施例では、調整膜の１層当たりのシフ
ト量を２ＭＨｚとし、最大シフト量を８ＭＨｚとする。
すなわち、厚さ１３０ÅのＳｉＯ2 の層５１ａ，５２
ａ、及び厚さ６６ÅのＣｒの層６１ａ，６２ａを積層す
る〔図３（Ｂ）〕。
ト量を２ＭＨｚとし、最大シフト量を８ＭＨｚとする。
すなわち、厚さ１３０ÅのＳｉＯ2 の層５１ａ，５２
ａ、及び厚さ６６ÅのＣｒの層６１ａ，６２ａを積層す
る〔図３（Ｂ）〕。
【００２５】続いて、フォトリソグラフィによって、導
電膜１０ａとその上の４つの層５１ａ，６１ａ，５２
ａ，６２ａをパターニングし、櫛形電極１０と調整膜５
０とを形成する〔図３（Ｃ）〕。このとき、中心周波数
が仕様より数ＭＨｚだけ低くなるように、電極周期を設
定しておく。図示は省略したが、反射器２０及び配線導
体も櫛形電極１０と同時に形成されるので、これらの上
にも４つの層５１，６１，５２，６２からなる調整膜５
０が形成される。
電膜１０ａとその上の４つの層５１ａ，６１ａ，５２
ａ，６２ａをパターニングし、櫛形電極１０と調整膜５
０とを形成する〔図３（Ｃ）〕。このとき、中心周波数
が仕様より数ＭＨｚだけ低くなるように、電極周期を設
定しておく。図示は省略したが、反射器２０及び配線導
体も櫛形電極１０と同時に形成されるので、これらの上
にも４つの層５１，６１，５２，６２からなる調整膜５
０が形成される。
【００２６】その後、検査用導体３０の両端部にプロー
ブ触針を押し当て、抵抗パターン部分の電気抵抗を測定
する。これにより、あらかじめ実験で得ておいた相関情
報に基づいて、現時点の中心周波数を推定することがで
きる。推定値と仕様との差に応じて、中心周波数が仕様
に最も近い値となるように、調整膜５０の膜厚を適切な
数の層の除去によって調整する。
ブ触針を押し当て、抵抗パターン部分の電気抵抗を測定
する。これにより、あらかじめ実験で得ておいた相関情
報に基づいて、現時点の中心周波数を推定することがで
きる。推定値と仕様との差に応じて、中心周波数が仕様
に最も近い値となるように、調整膜５０の膜厚を適切な
数の層の除去によって調整する。
【００２７】ＳｉＯ2 の層５１，５２の除去は、フッ素
系のガス（例えばＣＦ4 ）による反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）で行う。Ｃｒの層６１，６２の除去は、硝
酸第二セリウムアンモンの水溶液によるウエットエッチ
ングで行う。エッチング手法を使い分けることにより、
つまり選択エッチングを行うことにより、オーバーエッ
チングを避けることができるので、容易に膜厚を調整す
ることができる。
系のガス（例えばＣＦ4 ）による反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）で行う。Ｃｒの層６１，６２の除去は、硝
酸第二セリウムアンモンの水溶液によるウエットエッチ
ングで行う。エッチング手法を使い分けることにより、
つまり選択エッチングを行うことにより、オーバーエッ
チングを避けることができるので、容易に膜厚を調整す
ることができる。
【００２８】このような調整は、６個の共振器ＲＥ１〜
６に対して個別に実施してもよい。例えば直列アームの
共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共振器Ｒ
Ｅ４〜６の反共振周波数とを一致させるため、直列アー
ムと並列アームとの間で調整膜５０の内の除去する層の
数を異ならせることができる。その場合には、全ての共
振器ＲＥ１〜６に対する調整が完了する以前の段階で、
必要数（０〜４）の層の除去が完了した部分をレジスト
材料で保護する。
６に対して個別に実施してもよい。例えば直列アームの
共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共振器Ｒ
Ｅ４〜６の反共振周波数とを一致させるため、直列アー
ムと並列アームとの間で調整膜５０の内の除去する層の
数を異ならせることができる。その場合には、全ての共
振器ＲＥ１〜６に対する調整が完了する以前の段階で、
必要数（０〜４）の層の除去が完了した部分をレジスト
材料で保護する。
【００２９】図４は第２の実施形態のＳＡＷフィルタ２
の要部断面図である。ＳＡＷフィルタ２の基本的な構成
は上述のＳＡＷフィルタ１と同一である。ＳＡＷフィル
タ２では、櫛形電極１０Ｂが保護膜７０で被覆されてい
る。
の要部断面図である。ＳＡＷフィルタ２の基本的な構成
は上述のＳＡＷフィルタ１と同一である。ＳＡＷフィル
タ２では、櫛形電極１０Ｂが保護膜７０で被覆されてい
る。
【００３０】ＳＡＷフィルタ２の製造に際しては、ウエ
ハＷＥの表面にアルミニウム合金（例えばＡｌ−２％Ｃ
ｕ）からなる櫛形電極１０Ｂを形成し、保護膜７０を設
けた後に４層構造の調整膜５０Ｂを成膜する。
ハＷＥの表面にアルミニウム合金（例えばＡｌ−２％Ｃ
ｕ）からなる櫛形電極１０Ｂを形成し、保護膜７０を設
けた後に４層構造の調整膜５０Ｂを成膜する。
【００３１】調整膜５０Ｂの第１及び第３の層はＳｉＯ
2 からなり、それぞれの厚さは１３０Åである。第２及
び第４の層はＣｒからなり、それぞれの厚さは６６Åで
ある。
2 からなり、それぞれの厚さは１３０Åである。第２及
び第４の層はＣｒからなり、それぞれの厚さは６６Åで
ある。
【００３２】ＳＡＷフィルタ２においても、調整膜５０
Ｂの各層５１，６１，５２，６２をエッチングの選択性
を利用して１層ずつ順に除去することによって、調整膜
５０Ｂの膜厚を容易に調整することができる。膜厚の変
化（つまり質量の変化）にともなって中心周波数がシフ
トする。
Ｂの各層５１，６１，５２，６２をエッチングの選択性
を利用して１層ずつ順に除去することによって、調整膜
５０Ｂの膜厚を容易に調整することができる。膜厚の変
化（つまり質量の変化）にともなって中心周波数がシフ
トする。
【００３３】本発明において、調整膜は４層構造に限定
されない。５以上の多層構造とし、各層を薄くすれば、
より精密な調整が可能となる。
されない。５以上の多層構造とし、各層を薄くすれば、
より精密な調整が可能となる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１乃至請求項３の発明によれば、
電極を覆う膜の厚さを容易に且つ確実に所望値にするこ
とができ、特性調整の歩留りを高めることができる。
電極を覆う膜の厚さを容易に且つ確実に所望値にするこ
とができ、特性調整の歩留りを高めることができる。
【００３５】請求項３の発明によれば、複数の弾性表面
波素子からなる弾性表面デバイスの製造の歩留りを高め
ることができる。
波素子からなる弾性表面デバイスの製造の歩留りを高め
ることができる。
【図１】ＳＡＷフィルタの導体パターンの一例を示す平
面図である。
面図である。
【図２】ＳＡＷフィルタの共振器の電極構造を示す平面
図である。
図である。
【図３】電極形成の過程を示す図である。
【図４】第２の実施形態のＳＡＷフィルタの要部断面図
である。
である。
１，２ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波デバイス） １０ 櫛形電極（電極） ５０，５０Ｂ 調整膜（調整用の膜） ５１，５１Ｂ 層（第１の層） ５２，５２Ｂ 層（第１の層） ６１，６１Ｂ 層（第２の層） ６２，６２Ｂ 層（第２の層） ７０ 保護膜 ＲＥ１〜６ 共振器（弾性表面波素子） ＷＥ ウエハ（圧電体）
Claims (3)
- 【請求項１】圧電体の表面に導電材料膜からなる電極を
有した弾性表面波デバイスにおいて、 前記電極の上に、互いにエッチング特性の異なる第１及
び第２の層からなる複層構造の調整用の膜を設け、 前記調整用の膜の最上層のみを除去する選択エッチング
を１回以上行って当該調整用の膜の厚さを最適化するこ
とを特徴とする弾性表面波デバイスの特性調整方法。 - 【請求項２】圧電体の表面に導電材料膜からなる電極と
それを被覆する保護膜とを有した弾性表面波デバイスに
おいて、 前記保護膜の上に、互いにエッチング特性の異なる第１
及び第２の層からなる複層構造の調整用の膜を設け、 前記調整用の膜の最上層のみを除去する選択エッチング
を１回以上行って当該調整用の膜の厚さを最適化するこ
とを特徴とする弾性表面波デバイスの特性調整方法。 - 【請求項３】導電材料膜からなる電極を有した複数の弾
性表面波素子が圧電体を用いて一体的に形成された弾性
表面波デバイスにおいて、 前記各弾性表面波素子の電極の上に、互いにエッチング
特性の異なる第１及び第２の層からなる複層構造の調整
用の膜を設け、 前記複数の弾性表面波素子の内の少なくとも１つに対し
て前記調整用の膜の最上層のみを除去する選択エッチン
グを１回以上行い、その際に各回毎に対象とする１つ又
は複数の前記弾性表面波素子を選択することによって、
前記各弾性表面波素子の前記調整用の膜の厚さを最適化
することを特徴とする弾性表面波デバイスの特性調整方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26715295A JPH09116366A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 弾性表面波デバイスの特性調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26715295A JPH09116366A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 弾性表面波デバイスの特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116366A true JPH09116366A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17440820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26715295A Withdrawn JPH09116366A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 弾性表面波デバイスの特性調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116366A (ja) |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26715295A patent/JPH09116366A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |