JP3480626B2 - 弾性表面波素子の電極形成方法 - Google Patents
弾性表面波素子の電極形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電材料を用いて
弾性表面波素子を製造するための電極形成方法に関し、
特に複層構造の電極の形成に適用される。 【０００２】弾性表面波素子（ＳＡＷデバイス）は、通
信機器、ＴＶ、ＶＴＲなどの高周波回路の小型化に好適
である。近年、携帯電話に代表される移動通信機器の市
場が膨らみ、ＳＡＷデバイスの需要が急増している。こ
のような状況の中で、さらに高性能のＳＡＷデバイスの
開発が進められており、耐電力性に優れた電極構造が発
表されている（特開平７−１２２９６１号）。 【０００３】 【従来の技術】ＳＡＷデバイスは、圧電体（圧電材料基
板又はガラス基板などの上に設けた圧電性薄膜）の表面
を伝播する弾性波を利用したデバイスである。 【０００４】ＳＡＷデバイスには、機械的弾性波信号と
電気的信号との変換手段として、圧電体の表面に薄膜導
体からなる櫛形電極が設けられている。櫛形電極は、す
だれ状電極、交叉指電極、又はＩＤＴなどとも呼称され
ている。 【０００５】デバイス特性は櫛形電極の寸法条件に依存
する。例えば、Ｙカット−Ｘ伝播のタンタル酸リチウム
結晶を用いた２ＧＨｚ帯域のバンドパスフィルタでは、
櫛形の電極指の配列ピッチは約２μｍであり、電極指の
幅は約０．５μｍである。 【０００６】ＳＡＷデバイスの製造において、櫛形電極
の形成にはフォトリソグラフィが用いられ、通常は多数
個のデバイスについて一括に、櫛形電極を含む導体のパ
ターニングが行われる。 【０００７】パターニングには周知のとおり２つの方法
がある。１つは、導体層の上にレジストパターン（エッ
チングマスク）を設け、導体層を部分的にエッチングす
る方法である。他の１つは、レジストパターン（リフト
オフマスク）を設けた後に導電層を形成し、レジストパ
ターンとともに不要の導電層を取り除く方法である。 【０００８】従来は、電極材料及び設備の事情に応じ
て、これら２つの方法の内の一方のみを用いて櫛形電極
が形成されていた。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
によって櫛形電極を形成する場合には、電極パターンが
微細であることから、異方性エッチング手法を用いる必
要がある。また圧電体の受けるダメージを考慮すると、
イオンミリングなどの物理的な手法は適当ではなく、反
応性イオンエッチング（reative ion etching ：ＲＩ
Ｅ）が好適である。 【００１０】しかし、ＲＩＥでは、エッチングの対象が
限定され、電極材料の選択の自由度が小さい。例えば、
Ｃｕ及びＣｕ合金は耐電力性の改善に有用であるにも係
わらず、適当なエッチングガスがないためにこれらの材
料を用いることができない。 【００１１】一方、リフトオフによって櫛形電極を形成
する場合には、圧電体の表面が導電膜で被覆されていな
い状態でレジストパターンを形成するので、レジスト材
のベーク処理の段階で圧電体の昇温に起因する焦電が生
じ易い。焦電は、レジスト材を変質させ、電極のパター
ン欠陥を招く。 【００１２】つまり、従来では、ＲＩＥが適さない電極
材料を用いる場合には、物理的なエッチング、又はリフ
トオフによらなければならず、衝撃による圧電体の劣化
又は焦電による歩留りの低下が避けられないという問題
があった。 【００１３】本発明は、この問題に鑑みてなされたもの
で、電極材料の選択の制約を緩和して電極の特性改善を
容易にすることを目的としている。 【００１４】 【課題を解決するための手段】請求項１の発明の電極形
成方法は、弾性表面波素子の製造に際して、圧電体の表
面に第１の電極材料からなる導電膜を成膜し、その後に
導電膜の上に電極パターンに対するネガパターンのリフ
トオフマスクを設け、導電膜の露出面を第２の電極材料
の薄膜で被覆し、リフトオフマスクを除去し、残存する
第２の電極材料の薄膜と重なるように電極パターンに相
当するポジパターンのエッチングマスクを設け、異方性
エッチング法によって導電膜を電極パターンにパターニ
ングする方法である。 【００１５】圧電体の表面が第１の電極材料の導電膜で
被覆され、この導電膜によって電極形成領域内での焦電
が防止される。第２の電極材料の薄膜は、いわゆるリフ
トオフによってパターニングされる。したがって、パタ
ーニングの可否の上での第２の電極材料の制約は無い。
つまり、任意の材料を用いることができる。 【００１６】なお、リフトオフマスクを設ける以前に、
導電膜の上に第１の電極材料以外の材料を積層してもよ
い。また、リフトオフの以前に、第２の電極材料の薄膜
の上に第２の電極材料以外の材料を積層してもよい。 【００１７】リフトオフの後の異方性エッチングにより
導電膜の不要部分が取り除かれ、第１及び第２の電極材
料からなる所定のパターンの電極が形成される。 【００１８】 【発明の実施の形態】図１はＳＡＷフィルタ１の導体パ
ターンの一例を示す平面図、図２はＳＡＷフィルタ１の
共振器の電極構造を示す平面図である。 【００１９】図１に例示したＳＡＷフィルタ１は、回路
構成上は３組のＬ形フィルタを連設した梯子形フィルタ
であり、６つの共振器ＲＥ１〜６を有している。直列ア
ームの共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共
振器ＲＥ４〜６の反共振周波数とがほぼ一致する場合に
は、ＳＡＷフィルタ１は、その共振周波数を中心周波数
とするバンドパスフィルタとなる。 【００２０】各共振器ＲＥ１〜６は、図２のように、励
振用の櫛形電極１０と、その弾性波伝播方向の両側に配
置された短絡型の反射器２０とを有している。櫛形電極
１０の励振特性は、電極指Ｆの膜厚、電極指Ｆの幅ｗ、
電極指の間隔ｄ、開口長（電極交叉幅）、及び電極対の
数によって定まる。 【００２１】櫛形電極１０及び反射器２０は、各共振器
ＲＥ１〜６を結ぶ配線導体とともに、フォトリソグラフ
ィを用いて多数個のＳＡＷフィルタ１について一括に形
成される。その際に、感光性レジスト材のパターン露光
の手法として、部分露光（ショット）を繰り返すステッ
プ露光法が用いられる。 【００２２】図１の例では、６（＝２×３）個分のマス
クパターンを有したレチクルを用いて、９×１３回のシ
ョット（ステップ露光）を繰り返すことにより、圧電材
料のウエハＷＥ上に合計７０２個のＳＡＷフィルタ１の
薄膜回路導体が形成されている。ウエハＷＥを分割する
以前の段階では、個々のＳＡＷフィルタ１に対応する１
チップ分の薄膜回路導体は、焦電を防ぐために隣接する
他のチップの導体と一体化されている。 【００２３】以下、ＳＡＷフィルタ１における導体パタ
ーンの形成の手順を説明する。図３は本発明の電極形成
方法を示す図である。圧電基板として、例えば３６°回
転Ｙカット−Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3 単結晶からなる３イン
チのウエハＷＥを用意する。ウエハＷＥの厚さは３００
〜５００μｍとする。 【００２４】蒸着又はスパッタリングなどの成膜手法を
用いて、ウエハＷＥの表面をＲＩＥによるエッチングが
容易な導電材料からなる厚さ１０００Å程度の薄膜１１
ａで被覆する。導電材料としては、アルミニウム又はそ
の合金が好ましい。また、ウエハＷＥの裏面を、チタ
ン、クロムなどの薄膜４０で被覆する〔図３（Ａ）〕。 【００２５】これらの薄膜１１ａ，４０の成膜順序は任
意である。ただし、ウエハＷＥの周面で薄膜１１ａと薄
膜４０とが重なるように、成膜時におけるウエハＷＥの
配置条件を設定する。導電性の薄膜１１ａ，４０でウエ
ハＷＥを完全に被覆することにより、焦電を防止するこ
とができる。 【００２６】次に、薄膜１１ａの上に、電極パターンに
対するネガパターンのリフトオフマスク６１、すなわち
電極指Ｆ間のスペース部分に対応した平面視形状のレジ
スト層を設ける。そして、薄膜１１ａの露出面及びリフ
トオフマスク６１の上面を、ＲＩＥによるエッチングが
困難な導電材料（例えば銅）からなる厚さが５００Å程
度の薄膜１２ａで被覆する〔図３（Ｂ）〕。 【００２７】続いて、リフトオフマスク６１とともに不
要の薄膜１２ａを除去する。これにより、電極パターン
の銅の薄膜１２ａが得られる〔図３（Ｃ）〕。再び、感
光性レジストを用いて、残存する薄膜１２ａと重なるエ
ッチングマスク６２、すなわち電極パターンに相当する
ポジパターンのレジスト層を形成する〔図３（Ｄ）〕。 【００２８】エッチングマスク６２で薄膜１２ａを保護
した状態で、薄膜１１ａの内の露出部分をＲＩＥによっ
て除去し、その後にエッチングマスク６２を取り去る
〔図３（Ｅ）〕。ＲＩＥを用いることにより、ウエハＷ
Ｅを劣化させることなく、薄膜１１ａを高精度にパター
ニングすることができる。 【００２９】以上の工程により、第１の材料からなる層
１１と第２の材料からなる層１２との２層構造の櫛形電
極１０が得られる。なお、リフトオフマスク６１及びエ
ッチングマスク６２のパターン寸法を厳密に電極パター
ンと一致させる必要はなく、最終的に所望寸法の櫛形電
極１０が得られるように、適当なマージンを設けたマス
クを形成してもよい。 【００３０】上述の実施例においては、複数の櫛形の電
極１０を有したＳＡＷフィルタ１を例示したが、単一の
櫛形電極１０を有したデバイスの製造に際して、本発明
を適用することができる。デバイスは、フィルタに限ら
ず遅延や発振用のデバイスであってもよい。また、電極
の形状は限定されない。 【００３１】 【発明の効果】請求項１の発明によれば、圧電体を導電
膜で被覆した状態でリフトオフを行うので、エッチング
の困難な電極材料を用いることができ、しかも焦電を防
ぐことができる。したがって、電極材料の選択の制約が
緩和され、電極の特性の改善が容易になる。
弾性表面波素子を製造するための電極形成方法に関し、
特に複層構造の電極の形成に適用される。 【０００２】弾性表面波素子（ＳＡＷデバイス）は、通
信機器、ＴＶ、ＶＴＲなどの高周波回路の小型化に好適
である。近年、携帯電話に代表される移動通信機器の市
場が膨らみ、ＳＡＷデバイスの需要が急増している。こ
のような状況の中で、さらに高性能のＳＡＷデバイスの
開発が進められており、耐電力性に優れた電極構造が発
表されている（特開平７−１２２９６１号）。 【０００３】 【従来の技術】ＳＡＷデバイスは、圧電体（圧電材料基
板又はガラス基板などの上に設けた圧電性薄膜）の表面
を伝播する弾性波を利用したデバイスである。 【０００４】ＳＡＷデバイスには、機械的弾性波信号と
電気的信号との変換手段として、圧電体の表面に薄膜導
体からなる櫛形電極が設けられている。櫛形電極は、す
だれ状電極、交叉指電極、又はＩＤＴなどとも呼称され
ている。 【０００５】デバイス特性は櫛形電極の寸法条件に依存
する。例えば、Ｙカット−Ｘ伝播のタンタル酸リチウム
結晶を用いた２ＧＨｚ帯域のバンドパスフィルタでは、
櫛形の電極指の配列ピッチは約２μｍであり、電極指の
幅は約０．５μｍである。 【０００６】ＳＡＷデバイスの製造において、櫛形電極
の形成にはフォトリソグラフィが用いられ、通常は多数
個のデバイスについて一括に、櫛形電極を含む導体のパ
ターニングが行われる。 【０００７】パターニングには周知のとおり２つの方法
がある。１つは、導体層の上にレジストパターン（エッ
チングマスク）を設け、導体層を部分的にエッチングす
る方法である。他の１つは、レジストパターン（リフト
オフマスク）を設けた後に導電層を形成し、レジストパ
ターンとともに不要の導電層を取り除く方法である。 【０００８】従来は、電極材料及び設備の事情に応じ
て、これら２つの方法の内の一方のみを用いて櫛形電極
が形成されていた。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
によって櫛形電極を形成する場合には、電極パターンが
微細であることから、異方性エッチング手法を用いる必
要がある。また圧電体の受けるダメージを考慮すると、
イオンミリングなどの物理的な手法は適当ではなく、反
応性イオンエッチング（reative ion etching ：ＲＩ
Ｅ）が好適である。 【００１０】しかし、ＲＩＥでは、エッチングの対象が
限定され、電極材料の選択の自由度が小さい。例えば、
Ｃｕ及びＣｕ合金は耐電力性の改善に有用であるにも係
わらず、適当なエッチングガスがないためにこれらの材
料を用いることができない。 【００１１】一方、リフトオフによって櫛形電極を形成
する場合には、圧電体の表面が導電膜で被覆されていな
い状態でレジストパターンを形成するので、レジスト材
のベーク処理の段階で圧電体の昇温に起因する焦電が生
じ易い。焦電は、レジスト材を変質させ、電極のパター
ン欠陥を招く。 【００１２】つまり、従来では、ＲＩＥが適さない電極
材料を用いる場合には、物理的なエッチング、又はリフ
トオフによらなければならず、衝撃による圧電体の劣化
又は焦電による歩留りの低下が避けられないという問題
があった。 【００１３】本発明は、この問題に鑑みてなされたもの
で、電極材料の選択の制約を緩和して電極の特性改善を
容易にすることを目的としている。 【００１４】 【課題を解決するための手段】請求項１の発明の電極形
成方法は、弾性表面波素子の製造に際して、圧電体の表
面に第１の電極材料からなる導電膜を成膜し、その後に
導電膜の上に電極パターンに対するネガパターンのリフ
トオフマスクを設け、導電膜の露出面を第２の電極材料
の薄膜で被覆し、リフトオフマスクを除去し、残存する
第２の電極材料の薄膜と重なるように電極パターンに相
当するポジパターンのエッチングマスクを設け、異方性
エッチング法によって導電膜を電極パターンにパターニ
ングする方法である。 【００１５】圧電体の表面が第１の電極材料の導電膜で
被覆され、この導電膜によって電極形成領域内での焦電
が防止される。第２の電極材料の薄膜は、いわゆるリフ
トオフによってパターニングされる。したがって、パタ
ーニングの可否の上での第２の電極材料の制約は無い。
つまり、任意の材料を用いることができる。 【００１６】なお、リフトオフマスクを設ける以前に、
導電膜の上に第１の電極材料以外の材料を積層してもよ
い。また、リフトオフの以前に、第２の電極材料の薄膜
の上に第２の電極材料以外の材料を積層してもよい。 【００１７】リフトオフの後の異方性エッチングにより
導電膜の不要部分が取り除かれ、第１及び第２の電極材
料からなる所定のパターンの電極が形成される。 【００１８】 【発明の実施の形態】図１はＳＡＷフィルタ１の導体パ
ターンの一例を示す平面図、図２はＳＡＷフィルタ１の
共振器の電極構造を示す平面図である。 【００１９】図１に例示したＳＡＷフィルタ１は、回路
構成上は３組のＬ形フィルタを連設した梯子形フィルタ
であり、６つの共振器ＲＥ１〜６を有している。直列ア
ームの共振器ＲＥ１〜３の共振周波数と並列アームの共
振器ＲＥ４〜６の反共振周波数とがほぼ一致する場合に
は、ＳＡＷフィルタ１は、その共振周波数を中心周波数
とするバンドパスフィルタとなる。 【００２０】各共振器ＲＥ１〜６は、図２のように、励
振用の櫛形電極１０と、その弾性波伝播方向の両側に配
置された短絡型の反射器２０とを有している。櫛形電極
１０の励振特性は、電極指Ｆの膜厚、電極指Ｆの幅ｗ、
電極指の間隔ｄ、開口長（電極交叉幅）、及び電極対の
数によって定まる。 【００２１】櫛形電極１０及び反射器２０は、各共振器
ＲＥ１〜６を結ぶ配線導体とともに、フォトリソグラフ
ィを用いて多数個のＳＡＷフィルタ１について一括に形
成される。その際に、感光性レジスト材のパターン露光
の手法として、部分露光（ショット）を繰り返すステッ
プ露光法が用いられる。 【００２２】図１の例では、６（＝２×３）個分のマス
クパターンを有したレチクルを用いて、９×１３回のシ
ョット（ステップ露光）を繰り返すことにより、圧電材
料のウエハＷＥ上に合計７０２個のＳＡＷフィルタ１の
薄膜回路導体が形成されている。ウエハＷＥを分割する
以前の段階では、個々のＳＡＷフィルタ１に対応する１
チップ分の薄膜回路導体は、焦電を防ぐために隣接する
他のチップの導体と一体化されている。 【００２３】以下、ＳＡＷフィルタ１における導体パタ
ーンの形成の手順を説明する。図３は本発明の電極形成
方法を示す図である。圧電基板として、例えば３６°回
転Ｙカット−Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3 単結晶からなる３イン
チのウエハＷＥを用意する。ウエハＷＥの厚さは３００
〜５００μｍとする。 【００２４】蒸着又はスパッタリングなどの成膜手法を
用いて、ウエハＷＥの表面をＲＩＥによるエッチングが
容易な導電材料からなる厚さ１０００Å程度の薄膜１１
ａで被覆する。導電材料としては、アルミニウム又はそ
の合金が好ましい。また、ウエハＷＥの裏面を、チタ
ン、クロムなどの薄膜４０で被覆する〔図３（Ａ）〕。 【００２５】これらの薄膜１１ａ，４０の成膜順序は任
意である。ただし、ウエハＷＥの周面で薄膜１１ａと薄
膜４０とが重なるように、成膜時におけるウエハＷＥの
配置条件を設定する。導電性の薄膜１１ａ，４０でウエ
ハＷＥを完全に被覆することにより、焦電を防止するこ
とができる。 【００２６】次に、薄膜１１ａの上に、電極パターンに
対するネガパターンのリフトオフマスク６１、すなわち
電極指Ｆ間のスペース部分に対応した平面視形状のレジ
スト層を設ける。そして、薄膜１１ａの露出面及びリフ
トオフマスク６１の上面を、ＲＩＥによるエッチングが
困難な導電材料（例えば銅）からなる厚さが５００Å程
度の薄膜１２ａで被覆する〔図３（Ｂ）〕。 【００２７】続いて、リフトオフマスク６１とともに不
要の薄膜１２ａを除去する。これにより、電極パターン
の銅の薄膜１２ａが得られる〔図３（Ｃ）〕。再び、感
光性レジストを用いて、残存する薄膜１２ａと重なるエ
ッチングマスク６２、すなわち電極パターンに相当する
ポジパターンのレジスト層を形成する〔図３（Ｄ）〕。 【００２８】エッチングマスク６２で薄膜１２ａを保護
した状態で、薄膜１１ａの内の露出部分をＲＩＥによっ
て除去し、その後にエッチングマスク６２を取り去る
〔図３（Ｅ）〕。ＲＩＥを用いることにより、ウエハＷ
Ｅを劣化させることなく、薄膜１１ａを高精度にパター
ニングすることができる。 【００２９】以上の工程により、第１の材料からなる層
１１と第２の材料からなる層１２との２層構造の櫛形電
極１０が得られる。なお、リフトオフマスク６１及びエ
ッチングマスク６２のパターン寸法を厳密に電極パター
ンと一致させる必要はなく、最終的に所望寸法の櫛形電
極１０が得られるように、適当なマージンを設けたマス
クを形成してもよい。 【００３０】上述の実施例においては、複数の櫛形の電
極１０を有したＳＡＷフィルタ１を例示したが、単一の
櫛形電極１０を有したデバイスの製造に際して、本発明
を適用することができる。デバイスは、フィルタに限ら
ず遅延や発振用のデバイスであってもよい。また、電極
の形状は限定されない。 【００３１】 【発明の効果】請求項１の発明によれば、圧電体を導電
膜で被覆した状態でリフトオフを行うので、エッチング
の困難な電極材料を用いることができ、しかも焦電を防
ぐことができる。したがって、電極材料の選択の制約が
緩和され、電極の特性の改善が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳＡＷフィルタの導体パターンの一例を示す平
面図である。 【図２】ＳＡＷフィルタの共振器の電極構造を示す平面
図である。 【図３】本発明の電極形成方法を示す図である。 【符号の説明】 １ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波素子） １０ 櫛形電極（電極） １１ａ 薄膜（導電膜） １２ａ 薄膜（第２の電極材料の薄膜） ６１ リフトオフマスク ６２ エッチングマスク ＷＥ 圧電材料のウエハ（圧電体）
面図である。 【図２】ＳＡＷフィルタの共振器の電極構造を示す平面
図である。 【図３】本発明の電極形成方法を示す図である。 【符号の説明】 １ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波素子） １０ 櫛形電極（電極） １１ａ 薄膜（導電膜） １２ａ 薄膜（第２の電極材料の薄膜） ６１ リフトオフマスク ６２ エッチングマスク ＷＥ 圧電材料のウエハ（圧電体）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−154179（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−265822（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−251221（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−285011（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−94807（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−286613（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−235404（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/08
H01L 41/09
H01L 41/22
H05K 3/06
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】圧電体の表面に第１の電極材料からなる導
電膜を成膜し、その後に前記導電膜の上に電極パターン
に対するネガパターンのリフトオフマスクを設け、前記
導電膜の露出面を第２の電極材料の薄膜で被覆し、前記
リフトオフマスクを除去し、残存する前記薄膜と重なる
ように前記電極パターンに相当するポジパターンのエッ
チングマスクを設け、異方性エッチングによって前記導
電膜を前記電極パターンにパターニングすることを特徴
とする弾性表面波素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535395A JP3480626B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 弾性表面波素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535395A JP3480626B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 弾性表面波素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936687A JPH0936687A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3480626B2 true JP3480626B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=16169309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18535395A Expired - Fee Related JP3480626B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 弾性表面波素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3480626B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175927A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP5080742B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2012-11-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電界効果トランジスタの製造方法及び電界効果トランジスタ |
| DE102007028288B4 (de) * | 2007-06-20 | 2013-06-06 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes MEMS Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP18535395A patent/JP3480626B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0936687A (ja) | 1997-02-07 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030924 |
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