JPH09214279A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPH09214279A JPH09214279A JP1777896A JP1777896A JPH09214279A JP H09214279 A JPH09214279 A JP H09214279A JP 1777896 A JP1777896 A JP 1777896A JP 1777896 A JP1777896 A JP 1777896A JP H09214279 A JPH09214279 A JP H09214279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- idt
- wave device
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】金属粉によるショート不良を防止するための保
護膜の除去コストを低減することができ、かつ、保護膜
の形成コストを低減することが可能な表面波装置を提供
することにある。 【解決手段】一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴ５
が形成された圧電基板１上に感光性樹脂からなる保護膜
１１が形成され、ＩＤＴ５の保護膜１１の一部が除去さ
れ、ＩＤＴ５の引出電極部３ｃ，４ｃが露出するように
形成されている。保護膜１１は、金属粉によりＩＤＴ５
の電極指３ａ，４ａがショートしないように形成された
ものである。
護膜の除去コストを低減することができ、かつ、保護膜
の形成コストを低減することが可能な表面波装置を提供
することにある。 【解決手段】一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴ５
が形成された圧電基板１上に感光性樹脂からなる保護膜
１１が形成され、ＩＤＴ５の保護膜１１の一部が除去さ
れ、ＩＤＴ５の引出電極部３ｃ，４ｃが露出するように
形成されている。保護膜１１は、金属粉によりＩＤＴ５
の電極指３ａ，４ａがショートしないように形成された
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波装置に関
し、詳しくは、圧電基板上に形成された電極パターンを
覆うように保護膜が形成された表面波装置に関する。
し、詳しくは、圧電基板上に形成された電極パターンを
覆うように保護膜が形成された表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面波装置は圧電基板上にＩＤＴ等を構
成する微細な電極パターンが形成された構造となってお
り、その製造過程あるいはパッケージング後において、
ＩＤＴ形成面に金属粉等が付着し、ＩＤＴの電極指間が
ショートする等の不具合が生じ易い。
成する微細な電極パターンが形成された構造となってお
り、その製造過程あるいはパッケージング後において、
ＩＤＴ形成面に金属粉等が付着し、ＩＤＴの電極指間が
ショートする等の不具合が生じ易い。
【０００３】このような金属粉の付着によるショート不
良の対策として、従来、ＩＤＴの形成面にＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ等の無機材料からなる保護膜を形成した表面波装置
が知られている。
良の対策として、従来、ＩＤＴの形成面にＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ等の無機材料からなる保護膜を形成した表面波装置
が知られている。
【０００４】このような保護膜が形成された表面波装置
では、前記保護膜の一部は除去され、入出力接続用のワ
イヤーがボンディングされるＩＤＴの引出電極部が露出
するように構成されている。
では、前記保護膜の一部は除去され、入出力接続用のワ
イヤーがボンディングされるＩＤＴの引出電極部が露出
するように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表面波装置では、保護膜はＳｉＯ2等の非感光性材料の
ため、ＩＤＴの引出電極部上の保護膜の除去には、フォ
トリソグラフィにより感光性のレジストパターンを形成
し、しかる後、引出電極部上の保護膜をエッチングによ
り取り除くという作業が必要であった。つまり、保護膜
の一部除去には多くの作業、工程が必要であり、保護膜
除去コストが高くなるという問題があった。
表面波装置では、保護膜はＳｉＯ2等の非感光性材料の
ため、ＩＤＴの引出電極部上の保護膜の除去には、フォ
トリソグラフィにより感光性のレジストパターンを形成
し、しかる後、引出電極部上の保護膜をエッチングによ
り取り除くという作業が必要であった。つまり、保護膜
の一部除去には多くの作業、工程が必要であり、保護膜
除去コストが高くなるという問題があった。
【０００６】また、保護膜はＳｉＯ2等の無機材料であ
り、その成膜にはスパッタリング等の方法が用いられ、
保護膜の形成コストが高くなるという問題があった。
り、その成膜にはスパッタリング等の方法が用いられ、
保護膜の形成コストが高くなるという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、金属粉によるシ
ョート不良を防止するための保護膜の除去コストを低減
することができ、かつ、保護膜の形成コストを低減する
ことが可能な表面波装置を提供することにある。
ョート不良を防止するための保護膜の除去コストを低減
することができ、かつ、保護膜の形成コストを低減する
ことが可能な表面波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、圧電基板と、前記圧電基板
上に形成された少なくとも１つのＩＤＴを含む電極パタ
ーンとを備えた表面波装置であって、前記電極パターン
を覆って、前記圧電基板上に感光性樹脂からなる保護膜
が形成され、前記ＩＤＴの引出電極部上の保護膜の一部
が除去されていることを特徴とするものである。
に、請求項１に係る発明は、圧電基板と、前記圧電基板
上に形成された少なくとも１つのＩＤＴを含む電極パタ
ーンとを備えた表面波装置であって、前記電極パターン
を覆って、前記圧電基板上に感光性樹脂からなる保護膜
が形成され、前記ＩＤＴの引出電極部上の保護膜の一部
が除去されていることを特徴とするものである。
【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に係る表
面波装置において、前記保護膜が感光性ポリイミド系樹
脂からなることを特徴とするものである。
面波装置において、前記保護膜が感光性ポリイミド系樹
脂からなることを特徴とするものである。
【００１０】上記の構成によれば、圧電基板上のＩＤＴ
形成面に形成された保護膜は感光性樹脂で形成されてい
るので、引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィす
なわち露光、現像のみの作業で容易に除去することがで
きる。すなわち、従来の表面波装置の保護膜の除去に際
して必要であったレジストパターンの形成及びエッチン
グ等の工程を不要とすることができるので、保護膜の除
去コストを大幅に低減することができる。
形成面に形成された保護膜は感光性樹脂で形成されてい
るので、引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィす
なわち露光、現像のみの作業で容易に除去することがで
きる。すなわち、従来の表面波装置の保護膜の除去に際
して必要であったレジストパターンの形成及びエッチン
グ等の工程を不要とすることができるので、保護膜の除
去コストを大幅に低減することができる。
【００１１】また、保護膜は感光性樹脂からなるので、
スピンコート等の簡単な方法により容易に形成すること
ができ、保護膜の形成コストを低減することができる。
スピンコート等の簡単な方法により容易に形成すること
ができ、保護膜の形成コストを低減することができる。
【００１２】なお、感光性樹脂としては、特に限定する
ものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度の
強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。
ものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度の
強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１及び図２を参照して、本発明
の一実施例に係る表面波装置の構成を説明する。図１は
表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図２は図１
のＸ−Ｘ線断面図である。
の一実施例に係る表面波装置の構成を説明する。図１は
表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図２は図１
のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１４】本実施例の表面波装置は、端面反射型表面
波共振子であり、図１及び図２に示すように、矩形状の
圧電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉ
ＮｂＯ3圧電単結晶、ＬｉＴａＯ3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されている。圧電基板２の一方主面上に一
対のくし歯電極３、４からなる１つのインターデジタル
トランスデューサ５（以下、ＩＤＴと記す）が形成さ
れ、ＩＤＴ５が形成された面であって、ＩＤＴ５の引出
電極部３ｃ，４ｃが形成された部分を除く全面に感光性
ポリイミド系樹脂からなる保護膜１１が形成されてい
る。
波共振子であり、図１及び図２に示すように、矩形状の
圧電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉ
ＮｂＯ3圧電単結晶、ＬｉＴａＯ3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されている。圧電基板２の一方主面上に一
対のくし歯電極３、４からなる１つのインターデジタル
トランスデューサ５（以下、ＩＤＴと記す）が形成さ
れ、ＩＤＴ５が形成された面であって、ＩＤＴ５の引出
電極部３ｃ，４ｃが形成された部分を除く全面に感光性
ポリイミド系樹脂からなる保護膜１１が形成されてい
る。
【００１５】くし歯電極３、４は、それぞれ、複数本の
電極指３ａ，・・４ａ，・・を有し、電極指３ａ，・・
と電極指４ａ，・・とは互いに間挿し合うように配置さ
れている。それぞれのくし歯電極３、４のバスバー部３
ｂ、４ｂには所定の箇所に引出電極部３ｃ，４ｃが形成
されている。
電極指３ａ，・・４ａ，・・を有し、電極指３ａ，・・
と電極指４ａ，・・とは互いに間挿し合うように配置さ
れている。それぞれのくし歯電極３、４のバスバー部３
ｂ、４ｂには所定の箇所に引出電極部３ｃ，４ｃが形成
されている。
【００１６】なお、本実施例では、引出電極部３ｃ、４
ｃはバスバー３ｂ、４ｂの一部を延設するように形成さ
れているが、引出電極部の形状、形成位置は特に限定さ
れるものではなく、例えば、一定の幅で形成されたバス
バーの一部を引出電極部としてもよい。
ｃはバスバー３ｂ、４ｂの一部を延設するように形成さ
れているが、引出電極部の形状、形成位置は特に限定さ
れるものではなく、例えば、一定の幅で形成されたバス
バーの一部を引出電極部としてもよい。
【００１７】保護膜１１は、表面波装置の製造過程ある
いはパッケージング後において、金属粉がＩＤＴ５に付
着することにより、電極指３ａ，・・、４ａ，・・間が
ショートするのを防止するために設けられたものであ
り、０．０１μｍ〜５０μｍの膜厚で形成される。
いはパッケージング後において、金属粉がＩＤＴ５に付
着することにより、電極指３ａ，・・、４ａ，・・間が
ショートするのを防止するために設けられたものであ
り、０．０１μｍ〜５０μｍの膜厚で形成される。
【００１８】この表面波装置は、パッケージングされて
用いられ、引出電極部３ｃ，４ｃとパッケージ部の端子
電極とはワイヤーボンディングにより接続される。
用いられ、引出電極部３ｃ，４ｃとパッケージ部の端子
電極とはワイヤーボンディングにより接続される。
【００１９】以下、この表面波装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【００２０】まず、圧電基板２よりも大きな圧電母基板
の一方主面上に一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴ
を多数形成する。ＩＤＴの形成は、蒸着、スパッタリン
グもしくはメッキ等の薄膜形成法によりＡｌやＡｕ等の
導電性電極材料からなる電極膜を形成した後、露光、エ
ッチングする、あるいはマスクを用いて蒸着、スパッタ
リングによりＩＤＴ５の電極パターンに応じた電極を形
成することにより行われる。
の一方主面上に一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴ
を多数形成する。ＩＤＴの形成は、蒸着、スパッタリン
グもしくはメッキ等の薄膜形成法によりＡｌやＡｕ等の
導電性電極材料からなる電極膜を形成した後、露光、エ
ッチングする、あるいはマスクを用いて蒸着、スパッタ
リングによりＩＤＴ５の電極パターンに応じた電極を形
成することにより行われる。
【００２１】次に、圧電母基板上のＩＤＴ５が形成され
た面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコート
により塗布し、該樹脂をベーキングして、保護膜１１を
形成する。
た面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコート
により塗布し、該樹脂をベーキングして、保護膜１１を
形成する。
【００２２】次に、ＩＤＴ５の引出電極部３ｃ，４ｃ上
の保護膜１１をフォトリソグラフィすなわち露光、現像
することにより除去し、引出電極部３ｃ，４ｃを露出さ
せる。
の保護膜１１をフォトリソグラフィすなわち露光、現像
することにより除去し、引出電極部３ｃ，４ｃを露出さ
せる。
【００２３】次に、圧電母基板をダイサー等の切断機に
より切断して、図１及び図２に示す個々の表面波装置が
得られる。
より切断して、図１及び図２に示す個々の表面波装置が
得られる。
【００２４】以上のように、本実施例の構成において
は、保護膜１１が感光性樹脂で形成されており、引出電
極部上の保護膜をフォトリソグラフィすなわち露光、現
像のみの作業で容易に除去することができるので、従来
のＳｉＯ２等からなる保護膜のものに比べ、保護膜１１
の除去コストを大幅に低減することができる。
は、保護膜１１が感光性樹脂で形成されており、引出電
極部上の保護膜をフォトリソグラフィすなわち露光、現
像のみの作業で容易に除去することができるので、従来
のＳｉＯ２等からなる保護膜のものに比べ、保護膜１１
の除去コストを大幅に低減することができる。
【００２５】また、保護膜１１は、スピンコート等の簡
単な方法により形成することができるので、保護膜１１
の形成コストも低減することができる。
単な方法により形成することができるので、保護膜１１
の形成コストも低減することができる。
【００２６】また、上記実施例では１つのＩＤＴで構成
された端面反射型表面波共振子を一例として説明した
が、本発明の構成は、これに限るものではなく、複数の
ＩＤＴで構成される端面反射型表面波フィルタ、また
は、図３に示すように、ＩＤＴ及び反射器で構成された
電極パターンを有する表面波装置にも適用できることは
勿論である。
された端面反射型表面波共振子を一例として説明した
が、本発明の構成は、これに限るものではなく、複数の
ＩＤＴで構成される端面反射型表面波フィルタ、また
は、図３に示すように、ＩＤＴ及び反射器で構成された
電極パターンを有する表面波装置にも適用できることは
勿論である。
【００２７】図３に示す表面波装置は、圧電基板２上の
両側に反射器６、６が形成され、反射器６、６の間に３
つのＩＤＴ５，５，５が形成され、ＩＤＴ５、５、５及
び反射器６、６の形成面を覆って、感光性樹脂からなる
保護膜１１が形成されている。ＩＤＴ５、５、５のバス
バー上の保護膜１１の一部が除去され、引出電極部３
ｃ，３ｃ，３ｃ、４ｃ，４ｃ，４ｃが露出するように形
成されている。
両側に反射器６、６が形成され、反射器６、６の間に３
つのＩＤＴ５，５，５が形成され、ＩＤＴ５、５、５及
び反射器６、６の形成面を覆って、感光性樹脂からなる
保護膜１１が形成されている。ＩＤＴ５、５、５のバス
バー上の保護膜１１の一部が除去され、引出電極部３
ｃ，３ｃ，３ｃ、４ｃ，４ｃ，４ｃが露出するように形
成されている。
【００２８】この構成においても、保護膜１１は感光性
樹脂で形成されているので、上記実施例で説明したよう
に、保護膜１１の除去コスト、保護膜１１の形成コスト
を低減することができる。
樹脂で形成されているので、上記実施例で説明したよう
に、保護膜１１の除去コスト、保護膜１１の形成コスト
を低減することができる。
【００２９】なお、保護膜１１の形成は、スピンコート
法に限るものではなく、スプレー等の他の方法を用いる
ようにしてもよい。
法に限るものではなく、スプレー等の他の方法を用いる
ようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
波装置によれば、金属粉によるショート不良を防止する
ための保護膜は、感光性樹脂で形成されているので、Ｉ
ＤＴの引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィのみ
で容易に除去することができ、よって、保護膜の除去コ
ストを大幅に低減することができる。
波装置によれば、金属粉によるショート不良を防止する
ための保護膜は、感光性樹脂で形成されているので、Ｉ
ＤＴの引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィのみ
で容易に除去することができ、よって、保護膜の除去コ
ストを大幅に低減することができる。
【００３１】また、保護膜は樹脂からなるので、スピン
コート等の簡単な方法により容易に形成することがで
き、保護膜の形成コストも低減することできる。
コート等の簡単な方法により容易に形成することがで
き、保護膜の形成コストも低減することできる。
【００３２】したがって、本発明によれば、保護膜が形
成された高信頼性の表面波装置を安価に製造することが
できる。
成された高信頼性の表面波装置を安価に製造することが
できる。
【図１】本発明の一実施例に係る表面波装置の斜視図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す表面波装置のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例に係る表面波装置の平面図
である。
である。
２ 圧電基板 ３、４ くし歯電極 ３ａ，４ｂ 電極指 ３ａ〜４ｃ 電極脂 ３ｃ、４ｃ 入出力電極部 ５ ＩＤＴ ６ 反射器 １１ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
た少なくとも１つのＩＤＴを含む電極パターンとを備え
た表面波装置であって、 前記電極パターンを覆って、前記圧電基板上に感光性樹
脂からなる保護膜が形成され、前記ＩＤＴの引出電極部
上の保護膜の一部が除去されていることを特徴とする表
面波装置。 - 【請求項２】 前記保護膜が感光性ポリイミド系樹脂か
らなることを特徴とする請求項１に記載の表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1777896A JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1777896A JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214279A true JPH09214279A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11953187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1777896A Pending JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026823A2 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a resinous film to cover an electrode pattern |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP1777896A patent/JPH09214279A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026823A2 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a resinous film to cover an electrode pattern |
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